TW201615542A - 多孔質石墨之製造方法及多孔質石墨 - Google Patents

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Abstract

本發明提供可實現更高耐久性、輸出、容量之多孔質石墨之製造方法及多孔質石墨。 本發明之多孔質石墨之製造方法係藉由脫成分步驟，將由含碳之化合物、合金或非平衡合金所成之含碳材料(11)浸漬於金屬浴(12)中，該金屬浴(12)具有比該含碳材料(11)之熔點低的凝固點，且溫度被控制在比從含碳材料(11)因碳以外之其他主成分減少而及至碳之組成變動範圍內之液相線溫度之最小值低之溫度，藉此使碳以外之其他主成分選擇性熔出至金屬浴(12)內，獲得具有微小間隙之碳構件(13)。藉由石墨化步驟，使脫成分步驟所得之碳構件(13)加熱而石墨化。藉由賦活步驟，對在石墨化步驟被石墨化之碳構件進行賦活處理。

Description

多孔質石墨之製造方法及多孔質石墨
本發明係關於多孔質石墨之製造方法及多孔質石墨。
活性碳等之碳材料係利用因莫大的比較面積所致之高反應效率，而使用於各種電池之電極等(參照專利文獻1)。作為利用碳材料之電極等之性能，對於例如鋰離子電池之負極活性物質要求高輸出、高充放電速度、高容量，但對於燃料電池之電極觸媒擔體則要求高輸出、高耐久性，但對電雙層電容器之分極性電極則要求高輸出、高容量。
作為碳材料例如活性碳或碳黑、石墨烯、碳奈米管等已利用於電極或燃料電池之電極觸媒擔體等中。然而，活性碳或碳黑由於結晶性低且接觸點多，故電阻高且導電率低，而有在電極內產生電壓下降，引起輸出密度或充放電速度降低之問題。且，由於結晶性低，故亦有耐腐蝕性或耐久性下降之問題。且，石墨烯或碳奈米管等之結晶由於導電率高，比表面積大，但鬆密度小，故有助於 電池反應之碳量本身變少，而有無法使電池絕對容量運轉之問題。
為了解決該問題，已開發施以磺化處理及碳化處理而得之多孔質碳(例如參考非專利文獻1)，或使用超音波放射及低觸媒濃度之RF溶液而獲得之多孔質碳(例如參考非專利文獻2)。該等多孔質碳由於為塊狀狀且鬆密度大，可提高導電率，故可實現比較高的輸出或電容。
又，由本發明人等開發出可製造於表面或全體具有微小氣孔之金屬構件之所謂金屬熔液脫成分法(參照例如專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4762424號公報
[專利文獻2]國際公開第WO2011/092909號
[非專利文獻]
[非專利文獻1] G. Hasegawa等人，“Fabrication of activated carbons with well-defined macropores derived from sulfonated poly(divinylbenzene) networks”, Carbon, 2010, 48, p.1757-1766
[非專利文獻2] N. Tananon等人，“3D interconnected macroprous carbon monoliths prepared by ultrasonic irradiation”, Carbon, 2005, 43, p.2808~2811
非專利文獻1及2中記載之多孔質碳由於結晶性稍低，表面積亦不怎麼大，故具有之課題為耐久性或輸出、容量尚有改善之餘地。例如，於燃料電池之電極觸媒擔體等要求比藉非專利文獻1及2所記載之多孔質碳獲得之輸出或容量更高之性能，而期望開發具有更高耐久性、輸出、容量之碳材料。
本發明係著眼於解決該課題，其目的在於提供可實現更高耐久性、輸出、容量之多孔質石墨之製造方法及空孔質石墨。
為達成上述目的，本發明之多孔質石墨之製造方法之特徵係具有下列步驟：脫成分步驟，其係將由含碳之化合物、合金或非平衡合金所成之含碳材料與熔融金屬接觸，該熔融金屬具有比該含碳材料之熔點低的凝固點，且溫度被控制在從前述含碳材料因碳以外之其他主成分減少而及至前述碳之組成變動範圍內之液相線溫度之最小值低之溫度，藉此使前述其他主成分選擇性熔出至前述熔融金屬內，獲得具有微小間隙之碳構件；及賦活步驟，其係對在前述脫成分步驟所得之前述碳構件進行賦活處理。
本發明之多孔質石墨之製造方法中，於脫成分步驟，藉由使碳以外之其他主成分自含碳材料選擇性熔出至熔融金屬，而使殘存之碳彼此重複鍵結，形成具有奈米等級尺寸之粒子。再者，由於該等粒子部分鍵結，故可獲得具有中孔(meso-porous)(直徑2nm~60nm)及巨孔(直徑60nm以上)等之微小間隙之多孔質且塊狀之碳構件。又，藉由使熔融金屬之溫度及含碳材料與熔融金屬之接觸時間、含碳材料內之碳成分比變化，可使所製造之碳構件之間隙尺寸及間隙率變化。
又，本發明之多孔質石墨之製造方法中，於脫成分步驟所得之碳構件已被充分石墨化時，藉由對於該碳構件以賦活步驟進行賦活處理，可於碳構件表面形成無數之微孔(直徑2nm以下)，可增大比表面積。又，賦活處理若為可於碳構件上形成微孔者，則亦可使用利用二氧化碳或水蒸氣、空氣等之氣體賦活、或利用氯化鋅或硫酸鹽、磷酸等之化學品賦活等之任何方法。
如此，依據本發明之多孔質石墨之製造方法，可獲得結晶性、導電率及耐久性高、比表面積大、為塊狀且鬆密度大之多孔質石墨。所得之多孔質石墨使用於各種電池之電極等時，由於係由中孔‧巨孔構成，故性質之熱安定性高，且由於比表面積大，故可獲得高充放電速度、高輸出。又，由於結晶性及導電率高，故可獲得高輸出、高充放電速度、高耐久性。且，由於鬆密度大，故可獲得高容量。
本發明之多孔質石墨之製造方法具有石墨化步驟，其係使脫成分步驟所得之前述碳構件加熱而石墨化，且前述賦活步驟係對在前述石墨化步驟被石墨化之前述碳構件進行賦活處理。該情形時，脫成分步驟所得之碳構件未充分被石墨化時，該碳構件藉由於石墨化步驟中被石墨化，而可提高結晶性、降低電阻率且提高導電率。且，亦可提高耐久性。又，於石墨化步驟中，中孔及巨孔未消失，可維持多孔質構造。
本發明之多孔質石墨之製造方法於脫成分步驟中，若可將含碳材料之碳以外之其他主成分熔出至熔融金屬中，則亦可藉任何方法使含碳材料與熔融金屬接觸。例如，前述脫成分步驟係藉由將前述含碳材料浸漬於由前述熔融金屬所成之金屬浴中，而使前述其他主成分選擇性熔出至前述金屬浴內，獲得前述碳材料亦可。且，具有將具有比前述含碳材料之熔點低之凝固點的固體金屬預先配置於與前述含碳材料接觸之前處理步驟，前述脫成分步驟係藉由加熱前述固體金屬作成前述熔融金屬，而將前述其他主成分選擇性熔出至前述熔融金屬，而獲得前述碳構件亦可。
本發明之多孔質石墨之製造方法，較好前述脫成分步驟於前述碳構件自前述熔融金屬脫離後，藉由酸或鹼水溶液，選擇性地僅溶出且去除附著於周圍或前述微小間隙之內部之包含前述熔融金屬之成分及/或前述其他主成分之附著混合體。該情況下，藉由使用不溶出碳而可 僅選擇性溶出附著混合體之酸或鹼水溶液，可獲得以碳作為主成分且附著混合體已去除之多孔質碳構件。又，所去除之附著混合體會例如附著於所得之碳構件之周圍，一部分附著於微小間隙之內部，並填充於微小間隙之內部。
本發明之多孔質石墨之製造方法，較好前述熔融金屬係由Ag、Bi、Cu、Ga、Ge、Hg、In、Ir、Pb、Pt、Rh、Sb、Sn、Zn、或以該等中之至少一種作為主成分之合金之混合體所成，前述其他主成分係由Al、B、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Fe、Gd、Hf、Ho、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na、Nb、Nd、Pr、Sc、Se、Si、Sm、Sr、Ta、Ti、V、W、Zr之任一者或包含其複數之混合體所成。該情況下，可獲得特別有效率之多孔質石墨。
本發明之多孔質石墨之製造方法，較好前述石墨化步驟係將前述碳構件加熱至1500℃以上，更好加熱至2000℃以上。尤其較好加熱至2400℃以上。該等情況下，可使碳構件效率良好地石墨化，可獲得電阻率顯著降低、具有更高導電率及耐腐蝕性之石墨。
本發明之多孔質石墨之製造方法，較好前述脫成分步驟係在惰性氛圍中或真空氛圍中進行，或對前述熔融金屬添加助熔劑並於大氣中進行。該情況下，亦可防止於大氣中使金屬浴氧化。
本發明之多孔質石墨之特徵係塊體狀，由石墨之(002)繞射線所導出之(002)面平均間隔之值為0.342以下，且全氣孔體積中，2至100nm大小之氣孔包含80% 以上，BET比表面積為100m2/g以上。
且，本發明之多孔質石墨較好其石墨之(002)繞射線之波峰半值寬為1.02°以下，結晶尺寸為9nm以上。又，較好拉曼光譜之D頻帶之波峰強度(ID)與G頻帶之波峰強度(IG)之比ID/IG為0.5以下，且前述G頻帶之波峰半值寬為45cm-1以下。且，BET比表面積為300m2/g以上，進而較好為700m2/g以上，最好為2400m2/g以上。且，本發明之多孔質石墨亦可為薄片狀。
本發明之多孔質石墨尤其較好係由本發明之多孔質石墨之製造方法製造。本發明之多孔質石墨之結晶性、導電率及耐久性高，比表面積大，且鬆密度大。因此，使用於各種電池之電極時，可實現更高之耐久性、輸出、容量。
依據本發明，可提供可實現更高耐久性、輸出、容量之多孔質石墨之製造方法及多孔質石墨。
11‧‧‧含碳材料
12‧‧‧金屬浴
13‧‧‧碳構件
14‧‧‧未反應前驅物
15‧‧‧水溶液
圖1係Mn-C系狀態圖。
圖2係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之脫成分步驟之(a)將含碳材料浸漬於金屬浴之步驟，(b)洗淨碳構件之步驟之概略立體圖。
圖3係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之脫成分步驟之(a)去除附著混合體之步驟，(d)回收碳構件之步驟之概略立體圖。
圖4係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之由脫成分步驟所得之碳構件之(a)顯微鏡照片，(b)倍率為(a)之一半之顯微鏡照片。
圖5係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之由脫成分步驟所得之碳構件之細孔分佈之圖表。
圖6係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之(a)石墨化處理前之碳構件之顯微鏡照片，(b)石墨化處理後之碳構件之顯微鏡照片。
圖7係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之(a)石墨化處理前之碳構件之與圖6不同部位之顯微鏡照片，(b)石墨化處理後之碳構件之與圖6不同部位之倍率為(a)之一半的顯微鏡照片。
圖8係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之石墨化處理前後之碳構件之X射線繞射(XRD)圖型。
圖9係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之(a)石墨化處理後之碳構件之細孔分佈，(a)石墨化處理前之碳構件之細孔分佈之圖表。
圖10係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之石墨化處理前後之與圖8及圖9不同之碳構件之(a)XRD圖型，(b)細孔分佈之圖表。
圖11係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方 法之(a)賦活處理前之碳構件之顯微鏡照片，(b)賦活處理前之碳構件之與(a)不同部位之顯微鏡照片，(c)賦活處理後之碳構件之顯微鏡照片，(d)賦活處理前之碳構件之與(c)不同部位之顯微鏡照片。
圖12係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之石墨化處理及賦活處理所致之(a)吸附量變化，(b)細孔分佈變化之圖表。
圖13係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用氧化硼助熔劑在大氣氛圍中進行脫成分步驟時之石墨化處理後之碳構件之(a)掃描型電子顯微鏡照片，(b)比(a)更高倍率之掃描型電子顯微鏡照片，(c)X射線繞射圖形(XRD)圖型。
圖14係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn85C15作為含碳材料時之脫成分步驟後之碳構件之(a)源自α-Mn相，(b)源自Mn23C6化合物之構造之掃描行電子顯微鏡照片。
圖15係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn85C15作為含碳材料時之於2000℃之(a)石墨化處理前，(b)石墨化處理後之碳構件之掃描型電子顯微鏡照片。
圖16係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn85C15作為含碳材料時之石墨化之每加熱溫度及石墨化處理前之(a)N2吸附量，(b)細孔分佈之圖表。
圖17係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之 使用Mn85C15作為含碳材料時之石墨化之每加熱溫度及石墨化處理前之(a)XRD圖型，(b)拉曼光譜。
圖18係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn85C15作為含碳材料時之石墨化處理前及2500℃之石墨化處理後之密度(Density)與體積電阻率(Volume Resistivity)之關係之圖表。
圖19係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn85C15作為含碳材料時之BET比表面積及燃燒損失相對於賦活處理溫度之變化之圖表。
圖20係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn85C15作為含碳材料時之使用二氧化碳之賦活處理引起之(a)吸附解吸量之變化，(b)細孔分佈之變化之圖表。
圖21係顯示本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn85C15作為含碳材料時之使用氯化鋅之賦活處理引起之(a)吸附解吸量之變化，(b)細孔分佈之變化之圖表，以及賦活處理前後之BET比表面積(SBET)及氣孔量(VP)之表。
圖22係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn79C21作為含碳材料以Zn金屬浴進行脫成分步驟所得碳構件之(a)掃描型電子顯微鏡照片，(b)比(a)更高倍率之掃描型電子顯微鏡照片。
圖23係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn79C21作為含碳材料以Cu金屬浴進行脫成分步驟 所得碳構件之(a)掃描型電子顯微鏡照片，(b)比(a)更高倍率之掃描型電子顯微鏡照片，(c)比(b)更高倍率之掃描型電子顯微鏡照片。
圖24係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之使用Mn79C21作為含碳材料以Cu金屬浴進行脫成分步驟所得碳構件之XRD圖型與使用同樣含碳材料以Bi金屬浴進行脫成分步驟所得碳構件之XRD圖型進行比較之圖。
圖25係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之脫成分步驟後之薄片狀碳構件之(a)掃描型電子顯微鏡照片，(b)比(a)更高倍率之掃描型電子顯微鏡照片。
圖26係本發明實施形態之多孔質石墨之製造方法之脫成分步驟後之薄片狀碳構件之拉曼光譜。
以下，基於圖式，邊例舉實施例邊對本發明之實施形態加以說明。
本發明之實施形態之多孔質石墨之製造方法係對前驅物之含碳材料進行脫成分步驟、石墨化步驟、賦活步驟，可製造本發明之實施形態之多孔質石墨。又，藉由脫成分步驟已充分石墨化時，亦可省略石墨化步驟。
[實施例1] [前驅物之製作]
本發明之實施形態之多孔質石墨之製造方法係首先製作作為由含碳材料之包含碳與碳以外之其他主成分之化合物、合金或非平衡合金所成之前驅物。例如，以圖1所示之Mn-C系狀態圖為參考，將碳以外之其他成分設為Mn，製作Mn-C系之前區合金。又，由於Mn及其合金之熔融體一般易於氧化，故於熔製時，較好在氬等之惰性氛圍中進行。
[脫成分步驟]
其次，如圖2(a)所示，所製作之前驅物之含碳材料11為了提高反應性而成粉末狀或薄片狀，並於具有比該含碳材料11之熔點低的凝固點之金屬浴12內部浸漬特定時間。此時，金屬浴12之溫度被控制在比從含碳材料11因使碳以外之其他主成分減少而及至碳之組成變動範圍內之液相線溫度之最小值低之溫度。例如，使用Mn-C系之前驅物作為含碳材料11時，由圖1所示之狀態圖，金屬浴12之溫度被控制在Mn減少而及至C之組成變動範圍內之液相線溫度之最小值1231℃低之溫度。又，該情況下，由於在600℃以下不易引起反應，故金屬浴12較好為600℃以上。
浸漬於金屬浴12之時間係根據金屬浴12或前驅物之含碳材料11之成分而有各種時間，但例如使用Bi熔液或Ag熔液作為金屬浴12，且浸漬作為含碳材料11之Mn-C系前驅物時，約為5~10分鐘左右。且，例如 使用Bi熔液作為金屬浴12，且浸漬作為含碳材料11之Mn-C系前驅物時，因密度差而有粉末狀之Mn-C系前驅物浮在熔液表面，故浸漬之間，較好以棒等攪拌前驅物與熔液。且由於Bi或其合金之熔融體一般易於氧化，故使用其作為金屬浴12之脫成分步驟中，較好在氬等惰性氛圍中或真空氛圍中進行。
藉由浸漬於金屬浴12，可自含碳材料11選擇性將碳以外之其他主成分(例如Mn)熔出至金屬浴12內部。藉此，殘存於金屬浴12內部之碳彼此重複鍵結，而形成具有奈米等級尺寸之粒子。再者，由於該等粒子部分鍵結，故可獲得具有中孔(直徑2nm~60nm)及巨孔(直徑60nm以上)等之微小間隙之多孔質且塊體狀之碳構件13。
又，由於在熔液表面附近有殘留未反應前驅物14之可能性，故自金屬浴12取出之快體狀之碳構件13表面上會附著該未反應前驅物14。因此，如圖2(b)所示，使用超音波洗淨機等洗淨並去除附著於碳構件13表面上之未反應前驅物14。
於碳構件13之周圍或微小間隙內部附著有由金屬浴12之成分或碳以外之其他主成分(例如Mn)所成之附著混合體。因此，如圖3(a)所示，為了選擇性地僅溶出並去除該附著混合體，而將所得之碳構件13放入酸或鹼水溶液15中。圖3(a)中所示之一例中，放入碳構件13之水溶液15為硝酸水溶液。此時，碳構件13若直接放入則反應慢，故使用旋盤等將碳構件13之上部細小地削落， 將其移入燒杯等中，放入浸漬程度之蒸餾水，隨後逐次少量放入硝酸。硝酸與附著混合體反應，使附著混合體溶出後，如圖3(b)所示，進行過濾等而回收固體部分之碳構件13，並施以水洗‧乾燥。如此，獲得以碳為主成分、附著混合體被去除之多孔質碳構件13。
如此獲得之碳構件之顯微鏡照片示於圖4。且，所得碳構件之細孔分佈示於圖5。又，圖4及圖5所示之碳構件為使前驅物之含碳材料Mn80C20(數值為原子比：以下只要未指定則同樣為原子比)於惰性氛圍中，於1000℃之Bi熔液之金屬浴中浸漬10分鐘而得者。如圖4及圖5所示，可確認所得碳構件為多孔質，且具有主要由中孔(直徑2nm~60nm)及巨孔(直徑60nm以上)所成之微小間隙。又，圖4及圖5所示之碳構件之BET比表面積為223.8m2/g。
[石墨化步驟]
其次，加熱所得碳構件進行石墨化處理。此時，為了藉由石墨化處理而提高結晶性，降低電阻率且提高導電率，故加熱溫度較好為2000℃以上，特佳為2400℃以上。石墨化處理前後之碳構件之顯微鏡照片示於圖6及圖7。且，石墨化處理前後之碳構件之X射線繞射(XRD)圖型示於圖8。又，(直徑2nm~60nm)或巨孔(直徑60nm以上)等之微小間隙細孔分佈示於圖9。又，圖6至圖9所示之碳構件係將前驅物之含碳材料Mn80C20浸漬於1200℃之 Ag熔液之金屬浴中5分鐘而得之碳構件，在2000℃加熱1小時之石墨化處理者。
如圖6及圖7所示，石墨化處理前後，碳構件之外觀幾乎未見到變化，確認石墨化處理前後之碳構件具有高的熱安定性。且，如圖8所示，確認藉由石墨化處理，(002)繞射線之半值寬變窄，藉由石墨化處理而提高碳構件之結晶性，亦提高導電率及耐腐蝕性(耐久性)。又，圖8中之石墨化後之B13C2之波峰係源自含碳材料的Mn-C熔製時所用之BN坩堝者。
且，如圖9所示，於石墨化處理前後，碳構件之細孔分佈幾乎未變化，即使藉由石墨化處理，碳構件之中孔及巨孔亦未消失，確認可維持多孔質構造。又，石墨化處理前後之BET比表面積分別為53m2/g及49m2/g，亦確認幾乎未變化。由該等可說石墨化處理前後之碳構件具有熱安定性高之狀態。
作為其他石墨化處理之實施例，關於將前驅物之含碳材料Mn80C20在900℃之Bi熔液中浸漬10分鐘所得之碳構件在2000℃加熱1小時之石墨化處理者，石墨化處理前後之XRD圖型示於圖10(a)，石墨化處理前後之細孔分佈示於圖10(b)。如圖10(a)所示，與圖8同樣地，確認藉由石墨化處理，(002)繞射線之半值寬變窄。且，如圖10(b)所示，與圖9同樣地，確認石墨化處理前後，碳構件之細孔分佈幾乎無變化。且，石墨化處理前後之BET比表面積分別為151m2/g及135m2/g，亦確認幾乎 未變化。
[賦活步驟]
其次，對於藉由石墨化處理而石墨化之碳構件進行賦活處理。賦活處理時，若可於碳構件形成為孔者，則可使用利用二氧化碳或水蒸氣、空氣等之氣體賦活，或利用氯化鋅或硫酸鹽、磷酸等之化學品賦活等之任何方法。
對於石墨化處理後之碳構件使用氮氣與二氧化碳之混合氣體邊於800℃維持2小時進行賦活處理時之賦活處理前後之碳構件之顯微鏡照片示於圖11。且，石墨化處理及賦活處理引起之吸附量變化及細孔分佈變化分別示於圖12(a)及(b)。又，圖11及圖12所示之碳構件係使用將前驅物之含碳材料Mn80C20浸漬於900℃之Bi熔液之金屬浴中10分鐘而得者。且石墨化處理係將該碳構件在2000℃加熱1小時而進行。
如圖11所示，藉由進行賦活處理，確認石墨化之碳構件之表面成為凹凸。且，如圖12(a)所示，藉由進行賦活處理，確認經石墨化之碳構件之表面吸附量增加。且，如圖12(b)所示，藉由賦活處理，確認至少直徑100nm以下之細孔容積增加。又，賦活處理前後之BET比表面積分別為135m2/g及153m2/g，確認藉由賦活處理而增大。
又，如圖12(a)及(b)所示，未進行石墨化處理而進行賦活處理之情況，與石墨化處理後進行賦活處理之 情況相比，吸附量、細孔容積及BET比表面積變大，但為了不僅增大比表面積，亦提高碳構件之結晶性，較好於賦活處理前進行石墨化處理。
如圖11及圖12所示，藉由賦活處理可使碳構件之比表面積增大。依據非專利文獻1，關於由微米等及尺寸之紐帶(ligament)與巨孔所形成之多孔質碳材料，藉由使用氮氣與二氧化碳之混合氣體施以氣體賦活處理，而達成最大2355m2/g之比表面積。本發明之實施形態所用之氣體賦活對於如非專利文獻1所提供之石墨度低之碳材料其效果較大，對於本發明之石墨化之碳構件之效果小。本發明之脫成分步驟可形成由比非專利文獻1更小一位數之次微米等級尺度之紐帶與巨孔所成之多孔質石墨材料。因此，若對其施以與非專利文獻1具有同樣效果之賦活效果之強賦活處理，則認為可獲得超過2400m2/g之超大比表面積。
作為賦活效果之強賦活處理舉例有鹼賦活，但其以外亦可考慮使用如下之金屬浴之賦活處理。亦即，於與碳分離而未反應之金屬浴(例如Bi或Pb等)中，事先溶解可熔於(混合於)該金屬浴且與碳亦易反應之元素(例如Ca或Mn等)。於其中浸漬施以石墨化處理之多孔質石墨，但此時，將金屬浴溫度控制在碳與易與碳反應之元素之間之反應無法成為均質反應之程度之低溫度。藉此，期待可於石墨表面上產生不均質反應區域。將浸漬之多孔質石墨自金屬浴拉起後，藉由浸漬於酸或鹼水溶液中而去除 殘留於石墨上之金屬浴成分及易與碳反應之元素成分，或視情況，直接加熱至例如超過2000℃之超高溫而蒸發去除該等成分。該處理結果，認為與易與碳反應之元素反應之石墨表面區域新形成凹陷之微孔或中孔，或者以該反應區域為起點將石墨烯層自紐帶本體部分分離。藉由該作用，認為可一面維持多孔質石墨之表面以及內部之石墨度，一面可飛躍地提高比表面積。
[實施例2]
於石英管中***20克Bi，於其上投入2克之經粉碎前驅物之含碳材料Mn78C22，進而自其上投入作為助熔劑之氧化硼(B2O3)粒子。將其直接放入預先加熱至800℃之電爐中並振動等，邊促進Bi與前驅物之脫成分反應邊保持20分鐘。此時，Bi熔融而於石英管內作成金屬浴，可自含碳材料將Mn選擇性熔出至金屬浴內。隨後，自電爐拉起石英管，並凝固。將該凝固物浸漬於水中，去除氧化硼成分後，浸漬於濃硝酸水溶液中，去除Mn及Bi成分。將其在2000℃加熱1小時進行石墨化處理。
石墨化處理後之碳構件之掃描型電子顯微鏡照片分別示於圖13(a)及(b)，XRD圖型示於圖13(c)。如圖13(a)及(b)所示，可確認所得碳構件為多孔質且具有主要由中孔(直徑2nm~60nm)及巨孔(直徑60nm以上)所成之微小間隙。且，如圖13(c)所示，明確見到θ=25度附近之(002)繞射線之半值寬，可確認碳構件之結晶性高。
由該結果，確認使用Bi浴之脫成分步驟中，藉由使用氧化硼作為助熔劑，即使於大氣氛圍下亦可施以脫成分步驟，可製作具有與未使用助熔劑而於惰性氛圍中製作時(例如參考圖4、圖6(b)、圖7(b)、圖8)同樣形態之多孔質石墨。
[實施例3]
將前驅物之含碳材料Mn85C15於800℃(1073K)之Bi金屬浴中浸漬10分鐘(600秒)，獲得多孔質碳構件。進而，為了去除殘留於周圍或微小間隙中之Mn及Bi成分，而將該碳構件於硝酸水溶液中浸漬24小時後，進行洗淨及乾燥。
又，由於前驅物之Mn85C15具有α-Mn與Mn23C6化合物之兩相構造，故源自該等之各相之碳構件之構造的掃描型顯微鏡照片分別示於圖14(a)及(b)。圖14(a)所示之源自α-Mn之構造確認比圖14(b)所示之源自Mn23C6化合物之構造之氣孔率要高。由此，認為α-Mn相發揮使Bi流動並擴散之流路之角色。
[石墨化步驟]
針對如此所得之脫成分步驟之碳構件分別於1500℃(1773K)、2000℃(2273K)及2500℃(2773K)加熱2小時，進行石墨化處理。在2000℃進行石墨化處理時之石墨化處理前後之碳構件之掃描型電子顯微鏡照片示於圖15。 如圖15所示，於石墨化處理前後，碳構件之外觀幾乎未見到變化，確認石墨化處理前後之碳構件具有高的熱安定性。
石墨化之每加熱溫度及石墨化處理前之N2吸附量是於圖16(a)，細孔分佈示於圖16(b)。且，由圖16(a)及(b)之結果，求出BET比表面積(SBET)及氣孔量(VP)，並示於表1。又，表1中，為了參考，亦顯示碳黑之一種的乙炔黑(「DENKA BLACK(註冊商標)」；電氣化學工業股份有限公司製)之各數據。
如圖16(a)所示，藉由石墨化處理，雖見到吸附量稍有降低之傾向，但確認其降低量本身不怎麼大。且，如圖16(b)所示，於石墨化處理前後，碳構件之細孔 分佈幾乎無變化，即使藉由石墨化處理，碳構件之中孔及巨孔亦未消失，確認維持了多孔質構造。如表1所示，BET比表面積藉由石墨化處理且加熱溫度越高越降低，但仍確認顯示約117m2/g以上之較高值。且，儘管藉由石墨化處理而BET比表面積降低，但確認氣孔量約0.8cm3/g左右，顯示幾乎相同值。
石墨化之每加熱溫度及石墨化處理前之XRD圖型示於圖17(a)，拉曼光譜示於圖17(b)。且，由圖17(a)之結果，求出由石墨之(002)繞射線導出之(002)面平均間隔(d002)、(002)繞射線之波峰半值寬(FWHM002)及基準面內之結晶尺寸(LC)並示於表1。且，由圖17(b)之結果，求出D頻帶(拉曼位移為1350cm-1附近)與G頻帶(拉曼位移為1582cm-1附近)之波峰強度比(ID/IG)，及G頻帶之波峰半值寬(FWHMG)並示於表1。
如圖17(a)及(b)所示，確認加熱溫度越高，平面性越增大，缺陷密度越降低。且，如表1所示，確認加熱溫度越高，d002、FWHM002、ID/IG及FWHMG越降低，但LC變大。
石墨化處理前及在2500℃之石墨化處理後之密度(Density)與體積電阻率(Volumn Resistivity)之關係示於圖18。又，圖18中，為了參考，亦顯示乙炔黑(「DENKA BLACK(註冊商標)」；電氣化學工業股份有限公司製)之數據。如圖18所示，藉由石墨化處理，確認體積電阻率降低至一半左右。由以上之圖16~圖18及表1 之結果可知，藉由石墨化處理，提高了碳構件之結晶性，也提高了導電率及耐腐蝕性(耐久性)。
[賦活步驟]
針對脫成分步驟後之碳構件(未進行石墨化處理者)進行賦活處理。賦活處理係以使用二氧化碳者及使用氯化鋅者之兩種方法。首先，使用二氧化碳之賦活處理時，使用於氮氣中含有約10%二氧化碳之混合氣體，分別在700℃、800℃、850℃、900℃及950℃進行處理。各溫度之前之升溫速度設為10℃/分鐘，到達各溫度後維持2小時。且，混合氣體流量設為1升/分鐘。
賦活處理後之BET比表面積及燃燒損失示於圖19。又，賦活處理前之BET比表面積為184.8m2/g。如圖19所示，確認藉由進行賦活處理，BET比表面積及燃燒損失增大。尤其，BET比表面積於賦活處理溫度越高越急遽增大，在950℃之賦活處理成為約700m2/g。
賦活處理(Activation)前後之吸附量(Quantity Adsorbed)之變化及細孔(Pore)分佈之變化分別示於圖20(a)及(b)。此處，圖20(a)中之塗色符號表示氮吸附量，空白符號表示氮氣之解吸量。如圖20(a)所示，確認藉由進行賦活處理，碳構件之表面吸附量增加。且，如圖20(b)所示，確認藉由賦活處理，至少直徑100nm以下之細孔容積增加，比表面積增加。尤其處理溫度為850℃以上時，確認不僅微孔增加，直徑30nm附近之中孔亦增 加。
針對賦活處理前之碳構件進行X射線繞射，由其XRD圖型，求出由石墨之(002)繞射線導出之(002)面平均間隔(d002)及基準面內之結晶尺寸(LC)，並示於表2。又，針對賦活處理前後之碳構件求出氣孔率並示於表2。
如表2所示，確認d002不因賦活處理溫度而變而顯示大致一定之值，LC及氣孔率係賦活處理溫度越高則越大。由此確認賦活處理溫度增高時，不僅比表面積增大，結晶性亦多少提高。又，此處，未進行石墨化處理，但藉由在賦活處理前進行石墨化處理，認為LC變大，碳構件之結晶性提高，導電率及耐腐蝕性(耐久性)亦提高。
其次，不以二氧化碳，而使用氯化鋅進行賦活處理。使用氯化鋅之賦活處理時，首先，將氯化鋅與脫成分步驟後之碳構件(未進行石墨化處理者)以重量5：1 之比率於水50ml中混合，在70℃攪拌2小時左右並含浸。隨後，為了使水全部蒸發，於120℃乾燥1天左右。乾燥後之物質利用電爐在500℃加熱4小時，藉由使碳構件表面附著之氯化鋅蒸發而進行賦活處理。加熱後，以1莫耳之鹽酸水溶液為洗劑，進行過濾而回收碳構件。
賦活處理(Activation)前後之吸附量(Quantity Adsorbed)之變化及細孔(Pore)分佈之變化分別示於圖21(a)及(b)。此處，圖21(a)中之塗色符號表示氮吸附量，空白符號表示氮氣之解吸量。如圖21(a)所示，確認藉由進行賦活處理，碳構件之表面吸附量增加。且，如圖21(b)所示，確認藉由賦活處理，主要為直徑3nm以下之微孔容積增加。此顯示與圖20(b)所示之二氧化碳之賦活處理不同之傾向。
由圖21(a)及(b)之結果，求出BET比表面積(SBET)及氣孔量(VP)並示於圖21(b)中。藉由賦活處理，BET比表面積及氣孔量增大，分別為426.5m2/g及1.02cm3/g。尤其確認BET比表面積比賦活處理前增大2倍以上。
[實施例4]
將前驅物之含碳材料Mn79C21於700℃(973K)之Zn金屬浴中邊以250rpm攪拌邊浸漬15分鐘(900秒)，獲得多孔質碳構件。進而，為了去除周圍或微小間隙中殘存之Mn成分及Zn成分，將該碳構件浸漬於硝酸水溶液 中24小時後，進行洗淨及乾燥。如此獲得之碳構件之顯微鏡照片示於圖22。如圖22所示，確認所得碳構件為多孔質且具有微小間隙。由該結果，確認可藉由Zn金屬浴進行脫成分步驟。
[實施例5]
將前驅物之含碳材料Mn79C21於1150℃(1423K)之Cu金屬浴中浸漬5分鐘(300秒)，獲得多孔質碳構件。進而，為了去除周圍或微小間隙中殘存之Mn成分及Cu成分，將該碳構件浸漬於硝酸水溶液中24小時後，進行洗淨及乾燥。如此獲得之碳構件之顯微鏡照片示於圖23。如圖23所示，確認所得碳構件為多孔質且具有微小間隙。由該結果，確認可藉由Cu金屬浴進行脫成分步驟。
所得之碳構件之XRD圖型示於圖24。且，由圖24之結果，求出波峰位置(2θ)、d002、FWHM002並示於表3。且由所得之碳構件之拉曼光譜之結果，求得FWHMG、ID/IG並示於表3。又，圖24及表3中，為了比較，亦顯示將同樣前驅物浸漬於1100℃之Bi金屬浴中15分鐘所得之碳構件之結果。
如表3所示，確認與Bi金屬浴相比，以Cu金屬浴進行脫成分步驟者，d002、FWHM002、ID/IG及FWHMG變小。由此可謂，以Cu金屬浴進行脫成分步驟，可獲得結晶性高、導電率及耐腐蝕性(耐久性)高之碳材料。
[實施例6]
製造薄片狀之多孔質石墨。作為第一種製造方法，首先，於Si基板上，使前驅物之含碳材料之MnC薄膜(Mn85C15之薄膜)濺鍍成膜，連同Si基板於1100℃之Bi金屬浴中浸漬10分鐘，獲得薄片狀多孔質碳構件。再者，為了去除周圍或微小間隙中殘存之Mn成分及Bi成分，將該碳構件於硝酸水溶液中浸漬3小時後，進行洗淨及乾燥。如此所得之薄片狀碳構件之掃描型電子顯微鏡照片示於圖25，拉曼光譜示於圖26。
又，做為第2種製造方法，於Si基板上成膜Bi，進而於其上使前驅物之含碳材料之MnC薄膜(Mn85C15之薄膜)濺鍍成膜。將其升溫至1100℃，邊促進Bi與前驅物之脫成分反應邊保持10分鐘。此時，Bi熔融作為金屬 浴，可自含碳材料選擇性將Mn熔出至金屬浴內。該脫成分步驟後，連同Si基板一起冷卻，為了去除周圍或微小間隙中殘存之Mn成分及Bi成分，將該碳構件於硝酸水溶液中浸漬3小時後，進行洗淨及乾燥。
又，將前驅物之MnC薄膜配置於Bi薄膜上，但於Bi熔融時，則將MnC薄膜配置為與該熔融金屬接觸即可，可為任何配置，例如可配置於Si基板與Bi薄膜之間，亦可以Bi薄膜夾持之方式配置。又，以該等2種製造方法，該薄片狀之碳構件厚度可藉由前驅物之MnC薄膜厚度或濺鍍之MnC成膜時間控制，大小可藉Si基板之大小或前驅物之MnC薄膜之大小控制。
如以上之實施例所示，依據本發明之實施形態之多孔質石墨之製造方法，可獲得結晶性、導電率及耐久性高，比表面積大，為塊體狀且鬆密度大之多孔質石墨。所得之多孔質石墨使用於各種電池之電極等時，由於比表面積較大，故可獲得熱安定性高、高充放電速度、高輸出。又，由於結晶性及導電率高，故可獲得高輸出、高充放電速度、高耐久性。且，由於鬆密度大，故可成為高容量。薄片狀之多孔質石墨尤其可較好地使用於燃料電池之氣體擴散層、鋰離子電池之集電體兼負極活性物質、各種空氣電池之空氣極擔體等。
又，以本發明之實施形態之多孔質石墨之製造方法，金屬浴不限於Ag、Bi、Zn、Cu，亦可為Ga、Ge、Hg、In、Ir、Pb、Pt、Rh、Sb或Sn，亦可為以該等 中之至少一種作為主成分之合金之混合體所成。且，前驅物之含碳材料之碳以外之其他主成分不限於Mn，亦可為Al、B、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Fe、Gd、Hf、Ho、K、La、Li、Lu、Mg、Mo、Na、Nb、Nd、Pr、Sc、Se、Si、Sm、Sr、Ta、Ti、V、W、Zr之任一者或包含其複數之混合體所成。
例如針對代表性之含碳材料(碳化物)應用脫成分步驟之金屬浴(熔液)進行檢討，則認為如下表4。表4係分別基於各2次元狀態圖進行檢討者。

Claims (13)

  1. 一種多孔質石墨之製造方法，其特徵係具有下列步驟：脫成分步驟，其係將由含碳之化合物、合金或非平衡合金所成之含碳材料與熔融金屬接觸，該熔融金屬具有比該含碳材料之熔點低的凝固點，且溫度被控制在較從前述含碳材料因前述碳以外之其他主成分減少而及至前述碳之組成變動範圍內之液相線溫度之最小值為低之溫度，藉此使前述其他主成分選擇性熔出至前述熔融金屬內，獲得具有微小間隙之碳構件；及賦活步驟，其係對在前述脫成分步驟所得之前述碳構件進行賦活處理。
  2. 如請求項1之多孔質石墨之製造方法，其中具有石墨化步驟，其係使脫成分步驟所得之前述碳構件加熱而石墨化，且前述賦活步驟係對在前述石墨化步驟被石墨化之前述碳構件進行賦活處理。
  3. 如請求項2之多孔質石墨之製造方法，其中前述石墨化步驟係將前述碳構件加熱至2000℃以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之多孔質石墨之製造方法，其中前述脫成分步驟係藉由使前述含碳材料浸漬於由前述熔融金屬所成之金屬浴，而使前述其他主成分選擇性熔出至前述金屬浴內，獲得前述碳構件。
  5. 如請求項1至3中任一項之多孔質石墨之製造方 法，其中具有將具有比前述含碳材料之熔點低之凝固點的固體金屬預先配置於與前述含碳材料接觸之前處理步驟，前述脫成分步驟係藉由加熱前述固體金屬作成前述熔融金屬，而將前述其他主成分選擇性熔出至前述熔融金屬，而獲得前述碳構件。
  6. 如請求項1至5中任一項之多孔質石墨之製造方法，其中前述脫成分步驟於前述碳構件自前述熔融金屬脫離後，藉由酸或鹼水溶液，選擇性地僅溶出且去除附著於周圍或前述微小間隙之內部之包含前述熔融金屬之成分及/或前述其他主成分之附著混合體。
  7. 如請求項1至6中任一項之多孔質石墨之製造方法，其中前述熔融金屬係由Ag、Bi、Cu、Ga、Ge、Hg、In、Ir、Pb、Pt、Rh、Sb、Sn、Zn、或以該等中之至少一種作為主成分之合金之混合體所成，前述其他主成分係由Al、B、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Fe、Gd、Hf、Ho、K、La、Li、Lu、Mg、Mn、Mo、Na、Nb、Nd、Pr、Sc、Se、Si、Sm、Sr、Ta、Ti、V、W、Zr之任一者或包含其複數之混合體所成。
  8. 如請求項1至7中任一項之多孔質石墨之製造方法，其中前述脫成分步驟係在惰性氛圍中或真空氛圍中進行，或對前述熔融金屬添加助熔劑並於大氣中進行。
  9. 一種多孔質石墨，其特徵係塊體狀，由石墨之(002)繞射線所導出之(002)面平均間隔之值為0.342以下，且全氣孔體積中，2至100nm大小之氣孔包含80%以 上，BET比表面積為100m2/g以上。
  10. 如請求項9之多孔質石墨，其中石墨之(002)繞射線之波峰半值寬為1.02°以下，結晶尺寸為9nm以上。
  11. 如請求項9或10之多孔質石墨，其中拉曼光譜之D頻帶之波峰強度(ID)與G頻帶之波峰強度(IG)之比ID/IG為0.5以下，且前述G頻帶之波峰半值寬為45cm-1以下。
  12. 如請求項9至11中任一項之多孔質石墨，其中BET比表面積為2400m2/g以上。
  13. 如請求項9至12中任一項之多孔質石墨，其係片狀。
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