KR102358561B1 - 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102358561B1
KR102358561B1 KR1020170071729A KR20170071729A KR102358561B1 KR 102358561 B1 KR102358561 B1 KR 102358561B1 KR 1020170071729 A KR1020170071729 A KR 1020170071729A KR 20170071729 A KR20170071729 A KR 20170071729A KR 102358561 B1 KR102358561 B1 KR 102358561B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vessel
substrate
processing space
substrate support
upper vessel
Prior art date
Application number
KR1020170071729A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180134179A (ko
Inventor
김영후
박상진
조용진
길연진
정지훈
조병권
고용선
이근택
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170071729A priority Critical patent/KR102358561B1/ko
Priority to US15/827,144 priority patent/US10985036B2/en
Priority to CN201810022556.9A priority patent/CN109037094B/zh
Priority to DE102018102592.0A priority patent/DE102018102592B4/de
Priority to JP2018098876A priority patent/JP7158177B2/ja
Publication of KR20180134179A publication Critical patent/KR20180134179A/ko
Priority to US17/215,928 priority patent/US11887868B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102358561B1 publication Critical patent/KR102358561B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

본 발명의 기술적 사상은 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하는 베셀(vessel), 상기 처리 공간에 로딩된 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 및 상기 베셀의 측벽과 상기 기판 지지부 사이에 배치되고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 가장자리를 둘러싸는 차단막을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 {Substrate processing apparatus and apparatus for manufacturing integrated circuit device}
본 발명의 기술적 사상은 집적회로 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치에 관한 것이다.
집적회로 소자의 디자인 룰(design rule)이 감소함에 따라 반도체 소자의 임계 치수(critical dimension)가 약 20 ∼ 30 nm 또는 그 미만으로 감소하게 되고, 그에 따라 약 5 이상의 비교적 큰 아스펙트비(aspect ratio)를 가지는 깊고 좁은 패턴 형성 공정 및 이에 수반되는 세정 및 건조 공정이 요구되고 있다. 이와 같이 고집적화된 집적회로 소자 제조를 위하여 큰 아스펙트비를 가지는 구조물이 형성된 기판에 대하여 소정의 처리 공정, 예를 들면 식각, 세정, 건조 등의 처리 공정을 행하는 데 있어서, 초임계 유체를 이용하는 방법들이 제안되었다. 그러나, 지금까지 제안된 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치 및 방법에서는, 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치의 베셀 내부에 오염원, 예컨대 파티클이 발생 및 잔류하고, 이와 같은 파티클이 기판에 다시 흡착되어 기판에 결함을 일으키는 문제가 있었다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판에 대한 건조 공정 동안 베셀 내부의 파티클로 인하여 기판에 결함이 발생되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 집적회로 소자 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판에 대한 건조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 집적회로 소자 제조 장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하는 베셀(vessel), 상기 처리 공간에 로딩된 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 및 상기 베셀의 측벽과 상기 기판 지지부 사이에 배치되고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 가장자리를 둘러싸는 차단막을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하는 적어도 하나의 베셀로서, 상기 처리 공간을 밀폐하는 폐쇄 위치와 상기 처리 공간을 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합되는 상부 베셀 및 하부 베셀을 포함하는 상기 적어도 하나의 베셀, 상기 적어도 하나의 베셀의 상부벽에 결합되고, 상기 처리 공간에 로딩된 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 상기 적어도 하나의 베셀의 상부벽에 결합되고, 상기 적어도 하나의 베셀의 측벽과 상기 기판 지지부 사이에 배치된 차단막, 및 상기 적어도 하나의 베셀의 내부로부터 유체를 배출하기 위해 상기 적어도 하나의 베셀의 바닥벽에 형성된 배기 포트를 포함하고, 상기 차단막은 상기 적어도 하나의 베셀의 상기 측벽과 상기 차단막 사이의 유체가 하방으로 흐르는 스트림을 가지도록 상기 적어도 하나의 베셀의 상기 측벽을 따라서 하방으로 연장된 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하는 베셀로서, 상기 처리 공간을 밀폐하는 폐쇄 위치와 상기 처리 공간을 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합되는 상부 베셀 및 하부 베셀을 포함하는 상기 베셀, 및 상기 폐쇄 위치에서 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀이 접촉하는 접촉부 상의 제1 보호층을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 기판을 세정하기 위한 세정 유닛, 및 상기 세정된 기판을 건조하기 위한 건조 챔버를 포함하는 건조 유닛을 포함하고, 상기 건조 챔버는, 상기 세정된 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하고, 상기 처리 공간을 밀폐하는 폐쇄 위치와 상기 처리 공간을 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합되는 상부 베셀 및 하부 베셀을 포함하는 베셀, 상기 상부 베셀에 결합되고, 상기 처리 공간에 로딩된 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 가장자리를 둘러싸도록 상기 상부 베셀에 결합된 차단막, 및 상기 폐쇄 위치 또는 상기 개방 위치로 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 구동 장치를 포함하는 집적회로 소자 제조 장치를 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치는 처리 공간 내에 로딩된 기판과 베셀의 측벽 사이에 차단막이 설치되어, 초임계 유체를 이용한 건조 공정 동안 상부 베셀 및 하부 베셀의 마찰로 인하여 발생된 파티클이 기판으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치는 건조 공정 동안 반복적인 마찰이 발생하는 상부 베셀과 하부 베셀 간의 접촉부 상에 보호층을 포함하므로, 상부 베셀 및 하부 베셀의 마모로 인한 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
나아가, 기판 처리 장치는 하나의 구동 장치로 구동되는 복수개의 베셀을 포함하므로, 동일 면적 대비 보다 많은 베셀을 건조 공정에 이용하여 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도들로서, 각각 도 1a의 A 영역에 대응하는 부분을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서, 폐쇄 위치에 있는 베셀 내부에서 유체가 배기되는 스트림을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서, 베셀 내부로 공급된 초임계 유체의 스트림을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 집적회로 소자 제조 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 13은 도 12의 기판을 건조시키는 단계에서 베셀의 처리 공간 내에서의 예시적인 압력 변화를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 1a에 예시한 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간(PS)을 제공하는 베셀(vessel, 110)이 상기 처리 공간(PS)을 밀폐하는 폐쇄 위치에 있는 경우이고, 도 1b에 예시한 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간(PS)을 제공하는 베셀(110)이 상기 처리 공간(PS)을 대기에 개방하는 개방 위치에 있는 경우이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 베셀(110), 기판 지지부(130), 유체 공급부(140), 배기부(141), 차단막(150), 차단 플레이트(160), 및 구동 장치(170)를 포함할 수 있다.
베셀(110)은 기판(W)을 처리할 수 있는 처리 공간(PS)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 처리 공간(PS)에서는 초임계 유체를 이용한 기판(W)에 대한 건조 공정이 수행될 수 있다. 베셀(110)은 임계 압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 소재로 이루어질 수 있다.
초임계 유체는 압력의 변화에 따라, 그 밀도, 점도, 확산 계수(diffusion coefficient) 및 극성(polarity) 등과 같은 물성(physical property)이 기체와 같은 상태(gas-like state)에서부터 액체와 같은 상태(liquid-like state)까지 연속적으로 변화될 수 있다. 예를 들면, 액체 이산화탄소를 밀폐된 용기에 넣고 가열할 경우, 온도 및 압력이 임계점을 넘으면서 기체-액체 사이의 경계면이 사라지는 현상을 발견할 수 있다. 초임계 유체는 높은 용해력, 높은 확산 계수, 낮은 점도, 및 낮은 표면 장력을 갖는다. 초임계 유체는 확산력에 있어서는 기체와 비슷하여 표면 장력이 없으므로 미세한 홈에 침투할 수 있다. 또한, 초임계 유체는 용해력에 있어서는 압력에 비례하여 증가하고 액체 용매와 비슷하다. 따라서, 초임계 유체를 이용할 경우 기체-액체 사이의 경계면을 통과하지 않고 기판(W) 상의 세정액이나 린스액을 건조시킬 수 있어 기판(W) 상에 발생하는 리닝(leaning) 현상이나 물반점 발생을 억제할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 초임계 유체는 이산화탄소로 이루어질 수 있다. 이산화탄소는 임계 온도 및 임계 압력이 약 31 ℃ 및 73 atm으로 낮고 무독성, 불연성 및 비교적 저가이므로 기판(W)의 건조 처리에 용이하게 이용할 수 있다.
베셀(110)은 상부 베셀(110U), 하부 베셀(110L), 승강 부재(120), 제1 공급 포트(111), 제2 공급 포트(113), 및 배기 포트(115)를 포함할 수 있다.
상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)은 처리 공간(PS)을 밀폐하는 폐쇄 위치와 상기 처리 공간(PS)을 대기에 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 하부 베셀(110L)은 상부가 개방된 공간을 형성하며, 상부 베셀(110U)은 하부 베셀(110L)의 상기 공간을 덮도록 상부 베셀(110U) 상에 결합될 수 있다. 이 경우, 상부 베셀(110U)은 대체로 베셀(110)의 상부벽을 구성하고, 하부 베셀(110L)은 대체로 베셀(110)의 바닥벽 및 측벽을 구성할 수 있다. 다만, 다른 실시예들에 있어서, 상부 베셀(110U)이 대체로 베셀(110)의 상부벽 및 측벽을 구성하고, 하부 베셀(110L)이 베셀(110)의 바닥벽을 구성할 수도 있다. 또는, 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)이 함께 베셀(110)의 측벽을 구성할 수도 있다.
상기 베셀(110)의 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이의 전환은 후술되는 승강 부재(120) 및 구동 장치(170)에 의하여 수행될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 베셀(110)이 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이에서 전환되는 동안, 상부 베셀(110U)은 고정되고, 하부 베셀(110L)은 상부 베셀(110U)의 하방에 위치되어 고정된 상부 베셀(110U)에 대하여 승강될 수 있다.
예컨대, 도 1a에 도시된 것과 같이 하부 베셀(110L)이 하강하여 상부 베셀(110U)로부터 이격되면 처리 공간(PS)이 대기에 개방된다. 처리 공간(PS)이 개방되었을 때, 기판(W)은 외부로부터 처리 공간(PS)으로 반입되거나 처리 공간(PS)으로부터 베셀(110)의 외부로 반출될 수 있다. 처리 공간(PS)으로 반입되는 기판(W)은 세정 공정을 거쳐 유기 용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 베셀(110)의 개방 위치에서, 상기 상부 베셀(110U) 및 상기 하부 베셀(110L)는 소정 간격을 두고 서로 이격된 위치에서 상호 대면하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 간격은 약 5 ∼ 20 mm의 사이즈를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 1b에 도시된 것과 같이 하부 베셀(110L)이 상승하여 상부 베셀(110U)에 밀착되면, 처리 공간(PS)은 밀폐될 수 있다. 처리 공간(PS)이 밀폐되면, 초임계 유체를 이용한 기판(W)에 대한 건조 공정이 수행될 수 있다.
승강 부재(120)는 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L) 중 적어도 하나를 승강시킬 수 있다. 즉, 상기 승강 부재(120)에 의하여, 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L) 중 적어도 하나는 상기 폐쇄 위치와 상기 개방 위치 사이에서 전환되도록 승강될 수 있다. 승강 부재(120)는 승강 실린더(121) 및 승강 로드(123)를 포함할 수 있다. 승강 실린더(121)는 하부 베셀(110L)에 결합될 수 있다. 기판(W)에 대한 건조 공정이 수행되는 동안 처리 공간(PS) 내부의 고압을 견디기 위해, 승강 실린더(121)는 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)을 밀착시켜 베셀(110)을 밀폐시킬 수 있다.
승강 로드(123)는 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L)을 수직 방향으로 안내하도록 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)에 결합될 수 있다. 예컨대, 승강 로드(123)는 일단이 승강 실린더(121)에 결합되고, 타단은 상부 베셀(110U)에 결합될 수 있다. 승강 실린더(121)에 의하여 구동력이 발생되면, 승강 실린더(121) 및 승강 로드(123)가 승강되어 승강 실린더(121)에 결합된 하부 베셀(110L)이 승강될 수 있다. 승강 부재(120)에 의하여 하부 베셀(110L)이 승강하는 동안, 승강 로드(123)는 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L)을 수직 방향으로 안내할 수 있고 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L)이 수평 상태를 유지하도록 할 수 있다.
제1 공급 포트(111)는 베셀(110) 내부로 초임계 유체를 공급하기 위한 것으로, 예컨대 하부 베셀(110L)에 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 공급 포트(111)는 기판 지지부(130)에 놓인 기판(W)의 중심부의 하방에 위치할 수 있다. 제1 공급 포트(111)는 제1 공급 라인(140La)을 통해 유체 공급부(140)에 연결될 수 있다.
제2 공급 포트(113)는 베셀(110) 내부로 초임계 유체를 공급하기 위한 것으로, 예컨대 상부 베셀(110U)에 형성될 수 있다. 예컨대, 제2 공급 포트(113)는 기판 지지부(130)에 놓인 기판(W)의 중심부의 상방에 위치할 수 있다. 제2 공급 포트(113)는 제2 공급 라인(140Lb)을 통해 유체 공급부(140)에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 공급 포트(113)를 통해 압력 제어용 유체가 베셀(110) 내부로 공급될 수 있다.
배기 포트(115)는 베셀(110) 내부로부터 유체를 배출하기 위한 것으로, 예컨대 하부 베셀(110L)에 형성될 수 있다. 배기 포트(115)는 배기 라인(141L)을 통해 배기부(141)에 연결될 수 있다.
기판 지지부(130)는 처리 공간(PS)에 제공된 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(130)는 기판(W)의 제1 면이 베셀(110)의 바닥벽을 향하고, 기판(W)의 상기 제1 면과 반대되는 제2 면이 베셀(110)의 상부벽을 향하도록 기판(W)을 지지할 수 있다. 이 때, 상기 기판(W)의 상기 제1 면은 패턴이 형성된 패턴면일 수 있다. 다만, 이와 다르게 상기 기판(W)의 상기 제2 면이 패턴이 형성된 패턴면일 수도 있다.
기판 지지부(130)는 기판(W)의 가장자리부를 지지할 수 있다. 예컨대, 기판 지지부(130)는 상부 베셀(110U)로부터 수직 하방으로 연장되고 다시 수평 방향으로 연장되는 절곡된 구조를 가질 수 있다. 기판 지지부(130)는 고정된 상부 베셀(110U)에 설치되어, 하부 베셀(110L)이 승강하는 동안 기판(W)을 안정적으로 지지할 수 있다.
유체 공급부(140)는 베셀(110) 내부로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 베셀(110)의 바닥벽에 형성된 제1 공급 포트(111)에는 초임계 유체의 유로를 제공하기 위한 제1 공급 라인(140La)이 연결될 수 있고, 유체 공급부(140)는 제1 공급 라인(140La) 및 제1 공급 포트(111)를 통해 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)의 상기 제1 면으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 또한, 베셀(110)의 상부벽에 형성된 제2 공급 포트(113)에는 초임계 유체의 유로를 제공하기 위한 제2 공급 라인(140Lb)이 연결될 수 있고, 유체 공급부(140)는 제2 공급 라인(140Lb) 및 제2 공급 포트(113)를 통해 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)의 상기 제2 면으로 초임계 유체를 공급할 수 있다.
배기부(141)는 베셀(110) 내부의 유체를 배출할 수 있다. 배기 포트(115)에는 유로를 제공하는 배기 라인(141L)이 연결되고, 배기부(141)는 배기 포트(115) 및 배기 라인(141L)을 통해 베셀(110) 내부의 유체를 배출할 수 있다.
차단막(150)은 베셀(110) 내의 파티클이 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 유입되는 것을 방지하기 위하여 베셀(110) 내에 제공될 수 있다. 차단막(150)은 기판 지지부(130)와 베셀(110)의 측벽 사이에 배치되어, 베셀(110)의 측벽에서 발생된 파티클이 기판(W)으로 유입되는 것을 차단할 수 있다.
예컨대, 도 1b에 도시된 것과 같이, 차단막(150)은 폐쇄 위치에서 상부 베셀(110U)과 하부 베셀(110L)이 접촉하는 접촉부(도 5의 119a, 119b 참조)로부터 발생된 파티클이 기판(W)으로 전달되는 것을 방지할 수 있다. 차단막(150)은 상기 접촉부 근방의 파티클이 배기 포트(115)가 형성된 베셀(110)의 하부로 이동할 수 있는 경로를 제공하며, 그에 따라 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 파티클이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
차단막(150)은 베셀(110)의 상부벽, 예컨대 상부 베셀(110U)의 하면 상에 배치될 수 있고, 상부 베셀(110U)의 하면으로부터 하방으로 연장할 수 있다. 예컨대, 차단막(150)은 베셀(110)의 측벽을 따라서 상부 베셀(110U)의 하면으로부터 하방으로 연장할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 차단막(150)은 상부 베셀(110U)의 하면으로부터 상기 접촉부보다 낮은 지점까지 하방으로 연장할 수 있다. 또한, 실시예들에 있어서, 차단막(150)은 상부 베셀(110U)의 하면으로부터 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)보다 낮은 지점까지 하방으로 연장할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 차단막(150)은 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)의 가장자리를 따라 연장할 수 있으며, 예컨대 링 형태를 가질 수 있다. 또는, 차단막(150)은 베셀(110)의 측벽을 따라서 원주 방향으로 연장할 수 있으며, 예컨대 링 형태를 가질 수 있다.
차단 플레이트(160)는 유체 공급부(140)를 통해 공급되는 초임계 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예컨대, 차단 플레이트(160)는 제1 공급 포트(111)와 기판 지지부(130) 사이에 배치되어, 제1 공급 포트(111)로부터 분사된 초임계 유체가 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예컨대, 제1 공급 포트(111)로부터 분사되어 차단 플레이트(160)에 도달한 초임계 유체는 차단 플레이트(160)의 표면을 따라서 이동한 후에, 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 도달할 수 있다.
차단 플레이트(160)는 기판(W)에 대응하는 형상을 가질 수 있으며, 예컨대 원반 형상을 가질 수 있다. 차단 플레이트(160)는 초임계 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 효과적으로 차단하기 위하여 기판(W)의 반경과 동일하거나 또는 기판(W) 보다 큰 반경을 가지도록 구성될 수 있다. 또는, 차단 플레이트(160)는 기판(W) 보다 작은 반경을 가지도록 구성되어 초임계 유체가 비교적 쉽게 기판(W)으로 도달하도록 구성될 수도 있다.
일부 실시예들에 있어서, 차단 플레이트(160)는 하부 베셀(110L) 상에 배치되고, 지지체(161)에 의하여 하부 베셀(110L)의 표면으로부터 소정 거리 이격될 수 있다. 하부 베셀(110L)에 형성된 제1 공급 포트(111) 및/또는 배기 포트(115)는 차단 플레이트(160)에 수직으로 오버랩될 수 있다. 이 경우, 차단 플레이트(160)는 제1 공급 포트(111)로부터 분사된 초임계 유체가 차단 플레이트(160)의 표면을 따르는 소정의 스트림(stream)을 가지면서 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 도달하도록 할 수 있다. 또한, 차단 플레이트(160)는 베셀(110) 내부의 유체가 차단 플레이트(160)의 표면을 따라서 배기 포트(115)로 이어지는 소정의 스트림을 가지면서 배기 포트(115)를 통해 배출되도록 할 수 있다.
구동 장치(170)는 베셀(110)의 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이의 전환을 조절할 수 있다. 구동 장치(170)는 베셀(110)에 설치된 승강 부재(120)를 구동시키기 위한 구동력을 승강 부재(120)에 인가할 수 있다. 예컨대, 구동 장치(170)는 유압식(hydraulic) 구동 장치일 수 있으며, 유압을 발생시키기 위한 유압 펌프 및 레귤레이터(regulator)와 같은 제어 장치를 포함할 수 있다. 구동 장치(170)는 유압 전달 라인(170L)을 통하여 승강 실린더(121)에 연결될 수 있으며, 유압 전달 라인(170L)에는 유압 조절용 밸브가 설치될 수 있다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100a, 100b)를 개략적으로 나타낸 단면도들이다. 도 2 및 도 3은 폐쇄 위치에 있는 기판 처리 장치(100a, 100b)를 나타내며, 도 2 및 도 3에 도시된 기판 처리 장치(100a, 100b)는 가이드 핀(151, 151a)을 더 포함한다는 점을 제외하고는 도 1a 및 도 1b에 도시된 기판 처리 장치(100)와 대체로 동일한 구성을 가질 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100a, 100b)는 베셀(110) 내의 파티클이 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 유입되는 것을 방지하기 위한 차단막(150)을 포함하고, 상기 차단막(150)을 접촉 지지하도록 상기 베셀(110) 내에 제공된 가이드 핀(151, 151a)을 포함할 수 있다.
상기 가이드 핀(151, 151a)은 기판(W)에 대한 건조 공정이 진행되는 동안 차단막(150)을 접촉 지지할 수 있다. 예컨대, 건조 공정을 수행하기 위하여 베셀(110)이 폐쇄 위치에 있을 때, 가이드 핀(151, 151a)은 차단막(150)이 소정의 위치에 위치되도록 안내하는 기능을 할 수 있다. 또한, 가이드 핀(151, 151a)은 건조 공정이 수행되는 동안 차단막(150)을 접촉 지지함으로써, 베셀(110) 내에 인가된 압력 펄스 등으로 인한 차단막(150)의 진동을 완화할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 도 2에 도시된 것과 같이 가이드 핀(151)은 차단막(150)의 측부를 접촉 지지할 수 있다. 예컨대, 가이드 핀(151)은 하부 베셀(110L)의 측벽에 배치될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 도 3에 도시된 것과 같이 가이드 핀(151a)은 차단막(150)의 하부을 접촉 지지할 수 있다. 예컨대, 가이드 핀(151a)은 베셀(110)의 바닥벽, 예컨대 하부 베셀(110L)의 바닥벽에 배치될 수 있다.
도 2 및 도 3에서는 각각 가이드 핀(151, 151a)이 1개인 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것은 아니며 차단막(150)의 둘레 방향을 따라 복수개의 가이드 핀(151, 151a)이 배치될 수 있다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100c)를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4는 폐쇄 위치에 있는 기판 처리 장치(100c)를 나타내며, 도 4에 도시된 기판 처리 장치(100c)는 차단막(150a)의 구조를 제외하고는 도 1a 및 도 1b에 도시된 기판 처리 장치(100)와 대체로 동일한 구성을 가질 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(100c)는 베셀(110) 내의 파티클이 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 유입되는 것을 방지하기 위한 차단막(150a)을 포함하고, 차단막(150a)은 하부에서 내측으로 굽어진 또는 절곡된 형상을 가질 수 있다.
구체적으로 차단막(150a)은 상부 베셀(110U)에 결합되고, 상부 베셀(110U)로부터 하부 베셀(110L)을 향하여 하방으로 연장하되, 차단막(150a)의 하부는 내측으로 굽어진 또는 절곡된 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 링 형태의 차단막(150a)에 있어서, 차단막(150a)의 하부는 하방으로 점점 작아지는 형상을 가질 수 있다.
상술한 구성에 의하여, 차단막(150a)과 베셀(110)의 측벽 사이의 공간은 차단막(150a)의 하부 근방에서 넓어지므로, 상기 차단막(150a)의 하부 근방의 압력은 국부적으로 증가하게 된다. 그에 따라, 폐쇄 위치에서 상부 베셀(110U)과 하부 베셀(110L)이 접촉하는 접촉부(도 5의 119a, 119b 참조)에서 발생된 파티클은 차단막(150a)을 따라서 보다 용이하게 하방으로 이동할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100d, 100e)를 개략적으로 나타낸 단면도들로서, 각각 도 1a의 A 영역에 대응하는 부분을 나타낸다. 도 5 및 도 6에 도시된 기판 처리 장치(100d, 100e)는 제1 보호층(181) 및/또는 제2 보호층(183)을 더 포함한다는 점을 제외하고는 도 1a 및 도 1b에 도시된 기판 처리 장치(100)와 대체로 동일한 구성을 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(100d)는 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)의 마찰로 인한 파티클의 발생을 방지하기 위한 제1 보호층(181)을 포함할 수 있다.
상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)은 처리 공간(PS)을 밀폐하는 폐쇄 위치와 처리 공간(PS)을 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합되는 것으로서, 베셀(도 1a의 110 참조)은 폐쇄 위치에서 상부 베셀(110U)과 하부 베셀(110L)이 접촉하는 접촉부(119a, 119b)를 가질 수 있다. 즉, 접촉부(119a, 119b)는 폐쇄 위치에서 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)이 접촉하는 영역으로서, 상부 베셀(110U)의 표면의 일부 영역 및 하부 베셀(110L)의 표면의 일부 영역을 의미할 수 있다. 상기 접촉부(119a, 119b)는 건조 공정이 수행되는 동안 반복적인 마찰이 발생하는 부분으로, 접촉부(119a, 119b)에서는 상기 마찰로 인해 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)의 마모가 일어날 수 있다.
제1 보호층(181)은 상부 베셀(110U)의 표면 일부 영역 상의 접촉부(119a) 상에 형성된 상부 보호층(181a) 및 하부 베셀(110L)의 표면 일부 영역 상의 접촉부(119b) 상에 형성된 하부 보호층(181b)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(181)은 상부 보호층(181a) 및 하부 보호층(181b) 중 적어도 일부를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 보호층(181)은 상부 보호층(181a) 및 하부 보호층(181b) 중 어느 하나만을 포함할 수 있다.
제1 보호층(181)은 폐쇄 위치와 개방 위치 사이의 전환으로 인하여 발생하는 상부 베셀(110U)과 하부 베셀(110L)의 마찰을 줄이고, 상기 마찰로 인하여 발생하는 파티클을 감소시킬 수 있다. 특히, 접촉부(119a, 119b)는 건조 공정이 수행되는 동안 베셀(110) 내부에 압력 펄스가 인가될 때 반복적인 마찰이 발생하는 곳으로, 제1 보호층(181)은 상부 베셀(110U)과 하부 베셀(110L)의 반복적인 마찰로 인한 베셀(110)의 마모를 방지하고, 베셀(110)의 마모로 인한 금속성의 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
제1 보호층(181)은 높은 압력에서 변형이 적고 마찰 계수가 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(181)은 마찰 계수가 약 0.5 보다 작은 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(181)은 수지 계열의 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 보호층(181)은 폴리이미드(PI), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리크로로트리플루오로에틸(PCTFE), 및 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(181)은 스프레이 방식에 의하여 접촉부(119a, 119b) 상에 형성될 수 있다. 또는, 다른 실시예들에 있어서, 제1 보호층(181)은 필름 형태로 제공되어, 접촉부(119a, 119b) 상에 부착될 수 있다. 나아가, 제1 보호층(181)을 형성하기 위하여, 베셀(110)과의 접촉력을 개선하기 위한 추가 공정, 및/또는 물리적 및 화학적 특성, 예컨대 내열, 내압, 내화학적 특성을 개선하기 위한 추가 공정을 수행할 수도 있다. 또한, 일부 실시예들에 있어서, 접촉부(119a, 119b)에 제1 보호층(181)을 형성하기 전에, 접촉부(119a, 119b)의 표면의 불순물을 제거하고 접촉부(119a, 119b)의 표면을 평탄하게 만들기 위한 전해 연마(electropolishing)가 접촉부(119a, 119b)에 대하여 수행될 수 있다.
제1 보호층(181)은 접촉부(119a, 119b) 상에 수 마이크로미터 내지 수백 mm 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 보호층(181)은 1 μm 내지 10 μm 사이의 두께를 가질 수 있고, 또는 10 mm 내지 100 mm 사이의 두께를 가질 수도 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(181)은 접촉부(119a, 119b)를 구성하는 상부 베셀(110U)의 표면 일부 및/또는 하부 베셀(110L)의 표면 일부 상에 형성될 수 있다. 반복적인 마찰이 발생하는 접촉부(119a, 119b)에 제1 보호층(181)이 형성됨에 따라, 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)의 마모로 인하여 발생하는 파티클의 감소가 현저하게 감소될 수 있다. 따라서, 건조 공정이 수행되는 동안 금속성 파티클이 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)으로 전달되어 기판(W)에 흡착됨에 따라 기판(W)에 발생하는 결함, 특히 기판(W)의 가장자리 영역에 발생하는 결함은 감소될 수 있다.
도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(100e)는 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L)을 수직 방향으로 안내하도록 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)에 결합된 승강 로드(123) 상에 형성된 제2 보호층(183)을 더 포함할 수 있다. 제2 보호층(183)은 제1 보호층(181)을 이루는 물질과 유사한 물질로 이루어질 수 있으며, 제1 보호층(181)과 유사한 방식에 의하여 형성될 수 있다.
승강 로드(123)는 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L)의 이동을 안내하는 기능을 수행하므로, 승강 로드(123)와 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L) 사이의 마찰로 인하여 발생하는 파티클은 베셀(110) 내부로 쉽게 유입될 수 있다. 또한, 접촉부(119a, 119b)로부터 발생한 파티클은 승강 로드(123)에 부착될 수 있으며, 반복적인 마찰로 인하여 승강 로드(123)에 부착된 파티클은 박리되어 베셀(110) 내부로 유입될 수 있다.
제2 보호층(183)이 승강 로드(123)의 표면 상에 형성됨에 따라, 승강 로드(123)와 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L) 사이의 마찰이 감소되고, 상기 마찰로 인하여 발생하는 파티클은 보다 감소될 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)에서, 폐쇄 위치에 있는 베셀(110) 내부에서 유체가 배기되는 스트림(S1)을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 전술한 바와 같이 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)이 접촉하는 접촉부(도 5의 119a, 119b 참조) 부근에서는 상부 베셀(110U) 및/또는 하부 베셀(110L)의 마모로 인한 파티클이 발생할 수 있다. 예컨대, 상기 접촉부는 폐쇄 위치에 있는 베셀(110) 내의 처리 공간(PS)의 상부의 가장자리 부근, 또는 베셀(110)의 측벽의 상부에 위치할 수 있다.
차단막(150)은 기판 지지부(130)와 베셀(110)의 측벽 사이에 배치되고 상부 베셀(110U)로부터 하방으로 연장하는 구조를 가지므로, 접촉부(119a, 119b) 부근에서 발생된 파티클을 포함하는 유체는 차단막(150)에 의해 안내되어 하방으로 흐르는 스트림(S1)을 가질 수 있다. 즉, 접촉부(119a, 119b) 부근에서 발생한 파티클은 차단막(150) 및 베셀(110)의 측벽을 따라서 하방으로 이동할 수 있다. 이어서, 상기 하방으로 안내된 파티클을 포함하는 유체는 하부 베셀(110L)의 표면을 따라 배기 포트(115)로 이동되어 배출될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 파티클을 포함하는 유체가 배기 포트(115)로 이동하는 동안, 상기 파티클을 포함하는 유체는 차단 플레이트(160) 및 하부 베셀(110L) 사이에 제공된 경로를 따라 배기 포트(115)로 이동할 수 있다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)에서, 베셀(110) 내부로 공급된 초임계 유체의 스트림(S2)을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 차단막(150)는 접촉부(도 5의 119a, 119b 참조) 부근, 즉 차단막(150)와 베셀(110)의 측벽 사이로 공급되는 초임계 유체의 흐름을 차단할 수 있다. 예컨대, 제2 공급 포트(113)를 통해 공급되는 초임계 유체는 기판 지지부(130)에 지지된 기판(W)을 따라 기판(W)의 반경 방향으로 흐르고, 기판(W)의 외주 부근에서는 차단막(150)을 따라 하강하고, 이어서 배기 포트(115)로 배출되는 스트림(S2)을 가질 수 있다. 즉, 차단막(150)은 제2 공급 포트(113)를 통해 공급된 초임계 유체가 접촉부(119a, 119b)로 직접 흐르는 것을 차단하며, 초임계 유체가 접촉부(119a, 119b) 부근으로 직접 흐르면서 접촉부(119a, 119b) 부근에서 불규칙한 유체의 흐름, 예컨대 유체가 와류(turbulence)의 흐름을 가지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접촉부(119a, 119b) 부근에서 발생된 와류로 인하여 파티클이 배기 포트(115)로 이동하지 못하고 접촉부(119a, 119b) 부근에서 머무는 현상을 방지할 수 있다.
도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 기술적 사상의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100f, 100g)를 개략적으로 나타내는 도면들이다. 도 9 및 도 10에 도시된 기판 처리 장치(100f, 100g)는 복수개의 베셀(110)을 포함한다는 점을 제외하고는 앞서 설명된 기판 처리 장치(100, 100a, 100b, 100d, 100e)와 대체로 동일한 구성을 가질 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 기판 처리 장치(100f, 100g)는 각각 기판에 대한 건조 공정이 수행될 수 있는 처리 공간을 제공하는 복수개의 베셀(110)을 포함할 수 있으며, 상기 복수개의 베셀(110) 각각에 연결된 구동 장치(170)를 포함할 수 있다. 구동 장치(170)는 1 개 일 수 있으며, 또는 복수개의 베셀(110)의 수 보다 작은 수로 제공될 수 있다. 구동 장치(170)는 복수개의 베셀(110)의 상방, 하방 또는 측방에 위치될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 도 9에 도시된 것과 같이, 복수개의 베셀(110)은 직렬식, 예컨대 서로 적층된 형태로 배열될 수 있다. 복수개의 베셀(110) 각각의 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이에서의 전환은 하나의 구동 장치(170)에 의하여 수행 및/또는 제어될 수 있다. 즉, 구동 장치(170)는 복수개의 베셀(110) 각각에 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이에서의 전환을 위한 구동력, 예컨대 유압을 인가할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 구동 장치(170)는 복수개의 베셀(110)의 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이의 전환이 동시에 수행되도록 복수개의 베셀(110)의 구동을 제어할 수 있고, 또는 복수개의 베셀(110)의 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이의 전환이 복수개의 베셀(110)에 개별적으로 수행되도록 복수개의 베셀(110)의 구동을 제어할 수도 있다.
일부 실시예들에 있어서, 도 10에 도시된 것과 같이, 기판 처리 장치(100g)는 병렬식으로 배열된 복수개의 베셀(110) 및 복수개의 베셀(110) 각각에 연결된 구동 장치(170)를 포함할 수 있다. 예컨대, 복수개의 베셀(110)은 나란하게(side-by-side) 배열될 수 있다.
기판 처리 장치(100f, 100g)가 하나의 구동 장치(170)로 구동되는 복수개의 베셀(110)을 포함함으로써, 동일 면적 대비 보다 많은 베셀(110)을 건조 공정에 이용할 수 있으므로, 공정의 생산성을 보다 향상시킬 수 있다. 예컨대, 설비당 시간당 생산량(unit per equipment hour, UPEH)이 보다 향상될 수 있다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 집적회로 소자 제조 장치(1000)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 11에 있어서, 도 1a 내지 도 1b에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 11을 참조하면, 집적회로 소자 제조 장치(1000)는 인덱스 모듈(1010), 버퍼 유닛(1020), 세정 유닛(1030), 건조 유닛(1040), 및 반송 유닛(1050)을 포함한다.
상기 인덱스 모듈(1010)은 로드 포트(1012) 및 이송 프레임(1014)을 포함한다.
상기 로드 포트(1012)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(CA)가 안착된다. 상기 인덱스 모듈(1010)에는 복수 개의 로드 포트(1012)가 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 집적회로 소자 제조 장치(1000)의 공정 효율 및 공정 제어 조건에 따라 상기 로드 포트(1012)의 개수가 다양하게 결정될 수 있다. 상기 캐리어(CA)로서, 예를 들어 전면 개방 일체형 포드(front opening unified pod, FOUP)가 사용될 수 있다.
상기 이송 프레임(1014)에는 인덱스 레일(1016)과 인덱스 로봇(1018)이 제공될 수 있다. 상기 이송 프레임(1014)에서는 로드 포트(1012)에 안착된 캐리어(CA)와 반송 유닛(1050)과의 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 기판(W)은 웨이퍼, 예컨대 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 다른 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판(W)은 유리 기판(W)일 수도 있다. 상기 기판(W)에는 아스펙트비가 큰 패턴들이 형성되어 있을 수 있다.
상기 버퍼 유닛(1020)은 이송 프레임(1014)과 반송 유닛(1050)과의 사이에 배치될 수 있다. 상기 버퍼 유닛(1020)은 반송 유닛(1050)과 이송 프레임(1014)과의 사이에서 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 상기 버퍼 유닛(1020) 중 이송 프레임(1014)과 마주보는 면과, 반송 유닛(1050)과 마주보는 면이 개방될 수 있다.
상기 세정 유닛(1030)은 기판(W)에 처리액을 공급하여 소정의 습식 세정을 실시하도록 구성될 수 있다.
상기 세정 유닛(1030)은 기판(W)에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하는 적어도 하나의 습식 처리 장치(1032)를 포함한다. 도 11에는 상기 세정 유닛(1030)에 2 개의 습식 처리 장치(1032)가 포함된 경우를 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 세정 유닛(1030)에서는 기판(W)에 처리액을 공급하여 습식 세정이 실시될 수 있다. 기판(W)의 세정 처리 후에는 린스액, 예를 들면 탈이온수 또는 이소프로필 알콜에 의해 린스 처리가 실시될 수 있다. 상기 린스액으로서 이소프로필 알콜을 사용하는 경우, 후속의 건조 처리시 이용되는 초임계 유체, 예를 들면 초임계 이산화탄소와의 반응성이 높아 용이하게 제거할 수 있다.
또한, 후속의 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 촉진하기 위해, 린스 처리 후, 탈이온수보다 이산화탄소와의 친화성이 좋은 유기 용제를 포함하는 습윤액을 이용하여 추가적인 습윤 처리를 실시할 수도 있다. 상기 습윤액에 계면 활성제가 린스액에 첨가되면 액상과 기상과의 상호 반응이 약해지기 때문에 증기압이 낮아진다. 따라서, 기판(W)상에 계면 활성제를 포함하는 습윤액이 있는 상태에서 세정 유닛(1030)으로부터 건조 유닛(1040)으로 기판(W)을 반송할 때, 기판(W)의 자연 건조를 억제할 수 있다. 상기 계면 활성제로서, 습윤액에 잘 용해될 수 있고, 초임계 유체, 예를 들면 초임계 이산화탄소에도 잘 용해될 수 있는 물질을 이용할 수 있다. 상기 계면 활성제는 TMN(trimethyl nonanol) 계열의 계면 활성제, 브렌치를 갖는 불소계 계면 활성제 및 불소계 블록 공중합체를 포함하는 계면 활성제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반송 유닛(1050)은 상기 세정 유닛(1030)에서 세정된 기판(W)을 취출하고, 상기 세정된 기판(W)에 건조 방지용 액체를 공급하여 습윤된 상태의 기판(W)을 상기 건조 유닛(1040)으로 반송하는 역할을 할 수 있다. 상기 반송 유닛(1050)은 상기 기판(W)을 지지하는 반송 부재(1054)와, 상기 기판(W)에 건조 방지용 액체를 공급하는 습식 반송부(1056)를 포함할 수 있다. 상기 반송 부재(1054)는 세정 유닛(1030)으로부터 기판(W)을 꺼내어 건조 유닛(1040)으로 반송하는 역할을 할 수 있다.
상기 반송 유닛(1050)에서 상기 습식 반송부(1056)는 기판(W)에 건조 방지용 습윤액을 분사할 수 있다. 상기 건조 방지용 습윤액으로서 이소프로필 알콜을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(W)의 세정 및 린스 공정 후, 상기 기판(W)에 건조 방지용 습윤액을 공급함으로써, 기판(W) 상에 있는 린스액의 자연 건조를 방지할 수 있다.
이와 같이 세정 유닛(1030)으로부터 건조 유닛(1040)으로 기판(W)을 반송할 때 기판(W)에 건조 방지용 습윤액을 공급하여 기판(W) 상에 있는 린스액의 자연 건조를 방지함으로써, 건조 유닛(1040)에서 기판(W)을 건조시킬 때 기판(W) 상에 형성되어 있는 패턴의 아스펙트비가 비교적 크더라도 기체와 액체간의 표면 장력에 의해 패턴들이 기울어져 쓰러지는 리닝(leaning) 현상이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 아스펙트비가 비교적 큰 패턴들이 형성된 기판(W)을 습식 세정한 후, 자연 건조를 억제한 상태로 초임계 유체를 이용하여 건조하는 경우, 기판(W) 상에 물반점(water spot)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
건조 유닛(1040)은 세정 유닛(1030)에서 세정 및 린스 공정을 거친 기판(W)을 건조할 수 있다. 상기 건조 유닛(1040)은 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조할 수 있도록 구성되어 있다. 상기 건조 유닛(1040)에서는 초임계 유체의 낮은 점성 및 표면 장력을 이용하여 기판(W)을 건조한다. 상기 건조 유닛(1040)은 세정 유닛(1030)과는 분리되어 배치될 수 있다.
건조 유닛(1040)은 상기 기판(W)을 건조하기 위한 적어도 하나의 건조 챔버(1042)를 포함한다. 도 11에는 건조 유닛(1040)에 2 개의 건조 챔버(1042)가 포함되는 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 건조 챔버(1042)의 개수를 결정할 수 있다. 상기 건조 챔버(1042)는 도 1a 내지 도 6, 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한 기판 처리 장치(100, 100a, 100b, 100d, 100e, 100f, 100g) 중 어느 하나, 또는 이들로부터 본 발명의 기술적 사상의 범위에 따라 변형 및 변경된 구조를 가지는 기판 처리 장치로 구성될 수 있다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 13은 도 12의 기판을 건조시키는 단계에서 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에서의 예시적인 압력 변화를 나타낸 그래프이다.
도 12 및 도 13를 도 1a 및 도 1b와 함께 참조하면, 기판(W)을 베셀(110)의 처리 공간(PS)에 로딩한다(S110). 기판(W)이 처리 공간(PS)으로 로딩되는 동안 베셀(110)은 개방 위치에 위치되고, 기판(W)은 처리 공간(PS) 내에서 기판 지지부(130)에 지지될 수 있다.
이어서, 베셀(110)의 처리 공간(PS)에서 초임계 유체를 이용하여 상기 기판(W)을 건조한다(S120). 기판(W)에 대한 건조 공정이 진행되는 동안, 베셀(110)은 폐쇄 위치에 위치되어, 처리 공간(PS)을 밀폐시킬 수 있다. 이러한 처리 공간(PS)의 밀폐 상태는 승강 부재(120) 및 구동 장치(170)에 의하여 유지될 수 있다.
기판(W)을 건조시키기 위하여 기판(W)을 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 로딩한 후, 도 1b에 예시한 바와 같은 베셀(110)의 폐쇄 위치에서, 제1 공급 포트(111)를 통해 유체, 예를 들면 이산화탄소를 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 유입시켜 처리 공간(PS) 내의 압력을 대기압과 유사한 초기 압력(P0)으로부터 제1 압력(P1)까지 승압할 수 있다(S121). 상기 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 있는 유체가 포화 증기압 또는 임계 압력에 도달할 때까지 제1 공급 포트(111)를 통해 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 유체를 공급할 수 있다. 상기 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 있는 유체가 포화 증기압에 도달한 후, 상기 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내의 온도가 처리 공간(PS) 내에 있는 유체의 임계 온도 이상의 온도로 승온될 수 있다. 상기 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내의 온도가 공급된 유체의 임계 온도에 도달하면 상기 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 있는 유체가 초임계 상태로 될 수 있다.
그 후, 처리 공간(PS) 내에서 초임계 유체를 이용하여 기판(W)의 건조 공정을 수행하는 동안, 처리 공간(PS) 내에 공급되는 초임계 유체의 공급 유량을 조절하여, 상기 처리 공간(PS)에서의 압력을 상기 제1 압력(P1)으로부터 상기 제1 압력(P1)보다 낮은 제2 압력(P2)으로 감압시키는 감압 공정과, 상기 처리 공간(PS)에서의 압력을 상기 제2 압력(P2)으로부터 상기 제1 압력(P1)으로 다시 승압하는 승압 공정을 교번적으로 적어도 2 회 반복하여, 상기 처리 공간(PS)에서 기판(W)에 압력 펄스를 인가할 수 있다(S123).
일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 압력(P1)은 약 140 bar이고, 상기 제2 압력(P2)은 약 100 bar 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
S123 단계에서와 같이 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)과의 사이에서 감압 공정 및 승압 공정을 교번적으로 반복하기 위하여, 도 1a에 예시한 바와 같은 제2 공급 포트(113)를 통해 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 압력 제어용 유체를 소정량 공급하는 공정과, 배기 포트(115)를 통해 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 있는 가스를 배출하는 공정을 교번적으로 반복할 수 있다.
베셀(110)의 처리 공간(PS) 내에 로딩된 기판(W)에 대한 건조 공정이 완료된 후, 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내의 압력을 제3 압력(P3)으로 강압하는 저속 배기 공정(S125), 및 베셀(110)의 처리 공간(PS) 내의 압력을 대기압과 유사한 초기 압력(P0)으로 강압하는 고속 배기 공정(S127)을 순차적으로 수행할 수 있다. 상기 저속 배기 공정(S125) 및 고속 배기 공정(S127)은 배기 포트(115)를 통한 배기 유속을 제어함으로써 조절할 수 있다.
다음으로, 기판(W)에 대한 건조 공정이 완료되면, 건조된 기판(W)을 처리 공간(PS)으로부터 제거한다(S130). 기판(W)을 처리 공간(PS)으로부터 제거하기 위하여, 베셀(110)은 폐쇄 위치에서 개방 위치로 전환될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판 처리 장치(100)는 차단막(150)을 포함하므로, 초임계 유체를 이용한 건조 공정 동안 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)의 마찰로 인하여 발생된 파티클이 기판(W)으로 유입되는 것을 방지할 수 있고, 상기 파티클을 효과적으로 배기 포트(115)로 배출시킬 수 있다. 또한, 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)의 접촉부(도 5a의 119a, 119b 참조)에는 보호층(도 5a의 181 참조)이 형성되므로, S123 단계에서와 같이 베셀(110) 내부에 압력 펄스가 인가되는 동안에 상부 베셀(110U) 및 하부 베셀(110L)의 마모로 인한 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 복수개의 베셀(110)에서 각각 건조 공정을 수행할 수 있고, 상기 복수개의 베셀(110)의 폐쇄 위치 및 개방 위치 사이의 전환은 하나의 구동 장치(190)로 제어될 수 있으므로, 건조 공정의 생산성을 개선할 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f, 100g: 기판 처리 장치
110: 베셀 110U: 상부 베셀
110L: 하부 베셀 111: 제1 공급 포트
113: 제2 공급 포트 115: 배기 포트
120: 승강 부재 121: 승강 실린더
123: 승강 로드 130: 기판 지지부
140: 유체 공급부 141: 배기부
150, 150a: 차단막 151, 151a: 가이드 핀
160: 차단 플레이트 170: 구동 장치
181, 183: 보호층 1000: 집적회로 소자 제조 장치

Claims (20)

  1. 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하고, 상기 처리 공간을 밀폐하는 폐쇄 위치와 상기 처리 공간을 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합되는 상부 베셀 및 하부 베셀을 포함하는 베셀(vessel);
    상기 처리 공간에 로딩된 상기 기판을 지지하도록 구성되고, 상기 상부 베셀의 하면에 결합된 기판 지지부;
    상기 상부 베셀에 제공되고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 상면으로 초임계 유체를 공급하는 공급 포트;
    상기 하부 베셀에 제공되고, 상기 베셀의 상기 처리 공간 내의 유체를 방출하는 배기 포트; 및
    상기 상부 베셀의 상기 하면에 결합되고, 상기 베셀의 측벽과 상기 기판 지지부 사이에 배치되고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 가장자리를 둘러싸는 차단막;
    을 포함하고,
    상기 차단막은 상기 상부 베셀의 상기 하면으로부터 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판보다 낮은 지점까지 하방으로 연장되고,
    상기 차단막은 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이의 접촉부로부터 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판보다 낮은 지점까지 하방으로 유체를 안내하도록 구성된 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단막을 접촉 지지하도록 상기 처리 공간 내에 제공된 가이드 핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단막은 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 가장자리를 따라 연장된 링 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단막은 그 하부에서 내측으로 굽어진 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 베셀은 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀 사이의 상기 접촉부 상에 제공된 제1 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 보호층은 상기 접촉부를 구성하는 상기 상부 베셀의 일부 표면 및 상기 접촉부를 구성하는 상기 하부 베셀의 일부 표면 중 적어도 어느 하나에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 베셀은 상기 폐쇄 위치와 상기 개방 위치 사이에서 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀 중 적어도 하나를 안내하도록 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀에 결합된 승강 로드를 포함하고,
    상기 승강 로드 상에 제2 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하는 적어도 하나의 베셀로서, 상기 처리 공간을 밀폐하는 폐쇄 위치와 상기 처리 공간을 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합되는 상부 베셀 및 하부 베셀을 포함하는 상기 적어도 하나의 베셀;
    상기 적어도 하나의 베셀의 상기 상부 베셀의 하면에 결합되고, 상기 처리 공간에 로딩된 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부;
    상기 적어도 하나의 베셀의 상기 상부 베셀의 상기 하면에 결합되고, 상기 적어도 하나의 베셀의 측벽과 상기 기판 지지부 사이에 배치된 차단막;
    상기 적어도 하나의 베셀의 상기 상부 베셀에 제공되고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 상면으로 초임계 유체를 공급하는 공급 포트; 및
    상기 적어도 하나의 베셀의 내부로부터 유체를 배출하기 위해 상기 적어도 하나의 베셀의 바닥벽에 형성된 배기 포트;
    를 포함하고,
    상기 차단막은 상기 적어도 하나의 베셀의 상기 측벽과 상기 차단막 사이의 유체가 하방으로 흐르는 스트림을 가지도록 상기 적어도 하나의 베셀의 상기 측벽을 따라서 하방으로 연장되고,
    상기 차단막은 상기 상부 베셀의 상기 하면으로부터 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판보다 낮은 지점까지 하방으로 연장되고,
    상기 차단막은 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이의 접촉부로부터 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판보다 낮은 지점까지 하방으로 유체를 안내하도록 구성된 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 폐쇄 위치 또는 상기 개방 위치로 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 구동 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 베셀은 병렬식으로 배열된 복수개의 베셀을 포함하고,
    상기 구동 장치는 상기 복수개의 베셀 각각에 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 베셀은 서로 적층된 복수개의 베셀을 포함하고,
    상기 구동 장치는 상기 복수개의 베셀 각각에 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 베셀 내부에 제공되고, 상기 폐쇄 위치에서 상기 차단막의 측부 또는 하부를 접촉 지지하기 위한 가이드 핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 베셀은,
    상기 폐쇄 위치와 상기 개방 위치 사이에서 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀 중 적어도 하나를 안내하도록 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀에 결합된 승강 로드를 가지고,
    상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이의 상기 접촉부 상의 제1 보호층 및 상기 승강 로드 상의 제2 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 삭제
  17. 기판을 세정하기 위한 세정 유닛; 및
    상기 세정된 기판을 건조하기 위한 건조 챔버를 포함하는 건조 유닛을 포함하고,
    상기 건조 챔버는,
    상기 세정된 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하고, 상기 처리 공간을 밀폐하는 폐쇄 위치와 상기 처리 공간을 개방하는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 상호 개폐 가능하게 결합되는 상부 베셀 및 하부 베셀을 포함하는 베셀;
    상기 상부 베셀의 하면에 결합되고, 상기 처리 공간에 로딩된 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부;
    상기 상부 베셀에 제공되고, 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 상면으로 초임계 유체를 공급하는 공급 포트;
    상기 하부 베셀에 제공되고, 상기 베셀의 상기 처리 공간 내의 유체를 방출하는 배기 포트;
    상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판의 가장자리를 둘러싸도록 상기 상부 베셀의 상기 하면에 결합된 차단막; 및
    상기 폐쇄 위치 또는 상기 개방 위치로 상기 상부 베셀 및 상기 하부 베셀 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 구동 장치;
    를 포함하고,
    상기 차단막은 상기 상부 베셀의 상기 하면으로부터 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판보다 낮은 지점까지 하방으로 연장되고,
    상기 차단막은 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이의 접촉부로부터 상기 기판 지지부에 지지된 상기 기판보다 낮은 지점까지 하방으로 유체를 안내하도록 구성된 집적회로 소자 제조 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이의 상기 접촉부를 구성하는 상기 상부 베셀의 일부 표면 및 상기 하부 베셀의 일부 표면 중 적어도 어느 하나 상에 형성된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 장치.
  19. 삭제
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 건조 챔버는 복수개의 베셀을 포함하고,
    상기 구동 장치는 상기 복수개의 베셀에 연결되어, 상기 복수개의 베셀의 상기 폐쇄 위치 및 상기 개방 위치 사이의 전환을 각각 제어하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자 제조 장치.
KR1020170071729A 2017-06-08 2017-06-08 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 KR102358561B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170071729A KR102358561B1 (ko) 2017-06-08 2017-06-08 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치
US15/827,144 US10985036B2 (en) 2017-06-08 2017-11-30 Substrate processing apparatus and apparatus for manufacturing integrated circuit device
CN201810022556.9A CN109037094B (zh) 2017-06-08 2018-01-10 基板处理装置和制造集成电路器件的装置
DE102018102592.0A DE102018102592B4 (de) 2017-06-08 2018-02-06 Substratbearbeitungsvorrichtung und Vorrichtung zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung
JP2018098876A JP7158177B2 (ja) 2017-06-08 2018-05-23 基板処理装置及び集積回路素子製造装置
US17/215,928 US11887868B2 (en) 2017-06-08 2021-03-29 Substrate processing apparatus and apparatus for manufacturing integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170071729A KR102358561B1 (ko) 2017-06-08 2017-06-08 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180134179A KR20180134179A (ko) 2018-12-18
KR102358561B1 true KR102358561B1 (ko) 2022-02-04

Family

ID=64333178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170071729A KR102358561B1 (ko) 2017-06-08 2017-06-08 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10985036B2 (ko)
JP (1) JP7158177B2 (ko)
KR (1) KR102358561B1 (ko)
CN (1) CN109037094B (ko)
DE (1) DE102018102592B4 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102358561B1 (ko) * 2017-06-08 2022-02-04 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치
KR102262113B1 (ko) * 2018-12-18 2021-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102119402B1 (ko) * 2019-01-14 2020-06-05 주식회사 테스 기판처리장치
JP7347802B2 (ja) 2020-01-29 2023-09-20 株式会社レクザム ウェハ処理装置
JP7353213B2 (ja) * 2020-02-28 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US11515178B2 (en) * 2020-03-16 2022-11-29 Tokyo Electron Limited System and methods for wafer drying
JP7386120B2 (ja) 2020-04-02 2023-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102383007B1 (ko) * 2020-06-01 2022-04-05 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102622983B1 (ko) * 2020-07-10 2024-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102491000B1 (ko) * 2020-09-24 2023-01-26 세메스 주식회사 접착제층 제거 유닛 및 이를 이용하는 접착제층 제거 방법
KR102622987B1 (ko) * 2020-12-10 2024-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이에 제공되는 필러 부재
KR102622985B1 (ko) * 2020-12-31 2024-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102662926B1 (ko) * 2021-03-29 2024-05-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20230019295A (ko) * 2021-07-29 2023-02-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013033962A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165282A (en) * 1992-06-30 2000-12-26 Southwest Research Institute Method for contaminant removal using natural convection flow and changes in solubility concentration by temperature
US6799587B2 (en) * 1992-06-30 2004-10-05 Southwest Research Institute Apparatus for contaminant removal using natural convection flow and changes in solubility concentrations by temperature
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
US5509431A (en) * 1993-12-14 1996-04-23 Snap-Tite, Inc. Precision cleaning vessel
US5591415A (en) * 1994-01-27 1997-01-07 Rpc Waste Management Services, Inc. Reactor for supercritical water oxidation of waste
JP3135209B2 (ja) * 1996-02-22 2001-02-13 シャープ株式会社 半導体ウェハの洗浄装置
US5881577A (en) * 1996-09-09 1999-03-16 Air Liquide America Corporation Pressure-swing absorption based cleaning methods and systems
JP2000227283A (ja) * 1999-02-03 2000-08-15 Kobe Steel Ltd 半導体の加圧処理装置
TW517092B (en) * 1999-03-17 2003-01-11 Kobe Steel Ltd High-temperature and high-pressure treatment device
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
US6602349B2 (en) * 1999-08-05 2003-08-05 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
JP2001077074A (ja) 1999-08-31 2001-03-23 Kobe Steel Ltd 半導体ウエハ等の洗浄装置
US6712081B1 (en) 1999-08-31 2004-03-30 Kobe Steel, Ltd. Pressure processing device
US6413428B1 (en) * 1999-09-16 2002-07-02 Berger Instruments, Inc. Apparatus and method for preparative supercritical fluid chromatography
JP2001250821A (ja) * 2000-03-06 2001-09-14 Kobe Steel Ltd 半導体の高温高圧処理装置
WO2001068279A2 (en) * 2000-03-13 2001-09-20 The Deflex Llc Dense fluid cleaning centrifugal phase shifting separation process and apparatus
US20040003831A1 (en) * 2000-04-18 2004-01-08 Mount David J. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
US6691536B2 (en) * 2000-06-05 2004-02-17 The Procter & Gamble Company Washing apparatus
US6589361B2 (en) * 2000-06-16 2003-07-08 Applied Materials Inc. Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner
WO2002009147A2 (en) * 2000-07-26 2002-01-31 Tokyo Electron Limited High pressure processing chamber for semiconductor substrate
EP1573779A4 (en) * 2001-04-10 2006-11-15 Tokyo Electron Ltd HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH FLOW IMPROVEMENT FEATURES
US6823880B2 (en) * 2001-04-25 2004-11-30 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho High pressure processing apparatus and high pressure processing method
JP4358486B2 (ja) 2001-07-25 2009-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 高圧処理装置および高圧処理方法
US20030047551A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-13 Worm Steven Lee Guard heater and pressure chamber assembly including the same
US6782900B2 (en) * 2001-09-13 2004-08-31 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for cleaning and/or treating a substrate using CO2
US20040003828A1 (en) * 2002-03-21 2004-01-08 Jackson David P. Precision surface treatments using dense fluids and a plasma
JP3939178B2 (ja) * 2002-03-25 2007-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
JP4133209B2 (ja) * 2002-10-22 2008-08-13 株式会社神戸製鋼所 高圧処理装置
US6722642B1 (en) * 2002-11-06 2004-04-20 Tokyo Electron Limited High pressure compatible vacuum chuck for semiconductor wafer including lift mechanism
DE10255231B4 (de) * 2002-11-26 2006-02-02 Uhde High Pressure Technologies Gmbh Hochdruckvorrichtung zum Verschließen eines Druckbehälters im Reinraum
GB0229714D0 (en) * 2002-12-20 2003-01-29 Glaxo Group Ltd Novel apparatus and method
US7191787B1 (en) * 2003-02-03 2007-03-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning using high-frequency acoustic energy with supercritical fluid
US7225820B2 (en) * 2003-02-10 2007-06-05 Tokyo Electron Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7077917B2 (en) * 2003-02-10 2006-07-18 Tokyo Electric Limited High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer
US7357115B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-15 Lam Research Corporation Wafer clamping apparatus and method for operating the same
US7153388B2 (en) * 2003-03-31 2006-12-26 Lam Research Corporation Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same
US7392815B2 (en) * 2003-03-31 2008-07-01 Lam Research Corporation Chamber for wafer cleaning and method for making the same
US7270137B2 (en) * 2003-04-28 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing
US7226512B2 (en) * 2003-06-18 2007-06-05 Ekc Technology, Inc. Load lock system for supercritical fluid cleaning
JP2005033135A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Kobe Steel Ltd 微細構造体の洗浄装置
JP4464125B2 (ja) * 2003-12-22 2010-05-19 ソニー株式会社 構造体の作製方法及びシリコン酸化膜エッチング剤
US7439654B2 (en) * 2004-02-24 2008-10-21 Air Products And Chemicals, Inc. Transmission of ultrasonic energy into pressurized fluids
US8082932B2 (en) * 2004-03-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Single side workpiece processing
US7771563B2 (en) * 2004-11-18 2010-08-10 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems
JP4410119B2 (ja) * 2005-02-03 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
KR20060114574A (ko) 2005-05-02 2006-11-07 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비의 로드락 챔버
JP2007036109A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置
TWI298516B (en) * 2005-12-27 2008-07-01 Ind Tech Res Inst Supercritical co2 cleaning system and methdo
KR100708773B1 (ko) * 2006-01-21 2007-04-17 서강대학교산학협력단 세정공정
KR100753493B1 (ko) * 2006-01-21 2007-08-31 서강대학교산학협력단 세정장치
US8084367B2 (en) * 2006-05-24 2011-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd Etching, cleaning and drying methods using supercritical fluid and chamber systems using these methods
KR100744145B1 (ko) * 2006-08-07 2007-08-01 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용하는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리방법
KR100822373B1 (ko) * 2006-09-12 2008-04-17 세메스 주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 건조 장치, 이를 구비한 기판처리 설비 및 기판 처리 방법
JP4534175B2 (ja) * 2007-05-09 2010-09-01 エルピーダメモリ株式会社 基板の製造方法
US8516953B2 (en) * 2007-08-03 2013-08-27 Mark Victor Fiori Convected-air cabinet
KR20090037200A (ko) 2007-10-11 2009-04-15 주식회사 동부하이텍 수직형 확산로의 공정 튜브내의 진공 유지 장치 및 그 방법
JP4903669B2 (ja) * 2007-10-30 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US7967960B2 (en) * 2007-11-06 2011-06-28 United Microelectronics Corp. Fluid-confining apparatus
KR100974856B1 (ko) * 2008-06-02 2010-08-11 엘아이지에이디피 주식회사 로드락 챔버
US9157167B1 (en) * 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8021481B2 (en) * 2008-08-07 2011-09-20 Soraa, Inc. Process and apparatus for large-scale manufacturing of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US20100031873A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 Soraa, Inc. Basket process and apparatus for crystalline gallium-containing nitride
WO2010044310A1 (ja) * 2008-10-16 2010-04-22 シャープ株式会社 乾燥方法および乾燥装置
US20100147210A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Soraa, Inc. high pressure apparatus and method for nitride crystal growth
JP5359286B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法
KR101053143B1 (ko) * 2009-07-02 2011-08-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101048063B1 (ko) * 2009-12-30 2011-07-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5506461B2 (ja) * 2010-03-05 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置及び超臨界処理方法
JP5477131B2 (ja) * 2010-04-08 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5647845B2 (ja) * 2010-09-29 2015-01-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
CN101973621B (zh) * 2010-10-15 2012-03-28 西安交通大学 带牺牲内衬的折流罐式超临界水处理反应器
KR101691804B1 (ko) * 2010-12-16 2017-01-10 삼성전자주식회사 기판 처리 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 처리 시스템
JP5708506B2 (ja) * 2011-04-20 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR101500705B1 (ko) 2011-05-31 2015-03-09 세메스 주식회사 베젤 개방 제어 장치
JP5878813B2 (ja) 2011-06-21 2016-03-08 東京エレクトロン株式会社 バッチ式処理装置
JP5609813B2 (ja) * 2011-08-01 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR101838109B1 (ko) * 2011-12-06 2018-03-14 삼성전자주식회사 컨택터 및 이를 포함하는 반도체 테스트 장치
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
KR101932035B1 (ko) * 2012-02-08 2018-12-26 삼성전자주식회사 기판 처리용 유체 공급 시스템 및 방법
US9587880B2 (en) * 2012-05-31 2017-03-07 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for drying substrate
KR102037844B1 (ko) * 2013-03-12 2019-11-27 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법
KR102064552B1 (ko) * 2013-03-26 2020-01-10 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
KR20150065461A (ko) * 2013-12-05 2015-06-15 주식회사 썬닉스 리프트후프
KR102155175B1 (ko) * 2013-12-23 2020-09-11 삼성전자주식회사 실링 부재 및 이를 갖는 기판 처리 시스템
KR20150120035A (ko) * 2014-04-16 2015-10-27 삼성전자주식회사 비정형 단면을 갖는 씰링 부재를 포함하는 기판 처리 장치
US20150368557A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-24 Hyosan Lee Metal etchant compositions and methods of fabricating a semiconductor device using the same
KR101570168B1 (ko) * 2014-06-30 2015-11-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US10283344B2 (en) * 2014-07-11 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide process for low-k thin films
JP6541374B2 (ja) * 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101604973B1 (ko) * 2014-08-11 2016-03-21 주식회사 에스에스티 유해물질 제거용 드라이 펌프의 샤프트 테프론 코팅방법
KR20160026302A (ko) * 2014-08-29 2016-03-09 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치와 기판 처리 방법 및 집적회로 소자 제조 방법
KR101623411B1 (ko) * 2014-11-03 2016-05-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US9527118B2 (en) * 2014-11-10 2016-12-27 Semes Co., Ltd. System and method for treating a substrate
KR101615140B1 (ko) * 2015-01-02 2016-05-11 주식회사 에스피이앤씨 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치
JP5916909B1 (ja) * 2015-02-06 2016-05-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR102411946B1 (ko) * 2015-07-08 2022-06-22 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리장치와 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
KR101654627B1 (ko) 2015-07-31 2016-09-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN108140603B (zh) * 2015-10-04 2023-02-28 应用材料公司 基板支撑件和挡板设备
KR102489730B1 (ko) * 2016-07-29 2023-01-18 삼성전자주식회사 초임계 유체 소스 공급 장치 및 이를 구비하는 초임계 기판 처리장치 및 방법
JP6755776B2 (ja) * 2016-11-04 2020-09-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
KR102603528B1 (ko) * 2016-12-29 2023-11-17 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템
KR102358561B1 (ko) * 2017-06-08 2022-02-04 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치
KR102400186B1 (ko) * 2017-06-19 2022-05-20 삼성전자주식회사 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102400583B1 (ko) * 2017-09-22 2022-05-20 삼성전자주식회사 초임계 처리용 공정챔버 및 이를 구비하는 기판처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013033962A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018102592A1 (de) 2018-12-13
JP2018207103A (ja) 2018-12-27
US11887868B2 (en) 2024-01-30
JP7158177B2 (ja) 2022-10-21
DE102018102592B4 (de) 2024-05-02
CN109037094A (zh) 2018-12-18
US20210217635A1 (en) 2021-07-15
CN109037094B (zh) 2023-07-25
US20180358242A1 (en) 2018-12-13
US10985036B2 (en) 2021-04-20
KR20180134179A (ko) 2018-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102358561B1 (ko) 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치
KR101329304B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102157837B1 (ko) 기판 처리 장치 그리고 기판 처리 방법
US6757989B2 (en) Wafer drying apparatus
KR20140047643A (ko) 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법
KR102376957B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102041312B1 (ko) 기판 건조 장치
KR20170137245A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102546756B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101344925B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100454242B1 (ko) 웨이퍼 건조 방법
KR101373730B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20140014043A (ko) 기판 처리 장치, 기판처리설비
KR100715984B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101395225B1 (ko) 기판처리방법
KR101842125B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20130056758A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20100053126A (ko) 웨이퍼의 린스 및 건조를 위한 방법 및 장치
US10079142B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20200041401A (ko) 기판 세정 조성물, 이를 이용한 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102193030B1 (ko) 실링 어셈블리, 기판 처리 장치 그리고 기판 처리 방법
KR20140058839A (ko) 기판 건조장치
KR102480392B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100757849B1 (ko) 기판 처리 방법
KR20210050628A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant