JP5506461B2 - 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 - Google Patents
超臨界処理装置及び超臨界処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5506461B2 JP5506461B2 JP2010049567A JP2010049567A JP5506461B2 JP 5506461 B2 JP5506461 B2 JP 5506461B2 JP 2010049567 A JP2010049567 A JP 2010049567A JP 2010049567 A JP2010049567 A JP 2010049567A JP 5506461 B2 JP5506461 B2 JP 5506461B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- supercritical
- liquid
- inert gas
- processing container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 297
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 100
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 84
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 54
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 43
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 14
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 7
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 6
- CWIFAKBLLXGZIC-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-1-(2,2,2-trifluoroethoxy)ethane Chemical compound FC(F)C(F)(F)OCC(F)(F)F CWIFAKBLLXGZIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JOROOXPAFHWVRW-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3-hexafluoro-3-(2,2,3,3,3-pentafluoropropoxy)propane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)(F)OCC(F)(F)C(F)(F)F JOROOXPAFHWVRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LMRGTZDDPWGCGL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3-hexafluoro-3-(2,2,2-trifluoroethoxy)propane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)(F)OCC(F)(F)F LMRGTZDDPWGCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 123
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 60
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 60
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- DJXNLVJQMJNEMN-UHFFFAOYSA-N 2-[difluoro(methoxy)methyl]-1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropane Chemical compound COC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F DJXNLVJQMJNEMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KSZSGEUBBYLBKU-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-2-(fluoromethyl)-3-methoxypentane Chemical compound FCC(C(CC)OC)C(F)(F)F KSZSGEUBBYLBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004793 2,2,2-trifluoroethoxy group Chemical group FC(CO*)(F)F 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
この処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する液体供給部と、
前記処理容器から前記超臨界流体を排出する流体排出部と、
前記処理容器内及び前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するための熱分解成分排除部と、
前記処理容器内に供給された前記液体を加熱する加熱部と、を備え、
前記熱分解成分排除部は、少なくとも前記処理容器が開放されている状態にあるときに、前記処理容器内に不活性ガスを供給する第1のガス供給部を備え、
前記フッ素化合物は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであることを特徴とする。
(a)前記熱分解成分排除部は、前記液体供給部から供給される前の処理用の液体内に不活性ガスを供給してバブリングを行うバブリング部を備えたこと。
(b)基板の搬入を終えて処理容器を密閉したときにこの処理容器から前記処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、密閉前に当該処理容器内に前記不活性ガスを供給するように前記熱分解成分排除部を制御する制御部を備えたこと。
(c)前記処理容器から処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、この処理容器への基板の搬入を終えて処理容器を密閉した後、当該処理容器内に前記不活性ガスを供給するように前記熱分解成分排除部を制御する制御部を備えたこと。
(d)前記処理容器は、搬入出口を介して基板の搬入出が行われる筐体内に収容され、前記熱分解成分排除部は、さらに当該処理容器を取り巻く雰囲気から前記液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、この筐体部内に不活性ガスを供給する第2のガス供給部を備えたこと。
(e)前記不活性ガスは、露点が−50℃以下の窒素ガスであること。
(g)前記フッ素化合物は、1,1,2,2−テトラフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)エタン、1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)プロパン、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−1−(1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ)プロパンからなる群から選択される少なくとも一つのハイドロフルオロエーテルを含んでいること。
以上のように本例では、HFE供給路311、HFE排出路312、排出路313をHFE供給路311側に設けた例を示したが、これらの流路311、312、313を底板32側に設けてもよいことは勿論である。
(表1) 代表的なハイドロフルオエーテルの沸点と臨界点(臨界温度、臨界圧力)
どのハイドロフルオロエーテルも超臨界状態とするには、温度は185℃以上で、ほぼ200℃の温度に昇温する必要がある。
(表2) 代表的なハイドロフルオロカーボンの沸点と臨界点(臨界温度、臨界圧力)
上表に記載のハイドロフルオロカーボンのなかには臨界温度は知られていないものもあるが、殆どのハイドロフルオロカーボンは(表1)に記載のハイドロフルオロエーテルと同様、臨界温度が200℃付近である。
試験後の試料を同量の水で抽出する操作を行い、抽出水のpH及びフッ素イオン濃度を測定することで酸分、Fイオン分の増加を評価した結果を(表3)に示す。
(表3) 熱安定性試験結果
バブリングに用いる不活性ガスとしては窒素、ヘリウム、アルゴンなどを用いることができるが、アルゴンは酸素に比較して比重が大きく酸素置換効率の観点から好ましく、窒素ガスはコストの観点から好ましい。
また、例えばHFEを専用の回収容器にて回収する装置構成を採用する場合などには、回収容器にアルゴンなどの不活性ガスを導入して回収液中の溶存酸素を低減させることも効率的である。
また、図5〜図7の各図では不活性ガス供給室39の記載を省略してあるが、不活性ガス供給室39からは給気孔391を介して不活性ガスが供給されており、筐体38内には不活性ガスのダウンフローが常時形成されている。
そして超臨界処理装置3は処理空間30内にHFEの熱分解を促進する成分が排除された雰囲気を形成するために、処理空間30内に不活性ガスを供給し、上部容器31、載置台321を加熱し、また不活性ガス供給室39から筐体38内に不活性ガスを供給する各構成の全てを乾燥雰囲気形成部として備えている場合に限らず、これらの構成を1つまたは2つ組み合わせて乾燥雰囲気を形成するようにしてもよい。
A.実験条件
(実施例1−1) 図10(a)に示すCF3CH2OCF2CHF2(1,1,2,2−テトラフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)エタンを活性炭の存在下で120℃、大気圧の条件下で72時間熱処理し、当該HFE中に放出されたフッ素イオン濃度及び酸分濃度を計測した。
(実施例1−2) 図10(b)に示すCF3CH2OCF2CHFCF3(1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)プロパンを(実施例1−1)と同様の熱処理を行い、フッ素イオン濃度及び酸分濃度を計測した。
(実施例1−3) 図10(c)に示すCF3CHFCF2OCH2CF2CF3(2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−1−(1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ)プロパンを(実施例1−1)と同様の熱処理を行い、フッ素イオン濃度及び酸分濃度を計測した。
(比較例1−1) 図11(a)に示す(CF3)2CFCF2OCH3(1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−メトキシ−2−トリフルオロメチルプロパン)を(実施例1−1)と同様の熱処理を行い、フッ素イオン濃度及び酸分濃度を計測した。
(比較例1−2) 図11(b)に示す(CF3)2CFCF2OCH2CH3(1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−エトキシ−2−トリフルオロメチルプロパン)を(実施例1−1)と同様の熱処理を行い、フッ素イオン濃度及び酸分濃度を計測した。
(比較例1−3) 図11(c)に示す(CF3)2CFCF(OCH3)CF2CF3(1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロ−2−トリフルオロメチル−3−メトキシペンタン)を(実施例1−1)と同様の熱処理を行い、フッ素イオン濃度及び酸分濃度を計測した。
(実施例1−1)〜(実施例1−3)の各HFEでは、活性炭の存在下で熱処理を行ってもフッ素イオン、酸分は検出限界(フッ素イオン0.02ppm、酸分1ppm)以下であった。一方、(比較例1−1)ではフッ素イオン濃度が45ppm、酸分が160ppmであり、(比較例1−2、1−3)でも同等程度のフッ素イオン、酸分が計測された。従って、活性炭の存在下でも各実施例に係るHFEは熱的安定性が高く、比較例に係るHFEは実施例のHFEと比較して熱的安定性が低いといえる。
A.実験条件
(実施例2−1) シリコン酸化膜に梁構造のMEMSを形成したウエハWについて液処理後の超臨界処理を行った。
(実施例2−2) シリコン酸化膜に微細なパターン11を形成したウエハWについて液処理後の超臨界処理を行った。
(実施例2−3) 微細孔を有するポーラス酸化膜にパターン11を形成したウエハWについて液処理後の超臨界処理を行った。
B.実験結果
(実施例2−1)〜(実施例2−3)に係る各ウエハWについて、拡大観察を行ったところ、パターン倒れやポーラス酸化膜の微細孔へのダメージを発生することなく超臨界処理が行われていることを確認できた。
2 洗浄装置
3 超臨界処理装置
30 処理空間
31 上部容器
311 HFE供給路
312 HFE排出路
313 排出路
314 ヒーター
32 底板
321 載置台
322 ヒーター
39 不活性ガス供給室
392 エアドライヤ
4 HFE供給部
42 HFE供給ライン
43 HFE回収ライン
44 排出ライン
45 不活性ガスライン
451 エアドライヤ
452 ヒーター
6 電源部
7 制御部
Claims (16)
- 超臨界流体により基板に対して処理を行う密閉可能な処理容器と、
この処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する液体供給部と、
前記処理容器から前記超臨界流体を排出する流体排出部と、
前記処理容器内及び前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するための熱分解成分排除部と、
前記処理容器内に供給された前記液体を加熱する加熱部と、を備え、
前記熱分解成分排除部は、少なくとも前記処理容器が開放されている状態にあるときに、前記処理容器内に不活性ガスを供給する第1のガス供給部を備え、
前記フッ素化合物は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであることを特徴とする超臨界処理装置。 - 前記熱分解成分排除部は、前記液体供給部から供給される前の処理用の液体内に不活性ガスを供給してバブリングを行うバブリング部を備えたことを特徴とする請求項1に記載の超臨界処理装置。
- 基板の搬入を終えて処理容器を密閉したときにこの処理容器から前記処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、密閉前に当該処理容器内に前記不活性ガスを供給するように前記熱分解成分排除部を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の超臨界処理装置。
- 前記処理容器から処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、この処理容器への基板の搬入を終えて処理容器を密閉した後、当該処理容器内に前記不活性ガスを供給するように前記熱分解成分排除部を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 前記処理容器は、搬入出口を介して基板の搬入出が行われる筐体内に収容され、前記熱分解成分排除部は、さらに当該処理容器を取り巻く雰囲気から前記液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、この筐体部内に不活性ガスを供給する第2のガス供給部を備えたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 前記不活性ガスは、露点が−50℃以下の窒素ガスであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 前記フッ素化合物は、酸素原子から見てα位に位置する炭素原子の炭素−炭素結合が1個以下、β位に位置する炭素原子の炭素−炭素結合が2個以下であるフルオアルキル基から構成されるハイドロフルオロエーテルであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 前記フッ素化合物は、1,1,2,2−テトラフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)エタン、1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)プロパン、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−1−(1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ)プロパンからなる群から選択される少なくとも一つのハイドロフルオロエーテルを含んでいることを特徴とする請求項7に記載の超臨界処理装置。
- 処理容器内にパターンの形成された基板を搬入する工程と、
前記処理容器内または当該処理容器に供給されるフッ素化合物を含んだ処理用の液体内から、当該液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除する工程と、
前記基板の収容された処理容器内に、前記処理用の液体を供給する工程と、
前記処理容器を密閉し、当該処理容器内に供給された液体を加熱して得た超臨界流体により前記基板に対して処理を行う工程と、
前記処理容器を開放して超臨界流体を排出する工程と、を含み、
前記処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除する工程は、少なくとも前記処理容器が開放されている状態にあるときに、前記処理容器内に不活性ガスを供給する工程を含み、
前記フッ素化合物は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであることを特徴とする超臨界処理方法。 - 前記処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除する工程は、この液体内に不活性ガスを供給してバブリングする工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の超臨界処理方法。
- 前記不活性ガスを供給する工程は、基板の搬入を終えて処理容器を密閉したときにこの処理容器内から前記処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、密閉前に当該処理容器内に前記不活性ガスを供給することを特徴とする請求項9または10に記載の超臨界処理方法。
- 前記不活性ガスを供給する工程は、前記処理容器から処理用の液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、この処理容器への基板の搬入を終えて処理容器を密閉した後、当該処理容器内に前記不活性ガスを供給することを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一つに記載の超臨界処理方法。
- 前記処理容器は、搬入出口を介して基板の搬入出が行われる筐体内に収容され、前記不活性ガスを供給する工程は、さらに当該処理容器を取り巻く雰囲気から前記液体から得られる超臨界流体の熱分解を促進する成分を排除するために、前記処理容器を開放した状態で当該筐体内部に不活性ガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一つに記載の超臨界処理方法。
- 前記不活性ガスは、露点が−50℃以下の窒素ガスであることを特徴とする請求項9ないし13のいずれか一つに記載の超臨界処理方法。
- 前記フッ素化合物は、酸素原子から見てα位に位置する炭素原子の炭素−炭素結合が1個以下、β位に位置する炭素原子の炭素−炭素結合が2個以下であるフルオアルキル基から構成されるハイドロフルオロエーテルであることを特徴とする請求項9ないし14のいずれか一つに記載の超臨界処理方法。
- 前記フッ素化合物は、1,1,2,2−テトラフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)エタン、1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)プロパン、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−1−(1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ)プロパンからなる群から選択される少なくとも一つのハイドロフルオロエーテルを含んでいることを特徴とする請求項15に記載の超臨界処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049567A JP5506461B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
KR1020110006364A KR20110101045A (ko) | 2010-03-05 | 2011-01-21 | 초임계 처리 장치 및 초임계 처리 방법 |
TW100105256A TWI467646B (zh) | 2010-03-05 | 2011-02-17 | Supercritical processing device and supercritical treatment method |
US13/039,361 US8465596B2 (en) | 2010-03-05 | 2011-03-03 | Supercritical processing apparatus and supercritical processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049567A JP5506461B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187570A JP2011187570A (ja) | 2011-09-22 |
JP5506461B2 true JP5506461B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=44530244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010049567A Active JP5506461B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8465596B2 (ja) |
JP (1) | JP5506461B2 (ja) |
KR (1) | KR20110101045A (ja) |
TW (1) | TWI467646B (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5626249B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2014-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6068029B2 (ja) | 2012-07-18 | 2017-01-25 | 株式会社東芝 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
KR102037844B1 (ko) | 2013-03-12 | 2019-11-27 | 삼성전자주식회사 | 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법 |
JP6342343B2 (ja) | 2014-03-13 | 2018-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6104836B2 (ja) | 2014-03-13 | 2017-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 分離再生装置および基板処理装置 |
JP6109772B2 (ja) | 2014-03-13 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 分離再生装置および基板処理装置 |
US9814097B2 (en) * | 2014-04-14 | 2017-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Baking apparatus for priming substrate |
JP6674186B2 (ja) | 2014-06-11 | 2020-04-01 | 三井・ケマーズ フロロプロダクツ株式会社 | 半導体パターン乾燥用置換液および半導体パターン乾燥方法 |
JP5885794B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2016-03-15 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び装置 |
JP6411172B2 (ja) | 2014-10-24 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
KR101623411B1 (ko) | 2014-11-03 | 2016-05-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP6525567B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-06-05 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
KR101654627B1 (ko) | 2015-07-31 | 2016-09-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6498573B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP6444843B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2018-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
US10566182B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
KR20170133694A (ko) | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 세메스 주식회사 | 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101964655B1 (ko) | 2016-06-02 | 2019-04-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6755776B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2020-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
KR101935951B1 (ko) | 2016-11-25 | 2019-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
US10224224B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
KR102358561B1 (ko) * | 2017-06-08 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 |
KR101987959B1 (ko) | 2017-07-25 | 2019-06-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101981559B1 (ko) | 2018-07-11 | 2019-05-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102075675B1 (ko) | 2018-07-20 | 2020-03-02 | 세메스 주식회사 | 유체 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
KR102168153B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2020-10-22 | (주)유진이엔씨 | 건조액 액화회수장치 및 이를 이용한 반도체 건조시스템 |
KR102666133B1 (ko) | 2019-01-14 | 2024-05-17 | 삼성전자주식회사 | 초임계 건조 장치 및 그를 이용한 기판 건조방법 |
JP7307575B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-07-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102228517B1 (ko) * | 2019-06-13 | 2021-03-16 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
JP7236338B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-03-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JPWO2021065428A1 (ja) | 2019-10-03 | 2021-04-08 | ||
KR102662724B1 (ko) * | 2020-11-02 | 2024-05-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20240047397A (ko) * | 2021-08-09 | 2024-04-12 | 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 | 초임계 유체 기반의 건조 장치 및 방법 |
WO2023153222A1 (ja) * | 2022-02-08 | 2023-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
WO2024085000A1 (ja) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体供給システム、基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4608748B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2011-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法 |
JP4499604B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2010-07-07 | エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 | 超臨界処理方法 |
SG182207A1 (en) * | 2006-04-05 | 2012-07-30 | Asahi Glass Co Ltd | Method for washing device substrate |
JP4884180B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US7838425B2 (en) * | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
JP5359286B2 (ja) * | 2009-01-07 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法 |
JP5293459B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2010
- 2010-03-05 JP JP2010049567A patent/JP5506461B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-21 KR KR1020110006364A patent/KR20110101045A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-02-17 TW TW100105256A patent/TWI467646B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-03 US US13/039,361 patent/US8465596B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011187570A (ja) | 2011-09-22 |
KR20110101045A (ko) | 2011-09-15 |
TWI467646B (zh) | 2015-01-01 |
US8465596B2 (en) | 2013-06-18 |
US20110214694A1 (en) | 2011-09-08 |
TW201201263A (en) | 2012-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5506461B2 (ja) | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 | |
JP5359286B2 (ja) | 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法 | |
JP5293459B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102284839B1 (ko) | 고 종횡비 반도체 디바이스 구조들에 대한 오염물 제거를 갖는 무-스틱션 건조 프로세스 | |
JP6085423B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
US6779534B2 (en) | Apparatus and method for drying washed objects | |
JP5544666B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6068029B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP5458314B2 (ja) | 基板処理装置及び超臨界流体排出方法 | |
JP2012049446A (ja) | 超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム | |
JP5494146B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5644219B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
US20180366348A1 (en) | Substrate drying apparatus, facility of manufacturing semiconductor device, and method of drying substrate | |
JP2012114361A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
KR100967282B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR20180049103A (ko) | 액체 이산화탄소를 사용하여 반도체 기판을 건조시키는 방법 및 장치 | |
JP5471740B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100516644B1 (ko) | 기판 처리방법 및 기판 처리장치 | |
JP2013179245A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP6441499B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 | |
JP5222499B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005317817A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2012124283A (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5506461 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |