KR100454242B1 - 웨이퍼 건조 방법 - Google Patents

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KR100454242B1 KR10-2001-0087125A KR20010087125A KR100454242B1 KR 100454242 B1 KR100454242 B1 KR 100454242B1 KR 20010087125 A KR20010087125 A KR 20010087125A KR 100454242 B1 KR100454242 B1 KR 100454242B1
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Abstract

본 발명은 반도체기판의 건조방법을 제공한다. 이 방법은 챔버의 처리조 내부로 액체를 공급하여 상기 기판을 세척하는 단계, 처리조에 담겨진 액체의 수면으로 제 1 건조가스들을 분사하는 단계, 기판이 액체의 수면위로 서서히 노출되도록 처리조 내의 액체를 배출하는 단계 및; 챔버 내부로 제 2 건조 가스를 분사하고, 챔버 내부의 기체를 강제 배기하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

웨이퍼 건조 방법{wafer drying method}
본 발명은 웨이퍼의 세정공정에서 사용되는 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 웨이퍼의 세정 후 그 웨이퍼를 건조하는 웨이퍼 건조 방법에 관한 것이다.
반도체소자의 고집적화에 따라 반도체 제조공정에서 웨이퍼의 세정기술은 더욱 다양화되고, 중요성은 증대되어가고 있다. 특히 미세구조를 갖는 반도체소자의 제조공정에 있어서는 웨이퍼의 세정공정후 웨이퍼에 부착된 파티클(particles)뿐만 아니라, 정전기, 워터마크(water mark), 라인성 파티클 등은 후속공정에 커다란 영향을 미치게 되기 때문에, 웨이퍼의 건조공정의 필요성이 더욱 증대된다.
반도체소자의 제조에 이용되는 웨이퍼의 건조장치는 여러 방향으로 발전하였다. 그들은 다음과 같다. 하나는 원심력을 이용하여 웨이퍼를 건조하는 스핀 건조기(a spin dryer), 다른 하나는 이소프로필 알코올(isopropyle alcohol : IPA)의 낮은 증기압을 이용하여 웨이퍼를 건조하는 건조장치(이하, IPA건조장치라 칭함)이다. 하지만, 상기 스핀 건조기, IPA 증기 건조기(vapor dryer)로는 웨이퍼 표면이나 패턴 사이의 워터 마크(water mark)을 완전히 제거할 수 없다. 그래서, 최근에는 IPA와 물의 표면 장력과 증기압의 차이를 이용한 마란고니 방식(Marangoni type)의 건조장비가 주로 사용되고 있다. 이 마란고니 방식의 건조 장비는, 물의 표면 장력과 IPA의 밀도 및 표면장력이 다른 것을 이용한 방법으로, 건조효과가 있는 IPA 층을 물 상부에 띄워 웨이퍼를 건조하는 방식이다.
이와 같은 마란고니(marangoni) 원리를 이용한 건조 공정을 간략히 살펴보면, 우선 웨이퍼를 탈이온수(DIW)로 세정시킨다. 웨이퍼의 세정이 완료되면 탈이온수를 배수하면서 IPA를 처리조 내부로 분사하여 웨이퍼 표면의 물기를 제거한다. 그리고, 처리조 내의 탈이온수가 완전히 배수되면, 웨이퍼 표면에 미세한 입자형태로 남아있는 탈이온수를 고온의 질소가스를 분사하여 증발시킨다. 그러나, 증발된 수증기 및 파티클들을 포함한 잔류물들은 처리조에서 외부로 원활하게 빠져나가지 못했고, 이 잔류물들은 상기 질소가스와 함께 처리조 내부에서 불규칙한 유동흐름(난류)을 형성하게 되었다. 따라서, 웨이퍼 표면의 건조가 균일하지 못하고, 특히 웨이퍼 가이드와 접촉하는 부분 등에는 물기가 잔류하게 된다. 또한, 상기 마란고니 원리를 이용한 건조 장비는 건조 과정에서 웨이퍼에 산소의 접촉을 근본적으로 차단하지 못함으로써 산화막 발생을 방지하지 못하는 단점을 갖고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 증발된 수증기 및 파티클 등을 포함한 잔류물들이 질소가스와 함께 신속하게 처리조 외부로 빠져나가게 함으로써, 처리조 내부에서 불규칙한 유동흐름을 방지할 수 있는 기판 건조 방법을 제공하는데 있다. 또한, 건조 공정을 진행하는 동안 웨이퍼 표면에 산소의 접촉을 근본적으로 차단하여 산화막 형성을 방지할 수 있는 웨이퍼 건조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 건조 효율을 높일 수 있는 건조 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 건조 방법을 수행하기 위해 사용되는 웨이퍼 건조 장비의 개략적인 정단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 건조 방법의 순서도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명에 따른 건조 방법을 순차적으로 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
112 : 처리조 114 : 커버
120 : 웨이퍼 가이드 130 : 기체 분배기
132 : IPA 노즐 134 : N2 노즐
142 : 분배관 152a : 제 1 배수관
154 : 조절밸브 162 : 배기포트
164 : 진공배기관 166 : on/off 밸브
172 : 제 1 배기관
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명은 챔버의 처리조 내부로 액체를 공급하여 상기 기판을 세척하는 단계; 상기 챔버의 내부를 감압하는 단계; 상기 처리조에 담겨진 액체를 배출함과 동시에 상기 처리조의 액체 수면상으로 제 1 건조가스를 분사하는 단계 및, 상기 액체의 배출 완료후 상기 기판으로 제 2 건조 가스를 분사하는 단계를 포함하는 반도체기판 건조 방법을 제공한다. 상기 제 2 건조 가스는 질소 또는 이산화탄소 또는 건조공기가 사용될 수 있으며, 이 제 2 건조 가스의 온도는 상온에서 120도 사이일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 챔버 내부의 감압은 상기 커버에 설치된 진공 배기관을 통해 상기 챔버 내부 공기가 배기됨으로써 이루어진다. 상기 제 2 건조 가스를 분사하는 단계에서 상기 제 2 건조 가스를 진공 배기하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 반도체기판을 건조시키는 방법은 챔버의 처리조 내부로 액체를 공급하여 상기 기판을 세척하는 단계; 상기 처리조에 담겨진 액체의 수면으로 제 1 건조가스들을 분사하는 단계; 상기 기판이 상기 액체의 수면위로 서서히 노출되도록 상기 처리조 내의 액체를 배출하는 단계 및; 상기 챔버 내부로 제 2 건조 가스를 분사하고, 상기 챔버 내부의 기체를 강제 배기하는 단계를 포함할 수 있다. 그리고 본 발명의 건조 방법은 상기 제 1 건조가스를 분사하기 전에 상기 챔버 내부를 감압하여 상기 챔버 내부의 공기를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 챔버 내부의 공기는 상기 커버에 설치된 배기포트를 통해 배기될 수 있다. 상기 챔버 내부의 공기를 제거하는 단계는 상기 챔버 내부에 불활성 가스가 제공되는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리조에서 액체 배수가 완료되면, 상기 제 2 건조 가스는 상기 처리조의 상부로부터 수직으로 분사되고, 상기 처리조로 분사된 제 2 건조 가스와 이 제 2 건조 가스에 의해 웨이퍼 표면으로부터 증발되어진 수증기는 상기 처리조 외부로 강제 배기된다. 상기 처리조 내부의 기체는 상기액체가 배출되는 배수관과 연결된 배기관을 통해 배기될 수 있다. 상기 제 2 건조 가스는 상기 처리조 내의 액체가 모두 배출되어진 후 분사될 수 있다. 상기 제 2 건조 가스는 상온에서 120도 사이의 온도로 예열된 불활성 가스일 수 있다. 상기 액체는 탈이온수일 수 있다. 상기 제 1 건조 가스들은 예열된 알콜 증기와 질소 가스일 수 있다. 상기 알콜은 메탄 알콜, 에탄 알콜, 이소프로필 알콜의 군에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 건조 방법을 설명하기에 앞서서, 본 발명을 수행하기 위해 사용되는 웨이퍼 건조 장비에 대해 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 건조 방법을 수행하기 위한 웨이퍼 건조 장비(100)는 챔버(110), 기체 분배기(130), 액체 유동 시스템 그리고 감압 수단을 포함하고 있다.
상기 챔버(110)는 처리조(112)와 커버(114)를 갖는다. 상기 처리조(112)는 바닥(112a) 및 측벽(112b)들을 갖으며, 이들에 의해 둘러싸여진 공간을 제공한다. 상기 처리조(112)는 상기 처리조의 바닥으로부터 연장된 배출 포트(exhaustport;113)를 갖는다. 상기 처리조(112)는 상부를 향하여 개구된 형태를 갖으며, 상기 처리조(112)의 개구는 상기 커버(114)에 의해 개폐된다. 상기 커버(114)와 상기 처리조(112)의 접촉부에는 밀봉을 위한 오-링(116)이 설치된다.
상기 처리조(112) 내의 웨이퍼들(w)은 웨이퍼 가이드(120)에 의해 지지된다. 상기 웨이퍼 가이드(120)는 상기 웨이퍼들(w)을 가로지르는 방향과 평행하게 배치된 적어도 3개의 바들(bars; 122a 및 122b)로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 웨이퍼 가이드(120)는 하나의 중심 바(122a) 및 상기 중심 바(122a)의 양 옆에 위치하는 두개의 측 바들(122b)로 구성된다. 상기 웨이퍼 가이드(120)는 상기 웨이퍼들(W)을 상승시키거나 하강시키는 리프트(lift;도시하지 않음)와 접속될 수 있다.
상기 기체 분배기(130)는 상기 커버(114)에 설치된다. 이 기체 분배기(130)는 IPA노즐(132)과 N2 노즐(134)을 포함하며, 상기 IPA 노즐(132)과 N2 노즐(134) 각각에는 공급관들(136a,136b)들이 연결된다. 상기 공급관들(136a,136b)은 각각 IPA 공급원(미도시됨)과 N2 공급원(미도시됨)에 접속됨은 물론이다. 웨이퍼 건조에 사용되는 IPA와 N2는 상기 IPA 노즐과 N2 노즐을 통하여 상기 처리조의 공간으로 균일하게 공급된다.
상기 기체 분배기(130)는, IPA와, 상온 또는 가열된 질소가스 등의 불활성 가스를 상기 처리조(112)의 상부로부터 상기 처리조(112)의 내부로 공급한다.
상기 액체 유동 시스템은 액체를 상기 처리조(112) 내로 지속적으로 공급하는 수단과, 상기 액체를 상기 처리조(112)로부터 지속적으로 배출하는 수단을 갖는다. 이들 수단들에 의해 상기 처리조(112) 내의 액체의 수위 및 배출이 조절된다. 상기 공급 수단은 상기 처리조(112) 하단에 상기 웨이퍼 가이드(120)의 길이 방향으로 설치되는 그리고 다수의 분사공들(144)이 형성된 분배관(142)을 갖는다. 상기 분배관(142)은 액체 공급관을 통해 외부의 액체 공급원으로부터 액체를 공급받는다. 상기 배출 수단은 상기 처리조(112)의 배출포트(113)에 연결된 제 1 및 제 2 배수관(drain pipe;152a,152b)과, 이들 각각의 배수관들에 설치되는 조절밸브(154)를 포함한다. 예컨대, 상기 제 2 배수관(152b)은 상기 제 1 배수관(152a)보다 느리게 용액을 배출하기 위해 상기 제 1 배수관(152a)보다 작은 직경을 갖는 것이 바람직하다. 상기 처리조(112) 내의 액체 수위 조절은 상기 조절밸브(154)의 조절에 의해 이루어진다.
한편, 상기 감압 수단은 배기포트(162)와, 상기 배기포트(162)에 연결되는 진공배기관(164) 그리고 이 진공배기관(164)을 단속하는 on/off 밸브(166)를 갖는다. 상기 배기포트(162)는 상기 커버(114)에 형성된다. 상기 감압 수단은 IPA를 공급하기 전, 상기 챔버(110) 내부의 공기(실질적으로 산소 제거가 목적임)를 제거하기 위해 상기 챔버 내부의 감압을 실시한다. 이처럼, 웨이퍼 린스 공정 후, 용액이 채워진 상기 처리조(112)와 상기 커버(114) 사이의 공간(a)에 잔류하는 공기가 상기 배기포트(162)를 통해 배기됨으로써, 추후 건조 공정단계에서 웨이퍼(w)가 공기중의 산소와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 표면에 산화에 의한 워터마크(watermark)가 형성되는 것이 방지된다.
이에 더하여, 상기 웨이퍼 건조 장치(100)는 상기 챔버(110) 내부로 제공된상기 IPA 및 N2를 강제 배기시키기 위한 수단을 더 포함한다. 상기 강제 배기 수단은 상기 제 1 배수관(152a)에 연결되는 제 1 배기관(172)과, 이 배기관(172)을 단속하는 on/off 밸브(174)를 갖는다. 상기 on/off 밸브(174)는 상기 처리조(112)내의 상기 용액이 배출될 때에는 닫혀있고, 상기 용액이 상기 처리조(112)에서 완전히 배출된 이후 그리고 상기 N2가 공급되는 시점에 열린다. 좀 더 구체적으로, 용액의 배수 완료 후, 상기 커버(114)에 설치된 상기 N2 노즐(134)로부터 N2 가스가 분사되고, 상기 처리조(112)의 배출포트(113)를 통해 진공 배기가 되면, 상기 처리조(112)의 상부에서 하부로의 유동(flow)이 형성된다. 결국, 이러한 유동에 의해서, 상기 처리조(112) 내부에 떠다니는 수증기와 파티클들을 포함한 잔류물들 그리고 N2 가스는 상기 배출포트(113)를 통하여 상기 제 1 배기관(172)으로 신속하게 그리고 확실히 배기되는 것이다.
제2도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 건조공정의 순서도이다.
제2도를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 공정은 처리조의 웨이퍼 가이드에 웨이퍼들을 로딩하는 단계(s110)와, 웨이퍼 상에 부착된 미립자 등의 표면 오염물을 제거하기 위한 세척 단계(s120)와, 챔버 내부를 감압하는 단계(s130)와, 상기 처리조 내부의 탈이온수를 배수하면서 탈이온수의 수면상으로 IPA 증기와 질소가스를 분사하는 단계(s140) 그리고 상기 처리조 내의 탈이온수가 완전 배수된 후에는 예열된 질소 가스를 분사하면서 챔버 내부를 감압하는 단계(s150) 그리고 웨이퍼를 언로딩 하는 단계(s160)를 포함한다. 여기서, 세척 단계는 웨이퍼들(w)을 세정하는 공정 또는 웨이퍼들(w)을 린스시키는 공정에 해당한다. 따라서, 상기세척 공정이 세정공정에 해당하는 경우에는 상기 액체는 상기 웨이퍼들(w) 상에 잔존하는 파티클들 또는 자연산화막과 같은 오염물질을 제거하는 데 적합한 화학용액일 수 있다. 또한, 상기 세척공정이 린스공정에 해당하는 경우에는, 상기 웨이퍼들(w) 상에 남아있는 화학용액을 제거하는 데 적합한 탈이온수일 수 있다.
도 3 내지 도 7을 참고하면서 상술한 각 단계에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 상기 처리조(112) 내부로 상기 웨이퍼들(w)을 로딩시킨다. 상기 분배관(142)을 통하여 상기 처리조(112) 내로 탈이온수를 공급한다. 상기 탈이온수는 상기 웨이퍼들(w)을 린스시키기 위하여 상기 공급 수단 및 배출 수단을 통하여 지속적으로 공급 및 배출된다.(도 3 참고) 상기 웨이퍼들(w)의 린스공정 후, 상기 챔버(110) 내부의 공기를 제거하기 위해 감압을 실시한다.(도 4 참고) 즉, 상기 감압 수단을 이용하여 탈이온수가 채워진 상기 처리조(112)와 상기 커버(114) 사이의 공간(a)에 잔류하는 공기를 제거하고, 공기가 제거된 상기 공간(a)에는 상기 질소가스가 채워진다.(도 5 참고) 여기서, 상기 감압과 상기 질소가스의 가압은 동시에 실시될 수 있다. 상기 챔버(110)의 공간(a)에 질소가스를 채운 후, 상기 처리조(112) 내의 탈이온수 상부로 IPA와 질소가스를 공급함과 동시에 상기 처리조(112)내의 탈이온수를 상기 제 2 배수관(152b)을 통해 서서히 배출시킨다.(도 6참고) 이에 따라, 상기 웨이퍼들(w)의 표면에 잔존하는 탈이온수를 제거하는 건조공정이 진행된다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 상기 IPA의 일부는 상기 처리조(112) 내의 탈이온수 표면 내에 스며들어 상기 탈이온수의 표면에서의 표면장력을 감소시킨다. 특히, 상기 건조공정동안 상기 웨이퍼들(w)이 상승하거나 상기 탈이온수의 수위가 낮아지면, 상기 웨이퍼들(w)의 표면들과 상기 탈이온수가 접촉되는 부분에서 메니스커스(meniscus) 형태의 액체 표면이 형성된다. 이러한 상태 하에서, 상기 IPA가 상기 탈이온수 표면에 스며들면, 상기 메니스커스 부분의 표면장력은 다른 어느 부분에서의 표면장력보다 낮다. 이에 따라, 상기 웨이퍼들(w)의 표면에 잔존하는 액체, 즉 탈이온수는 표면장력이 높은 부분으로 이동하게 된다. 결과적으로, 마란고니 원리를 이용하면, 웨이퍼들(w)의 표면으로부터 탈이온수를 제거시키는 효과를 극대화시킬 수 있다. 여기서, 상기 IPA 대신 메탄 알콜 또는 에탄 알콜이 사용될 수 있음은 물론이다. 한편, 상기 탈이온수의 수면이 상기 웨이퍼들 하단 이하로 내려오면, 상기 제 2 배수관(152b)을 닫고, 상기 제 1 배수관(152a)을 열어 상기 처리조(112)에 남아 있는 상기 탈이온수를 신속하게 배출시킨다. 상기 제 1 배수관(152a)은 중력에 의한 용액 배출을 수행한다. 도 7을 참고하면, 상기 처리조 내의 탈이온수가 완전 배수된 후에는 예열된 질소 가스를 분사하면서 챔버 내부를 감압한다. 여기서 상기 질소 가스의 온도는 상온에서 120도 사이가 바람직하다. 상기 질소가스를 분사하면서 챔버 내부를 감압하는 단계는 웨이퍼 표면에 미세한 입자 형태로 남아있는 탈이온수를 예열된 질소가스를 이용하여 제거하는 공정으로, 좀 더 구체적으로는, 예열된 질소가스는 상기 N2노즐(134)을 통해 상기 처리조(112) 내부로 공급되며, 웨이퍼 건조에 사용된 가스(N2,IPA)와 퓸(fume)을 포함한 잔류물들은 상기 처리조(112)의 배출포트(113)를 통해 상기 제 1 배기관(172)으로 강제 배기된다. 따라서, 상기 처리조(112)의 상부에서 하부로의 유동(flow)이 형성된다. 결국, 이러한 유동에 의해서, 상기 처리조(112) 내부의 잔류물, N2 가스, IPA는 상기 배출포트(113)를 통하여 상기 제 1 배기관(172)으로 신속하게 그리고 확실히 배기된다. 이처럼, 상기 배기관(172)을 통하여 상기 가스(N2,IPA)와 잔류물들이 신속하게 배기됨으로써, 상기 처리조(112) 내에 난류 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 건조공정 동안 처리조(112) 내부의 기체 흐름을 안정되도록 유지할 수 있다. 만일, 상기 건조공정 동안 상기 처리조 내부에 소용돌이와 같은 불안정한 공기 흐름현상이 발생하면, 고온의 N2가스 분사에 의해 웨이퍼 표면의 물 입자 건조 효과를 얻기가 어렵다. 따라서, 건조공정 동안 상기 처리조(112) 내부의 기체 흐름을 안정시키고 그리고 신속하게 배기되도록 유지하는 것은 건조공정에 있어서 매우 중요하다. 결과적으로, 건조공정을 실시하는 동안, 상기 N2가스 및 상기 잔류물들이 신속하게 상기 제 1 배기관(172)을 통해서 배기됨과 아울러, 새로운 N2가스가 웨이퍼 표면으로 제공됨으로써 상기 잔류물들에 의해 웨이퍼 오염을 최소화하고, 웨이퍼 표면의 물 입자 제거 효과를 극대화시킬 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장비의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 건조 과정에서 웨이퍼가 공기중의 산소와 접촉하는 것이 방지된다. 따라서, 웨이퍼의 표면에 산화에 의한 워터마크(watermark)가 형성되는 것이 사전에 예방할 수 있다. 또한, 건조공정을 실시하는 동안, N2가스 및 상기 잔류물들이 신속하게 강제 배기됨으로써, 잔류물들에 의해 웨이퍼 오염을 최소화하고, 웨이퍼 표면의 물 입자 제거 효과를 극대화시킬 수 있고, 건조 시간을 단축시킬 수 있다.

Claims (16)

  1. 커버와, 하부에 배출포트가 설치된 처리조를 갖는 챔버에서 반도체기판을 건조시키는 방법에 있어서:
    상기 챔버의 처리조 내부로 액체를 공급하여 상기 반도체기판을 세척하는 단계;
    상기 챔버의 내부를 감압하는 단계;
    상기 처리조에 담겨진 액체를 배출함과 동시에 상기 처리조의 액체 수면상으로 제1건조가스를 분사하는 단계;
    상기 액체의 배출 완료후 상기 반도체기판으로 제2건조가스를 분사하는 단계를 포함하되;
    상기 감압 단계는 반도체기판 세척이 완료된 후, 반도체기판이 액체 수면상으로 노출되기 직전에 상기 커버에 설치된 진공 배기관을 통해 상기 챔버 내부 공기를 배기하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2건조가스는 질소 또는 이산화탄소 또는 건조공기이며,
    상기 제2건조가스의 온도는 상온에서 120도 사이인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2건조가스를 분사하는 단계에서 상기 제2건조가스를 진공배기하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  6. 커버와, 바닥에 배출포트가 설치된 처리조를 갖는 챔버에서 반도체기판을 건조시키는 방법에 있어서:
    상기 챔버의 처리조 내부로 액체를 공급하여 상기 반도체기판을 세척하는 단계;
    상기 처리조에 담겨진 액체의 수면으로 제 1 건조가스들을 분사하는 단계와;
    상기 반도체기판이 상기 액체의 수면위로 서서히 노출되도록 상기 처리조 내의 액체를 상기 처리조의 배출포트를 통해 배출하는 단계 및;
    상기 챔버 내부로 제 2 건조 가스를 분사하고, 상기 챔버 내부의 기체를 상기 처리조의 배출포트를 통해 강제 배기하는 단계를 포함하되;
    상기 처리조에서 액체 배수가 완료되면, 상기 제 2 건조 가스는 상기 커버로부터 상기 처리조의 배출포트를 향해 수직한 방향으로 분사되고, 상기 처리조의 배출포트를 향해 수직하게 분사된 제 2 건조 가스는 반도체기판 표면으로부터 증발되어진 수증기 및 파티클등의 잔류물들과 함께 상기 처리조의 배출포트를 통해 외부로 강제 배기되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1건조가스를 분사하기 전에 상기 챔버 내부를 감압하여 상기 챔버 내부의 공기를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 챔버 내부의 공기는 상기 챔버의 커버에 설치되는 배기 포트를 통해 배기되며,
    상기 챔버 내부의 공기를 제거하는 단계는 상기 챔버 내부에 불활성 가스가 제공되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 6 항에 있어서
    상기 처리조 내부의 기체는 상기 배출포트에 연결된 배수관과 연결되는 배기관을 통해 배기되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 건조 가스는 상기 처리조 내의 액체가 모두 배출되어진 후 분사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 건조 가스는 상온에서 120도 사이의 온도로 예열된 불활성 가스이고,
    상기 액체는 탈이온수이며
    상기 제 1 건조 가스들은 예열된 알콜 증기와 질소 가스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 알콜은 메탄 알콜, 에탄 알콜, 이소프로필 알콜의 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 방법.
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