KR102400186B1 - 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 공정 챔버는 제1 하우징; 및 상기 제1 하우징 상에 위치되는 제2 하우징을 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 외벽, 상기 제1 외벽과 대향되는 제1 격벽, 및 상기 제1 외벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 측벽을 포함하고, 상기 제2 하우징은, 제2 외벽, 상기 제2 외벽과 상기 제1 격벽 사이에 위치되는 제2 격벽, 및 상기 제2 외벽과 상기 제2 격벽을 연결하는 제2 측벽을 포함하고, 상기 제1 및 제2 외벽들의 각각은 상기 제1 격벽의 두께 및 제2 격벽의 두께보다 두꺼울 수 있다.

Description

공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Process chamber and substrate treating apparatus including the same}
본 발명은 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정은 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 등을 포함할 수 있다. 세정 공정은 기판에 잔류하는 오염물을 제거하는 공정일 수 있다. 세정 공정은 케미컬을 공급하여 기판 상의 오염 물질을 제거하는 케미컬 공정, 세정 액을 공급하여 기판 상의 케미컬을 제거하는 세정 공정, 및 기판 상에 잔류하는 세정 액을 건조하는 건조 공정을 포함할 수 있다. 케미컬 공정, 세정 공정, 및 건조 공정은 순차적으로 수행될 수 있다.
건조 공정은 공정 챔버 내의 기판으로 초임계 유체를 공급하여, 기판 상에 잔류하는 세정 액을 건조할 수 있다. 이때, 공정 챔버의 내부 압력은 초임계 유체에 의해 고압 상태일 수 있다. 이에 따라, 최근에 고압을 견디기 위한 공정 챔버의 구조에 대한 연구가 진행 중인 추세이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 복수의 구획 공간을 가지면서 고압에 견딜 수 있는 소형화된 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는 처리 효율을 향상시킨 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 공정 챔버는, 제1 하우징; 및 상기 제1 하우징 상에 위치되는 제2 하우징을 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 외벽, 상기 제1 외벽과 대향되는 제1 격벽, 및 상기 제1 외벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 측벽을 포함하고, 상기 제2 하우징은, 제2 외벽, 상기 제2 외벽과 상기 제1 격벽 사이에 위치되는 제2 격벽, 및 상기 제2 외벽과 상기 제2 격벽을 연결하는 제2 측벽을 포함하고, 상기 제1 및 제2 외벽들의 각각은 상기 제1 격벽의 두께 및 제2 격벽의 두께보다 두꺼울 수 있다.
본 발명에 또 따른 공정 챔버는, 내부 공간을 갖는 하우징; 및 상기 하우징 내에 위치되어, 상기 내부 공간을 복수의 구획 공간들로 구획하는 적어도 하나의 격벽을 포함하고, 상기 하우징은, 상기 격벽의 아래에 위치되는 제1 외벽, 상기 격벽의 위에 위치되는 제2 외벽, 및 상기 제1 및 제2 외벽들 사이에 위치되고, 상기 격벽과 연결되는 측벽을 포함하고, 상기 제1 및 제2 외벽들의 각각은 상기 격벽의 두께보다 두꺼울 수 있다.
본 발명에 또 따른 공정 챔버는, 서로 분리된 복수의 구획 공간들을 갖는 하우징, 상기 하우징의 아래에 위치되는 제1 지지벽, 및 상기 하우징의 위에 위치되는 제2 지지벽을 포함하고, 상기 하우징은: 상기 제1 지지벽과 접하는 하부벽; 상기 하부벽과 상기 제2 지지벽 사이에 위치되고, 상기 제2 지지벽과 접하는 상부벽; 상기 하부벽과 상기 상부벽을 연결하는 측벽; 및 상기 하부벽과 상기 상부벽 사이에 위치되고, 상기 측벽과 연결되는 적어도 하나의 격벽을 포함하고, 상기 격벽의 두께는 상기 제1 지지벽의 두께와 상기 하부벽의 두께의 합, 및 상기 제2 지지벽의 두께와 상기 상부벽의 두께의 합보다 작다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 제1 내부 공간을 갖는 제1 하우징과, 상기 제1 하우징 상에 적층되며, 제2 내부 공간을 갖는 제2 하우징을 포함하는 공정 챔버; 상기 제1 내부 공간 내에 위치되고, 기판을 지지하는 제1 기판 지지부재; 상기 제2 내부 공간 내에 위치되고, 기판을 지지하는 제2 기판 지지부재; 상기 제1 및 제2 내부 공간들 내에 유체를 공급하는 유체 공급부; 및 상기 제1 및 제2 내부 공간들 내의 유체를 배출하는 유체 배출부를 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 외벽, 상기 제1 외벽과 대향되는 제1 격벽, 및 상기 제1 외벽과 상기 제1 격벽을 연결하는 제1 측벽을 포함하고, 상기 제2 하우징은, 제2 외벽, 상기 제2 외벽과 상기 제1 격벽 사이에 위치되는 제2 격벽, 및 상기 제2 외벽과 상기 제2 격벽을 연결하는 제2 측벽을 포함하되, 상기 제1 및 제2 격벽들의 각각은, 상기 제1 외벽의 두께 및 상기 제2 외벽의 두께보다 작은 두께를 갖는다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 공정 챔버는 기판의 처리 공정이 수행되는 복수의 구획 공간들을 가질 수 있다. 또한, 공정 챔버의 크기가 소형화될 수 있다. 기판의 처리 공정의 효율이 향상될 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 일부 구성을 나타낸 블럭도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 일부 구성이 분리되는 모습을 나타낸 개략적인 분해 사시도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 종단면도이다.
도 5는 도 4의 A부분의 확대도이다.
도 6은 도 4의 B부분의 확대도이다.
도 7는 도 1의 공정 챔버를 나타낸 개략적인 횡단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 도 1의 기판 처리 장치에서, 기판을 건조하는 건조 공정을 나타낸 개략적인 종단면도들이다.
도 9는 도 8b의 제1 하우징에 유체가 공급되는 모습을 나타낸 개략적인 횡단면도이다.
도 10은 도 1의 구획 공간들의 압력이 고압일 때, 공정 챔버에 작용하는 힘을 나타낸 개략적인 종단면도이다.
도 11은 도 1의 기판 처리 장치의 변형 예를 나타낸 개략적인 종단면도이다.
도 12는 도 1의 공정 챔버의 변형 예를 나타낸 개략적인 횡단면도이다.
도 13은 도 11의 공정 챔버, 개폐 유닛 및 고정 부재의 개략적인 사시도이다.
도 14 내지 도 19는 도 11의 공정 챔버 내로 유체를 공급 및 배출하는 모습을 나타낸 개략적인 횡단면도들이다.
도 20은 도 1의 기판 처리 장치의 변형 예를 나타낸 개략적인 종단면도이다.
도 21는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 반도체 제조 설비를 나타낸 개략도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 개념 및 이에 따른 실시 예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 사시도이다. 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 일부 구성을 나타낸 블럭도이다. 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 일부 구성이 분리되는 모습을 나타낸 개략적인 분해 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 초임계 유체(supercritical fluid)를 이용하여, 기판의 처리 공정(예를 들면, 건조 공정, 세정 공정, 에칭 공정 등)을 수행할 수 있다. 실시 예에서, 기판 처리 장치(1)는 초임계 유체를 이용하여, 기판을 건조하는 건조 공정을 수행할 수 있다. 초임계 유체는 기판(W)상에 잔류하는 유기 용제를 용해시켜 기판(W)을 건조시킬 수 있다. 이하, 기판 처리 장치(1)는 기판의 건조 공정을 수행하는 것을 일 예로 설명한다.
기판 처리 장치(1)는, 공정 챔버(10), 유체 공급부(20), 및 유체 배출부(30)를 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 개폐 유닛(40), 고정 부재(60), 기판 지지부(50), 및 컨트롤러(70)를 더 포함할 수 있다.
공정 챔버(10)는 기판의 건조 공정이 수행되는 복수의 구획 공간들을 제공할 수 있다. 복수의 구획 공간들은 서로 분리될 수 있다. 공정 챔버(10)는 그를 관통하는 복수의 출입구들(160)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 출입구들(160)은 제1 내지 제3 출입구들(161, 162, 163)을 포함할 수 있다. 출입구들(160)의 각각은 구획 공간들 중 어느 하나와 연결될 수 있다. 이에 따라, 기판(W, 도 4 참조)은 출입구들(160)을 통해 구획 공간들의 각각에 위치될 수 있다. 공정 챔버(10)는 하우징부(100)와 차폐부(200)를 포함할 수 있다. 하우징부(100)는, 제1 하우징(101), 제2 하우징(102), 및 적어도 하나의 제3 하우징(103)을 포함할 수 있다. 제1 하우징(101), 제3 하우징(103), 및 제2 하우징(102)은 제1 방향(D1)으로 순차적으로 적층될 수 있다. 여기서, 제1 방향(D1)은 상하 방향과 평행할 수 있다. 공정 챔버(10)에 대한 자세한 사항은 도 4 내지 도 7에서 후술한다.
유체 공급부(20)는 공정 챔버(10)와 연결될 수 있다. 예를 들면, 유체 공급부(20)는 공급 배관(25)을 통해 제1 하우징(101), 제2 하우징(102) 및 제3 하우징(103)과 연결될 수 있다. 실시 예에서, 공급 배관(25)은 후술할 공급홀들(170)과 후술할 하부 공급홀들(175, 도 4 참조)연결될 수 있다. 유체 공급부(20)는 공정 챔버(10)의 구획 공간들(S1, S2, S3, 도 4 참조)로 유체를 공급할 수 있다. 예기서, 유체는 초임계 상태의 유체일 수 있다. 여기서, 초임계 상태란, 물질이 임계 온도와 임계 압력을 초과한 상태인 임계상태에 도달하여 액체와 기체를 구분할 수 없는 상태를 의미한다. 초임계 상태에서 물질은 분자밀도는 액체에 가깝지만, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가진다. 이러한 초임계 상태의 물질은 확산력, 침투성, 및 용해력이 매우 높아 화학반응에 유리하다. 또한, 초임계 상태의 물질은 표면장력이 매우 낮아 미세구조에 계면장력을 가하지 않으므로, 반도체 소자의 건조 공정 시 건조 효율이 우수하고 도괴 현상을 회피할 수 있어 유용하게 사용될 수 있다.
초임계 유체는 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이하, 기판의 건조 공정에서 주로 사용되는 이산화탄소(CO2)의 초임계 유체를 기준으로 설명할 것이나, 초임계 유체의 성분 및 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 이산화탄소의 경우, 대략 30℃ 이상의 온도 및 대략 7.4 MPa 이상의 압력에서, 초임계 상태가 될 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(10)는 초임계 유체의 임계 온도와 임계 압력을 견딜 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(10)는 스테인리스(stainless) 재질로 이루어질 수 있다.
유체 배출부(30)는 공정 챔버(10)와 연결될 수 있다. 예를 들면, 유체 공급부(20)는 배출 배관(35)을 통해 제1 하우징(101), 제2 하우징(102) 및 제3 하우징(103)과 연결될 수 있다. 유체 배출부(30)는 공정 챔버(10)의 공간들 내의 유체를 공정 챔버(10)의 외부로 배출할 수 있다. 실시 예에서, 배출 배관(35)은 후술할 배출홀들(180)과 연결될 수 있다.
개폐 유닛(40)은 차폐부(200)와 연결되어, 공정 챔버(10)의 출입구들(160)을 개폐할 수 있다. 개폐 유닛(40)에 대한 자세한 사항은 후술한다.
고정 부재(60)는 상기 출입구들(160)을 폐쇄한 차폐부(200)를 고정시킬 수 있다. 예를 들면, 구획 공간들(S1, S2, S3) 내의 압력이 차폐부(200)에 작용될 때, 고정 부재(60)는 구획 공간들(S) 내의 압력에 의한 차폐부(200)의 이동을 방지할 수 있다. 기판 지지부(50)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 실시 예에서, 기판 지지부(50)는 차폐부(200)에 설치될 수 있다. 다른 예에서, 기판 지지부(50)는 하우징부(100)에 설치될 수 있다. 컨트롤러(70)는 유체 공급부(20)의 구동, 유체 배출부(30)의 구동, 및 개폐 유닛(40)의 구동을 제어할 수 있다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 종단면도이다. 도 5는 도 4의 A부분의 확대도이다. 도 6은 도 4의 B부분의 확대도이다. 도 7는 도 1의 공정 챔버를 나타낸 개략적인 횡단면도이다. 도 7은 제1 구획 공간의 위치에 대응된 부분의 횡단면도이다.
도 1 내지 도 7를 참조하면, 하우징부(100)는 전술한 바와 같이, 제1 하우징(101), 제2 하우징(102), 및 적어도 하나의 제3 하우징(103)을 포함할 수 있다. 제1 하우징(101), 제2 하우징(102), 및 제3 하우징(103)은 서로 분리될 수 있는 별도의 구성일 수 있다. 이와 달리, 다른 실시 예에서, 제1 내지 제3 하우징들(101, 102, 103)은 일체로 형성될 수 있다. 하우징부(100)는 그를 관통하는 공급홀들(170), 배출홀들(180), 및 하부 공급홀들(175)를 포함할 수 있다. 공급홀들(170)은 제1 내지 제3 공급홀들(171, 172, 173)을 포함하고, 배출홀들(180)은 제1 내지 제3 배출홀들(181, 182, 183)을 포함할 수 있다. 하부 공급홀들(175)은 제1 내지 제3 하부 공급홀들(175a, 175b, 175c)를 포함할 수 있다.
제1 하우징(101)은 기판(W)의 건조 공정이 수행되는 제1 내부 공간(S1)을 가질 수 있다. 이하, 제1 내부 공간(S1)은 제1 구획 공간으로도 지칭할 수 있다. 제1 하우징(101)은 대략 직육면체로 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 하우징(101)은 제1 외벽(110), 제1 격벽(131), 및 제1 측벽(151)을 포함할 수 있다. 제1 하우징(101)은 제1 돌출부(115), 및 그를 관통하는 적어도 하나의 제1 공급홀(171), 및 그를 관통하는 적어도 하나의 제1 배출홀(181)을 더 포함할 수 있다. 제1 공급홀(171)과 제1 배출홀(181)은 서로 이격될 수 있다. 실시 예에서, 제1 공급홀(171)과 제1 배출홀(181)은 제1 하우징(101)에 한 개씩 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 하우징(101)은 그를 관통하는 제1 하부 공급홀(175a)를 포함할 수 있다.제1 외벽(110)은 공정 챔버(10)의 바닥 영역을 형성할 수 있다. 제1 외벽(110)은 제1 격벽(131)의 아래에 위치될 수 있다. 제1 외벽(110)과 제1 격벽(131)은 서로 이격될 수 있다. 제1 외벽(110)은 서로 대향된 제1 외측면(111) 및 제1 내측면(112)을 포함할 수 있다. 제1 내측면(112)은 제1 격벽(131)과 대향될 수 있다. 제1 외측면(111)은 공정 챔버(10)의 외측면(미부호)의 일부를 형성할 수 있다. 제1 외측면(111)과 제1 내측면(112)은 평평하게 제공될 수 있다.
제1 배출홀(181)은 제1 외벽(110)에 제공될 수 있다. 제1 배출홀(181)은 제1 외벽(110)을 관통할 수 있다. 예를 들면, 제1 배출홀(181)은 제1 외측면(111)과 제1 내측면(112)을 연결할 수 있다.
제1 격벽(131)은 제1 외벽(110)의 위에 위치될 수 있다. 제1 격벽(131)은 서로 대향된 제1 벽면(131a)과 제2 벽면(131b)을 포함할 수 있다. 제1 벽면(131a)은 상기 제1 내측면(112)과 대향될 수 있다. 제2 벽면(131b)은 제2 하우징(102)과 대향될 수 있다. 제1 벽면(131a)과 제2 벽면(131b)은 평평하게 제공될 수 있다.
제1 격벽(131)의 두께(T31)는 제1 외벽(110)의 두께(T1)보다 작을 수 있다. 이하, 두께는 제1 방향(D1)의 길이를 의미할 수 있다. 제1 격벽(131)의 두께(T31)는 제1 벽면(131a)과 제2 벽면(131b) 간의 이격 거리일 수 있다. 제1 외벽(110)의 두께(T1)는 제1 외측면(111)과 제1 내측면(112) 간의 이격 거리일 수 있다. 예를 들면, 제1 외벽(110)의 두께(T1)는 대략 30㎝ 내지 대략 60㎝일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1 격벽(131)의 두께(T31)는 대략 1㎝ 내지 대략 15㎝일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 외벽(110)의 두께(T1)는 초임계 유체의 임계 압력 이상의 압력을 견딜 수 있도록 형성될 수 있다. 이에 대한 설명은 도 10에서 후술한다. 제1 구획 공간(S1)의 높이(H1)는 제1 격벽(131)의 두께(T31)보다 크고, 제1 외벽(110)의 두께(T1)보다 작을 수 있다. 예를 들면, 제1 구획 공간(S1)의 높이(H1)는 대략 5㎝ 내지 대략 25㎝일 수 있다. 제1 구획 공간(S1)의 높이(H1)는 상기 제1 내측면(112)과 상기 제1 벽면(131a) 간의 이격 거리일 수 있다.
제1 측벽(151)은 제1 외벽(110)과 제1 격벽(131)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제1 측벽(151)은 하단이 제1 외벽(110)과 연결되고, 상단이 제1 격벽(131)과 연결될 수 있다. 제1 측벽(151)은 일측에 그를 관통하는 제1 출입구(161)를 포함할 수 있다. 기판(W)은 제1 출입구(161)를 통해 제1 하우징(101) 내에 제공될 수 있다. 제1 측벽(151)의 높이는 제1 구획 공간(S1)의 높이(H1)와 동일할 수 있다. 제1 측벽(151)의 높이는 제1 측벽(151)의 상단과 하단 간의 거리를 의미할 수 있다.
제1 공급홀(171)은 제1 격벽(131)에 제공될 수 있다. 제1 공급홀(171)은 제1 공급 유로(171a)와 제2 공급 유로(171b)를 포함할 수 있다. 제1 공급 유로(171a)는 상기 제1 벽면(131a)으로부터 상기 제2 벽면(131b)을 향해 연장될 수 있다. 제1 공급 유로(171a)의 일단은 제1 벽면(131a)과 연결될 수 있다. 제1 공급 유로(171a)의 타단은 제1 벽면(131a)과 제2 벽면(131b) 사이에 위치될 수 있다. 제1 공급 유로(171a)는 제1 배출홀(181)과 수직하게 중첩될 수 있다.
제2 공급 유로(171b)는 제1 공급 유로(171a)로부터 제1 측벽(151)을 향해 연장될 수 있다. 제2 공급 유로(171b)는 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있다. 여기서, 제2 방향(D2)은 전후 방향과 평행할 수 있다. 제2 공급 유로(171b)는 공정 챔버(10)의 외측면과 연결될 수 있다.
제1 하부 공급홀(175a)는 제1 격벽(131)에 제공될 수 있다. 다른 예에서, 제1 하부 공급홀(175a)는 제1 측벽(151)에 제공될 수 있다.
제1 돌출부(115)는 제1 외벽(110)으로부터 제2 방향(D2)의 반대 방향을 향해 연장될 수 있다. 제1 돌출부(115)의 두께(미부호)는 제1 외벽(110)의 두께(T1)보다 작을 수 있다. 제1 돌출부(115)의 하면은 제1 외측면(111)과 동일 평면 상에 위치될 수 있다. 제1 돌출부(115)는 고정 부재(60)의 일부가 삽입되는 제1 삽입 개구부(117)를 포함할 수 있다.
제2 하우징(102)은 제1 하우징(101) 상에 위치될 수 있다. 실시 예에서, 제2 하우징(102)은 제1 하우징(101)으로부터 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 다른 예에서, 제2 하우징(102)은 제1 하우징(101) 상에 적층될 수 있다. 제2 하우징(102)은 기판(W)의 건조 공정이 수행되는 제2 내부 공간(S2)을 가질 수 있다. 제2 하우징(102)은 대략 직육면체로 제공될 수 있다. 이하, 제2 내부 공간(S2)은 제2 구획 공간으로도 지칭할 수 있다.
제2 하우징(102)은 제2 외벽(120), 제2 격벽(132), 및 제2 측벽(153)을 포함할 수 있다. 제2 하우징(102)은 그를 관통하는 적어도 하나의 제2 공급홀(172), 및 그를 관통하는 적어도 하나의 제2 배출홀(182)을 더 포함할 수 있다. 제2 공급홀(172)과 제2 배출홀(182)은 서로 이격될 수 있다. 실시 예에서, 제2 공급홀(172)과 제2 배출홀(182)은 제2 하우징(102)에 한 개씩 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 하우징(102)은 그를 관통하는 제2 하부 공급홀(175b)를 포함할 수 있다.
제2 외벽(120)은 공정 챔버(10)의 탑 영역을 형성할 수 있다. 제2 외벽(120)은 제2 격벽(132)의 위에 위치될 수 있다. 제2 외벽(120)과 제2 격벽(132)은 서로 이격될 수 있다. 제2 외벽(120)은 서로 대향된 제2 외측면(121) 및 제2 내측면(122)을 포함할 수 있다. 제2 내측면(122)은 제2 격벽(132)과 대향될 수 있다. 제2 외측면(121)은 공정 챔버(10)의 외측면(미부호)의 일부를 형성할 수 있다. 제2 외측면(121)과 제2 내측면(122)은 평평하게 제공될 수 있다.
제2 공급홀(172)은 제2 외벽(120)에 제공될 수 있다. 제2 공급홀(172)은 제2 외벽(120)을 관통할 수 있다. 예를 들면, 제2 공급홀(172)은 제2 외측면(121)과 제2 내측면(122)을 연결할 수 있다.
제2 격벽(132)은 제2 외벽(120)의 아래에 위치될 수 있다. 제2 격벽(132)은 서로 대향된 제3 벽면(132a)과 제4 벽면(132b)을 포함할 수 있다. 제3 벽면(132a)은 제2 벽면(131b)과 대향될 수 있다. 제4 벽면(132b)은 제2 내측면(122)과 대향될 수 있다. 제3 벽면(132a)과 제4 벽면(132b)은 평평하게 제공될 수 있다.
제2 격벽(132)의 두께(T32)는 제2 외벽(120)의 두께(T2)보다 작을 수 있다. 제2 격벽(132)의 두께(T32)는 제3 벽면(132a)과 제4 벽면(132b) 간의 이격 거리일 수 있다. 제2 외벽(120)의 두께(T2)는 제2 외측면(121)과 제2 내측면(122) 간의 이격 거리일 수 있다. 제2 외벽(120)의 두께(T2)는 제1 외벽(110)의 두께(T1)와 동일 또는 상이할 수 있다. 예를 들면, 제2 외벽(120)의 두께(T2)는 대략 30㎝ 내지 대략 60㎝일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 격벽(132)의 두께(T32)는 대략 1㎝ 내지 대략 15㎝일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 외벽(120)의 두께(T2)는 초임계 유체의 임계 압력 이상의 압력을 견딜 수 있도록 형성될 수 있다. 이에 대한 설명은 도 10에서 후술한다.
제2 구획 공간(S2)의 높이(H2)는 제2 격벽(132)의 두께(T32)보다 크고, 제2 외벽(120)의 두께(T2)보다 작을 수 있다. 제2 구획 공간(S2)의 높이(H2)는 제1 구획 공간(S1)의 높이(H1)와 동일 또는 상이할 수 있다. 예를 들면, 제2 구획 공간(S2)의 높이(H2)는 대략 5㎝ 내지 대략 25㎝일 수 있다. 제2 구획 공간(S2)의 높이(H2)는 제2 내측면(122)과 제4 벽면(132b) 간의 이격 거리일 수 있다.
제2 측벽(153)은 제2 외벽(120)과 제2 격벽(132)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제2 측벽(153)은 상단이 제2 외벽(120)과 연결되고, 하단이 제2 격벽(132)과 연결될 수 있다. 제2 측벽(153)은 일측에 그를 관통하는 제2 출입구(163)를 포함할 수 있다. 제2 출입구(163)는 제1 출입구(161)와 수직하게 중첩될 수 있다. 제2 출입구(163)는 제1 출입구(161)로부터 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 기판(W)은 제2 출입구(163)를 통해 제2 하우징(102) 내에 제공될 수 있다. 제2 측벽(153)의 높이는 제2 구획 공간(S2)의 높이(H2)와 동일할 수 있다. 제2 측벽(153)의 높이는 제2 측벽(153)의 상단과 하단 간의 거리를 의미할 수 있다.
제2 배출홀(182)은 제2 격벽(132)에 제공될 수 있다. 제2 배출홀(182)은 제1 배출 유로(182a)와 제2 배출 유로(182b)를 포함할 수 있다. 제1 배출 유로(182a)는 상기 제4 벽면(132b)으로부터 상기 제3 벽면(132a)을 향해 연장될 수 있다. 제1 배출 유로(182a)의 일단은 제4 벽면(132b)과 연결될 수 있다. 제1 배출 유로(182a)의 타단은 제3 벽면(132a)과 제4 벽면(132b) 사이에 위치될 수 있다. 제1 배출 유로(182a)는 제2 공급홀(172)과 수직하게 중첩될 수 있다.
제2 배출 유로(182b)는 제1 배출 유로(182a)로부터 제2 측벽(153)을 향해 연장될 수 있다. 제2 배출 유로(182b)는 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있다. 제2 배출 유로(182b)는 공정 챔버(10)의 외측면과 연결될 수 있다.
제2 하부 공급홀(175b)는 제2 격벽(132)에 제공될 수 있다. 다른 예에서, 제2 하부 공급홀(175b)는 제2 측벽(153)에 제공될 수 있다.
제2 돌출부(125)는 제2 외벽(120)으로부터 상기 제2 방향(D2)의 반대 방향을 향해 연장될 수 있다. 제2 돌출부(125)의 두께(미부호)는 제2 외벽(120)의 두께(T2)보다 작을 수 있다. 제2 돌출부(125)의 상면은 제2 외측면(121)과 동일 평면 상에 위치될 수 있다. 제2 돌출부(125)는 고정 부재(60)의 일부가 삽입되는 제2 삽입 개구부(127)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 삽입 개구부들(117, 127)의 각각은 홀 및/또는 홈 형태로 이루어질 수 있다. 실시 예에서, 제1 및 제2 삽입 개구부들(117, 127)의 각각은 홀 형태로 이루어질 수 있다.
제3 하우징(103)은 제1 하우징(101)과 제2 하우징(102) 사이에 위치될 수 있다. 실시 예에서, 제3 하우징(103)은 제1 하우징(101) 상에 적층될 수 있다. 제2 하우징(102)는 제3 하우징(103) 상에 적층될 수 있다. 다른 예에서, 제3 하우징(103)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 제3 하우징들(103)은 제1 방향(D1)을 따라 순차적으로 적층될 수 있다.
제3 하우징(103)은 기판(W)의 건조 공정이 수행되는 제3 내부 공간(S3)을 가질 수 있다. 이하, 제3 내부 공간(S3)은 제3 구획 공간으로 지칭될 수 있다. 제3 하우징(103)은 대략 직육면체로 제공될 수 있다. 제3 하우징(103)은 제3 격벽(133), 제4 격벽(134), 및 제3 측벽(155)을 포함할 수 있다. 제3 하우징(103)은 그를 관통하는 적어도 하나의 적어도 하나의 제3 공급홀(173)과, 그를 관통하는 적어도 하나의 제3 배출홀(183)을 더 포함할 수 있다. 제3 공급홀(173)과 제3 배출홀(183)은 서로 이격될 수 있다. 제3 하우징(103)은 그를 관통하는 제3 하부 공급홀(175c)를 포함할 수 있다.
제3 격벽(133)은 제1 하우징(101) 상에 위치될 수 있다. 제3 격벽(133)과 제4 격벽(134)은 서로 이격될 수 있다. 제3 격벽(133)은 서로 대향된 제5 벽면(133a)과 제6 벽면(133b)을 포함할 수 있다. 제5 벽면(133a)은 제1 하우징(101) 및/또는 다른 제3 하우징(103)의 제4 격벽(134)과 대향될 수 있다. 제6 벽면(133b)은 제4 격벽(134)과 대향될 수 있다. 제5 벽면(133a)과 제6 벽면(133b)은 평평할 수 있다. 도 5에서 제5 벽면(133a)과 제2 벽면(131b)은 서로 비 접촉하는 것으로 도시되었지만, 실제로 제5 벽면(133a)과 제2 벽면(131b)은 서로 접할 수 있다.
제3 배출홀(183)은 제3 격벽(133)에 제공될 수 있다. 제3 배출홀(183)은 제3 배출 유로(183a)와 제4 배출 유로(183b)를 포함할 수 있다. 제3 배출 유로(183a)는 제6 벽면(133b)으로부터 제5 벽면(133a)을 향해 연장될 수 있다. 제3 배출 유로(183a)의 일단은 제6 벽면(133b)과 연결될 수 있다. 제3 배출 유로(183a)의 타단은 제5 벽면(133a)과 제6 벽면(133b) 사이에 위치될 수 있다. 제4 배출 유로(183b)는 제3 배출 유로(183a)로부터 제3 측벽(155)을 향해 연장될 수 있다. 예를 들면, 제4 배출 유로(183b)는 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있다. 제4 배출 유로(183b)는 공정 챔버(10)의 외측면과 연결될 수 있다.
제4 격벽(134)은 제3 격벽(133)으로부터 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제4 격벽(134)은 제3 격벽(133) 및 제2 격벽(132) 사이에 위치될 수 있다. 제4 격벽(134)은 제3 격벽(133) 및 다른 제3 하우징(103)의 제3 격벽(133) 사이에 위치될 수 있다. 제4 격벽(134)은 서로 대향된 제7 벽면(134a)과 제8 벽면(134b)을 포함할 수 있다. 제7 벽면(134a)은 제6 벽면(133b)과 대향될 수 있다. 제8 벽면(134b)은 제2 격벽(132) 및/또는 다른 제3 하우징(103)의 제3 격벽(133)과 대향될 수 있다. 제7 벽면(134a)과 제8 벽면(134b)은 평평할 수 있다. 도 6에서 제8 벽면(134b)과 제3 벽면(132a)은 서로 비 접촉하는 것으로 나타내었다. 하지만, 제8 벽면(134b)과 제3 벽면(132a)은 서로 접할 수 있다.
제3 공급홀(173)은 제4 격벽(134)에 제공될 수 있다. 제3 공급홀(173)은 제3 배출홀(183)로부터 제1 방향(D1)에 위치될 수 있다. 제3 공급홀(173)은 제3 공급 유로(173a)와 제4 공급 유로(173b)를 포함할 수 있다. 제3 공급 유로(173a)는 제7 벽면(134a)으로부터 제8 벽면(134b)을 향해 연장될 수 있다. 제3 공급 유로(173a)의 일단은 제7 벽면(134a)과 연결될 수 있다. 제3 공급 유로(173a)의 타단은 제7 벽면(134a)과 제8 벽면(134b) 사이에 위치될 수 있다.
제4 공급 유로(173b)는 제3 공급 유로(173a)와 연결될 수 있다. 제4 공급 유로(173b)는 제3 공급 유로(173a)로부터 제3 측벽(155)을 향해 연장될 수 있다. 제4 공급 유로(173b)는 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있다. 제4 공급 유로(173b)는 공정 챔버(10)의 외측면과 연결될 수 있다.
제3 하부 공급홀(175c)는 제3 격벽(133))에 제공될 수 있다. 다른 예에서, 제3 하부 공급홀(175c)는 제3 측벽(155)에 제공될 수 있다.
제1 배출홀(181), 제1 공급 유로(171a), 제2 공급홀(172), 제1 배출 유로(182a), 제3 배출 유로(183a), 및 제3 공급 유로(173a)는 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 제1 배출홀(181), 제1 공급 유로(171a), 제2 공급홀(172), 제1 배출 유로(182a), 제3 배출 유로(183a), 및 제3 공급 유로(173a)는 서로 수직하게 중첩될 수 있다. 제1 배출홀(181), 제1 공급 유로(171a), 제2 공급홀(172), 제1 배출 유로(182a), 제3 배출 유로(183a), 및 제3 공급 유로(173a)는 상기 구획 공간들(S1, S2, S3) 내에 위치된 기판(W)의 중심(C)을 지나가는 가상의 선(미도시) 상에 위치될 수 있다.
공급홀들(170)은 기판(W) 및/또는 기판 지지부(50)의 위에 위치될 수 있다. 이에 따라, 공급홀들(170)은 기판(W)의 상면(UP)으로 초임계 유체를 토출할 수 있다. 공급홀(170)은 기판 지지부(50) 상에 놓인 기판(W)과 수직하게 중첩될 수 있다. 하부 공급홀들(175)은 기판(W) 및/또는 기판 지지부(50)의 아래에 위치될 수 있다. 하부 공급홀(175)은 기판 지지부(50) 상에 놓인 기판(W)과 수직하게 중첩되지 않을 수 있다.
제3 및 제4 격벽들(133, 134)의 각각은 제1 외벽(110)의 두께(T1) 및/또는 제2 외벽(120)의 두께(T2)보다 작은 두께(T33, T34)를 가질 수 있다. 제3 격벽(133)의 두께(T33)는 제5 벽면(133a)과 제6 벽면(133b) 간의 이격 거리일 수 있다. 제4 격벽(134)의 두께(T34)는 제7 벽면(134a)과 제8 벽면(134b) 간의 이격 거리일 수 있다. 예를 들면, 제3 격벽(133)과 제4 격벽(134)의 두께(T33, T34)는 대략 1㎝ 내지 대략 15㎝일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제3 구획 공간(S3)의 높이(H3)는 제3 및 제4 격벽들(133, 134)의 두께(T33, T34)보다 클 수 있다. 예를 들면, 제3 구획 공간(S3)의 높이(H1)는 대략 5㎝ 내지 대략 25㎝일 수 있다. 제3 구획 공간(S3)의 높이(H3)는 상기 제6 벽면(133b)과 상기 제7 벽면(134a) 간의 이격 거리일 수 있다. 제3 구획 공간(S3)의 높이(H3)는 제1 외벽(110)의 두께(T1) 및/또는 제2 외벽(120)의 두께(T2)보다 작을 수 있다.
제3 측벽(155)은 제3 격벽(133)과 제4 격벽(134)을 연결할 수 있다. 제3 측벽(155)은 하단이 제3 격벽(133)의 경계와 연결되고, 상단이 제4 격벽(134)의 경계와 연결될 수 있다. 제3 측벽(155)은 일측에 그를 관통하는 제3 출입구(165)를 포함할 수 있다. 기판(W)은 제3 출입구(165)를 통해 제3 하우징(103) 내에 위치될 수 있다. 제3 측벽(155)의 높이는 제3 내부 공간(S3)의 높이(H3)와 동일할 수 있다. 제3 측벽(155)의 높이는 제3 측벽(155)의 상단과 하단 간의 거리를 의미할 수 있다.
실시 예에서, 제1 내지 제4 격벽들(131, 132, 133, 134)의 각각은 서로 대략 동일한 두께(T31, T32, T33, T34)를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 각각은 서로 대략 동일한 높이(H1, H2, H3)를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
차폐부(200)는 공정 챔버(10) 및/또는 하우징부(100)에 형성된 복수의 출입구들(160)을 폐쇄할 수 있다. 실시 예에서, 차폐부(200)는, 제1 내지 제3 차폐부재들(210, 220, 230)을 포함할 수 있다. 차폐부(200)는 제1 돌출부(115)와 제2 돌출부(125) 사이에 위치될 수 있다.
제1 차폐부재(210)는 제1 하우징(101)의 제1 출입구(161)를 폐쇄할 수 있다. 제2 차폐부재(220)는 제2 하우징(102)의 제2 출입구(163)를 폐쇄할 수 있다. 제3 차폐부재(230)는 제3 하우징(103)의 제3 출입구(165)를 폐쇄할 수 있다.
개폐 유닛(40)은 제1 내지 제3 차폐부재들(210, 220, 230)의 각각을 출입구들(160)과 가까워지는 방향 및/또는 출입구들(160)로부터 멀어지는 방향으로 이동시킬 수 있다. 예를 들면, 개폐 유닛(40)은 제1 내지 제3 차폐부재들(210, 220, 230)의 각각을 제2 방향(D2)과 평행하게 이동시킬 수 있다.
개폐 유닛(40)은 공정 챔버(10) 상에 설치될 수 있다. 개폐 유닛(40)은 복수의 액츄에이터들(41, 42, 43)을 포함할 수 있다. 액츄에이터들(41, 42, 43)의 개수는 차폐부재들(210, 220, 230)의 개수에 대응될 수 있다. 복수의 액츄에이터들(41, 42, 43)의 각각은 공압 또는 유압 실린더일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
기판 지지부(50)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(50)는 공정 챔버(10)의 구획 공간들(S1, S2, S3)의 각각에 위치될 수 있다. 실시 예에서, 기판 지지부(50)는 차폐부(200) 상에 설치될 수 있다. 기판 지지부(50)는 제1 내지 제3 기판 지지부재들(51, 52, 53)을 포함할 수 있다.
제1 기판 지지부재(51)는 제1 차폐부재(210) 상에 설치되고, 제1 공급홀(171)의 아래 및 제1 배출홀(181)의 위에 위치될 수 있다. 제2 기판 지지부재(52)는 제2 차폐부재(220) 상에 설치되고, 제2 공급홀(172)의 아래, 및 제2 배출홀(182)의 위에 위치될 수 있다. 제3 기판 지지부재(53)는 제3 차폐부재(230) 상에 설치되고, 제3 공급홀(173)의 아래, 및 제3 배출홀(183)의 위에 위치될 수 있다. 다른 예에서, 기판 지지부(50)는 하우징부(100)에 설치될 수 있다. 제1 내지 제3 기판 지지부재들(51, 52, 53)은 서로 동일한 구성일 수 있다. 이에 따라, 제1 기판 지지부재(51)를 중심으로 설명하기로 한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1 기판 지지부재(51)는 제1 차폐부재(210)의 제1 차폐면(211)으로부터 제2 방향(D2)으로 연장되는 한 쌍의 제1 수평 로드들(51a)을 포함할 수 있다. 제1 수평 로드들(51a)의 각각은 제1 및 제2 방향들(D1, D2)과 수직한 제3 방향(D3)으로 서로 이격될 수 있다. 예를 들면, 제3 방향(D3)은 좌우 방향과 평행한 방향일 수 있다. 제1 수평 로드들(51a)의 각각은 기판(W)의 가장자리와 수직하게 중첩된 제1 부분을 포함할 수 있다. 제1 수평 로드들(51a)의 각각은 얇은 판으로 제공될 수 있다.
제1 기판 지지부재(51)는 제1 수평 로드들(51a)의 상면으로부터 제1 방향(D1)으로 돌출된 적어도 하나의 제1 지지 돌기(51b)를 포함할 수 있다. 제1 지지 돌기(51b)는 상기 제1 부분 상에 제공될 수 있다. 기판(W)은 제1 지지 돌기(51b) 상에 놓일 수 있다. 제1 지지 돌기(51b)는 복수 개 제공될 수 있다.
유체 공급부(20)는 공급홀들(170)과 하부 공급홀들(175)와 연결될 수 있다. 실시 예에서, 유체 공급부(20)는 제1 내지 제3 공급홀들(171, 172, 173)과 제1 내지 제3 하부 공급홀들(175a, 175b, 175c)과 연결될 수 있다. 이에 따라, 유체 공급부(20)는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 8a, 도 8b, 도 8c 및 도 9에서 후술한다.
유체 배출부(30)는 제1 내지 제3 배출홀들(181, 182, 183)과 연결될 수 있다. 이에 따라, 유체 배출부(30)는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내의 초임계 유체를 배출할 수 있다. 이에 대한 자세한 사항은 도 8c에서 후술한다.
고정 부재(60)는 출입구들(160)로부터 제2 방향(D2)의 반대 방향으로 이격될 수 있다. 고정 부재(60)는 제1 및 제2 삽입 개구부들(117, 127)에 삽입될 수 있다. 고정 부재(60)는 제1 및 제2 삽입 개구부들(117, 127)에 삽입될 때, 공정 챔버(10)에 고정될 수 있다. 이에 따라, 고정 부재(60)는 그와 출입구들(160) 사이에 위치된 차폐부(200)의 이동을 제한할 수 있다. 실시 예에서, 고정 부재(60)는 제1 방향(D1)을 따라 연장된 복수의 바들(Bars)을 포함할 수 있다. 상기 바들은 제3 방향(D3)으로 이격될 수 있다.
이하, 전술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 설명한다. 본 발명의 실시 예에 따른 건조 공정은, 승압 단계, 건조 단계, 및 배기 단계를 포함할 수 있다. 도 8a, 도 8b, 도 8c, 및 도 9를 참조하여, 승압 단계, 건조 단계 및 배기 단계를 설명한다.
도 8a 내지 도 8c는 도 1의 기판 처리 장치에서, 기판을 건조하는 건조 공정을 나타낸 개략적인 종단면도들이다. 도 9는 도 8b의 제1 하우징에 유체가 공급되는 모습을 나타낸 개략적인 횡단면도이다.
도 8a를 참조하면, 유체 공급부(20)는 하부 공급홀들(175)을 통해 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 하부 공급홀들(175)과 기판(W)은 수직하게 중첩되지 않기 때문에, 하부 공급홀들(175)에서 분사되는 초임계 유체(F)는 기판(W)의 하면으로 직접 분사되지 않을 수 있다. 초임계 유체(F)는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내에서 확산될 수 있다. 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내의 내부 압력은 초임계 유체(F)에 의해 상승될 수 있다. 이에 따라, 전술한 승압 단계가 수행될 수 있다.
승압 단계는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내로 초임계 유체(F)를 공급하여 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력을 상압보다 높게 승압시키는 것이다. 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 초임계 유체의 임계 압력 이상이 될 때까지, 초임계 유체(F)는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내로 공급될 수 있다. 예를 들면, 초임계 유체(F)는 건조 단계에서 소정의 시간 동안 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)에 공급될 수 있다.
제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 임계 압력에 도달하지 않은 상태에서, 공급 홀들(170)을 통해 초임계 유체(F)가 공급될 때, 초임계 유체(F)는 낮은 압력 조건으로 인해 액화될 수 있다. 액화된 유체는 기판에 자유 낙하하며, 기판(W)의 패턴 붕괴를 초래할 수 있다.
도 8b와 도 9를 참조하면, 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 임계 압력 이상일 때, 건조 단계가 수행될 수 있다. 건조 단계는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 승압된 상태에서, 기판(W)의 상면(UP)으로 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 건조시키는 것일 수 있다. 즉, 건조 단계는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 상기 임계 압력 이상일 때, 진행될 수 있다.
실시 예에서, 유체 공급부(20)는 공급홀들(170)을 통해 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 또한, 유체 공급부(20)는 하부 공급홀들(175)로 초임계 유체(F)를 공급하지 않을 수 있다. 공급홀들(170)에서 토출된 초임계 유체(F)는 기판(W)의 상면(UP)의 중심(C) 상에 직접 공급될 수 있다.
기판(W)의 상면(UP)의 중심(C) 상에 공급된 초임계 유체(F)는 기판(W)의 상면(UP)의 중심(C)에서 가장자리를 향해 유동할 수 있다. 즉, 초임계 유체(F)는 기판(W)의 상면(UP)의 중심(C)에서 제1 방향(D1)과 수직한 방향으로 유동할 수 있다. 이에 따라, 초임계 유체(F)는 기판(W)의 상면(UP) 전체에 균일하게 제공될 수 있다.
초임계 유체(F)는 기판(W)의 상면(UP) 전체에 잔류하는 유기 용제 등을 용해할 수 있다. 기판(W)의 건조 공정이 기판(W)의 상면(UP) 전체에 균일하게 수행될 수 있다. 기판(W)의 건조 공정 효율이 향상될 수 있다. 기판(W)의 가장자리에 도달한 초임계 유체(F)는 기판(W)의 아래로 유동할 수 있다.
초임계 유체(F)는 건조 단계에서 소정의 시간 동안 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)에 공급될 수 있다. 상기 소정의 시간이 지난 후, 초임계 유체(F)의 공급이 차단될 수 있다.
도 8c를 참조하면, 건조 단계가 완료된 후, 배기 단계가 수행될 수 있다. 배기 단계는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내에 잔류하는 잔류 유체를 외부로 배기하는 것일 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 감소할 수 있다.
예를 들면, 초임계 유체(F)의 공급이 차단된 후, 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내에 잔류하는 잔류 유체는 제1 내지 제3 배출홀들(181, 182, 183)을 통해 공정 챔버(10)의 외부로 배출될 수 있다.
잔류 유체의 배기에 의해 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력은 감소할 수 있다. 잔류 유체의 배기는 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 상압 상태로 될 때까지, 진행될 수 있다.
제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)의 내부 압력이 상압 상태일 때, 개폐 유닛(40, 도 3 참조)은 제1 내지 제3 출입구들(161, 163, 165, 도 4 참조)를 개방할 수 있다. 기판 반송 장치(3, 도 21 참조)은 개방된 제1 내지 제3 출입구들(161, 163, 165)를 통해 건조 공정이 완료된 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3) 내의 기판(W)을 공정 챔버(10)의 외부로 반송할 수 있다.
도 10은 도 1의 구획 공간들의 압력이 고압일 때, 공정 챔버에 작용하는 힘을 나타낸 개략적인 종단면도이다. 실시 예에서, 고압은 초임계 유체의 임계 압력 이상인 상태를 의미할 수 있다. 예를 들면, 전술한 건조 단계에서, 제1 내지 제3 구획 공간들의 내부 압력일 수 있다.
도 4, 도 5, 도 6 및 도 10을 참조하면, 초임계 유체가 제1 하우징(101), 제2 하우징(102) 및 제3 하우징(103) 내로 공급됨으로써, 제1 구획 공간(S1)의 압력(이하, 제1 내부 압력), 제2 구획 공간(S2)의 압력(이하, 제2 내부 압력) 및 제3 구획 공간(S3)의 압력(이하, 제3 내부 압력)은 대기압보다 높게 승압될 수 있다. 예를 들면, 제1 내지 제3 내부 압력들은 초임계 유체의 임계 압력 이상이 될 수 있다.
제1 내부 압력이 임계 압력 이상일 때, 제1 내측면(112)에 제1 방향(D1)의 반대 방향(이하, 하측 방향)의 제1 힘(P1)이 작용될 수 있고, 제1 외측면(111)에 제1 방향(D1)의 제2 힘(P2)이 작용될 수 있고, 제1 벽면(131a)에 제1 방향(D1)의 제3 힘(P3)이 작용될 수 있다. 제2 벽면(131b)이 제3 하우징(103)의 제3 격벽(133)과 접하기 때문에, 제2 벽면(131b)에 후술한 제7 힘(P7)이 작용될 수 있다. 제1 힘(P1)은 제1 내측면(112)의 면적에 제1 내부 압력을 곱한 값일 수 있다. 제2 힘(P2)은 제2 외측면(121)의 면적에 대기압을 곱한 값일 수 있다. 제3 힘(P3)은 제1 벽면(131a)의 면적에 제1 내부 압력을 곱한 값일 수 있다.
제2 내부 압력이 임계 압력 이상일 때, 제2 내측면(122)에 제1 방향(D1)의 제4 힘(P4)이 작용될 수 있고, 제2 외측면(121)에 상기 하측 방향의 제5 힘(P5) 작용될 수 있고, 제4 벽면(132b)에 상기 하측 방향의 제6 힘(P6)이 작용될 수 있다. 제3 벽면(132a)이 제3 하우징(103)의 제4 격벽(134)과 접하기 때문에, 제3 벽면(132a)에 후술한 제8 힘(P8)이 작용될 수 있다.
제3 내부 압력이 임계 압력 이상일 때, 제6 벽면(133b)에 상기 하측 방향의 제7 힘(P7)이 작용되고, 제7 벽면(134a)에 제1 방향(D1)의 제8 힘(P8)이 작용될 수 있다. 제5 벽면(133a)이 제1 격벽(131) 및/또는 다른 제3 하우징(103)의 제4 격벽(134)이 접하기 때문에, 제5 벽면(133a)에 제3 힘(P3) 및/또는 제8 힘(P8)이 작용될 수 있다. 제8 벽면(134b)이 제2 격벽(132) 및/또는 다른 제3 하우징(103)의 제3 격벽(133)과 접하기 때문에, 제8 벽면(134b)에 제6 힘(P6) 및/또는 제 7힘(P7)이 작용될 수 있다.
실시 예에서, 제1 및 제2 내측면들(112, 122), 제1 및 제2 외측면들(111, 121), 제1 내지 제8 벽면들(131a, 131b, 132a, 132b, 133a, 133b, 134a, 134b)의 면적들은 서로 동일할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 내부 압력들은 동일할 수 있다. 이에 따라, 제1, 제3, 제4, 제6 내지 제8 힘들(P1, P3, P4, P6, P7, P8)은 서로 대략 동일한 크기를 가지고, 제2 및 제5 힘들(P2, P5)은 서로 대략 동일한 크기를 가질 수 있다. 실시 예에서, 제2 및 제5 힘들(P2, P5)은 제1, 제3, 제4, 제6 내지 제8 힘들(P1, P3, P4, P6, P7, P8)보다 작을 수 있다.
제2 힘(P2)은 제1 힘(P1)의 일부만을 상쇄시킬 수 있다. 제1 외벽(110)에 하측 방향의 힘이 작용할 수 있다. 제5 힘(P5)은 제4 힘(P4)의 일부만을 상쇄시킬 수 있다. 제2 외벽(120)에 제1 방향(D1)의 힘이 작용할 수 있다. 제1 및 제2 외벽들(110, 120)의 각각은 하측 방향 또는 제1 방향(D1)으로 힘을 받을 수 있다.
예를 들면, 제1 및 제2 내부 압력들의 각각과 대기압이 대략 10MPa의 압력 차를 가질 때, 스테인리스 재질의 제1 및 제2 외벽들(110, 120)이 제1 및 제2 내부 압력들을 견디기 위해서는 제1 및 제2 외벽들(110, 120)의 두께(T1, T2)가 대략 67.3㎜ 이상이어야 한다. 또한, 제1 및 제2 내부 압력들의 각각과 대기압이 대략 20MPa의 압력 차를 가질 때, 제1 및 제2 외벽들(110, 120)이 제1 및 제2 내부 압력들을 견디기 위해서는 제1 및 제2 외벽들(110, 120)의 두께(T1, T2)가 대략 133.6㎜ 이상이어야 한다. 즉, 제1 및 제2 외벽들(110, 120)의 두께(T1, T2)는 제1 및 제2 내부 압력들이 커질수록 두꺼워져야 한다.
이에 반해, 제3 힘(P3)와 제7 힘(P7)은 서로 상쇄되고, 제6 힘(P6)과 제8 힘(P8)은 서로 상쇄될 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 격벽들(131, 132, 133, 134)에 하측 방향 또는 제1 방향(D1)의 힘이 거의 작용하지 않을 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 격벽들(131, 132, 133, 134)의 두께(T31, T32, T33, T34, 도 4 참조)는 제1 내지 제3 내부 압력들에 거의 영향을 받지 않는다. 이에 따라, 제1 내지 제4 격벽들(131, 132, 133, 134)의 두께(T31, T32, T33, T34)는 제1 및 제2 외벽들(110, 120)의 두께(T1, T2, 도 4 참조)보다 작게 형성되더라도 제1 내지 제3 내부 압력을 견딜 수 있다.
제1 내지 제4 격벽들(131, 132, 133, 134)의 두께(T31, T32, T33, T34)이 제1 및 제2 외벽들(110, 120)의 두께(T1, T2, 도 4 참조)보다 작게 형성할 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(10)는 복수의 구획 공간들(S1, S2, S3)을 가지면서, 그의 크기가 소형화될 수 있다.
도 11은 도 1의 기판 처리 장치의 변형 예를 나타낸 개략적인 종단면도이다. 도 12는 도 1의 공정 챔버의 변형 예를 나타낸 개략적인 횡단면도이다. 도 13은 도 11의 공정 챔버, 개폐 유닛 및 고정 부재의 개략적인 사시도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 실시 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다. 도 12는 제1 구획 공간의 위치에 대응된 부분의 횡단면도이다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(10), 유체 공급부(20), 유체 배출부(30), 개폐 유닛(40, 도 1 참조), 고정 부재(60), 기판 지지부(50), 및 컨트롤러(70, 도 2 참조)를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 공정 챔버(10)는 하우징부(100a), 및 차폐부(200)를 포함할 수 있다.
하우징부(100a)는 바디 하우징(105)과, 적어도 하나의 격벽(130)을 포함할 수 있다. 하우징부(100a)는 도 4의 하우징부(100)와 달리, 하나의 바디 하우징(105)을 포함할 수 있다. 하우징부(100)는 바디 하우징(105)을 관통하는 공급홀들(170), 배출홀들(180), 및 하부 공급홀들(175)을 포함할 수 있다.
바디 하우징(105)은 내부 공간을 가질 수 있다. 바디 하우징(105)은 제1 외벽(110), 제2 외벽(120), 및 측벽(150)을 포함할 수 있다. 제1 외벽(110)은 격벽(130)의 아래에 위치될 수 있다. 제2 외벽(120)은 격벽 (130)의 위에 위치될 수 있다. 제2 외벽(120)은 제1 외벽(110)으로부터 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 측벽(150)은 제1 및 제2 외벽들(110, 120)을 연결할 수 있다.
격벽(130)은 바디 하우징(105) 내에 위치될 수 있다. 격벽(130)은 제1 및 제2 외벽들(110, 120) 사이에 위치될 수 있다. 격벽(130)은 제1 및 제2 외벽들(110, 120)과 이격될 수 있다. 격벽(130)은 바디 하우징(105)의 내부 공간을 복수의 구획 공간들(S1, S2, S3)로 구획할 수 있다. 격벽(130)은 복수 개 제공될 수 있다. 실시 예에서, 하우징부(100)는 격벽들(130) 중 제1 외벽(110)과 가장 인접한 제1 격벽부(136) 및, 격벽들(130) 중 제2 외벽(120)과 가장 인접한 제2 격벽부(137), 및 제1 및 제2 격벽부들(131, 132) 사이에 위치된 제3 격벽부(138)를 포함할 수 있다. 실시 예에서, 제3 격벽부(138)는 하나일 수 있다. 다른 예에서, 제3 격벽부(138)는 복수 개 제공될 수 있고, 제3 격벽부들(138)은 제1 방향(D1)을 따라 이격될 수 있다. 다른 예에서, 하우징부(100)는 제1 격벽부(136)만 포함하거나 제1 및 제2 격벽부들(131, 132)만 포함할 수 있다.
실시 예에서, 제1 외벽(110), 제1 격벽부(136) 및 측벽(150)은 제1 구획 공간(S1)을 형성할 수 있다. 제2 외벽(120), 제2 격벽부(137) 및 측벽(150)은 제2 구획 공간(S2)을 형성할 수 있다. 제1 격벽(131), 제3 격벽부(138), 및 측벽(150)은 하나의 제3 구획 공간(S3, 이하, 하부 공간)을 형성할 수 있다. 제2 격벽부(137), 제3 격벽부(138), 및 측벽(150)은 하나의 제3 구획 공간(S3)(이하, 상부 공간)을 형성할 수 있다. 제1 구획 공간(S1)은 구획 공간들(S1, S2, S3) 중 가장 아래에 위치될 수 있다. 제2 구획 공간(S2)은 구획 공간들(S1, S2, S3) 중 가장 위에 위치될 수 있다. 제3 구획 공간들(S3)은 제1 및 제2 구획 공간들(S1, S2) 사이에 위치될 수 있다. 예를 들면, 제3 구획 공간들(S3)의 각각은 제1 및 제2 격벽부들(131, 132)사이에 위치될 수 있다. 상기 하부 공간(S3)은 상기 상부 공간(S3)의 아래에 위치될 수 있다.
제1 내지 제3 공급홀들(171, 172, 173)은 측벽(150)에 제공될 수 있다. 제1 내지 제3 배출홀들(181, 182, 183)은 측벽(150)에 제공될 수 있다. 제1 내지 제3 공급홀들(171, 172, 173)의 각각은 구획 공간들(S1, S2, S3) 중 어느 하나와 연결될 수 있다. 제1 내지 제3 배출홀들(181, 182, 183)의 각각은 복수의 구획 공간들(S1, S2, S3) 중 어느 하나와 연결될 수 있다. 제1 내지 제3 공급홀들(171, 172, 173)의 각각은 측벽(150)의 둘레를 따라 복수 개 제공될 수 있다. 제1 내지 제3 배출홀들(181, 182, 183)의 각각은 측벽(150)의 둘레를 따라 복수 개 제공될 수 있다.
제1 공급홀들(171)은 제1 구획 공간(S1)을 둘러쌀 수 있다. 제1 공급홀들(171)은 제1 구획 공간(S1)으로 유체를 공급할 수 있다. 복수의 제1 공급홀들(171)은 서로 이격될 수 있다.
제1 배출홀들(181)은 상기 제1 구획 공간(S1)을 둘러쌀 수 있다. 제1 배출홀들(181)은 제1 구획 공간(S1) 내의 유체를 배출할 수 있다. 제1 공급홀들(171)은 서로 이격될 수 있다. 제1 배출홀들(181) 중 어느 하나는 제1 공급홀들(171) 중 어느 하나와 대향될 수 있다. 이하, 홀들(예를 들면, 배출홀들, 공급홀들, 서브 공급홀들 등)이 서로 대향된다는 것은 홀들이 서로 대향되는 면 상에 위치되거나, 홀들이 제1 내지 제3 방향들(D1, D2, D3) 중 어느 하나와 평행한 가상의 선 상에 위치되는 것을 의미할 수 있다.
실시 예에서, 제1 공급홀들(171)은 일측 공급홀(1711, 이하 좌측 공급홀)과, 좌측 공급홀(1711)로부터 제3 방향(D3)으로 이격된 타측 공급홀(1712, 이하, 우측 공급홀)를 포함할 수 있다. 제1 배출홀들(181)은 일측 배출홀(1811, 이하, 좌측 배출홀)과, 좌측 배출홀(1811)로부터 제3 방향(D3)으로 이격된 타측 배출홀(1812, 이하, 우측 배출홀)를 포함할 수 있다. 좌측 공급홀(1711)과 우측 배출홀(1812)는 서로 대향될 수 있다. 예를 들면, 좌측 공급홀(1711)과 우측 배출홀(1812)은 제3 방향(D3)과 평행한 가상의 제1 선(미도시) 상에 위치될 수 있다. 또한, 우측 공급홀(1712)과 좌측 배출홀(1811)은 제3 방향과 평행한 가상의 제2 선(미도시) 상에 위치될 수 있다. 제1 배출홀들(181)의 각각은 제1 공급홀들(171)의 각각과 인접하게 위치될 수 있다. 예를 들면, 좌측 공급홀(1711)과 좌측 배출홀(1811)은 서로 인접하게 위치될 수 있다.
제2 공급홀들(172)은 제2 구획 공간(S2)을 둘러쌀 수 있다. 제2 공급홀들(172)은 제2 구획 공간(S2)으로 유체를 공급할 수 있다. 제2 공급홀들(172)은 서로 이격될 수 있다. 제2 배출홀들(182)은 제2 구획 공간(S2)을 둘러쌀 수 있다. 제2 배출홀들(182)은 제2 구획 공간(S2) 내의 유체를 배출할 수 있다. 제2 배출홀들(182)은 서로 이격될 수 있다. 제2 배출홀들(182) 중 어느 하나는 제2 공급홀들(172) 중 어느 하나와 대향될 수 있다. 제2 배출홀들(182)의 각각은 제2 공급홀들(172)의 각각과 인접하게 위치될 수 있다. 제2 배출홀들(182) 중 어느 하나는 제2 공급홀들(172) 중 어느 하나와 대향될 수 있다.
제3 공급홀들(173)은 제3 구획 공간(S3)을 둘러쌀 수 있다. 제3 공급홀들(173)은 제3 구획 공간(S3)으로 유체를 공급할 수 있다. 제3 공급홀들(173)은 서로 이격될 수 있다. 제3 배출홀들(183)은 제3 구획 공간(S3)을 둘러쌀 수 있다. 제3 배출홀들(183)은 제3 구획 공간(S3) 내의 유체를 배출할 수 있다. 제3 배출홀들(183)의 각각은 제3 공급홀들(173)의 각각과 인접하게 위치될 수 있다. 제3 배출홀들(183) 중 어느 하나는 제3 공급홀들(173) 중 어느 하나와 대향될 수 있다. 측벽(150)은 그를 관통하는 복수의 출입구들(160)을 포함할 수 있다. 실시 예에서, 측벽(150)은, 제1 구획 공간(S1)과 연결되는 제1 출입구(161), 및 제2 구획 공간(S2)과 연결되는 제2 출입구(163), 및 제3 구획 공간(S3)과 연결되는 적어도 하나의 제3 출입구(165)를 포함할 수 있다.
차폐부(200)는 제1 내지 제3 차폐부재들(210, 220, 230)을 포함할 수 있다. 차폐부(200)는 제1 서브 공급홀(251), 제1 서브 배출홀(261), 제2 서브 공급홀(252), 제2 서브 배출홀(262), 제3 서브 공급홀(253), 및 제3 서브 배출홀(263)을 포함할 수 있다. 제1 서브 공급홀(251)과 제1 서브 배출홀(261)은 제1 차폐부재(210)을 관통 하고, 서로 인접하게 위치될 수 있다. 제2 서브 공급홀(252)과 제2 서브 배출홀(262)은 제2 차폐부재(220)을 관통 하고, 서로 인접하게 위치될 수 있다. 제3 서브 공급홀(253)과 제3 서브 배출홀(263)은 제3 차폐부재(230)을 관통 하고, 서로 인접하게 위치될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 공급홀들(251, 252, 253)은 유체 공급부(20)와 연결될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 배출홀들(261, 262, 263)은 유체 배출부(30)와 연결될 수 있다.
제1 서브 공급홀(251)은 제1 배출홀들(181) 중 나머지 하나와 대향될 수 있다. 실시 예에서, 제1 서브 공급 홀(251)과 대향된 제1 배출홀(181)은 후방 배출 홀(1813)이라고 지칭한다. 제1 서브 배출홀(261)은 제1 공급홀들(171) 중 나머지 하나와 대향될 수 있다. 실시 예에서, 제1 서브 배출홀(261)과 대향된 제1 공급홀(171)은 후방 공급홀(1813)이라 지칭한다. 후방 배출홀(1813)과 후방 공급홀(1713)은 서로 인접하게 위치될 수 있다. 제2 서브 공급홀(252)은 제2 배출홀들(182) 중 나머지 하나와 대향될 수 있다. 제2 서브 배출홀(262)은 제2 공급홀들(172) 중 나머지 하나와 대향될 수 있다. 제3 서브 공급홀(253)은 제3 배출홀들(183) 중 나머지 하나와 대향될 수 있다. 제3 서브 배출홀(263)은 제3 공급홀들(173) 중 나머지 하나와 대향될 수 있다.
기판 지지부(50)는 하우징부(100a)에 설치될 수 있다(도 4 참조). 기판 지지부(50)는, 제1 내지 제3 기판 지지부재들(51, 52, 53)을 포함할 수 있다(도 4 참조). 제1 기판 지지부재(51)는 제1 구획 공간(S1) 내에 위치될 수 있다. 제2 기판 지지부재(52)는 제2 구획 공간(S2) 내에 위치될 수 있다. 제3 기판 지지부재(53)는 제3 구획 공간(S3) 내에 위치될 수 있다. 제1 내지 제3 기판 지지부재들(51, 52, 53)은 서로 동일한 구성일 수 있다. 이에 따라, 제1 기판 지지부재(51)를 중심으로 설명하기로 한다.
제1 기판 지지부재(51)는 제1 수평 로드들(51a), 및 제1 수직 로드들(51c)을 더 포함할 수 있다. 제1 수직 로드들(51c)은 제1 격벽(131)으로부터 제1 외벽(110)으로 연장될 수 있다. 제1 수직 로드들(51c)는 제1 격벽(131)과 제1 수평 로드들(51a)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제1 수직 로드들(51c)의 상단은 제1 격벽(131)에 결합되고, 제1 수직 로드들(51c)의 하단은 제1 수평 로드들(51a)과 결합될 수 있다.
도 14 내지 도 19는 도 11의 공정 챔버 내로 유체를 공급 및 배출하는 모습을 나타낸 개략적인 횡단면도들이다. 도 14 내지 도 19는 유체 공급부(20)가 제1 구획 공간(S1)으로 유체(F)를 공급 및 유체 배출부(30)가 제1 구획 공간(S1) 내의 유체를 배출하는 모습을 나타낸다. 도 14 내지 도 19는 도 12와 대응되나, 도 12의 유체 공급부(20)와 유체 배출부(30)는 생략하였다.
도 14를 참조하면, 유체 공급부(20)는 제1 서브 공급홀(251)을 통해 제1 구획 공간(S1)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 유체 배출부(30)는 제1 서브 공급홀(251) 과 대향된 후방 배출홀(1813)을 통해 제1 구획 공간(S1) 내의 초임계 유체(F)를 배출할 수 있다. 이에 따라, 제1 구획 공간(S1)으로 공급된 초임계 유체(F)는 후방 배출홀(1813)을 통해 배출될 수 있다. 예를 들면, 초임계 유체(F)는 제2 방향(D2)을 따라 유동할 수 있다.
도 15를 참조하면, 유체 공급부(20)는 좌측 공급홀(1711)를 통해 제1 구획 공간(S1)으로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 유체 배출부(30)는 우측 배출홀(1812)을 통해 제1 구획 공간(S1) 내의 초임계 유체(F)를 배출할 수 있다. 예를 들면, 초임계 유체(F)는 제3 방향(D3)을 따라 유동할 수 있다.
도 14 및 도 15에 도시된 초임계 유체(F)의 유동에 의해, 제1 구획 공간(S1) 내에 와류(Vortex)가 발생할 수 있다. 이에 따라, 초임계 유체(F)는 기판(W)의 전체에 골고루 제공되지 않을 수 있다. 기판(W)의 전체에 건조 공정이 균일하게 수행되지 않을 수 있다.
도 16을 참조하면, 유체 공급부(20)는 좌측 공급홀(1711)을 통해 제1 구획 공간(S1)으로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 유체 배출부(30)는 후방 배출홀(1813)을 통해 제1 구획 공간(S1) 내의 초임계 유체(F)를 배출할 수 있다.
도 17를 참조하면, 유체 공급부(20)는 좌측 공급홀(1711)을 통해 제1 구획 공간(S1)으로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 유체 배출부(30)는 제1 서브 배출홀(261)을 통해 제1 구획 공간(S1) 내의 초임계 유체(F)를 배출할 수 있다.
도 18을 참조하면, 유체 공급부(20)는 우측 공급홀(1712)을 통해 제1 구획 공간(S1)으로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 유체 배출부(30)는 전방 배출홀(261)을 통해 제1 구획 공간(S1) 내의 초임계 유체(F)를 배출할 수 있다.
도 19을 참조하면, 유체 공급부(20)는 우측 공급홀(1712)을 통해 제1 구획 공간(S1)으로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 유체 배출부(30)는 후방 배출홀(1813)을 통해 제1 구획 공간(S1) 내의 초임계 유체를 배출할 수 있다.
도 16 내지 도 19에 도시된 초임계 유체의 유동에 의해서도 와류가 발생할 수 있다. 하지만, 도 12 내지 도 19에 도시된 바와 같이, 초임계 유체(F)를 여러 방향으로 유동시킴으로써, 기판(W)의 전체에 초임계 유체가 골고루 제공될 수 있다. 즉, 기판(W)의 전체에 건조 공정이 균일하게 수행될 수 있다.
유체 공급부(20)는 제1 구획 공간(S1)의 공급 방법과 동일하거나 유사한 방법으로 제2 및 제3 구획 공간들(S2, S3)로 초임계 유체(F)를 공급할 수 있다. 유체 배출부(30)는 제1 구획 공간(S1)의 배출 방법과 동일하거나 유사한 방법으로 제2 및 제3 구획 공간들(S2, S3) 내의 초임계 유체(F)를 배출할 수 있다.
유체 공급부(20)와 유체 배출부(30)는 도 14 내지 도 19에 도시된 초임계 유체(F)의 유동 경로들과 상이한 유동 경로들로 제1 내지 제3 구획 공간들(S1, S2, S3)로 초임계 유체(F)를 공급 및 배출할 수 있다.
도 20은 도 1의 기판 처리 장치의 변형 예를 나타낸 개략적인 종단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 내지 도 7, 도 11, 도 12, 및 도 13을 참조하여 설명한 실시 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 20을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(10), 유체 공급부(20), 유체 배출부(30), 개폐 유닛(40), 고정 부재(60), 기판 지지부(50) 및 컨트롤러(70, 도 2 참조)를 포함할 수 있다.
공정 챔버(10)는 하우징부(100b)와, 차폐부(200)를 포함할 수 있다. 하우징부(100b)는 바디 하우징(105), 격벽(130), 제1 지지벽(110b) 및 제2 지지벽(120b)을 포함할 수 있다. 하우징부(100b)는 그를 관통하는 복수의 공급홀들(170)과, 복수의 배출홀들(180)을 포함할 수 있다. 바디 하우징(105)은 하부벽(110a), 상부벽(120a), 및 측벽(150)을 포함할 수 있다. 도 20의 바디 하우징(105)는 도 11에 도시된 바디 하우징(105)과 유사할 수 있다.
하부벽(110a)과 상부벽(120a)은 서로 이격될 수 있다. 하부벽(110a)과 상부벽(120a)은 제1 지지벽(110b)과 제2 지지벽(120b) 사이에 위치될 수 있다. 측벽(150)은 하부벽(110a)과 상부벽(120a)을 연결할 수 있다. 하부벽(110a), 상부벽(120a), 및 격벽(130)은 서로 대략 동일한 두께(T11, T21, T3)를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 지지벽(110b)은 하부벽(110a)의 아래에 위치될 수 있다. 제1 지지벽(110b)은 하부벽(110a)의 하면과 접할 수 있다. 제1 지지벽(110b)은 하부벽(110a)과 대응될 수 있다. 제2 지지벽(120b)은 상부벽(120a)의 위에 위치될 수 있다. 제2 지지벽(120b)은 상부벽(120a)의 상면과 접할 수 있다. 제2 지지벽(120b)은 상부벽(120a)과 대응될 수 있다. 제1 및 제2 지지벽들(110b, 120b)의 각각은 격벽(130)의 두께(T3)보다 큰 두께(T12, T22)를 가질 수 있다.
전술한, 격벽(130)의 두께(T3)는 제1 지지벽(110b)의 두께(T12)와 하부벽(110a)의 두께(T11)의 합보다 작을 수 있다. 격벽(130)의 두께(T3)는 제2 지지벽(120b)의 두께(T22)와 하부벽(110a)의 두께(T21)의 합보다 작을 수 있다. 제1 지지벽(110b)의 두께(T12)와 하부벽(110a)의 두께(T11)의 합, 및 제2 지지벽(120b)의 두께(T22)와 상부벽(120a)의 두께(T21)의 합은 초임계 유체의 임계 압력 이상의 압력을 견딜 수 있도록 형성될 수 있다.
제1 배출홀(181)은 하부벽(110a)에 제공될 수 있다. 제1 배출홀(181)은 하부벽(110a)을 관통할 수 있다. 제2 공급홀(172)은 상부벽(120a)에 제공될 수 있다. 제2 공급홀(172)은 상부벽(120a)을 관통할 수 있다.
제1 지지벽(110b)은 그를 관통하는 제1 연결홀(121a)을 포함할 수 있다. 제1 연결홀(121a)은 제1 배출홀(181)과 연결될 수 있다. 제1 연결홀(121a)과 제1 배출홀(181)은 서로 수직하게 중첩될 수 있다. 제1 연결홀(121a)은 유체 배출부(30)와 연결될 수 있다. 제2 지지벽(120b)은 그를 관통하는 제2 연결홀(121b)을 포함할 수 있다. 제2 연결홀(121b)은 제2 공급홀(172)과 연결될 수 있다. 제2 연결홀(121b)과 제2 공급홀(172)은 서로 수직하게 중첩될 수 있다. 제2 연결홀(121b)은 유체 공급부(20)와 연결될 수 있다.
도 4의 공정 챔버(10)의 구조는 도 11의 공정 챔버에 적용될 수 있다. 도 11의 공정 챔버(10)의 구조는 도 4 및 도 20의 공정 챔버(10)에 적용될 수 있다. 또한, 도 20의 공정 챔버(10)의 구조는 도 1 및 도 11의 공정 챔버(10)에 적용될 수 있다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 반도체 제조 설비를 나타낸 개략도이다.
도 21를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 반도체 제조 설비(SME)에 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 반도체 제조 설비(SME)는 습식 처리 시스템(wet process system)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 반도체 제조 설비(SME)는 기판 처리 장치(1), 제1 공정 챔버(2), 및 기판 반송 장치(3)를 포함할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 제2 공정 챔버(10), 유체 공급부(20), 및 유체 배출부(30)를 포함할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 개폐 유닛(40, 도 2 참조), 고정 부재(60, 도 3 참조), 및 컨트롤러(70, 도 2 참조)를 더 포함할 수 있다.
제1 공정 챔버(2)와 제2 공정 챔버(10)는 서로 인접하게 배치될 수 있다. 실시 예에서, 제2 공정 챔버(10)의 일측에 제1 공정 챔버(2)가 제공되고, 제2 공정 챔버(10)의 타측에 유체 공급부(20) 및 유체 배출부(30)가 제공될 수 있다. 제1 공정 챔버(2)는 로드 포트들(4)에 인접할 수 있다. 제1 및 제2 공정 챔버들(2, 10)의 배치는 전술한 예로 한정되는 것은 아니며, 공정 효율을 고려하여 적절하게 변형될 수 있다.
제1 공정 챔버(2), 및 제2 공정 챔버(10)의 각각은 복수 개로 제공될 수 있다. 제2 공정 챔버(10), 유체 공급부(20), 및 유체 배출부(30)는 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명한 기판 처리 장치(1)의 공정 챔버(10), 유체 공급부(20), 및 유체 배출부(30)에 각각 대응될 수 있다.
제1 공정 챔버(2)와 제2 공정 챔버(10)는 각각 기판(W)에 대하여 상이한 공정을 수행할 수 있다. 실시 예에서, 제1 공정 챔버(2)에서 수행되는 제1 공정과 제2 공정 챔버(10)에서 수행되는 제2 공정은 서로 순차적으로 수행되는 공정일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 실시 예에서, 제1 공정 챔버(2)에서는, 케미컬 공정, 세척 공정 및 제1 건조 공정이 수행될 수 있다. 제2 공정 챔버(10)에서는, 제1 공정의 후속 공정으로 제2 건조 공정이 수행될 수 있다. 여기서, 제1 건조 공정은 유기 용제를 이용하여 수행되는 습식 건조 공정이고, 제2 건조 공정은, 초임계 유체를 이용하여 수행되는 초임계 건조 공정일 수 있다. 제1 건조 공정은 경우에 따라 생략될 수 있다.
기판 반송 장치(3)는 가이드 레일(6)을 따라 이동하여, 기판들(W)을 기판 처리 장치(1)와 제1 공정 챔버(2)로 반송할 수 있다. 예를 들면, 기판 반송 장치(3)는 기판들(W)을 제1 공정 챔버(2) 및 제2 공정 챔버(20)로 반송할 수 있다. 또한, 기판들(W)은 기판 반송 장치(3)에 의해 로드 포트들(4) 상의 캐리어들(5)에 로딩/언로딩될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.

Claims (20)

  1. 제1 하우징; 및
    상기 제1 하우징 내의 제1 기판 지지부재;
    상기 제1 하우징 상에 위치되는 제2 하우징;
    상기 제2 하우징 내의 제2 기판 지지부재; 및
    상기 제1 및 제2 하우징들의 일측 외부에 제공되는 고정부재를 포함하고,
    상기 제1 하우징은:
    상기 고정부재의 일측을 수용하는 제1 삽입홀을 갖는 제1 바닥 벽;
    상기 제1 바닥 벽과 대향되는 제1 상부 벽;
    상기 제1 바닥 벽과 상기 제1 상부 벽을 연결하고, 상기 제1 하우징 내에 기판을 제공하기 위한 제1 개구부를 갖는 제1 측벽; 및
    상기 고정부재와 상기 제1 개구부 사이에 배치되어 상기 제1 개구부를 개폐하고, 상기 제1 기판 지지부재에 연결되는 제1 차폐부재를 포함하고,
    상기 제2 하우징은:
    상기 고정부재의 타측을 수용하는 제2 삽입홀을 갖는 제2 상부 벽;
    상기 제2 상부 벽과 상기 제1 상부 벽 사이에 배치되는 제2 바닥 벽;
    상기 제2 바닥 벽 및 상기 제2 상부 벽을 연결하고 상기 기판을 상기 제2 하우징 내에 제공하기 위한 제2 개구부를 갖는 제2 측벽; 및
    상기 고정부재와 상기 제2 개구부 사이에 배치되어 상기 제2 개구부를 개폐하고, 상기 제2 기판 지지부재에 연결되는 제2 차폐부재를 포함하는 공정 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 하우징은, 그를 관통하는 적어도 하나의 제1 공급홀; 및 그를 관통하는 적어도 하나의 제1 배출홀을 더 포함하고,
    상기 제2 하우징은, 그를 관통하는 적어도 하나의 제2 공급홀; 및 그를 관통하는 적어도 하나의 제2 배출홀을 더 포함하는 공정 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 상부 벽은, 상기 제1 바닥 벽과 대향된 제1 벽면과, 상기 제2 바닥 벽과 대향된 제2 벽면을 포함하고,
    상기 제2 바닥 벽은 상기 제2 벽면과 대향된 제3 벽면과, 상기 제2 상부 벽과 대향된 제4 벽면을 포함하고,
    상기 제1 배출홀은 상기 제1 바닥 벽을 관통하도록 제공되고,
    상기 제1 공급홀은, 상기 제1 벽면으로부터 상기 제2 벽면을 향해 연장되는 제1 공급 유로, 및 상기 제1 공급 유로로부터 상기 제1 측벽을 향해 연장되는 제2 공급 유로를 포함하고,
    상기 제2 공급홀은, 상기 제2 상부 벽을 관통하도록 제공되고,
    상기 제2 배출홀은, 상기 제4 벽면으로부터 상기 제3 벽면을 향해 연장되는 제1 배출 유로, 및 상기 제1 배출 유로로부터 상기 제2 측벽을 향해 연장되는 제2 배출 유로를 포함하는 공정 챔버.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 공급홀과 상기 제1 배출홀의 각각은, 상기 제1 측벽의 둘레를 따라 복수 개 제공되고,
    상기 제2 공급홀과 상기 제2 배출홀의 각각은, 상기 제2 측벽의 둘레를 따라 복수 개 제공되는 공정 챔버.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 배출홀들 중 어느 하나는, 상기 제1 공급홀들 중 어느 하나와 대향되고,
    상기 제2 배출홀들 중 어느 하나는, 상기 제2 공급홀들 중 어느 하나와 대향되는 공정 챔버.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 차폐부재는 제1 서브 공급홀을 갖고,
    상기 제2 차폐부재는 제2 서브 공급홀을 갖고,
    상기 제1 서브 공급홀은, 상기 제1 배출홀들 중 나머지 하나와 대향되고,
    상기 제2 서브 공급홀은, 상기 제2 배출홀들 중 나머지 하나와 대향되는 공정 챔버.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징 사이에 위치되는 적어도 하나의 제3 하우징을 더 포함하고,
    상기 제3 하우징은, 제3 바닥 벽, 상기 제3 바닥 벽과 상기 제2 하우징 사이에 위치되는 제3 상부 벽, 그리고 상기 제3 바닥 벽 및 제3 상부 벽을 연결하는 제3 측벽을 포함하고,
    상기 제3 바닥 벽 및 제3 상부 벽의 각각은, 상기 제1 바닥 벽의 두께 및 상기 제2 상부 벽의 두께보다 작은 두께를 갖는 공정 챔버.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3 하우징은, 그를 관통하는 적어도 하나의 제3 공급홀; 및 그를 관통하는 적어도 하나의 제3 배출홀을 더 포함하는 공정 챔버.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 바닥 벽은, 상기 제1 하우징에 대향된 제5 벽면, 및 상기 제2 하우징에 대향된 제6 벽면을 포함하고,
    상기 제3 배출홀은, 상기 제5 벽면으로부터 상기 제6 벽면을 향해 연장되는 제3 배출 유로와, 상기 제3 배출 유로로부터 상기 제3 측벽을 향해 연장되는 제4 배출 유로를 포함하고,
    상기 제3 상부 벽은, 상기 제3 바닥 벽에 대향된 제7 벽면, 및 상기 제2 하우징에 대향된 제8 벽면을 포함하고,
    상기 제3 공급홀은, 상기 제7 벽면으로부터 상기 제8 벽면을 향해 연장되는 제3 공급 유로와, 상기 제3 공급 유로로부터 상기 제3 측벽을 향해 연장되는 제4 공급 유로를 포함하는 공정 챔버.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제3 공급홀 및 상기 제3 배출홀의 각각은, 상기 제3 측벽의 둘레를 따라 복수 개 제공되는 공정 챔버.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3 공급홀들 중 어느 하나는, 상기 제3 배출홀들 중 어느 하나와 대향되는 공정 챔버.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 바닥 벽과 상기 제1 상부 벽 간의 이격 거리는, 상기 제1 바닥 벽의 두께보다 작고, 상기 제1 상부 벽의 두께보다 크고,
    상기 제2 상부 벽과 상기 제2 바닥 벽 간의 이격 거리는, 상기 제2 상부 벽의 두께보다 작고, 상기 제2 바닥 벽의 두께보다 큰 공정 챔버.
  13. 내부 공간을 갖는 하우징;
    상기 하우징의 일측 외부에 제공되는 고정부재; 및
    상기 하우징 내에 위치되어, 상기 내부 공간을 복수의 구획 공간들로 구획하는 적어도 하나의 격벽을 포함하고,
    상기 하우징은:
    상기 격벽의 아래에 배치되고 상기 고정부재의 일측을 수용하는 제1 삽입 홀을 갖는 바닥 벽;
    상기 바닥 벽의 상에 배치되고, 상기 고정부재의 타측을 수용하는 제2 삽입 홀을 갖는 상부 벽;
    상기 바닥 벽 및 상기 상부 벽 사이에 연결되고 상기 하우징 내에 기판을 제공하기 위한 개구부를 갖는 측벽; 및
    상기 개구부와 상기 고정부재 사이에 제공되고, 상기 개구부를 개폐하는 차폐부재를 포함하는 공정 챔버.
  14. 삭제
  15. 제1 내부 공간을 갖는 제1 하우징과, 상기 제1 하우징 상에 적층되어 제2 내부 공간을 갖는 제2 하우징과, 상기 제1 및 제2 하우징들의 일측 외부에 제공되는 고정부재를 포함하는 공정 챔버;
    상기 제1 내부 공간 내에 위치되고, 기판을 지지하는 제1 기판 지지부재;
    상기 제2 내부 공간 내에 위치되고, 상기 기판을 지지하는 제2 기판 지지부재;
    상기 제1 및 제2 내부 공간들 내에 유체를 공급하는 유체 공급부; 및
    상기 제1 및 제2 내부 공간들 내의 유체를 배출하는 유체 배출부를 포함하고,
    상기 제1 하우징은:
    상기 고정부재의 일측을 수용하는 제1 삽입홀을 갖는 제1 바닥 벽;
    상기 제1 바닥 벽과 대향되는 제1 상부 벽;
    상기 제1 바닥 벽과 상기 제1 상부 벽을 연결하고, 상기 제1 하우징 내에 상기 기판을 제공하기 위한 제1 개구부를 갖는 제1 측벽; 및
    상기 고정부재와 상기 제1 개구부 사이에 배치되어 상기 제1 개구부를 개폐하고 상기 제1 기판 지지부재에 연결되는 제1 차폐부재를 포함하고,
    상기 제2 하우징은:
    상기 고정부재의 타측을 수용하는 제2 삽입홀을 갖는 제2 상부 벽;
    상기 제2 상부 벽과 상기 제1 상부 벽 사이에 배치되는 제2 바닥 벽;
    상기 제2 바닥 벽 및 상기 제2 상부 벽을 연결하고 상기 기판을 상기 제2 하우징 내에 제공하기 위한 제2 개구부를 갖는 제2 측벽; 및
    상기 고정부재와 상기 제2 개구부 사이에 배치되어 상기 제2 개구부를 개폐하고 상기 제2 기판 지지부재에 연결되는 제2 차폐부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서
    상기 제1 하우징은, 그를 관통하며 상기 유체 공급부와 연결되는 적어도 하나의 제1 공급홀; 및 그를 관통하며 상기 유체 배출부와 연결되는 적어도 하나의 제1 배출홀을 더 포함하고,
    상기 제2 하우징은, 그를 관통하며 상기 유체 공급부와 연결되는 적어도 하나의 제2 공급홀; 및 그를 관통하며 상기 유체 배출부와 연결되는 적어도 하나의 제2 배출홀을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 공급홀과 상기 제1 배출홀의 각각은, 상기 제1 측벽의 둘레를 따라 복수 개 제공되고,
    상기 제2 공급홀과 상기 제2 배출홀의 각각은, 상기 제2 측벽의 둘레를 따라 복수 개 제공되되,
    상기 제1 배출홀들 중 어느 하나는, 상기 제1 공급홀들 중 어느 하나와 대향되고,
    상기 제2 배출홀들 중 어느 하나는, 상기 제2 공급홀들 중 어느 하나와 대향되는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 차폐부재는 상기 유체 공급부와 연결되는 제1 서브 공급홀 및, 상기 유체 배출부와 연결되는 제1 서브 배출홀을 갖고,
    상기 제1 서브 공급홀은, 상기 제1 배출홀들 중 나머지 하나와 대향되고,
    상기 제1 서브 배출홀은, 상기 제1 공급홀들 중 나머지 하나와 대향되는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 유체 배출부는, 상기 유체 공급부로부터 유체를 공급받는 상기 제1 공급홀에 대향된 상기 제1 서브 배출홀 또는 상기 제1 배출홀을 통해 상기 제1 내부 공간 내의 유체를 배출하는 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 유체 배출부는, 상기 유체 공급부로부터 유체를 공급받는 상기 제1 공급홀에 대향되지 않는 상기 제1 서브 배출홀 또는 상기 제1 배출홀을 통해 상기 제1 내부 공간 내의 유체를 배출하는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102358561B1 (ko) 2017-06-08 2022-02-04 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치
KR102400186B1 (ko) * 2017-06-19 2022-05-20 삼성전자주식회사 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP7236338B2 (ja) * 2019-06-28 2023-03-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20220095613A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 세메스 주식회사 지지 장치 및 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719330B1 (ko) 2005-09-30 2007-05-18 코스텍시스템(주) 유기물 발광 다이오드 및 액정표시 장치 제조용 플라즈마화학 증착 장비
KR101232770B1 (ko) 2012-07-24 2013-02-15 남원식 기판 처리 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
US6672820B1 (en) * 1996-07-15 2004-01-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing apparatus having linear conveyer system
US8124907B2 (en) 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
JP2009124041A (ja) 2007-11-16 2009-06-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011216818A (ja) 2010-04-02 2011-10-27 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
KR101267884B1 (ko) * 2011-07-29 2013-05-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101842114B1 (ko) * 2011-10-06 2018-03-26 세메스 주식회사 기판 이송 로봇의 자동 티칭 방법 및 이를 이용한 기판 처리 설비
KR101927938B1 (ko) * 2011-11-22 2018-12-12 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
US20160064213A1 (en) * 2013-04-18 2016-03-03 Tohoku University Method for treating inner wall surface of micro-vacancy
KR101484553B1 (ko) 2013-10-24 2015-01-20 주식회사 테라세미콘 클러스터형 기판처리 장치
KR101610644B1 (ko) 2014-02-04 2016-04-08 주식회사 엔씨디 다수 챔버 적층 구조 원자층 증착장치
JP2018082043A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102400186B1 (ko) * 2017-06-19 2022-05-20 삼성전자주식회사 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719330B1 (ko) 2005-09-30 2007-05-18 코스텍시스템(주) 유기물 발광 다이오드 및 액정표시 장치 제조용 플라즈마화학 증착 장비
KR101232770B1 (ko) 2012-07-24 2013-02-15 남원식 기판 처리 장치

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