KR101615140B1 - 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치 - Google Patents

오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101615140B1
KR101615140B1 KR1020150000244A KR20150000244A KR101615140B1 KR 101615140 B1 KR101615140 B1 KR 101615140B1 KR 1020150000244 A KR1020150000244 A KR 1020150000244A KR 20150000244 A KR20150000244 A KR 20150000244A KR 101615140 B1 KR101615140 B1 KR 101615140B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
bellows
ring
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020150000244A
Other languages
English (en)
Inventor
이형섭
서문희
문생민
Original Assignee
주식회사 에스피이앤씨
서문희
문생민
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스피이앤씨, 서문희, 문생민 filed Critical 주식회사 에스피이앤씨
Priority to KR1020150000244A priority Critical patent/KR101615140B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101615140B1 publication Critical patent/KR101615140B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 공정이 이루어지는 내부 공간이 마련되는 챔버; 상기 챔버 내측에 마련되고, 기판이 로딩되는 적재대; 일측이 상기 적재대의 저면에 결합되도록 마련되고, 타측이 상기 챔버의 저면을 관통하여 외부로 연장되고, 상기 적재대를 상기 챔버 내에서 상승 내지 하강시키도록 마련되는 승강축; 상기 챔버 외측에 설치되고, 상기 승강축이 내측에 삽입되어 상기 승강축이 내측에서 구동가능하도록 마련되고, 상기 승강축과 상기 챔버 내측 공간이 외기에 대해 기밀되도록 마련되는 벨로우즈; 및 실링부가 구비되는 차단가이드를 포함하는 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
이와 같은 본 발명에 따른 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치에 의하면, 벨로우즈와 챔버 사이의 오염원의 이동을 물리적으로 차단하는 차단가이드가 마련됨으로써, 오염원이 챔버에 유입되는 것을 방지하고, 반응가스에 의해 벨로우즈가 부식되는 것을 방지할 수 있다. 상기 차단가이드는 벨로우즈 내측에 마련됨으로써, 기존의 기판처리장치를 교체하지 않고 벨로우즈만을 교체함으로써 적용될 수 있어 경제적이며, 격막 형태의 단순한 구조로 기존 장비와의 간섭이 거의 없고 유지보수가 편리하며 경제적으로 오염원을 차단할 수 있다.

Description

오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치{Apparatus with particle interception guide}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 기판 적재대의 승강 구동부를 밀폐하는 벨로우즈에서 발생하는 오염원을 차단하는 가이드를 구비한 벨로우즈에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 기판 상에 서로 성질을 달리하는 도전막, 반도체막 및 절연막 등의 박막을 적층하고, 적층 순서 및 패턴의 형상을 조합하여 일정한 기능을 수행하는 전자회로를 실현하는 과정이라고 할 수 있다. 이에 따라 반도체 소자 제조 공정에서는 여러 가지 박막의 증착과 식각 단위 공정이 반복적으로 행해지며, 이러한 단위 공정을 실시하기 위해 기판은 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 챔버에 반입되어 처리된다.
이때 기판 적재대 하부의 구동부를 밀폐하도록 벨로우즈가 설치된다. 상기 벨로우즈는 상기 적재대가 승강하도록 마련되는 구동부를 밀폐하여 진공 챔버 내부를 진공으로 유지하는 동시에, 구동부가 상하로 운동할 수 있도록 하기 위해 장착된다. 이렇게 밀폐된 챔버 내에 기판이 반입되어 적재대에 로딩되면, 일반적인 기판의 식각공정이 진행되는 과정에서 NF3, CF3, SF6과 같은 부식성 가스가 챔버 내측 및 벨로우즈 내측에 확산된다. 증착공정에서는 플라즈마 입자 또는 금속 입자가 확산됨으로써 벨로우즈 내측 표면에 증착될 수도 있다.
벨로우즈는 이러한 부식, 내지는 금속피막의 증착으로 인해 내측 표면 상에 오염원이 생성되고, 적재대의 승강 운동에 의해 상기 입자가 챔버 내로 확산되면서 오염원을 생성하는 원인이 된다.
일반적으로 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정은 기판 상에 단일 분자막을 형성하는 과정을 포함한다. 이러한 분자막 수준의 박막은 미량의 불순물에 의해서도 기능이 저해될 수 있으므로 챔버 내에서 발생하는 오염원에 대한 통제는 공정의 수율을 높히는 중요한 과제이다.
대한민국 공개특허 제 10-2012-0014182 호(발명자 : 마쯔다 류우이찌)는 진공 용기 내에서 부식성 가스를 사용하는 처리 장치에 사용되고, 처리 대상인 기판의 위치를 변경하는 구동 기구를 구비한 기판 지지대의 구조이며, 상기 진공 용기의 내벽의 개구부의 주위에, 제1 시일 부재를 통해 일단부측이 장착된 원통 형상의 내통과, 상기 내통의 외주측에 배치되는 동시에, 상기 내통의 타단부측에, 제2 시일 부재를 통해 일단부측이 장착된 벨로우즈와, 상기 벨로우즈의 외주측에 배치되는 동시에, 상기 벨로우즈의 타단부측에, 제3 시일 부재를 통해 일단부측이 장착된 원통 형상의 외통과, 상기 외통의 타단부측의 개구부를 폐색하도록, 제4 시일 부재를 통해 장착되고, 상기 기판을 적재하는 원반 형상의 적재대와, 상기 외통 전체면을 덮도록, 상기 외통과 밀접하게 설치되고, 부식 내성이 있는 재료로 이루어지는 피복부재와, 상기 개구부 및 상기 내통의 내부를 통해, 상기 적재대의 이면에 장착되고, 상기 구동 기구에 의해 구동되는 구동 부재를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 지지대의 구조가 제공된다.
상기 비교기술은 벨로우즈를 이중으로 감싸는 외통과 내통이 마련되는 기판 지지구조를 제공함으로써, 열과 가스로부터 상기 벨로우즈의 부식을 차단하도록 하고 있다. 그러나 상기 비교기술에 의한 기판 지지구조는 구조가 복잡하고, 기존의 기판처리장치에 적용되지 못함으로 인해 새로운 설비를 구비해야한다는 점에서 경제성이 적다.
또한 상기 벨로우즈가 상기 챔버의 내부 공간으로부터 완전히 차단되는 형태로 마련되지 못함으로써, 상기 벨로우즈로부터 미량이라도 오염원이 발생했을 시 상기 오염원이 챔버로 확산되는 것을 차단하지 못한다는 단점이 있다.
상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 벨로우즈의 부식으로 인해 발생하는 오염원이 챔버 내로 유입되는 것을 물리적으로 차단함으로써 웨이퍼의 수율을 높힐 수 있는 오염원 차단가이드를 제공한다. 차단가이드는 격막구조로 마련되어 벨로우즈 내에서 발생하는 오염원이 챔버 내로 유입되는 것을 차단함으로써 챔버 및 기판의 오염을 방지한다.
상기 차단가이드는 기존 벨로우즈 장비의 구조를 변경하지 않고도 부가될 수 있는 단순한 구조로 마련됨으로써, 장치의 부가에 따른 문제점이 최소화되도록 할 수 있다.
본 발명의 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판처리장치에 있어서, 공정이 이루어지는 내부 공간이 마련되는 챔버; 상기 챔버 내측에 마련되고, 기판이 로딩되는 적재대; 일측이 상기 적재대의 저면에 결합되도록 마련되고, 타측이 상기 챔버의 저면을 관통하여 외부로 연장되고, 상기 적재대를 상기 챔버 내에서 상승 내지 하강시키도록 마련되는 승강축; 상기 챔버 외측에 설치되고, 상기 승강축이 내측에 삽입되어 상기 승강축이 내측에서 구동가능하도록 마련되고, 상기 승강축과 상기 챔버 내측 공간이 외기에 대해 기밀되도록 마련되는 벨로우즈; 및 상기 벨로우즈 내측에 설치되고, 상기 승강축이 관통하여 구동되도록 중앙부에 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀의 둘레에 설치되어 상기 승강축의 외주면과 접하도록 마련되는 실링부가 구비되는 차단가이드를 포함하는 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
상기 차단가이드의 상기 실링부는, 상기 관통홀의 상면과 하면에 각각 결합되는 상부하우징 및 하부하우징; 상기 상부하우징 내에 설치되는 제 1 C링; 및 상기 하부하우징 내에 설치되는 제 2 C링을 포함하고, 상기 제 1 C링 및 상기 제 2 C링은, C자 형상으로 일측이 개방부를 형성하도록 탄성력을 가지는 링으로 마련되고, 상기 제 1 C링의 개방부와 상기 제 2 C링의 개방부가 상호 대향되는 위치를 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
상기 상부하우징 내지 하부하우징은, 내경부 일측에 형성되고, 상기 제 1 C링 내지 상기 제 2 C링의 상기 개방부에 결합되도록 하는 고정돌기가 마련되는 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명에 따른 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치에 의하면, 벨로우즈와 챔버 사이의 오염원의 이동을 물리적으로 차단하는 차단가이드가 마련됨으로써, 벨로우즈의 부식 등으로 발생하는 오염원이 챔버에 유입되어 챔버가 오염되는 것을 방지하여 기판 공정의 수율이 향상되도록 할 수 있다.
또한 공정가스가 벨로우즈 측으로 흘러들어가 벨로우즈 내에 증착되는 것을 차단함으로써, 오염원의 생성이 원천적으로 방지될 수 있다.
상기 차단가이드는 벨로우즈 내측에 마련됨으로써, 기존의 기판처리장치를 교체하지 않고 벨로우즈만을 교체함으로써 적용될 수 있어 경제적이며, 격막 형태의 단순한 구조로 기존 장비와의 간섭이 거의 없고 유지보수가 편리하며 경제적으로 오염원을 차단할 수 있다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 오염원 이동경로의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명인 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치의 벨로우즈의 일 실시예를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명인 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치 중 실링부의 일 실시예를 도시한 분해사시도이다.
도 4는 본 발명인 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고, 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니고, 본 발명의 기술 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 식으로 이해 되어야 하고, 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하며, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대해 중복되는 설명을 생략하기로 한다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 오염원 이동경로의 일 실시예를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명인 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치의 벨로우즈의 일 실시예를 도시한 사시도이며, 도 4는 본 발명인 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명은 챔버(200), 벨로우즈(100), 차단가이드(120) 및 실링부(130), 적재대(150), 승강축(160)으로 구성될 수 있다.
챔버(200)는 기상증착 내지는 식각공정이 이루어지도록 밀폐된 내부 공간이 마련되는 것으로, 진공이 유지되도록 외기에 대한 기밀이 유지된다. 챔버의 상단에는 증착 내지 식각용 가스가 분사될 수 있도록 샤워헤드(210)가 마련되어 공정 가스가 샤워헤드(210) 하부에 마련되는 기판 상에 균일하게 도달하도록 구비된다. 챔버(200)는 공정 가스 이외의 불순물이 기판에 증착되는 것을 방지하기 위해 일반적으로 진공 상태로 운용되도록 마련되며, 200~600℃ 사이의 고온에서 운용되기도 한다. 또한 상기 공정 가스는 NF3, CF3, SF6과 같은 부식성 가스가 사용되는 경우도 있어, 챔버(200)는 텅스텐과 같은 내식성 소재로 내측면이 코팅 처리되어 마련된다.
적재대(150)는 챔버(200) 내측에 마련되고, 기판이 상측면에 로딩되어 공정이 이뤄지도록 마련된다. 적재대(150)는 샤워헤드(210)로부터 공급되는 가스가 적재대(150) 상의 기판에 균등하게 도달할 수 있도록 하거나, 공정의 특성에 따라 샤워헤드(210)로부터 상기 기판의 거리를 조절하기 위해 상하로 이동가능하도록 마련된다.
따라서 적재대(150)는 챔버(200) 외부의 구동장치에 의해 구동되는 승강축(160)에 연결되어 구동되도록 마련된다. 승강축(160)은 일측이 적재대(150)의 저면에 결합되도록 마련되고, 타측이 챔버(200)의 저면을 관통하여 외부로 연장되고, 적재대(150)를 챔버(200) 내에서 상승 내지 하강시키도록 마련된다. 승강축(160)은 상술한 바와 같이 챔버(200)의 저면을 관통하여 챔버(200)의 외부로 연장되도록 마련되기 때문에, 챔버(200)의 기밀성을 깨뜨리는 요인이 된다.
한편 승강축(160)은 적재대(150)를 상승 또는 하강시키도록 마련됨으로써 챔버(200)의 저면부에 대해서 일정한 간격으로 가변되는 구동범위를 갖게 된다. 따라서 이러한 승강축(160)과, 챔버(200)의 내부 공간을 동시에 밀폐시키기 위해서 별도의 밀폐수단이 요구된다.
이와 같은 조건 하에서 마련되는 벨로우즈(100)는, 챔버(200) 외측에 설치되고, 승강축(160)이 내측에 삽입되어 승강축(160)이 내측에서 구동가능하도록 마련되고, 승강축(160)과 챔버(200) 내측 공간이 외기에 대해 기밀되도록 마련된다. 벨로우즈(100)는 챔버(200)가 공정이 진행되는 동안 낮은 기압 내지는 진공으로 유지되므로 물리적인 강성이 있어야 하며, 상기 공정가스가 고온으로 공급될 수 있기 때문에 내열성을 가져야 한다.
일반적으로 벨로우즈는 스테인레스 재질로 제작됨으로써 내열 및 내식성을 확보할 수 있다. 그러나 상술한 조건 하에서 지속적으로 공정이 이루어지고, 신축을 위한 표면 굴곡 및 굴절부의 접힙이 반복됨으로써, 상기 벨로우즈의 내측에 증착되는 미세한 오염원들이 박리되어 챔버 내부까지 확산될 여지가 있다.
도 1을 참조하면, 이러한 조건에 지속적으로 노출되는 벨로우즈(1000)는 승강축(1160)의 상승 내지 하강에 따라 신축함으로써, 벨로우즈의 내벽에 증착되거나 벨로우즈 자체가 부식됨으로써 발생하는 오염원(P)이 상기 챔버(2000) 내로 확산되어 기판의 수율을 저해하는 요인이 된다.
일례로 기상증착 공정이 진행되는 동안, 샤워헤드(2100)에서 공급되는 증착 가스는 적재대(1150) 상의 기판(미도시)에 도달하는 것 이외에도 챔버(2000) 내부로 일부가 확산되어 벨로우즈(1000) 측까지 도달할 수 있다. 이러한 미반응 가스는 세척 과정을 통해 대부분 제거되지만, 벨로우즈(1000)의 굴곡 부분에 소량의 미반응 가스가 증착되는 형태로 남아 있을 수 있게 된다.
이렇게 증착된 입자는 이후 공정이 진행되는 과정에서 벨로우즈(1000)의 기동으로 인해 표면으로부터 박리되어 챔버(2000) 내측으로 확산되고, 공정이 진행 중인 기판에 증착되어 기판의 수율을 저하시키는 요인이 된다.
도 4를 참조하면, 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 오염원(P)이 벨로우즈(100)로부터 챔버(30)로 이동하는 것을 차단하도록 하는 차단가이드(120)가 마련되어 있다. 차단가이드(120)는, 승강축(160)이 관통하는 관통홀(120a)이 중앙부에 형성되고, 승강축(160)이 관통홀(120a)을 관통하여 구동되도록 마련됨으로써 벨로우즈(100)으로부터 챔버(200)로 오염원(P)이 이동하는 것을 차단하도록 마련된다.
벨로우즈(100)는 상단플랜지(110)에 의해 상단이 챔버(200) 저면에 고정되고, 하단플랜지(140)에 의해 하단이 구동부(220)에 고정되도록 마련될 수 있다. 벨로우즈(100)는 챔버(200) 내부의 공간과 연결되어 외기로부터 밀폐되도록 마련됨으로써, 챔버(200) 내부의 가스 및 열기에 내측이 노출되는 상태로 공정이 이루어지게 된다.
더욱 상세하게는 차단가이드(120)는 벨로우즈(100)와 상단플랜지(11) 사이에 결합됨으로써 벨로우즈(100) 내에서 발생하는 오염원(P)과 챔버(200) 사이를 분리하는 격벽으로 작용할 수 있다. 즉 차단가이드(120)가 설치되는 위치는 벨로우즈(100) 내측의 공간과 챔버(200) 내측의 공간이 분리될 수 있는 위치여야 한다. 예컨대 상단플랜지(110) 아래쪽에 차단가이드(120)가 위치하는 것은 본 발명의 취지에 부합하지 않는 실시예가 될 것이다.
즉 차단가이드(120)의 바람직한 위치는 벨로우즈(100)의 상단측으로부터 챔버(100) 저면과 상단플랜지(110) 사이에 해당한다. 따라서 차단가이드(120)는 벨로우즈(100)와 상단플랜지(110) 사이, 또는 상단플랜지(110)와 챔버(200)의 저면 사이에 결합될 수 있다.
차단가이드(120)는 전술된 공정 환경에 적용될 수 있도록 내식성 및 내열성이 높은 테프론이나 알루미늄 소재로 마련될 수 있다. 차단가이드(120)는 높은 강성이 요구되지 않으므로, 상기와 같은 소재를 사용함으로써 기존의 벨로우즈에 용이하게 적용되어 장착될 수 있고, 소기의 기능을 구현할 수 있다.
한편 도 3을 참조하면, 차단가이드(120)와 승강축(160)이 접하는 관통홀(120a)의 둘레에는 실링부(130)가 구비될 수 있다.
실링부(130)는 상부하우징(131) 및 하부하우징(132)과, 상기 하우징 내에 결합되어 차단가이드(120)의 상하면에 각각 설치되도록 마련되는 제 1 C링(133) 및 제 2 C링(134)로 구성될 수 있다.
상부하우징(131) 및 하부하우징(132)은 차단가이드(120)를 경계로 상하면에 볼트결합됨으로써 설치될 수 있다. 또는 단순 접착되도록 설치될 수도 있을 것이다. 상부하우징(131) 및 하부하우징(132)은 내주면에 C링의 외주면이 접하여 안착되도록 단부가 형성되고, 차단가이드(120)에 밀착되어 결합됨으로써 내측에 상기 C링이 고정될 수 있도록 마련된다.
제 1 C링(133) 및 제 2 C링(134)은 일측이 개방부(o)를 형성하는 탄성력 있는 링으로 마련되어, 링의 내주면이 승강축(160)의 외주면에 접하여 슬라이딩될 수 있다. 제 1 C링(133) 및 제 2 C링(134)는 고온 상태에서도 변형되지 않도록 테플론 재질로 마련됨으로써 승강축(160)과의 밀착 상태가 유지되도록 할 수 있다.
상부하우징(131) 내지 하부하우징(132)의 내주면 일측에는 제 1 C링(133) 내지 제 2 C링(134)의 개방부(o)에 결합되도록 하는 고정돌기(132a)가 형성될 수 있다. 고정돌기(132a)는 제 1 C링(133) 내지 제 2 C링(134)보다 좁은 폭을 갖도록 마련됨으로써 승강축(160)과 직접 접촉되지 않도록 처리된다.
이때 제 1 C링(133)의 개방부(미도시)와 제 2 C링(134)의 개방부(o)는 차단가이드(120)를 중심으로 상호 대향되는 위치에 오도록 배열됨으로써, C링의 개방부를 통해 이동되는 가스의 이동경로를 최대화하여 벨로우즈(100) 내의 오염원(P)이 챔버(200) 내측으로 이동하는 것을 최대한 억제할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 오염원 차단가이드를 구비한 기판처리장치의 작용을 설명하기로 한다.
박막 증착 공정이 진행되면, 적재대(150) 상에 기판이 로딩되고, 챔버(200)가 기밀된다. 이후 진공펌프(미도시)에 의해 챔버(200) 내부 공간이 적정한 수준의 진공상태로 조성되거나, 공정가스에 의해 채워진다. 이후 구동부(220)에 의해 승강축(160)이 상승 내지 하강함으로써 적재대(150)가 소정의 위치로 조정되고, 샤워헤드(210)로부터 반응물질을 포함하는 가스가 분사되어 박막 증착 공정이 진행된다.
이때 상기 반응물질 가스는 적재대(150) 상의 기판 상에 증착되는 것뿐만 아니라, 챔버(200) 내의 다른 공간으로도 확산되어, 일부는 벨로우즈(100) 측으로 확산될 수 있다. 차단가이드(120) 및 실링부(130)는 이러한 미반응 가스가 벨로우즈(100) 내측으로 확산되는 것을 저지함으로써, 벨로우즈(100) 내에 미반응 가스가 증착되는 것을 방지한다.
또한 상기와 같이 적재대(150)를 조정하기 위해 승강축(160)이 상하로 이동하는 동안, 벨로우즈(100)가 신축하면서 벨로우즈(10) 표면의 곡률이 변하게 됨으로써 증착된 오염원(P)이 박리될 수 있다. 이렇게 박리된 오염원(P)은 일부가 챔버(200)로 확산될 수 있는데, 차단가이드(120) 및 실링부(130)에 의해 이러한 오염원(P)의 확산이 방지될 수 있다.
이와 같이 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이러한 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : 벨로우즈 110 : 상단플랜지
120 : 차단가이드 130 : 실링부
131 : 상부하우징 132 : 하부하우징
133 : 제 1 C링 134 : 제 2 C링
140 : 하단플랜지 150 : 적재대
160 : 승강축 200 : 챔버
210 : 샤워헤드 220 : 구동부

Claims (3)

  1. 기판처리장치에 있어서,
    공정이 이루어지는 내부 공간이 마련되는 챔버;
    상기 챔버 내측에 마련되고, 기판이 로딩되는 적재대;
    일측이 상기 적재대의 저면에 결합되도록 마련되고, 타측이 상기 챔버의 저면을 관통하여 외부로 연장되고, 상기 적재대를 상기 챔버 내에서 상승 내지 하강시키도록 마련되는 승강축;
    상기 챔버 외측에 설치되고, 상기 승강축이 내측에 삽입되어 상기 승강축이 내측에서 구동가능하도록 마련되고, 상기 승강축과 상기 챔버 내측 공간이 외기에 대해 기밀되도록 마련되는 벨로우즈; 및
    상기 벨로우즈 내측에 설치되고, 상기 승강축이 관통하여 구동되도록 중앙부에 관통홀이 형성되고, 상기 관통홀의 둘레에 설치되어 상기 승강축의 외주면과 접하도록 마련되는 실링부가 구비된 차단가이드를 포함하되,
    상기 실링부는,
    상기 관통홀의 상면과 하면에 각각 결합되는 상부하우징 및 하부하우징;
    상기 상부하우징 내에 설치되는 제 1 C링; 및
    상기 하부하우징 내에 설치되는 제 2 C링을 포함하고,
    상기 제 1 C링 및 상기 제 2 C링은,
    C자 형상으로 일측이 개방부를 형성하도록 탄성력을 가지는 링으로 마련되고, 상기 제 1 C링의 개방부와 상기 제 2 C링의 개방부가 상호 대향되는 위치를 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 상부하우징 또는 하부하우징은,
    내경부 일측에 형성되고, 상기 제 1 C링 내지 상기 제 2 C링의 상기 개방부에 결합되도록 하는 고정돌기가 마련되는 것을 특징으로 하는 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치.
KR1020150000244A 2015-01-02 2015-01-02 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치 KR101615140B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150000244A KR101615140B1 (ko) 2015-01-02 2015-01-02 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150000244A KR101615140B1 (ko) 2015-01-02 2015-01-02 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101615140B1 true KR101615140B1 (ko) 2016-05-11

Family

ID=56026312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150000244A KR101615140B1 (ko) 2015-01-02 2015-01-02 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101615140B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109037094A (zh) * 2017-06-08 2018-12-18 三星电子株式会社 基板处理装置和制造集成电路器件的装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109037094A (zh) * 2017-06-08 2018-12-18 三星电子株式会社 基板处理装置和制造集成电路器件的装置
CN109037094B (zh) * 2017-06-08 2023-07-25 三星电子株式会社 基板处理装置和制造集成电路器件的装置
US11887868B2 (en) 2017-06-08 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus and apparatus for manufacturing integrated circuit device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100936554B1 (ko) 반도체 처리 장치 및 방법
US11031262B2 (en) Loadlock integrated bevel etcher system
US7815767B2 (en) Plasma processing apparatus
CN107393848B (zh) 一种高密封度的气相腐蚀腔体
KR102510487B1 (ko) 정밀 온도 및 유동 제어를 갖는 다중 스테이션 챔버 덮개
JP7229061B2 (ja) 基板のエッチング装置及びエッチング方法
KR101615140B1 (ko) 오염원 차단가이드를 구비하는 기판처리장치
KR101922811B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220061234A (ko) 개선된 균일성을 위한 디더링 또는 동적 오프셋들
US20210151299A1 (en) Baffle unit and substrate processing apparatus including the same
CN114664622A (zh) 一种等离子体处理装置及调节方法
JP4418486B2 (ja) ウエット処理装置
KR20070060305A (ko) 기판 지지부재 및 이를 구비하는 반도체 제조 장치
CN218241781U (zh) 基板处理装置
US11749549B2 (en) Substrate processing apparatus with an air curtain in a loading/unloading part
KR100752148B1 (ko) 기판 처리 설비
CN117501425A (zh) 对称半导体处理腔室
CN116547408A (zh) 用于大腔室净化控制的自对准净化环
KR20230166287A (ko) 기판 처리 장치
KR20230001230A (ko) 기판 처리 장치
CN114807906A (zh) 一种原子层沉积设备
CN114203506A (zh) 一种等离子体处理装置及其方法
WO2020156659A1 (en) Method for cleaning a vacuum system, method for vacuum processing of a substrate, and apparatus for vacuum processing a substrate
KR20060035824A (ko) 종형확산로
KR20050015171A (ko) 반도체 소자 제조에 사용되는 화학기상 증착장비

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190404

Year of fee payment: 4