KR102622983B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR102622983B1
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Abstract

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 제공하며, 처리 공간 내부의 온도를 승온시키기 위한 챔버 히터를 포함하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지부와; 상기 기판의 하면과 접촉하여 상기 기판의 하면을 가열하는 기판 가열 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
집적회로 소자의 디자인 룰(design rule)이 감소함에 따라 반도체 소자의 임계 치수(critical dimension)가 약 20nm 내지 30nm 또는 그 미만으로 감소하게 되고, 그에 따라 약 5 이상의 비교적 큰 종횡비(aspect ratio)를 갖는 깊고 좁은 패턴을 형성하기 위한 공정 및 이에 수반되는 세정 및 건조 공정들이 요구되고 있다. 이와 같이 큰 종횡비를 갖는 구조물이 형성된 기판에 대하여 소정의 처리 공정, 예를 들면 식각, 세정, 건조 등의 처리 공정을 행하는 데 있어서, 초임계 유체를 이용하는 방법들이 제안되었다.
초임계 유체를 이용한 건조 방법에 있어서, 공정 챔버의 내부가 IPA(이소프로필알코올)과 CO2(이산화탄소)의 단일상을 이룰 수 있는 고온 및 고압의 조건을 만족하게 되면 기판(예컨대, 웨이퍼) 위에 액막을 형성한 IPA가 표면부터 서서히 반응하면서 건조가 일어난다.
종래 기술에 의하면, 기판에 직접 열원이 가해지지 않고 고온의 CO2가 주입되면서 온도가 올라가며 초임계 상으로 변하게 되는데 이때, 반응시간이 충분하지 않거나 공급되는 CO2 양이 부족하다면 기판 위의 IPA가 모두 치환되지 못하고 남아 건조 불량이 발생할 수도 있다
또한, 종래 기술에 의하면, 공정 챔버에서 상온의 IPA를 기판 위에 액막을 형성시킨 후 공정 챔버 내부로 투입하게 된다. 이때, 공정 챔버에 투입된 기판은 기판을 지지하는 지지대에 안착되었다가 공정을 시작하기 위하여 공정 챔버를 폐쇄하게 되면 지지대 위에 그대로 위치하거나, 공정 챔버 하부에 장착되어 있는 구조물의 핀 위에 안착된다. 기판은 공정 챔버 상부와, 공정 챔버 하부에 장착되어 있는 상기 구조물의 상부 표면과 일정 간격을 두고 떨어져 있게 되어 열원으로부터 직접적인 열을 받지 않는 상태로 유지된다. IPA와 CO2의 혼합 유체가 단일상이 되기 위해서는 80℃, 108bar 이상이 되어야 하는데, 기판 위에 액막으로 형성된 상온의 IPA는 직접적인 열을 받지 못하기 때문에 온도가 상승하는데 많은 시간이 소요된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 건조 처리하는데 있어서 리닝 현상을 보다 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는데 있어서 건조방지액의 온도를 보다 빠르게 상승시켜 초임계 상에 도달하는 시간을 감소시키고, UPEH(Unit Per Equipment Hour)를 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 높은 종횡비를 갖는 패턴을 갖는 기판을 건조하는데 있어서, 건조방지액을 보다 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 제공하며, 처리 공간 내부의 온도를 승온시키기 위한 챔버 히터를 포함하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지부와; 상기 기판의 하면과 접촉하여 상기 기판의 하면을 가열하는 기판 가열 부재를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 초임계 유체를 이용하여 처리되는 상기 기판은 건조방지액으로 액막이 형성된 것이다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열 부재는 상기 건조방지액이 상기 기판의 표면과의 반응에서 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도로 상기 기판을 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열 부재는 상기 기판을 상기 건조방지액의 천이비등점(transition boiling point) 이상으로 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열 부재는 상기 기판을 110°C 이상으로 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 챔버 히터와 상기 가열 부재는 각각 독립적으로 제어 가능하다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열 부재는 기판의 전면에 상응하는 면적을 가질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 공정 챔버는, 상부 챔버와; 상기 상부 챔버와의 상하방향에 따른 상대적 이동에 의해 결합 가능하고, 상기 상부 챔버와 결합에 의해 밀폐 공간을 형성하는 하부 챔버의 조합으로 이루어지고; 상기 기판 지지부는 상기 상부 챔버에 결합되고, 상기 기판 가열 부재는 상기 하부 챔버에 결합된 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간 중에서 상기 기판의 하부에 위치하는 처리 공간으로 처리 유체를 공급하기 위한 제1 공급 라인과 연결되는 제1 공급 포트를 포함하고, 상기 기판 가열 부재는 상기 제1 공급 포트 및 상기 기판 지지부 사이에 배치되며 상기 제1 공급 포트로부터의 상기 초임계 유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열 부재는, 상기 내부에 기판 히터를 내장하고, 상기 기판 히터로부터 발생한 열로 상기 기판을 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 하부 챔버는 내부에 상기 기판 가열 부재를 가열하는 기판 히터를 포함하고, 상기 기판 가열 부재는 상기 기판 히터로부터 발생한 열을 전달받아 상기 기판을 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 하부 챔버는 스테인레스 재질로 제공된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 하부 챔버와 상기 기판 가열 부재는 설정 열전도율 이상을 갖는 소재로 연결된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열 부재는 스테인레스 재질로 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 실시 에에 따른 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 제공하며, 처리 공간 내부의 온도를 승온시키기 위한 챔버 히터를 포함하는 공정 챔버와; 상기 처리 공간에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지부와; 상기 기판 지지부로부터 상기 기판을 승하강시켜 상기 기판 지지부와 상기 기판을 접촉시키거나 상기 기판 지지부와 상기 기판을 이격시키는 리프트 핀을 포함하고, 상기 기판 지지부에 접촉한 상기 기판을 가열하는 기판 가열 부재를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 초임계 유체를 이용하여 처리되는 상기 기판은 건조방지액으로 액막이 형성된 것이고, 상기 기판 가열 부재는 상기 건조방지액이 상기 기판의 표면과의 반응에서 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도로 상기 기판을 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 챔버 히터와 상기 가열 부재는 각각 독립적으로 제어 가능하다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열 부재는 스테인레스 재질로 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 건조방지액으로 액막이 형성된 기판을 처리 공간 내부로 반입하는 단계; 상기 건조방지액이 상기 기판의 표면과의 반응에서 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도로 상기 기판을 가열하는 단계; 상기 기판에 초임계 유체를 공급하여 건조하는 단계를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 가열하는 단계는, 상기 처리 공간의 내부가 초임계 압력 이하일 때 진행될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 의하면, 기판을 건조 처리하는데 있어서 리닝 현상을 보다 개선할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는데 있어서 건조방지액의 온도를 보다 빠르게 상승시켜 초임계 상에 도달하는 시간을 감소시키고, UPEH(Unit Per Equipment Hour)를 개선할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 의하면, 높은 종횡비를 갖는 패턴을 갖는 기판을 건조하는데 있어서, 건조방지액을 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 계략적으로 도시한 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 공정이 수행되는 순서에 따라 장치가 제어된 상태를 도시하여 순서대로 나열한 것이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 처리되는 기판의 단면을 도시한 것이며, 도 4 및 도 5는 순서에 따라 기판이 처리되는 과정을 나타낸 것이다.
도 6은 기판 처리 장치를 통해 공정이 진행됨에 따른 처리 공간의 압력 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 계략적으로 도시한 도면이다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 기판 처리 장치와 이를 이용하여 기판을 처리하는 단계를 계략적으로 도시한 도면을 순서대로 나열한 것이다.
도 14는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 계략적으로 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 일 실시 예에 따른 방법을 나타낸 플로우 차트이다.
도 16은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 다른 실시 예에 따른 방법을 나타낸 플로우 차트이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 계략적으로 도시한 도면이다.
도 1 을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 웨이퍼와 같은 기판을 지지하고 초임계 유체를 이용하는 초임계 공정에 의해 상기 기판을 처리하기 위한 기판 처리 유닛(1000), 상기 초임계 유체를 생성하는 초임계 유체 생성기(200), 초임계 유체 생성기(200)로부터 상기 초임계 유체를 공정 챔버(110, 120)로 공급하기 위한 유체 공급부(300), 및 공정 챔버(100) 내로부터 상기 초임계 유체를 배출시키기 위한 유체 배출부(400)를 포함할 수 있다.
초임계 공정은 초임계 유체를 이용한 세정 공정, 건조 공정, 식각 공정 등을 포함할 수 있으며, 본 명세서에 따른 본 발명의 설명에 있어서는 대표적으로 건조 공정을 예시로 든다.
초임계 유체(supercritical fluid)는 기체와 같은 확산성과 점도 및 표면장력을 가지며 액체와 같은 용해성을 갖는 임계점 이상의 온도 및 압력을 갖는 물질일 수 있다. 예를 들면, 초임계 유체는 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O)등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판 처리 유닛(1000)은 공정 챔버(110, 120), 기판 지지부(130), 제1 공급 포트(122), 제2 공급 포트(112) 및 배기 포트(124)를 포함할 수 있다. 기판 처리 유닛(1000)은 린스 공정이 완료된 기판(W)을 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 건조할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 처리 유체는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다.
공정 챔버(110, 120)는 기판을 건조하기 위한 처리 공간(102, 104)을 제공할 수 있다. 처리 공간(!02, 104)은 공정 영역(102) 및 버퍼 영역(104)을 포함할 수 있다. 공정 영역(102)은 기판 상의 패턴면이 위치되는 영역이고, 버퍼 영역(104)은 기판 하부에 있는 영역일 수 있다.
공정 챔버(110, 120)는 상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120)를 포함할 수 있다. 상부 챔버(110)는 상부벽 및 제1 측벽을 포함할 수 있다. 상부 챔버(110)의 상부벽은 공정 챔버의 상부벽으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(110)의 제1 측벽은 공정 챔버의 측벽 일부로 제공될 수 있다. 하부 챔버(120)는 하부벽 및 제2 측벽을 포함할 수 있다. 하부 챔버(120)의 하부벽은 공정 챔버의 하부벽으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(120)의 제2 측벽은 공정 챔버의 측벽 일부로 제공될 수 있다.
상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120)는 구동 메커니즘(미도시)에 의해 상대적으로 이동함으로써, 공정 챔버(110, 120)를 밀폐시키는 폐쇄 위치와 공정 챔버(110, 120)를 개방시키는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 서로 맞물려 결합할 수 있다. 예를 들면, 상부 챔버(110) 및 하부 챔버(120) 중에서 적어도 어느 하나는 승강 로드를 따라 상하 이동하여 서로 결합되거나 분리될 수 있다. 공정 챔버(110, 120)의 개방 위치에서, 기판이 로딩 또는 언로딩될 수 있다. 공정 챔버(110, 120)의 폐쇄 위치에서, 기판의 초임계 건조 공정이 수행될 수 있다.
기판 지지부(130)는 공정 챔버(110, 120) 내에 배치되며 기판이 공정 챔버(110, 120) 내로 로딩될 때 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(130)는 공정 챔버(110, 120)의 개방 위치에서 기판(W)이 공정 챔버(110, 120) 내로 로딩 또는 언로딩될 때 기판을 지지할 수 있다. 또한, 기판 지지부(130)는 기판이 공정 챔버 공정 챔버(110, 120) 내에서 처리될 때 기판을 지지할 수 있다.
기판 지지부(130)는 상부 챔버(110)의 상부벽으로부터 하부로 연장하는 제1 수직 로드(132, 도 2 참조) 및 제1 수직 로드(132)의 일단부로부터 수평 방향으로 연장하는 제1 수평 로드(134, 도 2 참조)를 포함할 수 있다. 또한, 기판 지지부(130)는 제1 수평 로드(132) 상에서 돌출하며 기판의 가장자리 영역과 접촉 지지하는 적어도 하나의 제1 지지 돌출부(미도시)를 포함할 수 있다. 2개의 기판 지지부(130)은 기판의 직경에 대응하는 거리만큼 서로 이격 배치된다. 따라서, 기판 지지부(130)는 기판의 가장자리 영역을 지지할 수 있다.
기판 처리 유닛(1000)은 하부 챔버(120)의 하부벽 및 기판 지지부(130) 사이에 배치되는 기판 가열 부재(140)를 포함할 수 있다. 기판 가열 부재(140)는 후술하여 상세하게 설명하듯이 기판 지지부(130)에 지지된 기판의 하면과 직접 접촉하여 기판을 직접 가열한다. 기판 가열 부재(140)는 기판의 전면에 상응하는 면적을 갖는다. 바람직하게는 기판 가열 부재(140)는 평면에서 바라볼 때 원형으로 제공된다.
기판 가열 부재(140)는 하부 챔버(120)의 하부벽으로부터 기 설정된 거리만큼 이격되도록 설치될 수 있다. 기판 가열 부재(140)는 지지 로드(142)에 의해 하부 챔버(120)의 하부벽 상에 고정될 수 있다. 기판 가열 부재(140)는 버퍼 영역(104) 내에서 소정의 공간을 차지하는 소정 두께의 플레이트를 포함할 수 있다. 기판 가열 부재(140)는 제1 공급 포트(122)로부터의 초임계 유체가 기판(W)의 후면에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다.
또한, 버퍼 영역(104)의 부피는 기판 가열 부재(140)에 의해 감소될 수 있다. 버퍼 영역(104)의 부피는 공정 영역(102)의 부피보다 더 작을 수 있다. 따라서, 상대적으로 기판(W) 하부의 버퍼 영역(104)에 존재하는 처리 유체의 양은 기판(W) 상부의 공정 영역(102)에 존재하는 처리 유체의 양보다 더 적을 수 있다. 기판 가열 부재(140)는 건조 공정에 사용되는 처리 유체의 양을 감소시키면서도 공정 성능을 유지하기 위해 기판(W) 하부의 버퍼 공간 내에 구조물을 배치함으로써 버퍼 공간을 감소시킴으로써 공정 시간을 감소시킬 수 있다.
또한, 기판 가열 부재(140)와 하부 챔버(120)의 하부벽 사이에 공간을 두어 상기 고압 공정 챔버 내부의 유체의 흐름의 방향을 조절할 수 있다.
처리 유체가 초임계 유체 생성기(200) 내에서 높은 압력으로 저장되어 있다가, 유체 공급부(300)의 배관들(L1,　L11,　L12) 및 밸브들(310,　330,　332)을 거치면서 건조 공정 챔버로 도입되는 과정 중 밸브들(310,　330,　332) 및 배관 연결 부위에서 압력 저하로 인한 냉각 현상이 발생하고, 이 과정 중 액화 혹은 고체화되어 기판에 입자상의 오염으로 남거나 타 불순물들이 고체화를 유발할 수 있어 온도를 임계점 이상으로 유지해 주는 것이 중요하며, 가압 속도가 증가될 경우 단순 배관의 온도를 유지하는 것만으로는 기체 혹은 초임계 상의 용매에 충분한 열전달이 부족해 추가적인 열교환기(351,　352,　354)(또는 온도 조절 재킷)를 통해 초임계 유체 생성기(200)에서 건조 공정 챔버(100)로 이동 중에 상변화를 최소화하고 온도에 의한 밀도 변화를 감소시켜 가압 및 감압 시간 제어를 용이하게 할 수 있다.
제1 공급 포트(122)는 하부 챔버(120)에 설치될 수 있다. 제1 공급 포트(122)는 하부 챔버(120)의 하부벽에 위치할 수 있다. 처리 유체는 제1 공급 포트(122)를 통해 기판(W)의 하부에 위치하는 버퍼 영역(104)으로 공급될 수 있다.
제2 공급 포트(112)는 상부 챔버(110)에 설치될 수 있다. 제2 공급 포트(112)는 상부 챔버(110)의 상부벽의 중심 영역에 위치할 수 있다. 처리 유체는 제2 공급 포트(112)를 통해 기판(W)의 상부에 위치하는 공정 영역(102)으로 공급될 수 있다.
배기 포트(124)는 하부 챔버(120)에 설치될 수 있다. 배기 포트(124)는 제1 공급 포트(122)와 인접하게 하부 챔버(120)의 상기 하부벽에 위치할 수 있다. 배기 포트(124)는 배기 라인(L2)에 연결된다. 배기 라인(L2)에는 배기 밸브(410)가 설치된다. 배기 포트(124)는 초임계 유체 공정에서 이용된 유체를 공정 챔버의 처리 공간으로부터 배출할 수 있다. 배출된 처리 유체는 약액이 용해되어 있을 수 있다. 배기 포트(124)로부터 배출된 처리 유체는 드레인되거나, 재생 장치(미도시)로 공급되어 초임계 유체와 유기 용제로 분리될 수 있다.
기판 처리 유닛(1000)은 상부 챔버(110)의 상부벽, 측벽 및 하부 챔버(120)의 하부벽, 측벽 중 적어도 어느 하나에 구비되는 히터를 포함할 수 있다. 히터는 공정 챔버 내부에 공급된 처리 유체가 임계 온도 이상으로 유지되도록 공정 챔버 내부를 가열할 수 있다. 예를 들면, 히터는 상부 챔버(110)에 구비된 제1 히터(116)를 포함하고 하부 챔버(120)에 구비된 제2 히터(126)을 포함할 수 있다.
또한, 기판 처리 유닛(1000)은 하부 챔버(120)에 기판 히터(145)를 포함한다. 기판 히터(145)는 기판 가열 부재(140)와 연결되는 지지 로드(142)와 인접하게 제공되는 것이 바람직하다. 기판 히터(145)는 가열되어 지지 로드(142)를 통해 열을 기판 가열 부재(140)로 전달한다. 기판 가열 부재(140)는 반입된 기판의 하면과 접촉하여 기판의 하면을 직접적으로 가열한다. 기판 처리 유닛(1000)에 반입되어 처리되는 기판은 상면에 해당하는 패턴면에 건조방지액으로 액막을 형성한 것이며, 기판 가열 부재(140)는 건조방지액이 기판의 표면과의 반응에서 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도로 기판을 가열한다.
제1 히터(116)와 제2 히터(126)와 기판 히터(145)는 각각 독립적으로 제어될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 제1 히터(116)는 제1 전원 라인(117c)에 의해 제1 전원(117a)과 연결될 수 있다. 제1 전원 라인(117c)에는 제1 히터(116)의 동작을 제어할 수 있는 제1 스위치(117b)가 설치될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 제2 히터(136)는 제2 전원 라인(127c)에 의해 제2 전원(127a)과 연결될 수 있다. 제2 전원 라인(127c)에는 제2 히터(126)의 동작을 제어할 수 있는 제2 스위치(127b)가 설치될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 기판 히터(145)는 제3 전원 라인(147c)에 의해 제3 전원(147a)과 연결될 수 있다. 제3 전원 라인(147c)에는 기판 히터(145)의 동작을 제어할 수 있는 제3 스위치(147b)가 설치될 수 있다. 도시하지 않았으나, 제1 히터(116)와 제2 히터(126)와 기판 히터(145)의 온도를 독립적으로 제어할 수 있는 온도 제어 장치가 제공될 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 공정이 수행되는 순서에 따라 장치가 제어된 상태를 도시하여 순서대로 나열한 것이다. 도 2 및 도 3을 순서대로 참조하여, 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 공정이 수행하는 방법을 설명한다.
도 2를 참조하면, 상부 챔버(110)와 하부 챔버(120)가 서로 이격됨으로써 공정 챔버(110, 120)가 개방되고, 개방된 공정 챔버(110, 120)의 내부로 반송 로봇(미도시)이 기판의 상면에 해당하는 패턴면에 유기 용제(S)로 액막이 형성된 기판(W)을 반입한다. 일 실시 예에 있어서 유기 용제(S)는 IPA일 수 있다. 반입된 기판(W)은 기판 지지부(130)에 지지된다. 이때, 제1 히터(116)와 제2 히터(126)와 기판 히터(145)는 가열되도록 스위치가 ON상태로 제공될 수 있다. 기판 히터(145)는 반입된 기판(W)과 접촉할 때, 기판(W)을 순간적으로 건조방지액이 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도인, 건조방지액의 천이비등점(transition boiling point) 이상으로 가열하도록 가열 부재(140)를 가열한다. 일 실시 예에 있어서, 유기 용제(S)가 IPA인 경우 기판 가열 부재(140)는 기판(W)을 110°C 이상으로 가열한다. 보다 바람직하게는 기판 가열 부재(140)는 기판(W)을 120°C 이상으로 가열한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 가열 부재(140)는 기판(W)을 300°C가 넘지 않도록 가열하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3을 참조하면, 기판(W)이 반입되면 상부 챔버(110)와 하부 챔버(120)가 서로 결합되면서 공정 챔버(110, 120)을 폐쇄한다. 공정 챔버(110, 120)의 폐쇄에 의해 가열 부재(140)와 기판(W)이 접촉하면서 순간적으로 기판(W)은 가열된다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 처리되는 기판의 단면을 도시한 것이며, 도 4 및 도 5는 순서에 따라 기판이 처리되는 과정을 나타낸 것이다. 도 4 및 도 5를 순서대로 참조하여, 기판(W)과 유기 용제(S)의 상태 변화를 설명한다.
도 4를 참조하면, 도 2의 상태에서와 같이 기판(W)과 기판 가열 부재(140)가 접촉하기 전 상태를 도시한다. 도 5는 도 3의 상태에서와 같이 기판(W)과 기판 가열 부재(140)가 접촉한 상태를 도시한다.
도 3의 상태에서와 같이 기판(W)과 기판 가열 부재(140)가 접촉함에 따라, 기판(W)이 순간적으로 가열되면 유기 용제(S)로 제공된 IPA는 순간적으로 증발되게 되면서, 라이덴프로스트 효과가 발생한다. 이때, 기판(W)과 IPA의 사이에는 증기가 형성된다. 증기는 기층(Air layer)으로서, 기판(W)과 IPA를 분리하게 되고, 분리된 IPA는 공급된 초임계 유체와 함께 제거된다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 기판(W) 위에 잔류하는 IPA의 온도를 단시간에 올릴 수 있기 때문에 CO2와 IPA의 초임계 단일상에 진입하기까지 시간을 단축할 수 있어서 UPEH를 증가시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 기판(W)과 IPA가 분리되기 때문에 패턴(P)의 리닝현상을 개선할 수 있으며, 이에 따라 더 높은 종횡비를 갖는 패턴(P)이 형성된 기판을 건조할 수 있다. 다시 말해, 라이덴프로스트 효과에 의해 IPA 액와 기판(W) 사이에 얇은 증기막(기체막)이 생겨 고체인 기판(W)과 액체인 IPA액 간의 직접적인 접촉이 없는 상태에서 IPA액이 제거되게 되어 패턴(P)의 리닝 방지에 유리할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예와 같이, 상온의 IPA로 액막이 형성된 기판(W)을 공정 챔버(110, 120)에 투입하여 기판 가열 부재(140)를 통해 IPA 액막의 온도를 상승시킬 경우, 액 처리 챔버에서 초임계 처리를 위한 공정 챔버(110, 120)으로 이동하는 도중 증발이 일어나지 않고, 공정 챔버(110, 120)에 투입된 후에는 수 초 이내에 고압 상태로 만들어 IPA액을 증발할 수 없는 상태의 조건에서 IPA에 열에너지를 전달하여 빠르게 초임계 상에 도달할 수 있게 하여 UPEH 감소에 효과적이다.
도 6은 기판 처리 장치를 통해 공정이 진행됨에 따른 처리 공간의 압력 변화를 나타낸 그래프이다. 도 6을 참조하면, 공정 챔버(110, 120)이 닫힌 이후, 공정 챔버(110, 120)의 처리 공간(102, 104)으로 초임계 유체를 공급함으로써, 처리 공간(102, 104)의 내부는 기본 압력(P0; 예컨대, 상압)에서 서서히 공정 압력(P1)으로 증가시키는 승압 단계(I)를 진행한다. 공정 압력(P1)은 공급되는 처리 유체(예컨대, 이산화탄소)의 초임계 압력(Pcr) 보다 높은 압력이다. 내부 압력이 공정 압력(P1)에 도달하면, 혼합된 액상의 유기 용매(S)를 제거하기 위한 치환 단계, 즉, 건조 단계(II)를 진행하고 이후, 및 처리 공간 내부를 다시 상압으로 감압하는 배기 단계(III)를 진행한다. 기판(W)을 기판 가열 부재(140)와 접촉시켜 기판(W)을 순간적으로 가열함으로써 라이덴프로스트 효과를 일으키는 단계는 승압 단계(I) 중 처리 유체가 초임계 압력(Pcr)에 도달하기 전 구간(I-A)에서 진행하는 것이 효과적이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(20)를 계략적으로 도시한 도면이다. 제2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(20)와 기판 처리 유닛(2000)은 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)과 상이한 부분을 설명하고, 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)과 동일하거나 유사한 부분은 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)에 대한 설명으로 대체한다.
도 7을 참조하면, 기판 히터(2147)는 기판 가열 부재(140)의 내부에 내장된다. 내장된 기판 히터(2147)는 기판 가열 부재(140)를 직접적으로 가열함으로써, 기판(W) 가열 효과를 높일 수 있다. 이때, 제3 전원 라인(147c)은 지지 로드(142)를 통해 기판 가열 부재(140) 내부의 기판 히터(2147)과 연결될 수 있다. 제2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(2000)를 이용한 기판(W)의 처리 단계는 제1 실시 예에 따른 기판 처리 유닛(1000)이 적용된 기판 처리 장치(10) 이용한 기판(W)의 처리 단계와 동일 또는 유사함에 따라 설명을 생략한다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 기판 처리 장치와 이를 이용하여 기판을 처리하는 단계를 계략적으로 도시한 도면을 순서대로 나열한 것이다. 도 8 내지 도 13에 도시된 제3 실시 예에 따른 기판 처리 장치(30) 및 기판 처리 유닛(3000)은 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)과 상이한 부분을 설명하고, 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)과 동일하거나 유사한 부분은 제1 실시 예 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)에 대한 설명으로 대체한다.
기판 처리 장치(30)는 기판 처리 유닛(3000)을 포함한다. 기판 처리 유닛(3000)은 상부 챔버(3100)와 하부 챔버(3120)를 포함한다. 상부 챔버(3110)는 상부벽 및 제1 측벽을 포함할 수 있다. 상부 챔버(3110)의 상부벽은 공정 챔버의 상부벽으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(3110)의 제1 측벽은 공정 챔버의 측벽 일부로 제공될 수 있다. 하부 챔버(3120)는 하부벽을 포함할 수 있다. 하부 챔버(120)의 하부벽은 기판 지지부(3130)이자, 기판 가열 부재(3140)로 기능한다.
상부 챔버(3110) 및 하부 챔버(3120)는 구동 메커니즘(3160)에 의해 상대적으로 이동함으로써, 공정 챔버(3110, 3120)를 밀폐시키는 폐쇄 위치와 공정 챔버(3110, 3120)를 개방시키는 개방 위치 사이를 전환 가능하도록 서로 맞물려 결합할 수 있다. 예를 들면, 상부 챔버(3110) 및 하부 챔버(3120) 중에서 적어도 어느 하나는 승강 로드(3162)를 따라 상하 이동하여 서로 결합되거나 분리될 수 있다. 공정 챔버(3110, 3120)의 개방 위치에서, 기판이 로딩 또는 언로딩될 수 있다. 공정 챔버(3110, 3120)의 폐쇄 위치에서, 기판의 초임계 건조 공정이 수행될 수 있다.
기판 지지부(3130)는 기판이 공정 챔버(110, 120) 내로 로딩될 때 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(3130)는 공정 챔버(3110, 3120)의 개방 위치에서 기판(W)이 공정 챔버(3110, 3120) 내로 로딩 또는 언로딩될 때 기판을 지지할 수 있다. 또한, 기판 지지부(3130)는 기판이 공정 챔버 공정 챔버(3110, 3120) 내에서 처리될 때 기판을 지지할 수 있다.
기판 지지부(3130)는 하부 챔버(3120)의 하부벽이 돌출된 형태로 제공될 수 있다. 다만, 이는 일 실시 예일 뿐, 기판 지지부(3130)는 하부 챔버(3120)와 별도의 구성으로 제공되어 하부 챔버(3120)와 결합될 수 있다.
기판 지지부(3130)는 리프트 핀(3135)을 포함한다. 리프트 핀(3135)은 승하강 가능하게 제공된다. 리프트 핀(3135)은 리프트 핀(3135)의 승하강에 의해, 기판 지지부(3130)로부터 기판(W)을 승하강시켜 기판 지지부(3130)와 기판(W)을 접촉시키거나 기판 지지부(3130)와 기판(W)을 이격시킨다. 반송 로봇(미도시)이 기판(W)을 공정 챔버(3110, 3120)의 내부로 반입하기 위해 진입할 때, 리프트 핀(3135)이 상승한다. 그리고 기판(W)이 기판 지지부(3130)에 로딩될 때, 리프트 핀(3135)이 하강한다.
기판 지지부(3130)는 기판 가열 부재(3140)로 기능할 수 있다. 기판 지지부(3130)는 기판 가열 부재(3140)로 기능하기 위하여 기판 히터(3145)를 내장한다. 기판 가열 부재(3140)는 리프트 핀(3135)에 의해 하강되어 기판 지지부(3130)와 접촉한 기판(W)을 직접 가열한다. 기판 가열 부재(3140)는 기판(W)의 전면에 상응하는 면적을 갖는다. 바람직하게는 기판 가열 부재(3140)는 평면에서 바라볼 때 원형으로 제공된다. 제3 실시 예에 있어서, 기판 가열 부재(3140)인 기판 지지부(3130)는 기판(W)의 직경보다 크게 제공될 수 있다. 기판 처리 유닛(3000)에 반입되어 처리되는 기판(W)은 상면에 해당하는 패턴면에 건조방지액으로 액막이 형성된 것이며, 기판 가열 부재(3140)는 건조방지액이 기판의 표면과의 반응에서 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도로 기판(W)을 가열한다.
제1 공급 포트(3122)는 하부 챔버(3120)에 설치될 수 있다. 제1 공급 포트(3122)는 하부 챔버(3120)의 하부벽에 위치할 수 있다. 보다 상세하게 제1 공급 포트(3122)는 하부 챔버(3120)에서 기판 지지부(3130)가 제공되는 위치를 피하여 제공될 수 있다. 처리 유체는 제1 공급 포트(3122)를 통해 기판(W)의 하부에 위치하는 공정 영역(3102)으로 공급될 수 있다.
제2 공급 포트(3112)는 상부 챔버(3110)에 설치될 수 있다. 제2 공급 포트(3112)는 상부 챔버(3110)의 상부벽의 중심 영역에 위치할 수 있다. 처리 유체는 제2 공급 포트(3112)를 통해 기판(W)의 상부에 위치하는 공정 영역(3102)으로 공급될 수 있다.
배기 포트(3124)는 하부 챔버(3120)에 설치될 수 있다. 배기 포트(3124)는 하부 챔버(3120)의 하부벽에 위치할 수 있다. 보다 상세하게 배기 포트(3124)는 하부 챔버(3120)에서 기판 지지부(3130)가 제공되는 위치를 피하여 제공될 수 있다. 제1 공급 포트(3122)와 배기 포트(3124)는 기판 지지부(3130)를 기준으로 서로 대향되는 위치에 제공될 수 있다. 배기 포트(3124)는 초임계 유체 공정에서 이용된 유체를 공정 챔버의 처리 공간으로부터 배출할 수 있다. 배출된 처리 유체는 약액이 용해되어 있을 수 있다. 배기 포트(3124)로부터 배출된 처리 유체는 드레인되거나, 재생 장치(미도시)로 공급되어 초임계 유체와 유기 용제로 분리될 수 있다.
기판 처리 유닛(3000)은 상부 챔버(3110)의 상부벽, 측벽 및 하부 챔버(3120)의 하부벽 중 적어도 어느 하나에 구비되는 히터를 포함할 수 있다. 히터는 공정 챔버 내부에 공급된 처리 유체가 임계 온도 이상으로 유지되도록 공정 챔버 내부를 가열할 수 있다. 예를 들면, 히터는 상부 챔버(3110)에 구비된 제1 히터(3116)를 포함하고 하부 챔버(3120)에 구비된 제2 히터(3126)을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 리프트 핀(3135)이 상승된 상태에서 반송 로봇(미도시)이 진입하여 상부에 유기 용제(S)로 액막을 형성한 기판(W)을 반입한다. 도 8은 기판(W)이 반입된 상태를 도시한다.
도 9를 참조하면, 리프트 핀(3135)이 하강하여 기판(W)과 기판 가열 부재(3140)가 접촉한다. 도 10을 참조하면, 공정 챔버(3110, 3120)도 페쇄 위치로 된다. 도 9에 도시된 단계와 도 10에 도시된 단계는 변경될 수 있다. 기판(W)과 기판 가열 부재(3140)의 접촉에 의해 기판(W)이 순간적으로 가열되면 유기 용제(S)로 제공된 IPA는 순간적으로 증발되게 되면서, 라이덴프로스트 효과가 발생한다.
도 11을 참조하면, 밸브(332)를 개방하여 제1 공급 포트(3122)로부터 공정 영역(3102)으로 초임계 유체를 공급한다. 공정 영역(3102)에 소정 압력이 채워지면, 도 12와 같이 밸브(330)를 개방하여 제2 공급 포트(3112)를 통해 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리한다.
기판(W)에 대한 처리가 완료되면, 도 14와 같이, 배기 라인(L2)의 배기 밸브(410)을 개방하여 내부 분위기를 배기한다.
도 14는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 계략적으로 도시한 도면이다. 제4 실시 예에 따른 기판 처리 장치(40) 및 기판 처리 유닛(4000)은 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)과 상이한 부분을 설명하고, 제1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)과 동일하거나 유사한 부분은 제1 실시 예 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 유닛(1000)에 대한 설명으로 대체한다. 기판 처리 유닛(4000)의 기판 가열 부재(140)는 승강 로드(4142)에 의해 결합된다. 승강 로드(4142)는 승강판(4141)에 결합되며, 승강판(4141)은 구동기(4419)에 결합되어 승하강 가능하게 제공된다. 기판 가열 부재(140)의 기판 히터(2147)는 기판 가열 부재(140)을 가열하여 지지되는 기판(W)을 가열한다.
도 15는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 일 실시 예에 따른 방법을 나타낸 플로우 차트이다. 도 15를 참조하면, 공정 챔버(110, 120)가 개방되고(S110), 기판(W)을 반입한다(S120). 기판(W)이 반입된 후에 공정 챔버(110, 120)을 폐쇄한다(S130). 그리고 제1 공급 포트(122) 또는 제2 공급 포트(112)를 통해 초임계 유체를 공정 챔버(110, 120)의 내부로 주입하기 시작한다(S140). 공정 챔버(110, 120)의 내부 압력이 처리 유체의 초임계 압력에 도달하기 전에 기판 가열 부재(140)와 기판(W)을 접촉시켜, 유기 용제(W)에 대하여 라이덴프로스트 효과를 일으킨다(S150). 그리고 지속적인 초임계 유체의 주입을 통해 공정 챔버(110, 120)의 내부 압력이 공정 압력에 도달하면 초임계 유체를 이용한 기판의 공정 처리를 진행한다. 공정 처리의 진행 이후에 초임계 유체를 배출한다(S160). 초임계 유체가 배출되고 공정 챔버(110, 120)의 내부가 상압으로 돌아오면, 공정 챔버(110, 120)을 개방하고(S170), 기판(W)을 반출한다(S180).
도 16은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 다른 실시 예에 따른 방법을 나타낸 플로우 차트이다. 도 16을 참조하면, 공정 챔버(110, 120)가 개방되고(S210), 기판(W)을 반입한다(S220). 기판(W)이 반입된 후에 공정 챔버(110, 120)을 폐쇄한다(S230). 그리고 공정 챔버(110, 120)의 기판 가열 부재(140)와 기판(W)을 접촉시켜, 유기 용제(W)에 대하여 라이덴프로스트 효과를 일으킨다(S240). 제1 공급 포트(122) 또는 제2 공급 포트(112)를 통해 초임계 유체를 공정 챔버(110, 120)의 내부로 주입하기 시작한다(S250). 그리고 지속적인 초임계 유체의 주입을 통해 공정 챔버(110, 120)의 내부 압력이 공정 압력에 도달하면 초임계 유체를 이용한 기판의 공정 처리를 진행한다. 공정 처리의 진행 이후에 초임계 유체를 배출한다(S260). 초임계 유체가 배출되고 공정 챔버(110, 120)의 내부가 상압으로 돌아오면, 공정 챔버(110, 120)을 개방하고(S270), 기판(W)을 반출한다(S280).
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 제공하며, 상기 처리 공간 내부의 온도를 승온시키기 위한 챔버 히터를 포함하는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지부와;
    상기 기판의 하면과 접촉하여 상기 기판의 하면을 가열하는 기판 가열 부재를 포함하고,
    상기 공정 챔버는,
    상기 처리 공간 중에서 상기 기판의 하부에 위치하는 처리 공간으로 처리 유체를 공급하기 위한 제1 공급 라인과 연결되는 제1 공급 포트를 포함하며,
    상기 기판 가열 부재는,
    상기 제1 공급 포트 및 상기 기판 지지부 사이에 배치되며 상기 제1 공급 포트로부터의 상기 초임계 유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    초임계 유체를 이용하여 처리되는 상기 기판은 건조방지액으로 액막이 형성된 것인 기판 처리 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 기판 가열 부재는 상기 건조방지액이 상기 기판의 표면과의 반응에서 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도로 상기 기판을 가열하는 기판 처리 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 기판 가열 부재는 상기 기판을 상기 건조방지액의 천이비등점(transition boiling point) 이상으로 가열하는 기판 처리 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 기판 가열 부재는 상기 기판을 110°C 이상으로 가열하는 기판 처리 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 히터와 상기 가열 부재는 각각 독립적으로 제어 가능한 기판 처리 장치.
  7. 제1 항에 있어서,상기 기판 가열 부재는 기판의 전면에 상응하는 면적을 갖는 기판 처리 장치.
  8. 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 제공하며, 상기 처리 공간 내부의 온도를 승온시키기 위한 챔버 히터를 포함하는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지부와;
    상기 기판의 하면과 접촉하여 상기 기판의 하면을 가열하는 기판 가열 부재를 포함하고,
    상기 공정 챔버는,
    상부 챔버와;
    상기 상부 챔버와의 상하방향에 따른 상대적 이동에 의해 결합 가능하고, 상기 상부 챔버와 결합에 의해 밀폐 공간을 형성하는 하부 챔버의 조합으로 이루어지고;
    상기 기판 지지부는,
    상기 상부 챔버에 결합되고,
    상기 기판 가열 부재는,
    상기 하부 챔버에 결합되는 기판 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 가열 부재는,
    상기 내부에 기판 히터를 내장하고,
    상기 기판 히터로부터 발생한 열로 상기 기판을 가열하는 기판 처리 장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 하부 챔버는,
    내부에 상기 기판 가열 부재를 가열하는 기판 히터를 포함하고,
    상기 기판 가열 부재는,
    상기 기판 히터로부터 발생한 열을 전달받아 상기 기판을 가열하는 기판 처리 장치.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 하부 챔버는,
    스테인레스 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 하부 챔버와 상기 기판 가열 부재는,
    설정 열전도율 이상을 갖는 소재로 연결되는 기판 처리 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 가열 부재는 스테인레스 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제1항 또는 제 8항의 기판 처리 장치를 이용하여 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    건조방지액으로 액막이 형성된 기판을 처리 공간 내부로 반입하는 단계;
    상기 건조방지액이 상기 기판의 표면과의 반응에서 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)를 일으키는 온도로 상기 기판을 가열하는 단계; 및
    상기 기판에 초임계 유체를 공급하여 건조하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 단계는,
    상기 처리 공간의 내부가 초임계 압력 이하일 때 진행되는 기판 처리 방법.
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