KR102480392B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛; 그리고, 제1바디와 제2바디가 서로 밀착되는 위치에서 처리 공간을 외부로부터 밀폐하도록 제1바디와 제2바디의 사이에 위치되는 실링 부재를 포함하고, 실링 부재는, 처리 공간을 향하는 내측면에 절곡부가 형성되며, 절곡부는 처리 공간이 밀폐된 상태에서 처리 공간과 통하도록 제공될 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 처리 공정이 진행되는 챔버 내부의 압력을 유지하는 실링 부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 세정 공정, 건조 고정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.
각 공정은 제품의 수율 및 신뢰성에 악역향을 미치는 파티클, 금속 불순물, 유기물 등에 의한 기판의 오염을 방지하기 위해, 밀폐된 공정 챔버 내에서 이루어진다. 공정 챔버 내에서 각 공정이 원활히 이루어지기 위해서는 각각의 공정에 적합한 온도와 압력 등의 환경 조성이 요구된다.
일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.
기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.
초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고, 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다. 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다.
도 1은 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 장치(2)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 공정에서는, 기판(W)이 놓이는 처리 공간(5) 내부의 압력을 유지하기 위해 상부 챔버(3)와 하부 챔버(4)의 틈새를 메우는 실링 부재(6)가 이용된다. 처리 공간(5)을 가압할 때 챔버들(3,4)과 실링 부재(6)의 좁은 틈 사이로 이산화탄소에 의해 용해된 IPA가 유입된다. 이후에, 처리 공간(5)을 감압할 때 챔버들(3,4)과 실링 부재(6)의 틈 사이에서 IPA가 용출된다. IPA가 용출되면서 기판(W)의 리닝 현상을 발생시키는 문제가 있다. 또한, IPA가 포함하는 파티클이 처리 공간(5)으로 함께 유입되어 기판(W)을 오염시키는 문제가 있다.
본 발명은 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 기판에 리닝 현상이 발생하는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 처리 공간으로 파티클이 유입되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛; 그리고, 제1바디와 제2바디가 서로 밀착되는 위치에서 처리 공간을 외부로부터 밀폐하도록 제1바디와 제2바디의 사이에 위치되는 실링 부재를 포함하고, 실링 부재는, 처리 공간을 향하는 내측면에 절곡부는 처리 공간이 밀폐된 상태에서 처리 공간과 통하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 절곡부는 내측면의 하측부에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1바디는 제2바디의 상부에 위치하며, 실링 부재는 제2바디에 형성된 실링 홈에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제2바디의 측벽 상면은 내측 상면, 내측 상면의 끝단으로부터 아래로 연장된 제1측면, 제1측면의 하단으로부터 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 저면, 저면의 끝단으로부터 위로 연장되는 제2측면, 그리고 제2측면의 상단으로부터 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 외측 상면을 가지고, 제1측면, 저면, 그리고 제2측면은 실링 홈을 정의하며, 제1측면의 상단은 제2측면의 상단보다 낮게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1측면의 상단은 절곡부의 상단 보다 낮게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 실링 부재의 상면은 제2측면의 상단보다 높거나 같게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 실링 부재는, 공정 진행 시 처리 공간의 압력에 의해 외측면의 상부에 위치한 상면부가 제1바디에 밀착되고 외측면의 측부에 위치한 측면부가 제2바디에 밀착될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 실링 부재는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 상면에 유기용제가 잔류한 기판을 처리 공간으로 반입하고, 제1바디와 제2바디가 밀착된 상태에서 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하여 기판으로부터 유기용제를 제거할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 기판에 리닝 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 처리 공간으로 파티클이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 기판 건조 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 실링 부재의 단면도와 사시도를 나타낸다.
도 7 내지 도 8은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.
용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.
반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 유닛(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.
컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.
지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.
척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.
일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다.
일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.
제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.
승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 4는 도 2의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다.
초임계 장치(500)는 공정 챔버(520), 지지 장치(580), 유체 공급유닛(560), 배기 라인(550) 그리고 실링 부재(600)를 포함한다.
공정 챔버(520)는 초임계 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 공정 챔버(520)는 제1바디(522)와 제2바디(524)을 가지며, 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 일 예에서, 제1바디(522)은 제2바디(524)의 상부에 제공된다.
구동부재(590)는 공정 챔버(520)가 개방 위치 또는 닫힘 위치로 이동되도록 제1바디(522) 및 제2바디(524) 중 어느 하나를 승하강시킨다. 일 예에서, 구동부재(590)은 실린더로 제공될 수 있다. 여기서 개방 위치는 제1바디(522) 및 제2바디(524)가 서로 이격되는 위치이고, 닫힘 위치는 서로 마주하는 제1바디(522) 및 제2바디(524)의 밀착면이 서로 밀착되는 위치이다. 즉 개방 위치에서 처리 공간(502)은 외부로부터 개방되고, 닫힘 위치에서 처리 공간(502)이 닫혀진다. 일 예에서, 제2바디(524)는 그 위치가 고정되고, 제1바디(522)가 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다.
제1바디(522)가 제2바디(524)으로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다.
공정 진행시에는 제1바디(522)와 제2바디(524)가 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정 챔버(520)의 벽 내부에는 히터(570)가 제공된다. 히터(570)는 공정 챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)을 가열한다. 처리 공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.
지지 장치(580)는 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 장치(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 장치(580)에 의해 지지된다.
유체 공급유닛(560)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 기판 처리를 위한 초임계 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564) 그리고 하부 공급 라인(566)을 가진다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 일 예에 의하면, 상부 공급 라인(564)은 제1바디(522)의 중앙에 결합되고, 하부 공급 라인(566)은 제2바디(524)의 중앙에 결합될 수 있다. 또한, 제2바디(524)에는 배기 라인이 결합된다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인을 통해서 공정 챔버(520)의 외부로 배기된다.
이하, 도 5 내지 도 6을 참조하여 실링 부재(600)에 대해 설명한다. 도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 실링 부재(600)의 단면도와 사시도를 나타낸다.
닫힘 위치에서, 제1바디(522)와 제2바디(524)가 접하도록 제공되나, 그 사이에는 미세한 틈이 존재할 수 있다. 실링 부재(600)는 제1바디(522)와 제2바디(524) 사이의 틈을 밀폐하여, 처리 공간(502)이 외부와 차단되도록 한다. 이에, 처리 공간(502)이 기 설정된 압력으로 기판을 처리할 수 있도록 한다.
실링 부재(600)는 제1바디(522) 및 제2바디(524)의 사이에 위치된다. 일 예에서, 실링 부재(600)는 실링 홈(530)에 위치된다. 실링 홈(530)은 제2바디(524)와 제1바디(522)가 서로 밀착되는 밀착면에 형성되고, 실링 부재(600)는 제1바디(522)의 하단면 또는 제2바디(524)의 상단면에 제공된다.
일 예에서, 실링 홈(530)은 제2바디(524)의 상단면에 제공된다. 실링 부재(600)는 제2바디(524)에 형성된 실링 홈(530)에 삽입되게 위치된다. 일 예에서, 실링 부재(600)는, 도 6에 도시된 바와 같이 실링 홈(530)에 삽입 가능한 환형의 링 형상으로 제공된다. 이에, 실링 홈(530) 역시 상부에서 바라볼 때 환형의 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다.
실링 부재(600)는, 처리 공간(502) 내부의 압력에 의해 형상이 변형된다. 일 예에서, 실링 부재(600)는 탄성을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 처리 공간(502)이 상압 보다 높은 고압 즉, 임계 압력을 가지면, 실링 부재(600)는, 처리 공간(502)으로부터 공정 챔버(520)의 외부를 향하는 방향으로 변형된다. 실링 부재(600)는 그 형태가 변형되어 제1바디(522)와 제2바디(524)에 밀착됨에 따라 제1바디(522)와 제2바디(524) 사이에 틈을 밀폐시킨다.
실링 부재(600)는, 처리 공간(502)을 향하는 내측면에 절곡부(610)가 형성된다. 일 예에서, 절곡부(610)는 실링 부재(600)의 내측면 하측부에 형성된다. 절곡부(610)가 형성됨에 따라, 실링 부재(600)의 단면은 'ㄱ' 자와 같은 형상을 갖는다.
절곡부(610)의 높이와 너비는, 실링 부재(600)가 그 계면과의 압력차이를 견딜 수 있는 두께를 가지도록 결정된다. 일 예에서, 실링 부재(600)의 두께는 실링 부재(600)의 외측면의 상면부가 제1바디(522)와 처리 공간(502) 간의 압력 차이를 버틸 수 있고, 외측면의 측면부가 제2바디(524)와 처리 공간(502) 간의 압력 차이를 버틸 수 있도록 정해진다.
일 예에서, 처리 공간(502) 내부의 압력이 상승함에 따라, 실링 부재(600)의 외측면의 상부에 위치한 상면부가 제1바디(522)에 밀착되고 외측면의 측부에 위치한 측면부가 제2바디(524)에 밀착된다. 실링 부재(600)의 내측면에 절곡부(610)가 제공됨에 따라, 처리 공간(502)으로부터 실링 부재(600)의 내측면으로 가해지는 압력에 의해 실링 부재(600)의 형상이 용이하게 변형될 수 있다.
일 예에서, 제2바디(524)의 측벽 상면은 내측 상면(525), 제1측면(526), 저면(527), 제2측면(528) 그리고 외측 상면(529)을 가진다. 내측 상면(525)과 외측 상면(529) 사이에 제1측면(526), 저면(527) 그리고 제2측면(528)이 제공된다. 제1측면(526), 저면(527) 그리고 제2측면(528)은 실링 홈(530)을 정의한다. 제1측면(526)은, 내측 상면(525)의 끝단으로부터 아래로 연장된다. 제2측면(528)은, 외측 상면(529)의 끝단으로부터 아래로 연장된다. 제1측면(526)과 제2측면(528)은 마주보도록 제공된다. 저면(527)은, 제1측면(526)의 하단과 제2측면(528)의 하단을 연결하도록 제공된다. 제1측면(526)의 상단은 제2측면(528)의 상단보다 낮게 제공된다.
제1측면(526)의 상단은 절곡부(610)의 상단 보다 낮게 제공된다. 또한, 절곡부(610)는 실링 홈(530) 내에서 빈 공간을 형성하도록 제공된다. 이에, 절곡부(610)는 처리 공간(502)과 통하도록 제공된다. 이에, 절곡부(610)와 처리 공간(502) 간에 기체가 자유롭게 유출입될 수 있도록 제공된다. 실링 부재(600)의 내측면에 절곡부(610)가 형성됨에 따라, 실링 부재(600)의 하단면과 공정 챔버(520) 간에 틈을 최소화한다. 이에, 처리 공간(502)이 가압될 때, 절곡부(610)와 처리 공간(502) 간에 기체가 자유롭게 드나들 수 있다. 따라서, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 사이의 틈에 기체가 유입되는 것이 방지된다.
실링 부재(600)의 상면은 제2측면(528)의 상단보다 높거나 같게 제공된다. 일 예에서, 실링 부재(600)의 상면은 제2측면(528)의 상단과 높이가 같게 제공된다. 이에, 제1바디(522)와 제2측면(528)의 상단 사이의 틈을 실링 부재(600)가 차폐할 수 있다.
이하, 도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다.
먼저, 상면에 IPA가 잔류한 기판을 처리 공간(502)으로 반입한다. 기판이 처리 공간(502)으로 반입되면, 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 밀착되도록 위치하여 공정 챔버(520)를 밀폐시킨다. 제1바디(522)와 제2바디(524)가 닫힘 위치가 되면, 처리 공간(502)에 초임계 유체가 공급되어 처리 공간(502)을 가압한다. 일 예에서, 초임계 유체는 이산화탄소로 제공된다. 가압은 처리 공간(502)의 내부가 이산화탄소가 초임계 유체가 되는 임계 압력 또는 그 이상이 될 때까지 이루어진다.
도 7에 도시된 바와 같이, 처리 공간(502)으로 이산화탄소가 유입되면, 처리 공간(502) 내부의 압력이 상승한다. 처리 공간(502)의 내부 압력은 절곡부(610)를 가압한다. 이에 의해 실링 부재(600)는, 처리 공간(502)으로부터 공정 챔버(520)의 외부를 향하는 방향으로 변형된다.
초임계 유체를 처리 공간(502)으로 공급하여 초임계 유체로 기판을 처리한 후, 처리 공간(502)을 배기하여 처리 공간(502)을 감압한다. 일 예에 의하면 감압은 처리 공간(502) 내부의 상압 또는 이와 유사한 압력이 될 때까지 이루어진다. 도 8에 도시된 바와 같이, 감압이 이루어질 때, 실링 부재(600)는, 처리 공간(502)을 향하는 방향으로 복귀된다. 감압이 완료되면, 챔버를 개방하는 개방 단계가 수행되고, 챔버가 개방되면 기판이 처리 공간(502)에서 반출된다.
상술한 예에서는, 절곡부(610)는 실링 부재(600)의 내측면 하측부에 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 절곡부(610)는 실링 부재(600)의 내측면 상측부에 형성될 수 있다.
상술한 예에서는, 실링 홈(530)이 제2바디(524)의 상단면에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 실링 홈(530)은 제1바디(522)의 상단면에 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 처리 공간(502)을 가압하여 기판을 처리한 후에 감압이 이루어지는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에 의하면 처리 공간(502)을 가압하여 기판을 처리한 후에 처리 공간(502)을 가압 또는 감압하는 단계를 순차적으로 복수 회 반복 수행할 수 있다.
본 발명에 의하면, 절곡부(610)가 형성됨에 따라 처리 공간(502)의 가압 시 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈에 기체 유입이 최소화된다. 이에, 처리 공간(502)의 감압 시, 처리 공간(502)을 가압할 때 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈으로 유입되었던 기체가 다시 처리 공간(502)으로 유입되는 것이 방지된다. 이에, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈 사이로부터 처리 공간(502)으로 기체가 유입되어 기판에 리닝 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 또한, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈 사이로부터 파티클이 유입되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 의하면, 실링 부재(600)에 절곡부(610)가 형성됨에 따라 실링 부재(600)의 변형이 용이한 이점이 있다. 이에, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈이 치밀하게 밀폐될 수 있는 이점이 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
502: 처리 공간
520: 공정 챔버
522: 제1바디
524: 제2바디
560: 유체공급 유닛
600: 실링 부재
610: 절곡부

Claims (10)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    기판 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛; 그리고,
    상기 제1바디와 상기 제2바디가 서로 밀착되는 위치에서 상기 처리 공간을 외부로부터 밀폐하도록 상기 제1바디와 상기 제2바디의 사이에 위치되는 실링 부재를 포함하고,
    상기 제1바디는 상기 제2바디의 상부에 위치하며,
    상기 제2바디의 측벽 상면은 내측 상면, 상기 내측 상면의 끝단으로부터 아래로 연장된 제1측면, 상기 제1측면의 하단으로부터 상기 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 저면, 상기 저면의 끝단으로부터 위로 연장되는 제2측면, 그리고 상기 제2측면의 상단으로부터 상기 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 외측 상면을 가지고,
    상기 실링 부재는,
    'ㄱ'자 형상으로 제공되고,
    상기 처리 공간을 향하는 내측면에 절곡부가 형성되며,
    상기 실링부재에서 절곡부의 상면으로 제공되는 면은 상기 내측 상면보다 높게 위치되고,
    상기 절곡부는 상기 처리 공간이 밀폐된 상태에서 상기 처리 공간과 통하도록 제공되고,
    상기 절곡부는 상기 내측면의 하측부에 제공되고,
    상기 실링 부재는 상기 제2바디에 형성된 실링 홈에 위치하고,
    상기 제1측면, 상기 저면, 그리고 상기 제2측면은 상기 실링 홈을 정의하며,
    상기 제1측면의 상단은 상기 제2측면의 상단보다 낮게 제공되고,
    상기 제1측면의 상단은 상기 절곡부의 상단 보다 낮게 제공되고,
    상기 실링 부재의 상면은 상기 제2측면의 상단보다 높거나 같게 제공되고,
    상기 실링 부재는,
    공정 진행시 상기 유체 공급 유닛이 공급하는 상기 유체에 의해 상승하는 상기 처리 공간의 압력에 의해 상기 내측면의 반대 측인 외측면의 상부에 위치한 상면부가 제1바디에 밀착되고, 상기 외측면의 측부에 위치한 측면부가 상기 제2바디에 밀착되고; 그리고
    상기 처리 공간에 감압이 이루어질 때, 상기 실링 부재의 상기 상면부와 상기 실링 부재의 상기 측면부는 상기 처리 공간을 향하는 방향으로 복귀되는 탄성을 가지고,
    상기 실링 부재는 환형의 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
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  8. 삭제
  9. 제1항의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상면에 유기용제가 잔류한 상기 기판을 상기 처리 공간으로 반입하고, 상기 제1바디와 상기 제2바디가 밀착된 상태에서 상기 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하여 상기 기판으로부터 상기 유기용제를 제거하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 초임계 유체는 이산화탄소인 기판 처리 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090463A (ja) 2004-09-24 2006-04-06 Nok Corp ガスケット
JP2010265950A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Mitsubishi Cable Ind Ltd 密封構造及びシール材

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005031491A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Degussa Ag Verwendung einer Polyamidformmasse mit hoher Schmelzesteifigkeit zur Coextrusion mit einem hochschmelzenden Polymer
JP4936730B2 (ja) * 2006-01-16 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 減圧容器および減圧処理装置
JP6315941B2 (ja) * 2013-10-29 2018-04-25 日本バルカー工業株式会社 シール材
KR102157837B1 (ko) * 2013-12-31 2020-09-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 그리고 기판 처리 방법
KR20150120035A (ko) * 2014-04-16 2015-10-27 삼성전자주식회사 비정형 단면을 갖는 씰링 부재를 포함하는 기판 처리 장치
KR101623411B1 (ko) * 2014-11-03 2016-05-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102041308B1 (ko) * 2017-09-27 2019-11-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090463A (ja) 2004-09-24 2006-04-06 Nok Corp ガスケット
JP2010265950A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Mitsubishi Cable Ind Ltd 密封構造及びシール材

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