JP2002368190A5

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Publication number: JP2002368190A5
Application number: JP2002012775A
Authority: JP
Filing date: 2002-01-22
Publication date: 2005-07-28
Anticipated expiration: 2022-01-22

Claims

（ａ）主面上に複数の電極を有する配線基板を準備する工程と、
（ｂ）主面および裏面を有しており、前記主面上に複数の電極と複数の半導体素子とを有する第１の半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）主面および裏面を有しており、前記主面上に複数の電極と複数の半導体素子とを有するとともに、前記第１の半導体チップより薄い第２の半導体チップを準備する工程と、
（ｄ）前記第１の半導体チップの主面を前記配線基板の主面に向かい合わせて、かつ前記第１の半導体チップの複数の電極が前記配線基板の複数の電極と対向するように、前記第１の半導体チップを前記配線基板の主面上に配置する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に前記第１の半導体チップの裏面に圧力を加え、前記第１の半導体チップの複数の電極と前記配線基板の複数の電極とを電気的に接続する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記第１の半導体チップの裏面上に前記第２の半導体チップを、前記第１の半導体チップの裏面と前記第２の半導体チップの裏面とが接着材を介して向かい合う様に前記（ｅ）工程時に加えた圧力より小さな圧力を加えて配置する工程と、
（ｇ）前記第２の半導体チップの複数の電極と前記配線基板の複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｈ）前記第１、第２の半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｅ）工程時に、前記第１の半導体チップに圧力と同時に熱を加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｅ）工程時に加えた熱によって、前記第１の半導体チップの主面と前記配線基板の主面との間で熱硬化性樹脂を硬化させ、前記熱硬化性樹脂を介して前記第１の半導体チップを前記配線基板の主面上に固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｅ）工程時に、前記第１の半導体チップに圧力と同時に超音波を加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の半導体チップの電極に突起電極として金バンプが形成され、前記（ｅ）工程時に、前記第１の半導体チップに圧力と同時に超音波を加えて、超音波金−金接続によって前記第１の半導体チップと前記配線基板とを接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の半導体チップの複数の電極のそれぞれは、前記第１の半導体チップの主面上に形成されたパッドと、前記パッド上に配置された突起電極とによって構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｈ）工程後に、前記配線基板の主面と反対側の裏面上に、前記配線基板の複数の電極と電気的に接続する複数の外部電極である突起電極を形成する工程をさらに有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｅ）工程と（ｆ）工程の間にさらに、
（ｉ）主面および裏面を有しており、前記主面上に複数の電極と複数の半導体素子とを有する第３の半導体チップを準備する工程と、
（ｊ）前記第３の半導体チップの主面を前記配線基板の主面に向かい合わせて、かつ前記第３の半導体チップの複数の電極が前記配線基板の複数の電極と対向するように、前記第３の半導体チップを前記配線基板の主面上に配置する工程と、
（ｋ）前記（ｊ）工程後に前記第３の半導体チップの裏面に圧力を加え、前記第３の半導体チップの複数の電極と前記配線基板の複数の電極とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｋ）工程後にさらに、
（ｌ）主面および裏面を有しており、前記主面上に形成された複数の電極と複数の半導体素子とを有するとともに、前記第３の半導体チップより薄い第４の半導体チップを準備する工程と、
（ｍ）前記第３の半導体チップの裏面上に前記第４の半導体チップを、前記第３の半導体チップの裏面と前記第４の半導体チップの裏面とが接着材を介して向かい合う様に前記（ｋ）工程時に加えた圧力よりも小さな圧力を加えて配置する工程と、
（ｎ）前記第４の半導体チップの複数の電極と前記配線基板の複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（ａ）互いに向かい合う第１および第２の側面と、前記第１および第２の側面と接しており、互いに向かい合う第３および第４の側面を有するキャビティ、および前記第１の側面上に形成された樹脂注入口を持つ金型を準備する工程と、
（ｂ）主面を有する配線基板、前記配線基板の主面上に固定された第１の半導体チップ、前記第１の半導体チップの上に固定された第２の半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記配線基板、前記第１および第２の半導体チップを前記キャビティの内部に配置する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記樹脂注入口より樹脂を注入して、前記第１および第２の半導体チップを封止する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程において、前記キャビティの第３の側面と平行な断面において、前記第１の半導体チップの長さは、前記第２の半導体チップの長さよりも長くなるように、前記配線基板、第１および第２の半導体チップを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程において、前記キャビティの第１の側面と平行な断面において、前記第１の半導体チップの長さは、前記第２の半導体チップの長さよりも短くなるように、前記配線基板、前記第１および第２の半導体チップを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、前記金型は、前記第２の側面上に形成された空気孔を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（ａ）互いに向かい合う第１および第２の側面と、前記第１および第２の側面と接しており、互いに向かい合う第３および第４の側面を有するキャビティ、および前記第１の側面上に形成された複数の樹脂注入口を持つ金型を準備する工程と、
（ｂ）主面を有するとともに複数のデバイス領域が形成された配線基板、前記配線基板の複数のデバイス領域のそれぞれに固定された第１の半導体チップ、前記第１の半導体チップ上に固定された第２の半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記配線基板、前記複数の第１および第２の半導体チップを前記キャビティの内部に配置して前記複数のデバイス領域を前記キャビティによって一括で覆う工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、それぞれのデバイス領域に対応した複数の樹脂注入口より樹脂を注入して、前記複数の第１および第２の半導体チップを一括で封止する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程において、前記キャビティの第３の側面と平行な断面において、それぞれの前記第１の半導体チップの長さは、前記第１の半導体チップに積層された前記第２の半導体チップの長さよりも長くなるように、前記配線基板、前記複数の第１および第２の半導体チップを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。