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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft ein Dünnschicht(TFT)-Arraysubstrat,
und spezieller betrifft sie ein TFT-Arraysubstrat, bei dem eine
Kontaktfleckkorrosion verhindert werden kann und auch ein TFT ohne
jede Passivierungsschicht geschützt
werden kann, sowie ein zugehöriges
Herstellverfahren.
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Erörterung der einschlägigen Technik
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Ein
Flüssigkristalldisplay
(LCD) zeigt Bilder durch Steuern der Lichttransmission eines Flüssigkristalls
(LC) unter Verwendung eines elektrischen Felds an.
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Ein
LCD steuert einen Flüssigkristall
unter Verwendung eines elektrischen Felds an, das zwischen einer
Pixelelektrode und einer gemeinsamen Elektrode erzeugt wird, die
auf einem oberen Substrat bzw. einem unteren Substrat, die einander
zugewandt sind, angeordnet sind.
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Das
LCD verfügt über ein
TFT-Arraysubstrat (unteres Arraysubstrat) und ein Farbfilter-Arraysubstrat
(oberes Arraysubstrat), die einander zugewandt sind, einen zwischen
den zwei Arraysubstraten zum Aufrechterhalten eines Zellenzwischenraums
angeordneten Abstandshalter sowie einen den Zwischenraum auffüllenden
Flüssigkristall.
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Das
TFT-Arraysubstrat verfügt über Signalleitungen,
TFTs und eine darauf aufgetragene Ausrichtungsschicht zum Ausrichten
des LC.
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Das
Farbfilter-Arraysubstrat verfügt über ein Farbfilter
zum Wiedergeben von Farben, eine Schwarzmatrix (BM) zum Verhindern
des Ausleckens von Licht sowie eine darauf aufgetragene Ausrichtungsschicht
zum Ausrichten des LC.
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Bei
diesem LCD ist, da das TFT-Arraysubstrat einen Halbleiterprozess
und mehrere Maskenprozesse benötigt,
der zugehörige
Herstellprozess kompliziert, und so sind die Herstellkosten erhöht.
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Um
dieses Problem zu lösen,
ist es wünschenswert,
ein TFT-Arraysubstrat
zu entwickeln, bei dem die Anzahl der Maskenprozesse verringert
ist.
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Der
Grund dafür
besteht darin, dass ein Maskenprozess viele Prozesse beinhalten
kann, wie einen Dünnschicht-Abscheideprozess,
einen Reinigungsprozess, einen Fotolithografieprozess, einen Ätzprozess,
einen Fotoresist-Abhebeprozess sowie einen Untersuchungsprozess.
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In
jüngerer
Zeit wurde ein 4-Masken-Prozess entwickelt, der einen Maskenprozess
weniger als ein standardmäßiger 5-Masken-Prozess
benötigt,
wie er für
ein TFT-Arraysubstrat typisch war.
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Die 1 ist
eine Draufsicht eines TFT-Arraysubstrats gemäß einem internen Stand der
Technik, das unter Verwendung eines 4-Masken-Prozesses hergestellt
wurde, und die 2 ist eine Schnittansicht entlang
einer Linie I-I in der 1.
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Gemäß den 1 und 2 verfügt das einschlägige TFT-Arraysubstrat
einer Flüssigkristalltafel über ein
unteres Substrat 1, eine Gateleitung 2 und eine
auf dem unteren Substrat ausgebildete Datenleitung, die einander
schneiden, wobei sich dazwischen eine Gateisolierschicht 12 befindet,
einen an jeder Schnittstelle gebildeten TFT 30, eine Pixelelektrode 22,
die in einem durch die sich schneidenden Gate- und Datenleitungen gebildeten Pixelbereich ausgebildet
ist, einen Speicherkondensator, der im Überlappungsgebiet der Gateleitung 2 und
einer Speicherelektrode 28 ausgebildet ist, einen mit der Gateleitung 2 verbundenen
Gatekontaktfleck 50 sowie einen mit der Datenleitung 4 verbundenen
Datenkontaktfleck 60.
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Die
ein Gatesignal liefernde Gateleitung 2 und die ein Datensignal
liefernde Datenleitung 4 sind mit einer sich schneidenden
Struktur ausgebildet, um einen Pixelbereich 5 zu bilden.
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Der
TFT 30 ermöglicht
es, ein Pixelsignal auf der Leitung 4 auf das Gatesignal
auf der Gateleitung hin in die Pixelelektrode 22 zu laden
und dort zu halten. Der TFT 30 verfügt über eine mit der Gateleitung 2 verbundene
Gateelektrode 6, eine mit der Datenleitung 4 verbundene
Sourceelektrode 8 und eine mit der Pixelelektrode 22 verbundene
Drainelektrode 10.
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Der
TFT 30 verfügt
ferner über
eine aktive Schicht 14, die mit der Gateelektrode 6 überlappt, wobei
sich die Gateisolierschicht 12 dazwischen befindet, um
zwischen der Sourceelektrode 8 und der Drainelektrode 10 einen
Kanal zu bilden.
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Die
aktive Schicht 14 überlappt
mit der Datenleitung 4, einen unteren Datenkontaktfleckelektrode 62 und
der Speicherelektrode 28.
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Ferner
ist auf der aktiven Schicht 14 eine Ohmsche Kontaktschicht 16 ausgebildet,
die einen Ohmschen Kontakt zur Datenleitung 4, zur Sourceelektrode 8,
zur Drainelektrode 10, zur unteren Datenkontaktfleckelektrode 62 und
zur Speicherelektrode 28 herstellt.
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Die
Pixelelektrode 22 ist im Pixelbereich 5 ausgebildet,
und sie ist über
ein erstes Kontaktloch 20, das eine Passivierungsschicht 18 durchdringt,
mit der Drainelektrode 10 des TFT 30 verbunden.
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Zwischen
der Pixelelektrode 22, an die über den TFT 30 ein
Pixelsignal angelegt wird, und einer gemeinsamen Elektrode (nicht
dargestellt), an die eine Referenzspannung angelegt wird, wird ein
elektrisches Feld ausgebildet. Flüssigkristallmoleküle zwischen
dem unteren Arraysubstrat und einem oberen Arraysubstrat werden
aufgrund der dielektrischen Anisotropie durch das elektrische Feld
gedreht.
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Die
Lichttransmission des Pixelbereichs 5 ändert sich entsprechend dem
Rotationsgrad der Flüssigkristallmoleküle, so dass
eine Grauskala realisiert wird.
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Der
Speicherkondensator 40 verfügt über die Gateleitung 2 sowie
eine Speicherelektrode 28 in Überlappung mit der Gateleitung 2,
wobei sich die Gateisolierschicht 12, die aktive Schicht 14 und
die Ohmsche Kontaktschicht 16 dazwischen befinden.
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Die
Speicherelektrode 28 ist über ein in der Passivierungsschicht 18 ausgebildetes
zweites Kontaktloch 42 mit der Pixelelektrode 22 verbunden.
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Der
Speicherkondensator 40 ermöglicht es, ein in die Pixelelektrode 22 geladenes
Pixelsignal stabil aufrechtzuerhalten, bis ein nächstes Pixelsignal geladen
wird.
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Der
Gatekontaktfleck 50 ist mit einem Gatetreiber (nicht dargestellt)
verbunden, um ein Gatesignal an die Gateleitung 2 zu legen.
Der Gatekontaktfleck 50 verfügt über eine sich von der Gateleitung 2 ausgehend
erstreckende untere Gatekontaktfleckelektrode 52 sowie
eine obere Gatekontaktfleckelektrode 54, die mit der unteren
Gatekontaktfleckelektrode 52 durch ein drittes Kontaktloch 56 verbunden
ist, das die Gateisolierschicht 12 und die Passivierungsschicht 18 durchdringt.
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Der
Datenkontaktfleck 60 ist mit einem Datentreiber (nicht
dargestellt) verbunden, um ein Datensignal an die Datenleitung 4 zu
legen. Der Datenkontaktfleck 60 verfügt über eine sich ausgehend von der
Datenleitung 4 erstreckende untere Datenkontaktfleckelektrode 62 sowie
eine obere Datenkontaktfleckelektrode 64, die mit der unteren
Datenkontaktfleckelektrode 62 durch ein viertes Kontaktloch 66 hindurch
verbunden ist, das die Passivierungsschicht 18 durchdringt.
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Nun
wird ein Verfahren zum Herstellen eines TFT-Arraysubstrats einer
Flüssigkristalltafel
unter Verwendung eines 4-Masken-Prozesses
unter Bezugnahme auf die 3A bis 3D detailliert
beschrieben.
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Gemäß der 3A wird
auf einem unteren Substrat 1 unter Verwendung eines ersten
Maskenprozesses eine erste Gruppe leitender Muster mit einer Gateleitung 2,
einer Gateelektrode 6 und einer unteren Gatekontaktfleckelektrode 52 hergestellt.
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Auf
dem unteren Substrat 1 wird unter Verwendung eines Abscheidungsverfahrens
(z. B. eines Sputterverfahrens) eine Gatemetallschicht hergestellt.
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Dann
wird die Gatemetallschicht durch einen Fotolithografieprozess und
einen Ätzprozess
unter Verwendung einer ersten Maske so strukturiert, dass die erste
Gruppe leitender Muster mit der Gateleitung 2, der Gateelektrode 6 und
der unteren Gatekontaktfleckelektrode 52 ausgebildet wird.
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Gemäß der 3B wird
auf das untere Substrat 1, auf dem das Gatemuster ausgebildet
ist, eine Gateisolierschicht 12 aufgetragen.
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Danach
werden ein Halbleitermuster mit einer aktiven Schicht 14 und
einer Ohmschen Kontaktschicht 16 sowie eine zweite Gruppe
leitender Muster mit einer Datenleitung 4, einer Sourceelektrode 8,
einer Drainelektrode 10 und einer unteren Datenkontaktfleckelektrode 62 sowie
eine Speicherelektrode 28 unter Verwendung eines zweiten
Maskenprozesses auf der Gateisolierschicht 12 hergestellt.
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Der 3C wird
durch einen zweiten Maskenprozess auf der Gateisolierschicht 12,
auf der die zweite Gruppe leitender Muster ausgebildet ist, eine Passivierungsschicht 18 mit
einem ersten bis vierten Kontaktloch 20, 42, 56 und 66 hergestellt.
Die Passivierungsschicht 18 wird durch ein Abscheidungsverfahren
(z. B. Plasma-verstärkte
chemische Dampfabscheidung (PECVD)) auf der gesamten Oberfläche der
Gateisolierschicht 12, auf der das Datenmuster ausgebildet
ist, hergestellt.
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Danach
wird die Passivierungsschicht 18 durch einen Fotolithografieprozess
und einen Ätzprozess
unter Verwendung einer dritten Maske so strukturiert, dass das erste
bis vierte Kontaktloch 20, 42, 56 und 66 ausgebildet
werden.
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Das
erste Kontaktloch 20 durchdringt die Passivierungsschicht 18,
um die Drainelektrode 10 freizulegen, und das zweite Kontaktloch 42 durchdringt
die Passivierungsschicht 18, um die Speicherelektrode 28 freizulegen.
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Das
dritte Kontaktloch 56 durchdringt die Passivierungsschicht 18 und
die Gateisolierschicht 12, um die untere Gatekontaktfleckelektrode 52 freizulegen,
und das vierte Kontaktloch 66 durchdringt die Passivierungsschicht 18,
um die untere Datenkontaktfleckelektrode 62 freizulegen.
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Gemäß der 3D wird
unter Verwendung eines vierten Maskenprozesses auf der Passivierungsschicht 18 eine
dritte Gruppe leitender Muster mit einer Pixelelektrode 22,
einer oberen Gatekontaktfleckelektrode 54 und einer oberen
Datenkontaktfleckelektrode 64 hergestellt.
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Das
einschlägige
TFT-Arraysubstrat verfügt über die
Passivierungsschicht 18 zum Schützen des TFT 30.
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Die
Passivierungsschicht 18 wird durch Abscheiden eines anorganischen
Isoliermaterials unter Verwendung einer PECVD-Vorrichtung oder durch Auftragen eines
organischen Isoliermaterials unter Verwendung einer Schleuderbeschichtungsvorrichtung
oder einer schleuderfreien Beschichtungsvorrichtung hergestellt.
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Da
die PECVD-Vorrichtung, die Schleuderbeschichtungsvorrichtung oder
die schleuderfreie Beschichtungsvorrichtung dazu erforderlich sind,
die Passivierungsschicht 18 herzustellen, wie es oben beschrieben
ist, sind die Herstellkosten erhöht.
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Auch
ist die Datenleitung 4, die unter Verwendung einer einzelnen
Schicht hergestellt wird, häufig
unterbrochen. In diesem Fall ist ein separater Prozess dazu erforderlich,
die unterbrochene Datenleitung 4 zu reparieren.
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Auch
kann, wenn die Passivierungsschicht 18 aus einem organischen
Isoliermaterial hergestellt wird, die Pixelelektrode 22 aufgrund
der relativ dicken Passivierungsschicht 18 abgetrennt sein.
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Insbesondere
wird die Pixelelektrode 22 auf der Seite der Passivierungsschicht 18,
die durch das Kontaktloch 20 freigelegt ist, um es zu ermöglichen, dass
die Drainelektrode 10 mit der Pixelelektrode 22 in
Kontakt steht, abgetrennt.
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Demgemäß, da kein
Pixelsignal durch die Drainelektrode 10 an die Pixelelektrode 22 gelegt wird,
wird ein Punktdefekt erzeugt.
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Auch
verfügt
der Speicherkondensator 40 über die Gateleitung 2 und
die Speicherelektrode 28, die einander überlappen, wobei sich die Gateisolierschicht 12,
die aktive Schicht 14 und die Ohmsche Kontaktschicht 16 dazwischen
befinden.
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In
diesem Fall wird die Kapazität
des Speicherkondensators 40 durch die relativ dicke Gateisolierschicht 12 beeinträchtigt,
die die Gateleitung 2 gegen die Speicherelektrode 28,
die aktive Schicht 14 und die Ohmsche Kontaktschicht 16 isoliert.
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Auch
ergibt sich aufgrund der relativ niedrigen Kapazität des Speicherkondensators 40 eine
Beeinträchtigung
der Bildqualität
(z. B. Flecke).
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Auch
kann, da der Datenkontaktfleck geöffnet wird, wenn die Passivierungsschicht
hergestellt wird, während
eines folgenden Prozesses ein Defekt (z. B. galvanische Korrosion
eines Datenkontaktflecks) erzeugt werden.
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Die
US 2002/0171108 A1 beschreibt
ein TFT-Arraysubstrat für
eine Flüssigkristallanzeige
und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Hierbei umfasst das TFT-Arraysubstrat
der Entgegenhaltung eine mit einer Gateleitung verbundene Gateelektrode,
eine Sourceelektrode, die mit einer Datenleitung verbunden ist und
welche die Gateleitung schneidet, um einen Pixelbereich zu bilden
und eine Drainelektrode, die der Sourceelektrode gegenübersteht.
Eine Halbleiterschicht bildet einen Kanal zwischen der Sourceelektrode
und der Drainelektrode. Weiter ist eine Pixelelektrode im Pixelbereich
vorgesehen, die mit der Drainelektrode verbunden ist und eine Kanal-Passivierungsschicht
liegt auf dem Kanal der Halbleiterschicht. Ein Gatekontaktfleck
erstreckt sich ausgehend von der Gateleitung und ein Datenkontaktfleck ist
mit der Datenleitung verbunden, wobei sowohl bei dem Gatekontaktfleck
als auch bei dem Datenkontaktfleck eine transparente, leitende Schicht
auf dem Datenkontaktfleck und dem Gatekontaktfleck ausgebildet ist.
Ferner ist eine Gateisolierschicht vorgesehen, die unter der Halbleiterschicht
im TFT-Bereich und
im Kondensatorbereich sowie unter dem Datenkontaktfleck ausgebildet
ist.
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Die
DE 101 50 432 A1 beschreibt
ein Arraysubstrat für
eine Flüssigkristallanzeige
und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Hierbei sind bei dem TFT-Arraysubstrat
der Entgegenhaltung erste und zweite Gate-Kurzschlussleitungen parallel
zueinander und senkrecht zu Gateleitungen vorgesehen. Die erste
Gate-Kurzschlussleitung ist elektrisch direkt mit den ungeraden
numerierten Gateleitungen und mit den gerade numerierten Gateleitung über eine
Vielzahl von ersten Verbindungsleitungen verbunden. Gemäß dieser
Struktur verhindert die erste Kurzschlussleitung eine statische
Aufladung der Gateleitungen mit gerader und ungerader Nummer beim Herstellungsprozess.
Obwohl hier nur die Gateleitungen, Gatekontaktflecke und die Gate-Kurzschlussleitungen
dargestellt sind, können
die oben beschriebenen Verbindungen auch für Datenkontacktflecke, Datenpads,
die Datenkurzschlussleitungen übernommen
werden.
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Die
US 2004/0036070 A1 beschreibt
ein weiteres TFT-Arraysubstrat und ein Herstellungsverfahren hierfür. Hierbei
umfasst das TFT-Arraysubstrat der Entgegenhaltung einen Datenkontaktfleckabschnitt
mit einem Datenkontaktfleck und einer Datenkontaktfleckschutzelektrode,
die über
eine Verbindungsleitung mit einer Kontaktelektrode verbunden ist,
welche wiederum die Leitung elektrisch mit der Datenleitung in Form
einer Überbrückungsstruktur verbindet.
Somit kann der Datenkontaktfleck aus einer Metallschicht gebildet
werden, die unterschiedlich zu den Source-/Drainstrukturen ist.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Demgemäß ist die
Erfindung auf ein TFT-Arraysubstrat und ein zugehöriges Herstellverfahren gerichtet,
die eines oder mehrere Probleme aufgrund von Einschränkungen
und Nachteilen der einschlägigen
Technik im Wesentlichen vermeiden.
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Erfindungsgemäß wird die
Aufgabe gelöst durch
ein Verfahren gemäß Anspruch
1 und eine Vorrichtung gemäß Anspruch
11.
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Es
ist ein Vorteil der Erfindung, dass ein TFT-Arraysubstrat und ein
zugehöriges
Herstellverfahren geschaffen sind, durch die ein TFT ohne jede Passivierungsschicht
geschützt
werden kann und ferner die Herstellkosten gesenkt werden können.
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Ein
weiterer Vorteil der Erfindung ist es, dass ein TFT-Arraysubstrat
und ein zugehöriges
Herstellverfahren geschaffen sind, bei denen die Anzahl der Maskenprozesse
unter Verwendung einer Beugungsmaske gesenkt werden kann und auch
Defekte dadurch verringert werden können, dass eine transparente,
leitende Schicht in Überlappung
mit der Datenleitung vorliegt.
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Ein
weiterer, anderer Vorteil der Erfindung ist es, dass ein TFT-Arraysubstrat
und ein zugehöriges Herstellverfahren
geschaffen sind, mit denen Korrosion, wie sie auftritt, wenn der
Datenkontaktfleck geöffnet
wird, unter Verwendung einer Überbrückungsstruktur
aus einem Gatemetallmuster und einem Datenmetallmuster verhindert
werden kann.
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Ein
noch weiterer, anderer Vorteil der Erfindung ist es, dass ein TFT-Arraysubstrat
und ein zugehöriges
Herstellverfahren geschaffen sind, bei denen die Herstellung einer
elektrostatischen Schutzstruktur, die gerade und ungerade Datenleitungen
trennt, die Anzahl der Herstellprozessschritte gesenkt werden kann
und die Herstellausbeute erhöht
werden kann.
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Zusätzliche
Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden teilweise in
der folgenden Beschreibung dargelegt, und teilweise werden sie dem
Fachmann beim Studieren des Folgenden ersichtlich, oder sie ergeben
sich beim Ausüben
der Erfindung. Die Ziele und andere Vorteile der Erfindung können durch
die Struktur realisiert und erzielt werden, wie sie in der schriftlichen
Beschreibung und den zugehörigen
Ansprüchen
sowie den beigefügten Zeichnungen
speziell dargelegt sind.
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Um
diese Ziele und andere Aufgaben zu erreichen, und gemäß dem Zweck
der Erfindung, wie sie realisiert wurde und hier umfassend beschrieben wird,
ist Folgendes geschaffen: eine mit einer Gateleitung verbundene
Gateelektrode; eine Sourceelektrode, die mit einer Datenleitung
verbunden ist, die die Gateleitung schneidet, um einen Pixelbereich
zu bilden; eine Drainelektrode, die der Sourceelektrode gegenübersteht,
wobei sich dazwischen ein Kanal befindet; eine Halbleiterschicht,
die den Kanal zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode bildet;
eine Pixelelektrode im Pixelbereich, die mit der Drainelektrode
verbunden ist; eine Kanal-Passivierungsschicht auf dem Kanal der
Halbleiterschicht; ein Gatekontaktfleck, der sich ausgehend von
der Gateleitung erstreckt, wo ein Halbleitermuster und ein transparentes,
leitendes Muster ausgebildet sind; ein Datenkontaktfleck, der mit
der Datenleitung verbunden ist, wo das transparente, leitende Muster
ausgebildet ist; und eine Gateisolierschicht, die unter der Halbleiterschicht,
der Gateleitung und dem Gatekontaktfleck sowie der Datenleitung
und dem Datenkontaktfleck ausgebildet ist.
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Gemäß einer
anderen Erscheinungsform der Erfindung ist Folgendes geschaffen:
Herstellen einer Gateelektrode, einer Gateleitung und einer Gatekontaktfleck
auf einem Substrat; Herstellen einer Gateisolierschicht, einer Halbleiterschicht
und einer Metallschicht auf der Gateelektrode; Strukturieren der Gateisolierschicht,
der Halbleiterschicht und der Metallschicht, um die Gateleitung,
die Datenleitung, einen TFT-Bereich, den Gatekontaktfleck und den
Datenkontaktfleck auszubilden; und Auftragen einer transparenten,
leitenden Schicht auf das Substrat und Strukturieren derselben,
um eine Source- und eine Drainelektrode, eine einen Kanal dazwischen bildende
Halbleiterschicht, eine auf der Halbleiterschicht ausgebildete Kanal-Passivierungsschicht, eine
Pixelelektrode, die mit der im TFT-Bereich ausgebildeten Drainelektrode
verbunden ist, sowie obere Elektroden des Gatekontaktflecks und
des Datenkontaktflecks herzustellen.
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Gemäß einer
weiteren, anderen Erscheinungsform der Erfindung ist Folgendes geschaffen: eine
mit einer Gateleitung verbundenen Gateelektrode; eine Sourceelektrode,
die mit einer Datenleitung verbunden ist, die die Gateleitung schneidet,
um einen Pixelbereich zu bilden; eine Drainelektrode, die der Sourceelektrode
gegenübersteht,
wobei sich dazwischen ein Kanal befindet; eine Halbleiterschicht, die
den Kanal zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode bildet;
eine Pixelelektrode im Pixelbereich, die mit der Drainelektrode
direkt verbunden ist; eine Kanal-Passivierungsschicht, die an einer
vorbestimmten Stelle entsprechend dem Kanal der Halbleiterschicht
ausgebildet ist, um die den Kanal bildende Halbleiterschicht zu
schützen;
ein Gatekontaktfleck, der sich ausgehend von der Gateleitung erstreckt,
wo ein Halbleitermuster und ein transparentes, leitendes Muster
ausgebildet sind; ein Datenkontaktfleck, der mit der Datenleitung
verbunden ist, wo das transparente, leitende Muster ausgebildet
ist; geradzahligen/ungeradzahligen Datenleitungen, die Signale an den
Datenkontaktfleck anlegen; ein Leitungsmuster zur elektrostatischen
Passivierung, das mit einer der geradzahligen und ungeradzahligen
Datenleitungen verbunden ist und so ausgebildet ist, dass eine Trennung über einen vorbestimmten
Abstand besteht; und eine äußere Kurzschlussschiene
in Verbindung mit einer der geradzahligen und ungeradzahligen Datenleitungen.
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Gemäß noch einer
weiteren, anderen Erscheinungsform der Erfindung ist Folgendes geschaffen:
Herstellen einer Gateelektrode, einer Gateleitung, eines Gatekontaktflecks,
eines Datenkontaktflecks und einer ersten Kurzschlussschiene auf einem
Substrat; Herstellen einer Gateisolierschicht, einer Halbleiterschicht
und einer Metallschicht auf der Gateelektrode; Strukturieren der
Gateisolierschicht, der Halbleiterschicht und der Metallschicht zum
Ausbilden der Gateleitung, der Datenleitung, eines TFT-Bereichs,
des Gatekontaktflecks, des Datenkontaktflecks sowie einer zweiten
Kurzschlussschiene; und Auftragen einer transparenten, leitenden
Schicht auf das Substrat und Strukturieren derselben, um Source-
und Drainelektroden, eine Halbleiterschicht, die dazwischen einen
Kanal bildet, mit einer auf der Halbleiterschicht ausgebildeten
Kanal-Passivierungsschicht und einer mit der Drainelektrode im TFT-Bereich
verbundenen Pixelelektrode, obere Elektroden des Gatekontaktflecks
und des Datenkontaktflecks sowie eine Überbrückungselektrode, die die Datenleitung
mit dem Datenkontaktfleck verbindet, auszubilden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die
beigefügten
Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der
Erfindung zu sorgen, und die in diese Anmeldung eingeschlossen sind
und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen Ausführungsformen
der Erfindung, und sie dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, das
Prinzip der Erfindung zu erläutern.
In den Zeichnungen ist Folgendes dargestellt.
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1 ist
eine Draufsicht eines Dünnschichttransistor(TFT)-Arraysubstrats unter
Verwendung eines einschlägigen
Prozesses mit vier Masken;
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2 ist
eine Schnittansicht des TFT-Arraysubstrats entlang der Linie _–I' in der 1;
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3A bis 3D sind
Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Herstellen
des TFT-Arraysubstrats einer Flüssigkristalldisplay-Tafel
gemäß einer
einschlägigen
Technik;
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4 ist
eine Draufsicht eines TFT-Arraysubstrats gemäß der Erfindung;
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5 ist
eine Schnittansicht entlang einer Linie II–II' in der 4;
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6A und 6B sind
eine Draufsicht und eine Schnittansicht zum Veranschaulichen eines
Verfahrens zum Herstellen einer ersten Gruppe leitender Muster im
TFT-Arraysubstrat gemäß der Erfindung;
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7A und 7B sind
eine Draufsicht und eine Schnittansicht zum Veranschaulichen eines
Verfahrens zum Herstellen eines Halbleitermusters und einer zweiten
Gruppe leitender Muster im TFT-Arraysubstrat gemäß der Erfindung;
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8A und 8B sind
eine Draufsicht und eine Schnittansicht zum Veranschaulichen eines
Verfahrens zum Herstellen einer dritten Gruppe leitender Muster
im TFT-Arraysubstrat gemäß der Erfindung;
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9A und 9E sind
Schnittansichten zum Veranschaulichen eines dritten Maskenprozesses
beim TFT-Arraysubstrat gemäß der Erfindung;
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10 ist
eine Draufsicht eines TFT-Arraysubstrats gemäß einer anderen Ausführungsform
der Erfindung; und
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11 ist
eine Draufsicht zum Veranschaulichen eines vorbestimmten Teils eines äußeren Kontaktflecks
eines TFT-Arraysubstrats gemäß der Erfindung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER VERANSCHAULICHTEN AUSFÜHRUNGSFORM
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Nun
wird detailliert auf eine Ausführungsform der
Erfindung Bezug genommen, zu der in den beigefügten Zeichnungen ein Beispiel
dargestellt ist. Wo immer es möglich
ist, sind in allen Zeichnungen dieselben Bezugszahlen dazu verwendet,
dieselben oder ähnliche
Teile zu kennzeichnen.
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Die 4 ist
eine Draufsicht eines Dünnschichttransistor(TFT)-Arraysubstrats
gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung, und die 5 ist eine Schnittansicht entlang
einer Linie II–II' in der 4.
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Gemäß den 4 und 5 verfügt ein erfindungsgemäßes TFT-Arraysubstrat über eine
auf einem unteren Substrat 101 hergestellte Gateisolierschicht 112,
einen an jeder Schnittstelle ausgebildeten TFT 130, eine
Pixelelektrode 122, die in einem durch die Schnittstruktur
gebildeten Pixelbereich ausgebildet ist, und eine Kanal-Passivierungsschicht 120, die
den TFT 130 schützt.
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Außerdem verfügt das TFT-Arraysubstrat
ferner über
einen Speicherkondensator 140, der dort ausgebildet ist,
wo eine Gateleitung 102 mit der Pixelelektrode 122 überlappt,
einen mit der Gateleitung 102 verbundenen Gatekontaktfleck 150 sowie
einen mit einer Datenleitung 104 verbundenen Datenkontaktfleck 160.
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Die
ein Gatesignal anlegende Gateleitung 102 und die ein Datensignal
anlegende Datenleitung 104 definieren einen Pixelbereich 105.
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Der
TFT 130 legt auf das Gatesignal auf der Gateleitung 102 hin
ein Pixelsignal auf der Datenleitung 104 an die Pixelelektrode 122 an.
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Der
TFT 130 verfügt über eine
mit der Gateleitung 102 verbundene Gateelektrode 106,
eine mit der Datenleitung 104 verbundene Sourceelektrode 108 und
eine mit der Pixelelektrode 122 verbundene Drainelektrode.
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Ferner
verfügt
der TFT 130 über
eine aktive Schicht 114, die zwischen der Sourceelektrode 108 und
der Drainelektrode 110 einen Kanal bildet, wobei diese
aktive Schicht 114 mit der darunterliegenden Gateisolierschicht 112 und
der Gateelektrode 106 überlappt.
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Die
aktive Schicht 114 überlappt
auch mit der Datenleitung 104 und der unteren Datenkontaktfleckelektrode 162.
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Auf
der aktiven Schicht 114 ist für Ohmschen Kontakt eine Ohmsche
Kontaktschicht 116 ausgebildet. Die aktive Schicht 114 ist
unter der Datenleitung 104, der Sourceelektrode 108,
der Drainelektrode 110 und der unteren Datenkontaktfleckelektrode 162 ausgebildet.
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Die
Kanal-Passivierungsschicht 120 ist an einer vorbestimmten
Stelle der aktiven Schicht 114 ausgebildet, um den Kanal
zwischen der Sourceelektrode 108 und der Drainelektrode 110 zu
definieren, wobei sie aus Siliciumoxid (SiOx) oder Sillciumnitrid (SiNx)
hergestellt wird.
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Die
Kanal-Passivierungsschicht 120 spielt eine Rolle beim Schutz
vor Schäden
für die
aktive Schicht 114, in der der Kanal ausgebildet ist.
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Die
Pixelelektrode 122 ist mit der Drainelektrode des TFT 130 verbunden,
und sie ist im Pixelbereich 105 ausgebildet. Auf der Sourceelektrode 108, der
Drainelektrode 110 und der Datenleitung 104 ist ein
transparentes, leitendes Muster 118 ausgebildet, das aus
demselben Material hergestellt wird, wie es für die Pixelelektrode 122 verwendet
wird.
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Das
auf der Datenleitung 104 hergestellte transparente, leitende
Muster 118 dient als Reparaturleitung, die ein Datensignal
an die Sourceelektrode 108 jedes TFT 130 anlegt,
wenn die Datenleitung 104 unterbrochen ist.
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Das
auf der Sourceelektrode 108 und der Drainelektrode 110 hergestellte
transparente, leitende Muster 118 spielt beim Schützen der
Sourceelektrode 108 und der Drainelektrode 110 gegen
Korrosion eine Rolle, wobei die Sourceelektrode 108 und
die Drainelektrode 110 aus einem Metall bestehen, das wahrscheinlich
erodiert wird, wie Molybdän
(Mo). Ein derartiges transparentes, leitendes Muster 118 sollte ausreichend
separiert sein, um einen elektrischen Kurzschluss zwischen benachbarten
transparenten, leitenden Mustern 118 oder benachbarten
Pixelelektroden 122 zu verhindern.
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Zwischen
der Pixelelektrode 122, an die über den TFT 130 das
Pixelsignal angelegt wird, und einer gemeinsamen Elektrode (nicht
dargestellt), an die eine Referenzspannung angelegt wird, wird ein
elektrisches Feld ausgebildet.
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Wegen
dieses elektrisches Felds werden Flüssigkristallmoleküle zwischen
dem unteren Arraysubstrat und dem oberen Arraysubstrat durch dielektrische
Anisotropie gedreht.
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Das
Transmissionsvermögen
des Pixelbereichs 105 variiert abhängig vom Rotationsgrad der Flüssigkristallmoleküle, um dadurch
verschiedene Graustufen anzuzeigen.
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Indessen
verfügt
der Speicherkondensator 140 über die Gateleitung 102,
die aktive Schicht 114 auf der Gateisolierschicht 112 in Überlappung
mit der Gateleitung 102, die Ohmsche Kontaktschicht 116, ein
Datenmetallmuster 119 und die Pixelelektrode 122.
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Der
Speicherkondensator 140 hält in stabiler Weise das Pixelsignal
aufrecht, das in die Pixelelektrode 122 geladen wurde,
bis ein nächstes
Pixelsignal in sie geladen wird.
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Der
Gatekontaktfleck 150 ist mit einem Gatetreiber (nicht dargestellt)
verbunden, um das Gatesignal an die Gateleitung 102 anzulegen.
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Der
Gatekontaktfleck 150 verfügt über eine sich ausgehend von
der Gateleitung 102 erstreckende untere Gatekontaktfleckelektrode 152 sowie
eine obere Gatekontaktfleckelektrode 156. Die obere Gatekontaktfleckelektrode 156 ist
auf dem Datenmetallmuster 119 ausgebildet, und sie steht
durch ein die Gateisolierschicht 112 durchdringendes Kontaktloch 154 mit
der unteren Gatekontaktfleckelektrode 152, der aktiven
Schicht 114 und der Ohmschen Kontaktschicht 116 in
Kontakt. Der Datenkontaktfleck 160 ist mit einem Datentreiber
(nicht dargestellt) verbunden, um das Datensignal an die Datenleitung 104 zu
legen. Der Datenkontaktfleck 160 ist mit einer sich ausgehend
von der Datenleitung 104 erstreckenden unteren Datenkontaktfleckelektrode 162 und
einer oberen Datenkontaktfleckelektrode 166, die auf der unteren
Datenkontaktfleckelektrode 162 ausgebildet ist, konfiguriert,
wobei die untere Datenkontaktfleckelektrode 162 hergestellt
wird, nachdem die Gateisolierschicht 112, die aktive Schicht 114 und
die Ohmsche Kontaktschicht 116 der Reihe nach auf das untere
Substrat aufgeschichtet wurden.
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Die 6A und 6B sind
eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht zum Veranschaulichen eines
Verfahrens zum Herstellen einer ersten Gruppe leitender Muster des
erfindungsgemäßen TFT-Arraysubstrats.
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Gemäß den 6A und 6B werden
die Gateleitung 102, ein Gatemuster mit der Gateelektrode 106 und
der unteren Gatekontaktfleckelektrode 152 unter Verwendung
eines ersten Maskenprozesses auf dem unteren Substrat 101 hergestellt.
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Auf
dem unteren Substrat 101 wird durch ein Abscheidungsverfahren
wie ein Sputterverfahren oder dergleichen eine Gatemetallschicht
hergestellt.
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Danach
wird die Gatemetallschicht durch einen Fotolithografieprozess und
einen Ätzprozess
unter Verwendung einer ersten Maske zu einer vorbestimmten Konfiguration
strukturiert, um dadurch das Gatemuster mit der Gateleitung 102,
der Gateelektrode 106 und der unteren Gatekontaktfleckelektrode 152 auszubilden.
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Hierbei
ist für
die Gatemetallschicht ein Aluminiummetall oder ein Aluminiummischmetall
wie Aluminium/Neodym (Al/Nd) verwendet.
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Die 7A und 7B sind
eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht zum Veranschaulichen eines
Verfahrens zum Herstellen einer zweiten Gruppe leitender Muster
des erfindungsgemäßen TFT-Arraysubstrats.
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Gemäß den 7A und 7B wird
die Gateisolierschicht 112 auf das untere Substrat 101 aufgetragen,
auf dem zuvor das erste leitende Muster hergestellt wurde.
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Auf
der Gateisolierschicht 112 werden eine Halbleiterschicht
und eine Metallschicht hergestellt.
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Auf
der Gateisolierschicht 112 werden ein Halbleitermuster
und ein Datenmetallmuster, d. h. die zweite Gruppe leitender Muster,
hergestellt, wobei das Halbleitermuster über die aktive Schicht 114 und die
Ohmsche Kontaktschicht 116 verfügt und das Datenmetallmuster 119 über die
Datenleitung 104, die Sourceelektrode 108 und
die Drainelektrode 110 verfügt.
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Das
Halbleitermuster mit der aktiven Schicht 114 und der Ohmschen
Kontaktschicht 116 sowie das Datenmetallmuster werden ebenfalls
auf der Gateleitung 102 und dem Gatekontaktfleck 150 hergestellt,
um dadurch Korrosion der Gateleitung 102 zu verhindern,
wie sie auftreten kann, während
die Gateisolierschicht 112 entfernt wird.
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Auf
jedem Bereich des TFT 130, des Speicherkondensators 140,
des Gatekontaktflecks 150 und des Datenkontaktflecks 160 wird
eine Fotoresistschicht als Maske hergestellt. Danach werden Teile der
Gateisolierschicht 112, die nicht mit dem Fotoresist bedeckt
sind, entfernt.
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Gleichzeitig
wird im Gatekontaktfleck 150 ein Kontaktloch 154 ausgebildet.
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Gemäß den 8A und 8B wird
auf das untere Substrat 101 über der ersten und der zweiten Gruppe
leitender Muster eine transparente, leitende Schicht aufgetragen.
Anschließend
wird eine dritte Gruppe leitender Muster unter Verwendung eines dritten
Maskenprozesses hergestellt, wobei diese dritte Gruppe leitender
Muster über
die Sourceelektrode 108, die Drainelektrode, die Pixelelektrode 122 und
das transparente, leitende Muster 118 im Bereich des TFT 130,
die obere Gatekontaktfleckelektrode 156 und die obere Datenkontaktfleckelektrode 166 verfügt.
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Das
transparente, leitende Muster wird auf das untere Substrat 101 aufgetragen,
auf dem das Kontaktloch 154 ausgebildet ist, wozu ein Abscheidungsverfahren
wie ein Sputterverfahren oder dergleichen verwendet wird.
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Die
transparente, leitende Schicht kann aus Indiumzinnoxid (ITO), Zinnoxid
(TO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO) oder Indiumzinkoxid (IZO) hergestellt werden.
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Danach
wird das transparente, leitende Muster unter Verwendung einer dritten
Maske durch einen Fotolithografieprozess und einen Ätzprozess strukturiert,
um dadurch die dritte Gruppe leitender Muster mit der Gateisolierschicht 112,
dem transparenten, leitenden Muster 118, der oberen Gatekontaktfleckelektrode 156 und
der oberen Datenkontaktfleckelektrode 166 auszubilden.
Das dritte leitende Muster wird auch auf der Datenleitung 104 und
der Sourceelektrode 108 ausgebildet.
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Die
Gateisolierschicht 112 ist direkt mit der Drainelektrode 110 verbunden.
Das transparente, leitende Muster 118 wird auf der Datenleitung 104,
der Sourceelektrode 104 und der Drainelektrode 118 so hergestellt,
dass eine direkte Verbindung damit besteht.
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Die
obere Gatekontaktfleckelektrode 156 ist durch das Kontaktloch 154 elektrisch
mit der unteren Gatekontaktfleckelektrode 152 verbunden.
Die obere Datenkontaktfleckelektrode 166 ist über der
aktiven Schicht 114, der Ohmschen Kontaktschicht 116 und der
unteren Datenkontaktfleckelektrode 162 ausgebildet.
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Eine
Kanal-Passivierungsschicht 120 über der aktiven Schicht 114 definiert
den Kanal zwischen der Sourceelektrode 108 und der Drainelektrode 110.
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Beschreibungsangaben
für den
Fotolithografieprozess unter Verwendung der dritten Maske werden
wie folgt veranschaulicht.
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Gemäß der 9A wird
auf dem unteren Substrat, auf dem das Halbleitermuster und das zweite
leitende Muster auf der Gateisolierschicht 112 hergestellt
sind, eine transparente, leitende Schicht 117 hergestellt.
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Anschließend wird,
wozu auf die 9B Bezug genommen wird, die
dritte Maske an einer vorbestimmten Stelle über dem unteren Substrat 101 ausgerichtet,
nachdem auf der transparenten, leitenden Schicht 117 eine
Fotoresistschicht hergestellt wurde.
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Die
dritte Maske verfügt über ein
Maskensubstrat 172 aus einem transparenten Material, einen
Ausblendteil 174, der in einem Ausblendbereich S2 des Maskensubstrats 172 ausgebildet
ist, und einen Beugungsbelichtungsteil 176, der in einem Teilbelichtungsbereich
S3 des Maskensubstrats 172 ausgebildet ist. Hierbei kann
anstelle des Beugungsbelichtungsteils 176 ein halb durchlässiger Teil
verwendet werden.
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Bereiche
des Maskensubstrats 172, die aufgrund der dritten Maske
zu einer Beleuchtung mit Licht führen,
werden zu Licht-Belichtungsbereichen.
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Die
Fotoresistschicht wird nach der Lichtbelichtung unter Verwendung
der dritten Maske 170 entwickelt, um ein Fotoresistmuster 178 auszubilden, das
zwischen dem Ausblendbereich S2 und dem Teilbelichtungsbereich S3,
entsprechend dem Ausblendteil 174 bzw. dem Beugungsbelichtungsteil 176 der dritten
Maske 170, vorbestimmte zugehörige Stufen auszubilden.
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Das
Fotoresistmuster 178 im TFT-Bereich, über dem der Teilbelichtungsbereich
S3 ausgebildet ist, verfügt über eine
zweite Höhe
h2, die kleiner als eine erste Höhe
h1 des Fotoresistmusters 178 ist, auf dem der Ausblendteil
S2 ausgebildet ist.
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Das
transparente, leitende Muster wird unter Verwendung des Fotoresistmusters 178 als
Maske durch einen Nassätzprozess
strukturiert, um die dritte Gruppe leitender Muster auszubilden,
wie es in der 9C dargestellt ist, wobei diese über die
Sourceelektrode, die Drainelektrode, die Gateisolierschicht 112,
das transparente, leitende Muster 118, die obere Gatekontaktfleckelektrode 156 und
die obere Datenkontaktfleckelektrode 166 verfügt.
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Danach
wird ein Veraschungsprozess unter Verwendung eines Sauerstoff(O2)plasmas
so ausgeführt,
dass das Fotoresistmuster 178 mit der zweiten Höhe h2 entfernt
wird und die Höhe
des Fotoresistmusters 178 mit der ersten Höhe h1 kleiner
wird.
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Vorbestimmte
Bereiche unter dem Beugungsbelichtungsbereich S3, wie die transparente, leitende
Schicht, das Datenmetallmuster 119 und die Ohmsche Kontaktschicht 116 im
Kanalbereich des TFT 130, werden durch den Ätzprozess
unter Verwendung des Fotoresistmusters 178 entfernt. Auch werden
die transparente, leitende Schicht 117, die aktive Schicht 114 und
die Ohmsche Kontaktschicht 116, die auf der Gateleitung 102 ausgebildet
sind, entfernt.
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Demgemäß wird die
aktive Schicht 114 im Kanalbereich freigelegt, um die Sourceelektrode 108 und
die Drainelektrode 110 voneinander zu trennen.
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Gemäß der 9D wird
die freigelegte, aktive Schicht 114 des Kanalbereichs einem
Ox-Plasma ausgesetzt, z. B. einem O2-Plasma oder einem Nx-Plasma,
z. B. N2-Plasma, wobei der Rest des Fotoresistmusters 178 als
Maske verwendet wird.
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Dann
reagiert Ox oder Nx, das in einem ionisierten Zustand vorliegt,
mit Silicium in der aktiven Schicht 114, um dadurch die
Kanal-Passivierungsschicht 120 aus SiO2 oder
SiNx auf der aktiven Schicht 114 des
Kanalbereichs auszubilden.
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Diese
Kanal-Passivierungsschicht 120 spielt eine Rolle beim Schützen der
aktiven Schicht 114 des Kanalbereichs gegen Schäden.
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Gemäß der 9E wird
das verbliebene Fotoresistmuster 178 auf der dritten Gruppe
leitender Muster durch einen Abhebeprozess entfernt.
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Die 10 ist
eine Draufsicht eines TFT-Arraysubstrats gemäß einer anderen Ausführungsform der
Erfindung.
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Erläuterungen
für Teile,
die gleich wie die in der 4 dargestellten
sind, werden weggelassen.
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Gemäß der 10 verfügt, auf
dem TFT-Arraysubstrat gemäß der Erfindung,
ein Datenkontaktfleck 260 über eine untere Datenkontaktfleckelektrode 262,
die mit einem Gatemuster konfiguriert ist, und eine obere Datenkontaktfleckelektrode 266 aus
einer transparenten, leitenden Schicht, wobei sich die untere Datenkontaktfleckelektrode 262 so
zu einer Datenleitung 204 erstreckt, dass sie in Form einer Überbrückungsstruktur
mit dieser verbunden ist.
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Die Überbrückungsstruktur
verbindet die Datenleitung 204 mittels der transparenten,
leitenden Schicht, d. h. einer Überbrückungselektrode 268,
mit der unteren Datenkontaktfleckelektrode 262. Hierbei ist
die Überbrückungselektrode 268 durch
Kontaktlöcher 271 und 272 angeschlossen,
die an der unteren Datenkontaktfleckelektrode 262 ausgebildet
sind, und sie kann mit dem auf der Datenleitung 204 hergestellten
transparenten, leitenden Muster verbunden sein.
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So
ist der mit dem Gatemuster konfigurierte Datenkontaktfleck 260 durch
die Überbrückungsstruktur
mit der Datenleitung 204 verbunden, wobei sich die Gateisolierschicht
dazwischen befindet.
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Das
TFT-Arraysubstrat gemäß der Erfindung und
das diesem gegenüberstehende
Farbfilter-Arraysubstrat werden miteinander verbunden, um dadurch eine
Flüssigkristalltafel
zu bilden, wobei der Flüssigkristall
dazwischen eingefüllt
ist.
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Das
Farbfilter-Arraysubstrat ist mit in jeder Flüssigkristallzelle ausgebildeten
Farbfiltern, einer Schwarzmatrix, die die Farbfilter voneinander
trennt und externes Licht reflektiert, und einem gemeinsamen Knoten
verbunden, um gemeinsam eine Referenzspannung an die Flüssigkristall-Einheitszellen anzulegen.
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Insbesondere
wird das TFT-Arraysubstrat unter Verwendung eines Signaluntersuchungsprozesses
zum Erkennen von Leitungsdefekten wie Kurzschlüssen, Unterbrechungen oder
dergleichen sowie Defekten des TFT nach Abschluss des Herstellprozesses
getestet.
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Für den Signaluntersuchungsprozess
werden eine Ungerade-Kurzschlussschiene
und eine Gerade-Kurzschlussschiene auf dem TFT-Arraysubstrat erstellt,
wobei diese mit den ungeradzahligen Zeilen bzw. den geradzahligen
Zeilen der Gateleitungen 202 und der Datenleitungen 204 verbunden
werden.
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Die
Untersuchung der Datenleitungen wird ausgeführt, um Leitungsdefekte unter
Verwendung der gemeinsam mit den ungeraden Datenleitungen 209b verbundenen
Ungerade-Kurzschlussschiene 296 und der gemeinsam mit den
geradzahligen Datenleitungen 209a verbundenen Gerade-Kurzschlussschiene 297 zu
erkennen.
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11 ist
eine Draufsicht zum Veranschaulichen eines vorbestimmten Teils eines äußeren Kontaktflecks
des TFT-Arraysubstrats gemäß der Erfindung.
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Gemäß den 10 und 11 verfügt das erfindungsgemäße TFT-Arraysubstrat über einen
an jeder Schnittstelle zwischen der Gateleitung 202 und der
Datenleitung 204 ausgebildeten Schnittstelle und die mit
dem TFT 230 verbundene Pixelelektrode 222. Außerdem verlaufen
die Datenleitungen 204 über
externe Datenverbindungsstücke,
um den Datenkontaktfleck 260 zu bilden.
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Der
Datenkontaktfleck 260 erstreckt sich so zu den geradzahligen/ungeradzahligen
Datenleitungen 209a und 209b, dass er mit den
Kurzschlussschienen 296 und 297 verbunden ist.
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Der
Datenkontaktfleck 260, der mittels der Überbrückungsstruktur mit der Datenleitung 204 verbunden
ist, und die geradzahligen/ungeradzahligen Datenleitungen 209a und 209b sind
aus dem Gatemetall hergestellt. Die geradzahligen Datenleitungen 209a sind über das
Datenmetallmuster 251 und das Kontaktloch 273 mit
der Gerade-Kurzschlussschiene 297 für Daten verbunden.
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Die
ungeradzahligen Datenleitungen 209b sind mit den aus dem
Gatemetall bestehenden Ungerade-Kurzschlussschienen verbunden.
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Um
statische Elektrizität
zu verhindern, sind die geradzahligen Datenleitungen 209a mit
einer H-förmigen
Masseleitung 281 konfiguriert, die über einen vorbestimmten unterbrochenen
Abschnitt A verfügt.
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Der
Raum des unterbrochenen Abschnitts A verfügt über eine Länge von Mikrometern, so dass ein
elektrostatischer Strom über
die Masseleitungen 281 entladen wird, wenn statische Elektrizität auftritt.
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Die
Masseleitung 281 ist mit der Ungerade-Kurzschlussschiene 296 für Daten
verbunden.
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Die
geradzahligen/ungeradzahligen Datenleitungen 209a und 209b verfügen aufgrund
der Masseleitung 281 über
dasselbe Potenzial, um statische Elektrizität zu verhindern.
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Anschließend werden
die Gerade-Kurzschlussschiene 296 und die Ungerade-Kurzschlussschiene 297 für Daten
abgetrennt, um entfernt zu werden, während die Flüssigkristalltafel
hergestellt wird.
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Da
für das
TFT-Arraysubstrat und das zugehörige
Herstellverfahren gemäß der Erfindung
keine zusätzliche
Vorrichtung zum Herstellen einer Passivierungsschicht benötigt wird,
ist es möglich
die Herstellkosten zu senken. Außerdem ist die Erfindung wirkungsvoll,
um zu verhindern, dass die Pixelelektrode in einem Stufenabschnitt
des Kontaktlochs, das die Drainelektrode freilegt, unterbrochen
wird.
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Ferner
ist es, gemäß der Erfindung,
möglich, ein
Pixelsignal ohne jeglichen Reparaturprozess an jeden TFT anzulegen,
wenn die Datenleitung unterbrochen ist, indem die transparente,
leitende Schicht verwendet wird. Darüber hinaus ist die Erfindung
von Wirkung, um eine Korrosion der Datenleitung, der Sourceelektrode
und der Drainelektrode zu verhindern.
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Außerdem ist
es, gemäß der Erfindung,
auch möglich,
Mängel
der Bildqualität,
wie Flecke, durch Erhöhen
der Kapazität
des Speicherkondensators zu verringern, da zwei benachbarte Leiter
dichter aneinanderliegen.
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Die
Erfindung ist auch von Wirkung, um Korrosionsdefekte des Datenkontaktflecks
zu verhindern.
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Ferner
sind die geradzahligen und die ungeradzahligen Datenleitungen voneinander
getrennt, um im TFT-Arraysubstrat gemäß der Erfindung eine Architektur
für elektrostatischen
Schutz zu bilden, so dass es möglich
ist, die Anzahl der Herstellprozesse zu verringern.
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Darüber hinaus
ist es, gemäß der Erfindung, möglich, die
Anzahl der verwendeten Masken zu verringern, um dadurch die Herstellkosten
zu senken und den Herstellprozess zu vereinfachen.