KR20060077720A - 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (26)
- 게이트 라인과 접속된 게이트 전극과;상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 라인과 접속된 소스 전극과;상기 소스 전극과 채널을 사이에 두고 대향하는 드레인 전극과;상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 채널을 형성하는 반도체층과;상기 화소 영역에 위치하며 상기 드레인 전극과 접촉되어 형성된 화소 전극과;상기 반도체층의 채널에 형성되는 채널 보호막과;상기 게이트 라인에서 연장되며 반도체 패턴과 투명 도전 패턴이 적층된 게이트 패드와;상기 데이터 라인과 접속되며 투명 도전 패턴이 적층된 데이터 패드와;상기 반도체층, 게이트 라인 및 게이트 패드, 데이터 라인 및 데이터 패드 하에 형성되는 게이트 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 채널 보호막은 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx) 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체층은,상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널을 형성하는 활성층과;상기 소스 및 드레인 전극과 상기 활성층 사이에 형성된 오믹 접촉층을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 데이터 라인, 소스 및 드레인 전극 상에 그들을 따라 상기 화소 전극과 동일 물질로 형성되는 투명 도전 패턴을 더 구비한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되는 상기 화소 전극으로 이루어진 스토리지 캐패시터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 패드는 상기 게이트 라인과 접속된 게이트 패드 하부 전극과;상기 게이트 절연막, 반도체 패턴, 투명 전도 패턴을 관통하여 상기 게이트 패드 하부 전극을 노출시키는 콘택홀과;상기 콘택홀을 통해 상기 게이트 패드 하부 전극과 접속된 게이트 패드 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 데이터 패드는 상기 데이터 라인과 데이터 패드 하부 전극이 투명 도전 물질인 점핑 전극으로 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 데이터 패드는 게이트 물질로 이루어지는 데이터 패드 하부 전극과, 상기 데이터 패드 하부 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 콘택홀을 통해 접속된 데이터 패드 상부 전극을 포함하는 것을 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 기판 상에 게이트 전극, 게이트 라인, 게이트 패드를 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 반도체층, 금속층을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막, 반도체층, 금속층을 패터닝하여 상기 게이트 라인 및 데이터 라인, 박막 트랜지스터 영역, 게이트 패드 및 데이터 패드 위치에 패턴을 형성하는 단계와;상기 기판 상에 투명 도전막을 도포하고 패터닝하여 상기 박막 트랜지스터 영역에서 소스 및 드레인 전극과, 그 사이의 채널을 이루는 반도체층, 상기 반도체층 상에 형성된 채널 보호막과 상기 드레인 전극과 접촉하여 형성된 화소 전극과 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 반도체층, 게이트 라인 및 게이트 패드, 데이터 라인 및 데이터 패드 하에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 기판 상에 투명 도전막을 도포하고 패터닝하여 상기 박막 트랜지스터 영역에서 소스 및 드레인 전극과 그 사이의 채널을 이루는 반도체층, 상기 반도체층 상에 형성된 채널 보호막과 상기 드레인 전극과 직접 접속된 화소 전극과 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 상부 전극을 형성하는 단계는,기판 상에 투명 도전막을 형성하는 단계와;상기 박막 트랜지스터 영역 상에 부분 노광 마스크를 이용하여 단차진 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토 레지스트 패턴을 이용하여 소스 및 드레인 전극과 화소 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드 상부 전극을 형성하는 단계와;상기 포토 레지스트 패턴을 애싱(ashing)하는 단계와;상기 애싱된 포토 레지스트 패턴을 이용하여 상기 채널과 대응되는 금속층 및 오믹 접촉층을 패터닝하여 상기 채널을 이루는 상기 활성층을 노출시키는 단계와;상기 애싱된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 상기 노출된 활성층 표면을 플라즈마에 노출시켜 상기 노출된 활성층 상에 채널 보호막을 형성하는 단계와;상기 애싱된 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 채널 보호막을 형성하는 단계에 있어서,상기 활성층을 이루는 실리콘과 산소(Ox) 플라즈마 또는 질소(Nx) 플라즈마 중 어느 하나와 결합하여 상기 활성층 상에 채널 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 소스 전극과 접속된 데이터 라인, 소스 전극 및 드레인 전극 상에 그들을 따라 상기 화소 전극과 동일 물질로 투명 도전 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 게이트 전극과 접속된 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되는 상기 화소 전극으로 이루어진 스토리지 캐패시터를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 게이트 전극과 접속된 게이트 라인으로부터 연장된 게이트 패드 하부 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막과 반도체층과 금속층을 관통하여 상기 게이트 패드 하부 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 콘택홀을 통해 상기 게이트 패드 하부 전극과 접속된 게이트 패드 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 반도체층 상에 상기 소스 전극과 접속된 데이터 라인과 상기 점핑 전극으로 연결되는 데이터 패드 하부 전극을 형성하는 단계와;상기 데이터 패드 하부 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 콘택홀을 통해 접속되는 데이터 패드 상부 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으 로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 점핑 전극은 투명 도전막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 데이터 패드와 데이터 라인은 서로 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 데이터 라인과 접속되어 신호를 인가하는 외곽부 쇼팅바를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 게이트 라인과 접속된 게이트 전극과;상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 라인과 접속된 소스 전극과;상기 소스 전극과 채널을 사이에 두고 대향하는 드레인 전극과;상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 채널을 형성하는 반도체층과;상기 화소 영역에 위치하며 상기 드레인 전극과 직접 접속되는 화소 전극과;상기 채널을 형성하는 반도체층을 보호하기 위해 상기 채널과 대응하는 상기 반도체층 상에 형성되는 채널 보호막과;상기 게이트 라인에서 연장되며 반도체 패턴과 투명 도전 패턴이 적층된 게이트 패드와;상기 데이터 라인과 접속되며 투명 도전 패턴이 적층된 데이터 패드와;상기 데이터 패드에 신호를 인가하기 위한 이븐/오드(even/odd) 데이터 라인들과;상기 이븐/오드 데이터 라인들 중 어느 하나에 연결되어 일정 간격 이격되어 배열된 정전기 방지 라인 패턴과;상기 이븐/오드 데이터 라인과 각각 연결되는 외곽부 쇼팅바를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 20항에 있어서,상기 데이터 라인과 데이터 패드를 연결시키는 점핑 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 20항에 있어서,상기 정전기 방지 라인 패턴과 상기 외곽부 쇼팅바와 연결되어 등전위를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 기판 상에 게이트 전극, 게이트 라인, 게이트 패드 및 데이터 패드, 제 1 쇼팅바를 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 반도체층, 금속층을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막, 반도체층, 금속층을 패터닝하여 상기 게이트 라인 및 데이터 라인, 박막 트랜지스터 영역, 게이트 패드 및 데이터 패드, 제 2 쇼팅바 위치에 패턴을 형성하는 단계와;상기 기판 상에 투명 도전막을 도포하고 패터닝하여 상기 박막 트랜지스터 영역에서 소스 및 드레인 전극과, 그 사이의 채널을 이루는 반도체층, 상기 반도체층 상에 형성된 채널 보호막과 상기 드레인 전극과 접촉하여 형성된 화소 전극과 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 상부 전극과 상기 데이터 라인과 데이터 패드를 연결하는 점핑 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 23항에 있어서,상기 제 1 쇼팅바와 제 2 쇼팅바를 커팅하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 23항에 있어서,상기 데이터 라인은 정전기 방지 라인 패턴과 연결되어 등전위를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 정전기 방지 라인 패턴은 쇼팅바와 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
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