JP2003179069A - 薄膜トランジスタ、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス素子、ならびに表示装置用基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造時におけるフォト工程の工程数を減らす
ことにより製造コストを削減することが可能な薄膜トラ
ンジスタ、ならびにこのような薄膜トランジスタを備え
た表示装置用基板およびその製造方法、さらにはこのよ
うな表示装置用基板を含んだ液晶表示装置および有機エ
レクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 表示装置用基板のゲート線１２５および
ソース線１２７で区画された１つの画素領域１１５のＴ
ＦＴ部において、基板１上に形成されたゲート電極たる
第１の金属膜２内に収まるようにゲート絶縁膜３および
第１の半導体膜４が形成されたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置や有
機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子
という）を用いた表示装置等に用いられる薄膜トランジ
スタ（以下、ＴＦＴ：Thin Film Transistor という）
ならびにＴＦＴを備えた表示装置用基板およびその製造
方法、さらにはこのような表示装置用基板を備えた液晶
表示装置および有機ＥＬ素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、薄型化・軽量化・省電
力化が可能であるという長所を有するため、ノート型パ
ソコンに利用されるだけでなく、各種のモニター、テレ
ビ、デジタルカメラ、携帯電話等において広く利用され
ている。

【０００３】液晶表示装置は、構造の違いから、パッシ
ブマトリクス型とアクティブマトリクス型に分けられ
る。パッシブマトリクス型は、互いに交差したストライ
プ状の電極からなる単純な構造を有するため、製造コス
トの面では有利である。しかしながら、クロストークや
応答速度などの面でアクティブマトリクス型に比べて画
質が劣る。一方、アクティブマトリクス型は、画素ごと
にスイッチング素子が設けられているため、クロストー
クのほとんどない優れた画質を得ることが出来る。例え
ば、ＡＶ機器用の液晶表示装置では、高画質が要求され
るため、このようなアクティブマトリクス型のものが大
部分を占めている。しかしながら、アクティブマトリク
ス型は、構造が複雑なため、装置の製造コストが高くな
ってしまい、コストの面で不利となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、アクティブ
マトリクス型の液晶表示装置におけるスイッチング素子
としては、ＴＦＴが用いられている。ＴＦＴは複数の層
が積層されてなる多層構造を有しており、各層を形成す
るには、それぞれ成膜工程、フォト工程、エッチング工
程およびレジスト除去工程を行う必要がある。このた
め、ＴＦＴを形成するには、上記の一連の工程を何度か
繰り返すことにより複数の層を形成する必要があり、よ
って、ＴＦＴの製造工程は複雑となりコストがかかる。
なお、このようなＴＦＴの製造工程は、総称してアレイ
工程と呼ばれる。

【０００５】アレイ工程のコストが液晶表示装置の全製
造コストに対して占める割合は高く、特に、液晶表示装
置のサイズが大型になるほどアレイ工程のコストの割合
が高くなる。このため、テレビ等に用いられる大型の液
晶表示装置では、アレイ工程にかかるコストの削減が最
重要項目の１つとなっている。

【０００６】ここで、特にアレイ工程のうち、レジスト
塗布工程、レジスト露光工程およびレジスト現像工程か
らなるフォト工程は、工程数が多く複雑であるため、ア
レイ工程全体のコストを押し上げる要因となっている。
それゆえ、液晶表示装置の製造コストの削減のために
は、アレイ工程中のフォト工程にかかるコストの削減が
望まれており、そのためにはアレイ工程におけるフォト
工程の工程数を減らすことが望まれる。

【０００７】従来のＴＦＴの製造方法として、例えば特
開２００１−１２５１３４号には、図５９に示す構造を
有するＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板が開示
されている。以下に、このＴＦＴの製造方法について説
明する。

【０００８】図５９に示すＴＦＴの製造時においては、
まず、ガラス等の透明絶縁性基板７００の全面にＩＴＯ
からなる透明電極膜７０１とＡｌ等からなる第１の金属
膜７０２とをこの順に積層する。その後、第１のフォト
工程において、所定領域に第１のレジストを形成し、こ
の第１のレジストで覆われていない領域の透明電極膜７
０１および第１の金属膜７０２をエッチングして除去す
る。このようにして、透明電極膜７０１および第１の金
属膜７０２から構成されるゲート電極７０９を形成す
る。

【０００９】次に、透明電極膜７０１および第１の金属
膜７０２が積層されたこの透明絶縁性基板７００の全面
にＳｉＮ_X等からなるゲート絶縁膜７０３およびａ−Ｓ
ｉからなる半導体膜７０４を連続的に成膜し、その後、
第２のフォト工程において、上記のゲート電極を覆うよ
うに第２のレジストを形成する。そして、この第２のレ
ジストで覆われていない領域のゲート絶縁膜７０３およ
び半導体膜７０４をエッチングして除去する。このよう
にして、ゲート電極７０９を覆うようにゲート絶縁膜７
０３および半導体膜７０４を形成する。

【００１０】続いて、各膜７０１〜７０４が形成された
透明絶縁性基板７００の全面にＳｉＮ_X等からなるチャ
ネル保護膜７０５を成膜する。そして、第３のフォト工
程において第３のレジストを形成し、この第３のレジス
トを用いてエッチングを行いレジストで覆われていない
領域のチャネル保護膜７０５を除去する。それにより、
ゲート端子およびドレイン端子を形成するための開口部
７１０をチャネル保護膜７０５に形成する。

【００１１】その後、各膜７０１〜７０５が形成された
透明絶縁性基板７００の全面に不純物をドープしたｎ⁺
ａ−Ｓｉからなる半導体膜７０６を成膜するとともに、
Ａｌ等からなりソース電極およびドレイン電極となる第
２の金属膜７０７を成膜する。そして、第４のフォト工
程において第４のレジストを形成し、この第４のレジス
トを用いて不要な半導体膜７０６および第２の金属膜７
０７をエッチングして除去する。最後に酸化処理を行っ
て第２の金属膜７０７の表面に酸化膜７０８を形成す
る。

【００１２】以上のように、図５９に示すＴＦＴの製造
時には４回のフォト工程を行っているが、ＴＦＴをより
低コストで製造するためには、フォト工程の数をより少
なくすることが望ましい。

【００１３】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、製造時におけるフォト工程の工程
数を減らすことにより製造コストを削減することが可能
なＴＦＴ、ならびにこのようなＴＦＴを備えた表示装置
用基板およびその製造方法、さらにはこのような表示装
置用基板を含んだ液晶表示装置および有機ＥＬ素子を提
供することを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜トラン
ジスタは、絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記
ゲート電極上に順に形成されたゲート絶縁膜および半導
体膜を含む半導体領域と、前記ゲート電極および前記半
導体領域を覆うように形成されたチャネル保護膜と、前
記半導体膜の上面から前記チャネル保護膜を上方に貫通
して延びるようにそれぞれ形成されたソース電極部およ
びドレイン電極部とを備えた薄膜トランジスタであっ
て、平面視において、前記半導体領域が前記ゲート電極
内に収まるように形成されたものである（請求項１）。

【００１５】かかる構成を有する薄膜トランジスタで
は、前記半導体領域が前記ゲート電極内に収まるように
形成されているため、グレイトーン露光法を用いて合計
３回のフォト工程により製造することが可能である。よ
って、このようにフォト工程の数を減らすことが可能と
なった本発明の薄膜トランジスタにおいては、製造コス
トの低減化を図ることが可能となる。

【００１６】また、上記の薄膜トランジスタの製造時に
は、グレイトーン露光法を用いることにより、２回のエ
ッチング工程において利用するレジストを１回のフォト
工程において形成することができるため、従来のように
各エッチング工程において用いるレジストをその都度形
成する場合に比べてレジストの位置合わせを精度良く行
うことができ、レジストの合わせずれを少なくすること
が可能となる。したがって、薄膜トランジスタを精度良
く製造することができ、歩留まりの向上を図ることが可
能となる。

【００１７】さらに、上記の薄膜トランジスタでは、前
記ゲート電極内に前記半導体領域が収まるように形成さ
れているため、前記絶縁基板側から光が入射した際に前
記ゲート電極で光を遮断することができ、前記半導体領
域に光が直接照射されるのを防止することが可能とな
る。したがって、前記半導体領域に光が照射されること
により生じる光励起電流を低く抑えることが可能とな
り、その結果、薄膜トランジスタの特性の向上を図るこ
とが可能となる。

【００１８】前記チャネル保護膜上に平坦化膜が形成さ
れ、前記ソース電極部および前記ドレイン電極部が前記
半導体膜の上面から前記チャネル保護膜と前記平坦化膜
とを上方に貫通して延びるようにそれぞれ形成されても
よい（請求項２）。

【００１９】かかる構成を有する薄膜トランジスタを表
示装置用基板に用いた場合、画素領域の開口率の向上が
図られたＨＡ（High Aperture）構造を有する表示装置
用基板とすることが可能となる。このようなＨＡ構造の
表示装置用基板を液晶表示装置に適用することにより、
バックライトの光の利用率を向上させ液晶表示装置の輝
度を向上させることが可能となる。

【００２０】前記半導体領域上に不純物を含む半導体膜
とコンタクト金属膜とから構成されるソースコンタクト
端子およびドレインコンタクト端子が形成され、前記ソ
ースコンタクト端子とソース電極とにより前記ソース電
極部が構成されるとともに前記ドレインコンタクト端子
とドレイン電極とにより前記ドレイン電極部が構成さ
れ、前記ソースコンタクト端子およびドレインコンタク
ト端子を介して前記ソース電極およびドレイン電極が前
記半導体膜と接続されてもよい（請求項３）。

【００２１】かかる構成とすることにより、前述の効果
を有するチャネルエッチ型構造の薄膜トランジスタを実
現することが可能となる。

【００２２】前記半導体領域は前記半導体膜上にさらに
バックチャネル保護膜を含みかつ前記バックチャネル保
護膜上に前記チャネル保護膜が形成され、前記チャネル
保護膜およびバックチャネル保護膜を除去して形成され
たソース開口部およびドレイン開口部の下部に位置する
前記半導体膜の領域に不純物がドーピングされ、前記ソ
ース開口部下部の前記ドーピング領域とソース電極とに
より前記ソース電極部が構成されるとともに前記ドレイ
ン開口部下部の前記ドーピング領域とドレイン電極とに
より前記ドレイン電極部が構成され、前記ソース開口部
下部および前記ドレイン電極下部の前記ドーピング領域
を介して前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記
半導体膜と接続されてもよい（請求項４）。

【００２３】かかる構成とすることにより、前述の効果
を有するチャネルプロテクト型構造の薄膜トランジスタ
を実現することが可能となる。

【００２４】本発明に係る表示装置用基板は、前述の請
求項１記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置用基板
であって、画素電極が前記薄膜トランジスタのドレイン
電極に接続されるとともに容量部が前記画素電極に接続
されてなる単位画素を複数含み、前記複数の単位画素が
マトリクス状に配列された構成を有するものである（請
求項５）。

【００２５】かかる構成を有する表示装置用基板は、請
求項１で前述したように薄膜トランジスタの前記半導体
領域が前記ゲート電極内に収まるように形成されている
ため、グレイトーン露光法を用いて合計３回のフォト工
程により製造することが可能である。よって、このよう
にフォト工程の数を減らすことが可能となった本発明の
表示装置用基板においては、製造コストの低減化を図る
ことが可能となる。

【００２６】また、上記の表示装置用基板の製造時に
は、グレイトーン露光法を用いることにより、２回のエ
ッチング工程において利用するレジストを１回のフォト
工程において形成することができるため、従来のように
各エッチング工程において用いるレジストをその都度形
成する場合に比べてレジストの位置合わせを精度良く行
うことができ、レジストの合わせずれを少なくすること
が可能となる。したがって、上記の表示装置用基板は精
度良く製造することができ、歩留まりの向上が図られ
る。

【００２７】さらに、上記の表示装置用基板に含まれる
薄膜トランジスタでは、請求項１において前述したよう
に前記半導体領域に光が照射されることにより生じる光
励起電流を防止することができるため、特性の向上を図
ることが可能となる。したがって、良好な特性を有する
薄膜トランジスタを備えた表示装置用基板を実現するこ
とが可能となる。

【００２８】本発明に係る表示装置用基板は、前述の請
求項２記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置用基板
であって、画素電極が前記薄膜トランジスタのドレイン
電極に接続されるとともに容量部が前記画素電極に接続
されてなる単位画素を複数含み、前記複数の単位画素が
マトリクス状に配列された構成を有するものである（請
求項６）。

【００２９】かかる構成を有する表示装置用基板では、
請求項５に記載の表示装置用基板において前述した効果
と同様の効果が得られる。また、この場合においては、
平坦化膜が形成されることにより画素領域の開口率が向
上したＨＡ構造となるため、この表示装置用基板を例え
ば液晶表示装置に適用した場合においては液晶表示装置
において輝度の向上を図ることが可能となる。

【００３０】前記容量部の容量が前記画素電極に接続さ
れた蓄積容量電極とゲート線との間に形成されてもよく
（請求項７）、前記容量部が前記画素電極と共通容量電
極とを含んで構成されてもよく（請求項８）、前記容量
部が蓄積容量電極を兼ねる画素電極とゲート線とを含ん
で構成されてもよい（請求項９）。

【００３１】本発明に係る表示装置用基板は、前述の請
求項３記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置用基板
であって、画素電極が前記薄膜トランジスタのドレイン
電極に接続されるとともに、少なくともゲート金属膜と
ゲート絶縁膜と第１の半導体膜とチャネル保護膜と透明
電極膜とを含む容量部が前記画素電極に接続されてなる
単位画素を複数含み、前記複数の単位画素がマトリクス
状に配列された構成を有するものである（請求項１
０）。

【００３２】かかる構成とすることにより、チャネルエ
ッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備え、請求項５
において前述した効果と同様の効果を有する表示装置用
基板を実現することが可能となる。

【００３３】本発明に係る表示装置用基板は、前述の請
求項４記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置用基板
であって、画素電極が前記薄膜トランジスタのドレイン
電極に接続されるとともに、少なくともゲート金属膜と
チャネル保護膜と透明電極膜とを含む容量部が前記画素
電極に接続されてなる単位画素を複数含み、前記複数の
単位画素がマトリクス状に配列された構成を有するもの
である（請求項１１）。

【００３４】かかる構成とすることにより、チャネルプ
ロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備え、請求
項５において前述した効果と同様の効果を有する表示装
置用基板を実現することが可能となる。

【００３５】本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向
する薄膜トランジスタアレイ基板および対向基板と、前
記薄膜トランジスタアレイ基板と前記対向基板との間に
挟持される液晶層とを備えた液晶表示装置であって、前
記薄膜トランジスタアレイ基板が、請求項５，６，１
０，１１のいずれかに記載の表示装置用基板から構成さ
れるものである(請求項１２）。

【００３６】かかる構成の液晶表示装置においては、前
記薄膜トランジスタアレイ基板として用いられる表示装
置用基板において、前述の請求項５，６，１０，１１に
おいて述べた効果が得られる。したがって、この液晶表
示装置においては、薄膜トランジスタアレイ基板の製造
コストを低減化することにより装置全体の製造コストの
低減化を図ることが可能になるとともに、製造時におけ
る精度および歩留まりの向上を図ることが可能となる。

【００３７】本発明に係る有機エレクトロルミネッセン
ス表示装置は、陽極となる透明電極膜を含む表示装置用
基板上に有機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極と
が順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス表
示装置であって、前記表示装置用基板が、請求項５，
６，１０，１１のいずれかに記載の表示装置用基板から
構成されるものである（請求項１３）。

【００３８】かかる構成の有機エレクトロルミネッセン
ス表示装置においては、前記表示装置用基板において、
前述の請求項５，６，１０，１１において述べた効果が
得られる。したがって、この有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置においては、表示装置用基板の製造コスト
を低減化することにより装置全体の製造コストの低減化
を図ることが可能になるとともに、製造時における精度
および歩留まりの向上を図ることが可能となる。

【００３９】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部と
を有する第１のフォトマスクを用いてグレイトーン露光
を行い、所定のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第
１のレジストを前記コンタクト金属膜上に形成する第１
のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１のエ
ッチングを行い所定領域の前記コンタクト金属膜から第
１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線
を形成する工程と、前記第１のレジストを加工して所定
領域の前記第１のレジストを除去するとともに前記所定
領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程と、前記
残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを行い
所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導
体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端
子とドレインコンタクト端子を形成するとともに前記ゲ
ート線との間で容量部の容量を形成する蓄積容量電極を
形成する工程と、前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁
膜、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、前記コ
ンタクト金属膜が形成された前記絶縁基板の表面全体に
チャネル保護膜を成膜する工程と、前記チャネル保護膜
上に、透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを
用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２の
レジストを形成する第２のフォト工程と、前記第２のレ
ジストを用いて第３のエッチングを行い所定領域のチャ
ネル保護膜を除去してソース開口部、ドレイン開口部お
よび蓄積容量電極開口部を形成するとともに所定領域の
チャネル保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を
除去して端子開口部を形成する工程と、前記チャネル保
護膜表面と、前記ソース開口部、前記ドレイン開口部お
よび前記蓄積容量電極開口部の内面と、前記端子開口部
の内面とに透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜す
る工程と、透光部と半透光部と遮光部とを有する第３の
フォトマスクを用いてグレイトーン露光を行い、所定の
パターンを有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを
前記第２の金属膜上に形成する第３のフォト工程と、前
記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所定
領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、ソ
ース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を形
成する工程と、前記第３のレジストを加工して所定領域
の前記第３のレジストを除去するとともに前記所定領域
以外の前記第３のレジストのみを残す工程と、前記残っ
た第３のレジストを用いて第５のエッチングを行い前記
画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属膜
を除去する工程とを備えたものである（請求項１４）。

【００４０】かかる構成の製造方法によれば、グレイト
ーン露光を行うことにより、チャネルエッチ型構造を有
する薄膜トランジスタを備えるとともに容量部に蓄積容
量電極を備えた表示装置用基板を従来の回数よりも少な
く合計３回のフォト工程を行うことにより製造すること
が可能となる。したがって、この製造方法によれば、表
示装置用基板の製造コストの低減化を図ることが可能と
なる。

【００４１】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第
１のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第１のレジストを前記コンタクト金属膜上
に形成する第１のフォト工程と、前記第１のレジストを
用いて第１のエッチングを行い所定領域の前記コンタク
ト金属膜から第１の金属膜までを除去してゲート電極も
兼ねるゲート線を形成する工程と、透光部と遮光部とを
有する第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有
し均一な膜厚を有する第２のレジストを前記コンタクト
金属膜上に形成する第２のフォト工程と、前記第２のレ
ジストを用いて第２のエッチングを行い所定領域の前記
コンタクト金属膜および前記第２の半導体膜を除去して
前記ゲート電極上にソースコンタクト端子とドレインコ
ンタクト端子を形成するとともに前記ゲート線との間で
容量部の容量を形成する蓄積容量電極を形成する工程
と、前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の
半導体膜、前記第２の半導体膜、前記コンタクト金属膜
が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜
を成膜する工程と、前記チャネル保護膜上に、透光部と
遮光部とを有する第３のフォトマスクを用いて所定のパ
ターンを有し均一な膜厚を有する第３のレジストを形成
する第３のフォト工程と、前記第３のレジストを用いて
第３のエッチングを行い所定領域のチャネル保護膜を除
去してソース開口部、ドレイン開口部および蓄積容量電
極開口部を形成するとともに所定領域のチャネル保護
膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して端子
開口部を形成する工程と、前記チャネル保護膜表面と、
前記ソース開口部、前記ドレイン開口部および前記蓄積
容量開口部の内面と、前記ゲート端子開口部の内面とに
透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、
透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
と、前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行
い所定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去
し、ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電
極を形成する工程と、透光部と遮光部とを有する第５の
フォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚
を有する第５のレジストを前記第２の金属膜上に形成す
る工程と、前記第５のレジストを用いて第５のエッチン
グを行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記
第２の金属膜を除去する工程とを備えたものである（請
求項１５）。

【００４２】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に容量部に蓄積容量電極を備えた表示装置用基板を、グ
レイトーン露光法を用いてフォト工程を行う場合よりも
容易な条件で製造することが可能である。

【００４３】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部と
を有する第１のフォトマスクを用いてグレイトーン露光
を行い、所定のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第
１のレジストを前記コンタクト金属膜上に形成する第１
のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１のエ
ッチングを行い所定領域の前記コンタクト金属膜から第
１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線
を形成する工程と、前記第１のレジストを加工して所定
領域の前記第１のレジストを除去するとともに前記所定
領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程と、前記
残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを行い
所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導
体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端
子とドレインコンタクト端子を形成するとともに前記ゲ
ート線との間で容量部の容量を形成する蓄積容量電極を
形成する工程と、前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁
膜、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、前記コ
ンタクト金属膜が形成された前記絶縁基板の表面全体に
チャネル保護膜と平坦化膜とを順次成膜する工程と、前
記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフォ
トマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有
する第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、前
記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所定
領域の平坦化膜およびチャネル保護膜を除去してソース
開口部、ドレイン開口部および蓄積容量電極開口部を形
成するとともに所定領域の平坦化膜、チャネル保護膜、
第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して端子開口
部を形成する工程と、前記平坦化膜表面と、前記ソース
開口部、前記ドレイン開口部および前記蓄積容量電極開
口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明電極膜お
よび第２の金属膜を順次成膜する工程と、透光部と半透
光部と遮光部とを有する第３のフォトマスクを用いてグ
レイトーン露光を行い、所定のパターンを有し膜厚が部
分的に異なる第３のレジストを前記第２の金属膜上に形
成する第３のフォト工程と、前記第３のレジストを用い
て第４のエッチングを行い所定領域の前記透明電極膜お
よび第２の金属膜を除去し、ソース電極、ドレイン電
極、ソース線および画素電極を形成する工程と、前記第
３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレジスト
を除去するとともに所定領域の前記第３のレジストのみ
を残す工程と、前記残った第３のレジストを用いて第５
のエッチングを行い前記画素電極上および前記端子開口
部内の前記第２の金属膜を除去する工程とを備えたもの
である（請求項１６）。

【００４４】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に容量部に蓄積容量電極を備え、かつ、平坦化膜を形成
することにより画素領域の開口率が向上したＨＡ構造を
有する表示装置用基板を、グレイトーン露光法を用いる
ことにより従来の回数よりも少なく合計３回のフォト工
程を行うことにより製造することが可能となる。したが
って、この製造方法によれば、表示装置用基板の製造コ
ストの低減化を図ることが可能となる。

【００４５】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第
１のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第１のレジストを前記コンタクト金属膜上
に形成する第１のフォト工程と、前記第１のレジストを
用いて第１のエッチングを行い所定領域の前記コンタク
ト金属膜から第１の金属膜までを除去してゲート電極も
兼ねるゲート線を形成する工程と、透光部と遮光部とを
有する第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有
し均一な膜厚を有する第２のレジストを前記コンタクト
金属膜上に形成する第２のフォト工程と、前記第２のレ
ジストを用いて第２のエッチングを行い所定領域の前記
コンタクト金属膜および前記第２の半導体膜を除去して
前記ゲート電極上にソースコンタクト端子とドレインコ
ンタクト端子を形成するとともに前記ゲート線との間で
容量部の容量を形成する蓄積容量電極を形成する工程
と、前記第１の金属膜、ゲート絶縁膜、第１の半導体
膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜が
形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜と
平坦化膜とを順次成膜する工程と、前記平坦化膜上に、
透光部と遮光部とを有する第３のフォトマスクを用いて
所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第３のレジス
トを形成する第３のフォト工程と、前記第３のレジスト
を用いて第３のエッチングを行い所定領域の平坦化膜お
よびチャネル保護膜を除去してソース開口部、ドレイン
開口部および蓄積容量電極開口部を形成するとともに所
定領域の平坦化膜、チャネル保護膜、第１の半導体膜お
よびゲート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程
と、前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部、前記ドレ
イン開口部および前記蓄積容量電極開口部の内面と、前
記端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜
を順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第４
のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜
厚を有する第４のレジストを前記第２の金属膜上に形成
する第４のフォト工程と、前記第４のレジストを用いて
第４のエッチングを行い所定領域の前記透明電極膜およ
び第２の金属膜を除去し、ソース電極、ドレイン電極、
ソース線および画素電極を形成する工程と、透光部と遮
光部とを有する第５のフォトマスクを用いて所定のパタ
ーンを有し均一な膜厚を有する第５のレジストを前記第
２の金属膜上に形成する工程と、前記第５のレジストを
用いて第５のエッチングを行い前記画素電極上および前
記端子開口部内の前記第２の金属膜を除去する工程とを
備えたものである（請求項１７）。

【００４６】かかる構成の製造方法においては、チャネ
ルエッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるとと
もに容量部に蓄積容量電極を備え、かつ、平坦化膜を形
成することにより画素領域の開口率の向上が図られたＨ
Ａ構造を有する表示装置用基板を、グレイトーン露光法
を用いてフォト工程を行う場合よりも容易な条件で製造
することが可能となる。

【００４７】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部と
を有する第１のフォトマスクを用いてグレイトーン露光
を行い、所定のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第
１のレジストを前記コンタクト金属膜上に形成する第１
のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１のエ
ッチングを行い所定領域の前記コンタクト金属膜から第
１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線
を形成するとともに２本の前記ゲート線間に共通容量電
極を形成する工程と、前記第１のレジストを加工して所
定領域の前記第１のレジストを除去するとともに前記所
定領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程と、前
記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを行
い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半
導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト
端子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、前記
第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体
膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜が
形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜を
成膜する工程と、前記チャネル保護膜上に、透光部と遮
光部とを有する第２のフォトマスクを用いて所定のパタ
ーンを有し均一な膜厚を有する第２のレジストを形成す
る第２のフォト工程と、前記第２のレジストを用いて第
３のエッチングを行い所定領域のチャネル保護膜を除去
してソース開口部、ドレイン開口部および共通容量電極
開口部を形成するとともに所定領域のチャネル保護膜、
第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して端子開口
部を形成する工程と、前記チャネル保護膜表面と、前記
ソース開口部、前記ドレイン開口部および前記共通容量
電極開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明電
極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、透光部
と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマスクを用
いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを有し膜
厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の金属膜
上に形成する第３のフォト工程と、前記第３のレジスト
を用いて第４のエッチングを行い所定領域の前記透明電
極膜および第２の金属膜を除去し、ソース電極、ドレイ
ン電極、ソース線および画素電極を形成する工程と、前
記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレジ
ストを除去するとともに所定領域の前記第３のレジスト
のみを残す工程と、前記残った第３のレジストを用いて
第５のエッチングを行い前記画素電極上および前記端子
開口部内の前記第２の金属膜を除去する工程とを備える
ものである（請求項１８）。

【００４８】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に共通容量電極を含む容量部を備えた薄膜トランジスタ
を、グレイトーン露光法を用いることにより従来の回数
よりも少なく合計３回のフォト工程を行うことにより製
造することが可能となる。したがって、この製造方法に
よれば、表示装置用基板の製造コストの低減化を図るこ
とが可能となる。

【００４９】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第
１のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第１のレジストを前記コンタクト金属膜上
に形成する第１のフォト工程と、前記第１のレジストを
用いて第１のエッチングを行い所定領域の前記コンタク
ト金属膜から第１の金属膜までを除去してゲート電極も
兼ねるゲート線を形成するとともに２本の前記ゲート線
間に共通容量電極を形成する工程と、透光部と遮光部と
を有する第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを
有し均一な膜厚を有する第２のレジストを前記コンタク
ト金属膜上に形成する第２のフォト工程と、前記第２の
レジストを用いて第２のエッチングを行い所定領域の前
記コンタクト金属膜および前記第２の半導体膜を除去し
て前記ゲート電極上にソースコンタクト端子とドレイン
コンタクト端子を形成する工程と、前記第１の金属膜、
前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体膜、前記第２の半
導体膜および前記コンタクト金属膜が形成された前記絶
縁基板の表面全体にチャネル保護膜を成膜する工程と、
前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
程と、前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを
行い所定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口
部、ドレイン開口部および共通容量電極開口部を形成す
るとともに所定領域のチャネル保護膜、第１の半導体膜
およびゲート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工
程と、前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部、
前記ドレイン開口部および前記共通容量電極開口部の内
面と、前記ゲート端子開口部の内面とに透明電極膜およ
び第２の金属膜を順次成膜する工程と、透光部と遮光部
とを有する第４のフォトマスクを用いて所定のパターン
を有し均一な膜厚を有する第４のレジストを前記第２の
金属膜上に形成する第４のフォト工程と、前記第４のレ
ジストを用いて第４のエッチングを行い所定領域の前記
透明電極膜および第２の金属膜を除去し、ソース電極、
ドレイン電極、ソース線および画素電極を形成する工程
と、透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用
いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレ
ジストを前記第２の金属膜上に形成する工程と、前記第
５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前記画素
電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属膜を除
去する工程とを備えるものである（請求項１９）。

【００５０】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に共通容量電極を含む容量部を備えた表示装置用基板
を、グレイトーン露光法を用いてフォト工程を行う場合
よりも容易な条件で製造することが可能となる。

【００５１】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部と
を有する第１のフォトマスクを用いてグレイトーン露光
を行い、所定のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第
１のレジストを前記コンタクト金属膜上に形成する第１
のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１のエ
ッチングを行い所定領域の前記コンタクト金属膜から第
１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線
を形成するとともに２本の前記ゲート線間に共通容量電
極を形成する工程と、前記第１のレジストを加工して所
定領域の前記第１のレジストを除去するとともに前記所
定領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程と、前
記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを行
い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半
導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト
端子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、前記
第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体
膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜が
形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜と
平坦化膜とを順次成膜する工程と、前記平坦化膜上に、
透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
トを形成する第２のフォト工程と、前記第２のレジスト
を用いて第３のエッチングを行い所定領域の平坦化膜お
よびチャネル保護膜を除去してソース開口部、ドレイン
開口部および共通容量電極開口部を形成するとともに所
定領域の平坦化膜、チャネル保護膜、第１の半導体膜お
よびゲート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程
と、前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部、前記ドレ
イン開口部および前記共通容量電極開口部の内面と、前
記端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜
を順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部とを
有する第３のフォトマスクを用いてグレイトーン露光を
行い、所定のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第３
のレジストを前記第２の金属膜上に形成する第３のフォ
ト工程と、前記第３のレジストを用いて第４のエッチン
グを行い所定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜
を除去し、ソース電極、ドレイン電極、ソース線および
画素電極を形成する工程と、前記第３のレジストを加工
して所定領域の前記第３のレジストを除去するとともに
所定領域の前記第３のレジストのみを残す工程と、前記
残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを行い
前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金
属膜を除去する工程とを備えたものである（請求項２
０）。

【００５２】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に共通容量電極を含む容量部を備え、かつ、平坦化膜を
形成することにより画素領域の開口率の向上が図られた
ＨＡ構造を有する表示装置用基板を、グレイトーン露光
法を用いることにより従来の回数よりも少なく合計３回
のフォト工程を行うことにより製造することが可能とな
る。したがって、この製造方法によれば、表示装置用基
板の製造コストの低減化を図ることが可能となる。

【００５３】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第
１のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第１のレジストを前記コンタクト金属膜上
に形成する第１のフォト工程と、前記第１のレジストを
用いて第１のエッチングを行い所定領域の前記コンタク
ト金属膜から第１の金属膜までを除去してゲート電極も
兼ねるゲート線を形成するとともに２本の前記ゲート線
間に共通容量電極を形成する工程と、透光部と遮光部と
を有する第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを
有し均一な膜厚を有する第２のレジストを前記コンタク
ト金属膜上に形成する第２のフォト工程と、前記第２の
レジストを用いて第２のエッチングを行い所定領域の前
記コンタクト金属膜および前記第２の半導体膜を除去し
て前記ゲート電極上にソースコンタクト端子とドレイン
コンタクト端子を形成する工程と、前記第１の金属膜、
ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、前記第２の半導体膜お
よび前記コンタクト金属膜が形成された前記絶縁基板の
表面全体にチャネル保護膜と平坦化膜とを順次成膜する
工程と、前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する
第３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一
な膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト
工程と、前記第３のレジストを用いて第３のエッチング
を行い所定領域の平坦化膜およびチャネル保護膜を除去
してソース開口部、ドレイン開口部および共通容量電極
開口部を形成するとともに所定領域の平坦化膜、チャネ
ル保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去し
て端子開口部を形成する工程と、前記平坦化膜表面と、
前記ソース開口部、前記ドレイン開口部および前記共通
容量電極開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透
明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、透
光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて所
定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジスト
を前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程と、
前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
形成する工程と、透光部と遮光部とを有する第５のフォ
トマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有
する第５のレジストを前記第２の金属膜上に形成する工
程と、前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを
行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
の金属膜を除去する工程とを備えたものである（請求項
２１）。

【００５４】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に共通容量電極を含む容量部を備え、かつ、平坦化膜を
形成することにより画素領域の開口率の向上が図られた
ＨＡ構造を有する表示装置用基板を、グレイトーン露光
法を用いてフォト工程を行う場合よりも容易な条件で製
造することが可能となる。

【００５５】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部と
を有する第１のフォトマスクを用いてグレイトーン露光
を行い、所定のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第
１のレジストを前記コンタクト金属膜上に形成する第１
のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１のエ
ッチングを行い所定領域の前記コンタクト金属膜から第
１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線
を形成する工程と、前記第１のレジストを加工して所定
領域の前記第１のレジストを除去するとともに前記所定
領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程と、前記
残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを行い
所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導
体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端
子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、前記第
１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体膜、
前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜が形成
された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜を成膜
する工程と、前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部
とを有する第２のフォトマスクを用いて所定のパターン
を有し均一な膜厚を有する第２のレジストを形成する第
２のフォト工程と、前記第２のレジストを用いて第３の
エッチングを行い所定領域のチャネル保護膜を除去して
ソース開口部およびドレイン開口部を形成するとともに
所定領域のチャネル保護膜、第１の半導体膜およびゲー
ト絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程と、前記
チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前記ド
レイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明
電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、透光
部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマスクを
用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを有し
膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の金属
膜上に形成する第３のフォト工程と、前記第３のレジス
トを用いて第４のエッチングを行い所定領域の前記透明
電極膜および第２の金属膜を除去し、ソース電極、ドレ
イン電極、ソース線、および蓄積容量電極を兼ねており
前記ゲート線との間で容量部の容量を形成する画素電極
を形成する工程と、前記第３のレジストを加工して所定
領域の前記第３のレジストを除去するとともに所定領域
の前記第３のレジストのみを残す工程と、前記残った第
３のレジストを用いて第５のエッチングを行い前記画素
電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属膜を除
去する工程とを備えたものである（請求項２２）。

【００５６】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に蓄積容量電極も兼ねる画素電極を含む容量部を備えた
表示装置用基板を、グレイトーン露光法を用いることに
より従来の回数よりも少なく合計３回のフォト工程を行
うことにより製造することが可能となる。したがって、
この製造方法によれば、表示装置用基板の製造コストの
低減化を図ることが可能となる。

【００５７】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第
１のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第１のレジストを前記コンタクト金属膜上
に形成する第１のフォト工程と、前記第１のレジストを
用いて第１のエッチングを行い所定領域の前記コンタク
ト金属膜から第１の金属膜までを除去してゲート電極も
兼ねるゲート線を形成する工程と、透光部と遮光部とを
有する第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有
し均一な膜厚を有する第２のレジストを前記コンタクト
金属膜上に形成する第２のフォト工程と、前記第２のレ
ジストを用いて第２のエッチングを行い所定領域の前記
コンタクト金属膜および前記第２の半導体膜を除去して
前記ゲート電極上にソースコンタクト端子とドレインコ
ンタクト端子を形成する工程と、前記第１の金属膜、前
記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体膜、前記第２の半導
体膜、前記コンタクト金属膜が形成された前記絶縁基板
の表面全体にチャネル保護膜を成膜する工程と、前記チ
ャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第３のフ
ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
有する第３のレジストを形成する第３のフォト工程と、
前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部および
ドレイン開口部を形成するとともに所定領域のチャネル
保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して
端子開口部を形成する工程と、前記チャネル保護膜表面
と、前記ソース開口部、前記ドレイン開口部の内面と、
前記端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属
膜を順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第
４のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第４のレジストを前記第２の金属膜上に形
成する第４のフォト工程と、前記第３のレジストを用い
て第４のエッチングを行い所定領域の前記透明電極膜お
よび第２の金属膜を除去し、ソース電極、ドレイン電
極、ソース線、および蓄積容量電極を兼ねており前記ゲ
ート線との間で容量部の容量を形成する画素電極を形成
する工程と、透光部と遮光部とを有する第５のフォトマ
スクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する
第５のレジストを前記第２の金属膜上に形成する第５の
フォト工程と、前記第５のレジストを用いて第５のエッ
チングを行い前記画素電極上および前記端子開口部内の
前記第２の金属膜を除去する工程とを備えたものである
（請求項２３）。

【００５８】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に蓄積容量電極を兼ねる画素電極を含む容量部を備えた
表示装置用基板を、グレイトーン露光法を用いてフォト
工程を行う場合よりも容易な条件で製造することが可能
となる。

【００５９】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部と
を有する第１のフォトマスクを用いてグレイトーン露光
を行い、所定のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第
１のレジストを前記コンタクト金属膜上に形成する第１
のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１のエ
ッチングを行い所定領域の前記コンタクト金属膜から第
１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線
を形成するとともに２本の前記ゲート線の間に共通容量
電極を形成する工程と、前記第１のレジストを加工して
所定領域の前記第１のレジストを除去するとともに前記
所定領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程と、
前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
行い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の
半導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタク
ト端子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、前
記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体
膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜が
形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜を
成膜する工程と、前記チャネル保護膜上に、透光部と遮
光部とを有する第２のフォトマスクを用いて所定のパタ
ーンを有し均一な膜厚を有する第２のレジストを形成す
る第２のフォト工程と、前記第２のレジストを用いて第
３のエッチングを行い所定領域のチャネル保護膜を除去
してソース開口部およびドレイン開口部を形成するとと
もに所定領域のチャネル保護膜、第１の半導体膜および
ゲート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程と、
前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、
透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
金属膜上に形成する第３のフォト工程と、前記第３のレ
ジストを用いて第４のエッチングを行い所定領域の前記
透明電極膜および第２の金属膜を除去し、ソース電極、
ドレイン電極、ソース線、および画素電極を形成する工
程と、前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第
３のレジストを除去するとともに所定領域の前記第３の
レジストのみを残す工程と、前記残った第３のレジスト
を用いて第５のエッチングを行い前記画素電極上および
前記端子開口部内の前記第２の金属膜を除去する工程と
を備えたものである（請求項２４）。

【００６０】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に共通容量電極を含む容量部を備えた表示装置用基板
を、グレイトーン露光法を用いることにより従来の回数
よりも少なく合計３回のフォト工程を行うことにより製
造することが可能となる。したがって、この製造方法に
よれば、表示装置用基板の製造コストの低減化を図るこ
とが可能となる。

【００６１】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体膜
と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタクト金属膜
とを順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第
１のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第１のレジストを前記コンタクト金属膜上
に形成する第１のフォト工程と、前記第１のレジストを
用いて第１のエッチングを行い所定領域の前記コンタク
ト金属膜から第１の金属膜までを除去してゲート電極も
兼ねるゲート線を形成するとともに２本の前記ゲート線
間に共通容量電極を形成する工程と、透光部と遮光部と
を有する第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを
有し均一な膜厚を有する第２のレジストを前記コンタク
ト金属膜上に形成する第２のフォト工程と、前記第２の
レジストを用いて第２のエッチングを行い所定領域の前
記コンタクト金属膜および前記第２の半導体膜を除去し
て前記ゲート電極上にソースコンタクト端子とドレイン
コンタクト端子を形成する工程と、前記第１の金属膜、
前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体膜、前記第２の半
導体膜および前記コンタクト金属膜が形成された前記絶
縁基板の表面全体にチャネル保護膜を成膜する工程と、
前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
程と、前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを
行い所定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部
およびドレイン開口部を形成するとともに所定領域のチ
ャネル保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除
去して端子開口部を形成する工程と、前記チャネル保護
膜表面と、前記ソース開口部および前記ドレイン開口部
の内面と、前記端子開口部の内面とに透明電極膜および
第２の金属膜を順次成膜する工程と、透光部と遮光部と
を有する第４のフォトマスクを用いて所定のパターンを
有し均一な膜厚を有する第４のレジストを前記第２の金
属膜上に形成する第４のフォト工程と、前記第３のレジ
ストを用いて第４のエッチングを行い所定領域の前記透
明電極膜および第２の金属膜を除去し、ソース電極、ド
レイン電極、ソース線、および画素電極を形成する工程
と、透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用
いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレ
ジストを前記第２の金属膜上に形成する第５のフォト工
程と、前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを
行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
の金属膜を除去する工程とを備えたものである（請求項
２５）。

【００６２】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
エッチ型構造を有する薄膜トランジスタを備えるととも
に共通容量電極を含む容量部を備えた表示装置用基板
を、グレイトーン露光法を用いてフォト工程を行う場合
よりも容易な条件で製造することが可能となる。

【００６３】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用い
てグレイトーン露光を行い、所定のパターンを有し膜厚
が部分的に異なる第１のレジストを前記バックチャネル
保護膜上に形成する第１のフォト工程と、前記第１のレ
ジストを用いて第１のエッチングを行い所定領域の前記
バックチャネル保護膜から第１の金属膜までを除去して
ゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工程と、前記第
１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレジスト
を除去するとともに前記所定領域以外の前記第１のレジ
ストのみを残す工程と、前記残った第１のレジストを用
いて第２のエッチングを行い所定領域の前記バックチャ
ネル保護膜からゲート絶縁膜までを除去する工程と、前
記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜およ
び前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基板
の表面全体にチャネル保護膜を形成する工程と、前記チ
ャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフ
ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
有する第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、
前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
定領域のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を
除去してソース開口部およびドレイン開口部を形成する
とともに所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口
部を形成する工程と、前記半導体膜のうち前記ソース開
口部下部および前記ドレイン開口部下部の領域に不純物
をドーピングする工程と、前記チャネル保護膜表面と、
前記ソース開口部およびドレイン開口部の内面と、前記
端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜を
順次成膜する工程と、透光部と半透光部と遮光部とを有
する第３のフォトマスクを用いてグレイトーン露光を行
い、所定パターンを有し膜厚が部分的に異なる第３のレ
ジストを前記第２の金属膜上に形成する第３のフォト工
程と、前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを
行い所定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除
去し、ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄
積容量電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の
容量を形成する画素電極を形成する工程と、前記第３の
レジストを加工して所定領域の前記第３のレジストを除
去するとともに前記所定領域以外の前記第３のレジスト
のみを残す工程と、前記残った第３のレジストを用いて
第５のエッチングを行い前記画素電極上および前記端子
開口部内の前記第２の金属膜を除去する工程とを備えた
ものである（請求項２６）。

【００６４】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
プロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備えると
ともに蓄積容量電極を兼ねる画素電極を含む容量部を備
えた表示装置用基板を、グレイトーン露光法を用いるこ
とにより従来の回数よりも少なく合計３回のフォト工程
を行うことにより製造することが可能となる。したがっ
て、この製造方法によれば、表示装置用基板の製造コス
トの低減化を図ることが可能となる。

【００６５】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて所定のパ
ターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジストを前記
バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォト工程
と、前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行
い所定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属
膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成す
る工程と、透光部と遮光部とを有する第２のフォトマス
クを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第
２のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形成する
第２のフォト工程と、前記第２のレジストを用いて第２
のエッチングを行い所定領域の前記バックチャネル保護
膜からゲート絶縁膜までを除去する工程と、前記第１の
金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記バ
ックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基板の表面全
体にチャネル保護膜を形成する工程と、前記チャネル保
護膜上に、透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
クを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第
２のレジストを形成する第３のフォト工程と、前記第３
のレジストを用いて第３のエッチングを行い所定領域の
チャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を除去して
ソース開口部およびドレイン開口部を形成するとともに
所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口部を形成
する工程と、前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部
および前記ドレイン開口部下部の領域に不純物をドーピ
ングする工程と、前記チャネル保護膜表面と、前記ソー
ス開口部および前記ドレイン開口部の内面と、前記端子
開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜を順次
成膜する工程と、透光部と遮光部とを有する第４のフォ
トマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有
する第４のレジストを前記第２の金属膜上に形成する第
４のフォト工程と、前記第４のレジストを用いて第４の
エッチングを行い所定領域の前記透明電極膜および第２
の金属膜を除去し、ソース電極、ドレイン電極、ソース
線、および蓄積容量電極を兼ねており前記ゲート電極と
の間で容量部の容量を形成する画素電極を形成する工程
と、透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用
いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレ
ジストを前記第２の金属膜上に形成する工程と、前記第
５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前記画素
電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属膜を除
去する工程とを備えたものである（請求項２７）。

【００６６】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
プロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備えると
ともに蓄積容量電極を兼ねる画素電極を含む容量部を備
えた表示装置用基板を、グレイトーン露光法を用いてフ
ォト工程を行う場合よりも容易な条件で製造することが
可能となる。

【００６７】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用い
てグレイトーン露光を行い、膜厚が部分的に異なる第１
のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形成する第
１のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１の
エッチングを行い所定領域の前記バックチャネル保護膜
から第１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲ
ート線を形成する工程と、前記第１のレジストを加工し
て所定領域の前記第１のレジストを除去するとともに前
記所定領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程
と、前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチン
グを行い所定領域の前記バックチャネル保護膜からゲー
ト絶縁膜までを除去する工程と、前記第１の金属膜、前
記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記バックチャネ
ル保護膜が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネ
ル保護膜および平坦化膜を順次成膜する工程と、前記平
坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフォトマ
スクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する
第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、前記第
２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所定領域
のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を除去し
てソース開口部およびドレイン開口部を形成するととも
に所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口部を形
成する工程と、前記半導体膜のうち前記ソース開口部下
部および前記ドレイン開口部下部の領域に不純物をドー
ピングする工程と、前記平坦化膜表面と、前記ソース開
口部およびドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の
内面に透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工
程と、透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォ
トマスクを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパタ
ーンを有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記
第２の金属膜上に形成する第３のフォト工程と、前記第
３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所定領域
の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、ソース
電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量電極を
兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を形成す
る画素電極を形成する工程と、前記第３のレジストを加
工して所定領域の前記第３のレジストを除去するととも
に前記所定領域以外の前記第３のレジストのみを残す工
程と、前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチ
ングを行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前
記第２の金属膜を除去する工程とを備えたものである
（請求項２８）。

【００６８】かかる構成の製造方法においては、チャネ
ルプロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備える
とともに蓄積容量電極を兼ねる画素電極を含む容量部を
備え、かつ、平坦化膜を形成することにより画素領域の
開口率の向上が図られたＨＡ構造を有する表示装置用基
板を、グレイトーン露光法を用いることにより従来の回
数よりも少なく合計３回のフォト工程を行うことにより
製造することが可能となる。したがって、この製造方法
によれば、表示装置用基板の製造コストの低減化を図る
ことが可能となる。

【００６９】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて所定のパ
ターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジストを前記
バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォト工程
と、前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行
い所定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属
膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成す
る工程と、透光部と遮光部とを有する第２のフォトマス
クを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第
２のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形成する
第２のフォト工程と、前記第２のレジストを用いて第２
のエッチングを行い所定領域の前記バックチャネル保護
膜からゲート絶縁膜までを除去する工程と、前記第１の
金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記バ
ックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基板の表面全
体にチャネル保護膜および平坦化膜を順次成膜する工程
と、前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第３
のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜
厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工程
と、前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行
い所定領域の平坦化膜、チャネル保護膜およびバックチ
ャネル保護膜を除去してソース開口部およびドレイン開
口部を形成するとともに所定領域の平坦化膜およびチャ
ネル保護膜を除去して端子開口部を形成する工程と、前
記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ドレ
イン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
と、前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部および前記
ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透
明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、透
光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて所
定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジスト
を前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程と、
前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
形成する画素電極を形成する工程と、透光部と遮光部と
を有する第５のフォトマスクを用いて所定のパターンを
有し均一な膜厚を有する第５のレジストを前記第２の金
属膜上に形成する工程と、前記第５のレジストを用いて
第５のエッチングを行い前記画素電極上および前記端子
開口部内の前記第２の金属膜を除去する工程とを備えた
ものである（請求項２９）。

【００７０】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
プロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備えると
ともに蓄積容量電極を兼ねる画素電極を含む容量部を備
え、かつ、平坦化膜を形成することにより画素領域の開
口率の向上が図られたＨＡ構造を有する表示装置用基板
を、グレイトーン露光法を用いてフォト工程を行う場合
よりも容易な条件で製造することが可能となる。

【００７１】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用い
てグレイトーン露光を行い、膜厚が部分的に異なる第１
のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形成する第
１のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１の
エッチングを行い所定領域の前記バックチャネル保護膜
から第１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲ
ート線を形成するとともに２本の前記ゲート線間に共通
容量電極を形成する工程と、前記第１のレジストを加工
して所定領域の前記第１のレジストを除去するとともに
前記所定領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程
と、前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチン
グを行い所定領域の前記バックチャネル保護膜からゲー
ト絶縁膜までを除去する工程と、前記第１の金属膜、前
記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記バックチャネ
ル保護膜が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネ
ル保護膜を成膜する工程と、前記チャネル保護膜上に、
透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
トを形成する第２のフォト工程と、前記第２のレジスト
を用いて第３のエッチングを行い所定領域のチャネル保
護膜およびバックチャネル保護膜を除去してソース開口
部およびドレイン開口部を形成するとともに所定領域の
チャネル保護膜を除去して端子開口部を形成する工程
と、前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前
記ドレイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする
工程と、前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部
および前記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の
内面とに透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する
工程と、透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフ
ォトマスクを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパ
ターンを有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前
記第２の金属膜上に形成する第３のフォト工程と、前記
第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所定領
域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、ソー
ス電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量電極
を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を形成
する画素電極を形成する工程と、前記第３のレジストを
加工して所定領域の前記第３のレジストを除去するとと
もに前記所定領域以外の前記第３のレジストのみを残す
工程と、前記残った第３のレジストを用いて第５のエッ
チングを行い前記画素電極上および前記端子開口部内の
前記第２の金属膜を除去する工程とを備えたものである
（請求項３０）。

【００７２】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
プロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備えると
ともに共通容量電極と蓄積容量を兼ねる画素電極とを含
む容量部を備えた表示装置用基板を、グレイトーン露光
法を用いることにより従来の回数よりも少なく合計３回
のフォト工程を行うことにより製造することが可能とな
る。したがって、この製造方法によれば、表示装置用基
板の製造コストの低減化を図ることが可能となる。

【００７３】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて所定のパ
ターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジストを前記
バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォト工程
と、前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行
い所定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属
膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成す
るとともに２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成
する工程と、透光部と遮光部とを有する第２のフォトマ
スクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する
第２のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形成す
る第２のフォト工程と、前記第２のレジストを用いて第
２のエッチングを行い所定領域の前記バックチャネル保
護膜からゲート絶縁膜までを除去する工程と、前記第１
の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記
バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基板の表面
全体にチャネル保護膜を成膜する工程と、前記チャネル
保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第３のフォトマ
スクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する
第３のレジストを形成する第３のフォト工程と、前記第
３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所定領域
の前記チャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を除
去してソース開口部およびドレイン開口部を形成すると
ともに所定領域の前記チャネル保護膜を除去して端子開
口部を形成する工程と、前記半導体膜のうち前記ソース
開口部下部および前記ドレイン開口部下部の領域に不純
物をドーピングする工程と、前記チャネル保護膜表面
と、前記ソース開口部および前記ドレイン開口部の内面
と、前記端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の
金属膜を順次成膜する工程と、透光部と遮光部とを有す
る第４のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均
一な膜厚を有する第４のレジストを前記第２の金属膜上
に形成する第４のフォト工程と、前記第４のレジストを
用いて第４のエッチングを行い所定領域の前記透明電極
膜および第２の金属膜を除去し、ソース電極、ドレイン
電極、ソース線、および蓄積容量電極を兼ねており前記
ゲート線との間で容量部の容量を形成する画素電極を形
成する工程と、透光部と遮光部とを有する第５のフォト
マスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有す
る第５のレジストを前記第２の金属膜上に形成する工程
と、前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行
い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の
金属膜を除去する工程とを備えたものである（請求項３
１）。

【００７４】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
プロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備えると
ともに共通容量電極と蓄積容量電極を兼ねる画素電極と
を含む容量部を備えた表示装置用基板を、グレイトーン
露光法を用いてフォト工程を行う場合よりも容易な条件
で製造することが可能となる。

【００７５】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用い
てグレイトーン露光を行い、膜厚が部分的に異なる第１
のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形成する第
１のフォト工程と、前記第１のレジストを用いて第１の
エッチングを行い所定領域の前記バックチャネル保護膜
から第１の金属膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲ
ート線を形成するとともに２本の前記ゲート線間に共通
容量電極を形成する工程と、前記第１のレジストを加工
して所定領域の前記第１のレジストを除去するとともに
前記所定領域以外の前記第１のレジストのみを残す工程
と、前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチン
グを行い所定領域の前記バックチャネル保護膜からゲー
ト絶縁膜までを除去する工程と、前記第１の金属膜、前
記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記バックチャネ
ル保護膜が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネ
ル保護膜および平坦化膜を順次成膜する工程と、前記平
坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフォトマ
スクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する
第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、前記第
２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所定領域
のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を除去し
てソース開口部およびドレイン開口部を形成するととも
に所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口部を形
成する工程と、前記半導体膜のうち前記ソース開口部下
部および前記ドレイン開口部下部の領域に不純物をドー
ピングする工程と、前記平坦化膜表面と、前記ソース開
口部および前記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口
部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜
する工程と、透光部と半透光部と遮光部とを有する第３
のフォトマスクを用いてグレイトーン露光を行い、所定
のパターンを有し膜厚が部分的に異なる第３のレジスト
を前記第２の金属膜上に形成する第３のフォト工程と、
前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
形成する画素電極を形成する工程と、前記第３のレジス
トを加工して所定領域の前記第３のレジストを除去する
とともに前記所定領域以外の前記第３のレジストのみを
残す工程と、前記残った第３のレジストを用いて第５の
エッチングを行い前記画素電極上および前記端子開口部
内の前記第２の金属膜を除去する工程とを備えたもので
ある（請求項３２）。

【００７６】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
プロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備えると
ともに共通容量電極と蓄積容量電極を兼ねる画素電極と
を含む容量部を備え、かつ、平坦化膜を形成することに
より画素領域の開口率の向上が図られたＨＡ構造を有す
る表示装置用基板を、グレイトーン露光法を用いること
により従来の回数よりも少なく合計３回のフォト工程を
行うことにより製造することが可能となる。したがっ
て、この製造方法によれば、表示装置用基板の製造コス
トの低減化を図ることが可能となる。

【００７７】本発明に係る表示装置用基板の製造方法
は、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス方
式の表示装置用基板の製造方法であって、絶縁基板上
に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、バ
ックチャネル保護膜とを順次成膜する工程と、透光部と
遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて所定のパ
ターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジストを前記
バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォト工程
と、前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行
い所定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属
膜までを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成す
るとともに２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成
する工程と、透光部と遮光部とを有する第２のフォトマ
スクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を有する
第２のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形成す
る第２のフォト工程と、前記第２のレジストを用いて第
２のエッチングを行い所定領域の前記バックチャネル保
護膜からゲート絶縁膜までを除去する工程と、前記第１
の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記
バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基板の表面
全体にチャネル保護膜および平坦化膜を順次成膜する工
程と、前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第
３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
程と、前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを
行い所定領域の平坦化膜、チャネル保護膜およびバック
チャネル保護膜を除去してソース開口部およびドレイン
開口部を形成するとともに所定領域の平坦化膜およびチ
ャネル保護膜を除去して端子開口部を形成する工程と、
前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
と、前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部およびドレ
イン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明電
極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、透光部
と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて所定の
パターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジストを前
記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程と、前記
第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所定領
域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、ソー
ス電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量電極
を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を形成
する画素電極を形成する工程と、透光部と遮光部とを有
する第５のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し
均一な膜厚を有する第５のレジストを前記第２の金属膜
上に形成する工程と、前記第５のレジストを用いて第５
のエッチングを行い前記画素電極上および前記端子開口
部内の前記第２の金属膜を除去する工程とを備えたもの
である（請求項３３）。

【００７８】かかる構成の製造方法によれば、チャネル
プロテクト型構造を有する薄膜トランジスタを備えると
ともに共通容量電極と蓄積容量電極を兼ねる画素電極と
を含む容量部を備え、かつ、平坦化膜を形成することに
より画素領域の開口率の向上が図れたＨＡ構造を有する
表示装置用基板を、グレイトーン露光法を用いてフォト
工程を行う場合よりも容易な条件で製造することが可能
となる。

【００７９】前記半導体膜の前記ソース開口部下部およ
び前記ドレイン開口部下部の領域に不純物をドーピング
する工程において、イオン注入により前記領域に自己整
合的に不純物をドーピングしても良く（請求項３４）、
あるいは、プラズマドーピングにより前記領域に自己整
合的に不純物をドーピングしても良い（請求項３５）。

【００８０】また、本発明に係る表示装置用基板の製造
方法は、プラズマ酸化により少なくとも第２の金属膜の
表面に酸化膜を形成する工程をさらに備えても良く（請
求項３６）、あるいは、陽極酸化により少なくとも第２
の金属膜の表面に酸化膜を形成する工程をさらに備えて
も良い（請求項３７）。

【００８１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１に係る表示装置
用基板においては、基板上にソース線とゲート線とが互
いに直交するように形成され、このソース線とゲート線
とでマトリクス状に区画された領域が１つの画素を構成
している。表示装置用基板には複数のソース線とゲート
線とが形成されており、これらに区画されて複数の画素
が形成されている。以下においては、表示装置用基板に
形成された複数の画素のうちの１つの画素を抜き出して
説明する。

【００８２】図１は本発明の実施の形態１に係る表示装
置用基板の構成を説明するための模式図であり、図１
（ａ）は表示装置用基板の模式的な平面図を示してお
り、図１(ｂ)は図１（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’
線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における部分拡大断面
図を示している。なお、図１（ｂ）において、Ａ−Ａ’
線断面はＴＦＴ部、画素部および容量部の断面を示して
おり、Ｂ−Ｂ’線断面はゲート端子部の断面を示してお
り、Ｃ−Ｃ’線断面はソース端子部の断面を示してお
り、Ｄ−Ｄ’線断面はゲート・ソース接続部の断面を示
している。

【００８３】図１（ａ）に示すように、平面視におい
て、本実施の形態の表示装置用基板は、基板１上に、ゲ
ート端子部１２４に接続されたゲート線１２５とソース
端子部１２６に接続されたソース線１２７とが互いに直
交するように形成されており、ゲート端子部１２４とソ
ース端子部１２６とが接続されてゲート・ソース接続部
１２８が形成されている。ゲート線１２５とソース線１
２７とで区画された画素領域１１５には画素電極１３０
が形成されており、また、ゲート線１２５上に重なるよ
うに画素電極１３０の突出部１３０ａとして蓄積容量電
極１３１が形成されている。また、画素領域１１５には
スイッチング素子として後述する構成を有するチャネル
エッチ型構造のＴＦＴ１２９が配設されており、ＴＦＴ
１２９のドレイン電極に画素電極１３０が接続されると
ともにＴＦＴ１２９のソース電極にソース線１２７が接
続されている。

【００８４】図１（ｂ）に示すように、断面視におい
て、画素領域１１５のＴＦＴ１２９が形成された領域
（これをＴＦＴ部という）では、基板１上にゲート電極
となる第１の金属膜２、ゲート絶縁膜３および第１の半
導体膜４が順次積層されている。この場合、各膜２〜４
は同じ大きさに形成されている。この各膜２〜４は、開
口部１１６を２カ所に有するチャネル保護膜７で覆われ
ている。チャネル保護膜７の開口部１１６内には不純物
を含む第２の半導体膜５およびコンタクト金属膜６が順
次積層されており、この第２の半導体膜５およびコンタ
クト金属膜６によりソースコンタクト端子およびドレイ
ンコンタクト端子が構成されている。そしてこの開口部
１１６を覆うように透明電極膜１４が形成され、さらに
その上に第２の金属膜１５が積層されてソース電極およ
びドレイン電極が形成されている。第２の金属膜１５上
には酸化膜１６が形成されている。このように、この場
合においては、前述のソースコンタクト端子およびドレ
インコンタクト端子を介してソース電極およびドレイン
電極がそれぞれ第１の半導体膜４に接続されており、ソ
ースコンタクト端子およびソース電極によりソース電極
部が構成されるとともにドレインコンタクト端子および
ドレイン電極によりドレイン電極部が構成されている。

【００８５】また、画素領域１１５の画素部は、基板１
上に、チャネル保護膜７と、画素電極１３０となる透明
電極膜１４とが順次積層された構成を有する。

【００８６】また、画素領域１１５の容量部において
は、基板１上にゲート線１２５となる第１の金属膜２、
ゲート絶縁膜３、第１の半導体膜４、不純物を含む第２
の半導体膜５およびコンタクト金属膜６が順次積層され
ている。この各膜２〜６は開口部１１６を有するチャネ
ル保護膜７で覆われており、チャネル保護膜７表面およ
び開口部１１６内はさらに画素電極１３０の突出部１３
０ａである透明電極膜１４で覆われている。この透明電
極１４は蓄積容量電極１３１に導通している。このよう
な構成を有する容量部においては、第１の半導体膜４、
不純物を含む第２の半導体膜５およびコンタクト金属膜
６から構成される蓄積容量電極１３１とゲート線１２５
とがゲート絶縁膜３を介して対向することにより、蓄積
容量電極１３１およびゲート電極１２５の間に容量が形
成される。

【００８７】一方、ゲート端子部１２４では、基板１上
に第１の金属膜２が形成されており、この膜２は開口部
１１６を有するゲート絶縁膜３、半導体膜４およびチャ
ネル保護膜７で覆われており、開口部１１６内には透明
電極膜１４が形成されている。

【００８８】また、ソース端子部１２６では、基板１上
にチャネル保護膜７および透明電極膜１４が形成されて
いる。

【００８９】また、ゲート・ソース接続部１２８では、
ゲート端子部１２４と同様、基板１上に第１の金属膜２
が形成されている。この膜２は開口部１１６を有するゲ
ート絶縁膜３、半導体膜４およびチャネル保護膜７で覆
われており、開口部１１６内は透明電極膜１４および第
２の金属膜１５で順次覆われている。第２の金属膜１５
の表面には酸化膜１６が形成されている。

【００９０】なお、ゲート・ソース接続部１２８は、後
述の表示装置用基板の製造方法において詳細に説明する
ように、表示装置用基板の歩留まりを向上させるために
製造過程において形成されるものであり、最終的な製品
となる表示装置用基板ではこのゲート・ソース接続部は
切断して除去され、ゲート線１２５とソース線１２７が
それぞれ独立した構成となる。

【００９１】基板１は透明なガラス等から構成され絶縁
性である。また、第１の金属膜２としては、プラズマ酸
化および陽極酸化が可能なＡｌ、Ａｌ合金、Ｔａ、Ｔａ
合金、あるいは陽極酸化が可能なＭｏ、Ｍｏ合金などか
ら構成される単層膜や、これらの単層膜を組み合わせて
なる積層膜が用いられる。また、ゲート絶縁膜３は窒化
ケイ素から構成される。また、第１の半導体膜４は水素
化アモルファスシリコンから構成される。また、不純物
を含む第２の半導体膜５はリンがドープされた水素化ア
モルファスシリコンから構成される。また、コンタクト
金属膜６としてはＡｌ、Ａｌ合金、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｍ
ｏ、Ｍｏ合金、Ｔｉ、Ｃｒ等 が用いられる。また、チ
ャネル保護膜７は窒化ケイ素からなる。また、透明電極
膜１４はＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）からなる。
また、第２の金属膜１５としては、前述の第１の金属膜
２の材料と同様の材料が用いられる。

【００９２】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、ゲート絶縁膜３および第１
の半導体膜４が、ゲート電極となる第１の金属膜２と同
じ大きさで形成されているため、製造時において後述す
るようにグレイトーン露光法を用いたフォト工程を行う
ことが可能となり、その結果、合計３回のフォト工程に
より表示装置用基板を製造することが可能となる。した
がって、このような表示装置用基板では、製造時におい
て、アレイ工程におけるフォト工程の工程数を削減する
ことが可能となり、よって、表示装置用基板の製造コス
トを削減することが可能となる。

【００９３】また、本実施の形態の表示装置用基板に用
いられるＴＦＴ１２９では、光を遮断する第１の金属膜
２からなるゲート電極がゲート絶縁膜３および半導体膜
４と同じ大きさで形成されており、図５９の従来例のよ
うＴＦＴのゲート電極５０９がゲート絶縁膜７０３およ
び半導体膜７０４で覆われていない。このため、本実施
の形態のＴＦＴ１２９においては以下のような効果が得
られる。すなわち、従来例のＴＦＴにおいては、基板７
００側から光が入射した際にゲート電極７０９で光を遮
断することができずゲート絶縁膜７０３および半導体膜
７０４に光が照射されるため、ＴＦＴがオフの状態にお
いても光励起電流が流れてしまい不具合が生じるが、ゲ
ート電極（ＴＦＴ部の第１の金属膜２）がゲート絶縁膜
３および半導体膜４で覆われていない本実施の形態のＴ
ＦＴ１２９においては、ゲート電極により光を遮断する
ことができるためゲート絶縁膜３や半導体膜４に直接光
が照射されることはなく、よって、前述のような光励起
電流を低く抑えることが可能となる。したがって、本実
施の形態のＴＦＴ１２０においては特性の向上が図られ
る。

【００９４】本実施の形態の表示装置用基板の製造方法
について図２〜図６を参照しながら説明する。図２
（ａ）〜図６（ａ）は表示装置用基板の製造工程を模式
的に示す平面図である。また、図２（ｂ）〜図６（ｂ）
は表示装置用基板の製造工程を模式的に示す部分拡大断
面図であり、それぞれ図２（ａ）〜図６(ａ）中のＡ−
Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線にお
ける断面を示している。

【００９５】表示装置用基板の製造時には、まず、基板
１の全面に、第１の金属膜２、ゲート絶縁膜３、第１の
半導体膜４、不純物を含む第２の半導体膜５およびコン
タクト金属膜６をスパッタ法とＰＣＶＤ法（プラズマ化
学気相成長法）により順次成膜する。なお、３〜５は、
ＰＣＶＤ成膜装置の同一成膜室において真空状態を保持
したまま連続して成膜するのが望ましい。

【００９６】次に、以下の方法に従って第１のフォト工
程を行う。第１のフォト工程においては、まず各膜２〜
６が形成された基板１の表面全体にレジストを塗布し
（レジスト塗布工程）、続いて、あらかじめ目的のパタ
ーンが書き込まれたマスクをレジストの上に重ねてその
上から光を照射してレジスト露光を行う（レジスト露光
工程）。その後、レジストを現像液に浸して現像を行う
（レジスト現像工程）。

【００９７】ここで、本実施の形態の第１のフォト工程
においては、現像後に膜厚の異なる２種類のレジストを
作製するために、通常のレジスト露光工程のように露光
量を未露光および露光の２種類に調整するのではなく、
露光量を適切に調整して半露光状態を実現し、未露光、
半露光および露光の３種類の露光状態を実現する。この
ように未露光、半露光および露光の３状態とする露光方
法は、グレイトーン露光法と呼ばれる。

【００９８】グレイトーン露光法における半露光状態
は、露光機の解像限界より細かい線群や点群のパターン
を前述のマスク上に形成することにより実現できる。露
光機の解像限界よりも細かいパターンをマスク上に形成
すると、パターンが細かすぎるためにこれを解像するこ
とができなくなり、パターンがぼやける。このようにぼ
やけた状態を利用することにより、半露光状態を実現す
ることが可能となる。このような半露光状態において
は、マスクに形成するパターンにおける露光光透過部と
露光光遮光部の面積比を調整することにより露光量を制
御することができる。

【００９９】レジスト露光工程における露光状態を未露
光および露光の２種類の状態とする通常のフォト工程に
おいては、ポジレジストを用いた場合に、レジスト現像
工程において露光部のレジストがエッチングされて完全
に除去され、未露光部のレジストのみが残る。したがっ
て、この場合においては１種類の膜厚のレジストが形成
される。

【０１００】これに対して、露光状態を未露光、半露光
および露光の３種類の状態とするグレイトーン露光法を
用いたフォト工程においては、ポジレジストを用いた場
合に、レジスト現像工程において未露光部ではレジスト
がエッチングされずに残り、半露光部および露光部では
レジストがエッチングされる。ここで、この場合におい
ては、半露光部のレジストのエッチングレートが露光部
のレジストのエッチングレートよりも小さいため、露光
部のレジストがエッチングにより完全に除去されても半
露光部のレジストが完全に除去されることはない。この
ため、半露光部のレジストは、エッチングされずに残っ
た未露光部のレジストよりも薄い膜厚で残る。したがっ
て、グレイトーン露光法により、未露光部に膜厚の厚い
レジストが形成されるとともに半露光部に膜厚の薄いレ
ジストが形成され、２種類の膜厚のレジストを一度の工
程で同時に形成することが可能となる。

【０１０１】以上のような第１のフォト工程により、図
２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部のコンタクト金属膜６
上に、平坦な膜厚の薄い部分２０ａから膜厚の厚い部分
２０ｂがストライプ状に２本突出した形状を有するレジ
スト２０を形成するとともに、容量部のコンタクト金属
膜６上に膜厚の厚いレジスト２１を形成する。さらに、
ゲート端子部およびゲート・ソース接続部のコンタクト
金属膜６上に膜厚の薄いレジスト２２，２３をそれぞれ
形成する。そして、これらのレジスト２０〜２３を用い
て第１のエッチング工程を行い、レジスト２０〜２３で
覆われていない領域のコンタクト金属膜６から第１の金
属膜２までをエッチングして除去する。それにより、図
２（ａ）に示すように、ゲート端子部１２４に接続され
ゲート電極１２０も兼ねるゲート線１２５を形成する。
なお、このような第１のエッチング工程は望ましくはド
ライエッチング装置で一括して行う。

【０１０２】上記の第１のエッチング工程終了後、酸素
プラズマ中におけるレジストアッシング等により、膜厚
の薄いレジストの膜厚分だけレジスト２０〜２３を削
る。それにより、膜厚の薄いレジストを除去するととも
に膜厚の厚いレジストの膜厚を小さくする。このように
して、図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部に２本のスト
ライプ状のレジスト２０’を残すとともに容量部にレジ
スト２１’を残し、それ以外のレジストを除去する。そ
して、このレジスト２０’，２１’を用いて第２のエッ
チング工程を行い、レジスト２０’，２１で覆われてい
ない領域のコンタクト金属膜６から第２の半導体膜５ま
でをエッチングして除去する。それにより、図３（ａ）
に示すように、ゲート電極１２０上に第２の半導体膜５
とコンタクト金属膜６とが順次積層されてストライプ状
に突出してなるソースコンタクト端子１２１およびドレ
インコンタクト端子１２２を形成するとともに、ゲート
線１２５上にゲート絶縁膜３を介して蓄積容量電極１３
１を形成する。また、ゲート端子部およびゲート・ソー
ス接続部においてコンタクト金属膜６および第２の金属
膜５を除去する。なお、このような第２のエッチング工
程は、望ましくはドライエッチング装置で一括して行な
う。上記の第２のエッチング工程の後、レジスト２
０’，２１’を剥離して除去する（レジスト剥離工
程）。

【０１０３】このように、本実施の形態においては、第
１のフォト工程においてグレイトーン露光法により膜厚
の異なる２種類のレジスト２０〜２３を形成し、このレ
ジスト２０〜２３のうちアッシング工程を経て残ったレ
ジスト２０’，２１’を第２のエッチング工程において
利用することができる。このため、第２のエッチング工
程において利用するレジストを新たに形成する必要がな
く、よって、新たにフォト工程を行う必要がなくなりフ
ォト工程の数を減らすことが可能となる。

【０１０４】上記の第２のエッチング工程終了後、各膜
２〜６が形成されてなる基板１の表面全体にチャネル保
護膜７をＰＣＶＤ成膜装置を用いて成膜する。このよう
にして形成されたチャネル保護膜７は、ゲート線１２５
の絶縁も兼ねる。

【０１０５】次に、第２のフォト工程を行う。この第２
のフォト工程においては、前述の第１のフォト工程のグ
レイトーン露光法とは異なる通常の露光法、すなわち露
光および未露光の２つの露光状態を用いて均一な膜厚の
レジストを形成する方法を用いる。それにより、ＴＦＴ
部のソース開口部形成領域およびドレイン開口部形成領
域、容量部の蓄積容量電極開口部形成領域、ゲート端子
部のゲート端子開口部形成領域、およびゲート・ソース
接続部のゲート・ソース接続開口部形成領域に開口部を
有し均一な膜厚を有するレジストをチャネル保護膜７上
に形成する。

【０１０６】そして、このレジストを用いて、図４
（ｂ）に示すように第３のエッチング工程を行う。第３
のエッチング工程により、ＴＦＴ部および容量部ではレ
ジストの開口部内のチャネル保護膜７が除去されてソー
ス開口部８、ドレイン開口部９および蓄積容量電極開口
部１０が形成される。また、ゲート端子部ではレジスト
の開口部内のチャネル保護膜７からゲート絶縁膜３まで
が除去されてゲート開口部１１が形成される。また、ゲ
ート・ソース接続部ではレジストの開口部内のチャネル
保護膜７からゲート絶縁膜３までが除去されてゲート・
ソース接続開口部１２が形成される。また、図４（ａ）
に示すように半導体分離部１３が形成される。このよう
な第３のエッチング工程終了後、レジストを剥離して除
去する。なお、このような第３のエッチング工程はドラ
イエッチング装置を用いて行う。

【０１０７】続いて、各膜２〜７が形成された基板１の
表面全体にスパッタ装置を用いて透明電極膜１４および
第２の金属膜１５を成膜する。

【０１０８】次に、第３のフォト工程を行う。第３のフ
ォト工程では、第１のフォト工程と同様、２種類の膜厚
のレジストを形成するためにグレイトーン露光法を用い
る。それにより、図５（ｂ）に示すように、開口部１１
６を有する膜厚の厚い部分２４ａをＴＦＴ部の第２の金
属膜１５上に有するとともにこの部分と連続して膜厚の
薄い部分２４ｂを画素部および容量部の第２の金属膜１
５上に有するレジスト２４を形成し、また、ゲート端子
部の第２の金属膜１５上に膜厚の薄いレジスト２６を形
成するとともに、ソース端子部の第２の金属膜１５上に
膜厚の厚い部分２７ａと膜厚の薄い部分２７ｂとを有す
るレジスト２７を形成し、さらに、ゲート・ソース接続
部の第２の金属膜１５上に膜厚の厚いレジスト２８を形
成する。

【０１０９】そして、これらのレジスト２４，２６〜２
８を用いて第４のエッチング工程を行う。第４のエッチ
ング工程においては、ＴＦＴ部、画素部、容量部、ゲー
ト端子部、ソース端子部およびゲート・ソース接続部に
おいて、レジスト２４，２６〜２８で覆われていない領
域の透明電極膜１４および第２の金属膜１５を除去す
る。それにより、図５（ａ）に示すように、透明電極膜
１４からなる画素電極１３０、画素電極１３０の突出部
１３０ａの透明電極膜１４で覆われこの透明電極膜１４
と導通した蓄積容量電極１３１、ソース端子部１２６に
接続されたソース線１２７およびゲート・ソース接続部
１２８を形成する。このような第４のエッチング工程
は、ドライエッチング装置を用いて行うのが好ましい
が、第２の金属膜１５のエッチングをドライエッチング
装置を用いて行いかつ透明電極膜１４のエッチングをウ
エットエッチング装置を用いて行ってもよい。

【０１１０】上記の第４のエッチング工程終了後、図６
（ｂ）に示すように、前述と同様にして酸素プラズマに
おけるレジストアッシング等により、膜厚の薄いレジス
トの膜厚分だけレジスト２４，２６〜２８を削る。それ
により、開口部１１６を有するレジスト２４’をＴＦＴ
部に残すとともに、ソース端子部１２６のレジスト２
７’およびゲート・ソース接続部１２８のレジスト２
８’を残し、それ以外のレジストを除去する。そして、
このように残ったレジスト２４’，２７’，２８’を用
いて第５のエッチング工程を行い、レジスト２４’，２
７’，２８’で覆われていない領域の第２の金属膜１５
をエッチングして除去する。この第５のエッチング工程
は望ましくはドライエッチング装置を用いて行う。第５
のエッチング工程終了後、レジスト２４’，２７’，２
８’を剥離して除去する。そして、第２の金属膜１５の
表面および半導体分離部１３の第１の金属膜２の表面に
プラズマ酸化等で酸化膜１６を形成する。

【０１１１】以上の方法により、図１に示す表示装置用
基板が製造される。

【０１１２】なお、表示装置用基板の製造時において
は、大きなアレイ基板上に表示装置用基板を複数枚作製
し、最終的にこれらを個々の基板に分割して最終製品と
する。大きなアレイ基板上に複数の表示装置用基板を作
製する際には、静電気の逃げ道を作って製品の表示装置
用基板の歩留りを上げるために、個々の表示装置用基板
においてゲート線とソース線とを接続した状態、すなわ
ちゲート・ソース接続部１２８を設けた状態で作製する
が、個々の基板に分割する際にはゲート・ソース接続部
１２８を切断して除去する。したがって、最終製品とな
った個々の表示装置用基板では、ゲート線とソース線と
が各々独立した状態となる。

【０１１３】以上のように、本実施の形態の表示装置用
基板の製造方法によれば、第１のフォト工程および第３
のフォト工程においてグレイトーン露光法を用いるた
め、図５９の従来例においては４回のフォト工程が必要
であったところを３回のフォト工程で作製することが可
能となる。このように本実施の形態の方法によれば、フ
ォト工程の回数を従来よりも減らすことが可能となるた
め、表示装置用基板の製造にかかるコストを削減するこ
とが可能となる。

【０１１４】また、本実施の形態の方法においては、グ
レイトーン露光法を用いることにより、２度のエッチン
グ工程において用いるレジストを１度のフォト工程にお
いて形成することができるため、従来のように各エッチ
ング工程において用いるレジストをその都度フォト工程
を行って形成する場合に比べて、レジストの位置あわせ
を精度よく行うことができ、レジストのあわせずれを少
なくすることが可能となる。 （実施の形態２）本発明の実施の形態２に係る表示装置
用基板の製造方法について図７〜図１１を参照しながら
説明する。図７（ａ）〜図１１（ａ）は、表示装置用基
板の製造工程を模式的に示す平面図である。また、図７
（ｂ）〜図１１（ｂ）は、表示装置用基板の製造工程を
模式的に示す部分拡大断面図であり、それぞれ図７
（ａ）〜図１１（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ
−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における断面を示している。
なお、図７（ａ），（ｂ）〜図１１（ａ），（ｂ）にお
いて、図２（ａ），（ｂ）〜図６（ａ），（ｂ）と同一
の符号は、同一または相当する部分を示す。

【０１１５】本実施の形態の製造方法は、実施の形態１
で第１および第３のフォト工程においてグレイトーン露
光法を用いることにより製造工程上合計３回のフォト工
程で表示装置用基板を製造したところを、通常の露光方
法、すなわち露光および未露光の２種類の露光状態を用
いて均一な１種類の膜厚のレジストを形成する方法によ
り合計５回のフォト工程で表示装置用基板を製造する点
を除いて、実施の形態１の製造方法と同様である。

【０１１６】すなわち、本実施の形態においては、図７
（ａ），（ｂ）に示すように、第１のフォト工程におい
て、通常の露光方法により均一な膜厚のレジスト６０〜
６３をそれぞれＴＦＴ部、容量部、ゲート端子部および
ゲート・ソース接続部のコンタクト金属膜６上に形成す
る。そして、レジスト６０〜６３で覆われていない領域
のコンタクト金属膜６から第１の金属膜２までを第１の
エッチング工程を行って除去した後、レジスト６０〜６
３を剥離して除去する。

【０１１７】次に、通常の露光法を用いて第２のフォト
工程を行い、図８（ａ），（ｂ）に示すように、２本の
ストライプ状で均一な膜厚を有するレジスト６０ａをＴ
ＦＴ部に形成するとともに容量部に均一な膜厚を有する
レジスト６１ａを形成する。そして、このレジスト６０
ａ，６１ａを用いて第２のエッチング工程を行う。それ
により、レジスト６０ａ，６１ａで覆われていない領域
のコンタクト金属膜６から不純物を含む第２の半導体膜
５までを除去し、実施の形態１の図３において前述した
ようにＴＦＴ部にソースコンタクト端子１２１およびド
レインコンタクト端子１２２を形成するとともに、容量
部に蓄積容量電極１３１を形成する。第２のエッチング
工程の後、レジスト６０ａ、６１ａを剥離して除去す
る。

【０１１８】続いて、通常の露光方法を用いて第３のフ
ォト工程を行うとともに、ここで形成したレジストを用
いて第３のエッチング工程を行う。本実施の形態の第３
のフォト工程は、実施の形態１の図４において説明した
第２のフォト工程と同様である。それにより、図９
（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部および容量部において所
定領域の保護膜７を除去してソース開口部８、ドレイン
開口部９および蓄積容量電極開口部１０を形成する。ま
た、ゲート端子部およびゲート・ソース接続部において
所定領域の保護膜７、第１の半導体膜４およびゲート絶
縁膜３を除去してゲート開口部１１およびゲート・ソー
ス接続開口部１２を形成する。また、図９(ａ）に示す
ように、半導体分離部１３を形成する。

【０１１９】次に、通常の露光方法を用いて第４のフォ
ト工程を行い、図１０（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部に
開口部１１６を有する均一な膜厚のレジスト６４をＴＦ
Ｔ部、画素部および容量部の第２の金属膜１５上に渡っ
て形成するとともに、ゲート端子部６５、ソース端子部
６６およびゲート・ソース接続部６７に均一な膜厚のレ
ジスト６５〜６７をそれぞれ形成する。そして、これら
のレジスト６４〜６７を用いて第４のエッチング工程を
行い、レジスト６４〜６７が形成されていない領域の透
明電極膜１４および第２の金属膜１５を除去する。それ
により、実施の形態１の図５の場合と同様に、図１０
（ａ）に示すようにソース電極およびドレイン電極を形
成してＴＦＴ１２９を形成するとともに、ソース端子部
１２６に接続されたソース線１２７、ゲート・ソース接
続部１２８および画素電極１３０を形成する。その後、
レジスト６４〜６７を剥離して除去する。

【０１２０】さらに、通常の露光方法を用いて第５のフ
ォト工程を行い、図１１（ｂ）に示すように、開口部１
１６を有する均一な膜厚のレジスト６８をＴＦＴ部の第
２の金属膜１５上に形成するとともに、ソース端子部１
２７およびゲート・ソース接続部１２８の第２の金属膜
１５上に均一な膜厚のレジスト６９，７０をれぞれ形成
する。そして、これらのレジスト６８〜７０を用いて第
５のエッチング工程を行い、レジスト６８〜７０で覆わ
れていない領域の第２の金属膜１５を除去する。その
後、レジスト６８〜７０を剥離して除去する。

【０１２１】以上のように、本実施の形態の方法によれ
ば、実施の形態１の表示装置用基板を製造することが可
能となる。

【０１２２】本実施の形態の方法においては、表示装置
用基板を通常の露光方法を用いたフォト工程を５回行っ
て製造するため、グレイトーン露光法を用いて３回のフ
ォト工程により表示装置用基板を製造する実施の形態２
の方法に比べてフォト工程の工程数が増える。しかしな
がら、グレイトーン露光法を用いる場合には、レジスト
の材料が限定される、レジスト形成に用いるマスクが高
価である、膜厚の厚いレジストおよび小さなレジストを
共に用いてエッチングを行う場合に膜厚の薄いレジスト
が除去されないようにするためエッチング条件が厳しく
なる等の点が挙げられることから、通常の露光法を用い
る本実施の形態の方法では、グレイトーン露光を用いる
方法に比べて容易な条件で表示装置用基板を製造するこ
とが可能であるという利点を有する。 （実施の形態３）図１２は本発明の実施の形態３に係る
表示装置用基板の構成を説明するための模式図であり、
図１２（ａ）は表示装置用基板の模式的な平面図を示し
ており、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ’線、Ｂ
−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における模式的
な部分拡大断面図を示している。なお、図１２（ａ），
（ｂ）において、図１（ａ），（ｂ）と同一の符号は同
一または相当する部分を示す。

【０１２３】図１２（ａ）に示すように、平面視におい
て、本実施の形態の表示装置用基板は、画素領域１１５
に形成される画素電極１３０がゲート線１２５上に広い
範囲に渡って形成されており、画素電極１３０の面積が
図１の実施の形態１の表示装置用基板の画素電極１３０
に比べて大きい点を除いて実施の形態１と同様の構成を
有する。このように本実施の形態の表示装置において画
素電極１３０の面積を大きくすることができるのは、以
下の断面視において説明するように平坦化膜１７が形成
されるためである。

【０１２４】図１２（ｂ）に示すように、本実施の形態
の表示装置用基板のＴＦＴ部は、チャネル保護膜７上に
平坦化膜１７が積層された点を除いて実施の形態１のＴ
ＦＴ部と同様の構造を有する。また、画素部において
は、基板１上にチャネル保護膜７、平坦化膜１７および
画素電極１３０となる透明電極膜７が順次積層されてい
る。また、容量部においては、平坦化膜１７を介してチ
ャネル保護膜７上に透明電極膜１４が形成された点を除
いて実施の形態１の容量部と同様の構造を有する。な
お、実施の形態１の容量部においては画素電極１３０の
突出部１３０ａに蓄積容量電極１３１が形成される構成
であったが、本実施の形態においては画素電極１３０は
突出部１３０ａを有しておらず、ゲート線１２５上に広
範囲に渡って形成された画素電極１３０の一部に蓄積容
量電極１３１が形成されている。また、ゲート端子部１
２４およびゲート・ソース接続部１２８は、チャネル保
護膜７上に平坦化膜１７が形成された点を除いて実施の
形態１と同様の構造を有しており、また、ソース端子部
１２６は実施の形態１と同様の構造を有している。な
お、このような平坦化膜１７はアクリル等の有機膜から
構成されている。

【０１２５】本実施の形態の表示装置用基板は、ＴＦＴ
部において、ゲート絶縁膜３および第１の半導体膜４が
ゲート電極となる第１の金属膜２と同じ大きさに形成さ
れているため、実施の形態１において前述した効果と同
様の効果が得られる。

【０１２６】また、平坦化膜１７が形成された本実施の
形態の表示装置用基板は、画素領域１１５の開口率が向
上したＨＡ（High Aperture)構造を有する。したがっ
て、本実施の形態の表示装置用基板を例えば液晶表示装
置に適用した場合には、液晶表示装置において輝度の向
上を図ることが可能となる。以下に、ＨＡ構造の有効性
について詳細に説明する。

【０１２７】液晶表示装置の画質の重要な要素の１つに
輝度がある。液晶表示装置の輝度を向上させるために
は、バックライトの輝度を向上させることが最も簡単で
直接的な方法であるが、この場合には消費電力やコスト
が増大するという問題がある。このため、液晶表示装置
の輝度を向上させるためにはバックライトの光の利用率
を向上させることが重要となる。光の利用率を向上させ
る手段の１つとしては、画素領域１１５の開口率の向上
が挙げられる。ここで、ＨＡ構造では、画素電極が厚い
平坦化膜の上に形成されているため、画素電極とゲート
線間に形成される容量が小さくなる。このため、画素電
極とゲート線が重なりを持つことが許され、この重なり
合う分だけ画素電極の面積を大きく取ることができる。
それゆえ、画素の開口率を向上させることができ、その
結果、バックライトの光の利用率を向上させることが可
能となる。

【０１２８】次に、本実施の形態に係る表示装置用基板
の製造方法を図１３〜図１７を参照しながら説明する。
図１３（ａ）〜図１７（ａ）は、表示装置用基板の製造
工程を模式的に示す平面図である。また、図１３（ｂ）
〜図１７（ｂ）は、表示装置用基板の製造工程を模式的
に示す部分拡大断面図であり、それぞれ図１３(ａ）〜
図１７（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線
およびＤ−Ｄ’線における断面を示している。なお、図
１３（ａ），（ｂ）〜図１７（ａ），（ｂ）において、
図２（ａ），（ｂ）〜図７（ａ），（ｂ）と同一の符号
は同一または相当する部分を示す。

【０１２９】本実施の形態の表示装置用基板の製造方法
は、平坦化膜を形成しこの平坦化膜上に画素電極を形成
する点のみが実施の形態２の製造方法と異なる。以下、
本実施の形態の表示装置用基板の製造方法について説明
する。

【０１３０】本実施の形態の製造方法における図１３
（ａ），（ｂ）〜図１４（ａ），(ｂ）の工程は、実施
の形態１の図２（ａ），（ｂ）〜図３（ａ），（ｂ）の
工程と同様である。

【０１３１】本実施の形態の製造方法においては、図１
４（ａ），（ｂ）に示す工程を終えた後、各膜２〜６が
形成された基板１の表面全体にチャネル保護膜７と平坦
化膜１７とを順次成膜する。この場合、平坦化膜１７は
スピンコート法等により成膜する。このようにしてチャ
ネル保護膜７および平坦化膜１７を形成した後、第２の
フォト工程において、ソース端子部に開口部が形成され
た点を除いて実施の形態１の図４で前述したレジストと
同様のパターンを有するレジストを平坦化膜１７上に形
成し、これを用いて第３のエッチング工程を行う。それ
により、図１５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部において
所定領域の平坦化膜１７およびチャネル保護膜７を除去
してソース開口部８およびドレイン開口部９を形成する
とともに、容量部において所定領域の平坦化膜１７およ
びチャネル保護膜７を除去して蓄積容量電極開口部１０
を形成する。また、ゲート端子部１２４において所定領
域の平坦化膜１７、チャネル保護膜７、第１の半導体層
４およびゲート絶縁膜３を除去してゲート開口部１１を
形成するとともに、ソース端子部においては全面に形成
された平坦化膜１７およびチャネル保護膜７を除去す
る。また、ゲート・ソース接続部において所定領域の平
坦化膜１７、チャネル保護膜７、および第１の半導体層
４およびゲート絶縁膜３を除去してゲート・ソース接続
開口部１２を形成するとともに、図１５（ａ）に示すよ
うに、半導体分離部１３を形成する。これらのエッチン
グはドライエッチング装置を用いて行う。この第３のエ
ッチングの後、レジストを剥離して除去する。

【０１３２】次に、各膜２〜７，１７が形成された基板
１の表面全体に透明電極１４および第２の金属膜１５を
順次成膜し、その後、グレイトーン露光法を用いて第３
のフォト工程を行う。それにより、図１６（ｂ）に示す
ように、ＴＦＴ部の第２の金属膜１５上に膜厚の厚い部
分３３ａと開口部１１６とを有しかつ残りのＴＦＴ部、
画素部および容量部の第２の金属膜１５上に膜厚の薄い
部分３３ｂを有するレジスト３３を形成する。また、ゲ
ート端子部の第２の金属膜１５上に膜厚の薄いレジスト
３４を形成するとともに、ソース端子部には膜厚の厚い
部分３５ａと膜厚の薄い部分３５ｂとを有するレジスト
３５を形成する。さらに、ゲート・ソース接続部の第２
の金属膜１５上には膜厚の厚いレジスト３６を形成す
る。

【０１３３】そして、これらのレジスト３３〜３６を用
いて、実施の形態１の図５の場合と同様に第４のエッチ
ング工程を行い、ＴＦＴ部、画素部、容量部、ゲート端
子部、ソース端子部およびゲート・ソース接続部におい
てレジスト３３〜３６で覆われていない領域の透明電極
膜１４および第２の金属膜１５を除去する。それによ
り、図１６（ａ）に示すように、ＴＦＴ部においてソー
ス電極およびドレイン電極を形成してＴＦＴ１２９を形
成するとともに、ソース端子部１２６に接続されたソー
ス線１２７、ゲート・ソース接続部１２８、画素電極１
３０および画素電極１３０を構成する透明電極膜１４で
覆われた蓄積容量電極１３１を形成する。

【０１３４】上記の第４のエッチング工程終了後、図１
７（ｂ）に示すように、実施の形態１の図６の場合と同
様にして膜厚の薄いレジストの膜厚分だけレジスト３３
〜３６を削る。それにより、レジスト３３’をＴＦＴ部
に残すとともに、ソース端子部にレジスト３５’を、ま
た、ゲート・ソース接続部にレジスト３６’を残し、そ
れ以外のレジストを除去する。そして、残ったレジスト
３３’，３５’，３６’を用いて実施の形態１の図７の
場合と同様に第５のエッチング工程を行い、レジスト３
３’，３５’，３６’で覆われていない領域の第２の金
属膜１５をエッチングして除去する。そして、第５のエ
ッチング工程終了後、レジスト３３’，３５’，３６’
を剥離して除去する。

【０１３５】以上のようにして、図１２の表示装置用基
板が製造される。

【０１３６】このような本実施の形態の製造方法によれ
ば、実施の形態１において前述した効果と同様の効果が
得られ、さらに、平坦化膜１７を形成することにより、
画素領域１１５の開口率が向上したＨＡ（High Apertur
e）構造を有する表示装置用基板を製造することが可能
となる。 （実施の形態４）本発明の実施の形態４に係る表示装置
用基板の製造方法について図１８〜図２２を参照しなが
ら説明する。図１８（ａ）〜図２２（ａ）は、表示装置
用基板の製造工程を模式的に示す平面図である。また、
図１８（ｂ）〜図２２（ｂ）は、表示装置用基板の製造
工程を模式的に示す部分拡大断面図であり、それぞれ図
１８（ａ）〜図２２（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’
線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における断面を示して
いる。なお、図１８（ａ），（ｂ）〜図２２（ａ），
（ｂ）において、図１３（ａ），（ｂ）〜図１７
（ａ），（ｂ）と同一の符号は、同一または相当する部
分を示す。

【０１３７】本実施の形態の製造方法においては、実施
の形態３で第１および第３のフォト工程においてグレイ
トーン露光法を用いることにより製造上合計３回のフォ
ト工程で表示装置用基板を製造したところを、均一な膜
厚のレジストを形成する通常の露光方法により合計５回
のフォト工程で表示装置用基板を製造する点を除いて、
実施の形態３の方法と同様である。

【０１３８】すなわち、本実施の形態においては、図１
８（ｂ）に示すように、第１のフォト工程において、通
常の露光方法により均一な膜厚のレジスト７１〜７４を
ＴＦＴ部、容量部、ゲート端子部およびゲート・ソース
接続部のコンタクト金属膜６上にそれぞれ形成する。そ
して、第１のエッチング工程を行い、レジスト７１〜７
４で覆われていない領域のコンタクト金属膜６から第１
の金属膜２までをエッチングにより除去する。その後、
レジスト７１〜７４を剥離して除去する。

【０１３９】次に、通常の露光方法を用いて第２のフォ
ト工程を行い、図１９（ｂ）に示すように、２本のスト
ライプ状で均一な膜厚を有するレジスト７１ａをＴＦＴ
部のコンタクト金属膜６上に形成するとともに容量部の
コンタクト金属膜６上に均一な膜厚を有するレジスト７
２ａを形成する。そして、このレジスト７１ａ，７２ａ
を用いて第２のエッチング工程を行う。それにより、レ
ジスト７１ａ，７２ａで覆われていない領域のコンタク
ト金属膜６から第２の半導体膜５までを除去する。その
後、レジスト７１ａ，７２ａを剥離して除去する。

【０１４０】続いて、各膜２〜７が形成された基板１の
表面全体にチャネル保護膜７および平坦化膜１７をこの
順で成膜し、その後、通常の露光方法を用いて第３のフ
ォト工程を行って平坦化膜１７上にレジストを形成す
る。そして、このレジストを用いて第３のエッチング工
程を行う。本実施の形態の第３のフォト工程は、実施の
形態３の図１５（ｂ）において説明した第２のフォト工
程と同様である。それにより、図２０（ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴ部および容量部において所定領域の平坦化膜
１７およびチャネル保護膜７を除去してソース開口部
８、ドレイン開口部９および蓄積容量電極開口部１０を
形成する。また、ゲート端子部およびゲート・ソース接
続部において所定領域の平坦化膜１７、チャネル保護膜
７、第１の半導体膜４およびゲート絶縁膜３を除去して
ゲート開口部１１およびゲート・ソース接続開口部１２
を形成するとともに、図２０（ａ）に示すように半導体
分離部１３を形成する。

【０１４１】次に、各膜２〜７，１７が形成された基板
１の表面全体に透明電極膜１４および第２の金属膜１５
をこの順で成膜し、その後、通常の露光方法を用いて第
４のフォト工程を行う。それにより、図２１（ｂ）に示
すように、ＴＦＴ部に開口部１１６を有し均一な膜厚を
有するレジスト７５をＴＦＴ部、画素部および容量部の
第２の金属膜１５上に渡って形成するとともに、ゲート
端子部１２４、ソース端子部１２６およびゲート・ソー
ス接続部１２８の第２の金属膜１５上に均一な膜厚を有
するレジスト７６〜７８をそれぞれ形成する。そして、
これらのレジスト７５〜７８を用いて第４のエッチング
工程を行い、レジスト７５〜７８で覆われていない領域
の透明電極膜１４および第２の金属膜１５を除去する。
その後、レジスト７５〜７８を剥離して除去する。それ
により、図２１（ａ）に示すように、ＴＦＴ部において
ソース電極およびドレイン電極を形成してＴＦＴ１２９
を形成するとともに、ソース端子部１２６に接続された
ソース線１２７、ゲート・ソース接続部１２８、画素電
極１３０および画素電極１３０を構成する透明電極膜１
４で覆われた蓄積容量電極１３１を形成する。

【０１４２】さらに、通常の露光方法を用いて第５のフ
ォト工程を行い、図２２（ｂ）に示すように、均一な膜
厚を有するレジスト７９をＴＦＴ部の第２の金属膜１５
上に形成するとともに、ソース端子部１２６およびゲー
ト・ソース接続部１２８の第２の金属膜１５上に均一な
膜厚を有するレジスト８０，８１をそれぞれ形成する。
そして、これらのレジスト７９〜８１を用いて第５のエ
ッチング工程を行い、レジスト７９〜８１で覆われてい
ない領域の第２の金属膜１５を除去する。その後、レジ
スト７９〜８１を剥離して除去する。

【０１４３】以上のようにして、実施の形態３の表示装
置用基板が製造される。このような本実施の形態の製造
方法によれば、実施の形態３において前述した効果と同
様の効果が得られ、さらに、平坦化膜１７を形成するこ
とにより画素領域１１５の開口率が向上したＨＡ構造を
有する表示装置用基板を製造することが可能となる。 （実施の形態５）図２３は本発明の実施の形態５に係る
表示装置用基板の構成を説明するための模式図であり、
図２３（ａ）は実施の形態７に係る表示装置用基板の模
式的な平面図を示しており、図２３（ｂ）は図２３
（ａ）のＡ−Ａ''線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ
−Ｄ’線における部分拡大断面図を示している。なお、
図２３（ａ），（ｂ）において図１（ａ），（ｂ）と同
一の符号は同一または相当する部分を示す。

【０１４４】本実施の形態の表示装置用基板は、以下の
点を除いて、図１の実施の形態１の表示装置用基板と同
様の構造を有している。すなわち、実施の形態１の表示
装置においては、図１（ａ）に示すように、ゲート線１
２５上に重なるように蓄積容量電極１３１が形成されこ
の蓄積容量電極１３１とゲート線１２５との間に容量部
の容量が形成されているが、本実施の形態の表示装置用
基板では、図２３(ａ）に示すように、ゲート線１２５
上に蓄積容量電極１３１が設けられる代わりにゲート線
１２５間に平行に共通容量電極１３２が形成され、この
共通容量電極１３２と画素電極１３０との間に容量部の
容量が形成されている。

【０１４５】図２３（ｂ）に示すように、容量部は、実
施の形態１の容量部と同様の構造を有しており、基板１
上に共通容量電極１３２としての第１の金属膜２、ゲー
ト絶縁膜３、第１の半導体膜４、不純物を含む第２の半
導体膜５およびコンタクト金属膜６が順に積層され、開
口部１１６を有するチャネル保護膜７がこの各膜２〜６
を覆うように形成されるとともにチャネル保護膜７表面
および開口部１１６内を覆うように画素電極１３０たる
透明電極膜１４が形成されている。このような構成の容
量部においては、透明電極膜１４からなる画素電極１３
０と共通容量電極１３２との間に容量が形成される。

【０１４６】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、実施の形態１の表示装置用
基板において前述した効果と同様の効果が得られる。

【０１４７】また、このような本実施の形態の表示装置
用基板は、以下の点を除いて、実施の形態１の表示装置
用基板の製造方法と同様の方法により製造される。すな
わち、実施の形態１の表示装置用基板の製造方法におい
ては、ゲート線１２５上の所定領域に各膜２〜６を順次
積層し、これを開口部１１６を有するチャネル保護膜７
と透明電極膜１４で覆うことにより、ゲート線１２５と
蓄積容量電極１３１とから構成される容量部を形成する
が、本実施の形態の表示装置用基板の製造方法において
は、２つのゲート線１２５の間に共通容量電極１３２た
る第１の金属膜２と各膜３〜６を順次積層し、これを開
口部１１６を有するチャネル保護膜７と画素電極１３０
たる透明電極膜１４で覆うことにより容量部を形成す
る。 （実施の形態６）図２４は本発明の実施の形態６に係る
表示装置用基板の構成を説明するための模式図であり、
図２４（ａ）は実施の形態６に係る表示装置用基板の模
式的な平面図を示しており、図２４（ｂ）は図２４
（ａ）のＡ−Ａ''線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ
−Ｄ’線における部分拡大断面図を示している。

【０１４８】本実施の形態の表示装置用基板は、平坦化
膜１７が形成されてＨＡ構造を有するようになった点を
除いて、図２３の実施の形態５の表示装置用基板と同様
の構造を有している。具体的には、図２４（ｂ）に示す
ように、本実施の形態の表示装置用基板では、ＴＦＴ部
においてチャネル保護膜７上に平坦化膜１７が積層され
ている。また、画素部においては平坦化膜１７を介して
チャネル保護膜７上に画素電極１３０たる透明電極膜１
４が形成されている。また、画素電極１３０と共通電極
１３２とから構成される容量部においては平坦化膜１７
を介してチャネル保護膜７上に画素電極１３０たる透明
電極膜１４が形成されている。また、ゲート端子部１２
４およびゲート・ソース接続部１２８では平坦化膜１７
を介してチャネル保護膜７上に透明電極膜１４が形成さ
れている。

【０１４９】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、実施の形態５の表示装置用
基板において前述した効果と同様の効果が得られる。さ
らに、本実施の形態の表示装置においては、平坦化膜１
７が形成されることにより画素領域１１５の開口率が向
上したＨＡ構造となるため、実施の形態３の表示装置用
基板において前述した効果と同様の効果が得られる。

【０１５０】上記のような本実施の形態の表示装置用基
板は、平坦化膜１７を形成する点を除いて、実施の形態
５の表示装置用基板の製造方法と同様の方法により製造
される。平坦化膜１７を形成する場合の製造方法の詳細
については、実施の形態３および実施の形態４において
前述した通りである。 （実施の形態７）図２５は本発明の実施の形態７に係る
表示装置用基板の構成を説明するための模式図であり、
図２５（ａ）は実施の形態７に係る表示装置用基板の模
式的な平面図を示しており、図２５（ｂ）は図２５
（ａ）のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ
−Ｄ’線における模式的な部分拡大断面図を示してい
る。なお、図２５（ａ），（ｂ）において図１（ａ），
（ｂ）と同一の符号は同一または相当する部分を示す。

【０１５１】本実施の形態の表示装置用基板は、画素電
極１３０の突出部１３０ａが蓄積容量電極を兼ねてお
り、容量部においては、ゲート絶縁膜３、第１の半導体
膜４およびチャネル保護膜７から構成される絶縁領域
（なお、第１の半導体膜４は絶縁性ではないがこの場合
には絶縁領域に含める）を介して対向する画素電極１３
０の突出部１３０ａとゲート線１２５との間に容量が形
成される点を除いて実施の形態１の表示装置用基板と同
様の構成を有している。したがって、図２５（ａ）に示
すように、本実施の形態の表示装置用基板の平面視にお
ける構成は、蓄積容量電極１３１を画素電極１３０の突
出部１３０ａが兼ねる点を除いて図１（ａ）に示す実施
の形態１の表示装置用基板の平面視の構成と同様であ
る。

【０１５２】一方、図２５（ｂ）に示す断面視におい
て、本実施の形態の表示装置用基板の容量部は、第１の
半導体膜４、第２の半導体膜５およびコンタクト金属膜
６から構成される蓄積容量電極１３１を含む第１の実施
の形態の表示装置用基板の容量部とは異なった構造を有
する。すなわち、本実施の形態における容量部は、基板
１上に、容量部の一方の電極としての第１の金属膜２
と、絶縁領域としてのゲート絶縁膜３および第１の半導
体膜４が順に積層されるとともに、この各膜２〜４を覆
うようにチャネル保護膜７が形成されさらにその上に蓄
積容量電極１３１の代わりに画素電極１３０たる透明電
極膜１４が形成されている。

【０１５３】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、実施の形態１の表示装置用
基板において前述した効果と同様の効果が得られる。

【０１５４】また、このような本実施の形態の表示装置
用基板は、以下の点を除いて、実施の形態１または実施
の形態２における表示装置用基板の製造方法と同様の方
法により製造される。

【０１５５】すなわち、本実施の形態の表示装置用基板
の製造方法においては、実施の形態１および実施の形態
２の図３および図８に示す工程において、容量部にレジ
スト２１’，６１ａを形成せずにこの部分のエッチング
を行いコンタクト金属膜６および第２の金属膜５を除去
する。そして、実施の形態１および実施の形態２の図４
および図９に示す工程において、容量部の第１の半導体
膜４の全面にチャネル保護膜７を形成する。

【０１５６】なお、本実施の形態のように画素電極が蓄
積容量電極を兼ねる場合の他の実施の形態として、実施
の形態４の表示装置用基板のようにチャネル保護膜７と
透明電極膜１４との間に平坦化膜１７が形成された構成
も可能である。

【０１５７】（実施の形態８）図２６は本発明の実施の
形態８に係る表示装置用基板の構成を説明するための模
式図であり、図２６（ａ）は実施の形態８に係る表示装
置用基板の模式的な平面図を示しており、図２６（ｂ）
は図２６（ａ）のＡ−Ａ''線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線
およびＤ−Ｄ’線における模式的な部分拡大断面図を示
している。なお、図２６（ａ），（ｂ）において図１
（ａ），（ｂ）と同一の符号は同一または相当する部分
を示す。

【０１５８】図２６（ａ）に示すように、本実施の形態
の表示装置用基板は、実施の形態５の表示装置のように
ゲート線１２５間に平行に共通容量電極１３２が形成さ
れ共通容量電極１３２と画素電極１３０との間に容量が
形成される。

【０１５９】このような本実施の形態の表示装置用基板
の平面視における構成は、図２６（ａ）に示すように、
図２３（ａ）に示す実施の形態５の表示装置用基板と同
様の構成となる。一方、図２６（ｂ）に示すように、断
面視において本実施の形態の表示装置用基板と実施の形
態５の表示装置用基板とでは、容量部の共通容量電極１
３２の構成が異なる点を除いて、同様の構成を有する。

【０１６０】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、実施の形態１の表示装置用
基板において前述した効果と同様の効果が得られる。ま
た、このような本実施の形態の表示装置用基板は、共通
容量電極１３２の形成方法が異なる点を除いて前述の実
施の形態５の表示装置用基板の製造方法と同様の方法に
より製造される。 （実施の形態９）図２７は本発明の実施の形態９に係る
表示装置用基板の構成を説明するための模式図であり、
図２７（ａ）は表示装置用基板の模式的な平面図を示し
ており、図２７（ｂ)は図２７（ａ）中のＡ−Ａ’線、
Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における部分
拡大断面図を示している。

【０１６１】図２７（ａ）に示すように、平面視におい
て本実施の形態の表示装置用基板は、画素電極１３０の
突出部１３０ａがゲート電極１２５上に形成されており
画素電極１３０が蓄積容量電極を兼ねる点を除いて、図
１の実施の形態１の表示装置用基板と同様の構成を有す
る。また、図２７（ｂ）に示すように、断面視において
本実施の形態の表示装置用基板は、画素領域１１５の画
素部とソース端子部１２７とが実施の形態１と同様の構
造を有しており、それ以外の部分は実施の形態１と異な
り以下のような構造を有している。

【０１６２】画素領域１１５のＴＦＴ部においては、基
板１上にゲート電極１２０となる第１の金属膜２と、ゲ
ート絶縁膜３と、半導体膜４ａとバックチャネル保護膜
１８とがこの順に積層されている。バックチャネル保護
膜１８は窒化ケイ素から構成される。この場合、ゲート
絶縁膜３、半導体膜４ａおよびバックチャネル保護膜１
８は第１の金属膜２よりも小さな大きさに形成されてい
る。バックチャネル保護膜１８には２カ所に開口部が形
成されており、この開口部下部の半導体膜４ａの領域５
ａには不純物がドーピングされている。また、各膜２，
３，４ａ，１８は、バックチャネル保護膜１８の開口部
と同じ位置に開口部を有するチャネル保護膜７で覆われ
ている。この開口部内および開口部を覆うように透明電
極膜１４および第２の金属膜１５が順次積層されてソー
ス電極およびドレイン電極が形成されており、第２の金
属膜１５上には酸化膜１６が形成されている。このよう
な構成のＴＦＴにおいては、半導体膜４ａ内の不純物が
ドーピングされた領域５ａを介してソース電極およびド
レイン電極がそれぞれ半導体膜４ａに接続されている。
すなわち、ソース電極、ドレイン電極および半導体膜４
ａ内の不純物がドーピングされた領域５ａによりソース
電極部およびドレイン電極部が形成されている。

【０１６３】以上のように、本実施の形態の表示装置用
基板は、バックチャネル保護膜１８が形成されたチャネ
ルプロテクト型構造を有するＴＦＴを備えている。

【０１６４】また、画素領域１１５の容量部では、基板
１上に形成されたゲート線１２５たる第１の金属膜２を
覆うようにチャネル保護膜７が形成され、このチャネル
保護膜７上に画素電極１３０たる透明電極膜１４が形成
されている。このように、本実施の形態の表示装置用基
板の容量部においては、蓄積容量電極も兼ねる画素電極
１３０の突出部１３０ａとゲート線１２５との間に容量
が形成される。

【０１６５】一方、ゲート端子部１２４では、基板１上
に第１の金属膜２と開口部を有するチャネル保護膜７と
が順に形成されており、チャネル保護膜７の開口部内に
は透明電極膜１４が形成されている。

【０１６６】また、ゲート・ソース接続部１２８では、
基板１上に第１の金属膜２が形成されており、開口部を
有するチャネル保護膜７がこの第１の金属膜２を覆って
いる。チャネル保護膜７上および開口部内には透明電極
膜１４および第２の金属膜１５がこの順に積層されてお
り、第２の金属膜１５上には酸化膜１６が形成されてい
る。

【０１６７】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、ゲート絶縁膜３と不純物を
含む領域５ａを含む半導体膜４ａが、ゲート電極１２０
となる第１の金属膜２よりも小さな大きさで形成されて
いるため、実施の形態１の表示装置用基板において前述
した効果と同様の効果を得ることが可能である。

【０１６８】次に、本実施の形態に係る表示装置用基板
の製造方法について図２８〜図３３を参照しながら説明
する。図２８（ａ）〜３３（ａ）は、表示装置用基板の
製造工程を模式的に示す平面図である。また、図２８
（ｂ）〜図３３（ｂ）は、表示装置用基板の製造工程を
模式的に示す部分拡大断面図であり、それぞれ図２８
（ａ）〜図３３（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ
−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における断面を示している。
なお、図２８（ａ），（ｂ）〜図３３（ａ），（ｂ）に
おいて、図２（ａ），（ｂ）〜図６（ａ），（ｂ）と同
一の符号は同一または相当する部分を示す。

【０１６９】本実施の形態においては、まず、実施の形
態１の場合と同様に基板１の表面全体に第１の金属膜
２、ゲート絶縁膜３および第１の半導体膜４ａをこの順
で成膜し、その後、さらに第１の半導体膜４ａ上にバッ
クチャネル保護膜１８を成膜する。このバックチャネル
保護膜１８はＰＣＶＤ成膜装置を用いて第１の半導体膜
４ａの成膜後に連続して成膜する。

【０１７０】次に、グレイトーン露光法を用いて第１の
フォト工程を行い、図２８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
部のバックチャネル保護膜１８上に、膜厚の厚い部分４
０ａと膜厚の薄い部分４０ｂとを有するレジスト４０を
形成し、また、容量部のバックチャネル保護膜１８上に
膜厚の薄いレジスト４１を形成する。さらに、ゲート端
子部１２４のバックチャネル保護膜１８上に膜厚の薄い
レジスト４２を形成するとともに、ゲート線・ソース線
接続部のバックチャネル保護膜１８上に膜厚の薄いレジ
スト４３を形成する。そして、これらのレジスト４０〜
４３を用いて第１のエッチング工程を行い、レジスト４
０〜４３で覆われていない領域のバックチャネル保護膜
１８から第１の金属膜２までをエッチングして除去す
る。それにより、図２８（ａ）に示すように、ゲート端
子部１２４に接続されゲート電極１２０も兼ねるゲート
線１２５を形成する。なお、このような第１のエッチン
グ工程は望ましくはドライエッチング装置で一括して行
う。

【０１７１】上記の第１のエッチング工程終了後、酸素
プラズマ中におけるレジストアッシング等により、膜厚
の薄いレジストの膜厚分だけレジスト４０〜４３を削
る。それにより、図２９（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部
にレジスト４０’を残しそれ以外のレジストを除去す
る。そして、このレジスト４０’を用いて第２のエッチ
ング工程を行い、レジスト４０’で覆われていない領域
のバックチャネル保護膜１８からゲート絶縁膜３までを
エッチングして除去する。それにより、ゲート絶縁膜
３，半導体膜４ａおよびバックチャネル保護膜１８を含
む半導体領域１３５をゲート電極１２０上に形成する。
なお、このような第２のエッチング工程は、望ましくは
ドライエッチング装置で一括して行う。上記の第２のエ
ッチング工程終了後、レジスト４０’を剥離して除去す
る。

【０１７２】続いて、各膜２〜４ａ，１８が形成された
基板１の表面全体にチャネル保護膜７を成膜する。その
後、通常の露光方法を用いて第２のフォト工程を行い、
ＴＦＴ部のソース開口部形成領域およびドレイン開口部
形成領域、ゲート端子部のゲート開口部形成領域、およ
びゲート・ソース接続部のゲート・ソース接続開口部形
成領域に開口部を有する均一な膜厚のレジストをチャネ
ル保護膜７上に形成する。

【０１７３】そして、このレジストを用いて第３のエッ
チング工程を行い、図３０（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
部ではレジスト（図示せず）の開口部内のチャネル保護
膜７およびバックチャネル保護膜１８を除去してソース
開口部８およびドレイン開口部９を形成する。また、ゲ
ート端子部ではレジストの開口部内のチャネル保護膜７
を除去してゲート開口部１１を形成する。また、ゲート
・ソース接続部ではレジストの開口部内のチャネル保護
膜７を除去してゲート・ソース接続開口部１２を形成す
る。なお、このような第３のエッチング工程はドライエ
ッチング装置を用いて行う。

【０１７４】次に、図３１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
部のソース開口部８およびドレイン開口部９の下部の第
１の半導体膜４の領域５ａにプラズマドーピング法やイ
オン注入法により不純物としてリンをドーピングし、こ
の領域５ａの半導体膜４ａを自己整合的に改質して不純
物を含む領域５ａとする。その後、レジスト（図示せ
ず）を剥離して除去する。

【０１７５】続いて、各膜２，３，４ａ，１８が形成さ
れた基板１の表面全体に透明電極膜１４および第２の金
属膜１５をこの順で成膜する。その後、グレイトーン露
光法を用いた第３のフォト工程を行い、図３２（ｂ）に
示すように、開口部１１６を有する膜厚の厚い部分４４
ａをＴＦＴ部の第２の金属膜１５上に有するとともにこ
の部分と連続して膜厚の薄い部分４４ｂを画素部および
容量部の第２の金属膜１５上に有するレジスト４４を形
成する。また、ゲート端子部の第２の金属膜１５上に膜
厚の薄いレジスト４５を形成するとともに、ソース端子
部には膜厚の厚い部分４６ａと膜厚の薄い部分４６ｂと
から構成されるレジスト４６を形成する。さらに、ゲー
ト・ソース接続部の第２の金属膜１５上に膜厚の厚いレ
ジスト４７を形成する。

【０１７６】そして、これらのレジスト４４〜４７を用
いて、第４のエッチング工程を行う。第４のエッチング
工程においては、ＴＦＴ部、画素部、容量部、ゲート端
子部、ソース端子部およびゲート・ソース接続部におい
て、レジスト４４〜４７で覆われていない領域の透明電
極膜１４および第２の金属膜１５を除去する。それによ
り、図３２（ａ）に示すように、ＴＦＴ部においてソー
ス電極およびドレイン電極を形成してＴＦＴ１２９を形
成するとともに、ソース端子部１２６に接続されたソー
ス線１２７、ゲート・ソース接続部１２８、および、突
出部１３０ａを有しこの部分が蓄積容量電極も兼ねる画
素電極１３０を形成する。このような第４のエッチング
工程は、ドライエッチング装置を用いて行うのが好まし
いが、第２の金属膜１５のエッチングをドライエッチン
グ装置を用いて行いかつ透明電極膜１４のエッチングを
ウエットエッチング装置を用いて行ってもよい。

【０１７７】上記の第４のエッチング工程終了後、酸素
プラズマにおけるレジストアッシング等により、膜厚の
薄いレジストの膜厚分だけレジスト４４〜４７を削る。
それにより、図３３（ｂ）に示すように、開口部１１６
を有するレジスト４４’をＴＦＴ部に残すとともに、ソ
ース端子部にレジスト４６’を、また、ゲート・ソース
接続部にレジスト４７’を残し、それ以外のレジストを
除去する。そして、この残ったレジスト４４’，４
６’，４７’を用いて第５のエッチング工程を行い、レ
ジスト４４’，４６’，４７’で覆われていない領域の
第２の金属膜１５をエッチングして除去する。この第５
のエッチング工程はドライエッチング装置を用いて行
う。

【０１７８】第５のエッチング工程終了後、レジスト４
４’，４６’，４７’を剥離して除去する。そして、第
２の金属膜１５の表面および半導体分離部１３の第１の
金属膜２の表面にプラズマ酸化等により酸化膜１６を形
成する。

【０１７９】以上のようにして、図２７に示す表示装置
用基板が製造される。

【０１８０】なお、本実施の形態の表示装置用基板の製
造時においても、第１の実施の形態の表示装置用基板の
製造時と同様、大きなアレイ基板上に表示装置用基板を
複数枚作製し、最終的にこれらを個々の基板に分割す
る。この分割の際にはゲート・ソース接続部１２８を切
断して除去する。

【０１８１】以上のように、本実施の形態の表示装置用
基板の製造方法によれば、第１のフォト工程および第３
のフォト工程においてグレイトーン露光法を用いるた
め、３回のフォト工程のみで表示装置用基板を製造する
ことができる。このため、本実施の形態においては、実
施の形態１と同様の効果が得られる。 （実施の形態１０）本発明の実施の形態１０に係る表示
装置用基板の製造方法について図３４〜図３９を参照し
ながら説明する。図３４（ａ）〜図３９（ａ）は、表示
装置用基板の製造工程を模式的に示す平面図である。ま
た、図３４（ｂ）〜図３９（ｂ）は、表示装置用基板の
製造工程を模式的に示す部分拡大断面図であり、それぞ
れ図３３４（ａ）〜図３９（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−
Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における断面を示
している。なお、図３４（ａ），（ｂ）〜図３９
（ａ），(ｂ）において、図２８（ａ），（ｂ）〜図３
３（ａ），（ｂ）と同一の符号は、同一または相当する
部分を示す。

【０１８２】本実施の形態の製造方法は、実施の形態９
で第１および第３のフォト工程においてグレイトーン露
光法を用いることにより製造工程上合計３回のフォト工
程で表示装置用基板を製造したところを、通常の露光方
法すなわち露光および未露光の２種類の露光状態を用い
て均一な膜厚のレジストを形成する方法を用いることに
より合計５回のフォト工程で表示装置用基板を製造する
点を除いて、実施の形態９の方法と同様である。

【０１８３】すなわち、本実施の形態においては、図３
４（ｂ）に示すように、第１のフォト工程において、通
常の露光方法により均一な膜厚のレジスト８４〜８７を
ＴＦＴ部、容量部、ゲート端子部およびゲート・ソース
接続部のバックチャネル保護膜１８上にそれぞれ形成す
る。そして、第１のエッチング工程において、レジスト
８４〜８７で覆われていない領域すなわち画素部および
ソース端子部のバックチャネル保護膜１８から第１の金
属膜２までをエッチングにより除去し、その後、レジス
ト８４〜８７を剥離して除去する。それにより、図３４
（ａ）に示すように、ゲート端子部１２４に接続されゲ
ート電極１２０も兼ねるゲート線１２５を形成する。

【０１８４】次に、通常の露光方法を用いて第２のフォ
ト工程を行い、図３５（ｂ）に示すように、均一な膜厚
を有するレジスト８８をＴＦＴ部に形成する。そして、
このレジスト８８を用いて第２のエッチング工程を行
う。それにより、ＴＦＴ部においてレジスト８８で覆わ
れていない領域のバックチャネル保護膜１８からゲート
絶縁膜３までを除去してゲート電極１２０上に半導体領
域１３５を形成するとともに、容量部、ゲート端子部お
よびゲート・ソース接続部においてバックチャネル保護
膜１８からゲート絶縁膜３までを除去する。

【０１８５】続いて、実施の形態９と同様の方法により
チャネル保護膜７を形成した後、第３のフォト工程を行
う。本実施の形態の第３のフォト工程は、実施の形態９
の図３０において説明した第２のフォト工程と同様の方
法により行う。そして、図３６（ｂ）に示すように、こ
こで形成したレジスト（図示せず）を用いて第３のエッ
チング工程を行う。それにより、ＴＦＴ部において所定
領域の保護膜７およびバックチャネル保護膜１８を除去
してソース開口部８およびドレイン開口部９を形成し、
また、ゲート端子部およびゲート・ソース接続部におい
て所定領域のチャネル保護膜７を除去してゲート開口部
１１およびゲート・ソース接続開口部１２を形成する。

【０１８６】そして、図３７（ｂ）に示すように、実施
の形態９の図３１において前述した方法と同様の方法に
より、ソース開口部８およびドレイン開口部９の下部に
位置する第１の半導体膜４ａの領域５ａを自己整合的に
改質して不純物を含む半導体領域５ａとする。

【０１８７】続いて、実施の形態９において前述した方
法により透明電極膜１４および第２の金属膜１５をこの
順で成膜する。そして、通常の露光方法を用いた第４の
フォト工程を行い、図３８（ｂ）に示すようにＴＦＴ部
に開口部１１６を有し均一な膜厚を有するレジスト８９
をＴＦＴ部、画素部および容量部に渡って第２の金属膜
１５上に形成するとともに、ゲート端子部、ソース端子
部およびゲート・ソース接続部に均一な膜厚を有するレ
ジスト９０〜９２をそれぞれ形成する。そして、これら
のレジスト８９〜９２を用いて第４のエッチング工程を
行い、レジスト８９〜９２で覆われていない領域の透明
電極膜１４および第２の金属膜１５を除去する。その
後、レジスト８９〜９２を剥離して除去する。それによ
り、図３８（ａ）に示すように、ＴＦＴ部においてソー
ス電極およびドレイン電極を形成してＴＦＴ１２９を形
成するとともに、ソース端子部１２６に接続されたソー
ス線１２７、ゲート・ソース接続部１２８、および突出
部１３０ａが蓄積容量電極を兼ねる画素電極１３０を形
成する。

【０１８８】さらに、通常の露光方法を用いて第５のフ
ォト工程を行い、図３９（ｂ）に示すように、開口部１
１６を有し均一な膜厚を有するレジスト９３をＴＦＴ部
の第２の金属膜１５上に形成するとともに、ソース端子
部１２６およびゲート・ソース接続部１２８の第２の金
属膜１５上に均一な膜厚を有するレジスト９４，９５を
それぞれ形成する。そして、これらのレジスト９３〜９
５を用いて、レジスト９３〜９５で覆われていない領域
の第２の金属膜１５を除去する。

【０１８９】以上のように、本実施の形態の方法によれ
ば、実施の形態９の表示装置用基板を製造することが可
能となる。このような本実施の形態においては、実施の
形態２において前述した効果と同様の効果が得られる。 （実施の形態１１）図４０は本発明の実施の形態１１に
係る表示装置用基板の構成を説明するための模式図であ
り、図４０（ａ）は表示装置用基板の模式的な平面図を
示しており、図４０（ｂ）は図４０（ａ）のＡ−Ａ’
線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における
部分拡大断面図を示している。なお、図４０（ａ），
（ｂ）において、図２７（ａ），（ｂ）と同一の符号は
同一または相当する部分を示す。

【０１９０】図４０（ａ）に示すように、平面視におい
て、本実施の形態の表示装置用基板は、画素領域１１５
において、突出部１３０ａが形成される代わりにゲート
線１２５の広い範囲に渡って蓄積容量電極も兼ねる画素
電極１３０が形成されており、よって、画素電極１３０
の面積が図２７の実施の形態９の表示装置用基板の画素
電極１３０に比べて大きい点を除いて、実施の形態９と
同様の構成を有する。このように本実施の形態の表示装
置において画素電極１３０の面積を大きくすることがで
きるのは、以下の断面視において説明するように平坦化
膜１７が形成されるためである。

【０１９１】図４０（ｂ）に示すように、本実施の形態
の表示装置用基板のＴＦＴ部は、チャネル保護膜７上に
平坦化膜１７が積層された点を除いて、図２７（ｂ）に
示す実施の形態９のＴＦＴ部と同様の構造を有する。ま
た、画素部においては、基板１上にチャネル保護膜７、
平坦化膜１７および画素電極たる透明電極膜７が順次積
層されている。また、容量部においては、平坦化膜１７
を介してチャネル保護膜７上に蓄積容量電極も兼ねる画
素電極１３０たる透明電極膜１４が形成された点を除い
て実施の形態９の容量部と同様の構造を有する。ゲート
端子部１２４およびゲート・ソース接続部１２８は、チ
ャネル保護膜７上に平坦化膜１７が形成された点を除い
て実施の形態９と同様の構造を有しており、また、ソー
ス端子部１２６は実施の形態９と同様の構造を有してい
る。

【０１９２】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板では、ＴＦＴ部において、ゲート絶縁膜
３および半導体領域４ａおよびバックチャネル保護膜１
８が、ゲート電極１２０となる第１の金属膜２よりも小
さな大きさで形成されるため、実施の形態１において前
述した効果と同様の効果が得られる。

【０１９３】また、本実施の形態の表示装置用基板は、
平坦化膜１７を形成することにより画素領域１１５の開
口率が向上したＨＡ（High Aperture)構造となるため、
実施の形態３において前述した効果と同様の効果が得ら
れる。

【０１９４】次に、本実施の形態に係る表示装置用基板
の製造方法を図４１〜図４６を参照しながら説明する。
図４１（ａ）〜図４６（ａ）は、表示装置用基板の製造
工程を模式的に示す平面図である。また、図４１（ｂ）
〜図４６（ｂ）は、表示装置用基板の製造工程を模式的
に示す部分拡大断面図であり、それぞれ図４１（ａ）〜
図４６（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線
およびＤ−Ｄ’線における断面を示している。なお、図
４１（ａ），（ｂ）〜図４６（ａ），（ｂ）において、
図２８（ａ），（ｂ）〜図３３（ａ），（ｂ）と同一の
符号は同一または相当する部分を示す。

【０１９５】本実施の形態の表示装置用基板の製造方法
は、平坦化膜を形成しこの平坦化膜上に画素電極を形成
する点のみが実施の形態９の製造方法と異なる。以下、
本実施の形態の表示装置用基板の製造方法について説明
する。

【０１９６】本実施の形態の製造方法における図４１
（ａ），（ｂ）〜図４２（ａ），(ｂ）の工程は、実施
の形態１２の図２８（ａ），（ｂ）〜図２９（ａ），
（ｂ）の工程と同様である。

【０１９７】本実施の形態の製造方法においては、図４
２（ａ），（ｂ）に示す工程を終えた後、各膜２〜４
ａ，１８が形成された基板１の表面全体にチャネル保護
膜７と平坦化膜１７とをこの順で成膜する。平坦化膜１
７の成膜方法は実施の形態３で前述した通りである。こ
のようにしてチャネル保護膜７および平坦化膜１７を形
成した後、ソース端子部に開口部が形成された点を除い
て実施の形態９の図３０で前述したレジストと同様のパ
ターンを有するレジストを第２のフォト工程において平
坦化膜１７上に形成し、これを用いて第３のエッチング
工程を行う。それにより、図４３（ａ)，（ｂ）に示す
ように、ＴＦＴ部において所定領域の平坦化膜１７およ
びチャネル保護膜７を除去してソース開口部８およびド
レイン開口部９を形成し、また、ゲート端子部において
所定領域の平坦化膜１７およびチャネル保護膜７を除去
してゲート開口部１１を形成するとともに、ソース端子
部において全面の平坦化膜１７およびチャネル保護膜７
を除去する。また、ゲート・ソース接続部において所定
領域の平坦化膜１７およびチャネル保護膜７を除去して
ゲート・ソース接続開口部１２を形成する。これらのエ
ッチングはドライエッチング装置を用いて行う。

【０１９８】次に、図４４（ｂ）に示すように、実施の
形態９の図３１において前述した方法と同様の方法によ
り、ＴＦＴ部のソース開口部８およびドレイン開口部９
の下部の第１の半導体膜４ａの領域５ａを自己整合的に
改質して不純物を含む半導体領域５ａとする。その後、
レジスト（図示せず）を剥離して除去する。

【０１９９】次に、各膜２，３，４ａ，７，１７，１８
が形成された基板１の表面全体に透明電極１４および第
２の金属膜１５をこの順で成膜し、その後、グレイトー
ン露光を用いた第３のフォト工程を行う。それにより、
図４５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部の第２の金属膜１
５上に開口部と膜厚の厚い部分４８ａとを有しかつ残り
のＴＦＴ部から画素部および容量部にかけて第２の金属
膜１５上に膜厚の薄い部分４８ｂを有するレジスト４８
を形成する。また、ゲート端子部の第２の金属膜１５上
に膜厚の薄いレジスト４９を形成する。また、ソース端
子部の第２の金属膜１５上に、膜厚の厚い部分５０ａと
膜厚の薄い部分５０ｂとから構成されるレジスト５０を
形成する。さらに、ゲート・ソース接続部の第２の金属
膜１５上に膜厚の厚いレジスト５１を形成する。

【０２００】そして、これらのレジスト４８〜５１を用
いて第４のエッチング工程を行う。第４のエッチング工
程においては、ＴＦＴ部、画素部、容量部、ゲート端子
部、ソース端子部およびゲート・ソース接続部におい
て、レジスト４８〜５１で覆われていない領域の透明電
極膜１４および第２の金属膜１５を除去する。それによ
り、図４５（ａ）に示すように、ＴＦＴ部においてソー
ス電極およびドレイン電極を形成してＴＦＴ１２９を形
成するとともに、ソース端子部１２６に接続されたソー
ス線１２７、ゲート・ソース接続部１２８および蓄積容
量電極も兼ねる画素電極１３０を形成する。このような
第４のエッチング工程は、ドライエッチング装置を用い
て行うのが好ましいが、第２の金属膜１５のエッチング
をドライエッチング装置を用いて行い、透明電極膜１４
のエッチングをウエットエッチング装置を用いて行って
もよい。

【０２０１】上記の第４のエッチング工程終了後、酸素
プラズマにおけるレジストアッシング等により、膜厚の
薄いレジストの膜厚分だけレジスト４８〜５１を削る。
それにより、図４６（ｂ）に示すように、レジスト４
８’をＴＦＴ部に残すとともにソース端子部１２６にレ
ジスト５０’およびゲート・ソース接続部１２８にレジ
スト５１’をそれぞれ残し、それ以外のレジストを除去
する。そして、この残ったレジスト４８’，５０’，５
１’を用いて第５のエッチング工程を行い、レジスト４
８’，５０’，５１’で覆われていない領域の第２の金
属膜１５をエッチングして除去する。この第５のエッチ
ング工程はドライエッチング装置を用いて行う。第５の
エッチング工程終了後、レジスト４８’，５０’，５
１’を剥離して除去する。

【０２０２】以上のようにして、本実施の形態の方法に
よれば、図４０の表示装置用基板が製造される。

【０２０３】このような本実施の形態の製造方法によれ
ば、実施の形態９の表示装置用基板の製造方法において
前述した効果が得られるとともに、平坦化膜１７を形成
することにより画素領域１１５の開口率が向上したＨＡ
（High Aperture）構造を有する表示装置用基板を製造
することが可能となるため実施の形態３において前述し
た効果と同様の効果が得られる。 （実施の形態１２）本発明の実施の形態１２に係る表示
装置用基板の製造方法について図４７〜図５２を参照し
ながら説明する。図４７（ａ）〜図５２（ａ）は、表示
装置用基板の製造工程を模式的に示す平面図である。ま
た、図４７(ｂ）〜図５２（ｂ）は、表示装置用基板の
製造工程を模式的に示す部分拡大断面図であり、それぞ
れ図４７（ａ）〜図５２（ａ）中のＡ−Ａ’線、Ｂ−
Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線およびＤ−Ｄ’線における断面を示
している。なお、図４７（ａ），（ｂ）〜図５２
（ａ），（ｂ）において、図４１（ａ），（ｂ）〜図４
６（ａ），（ｂ）と同一の符号は、同一または相当する
部分を示す。

【０２０４】本実施の形態の方法は、実施の形態１１で
第１および第３のフォト工程においてグレイトーン露光
法を用いることにより製造工程上合計３回のフォト工程
で表示装置用基板を製造したところを、通常の露光方法
により均一な膜厚のレジストを形成する方法を用いて合
計５回のフォト工程で表示装置用基板を製造する点を除
いて、実施の形態１１の方法と同様である。

【０２０５】すなわち、本実施の形態においては、図４
７（ｂ）に示すように、第１のフォト工程において、通
常の露光方法により均一な膜厚のレジスト８４〜８７を
ＴＦＴ部、容量部、ゲート端子部およびゲート・ソース
接続部のバックチャネル保護膜１８上にそれぞれ形成す
る。そして、第１のエッチング工程において、レジスト
８４〜８７で覆われていない領域のバックチャネル保護
膜１８から第１の金属膜２までをエッチングにより除去
し、その後、レジスト８４〜８７を剥離して除去する。
それにより、図４７（ａ）に示すように、ゲート端子部
１２４に接続されたゲート電極１２０も兼ねるゲート線
１２５を形成する。

【０２０６】次に、通常の露光方法を用いて第２のフォ
ト工程を行い、図４８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部の
バックチャネル保護膜１８上に均一な膜厚を有するレジ
スト８８を形成する。そして、このレジスト８８を用い
て第２のエッチング工程を行う。それにより、図４８
（ａ）に示すように、ＴＦＴ部においてレジスト８８で
覆われていない領域のバックチャネル保護膜１８からゲ
ート絶縁膜３までを除去して半導体領域１３５を形成す
るとともに、容量部、ゲート端子部およびゲート・ソー
ス接続部においてバックチャネル保護膜１８からゲート
絶縁膜２までを除去する。このようなエッチングの後、
レジスト８８を剥離して除去する。

【０２０７】続いて、実施の形態１１と同様の方法によ
り各膜２〜４ａ，１８が形成された基板１の表面全体に
チャネル保護膜７および平坦化膜１７をこの順で成膜
し、その後、通常の露光方法を用いた第３のフォト工程
を行う。本実施の形態の第３のフォト工程は、実施の形
態１１の図３６において前述した第２のフォト工程と同
様であり、ここで形成したレジストを用いて第３のエッ
チング工程を行う。それにより、図４９（ａ），（ｂ）
に示すように、ＴＦＴ部において所定領域の平坦化膜１
７、チャネル保護膜７およびバックチャネル保護膜１８
を除去し、ソース開口部８およびドレイン開口部９を形
成する。また、ゲート端子部およびゲート・ソース接続
部においては所定領域の平坦化膜１７およびチャネル保
護膜７を除去し、ゲート開口部１１およびゲート・ソー
ス接続開口部１２をそれぞれ形成する。また、ソース端
子部においては全面に形成されたチャネル保護膜７およ
び平坦化膜１７を除去する。

【０２０８】そして、図５０（ｂ）に示すように、実施
の形態１１の図４４において前述した方法と同様の方法
により、ソース開口部８およびドレイン開口部９の下部
に位置する第１の半導体膜４ａの領域５ａを自己整合的
に改質して不純物を含む半導体領域５ａとする。

【０２０９】次に、各膜２，３，４ａ，７，１７，１８
が形成された基板１の表面全体に透明電極膜１４および
第２の金属膜１５をこの順で成膜する。その後、通常の
露光方法を用いて第４のフォト工程を行い、図５１
（ｂ）に示すように、ＴＦＴ部に開口部を有し均一な膜
厚を有するレジスト９６をＴＦＴ部、画素部および容量
部の第２の金属膜１５上に渡って形成するとともに、ゲ
ート端子部、ソース端子部およびゲート・ソース接続部
に均一な膜厚を有するレジスト９７〜９９をそれぞれ形
成する。そして、これらのレジスト９６〜９９を用いて
第４のエッチング工程を行い、レジスト９６〜９９で覆
われていない領域の透明電極膜１４および第２の金属膜
１５を除去する。その後、レジスト９６〜９９を剥離し
て除去する。それにより、図５１（ａ）に示すように、
ＴＦＴ部にソース電極およびドレイン電極を形成してＴ
ＦＴ１２９を形成するとともに、ソース端子部１２６に
接続されたソース線１２７、ゲート・ソース接続部１２
８、および蓄積容量電極も兼ねる画素電極１３０を形成
する。

【０２１０】さらに、通常の露光方法を用いて第５のフ
ォト工程を行い、図５２（ｂ）に示すように、均一な膜
厚を有するレジスト１００をＴＦＴ部の第２の金属膜１
５上に形成するとともに、ソース端子部１２６およびゲ
ート・ソース接続部１２８の第２の金属膜１５上に均一
な膜厚を有するレジスト１０１，１０２をそれぞれ形成
する。そして、これらのレジスト１００〜１０２を用い
て第５のエッチング工程を行い、レジスト１００〜１０
２で覆われていない領域の第２の金属膜１５を除去す
る。

【０２１１】以上のように、本実施の形態の方法によれ
ば、図４０に示す表示装置用基板を製造することができ
る。このような本実施の形態においては、実施の形態４
において前述した効果と同様の効果が得られる。 （実施の形態１３）図５３は本発明の実施の形態１３に
係る表示装置用基板の構成を説明するための模式図であ
り、図５３（ａ）は実施の形態１３に係る表示装置用基
板の模式的な平面図を示しており、図５３（ｂ）は図５
３（ａ）のＡ−Ａ''線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線および
Ｄ−Ｄ’線における模式的な部分拡大断面図を示してい
る。なお、図５３（ａ），（ｂ）において図２７
（ａ），（ｂ）と同一の符号は同一または相当する部分
を示す。

【０２１２】本実施の形態の表示装置用基板は、以下の
点を除いて、図２７の実施の形態９の表示装置用基板と
同様の構造を有している。すなわち、本実施の形態の表
示装置用基板では、図５３（ａ）に示すように、２つの
ゲート線１２５間に平行に共通容量電極１３２ａが形成
されている。すなわち、本実施の形態の表示装置用基板
の容量部は共通容量電極１３２ａと画素電極１３０との
間に容量が形成される。

【０２１３】図５３（ｂ）に示すように、容量部におい
ては、絶縁領域たるチャネル保護膜７を介して対向する
共通容量電極１３２ａたる第１の金属膜２と画素電極１
３０たる透明電極膜１４との間に容量が形成される。

【０２１４】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、実施の形態９の表示装置用
基板において前述した効果と同様の効果が得られる。ま
た、このような本実施の形態の表示装置用基板は、以下
の点を除いて、実施の形態９または実施の形態１０にお
ける表示装置用基板の製造方法と同様の方法により製造
される。

【０２１５】すなわち、本実施の形態の表示装置用基板
の製造時には、容量部において、実施の形態９および実
施の形態１０の場合と同様に基板１上に第１の金属膜
２、絶縁膜３、半導体膜４ａおよびバックチャネル保護
膜１８を順次積層し、バックチャネル保護膜１８からゲ
ート絶縁膜３までをエッチングして除去した後に残った
第１の金属膜２上にチャネル保護膜７および画素電極１
３０たる透明電極膜１４を順に形成する。それにより、
画素電極１３０を形成するとともに共通容量電極１３２
ａを形成する。 （実施の形態１４）図５４は本発明の実施の形態１４に
係る表示装置用基板の構成を説明するための模式図であ
り、図５４（ａ）は実施の形態１４に係る表示装置用基
板の模式的な平面図を示しており、図５４（ｂ）は図５
４（ａ）のＡ−Ａ''線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線および
Ｄ−Ｄ’線における模式的な部分拡大断面図を示してい
る。

【０２１６】本実施の形態の表示装置用基板は、平坦化
膜１７が形成されることによりＨＡ構造を有し、したが
って、画素電極とゲート電極とが重なりを有するように
なった点を除いて、図５３の実施の形態１３の表示装置
用基板と同様の構造を有する。断面視において、本実施
の形態の表示装置用基板と実施の形態１７の表示装置用
基板とでは、以下の点が異なる。

【０２１７】すなわち、図５４（ｂ）に示すように、本
実施の形態の表示装置用基板のＴＦＴ部は、チャネル保
護膜７上に平坦化膜１７が積層されている。また、画素
部においては平坦化膜１７を介してチャネル保護膜７上
に画素電極１３０たる透明電極膜１４が形成されてい
る。また、共通容量電極１３２ａを含む容量部において
は、平坦化膜１７を介してチャネル保護膜７上に画素電
極１３０たる透明電極膜１４が形成されており、ゲート
・ソース接続部では平坦化膜１７を介してチャネル保護
膜７上に第２の金属膜１５が形成されている。

【０２１８】以上のような構成を有する本実施の形態の
表示装置用基板においては、実施の形態１３の表示装置
用基板において前述した効果と同様の効果が得られる。
さらに、本実施の形態の表示装置においては、平坦化膜
１７が形成されることにより画素領域１１５の開口率が
向上したＨＡ構造となるため、実施の形態３において前
述した効果と同様の効果が得られる。

【０２１９】以上のような本実施の形態の表示装置用基
板は、平坦化膜１７を形成する点を除いて、実施の形態
１３の表示装置用基板の製造方法と同様の方法により製
造される。なお、平坦化膜１７を形成する場合の製造方
法の詳細については、実施の形態１１および実施の形態
１２において前述した通りである。 （実施の形態１５）図５５は本発明の実施の形態１５に
係る液晶表示装置の構成を示すブロック図であり、図５
６は図５５の液晶表示装置の構造を模式的に示す部分断
面図である。

【０２２０】図５５において、液晶表示装置２００は、
液晶パネル２０１とこれを駆動するためのソースドライ
バ１５０Ａとゲートドライバ１５０Ｂとを備えている。
液晶パネル２０１には、複数のゲート線４１０と複数の
ソース線４２０とが互いに直交するように配設され、ゲ
ート線４１０とソース線４２０とでマトリクス状に区画
されるようにして画素２０２が形成されている。各画素
２０２にはＴＦＴからなるスイッチングトランジスタ５
００が配設されている。スイッチングトランジスタ５０
０は、ゲート電極がゲート線４１０に接続され、ソース
電極がソース線４２０に接続され、ドレイン電極が画素
電極（図示せず）に接続されている。このドレインは、
等価回路上、画素電極と対向電極２４０との間に形成さ
れた液晶容量２９０により対向電極２４０に接続されて
いる。そして、ゲート線４１０およびソース線４２０は
それぞゲートドライバ１５０Ａおよびソースドライバ１
５０Ｂに接続されている。このような液晶表示装置２０
０には、実施の形態１，３，５〜９，１１，１３，１４
のいずれかの表示装置用基板が用いられている。

【０２２１】本実施の形態においては、具体的に、液晶
表示素装置２００が実施の形態３の表示装置用基板、す
なわちチャネルエッチ型構造のＴＦＴを備えかつ平坦化
膜が形成されてＨＡ構造を有する表示装置用基板から構
成される場合について説明する。したがって、本実施の
形態の液晶表示装置２００の構造を示す図５６におい
て、図１２と同一符号は、同一または相当する部分を示
す。

【０２２２】図５６に示すように、液晶パネル２０１
は、互いに対向する対向基板５１０およびアレイ基板５
１１と、両基板５１０，５１１の間に挟持された液晶層
５０３と、両基板５１０，５１１の外側にそれぞれ配設
された偏光板５０２，５０７とを有する。また、アレイ
基板５１１側には、液晶パネル２０１に光を供給するバ
ックライト５０１が配設されている。

【０２２３】対向基板５１０は、ガラス基板５０６の内
面にカラーフィルタ５０５、透明電極膜５０４および配
向膜（図示せず）がこの順に積層されて構成されてい
る。一方、アレイ基板５１１としては実施の形態４の表
示装置用基板が用いられている。アレイ基板５１１の液
晶パネル２０１を構成する領域では、基板１の内面にゲ
ート線４１０（図５６には示さず）、ソース線４２０
（図５６には示さず）、スイッチングトランジスタ５０
０、透明電極１４からなる画素電極がそれぞれ形成さ
れ、これらを覆うように配向膜（図示せず）が形成され
ている。そして、アレイ基板５１１には、ゲートドライ
バ１５０Ａおよびソースドライバ１５０Ｂが接続されて
いる。

【０２２４】このように構成された液晶表示装置２００
では、ゲート線４１０を通じてゲートドライバ１５０Ａ
から入力されるゲート信号に応じて各画素２０２のスイ
ッチングトランジスタ５００が順次オンし、このオン時
にソース線４２０を通じてソースドライバ１５０Ｂから
画像信号（ソース信号）が順次各画素２０２に書き込ま
れる。それにより、液晶層５０３の液晶分子が画像信号
に応じて変調され、表示画面に前記画像信号に応じた画
像が表示される。 （実施の形態１６）図５７は、本発明の実施の形態１６
に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、
有機ＥＬ表示装置という）の構成を示すブロック図であ
り、図５８は、図５７の有機ＥＬ表示装置の構造を模式
的に示す部分断面図である。

【０２２５】図５７において、有機ＥＬ表示装置３００
は、エレクトロルミネッセンス表示部（以下、ＥＬ表示
部という）３０１とこれを駆動するためのＣＭＯＳ駆動
回路１６０Ａ，１６０Ｂとを備えている。ＥＬ表示部３
０１には、複数のゲート線４１０と複数のソース線４２
０および電流供給線４７０の対とが互いに直交するよう
に配設され、前記ゲート線４１０とソース線４２０およ
び電流供給線４７０の対とでマトリクス状に区画される
ようにして画素３０２が形成されている。このような有
機ＥＬ表示装置３００に用いられる表示装置用基板に
は、ＴＦＴがスイッチングトランジスタ５００および駆
動用トランジスタ４６０として配設されている。スイッ
チングトランジスタ５００は、ゲートがゲート線４１０
に接続され、一方の主端子がソース線４２０に接続さ
れ、他方の主端子がコンデンサを介して電流供給線４７
０に接続されている。駆動用トランジスタ４６０は、ゲ
ートがスイッチングトランジスタ５００の上記他方の主
端子に接続され、一方の主端子が電流供給線４７０に接
続され、他方の主端子がエレクトロルミネッセンスセル
（以下、ＥＬセルという）４８０に接続されている。

【０２２６】有機ＥＬ表示装置３００に用いられる表示
装置用基板は、電流供給線４７０とこれに接続されるコ
ンデンサおよび駆動用トランジスタ４６０が形成される
点を除いて、実施の形態１，３，５〜９，１１，１３，
１４のいずれかの表示装置用基板と同様の構造を有して
いる。したがって、有機ＥＬ表示装置３００に用いられ
る表示装置用基板は、電流供給線４７０とこれに接続さ
れるコンデンサおよび駆動用トランジスタ４６０が形成
される点を除いて、実施の形態１，３，５〜９，１１，
１３，１４のいずれかの表示装置用基板の製造方法と同
様の方法により製造される。

【０２２７】本実施の形態においては、具体的に、有機
ＥＬ表示装置３００が、電流供給線４７０とこれに接続
されるコンデンサおよび駆動用トランジスタ４６０が形
成される点を除いて実施の形態３の表示装置用基板と同
様の構造を有する表示装置用基板、すなわちチャネルエ
ッチ型構造のＴＦＴを含みかつ平坦化膜が形成されてＨ
Ａ構造を有する表示装置用基板から構成される場合につ
いて説明する。このような本実施の形態において用いら
れる表示装置用基板の断面視は、実施の形態３の表示装
置用基板の断面視と同様であり、したがって、本実施の
形態の有機ＥＬ表示装置の構造を示す図５８において、
図１２と同一符号は同一または相当する部分を示す。

【０２２８】図５８に示すように、有機ＥＬ表示装置３
００は、断面視において実施の形態３の表示装置用基板
と同様の構造を有する表示装置用基板により構成される
ＴＦＴアレイ基板６００を有しており、このＴＦＴアレ
イ基板６００にはＣＭＯＳ駆動回路１６０Ａ，１６０Ｂ
が接続されている。ＥＬ表示部３０１においては、画素
３０２毎に駆動用トランジスタ４６０およびスイッチン
グトランジスタ５００を構成する各ＴＦＴが形成されて
いる（なお、図５８には駆動用トランジスタ４６０のみ
を示す）。

【０２２９】また、ＴＦＴアレイ基板６００の透明電極
膜１４上には、例えばポリエチレンジオキシチオフェン
（ＰＥＤＴ）からなる導電性高分子膜６０１、実際に発
光する例えばポリジアルキルフルオレン誘導体膜６０２
およびカルシウムＣａ膜からなる陰極６０３がこの順で
積層されている。そして、これらがＥＬセル４８０を構
成している。これにより、駆動用トランジスタ４６０お
よびスイッチングトランジスタ５００がエレクトロルミ
ネッセンスセル４８０と一体的に形成されている。

【０２３０】このように構成された有機ＥＬ表示装置３
００では、ＣＭＯＳ駆動回路１６０Ａが、走査線４１０
にパルス信号を出力すると、スイッチングトランジスタ
５００がオンする。一方、このパルス信号の出力にタイ
ミングをあわせてＣＭＯＳ駆動回路１６０Ｂが信号線４
２０に表示信号を出力する。すると、駆動用トランジス
タ４６０がオン状態となるとともにその表示信号に応じ
た電流が電流供給線４７０から流れてＥＬセル４８０が
発光する。

【０２３１】

【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、製造時におけるフォト工程の工程数を減らす
ことにより製造コストを削減することが可能なＴＦＴ、
ならびにこのようなＴＦＴを備えた表示装置用基板およ
びその製造方法、さらにはこのような表示装置用基板を
含んだ液晶表示装置および有機ＥＬ素子を提供すること
ができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置用基
板の構成を説明するための模式的な図であって、（ａ）
は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２】図１の表示装置用基板の製造方法を説明するた
めの模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。

【図３】図１の表示装置用基板の製造方法を説明するた
めの模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。

【図４】図１の表示装置用基板の製造方法を説明するた
めの模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。

【図５】図１の表示装置用基板の製造方法を説明するた
めの模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。

【図６】図１の表示装置用基板の製造方法を説明するた
めの模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置用基
板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置用基
板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置用基
板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置用
基板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置用
基板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置用
基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１３】図１２の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図１４】図１２の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図１５】図１２の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図１６】図１２の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図１７】図１２の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図１８】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置用
基板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置用
基板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２０】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置用
基板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２１】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置用
基板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２２】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置用
基板の製造方法を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２３】本発明の第５の実施の形態に係る表示装置用
基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２４】本発明の第６の実施の形態に係る表示装置用
基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２５】本発明の第７の実施の形態に係る表示装置用
基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２６】本発明の第８の実施の形態に係る表示装置用
基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２７】本発明の第９の実施の形態に係る表示装置用
基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図２８】図２７の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図２９】図２７の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図３０】図２７の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図３１】図２７の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図３２】図２７の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図３３】図２７の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図３４】本発明の第１０の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図３５】本発明の第１０の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図３６】本発明の第１０の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図３７】本発明の第１０の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図３８】本発明の第１０の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図３９】本発明の第１０の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図４０】本発明の第１１の実施の形態に係る表示装置
用基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図４１】図４０の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図４２】図４０表示装置用基板の製造方法を説明する
ための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。

【図４３】図４０の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図４４】図４０の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図４５】図４０の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図４６】図４０の表示装置用基板の製造方法を説明す
るための模式的な図であって、(ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。

【図４７】本発明の第１２の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図４８】本発明の第１２の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図４９】本発明の第１２の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５０】本発明の第１２の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５１】本発明の第１２の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５２】本発明の第１２の実施の形態に係る表示装置
用基板の製造方法を説明するための模式的な図であっ
て、(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５３】本発明の第１３の実施の形態に係る表示装置
用基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５４】本発明の第１４の実施の形態に係る表示装置
用基板の構成を説明するための模式的な図であって、
(ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５５】本発明の第１５の実施の形態に係る液晶表示
装置の構成を示すブロック図である。

【図５６】図５５の液晶表示装置の構造を示す部分断面
図である。

【図５７】本発明の第１６の実施の形態に係る有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置の構成を示すブロック図
である。

【図５８】図５７の有機エレクトロルミネッセンス表示
装置の構造を示す部分断面図である。

【図５９】従来の薄膜トランジスタの例を模式的に示す
断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第１の金属膜 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体膜 ５ 不純物を含む半導体膜 ６ コンタクト金属膜 ７ チャネル保護膜 ８ ソース開口部 ９ ドレイン開口部 １０ 蓄積容量開口部 １１ ゲート端子開口部 １２ ゲート・ソース接続開口部 １３ 半導体分離部 １４ 透明電極膜 １５ 第２の金属膜 １６ 酸化膜 １７ 平坦化膜 １８ バックチャネル保護膜 ２０〜２４，２６〜２８，３３〜３６，４０〜５１，６
０〜８１，８４〜１０２ レジスト １３０ 画素電極 １３１ 蓄積容量電極 １３２ 共通容量電極 １５０Ａ，１５０Ｂ，１６０Ａ，１６０Ｂ ＣＭＯＳ駆
動回路 ２００ 液晶表示装置 ２０１ 液晶パネル ２０２，３０２ 画素 ２８０ 蓄積容量 ２９０ 液晶容量 ３００ 有機ＥＬ表示装置 ３０１ ＥＬ表示部 ４１０ 走査線 ４２０ 信号線 ４７０ 電流供給線 ４８０ ＥＬセル ５００ スイッチングトランジスタ ５０１ バックライト ５０２ 偏光板 ５０３ 液晶層 ５０４ 透明電極膜 ５０５ カラーフィルタ ５０６ ガラス基板 ５０７ 偏光板 ５１０ 対向基板 ５１１ アレイ基板 ６００ ＴＦＴアレイ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｃ Ｈ０５Ｂ 33/14 ６１２Ｄ ６１６Ｊ Ｆターム(参考） 2H088 EA22 EA25 FA18 FA24 HA01 HA02 HA04 MA20 2H092 JA24 JA29 JA34 JA37 JB58 JB61 NA21 NA25 NA27 NA29 PA01 RA10 3K007 AB18 DB03 GA00 5C094 AA42 AA43 AA44 AA48 BA03 BA27 BA43 CA19 DA14 EA04 EA07 5F110 AA16 BB02 CC07 CC08 DD02 EE03 EE04 EE06 EE25 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HJ01 HJ13 HJ18 HK03 HK04 HK06 HK09 HK16 HK21 HK25 HK35 HK42 HL03 HL04 HL06 HL07 HL11 HL12 HM02 HM05 NN02 NN03 NN12 NN22 NN24 NN27 NN35 NN36 NN37 NN38 NN44 NN45 NN46 NN47 NN54 NN73 QQ02 QQ09 QQ19

Claims (37)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート電極上に順に形成されたゲート絶縁膜および
   半導体膜を含む半導体領域と、前記ゲート電極および前
   記半導体領域を覆うように形成されたチャネル保護膜
   と、前記半導体膜の上面から前記チャネル保護膜を上方
   に貫通して延びるようにそれぞれ形成されたソース電極
   部およびドレイン電極部とを備えた薄膜トランジスタに
   おいて、 平面視において、前記半導体領域が前記ゲート電極内に
   収まるように形成されたことを特徴とする薄膜トランジ
   スタ。
2. 【請求項２】 前記チャネル保護膜上に平坦化膜が形成
   され、前記ソース電極部および前記ドレイン電極部が前
   記半導体膜の上面から前記チャネル保護膜と前記平坦化
   膜とを上方に貫通して延びるようにそれぞれ形成された
   請求項１記載の薄膜トランジスタ。
3. 【請求項３】 前記半導体領域上に不純物を含む半導体
   膜とコンタクト金属膜とから構成されるソースコンタク
   ト端子およびドレインコンタクト端子が形成され、前記
   ソースコンタクト端子とソース電極とにより前記ソース
   電極部が構成されるとともに前記ドレインコンタクト端
   子とドレイン電極とにより前記ドレイン電極部が構成さ
   れ、前記ソースコンタクト端子およびドレインコンタク
   ト端子を介して前記ソース電極およびドレイン電極が前
   記半導体膜と接続された請求項１記載の薄膜トランジス
   タ。
4. 【請求項４】 前記半導体領域は前記半導体膜上にさら
   にバックチャネル保護膜を含みかつ前記バックチャネル
   保護膜上に前記チャネル保護膜が形成され、前記チャネ
   ル保護膜およびバックチャネル保護膜を除去して形成さ
   れたソース開口部およびドレイン開口部の下部に位置す
   る前記半導体膜の領域に不純物がドーピングされ、前記
   ソース開口部下部の前記ドーピング領域とソース電極と
   により前記ソース電極部が構成されるとともに前記ドレ
   イン開口部下部の前記ドーピング領域とドレイン電極と
   により前記ドレイン電極部が構成され、前記ソース開口
   部下部および前記ドレイン電極下部の前記ドーピング領
   域を介して前記ソース電極および前記ドレイン電極が前
   記半導体膜と接続された請求項１記載の薄膜トランジス
   タ。
5. 【請求項５】 請求項１記載の薄膜トランジスタを備え
   た表示装置用基板であって、 前記表示装置用基板は、画素電極が前記薄膜トランジス
   タのドレイン電極に接続されるとともに容量部が前記画
   素電極に接続されてなる単位画素を複数含み、前記複数
   の単位画素がマトリクス状に配列された構成を有するこ
   とを特徴とする表示装置用基板。
6. 【請求項６】 請求項２記載の薄膜トランジスタを備え
   た表示装置用基板であって、 前記表示装置用基板は、画素電極が前記薄膜トランジス
   タのドレイン電極に接続されるとともに容量部が前記画
   素電極に接続されてなる単位画素を複数含み、前記複数
   の単位画素がマトリクス状に配列された構成を有するこ
   とを特徴とする表示装置用基板。
7. 【請求項７】 前記容量部の容量が前記画素電極に接続
   された蓄積容量電極とゲート線との間に形成された請求
   項５記載の表示装置用基板。
8. 【請求項８】 前記容量部が前記画素電極と共通容量電
   極とを含んで構成された請求項５記載の表示装置用基
   板。
9. 【請求項９】 前記容量部が蓄積容量電極を兼ねる画素
   電極とゲート線とを含んで構成された請求項５記載の表
   示装置用基板。
10. 【請求項１０】 請求項３記載の薄膜トランジスタを備
    えた表示装置用基板であって、 前記表示装置用基板は、画素電極が前記薄膜トランジス
    タのドレイン電極に接続されるとともに、少なくともゲ
    ート金属膜とゲート絶縁膜と第１の半導体膜とチャネル
    保護膜と透明電極膜とを含む容量部が前記画素電極に接
    続されてなる単位画素を複数含み、前記複数の単位画素
    がマトリクス状に配列された構成を有することを特徴と
    する表示装置用基板。
11. 【請求項１１】 請求項４記載の薄膜トランジスタを備
    えた表示装置用基板であって、 前記表示装置用基板は、画素電極が前記薄膜トランジス
    タのドレイン電極に接続されるとともに、少なくともゲ
    ート金属膜とチャネル保護膜と透明電極膜とを含む容量
    部が前記画素電極に接続されてなる単位画素を複数含
    み、前記複数の単位画素がマトリクス状に配列された構
    成を有することを特徴とする表示装置用基板。
12. 【請求項１２】 互いに対向する薄膜トランジスタアレ
    イ基板および対向基板と、前記薄膜トランジスタアレイ
    基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層とを備え
    た液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタアレイ基板が、請求項５，６，１
    ０，１１のいずれかに記載の表示装置用基板から構成さ
    れることを特徴とする液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 陽極となる透明電極膜を含む表示装置
    用基板上に有機エレクトロルミネッセンス発光層と陰極
    とが順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス
    表示装置において、 前記表示装置用基板が、請求項５，６，１０，１１のい
    ずれかに記載の表示装置用基板から構成されることを特
    徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
14. 【請求項１４】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第１のレジストを前記コンタ
    クト金属膜上に形成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工程
    と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の
    半導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタク
    ト端子とドレインコンタクト端子を形成するとともに前
    記ゲート線との間で容量部の容量を形成する蓄積容量電
    極を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜、前記コンタクト金属膜が形
    成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜を成
    膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第２のレジストを形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部、ドレ
    イン開口部および蓄積容量電極開口部を形成するととも
    に所定領域のチャネル保護膜、第１の半導体膜およびゲ
    ート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部、前記ド
    レイン開口部および前記蓄積容量電極開口部の内面と、
    前記端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属
    膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第３
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第１のフォト工
    程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導体
    膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端子
    とドレインコンタクト端子を形成するとともに前記ゲー
    ト線との間で容量部の容量を形成する蓄積容量電極を形
    成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜、前記コンタクト金属膜が形
    成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜を成
    膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
    程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部、ドレ
    イン開口部および蓄積容量電極開口部を形成するととも
    に所定領域のチャネル保護膜、第１の半導体膜およびゲ
    ート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部、前記ド
    レイン開口部および前記蓄積容量開口部の内面と、前記
    ゲート端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金
    属膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第１のレジストを前記コンタ
    クト金属膜上に形成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工程
    と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の
    半導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタク
    ト端子とドレインコンタクト端子を形成するとともに前
    記ゲート線との間で容量部の容量を形成する蓄積容量電
    極を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜、前記コンタクト金属膜が形
    成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜と平
    坦化膜とを順次成膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域の平坦化膜およびチャネル保護膜を除去してソー
    ス開口部、ドレイン開口部および蓄積容量電極開口部を
    形成するとともに所定領域の平坦化膜、チャネル保護
    膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して端子
    開口部を形成する工程と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部、前記ドレイン
    開口部および前記蓄積容量電極開口部の内面と、前記端
    子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜を順
    次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに所定領域の前記第３のレジス
    トのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第１のフォト工
    程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導体
    膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端子
    とドレインコンタクト端子を形成するとともに前記ゲー
    ト線との間で容量部の容量を形成する蓄積容量電極を形
    成する工程と、 前記第１の金属膜、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、前
    記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜が形成さ
    れた前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜と平坦化
    膜とを順次成膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第３のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第３のレジストを形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域の平坦化膜およびチャネル保護膜を除去してソー
    ス開口部、ドレイン開口部および蓄積容量電極開口部を
    形成するとともに所定領域の平坦化膜、チャネル保護
    膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して端子
    開口部を形成する工程と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部、前記ドレイン
    開口部および前記蓄積容量電極開口部の内面と、前記端
    子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜を順
    次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
18. 【請求項１８】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第１のレジストを前記コンタ
    クト金属膜上に形成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成するととも
    に２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成する工程
    と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の
    半導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタク
    ト端子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜
    が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜
    を成膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第２のレジストを形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部、ドレ
    イン開口部および共通容量電極開口部を形成するととも
    に所定領域のチャネル保護膜、第１の半導体膜およびゲ
    ート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部、前記ド
    レイン開口部および前記共通容量電極開口部の内面と、
    前記端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属
    膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに所定領域の前記第３のレジス
    トのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
19. 【請求項１９】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第１のフォト工
    程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成するととも
    に２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導体
    膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端子
    とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜
    が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜
    を成膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
    程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部、ドレ
    イン開口部および共通容量電極開口部を形成するととも
    に所定領域のチャネル保護膜、第１の半導体膜およびゲ
    ート絶縁膜を除去して端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部、前記ド
    レイン開口部および前記共通容量電極開口部の内面と、
    前記端子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属
    膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
20. 【請求項２０】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第１のレジストを前記コンタ
    クト金属膜上に形成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成するととも
    に２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成する工程
    と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の
    半導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタク
    ト端子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜
    が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜
    と平坦化膜とを順次成膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域の平坦化膜およびチャネル保護膜を除去してソー
    ス開口部、ドレイン開口部および共通容量電極開口部を
    形成するとともに所定領域の平坦化膜、チャネル保護
    膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して端子
    開口部を形成する工程と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部、前記ドレイン
    開口部および前記共通容量電極開口部の内面と、前記端
    子開口部の内面に透明電極膜および第２の金属膜を順次
    成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに所定領域の前記第３のレジス
    トのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
21. 【請求項２１】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第１のフォト工
    程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成するととも
    に２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導体
    膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端子
    とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、前
    記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜が形成さ
    れた前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜と平坦化
    膜とを順次成膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第３のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第３のレジストを形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域の平坦化膜およびチャネル保護膜を除去してソー
    ス開口部、ドレイン開口部および共通容量電極開口部を
    形成するとともに所定領域の平坦化膜、チャネル保護
    膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して端子
    開口部を形成する工程と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部、前記ドレイン
    開口部および前記共通容量電極開口部の内面と、前記端
    子開口部の内面とに透明電極膜および第２の金属膜を順
    次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線および画素電極を
    形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
22. 【請求項２２】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第１のレジストを前記コンタ
    クト金属膜上に形成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工程
    と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の
    半導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタク
    ト端子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜
    が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜
    を成膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第２のレジストを形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部および
    ドレイン開口部を形成するとともに所定領域のチャネル
    保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して
    端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
    記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
    透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
    形成する画素電極を形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに所定領域の前記第３のレジス
    トのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
23. 【請求項２３】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第１のフォト工
    程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導体
    膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端子
    とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜、前記コンタクト金属膜が形
    成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜を成
    膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
    程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部および
    ドレイン開口部を形成するとともに所定領域のチャネル
    保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して
    端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部、前記ド
    レイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明
    電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
    形成する画素電極を形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第５のフォト工程
    と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
24. 【請求項２４】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第１のレジストを前記コンタ
    クト金属膜上に形成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成するととも
    に２本の前記ゲート線の間に共通容量電極を形成する工
    程と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の
    半導体膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタク
    ト端子とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜
    が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜
    を成膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第２のレジストを形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部および
    ドレイン開口部を形成するとともに所定領域のチャネル
    保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して
    端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
    記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
    透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および画素電極
    を形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに所定領域の前記第３のレジス
    トのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、第１
    の半導体膜と、不純物を含む第２の半導体膜と、コンタ
    クト金属膜とを順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第１のフォト工
    程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜から第１の金属膜までを
    除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成するととも
    に２本の前記ゲート線の間に共通容量電極を形成する工
    程と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記コンタクト金属膜上に形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記コンタクト金属膜および前記第２の半導体
    膜を除去して前記ゲート電極上にソースコンタクト端子
    とドレインコンタクト端子を形成する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導
    体膜、前記第２の半導体膜および前記コンタクト金属膜
    が形成された前記絶縁基板の表面全体にチャネル保護膜
    を成膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
    程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜を除去してソース開口部および
    ドレイン開口部を形成するとともに所定領域のチャネル
    保護膜、第１の半導体膜およびゲート絶縁膜を除去して
    端子開口部を形成する工程と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
    記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
    透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および画素電極
    を形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第５のフォト工程
    と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
26. 【請求項２６】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第１のレジストを前記バック
    チャネル保護膜上に形成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工
    程と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶
    縁膜までを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜を形成する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第２のレジストを形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を
    除去してソース開口部およびドレイン開口部を形成する
    とともに所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口
    部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
    記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
    透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定パターンを有
    し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の金
    属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
    形成する画素電極を形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第３
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
27. 【請求項２７】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォ
    ト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工
    程と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第２のフォ
    ト工程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶縁膜ま
    でを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜を形成する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第２のレジストを形成する第３のフォト工
    程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を
    除去してソース開口部およびドレイン開口部を形成する
    とともに所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口
    部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
    記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
    透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート電極との間で容量部の容量
    を形成する画素電極を形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
28. 【請求項２８】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、膜厚が部分的に異
    なる第１のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形
    成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工
    程と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶
    縁膜までを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜および平坦化膜を順次成
    膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を
    除去してソース開口部およびドレイン開口部を形成する
    とともに所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口
    部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部およびドレイン
    開口部の内面と、前記端子開口部の内面に透明電極膜お
    よび第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
    形成する画素電極を形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第３
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
29. 【請求項２９】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォ
    ト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成する工
    程と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第２のフォ
    ト工程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶縁膜ま
    でを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜および平坦化膜を順次成
    膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第３のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第３のレジストを形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域の平坦化膜、チャネル保護膜およびバックチャネ
    ル保護膜を除去してソース開口部およびドレイン開口部
    を形成するとともに所定領域の平坦化膜およびチャネル
    保護膜を除去して端子開口部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部および前記ドレ
    イン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明電
    極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
    形成する画素電極を形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
30. 【請求項３０】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、膜厚が部分的に異
    なる第１のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形
    成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成すると
    ともに２本の前記ゲート線との間に共通容量電極を形成
    する工程と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶
    縁膜までを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜を成膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ２のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第２のレジストを形成する第２のフォト工
    程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を
    除去してソース開口部およびドレイン開口部を形成する
    とともに所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口
    部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
    記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
    透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート電極との間で容量部の容量
    を形成する画素電極を形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第３
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
31. 【請求項３１】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォ
    ト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成すると
    ともに２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成する
    工程と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第２のフォ
    ト工程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶縁膜ま
    でを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜を成膜する工程と、 前記チャネル保護膜上に、透光部と遮光部とを有する第
    ３のフォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な
    膜厚を有する第３のレジストを形成する第３のフォト工
    程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域の前記チャネル保護膜およびバックチャネル保護
    膜を除去してソース開口部およびドレイン開口部を形成
    するとともに所定領域の前記チャネル保護膜を除去して
    端子開口部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記チャネル保護膜表面と、前記ソース開口部および前
    記ドレイン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに
    透明電極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート線との間で容量部の容量を
    形成する画素電極を形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
32. 【請求項３２】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第１のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、膜厚が部分的に異
    なる第１のレジストを前記バックチャネル保護膜上に形
    成する第１のフォト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成すると
    ともに２本の前記ゲート線間に共通容量電極を形成する
    工程と、 前記第１のレジストを加工して所定領域の前記第１のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第１
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第１のレジストを用いて第２のエッチングを
    行い所定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶
    縁膜までを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜および平坦化膜を順次成
    膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第２のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第２のレジストを形成する第２のフォト工程と、 前記第２のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域のチャネル保護膜およびバックチャネル保護膜を
    除去してソース開口部およびドレイン開口部を形成する
    とともに所定領域のチャネル保護膜を除去して端子開口
    部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部および前記ドレ
    イン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明電
    極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と半透光部と遮光部とを有する第３のフォトマス
    クを用いてグレイトーン露光を行い、所定のパターンを
    有し膜厚が部分的に異なる第３のレジストを前記第２の
    金属膜上に形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート電極との間で容量部の容量
    を形成する画素電極を形成する工程と、 前記第３のレジストを加工して所定領域の前記第３のレ
    ジストを除去するとともに前記所定領域以外の前記第３
    のレジストのみを残す工程と、 前記残った第３のレジストを用いて第５のエッチングを
    行い前記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２
    の金属膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表
    示装置用基板の製造方法。
33. 【請求項３３】 薄膜トランジスタを備えたアクティブ
    マトリクス方式の表示装置用基板の製造方法において、 絶縁基板上に、第１の金属膜と、ゲート絶縁膜と、半導
    体膜と、バックチャネル保護膜とを順次成膜する工程
    と、 透光部と遮光部とを有する第１のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第１のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第１のフォ
    ト工程と、 前記第１のレジストを用いて第１のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜から第１の金属膜ま
    でを除去してゲート電極も兼ねるゲート線を形成すると
    ともに２本の前記ゲート電極間に共通容量電極を形成す
    る工程と、 透光部と遮光部とを有する第２のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第２のレジス
    トを前記バックチャネル保護膜上に形成する第２のフォ
    ト工程と、 前記第２のレジストを用いて第２のエッチングを行い所
    定領域の前記バックチャネル保護膜からゲート絶縁膜ま
    でを除去する工程と、 前記第１の金属膜、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜お
    よび前記バックチャネル保護膜が形成された前記絶縁基
    板の表面全体にチャネル保護膜および平坦化膜を順次成
    膜する工程と、 前記平坦化膜上に、透光部と遮光部とを有する第３のフ
    ォトマスクを用いて所定のパターンを有し均一な膜厚を
    有する第３のレジストを形成する第３のフォト工程と、 前記第３のレジストを用いて第３のエッチングを行い所
    定領域の平坦化膜、チャネル保護膜およびバックチャネ
    ル保護膜を除去してソース開口部およびドレイン開口部
    を形成するとともに所定領域の平坦化膜およびチャネル
    保護膜を除去して端子開口部を形成する工程と、 前記半導体膜のうち前記ソース開口部下部および前記ド
    レイン開口部下部の領域に不純物をドーピングする工程
    と、 前記平坦化膜表面と、前記ソース開口部および前記ドレ
    イン開口部の内面と、前記端子開口部の内面とに透明電
    極膜および第２の金属膜を順次成膜する工程と、 透光部と遮光部とを有する第４のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第４のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する第４のフォト工程
    と、 前記第４のレジストを用いて第４のエッチングを行い所
    定領域の前記透明電極膜および第２の金属膜を除去し、
    ソース電極、ドレイン電極、ソース線、および蓄積容量
    電極を兼ねており前記ゲート電極との間で容量部の容量
    を形成する画素電極を形成する工程と、 透光部と遮光部とを有する第５のフォトマスクを用いて
    所定のパターンを有し均一な膜厚を有する第５のレジス
    トを前記第２の金属膜上に形成する工程と、 前記第５のレジストを用いて第５のエッチングを行い前
    記画素電極上および前記端子開口部内の前記第２の金属
    膜を除去する工程とを備えることを特徴とする表示装置
    用基板の製造方法。
34. 【請求項３４】 前記半導体膜の前記ソース開口部下部
    およびドレイン開口部下部の領域に不純物をドーピング
    する工程において、イオン注入により前記領域に自己整
    合的に不純物をドーピングする請求項２６〜３３のいず
    れかに記載の表示装置用基板の製造方法。
35. 【請求項３５】 前記半導体膜の前記ソース開口部下部
    およびドレイン開口部下部の領域に不純物をドープする
    工程において、プラズマドーピングにより前記領域に自
    己整合的に不純物をドーピングする請求項２６〜３３の
    いずれかに記載の表示装置用基板の製造方法。
36. 【請求項３６】 プラズマ酸化により少なくとも第２の
    金属膜の表面に酸化膜を形成する工程をさらに備える請
    求項１４〜３３のいずれかに記載の表示装置用基板の製
    造方法。
37. 【請求項３７】 陽極酸化により少なくとも第２の金属
    膜の表面に酸化膜を形成する工程をさらに備える請求項
    １４〜３３のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方
    法。