TW201414104A - 用於極高頻通訊之介電耦接系統 - Google Patents

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Abstract

用於通訊EHF電磁信號之介電耦接器裝置及介電耦接系統、以及其使用之方法。該些耦接器裝置係包含一具有一主要的表面之導電的主體，該導電的主體係界定一細長的凹處，並且該細長的凹處係具有一底板，其中一介電質主體係被設置在該細長的凹處中，並且被配置以傳導一EHF電磁信號。

Description

用於極高頻通訊之介電耦接系統
此揭露內容係大致有關用於包含利用介電導引結構來通訊的EHF通訊之裝置、系統及方法。
在半導體製造及電路設計技術上的進步已經使得利用越來越高的操作頻率的IC之開發及製造成為可能。於是，納入此種積體電路的電子產品及系統係能夠提供遠比先前的產品世代更大的功能。此額外的功能一般已經包含在越來越高的速度下處理越來越大的資料量。
許多電子系統係包含多個印刷電路板(PCB)，這些高速的IC係被安裝在PCB上，並且各種的信號係透過PCB而被安排路徑往返於該些IC。在具有至少兩個PCB的電子系統中，而且有需要在那些PCB之間通訊資訊，各種連接器及底板架構已經被開發以使得在該些板之間的資訊流動變得容易。然而，此種連接器及底板架構會將各種的阻抗不連續性引入該些信號路徑中，此係導致信號品質或完整性的劣化。藉由例如載有信號的機械式連接器之習知的手段來連接至板，其一般會產生不連續性，此係需要昂貴的電子設備來協調。習知的機械式連接器亦可能會隨著時間過去而磨損，其係需要精確的對準及製造方法，並且容易受到機械式的推擠的影響。
習知的連接器的這些特徵可能會導致信號完整性的劣化以及需要以非常高速率傳輸資料的電子系統的不穩定性，此於是限制此種產品的效用。所需的是能夠在沒有和實體連接器及等化電路相關的成本及功率消耗下耦接高資料速率的信號路徑之斷續的部分之方法及系統，特別是此種方法及系統是容易製造、模組化且有效率的。
在一實施例中，本發明係包含用於傳導極高頻(EHF)電磁信號之裝置，其中該些裝置係包含一導電的主體，該導電的主體係包含一主要的表面，其中該導電的主體係在該導電的主體中界定一細長的凹處，其中該細長的凹處係具有一底板，以及一設置在該細長的凹處中之介電主體，該介電主體係被配置以傳導一EHF電磁信號。
在另一實施例中，本發明係包含一種用於傳導一EHF電磁信號之裝置，其係包含一第一導電的主體，該第一導電的主體係具有一第一主要的表面以及一和該第一主要的表面相對的第二主要的表面，以及一設置在該第一主要的表面上的第一介電主體，該第一介電主體係具有一第一端以及一第二端，並且其中該第一介電主體係被配置以在該第一及第二端之間傳導該EHF電磁信號。該第一導電的主體係額外界定至少一從該第一主要的表面延伸至該第二主要的表面之孔，其中該至少一孔係靠近該第一介電主體的該第一及第二端中之一。
在另一實施例中，本發明係包含EHF通訊耦接系統，其中此種系統係包含一導電的殼體、以及一具有一第一端及一第二端之細長的介電導管，其中該介電導管係被設置在該導電的殼體之間並且至少部分地 被該導電的殼體所圍繞。該導電的殼體係界定一靠近該細長的介電導管的該第一端之第一孔，並且一第一介電延伸部係從該細長的介電導管的該第一端穿過該第一孔而突出；以及一靠近該細長的介電導管的該第二端之第二孔，並且一第二介電延伸部係從該細長的介電導管的該第二端而且穿過該第二孔來突出。該耦接系統係被配置以在該第一介電延伸部以及該第二介電延伸部之間藉由該細長的介電導管來傳遞一EHF電磁信號的至少一部分。
在又一實施例中，本發明係包含利用EHF電磁信號沿著一介電導管通訊的方法。通訊的方法係包含配接一第一耦接構件以及一第二耦接構件以形成一耦接，其中每個耦接構件係包含一具有一第一主要的表面之導電的主體，其中每個導電的主體係在該第一主要的表面中界定一細長的凹處，每個細長的凹處係具有一底板，並且每個細長的凹處係具有一被設置在其中的介電主體。該方法進一步包含將該些導電的主體的該些第一主要的表面帶向充分的接觸，該些耦接構件的該些導電的主體係全體地構成一導電的殼體，以及該些耦接構件的該些介電主體係被重疊以形成一介電導管。該方法進一步包含沿著藉此形成的該介電導管傳遞一EHF電磁信號。
本發明的其它實施例可包含對應的EHF電磁通訊系統、EHF電磁通訊裝置、EHF電磁導管、以及EHF電磁導管構件、以及利用該些個別的系統、裝置、導管及構件的方法。進一步實施例、特點及優點以及各種實施例的結構及操作係在以下參考所附的圖式加以詳細地描述。
10‧‧‧極高頻(EHF)通訊晶片
12‧‧‧印刷電路板(PCB)
16‧‧‧晶粒
18‧‧‧接合線
20‧‧‧天線
22‧‧‧封裝材料
24‧‧‧導線架
26‧‧‧接合線
28‧‧‧層
30‧‧‧PCB接地面
32‧‧‧EHF通訊晶片
34‧‧‧晶粒
36‧‧‧接合線
38‧‧‧天線
40‧‧‧天線接合線
41‧‧‧介電耦接器裝置
42‧‧‧(第一)導電的主體
44‧‧‧主要的表面
46‧‧‧細長的凹處
48‧‧‧第一端
50‧‧‧第二端
52‧‧‧底板
54‧‧‧第二主要的表面
56‧‧‧孔
58‧‧‧(第一)介電主體
59‧‧‧表面
60‧‧‧介電末端構件
62‧‧‧積體電路封裝(通訊晶片)
63‧‧‧第二介電耦接器裝置
64‧‧‧第二介電主體
65‧‧‧集體的介電主體
66‧‧‧第二導電的主體
68‧‧‧積體電路封裝(通訊晶片)
70‧‧‧第二介電末端構件
71‧‧‧空氣間隙
72‧‧‧介電耦接系統(介電主體)
74‧‧‧介電主體
76‧‧‧介電耦接器裝置
78‧‧‧導電的主體
80‧‧‧介電主體
82‧‧‧介電末端構件
84‧‧‧積體電路封裝
86‧‧‧介電覆蓋
90‧‧‧導電的主體
90'‧‧‧第二導電的主體
92‧‧‧介電主體
92'‧‧‧第二介電主體
94‧‧‧導電的覆蓋
96‧‧‧第一孔
96'‧‧‧第二孔
97‧‧‧第一介電末端部分
97'‧‧‧第二介電末端部分
98‧‧‧第一積體電路封裝
98'‧‧‧第二積體電路封裝
100‧‧‧流程圖
102‧‧‧步驟
104‧‧‧步驟
106‧‧‧步驟
圖1是根據本發明的一實施例的一範例的EHF通訊晶片之側視圖。
圖2是根據本發明的一實施例的一替代的範例的EHF通訊晶片之立體圖。
圖3是描繪根據本發明的一實施例的一EHF通訊系統的概要圖。
圖4是根據本發明的一實施例的一導電的主體之立體圖。
圖5是根據本發明的一實施例的介電耦接器裝置之立體圖，其係包含圖1的導電的主體。
圖6是圖5的介電耦接器裝置沿著在圖5中指出的線之橫截面圖。
圖7是根據本發明的一實施例的一介電耦接之橫截面圖，其係包含圖5的介電耦接器。
圖8係展示圖7的介電耦接，其係呈現一在其構件的介電耦接器裝置之間的空氣間隙。
圖9係展示圖7的介電耦接，其係呈現一在其構件的介電耦接器裝置之間的空氣間隙及失準。
圖10是根據本發明的一替代實施例的一介電耦接器裝置之部分分解的立體圖。
圖11是根據本發明的一替代實施例的一介電耦接器裝置之立體圖。
圖12是根據本發明的一實施例的一介電耦接裝置之立體圖。
圖13是圖12的介電耦接沿著在圖12中指出的線之橫截面圖。
圖14是根據本發明的另一實施例的一介電耦接裝置之立體圖。
圖15是圖14的介電耦接沿著在圖14中指出的線之橫截面圖。
圖16是根據本發明的又一實施例的一介電耦接裝置之立體圖。
圖17是圖16的介電耦接沿著在圖16中指出的線之橫截面圖。
圖18是根據本發明的又一實施例的一介電耦接裝置之立體圖。
圖19是沿著圖18的介電耦接的縱軸之橫截面圖。
圖20是根據本發明的又一實施例的一介電耦接裝置之立體圖。
圖21是根據本發明的又一實施例的一介電耦接裝置之立體圖。
圖22是沿著圖21的介電耦接的縱軸之橫截面圖。
圖23是描繪根據本發明的一實施例的一種用於利用EHF電磁信號沿著一介電耦接通訊的方法之流程圖。
在以下的說明中，許多特定的細節係被闡述以提供本發明之徹底的理解。將會參考到所揭露的標的之某些實施例，該些實施例的例子係在所附的圖式中加以描繪。儘管所揭露的標的將會結合該些實施例來加以描述，但將會瞭解到的是，其並不欲只限制所揭露的標的到這些特定的實施例。相反地，所揭露的標的係欲涵蓋如同藉由所附的申請專利範圍所界定之揭露的標的之精神及範疇內之替代、修改以及等同物。在其它實例中，眾所週知的方法步驟並未被詳細地敘述，以避免不必要地模糊本揭露內容。
再者，在以下的說明中，許多特定的細節係被闡述以提供本揭露標的之徹底的理解。然而，對於具有此項技術的通常知識者將會明顯的是，該揭露的標的可以在沒有這些特定的細節下加以實施。在其它實例 中，對於該項技術中具有通常技能者為眾所週知的方法、程序及構件並未詳細地敘述，以避免模糊本揭露的標的之特點。
涉及用於EHF通訊的介電耦接之裝置、系統及方法係被展示在圖式中並且在以下加以敘述。
在一通訊鏈路上提供通訊的裝置可被稱為通訊裝置或是通訊單元。例如，一操作在該EHF電磁頻帶中的通訊單元可被稱為一EHF通訊單元。一EHF通訊單元的一個例子是一EHF通訊鏈路晶片。在整個此揭露內容中，該術語通訊鏈路晶片、通訊鏈路晶片封裝以及EHF通訊鏈路晶片封裝將會可交換地被使用來指稱內嵌在IC封裝中的EHF天線。此種通訊鏈路晶片的例子係被詳細地描述在美國專利申請案序號13/485,306、13/427,576及13/471,052中。
涉及用於EHF通訊的介電耦接器之裝置、系統及方法係被展示在圖式中並且在以下加以敘述。
圖1是根據一實施例之一範例的極高頻(EHF)通訊晶片10之側視圖，其係展示某些內部的構件。如同參考圖1所論述的，該EHF通訊晶片10可安裝在該EHF通訊晶片10的一連接器印刷電路板(PCB)12之上。圖2係展示一類似之舉例說明的EHF通訊晶片32。應注意的是，圖1係利用電腦模擬繪圖來描繪該EHF通訊晶片10，並且因此某些構件可能以一種程式化的方式來加以展示。該EHF通訊晶片10可被配置以發送且接收極高頻信號。如同所繪的，該EHF通訊晶片10可包含一晶粒16、一導線架(未顯示)、一或多個例如是接合線18之導電的連接器、一例如是天線20的換能器、以及一封裝材料22。該晶粒16可包含被配置為在一適當的晶粒基板 上之一小型化的電路之任何適當的結構，並且在功能上等同於一亦被稱為“晶片”或是“積體電路(IC)”的構件。該晶粒基板可以利用例如但不限於矽之任何適當的半導體材料來加以形成。該晶粒16可被安裝以和該導線架電性連通。該導線架(類似於圖2的24)可以是被配置以容許一或多個其它電路能夠在操作上和該晶粒16連接之導電引線的任何適當的配置。該導線架(參見圖2的24)的引線可被內嵌或固定在一導線架基板中。該導線架基板可利用被配置以實質保持該些引線在一預設的配置中之任何適當的絕緣材料來加以形成。
再者，在該晶粒16以及該導線架的引線之間的電性連通可藉由利用例如是一或多個接合線18之導電的連接器之任何適當的方法來加以達成。該些接合線18可被用來電連接在該晶粒16的一電路上的點和該導線架上之對應的引線。在另一實施例中，該晶粒16可被倒置，並且導電的連接器係包含凸塊或晶粒焊料球而不是接合線16，其可以用通常以一種“覆晶”配置著稱者來加以配置。
該天線20可以是被配置為一換能器以在電氣信號及電磁信號之間轉換之任何適當的結構。該天線20可被配置以運作在一EHF頻譜中，並且可被配置以發送及/或接收電磁信號，換言之，其係作為一發送器、一接收器、或是一收發器。在一實施例中，該天線20可被建構為該導線架(參見圖2中的24)的一部分。在另一實施例中，該天線20可藉由任何適當的方法而與該晶粒16分開，但是在操作上是連接至該晶粒16，並且可被設置在相鄰於該晶粒16之處。例如，該天線20可利用天線接合線(類似於圖2的26)來連接至該晶粒16。或者是，在一覆晶配置中，該天線20可以在不 使用該天線接合線下連接至該晶粒16。在其它實施例中，該天線20可被設置在該晶粒16上、或是在該PCB 12上。
再者，該封裝材料22可以將該EHF通訊晶片10的各種構件保持在固定的相對位置中。該封裝材料22可以是被配置以提供電氣絕緣及物理保護給第一EHF通訊晶片10的電氣及電子構件之任何適當的材料。例如，該封裝材料22可以是一種模製化合物、玻璃、塑膠或是陶瓷。該封裝材料22可以形成任何適當的形狀。例如，該封裝材料22可具有一矩形方塊的形式，其係囊封除了該導線架的未連接的引線之外的EHF通訊晶片10的所有構件。一或多個外部的連線可以和其它電路或構件一起形成。例如，外部的連線可包含用於連接至一印刷電路板的球體墊及/或外部的焊料球。
再者，該EHF通訊晶片10可安裝在一連接器PCB 12之上。該連接器PCB 12可包含一或多個積層的層28，其中一層可以是PCB接地面30。該PCB接地面30可以是被配置以提供一電氣接地給該PCB 12上的電路及構件之任何適當的結構。
圖2是一EHF通訊晶片32的立體圖，其係展示某些內部的構件。應注意的是，圖2係利用電腦模擬繪圖來描繪該EHF通訊晶片32，並且因此某些構件可能用一種程式化的方式來加以展示。如同所繪的，該EHF通訊晶片32可包含一晶粒34、一導線架24、一或多個例如是接合線36之導電的連接器、一例如是天線38的換能器、一或多個天線接合線40、以及一封裝材料42。該晶粒34、導線架24、一或多個接合線36、天線38、天線接合線40以及封裝材料42可具有類似於例如是在圖1中敘述的EHF通訊晶片10的晶粒16、導線架、接合線18、天線20、天線接合線以及封 裝材料22的構件之功能。再者，該EHF通訊晶片32可包含一連接器PCB(類似於PCB 12)
在圖2中，可看出的是該晶粒34係被囊封在該EHF通訊晶片32中，其中該些接合線26係連接該晶粒34與該天線38。在此實施例中，該EHF通訊晶片32可被安裝在該連接器PCB之上。該連接器PCB(未顯示)可包含一或多個積層的層(未顯示)，其中一層可以是PCB接地面(未顯示)。該PCB接地面可以是被配置以提供一電氣接地給該EHF通訊晶片32的PCB上的電路及構件之任何適當的結構。
EHF通訊晶片10及32可被配置以容許在其之間的EHF通訊。再者，該EHF通訊晶片10或32的任一個都可被配置以發送及/或接收電磁信號，其係在該些EHF通訊晶片之間提供單向或雙向的通訊。在一實施例中，該些EHF通訊晶片可以共同位在單一PCB上，並且可提供PCB內的通訊。在另一實施例中，該些EHF通訊晶片可以位在第一及第二PCB上，並且因此可提供PCB間的通訊。
在某些情況中，一對例如是10及32的EHF通訊晶片可能被安裝成相隔夠遠，EHF電磁信號可能無法在它們之間可靠地交換。在這些情況下，在一對EHF通訊晶片之間提供改良的信號發送可能是所期望的。例如，一被配置以用於電磁的EHF信號的傳遞之耦接器裝置或耦接系統的一端可被設置成相鄰一EHF電磁信號的一來源，而該耦接器裝置或耦接系統的另一端可被設置成相鄰一用於該EHF電磁信號的接收器。該EHF電磁信號可以從該信號源被導引進入該耦接器裝置或耦接系統，沿著該裝置或系統的長軸傳遞，並且在該信號接收器加以接收。此種EHF通訊系統 係概要地被描繪在圖3中，其係包含一被配置以用於電磁的EHF信號在EHF通訊晶片10及32之間的傳遞之介電耦接器裝置40。
本發明的耦接器裝置及耦接系統可被配置以促進極高頻(EHF)電磁信號沿著一介電主體的傳遞，並且因此可促進EHF電磁信號在一發送來源以及一發送目的地之間的通訊。
圖4係描繪一導電的主體42，其係被配置以具有至少一主要的表面44。導電的主體42可包含任何適當的剛性或半剛性的材料，前提是該材料呈現足夠的導電度。在本發明的一實施例中，該導電的主體42的某些部分或是全部可被配置以使用作為一殼體的一構件或是用於一電子元件的一外殼。該導電的主體可具有任何適當的幾何，前提是該導電的主體係包含至少一主要的表面。例如，該導電的主體可以是實質平面的。在該導電的主體是實質平面的情形中，該導電的主體可界定一例如是平行四邊形或圓形之規則的形狀、或是該導電的主體可具有一例如是弧形之不規則的形狀。在該導電的主體是非平面的情形中，該導電的主體可界定一彎曲的主要的表面，以近似於一球、一圓柱、一圓錐體、一環體(torus)或類似者的表面的一區段。
該導電的主體可在主要的表面44中界定至少一細長的凹處46。藉由是細長的，該細長的凹處46係具有一第一端48以及一第二端50。此外，在導電的主體42中之細長的凹處46的底部可藉由一凹處底板52所界定。在本發明的一實施例中，該導電的主體42係具有至少兩個主要的表面，其中第二主要的表面可以是在該導電的主體42之第一主要的表面之一相對的側邊上。如在圖4中所繪，導電的主體42可呈現一實質平面的幾何 以及一實質矩形的周邊。在該導電的主體具有一平面的幾何之情形中，該導電的主體42的第二主要的表面54因此可能是在該平面的導電的主體之第一主要的表面44之相對的側邊上。
在此例子中看出的是，細長的凹處46以及相應的凹處底板52係延伸在一大致沿著該第一主要的表面44的方向上。在該第一主要的表面44是延伸在一靠近該細長的凹處46的平面中之情形中，底板52亦可以是平面的，並且可以是和靠近該細長的凹處46之第一主要的表面的平面共面的。如同將會在某些例子中看到的，該底板亦可以延伸在一橫跨靠近該細長的凹處46之第一主要的表面的平面之方向上。
同樣如同在圖4中所示，該細長的凹處46的底板52可界定一孔56。孔56可以延伸穿過底板52，使得該孔56延伸至該導電的主體52之第二主要的表面54。在一實施例中，該孔56可被形成為一槽。
如同在圖5中所示，該導電的主體42之細長的凹處46可包含一介電主體58，該介電主體58係包含一沿著該細長的凹處46的縱軸延伸之第一介電材料，其係形成一介電耦接器裝置。該介電主體58可被稱為一波導或是介電波導，並且通常被配置以沿著該介電主體的長度導引(或傳遞)一偏極化的EHF電磁信號。該介電主體58較佳的是包含一種具有一至少約2.0的介電常數之第一介電材料。由於當一EHF信號進入一種具有較高的介電常數之材料時在波長上的一縮減，因此具有顯著較高的介電常數之材料可能會產生該細長的主體的較佳尺寸的一縮減。較佳的是，該細長的主體係包含一種本身是介電材料的塑膠材料。
在本發明的一實施例中，該介電主體係具有一縱軸實質平行 於該細長的凹處的縱軸，並且該介電主體58正交該縱軸的一橫截面係呈現一沿著該橫截面的最大尺寸延伸橫跨該橫截面之主要的軸，並且該橫截面的一次要的軸係沿著該橫截面被定向和該主要的軸成一直角的最大尺寸延伸橫跨該橫截面。對於每個此種橫截面而言，該橫截面係具有一沿著其主要的軸之第一尺寸以及一沿著其次要的軸之第二尺寸。為了強化該介電主體58內部傳遞一電磁的EHF信號的能力，每個介電主體可以適當地製作尺寸，因而每個橫截面的第一尺寸的長度係大於將沿著該導管傳遞的電磁的EHF信號的波長；並且該第二尺寸係小於將沿著該導管傳遞的電磁的EHF信號的波長。在本發明的一替代實施例中，該第一尺寸係大於將被傳遞的電磁的EHF信號的波長之1.4倍，並且該第二尺寸並不大於將被傳遞的電磁的EHF信號的波長的大約一半。
該介電主體58可具有各種可能的幾何中之任一種，但通常是被配置以實質佔用該細長的凹處46。該介電主體58可被成形以使得該介電主體58的每個橫截面具有一藉由直線及/或連續曲線線段的某種組合形成的輪廓。在一實施例中，每個橫截面係具有一界定一矩形、一圓角的矩形、一橢圓形或是一超橢圓形的輪廓，其中超橢圓形係包含包括橢圓及過橢圓(hyperellipse)的形狀。
在一實施例中並且如同在圖5中所示，該介電主體58係界定一細長的長方體。換言之，介電主體58可被成形以使得在沿著其縱軸的每個點，該介電主體58與該縱軸正交的一橫截面係界定一矩形。
該介電主體58可具有一上表面或是配接的表面59，該表面59的至少部分可以是和在該第一細長的凹處周圍且相鄰的第一主要的表面 44連續且/或共平面的。在某些實施例中，該上表面59可以突出在該第一主要的表面44之上、或是凹陷在該第一主要的表面44之下、或是相對於該第一主要的表面44既部分突出且部分凹陷。
圖6係展示圖5的介電耦接器裝置41之橫截面圖。如圖所示，介電耦接器裝置41係包含一介電末端構件60，該介電末端構件60係設置在該介電主體58的第一端48，並且延伸穿過在該導電的主體42中的孔56。該介電末端構件60係有助於導引任何沿著該介電主體58傳遞的EHF電磁信號至一例如是積體電路封裝62的發送目的地。在一實施例中，該孔56可被形成為一槽，其係具有一窄的尺寸小於如同在該介電材料中量測到之預期待發送的EHF信號波長的一半、以及一大於此種波長寬度的尺寸。在一特定的實施例中，該孔56可以是一量測為約5.0mm乘以1.6mm之經界定的槽。
在本發明的另一實施例中，一種如上所述的介電耦接器裝置可被配置以使得其可以配接一互補的第二介電耦接器裝置，因而它們的組合係構成一介電耦接系統。例如，在每個導電的主體都界定在該導電的主體之主要的表面中的一凹處的情形中，該些導電的主體可以用一種面對面的關係來加以配接，因而該些凹處整體地構成一細長的凹穴。該些組合的導電的主體可以用此種方式界定一導電的殼體，每個耦接器的介電主體係在該殼體內與另一個重疊以形成一集體的介電主體，其係被配置以沿著該集體的介電主體傳導一EHF電磁信號。
例如，並且如同在圖7中所示，第一介電耦接器裝置41係以第一介電主體58與一第二介電主體64重疊以形成一集體的介電主體65 的此種方式來和互補的第二介電耦接器裝置63配接。同時，第二介電耦接器裝置63之第二導電的主體66可以和第一導電的主體42配接以形成一導電的殼體，該導電的殼體係至少部分地圍繞該藉由介電主體58及64所形成之集體的介電主體65，並且藉此提供屏蔽給傳遞在例如是通訊晶片62及68的EHF發送來源及目的地之間的EHF電磁信號。該所要的EHF電磁信號可經由第一介電末端構件60以及一第二介電末端構件70而被導引進出該集體的介電主體65，該第一介電末端構件60及第二介電末端構件70係分別被設置在該集體的介電主體65的每個末端處，並且延伸穿過在藉由該第一及第二導電的主體42及66所界定之導電的殼體中的孔56及72。該所產生的耦接系統的介電構件可以是處於直接的機械或物理接觸，但不一定需要如此。若該些介電構件被設置成具有一容許所要的EHF電磁信號能夠發送及/或傳遞之相對的間隔及方位，則該間隔及方位是一種用於該耦接系統之適當的間隔及方位。
例如，該組合的介電耦接系統72的配置可能是有用於藉由減低單一構件的介電耦接器裝置41的功能來最小化亂真的輻射發送，直到兩個互補的介電耦接器裝置被配接以形成對應的耦接系統為止。
如同在圖7中所示，該第一及第二裝置41及63可以是藉由一亦以旋轉反射或是旋轉反映(rotoflection)著稱的非正常旋轉而為對稱相關的。換言之，第一及第二裝置41及63的幾何可以是藉由一個180度的旋轉結合一個橫跨一與旋轉軸正交的平面之反射而為相關的。在裝置41及63的情形中，該兩個耦接器裝置係共用一共同的幾何，並且單純以彼此相關之適當的關係加以設置，以形成所要的耦接系統。在一替代實施例中，耦 接器裝置中之一或是另一個可以獨特地被成形，使得它們可以在非正常旋轉的對稱性下加以組裝，但是無法在一非所要的幾何下加以組裝。
本發明的介電耦接系統係提供相當強健的EHF電磁信號的發送。例如，如同在圖8中所示，即使是當一空氣間隙71可能存在於該第一介電主體58以及該第二介電主體64之間，EHF電磁信號也可以成功地從積體電路封裝62發送至積體電路封裝68。例如，已經判斷出的是即使當該空氣間隙71是大到1.0mm，在整合的晶片封裝之間成功的通訊也是可能的。藉由在該些介電主體之間不需要物理接觸下使得EHF電磁通訊變得容易，本發明的介電耦接系統可以在將該耦接系統納入一EHF通訊系統時提供一額外的自由度。例如，該兩個耦接器裝置可被利用在一耦接系統之中，其中該兩個裝置必須能夠縱向的平移，同時維持該EHF電磁波導的完整性。在該兩個介電主體是處於物理接觸的情形中，此種移動可能在該些介電主體上導致摩擦及磨損，此係導致該耦接系統的早期失效。然而，藉由在該第一及第二介電主體之間設置一空氣間隙，在該兩個耦接器裝置之間的平移可以在該介電主體之間實質無摩擦下有利地發生。
此外，如同在圖9中所示，即使當介電主體58及64是縱向失準時，在積體電路封裝62及積體電路封裝68之間的EHF電磁通訊仍然可被維持，此係在安裝、調整或是操作本發明的介電耦接時給予另一額外的機械自由度。
如上所論述，該第一及第二介電主體可包含平面的配接表面，該平面的配接表面可以是和在其個別細長的凹處周圍且相鄰之主要的表面至少部分連續及/或共平面的。或者是，假設該第一及第二介電主體在 被重疊時保持被配置以形成一集體的介電主體，則該第一及第二介電主體可具有一替代的幾何。在一實施例中，每個介電主體可以是以此種每個介電主體形成一細長的直角三角形稜柱(prism)的介電材料的方式形成斜面的，其係被成形且按照尺寸製作以使得當組合時，它們會形成一細長的長方體之集體的介電主體。如同在圖10中所示，第一形成斜面的介電主體72以及第二形成斜面的介電主體74的每一個係橫跨其寬度形成斜面的，並且每個斜面的斜率係被選擇成使得當介電主體72及74以所要的方位重疊時，該集體的介電主體係形成一細長的長方體的介電材料。該所產生的集體的介電主體結合介電末端部分60及70係形成一延伸在積體電路封裝62及68之間的介電波導。各種替代的互補的介電主體幾何都可被思及，例如分別是所要的集體的介電主體寬度、厚度或是長度的一半之介電主體設計；或是具有部分或斷續的長度或寬度之介電主體設計；或是某些其它對稱或不對稱的互補形狀及尺寸之介電主體設計。
如上所論述，在該第一及第二介電末端部分分別延伸穿過界定在圍繞集體的介電主體之導電的主體中的第一及第二孔之情形中，該些介電末端部分係被配置以導引所要的EHF電磁信號進入及/或離開該集體的介電主體。通常，該EHF電磁信號的發送來源以及該EHF電磁信號的接收器兩者係被設置成相鄰該些介電末端部分中之一，以便於使得該EHF電磁信號的發送變得容易。在該EHF電磁信號的來源及/或目的地納入有一換能器之情形中，該換能器通常是被配置以發送或接收EHF電磁信號，並且通常是以該換能器適當地與相鄰的介電末端構件對準而使得EHF電磁信號可以被發送在其之間的此種方式而被設置成相鄰該些介電末端部分中之一。
圖11係描繪根據本發明的一替代實施例之一種介電耦接器裝置76。介電耦接器裝置76係包含一導電的主體78、一設置在該導電的主體中的一凹處內的介電主體80、一延伸穿過一在該導電的主體78中的孔之介電末端構件82、以及一被設置成相鄰該介電末端構件82之相關的積體電路封裝84。此外，介電耦接器裝置76係包含一延伸在介電主體80之上的介電覆蓋86。介電覆蓋86可以是由和介電主體80相同或不同的介電材料來加以成型，並且可以是和介電主體80為離散的、或者可以是和介電主體80一體地加以模製。該介電覆蓋86可以呈現任何所要的形狀或幾何，但通常是足夠薄到該介電覆蓋將會是實質無法和該介電主體分開下傳導所關注的EHF電磁信號。該介電覆蓋86可具有一種例如描繪一公司商標或其它裝飾之裝飾的形狀、或是該覆蓋可以充當一有用的目的，例如是提供一指南以使得該耦接器裝置的對準變得容易。替代或額外的是，該介電覆蓋86可作用以隱藏該耦接器裝置76本身的結構及/或幾何而不被使用者或其他觀看者看見。
圖12-22係描繪本發明的介電耦接器裝置及/或耦接系統之所選的額外實施例。在整個圖12-22中，相同的元件符號可被用來指出對應或是功能上類似的元件。
圖12及13係描繪根據本發明的一實施例之一種介電耦接器裝置，其係包含一界定一凹處之導電的主體90、以及一設定到該界定的凹處之介電主體92。如上相關圖11所論述，圖12及13的介電主體92係被一導電的覆蓋94所覆蓋，並且該導電的覆蓋係界定分別靠近該介電主體92的一第一端以及一第二端之一第一孔96以及一第二孔96'。分別相鄰孔96 及96'的是一第一及第二積體電路封裝98及98'。將被發送在該第一積體電路封裝98至該第二積體電路封裝98'之間的EHF電磁信號係首先通過在該導電的覆蓋94中的第一孔96，接著沿著介電主體92的長度加以傳遞，通過該第二孔96'，並且進入到該第二積體電路封裝98'中。
圖14及15係描繪根據本發明的一替代實施例之一種介電耦接器裝置，其係包含一導電的主體90以及一介電主體92，該介電主體92係靠著該導電的主體90的一表面來加以設置，並且藉由一導電的覆蓋94來加以覆蓋。該介電主體92係在每個末端延伸超出該導電的覆蓋94，此係容許EHF電磁信號能夠被發送在一第一積體電路封裝98以及一第二積體電路封裝98'之間。
圖16及17描繪根據本發明的又一實施例之一種介電耦接器裝置，其係包含一界定一凹處之導電的主體90，其中該凹處底板係在該凹處之個別的末端界定一第一孔96以及一第二孔96'。該些孔96及96'係延伸穿過該導電的主體，而至該導電的主體90之相對的主要的表面。一介電主體92係被設置在該界定的凹處之內，其中一第一介電末端部分97係從該介電主體92延伸穿過該第一孔96而至該導電的主體90之相對的主要的表面，並且一第二介電末端部分97'係從該介電主體92延伸穿過該第二孔96'而至該導電的主體90之相對的主要的表面。分別相鄰孔96及96'的是一第一及第二積體電路封裝98及98'。例如，一從該第一積體電路封裝98將被發送至該第二積體電路封裝98'的EHF電磁信號係首先通過在該第一孔96中的第一介電末端部分97，並且接著沿著介電主體92的長度傳遞，通過在該第二孔96'中的第二介電末端部分97'，並且進入到該第二積體電路封裝 98'中。
圖18及19描繪根據本發明的又一實施例之一種介電耦接器裝置，其係包含一非平面的導電的主體90。導電的主體90之第一主要的表面是一彎曲的表面，其係包含一界定在該彎曲的表面中之凹處以及一設置在該凹處之內的介電主體92。一在該導電的主體90中之孔96係藉由該凹處的底板所界定，並且一介電末端部分97係從該介電主體92延伸到該孔96之中。一第一積體電路封裝98係被設置成相鄰該介電主體92的一第一端，而一第二積體電路封裝98'係被設置成相鄰該介電末端部分97，一將從該第一積體電路封裝被發送至該第二積體電路封裝的EHF電磁信號係首先通過進入該介電主體92的第一端，並且接著沿著該介電主體的彎曲長度傳遞，通過在該孔96中的介電末端部分97，並且藉此進入該第二積體電路封裝98'中。
圖20係描繪根據本發明的又一實施例之一種介電耦接，其係包含一被設置成相鄰一第一介電主體92的一第一端的第一積體電路封裝98，該第一介電主體92是平面的並且具有一平滑彎曲的輪廓。該第一介電主體92係和一第二介電主體92'實質重疊並且對準，該第二介電主體92'是類似的平面且彎曲的，而一第二積體電路封裝98'係被設置成相鄰該第二介電主體92'的末端，儘管是在相對於該第一積體電路封裝之相對的側邊。該所描繪的介電耦接係容許EHF電磁信號能夠被發送在該第一及第二積體電路封裝之間，即使當該第一及第二介電主體92及92'是被旋轉地平移。在該第一及第二介電主體之間的移動自由度可藉由將其分開一個小的空氣間隙來加以強化，此並不會實質干擾到EHF電磁信號的發送。
圖21及22係描繪根據本發明的又一實施例之一種介電耦接，該介電耦接係包含第一及第二耦接器裝置。該第一耦接器裝置係包含一界定一彎曲的表面之第一導電的主體90。一凹處係沿著該第一導電的主體90的內表面加以界定，並且一介電主體92係被設置在該第一凹處內。一第一孔96係界定在該導電的主體90中，並且一第一積體電路封裝98係被設置成相鄰該第一孔96。一包含一第二彎曲的導電的主體90'之第二耦接器裝置係被設置在該第一耦接器裝置的曲線內，並且一第二細長的凹處係沿著該第二導電的主體90'的外表面而被界定在該第二耦接器裝置的第二導電的主體90'中。該第一及第二耦接器裝置係被配置成使得一設置在該第二細長的凹處中之第二介電主體92'係實質與該第一耦接器裝置的第一介電主體92'對準並且實質與其重疊。該第二耦接器裝置進一步包含一藉由該導電的主體90所界定的第二孔96'，該第二孔96'係延伸穿過該第二導電的主體90'而至一相鄰的第二積體電路封裝98'。將被發送在該第一及第二積體電路封裝之間的EHF電磁信號係從積體電路封裝98經由孔96而通過進入到該第一介電主體92之中。該信號係接著沿著藉由第一介電主體92及第二介電主體92'所形成之集體的介電主體傳遞，並且接著通過該第二孔96'，它們可以在該處藉由該第二積體電路封裝98'來加以接收。類似於圖19及20的介電耦接，假設充分的重疊存在於該個別的介電主體之間，圖21及22的介電耦接係容許EHF電磁信號能夠被發送在該第一及第二積體電路封裝之間，即使當該第一及第二介電主體92及92'是沿著其個別的曲線平移。在該第一及第二介電主體之間的移動自由度可藉由在其之間提供一個小的空氣間隙來加以強化，此並不會實質干擾到EHF電磁信號的發送。
如同在圖23的流程圖100中所示，本發明的介電耦接係具有特定的效用於一種利用EHF電磁信號來通訊的方法。該方法可包含在步驟102配接一第一耦接構件以及一第二耦接構件以形成一耦接，其中每個耦接構件係包含一具有一第一主要的表面之導電的主體，其中每個導電的主體係在該第一主要的表面中界定一細長的凹處，每個細長的凹處係具有一底板，並且每個細長的凹處係具有一被設置在其中的介電主體。在步驟104，配接該第一及第二耦接構件可包含將該些耦接構件的導電的主體的該些第一主要的表面帶向接觸，因而該些耦接構件的該些導電的主體係全體地構成一導電的殼體，並且每個耦接構件的介電主體係和另一耦接構件的介電主體重疊，並且形成一介電導管。該方法可在步驟106進一步包含沿著該所產生的介電導管傳遞一EHF電磁信號。
將瞭解到的是，在此的措辭或術語是為了說明之目的，而不是限制，以使得本說明書的術語或措辭是欲藉由該本領域技術人員根據該教示及指導來加以詮釋。
儘管本揭露內容係適合各種的修改及替代的形式，但是特定的實施例係被舉例展示在圖式中並且被詳細地描述。然而，應該瞭解的是，該圖式以及對於其之詳細的說明並不欲限制本揭露內容至該揭露的特定形式，而是相反地，其意圖是欲涵蓋所有落在藉由所附的申請專利範圍所界定的本揭露內容的精神及範疇內之修改、等同物及替換物。
42‧‧‧(第一)導電的主體
44‧‧‧主要的表面
46‧‧‧細長的凹處
48‧‧‧第一端
50‧‧‧第二端
52‧‧‧底板
56‧‧‧孔

Claims (41)

  1. 一種用於傳導一極高頻(EHF)電磁信號之裝置，其係包括：一具有一第一主要的表面之第一導電的主體，該第一導電的主體係在該主要的表面中界定一第一細長的凹處，該第一細長的凹處係具有一底板；以及一第一介電主體，其係設置在該第一細長的凹處中並且被配置以傳導該EHF電磁信號。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其進一步包括一表面覆蓋，該表面覆蓋係被設置在該第一導電的主體的該第一主要的表面上並且覆蓋該第一介電主體的一長度的至少一部分。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一導電的主體係包含一和該第一主要的表面相對的第二主要的表面；該第一細長的凹處的該底板係界定一穿過該第一導電的主體之第一孔，該孔係從該凹處底板延伸至相鄰該第一細長的凹處的一第一端的該第二主要的表面；以及該裝置進一步包括一設置在該第一細長的凹處的一第一端並且延伸穿過在該第一導電的主體中的該第一孔之第一介電末端構件。
  4. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中該孔是一界定在該第一細長的凹處的該底板中之實質矩形槽；該槽係具有一沿著該第一細長的凹處的一縱軸量測的槽寬度、以及一沿著該第一細長的凹處的一寬度量測的槽長度；其中該槽寬度係小於該EHF電磁信號的波長的約一半，並且該槽長度 係大於該EHF電磁信號的一波長。
  5. 如申請專利範圍第3項之裝置，其進一步包括一被設置在靠近該介電末端構件延伸穿過該孔之處的積體電路封裝，其中該積體電路封裝係包含一EHF電磁信號換能器，該EHF電磁信號換能器係被配置以從該介電末端構件接收該EHF電磁信號、或是發送該EHF電磁信號至該介電末端構件。
  6. 如申請專利範圍第5項之裝置，其中該EHF信號換能器係包含一天線，並且該天線係實質與該介電末端構件對準。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一介電主體係包含一配接表面，該配接表面係和該導電的主體在該第一細長的凹處周圍且相鄰的該第一主要的表面為實質連續的。
  8. 如申請專利範圍第1項之裝置，其進一步包括一用於傳導該EHF電磁信號的第二裝置，該第二裝置係包含：一包含一第一主要的表面之第二導電的主體；該第二導電的主體係在該第二導電的主體的該第一主要的表面中界定一第二細長的凹處，該第二細長的凹處係具有一底板；以及一設置在該第二細長的凹處中的第二介電主體；其中該第一及第二裝置係被配置以藉由將每個導電的主體的該第一主要的表面帶向實質靠近另一者以使得該第一及第二介電主體形成一集體的介電主體來加以配接，該集體的介電主體係被配置以沿著該集體的介電主體傳導該EHF電磁信號。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該第一及第二介電主體係被對準並且與彼此物理接觸。
  10. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該第一及第二裝置之相對的方位是藉由旋轉的反射而為相關的。
  11. 如申請專利範圍第8項之系統，其中每個介電主體係能夠獨立於另一介電主體來傳遞EHF電磁信號。
  12. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該集體的介電主體係形成一用於傳遞偏極化的EHF電磁信號之細長的長方體的介電材料。
  13. 如申請專利範圍第12項之裝置，其中該第一及第二介電主體的每一個係被配置成當該第一及第二介電主體未重疊時，並不在該第一及第二細長的凹處的至少一個的第一及第二端之間傳導該EHF電磁信號。
  14. 如申請專利範圍第12項之裝置，其中該第一及第二介電主體的每一個係包含細長的直角三角形稜柱的介電材料，其係被配置成使得當該第一及第二裝置被配接時，該集體的介電主體係形成該細長的長方體。
  15. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該第二導電的主體係包含一和該第一主要的表面相對的第二主要的表面；該第二細長的凹處的該底板係在相鄰該第二細長的凹處的一第一端的該第二導電的主體中界定一第二孔，該第二孔係從該第二凹處底板延伸至該第二導電的主體的該第二主要的表面；以及該第二介電主體係包含一設置在該第二細長的凹處的該第一端並且延伸穿過在該第二導電的主體中的該第二孔之第二介電末端構件；以及該第一及第二介電末端構件係被設置在該集體的介電主體之相對的末端處。
  16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其進一步包括：一設置在靠近該第一介電末端構件延伸穿過該第一孔之處的第一積體電路封裝，該第一積體電路封裝係包含一第一EHF電磁信號換能器；以及一設置在靠近該第二介電末端構件延伸穿過該第二孔之處的第二積體電路封裝，該第二積體電路封裝係包含一第二EHF電磁信號換能器；其中該集體的介電主體以及該第一及第二介電末端構件係結合以構成一用於EHF電磁信號的波導，該波導係被配置以在該第一EHF電磁信號換能器以及該第二EHF電磁信號換能器之間傳導該EHF電磁信號。
  17. 如申請專利範圍第16項之裝置，其中該第一及第二EHF電磁信號換能器中的至少一個係包含一EHF天線，該EHF天線係被設置成與該第一及第二介電末端構件中之靠近的一個實質對準。
  18. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該導電的主體是一電子裝置的一外殼的一部分。
  19. 一種用於傳導一極高頻(EHF)電磁信號之裝置，其係包括：一第一導電的主體，其係包含一第一主要的表面以及一和該第一主要的表面相對的第二主要的表面；以及一設置在該第一主要的表面上的第一介電主體，該第一介電主體係具有一第一端以及一第二端，並且其中該第一介電主體係被配置以在該第一及第二端之間傳導該EHF電磁信號；假設該第一導電的主體係界定至少一從該第一主要的表面延伸至該第二主要的表面之孔；並且該至少一孔係靠近該第一介電主體的該第一及第二端中之一。
  20. 如申請專利範圍第19項之裝置，其中每個孔是一界定在該導電的主體中之實質矩形槽；該槽係具有一小於該EHF電磁信號的波長的約一半之槽寬度，並且該槽係具有一大於該EHF電磁信號的一波長之槽長度。
  21. 如申請專利範圍第19項之裝置，其進一步包括一設置在該第一導電的主體中的該至少一孔內並且延伸穿過其之第一介電末端構件。
  22. 如申請專利範圍第21項之裝置，其進一步包括一設置在靠近該介電末端構件延伸穿過該孔之處的積體電路封裝，其中該積體電路封裝係包含一EHF電磁信號換能器，該EHF電磁信號換能器係被配置以從該介電末端構件接收該EHF電磁信號、或是發送該EHF電磁信號至該介電末端構件。
  23. 一種極高頻(EHF)通訊耦接系統，其係包括：一導電的殼體；一具有一第一端以及一第二端之細長的介電導管，該介電導管係被設置在該導電的殼體之間並且至少部分被該導電的殼體所圍繞；其中該導電的殼體係界定一靠近該細長的介電導管的該第一端之第一孔以及一靠近該細長的介電導管的該第二端之第二孔；一第一介電延伸部，其係從該細長的介電導管的該第一端突出並且穿過在該第一殼體部分中的該第一孔；一第二介電延伸部，其係從該細長的介電導管的該第二端突出並且穿過在該第二殼體部分中的該第二孔；其中該耦接系統係被配置以藉由該細長的介電導管來在該第一介電延伸部以及該第二介電延伸部之間傳遞一EHF電磁信號的至少一部分。
  24. 如申請專利範圍第23項之系統，其中該第一及第二孔係被界定在 該導電的殼體的相對的側邊上。
  25. 如申請專利範圍第23項之系統，其中該導電的殼體是一用於一電子裝置的外殼的一部分。
  26. 如申請專利範圍第23項之系統，其中該導電的殼體係包含一第一殼體部分以及一第二殼體部分，該第一殼體部分以及第二殼體部分的每一個係具有一內表面；並且該導電的殼體係藉由以一種面對面的關係配接該些殼體部分來加以形成。
  27. 如申請專利範圍第23項之系統，其中每個殼體部分係在其內表面中界定一凹處，使得當該些殼體部分以一種面對面的關係配接時，該些凹處係整體地構成一細長的凹穴；並且其中該細長的介電導管係被設置在該藉此形成之細長的凹穴內並且至少部分地被該細長的凹穴所圍繞。
  28. 如申請專利範圍第23項之系統，其中該細長的介電導管係包含一細長的長方體的一種介電材料。
  29. 如申請專利範圍第28項之系統，其中該細長的介電導管係包含一第一介電部分以及一第二介電部分，以使得該第一及第二介電部分係全體地構成該細長的長方體的一種介電材料。
  30. 如申請專利範圍第28項之系統，其中每個介電部分係能夠獨立於另一介電部分來傳遞EHF電磁信號。
  31. 如申請專利範圍第29項之系統，其中每個介電部分係具有一實質固定的厚度，該厚度係實質對應於該細長的長方體的一總厚度的一半。
  32. 如申請專利範圍第28項之系統，其中每個介電部分係具有一實質固定的寬度，該寬度係實質對應於該細長的長方體的一總寬度的一半。
  33. 如申請專利範圍第28項之系統，其中每個介電部分係實質對應於一細長的直角三角形稜柱。
  34. 如申請專利範圍第23項之系統，其進一步包括：一包含一第一EHF電磁信號換能器的第一積體電路封裝，其中該第一積體電路封裝係被設置在該導電的殼體靠近該第一介電延伸部的一外部上；以及一包含一第二EHF電磁信號換能器的第二積體電路封裝，其中該第二積體電路封裝係被設置在該導電的殼體靠近該第二介電延伸部的該外部上。
  35. 如申請專利範圍第34項之系統，其中該耦接系統係被配置以經由該第一介電延伸部、該細長的介電導管以及該第二介電延伸部來在該第一EHF電磁信號換能器以及該第二EHF電磁信號換能器之間傳遞一EHF電磁信號的至少一部分。
  36. 一種利用極高頻(EHF)電磁信號來通訊之方法，其係包括：配接一第一耦接構件以及一第二耦接構件以形成一耦接，每個耦接構件係包含一具有一第一主要的表面之導電的主體，其中每個導電的主體係在該第一主要的表面中界定一細長的凹處，每個細長的凹處係具有一底板，並且每個細長的凹處係具有一被設置在其中的介電主體；其中配接該第一及第二耦接構件係包含：將該些耦接構件的該些導電的主體的該些第一主要的表面帶向充分的接觸以形成一導電的殼體，其中該些耦接構件的該些介電主體係被重疊以形成一介電導管；以及 沿著該介電導管傳遞一EHF電磁信號。
  37. 如申請專利範圍第36項之方法，其中該第一及第二耦接構件的每一個係包含一介電延伸部，該介電延伸部係鄰接該介電主體並且穿過一藉由該導電的主體所界定的孔而突出；以及配接該第一及第二耦接構件係包含形成一耦接，其中該些介電延伸部的每一個係鄰接該所產生的介電導管之一個別的末端並且穿過該導電的殼體而突出。
  38. 如申請專利範圍第37項之方法，其中沿著該介電導管傳遞該EHF電磁信號係包含在該些介電延伸部中之一接收該EHF電磁信號，並且透過該一介電延伸部且沿著該介電導管傳遞該EHF電磁信號至該些介電延伸部之另一個。
  39. 如申請專利範圍第38項之方法，其中傳遞該EHF電磁信號係包含從一具有一EHF換能器的第一積體電路封裝發送一EHF電磁信號，該EHF換能器係靠近且至少實質與該些介電延伸部中之一對準，並且在一具有一EHF換能器的第二積體電路封裝接收該EHF電磁信號，該EHF換能器係靠近且至少實質與另一介電延伸部對準。
  40. 如申請專利範圍第36項之方法，其中每個耦接構件的該介電主體係包含一面對的表面，使得將該些耦接構件的該些導電的主體的該些第一主要的表面帶向接觸係包含將該些介電主體的該個別之面對的表面帶向接觸。
  41. 如申請專利範圍第36項之方法，其中將該些耦接構件的該些導電的主體的該些第一主要的表面帶向接觸以形成該導電的殼體係包含形成一電子裝置的一外殼的一部分。
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