JP3269448B2 - 誘電体線路 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
- H01P3/165—Non-radiating dielectric waveguides
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- H—ELECTRICITY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ミリ波帯やマイ
クロ波帯で用いられる伝送路や集積回路等に適する誘電
体線路に関する。
クロ波帯で用いられる伝送路や集積回路等に適する誘電
体線路に関する。
【０００２】従来よりミリ波帯やマイクロ波帯における
伝送線路として、平行な導電体平面の間に誘電体ストリ
ップを配して成る誘電体線路が用いられている。特に導
電体平面の間隔を電磁波の伝搬波長の半波長以下にし
て、誘電体ストリップの曲がり部分等における放射波を
抑制したものは非放射性誘電体線路として用いられてい
る。
伝送線路として、平行な導電体平面の間に誘電体ストリ
ップを配して成る誘電体線路が用いられている。特に導
電体平面の間隔を電磁波の伝搬波長の半波長以下にし
て、誘電体ストリップの曲がり部分等における放射波を
抑制したものは非放射性誘電体線路として用いられてい
る。
【０００３】このような誘電体線路を用いて何らかのミ
リ波回路モジュールを構成する場合、モジュール間で誘
電体線路同士を接続する場合、あるいは単一のモジュー
ル内においても誘電体ストリップ部分が一体的に設けら
れない場合には、誘電体ストリップ同士の接続を行うこ
とになる。
リ波回路モジュールを構成する場合、モジュール間で誘
電体線路同士を接続する場合、あるいは単一のモジュー
ル内においても誘電体ストリップ部分が一体的に設けら
れない場合には、誘電体ストリップ同士の接続を行うこ
とになる。
【０００４】ここで、従来の誘電体ストリップ同士の接
続構造を図３５に示す。この図では上下の導電体平面は
省略している。同図において１，２はそれぞれ誘電体ス
トリップであり、このように電磁波の伝送方向に垂直な
面同士を対向させて誘電体線路を接続するようにしてい
た。
続構造を図３５に示す。この図では上下の導電体平面は
省略している。同図において１，２はそれぞれ誘電体ス
トリップであり、このように電磁波の伝送方向に垂直な
面同士を対向させて誘電体線路を接続するようにしてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来より、誘電体線路
を構成する誘電体ストリップとしては、低誘電率、低損
失な樹脂であるＰＴＦＥが用いられ、導電体板として
は、加工性が高く、適度な硬度を有する硬質アルミニウ
ムが用いられている。ところが、このＰＴＦＥと硬質ア
ルミニウムとは両者の線膨張係数の差が大きいため、誘
電体線路を組立時の温度より低温下で使用する場合に、
誘電体ストリップ同士の対向面に間隙が生じる。また、
一般に加工公差によっても誘電体ストリップ部分の対向
面にはある程度の間隙が生じる。この間隙に入る空気の
比誘電率は誘電体ストリップの誘電率とは異なるため、
間隙部分で電磁波の反射が生じる。その結果、伝送路と
しての特性が劣化してしまう。さらに、別々の誘電体線
路の組立の際に、組立精度によって２つの誘電体線路の
接続部における誘電体ストリップ同士の対向面に位置ず
れが生じる。その結果、接合面で反射が生じて、やはり
伝送路としての特性が劣化してしまう。
を構成する誘電体ストリップとしては、低誘電率、低損
失な樹脂であるＰＴＦＥが用いられ、導電体板として
は、加工性が高く、適度な硬度を有する硬質アルミニウ
ムが用いられている。ところが、このＰＴＦＥと硬質ア
ルミニウムとは両者の線膨張係数の差が大きいため、誘
電体線路を組立時の温度より低温下で使用する場合に、
誘電体ストリップ同士の対向面に間隙が生じる。また、
一般に加工公差によっても誘電体ストリップ部分の対向
面にはある程度の間隙が生じる。この間隙に入る空気の
比誘電率は誘電体ストリップの誘電率とは異なるため、
間隙部分で電磁波の反射が生じる。その結果、伝送路と
しての特性が劣化してしまう。さらに、別々の誘電体線
路の組立の際に、組立精度によって２つの誘電体線路の
接続部における誘電体ストリップ同士の対向面に位置ず
れが生じる。その結果、接合面で反射が生じて、やはり
伝送路としての特性が劣化してしまう。
【０００６】ここで、誘電体線路の断面形状を図１に示
すようなものとし、図１および図３５においてａ＝２．
２ｍｍ、ｂ＝１．８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍ、ｇａｐ＝
０．２ｍｍ、ＬＬ＝１０ｍｍとし、誘電体ストリップの
比誘電率εｒを２．０４として、６０ＧＨｚ帯における
Ｓ１１（反射損失）特性を３次元有限要素法で計算した
結果を図３６に示す。このときの６０ＧＨｚでの管内波
長はλｇは８．７ｍｍとなる。図３６に示すように、
０．２ｍｍ程度の微小な間隙であっても、反射損失は−
１５ｄＢ以上となる。なお、誘電体ストリップの全長Ｌ
Ｌは本来任意であるが、計算上１０ｍｍに設定してい
る。このことは以降に示す各例についても同様である。
すようなものとし、図１および図３５においてａ＝２．
２ｍｍ、ｂ＝１．８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍ、ｇａｐ＝
０．２ｍｍ、ＬＬ＝１０ｍｍとし、誘電体ストリップの
比誘電率εｒを２．０４として、６０ＧＨｚ帯における
Ｓ１１（反射損失）特性を３次元有限要素法で計算した
結果を図３６に示す。このときの６０ＧＨｚでの管内波
長はλｇは８．７ｍｍとなる。図３６に示すように、
０．２ｍｍ程度の微小な間隙であっても、反射損失は−
１５ｄＢ以上となる。なお、誘電体ストリップの全長Ｌ
Ｌは本来任意であるが、計算上１０ｍｍに設定してい
る。このことは以降に示す各例についても同様である。
【０００７】この発明の目的は、誘電体ストリップ同士
の接続部に生じる間隙による影響を回避して、特性の優
れた誘電体線路を提供することにある。
の接続部に生じる間隙による影響を回避して、特性の優
れた誘電体線路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、電磁波の伝
搬方向に複数の誘電体ストリップ部を配置してなる電磁
波伝搬領域を有する誘電体線路において、隣接する誘電
体ストリップの接続部における反射の影響を受けないよ
うにするために、請求項１に記載のとおり、隣接する誘
電体ストリップを、前記電磁波の伝搬方向に、該誘電体
ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の１／４の奇数
倍だけ互いに離れた複数の面で接続する。
搬方向に複数の誘電体ストリップ部を配置してなる電磁
波伝搬領域を有する誘電体線路において、隣接する誘電
体ストリップの接続部における反射の影響を受けないよ
うにするために、請求項１に記載のとおり、隣接する誘
電体ストリップを、前記電磁波の伝搬方向に、該誘電体
ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の１／４の奇数
倍だけ互いに離れた複数の面で接続する。
【０００９】このように、隣接する誘電体ストリップの
接続面が電磁波の伝搬方向に１／４波長の奇数倍だけ互
いに離れた複数の面で構成したことにより、各接続面で
反射した電磁波の位相が逆位相で合成されるため、互い
に打ち消し合い、反射による影響が抑えられる。
接続面が電磁波の伝搬方向に１／４波長の奇数倍だけ互
いに離れた複数の面で構成したことにより、各接続面で
反射した電磁波の位相が逆位相で合成されるため、互い
に打ち消し合い、反射による影響が抑えられる。
【００１０】ここで請求項１に係る誘電体線路の構成例
を図１および図２に示す。図１において４，５は導電体
板であり、その間に誘電体ストリップを配置している。
図２はその誘電体ストリップのみを示している。図２に
示す例では、電磁波の伝搬方向に垂直な２つの接続面の
間隔をλｇ／４としている。ここでλｇは管内波長であ
る。このように、２つの接続面の間隔をλｇ／４とすれ
ば、一方の接続面で反射した波と他方の接続面で反射し
た波とが同一方向に伝搬しようとする際、一方の反射波
はλｇ／４の区間を往復するため、２つの反射波の電気
長の差はλｇ／２となって、両反射波の位相差は逆相関
係となる。したがって両反射波は互いに打ち消されて、
ポート１およびポート２への反射波が抑えられる。
を図１および図２に示す。図１において４，５は導電体
板であり、その間に誘電体ストリップを配置している。
図２はその誘電体ストリップのみを示している。図２に
示す例では、電磁波の伝搬方向に垂直な２つの接続面の
間隔をλｇ／４としている。ここでλｇは管内波長であ
る。このように、２つの接続面の間隔をλｇ／４とすれ
ば、一方の接続面で反射した波と他方の接続面で反射し
た波とが同一方向に伝搬しようとする際、一方の反射波
はλｇ／４の区間を往復するため、２つの反射波の電気
長の差はλｇ／２となって、両反射波の位相差は逆相関
係となる。したがって両反射波は互いに打ち消されて、
ポート１およびポート２への反射波が抑えられる。
【００１１】また、この発明は請求項２に記載のとお
り、接続すべき２つの誘電体ストリップの間に、該誘電
体ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の１／４の奇
数倍の長さを有する他の誘電体ストリップを介在させ
る。この構成例を図３に示す。図３は上下の導電体板を
取り除いた状態を示している。このように接続すべき２
つの誘電体ストリップ１，２の間に、この誘電体ストリ
ップを伝搬する電磁波の管内波長の１／４の奇数倍の長
さを有する誘電体ストリップ３を介在させることによ
り、誘電体ストリップ１−３間の接続面での反射波と、
誘電体ストリップ２−３間での反射波との位相が逆位相
となるため、互いに打ち消されて、ポート１およびポー
ト２への反射波が抑えられる。
り、接続すべき２つの誘電体ストリップの間に、該誘電
体ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の１／４の奇
数倍の長さを有する他の誘電体ストリップを介在させ
る。この構成例を図３に示す。図３は上下の導電体板を
取り除いた状態を示している。このように接続すべき２
つの誘電体ストリップ１，２の間に、この誘電体ストリ
ップを伝搬する電磁波の管内波長の１／４の奇数倍の長
さを有する誘電体ストリップ３を介在させることによ
り、誘電体ストリップ１−３間の接続面での反射波と、
誘電体ストリップ２−３間での反射波との位相が逆位相
となるため、互いに打ち消されて、ポート１およびポー
ト２への反射波が抑えられる。
【００１２】また、この発明は請求項３に記載のとお
り、接続すべき第１・第２の２つの誘電体ストリップの
接続部に第３の誘電体ストリップを部分的に挿入すると
ともに、第１・第３の誘電体ストリップの接続面での反
射波と、第１・第２の誘電体ストリップの接続面での反
射波と、第２・第３の誘電体ストリップの接続面での反
射波とが、互いに２π／３の位相差で合成されるよう
に、前記３つの接続面の間隔を定める。たとえば、第１
・第３の誘電体ストリップの接続面での反射波の位相が
０、第１・第２の誘電体ストリップの接続面での反射波
の位相が２π／３（１２０°）、第２・第３の誘電体ス
トリップの接続面での反射波の位相が４π／３（２４０
°）の関係で、且つ反射波の強度が同一であれば、合成
波の実部・虚部がともに０となって、３つの反射波の合
成波は打ち消される。
り、接続すべき第１・第２の２つの誘電体ストリップの
接続部に第３の誘電体ストリップを部分的に挿入すると
ともに、第１・第３の誘電体ストリップの接続面での反
射波と、第１・第２の誘電体ストリップの接続面での反
射波と、第２・第３の誘電体ストリップの接続面での反
射波とが、互いに２π／３の位相差で合成されるよう
に、前記３つの接続面の間隔を定める。たとえば、第１
・第３の誘電体ストリップの接続面での反射波の位相が
０、第１・第２の誘電体ストリップの接続面での反射波
の位相が２π／３（１２０°）、第２・第３の誘電体ス
トリップの接続面での反射波の位相が４π／３（２４０
°）の関係で、且つ反射波の強度が同一であれば、合成
波の実部・虚部がともに０となって、３つの反射波の合
成波は打ち消される。
【００１３】また、この発明は請求項４に記載のとお
り、上記第１・第２の誘電体ストリップの接続面と、第
１・第３の誘電体ストリップの接続面との間隔を、該誘
電体ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の１／６と
し、前記第１・第２の誘電体ストリップの接続面と、第
２・第３の誘電体ストリップの接続面との間隔を前記管
内波長の１／６とする。この誘電体線路の構成例を図４
に示す。同図においては誘電体ストリップの上下の導電
体板は省略している。このように第１と第２の２つの誘
電体ストリップ１，２の接続部に第３の誘電体ストリッ
プ３を部分的に挿入するとともに、２つの接続面間の間
隔Ｌ１，Ｌ２をそれぞれλｇ／６とすると、各接続面で
の反射波は互いに打ち消される。
り、上記第１・第２の誘電体ストリップの接続面と、第
１・第３の誘電体ストリップの接続面との間隔を、該誘
電体ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の１／６と
し、前記第１・第２の誘電体ストリップの接続面と、第
２・第３の誘電体ストリップの接続面との間隔を前記管
内波長の１／６とする。この誘電体線路の構成例を図４
に示す。同図においては誘電体ストリップの上下の導電
体板は省略している。このように第１と第２の２つの誘
電体ストリップ１，２の接続部に第３の誘電体ストリッ
プ３を部分的に挿入するとともに、２つの接続面間の間
隔Ｌ１，Ｌ２をそれぞれλｇ／６とすると、各接続面で
の反射波は互いに打ち消される。
【００１４】また、この発明は、２つの誘電体線路の接
続部における誘電体ストリップ同士の対向面に生じる位
置ずれを低減させるために、請求項５，６に記載のとお
り、２つの誘電体線路の接続部における導電体板同士の
対向面で、一方の導電体板の一部を突出させ、これに対
向する他方の導電体板の対応位置を凹ませることによっ
て、２つの誘電体線路を前記導電体板の平面に平行で且
つ電磁波伝搬方向に垂直な方向に位置決めする。
続部における誘電体ストリップ同士の対向面に生じる位
置ずれを低減させるために、請求項５，６に記載のとお
り、２つの誘電体線路の接続部における導電体板同士の
対向面で、一方の導電体板の一部を突出させ、これに対
向する他方の導電体板の対応位置を凹ませることによっ
て、２つの誘電体線路を前記導電体板の平面に平行で且
つ電磁波伝搬方向に垂直な方向に位置決めする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に示す各実施形態のうち、図
１〜図３２に示すものが、この発明に含まれる。この発
明の第１の実施形態に係る誘電体線路の構成を図５〜図
７を参照して説明する。
１〜図３２に示すものが、この発明に含まれる。この発
明の第１の実施形態に係る誘電体線路の構成を図５〜図
７を参照して説明する。
【００１６】図５は誘電体線路の主要部の断面図であ
る。この例では、導電体板４，５にそれぞれ深さｇの溝
を形成するとともに、その溝部分にそれぞれ誘電体スト
リップを配して、誘電体ストリップ同士が対向するよう
に配置している。
る。この例では、導電体板４，５にそれぞれ深さｇの溝
を形成するとともに、その溝部分にそれぞれ誘電体スト
リップを配して、誘電体ストリップ同士が対向するよう
に配置している。
【００１７】図６は上下の導電体板を取り除いた状態で
の誘電体ストリップの構成を示す斜視図である。同図に
おいて１ａ，２ａは図５に示した下部の導電体板４側に
設けた誘電体ストリップ、１ｂ，２ｂは図５に示した上
部の導電体板５側に設けた誘電体ストリップである。誘
電体ストリップ１ａ−２ａ間の接続面ａと誘電体ストリ
ップ１ｂ−２ｂ間の接続面ｂとの間隔Ｌをλｇ／４とし
ている。
の誘電体ストリップの構成を示す斜視図である。同図に
おいて１ａ，２ａは図５に示した下部の導電体板４側に
設けた誘電体ストリップ、１ｂ，２ｂは図５に示した上
部の導電体板５側に設けた誘電体ストリップである。誘
電体ストリップ１ａ−２ａ間の接続面ａと誘電体ストリ
ップ１ｂ−２ｂ間の接続面ｂとの間隔Ｌをλｇ／４とし
ている。
【００１８】この誘電体線路の断面形状を図１に示すよ
うなものとし、図５および図６においてａ１＝ａ２＝
１．１ｍｍ、ｂ＝１．８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍとし、誘
電体ストリップの比誘電率εｒを２．０４とすれば、６
０ＧＨｚでの管内波長はλｇは８．７ｍｍである。そこ
で、２つの接続面間の間隔Ｌは２．２ｍｍとする。ここ
でｇａｐ＝０．２ｍｍ、ＬＬ＝１０ｍｍとして、６０Ｇ
Ｈｚ帯におけるＳ１１（反射損失）特性を３次元有限要
素法で計算した結果を図７に示す。図３６に比較すれば
明らかなように、反射特性は大きく改善できる。
うなものとし、図５および図６においてａ１＝ａ２＝
１．１ｍｍ、ｂ＝１．８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍとし、誘
電体ストリップの比誘電率εｒを２．０４とすれば、６
０ＧＨｚでの管内波長はλｇは８．７ｍｍである。そこ
で、２つの接続面間の間隔Ｌは２．２ｍｍとする。ここ
でｇａｐ＝０．２ｍｍ、ＬＬ＝１０ｍｍとして、６０Ｇ
Ｈｚ帯におけるＳ１１（反射損失）特性を３次元有限要
素法で計算した結果を図７に示す。図３６に比較すれば
明らかなように、反射特性は大きく改善できる。
【００１９】なお、図６の例では、電磁波の伝搬方向に
沿って（上下に）２分割した誘電体ストリップを用いる
例を示したが、図８の（Ａ）のように誘電体ストリップ
１，２はそれぞれ一体のもので構成してもよく、また、
（Ｂ）のように、一方の誘電体ストリップ１を一体と
し、他方の誘電体ストリップ２ａ，２ｂを分割した構造
を採っても同様の効果が得られる。
沿って（上下に）２分割した誘電体ストリップを用いる
例を示したが、図８の（Ａ）のように誘電体ストリップ
１，２はそれぞれ一体のもので構成してもよく、また、
（Ｂ）のように、一方の誘電体ストリップ１を一体と
し、他方の誘電体ストリップ２ａ，２ｂを分割した構造
を採っても同様の効果が得られる。
【００２０】次に第２の実施形態に係る誘電体線路の構
成を図９〜図１２を参照して説明する。
成を図９〜図１２を参照して説明する。
【００２１】図９は上下の導電体板を取り除いた状態で
の誘電体ストリップの構成を示す斜視図である。同図に
示すように、この例では、誘電体ストリップ１ａ−２ａ
間の接続面と、誘電体ストリップ１ｂ−２ｂ間の接続面
が上下の導電体板に対してそれぞれ垂直となる関係とし
ている。ここでａ＝２．２ｍｍ，ｂ１＝ｂ２＝０．９ｍ
ｍ，ｇ＝０．５ｍｍ（図１参照），ｇａｐ＝０．２ｍ
ｍ，Ｌ＝２．２ｍｍ，ＬＬ＝１０ｍｍ，εｒ＝２．０４
とした場合の６０ＧＨｚ帯域での反射特性を３次元有限
要素法で計算した結果を図１０に示す。このように使用
周波数（６０ＧＨｚ帯域）で良好な反射特性が得られる
ことが判る。
の誘電体ストリップの構成を示す斜視図である。同図に
示すように、この例では、誘電体ストリップ１ａ−２ａ
間の接続面と、誘電体ストリップ１ｂ−２ｂ間の接続面
が上下の導電体板に対してそれぞれ垂直となる関係とし
ている。ここでａ＝２．２ｍｍ，ｂ１＝ｂ２＝０．９ｍ
ｍ，ｇ＝０．５ｍｍ（図１参照），ｇａｐ＝０．２ｍ
ｍ，Ｌ＝２．２ｍｍ，ＬＬ＝１０ｍｍ，εｒ＝２．０４
とした場合の６０ＧＨｚ帯域での反射特性を３次元有限
要素法で計算した結果を図１０に示す。このように使用
周波数（６０ＧＨｚ帯域）で良好な反射特性が得られる
ことが判る。
【００２２】なお、図９の例では、電磁波の伝搬方向に
沿って２分割した誘電体ストリップを用いる例を示した
が、図１１のように誘電体ストリップ１，２はそれぞれ
一体のもので構成してもよく、同様の効果が得られる。
この図１１の構造によれば、誘電体ストリップを打ち抜
き加工で製造できるので、量産性が高く、低コスト化が
図れる。
沿って２分割した誘電体ストリップを用いる例を示した
が、図１１のように誘電体ストリップ１，２はそれぞれ
一体のもので構成してもよく、同様の効果が得られる。
この図１１の構造によれば、誘電体ストリップを打ち抜
き加工で製造できるので、量産性が高く、低コスト化が
図れる。
【００２３】また、上記の例では、２つの接続面を電磁
波の伝搬方向に対して垂直の関係としたが、必ずしも垂
直とする必要はなく、図１２に示すように斜めであって
もよく、２つの接続面の電磁波伝搬方向の間隔Ｌをλｇ
／４の奇数倍の関係とし、且つ２つの接続面が略平行と
なる関係にすればよい。
波の伝搬方向に対して垂直の関係としたが、必ずしも垂
直とする必要はなく、図１２に示すように斜めであって
もよく、２つの接続面の電磁波伝搬方向の間隔Ｌをλｇ
／４の奇数倍の関係とし、且つ２つの接続面が略平行と
なる関係にすればよい。
【００２４】次に第３の実施形態に係る誘電体線路の構
成を図１３〜図１５を参照して説明する。この第３の実
施形態は、２つの導電体板の間に誘電体板を挟んで、そ
の誘電体板上に平面回路を構成したものである。
成を図１３〜図１５を参照して説明する。この第３の実
施形態は、２つの導電体板の間に誘電体板を挟んで、そ
の誘電体板上に平面回路を構成したものである。
【００２５】図１３はその断面図であり、導電体板４，
５にそれぞれ深さｇの溝を形成するとともに、誘電体ス
トリップ１ａ，１ｂをそれぞれの溝に配置するととも
に、この２つの誘電体ストリップの間に誘電体板６を配
置する構造としている。誘電体板６にはマイクロストリ
ップ線路、コプレーナ線路、スロット線路などの導電体
パターンを設け、半導体素子など電子部品を実装してい
る。
５にそれぞれ深さｇの溝を形成するとともに、誘電体ス
トリップ１ａ，１ｂをそれぞれの溝に配置するととも
に、この２つの誘電体ストリップの間に誘電体板６を配
置する構造としている。誘電体板６にはマイクロストリ
ップ線路、コプレーナ線路、スロット線路などの導電体
パターンを設け、半導体素子など電子部品を実装してい
る。
【００２６】図１４は上下の導電体板を取り除いた状態
での斜視図である。図における誘電体板６の下面側にお
ける誘電体ストリップ１ａ−２ａ間の接続面ａと誘電体
板６の上側における誘電体ストリップ１ｂ−２ｂ間の接
続面ｂとの間隔Ｌをλｇ／４の奇数倍の関係とする。こ
の場合も第１・第２の実施形態の場合と同様に、使用周
波数帯で良好な反射特性を得ることができる。
での斜視図である。図における誘電体板６の下面側にお
ける誘電体ストリップ１ａ−２ａ間の接続面ａと誘電体
板６の上側における誘電体ストリップ１ｂ−２ｂ間の接
続面ｂとの間隔Ｌをλｇ／４の奇数倍の関係とする。こ
の場合も第１・第２の実施形態の場合と同様に、使用周
波数帯で良好な反射特性を得ることができる。
【００２７】なお、誘電体ストリップ同士の接続面が、
図１４に示したような電磁波の伝搬方向に垂直な面を成
すものに限らず、図１５の（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、電磁波の伝搬方向に垂直な面から所定角度傾斜して
いてもよい。（図１５においては上下の誘電体ストリッ
プ間の誘電体板は省略している。）この場合、２つの接
続面の電磁波伝搬方向の間隔をλｇ／４の奇数倍の関係
とし、且つ２つの接続面が略平行となる関係にすればよ
い。
図１４に示したような電磁波の伝搬方向に垂直な面を成
すものに限らず、図１５の（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、電磁波の伝搬方向に垂直な面から所定角度傾斜して
いてもよい。（図１５においては上下の誘電体ストリッ
プ間の誘電体板は省略している。）この場合、２つの接
続面の電磁波伝搬方向の間隔をλｇ／４の奇数倍の関係
とし、且つ２つの接続面が略平行となる関係にすればよ
い。
【００２８】次に第４の実施形態に係る誘電体線路の構
成を図１６および図１７を参照して説明する。
成を図１６および図１７を参照して説明する。
【００２９】図１６の（Ａ）は上下の導電体板を取り除
いた状態での誘電体ストリップの接続構成を示す斜視
図、（Ｂ）はその分解斜視図である。以上に示した各実
施形態では、２つの接続面で誘電体ストリップ同士を接
続したのに対し、この例では電磁波の伝搬方向に垂直な
３つの接続面ａ，ｂ，ｃで接続し、その間隔Ｌをλｇ／
４の奇数倍の関係としている。
いた状態での誘電体ストリップの接続構成を示す斜視
図、（Ｂ）はその分解斜視図である。以上に示した各実
施形態では、２つの接続面で誘電体ストリップ同士を接
続したのに対し、この例では電磁波の伝搬方向に垂直な
３つの接続面ａ，ｂ，ｃで接続し、その間隔Ｌをλｇ／
４の奇数倍の関係としている。
【００３０】同じく図１７の（Ａ）は上下の導電体板を
取り除いた状態での誘電体ストリップの接続構成を示す
斜視図、（Ｂ）はその分解斜視図であり、この例では
ａ，ｂ，ｃ，ｄで示す４つの接続面で接続している。こ
のように接続面が３つ以上の場合であっても、接続面の
間隔Ｌをλｇ／４の奇数倍の関係とすることによってポ
ート＃１またはポート＃２への反射波の伝搬を抑えるこ
とができる。
取り除いた状態での誘電体ストリップの接続構成を示す
斜視図、（Ｂ）はその分解斜視図であり、この例では
ａ，ｂ，ｃ，ｄで示す４つの接続面で接続している。こ
のように接続面が３つ以上の場合であっても、接続面の
間隔Ｌをλｇ／４の奇数倍の関係とすることによってポ
ート＃１またはポート＃２への反射波の伝搬を抑えるこ
とができる。
【００３１】またこのように接続面を凹凸形状とするこ
とによって、誘電体ストリップ同士の軸方向に対して垂
直方向の位置決め精度を容易に高めることができる。
とによって、誘電体ストリップ同士の軸方向に対して垂
直方向の位置決め精度を容易に高めることができる。
【００３２】次に、第５の実施形態に係る３つの誘電体
線路の構成を図１８および図１９を参照して説明する。
誘電体板を用いて誘電体線路と共に平面回路を構成する
場合、誘電体板を挿入した線路と挿入しない線路との接
続箇所が生じる。この第５の実施形態はその部分におけ
る整合構造の例であり、図１８および図１９はそれぞれ
上下の導電体板を取り除いた状態での斜視図である。
線路の構成を図１８および図１９を参照して説明する。
誘電体板を用いて誘電体線路と共に平面回路を構成する
場合、誘電体板を挿入した線路と挿入しない線路との接
続箇所が生じる。この第５の実施形態はその部分におけ
る整合構造の例であり、図１８および図１９はそれぞれ
上下の導電体板を取り除いた状態での斜視図である。
【００３３】図１８に示す例では誘電体ストリップ１，
２ａ，２ｂおよび誘電体板６のそれぞれの比誘電率を略
同一とするか、誘電体板６の比誘電率を誘電体ストリッ
プ１，２ａ，２ｂの比誘電率より僅かに小さくして、誘
電体板６の挿入部分と非挿入部分とで線路のインピーダ
ンスをほぼ同一にする。
２ａ，２ｂおよび誘電体板６のそれぞれの比誘電率を略
同一とするか、誘電体板６の比誘電率を誘電体ストリッ
プ１，２ａ，２ｂの比誘電率より僅かに小さくして、誘
電体板６の挿入部分と非挿入部分とで線路のインピーダ
ンスをほぼ同一にする。
【００３４】また、誘電体板６の比誘電率が誘電体スト
リップ１，２ａ，２ｂの比誘電率と異なる場合には、図
１９に示すように、誘電体板６に凹部（切欠部）を設け
て、その部分での線路のインピーダンスを誘電体板挿入
部と非挿入部の線路のインピーダンスの中間値とする。
リップ１，２ａ，２ｂの比誘電率と異なる場合には、図
１９に示すように、誘電体板６に凹部（切欠部）を設け
て、その部分での線路のインピーダンスを誘電体板挿入
部と非挿入部の線路のインピーダンスの中間値とする。
【００３５】次に第６の実施形態に係る誘電体線路の構
成を図２０〜図２２を参照して説明する。
成を図２０〜図２２を参照して説明する。
【００３６】図２０は上下の導電体板を取り除いた状態
での斜視図である。図１８に示したものと異なり、この
例では、４つの誘電体ストリップ１ａ，１ｂ，２ａ，２
ｂを用いている。この場合にも、同様に接続面ａと接続
面ｂとの間隔Ｌをλｇ／４の奇数倍とする。
での斜視図である。図１８に示したものと異なり、この
例では、４つの誘電体ストリップ１ａ，１ｂ，２ａ，２
ｂを用いている。この場合にも、同様に接続面ａと接続
面ｂとの間隔Ｌをλｇ／４の奇数倍とする。
【００３７】図２１、図２２は共に電磁波の伝搬方向に
おける誘電体ストリップ部分の断面図であり、図２１の
例では、誘電体ストリップ１ｂ，２ｂの厚みを同一と
し、誘電体ストリップ１ａの厚みを誘電体ストリップ２
ａと誘電体板６とを重ねた厚みに等しくしている。また
図２２の例では、誘電体ストリップ１ｂの全体の厚みを
誘電体ストリップ１ａの厚みと同一とし、誘電体ストリ
ップ２ａ，２ｂの厚みを同一とし、誘電体ストリップ１
ａ，１ｂの接続面の高さが誘電体板６の端面の中央位置
になるようにしている。図２１の構造によれば、各誘電
体ストリップの厚み寸法が一定であるため、誘電体スト
リップの追加工が不要となり、製造が容易となる。また
図２２の構造によれば誘電体線路を上下対称構造とする
ことができ、その設計が容易になる。
おける誘電体ストリップ部分の断面図であり、図２１の
例では、誘電体ストリップ１ｂ，２ｂの厚みを同一と
し、誘電体ストリップ１ａの厚みを誘電体ストリップ２
ａと誘電体板６とを重ねた厚みに等しくしている。また
図２２の例では、誘電体ストリップ１ｂの全体の厚みを
誘電体ストリップ１ａの厚みと同一とし、誘電体ストリ
ップ２ａ，２ｂの厚みを同一とし、誘電体ストリップ１
ａ，１ｂの接続面の高さが誘電体板６の端面の中央位置
になるようにしている。図２１の構造によれば、各誘電
体ストリップの厚み寸法が一定であるため、誘電体スト
リップの追加工が不要となり、製造が容易となる。また
図２２の構造によれば誘電体線路を上下対称構造とする
ことができ、その設計が容易になる。
【００３８】図２３は第７の実施形態に係る誘電体線路
の構成を示す図であり、同図においては上下の導電体板
を取り除いた誘電体ストリップのみを示している。この
ように接続すべき２つの誘電体ストリップ１，２の間
に、λｇ／４の奇数倍の長さを有する誘電体ストリップ
３を介在させることにより、誘電体ストリップ１−３間
の接続面での反射波と、誘電体ストリップ２−３間での
反射波との位相が逆位相で合成されて互いに打ち消さ
れ、ポート１およびポート２への反射波が抑えられる。
の構成を示す図であり、同図においては上下の導電体板
を取り除いた誘電体ストリップのみを示している。この
ように接続すべき２つの誘電体ストリップ１，２の間
に、λｇ／４の奇数倍の長さを有する誘電体ストリップ
３を介在させることにより、誘電体ストリップ１−３間
の接続面での反射波と、誘電体ストリップ２−３間での
反射波との位相が逆位相で合成されて互いに打ち消さ
れ、ポート１およびポート２への反射波が抑えられる。
【００３９】図２４は図２３において、ａ＝２．２ｍ
ｍ，ｂ＝１．８ｍｍ，ｇ＝０．５ｍｍ（図１参照），ｇ
ａｐ＝０．２ｍｍ，Ｌ＝２．２ｍｍ，ＬＬ＝１０ｍｍ，
εｒ＝２．０４とした場合の６０ＧＨｚ帯域での反射特
性を３次元有限要素法で計算した結果である。このよう
に使用する６０ＧＨｚ帯にて優れた反射特性が得られ
る。
ｍ，ｂ＝１．８ｍｍ，ｇ＝０．５ｍｍ（図１参照），ｇ
ａｐ＝０．２ｍｍ，Ｌ＝２．２ｍｍ，ＬＬ＝１０ｍｍ，
εｒ＝２．０４とした場合の６０ＧＨｚ帯域での反射特
性を３次元有限要素法で計算した結果である。このよう
に使用する６０ＧＨｚ帯にて優れた反射特性が得られ
る。
【００４０】図２３に示した構造によれば、誘電体スト
リップをその軸方向に対して垂直な面で切断することに
よって加工できるので、製造が容易である。
リップをその軸方向に対して垂直な面で切断することに
よって加工できるので、製造が容易である。
【００４１】図２５は第８の実施形態に係る誘電体線路
の構成を示す図であり、（Ａ）は上下の導電体板を取り
除いた状態における誘電体ストリップの斜視図、（Ｂ）
はその分解斜視図である。このように第１と第２の２つ
の誘電体ストリップ１，２の接続部に第３の誘電体スト
リップ３を部分的に挿入するとともに、２つの接続面間
の間隔Ｌ１，Ｌ２をそれぞれλｇ／６とすると、各接続
面での反射波は互いに打ち消される。
の構成を示す図であり、（Ａ）は上下の導電体板を取り
除いた状態における誘電体ストリップの斜視図、（Ｂ）
はその分解斜視図である。このように第１と第２の２つ
の誘電体ストリップ１，２の接続部に第３の誘電体スト
リップ３を部分的に挿入するとともに、２つの接続面間
の間隔Ｌ１，Ｌ２をそれぞれλｇ／６とすると、各接続
面での反射波は互いに打ち消される。
【００４２】図２６は図２５において、ａ＝２．２ｍ
ｍ，ｂ＝１．８ｍｍ，ｇ＝０．５ｍｍ（図１参照），ｇ
ａｐ＝０．２ｍｍ，εｒ＝２．０４とし、接続面間の間
隔Ｌ１，Ｌ２を等しくし、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌと表し、Ｌ＝
３．０としたときの反射特性を３次元有限要素法で求め
たものである。ここで、６０ＧＨｚでの管内波長λｇは
８．７ｍｍである。このように接続面が３つである場合
にも、使用周波数（６０ＧＨｚ帯域）で良好な反射特性
が得られることがわかる。
ｍ，ｂ＝１．８ｍｍ，ｇ＝０．５ｍｍ（図１参照），ｇ
ａｐ＝０．２ｍｍ，εｒ＝２．０４とし、接続面間の間
隔Ｌ１，Ｌ２を等しくし、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌと表し、Ｌ＝
３．０としたときの反射特性を３次元有限要素法で求め
たものである。ここで、６０ＧＨｚでの管内波長λｇは
８．７ｍｍである。このように接続面が３つである場合
にも、使用周波数（６０ＧＨｚ帯域）で良好な反射特性
が得られることがわかる。
【００４３】図２７および図２８は第９の実施形態に係
る誘電体線路装置の構成を示す分解斜視図である。この
実施形態は、たとえばミキサやオシレータ等の各コンポ
ーネントを個別に作成し、これらを組み合わせて誘電体
線路装置を構成するものである。図２７において（Ａ）
は２つのコンポーネント２０，２１の組立前の状態を示
す図、（Ｂ）は２つのコンポーネント２０，２１で用い
る誘電体ストリップ部分の接続構造を示す斜視図であ
る。コンポーネント２０は導電体板４ａ，５ａを備え、
その内部に（Ｂ）に示すように誘電体ストリップ１ａ，
１ｂを設けている。同様にコンポーネント２１は導電体
板４ｂ，５ｂの間に誘電体ストリップ２ａ，２ｂを配し
ている。これらのコンポーネント２０，２１の内部に
は、必要に応じて誘電体板による平面回路を構成してい
る。コンポーネント２０における導電体板５ａの端面は
導電体板４ａの端面よりＬだけ突出させていて、コンポ
ーネント２１における導電体板４ｂの端面は他方の導電
体板５ｂの端面よりＬだけ突出させている。これに伴い
同図の（Ｂ）に示すように、誘電体ストリップ１ｂ−２
ｂ間の接続面ａと誘電体ストリップ１ａ−２ａ間の接続
面ｂとの間隔をＬとしている。この２つのコンポーネン
ト２０，２１を組み合わせる際、導電体板５ａの突出部
の図における下面と導電体板４ｂの突出部の図における
上面との当接によって、また誘電体ストリップ２ａの突
出部の図における上面と誘電体ストリップ１ｂの突出部
の図における下面との当接によって、誘電体線路の図に
おける鉛直方向の位置決めを行う。また導電体板４ａ，
５ａと４ｂ，５ｂの端面同士の当接および誘電体ストリ
ップ１ａ，１ｂと２ａ，２ｂの端面同士の当接によっ
て、誘電体線路の電磁波伝搬方向の位置決めを行う。
る誘電体線路装置の構成を示す分解斜視図である。この
実施形態は、たとえばミキサやオシレータ等の各コンポ
ーネントを個別に作成し、これらを組み合わせて誘電体
線路装置を構成するものである。図２７において（Ａ）
は２つのコンポーネント２０，２１の組立前の状態を示
す図、（Ｂ）は２つのコンポーネント２０，２１で用い
る誘電体ストリップ部分の接続構造を示す斜視図であ
る。コンポーネント２０は導電体板４ａ，５ａを備え、
その内部に（Ｂ）に示すように誘電体ストリップ１ａ，
１ｂを設けている。同様にコンポーネント２１は導電体
板４ｂ，５ｂの間に誘電体ストリップ２ａ，２ｂを配し
ている。これらのコンポーネント２０，２１の内部に
は、必要に応じて誘電体板による平面回路を構成してい
る。コンポーネント２０における導電体板５ａの端面は
導電体板４ａの端面よりＬだけ突出させていて、コンポ
ーネント２１における導電体板４ｂの端面は他方の導電
体板５ｂの端面よりＬだけ突出させている。これに伴い
同図の（Ｂ）に示すように、誘電体ストリップ１ｂ−２
ｂ間の接続面ａと誘電体ストリップ１ａ−２ａ間の接続
面ｂとの間隔をＬとしている。この２つのコンポーネン
ト２０，２１を組み合わせる際、導電体板５ａの突出部
の図における下面と導電体板４ｂの突出部の図における
上面との当接によって、また誘電体ストリップ２ａの突
出部の図における上面と誘電体ストリップ１ｂの突出部
の図における下面との当接によって、誘電体線路の図に
おける鉛直方向の位置決めを行う。また導電体板４ａ，
５ａと４ｂ，５ｂの端面同士の当接および誘電体ストリ
ップ１ａ，１ｂと２ａ，２ｂの端面同士の当接によっ
て、誘電体線路の電磁波伝搬方向の位置決めを行う。
【００４４】図２８は誘電体線路の電磁波伝搬方向に垂
直で且つ図における水平方向の位置決めを行う例を示す
ものである。同図において７，８は導電体板４ｂに設け
た位置決めピンであり、これに対向して導電体板５ａに
位置決め孔９，１０を設けている。このようにコンポー
ネント２１に位置決めピン７，８を立てて、それにコン
ポーネント２０の位置決め孔９，１０を装着することに
よって、両者の３次元方向の位置決めを行う。
直で且つ図における水平方向の位置決めを行う例を示す
ものである。同図において７，８は導電体板４ｂに設け
た位置決めピンであり、これに対向して導電体板５ａに
位置決め孔９，１０を設けている。このようにコンポー
ネント２１に位置決めピン７，８を立てて、それにコン
ポーネント２０の位置決め孔９，１０を装着することに
よって、両者の３次元方向の位置決めを行う。
【００４５】図２９は第１０の実施形態に係るアイソレ
ータ一体型オシレータの構成を示す分解斜視図、図３０
はその積層状態での平面図である。両図において、２，
３１，３２はそれぞれ誘電体ストリップ、３４はフェラ
イトディスクであり、導電体板３５とこれに対向するも
う一方の図示しない導電体板との間にこれらを配置して
いる。誘電体ストリップ３２の終端部には抵抗体３３を
設けている。さらに、フェライトディスク３４に対して
直流磁界を印加する磁石を設けていて、これらによりア
イソレータを構成している。
ータ一体型オシレータの構成を示す分解斜視図、図３０
はその積層状態での平面図である。両図において、２，
３１，３２はそれぞれ誘電体ストリップ、３４はフェラ
イトディスクであり、導電体板３５とこれに対向するも
う一方の図示しない導電体板との間にこれらを配置して
いる。誘電体ストリップ３２の終端部には抵抗体３３を
設けている。さらに、フェライトディスク３４に対して
直流磁界を印加する磁石を設けていて、これらによりア
イソレータを構成している。
【００４６】誘電体ストリップ２の端部はステップ状に
形成していて、そのステップ部分に連続するように誘電
体ストリップ１ａを導電体板３５上に配置している。６
は誘電体板であり、誘電体ストリップ２の端部のステッ
プ部分と誘電体ストリップ１ａの上部で、且つ導電体板
３６の上部に乗せている。この誘電体板６の端部には切
欠部Ｓを形成していて、この切欠部Ｓを誘電体ストリッ
プ２のステップ部に一致させている。誘電体板６の図に
おける上部には、誘電体ストリップ１ａに対向する位置
に誘電体ストリップ１ｂを配置することによって、上下
２つの誘電体ストリップの間に誘電体板６を挟み込んだ
構造としている。この構造により、誘電体ストリップ２
のステップ部分での線路のインピーダンスを誘電体スト
リップ１ａ部分での線路のインピーダンスと、誘電体ス
トリップ２部分での線路のインピーダンスとの中間値と
して、インピーダンス整合をとっている。
形成していて、そのステップ部分に連続するように誘電
体ストリップ１ａを導電体板３５上に配置している。６
は誘電体板であり、誘電体ストリップ２の端部のステッ
プ部分と誘電体ストリップ１ａの上部で、且つ導電体板
３６の上部に乗せている。この誘電体板６の端部には切
欠部Ｓを形成していて、この切欠部Ｓを誘電体ストリッ
プ２のステップ部に一致させている。誘電体板６の図に
おける上部には、誘電体ストリップ１ａに対向する位置
に誘電体ストリップ１ｂを配置することによって、上下
２つの誘電体ストリップの間に誘電体板６を挟み込んだ
構造としている。この構造により、誘電体ストリップ２
のステップ部分での線路のインピーダンスを誘電体スト
リップ１ａ部分での線路のインピーダンスと、誘電体ス
トリップ２部分での線路のインピーダンスとの中間値と
して、インピーダンス整合をとっている。
【００４７】誘電体ストリップ１ｂの長さは誘電体スト
リップ１ａの長さと誘電体ストリップ２のステップ部分
の長さを合わせたものに略等しい。誘電体ストリップ２
の端部のステップ部分の長さは、誘電体ストリップを伝
搬する電磁波の管内波長の１／４の奇数倍に定めてい
る。これにより、誘電体ストリップ２と誘電体ストリッ
プ１ａ，１ｂとの２つの接続面での反射波を互いに打ち
消している。
リップ１ａの長さと誘電体ストリップ２のステップ部分
の長さを合わせたものに略等しい。誘電体ストリップ２
の端部のステップ部分の長さは、誘電体ストリップを伝
搬する電磁波の管内波長の１／４の奇数倍に定めてい
る。これにより、誘電体ストリップ２と誘電体ストリッ
プ１ａ，１ｂとの２つの接続面での反射波を互いに打ち
消している。
【００４８】誘電体板６には励振プローブ３８、ローパ
スフィルタ３９、およびバイアス電極４０を形成してい
る。導電体板３５にはガンダイオードブロック３６を配
置していて、誘電体板６上の励振プローブ３８にガンダ
イオードが接続されるとともに、励振プローブ３８が誘
電体ストリップ１ａ，１ｂの端部に位置するようにして
いる。また誘電体板６上には誘電体共振器３７を設けて
いる。この誘電体共振器３７は誘電体ストリップ１ａ，
１ｂに近接して両者は結合する。
スフィルタ３９、およびバイアス電極４０を形成してい
る。導電体板３５にはガンダイオードブロック３６を配
置していて、誘電体板６上の励振プローブ３８にガンダ
イオードが接続されるとともに、励振プローブ３８が誘
電体ストリップ１ａ，１ｂの端部に位置するようにして
いる。また誘電体板６上には誘電体共振器３７を設けて
いる。この誘電体共振器３７は誘電体ストリップ１ａ，
１ｂに近接して両者は結合する。
【００４９】以上のように構成したことにより、バイア
ス電極４０にバイアス電圧を印加すれば、ガンダイオー
ドにバイアス電圧が供給され、ガンダイオードの発振信
号が励振プローブ３８を介して誘電体ストリップ１ａ，
１ｂおよび上下の導電体板による非放射性誘電体線路を
伝搬する。この信号は誘電体ストリップ２から誘電体ス
トリップ３１方向へ伝搬する。誘電体共振器３７はガン
ダイオードの発振周波数を安定化させる。また、ローパ
スフィルタ３９はバイアス電極４０側への高周波信号の
漏れを抑圧する。
ス電極４０にバイアス電圧を印加すれば、ガンダイオー
ドにバイアス電圧が供給され、ガンダイオードの発振信
号が励振プローブ３８を介して誘電体ストリップ１ａ，
１ｂおよび上下の導電体板による非放射性誘電体線路を
伝搬する。この信号は誘電体ストリップ２から誘電体ス
トリップ３１方向へ伝搬する。誘電体共振器３７はガン
ダイオードの発振周波数を安定化させる。また、ローパ
スフィルタ３９はバイアス電極４０側への高周波信号の
漏れを抑圧する。
【００５０】誘電体ストリップ３１からの反射波はアイ
ソレータの作用によって、誘電体ストリップ３２方向へ
導かれ、抵抗体３３で無反射終端される。したがって、
誘電体ストリップ３１からの反射波がガンダイオードへ
戻ることはない。また、誘電体ストリップ１ａ，１ｂと
誘電体ストリップ２との２つの接続面での反射波は打ち
消されるので、ガンダイオードに戻ることはやはりな
い。このことにより、特性の安定したオシレータが得ら
れる。
ソレータの作用によって、誘電体ストリップ３２方向へ
導かれ、抵抗体３３で無反射終端される。したがって、
誘電体ストリップ３１からの反射波がガンダイオードへ
戻ることはない。また、誘電体ストリップ１ａ，１ｂと
誘電体ストリップ２との２つの接続面での反射波は打ち
消されるので、ガンダイオードに戻ることはやはりな
い。このことにより、特性の安定したオシレータが得ら
れる。
【００５１】次に、誘電体線路同士の接続部における他
の構造の例を図３２に示す。図３２において、一方の誘
電体線路は導電体板４ａ，５ａにそれぞれ溝を形成する
とともに、その溝部分に誘電体ストリップ１を配してい
る。もう一方の誘電体線路は導電体板４ｂ，５ｂにそれ
ぞれ溝を形成するとともに、その溝部分に誘電体ストリ
ップ２を配している。誘電体ストリップ１と２との対向
する部分は、２つの接続面の間隔が管内波長の１／４と
なるように段差を設けている。
の構造の例を図３２に示す。図３２において、一方の誘
電体線路は導電体板４ａ，５ａにそれぞれ溝を形成する
とともに、その溝部分に誘電体ストリップ１を配してい
る。もう一方の誘電体線路は導電体板４ｂ，５ｂにそれ
ぞれ溝を形成するとともに、その溝部分に誘電体ストリ
ップ２を配している。誘電体ストリップ１と２との対向
する部分は、２つの接続面の間隔が管内波長の１／４と
なるように段差を設けている。
【００５２】２つの誘電体線路の接続部における導電体
板同士の対向面は、図３２に示すように、一方の導電体
板５ａの一部ｐを突出させ、これに対向する他方の導電
体板５ｂの対応位置ｄを凹ませて、段差部ｓを形成して
いる。
板同士の対向面は、図３２に示すように、一方の導電体
板５ａの一部ｐを突出させ、これに対向する他方の導電
体板５ｂの対応位置ｄを凹ませて、段差部ｓを形成して
いる。
【００５３】この構造により、両誘電体線路を或る間隙
をもって対向させた場合に、または突き合わせた場合
に、上記段差部の側面同士が当接して、導電体板の平面
に平行で、且つ電磁波伝搬方向（誘電体ストリップの長
手方向）に垂直な方向に位置決めがなされる。
をもって対向させた場合に、または突き合わせた場合
に、上記段差部の側面同士が当接して、導電体板の平面
に平行で、且つ電磁波伝搬方向（誘電体ストリップの長
手方向）に垂直な方向に位置決めがなされる。
【００５４】図３３は誘電体線路同士の接続部における
他の構造の例を示す図である。図３２に示したものと異
なり、この例では、２つの誘電体線路の接続部における
導電体板同士の対向面で、一方の誘電体線路の導電体板
４ａ，５ａの一部ｐを突出させ、これに対向する他方の
誘電体線路の導電体板４ｂ，５ｂの対応位置ｄを凹ませ
て、段差部ｓを形成している。
他の構造の例を示す図である。図３２に示したものと異
なり、この例では、２つの誘電体線路の接続部における
導電体板同士の対向面で、一方の誘電体線路の導電体板
４ａ，５ａの一部ｐを突出させ、これに対向する他方の
誘電体線路の導電体板４ｂ，５ｂの対応位置ｄを凹ませ
て、段差部ｓを形成している。
【００５５】この構造により、両誘電体線路を或る間隙
をもって対向させた場合に、または突き合わせた場合
に、上記段差部の側面同士が当接して、導電体板の平面
に平行で、且つ電磁波伝搬方向に垂直な方向に位置決め
がなされる。
をもって対向させた場合に、または突き合わせた場合
に、上記段差部の側面同士が当接して、導電体板の平面
に平行で、且つ電磁波伝搬方向に垂直な方向に位置決め
がなされる。
【００５６】図３２および図３３に示した例では、導電
体板の一か所にのみ段差部を設けたが、たとえば図３４
に示すように、段差部ｓをその側面が互いに異なった方
向を向くように２か所に設ければ、導電体板の平面に平
行で、且つ電磁波伝搬方向に垂直な２方向のいずれの方
向にも位置決めを行うことができる。
体板の一か所にのみ段差部を設けたが、たとえば図３４
に示すように、段差部ｓをその側面が互いに異なった方
向を向くように２か所に設ければ、導電体板の平面に平
行で、且つ電磁波伝搬方向に垂直な２方向のいずれの方
向にも位置決めを行うことができる。
【００５７】なお、上述した各実施形態では、誘電体ス
トリップ部分の導電体平面の間隔をその他の領域での導
電体平面の間隔より狭めたグルーブドタイプの誘電体線
路を例に挙げたが、図３１の（Ａ）に示すように、所謂
ノーマルタイプの誘電体線路についても同様に適用でき
る。また、上述した各実施形態では、誘電体ストリップ
部分を挟む導電体平面として金属板等の導電体板を用
い、誘電体ストリップを導電体平面を成す部分とは別に
設けたが、たとえば図３１の（Ｂ）に示すように誘電体
板１１，１２に誘電体ストリップ部を一体に設けるとと
もに、外面に電極１３，１４を設け、誘電体ストリップ
部同士を対向させることによって構成した、所謂ウィン
グドタイプの誘電体線路についても同様に適用できる。
トリップ部分の導電体平面の間隔をその他の領域での導
電体平面の間隔より狭めたグルーブドタイプの誘電体線
路を例に挙げたが、図３１の（Ａ）に示すように、所謂
ノーマルタイプの誘電体線路についても同様に適用でき
る。また、上述した各実施形態では、誘電体ストリップ
部分を挟む導電体平面として金属板等の導電体板を用
い、誘電体ストリップを導電体平面を成す部分とは別に
設けたが、たとえば図３１の（Ｂ）に示すように誘電体
板１１，１２に誘電体ストリップ部を一体に設けるとと
もに、外面に電極１３，１４を設け、誘電体ストリップ
部同士を対向させることによって構成した、所謂ウィン
グドタイプの誘電体線路についても同様に適用できる。
【００５８】
【発明の効果】請求項１〜４に係る発明によれば、各接
続面で反射した電磁波が合成されることにより、反射波
同士が互いに打ち消され、反射による影響が抑えられ
る。そのため、誘電体ストリップと導電体板との線膨張
係数の差が大きい場合、温度変化の激しい環境下で用い
る場合、あるいは加工公差が大きくて、誘電体ストリッ
プ同士の接続面に比較的大きな間隙が生じる場合であっ
ても、反射特性に優れた誘電体線路が得られる。
続面で反射した電磁波が合成されることにより、反射波
同士が互いに打ち消され、反射による影響が抑えられ
る。そのため、誘電体ストリップと導電体板との線膨張
係数の差が大きい場合、温度変化の激しい環境下で用い
る場合、あるいは加工公差が大きくて、誘電体ストリッ
プ同士の接続面に比較的大きな間隙が生じる場合であっ
ても、反射特性に優れた誘電体線路が得られる。
【００５９】請求項５，６に係る発明によれば、２つの
誘電体線路を導電体板に平行で且つ電磁波伝搬方向に垂
直な方向に位置決めできるので、２つの誘電体線路同士
の接合面での反射が抑えられ、伝送路としての特性に優
れた誘電体線路が得られる。
誘電体線路を導電体板に平行で且つ電磁波伝搬方向に垂
直な方向に位置決めできるので、２つの誘電体線路同士
の接合面での反射が抑えられ、伝送路としての特性に優
れた誘電体線路が得られる。
【図１】この発明に係る誘電体線路の構成例を示す断面
図
図
【図２】請求項１に係る誘電体線路の誘電体ストリップ
部分の構成例を示す斜視図
部分の構成例を示す斜視図
【図３】請求項２に係る誘電体線路の誘電体ストリップ
部分の構成例を示す斜視図
部分の構成例を示す斜視図
【図４】請求項４に係る誘電体線路の誘電体ストリップ
部分の構成例を示す斜視図
部分の構成例を示す斜視図
【図５】第１の実施形態に係る誘電体線路の構成を示す
斜視図
斜視図
【図６】同誘電体線路の誘電体ストリップ部分の構造を
示す斜視図
示す斜視図
【図７】同誘電体線路の反射特性を示す図
【図８】誘電体ストリップ部分の他の構造を示す斜視図
【図９】第２の実施形態に係る誘電体線路の誘電体スト
リップ部分の構造を示す斜視図
リップ部分の構造を示す斜視図
【図１０】同誘電体線路の反射特性を示す図
【図１１】誘電体ストリップ部分の他の構造を示す斜視
図
図
【図１２】誘電体ストリップ部分の他の構造を示す斜視
図
図
【図１３】第３の実施形態に係る誘電体線路の断面図
【図１４】同誘電体線路の導電体板を取り除いた状態に
おける斜視図
おける斜視図
【図１５】誘電体ストリップ部分の他の構造を示す斜視
図
図
【図１６】第４の実施形態に係る誘電体線路の誘電体ス
トリップ部分の構造を示す斜視図
トリップ部分の構造を示す斜視図
【図１７】誘電体ストリップ部分の他の構造を示す斜視
図
図
【図１８】第５の実施形態に係る誘電体線路の導電体板
を取り除いた状態での斜視図
を取り除いた状態での斜視図
【図１９】他の誘電体線路の構造を示す部分斜視図
【図２０】第６の実施形態に係る誘電体線路の導電体板
を取り除いた状態での斜視図
を取り除いた状態での斜視図
【図２１】同誘電体線路の誘電体ストリップ部分の断面
図
図
【図２２】同誘電体線路の誘電体ストリップ部分の他の
構造を示す断面図
構造を示す断面図
【図２３】第７の実施形態に係る誘電体線路の導電体板
を取り除いた状態での斜視図
を取り除いた状態での斜視図
【図２４】同誘電体線路の反射特性を示す図
【図２５】第８の実施形態に係る誘電体線路の導電体板
を取り除いた状態での斜視図および分解斜視図
を取り除いた状態での斜視図および分解斜視図
【図２６】同誘電体線路の反射特性を示す図
【図２７】第９の実施形態に係る誘電体線路装置の分解
斜視図
斜視図
【図２８】他の誘電体線路装置の分解斜視図
【図２９】第１０の実施形態に係るアイソレータ一体型
オシレータの分解斜視図
オシレータの分解斜視図
【図３０】同アイソレータ一体型オシレータの平面図
【図３１】他の誘電体線路装置の断面図
【図３２】誘電体線路同士の接続部の構成を示す図
【図３３】他の誘電体線路同士の接続部の構成を示す図
【図３４】他の誘電体線路同士の接続部の構成を示す図
【図３５】従来の誘電体線路装置の導電体板を取り除い
た状態での斜視図
た状態での斜視図
【図３６】同誘電体線路の反射特性を示す図
１，２−誘電体ストリップ １ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ−誘電体ストリップ ３−誘電体ストリップ ４，５−導電体板 ６−誘電体板 ７，８−位置決めピン ９，１０−位置決め孔 １１，１２−誘電体板 １３，１４−電極 ２０，２１−コンポーネント ３１，３２−誘電体ストリップ ３３−抵抗体 ３４−フェライトディスク ３５−導電体板 ３６−ガンダイオードブロック ３７−誘電体共振器 ３８−励振プローブ ３９−ローパスフィルタ ４０−バイアス電極 ｓ−段差部
フロントページの続き (72)発明者 高桑 郁夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 田口 義規 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 近藤 靖浩 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 西山 大洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平８−70205（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−45808（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−22701（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94916（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−70206（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−144901（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 3/16 H01P 1/04 H01P 3/08
Claims (5)
- 【請求項１】 電磁波の伝搬方向に複数の誘電体ストリ
ップ部を配置して成る電磁波伝搬領域を有する誘電体線
路において、 隣接する誘電体ストリップを、前記電磁波の伝搬方向
に、該誘電体ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の
１／４の奇数倍だけ互いに離れた複数の面で接続したこ
とを特徴とする誘電体線路。 - 【請求項２】 電磁波の伝搬方向に複数の誘電体ストリ
ップ部を配置して成る電磁波伝搬領域を有する誘電体線
路において、 接続すべき２つの誘電体ストリップの間に、該誘電体ス
トリップを伝搬する電磁波の管内波長の１／４の奇数倍
の長さを有する他の誘電体ストリップを介在させたこと
を特徴とする誘電体線路。 - 【請求項３】 電磁波の伝搬方向に複数の誘電体ストリ
ップ部を配置して成る電磁波伝搬領域を有する誘電体線
路において、 接続すべき第１・第２の２つの誘電体ストリップの接続
部に第３の誘電体ストリップを部分的に挿入するととも
に、第１・第３の誘電体ストリップの接続面での反射波
と、第１・第２の誘電体ストリップの接続面での反射波
と、第２・第３の誘電体ストリップの接続面での反射波
とが、互いに２π／３の位相差で合成されるように、前
記３つの接続面の間隔を定めたことを特徴とする誘電体
線路。 - 【請求項４】 第１・第２の誘電体ストリップの接続面
と、第１・第３の誘電体ストリップの接続面との間隔
を、該誘電体ストリップを伝搬する電磁波の管内波長の
１／６とし、前記第１・第２の誘電体ストリップの接続
面と、第２・第３の誘電体ストリップの接続面との間隔
を前記管内波長の１／６としたことを特徴とする請求項
３に記載の誘電体線路。 - 【請求項５】 前記誘電体線路は、２つの導電体板と当
該２つの導電体板の間に配置した誘電体ストリップとか
ら成り、２つの誘電体線路の接続部における導電体板同
士の対向面で、一方の導電体板の一部を突出させ、これ
に対向する他方の導電体板の対応位置を凹ませることに
よって、２つの誘電体線路を前記導電体板に平行で且つ
電磁波伝搬方向に垂直な方向に位置決めしたことを特徴
とする請求項１〜４のうちいずれかに記載の誘電体線
路。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03620498A JP3269448B2 (ja) | 1997-07-11 | 1998-02-18 | 誘電体線路 |
| DE69838961T DE69838961T2 (de) | 1997-07-11 | 1998-06-30 | Dielektrischer Wellenleiter |
| EP04016766A EP1473796B1 (en) | 1997-07-11 | 1998-06-30 | Dielectric waveguide |
| EP98112065A EP0896380B1 (en) | 1997-07-11 | 1998-06-30 | Dielectric waveguide |
| DE69838932T DE69838932T2 (de) | 1997-07-11 | 1998-06-30 | Dielektrischer Wellenleiter |
| US09/114,738 US6307451B1 (en) | 1997-07-11 | 1998-07-13 | Dielectric waveguide comprising connected dielectric strips |
| US09/971,794 US6580343B2 (en) | 1997-07-11 | 2001-10-05 | Dielectric waveguide with pairs of dielectric strips connected in an off-set manner |
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| JP18635897 | 1997-07-11 | ||
| JP9-186358 | 1997-07-11 | ||
| JP03620498A JP3269448B2 (ja) | 1997-07-11 | 1998-02-18 | 誘電体線路 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1188014A JPH1188014A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3269448B2 true JP3269448B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=26375247
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03620498A Expired - Fee Related JP3269448B2 (ja) | 1997-07-11 | 1998-02-18 | 誘電体線路 |
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| EP (2) | EP0896380B1 (ja) |
| JP (1) | JP3269448B2 (ja) |
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