KR20190040318A - 복합물, 그 제조방법 및 리튬이온이차전지에서의 용도 - Google Patents

복합물, 그 제조방법 및 리튬이온이차전지에서의 용도 Download PDF

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Abstract

본 출원은 나노 실리콘, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층; 또는 나노 실리콘, 실리콘 산화물, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함하는 복합물을 개시하였다. 본 출원의 방법은, (1) 탄소 코팅된 실리콘 산화물과 리튬원을 고체상 혼합하는 단계; 및 (2) 상기 단계(1)에서 얻은 전리튬화 전구체를 진공 또는 비산화성 기체 분위기에서 열처리하여 복합물을 얻는 단계를 포함한다. 본 출원의 방법은 간단하고 장치에 대한 요구가 낮고 비용이 저렴하며, 얻은 복합물 구조는 안정적이며 장기간 저장하여도 구조와 성질이 열화되지 않으며 복합물을 포함하는 음극재료로 제조한 전지는 높은 리튬 탈리 용량, 높은 초기 쿨롱효율 및 우수한 사이클 성능을 나타내며 충전용량은 1920mAh/g이상이고 방전용량은 1768mAh/g이상이며 최초 효율은 90.2％이상이다.

Description

복합물, 그 제조방법 및 리튬이온이차전지에서의 용도
본 출원은 리튬이온전지 음극재료 분야에 속하며, 복합물, 그 제조방법 및 용도, 예컨대 Si-O-C-Li복합물, 그 제조방법 및 리튬이온이차전지에서의 용도에 관한 것이다.
리튬이온이차전지는 휴대용 전자제품, 전동 교통수단 및 에너지 저장 측면에 널리 응용된다. 그러나, 최초 충전 시 전해액이 불안정하므로 전극의 표면에 SEI(solid electrolyte interface)막을 형성하여 대량의 리튬을 소모하기에 초기쿨롱효율이 낮아지게 된다. 흑연의 최초 사이클에서 5~20%의 리튬은 SEI막의 형성에 이용되나 Si, Sn, SiOx은 20~50%의 리튬을 소모한다. 이에 대해, 연구자들은 나노와이어, 다공성 나노구조 및 탄소 코팅 등과 같은 일련의 최적화 설계를 진행하였다. 비록 사이클 성능이 향상되었으나, 전해액과의 접촉면적이 증가되고 최초 효율이 감소되며 양극 물질이 크게 소모되며 에너지 밀도가 저하되었다. 분명한 것은, 미리 음극재료에 리튬을 보충하는 것이 필수적이다.
현재, SiOx에 리튬을 도핑하는 방법으로는 3가지가 있는데, 극편(pole piece) 표면에 리튬층을 직접 도포하는 것, 전기 화학적 방법으로 극편 표면에 리튬을 도금하는 것, 또는 리튬화합물을 혼합한 후 소성시키는 것이다. 선택 사용되는 리튬원은 주로 금속 리튬 홑원소 물질에 집중되나 일부는 LiOH와 LiH도 시도하고 있다.
CN1246917C에서 개시한 리튬 함유 산화규소 분말 및 그 제조방법은, SiO기체를 생성 가능한 원료 분말과 금속 리튬 또는 리튬 화합물 분말의 혼합물을 800~1300℃에서 배소(roasting)시켜 리튬 함유 산화규소 분말을 얻어 재료의 용량과 최초 효율을 향상할 수 있다. 그러나, 원료합성단계에서 리튬원을 도입하면 Si 결정입자의 성장을 대폭 촉진하고 사이클을 감소시킨다.
CN100434362C에서 개시한 고 에너지 볼 밀링을 통한 리튬이차전지 실리콘/리치-리튬 상 복합(silicon/rich-lithium phase composite) 음극재료의 제조방법은 산화규소와 금속 리튬을 고 에너지 볼 밀링 후 진공에서 열처리하여 실리콘/리치-리튬 상 복합 음극재료를 얻어 비용량과 사이클을 향상하였다. 그러나 노출된 일산화규소가 금속 리튬과 직접 반응하여 생성된 Li2O은 쉽게 수분을 흡수하고 반응하여 재료의 후기 안정성에 영향을 주어 대량 생산이 어렵다.
CN103840136A에서 개시한 축전디바이스용 음극재료 및 그 제조방법은, 리튬이온을 흡장, 방출가능한 Si계 재료와 리튬 금속을 용제의 존재 하에서 혼련 혼합하고 열처리를 실시하여 규산리튬을 형성하여, 리튬을 프리도핑(Pre-doping)한 음극재료를 제조한다. 그러나, 생성된 규산리튬상은 이차처리를 진행하지 않아 강 염기성을 나타내고 후기에 가공하기 어려워 대량 사용이 불가하다.
다음은 본 출원의 상세하게 서술한 주제에 대한 개요이다. 상기 개요는 청구범위의 보호범위를 제한하기 위한 것은 아니다.
본 출원은 복합물, 그 제조방법 및 상기 복합물을 포함하는 음극재료 및 리튬이온이차전지를 제공하기 위한 것이며, 본 출원의 제조방법은 간단하고 장치에 대한 요구가 낮으며 비용이 저렴하고 얻은 복합물은 구조가 안정적이기에 공기 등 성분이 입자 내부에 침투되어 활성 성분이 효력을 잃는 것을 효과적으로 방지할 수 있어 장기적으로 저장가능하며, 구조와 특성이 저하되지 않는다. 상기 복합물을 포함하는 음극재료로 제조한 전지는 높은 디인터칼레이션(deintercalation) Li 용량, 높은 초기 쿨롱효율과 양호한 사이클 성능을 나타내며 충전용량은 1920mAh/g 이상이고 방전용량은 1768mAh/g이상이며 최초 효율은 90.2％이상이다.
상기 목적에 달성하기 위해 본 출원은 하기와 같은 기술방안을 채택한다:
첫번째 측면, 본 출원은 복합물을 제공하며 특히 Si-O-C-Li복합물에 관한 것이다. 상기 복합물은 나노 실리콘(nano-silicon), 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함한다.
본 출원의 상기 복합물의 바람직한 기술방안으로는 상기 복합물은 실리콘 산화물(silicon oxide)을 더 포함하며, 다시 말해 상기 복합물은 나노 실리콘, 실리콘 산화물, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함한다.
상기 바람직한 기술방안에서, 상기 실리콘 산화물의 화학구성은 SiOx이고, 0＜x＜2이며, 여기서 x는 0.1, 0.2, 0.5, 0.6, 0.8, 1, 1.2, 1.5, 1.75 또는 1.8 등일 수 있다.
본 출원에서 나노 실리콘은 탄소 코팅된 실리콘 산화물에서 인시츄 환원 성장(in situ reduction growth)하여 얻은 것이며, 상기 탄소 코팅된 실리콘 산화물은 실리콘 산화물 및 실리콘 산화물 표면에 코팅된 탄소 코팅층을 포함한다.
본 출원에서 탄소 코팅된 실리콘 산화물과 환원제를 원료로 하고 환원제와 탄소 코팅층 내부의 실리콘 산화물은 1차 처리와 열처리 등 단계를 거쳐 산화환원반응이 일어나 나노 실리콘이 인시츄 환원 성장되며 리튬 함유 화합물이 생성된다.
본 출원에서 나노 실리콘은 탄소 코팅된 실리콘 산화물에서 인시츄 환원 성장된다. 나노 실리콘 및 반응하여 얻은 리튬 함유 화합물 간에는 명확한 인터페이스가 없으며 이러한 구조 특징은 본 출원의 제조방법과 긴밀히 연관된다.
본 출원의 방법을 통해 나노 실리콘 간의 응집 문제를 효과적으로 감소하거나 심지어 방지할 수 있어 전지에 응용되는 과정에서 실리콘 팽창 문제를 감소하고 전지의 사이클 수명을 향상하였다.
본 출원의 나노 실리콘의 직경은 나노스케일에 속한다.
본 출원에서 복합물이 나노 실리콘, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함 시, 상기 복합물의 구조는 다음과 같다: 나노 실리콘이 섬 모양의 형식으로 기질인 리튬 함유 화합물에 분산되어 융합 입자를 형성하고 상기 탄소 코팅층은 상기 융합 입자의 표면에 코팅되어 복합물을 얻는다(상기 복합물의 구조 개략도는 도 1을 참조).
본 출원의 바람직한 기술방안에서 "상기 나노 실리콘이 섬 모양의 형식으로 기질인 리튬 함유 화합물에 분산되는 것"은 나노 실리콘의 사면팔방이 모두 기질인 리튬 함유 화합물에 의해 포위되어 둘러싸인 것을 말한다.
본 출원의 상기 복합물의 바람직한 기술방안으로는, 복합물이 실리콘 산화물을 더 포함 시, 즉 상기 복합물이 나노 실리콘, 실리콘 산화물, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함 시, 상기 복합물의 구조는 다음과 같다: 나노 실리콘이 리튬 함유 화합물에 분산되어 융합 입자를 형성하고 상기 융합 입자가 섬 모양의 형식으로 기질인 실리콘 산화물에 분산되어 복합 입자를 형성하며, 상기 탄소 코팅층은 상기 복합 입자의 표면에 코팅되어 복합물을 얻는다. (상기 복합물의 구조 개략도는 도 2를 참조).
본 출원의 바람직한 기술방안에서 "상기 융합 입자가 섬 모양의 형식으로 기질인 실리콘 산화물에 분산되는" 것은 융합 입자의 사면팔방이 모두 기질인 실리콘 산화물에 의해 포위되어 둘러싸인 것을 말한다.
본 출원의 바람직한 기술방안에서 나노 실리콘은 탄소 코팅된 실리콘 산화물에서 인시츄 환원 성장되므로, 나노 실리콘 및 반응하여 얻은 리튬 함유 화합물 간에는 명확한 인터페이스가 없으며 이러한 구조 특징은 본 출원의 제조방법과 긴밀히 연관된다.
본 출원에서, 상기 리튬 함유 화합물은 Li-Si화합물, Li-O화합물 또는 실리콘-산소-리튬 화합물(Li-Si-O화합물) 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이며, 바람직하게는 실리콘-산소-리튬 화합물이다.
바람직하게, 상기 실리콘-산소-리튬 화합물은 Li2SiO3, Li4SiO4, Li2Si2O5 또는 Li2Si3O7 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이며, 예를 들어 Li2SiO3 과 Li4SiO4의 혼합물, Li2SiO3과 Li2Si2O5의 혼합물, Li4SiO4과 Li2Si3O7의 혼합물, Li2SiO3, Li2Si2O5 및 Li2Si3O7의 혼합물 등 이다.
바람직하게, 상기 실리콘-산소-리튬 화합물의 일부는 결정이다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 두께는 3~800㎚이며, 예를 들어 3㎚, 5㎚, 10㎚, 20㎚, 30㎚, 40㎚, 50㎚, 60㎚, 70㎚, 85㎚, 90㎚, 100㎚, 110㎚, 120㎚, 135㎚, 145㎚, 160㎚, 175㎚, 190㎚, 200㎚, 215㎚, 225㎚, 245㎚, 260㎚, 280㎚, 300㎚, 320㎚, 340㎚, 360㎚, 380㎚, 400㎚, 415㎚, 430㎚, 450㎚, 475㎚, 500㎚, 520㎚, 540㎚, 560㎚, 580㎚, 600㎚, 625㎚, 650㎚, 680㎚, 700㎚, 730㎚, 750㎚, 775㎚ 또는 800㎚ 등이며 바람직하게 10~500㎚이다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 경질 탄소를 포함한다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 탄소 기질 및 탄소 기질에 인레이된 탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트를 포함하며, 상기 탄소 기질은 유기 탄소원이 탄화처리에 의해 분해되어 얻어진다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 총 질량을 100wt％으로 할 때, 상기 탄소 코팅층 중의 탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트층의 질량 백분율은 0.05~20wt％이며, 예를 들어 0.05wt％, 0.1wt％, 0.2wt％, 0.25wt％, 0.4wt％, 0.55wt％, 0.6wt％, 0.8wt％, 1wt％, 1.5wt％, 2wt％, 3wt％, 3.5wt％, 4wt％, 5wt％, 6wt％, 7wt％, 7.5wt％, 8.5wt％, 9wt％, 10wt％, 11wt％, 12.5wt％, 14wt％, 15wt％, 16wt％, 17wt％, 18wt％, 19wt％ 또는 20wt％ 등이다.
바람직하게, 상기 복합물의 총 질량을 100wt％으로 할 때, 상기 탄소 코팅층의 질량 백분율은 0.1~50wt％이며, 예를 들어 0.1wt％, 0.3wt％, 0.5wt％, 1wt％, 2wt％, 2.5wt％, 3wt％, 5wt％, 7wt％, 10wt％, 12wt％, 14wt％, 16wt％, 18wt％, 20wt％, 23wt％, 25wt％, 30wt％, 33wt％, 36wt％, 40wt％, 42wt％, 45wt％, 48wt％ 또는 50wt％등이며 더 바람직하게는 1~20wt％이다.
본 출원에서 제공하는 복합물은 공기 중에서 장기간 저장하여도 구조가 안정적이며 상기 "장기간"은 7일 이상의 시간을 말한다.
두번째 측면, 본 출원은 첫번째 측면의 상기 복합물의 제조방법을 제공하며, 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다:
(1) 탄소 코팅된 실리콘 산화물과 리튬원을 고체상 혼합방식(Solid phase mixing)으로 혼합함으로써 1차 처리를 진행하여 전리튬화 전구체를 형성하는 단계; 및
(2) 전리튬화 전구체를 진공 또는 비산화성 기체 분위기에서 열처리하여 구조 조절 및 2차 처리를 진행하여 복합물을 형성하는 단계.
본 출원에서 단계(1)의 상기 탄소 코팅된 실리콘 산화물은 실리콘 산화물 및 실리콘 산화물 표면에 코팅된 탄소 코팅층을 포함한다.
본 출원의 단계(1)에서, 리튬원과 탄소 코팅층 내부의 실리콘 산화물은 산화환원반응을 일으켜 인시츄 산화 환원 성장하여 나노 실리콘 및 리튬 함유 화합물을 얻기에 이러한 두가지 반응 생성물은 서로간에는 명확한 인터페이스가 없다.
본 출원의 방법을 통해 나노 실리콘 간의 응집 문제를 효과적으로 감소하거나 심지어 방지할 수 있어 전지에 응용되는 과정에서 실리콘 팽창 문제를 감소하고 전지의 사이클 수명을 향상하였다.
바람직한 기술방안으로는 상기 방법은 단계(2)의 열처리 후 복합물을 표면처리하여 표면처리된 복합물을 얻는 단계를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 표면처리 방식은 불순물 제거, 코팅, 도포, 막 도금 또는 스프레잉(spraying) 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합이다.
바람직하게, 상기 불순물 제거 방식은 세척 또는 침지 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합이다.
상기 표면처리 단계를 통해 단계(2)에서 얻은 복합물 표면의 잔여 리튬 또는 리튬 함유 화합물을 제거하거나, 표면의 잔여 리튬 또는 리튬 함유 화합물을 내부에 복합시킬 수 있다.
잔여 리튬 또는 리튬 함유 화합물을 제거하는 방식은 예컨대 불순물 제거 방식일 수 있으며(세척 또는 침지) 예컨대 복합물을 불순물 제거 용액에 침지시켜 처리할 수 있다.
잔여 리튬 또는 리튬 함유 화합물을 내부에 복합시키는 방식은 예컨대 코팅, 도포, 막 도금 또는 스프레잉 등 일 수 있다. 코팅, 도포, 막 도금 또는 스프레잉되는 물질은 탄소층 및 고분자 등일 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
바람직하게, 상기 실리콘 산화물의 화학구성은 SiOx이고 0＜x＜2이며, 예시적으로 x은 0.3, 0.5, 0.8, 1, 1.2, 1.5, 1.75 또는 1.8 등일 수 있다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 두께는 3~800㎚이며, 예를 들어 3㎚, 10㎚, 20㎚, 40㎚, 50㎚, 70㎚, 100㎚, 120㎚, 140㎚, 200㎚, 220㎚, 240㎚, 265㎚, 290㎚, 320㎚, 350㎚, 400㎚, 425㎚, 450㎚, 480㎚, 500㎚, 550㎚, 575㎚, 600㎚, 650㎚, 675㎚, 700㎚, 750㎚ 또는 800㎚ 등이며 바람직하게 10~500㎚이다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 경질 탄소를 포함한다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 탄소 기질 및 탄소 기질에 인레이된 탄소 나노 및/또는 그래핀 시트층을 포함하며, 상기 탄소 기질은 탄화처리에 의해 유기 탄소원을 분해하여 얻어진다.
본 출원의 상기 "탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트층"은 탄소 나노 튜브이거나 그래핀 시트층일 수 있으며, 탄소 나노 튜브와 그래핀 시트층의 혼합물일 수 있다.
바람직하게, 상기 유기 탄소원은 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 우레탄, 아스팔트(asphalt), 콜타르(coal tar), 폴리 티오펜(polythiophene), 폴리 올레핀(polyolefin), 슈가류, 다가 알코올(Polyhydric alcohols)류, 페놀 수지 유도체, 에폭시 수지 유도체, 폴리 우레탄 유도체, 아스팔트 유도체, 콜타르 유도체, 폴리 티오펜 유도체, 슈가류 유도체 또는 다가 알코올 유도체 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합이다.
바람직하게, 상기 탄화처리의 온도는 500～1300℃이며, 예컨대 500℃, 550℃, 600℃, 625℃, 650℃, 700℃, 750℃, 800℃, 900℃, 1000℃, 1100℃, 1150℃, 1250℃ 또는 1300℃ 등이며 바람직하게 600~1000℃이다.
바람직하게, 상기 탄화처리의 시간은 1~10h이고 예컨대 1h, 1.5h, 2h, 3h, 4h, 5h, 6h, 8h, 9h 또는10h 등이며 바람직하게 2～6h이다.
바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 총질량을 100wt％으로 할 때, 상기 탄소 코팅층 중의 탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트층의 질량 백분율은 0.05～20wt％이며 예컨대 0.05wt％, 0.1wt％, 0.3wt％, 0.5wt％, 0.8wt％, 1wt％, 1.5wt％, 2wt％, 3wt％, 4wt％, 5wt％, 6wt％, 7wt％, 7.5wt％, 8.5wt％, 9wt％, 10wt％, 11wt％, 12.5wt％, 14wt％, 15wt％, 16wt％, 17wt％, 18wt％, 19wt％ 또는 20wt％ 등이다.
바람직하게, 단계(1)의 상기 탄소 코팅된 실리콘 산화물에서 상기 실리콘 산화물과 상기 탄소 코팅층의 질량비는 100:(2～15)이며, 예컨대 100:2, 100:3, 100:5, 100:6.5, 100:8, 100:9, 100:10, 100:12, 100:13, 100:14 또는 100:15 등이다.
바람직하게, 단계(1)에서 상기 리튬원은 강 알카리성을 갖는 리튬 함유 화합물, 환원성을 갖는 리튬 함유 화합물 또는 리튬 홑원소 물질이다. 상기 "강 알카리성을 갖는 리튬 함유 화합물"은 1M의 상기 리튬 함유 화합물의 수용액이 pH＞10임을 말한다. 예컨대 LiNH2, Li2CO3, 산화리튬, 금속 리튬, 수소화리튬, 수산화리튬, 리튬 아세테이트, 리튬 옥살레이트, 포름산 리튬, 페닐 리튬, 알킬 리튬, t-부틸 리튬, n-부틸 리튬 또는 리튬 t-부톡시드(Lithium t-butoxide) 등이며 상기 열거된 물질에 제한되지 않고 동일한 효과에 도달할 수 있는 기타 물질도 마찬가지로 본 출원에 사용될 수 있다.
바람직하게, 단계(1)의 상기 탄소 코팅된 실리콘 화합물과 리튬원의 질량비는 1:(0.01~0.3)이며 바람직하게는 1:(0.05~0.2)이며 예컨대 1:0.01, 1:0.03, 1:0.05, 1:0.08, 1:0.1, 1:0.12, 1:0.15, 1:0.17, 1:0.2, 1:0.23, 1:0.25, 1:0.26, 1:0.28 또는 1:0.3 등이다.
바람직하게, 단계(1)의 상기 고체상 혼합방식은 볼 밀링, VC혼합, 융합, 혼련, 반죽 또는 분산 중의 임의의 1종 또는 적어도 2종 방식의 조합이다.
바람직하게, 단계(1)의 혼합 시간은 2~12h이며 예컨대 2h, 2.5h, 3h, 3.5h, 4h, 5h, 5.5h, 6h, 8h, 9h, 10h 또는 12h 등이다.
바람직하게, 상기 혼련은 진공조건에서 진행한다.
바람직하게, 상기 분산에서 사용하는 장치는 고속분산기이다.
본 출원의 단계(1)에서는 고체상 혼합방식으로 혼합하여 리튬원과 탄소 코팅된 실리콘 산화물은 충분하게 접촉하므로 분산이 더욱 균일하여 1차처리를 이룰 수 있으며 전리튬화 전구체를 얻는다.
바람직하게, 단계(2)의 상기 비산화성 기체 분위기는 수소가스 분위기, 질소가스 분위기, 헬륨가스 분위기, 네온가스 분위기, 아르곤가스 분위기, 크립톤가스 분위기 또는 크세논가스 분위기 중의 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합이다.
바람직하게, 단계(2)의 상기 열처리의 온도는 160～1000℃이며，예컨대 160℃, 200℃, 230℃, 265℃, 300℃, 350℃, 450℃, 500℃, 550℃, 600℃, 700℃, 750℃, 850℃, 900℃ 또는 1000℃ 등이며, 바람직하게는 300~900℃이며 더 바람직하게는 400~860℃이다.
바람직하게, 단계(2)의 상기 열처리의 시간은 2~12h이며，예컨대 2h, 3h, 3.5h, 4h, 5h, 5.5h, 6h, 7h, 8h, 9.5h, 10.5h, 11h 또는 12h 등이며, 바람직하게는 2～9h 이다.
본 출원은 단계(2)의 진공 또는 비산화성 분위기에서 열처리함으로써 리튬원이 탄소 코팅된 실리콘 산화물의 내부로 침투하여 실리콘 산화물과 인시츄 반응이 일어나 나노 실리콘을 환원해내고 리튬 함유 화합물을 생성하여 탄소 코팅층 내부의 물질 종류를 조절하여 생성물 구조를 조절하며 본 출원의 복합물(이는 Si-O-C-Li복합물임)을 얻었다.
바람직하게, 계속하여 복합물을 표면처리하여 표면처리된 복합물(이 또한 Si-O-C-Li복합물임)을 얻는다.
복합물이 나노 시리콘, 실리콘 산화물, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 함유할 때 원료인 탄소 코팅된 실리콘 산화물의 실리콘 산화물은 완전히 반응하지 않았으며 실리콘 산화물이 남아있음을 말한다.
복합물이 나노 시리콘, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 함유하고 실리콘 산화물을 함유하지 않을 때 원료인 탄소 코팅된 실리콘 산화물의 실리콘 산화물은 완전히 반응하였으며 남아있지 않음을 말한다.
세번째 측면, 본 출원은 첫번째 측면에 따는 복합물을 포함하는 음극재료를 제공한다.
네번째 측면, 본 출원은 첫번째 측면에 따는 복합물의 용도를 제공하며, 상기 복합물은 리튬이온이차전지에 응용된다.
리튬이온전지에 있어서, 상기 리튬이온전지는 세번째 측면에 따른 음극재료를 포함한다. 상기 음극재료는 리튬이온을 삽입 및 탈리할 수 있는 탄소 재료와 혼합하여 사용할 수 있다.
기존기술과 대비할 때, 본 출원은 다음과 같은 유리한 효과를 가진다:
(1) 본 출원은 탄소 코팅된 실리콘 산화물과 특정된 리튬원을 고체상 혼합방식으로 혼합하며 특정된 조건에서 열처리하고 마지막으로 표면처리함으로써 성능이 우수한 복합물을 얻는다. 본 출원의 방법은 가공과정이 친환경적이고 유독하고 유해한 중간 생성물을 생성하지 않으며, 원료를 얻기 쉽고 공정이 간단하며 장치에 대한 요구가 낮고 비용이 저렴하여 대규모 산업생산이 용이하다.
(2) 본 출원의 Si-O-C-Li복합물은 실리콘 산화물의 함유 여부에 따라 두가지 구조로 나뉜다. 복합물이 나노 실리콘, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함할 때 상기 복합물의 구조는 나노 실리콘이 섬 모양의 형식으로 기질인 리튬 함유 화합물에 분산되어 융합 입자를 형성하고 상기 탄소 코팅층은 상기 융합 입자의 표면에 코팅되며; 상기 복합물이 나노 실리콘, 실리콘 산화물, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함할 때 상기 복합물의 구조는 나노 실리콘이 리튬 함유 화합물에 분산되어 융합 입자를 형성하고, 상기 융합 입자는 섬 모양의 형식으로 기질인 실리콘 산화물에 분산되어 복합 입자를 형성하며 상기 탄소 코팅층은 상기 복합 입자의 표면에 코팅된다.
본 출원에서는 나노 실리콘이 섬 모양의 형식으로 기질인 리튬 함유 화합물에 분산되거나, 나노 실리콘이 먼저 리튬 함유 화합물에 분산되고 그 다음 얻은 융합입자가 다시 섬 모양의 형식으로 기질인 실리콘 산화물에 분산되며, 이 두가지 구조에서 나노 Si는 모두 부근의 기질에 삽입되어 서로 응집되지 않으며 더더욱 직접 노출되지 않아 실리콘의 부피가 팽창하는 문제를 완화할 수 있다. 본 출원의 복합물은 구조가 안정적이기에 공기 등 성분이 입자 내부에 침입하여 활성 성분이 실효되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 복합물은 장기간 저장하여도 구조와 성능이 열화(degradation)되지 않는다.
(3) 본 출원의 복합물은 구조가 안정적이고 성능이 우수하기에 특히 리튬이온이차전지 음극재료에 적합하다. 인시츄(in-situ) 생성된 리튬 함유 화합물로 전해액을 차단하고 재료 중의 비가역적 리튬 소모 상(Irreversible lithium consumption phase)을 미리 반응시킴으로써 최초 충방전 과정에서 비가역적 리튬 손실을 낮추고 용량과 초기 쿨롱효율을 향상하였으며; 한편, 본 출원에서 개시한 복합물의 구조는 리튬이온이차전지에 응용될 때의 Si의 팽창 문제를 효과적으로 억제하고 극변의 팽창을 낮추며 사이클 수명을 연장하였다. 상기 복합물을 포함하는 음극으로 리튬이온이차전지를 제조할 경우, 리튬이온이차전지는 높은 리튬 탈리 용량, 높은 초기 쿨롱효율 및 우수한 사이클 성능을 나타내며 충전용량은 1920mAh/g이상이고 방전용량은 1768mAh/g이상이며 최초 효율은 90.2％이상이다.
(4) 이외, 본 출원에서 개시한 상기 복합물을 포함하는 음극재료는 기타 리튬 삽입/탈리 가능한 음극재료와 복합하여 사용할 수 있으며 아주 좋은 응용전망을 갖는다.
도 1은 복합물이 나노 실리콘, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함 시의 복합물의 구조 개략도이며 여기서 1은 탄소 코팅층이고 2는 리튬 함유 화합물이며 3은 나노 실리콘이다.
도 2는 복합물이 나노 실리콘, 실리콘 산화물, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함시의 복합물의 구조 개략도이며, 여기서 1은 탄소 코팅층이고 2는 리튬 함유 화합물이며 3은 나노 실리콘이며 4는 실리콘 산화물이다.
도 3은 본 출원의 실시예 1에서 얻은 복합물의 SEM도이다.
아래에서는 도면과 구체적인 실시형태를 통해 본 출원의 기술방안을 추가로 설명한다.
(실시예 1)
표면에 탄소 코팅층을 갖는 SiOx(x＝0.95) 50g과 리튬원인 LiNH2 12.5g이 균일하게 혼합될 때까지 고속분산시킨 다음 아르곤가스 분위기에 넣고 500℃에서 2h 열처리한 후 실온까지 자연냉각시켜 복합물을 얻는다. 다음 침지 방식으로 불순물을 제거하고 건조시켜 표면처리된 복합물을 얻는다.
도 3은 본 실시예에서 얻은 복합물의 SEM도이다. 도면에서 알다시피, 입자에는 나노 실리콘으로 리튬 함유 화합물을 인레이(inlay)하여 형성된 짙은 구역이 균일하게 분포되어, 나노 실리콘을 리튬 함유 화합물에 인레이하여 형성된 섬 및 실리콘 산화물로 형성된 바다의 바다섬 구조를 구성하였다.
(실시예 2)
표면에 탄소 코팅층을 갖는 SiOx(x＝0.95) 500g과 리튬원인 Li2CO3 125g이 균일하게 혼합될 때까지 고속분산시킨 다음 아르곤가스 분위기에서 500℃로 2h 열처리한 후 실온까지 자연냉각시켜 복합물을 얻는다. 다음 침지 방식으로 불순물을 제거하고 건조시켜 표면처리된 복합물을 얻는다.
(실시예 3)
표면에 탄소 코팅층을 갖는SiOx(x＝0.95) 50g과 리튬원인 금속 리튬 분말 10.8g이 균일하게 혼합될 때까지 진공에서 3h 혼련시킨 다음 아르곤가스 분위기에 넣고 500℃에서 2h 열처리한 후 실온까지 자연냉각시켜 복합물을 얻는다. 다음 침지 방식으로 불순물을 제거하고 건조시켜 표면처리된 복합물을 얻는다.
(실시예 4)
표면에 탄소 코팅층을 갖는 SiOx(x＝0.95) 500g과 리튬원인 산화리튬 분말 108g이 균일하게 혼합될 때까지 진공에서 3h 혼련시킨 다음 아르곤가스 분위기에서 500℃로 2h 열처리한 후 실온까지 자연냉각시켜 복합물을 얻는다. 다음 침지 방식으로 불순물을 제거하고 건조시켜 표면처리된 복합물을 얻는다.
(실시예 5)
표면에 탄소 코팅층을 갖는 SiOx(x＝0.5) 500g과 리튬원인 금속 리튬 분말 108g을 8h 볼 밀링시킨 다음 아르곤가스 분위기에서 800℃로 1.5h 열처리한 후 실온까지 자연냉각시켜 복합물을 얻는다. 다음 침지 방식으로 불순물을 제거하고 건조시켜 표면처리된 복합물을 얻는다.
(실시예 6)
표면에 탄소 코팅층을 갖는 SiOx(x＝1.5) 100g과 리튬원인 LiNH2 30g이 균일하게 혼합될 때까지 고속분산시킨 다음 질소가스 분위기에서 300℃로 6h 열처리한 후 실온까지 자연냉각시켜 복합물을 얻는다. 다음 침지 방식으로 불순물을 제거하고 건조시켜 표면처리된 복합물을 얻는다.
(실시예 7)
표면에 탄소 코팅층을 갖는 SiOx(x＝0.7) 200g과 리튬원 Li2CO3 45g을 VC혼합시킨 다음 아르곤가스 분위기에 넣고 900℃에서 2h 열처리한 후 실온까지 자연냉각시켜 복합물을 얻는다. 상기 복합물의 표면에 고분자막을 한 층 스프레이하고 여과, 건조하여 표면처리된 복합물을 얻는다.
(비교예 1)
SiO 50g과 6.3g의 구연산(Citric acid)을 균일하게 혼합한 후 질소가스 분위기의 박스형 노(furnace)에 넣고 소성하되 소성온도는 800℃이며 2h 보온 후 실온까지 자연냉각시켜 탄소 코팅층을 갖는 SiO원료를 얻는다.
(전기 화학 성능 테스트)
실시예 1-7 및 비교예에서 제조된 리튬이온전지 음극재료를 각각 활성물질로 하고 PI를 점착제로 하며 도전성 카본블랙을 첨가하고 교반하여 슬러리를 제조하여 동박에 도포한 다음 건조, 롤링을 거쳐 음극편을 제조한다. 활성물질:도전제:점착제=85:15:10이다. 금속 리튬편을 대전극(counter electrode)으로 하고 PP/PE을 격막으로 하며 LiPF6/EC+DEC+DMC(EC, DEC와 DMC의 부피비는1:1:1)을 전해액으로 하며 아르곤가스가 채워진 글러브박스(Glove box)에서 아날로그 배터리를 조립한다. LAND/NEWARE 5V/10mA형 전지테스트기로 전지의 전기 화학성능을 테스트하되 충방전 전압은 1.5V이고 충방전 효율은 0.1C이다. 테스트 결과는 표 1과 같다.
비표면적(m2/g) 충전용량(mAh/g) 방전용량(mAh/g) 최초 효율(%)
비교예 1 2.7 1892 1400 74
실시예 1 1.8 2042 1850 90.6
실시예 2 2.3 2006 1810 90.2
실시예 3 1.9 2044 1860 91.0
실시예 4 2.0 2026 1840 90.8
실시예 5 1.6 2001 1842 92.1
실시예 6 2.6 2080 1868 89.8
실시예 7 2.0 1920 1768 92.1
실시예 1-7와 비교예 1의 대비로부터 알다시피, 본 출원의 복합물을 포함하는 음극으로 제조된 리튬이온이차전지는 높은 리튬 삽입 탈리 용량, 높은 초기 쿨롱효율과 우수한 사이클 성능을 나타내며 충전용량은 1920mAh/g이상이며 방전용량은 1768mAh/g이상이며, 최초 효율은 90.2％이상이며, 전기 화학 성능은 종래의 탄소 코팅된 SiO음극재료로 제조된 전지보다 훨씬 우수하다.
출원인은 본 출원은 상기 실시예를 통해 본 발명의 상세한 방법을 설명하나 본 발명은 상기 상세한 방법에 제한되지 않음을 선언한다. 즉 본 발명은 상기 상세한 방법에 의존해야만 실시할 수 있는 것이 아니다. 해당 기술분야의 당업자들은 본 출원에 대한 임의의 개량 본 출원의 제품의 각 원료에 대한 등가적 교체 및 보조 성분의 첨가, 구체방식에 대한 선택 등은 모두 본 발명의 보호범위 및 개시범위내에 속함을 분명히 알 것이다.

Claims (13)

  1. 복합물에 있어서,
    상기 복합물은 Si-O-C-Li복합물이며, 상기 복합물은 나노 실리콘, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함하는 복합물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복합물은 실리콘 산화물을 더 포함하는 복합물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 실리콘 산화물의 화학구성은 SiOx이며, 여기서 x는 0＜x＜2인 복합물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 나노 실리콘은 탄소 코팅된 실리콘 산화물에서 인시츄 환원 성장하여 얻은 것이며, 상기 탄소 코팅된 실리콘 산화물은 실리콘 산화물 및 실리콘 산화물 표면에 코팅된 탄소 코팅층을 포함하는 복합물.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복합물이 나노 실리콘, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함 시, 상기 복합물의 구조는 나노 실리콘이 섬 모양의 형식으로 기질인 리튬 함유 화합물에 분산되어 융합 입자를 형성하고 상기 탄소 코팅층이 상기 융합 입자의 표면에 코팅되는 구조인 복합물.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복합물이 나노 실리콘, 실리콘 산화물, 리튬 함유 화합물 및 탄소 코팅층을 포함 시, 상기 복합물의 구조는 나노 실리콘이 리튬 함유 화합물에 분산되어 융합 입자를 형성하고 상기 융합 입자가 섬 모양의 형식으로 기질인 실리콘 산화물에 분산 되어 복합 입자를 형성하며 상기 탄소 코팅층이 상기 복합 입자의 표면에 코팅되는 구조인 복합물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리튬 함유 화합물은 Li-Si화합물, Li-O화합물 또는 실리콘-산소-리튬 화합물 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이며, 바람직하게는 실리콘-산소-리튬 화합물이며;
    바람직하게, 상기 실리콘-산소-리튬 화합물은 Li2SiO3, Li4SiO4, Li2Si2O5 또는 Li2Si3O7 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이며;
    바람직하게, 상기 실리콘-산소-리튬 화합물의 일부는 결정이며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 두께는 3~800㎚이며, 바람직하게 10~500㎚이며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 경질 탄소를 포함하며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 탄소 기질 및 상기 탄소 기질에 인레이된 탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트층을 포함하며, 상기 탄소 기질은 유기 탄소원이 탄화처리에 의해 분해되어 얻어지며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 총 질량을 100wt％으로 할 때, 상기 탄소 코팅층 중의 탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트층의 질량 백분율은 0.05~20wt％이며;
    바람직하게, 상기 복합물의 총 질량을 100wt％으로 할 때, 상기 탄소 코팅층의 질량 백분율은 0.1~50wt％이며, 더 바람직하게는 1~20wt％; 인 복합물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 복합물의 제조방법에 있어서,
    상기 방법은,
    (1) 탄소 코팅된 실리콘 산화물과 리튬원을 고체상 혼합방식으로 혼합함으로써 1차 처리를 진행하여 전리튬화 전구체를 형성하는 단계; 및
    (2) 전리튬화 전구체를 진공 또는 비산화성 기체 분위기에서 열처리하여 구조 조절 및 2차 처리를 진행하여 복합물을 형성하는 단계; 를 포함하는 복합물의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 단계(2)의 열처리 후 복합물을 표면처리하는 단계(3)을 더 포함하여 표면처리된 복합물을 얻으며;
    바람직하게, 상기 표면처리 방식은 불순물 제거, 코팅, 도포, 막 도금 또는 스프레잉 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합이며;
    바람직하게, 상기 불순물 제거 방식은 세척 또는 침지 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합인 복합물의 제조방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 단계(1)의 상기 리튬원은 염기성을 갖는 리튬 함유 화합물, 환원성을 갖는 리튬 함유 화합물 또는 리튬 홑원소 물질 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합인 복합물의 제조방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계(1)의 상기 탄소 코팅된 실리콘 산화물은 실리콘 산화물 및 실리콘 산화물의 표면에 코팅된 탄소 코팅층을 포함하며;
    바람직하게, 상기 실리콘 산화물의 화학구성은 SiOx이고, 여기서 x는 0＜x＜2이며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 두께는 3~800㎚이며, 바람직하게 10~500㎚이며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 경질 탄소를 포함하며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층은 탄소 기질 및 탄소 기질에 인레이된 탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트를 포함하며, 상기 탄소 기질은 유기 탄소원이 탄화처리에 의해 분해되어 얻어지며;
    바람직하게, 상기 유기 탄소원은 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 우레탄, 아스팔트, 콜타르, 폴리 티오펜, 폴리 올레핀, 슈가류, 다가 알코올류, 페놀 수지 유도체, 에폭시 수지 유도체, 폴리 우레탄 유도체, 아스팔트 유도체, 콜타르 유도체, 폴리 티오펜 유도체, 슈가류 유도체 또는 다가 알코올류 유도체 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합이며;
    바람직하게, 상기 탄화처리의 온도는 500～1300°C이며, 바람직하게 600～1000°C이며;
    바람직하게, 상기 탄화처리의 시간은 1～10h이고 바람직하게 2～6h이며;
    바람직하게, 상기 탄소 코팅층의 총질량을 100wt％으로 할 때, 상기 탄소 코팅층 중의 탄소 나노 튜브 및/또는 그래핀 시트층의 질량 백분율은 0.05～20wt％이며;
    바람직하게, 단계(1)의 상기 탄소 코팅된 실리콘 산화물에서 상기 실리콘 산화물과 상기 탄소 코팅층의 질량비는 100:(2~15)이며;
    바람직하게, 상기 단계(1)의 상기 탄소 코팅된 실리콘 화합물과 리튬원의 질량비는 1:(0.01~0.3)이며 바람직하게는 1:(0.05~0.2)이며;
    바람직하게, 단계(1)의 상기 고체상 혼합방식은 볼 밀링, VC혼합, 융합, 혼련, 반죽 또는 분산 중의 임의의 1종 또는 적어도 2종 방식의 조합이며;
    바람직하게, 단계(1)의 혼합 시간은 2~12h이며;
    바람직하게, 상기 혼련은 진공조건에서 진행하며;
    바람직하게, 상기 분산에서 사용하는 장치는 고속분산기이며;
    바람직하게, 단계(2)의 상기 비산화성 기체 분위기는 수소가스 분위기, 질소가스 분위기, 헬륨가스 분위기, 네온가스 분위기, 아르곤가스 분위기, 크립톤가스 분위기 또는 크세논가스 분위기 중의 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합이며;
    바람직하게, 단계(2)의 상기 열처리의 온도는 160～1000°C이며 바람직하게는 300～900°C이며 더 바람직하게는 400～860°C이며;
    바람직하게, 단계(2)의 상기 열처리의 시간은 2～12h이며, 바람직하게는 2～9h이며;
    바람직하게, 단계(3)의 상기 표면처리 방식은 불순물 제거, 코팅, 표면 관능기 변경, 도포, 막 도금 또는 스프레잉 중 임의의 1종 또는 적어도 2종의 조합인 복합물의 제조방법.
  12. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 복합물을 포함하는 음극재료.
  13. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 복합물을 포함하는 리튬이온이차전지.
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