JPS58138053A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS58138053A JPS58138053A JP57020908A JP2090882A JPS58138053A JP S58138053 A JPS58138053 A JP S58138053A JP 57020908 A JP57020908 A JP 57020908A JP 2090882 A JP2090882 A JP 2090882A JP S58138053 A JPS58138053 A JP S58138053A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
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- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコン結晶表面に形成された牛導体素子間の
相互接続管行う配線およびその製造方法に関する。
相互接続管行う配線およびその製造方法に関する。
牛導体集槙回路においては、例えば、相補履ＭＯ８イン
バータにおけるＰチャネルＭＯＢ）ランジスタと鳳チャ
ネルＭＯＢ）ランジスタとの接続が、ＰチャネルＭＯ８
）、５ンジスタのドレインを構成するＰ ８１４ｉ城と
ｎチャネルＭＯ８）ランジスタのドレインを構成する♂
８１領域との接続によって行われる如く、シリコン結晶
表面に島状に形成されたＰ”８ｉ領域と？８ｉ餉域とを
接続せしめる必要がある個所がある。しかしながら、
ｎ”８１領域とＰ＋８１１１Ｉ城を相接する様に形成
したのみでは、絢知のごとく境界面にＰａ接合が形成さ
れるため同電位の接続を形成することができない、この
丸め、−８ｉ領域とｐ＋ｓｉ領域とを接続すべき別の配
線が必要であシ、この配置材料としては埃在、多結晶シ
リコンもしくはアルミニウムが使用されている。しかし
、多結晶シリコンを用いる場合は、多結晶シリコンとＪ
喧はＰ＋１領域とＯ界ＷＥおいてＰＮ接合の形成【さけ
るためには、！ｌ触丁べき領域と同一〇導電型不純物【
あらかじめ多結晶シリコン中ヘドープして形成すれはよ
いが、この場合には、中はｐ％異種導電層多結晶シリコ
ン間の接続の丸めに別の金属層＊１ｍける必要があるこ
とには変わ）がない。
バータにおけるＰチャネルＭＯＢ）ランジスタと鳳チャ
ネルＭＯＢ）ランジスタとの接続が、ＰチャネルＭＯ８
）、５ンジスタのドレインを構成するＰ ８１４ｉ城と
ｎチャネルＭＯ８）ランジスタのドレインを構成する♂
８１領域との接続によって行われる如く、シリコン結晶
表面に島状に形成されたＰ”８ｉ領域と？８ｉ餉域とを
接続せしめる必要がある個所がある。しかしながら、
ｎ”８１領域とＰ＋８１１１Ｉ城を相接する様に形成
したのみでは、絢知のごとく境界面にＰａ接合が形成さ
れるため同電位の接続を形成することができない、この
丸め、−８ｉ領域とｐ＋ｓｉ領域とを接続すべき別の配
線が必要であシ、この配置材料としては埃在、多結晶シ
リコンもしくはアルミニウムが使用されている。しかし
、多結晶シリコンを用いる場合は、多結晶シリコンとＪ
喧はＰ＋１領域とＯ界ＷＥおいてＰＮ接合の形成【さけ
るためには、！ｌ触丁べき領域と同一〇導電型不純物【
あらかじめ多結晶シリコン中ヘドープして形成すれはよ
いが、この場合には、中はｐ％異種導電層多結晶シリコ
ン間の接続の丸めに別の金属層＊１ｍける必要があるこ
とには変わ）がない。
従って、前記多結晶シリコンを用いるのは１１ｍが徴雑
に２するばかシでなく、素子の高密度化ＯＩ１点からも
好ましくなく、アル建ニウムＯ配ａｔ−用いるのが一般
的である。
に２するばかシでなく、素子の高密度化ＯＩ１点からも
好ましくなく、アル建ニウムＯ配ａｔ−用いるのが一般
的である。
しかしｔがら、アルミニウム會相互簑絖Ｏ配鐘に用ｉえ
場合には、以下に記すａ々の間一点がある。一つは、ア
ルミ二りムの融点が６６０℃と低いために、−算アルに
クムの配ｌＩｉ！ｔ−形成した後には、Ｈ造時の１処暑
温度の上限をアル建ニウムＯ融点以下に制限する必ｌ！
があり、集積１１Ｍ形成に不可欠な注入イオンの７二−
ルによる活性化やリンフロー等の高温処！１１を適用で
きない欠点がある。
場合には、以下に記すａ々の間一点がある。一つは、ア
ルミ二りムの融点が６６０℃と低いために、−算アルに
クムの配ｌＩｉ！ｔ−形成した後には、Ｈ造時の１処暑
温度の上限をアル建ニウムＯ融点以下に制限する必ｌ！
があり、集積１１Ｍ形成に不可欠な注入イオンの７二−
ルによる活性化やリンフロー等の高温処！１１を適用で
きない欠点がある。
ま九、アルミニウムの一点以下の温度の７エールであっ
ても、４５０℃程度以上のアニールでは固相拡散現象に
よって所謂アロイスパイク等が生じることが知られてお
〕、これを素子の４Ｉ性に影響させないようにするため
Ｋｍ”ｌｌｉ領域中Ｐ＋８１領域ＯＩＩ合深さをアロイ
スパイクＯ到達＃！さよ）深い１μ票以上に形成する等
の対策【施す必ｌ！があるが、この様な深−！！合は素
子の高違化及び徽細化と−う観点からは好ましくな−。
ても、４５０℃程度以上のアニールでは固相拡散現象に
よって所謂アロイスパイク等が生じることが知られてお
〕、これを素子の４Ｉ性に影響させないようにするため
Ｋｍ”ｌｌｉ領域中Ｐ＋８１領域ＯＩＩ合深さをアロイ
スパイクＯ到達＃！さよ）深い１μ票以上に形成する等
の対策【施す必ｌ！があるが、この様な深−！！合は素
子の高違化及び徽細化と−う観点からは好ましくな−。
さらに、多結晶シリコンｔゲート電１１ＫＪＩ−た相補
ｆｉＭＯ８インバータを多段に綴絖する場合Ｋ＞−ては
、通常、ＰチャネルＭｏ１ｌ ）ツンジメｌおよびＮチ
ャネルＭｏｌ ）ツンジスメＯドレインＫ１１ｌ！され
たアルミニウム配置１によってと）だ畜れえ出力が次段
の多結晶シリコンゲート電極と接続される必Ｉ！があ〕
、ζＯＩＩ続のためのコンメクトホール管形成すべき領
域が必要であろが、これは両横を増加させるため回ｉｍ
ｏｍ密度化に対して重大な障害となる。
ｆｉＭＯ８インバータを多段に綴絖する場合Ｋ＞−ては
、通常、ＰチャネルＭｏ１ｌ ）ツンジメｌおよびＮチ
ャネルＭｏｌ ）ツンジスメＯドレインＫ１１ｌ！され
たアルミニウム配置１によってと）だ畜れえ出力が次段
の多結晶シリコンゲート電極と接続される必Ｉ！があ〕
、ζＯＩＩ続のためのコンメクトホール管形成すべき領
域が必要であろが、これは両横を増加させるため回ｉｍ
ｏｍ密度化に対して重大な障害となる。
かかる欠点を取ル除く一つの手段としては、アルミニウ
ムによる相互接続配ｌＩＯ代ＤＫ高一点金属による配ｌ
Ｉを用いるという手段が考えられるがしかし、この場合
で４以下に記す問題が存在する。
ムによる相互接続配ｌＩＯ代ＤＫ高一点金属による配ｌ
Ｉを用いるという手段が考えられるがしかし、この場合
で４以下に記す問題が存在する。
すなわち、高融点金属とｍ”８１４１域あるいはＰ”８
１領域とＯ接触から表る所間ダイレクトコンタクト電極
は、おおよそ７００℃以上の温度のアニールによって電
極のオーミッタ特性が劣化し、大き１に抵抗が発生しえ
夛、著し一場合には非導通状態とな）、実質的には７０
ＧＣ１１度以上の高温アニールに耐えない欠点がある。
１領域とＯ接触から表る所間ダイレクトコンタクト電極
は、おおよそ７００℃以上の温度のアニールによって電
極のオーミッタ特性が劣化し、大き１に抵抗が発生しえ
夛、著し一場合には非導通状態とな）、実質的には７０
ＧＣ１１度以上の高温アニールに耐えない欠点がある。
本発明は上記点に―みなされたもので、シ１ｊ＝ｉン緒
晶１ｍ！貢に形成され九ｍ１ｊｌ領域及びＰａｌ飽域を
電気的Ｋ［絖丁ルニ、１０００’Ｃｌ１ｊ［Ｏ高温の１
処ｍ七行なってもオー建ツタ特性が劣化せずかつ浅ｈｇ
合上に形成することができしかも占有面積【縮トし九配
！Ｉを有する牛導体装置およびそのＩＩ造方法會提供す
るものである。
晶１ｍ！貢に形成され九ｍ１ｊｌ領域及びＰａｌ飽域を
電気的Ｋ［絖丁ルニ、１０００’Ｃｌ１ｊ［Ｏ高温の１
処ｍ七行なってもオー建ツタ特性が劣化せずかつ浅ｈｇ
合上に形成することができしかも占有面積【縮トし九配
！Ｉを有する牛導体装置およびそのＩＩ造方法會提供す
るものである。
本発明によればシリコン結晶表面に設けられたａｌ１８
１層およびｐａｓｔ階の表面の少くとも一部が平滑でか
つ均質な単結晶状の高融点金属シリナイド層で普われ、
しかも該シリサイド層＊面とその一部が接触し少くと１
前記！１ｍ１８１層及びＰＩ！ｇ１層【相互ＩＩ！続す
る高融点金属管接触が設けられたことｔ４Ｉ黴とする牛
導体装置が得られる。
１層およびｐａｓｔ階の表面の少くとも一部が平滑でか
つ均質な単結晶状の高融点金属シリナイド層で普われ、
しかも該シリサイド層＊面とその一部が接触し少くと１
前記！１ｍ１８１層及びＰＩ！ｇ１層【相互ＩＩ！続す
る高融点金属管接触が設けられたことｔ４Ｉ黴とする牛
導体装置が得られる。
更に本発明によればシリコン結晶表面に１漉８ｉ層およ
びｐｍｍ着層管形成た後、食函に絶縁膜を彫成し、次い
で前記１１ｍ及びＰ量８１層上の少くとも一部分Ｏ骸絶
縁ｍを除去して前記１履及びＰｊｌＢｉＭ表面を露出さ
せ、次−で高一点金属層を形成し１次ｉで該高融点金属
層を過して、８量番る−はアルゴンの如きシリコン中で
電気的に不活性なイオンをイオン注入することによ）、
イオン注入され良領域でＯ前記ｍＪｉ１ｇｉ層と前記高
融点金属層の少くとも界面及び前記ｐｍｓｉｍε前記高
一点金属層一点くとも界ｉ１に、少くともａｌｅ高一点
金属とＳ魚とＯｓ合し九層を形威し、次ｈ”ｔ’ｓ処場
を行ない、＃混合層管平滑で均質な単結晶状の高融産金
及びｍ１１８１ＪＩ上の前記単結晶状の高融点金属シリ
サイド層と同時にＷ！触するように高融点金属配線層管
形成することを４Ｉ黴とした苧導体装置ＯＲ遼方法が得
られる。
びｐｍｍ着層管形成た後、食函に絶縁膜を彫成し、次い
で前記１１ｍ及びＰ量８１層上の少くとも一部分Ｏ骸絶
縁ｍを除去して前記１履及びＰｊｌＢｉＭ表面を露出さ
せ、次−で高一点金属層を形成し１次ｉで該高融点金属
層を過して、８量番る−はアルゴンの如きシリコン中で
電気的に不活性なイオンをイオン注入することによ）、
イオン注入され良領域でＯ前記ｍＪｉ１ｇｉ層と前記高
融点金属層の少くとも界面及び前記ｐｍｓｉｍε前記高
一点金属層一点くとも界ｉ１に、少くともａｌｅ高一点
金属とＳ魚とＯｓ合し九層を形威し、次ｈ”ｔ’ｓ処場
を行ない、＃混合層管平滑で均質な単結晶状の高融産金
及びｍ１１８１ＪＩ上の前記単結晶状の高融点金属シリ
サイド層と同時にＷ！触するように高融点金属配線層管
形成することを４Ｉ黴とした苧導体装置ＯＲ遼方法が得
られる。
Ｉ！に本発明によればシリコン結晶表面に絶縁膜會形威
し、次いでｍ＠儀域を形成すべき部分のうちＯ所望の部
分の賦絶縁ａｔ除去し、次いで高一点金属層を形成し１
次いで該高融点金属層を通してムＳの如き、シリコン中
でｍ！ｍｌ呈するイオン管イオン注入するととによ）、
前記絶縁膜上除去し大部分における前記高融点金属層と
前記シリコン結晶Ｏ少（とも界ｉ１に少くとも前記高融
点金属と前記シリコンとが混合し九層【形成すると同時
に咳混合層の下に１１瀧拡ｍａｔ形賊し、次−で熱処ａ
ｔ行なうことによ）前記混合層を平滑で均質な単結晶状
０ＩＩＩ拳点金属シリナイド展となし、次−で残留して
−る前記高融産金５ｗ１ｒｔ除去し、次いで全面に絶縁
層管形成し、次いで前記シリコン結晶ｌＩＩ画中ＯＰ朦
領域を形成すべき部分のうちの所望の部分の前記絶縁ａ
會除去し、次いで高一点金属層に影成し、次いで顔高融
点金属層を通してボロンＯごときシリコン中でＰ型會呈
するイオンをイオン注入することによ〕、前記Ｐ層領域
を形成すべ自部分のうちの前記ａｍ膜を除去し大部分に
おける前記高融点金属層と前記シｖ：１ン結晶の少くと
も界面に少くとも前記高融点金属と前記シリコンとが混
合しえ層を形成すると岡−に鋏混会層Ｏ下ＫＰｊｌ拡散
層を形成し、次−で熱感ｍｔ行なうことにより前記混合
層管平滑で均質な単結晶状の高融点金属シリナイド層と
壜し、次−で残留してｉる前記高融点金属層ｔ＃云し、
次−で少くとも前記ｐＨ領域上及び１１ｍ１領域上の単
結晶状Ｏ高融点金属シリナイド層と同時ＫＩＩ触するよ
うに高融点金属配線層を形成すること１＊像としえ亭導
体装置の製造方法が得られる。
し、次いでｍ＠儀域を形成すべき部分のうちＯ所望の部
分の賦絶縁ａｔ除去し、次いで高一点金属層を形成し１
次いで該高融点金属層を通してムＳの如き、シリコン中
でｍ！ｍｌ呈するイオン管イオン注入するととによ）、
前記絶縁膜上除去し大部分における前記高融点金属層と
前記シリコン結晶Ｏ少（とも界ｉ１に少くとも前記高融
点金属と前記シリコンとが混合し九層【形成すると同時
に咳混合層の下に１１瀧拡ｍａｔ形賊し、次−で熱処ａ
ｔ行なうことによ）前記混合層を平滑で均質な単結晶状
０ＩＩＩ拳点金属シリナイド展となし、次−で残留して
−る前記高融産金５ｗ１ｒｔ除去し、次いで全面に絶縁
層管形成し、次いで前記シリコン結晶ｌＩＩ画中ＯＰ朦
領域を形成すべき部分のうちの所望の部分の前記絶縁ａ
會除去し、次いで高一点金属層に影成し、次いで顔高融
点金属層を通してボロンＯごときシリコン中でＰ型會呈
するイオンをイオン注入することによ〕、前記Ｐ層領域
を形成すべ自部分のうちの前記ａｍ膜を除去し大部分に
おける前記高融点金属層と前記シｖ：１ン結晶の少くと
も界面に少くとも前記高融点金属と前記シリコンとが混
合しえ層を形成すると岡−に鋏混会層Ｏ下ＫＰｊｌ拡散
層を形成し、次−で熱感ｍｔ行なうことにより前記混合
層管平滑で均質な単結晶状の高融点金属シリナイド層と
壜し、次−で残留してｉる前記高融点金属層ｔ＃云し、
次−で少くとも前記ｐＨ領域上及び１１ｍ１領域上の単
結晶状Ｏ高融点金属シリナイド層と同時ＫＩＩ触するよ
うに高融点金属配線層を形成すること１＊像としえ亭導
体装置の製造方法が得られる。
本発明による特徴を有丁ゐ構造を用いるととによシ、従
来のアルζニラ五を一組領域とＰ＋８１領域とを接続す
る配置１に用いた構造に比して次の様な著しｉ効果が生
じる。
来のアルζニラ五を一組領域とＰ＋８１領域とを接続す
る配置１に用いた構造に比して次の様な著しｉ効果が生
じる。
すなわち１１＋引およびＰ＋８１層０９画の少くと１一
部を被つえ単結晶状の高一点金属シリサイド層の表面に
高融点金属管接触させて形成したオーきツク電極の耐熱
性は良好であるために、電１Ｉｉｉ配ＩＩＩ彫成後に１
０００℃付近の高温アニールが実施できる。
部を被つえ単結晶状の高一点金属シリサイド層の表面に
高融点金属管接触させて形成したオーきツク電極の耐熱
性は良好であるために、電１Ｉｉｉ配ＩＩＩ彫成後に１
０００℃付近の高温アニールが実施できる。
さらに、本発明の製造方法Ｋかかわるイオン注入を利用
して形成された上記ｉｍｓｍ全点シリサイド層の均一性
、平坦性及び結晶性は著しく良好であるため、該高融点
金属シリサイド層成下に浅い良好な接合を形成すること
ができ、この浅い接合によ多動作速度の高速化が達成し
うる。ま九、前記高融点金属層ｔ−ＭＯ８）ランジスタ
ゲート電極等と一体化して使用すれば、素子の高Ｗｊｆ
化も同時に実現できる。
して形成された上記ｉｍｓｍ全点シリサイド層の均一性
、平坦性及び結晶性は著しく良好であるため、該高融点
金属シリサイド層成下に浅い良好な接合を形成すること
ができ、この浅い接合によ多動作速度の高速化が達成し
うる。ま九、前記高融点金属層ｔ−ＭＯ８）ランジスタ
ゲート電極等と一体化して使用すれば、素子の高Ｗｊｆ
化も同時に実現できる。
以下実施例を用いて更に本発明の詳細な説明する。
第１因は本発明の特許請求の範囲第一項の一実施例を示
す部分断面略図であｐ、相補３９１ＭＯ８インバータを
示している。１１朦シリコン基板２０１上に形成され２
ｐウ工ル２０５中ＫｍチャネルＭｏｌ ） ？ンリスタ
が１ｍ型基板上にＰチャネルＭ０８トランジスタがそれ
ぞれ形成されている。２０７はゲート酸化膜、２１３は
Ｍｏｊｌｌよ）なるゲート電極、２１６は厚いフィール
ド酸化膜である。２１８．！１７はそれぞれ上記−チャ
ネルトランジスタのソース、ドレインとなる浅いｎ＋拡
散層、２１６，２１５はそれぞれ上記Ｐチャネルトラン
ジスタのソース、ドレインとなる浅いＰ＋拡散層である
。両トランジスタのドレイン拡散層２１６．２１７１！
面の一部に平滑で均質な単結晶状のモリブデンシリサイ
ド＠２１２が形成されており、上記ドレイｙ拡散層同士
を電気的に接続するモリブデン膜の配４Ｉｌ！１３が腋
モリブデンシリナイド展ＫＩＩ＋触して形成されている
。
す部分断面略図であｐ、相補３９１ＭＯ８インバータを
示している。１１朦シリコン基板２０１上に形成され２
ｐウ工ル２０５中ＫｍチャネルＭｏｌ ） ？ンリスタ
が１ｍ型基板上にＰチャネルＭ０８トランジスタがそれ
ぞれ形成されている。２０７はゲート酸化膜、２１３は
Ｍｏｊｌｌよ）なるゲート電極、２１６は厚いフィール
ド酸化膜である。２１８．！１７はそれぞれ上記−チャ
ネルトランジスタのソース、ドレインとなる浅いｎ＋拡
散層、２１６，２１５はそれぞれ上記Ｐチャネルトラン
ジスタのソース、ドレインとなる浅いＰ＋拡散層である
。両トランジスタのドレイン拡散層２１６．２１７１！
面の一部に平滑で均質な単結晶状のモリブデンシリサイ
ド＠２１２が形成されており、上記ドレイｙ拡散層同士
を電気的に接続するモリブデン膜の配４Ｉｌ！１３が腋
モリブデンシリナイド展ＫＩＩ＋触して形成されている
。
このようにモリブデン膜と拡散層Ｏｎ４に単結晶状のモ
リブデンシリサイド展をはさむと、このモリブデンシリ
サイド展がバリヤの役目ｔはたすため、浅い拡散層であ
っても高温熱処理後でもオーミック接触が保持されると
いう絶大な効ＪｌｉＩＸある。
リブデンシリサイド展をはさむと、このモリブデンシリ
サイド展がバリヤの役目ｔはたすため、浅い拡散層であ
っても高温熱処理後でもオーミック接触が保持されると
いう絶大な効ＪｌｉＩＸある。
さらに高融点金属膜とではなく、アル建ニウム膜と上記
単結晶状のモリブデンシリナイド展ｔ−接触させても、
その後の熱感１１によるアル２ニウムや拡散層中のシリ
コンｏ′）＠ぬけが生じない丸めソース、ドレインＯＰ
Ｎ接合は破壊されな−。
単結晶状のモリブデンシリナイド展ｔ−接触させても、
その後の熱感１１によるアル２ニウムや拡散層中のシリ
コンｏ′）＠ぬけが生じない丸めソース、ドレインＯＰ
Ｎ接合は破壊されな−。
しかも上記モリブデンシリナイドｊｌＩ−ＩＩＸ存在す
ることにより拡散層が浅いことによるシート抵抗。
ることにより拡散層が浅いことによるシート抵抗。
低下を補償することができるという別の効果も有して−
る。
る。
また本発明によるもう一つの重要な効果は相補ｍＭＯ８
インバータ等ｔＩＩ数段接続すると１ｉには、出力段の
配線と次段の入力段即ちゲート電砺配−とを一体とする
ことができ、従って従来よ）配線の面積を減らせる点で
ある。第２図にその例を示す。第２図は上記相補＠ＭＯ
Ｂインバータ管多段接続しえときの平′１ｊ７ｉＩＩｓ
図である。同電位とを丁べ會Ｐチャネルト２ンジスタの
ドレイン領域３０４と１チヤネルトランジスタのドレイ
ン領域３０７上に単結晶状のモリブデンシリサイドＪ１
１３０５，３０８が形成されて＞６、ダイレクトコンタ
クト部３０９゜３１０においてモリブデン膜からなる配
線３０１！Ｋｌｌ続されている。こｏｙ纏はＰチャネル
トランジスタと鳳チャネルトランジスタのドレイン拡散
層し次段のゲート電極へっなける配線と次段のゲート電
極とが一体となつぇ配線である。
インバータ等ｔＩＩ数段接続すると１ｉには、出力段の
配線と次段の入力段即ちゲート電砺配−とを一体とする
ことができ、従って従来よ）配線の面積を減らせる点で
ある。第２図にその例を示す。第２図は上記相補＠ＭＯ
Ｂインバータ管多段接続しえときの平′１ｊ７ｉＩＩｓ
図である。同電位とを丁べ會Ｐチャネルト２ンジスタの
ドレイン領域３０４と１チヤネルトランジスタのドレイ
ン領域３０７上に単結晶状のモリブデンシリサイドＪ１
１３０５，３０８が形成されて＞６、ダイレクトコンタ
クト部３０９゜３１０においてモリブデン膜からなる配
線３０１！Ｋｌｌ続されている。こｏｙ纏はＰチャネル
トランジスタと鳳チャネルトランジスタのドレイン拡散
層し次段のゲート電極へっなける配線と次段のゲート電
極とが一体となつぇ配線である。
従って従来の多結晶シリコンゲート電極とアルき配！Ｉ
を接続する場合必要となるコンタクトホールが必ｌ！な
くなりその分爾積ｔａｉホすることができる。ｉたモリ
ブデンは高一点金属であるため配ａｔ形成した！１１高
温の熱処理を施すことがてきる。この点は従来のアル之
ゲート管用い大相補朦ＭＯ８インバータでは得られない
効果である。
を接続する場合必要となるコンタクトホールが必ｌ！な
くなりその分爾積ｔａｉホすることができる。ｉたモリ
ブデンは高一点金属であるため配ａｔ形成した！１１高
温の熱処理を施すことがてきる。この点は従来のアル之
ゲート管用い大相補朦ＭＯ８インバータでは得られない
効果である。
次に本発明の牛導体装置管製造するための方法である特
許請求ａＳＳ第二項１＊施例を用−て説明する。敵実施
例は特許請求の範ａ第一項０実施例即ち相補ｊ［ＭＯｇ
インバータｔｌｌ造する友め□方法である。
許請求ａＳＳ第二項１＊施例を用−て説明する。敵実施
例は特許請求の範ａ第一項０実施例即ち相補ｊ［ＭＯｇ
インバータｔｌｌ造する友め□方法である。
第３ＷＪ（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｅ） 、 （ｄ）
、 （＠） ｐ （ｆ）はとの相補履ＭＯＢインバー
タの製造するさい０主要工程での皺インバータＯ模式的
断面Ｉ！！Ｉｔ−順次示し友ものである。
、 （＠） ｐ （ｆ）はとの相補履ＭＯＢインバー
タの製造するさい０主要工程での皺インバータＯ模式的
断面Ｉ！！Ｉｔ−順次示し友ものである。
まず比抵抗８Ω拳−のＮｍ１ｌｉ１基板２０１を用意し
、通常の熱酸化法によって膜厚５ｏｏｏＸの酸化膜２０
２１形成する。通常のホトエツチング法にょ〕所ｌｌＰ
ウェル領域を形成すべき部分の酸化ｌＩを除去し、基板
８五表面２０３を露出させる。次に、該８１表面に１１
厚１０００ムＯ熱酸化＠２０４會形成した後、’１ｘ４
１ンｆ加速電圧１００ ｋ＠Ｖ 、 ｙ−ズ量４ Ｘ
１０”ａ＋−”だけ注入する。次に、窒素ガス中で１！
００℃、２０時間の熱感ｍｔ−行い、拡散深さ６声諺の
Ｐウェル後、通常の選択酸化法によってトランジスタが
形成される所謂活性領域以外の領域にフィールド酸化ｊ
２０１ｉ管形成する。次に、活性領域となすべき領域の
基板８ゑ表面を露出させた後、該８１ｆｉ＠ｉに膜厚４
００ＡＯゲート酸化１１２０７を形成する。（（ｂ）ｍ
ｌ）次に、全面に膜厚１７００ムの８１．Ｎ４膜２０８
を気相成長法によって形成した後、ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタのドレインとなすべき領域の一部分の該８１
．）ｉ、農を通常Ｏホトエツチング法によって除去し、
その後Ｂイオンを加速電圧３０に・Ｖ、ドーズ量５ Ｘ
１０”ｉｓ−”だけイオン注入し、ＰＪＩ高員度領域
２０９ｆ：形成する。次に、ホトエツチング法により、
亀チャネルＭ０８トランジスタのドレインと謙すべき領
域内の一部の１−６膜會エツチングした後、ホトレジス
トを残したｔ壜の状態でムｔイオンｔ１００ ｋ＠Ｖで
５ Ｘ １ Ｇ”ｃＭ−”注入管、ａｌｌ高濃度領域２
０１會形成する。（（Ｃ）図） この後、１イオンおよびム畠イオンが注入され九８１基
板領域上のダート酸化ｉｌＩ會除去し、１ＩＥａｔ基板
我面を露出させる。次に、全面ＫＩＩＩＩ厚１００ムの
Ｍｏ膜２１１ｔ−スパッタ蒸着法によって形成し友後、
８ｉイオンを加速電圧３０に＠ｖドーズ量５ Ｘ １０
”ｃｍ−”だけ注入上行い、その後６００Ｃ１２０分間
の熱処理を水素ガス雰囲気で行う。この工程により、烏
と基板組とが接した個所のみにおｉてＭ・と８１との反
応によシ単結晶状のＭ（１シリサイド１１１１．２１２
が形成され、それ以外の領域においては、ｉ膜は反応せ
ずその１＆ま残存している。（（ｄ）図）次に、Ｈ，偽
系エツチングｉ［Ｋて３分間の錫！ｌ七行うが、このエ
ツチング液によってＭ＠１１２１１はエツチングされ、
−万Ｍ・シリナイドＪ［２１２はエツチングされない九
めに、前記Ｂイオンおよびム１イオンが注入された基板
Ｓ１表面ＯみＫＭ・シリサイド膜が選択的に残される。
、通常の熱酸化法によって膜厚５ｏｏｏＸの酸化膜２０
２１形成する。通常のホトエツチング法にょ〕所ｌｌＰ
ウェル領域を形成すべき部分の酸化ｌＩを除去し、基板
８五表面２０３を露出させる。次に、該８１表面に１１
厚１０００ムＯ熱酸化＠２０４會形成した後、’１ｘ４
１ンｆ加速電圧１００ ｋ＠Ｖ 、 ｙ−ズ量４ Ｘ
１０”ａ＋−”だけ注入する。次に、窒素ガス中で１！
００℃、２０時間の熱感ｍｔ−行い、拡散深さ６声諺の
Ｐウェル後、通常の選択酸化法によってトランジスタが
形成される所謂活性領域以外の領域にフィールド酸化ｊ
２０１ｉ管形成する。次に、活性領域となすべき領域の
基板８ゑ表面を露出させた後、該８１ｆｉ＠ｉに膜厚４
００ＡＯゲート酸化１１２０７を形成する。（（ｂ）ｍ
ｌ）次に、全面に膜厚１７００ムの８１．Ｎ４膜２０８
を気相成長法によって形成した後、ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタのドレインとなすべき領域の一部分の該８１
．）ｉ、農を通常Ｏホトエツチング法によって除去し、
その後Ｂイオンを加速電圧３０に・Ｖ、ドーズ量５ Ｘ
１０”ｉｓ−”だけイオン注入し、ＰＪＩ高員度領域
２０９ｆ：形成する。次に、ホトエツチング法により、
亀チャネルＭ０８トランジスタのドレインと謙すべき領
域内の一部の１−６膜會エツチングした後、ホトレジス
トを残したｔ壜の状態でムｔイオンｔ１００ ｋ＠Ｖで
５ Ｘ １ Ｇ”ｃＭ−”注入管、ａｌｌ高濃度領域２
０１會形成する。（（Ｃ）図） この後、１イオンおよびム畠イオンが注入され九８１基
板領域上のダート酸化ｉｌＩ會除去し、１ＩＥａｔ基板
我面を露出させる。次に、全面ＫＩＩＩＩ厚１００ムの
Ｍｏ膜２１１ｔ−スパッタ蒸着法によって形成し友後、
８ｉイオンを加速電圧３０に＠ｖドーズ量５ Ｘ １０
”ｃｍ−”だけ注入上行い、その後６００Ｃ１２０分間
の熱処理を水素ガス雰囲気で行う。この工程により、烏
と基板組とが接した個所のみにおｉてＭ・と８１との反
応によシ単結晶状のＭ（１シリサイド１１１１．２１２
が形成され、それ以外の領域においては、ｉ膜は反応せ
ずその１＆ま残存している。（（ｄ）図）次に、Ｈ，偽
系エツチングｉ［Ｋて３分間の錫！ｌ七行うが、このエ
ツチング液によってＭ＠１１２１１はエツチングされ、
−万Ｍ・シリナイドＪ［２１２はエツチングされない九
めに、前記Ｂイオンおよびム１イオンが注入された基板
Ｓ１表面ＯみＫＭ・シリサイド膜が選択的に残される。
次に、８１．Ｎ４膜２０８をエツチングした後、膜厚５
ｏｏｏｉのＭｅＩＩ＆スパッタリング法によ）形成する
。七〇＠１通常のホトエツチング法によ）、ｙ・膜のバ
タ一二ンダを行いゲー）１砺２１３及び配置ｊＪ２１４
管形成する。（（＊）ＩＩ）次に、全ＷＪＫホトレリス
トｒｅ形成し、ｐチャネルトランジスタＯ活性領域上の
皺ホトレジスト膜を除去した後、ｌイオンを加速電圧３
０に＠Ｖでドーズ量５ Ｘ １０”ａｓ−”だけ注入し
、７−Ｘ２１ａｌｌＬびドレイン２１６Ｖｔ形成する。
ｏｏｏｉのＭｅＩＩ＆スパッタリング法によ）形成する
。七〇＠１通常のホトエツチング法によ）、ｙ・膜のバ
タ一二ンダを行いゲー）１砺２１３及び配置ｊＪ２１４
管形成する。（（＊）ＩＩ）次に、全ＷＪＫホトレリス
トｒｅ形成し、ｐチャネルトランジスタＯ活性領域上の
皺ホトレジスト膜を除去した後、ｌイオンを加速電圧３
０に＠Ｖでドーズ量５ Ｘ １０”ａｓ−”だけ注入し
、７−Ｘ２１ａｌｌＬびドレイン２１６Ｖｔ形成する。
次に、ホトレジスト膜ｔｋ去した後に、全ｍＫホトレジ
スト＊１ｍ成し、１チヤネルトランジスタの活性１１ｔ
ｈＯＪｌｔ−トレジストａｔ除去した後、ム虐イオンを
加速電圧１００に＠Ｖで１’−ズ量Ｓ Ｘ １ Ｇ”ａ
ｍ−” ｆｅ ケ注入Ｌ テ、ソース２１１１及びドレ
イン２１７を形成する。（（ｆ）ＩＩ）そＯ後、リンガ
ラス層管全面ＫｊｉｌｌＪｉＥした後過常・ホトエツチ
ング法によってコンタクトホールを一口し、Ｍ系電衡配
ＩｉＩを形成する。
スト＊１ｍ成し、１チヤネルトランジスタの活性１１ｔ
ｈＯＪｌｔ−トレジストａｔ除去した後、ム虐イオンを
加速電圧１００に＠Ｖで１’−ズ量Ｓ Ｘ １ Ｇ”ａ
ｍ−” ｆｅ ケ注入Ｌ テ、ソース２１１１及びドレ
イン２１７を形成する。（（ｆ）ＩＩ）そＯ後、リンガ
ラス層管全面ＫｊｉｌｌＪｉＥした後過常・ホトエツチ
ング法によってコンタクトホールを一口し、Ｍ系電衡配
ＩｉＩを形成する。
以上の如（して特許請求の範囲第一項の実施例で述べ友
高融点金属ゲート電極配線を用いえ相補ｌＩＭＯＪＩイ
ンバータが得られえ。
高融点金属ゲート電極配線を用いえ相補ｌＩＭＯＪＩイ
ンバータが得られえ。
なお、本実施例におｉては、８１イオンを高一点金属の
上部より注入して舅・シリナイドを形成する場合につい
てＩ！明したが、ムｒｏｅ不活性ガスイオン【用いえ場
合にも同様な卓効があっ良。ｔえ麗・。
上部より注入して舅・シリナイドを形成する場合につい
てＩ！明したが、ムｒｏｅ不活性ガスイオン【用いえ場
合にも同様な卓効があっ良。ｔえ麗・。
Ｍ・シリナイド以外Ｏ′１ＩｊｌｌＩ点金属、及びその
シ９ナイドｔＳ々くみあわせて用−て％＄１１１！０効
来があった。
シ９ナイドｔＳ々くみあわせて用−て％＄１１１！０効
来があった。
次に同じく本発明の牛導体装置を製造するための方法で
ある特許請求の範囲第３項を実施例を用いて説明する。
ある特許請求の範囲第３項を実施例を用いて説明する。
こ１＞＠施例は特許請求の範囲第一項の実施例Ｏ相補１
１Ｍ０Ｂインバータを製造する丸めの方法である。その
工＠概略断ｍ図を第４図（ａ）。
１Ｍ０Ｂインバータを製造する丸めの方法である。その
工＠概略断ｍ図を第４図（ａ）。
（ｂ） 、 （旬、（ｄ）Ｋ示す。
まず上述の特許請求の範囲第二項の実施例で説明した第
３図（ｂ）ｏ段階までは同機に形成した後、全面に厚す
１７００ Ａ ０１１１ｓＮａ １１４０ ｉ を気ａ
ｍ長法で形成し、鳳チャネルＭＯ５１） ９ンジスメの
ドレインとなすべＩＩ組領域内Ｏ−＠０上ノＢ１ａＮ＊
ＩＩ ４０ ｔ ＞よびその下のゲート酸化膜を通常
０ホトエツチング法によって除去する。次に、全面に膜
厚ｘｏｏｉのｉ膜４０２をスパッタ蒸着法によって形成
し友後、上部よ）ムー１イオンを加速電圧１００に＠Ｖ
、 ドーズ量５ Ｘ １０”ａ＋−”だけ注入する。
３図（ｂ）ｏ段階までは同機に形成した後、全面に厚す
１７００ Ａ ０１１１ｓＮａ １１４０ ｉ を気ａ
ｍ長法で形成し、鳳チャネルＭＯ５１） ９ンジスメの
ドレインとなすべＩＩ組領域内Ｏ−＠０上ノＢ１ａＮ＊
ＩＩ ４０ ｔ ＞よびその下のゲート酸化膜を通常
０ホトエツチング法によって除去する。次に、全面に膜
厚ｘｏｏｉのｉ膜４０２をスパッタ蒸着法によって形成
し友後、上部よ）ムー１イオンを加速電圧１００に＠Ｖ
、 ドーズ量５ Ｘ １０”ａ＋−”だけ注入する。
仁の注入で、Ｍ・とａｉが接し九部分でＭ・と８１０界
ＷＪが混合される。その後６００℃、２０分間の７二−
ルｔ−塩ガス雰囲気で行う。こＯ熱部１ｍＫよ）、上記
Ｍ・と８１とが混合されえ儒ＷＩＯみにおいて烏と８１
とが反応して平滑で均質な単結晶状画シリナイド膜４０
３が形成され、それ以外の領域においては、Ｍ・が反応
せずそＯまま！ｌＩ存してｉる。またこのときｎチャネ
ルトランジスタＯドレイン４０４が形成される。次に１
ｉｔｏ宜系エツチングｉ［Ｋて３分間ＯＪＩ！ｌ＆珊を
行うが、このエツチングＩＥＫよってＭ＊ｊｌ１４０２
はエツチングされ、−１輩・シリサイド膜４０３はエツ
チングされない九めに、前記したムｔイオンが注入され
た基板ａｔｌｔ城４０４０表面のみｌｃＭｅシリサイド
ｊ１１４０Ｂが選択的に残される。（（ａ）閣） 次に、厚さ２０００ＡＯ駿化展４Ｇ５１気相成長法によ
って全面に形成した後、ＰチャネルＭ０８トランジスタ
のドレインとなすべ１８偽領域内の一部分の絶縁膜管エ
ツチングし、その後金１ｉｎｃｔｏｏＬ。
ＷＪが混合される。その後６００℃、２０分間の７二−
ルｔ−塩ガス雰囲気で行う。こＯ熱部１ｍＫよ）、上記
Ｍ・と８１とが混合されえ儒ＷＩＯみにおいて烏と８１
とが反応して平滑で均質な単結晶状画シリナイド膜４０
３が形成され、それ以外の領域においては、Ｍ・が反応
せずそＯまま！ｌＩ存してｉる。またこのときｎチャネ
ルトランジスタＯドレイン４０４が形成される。次に１
ｉｔｏ宜系エツチングｉ［Ｋて３分間ＯＪＩ！ｌ＆珊を
行うが、このエツチングＩＥＫよってＭ＊ｊｌ１４０２
はエツチングされ、−１輩・シリサイド膜４０３はエツ
チングされない九めに、前記したムｔイオンが注入され
た基板ａｔｌｔ城４０４０表面のみｌｃＭｅシリサイド
ｊ１１４０Ｂが選択的に残される。（（ａ）閣） 次に、厚さ２０００ＡＯ駿化展４Ｇ５１気相成長法によ
って全面に形成した後、ＰチャネルＭ０８トランジスタ
のドレインとなすべ１８偽領域内の一部分の絶縁膜管エ
ツチングし、その後金１ｉｎｃｔｏｏＬ。
Ｍｅ膜４０６’ｉスパッタ蒸着法によって形成する。そ
の後、１イオンを加速電圧３０に＠ｖドーズ量５ Ｘ
１０”ａｍ−”だけ注入する。この注入で、麗・と８１
が接し九部分でｙ・と引の界面が混合される。６００℃
、２０分間のアニールをＨ，ガス雰囲気で行う。この熱
＠ｉｌＫよ）、上記Ｍ・と８＆とが混合され友部分のみ
においてＭ・と引とが反応して平滑で均質な単結晶状の
Ｍ・シリサイドｌｌＩ４０７＃形威され、それ以外の領
域におｉてはＭ・ｊ［４０６がそのｔｔａ存してｉる。
の後、１イオンを加速電圧３０に＠ｖドーズ量５ Ｘ
１０”ａｍ−”だけ注入する。この注入で、麗・と８１
が接し九部分でｙ・と引の界面が混合される。６００℃
、２０分間のアニールをＨ，ガス雰囲気で行う。この熱
＠ｉｌＫよ）、上記Ｍ・と８＆とが混合され友部分のみ
においてＭ・と引とが反応して平滑で均質な単結晶状の
Ｍ・シリサイドｌｌＩ４０７＃形威され、それ以外の領
域におｉてはＭ・ｊ［４０６がそのｔｔａ存してｉる。
（（ｂ）図）
次ＫＨ宏０．系エツチングＩＮＫよって＃Ｍｅｌ［ｔ−
除去するが、ｉシリサイド膜はエツチングされないため
に、Ｂイオンが注入され大基板１１１１域４０８の表面
のみｐｃ ＠ Ｍｌシリサイドｊ１４０７が選択的Ｗｃ
ｌ１される。次に、酸化膜４０５及び８１．Ｎ４膜４０
１ｔエツチングし友後、全一＃Ｃ膜厚５ｏｏｏムＯ麗・
勇をスパッタ蒸着法によって形成する。七〇＠、通常の
ホトエツチング法によ１ＭＩ膜のノター二ン／１行いゲ
ート電１！４０９及び配＆１４１０を形成する。（（４
１１）以後の工程は前記特許請求の範囲第二項０１１施
例におけると同様である。以上の工程によ〕、第４１１
１１に示した高融点金属ゲート電極配ａｔ用いえ相補１
１ＭＯ８インバータが得られた。
除去するが、ｉシリサイド膜はエツチングされないため
に、Ｂイオンが注入され大基板１１１１域４０８の表面
のみｐｃ ＠ Ｍｌシリサイドｊ１４０７が選択的Ｗｃ
ｌ１される。次に、酸化膜４０５及び８１．Ｎ４膜４０
１ｔエツチングし友後、全一＃Ｃ膜厚５ｏｏｏムＯ麗・
勇をスパッタ蒸着法によって形成する。七〇＠、通常の
ホトエツチング法によ１ＭＩ膜のノター二ン／１行いゲ
ート電１！４０９及び配＆１４１０を形成する。（（４
１１）以後の工程は前記特許請求の範囲第二項０１１施
例におけると同様である。以上の工程によ〕、第４１１
１１に示した高融点金属ゲート電極配ａｔ用いえ相補１
１ＭＯ８インバータが得られた。
なお、本実施例にお−ては、高一点金属としてＭｓｆ用
％Ａ′に場合にクーて記載したが、Ｗ１丁ａ、ＴＩ等の
場合も同様な卓効があった。さらに、前記、単結晶状の
高一点金属シリナイドの高融点金属元素と配線を形成す
る高融点金属とは種類が異なる場合も同４ｍ！に効果が
あった。
％Ａ′に場合にクーて記載したが、Ｗ１丁ａ、ＴＩ等の
場合も同様な卓効があった。さらに、前記、単結晶状の
高一点金属シリナイドの高融点金属元素と配線を形成す
る高融点金属とは種類が異なる場合も同４ｍ！に効果が
あった。
一画の簡単なＷｉｌ、明
第１１１は本発明Ｏ牛導体装置の一実施例である相補１
１Ｍ０ＩＡインバータの断函略図である。
１Ｍ０ＩＡインバータの断函略図である。
第＊＊は第１１１Ｏ相補ｆｆ１ＭＯ８インバータを多段
接続し友とｍＣ５ｘＦ画略図である。
接続し友とｍＣ５ｘＦ画略図である。
第３１ｍ（ａ） 、 （ｋ） ＃ （＠） ＃ （４＃
（＠） 、 （ｆ）及び第４１１（ａ） 。
（＠） 、 （ｆ）及び第４１１（ａ） 。
（ｂ） ｅ （＃） ＃ （４は本幾男の中導体装置の
製造方法ＯＸ施例ｔ＠Ｈするため０Ｉｌｌて主要工程に
おける亭導体懺置Ｏ＊Ｗａ＊画を順次示したものである
。泡中の主な記号はそれぞれ次の４のを示す。
製造方法ＯＸ施例ｔ＠Ｈするため０Ｉｌｌて主要工程に
おける亭導体懺置Ｏ＊Ｗａ＊画を順次示したものである
。泡中の主な記号はそれぞれ次の４のを示す。
２０１：鳳ｌｌ５ｉ基板、２０２：酸化膜、２０３：１
基板表面、２０４二酸化ｌｌ、２Ｇ５ ：Ｐｆｐｘｓｔ
、２０６：フイールド酸化Ｈ％２０７：ゲート酸化属。
基板表面、２０４二酸化ｌｌ、２Ｇ５ ：Ｐｆｐｘｓｔ
、２０６：フイールド酸化Ｈ％２０７：ゲート酸化属。
２０８ 、４０１ ： ８１．Ｎ、膜、２０９．４０８
：Ｐ”１ｉｌｌｌ域、２１Ｇ＋４０４ ： ＊＋組領領
域２１１．４０２．４０６：Ｍｅ膜、２１２，４０３．
４０７：単結晶状論シリナイド。
：Ｐ”１ｉｌｌｌ域、２１Ｇ＋４０４ ： ＊＋組領領
域２１１．４０２．４０６：Ｍｅ膜、２１２，４０３．
４０７：単結晶状論シリナイド。
２１３．４０９：Ｔｏゲート電極、２Ｚ４ｅ４ｉ０：Ｍ
ｅダート配線、２１５．４１１：ソース、！１６．４１
２ ニドレイン、２１７．４１８ ニドレイン、２１８
，４１４ ：ソース、４０５：気相成長で形成しえ酸化
膜、３０１及び３０２：に１ａｌｌからなる高融点金属
ダート配線、３０３ ： ＰチャネルＭ０８トランジス
タのソース、３０４ ：ＰチャネルＭ０８トランジスタ
のドレイン、３０５：ダイレクトコンタクトを形成すべ
き高ｌｌ１ｆＰＩｉｌ！領域、３０６ ： ＊チャネ＃
ＭＯｌｌ）ランｄｘりＯソース、３０７： ｍチャネル
ＭＯＩ）ランジスメＯドレイン、３０８：ダイレクトコ
ンタクトを形成すべき高鎖ｔａｇ領域、３０９及び３１
０：ダイレクトコンタクト。
ｅダート配線、２１５．４１１：ソース、！１６．４１
２ ニドレイン、２１７．４１８ ニドレイン、２１８
，４１４ ：ソース、４０５：気相成長で形成しえ酸化
膜、３０１及び３０２：に１ａｌｌからなる高融点金属
ダート配線、３０３ ： ＰチャネルＭ０８トランジス
タのソース、３０４ ：ＰチャネルＭ０８トランジスタ
のドレイン、３０５：ダイレクトコンタクトを形成すべ
き高ｌｌ１ｆＰＩｉｌ！領域、３０６ ： ＊チャネ＃
ＭＯｌｌ）ランｄｘりＯソース、３０７： ｍチャネル
ＭＯＩ）ランジスメＯドレイン、３０８：ダイレクトコ
ンタクトを形成すべき高鎖ｔａｇ領域、３０９及び３１
０：ダイレクトコンタクト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 シリコン結晶表面に設けられたｍ１Ｊ８１層およ
びＰＭＩＩ８１層の表面の少くとも一部が平滑でかつ均
質な単結晶状の高融点金属シリサイド層で被われ、しか
も該シリサイド層表面とその一部が接触し少くとも前記
ｍｆＪｇｉ層及びＰｊＩＳｉ層を相互接続する高融点金
属配線層が設けられたことを４１１にとする半導体装置
。 ２、 シリコン結晶表面に塾型Ｓｔ鳩およびＰｆＪ８１
層を形成し友後、全面に絶縁膜を形成し、次いで前記ａ
ｌｌ及びＰ型８１層上の少くとも一部分の該絶縁層を除
去して前記ｍＭ及びＰ型Ｂｓ層表面を露出させ、次いで
高融点金属層管形成し、次いで皺高融点金属層を通して
、Ｓｉあるいはアルゴンの如きシリコン中で電気的に不
活性なイオンをイオン注入することにより、イオン注入
された領域での前記ｎ Ｗ Ｓ ｉ層と前記高融点金属
層の少くとも界面及び前記Ｐ型Ｓ１階と前記１Ｉｊｌ融
点金属層の少くとも界面に、少くとも前記高融点金属と
ｓｉとの混合した層を形成し、次いで熱処Ｉｌを行ない
、該混合層を平滑で均質な単結晶状の高融点金属シリサ
イド層と記単結晶状の高融点金属シリサイド層と同時に
接触するように高融点金属配＊ｍｔ形成することｔ特徴
とした半導体装置の製造方法。 ３、 シリコン結晶表面に絶縁ａ’を形成し、次いでｎ
型領域を形成すべき部分のうちの所望の部分の該絶縁ａ
ｔ線除去、次いで高融点金属層【形成し、次いで該高融
点金属層を通してム畠の如き、シリコン中でｍ ＩＩ
Ｙｔ呈するイオンをイオン注入することによ〕、ＷｊＪ
記絶縁絶縁除去した部分における前記高融点金属層と前
記シリコン結晶の少くとも界面に少くとも前記高融点金
属と前記シリコンとが混合した層を形成すると同時に該
混合層の下にｍ＠拡散層を形成し、次いで熱処理を行な
うことによ）前記混合層を平滑で均質な単結晶状の高融
点金属シリサイド膜となし、次いでｌＡ１１ｌている前
記高融点金属層を除去し１次いで全肉に絶縁ｍ管形成し
、次いで前記シリコン結晶表面中のＰ型領域を形成すべ
き部分のうちの所望の部分の前記絶縁ａｔ除去し、次い
で高融点金属層管形成し１次いで該高融点金属層を通し
てボロンのごときシリコン中でＰ型を呈するイオン【イ
オン注入することにより、ｉｉｌ記ｐｉＩｉ領域管形成
すべき部分のうちの前記絶＃１１ｓｔ除去した部分にお
ける前記高融点金属層と前記シリコン結晶の少くとも界
面に少くとも前記高融点金属と前記シリコンとが混合し
た層を形成すると同時に鋏混合層の下にｐｍ拡散層を形
成し、次いで熱処理を行なうことにより前記混合層管平
滑で均質な単結晶状の高融点金属シリナイド膜となし、
次いで残留している前記高融点金属層を除去し、その後
少くとも前記Ｐ型領域上及びａ型領域上の単結晶状の高
融点金属シリサイド膜と同時に接触するように高融点金
属配線層を形成することを特徴とした牛導体装置の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020908A JPS58138053A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US06/657,080 US4551908A (en) | 1981-06-15 | 1984-10-02 | Process of forming electrodes and interconnections on silicon semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020908A JPS58138053A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138053A true JPS58138053A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12040321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57020908A Pending JPS58138053A (ja) | 1981-06-15 | 1982-02-12 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138053A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014461A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Hitachi Ltd | 相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法 |
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| JPS60201649A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS6177340A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61210662A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-09-18 | フエアチヤイルド セミコンダクタ コ−ポレ−シヨン | 半導体構成体 |
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| JPH05503189A (ja) * | 1989-10-10 | 1993-05-27 | ブイエルエスアイ テクノロジー インコーポレイテッド | 自己整合性金属相互接続部の製造 |
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Citations (3)
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| JPS5570023A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of electrode and wiring for semiconductor |
| JPS55148441A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Seiko Epson Corp | Complementary type mos-ic |
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-
1982
- 1982-02-12 JP JP57020908A patent/JPS58138053A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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