JPH0954318A

JPH0954318A - 反射型液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0954318A
Application number: JP7208817A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kano; 博司加納; Eiji Mizobata; 英司溝端; Setsuo Kaneko; 節夫金子
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-08-16
Filing date: 1995-08-16
Publication date: 1997-02-25
Anticipated expiration: 2015-08-16
Also published as: KR100241489B1; TW326085B; KR970011974A; US6208395B1; JP2990046B2

Abstract

(57)【要約】【目的】アクティブマトリクス駆動による反射型液晶
表示装置の製造プロセス数を低減する。【構成】絶縁性基板５上に形成された薄膜トランジス
タ６の上部に絶縁膜３０を形成し、さらに、その上部に
ＴＦＴと電気的に接続された反射板１０が形成されてい
る。反射板表面に存在する凹凸は、薄膜トランジスタの
製造工程におけるゲート電極１５、ゲート絶縁膜１６、
半導体層１７のエッチングによるアイランド化のとき
に、同時に凹凸２１を形成することにより形成する。【効果】ＴＦＴの製造工程時に、同一工程で反射板の
凹凸形成ができかつ、高輝度反射板を製造できることか
ら、低コストで、良好な画質を有するアクティブマトリ
クス駆動反射型液晶表示素子を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に反射板に特徴を有
する反射型液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】反射型液晶表示装置は、外部から入射し
た光を液晶表示装置内部に位置する反射板により反射し
た光を表示光源として利用することから、光源にバック
ライトが不要となる。これは、透過型液晶表示装置より
も、低消費電力化、薄型化、軽量化が達成できる有効な
手法として考えられている。現在の反射型液晶表示装置
の基本構造は、ＴＮ（ツイステッドネマテッィク）方
式、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマテッィク）方
式、ＧＨ（ゲストホスト）方式、ＰＤＬＣ（高分子分
散）方式等を用いた液晶、これをスイッチングするため
の素子（薄膜トランジスタ、ダイオード）、さらに、こ
れらの内部あるいは外部に設けた反射板からなる。

【０００３】反射型液晶表示装置の表示性能には、液晶
透過状態の場合、明るく、かつ白い表示を呈することが
要求される。この表示性能の実現には、反射板の反射性
能制御、すなわち反射板表面凹凸形状、特に凹凸傾斜角
度、凹凸不規則性の制御が重要となる。

【０００４】従来の反射型液晶表示装置には、高精細・
高画質を実現できる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）あるい
は、金属／絶縁膜／金属（ＭＩＭ）構造ダイオードをス
イッチング素子として用いたアクティブマトリクス駆動
方式が採用され、これに反射板が付随した構造となって
いる。

【０００５】反射型液晶表示装置の具体的構造例を図３
５に示す。対向側基板１は、対向側ガラス基板２、透明
電極３より構成されている。下部側基板４は、ガラス基
板５上に製造された逆スタガー構造薄膜トランジスタ６
とその上部に形成された層間絶縁膜であるポリイミド膜
７、兼画素電極としての機能を兼ねる反射板１０から構
成されている。

【０００６】この例では、アクティブマトリクスス駆動
素子として、逆スタガー構造薄膜トランジスタ６が用い
られており、反射板１０は、コンタクトホール４９を介
して薄膜トランジスタ６のドレイン電極９に電気的に接
続されている。

【０００７】前記対向側基板１と下部側基板４との間
に、液晶層１１として、ＧＨ液晶が位置する。

【０００８】液晶表示装置の光源は、外部からの入射光
１２が、対向側ガラス基板２、透明電極３、液晶層１１
を通過し、反射板１０で反射される反射光１３を利用す
る。明るい液晶表示装置を得るために、様々な方位から
の入射光を効率的に液晶表示装置前方１３に出射させる
必要がある。それゆえ、ポリイミド膜７の表面に凹凸１
８を形成することで、反射板表面に凹凸形状１４を設け
ている。

【０００９】図３６に従来の反射型液晶表示装置の製造
工程図を示す。この液晶表示装置のトランジスタ製造工
程は、ガラス基板５上部に、ゲート電極１５を形成し
（ａ）、絶縁膜１６、半導体層およびドーピング層１７
を成膜し（ｂ）、半導体層をパターニングしてアイラン
ドを形成する（ｃ）。次に、ソース電極８、ドレイン電
極９を形成し（ｄ）、その後、絶縁膜としてポリイミド
膜７を形成し、反射板形成領域へ凹凸１８を形成する
（ｅ）。ポリイミド膜７にコンタクトホール４９を形成
し（ｆ）、反射板１０を形成し、凹凸１４を形成する
（ｇ）。凹凸１４形成には、ポリイミド膜７をパターニ
ングする方法が既知である。

【００１０】以上の工程より、従来反射型液晶表示装置
のＴＦＴ基板製造工程に必要なフォトリソ（ＰＲ）数は
６となる。

【００１１】これらの方法は、特公昭６１−６３９０号
公報、または、プロシーディングス・オブ・エスアイデ
ィー（ＴｏｈｒｕＫｏｉｚｕｍｉａｎｄＴａｔｓ
ｕｏＵｃｈｉｄａ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ
ｔｈｅＳＩＤ，Ｖｏｌ．２９，１５７，１９８
８）に開示されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来の反射型液晶表示
素子の製造には、従来の技術で、記述したように、多数
のＰＲ工程と複雑な製造工程が用いられている。特にＰ
Ｒ工程数は、スイッチング素子製造は３ＰＲ数、反射板
製造は３ＰＲ数となり、全ＰＲ数は６となる。

【００１３】これは、高性能スイッチング素子と高性能
反射板を同一絶縁性基板上に作り込むことが要求され、
これを満たす為に前記スイッチング素子と反射板が別々
の製造工程で形成されていることに起因する。その結
果、製造コストの上昇を引き起こし、反射型液晶表示素
子の単価を高くする要因となっている。

【００１４】そのため、前記ＰＲ数の減少と簡略工程に
よる製造コストの低下は、反射型液晶表示素子に課せら
れた重要な課題である。

【００１５】本発明では、高性能アクティブマトリクス
駆動素子と高輝度反射板を有する反射型液晶表示素子を
低コストで提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板上
にアクティブマトリクス駆動素子を形成する際に、将来
反射板を形成すべき位置にあらかじめ凹凸を形成してお
くもので、この凹凸を前記アクティブマトリクス駆動素
子の製造工程で成膜された金属膜、絶縁膜、半導体膜の
少なくともいずれかを用いて形成することを特徴として
いる。

【００１７】すなわち、本発明は、アクティブマトリク
ス駆動素子と表面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性
基板と、透明電極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み
込んだ構造よりなる反射型液晶表示装置において、前記
アクティブマトリクス駆動素子の製造工程で成膜された
金属膜、絶縁膜、半導体膜のうちの少なくとも１つをパ
ターニングして形成した凹凸が、前記反射板下に形成さ
れていることを特徴とする反射型液晶表示装置である。

【００１８】また、本発明は、アクティブマトリクス駆
動素子と表面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板
と、透明電極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込ん
だ構造よりなる反射型液晶表示装置において、前記アク
ティブマトリクス駆動素子の製造工程で成膜された金属
膜、絶縁膜、半導体膜のうちの少なくとも１つをパター
ニングして形成した凹凸と、この凹凸上に成膜された絶
縁膜とが、前記反射板下に形成されていることを特徴と
する反射型液晶表示装置である。

【００１９】また、本発明は、アクティブマトリクス駆
動素子と表面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板
と、透明電極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込ん
だ構造よりなる反射型液晶表示装置において、前記反射
板下には、前記絶縁性基板をパターニングして形成した
凹凸と、この凹凸上にこの凹凸の周期と合わせて形成し
た、前記アクティブマトリクス駆動素子の製造工程で成
膜された金属膜、絶縁膜、半導体膜のうちの少なくとも
１つをパターニングして形成した凹凸が形成されている
ことを特徴とする反射型液晶表示装置である。

【００２０】また、本発明は、アクティブマトリクス駆
動素子と表面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板
と、透明電極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込ん
だ構造よりなる反射型液晶表示装置において、前記反射
板下には、前記絶縁性基板をパターニングして形成した
凹凸と、この凹凸上にこの凹凸の周期と合わせて形成し
た、前記アクティブマトリクス駆動素子の製造工程で成
膜された金属膜、絶縁膜、半導体膜のうちの少なくとも
１つをパターニングして形成した凹凸と、この凹凸上に
成膜された絶縁膜とが形成されていることを特徴とする
反射型液晶表示装置である。

【００２１】前記反射板下に形成された凹凸の凹凸高
さ、周期、傾斜角度の、少なくとも一つが不規則である
ことが望ましい。

【００２２】前記凹凸上に成膜された絶縁膜が、前記ア
クティブマトリクス駆動素子及び配線上にも形成され、
前記絶縁膜の上部に反射板が前記アクティブマトリクス
駆動素子を覆うように形成され、かつ前記反射板は画素
電極の機能を有し、コンタクトホールにより前記アクテ
ィブマトリクス駆動素子と電気的に接続されている反射
型液晶表示装置とすることもできる。

【００２３】前記コンタクトホールの位置は、前記各画
素電極ごとに前記各画素電極内で異なる位置に形成する
ことができる。

【００２４】前記凹凸上に成膜された絶縁膜には、感光
性絶縁膜を用いることができる。

【００２５】前記アクティブマトリクス駆動素子は、従
来知られているトランジスタ、ダイオード等を用いるこ
とができるが、特に順スタガー構造ＴＦＴを用いること
が望ましい。

【００２６】本発明は、絶縁性基板上にアクティブマト
リクス駆動素子を形成するのと同時に、このアクティブ
マトリクス駆動素子の製造工程で成膜された金属膜、絶
縁膜、半導体膜のうちの少なくとも１つをパターニング
し、反射板を形成すべき位置にあらかじめ凹凸を形成す
る工程と、この凹凸の上に反射板を形成する工程と、こ
のアクティブマトリクス駆動素子と反射板とを形成した
絶縁性基板と、透明電極を有する絶縁性基板とを張り合
わせ、液晶を注入する工程とを含むことを特徴とする反
射型液晶表示装置の製造方法である。

【００２７】

【作用】本発明では、絶縁性基板上にアクティブマトリ
クス駆動素子を形成する際に同時に、将来反射板を形成
すべき位置にあらかじめ凹凸を形成しておくもので、こ
の凹凸を前記アクティブマトリクス駆動素子の製造工程
で成膜された金属膜、絶縁膜、半導体膜の少なくともい
ずれかを用いて形成しているために、製造工程を省略す
ることができる。

【００２８】本発明の作用を以下に図面を用いて詳細に
説明する。

【００２９】図３６に示す従来の反射型液晶表示装置の
製造工程では、薄膜トランジスタの製造工程で３ＰＲ
数、画素電極の製造工程で３ＰＲ数、合計で６ＰＲ数必
要となる。

【００３０】一方、本発明に従えば、薄膜トランジスタ
の製造工程で３ＰＲ数、画素電極の製造工程で１ＰＲ
数、合計で４ＰＲ数となり、プロセスを省略できる。

【００３１】図１を参照して本発明の反射型液晶表示装
置の製造工程を詳しく説明する。図１において、図３
５、図３６と同じものは同じ符号で示した。

【００３２】薄膜トランジスタの製造工程は次の通りで
ある。ゲート電極用金属をガラス基板５上に形成した
後、ゲート電極１５および反射板の凹凸の下地となるべ
き凹凸パターン２０をＰＲ工程により形成する（ａ）。
この上にゲート絶縁膜１６、半導体層１７、ソース・ド
レイン電極用金属膜を成膜し（ｂ）、薄膜トランジスタ
部アイランド２２および反射板の下地となる凹凸パター
ン２１を残してエッチングをする（ｃ）。つまり、この
工程で薄膜トランジスタの形成と同時に凹凸の形成がで
きるため、プロセスの簡略化ができることになる。その
後、ソース電極８、ドレイン電極９を形成し（ｄ）、薄
膜トランジスタを完成する。

【００３３】この上を反射効率の高い金属により覆い、
パターン形成を行うことで、反射板１０を形成して、反
射型液晶表示装置を完成する。

【００３４】次に図２を用いて、２番目の発明の作用を
説明する。

【００３５】図２は、反射板下に有機系絶縁膜、または
無機系絶縁膜を設けた反射型液晶表示装置の断面図であ
る。図２において、図１と同じものは同じ符号で示し
た。図１と異なる点は、反射板１０と、薄膜トランジス
タ６あるいは凹凸パターン２１との間に有機系絶縁膜ま
たは無機系絶縁膜３０が形成されており、反射板１０と
ドレイン電極９はコンタクトホール４９を介して接続さ
れている点である。

【００３６】本発明に従えば、（１）反射板１０を薄膜
トランジスタ６およびソース電極８、ドレイン電極９と
は異なる層に形成できるため、反射板面積を最大にでき
る、（２）凹凸３０の傾斜部を滑らかにできるために、
より良好な反射性能を有する反射板凹凸を形成できる、
（３）薄膜トランジスタ６をパッシベートできるため、
液晶剤による薄膜トランジスタの劣化を防ぐことができ
る。

【００３７】さらに、絶縁膜を前記アクティブマトリク
ス駆動素子及び配線上にも形成し、前記有機系絶縁膜あ
るいは前記無機系絶縁膜の上部にアクティブマトリクス
駆動素子を覆うように反射板を形成し、反射板に画素電
極の機能をも持たせることで、（１）反射板を薄膜トラ
ンジスタ及び配線とは異なる層に形成することから、反
射板面積を最大にでき、液晶表示装置内部への入射光の
殆どを反射光として利用できる、（２）反射板を画素電
極として利用できるため、新たに画素電極を設ける必要
がないことから、プロセス数を減らすことができる。

【００３８】図３を用いて、絶縁性基板をパターニング
した場合の作用を説明する。

【００３９】図３は、絶縁性基板をパターニングして凹
凸を形成した場合の反射型液晶表示装置の断面図を示
す。図３において、図１と同じものは同じ符号で示し
た。図１と異なる点は、絶縁性基板５を、先の凹凸パタ
ーン２１と同周期でパターニングし、凹凸４０を設けた
点である。

【００４０】これにより、絶縁性基板５のエッチングよ
り得られた凹凸４０（凹凸高さｙ）と、その上部に、薄
膜トランジスタ製造と同時に形成された凹凸２１（凹凸
高さｘ）とを合わせて、反射板１０の凹凸４１として用
いることにより、該凹凸高さは、薄膜トランジスタ製造
時に成膜された膜の膜厚ｘで制約されることがなくな
り、絶縁性基板の凹凸高さｙを変えることで、自由な高
さｘ＋ｙに凹凸が製造できる。そのため、前記凹凸を有
する反射板の散乱性能が向上する。

【００４１】反射板表面の凹凸構造の凹凸高さ、凹凸周
期、凹凸形状が周期構造を有する場合、反射光の干渉が
発生し、反射板には色付きが起こるが、凹凸高さ、凹凸
周期、凹凸形状の少なくとも一つを不規則とすること
で、反射板の色付きが消失し、該液晶表示装置の表示性
能が改善される。

【００４２】図４に反射板の凹凸が周期構造の場合の反
射性能と、図５に反射板の凹凸が本発明の条件を満たす
不規則構造の場合の反射性能を示す。なお、図６に反射
性能の評価システムの構成図を示す。図において、６１
は反射板、６２は光源、６３は光検出器である。光源６
２からの入射角θを変えて、反射板６１の反射率を測定
した。

【００４３】図４の凹凸が周期構造の反射板の性能は、
干渉が起こるため、反射性能は、多くの干渉ピークで構
成されている。そして、白色ランプのもとでは、反射板
の色付きが起こる。これに対して、本発明の凹凸が不規
則な反射板を利用することで、図５に示す反射性能は、
干渉現象を示すピークが消失し、性能は入射光角度に対
して連続的な反射強度を示し、反射板の色付きも観察さ
れない、良好な反射板を提供することができる。

【００４４】反射板と薄膜トランジスタとを電気的に接
続するためのコンタクトホール位置を、画素ごとに不規
則に配置することの作用を説明する。

【００４５】図７（ａ）にコンタクトホール位置が周期
的である場合、図７（ｂ）にコンタクトホール位置が不
規則である場合の平面図を示す。図７において、図２と
同様のものは同じ符号を示した。７１はソース信号線、
７２はゲート信号線である。

【００４６】（ａ）では、コンタクトホール４９が表示
画素サイズで周期的に配置されるため、パネル表示時
に、ホール部の平坦部が観察される。

【００４７】これに対して、本発明を示す（ｂ）はコン
タクトホール４９位置を、各画素内部領域で変化させる
ことで、コンタクトホール部の凹部も反射板表面の不規
則な凹凸構造の一部となり、該ホール部が認識されない
ことにより、良好な反射板性能を得る。

【００４８】アクティブマトリクス駆動素子として順ス
タガー構造薄膜トランジスタを採用した例を図８に示
す。図８において、ガラス基板上に、１ＰＲ目でソース
電極８、ドレイン電極９および凹凸パターン２０を形成
し（ａ）、ドーピング層及び半導体層１７、ゲート絶縁
膜１６、金属電極層を連続成膜した後（ｂ）、２ＰＲ目
で、ゲート電極１５、ＴＦＴ素子部のアイランド化、凹
凸２１形成が同時に行われる（ｃ）。その後、３ＰＲ目
で反射板１０が形成される（ｄ）。

【００４９】これに対して、逆スタガー構造薄膜トラン
ジスタを利用した場合、図１に示したように、４ＰＲ目
で、反射板１０が形成される。よって、順スタガー構造
薄膜トランジスタを採用することで、逆スタガー構造薄
膜トランジスタを利用した場合に比べて、ＰＲ工程数を
さらに１省略できることがわかる。

【００５０】

【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。

【００５１】（実施例１）本発明の実施例に用いた反射
型液晶表示装置の製造工程を図１に示す。本反射型液晶
表示装置におけるスイッチング素子には逆スタガー構造
薄膜トランジスタを採用した。製造プロセスとして、ガ
ラス基板上に（ａ）Ｃｒ金属をスパッタリング法により５０nm形成
し、ゲート電極１５及び凹凸パターン２０をフォトリソ
グラフィにより形成する。（１ＰＲ目）（ｂ）ゲート絶縁膜１６、半導体層１７及び、ドーピン
グ層をプラズマＣＶＤにより連続成膜を行った。このと
き、ゲート絶縁膜１６には、シリコン酸化膜を３００n
m、シリコン窒化膜を１００nm、そして半導体層１７に
は、アモルファスシシコン層を１００nm、ドーピング層
には、リン原子を混入しｎ型化されたアモルファスシシ
コン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層を１００nm成膜する。その後、
Ｃｒ金属をスパッタリング法により５０nm形成する。（ｃ）ＴＦＴ素子部アイランド２２及び、凹凸パターン
２１を形成する。（２ＰＲ目）（ｄ）ソース電極８、ドレイン電極９を形成する。（３
ＰＲ目）（ｅ）アルミニウムをスパッタリング法により３００nm
形成し、反射板１０を形成する。（４ＰＲ目）本実施例では、反射板表面に形成される凹凸パターン２
１は、上記（ｃ）のＴＦＴ素子部２２のアイランド化と
同時に形成することで、プロセスの簡略化を図ることが
できる。

【００５２】なお、本実施例で使用したシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜、ｎ型化
アモルファスシリコン膜のプラズマＣＶＤ条件は、以下
のように設定した。シリコン酸化膜の場合、反応ガスに
シランと酸素ガスを用い、ガス流量比（シラン／酸素）
は、０．１〜０．５程度に設定し、成膜温度２００〜３
００℃、圧力１Ｔｏｒｒ、プラズマパワー２００Ｗとし
た。シリコン窒化膜の場合、反応ガスにシランとアンモ
ニアガスを用い、ガス流量比（シラン／アンモニア）
は、０．１〜０．８に設定し、成膜温度２５０℃、圧力
１Ｔｏｒｒ、プラズマパワー２００Ｗとした。アモルフ
ァスシリコン膜の場合、反応ガスにシランと水素ガスを
用い、ガス流量比（シラン／水素）は、０．５〜２に設
定し、成膜温度２００〜２５０℃、圧力１Ｔｏｒｒ、プ
ラズマパワー５０Ｗとした。ｎ型化アモルファスシリコ
ン膜の場合、反応ガスにシランとホスフィンを用い、ガ
ス流量比（シラン／ホスフィン）は、１〜２に設定し、
成膜温度２００〜２５０℃、圧力１Ｔｏｒｒ、プラズマ
パワー５０Ｗとした。

【００５３】ＴＦＴ素子部アイランド２２及び、凹凸パ
ターン２１形成には、Ｃｒの場合は、ウェットエッチン
グを採用し、シリコン酸化膜及び、シリコン窒化膜、そ
して、アモルファスシリコン層には、ドライエッチング
を採用した。Ｃｒのエッチングには、過塩素酸と硝酸第
２セリウムアンモニウムの混合水溶液を用いた。また、
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜のエッチングには、エ
ッチングガスに四炭化フッ素と酸素ガスを用い、反応圧
力５〜３００ｍＴｏｒｒ、パワー１００〜３００Ｗとし
た。また、アモルファスシリコン層のエッチングには、
塩素と水素ガスを用い、反応圧力５〜３００ｍＴｏｒ
ｒ、パワー５０〜２００Ｗとした。

【００５４】本実施例の全ＰＲ数は４となり、従来の６
ＰＲに比べて少ない。このときの凹凸には、下部より、
クロム／シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／アモルファ
スシリコン膜／ｎ型アモルファスシリコン膜／クロムの
積層膜が利用されている。そのため、該凹凸の高さは、
前記膜の膜厚で決まってくることから、本実施例では、
７００nm程度となっている。なお、本実施例の凹凸の高
さは、７００nm程度となっているが、これに限定される
ものではない。凹凸高さは、電極金属、絶縁層、半導体
層の膜厚を変えることで、自由に設定できる。

【００５５】また、上記（ｃ）で形成された凹凸パター
ン２１の平面形状とその位置は、ランダムとなってい
る。

【００５６】さらに、凹凸形成では、その形状をマスク
するためのレジスト形成条件及び、露光条件を変化させ
ることで、凹凸側壁部のテーパ化ができる。図９に凹凸
側壁部の傾斜角度が（ａ）垂直の場合と（ｂ）テーパを
有する場合の反射型液晶表示装置の下部側基板断面図を
示す。図９において、図１と同じものは同じ符号で示し
た。図９（ａ）では、凹凸側壁部は垂直であるが、
（ｂ）では、テーパ部９２となっているため、反射板１
０の形成が容易となる。

【００５７】本実施例の凹凸の傾斜角度９３は、５〜１
５度の範囲で設定した。反射画素電極板の開口率は、７
０〜８０％と設定した。

【００５８】本実施例で作製した反射型液晶表示装置の
断面構造図を図１０に示す。図１０において、図３５と
同じものは同じ符号で示した。上記のとおり作成した下
部側基板４と、ＩＴＯで形成された透明電極３を有する
対向側基板１を、各々の膜面が対向するようにして重ね
合わせた。なお、下部側基板４の反射板１０と、対向側
基板１の透明電極３の表面には、配向処理が施され、両
基板はプラスチック粒子等のスペーサを介して、パネル
周辺部にエポキシ系の接着剤１０１を塗ることにより、
張り合わされた。その後ＧＨ型の液晶を注入し液晶層１
１とすることで、液晶表示装置を製造した。

【００５９】実用上十分明るく、新聞紙に匹敵する白表
示を有するモノクロ反射型パネルを低コストで、実現し
た。また、対向側基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを設
置することで、明るいカラー反射型パネルを低コストで
実現できる。

【００６０】（実施例２）実施例２に用いた反射型液晶
表示装置の製造工程を図１１に示す。本実施例は、実施
例１の反射型液晶表示素子における反射板と凹凸との間
に絶縁層を新たに設けたものである。この実施例でも実
施例１と同様アクティブマトリクス駆動素子として、逆
スタガー構造薄膜トランジスタを採用した。

【００６１】実施例１の（ｄ）の工程までは、同様の工
程なので記載を省略する。（ｅ）以降の工程について、
次に説明する。（ｅ）絶縁膜３０を成膜し、コンタクトホール４９を形
成する（４ＰＲ目）。（ｆ）アルミニウムをスパッタリング法により３００nm
形成し、反射板１０を形成する（５ＰＲ目）。

【００６２】本実施例では、凹凸２１及びＴＦＴ素子部
２２と反射板１０との間に層間絶縁膜である有機系絶縁
膜３０が形成されている。この有機系絶縁膜には、日産
化学ＲＮ−９０１の感光性ポリイミド膜を用いた。形成
条件としては、ＲＮ−９０１を３００ｒｐｍで５秒、２
８００ｒｐｍで２０秒スピンコートし、８０℃、１０分
間でプリベークした。その後、超高圧水銀ランプを用い
て露光し、現像液ＮＭＤ−３（２．３８％ＴＭＡ水溶
液：東京応化製）を用いて、パターン形成を行った。最
後に、２５０℃、１００分でポストベークを行った。

【００６３】本実施例における総ＰＲ数は５となり、従
来の６ＰＲより少なくできる。

【００６４】上記下部側基板４の上部を有機系絶縁膜３
０を１μｍの膜厚で覆うことにより、凹凸傾斜角度を滑
らかにしている。反射板と凹凸との間に有機系絶縁膜を
挿入した場合の反射板の反射特性を図１２に、有機系絶
縁膜が挿入されていない場合の反射板の反射特性を図１
３に示す。なお、反射性能の評価には、図６と同一のシ
ステムを用いた。有機系絶縁膜３０が存在しない場合の
反射性能は、正反射方向の反射強度は大きく、反射強度
の光入射角度依存性が大きい。これに対して、本実施例
で得られた反射板の性能は、広い視野角度の範囲で、よ
り強い反射強度を有した。この反射板を反射型液晶表示
装置に応用した場合、明るい表示性能を得ることができ
る。

【００６５】また、本実施例で用いた反射板表面に有す
る凹凸の平均傾斜角度は１０度とした。そして、有機系
絶縁膜３０の塗布条件、例えば、塗布膜厚、焼成温度、
凹凸位置、大きさを制御することで、凹凸の平均傾斜角
度を変化させることができ、目的に応じた反射性能を有
する反射板を提供できることがわかった。

【００６６】なお、上記（ｃ）で形成された凹凸の平面
形状及び位置は、ランダムとなっている。

【００６７】さらに、反射板１０は、下部側基板側の最
上層に位置することから、反射板面積を最大限に大きく
でき、その結果、開口率は、８０〜９０％を占めること
から、光輝度反射板を実現できた。

【００６８】その後、前記記載の実施例１と同様に、下
部側基板と、対向側基板を、各々の膜面が対向するよう
にして張り合わせた後、ＧＨ型の液晶を注入し液晶層と
することで、液晶表示装置を製造した。

【００６９】その結果、実用上十分明るく、新聞紙に匹
敵する白表示を有するモノクロ反射型パネルを低コスト
で、実現した。また、対向側基板側に、ＲＧＢカラーフ
ィルタを設置することで、明るいカラー反射型パネルを
低コストで実現できる。

【００７０】なお、本実施例では、ＴＦＴ素子部及び凹
凸部と反射板との間の層間絶縁膜として、ポジ型感光型
有機系絶縁膜を使用したが、これに限定されるものでは
ない。例えば、ネガ型感光性有機膜として、東レ製フォ
トニースＵＲ３８００、感光性無機膜として、日産化学
製ＨＭ−５００１を用いても同様の効果が期待できる。
また、感光性を有さない有機膜（例えば、日産化学製Ｒ
Ｎ−８１２）あるいは、無機膜（例えば日産化学製ＮＴ
−Ｌ６００８）を用いても、レジスト塗布、現像、剥離
プロセスが増えるが、本実施例と同様の反射型液晶表示
装置が得られる。

【００７１】（実施例３）本発明の実施例に用いた反射
型液晶表示装置の製造工程を図１４に示す。本実施例
は、前記記載の実施例１における反射型液晶表示素子に
おける凹凸下部に、新たに、絶縁性基板を削ることで凹
凸を設け、凹凸高さを自由に設定しようとするものであ
る。

【００７２】この実施例では、（ｄ）の工程以外は実施
例１と同様の工程であるので、記載を省略する。（ｃ）
の工程まで実施例１と同様に行う。（ｄ）（ｃ）におい
て、ＴＦＴ素子のアイランド化及び、凹凸形成のため
に、Ｃｒ／シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／アモルフ
ァスシリコン膜／ｎ型化アモルファスシリコン膜／Ｃｒ
をエッチングした後、連続的に下地のガラス基板５のエ
ッチングを行う。５０％ふっ化水素酸水溶液を用いて、
ガラス基板を１μm エッチングした。その結果、下部の
ガラス基板凹凸と上部の凹凸を合わせて、最大１．７μ
m の高さを有する凹凸１４１が形成された。

【００７３】その後、実施例１の（ｄ）（ｅ）の工程と
同様にソース電極８、ドレイン電極９、反射板１０を形
成する。

【００７４】本実施例では、ガラス基板５をもエッチン
グすることにより、凹凸１４１の高さをＴＦＴ素子の膜
厚に依存せず高くすることができる。したがって、高性
能ＴＦＴを得るための最適膜厚に設定でき、かつ、良好
な反射性能を得るために必要な凹凸の高さも得ることが
できる。

【００７５】その結果、実用上十分明るく、新聞紙に匹
敵する白表示を有するモノクロ反射型パネルを低コスト
で、実現した。また、対向側基板側に、ＲＧＢカラーフ
ィルタを設置することで、明るいカラー反射型パネルを
低コストで実現できた。

【００７６】（実施例４）実施例４で製造した反射型液
晶表示装置のＴＦＴ基板断面図を図１５に示す。本実施
例は、実施例３でガラス基板５をエッチングしていると
ころを、予め凹凸形成するための絶縁層をガラス基板上
部に設け、該絶縁層を削ることで、下部凹凸を設けたも
のである。

【００７７】製造工程としては、ガラス基板５の上に、
予め凹凸を形成するための膜、酸化シリコン膜１５１を
ＣＶＤ法により２μm の膜厚で形成する。この時のプラ
ズマＣＶＤ条件は、原料ガスとして、シラン１０ｓｃｃ
ｍ、酸素８０ｓｃｃｍ供給し、成膜温度３５０℃、反応
圧力１Ｔｏｒｒとした。その後、上記実施例３と同様の
（ａ）〜（ｅ）プロセスを行う。ただし、プロセス
（ｄ）では、ガラス基板をエッチングするのではなく、
該凹凸形成層である酸化シリコン膜を１μm エッチング
する。本実施例では、ドライエッチング法を用いた。条
件は、エッチングガスには、４ふっ化炭素１００ｓｃｃ
ｍ、酸素２０ｓｃｃｍ、パワー２００Ｗ、圧力１００ｍ
Ｔｏｒｒとした。

【００７８】本実施例では、凹凸形成プロセスが増える
が、ガラス基板のエッチングによる凹凸形成よりも、エ
ッチング時間が短縮でき、且つ凹凸端部１５２の傾斜角
度を自由に制御できることから、目的の反射特性を得る
ことが容易にできる。その結果、高性能反射型液晶表示
装置が提供される。

【００７９】なお、凹凸形成層１５１として、酸化シリ
コン膜を用いたが、これに限定されるものではない。窒
化シリコン膜、ポリイミド膜などを用いても同様の効果
が期待できる。さらに、該凹凸形成層に実施例１に記載
の感光性有機膜あるいは無機膜を使用すれば、さらにエ
ッチングプロセスが容易にできる。

【００８０】（実施例５）実施例５に用いた反射型液晶
表示装置の断面図を図１６に示す。本実施例は、実施例
３にさらに、反射板と凹凸の間に絶縁層を設けたもので
ある。

【００８１】凹凸１５３及びＴＦＴ素子部６と反射板１
０との間に層間絶縁膜である有機系絶縁膜３０が形成さ
れている。該絶縁膜は、日産化学ＲＮ−９０１の感光性
ポリイミド膜を用いた。形成条件としては、実施例２と
同一条件とした。

【００８２】その結果、凹凸の最大高さは、下地ガラス
基板に形製された凹凸とその上部に成膜されたＣｒ、ゲ
ート絶縁膜、半導体層及び、ドーピング層、Ｃｒの積層
膜で形成された凹凸の高さの融合で決まり、反射板凹凸
の高さをＴＦＴ素子の膜厚に依存せず高くすることがで
きる。さらに、その上部を有機系絶縁膜３０で１μmの
膜厚で覆うことにより、凹凸傾斜角度を滑らかにでき
る。

【００８３】その結果、本実施例で得られた反射板の性
能は、広い視野角度の範囲で、より強い反射強度を有し
た。この反射板を反射型液晶表示装置に応用した場合、
実用上十分明るく、新聞紙に匹敵する白表示を有するモ
ノクロ反射型パネルを低コストで、実現した。また、対
向側基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを設置すること
で、明るいカラー反射型パネルを低コストで実現でき
る。

【００８４】なお、本実施例においても、ＴＦＴ素子部
及び凹凸部と反射画素電極板との間の層間絶縁膜とし
て、ポジ型感光型有機系絶縁膜を使用したが、これに限
定されるものではない。例えば、ネガ型感光性有機膜と
して、東レ製フォトニースＵＲ３８００、感光性無機膜
として、日産化学製ＨＭ−５００１を用いても同様の効
果が期待できる。また、感光性を有さない有機膜（例え
ば、日産化学製ＲＮ−８１２）あるいは、無機膜（例え
ば日産化学製ＮＴ−Ｌ６００８）を用いても、レジスト
塗布、現像、剥離プロセスが増えるが、本実施例と同様
の反射型液晶表示装置が得られる。

【００８５】また、本実施例では、ガラス基板を削るこ
とで、下部凹凸を形成したが、実施例４に記載するよう
に、ガラス基板上部に有機あるいは無機系絶縁膜の凹凸
形成層を設けて、これを削ることで、下部凹凸を形成し
た場合にも同様の効果が得られる。

【００８６】（実施例６）実施例６に用いた反射型液晶
表示装置の製造工程を図８に示す。本実施例は、上記記
載の実施例１における反射型液晶表示素子のアクティブ
マトリクスス駆動素子である逆スタガー構造薄膜トラン
ジスタの代わりに、順スタガー構造薄膜トランジスタを
採用することで、実施例１のプロセスよりもさらに少な
いプロセス数で、明るい反射型液晶表示装置を提供する
ものである。

【００８７】本実施例における反射型液晶表示装置の製
造プロセスを説明する。（ａ）ガラス基板上５にＣｒ金属をスパッタリング法に
より５０nm形成し、ソース電極８、ドレイン電極９及び
信号線をＣｒ金属により形成する（１ＰＲ目）。（ｂ）ドーピング層、半導体層１７、ゲート絶縁膜１６
をプラズマＣＶＤにより連続成膜を行った。このとき、
ドーピング層には、リン原子を混入しｎ型化されたアモ
ルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層を１００nm、そし
て半導体層には、アモルファスシリコン層を１００nm、
ゲート絶縁膜には、シリコン酸化膜を３００nm、シリコ
ン窒化膜を１００nm、成膜した。（ｃ）Ｃｒ金属をスパッタリング法により５０nm形成
し、ゲート電極１５とＴＦＴ素子部６のアイランド及
び、凹凸２１を形成する（２ＰＲ目）。（ｄ）アルミニウムをスパッタリング法により３００nm
形成し、反射板１０を形成する（３ＰＲ目）。

【００８８】本実施例で、プラズマＣＶＤ法により成膜
した、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファス
シリコン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜の成膜条件
は、全て、実施例１と同一とした。また、ＴＦＴ素子ア
イランド６形成及び、凹凸２１形成のための、クロム、
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファスシリコ
ン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜のエッチング法、及
びその条件も実施例１と同一とした。

【００８９】本実施例においても、反射板表面に形成さ
れる凹凸は、上記（ｃ）のＴＦＴ素子部形成と同時に形
成することで、プロセスの簡略化を図ることができる。
特に、アクティブマトリクス駆動素子に順スタガー構造
ＴＦＴ６を用いたため、前記記載の逆スタガー構造ＴＦ
Ｔに比べて、さらにＰＲ工程数を減少することができ
る。本実施例の全ＰＲ数は３となり、従来の６ＰＲに比
べて、半減する。このときの凹凸には、下部より、クロ
ム／シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／アモルファスシ
リコン膜／ｎ型アモルファスシリコン膜／クロムの積層
膜が利用されている。そのため、本実施例の場合も、該
凹凸の高さは、前記膜の膜厚で決まり、７００nm程度と
なっている。

【００９０】なお、上記（ｃ）で形成された凹凸の平面
形状及び配置はランダムとなっている。

【００９１】また、凹凸形成では、その形状をマスクす
るためのレジスト層及び露光条件を変化させることで、
凹凸側壁のテーパ化ができる。本実施例で得られた凹凸
の傾斜角度は、５〜１５度の範囲で設定した。反射板の
開口率は、７０〜８０％と設定した。

【００９２】上記のとおり作成した下部側基板と、ＩＴ
Ｏで形成された透明電極を有する対向側基板１を、各々
の膜面が対向するようにして重ね合わせた。なお、下部
側基板の反射板と対向側基板の透明電極の表面には、配
向処理が施され、両基板はプラスチック粒子等のスペー
サを介して、パネル周辺部にエポキシ系の接着剤を塗る
ことにより、張り合わされた。その後ＧＨ型の液晶を注
入し液晶層とすることで、液晶表示装置を製造した。実
用上十分明るく、新聞紙に匹敵する白表示を有するモノ
クロ反射型パネルを低コストで、実現した。また、対向
側基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを設置することで、
明るいカラー反射型パネルを低コストで実現できる。

【００９３】なお、本実施例の凹凸の高さは、７００nm
程度となっているが、これに限定されるものではない。
凹凸高さは、電極金属、絶縁層、半導体層の膜厚を変え
ることで、自由に設定できる。

【００９４】（実施例７）本発明の実施例に用いた反射
型液晶表示装置の製造工程を図１７に示す。本発明は、
上記記載の実施例２における反射型液晶表示素子のアク
ティブマトリクス駆動用スイッチング素子である逆スタ
ガー構造薄膜トランジスタの代わりに、順スタガー構造
薄膜トランジスタを採用したものである。すなわち、実
施例６の反射型液晶表示素子における反射板と凹凸の間
に絶縁層を新たに設けたものである。

【００９５】本実施例における反射型液晶表示装置の製
造プロセスは、（ｄ）の工程以外は実施例６と同様であ
る。

【００９６】（ｃ）までを実施例６と同様に行う。（ｄ）絶縁膜３０を成膜し、コンタクトホール４９を形
成する（３ＰＲ目）。（ｅ）アルミニウムをスパッタリング法により３００nm
形成し、反射板１０を形成する（４ＰＲ目）。

【００９７】本実施例で、プラズマＣＶＤ法により成膜
した、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファス
シリコン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜の成膜条件
は、全て、実施例１と同一とした。また、ＴＦＴ素子ア
イランド５００７―８形成及び、凹凸２１形成のため
の、クロム、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモル
ファスシリコン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜のエッ
チング法、及びその条件も実施例１と同一とした。

【００９８】本実施例においても、前記実施例６と同様
に、反射板表面に形成される凹凸は、上記（ｃ）のＴＦ
Ｔ素子部形成と同時に形成し、アクティブマトリクス駆
動素子に順スタガー構造ＴＦＴを用いたため、実施例２
に記載の逆スタガー構造ＴＦＴに比べて、さらにＰＲ工
程数を減少することができる。

【００９９】凹凸２１上に形成した有機系絶縁膜には、
日産化学ＲＮ−９０１の感光性ポリイミド膜を用いた。
形成条件は、実施例２と同一とした。上記凹凸２１の上
部を有機系絶縁膜３０で１μm の膜厚で覆うことによ
り、凹凸傾斜角度を滑らかにしている。その結果、実施
例２で得られた反射板と同様に、本実施例の場合も、広
い視野角度の範囲で、より強い反射強度を有する反射板
が得られた。

【０１００】なお、本実施例の場合、ＰＲ数は、前記記
載の実施例６の全ＰＲ数３に比べて、＋１増加して、４
ＰＲ数となる。しかし、従来の６ＰＲより少ない工程数
で反射型液晶表示装置を提供できる。

【０１０１】また、本実施例で用いた反射板表面に有す
る凹凸の平均傾斜角度は１０度とした。

【０１０２】なお、上記（ｃ）で形成された凹凸の平面
形状及び位置は、ランダムとなっている。

【０１０３】さらに、反射板１０は、下部側基板側の最
上層に位置することから、該反射板面積を最大限に大き
くでき、その結果、開口率は、８０〜９０％を占めるこ
とから、光輝度反射板を実現できた。

【０１０４】その後、前記記載の実施例６と同様に、液
晶表示装置を製造し、同様の効果を得た。

【０１０５】なお、本実施例では、ＴＦＴ素子部及び凹
凸部と反射画素電極板との間の層間絶縁膜として、ポジ
型感光型有機系絶縁膜を使用した。層間絶縁膜に感光性
を有さない有機系絶縁膜を用いた場合に於いても、同様
の効果が期待できる。ただし、感光性を有する場合と有
さない場合とでは、プロセス工程数が大きく異なる。図
１８に、感光性膜を用いた場合と、感光性を有さないポ
リイミド膜を用いた場合のプロセス工程図を示す。感光
性絶縁膜を用いた場合、（ａ）成膜、（ｂ）露光、
（ｃ）エッチング工程と、僅か３工程で済むが、感光性
を有さない絶縁膜の場合、通常のレジストプロセス処理
を行うために、（ａ）絶縁膜成膜、（ｅ）レジスト塗
布、（ｆ）露光、（ｇ）現像、（ｈ）エッチング、
（ｉ）レジスト剥離と６工程も必要となる。そのため、
プロセスの簡略化の為には、感光性絶縁膜の使用が有効
である。

【０１０６】その他の感光性膜として、実施例２でも既
に示した、ネガ型感光性有機膜として、東レ製フォトニ
ースＵＲ３８００、感光性無機膜として、日産化学製Ｈ
Ｍ−５００１を用いても同様の効果が期待できる。

【０１０７】（実施例８）本発明の実施例に用いた反射
型液晶表示装置の製造工程を図１９に示す。本実施例
は、上記記載の実施例３における反射型液晶表示素子の
アクティブマトリクスス駆動用スイッチング素子である
逆スタガー構造薄膜トランジスタの代わりに、順スタガ
ー構造薄膜トランジスタを採用した。

【０１０８】順スタガー構造薄膜トランジスタの製造プ
ロセスは実施例６と同様に行った。（ａ）ガラス基板上５にＣｒ金属をスパッタリング法に
より５０nm形成し、ソース電極８、ドレイン電極９及び
信号線をＣｒ金属により形成する（１ＰＲ目）。（ｂ）ドーピング層、半導体層１７、ゲート絶縁膜１６
をプラズマＣＶＤにより連続成膜を行った。このとき、
ドーピング層には、リン原子を混入しｎ型化されたアモ
ルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層を１００nm、そし
て半導体層には、アモルファスシリコン層を１００nm、
ゲート絶縁膜には、シリコン酸化膜を３００nm、シリコ
ン窒化膜を１００nm、成膜した。（ｃ）Ｃｒ金属をスパッタリング法により５０nm形成
し、ゲート電極１５とＴＦＴ素子部６のアイランド及
び、凹凸２１を形成する（２ＰＲ目）。

【０１０９】ガラス基板５のエッチング工程以降は実施
例３と同様に行った。（ｄ）（ｃ）において、ＴＦＴ素子のアイランド化及
び、凹凸形成のために、Ｃｒ／シリコン酸化膜／シリコ
ン窒化膜／アモルファスシリコン膜／ｎ型化アモルファ
スシリコン膜／Ｃｒをエッチングした後、連続的に下地
のガラス基板のエッチングを行う。５０％ふっ化水素酸
水溶液を用いて、ガラス基板を１μm エッチングした。
その結果、下部のガラス基板凹凸と上部の凹凸を合わせ
て、最大１．７μm の高さを有する凹凸が形成された。（ｅ）アルミニウムをスパッタリング法により３００nm
形成し、反射板１０を形成した（３ＰＲ目）。

【０１１０】その後、前記の実施例６に記載の製造プロ
セスを用いて、反射型液晶表示装置の製造を行った。

【０１１１】本実施例では、ガラス基板５をもエッチン
グすることにより、凹凸１５３の高さをＴＦＴ素子の膜
厚に依存せず高くすることができる。したがって、ＰＲ
数を増やすことなく、高性能ＴＦＴを得るための最適膜
厚に設定でき、かつ、良好な反射性能を得るために必要
な凹凸の高さも得ることができる。

【０１１２】その結果、実用上十分明るく、新聞紙に匹
敵する白表示を有するモノクロ反射型パネルを低コスト
で、実現した。また、対向側基板側に、ＲＧＢカラーフ
ィルタを設置することで、明るいカラー反射型パネルを
低コストで実現できた。

【０１１３】なお、本実施例では、第一の凹凸構造は、
ガラス基板のエッチングにより得られたが、ガラス基板
上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機膜、ある
いはポリイミド膜等の有機膜を形成し、これをエッチン
グすることで、第一の凹凸構造を形成しても、同様の効
果が期待できる。

【０１１４】（実施例９）本発明の実施例に用いた反射
型液晶表示装置の製造工程を図２０に示す。本発明は、
上記記載の実施例５における反射型液晶表示素子のアク
ティブマトリクスス駆動用スイッチング素子である逆ス
タガー構造薄膜トランジスタの代わりに、順スタガー構
造薄膜トランジスタを採用した。

【０１１５】順スタガー構造薄膜トランジスタの製造工
程は実施例６と同様に行い、反射板と凹凸の間の絶縁膜
の形成は実施例５と同様に行った。

【０１１６】なお、本実施例では、第一の凹凸構造は、
ガラス基板のエッチングにより得られたが、ガラス基板
上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機膜、ある
いはポリイミド膜等の有機膜を形成し、これをエッチン
グすることで、第一の凹凸構造を形成して、本実施例と
同一プロセスにより製造しても、同様の効果が期待でき
る。

【０１１７】（実施例１０）本実施例では、実施例２〜
５、７〜１０に記載の製造工程と同様に製造された反射
型液晶表示装置のコンタクトホールを各々の画素内部で
異なる位置に配置して、該コンタクトホール部の凹部も
反射板表面の不規則な凹凸構造の一部とすることで、明
るい反射型液晶表示装置を提供するものである。

【０１１８】本実施例では、凹凸の上部に感光性ポリイ
ミド膜（日産化学ＲＮ−９０２）をアクティブマトリク
ス駆動素子及び配線上に形成し、反射板がアクティブマ
トリクス駆動素子を覆うように形成し、且つ前記反射板
は画素電極の機能を有し、コンタクトホールにより前記
アクティブマトリクス駆動素子と電気的に接続した。

【０１１９】このコンタクトホール形成に使用されるマ
スクパターンは、各々の画素内部で異なる位置に配置し
た。このマスクを使用して、感光性ポリイミド膜に露
光、現像することで、コンタクトホール部の形成を行っ
た。これにより、ポリイミド膜を介して、反射板とアク
ティブマトリクス駆動素子を電気的に接続するための反
射板下部に位置するコンタクトホール位置が、画素ごと
に不規則に配置された。なお、本実施例では、一辺１０
μm の正方形パターンをコンタクト形状として採用した
が、これに限定されるものではない。

【０１２０】図７（ａ）にコンタクトホール位置が周期
的である場合、図７（ｂ）にコンタクトホール位置が不
規則である場合の平面図を示す。（ａ）では、ホール部
４９が表示画素サイズで周期的に配置されるため、パネ
ル表示は、該ホール部の平坦部が観察される。これに対
して、本実施例（ｂ）はコンタクトホール位置４９を、
各画素内部領域で変化させることで、コンタクトホール
部の凹部も反射板表面の不規則な凹凸構造の一部とな
り、ホール部が認識されないことにより、良好な反射板
性能が提供された。

【０１２１】（実施例１１）本実施例では、実施例２で
示したアクティブマトリクス駆動素子に逆スタガー構造
薄膜トランジスタを用いる反射型液晶表示装置のデータ
線からの書き込み印加電圧を次の書き込みまで保持する
ための液晶との並列容量の作製を示す。本実施例で作製
した反射型液晶表示装置の蓄積容量線及びゲートストレ
ージ線を有する場合断面構造図を図２１に示す。

【０１２２】本実施例では、実施例２の製造工程（ａ）
の工程において、ゲート電極１５と凹凸２１用のＣｒパ
ターンを形成すると同時に、蓄積容量線用あるいは、ゲ
ートストレージ線用のＣｒパターン２１１を形成するこ
と以外は実施例２と同様に作製した。それゆえ、絶縁膜
３０を介して反射板１０と蓄積容量線またはゲートスト
レージ線２１１の間で蓄積容量Ｃを設けることができ
る。

【０１２３】上記、並列容量の作製は、実施例２の製造
工程（ａ）の工程で使用するマスクを変更するだけで、
アクティブマトリクス駆動素子と凹凸の製造プロセス
で、上記蓄積容量及びゲートストレージ用パターンも同
時に形成できる。

【０１２４】さらに、並列容量形状による反射板表面の
最適凹凸構造を乱さないために、蓄積容量線及び、ゲー
トストレージ線の平面形状は、パターニングに用いたマ
スクパターンを不規則形状とすることで、不規則形状と
した。ただし、個々の画素内の容量値が同一となるよう
に不規則形状を決定した。

【０１２５】本実施例においても、アクティブマトリク
ス駆動素子と凹凸の製造プロセスで同時に形成でき、並
列容量の平面形状は、不規則形状とすることにより、反
射板性能を劣化させずかつ、製造工程数を増加させるこ
となく、並列容量が形成でき、これにより、実用上、明
るく、みやすい、優れた表示性能を有する反射型液晶表
示装置を提供できた。

【０１２６】（実施例１２）本実施例では、実施例２で
示したアクティブマトリクス駆動素子に逆スタガー構造
薄膜トランジスタを用いる反射型液晶表示装置のデータ
線からの書き込み印加電圧を次の書き込みまで保持する
ための液晶との並列容量の作製を示す。本実施例で作製
した反射型液晶表示装置の蓄積容量線を有する場合の断
面構造図を図２２に示す。

【０１２７】本実施例では、実施例２の製造工程（ｄ）
の工程において、ソース電極８、ドレイン電極９と凹凸
用のＣｒパターン２１を形成すると同時に、蓄積容量線
用のＣｒパターン２２１を形成すること以外は実施例２
と同様に作製した。それゆえ、絶縁膜３０を介して反射
板１０と蓄積容量線２２１の間で蓄積容量Ｃを設けるこ
とができる。

【０１２８】上記、並列容量の作製は、実施例２の製造
工程（ｄ）の工程で使用するマスクを変更するだけで、
アクティブマトリクス駆動素子と凹凸の製造プロセス
で、上記蓄積容量用パターンも同時に形成できる。

【０１２９】さらに、該並列容量形状による反射板表面
の最適凹凸構造を乱さないために、蓄積容量線の平面形
状は、パターニングに用いたマスクパターンを不規則形
状とすることで、不規則形状とした。ただし、個々の画
素内の蓄積容量値が同一となるように不規則形状を決定
する。

【０１３０】本実施例に於いても、アクティブマトリク
ス駆動素子と凹凸の製造プロセスで同時に形成でき、並
列容量の平面形状は、不規則形状とすることにより、反
射板性能を劣化させずかつ、製造工程数を増加させるこ
となく、並列容量が形成でき、これにより、実用上、明
るく、みやすい、優れた表示性能を有する反射型液晶表
示装置を提供できた。

【０１３１】（実施例１３）本実施例では、実施例２で
示したアクティブマトリクス駆動素子に逆スタガー構造
薄膜トランジスタを用いる反射型液晶表示装置のデータ
線からの書き込み印加電圧を次の書き込みまで保持する
ための液晶との並列容量の作製を示す。本実施例で作製
した反射型液晶表示装置の蓄積容量線を有する場合の断
面構造図を図２３に示す。

【０１３２】本実施例では、実施例２の製造工程（ｄ）
の工程において、ソース電極８、ドレイン電極９と凹凸
用のＣｒパターン２１を形成すると同時に、蓄積容量線
用のＣｒパターン２３１を形成する。そして、製造工程
（ｅ）のコンタクトホール４９形成時において、ソース
・ドレイン電極と同層に形成された蓄積容量線用のＣｒ
パターン２３１と反射板１０のコンタクト部２３２を形
成し、これを電気的に接続する以外は、実施例２と同様
に作製した。これにより、ゲート絶縁膜１６を介して反
射板１０と蓄積容量線用Ｃｒパターン２３３の間で蓄積
容量Ｃを設けることができる。

【０１３３】上記、並列容量の作製は、実施例２の製造
工程（ｄ）と（ｅ）の工程で使用するマスクを変更する
だけで、アクティブマトリクス駆動素子と凹凸の製造プ
ロセスで、上記蓄積容量用パターンも同時に形成でき
る。

【０１３４】さらに、並列容量形状による反射板表面の
最適凹凸構造を乱さないために、蓄積容量線の平面形状
は、パターニングに用いたマスクパターンを不規則形状
とすることで、不規則形状とした。ただし、個々の画素
内の蓄積容量値が同一となるように不規則形状を決定す
る。

【０１３５】本実施例に於いても、アクティブマトリク
ス駆動素子と凹凸の製造プロセスで同時に形成でき、該
並列容量の平面形状は、不規則形状とすることにより、
反射板性能を劣化させずかつ、製造工程数を増加させる
ことなく、並列容量が形成でき、これにより、実用上、
明るく、みやすい、優れた表示性能を有する反射型液晶
表示装置を提供できた。

【０１３６】（実施例１４）図２４に、本実施例の反射
型液晶表示装置の断面図を示す。この実施例では、実施
例１３で、蓄積容量線用Ｃｒパターンのうち、ゲート電
極と同窓のＣｒパターン２３３と反射板１０とをコンタ
クト部２３２で接続している。

【０１３７】これにより、ＴＦＴ素子時に形成されたゲ
ート絶縁膜１６を介して反射板１０と蓄積容量線２３１
の間で蓄積容量Ｃを設けることができる。

【０１３８】上記、並列容量の作製は、実施例２の製造
工程（ｄ）と（ｅ）の工程で使用するマスクを変更する
だけで、アクティブマトリクス駆動素子と凹凸の製造プ
ロセスで、上記蓄積容量用パターンも同時に形成でき
る。

【０１３９】さらに、並列容量形状による反射板表面の
最適凹凸構造を乱さないために、蓄積容量線の平面形状
は、パターニングに用いたマスクパターンを不規則形状
とすることで、不規則形状とした。ただし、個々の画素
内の蓄積容量値が同一となるように不規則形状を決定す
る。

【０１４０】本実施例に於いても、アクティブマトリク
ス駆動素子と凹凸の製造プロセスで同時に形成でき、並
列容量の平面形状は、不規則形状とすることにより、反
射板性能を劣化させずかつ、製造工程数を増加させるこ
となく、並列容量が形成でき、これにより、実用上、明
るく、みやすい、優れた表示性能を有する反射型液晶表
示装置を提供できた。

【０１４１】（実施例１５）本実施例では、実施例６で
示したアクティブマトリクス駆動素子に順スタガー構造
薄膜トランジスタを用いる反射型液晶表示装置のデータ
線からの書き込み印加電圧を次の書き込みまで保持する
ための液晶との並列容量の作製を示す。本実施例で作製
した反射型液晶表示装置の蓄積容量線、あるいは、ゲー
トストレージ線を有する場合の断面構造図を図２５に示
す。

【０１４２】本実施例では、実施例６の製造工程（ｃ）
の工程において、ゲート電極１５と凹凸用のＣｒパター
ン２１を形成すると同時に、蓄積容量線用あるいは、ゲ
ートストレージ線用のＣｒパターン２５１を形成するこ
と以外は実施例６と同様に試作した。それゆえ、絶縁膜
３０を介して反射板１０と蓄積容量線またはゲートスト
レージ線２５１の間で蓄積容量Ｃを設けることができ
る。

【０１４３】上記、並列容量の作製は、実施例２の製造
工程（ｃ）の工程で使用するマスクを変更するだけで、
アクティブマトリクス駆動素子と凹凸の製造プロセス
で、上記蓄積容量及びゲートストレージ用パターンも同
時に形成できる。

【０１４４】さらに、並列容量形状による反射板表面の
最適凹凸構造を乱さないために、蓄積容量線及び、ゲー
トストレージ線の平面形状は、パターニングに用いたマ
スクパターンを不規則形状とすることで、不規則形状と
した。ただし、個々の画素内の容量値が同一となるよう
に不規則形状を決定した。

【０１４５】本実施例に於いても、アクティブマトリク
ス駆動素子と凹凸の製造プロセスで同時に形成でき、該
並列容量の平面形状は、不規則形状とすることにより、
反射板性能を劣化させず且つ、製造工程数を増加させる
ことなく、並列容量が形成でき、これにより、実用上、
明るく、みやすい、優れた表示性能を有する反射型液晶
表示装置を提供できた。

【０１４６】（実施例１６、１７、１８）順スタガー構
造薄膜トランジスタを用いた場合にも、逆スタガー構造
薄膜トランジスタを用いた例で示した蓄積容量線のいく
つかのバリエーションが、考えられる。

【０１４７】図２６、図２７、図２８に、実施例１６、
１７、１８の反射型液晶表示装置の断面図を示す。

【０１４８】実施例１６では、ソース、ドレイン電極と
同層に設けたＣｒパターン２１１と反射板１０とで、蓄
積容量Ｃを形成している。

【０１４９】実施例１７では、ゲート電極と同層に形成
されたＣｒパターン２３１と反射板１０とをコンタクト
部２３２で接続し、これとソース、ドレイン電極と同層
に設けたＣｒパターン２３３とで蓄積容量Ｃを形成して
いる。

【０１５０】実施例１８では、ソース、ドレイン電極と
同層に形成されたＣｒパターン２３３と反射板１０とを
コンタクト部２３２で接続し、これとゲート電極と同層
に設けたＣｒパターン２３１とで蓄積容量Ｃを形成して
いる。

【０１５１】実施例１１〜１８では、ＴＦＴ素子作成時
に成膜された膜と、その上に形成された絶縁膜により凹
凸が形成されているが、ガラス基板またはガラス基板上
に形成された絶縁膜をもエッチングすることにより凹凸
を形成した場合にも、上記並列容量の提供ができる。

【０１５２】（実施例１９）本発明の実施例に用いた反
射型液晶表示装置の製造工程を図２９に示す。既に実施
例１〜実施例１０に記載の本発明の反射型液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス駆動素子には、薄膜トラ
ンジスタが使用されてきたがこれに限定されるものでは
ない。本実施例では、アクティブマトリクス駆動素子に
ＭＩＭダイオードを採用した場合について示す。

【０１５３】本実施例における反射型液晶表示装置の製
造プロセスの場合、下部基板としては、ガラス基板を用
いた。ガラス基板の上に、Ｃｒを５０nmスパッタ法によ
り成膜し、通常のフォトレジスト法によりパターニング
しリード電極２９１および凹凸パターン２９２を作成し
た（ａ）。その後、プラズマＣＶＤ法を用いて絶縁層と
してＳｉＮｘ膜を５００nm成膜し、通常のフォトレジス
ト法によりパターニングし、ＭＩＭ素子部の絶縁層部２
９３及び反射板の凹凸２９４を形成した（ｂ）。さら
に、アルミニウムをスパッタリング法により３００nm成
膜し、反射板１０の形成を行う。

【０１５４】その後、上記ＭＩＭ素子を作製したガラス
基板５と、透明導電膜のＩＴＯ２９５が、リード電極２
９１と直交する方向に短冊状に形成した対向側基板２９
６を、各々の膜面が対向するようにして重ね合わせた。
なお、ＭＩＭ素子を形成したガラス基板５と対向側基板
２９６には、配向処理が施され、両基板はプラスチック
粒子等のスペーサを介して、パネル周辺部にエポキシ系
の接着剤を塗ることにより、張り合わされた。その後Ｇ
Ｈ型液晶１１を注入し液晶層とすることで、液晶表示装
置を製造した。実用上十分明るく、新聞紙に匹敵する白
表示を有するモノクロ反射型パネルを低コストで、実現
した。また、対向側基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを
設置することで、明るいカラー反射型パネルを低コスト
で実現できる。

【０１５５】（実施例２０）本発明の実施例に用いた反
射型液晶表示装置の製造工程を図３０に示す。本実施例
は、実施例１９にさらにガラス基板をエッチングし、凹
凸高さを高くしたものである。

【０１５６】本実施例における反射型液晶表示装置の製
造工程は、（ｃ）の工程以外は実施例１９と同様である
ので記載を省略する。（ｂ）の工程で通常のフォトレジ
スト法によりパターニングし、窒化シリコン膜をエッチ
ングの後、連続的に下地のガラス基板を１μm エッチン
グする（ｃ）。

【０１５７】その後、前記に記載の実施例１９と同様
に、対向側基板２９６と上記で作製したＭＩＭ素子を形
成したガラス基板５を用いて、液晶表示装置を製造し
た。

【０１５８】本実施例では、ガラス基板をもエッチング
することにより、凹凸の高さをＭＩＭ素子の膜厚に依存
せず高くすることができる。したがって、ＭＩＭ素子の
膜厚を最適化するとともに、凹凸の高さも最適化するこ
とができ、高性能ＭＩＭ素子と高性能反射板が実現でき
る。本実施例の場合においても、実用上十分明るく、新
聞紙に匹敵する白表示を有するモノクロ反射型パネルを
低コストで、実現した。また、対向側基板側に、ＲＧＢ
カラーフィルタを設置することで、明るいカラー反射型
パネルを低コストで実現できる。

【０１５９】（実施例２１）図３１に本実施例で製造し
た反射型液晶表示装置のＭＩＭ素子を形成したガラス基
板断面図を示す。

【０１６０】本実施例では、前記に記載の実施例２０の
図３０（ｃ）のＭＩＭ素子部の絶縁層部及び反射板の凹
凸を形成した後、感光性ポリイミド（ＲＮ−９０１）３
１１を塗布、９０℃で仮焼成、露光・現像により、パタ
ーン形成し、２５０℃で３０分間の本焼成を行う。凹
凸、ＭＩＭ素子、リード線上部を該ポリイミド膜で０．
５〜２μm の膜厚で覆う。ＭＩＭ素子と反射板１０とは
コンタクトホール３１２により接続される。

【０１６１】前記実施例に比べて、ＰＲ数は１増加する
が、凹凸傾斜角度を滑らかにでき、反射板の反射性能を
最適にする事ができる。ただし、従来ＭＩＭダイオード
を用いた反射型液晶表示装置よりも低コストで実現でき
る。

【０１６２】その後、前記に記載の実施例１９と同様
に、対向側基板と上記で作製したＭＩＭ素子を形成した
ガラス基板を用いて、液晶表示装置を製造した。本実施
例の場合においても、実用上十分明るく、新聞紙に匹敵
する白表示を有するモノクロ反射型パネルを低コスト
で、実現した。また、対向側基板側に、ＲＧＢカラーフ
ィルタを設置することで、明るいカラー反射型パネルを
低コストで実現できる。

【０１６３】（実施例２２）本発明の実施例に用いた反
射型液晶表示装置の製造工程を図３２に示す。この実施
例では、アクティブマトリクス駆動素子として、ＭＩＭ
ダイオードを採用し、そのリード電極にＴａを用いた。
以下に製造工程を詳しく説明する。

【０１６４】ガラス基板５の上に、リード電極２９１と
してＴａを５００nmスパッタ法により作成し、リード電
極２９１と凹凸パターン２９２とを同時に形成した
（ａ）。その後、リード線２９１を、０．１ｗｔ％のク
エン酸水溶液に浸し、２Ｖの定電圧を印加することで、
陽極酸化を行った。これにより、リード電極の表面部分
が陽極酸化絶縁薄膜３２１で覆われる。なお、この陽極
酸化層膜厚は２００nmとした（ｂ）。その後、絶縁膜と
してＳｉＯ₂膜３２２を６００nm蒸着した。酸化シリコ
ン層をエッチングすることで、ＭＩＭダイオード領域の
アイランド化３２２と凹凸３２３の形成を同時に行う
（ｃ）。その後、アルミニウムをスパッタリング法によ
り３００nm成膜し、反射板１０の形成を行う（ｄ）。

【０１６５】その後、前記に記載の実施例１９と同様
に、対向側基板と上記で作製したＭＩＭ基板を用いて、
液晶表示装置を製造した。本実施例の場合においても、
実用上十分明るく、新聞紙に匹敵する白表示を有するモ
ノクロ反射型パネルを低コストで、実現した。また、対
向側基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを設置すること
で、明るいカラー反射型パネルを低コストで実現でき
る。

【０１６６】（実施例２３）本発明の実施例に用いた反
射型液晶表示装置の製造工程を図３３に示す。

【０１６７】本実施例では、実施例２２でリード電極を
形成した後、連続的に下地のガラス基板を１μm エッチ
ングする。その後、実施例２２と同様の方法で、Ｔａを
陽極酸化し、リード電極の表面部分を陽極酸化絶縁膜３
２１で覆う。その後、アルミニウムをスパッタリング法
により３００nm成膜し、反射板１０の形成を行う。

【０１６８】その後、前記に記載の実施例１９と同様
に、対向側基板と上記で作製したＭＩＭ基板を用いて、
液晶表示装置を製造した。本実施例の場合においても、
実用上十分明るく、新聞紙に匹敵する白表示を有するモ
ノクロ反射型パネルを低コストで、実現した。また、対
向側基板側に、ＲＧＢカラーフィルタを設置すること
で、明るいカラー反射型パネルを低コストで実現でき
る。

【０１６９】（実施例２４）本発明の実施例に用いた反
射型液晶表示装置の製造工程を図３４に示す。

【０１７０】本実施例では、実施例２３で陽極酸化を行
う工程まで、同様に行い、その後、有機系あるいは無機
系絶縁膜３１１を形成して、コンタクトホール３１２を
形成した後、アルミニウムをスパッタリング法により３
００nm成膜し、反射板１０の形成を行う。有機系あるい
は無機系絶縁膜としては、感光性ポリイミドを用いた。

【０１７１】感光性ポリイミド（ＲＮ−９０１）は塗布
後、９０℃で仮焼成、露光・現像により、パターン形成
し、２５０℃で３０分間の本焼成を行う。凹凸、ＭＩＭ
素子、リード線上部をポリイミド膜で０．５〜２μm の
膜厚で覆う。

【０１７２】前記実施例に比べて、ＰＲ数は１増加する
が、凹凸傾斜角度を滑らかにでき、反射板の反射性能を
最適にする事ができる。ただし、従来ＭＩＭダイオード
を用いた反射型液晶表示装置よりも低コストで実現でき
る。

【０１７３】その後、前記に記載の実施例１９と同様
に、対向側基板と上記で作製したＭＩＭ素子を形成した
ガラス基板を用いて、液晶表示装置を製造した。本実施
例の場合においても、実用上十分明るく、新聞紙に匹敵
する白表示を有するモノクロ反射型パネルを低コスト
で、実現した。また、対向側基板側に、ＲＧＢカラーフ
ィルタを設置することで、明るいカラー反射型パネルを
低コストで実現できる。

【０１７４】

【発明の効果】本発明に従えば、反射型液晶表示装置の
反射性能を決める反射板表面凹凸は、アクティブマトリ
クス駆動素子製造において、成膜された絶縁膜、半導体
膜、電極金属の単層及び積層膜をアクティブマトリクス
駆動素子のパターン形成と同時に凹凸の元となるパター
ン形成を行うことで、低コストで、且つ良好な表示性能
を有する反射型液晶示装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の逆スタガー構造ＴＦＴを用いた反射型
液晶表示装置の下部側基板の製造工程図。

【図２】本発明の逆スタガー構造ＴＦＴを用いた反射型
液晶表示装置の断面構造図。

【図３】本発明の絶縁性基板をエッチングして凹凸形成
した逆スタガーＴＦＴを用いた反射型液晶表示装置の断
面構造図。

【図４】反射板凹凸が周期構造の反射特性を示す図。

【図５】反射板凹凸が不規則構造の反射特性を示す図。

【図６】反射性能評価システムの概略図。

【図７】従来技術と本発明のコンタクトホール位置の説
明図。

【図８】本発明の順スタガー構造ＴＦＴを用いた反射型
液晶表示装置の下部側基板の製造工程図。

【図９】本発明の実施例の反射板凹凸表面の断面図。

【図１０】本発明の実施例の液晶表示装置の断面図。

【図１１】本発明の実施例２の下部側基板の製造工程
図。

【図１２】絶縁膜を有さない反射板の反射性能を示す
図。

【図１３】本発明の実施例２の絶縁膜を有する反射板の
反射性能を示す図。

【図１４】本発明の実施例３の下部側基板の製造工程
図。

【図１５】本発明の実施例４の下部側基板の断面図。

【図１６】本発明の実施例５の断面図。

【図１７】本発明の実施例７の下部側基板の製造工程
図。

【図１８】感光性絶縁膜と通常の絶縁膜の場合の製造工
程の違いを示す説明図。

【図１９】本発明の実施例８の下部側基板の製造工程
図。

【図２０】本発明の実施例９の下部側基板の製造工程
図。

【図２１】本発明の実施例９の凹凸形成層を設けた場合
の下部側基板の断面図。

【図２２】本発明の実施例１２の下部側基板の断面図。

【図２３】本発明の実施例１３の下部側基板の断面図。

【図２４】本発明の実施例１４の下部側基板の断面図。

【図２５】本発明の実施例１５の下部側基板の断面図。

【図２６】本発明の実施例１６の下部側基板の断面図。

【図２７】本発明の実施例１７の下部側基板の断面図。

【図２８】本発明の実施例１８の下部側基板の断面図。

【図２９】本発明の実施例１９の下部側基板の製造工程
図。

【図３０】本発明の実施例２０の下部側基板の製造工程
図。

【図３１】本発明の実施例２１の下部側基板の断面図。

【図３２】本発明の実施例２２の下部側基板の製造工程
図。

【図３３】本発明の実施例２３の下部側基板の製造工程
図。

【図３４】本発明の実施例２４の下部側基板の製造工程
図。

【図３５】従来の反射型液晶表示装置の断面図。

【図３６】従来の反射型液晶表示装置の下部側基板の製
造工程図。

【符号の説明】

１対向側基板２対向側ガラス基板３透明電極４下部側基板５ガラス基板６ＴＦＴ７ポリイミド膜８ソース電極９ドレイン電極１０反射板１１液晶層１２入射光１３反射光１４凹凸形状１５ゲート電極１６ゲート絶縁膜１７半導体層１８ポリイミド表面凹凸４９コンタクトホール２０凹凸パターン２１凹凸パターン２２アイランド３０絶縁膜４０凹凸４１凹凸最大高さ７１ソース信号線７２ゲート信号線９１側壁部９２テーパ部９３凹凸傾斜角度１０１接着剤１４１凹凸パターン１５１絶縁層１５２絶縁層凹凸部１５３全凹凸部２１１蓄積容量線またはゲートストレージ線用Ｃｒパ
ターン２２１蓄積容量線２３１蓄積容量線２３２蓄積容量用コンタクトホール２３３蓄積容量線下部電極２５１蓄積容量線あるいはゲートストレージ線２９１リード電極２９２凹凸用Ｃｒ２９３絶縁層２８４凹凸２９６対向側基板３０１ガラス凹凸部３１１絶縁層３１２コンタクトホール３２２酸化シリコン膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アクティブマトリクス駆動素子と表面に凹
凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を有
する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる反
射型液晶表示装置において、前記アクティブマトリクス
駆動素子の製造工程で成膜された金属膜、絶縁膜、半導
体膜のうちの少なくとも１つをパターニングして形成し
た凹凸が、前記反射板下に形成されていることを特徴と
する反射型液晶表示装置。
【請求項２】アクティブマトリクス駆動素子と表面に凹
凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を有
する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる反
射型液晶表示装置において、前記アクティブマトリクス
駆動素子の製造工程で成膜された金属膜、絶縁膜、半導
体膜のうちの少なくとも１つをパターニングして形成し
た凹凸と、この凹凸上に成膜された絶縁膜とが、前記反
射板下に形成されていることを特徴とする反射型液晶表
示装置。
【請求項３】アクティブマトリクス駆動素子と表面に凹
凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を有
する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる反
射型液晶表示装置において、前記反射板下には、前記絶
縁性基板をパターニングして形成した凹凸と、この凹凸
上にこの凹凸の周期と合わせて形成した、前記アクティ
ブマトリクス駆動素子の製造工程で成膜された金属膜、
絶縁膜、半導体膜のうちの少なくとも１つをパターニン
グして形成した凹凸とが形成されていることを特徴とす
る反射型液晶表示装置。
【請求項４】アクティブマトリクス駆動素子と表面に凹
凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を有
する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる反
射型液晶表示装置において、前記反射板下には、前記絶
縁性基板をパターニングして形成した凹凸と、この凹凸
上にこの凹凸の周期と合わせて形成した、前記アクティ
ブマトリクス駆動素子の製造工程で成膜された金属膜、
絶縁膜、半導体膜のうちの少なくとも１つをパターニン
グして形成した凹凸と、この凹凸上に成膜された絶縁膜
とが形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装
置。
【請求項５】前記反射板下に形成された凹凸の凹凸高
さ、周期、傾斜角度の、少なくとも一つが不規則である
ことを特徴とする請求項１または請求項２または請求項
３または請求項４のいずれか一に記載の反射型液晶表示
装置。
【請求項６】前記凹凸上に形成された絶縁膜が、前記ア
クティブマトリクス駆動素子及び配線上にも形成され、
前記有機系絶縁膜あるいは前記無機系絶縁膜の上部に反
射板が前記アクティブマトリクス駆動素子を覆うように
形成され、かつ前記反射板は画素電極の機能を有し、コ
ンタクトホールにより前記アクティブマトリクス駆動素
子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２
または４記載の反射型液晶表示装置。
【請求項７】前記コンタクトホールの位置は、前記各画
素電極ごとに前記各画素電極内で異なる位置に形成され
ていることを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表
示装置。
【請求項８】前記アクティブマトリクス駆動素子が、順
スタガー構造のトランジスタであることを特徴とする請
求項１乃至７のいずれか一に記載の反射型液晶表示装
置。
【請求項９】絶縁性基板上にアクティブマトリクス駆動
素子を形成するのと同時に、このアクティブマトリクス
駆動素子の製造工程で成膜された金属膜、絶縁膜、半導
体膜のうちの少なくとも１つをパターニングし、反射板
を形成すべき位置にあらかじめ凹凸を形成する工程と、
この凹凸の上に反射板を形成する工程と、このアクティ
ブマトリクス駆動素子と反射板とを形成した絶縁性基板
と、透明電極を有する絶縁性基板とを張り合わせ、液晶
を注入する工程とを含むことを特徴とする反射型液晶表
示装置の製造方法。