JP3107069B2 - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】反射型液晶表示装置は、携帯端末用の表
示装置として利用されている。この液晶表示装置は、外
部から入射した光を液晶表示装置内部に位置する反射板
により反射し、この反射光を表示光源として利用するこ
とで、光源にバックライトを不要とするものである。そ
の結果、反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置よ
りも低消費電力化、薄型化、軽量化を達成できる有効な
手法となっている。

【０００３】現在の反射型液晶表示装置の基本構造は、
ＴＮ（ツイステッドネマテッィク）方式、一枚偏光板方
式、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマテッィク）方
式、ＧＨ（ゲストホスト）方式、ＰＤＬＣ（高分子分
散）方式、コレステリック方式等を用いた液晶と、これ
をスイッチングするための素子と、液晶セル内部あるい
は外部に設けた反射板とからなる。

【０００４】これらの反射型液晶表示装置には、高精細
・高画質を実現できる、薄膜トランジスタあるいは金属
／絶縁膜／金属構造ダイオードをスイッチング素子とし
て用いたアクティブマトリクス駆動方式が採用され、こ
れに反射板が付随した構造となっている。反射型液晶表
示装置の具体的構造例を図２７に示す。

【０００５】対向側基板１は、ガラス基板２、カラーフ
ィルタ３、透明電極４より構成されている。下部側基板
１１は、ガラス基板２上に形成されたアクティブマトリ
クス駆動素子５である逆スタガー構造薄膜トランジスタ
６と、その上部に形成された層間絶縁膜９である有機膜
１０と、薄膜トランジスタのドレイン電極２２に接続す
ることで、反射板１２及び画素電極としての機能を有す
る反射電極板２４とから構成されている。前記対向側基
板と下部側基板の間に、液晶層として、ＧＨ液晶１４が
位置する。液晶表示装置の光源としては、外部からの入
射光１５が、対向側ガラス基板、カラーフィルタ、透明
電極、液晶層を通過し、反射電極板で反射される反射光
１６を利用する。

【０００６】前記反射型液晶表示装置の表示性能には、
液晶透過状態の場合、明るく、かつ白い表示を呈するこ
とが要求される。この表示性能の実現には、様々な方位
からの入射光を効率的に液晶表示装置前方に出射させる
必要がある。それゆえ、有機膜の表面に凹凸を形成する
ことで、反射板表面に凹凸形状を設けており、該反射板
の表面凹凸形状の制御が、表示性能を決めるのに重要と
なる。

【０００７】図２８に従来の反射型液晶表示装置の製造
工程の説明図を示す。この液晶表示装置のトランジスタ
製造工程は、ガラス基板２上部に、ゲート電極１７の形
成、絶縁膜１８、半導体層１９、ドーピング層２０の成
膜、アイランドの形成、ソース電極２１、ドレイン電極
２２の形成を行うことからなり、その後、反射画素電極
の製造工程として、絶縁膜１８の形成、反射板形成領域
への凹凸２５の形成、コンタクトホール２３の形成、反
射画素電極２４の形成が加わる。上記凹凸の形成方法と
しては、有機系絶縁膜へのパターンニングにより行う方
法が既知である。これらの方法は、特公昭６１−６３９
０号公報や、プロシーディングス・オブ・エスアイディ
ー（Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida, Proceedings o
f the SID, Vol.29, 157, 1988）に開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来、明るく
高品位表示の反射型液晶表示装置を製造するためには、
高性能のスイッチング素子と高性能の反射板とを同一絶
縁性基板上に形成することが要求され、スイッチング素
子を製造する工程に加えて、反射板表面において光を散
乱させるための凹凸を形成する工程が付加されるので、
反射型液晶表示装置の製造コストが高くなり、したがっ
てパネル単価が高くなってしまう。また、反射板の凹凸
の形状が反射型液晶表示装置の明るさを大きく左右する
ため、その凹凸構造の制御性も、凹凸形成プロセスには
要求される。

【０００９】以上の事情に照らして、反射型液晶表示装
置の高輝度及び高品位表示性能を実現し、かつ製造工程
数の削減により製造コストの低下を実現することで、高
輝度反射型液晶表示装置を低価格で提供することが要望
されている。したがって、本発明の目的は、良好な表示
機能を有し、かつ、簡略化された工程で製造可能な反射
型液晶表示装置及びその製造方法を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、下記（１）〜（４）に示す反射型液晶表示
装置、及び（５）、（６）に示す反射型液晶表示装置の
製造方法を提供する。

【００１１】（１）アクティブマトリクス駆動素子と表
面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電
極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造より
なる反射型液晶表示装置において、前記反射板下部に位
置する凹凸層が、導電性膜上に電解成膜方法により形成
された粒子の集合体で構成されていることを特徴とする
反射型液晶表示装置。

【００１２】（２）アクティブマトリクス駆動素子と表
面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電
極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造より
なる反射型液晶表示装置において、前記反射板下部に位
置する凹凸層が、導電性膜上に電解成膜方法により形成
された粒子の集合体からなる凹凸と、その上を覆うよう
に成膜された有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜とから構成
されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。

【００１３】（３）前記凹凸層を構成する粒子が、透明
性粒子と導電性粒子との混合物で構成されていることを
特徴とする（２）の反射型液晶表示装置。

【００１４】（４）前記反射板下部に構成される凹凸層
の一部が、液晶画素容量に対する並列容量としての機能
を有することを特徴とする（２）又は（３）の反射型液
晶表示装置。

【００１５】（５）アクティブマトリクス駆動素子と表
面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電
極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造より
なる反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記反射
板下部に位置する凹凸層を形成するに当たり、予め凹凸
を形成すべき領域に前記アクティブマトリクス駆動素子
の製造工程で成膜された導電性膜をパターンニングした
凹凸形成用電極を有する基板を、界面活性剤とともに高
分子樹脂を含む溶液中に浸漬させ、この溶液中に浸漬さ
せた一方の電極と、前記液晶を駆動する電極とに、前記
液晶を駆動する電極が陽極となるように直流電源を接続
し、両者の電極間に電流を流すことによって、前記液晶
を駆動する電極上に溶液中の高分子樹脂からなる粒子を
堆積させ、凹凸層を形成することを特徴とする反射型液
晶表示装置の製造方法。

【００１６】（６）アクティブマトリクス駆動素子と表
面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電
極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造より
なる反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記反射
板下部に位置する凹凸層を形成するに当たり、予め凹凸
を形成すべき領域に前記アクティブマトリクス駆動素子
の製造工程で成膜された導電性膜をパターンニングした
凹凸形成用電極を有する基板を、界面活性剤とともに高
分子樹脂からなる粒子及び導電性材料からなる粒子を含
む溶液中に浸漬させ、この溶液中に浸漬させた一方の電
極と、前記液晶を駆動する電極とに、前記液晶を駆動す
る電極が陽極となるように直流電源を接続し、両者の電
極間に電流を流すことによって、前記液晶を駆動する電
極上に溶液中の高分子樹脂からなる粒子及び導電性材料
からなる粒子を堆積させ、凹凸層を形成することを特徴
とする反射型液晶表示装置の製造方法。

【００１７】本発明に係る反射型液晶表示装置の一例
は、前記のように、絶縁性基板及びその上に設けられた
散乱機能を持たせた光反射板を有する第１基板と、透明
電極を有して第１基板に対抗する第２基板と、両基板間
に収容された液晶層と、第１基板の絶縁性基板上に形成
され、ソース電極又はドレイン電極を介して光反射板と
電気的に接続して、アクティブマトリクス駆動素子とし
て機能する薄膜トランジスタとを備えたアクティブマト
リクス駆動方式の反射型液晶表示装置であり、前記第１
基板上に有する反射板には凹凸が設けられており、該凹
凸は電解法により形成された粒子の集合体で構成されて
いることを特徴としている。

【００１８】そして、前記凹凸の形成では、予め凹凸を
形成されるべき領域にパターンニングされた凹凸形成用
電極を有する基板を、界面活性剤とともに高分子樹脂か
らなる粒子を含む溶液中に浸漬させ、この溶液中に浸漬
させた一方の電極と、液晶を駆動する電極とに、前記液
晶を駆動する電極が陽極となるように直流電源を接続
し、両者の電極間に電流を流すことによって、前記液晶
を駆動する電極上に溶液中の高分子樹脂からなる粒子を
堆積させることができ、したがって電解成膜により凹凸
層の形成が可能となる。それゆえ、この凹凸層の形成で
は、従来の反射型液晶表示装置において行われていた有
機膜へのレジストプロセスによるパターンニング工程
と、エッチング工程とを省くことができ、製造工程数を
削減できる。

【００１９】また、本発明の反射型液晶表示装置の他の
例は、前記のように、アクティブマトリクス駆動素子と
表面に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明
電極を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よ
りなる反射型液晶表示装置において、前記反射板下部に
位置する凹凸が、導電性膜上に形成された粒子の集合体
からなる凹凸と、その上部を覆うように成膜された有機
系絶縁膜又は無機系絶縁膜とから構成されていることを
特徴としている。この反射型液晶表示装置では、粒子の
集合体からなる凹凸上に絶縁膜を形成することで、滑ら
かな凹凸面を最終的に得ることができること、さらに反
射板とスイッチング素子、配線等とが層間分離した構造
をとることができることから、反射板面積を最大限配置
できるため、より明るい反射板、すなわち高輝度の反射
型液晶表示装置を得ることができる。

【００２０】本発明の反射型液晶表示装置においては、
反射板下部の凹凸を構成する粒子が、透明性粒子と導電
性粒子との混合物で構成されていてもよく、これによ
り、前記反射板下に構成される凹凸の一部が、液晶画素
容量に対する並列容量としての機能を有することができ
る。すなわち、反射板下部の凹凸を構成する粒子を、透
明性粒子と導電性粒子との混合物とすることで、凹凸部
は導電層となり、この上部に位置する有機系絶縁膜又は
無機系絶縁膜と反射板画素が積層されることで、前記凸
部内の一部にキャパシタが構成されることとなり、これ
を容量線に接続することで、液晶画素との並列容量とし
ての機能を持たせることができる。

【００２１】さらに、本発明に係る反射型液晶表示装置
の製造方法では、アクティブマトリクス駆動素子と表面
に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極
を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりな
る反射型液晶表示装置の製造において、前記反射板下部
に位置する凹凸を形成するに当たり、予め凹凸を形成す
べき反射板領域に、前記アクティブマトリクス駆動素子
の製造工程で成膜された導電性膜をパターンニングした
凹凸形成用電極を有する基板を、界面活性剤とともに高
分子樹脂を含む溶液中に浸漬させ、この溶液中に浸漬さ
せた一方の電極と、液晶を駆動する電極とに、前記液晶
を駆動する電極が陽極となるように直流電源を接続し、
両者の電極間に電流を流すことによって、前記液晶を駆
動する電極上に溶液中の高分子樹脂粒子又は高分子樹脂
粒子と導電性粒子との混合物を堆積させ、凹凸層を形成
することを特徴としている。

【００２２】それゆえ、従来の反射型液晶表示装置で行
われてきたアクティブマトリクス駆動素子の形成時にお
ける導電性膜のパターン形成と同時に、反射板凹凸を構
成すべき領域に凹凸用パターンを配置することで、凹凸
構成用パターン形成の簡略化ができ、さらに、その上部
に選択的に凹凸構造を形成できることから、凹凸構成膜
にレジスト工程、エッチング工程を行う必要がなくな
り、製造工程数の削減が可能である。

【００２３】また、本発明の反射型液晶表示装置内に含
まれる凹凸層は、導電性膜をパターンニングした凹凸形
成用電極を有する基板を、界面活性剤とともに高分子樹
脂を含む溶液中に浸漬させ、この溶液中に浸漬させた一
方の電極と、液晶を駆動する電極とを、前記液晶を駆動
する電極が陽極となるように直流電源を接続し、両者の
電極間に電流を流すことによって、前記液晶を駆動する
電極上に溶液中の粒子状の高分子樹脂を堆積させた凹凸
を形成した後に、さらに熱処理を加えて凹凸を溶融させ
ることで、凹凸面を滑らかな形状に変化させてもよい。
これにより、前記凹凸の上部に反射板電極を形成した反
射板、及び、前記凹凸を有機系絶縁膜あるいは無機系絶
縁膜で覆い、その上部に反射板電極を形成した反射板の
いずれであっても、より良好な反射性能を有する反射板
が実現でき、明るい表示を有する反射型液晶表示装置が
作製できる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。 （実施形態１）図１は本発明に係る液晶表示装置の実施
形態の一例を示す。本実施形態の反射型液晶表示装置
は、互いに対抗する下部側基板１１及び対向側基板１
と、両基板間に設けられた液晶層、たとえばＧＨ液晶１
４とを備えている。下部側基板は、絶縁性基板２と、絶
縁性基板上に形成されたアクティブマトリクス駆動素子
５と、絶縁性基板上の所定の位置にある導電性電極２９
と、その上部に位置する突起部３０（凸部）と、この突
起部を覆うように形成された高反射効率金属からなる反
射電極板１２（反射板）とを有する。アクティブマトリ
クス駆動素子は、ソース電極、ドレイン電極と、半導体
層、ドーピング層と、その上部の絶縁層、金属層とで構
成される順スタガー構造薄膜トランジスタ２８である。

【００２５】まず、本発明の反射型液晶表示装置の動作
状態について説明する。反射型液晶表示装置が透過状態
では、対向側基板の外側から入射した入射光１５は、Ｇ
Ｈ液晶層１４を通過して、反射板の表面凹凸形状を反映
した指向性に従って反射され、再び液晶層を通過した反
射光１６が対向側基板の外側から観察されることとな
る。一方、本反射型液晶表示装置が遮光状態では、対向
側基板の外側から入射した入射光は、反射電極板に到達
する前にＧＨ液晶で吸収され、対向側基板から外部に光
が出射されなくなる。これにより、光のＯＮ／ＯＦＦ動
作が可能となる。

【００２６】図２に粒状の集合体で構成された突起物の
形成工程、図３にその電解成膜装置を示す。ガラスなど
の基板２の表面に導電性膜を成膜し、これをパターンニ
ングすることで、突起物（凹凸）を配置したい位置に凹
凸形成用の電極２９を形成する（図２（ａ））。この基
板２を、図３示すように、界面活性剤３６とともに高分
子樹脂からなる粒子３１を含んだ溶液中に浸漬し、基板
表面の電極２９と、同じ溶液中に浸漬した他の電極３５
との間に電圧（直流電源３７）を加え、溶液中の高分子
樹脂粒子を基板表面の電極上に堆積させることにより、
下地の凹凸形成用電極パターン上のみに前記粒子の堆積
物によって凹凸３２が形成される（図２（ｂ））。この
とき、凸構造を有する突起物の膜厚３４は、電極に印加
する電圧や時間を変えることによって容易に制御するこ
とができる。その後、所望の位置に堆積された粒子の密
着性を挙げるために、有機樹脂３３をこの堆積膜に浸透
させた後、ベークしてこの粒子を固めることで、凸３２
が得られる（図２（ｃ））。そして、本実施形態では、
上記凹凸形成プロセスを、前記アクティブマトリクスス
イッチング素子の製造工程内で行う。

【００２７】前記突起物３２は、反射光の指向性を考え
ると、高さ３４は０．３μｍから４μｍ程度の範囲、そ
のピッチは２μｍから２０μｍ程度の範囲であればよ
い。また、前記突起物は平面上に不規則に配置されてい
てもよく、突起物の平面形状は島状のパターンでも線状
のパターンでもよく、いずれにしても前記突起物を構成
するのに必要な導電性電極を介して直流電流を印加でき
るレイアウトになっていればよい。

【００２８】その他の実施形態の一例として、前記突起
物を形成後に熱処理を施して、凹凸形状を変化させたも
のを反射板下部の凹凸部に用いてもよい。図４に熱処理
工程を示す。図４の（ａ）から（ｃ）工程までは図２に
示す製造工程と同一条件で処理し、突起物３２を形成
後、熱処理により溶融させることで、その形状を滑らか
な凹凸形状３８に変換させる。このときのベーク温度や
ベーク時間を変化させることで前記突起物の溶融状態が
変化し、したがって最終的に形成される凹凸形状も前記
溶融条件により制御できる。なお、ベーク工程において
凹凸を構成する各粒子が溶融により融合し、膜状に構成
されてもよい。

【００２９】また、その他の実施形態の一例の凹凸製造
工程を図５に示す。本発明の凹凸形成において、図５に
示す凹凸形成用の電極２９のパターンを狭ピッチに配置
すること、あるいは成膜時間を最適化することで、電解
法より堆積する高分子樹脂粒子３１を高さ方向だけでな
く横方向にも延ばして堆積させ、隣接する凸部３２と融
合３９させた連続した凹凸構造を反射板に用いてもよい
（図５（ｄ））。さらに、該凹凸を熱処理により溶融さ
せることで、より滑らかな凹凸形状３８に変換したもの
を用いてもよい（図５（ｅ））。これらの凹凸表面の滑
らかさは、反射型液晶表示装置の所望の指向性を得るた
めに目的に応じて選べばよい。

【００３０】また、本発明のその他の実施形態として、
液晶表示装置のアクティブマトリクス駆動素子にその他
の素子を使用してもよい。その他のスイッチング素子と
して、逆スタガー構造薄膜トランジスタ４２を用いた場
合の反射板側の基板断面を図６（ａ）、ＭＩＭ素子４３
を用いた場合の反射板側の基板断面を図６（ｂ）に示
す。

【００３１】なお、本実施形態では、反射型液晶表示装
置の液晶モードにＧＨ方式を使用したが、これに限定さ
れない。その他の一例として、一枚偏光板方式が挙げら
れる。図７に、一枚偏光板方式の反射型液晶表示装置の
実施形態を示す。この場合、スイッチング素子を有する
基板側は同様の構成となり、液晶材１４と、対向側基板
側の偏光板４１及び位相差板４０とが新たな構成として
付加される。

【００３２】（実施形態２）図８は本発明に係る液晶表
示装置の実施形態の一例を示す。本実施形態の反射型液
晶表示装置は、互いに対向する下部側基板５０及び対向
側基板５１と、両基板間に設けられた液晶層５２、たと
えばＧＨ液晶とを備えている。

【００３３】下部側基板は、絶縁性基板５３と、絶縁性
基板上に形成されたアクティブマトリクス駆動素子５４
と、絶縁性基板上の所定の位置にある導電性電極５５
と、その上部に位置する突起部（凸部）５６と、この突
起部とアクティブマトリクス駆動素子を覆うように形成
された有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜５７と、この上部
に形成された高反射効率金属からなる反射電極板５８
（反射板）とを有する。また、反射電極板は、スイッチ
ング素子のソース電極５９とコンタクトホール部６０を
介して電気的に接続され、本実施形態の場合においても
反射板及び画素電極としての両方の機能を有する。

【００３４】本実施形態では、図９に凹凸形成工程が示
されているように、実施形態１と同様の粒子の集合体か
らなる突起物５６と反射板との間に前記絶縁膜５７が挿
入されることにより、反射板表面の凹凸面が滑らかな面
で構成されること、反射板を画素最上部に配置できるこ
とから、反射板面積を最大にすることが可能となり、そ
の結果、より明るい反射板を配置することができ、高輝
度の反射型液晶表示装置を提供できる構成となってい
る。

【００３５】なお、本実施形態においても、アクティブ
マトリクス駆動素子は、ソース電極、ドレイン電極と、
半導体層、ドーピング層と、その上部の絶縁層、金属層
とで構成される順スタガー構造の薄膜トランジスタを用
いているが、これに限定されない。前記実施形態１と同
様に、逆スタガー構造の薄膜トランジスタやＭＩＭダイ
オードでも同様の効果が期待できる。また、本実施形態
においても、液晶モードはＧＨ方式に限定されるわけで
はなく、一枚偏光板方式、ＴＮ方式などのその他の液晶
モードについても、本実施形態は同様に適用される。

【００３６】さらに、図１０〜図１２に示すように、電
解成膜した凹凸を熱メルトにより滑らかな凸形状６１に
変換した場合や、隣接する凸部５６が堆積粒子で融合し
た凹凸形状６２の場合にも、同様に本実施形態を適用で
きる。これらの凹凸構造を反射型液晶表示装置の反射板
に適用した場合の実施形態として、溶融させた凸構造６
１を使用した場合を図１１に、隣接凸部５６の融合によ
る連続凹凸構造６２を使用した場合を図１２に示す。こ
れらを用いた場合も、低コストで高品位表示を有する反
射型液晶表示装置を提供できる。

【００３７】（実施形態３）図１３は本発明に係る液晶
表示装置の実施形態の一例を示す。本実施形態では、前
記実施形態２の突起物が、高分子樹脂粒子６３と導電体
粒子６４との混合物からなる導電性を有する材料で構成
されている点が異なり、それ以外の構成は、前記実施形
態２と同一構成となる。本実施形態の一例を示す画素平
面図を図１４に示す。また、導電性凸部を形成するため
の電解成膜装置を図１５に示す。

【００３８】前記突起部６７に導電性能を持たせること
により、該凹凸の一部が、蓄積容量線６９／導電性突起
物６７／有機系又は無機系絶縁性膜６６／反射画素電極
６５の構成となり、これを蓄積容量６９として利用する
ことができる。本実施形態では、反射板の凹凸の一部に
蓄積容量としての機能を持たせることで、反射型液晶表
示装置のデータ線からの書き込み印加電圧を次の書き込
みまで保持するための液晶と並列容量６６を、製造工程
を付加することなく得ることができる。

【００３９】前記導電性を有する凹凸膜の成膜方法は、
導電性膜をパターンニングした凹凸形成用電極６９を有
する基板を、界面活性剤とともに高分子樹脂粒子６３及
び導電性粒子６４を含む溶液中に浸漬させ、この溶液中
に浸漬させた一方の電極７６と、前記液晶を駆動する電
極６９とに、前記液晶を駆動する電極６９が陽極となる
ように直流電源７７を接続し、両者の電極間に電流を流
すことによって、前記液晶を駆動する電極上に溶液中の
高分子樹脂粒子６３と導電性粒子６４を堆積させ、導電
性能を有する凹凸層を形成する。

【００４０】なお、前記導電性粒子としては、ＩＴＯ、
ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性酸化物や、Ａｇ、Ａｌ等の
金属などが挙げられる。特に、本電解法を用いて堆積す
る場合、前者である導電性酸化物が適している。また、
このときの凹凸形成用電極の平面形状は、図１４に示し
た形に限定されない。その他の例として、前記電極形状
は、図１６の画素平面図に示す円形状や、図１７の画素
平面図に示すライン形状でもよく、これら以外の形状、
例えば楕円形状、多角形状等でもよい。なお、これらの
図中において、７０はゲート線、７１はドレイン線、７
２はコンタクトホール部、７３は凸部、７４は反射画素
電極板を示す。

【００４１】（実施形態４）図１８は本発明に係る反射
型液晶表示装置の実施形態の一例を示す。そしてこの図
は、本実施形態の液晶表示装置のスイッチング素子基板
側の製造工程を説明するものである。なお、本実施形態
では、スイッチング素子として順スタガー構造薄膜トラ
ンジスタ９５を適用した場合について説明する。

【００４２】本実施形態でのＴＦＴ基板構造の製造工程
は（ａ）電極の成膜、（ｂ）ソース電極形成８１、ドレ
イン電極形成８０、凹凸形成用電極のパターン形成８
２、（ｃ）ドーピング層形成８３、半導体層形成８４、
ゲート絶縁層形成８５、ゲート電極の成膜、レジスト層
形成、（ｄ）ゲート電極のパターン形成８８、（ｅ）ア
イランド形成８９、（ｆ）凹凸電解形成９０、（ｇ）有
機系又は無機系絶縁膜の形成９１、（ｈ）コンタクトパ
ターン形成９３、（ｉ）反射板パターン形成９４の各工
程からなる。

【００４３】この製造工程では、（ｆ）凹凸電解形成
は、前記実施形態で示したものと同様である。導電性膜
をパターンニングした凹凸形成用電極を有する基板を、
界面活性剤とともに高分子樹脂を含む溶液中に浸漬さ
せ、この溶液中に浸漬させた一方の電極と、前記液晶を
駆動する電極とに、前記液晶を駆動する電極が陽極とな
るように直流電源を接続し、両者の電極間に電流を流す
ことによって、前記液晶を駆動する電極上に溶液中の高
分子樹脂を堆積させ、凹凸層を形成する。このとき、凹
凸形成を行いたい電極のみに電流を流すことで選択的に
凹凸形成ができ、さらに前記電流量、凹凸形成時間の調
整により、前記凹凸の高さを自由に制御できる。

【００４４】なお、前記実施形態２で示したように、反
射板下部の凹凸部に液晶付加容量を形成するために、凹
凸の一部に導電性を持たせる場合、前記凹凸電解形成に
おける電解溶液中に導電性粒子を付加すればよい。した
がって、プロセス工程数を増やすことなく、液晶付加容
量の形成ができる。

【００４５】本実施形態によれば、凹凸形成プロセスで
用いられる従来のレジスト工程で必要とされる、レジス
ト塗布、剥離工程、さらには凹凸加工工程である有機膜
あるいは絶縁膜のエッチング工程の必要がなく、プロセ
ス負担の軽減化を実現できる。それゆえ、従来の反射型
液晶表示装置に比べて低コストの反射型液晶表示装置を
実現できる可能性を有する。また、凹凸上部に用いられ
る有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜に感光性膜を利用する
ことにより、（ｈ）のコンタクト形成工程において、レ
ジスト工程を使用せずに直接露光、現像処理をすること
でコンタクト形成が実現できることから、さらにプロセ
スの簡略化が図られる。また、本実施形態において
（ｆ）の凹凸形成後に熱処理を加えることで、凹凸膜を
溶融させ、より滑らかな凹凸面を形成することが可能と
なる。

【００４６】本実施形態以外としても、凹凸の電解成膜
は、凹凸形成用電極パターンとしてスイッチング素子で
用いられる電極を利用すればよく、これにより前記凹凸
形成用電極がスイッチング素子で用いられる電極と同時
に形成できればよい。それゆえ、凹凸形成工程の順番
は、本実施形態の製造工程に限定されず、さらには凹凸
形成用電極も、ゲート電極、ソースドレイン電極等に限
定されず、それ以外の電極層を使用してもよい。その一
例として、図１９に凹凸電解形成工程の順番を変えた場
合の製造工程を示す。

【００４７】一方、本実施形態ではスイッチング素子に
順スタガー構造薄膜トランジスタを適用しているが、本
実施形態においても、逆スタガー構造薄膜トランジス
タ、ＭＩＭダイオードを適用することができ、スイッチ
ング素子に使用される電極形成時に、前記電極材を用い
て、同時に凹凸形成用電極を形成できればよく、その後
の工程内で電解成膜工程を導入すれば同様に実現でき
る。

【００４８】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。 （実施例１）本発明の実施例に用いた反射型液晶表示装
置の製造工程を図２０に示す。本反射型液晶表示装置に
おけるスイッチング素子には順スタガー構造の薄膜トラ
ンジスタを採用した。

【００４９】製造は、ガラス基板上に以下の工程を行っ
た。 （ａ）ＩＴＯをスパッタリング法により５０ｎｍ形成。 （ｂ）ソース電極１１２、ドレイン電極１１１、凹凸形
成用電極パターン１１３の形成（１ＰＲ）。 （ｃ）ドーピング層１１４を１００ｎｍ、半導体層１１
５を１００ｎｍ、ゲート絶縁膜１１６を４００ｎｍプラ
ズマＣＶＤにより成膜。 （ｄ）Ｃｒ１１７をスパッタリング法により５０ｎｍ形
成。 （ｅ）ゲート電極、ＴＦＴ素子部アイランド１１８形成
（２ＰＲ）。 （ｆ）凹凸１１９（２μｍ）の形成。 （ｇ）アルミニウム１２０をスパッタリング法により３
００ｎｍ形成。 （ｈ）反射画素電極板１２１の形成（３ＰＲ）。

【００５０】なお、上記工程（ｃ）において、ゲート絶
縁膜１１６にはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層
膜、半導体層１１５にはアモルファスシリコン膜、ドー
ピング層１１４にはｎ型化アモルファスシリコン膜を使
用し、これらのプラズマＣＶＤ条件は、以下に示すよう
に設定した。シリコン酸化膜の場合、反応ガスにシラン
と酸素ガスを用い、ガス流量比（シラン／酸素）は０．
１〜０．５程度に設定し、成膜温度２００〜３００℃、
圧力１Ｔｏｒｒ、プラズマパワー２００Ｗとした。シリ
コン窒化膜の場合、反応ガスにシランとアンモニアガス
を用い、ガス流量比（シラン／アンモニア）は０．１〜
０．８に設定し、成膜温度２５０℃、圧力１Ｔｏｒｒ、
プラズマパワー２００Ｗとした。アモルファスシリコン
膜の場合、反応ガスにシランと水素ガスを用い、ガス流
量比（シラン／水素）は０．２５〜２に設定し、成膜温
度２００〜２５０℃、圧力１Ｔｏｒｒ、プラズマパワー
５０Ｗとした。ｎ型化アモルファスシリコン膜の場合、
反応ガスにシランとホスフィンを用い、ガス流量比（シ
ラン／フォスフィン）は１〜２に設定し、成膜温度２０
０〜２５０℃、圧力１Ｔｏｒｒ、プラズマパワー５０Ｗ
とした。

【００５１】上記工程（ｅ）のＴＦＴ素子部のアイラン
ド１１８形成では、Ｃｒ層にはウェットエッチングを採
用し、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファス
シリコン層にはドライエッチングを採用した。Ｃｒ層の
エッチングには、過塩化水素酸と硝酸第２セリウムアン
モニウムの混合水溶液を用いた。シリコン窒化膜、シリ
コン酸化膜のエッチングでは、エッチングガスに四塩化
フッ素と酸素ガスを用い、反応圧力５〜３００ｍＴｏｒ
ｒ、プラズマパワー１００〜３００Ｗとした。また、ア
モルファスシリコン層のエッチングでは、塩素と水素ガ
スを用い、反応圧力５〜３００ｍＴｏｒｒ、プラズマパ
ワー５０〜２００Ｗとした。また、フォトリソグラフィ
ー工程では、全て通常のレジストプロセスを用いた。

【００５２】本実施例においては、ソース、ドレイン電
極にＩＴＯ、ゲート電極にＣｒ金属を用いたが、各電極
材料はこれらに限定されない。これ以外の電極材とし
て、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴ
Ｏ、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の単層膜、あるいはこれらの組み
合わせによる積層膜を採用してもよい。

【００５３】本実施例では、反射板下部に形成される凹
凸は、前記（ｆ）工程で形成される。この時の形成方法
を示す。前記（ｂ）工程において、アクティブマトリク
ススイッチング素子（本実施例では順スタガー構造薄膜
トランジスタを採用）のソース、ドレイン電極形成時
に、同時に後に反射板下部に凹凸を形成するための凹凸
形成用の電極もパターン形成を行っておく。

【００５４】この基板を、前記実施形態１の図３及び前
記実施形態２の図１５で示した電解成膜装置に示すよう
に、高分子樹脂からなる粒子を含めた溶液中に浸漬し、
基板表面の電極と、同じ溶液中に浸漬した他の電極との
間に電圧を加え、溶液中の高分子樹脂粒子を基板表面の
電極上に堆積させる。これにより、下地の凹凸形成用電
極パターン上のみに前記粒子の堆積物により凹凸が形成
された。

【００５５】このとき、凸構造を有する突起物の膜厚
は、電極に印加する電圧や時間を変えることによって容
易に制御することができる。その後、所望の位置に堆積
された粒子の密着性を挙げるために有機樹脂をこの堆積
膜に浸透させ、ベークすることで前記堆積粒子を固め、
これを本実施例の凹凸に使用した。

【００５６】本実施例では、その後、反射効率が高く、
ＴＦＴプロセスとの整合性が良いアルミニウム金属１２
０を形成し、これをパターン形成することで、画素電極
兼反射板１２１を形成した。このときのアルミニウムに
はウェットエッチング処理を行い、エッチング液には６
０℃に加熱したリン酸、酢酸、硝酸の混合液を使用し
た。

【００５７】本実施例では、凹凸形成工程として、従来
必要とした凹凸構成膜をパターン形成するためのマスク
材であるレジストの塗布、剥離工程、そしてエッチング
工程を必要としないことから、プロセスを簡略化でき、
さらに薄膜トランジスタに順スタガー構造を適用するこ
とで、全工程におけるＰＲ数は３となり、従来の６より
もプロセス数の削減に大きな成果を有する。

【００５８】なお、凹凸の最大高さは１．５μｍ、凹凸
の平面形状はランダムな形状に設定した。その後、前記
ＴＦＴ基板と、透明導電膜のＩＴＯで形成された透明電
極を有する対向側基板とを、各々の膜面が対向するよう
にして重ね合わせた。この場合、ＴＦＴ基板と対向側基
板には配向処理が施され、両基板はプラスチック粒子等
のスペーサを介して重ね合わされ、さらにパネル周辺部
にエポキシ系の接着剤を塗ることにより張り合わされ
た。その後、ＧＨ型の液晶を注入し液晶層とすること
で、液晶表示装置を製造した。

【００５９】図２１（ａ）に、本実施例において得られ
た反射型液晶表示装置の断面図を示す。図２１（ａ）に
おいて、１２２は凸部、１２５はＴＦＴ部を示す。この
反射型液晶表示装置の反射画素電極は、均一で、光散乱
性の良い反射性能を有しており、これを用いた反射型液
晶表示装置の表示性能は、新聞紙よりも明るい白表示を
有するモノクロ反射型パネルを低コストで実現すること
ができた。また、対向側基板側にＲＧＢカラーフィルタ
を設置した場合、明るいカラー反射型パネルを低コスト
で実現することができた。

【００６０】なお、本実施例における凹凸の高さは、前
記値に限定されるものではない。該凹凸の高さは、広い
範囲で変えることができるため、本発明の凹凸構造を用
いることで、反射板性能の指向性を大きく変えた反射型
液晶表示装置を提供できる。

【００６１】本実施例では、工程（ｆ）の直後に例えば
２２０℃、１時間の条件で加熱を行って凸部パターンを
溶融することにより、上部の角が滑らかな凹凸面を作り
出すことができる。前記加熱により溶融させた凹凸１２
３を用いて製造した反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板側
の断面を図２１（ｂ）に示した。この凹凸面を反射板に
用いることで、反射板の散乱性能をさらに向上でき、そ
れゆえ、得られた反射型液晶表示装置は明るい表示性能
を達成できた。

【００６２】さらに、本実施例では、工程（ｆ）の凹凸
成膜において、堆積後に隣接する凸部と堆積粒子が融合
し、連続した凹凸構造となるまで成膜を行うことができ
る。この連続した凹凸部１２４を反射板下部に配置する
ことで製造した反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板側の断
面を図２１（ｃ）に示した。この凹凸面を反射板に用い
た場合においても、明るい反射型液晶表示装置を低コス
トで提供できた。

【００６３】また、本実施例における電解成膜による凹
凸形成の（ｆ）工程を、凹凸形成用電極を作る（ｂ）工
程直後に行うように変更した場合、すなわち前記実施形
態４の図１９に示した工程の流れに従って反射型液晶表
示装置のＴＦＴ基板側を製造した場合においても、本実
施例と同様に、良好な表示性能を有する反射型液晶表示
装置を、プロセス工程数を増加させることなく実現でき
た。

【００６４】（実施例２）本発明の実施例に用いた反射
型液晶表示装置の製造工程を図２２に示す。本反射型液
晶表示装置におけるスイッチング素子には逆スタガー構
造の薄膜トランジスタを採用した。

【００６５】製造は、ガラス基板上に以下の工程を行っ
た。 （ａ）Ｃｒをスパッタリング法により５０ｎｍ形成。 （ｂ）ゲート電極１２６の形成（１ＰＲ）。 （ｃ）ゲート絶縁膜１２７を４００ｎｍ、半導体層を１
００ｎｍ、ドーピング層１２８を１００ｎｍプラズマＣ
ＶＤにより成膜。 （ｄ）アイランド１２９形成（２ＰＲ）。 （ｅ）Ｃｒ、ＩＴＯ層をスパッタリング法によりそれぞ
れ５０ｎｍ形成。 （ｆ）ソース電極１３２、ドレイン電極１３１、凹凸形
成用電極１３０の形成（３ＰＲ）。凹凸１３３を電解形
成。 （ｇ）凹凸メルト１３４。 （ｈ）アルミニウムをスパッタリング法により３００ｎ
ｍ形成。 （ｉ）反射画素電極板１３５の形成（４ＰＲ）。 （ｊ）ゲート線端子出し（５ＰＲ）。

【００６６】本実施例では、反射板下部に形成される凹
凸は、上記（ｇ）工程で形成される。この時の形成方法
は、前記実施例１の電解成膜工程と同一条件とした。本
実施例においては、前記実施例に対して工程数が増加す
るものの、総ＰＲ数は５となり、従来の反射型液晶表示
装置の製造工程における６に比べて、簡略化ができる。
また、凹凸形成後、（ｈ）工程において２２０℃、１時
間の条件でベークすることで凹凸を溶融させ、滑らかな
凹凸面の形成を行った。

【００６７】本実施例における反射画素電極板の開口率
は、７３％で製造した。その後、前記ＴＦＴ基板と、透
明導電膜のＩＴＯで形成された透明電極を有する対向側
基板とを、各々の膜面が対向するようにして重ね合わせ
た。この場合、ＴＦＴ基板と対向側基板には配向処理が
施され、両基板はプラスチック粒子等のスペーサを介し
て重ね合わされ、さらにパネル周辺部にエポキシ系の接
着剤を塗ることにより張り合わされた。その後、ＧＨ型
の液晶を注入し液晶層とすることで、液晶表示装置を製
造した。本実施例における反射型液晶表示装置の場合に
おいても、前記実施例１の場合と同様に、明るいカラー
反射型パネルを低コストで実現した。

【００６８】（実施例３）本発明の実施例に用いた反射
型液晶表示装置の製造工程を以下に示す（図２０参
照）。本反射型液晶表示装置におけるスイッチング素子
には順スタガー構造の薄膜トランジスタを採用した。

【００６９】製造は、ガラス基板上に以下の工程を行っ
た。 （ａ）ＩＴＯをスパッタリング法により５０ｎｍ形成。 （ｂ）ソース電極１１２、ドレイン電極１１１、凹凸形
成用電極パターン１１３の形成（１ＰＲ）。 （ｃ）ドーピング層１１４を１００ｎｍ、半導体層１１
５を１００ｎｍ、ゲート絶縁膜１１６を４００ｎｍプラ
ズマＣＶＤにより成膜。 （ｄ）Ｃｒ１１７をスパッタリング法により５０ｎｍ形
成。 （ｅ）ゲート電極、ＴＦＴ素子部アイランド１１８形成
（２ＰＲ）。 （ｆ）凹凸１１９（２μｍ）の形成。 （ｇ）絶縁膜である有機膜を形成。 （ｈ）絶縁膜へのコンタクト領域の形成（３ＰＲ）。 （ｉ）アルミニウムをスパッタリング法により３００ｎ
ｍ形成。 （ｊ）反射画素電極板１２１の形成。（４ＰＲ）

【００７０】なお、上記工程（ａ）から（ｆ）、
（ｉ）、（ｊ）のプロセス条件は、前記実施例１と同一
条件に設定した。本実施例では、上記工程（ｇ）の絶縁
膜の形成プロセス及び工程（ｈ）のコンタクト形成プロ
セスが実施例１に付加された。

【００７１】上記工程（ｇ）の有機系絶縁膜には、本実
施例の場合、ポリイミド膜（日産化学製ＲＮ−８１２）
と該絶縁膜をパターン形成するためのレジスト膜との積
層膜を使用した。塗布条件は、前記ポリイミドの場合、
スピン回転数１２００r.p.m.、仮焼成温度９０℃、仮焼
成時間１０分間とし、本焼成温度２５０℃、本焼成時間
１時間とした。前記レジストの場合、スピン回転数１０
００r.p.m.、仮焼成温度９０℃、仮焼成時間５分間と
し、その後、露光、現像によりパターン形成後、ポスト
ベークとして９０℃で３０分間処理した。その後、該レ
ジストパターンをマスク層として、ドライエッチングプ
ロセスにより凹凸の形成を行った。なお、該ポリイミド
膜のドライエッチング条件は、エッチングガスに四塩化
フッ素と酸素ガスを用い、ガス流量比（四塩化フッ素／
酸素）は０．５〜１．５に設定し、反応圧力５〜３００
ｍＴｏｒｒ、プラズマパワー１００〜３００Ｗとした。
またフォトリソグラフィー工程は、全て通常のレジスト
プロセスを用いた。

【００７２】本実施例では、反射板下部に形成される凹
凸は、前記（ｆ）工程で形成される。この時の形成方法
は、前記実施例１の（ｆ）工程と同一条件とした。本実
施例においては、前記実施例１に対して絶縁膜の形成、
コンタクト形成工程が増加するものの、従来の反射型液
晶表示装置の製造工程に比べて、簡略化を図ることがで
きる。

【００７３】本実施例では、凹凸及びＴＦＴ素子部と反
射画素電極板との間に、有機系絶縁膜２μｍが形成され
た。この有機系絶縁膜には、日産化学製ポリイミドＲＮ
−８１２を使用した。該ポリイミド膜の塗布条件は、ス
ピン回転数８００r.p.m.、仮焼成温度９０℃、仮焼成時
間１０分間とし、本焼成温度２５０℃、本焼成時間１時
間とした。上記工程（ｈ）のコンタクト形成工程におけ
るレジストプロセスとドライエッチプロセスにより、コ
ンタクト領域のポリイミド膜を除去し、レジスト層の剥
離を行い、コンタクト形成を行った。その後、反射効率
が高く、ＴＦＴプロセスとの整合性が良いアルミニウム
金属１２０を形成し、これをパターン形成することで、
画素電極兼反射板１２１を形成した。

【００７４】反射画素電極板の開口率は、９３％で製造
した。その後、前記ＴＦＴ基板と、透明導電膜のＩＴＯ
で形成された透明電極を有する対向側基板とを、各々の
膜面が対向するようにして重ね合わせた。この場合、Ｔ
ＦＴ基板と対向側基板には配向処理が施され、両基板は
プラスチック粒子等のスペーサを介して重ね合わされ、
さらにパネル周辺部にエポキシ系の接着剤を塗ることに
より張り合わされた。その後、ＧＨ型の液晶を注入し液
晶層とすることで、液晶表示装置を製造した。

【００７５】図２３に本実施例で製造された反射型液晶
表示装置の断面図を示す。図２３において、５０は下部
側基板、５１は対向側基板、５２は液晶層、５６は突起
部、５７は有機系絶縁膜、５８は反射画素電極を示す。
この反射型液晶表示装置の反射画素電極５８は、均一
で、光散乱性の良い反射性能を有しており、これを用い
た反射型液晶表示装置の表示性能は、新聞紙よりも明る
い白表示を有するモノクロ反射型パネルを低コストで実
現することができた。また、対向側基板側にＲＧＢカラ
ーフィルタを設置した場合、明るいカラー反射型パネル
を低コストで実現することができた。

【００７６】なお、本実施例における凹凸の高さは、前
記実施例１と同様に前記値に限定されるものではない。
また、凹凸と反射板との間に位置する有機系絶縁膜につ
いても、前記膜厚に限定されない。また、本実施例で
は、有機系絶縁膜としてポリイミド膜を用いたが、これ
に限定されるものではない。その他の材料として、シリ
カ系材料（例えば東レ製ＰＳＢシリーズ）、アクリル樹
脂（例えば日本合成ゴム製ＭＦＲ３０５）、ＳＯＧ膜
（例えば住友化学製ＳＦ９２１４）を用いれば、本実施
例と同様の効果が得られる。

【００７７】（実施例４）本実施例においては、逆スタ
ガー構造薄膜トランジスタを用いた本発明反射型液晶表
示装置の製造工程を図２４に示す。以下にプロセス説明
を行う。

【００７８】製造は、ガラス基板上に以下の工程を行っ
た。 （ａ）ＩＴＯ／Ｃｒ膜をスパッタリング法により５０ｎ
ｍ形成。 （ｂ）ゲート電極１２６の形成（１ＰＲ）。 （ｃ）ゲート絶縁膜１２７を４００ｎｍ、半導体層１２
８を１００ｎｍ、ドーピング層１２８を１００ｎｍプラ
ズマＣＶＤにより成膜。 （ｄ）ａ−Ｓｉアイランド１２９形成（３ＰＲ）。 （ｄ）Ｃｒをスパッタリング法により５０ｎｍ形成。 （ｅ）ソース電極１３１、ドレイン電極１３２形成（４
ＰＲ）。 （ｆ）凹凸層１３８（３μｍ）の形成。 （ｇ）凹凸層のメルト１３９ （ｈ）絶縁膜である有機膜１４１の形成。 （ｉ）絶縁膜及びゲート端子へのコンタクト領域１４０
の形成（５ＰＲ）。 （ｊ）アルミニウムをスパッタリング法により３００ｎ
ｍ形成。 （ｋ）反射画素電極板１３５の形成（６ＰＲ）。

【００７９】なお、上記工程（ａ）から（ｋ）の各プロ
セス条件は、前記実施例２と同一条件に設定した。本実
施例では、薄膜トランジスタに逆スタガー構造薄膜トラ
ンジスタを使用したため、前記実施例３に比べて製造工
程は増加するが、従来の反射型液晶表示装置の製造工程
に比べて簡略化ができる。

【００８０】その後、前記ＴＦＴ基板と、透明導電膜の
ＩＴＯで形成された透明電極を有する対向側基板とを、
各々の膜面が対向するようにして重ね合わせた。この場
合、ＴＦＴ基板と対向側基板には配向処理が施され、両
基板はプラスチック粒子等のスペーサを介して重ね合わ
され、さらにパネル周辺部にエポキシ系の接着剤を塗る
ことにより張り合わされた。その後、ＧＨ型の液晶を注
入し液晶層とすることで、液晶表示装置を製造した。本
実施例の場合においても、明るく、高品位表示を有する
反射型液晶表示装置を低コストで実現できた。

【００８１】（実施例５）本実施例では、反射板下部に
位置する凹凸が透明性粒子と導電性粒子の混合物より構
成されている反射型液晶表示装置について示す。図２５
に本実施例において製造された反射型液晶表示装置の断
面構造図を示す。図２５において、１４３は凹凸層、１
４５は反射画素電極板、１４６は逆スタガー構造ＴＦＴ
部を示す。

【００８２】本実施例における反射型液晶表示装置の製
造プロセスは、電解成膜条件以外は前記実施例１から４
と全く同一でよい。異なる点は、凹凸堆積の際、電解成
膜に用いる溶液中に、界面活性剤とともに、ポリエステ
ル樹脂などの高分子樹脂の他に導電性粒子であるＩＴＯ
粒子を加えるだけで、本実施例の反射型液晶表示装置を
実現できた。

【００８３】本実施例では、導電性粒子に粒径０．０１
μｍ〜１μｍのＩＴＯ粒子を用い、ポリエステル樹脂と
ＩＴＯ粒子の体積混合比は１：３となるように設定し
た。なお、導電性粒子はこれに限定されず、ＺｎＯ、Ｓ
ｎＯ等の導電性酸化物や、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｗ、Ｃｒ等の金属の粒子を用いても同様に導電性凹凸層
の形成が可能である。

【００８４】本実施例の反射型液晶表示装置において
は、凹凸層１４３に導電性材料を用いて、下地の凹凸形
成用電極をストレージ線１４４に接続する事で、蓄積容
量１４２を形成することができる。それゆえ、プロセス
を付加することなく蓄積容量を形成できることから、プ
ロセスの簡略化が実現できる。その後、ガラス基板上に
カラーフィルタと透明導電膜であるＩＴＯ膜が形成され
た対向側基板を組み合わせることで、明るい反射型液晶
表示装置を実現できた。

【００８５】（実施例６）本実施例では、ＧＨ液晶方式
以外の液晶モードを使用した場合の本発明反射型液晶表
示装置について示す。図２６に一枚偏光板方式の反射型
液晶表示装置の実施例を示す。図２６において、１４９
はＴＦＴ基板、１５１は対向側基板、１５０は液晶層を
示す。本反射型装置におけるＴＦＴ基板側は、前記実施
例３で製造した反射板付きＴＦＴ基板をそのまま使用し
た。対向側基板側に位相差板１４７、偏光板１４８が付
加されている。本実施例で製造された反射型液晶表示装
置においても、明るく、高品位な表示性能を実現でき
た。

【００８６】

【発明の効果】以上のように、本発明の反射型液晶表示
装置は、良好な表示機能を有し、かつ、簡略化された工
程で製造可能なものである。すなわち、本発明は、凹凸
を形成すべき領域にパターンニングされた凹凸形成用電
極を有する基板を、界面活性剤とともに高分子樹脂から
なる粒子を含む溶液中に浸漬させ、この溶液中で電流を
流すことによって、前記電極上に高分子樹脂からなる粒
子を選択的に堆積させて凹凸層の形成を行うことで、従
来の反射型液晶表示装置において行われていたフォトリ
ソグラフィー工程及びエッチング工程を省くことができ
るため、良好な表示機能を有する反射型液晶表示装置を
低コストで製造できる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断面
図である。

【図２】本発明の反射板凹凸製造工程の一例を示す断面
図である。

【図３】本発明の凹凸形成装置の一例を示す図である。

【図４】本発明の反射板凹凸製造工程の一例を示す断面
図である。

【図５】本発明の反射板凹凸製造工程の一例を示す断面
図である。

【図６】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断面
図である。

【図７】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断面
図である。

【図８】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断面
図である。

【図９】本発明の反射板凹凸製造工程の一例を示す断面
図である。

【図１０】本発明の反射板凹凸製造工程の一例を示す断
面図である。

【図１１】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。

【図１２】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。

【図１３】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。

【図１４】本発明の反射型液晶表示装置の平面画素図の
一例を示す図である。

【図１５】本発明の凹凸形成装置の一例を示す図であ
る。

【図１６】本発明の反射型液晶表示装置の平面画素図の
一例を示す図である。

【図１７】本発明の反射型液晶表示装置の平面画素図の
一例を示す図である。

【図１８】本発明の反射型液晶表示装置の製造工程の一
例を説明するための図である。

【図１９】本発明の反射型液晶表示装置の製造工程の一
例を説明するための図である。

【図２０】本発明の反射型液晶表示装置の製造工程の一
例を説明するための図である。

【図２１】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。

【図２２】本発明の反射型液晶表示装置の製造工程の一
例を説明するための図である。

【図２３】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。

【図２４】本発明の反射型液晶表示装置の製造工程の一
例を説明するための図である。

【図２５】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。

【図２６】本発明の反射型液晶表示装置の一例を示す断
面図である。

【図２７】従来の反射型液晶表示装置の一例を示す断面
図である。

【図２８】従来の反射型液晶表示装置の製造工程の一例
を説明するための図である。

【符号の説明】

１ 対向側基板 ２ ガラス基板 ３ カラーフィルタ ４ 透明電極 ５ アクティブマトリクス駆動素子 ６ 逆スタガー構造薄膜トランジスタ ９ 層間絶縁膜 １０ 有機膜 １１ 下部側基板 １２ 反射板 １４ ＧＨ液晶層 １５ 入射光 １６ 反射光 １７ ゲート電極 １８ 絶縁膜 １９ 半導体層 ２０ ドーピング層 ２１ ソース電極 ２２ ドレイン電極 ２４ 反射画素電極 ２９ 凹凸形成用電極 ３０ 突起部 ３１ 高分子樹脂粒子 ３２ 凹凸 ３３ 有機樹脂 ３５ 陰極 ３６ 界面活性剤 ３７ 直流電流 ３８ 滑らかな凹凸 ３９ 隣接突部との融合 ４０ 偏光板 ４１ １／４位相差板 ４２ 逆スタガー構造薄膜トランジスタ ４３ ＭＩＭダイオード ５０ 下部側基板 ５１ 対向側基板 ５２ 液晶層 ５３ 絶縁性基板 ５４ アクティブマトリクス駆動素子 ５５ 導電性電極 ５６ 突起部 ５７ 有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜 ５８ 反射電極板 ５９ ソース電極 ６０ コンタクトホール部 ６１ 滑らかな凸形状 ６２ 凹凸形状 ６３ 高分子樹脂粒子 ６４ 導電性粒子 ６５ 反射画素電極 ６６ 有機系又は無機系絶縁膜 ６７ 突起部 ６９ 蓄積容量線 ７０ ゲート線 ７１ ドレイン線 ７２ コンタクトホール部 ７３ 凸部 ７４ 反射画素電極板 ７５ 基板 ７６ 電極 ７７ 直流電源 ８０ ドレイン電極 ８１ ソース電極 ８２ 凹凸形成用電極のパターン ８３ ドーピング層 ８４ 半導体層 ８５ ゲート絶縁層 ８６ ゲート電極 ８７ レジスト層 ８８ ゲート電極のパターン ８９ アイランド ９０ 凹凸 ９１ 凹凸 ９２ 層間膜 ９３ コンタクト部 ９４ 反射画素電極板 ９５ ＴＦＴ部 １１０ ＩＴＯ １１１ ドレイン電極 １１２ ソース電極 １１３ 凹凸形成用電極パターン １１４ ドーピング層 １１５ 半導体層 １１６ ゲート絶縁膜 １１７ Ｃｒ層 １１８ アイランド部 １１９ 凹凸 １２０ アルミニウム １２１ 反射画素電極板 １２２ 凸 １２３ メルトした凸 １２４ 連続凸構造 １２５ ＴＦＴ部 １２６ ゲート電極 １２７ ゲート絶縁膜 １２８ ドーピング層 １２９ アイランド形成 １３０ 凹凸形成用電極 １３１ ドレイン電極 １３２ ソース電極 １３３ 凹凸 １３４ 凹凸メルト １３５ 反射画素電極板 １３６ ＴＦＴ １３７ コンタクト領域 １３８ 凹凸層 １３９ 凹凸層メルト １４０ コンタクト領域 １４１ 有機膜 １４２ 蓄積容量 １４３ 凹凸層 １４４ ストレージ線 １４５ 反射画素アクティブマトリクス駆動素子と表面
に凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極
を有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりな
る反射型液晶表示装置において、前記反射板下部に位置
する凹凸層が、導電性膜上に電解成膜方法により形成さ
れた粒子の集合体で構成されていることを特徴とする反
射型液晶表示装置。電極板 １４６ 逆スタガー構造ＴＦＴ部 １４７ 位相差板 １４８ 偏光板 １４９ ＴＦＴ基板 １５０ 液晶層 １５１ 対向側基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1335 520

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アクティブマトリクス駆動素子と表面に
   凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を
   有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる
   反射型液晶表示装置において、前記反射板下部に位置す
   る凹凸層が、導電性膜上に電解成膜方法により形成され
   た粒子の集合体で構成されていることを特徴とする反射
   型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 アクティブマトリクス駆動素子と表面に
   凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を
   有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる
   反射型液晶表示装置において、前記反射板下部に位置す
   る凹凸層が、導電性膜上に電解成膜方法により形成され
   た粒子の集合体からなる凹凸と、その上を覆うように成
   膜された有機系絶縁膜又は無機系絶縁膜とから構成され
   ていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記凹凸層を構成する粒子が、透明性粒
   子と導電性粒子との混合物で構成されていることを特徴
   とする請求項２に記載の反射型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記反射板下部に構成される凹凸層の一
   部が、液晶画素容量に対する並列容量としての機能を有
   することを特徴とする請求項２又は３に記載の反射型液
   晶表示装置。
5. 【請求項５】 アクティブマトリクス駆動素子と表面に
   凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を
   有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる
   反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記反射板下
   部に位置する凹凸層を形成するに当たり、予め凹凸を形
   成すべき領域に前記アクティブマトリクス駆動素子の製
   造工程で成膜された導電性膜をパターンニングした凹凸
   形成用電極を有する基板を、界面活性剤とともに高分子
   樹脂を含む溶液中に浸漬させ、この溶液中に浸漬させた
   一方の電極と、前記液晶を駆動する電極とに、前記液晶
   を駆動する電極が陽極となるように直流電源を接続し、
   両者の電極間に電流を流すことによって、前記液晶を駆
   動する電極上に溶液中の高分子樹脂からなる粒子を堆積
   させ、凹凸層を形成することを特徴とする反射型液晶表
   示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 アクティブマトリクス駆動素子と表面に
   凹凸のある反射板とを有する絶縁性基板と、透明電極を
   有する絶縁性基板とで液晶層を挟み込んだ構造よりなる
   反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記反射板下
   部に位置する凹凸層を形成するに当たり、予め凹凸を形
   成すべき領域に前記アクティブマトリクス駆動素子の製
   造工程で成膜された導電性膜をパターンニングした凹凸
   形成用電極を有する基板を、界面活性剤とともに高分子
   樹脂からなる粒子及び導電性材料からなる粒子を含む溶
   液中に浸漬させ、この溶液中に浸漬させた一方の電極
   と、前記液晶を駆動する電極とに、前記液晶を駆動する
   電極が陽極となるように直流電源を接続し、両者の電極
   間に電流を流すことによって、前記液晶を駆動する電極
   上に溶液中の高分子樹脂からなる粒子及び導電性材料か
   らなる粒子を堆積させ、凹凸層を形成することを特徴と
   する反射型液晶表示装置の製造方法。