JPH05232465A - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05232465A JPH05232465A JP4031127A JP3112792A JPH05232465A JP H05232465 A JPH05232465 A JP H05232465A JP 4031127 A JP4031127 A JP 4031127A JP 3112792 A JP3112792 A JP 3112792A JP H05232465 A JPH05232465 A JP H05232465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- substrate
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射型液晶表示装置において、コントラスト
を向上させる。 【構成】 透明電極１４が形成された絶縁性基板１ｂ
と、凹凸を有す第１膜２と該第１膜２に液体を塗布、硬
化することによって形成された第２膜４よりなる曲面部
を含む多数の微細な凹凸を有する基板上に、反射膜５か
らなる画素電極を形成したアクティブマトリクス基板
（基板１ａ）と、該絶縁性基板１ｂと該アクティブマト
リクス基板（基板１ａ）との間に封入された液晶層１６
と、を備えてなる反射型液晶表示装置である。 【効果】 多数の微細な凹凸を有する第１膜２上に第２
膜４とする液体を塗布、硬化することによって、平面部
を有していた前記凹凸は曲面部を有する凹凸になり、こ
れによってこの上に形成される反射膜５の光散乱特性が
向上する。
を向上させる。 【構成】 透明電極１４が形成された絶縁性基板１ｂ
と、凹凸を有す第１膜２と該第１膜２に液体を塗布、硬
化することによって形成された第２膜４よりなる曲面部
を含む多数の微細な凹凸を有する基板上に、反射膜５か
らなる画素電極を形成したアクティブマトリクス基板
（基板１ａ）と、該絶縁性基板１ｂと該アクティブマト
リクス基板（基板１ａ）との間に封入された液晶層１６
と、を備えてなる反射型液晶表示装置である。 【効果】 多数の微細な凹凸を有する第１膜２上に第２
膜４とする液体を塗布、硬化することによって、平面部
を有していた前記凹凸は曲面部を有する凹凸になり、こ
れによってこの上に形成される反射膜５の光散乱特性が
向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
により表示を行う反射型液晶表示装置とその製造方法に
関する。
により表示を行う反射型液晶表示装置とその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に液晶表示装置の中でも外部
から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示
装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低
く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されてい
る。
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に液晶表示装置の中でも外部
から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示
装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低
く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されてい
る。
【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るが、これらの方式では偏光板によって必然的に自然光
の光強度の１／２が表示に利用されないことになり、表
示が暗くなるという問題がある。
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るが、これらの方式では偏光板によって必然的に自然光
の光強度の１／２が表示に利用されないことになり、表
示が暗くなるという問題がある。
【０００４】この問題に対して、偏光板を用いず自然光
を有効に利用しようとする表示モードが提案されてい
る。このようなモードの例として、相転移型ゲスト・ホ
スト方式が挙げられる。（Ｄ．Ｌ．Ｗｈｉｔｅ ａｎｄ
Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４
５ ４７１８ １９７４）。 このモードでは、電界に
よるコレステリック・ネマティック相転移現象が利用さ
れている。この方式に、さらにマイクロカラーフィルタ
を組み合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案
されている（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
ＳＩＤ Ｖｏｌ．２９１５７ １９８８）。このような
偏光板を必要としないモードでさらに明るい表示を得る
ためには、広い角度からの入射光に対し、表示画面に垂
直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。
そのためには最適な反射特性を有する反射板を作成する
ことが必要となる。上述の文献には、ガラスなどからな
る基板の表面を研磨剤で粗面化し、弗化水素酸でエッチ
ングする時間を変化させることによって表面の凹凸を制
御し、その凹凸上に銀の反射膜を形成した反射板につい
て記載されている。
を有効に利用しようとする表示モードが提案されてい
る。このようなモードの例として、相転移型ゲスト・ホ
スト方式が挙げられる。（Ｄ．Ｌ．Ｗｈｉｔｅ ａｎｄ
Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４
５ ４７１８ １９７４）。 このモードでは、電界に
よるコレステリック・ネマティック相転移現象が利用さ
れている。この方式に、さらにマイクロカラーフィルタ
を組み合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案
されている（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
ＳＩＤ Ｖｏｌ．２９１５７ １９８８）。このような
偏光板を必要としないモードでさらに明るい表示を得る
ためには、広い角度からの入射光に対し、表示画面に垂
直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。
そのためには最適な反射特性を有する反射板を作成する
ことが必要となる。上述の文献には、ガラスなどからな
る基板の表面を研磨剤で粗面化し、弗化水素酸でエッチ
ングする時間を変化させることによって表面の凹凸を制
御し、その凹凸上に銀の反射膜を形成した反射板につい
て記載されている。
【０００５】しかしながら、上記文献に記載されている
反射板には、ガラス基板を研磨材によって傷つけること
により凹凸部が形成されているので、均一な形状の凹凸
を形成することは不可能である。また、該凹凸部の形状
の再現性が悪いという問題点がある。そのため、均一な
形状を有し、良好な反射特性を有する反射板を備えた反
射型液晶表示装置を再現性良く得ることができない。
反射板には、ガラス基板を研磨材によって傷つけること
により凹凸部が形成されているので、均一な形状の凹凸
を形成することは不可能である。また、該凹凸部の形状
の再現性が悪いという問題点がある。そのため、均一な
形状を有し、良好な反射特性を有する反射板を備えた反
射型液晶表示装置を再現性良く得ることができない。
【０００６】この問題を解決する方法として、膜を形成
し、これをエッチング法を用いて基板面に所定の形状の
多数の微細な凹凸を形成し、更にその上に銀等の反射膜
を形成して反射板とする方法が提案されている。図５及
び図６にこのような反射板の構造を備えたアクティブマ
トリクス方式の反射型液晶表示装置の構造を示す。
し、これをエッチング法を用いて基板面に所定の形状の
多数の微細な凹凸を形成し、更にその上に銀等の反射膜
を形成して反射板とする方法が提案されている。図５及
び図６にこのような反射板の構造を備えたアクティブマ
トリクス方式の反射型液晶表示装置の構造を示す。
【０００７】図５はアクティブマトリクス側の基板１ａ
の平面図であり、図６は図５のＹ−Ｙ’線断面図であ
る。ここではこの方式に用いられるスイッチング素子と
して、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す。）を用
いている。
の平面図であり、図６は図５のＹ−Ｙ’線断面図であ
る。ここではこの方式に用いられるスイッチング素子と
して、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す。）を用
いている。
【０００８】ガラス等の基板１ａ上に、クロム、タンタ
ル等からなる複数のゲート配線６ａが設けられ、ゲート
配線６ａからはゲート電極６ｂが分岐して設けられてい
る。ゲート配線６ａは走査線として機能している。ゲー
ト電極６ｂを覆って基板１ａ上の全面に窒化シリコン
（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等から成るゲ
ート絶縁膜７が形成されている。ゲート電極６ｂの上方
のゲート絶縁膜７上には、非晶質シリコン（以下、ａ−
Ｓｉと略す）多結晶シリコン（以下、ｐ−Ｓｉと略
す）、ＣｄＳｅ等から成る半導体層８が形成されてい
る。半導体層８の一方の端部には、チタン、モリブデ
ン、アルミニウム等から成るソース電極１０ｂが重畳形
成されている。図５に示すように、ソース電極１０ｂは
ソース配線１０ａから分岐したものである。また、半導
体層８の他方の端部には、ソース電極１０ｂと同様にチ
タン、モリブデン、アルミニウム等から成るドレイン電
極１１が形成されている。ドレイン電極１１上を除く部
分の上層には第１膜２が形成され、これをエッチング法
を用いて多数の微細な凹凸に加工されている。ドレイン
電極１１の半導体層８と反対側の端部には、アルミニウ
ム、銀等の金属から成る反射膜５が重畳されている。こ
の反射膜５が画素電極となる。 ゲート電極６ｂ、ゲー
ト絶縁膜７、半導体層８、ソース電極１０ｂおよびドレ
イン電極１１はＴＦＴを構成し、該ＴＦＴは、スイッチ
ング素子の機能を有している。
ル等からなる複数のゲート配線６ａが設けられ、ゲート
配線６ａからはゲート電極６ｂが分岐して設けられてい
る。ゲート配線６ａは走査線として機能している。ゲー
ト電極６ｂを覆って基板１ａ上の全面に窒化シリコン
（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等から成るゲ
ート絶縁膜７が形成されている。ゲート電極６ｂの上方
のゲート絶縁膜７上には、非晶質シリコン（以下、ａ−
Ｓｉと略す）多結晶シリコン（以下、ｐ−Ｓｉと略
す）、ＣｄＳｅ等から成る半導体層８が形成されてい
る。半導体層８の一方の端部には、チタン、モリブデ
ン、アルミニウム等から成るソース電極１０ｂが重畳形
成されている。図５に示すように、ソース電極１０ｂは
ソース配線１０ａから分岐したものである。また、半導
体層８の他方の端部には、ソース電極１０ｂと同様にチ
タン、モリブデン、アルミニウム等から成るドレイン電
極１１が形成されている。ドレイン電極１１上を除く部
分の上層には第１膜２が形成され、これをエッチング法
を用いて多数の微細な凹凸に加工されている。ドレイン
電極１１の半導体層８と反対側の端部には、アルミニウ
ム、銀等の金属から成る反射膜５が重畳されている。こ
の反射膜５が画素電極となる。 ゲート電極６ｂ、ゲー
ト絶縁膜７、半導体層８、ソース電極１０ｂおよびドレ
イン電極１１はＴＦＴを構成し、該ＴＦＴは、スイッチ
ング素子の機能を有している。
【０００９】このように作成したアクティブマトリクス
基板と透明電極を有する対向基板との間に液晶を封入し
て貼り合わせ、反射型液晶表示装置とする。
基板と透明電極を有する対向基板との間に液晶を封入し
て貼り合わせ、反射型液晶表示装置とする。
【００１０】この反射型液晶表示装置では、対向基板側
から入射した外部光をアクティブマトリクス基板の反射
膜５で反射し、液晶層を通過した反射光を対向基板側か
ら見ることになる。
から入射した外部光をアクティブマトリクス基板の反射
膜５で反射し、液晶層を通過した反射光を対向基板側か
ら見ることになる。
【００１１】以上のようにＴＦＴを形成した基板１ａ上
に第１膜２を形成すれば、エッチング法を用いて第１膜
２で多数の微細な凹凸を容易に形成することができ、こ
の凹凸を有する基板１ａ上に金属等で反射膜５を形成す
ることによって、容易に反射板として機能する凹凸を有
する画素電極を得ることができる。
に第１膜２を形成すれば、エッチング法を用いて第１膜
２で多数の微細な凹凸を容易に形成することができ、こ
の凹凸を有する基板１ａ上に金属等で反射膜５を形成す
ることによって、容易に反射板として機能する凹凸を有
する画素電極を得ることができる。
【００１２】上記のような反射板として機能する凹凸を
有する画素電極を形成するプロセスをより詳しく説明す
る。図７は図６のＡ部分のプロセスを説明するための図
である。まず、基板１ａ上のゲート絶縁膜７の上に第１
膜２を形成する（図７（ａ））。次にその上にフォトレ
ジスト３を塗布し、所定の形状にパターニングし（図７
（ｂ））、第１膜２をエッチングすることによって多数
の微細な凹凸を作成する（図７（ｃ））。そしてフォト
レジスト３を剥離し、凹凸を有する基板１ａに画素電極
となる反射膜５を形成する（図７（ｄ））ことにより完
了する。
有する画素電極を形成するプロセスをより詳しく説明す
る。図７は図６のＡ部分のプロセスを説明するための図
である。まず、基板１ａ上のゲート絶縁膜７の上に第１
膜２を形成する（図７（ａ））。次にその上にフォトレ
ジスト３を塗布し、所定の形状にパターニングし（図７
（ｂ））、第１膜２をエッチングすることによって多数
の微細な凹凸を作成する（図７（ｃ））。そしてフォト
レジスト３を剥離し、凹凸を有する基板１ａに画素電極
となる反射膜５を形成する（図７（ｄ））ことにより完
了する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな方法で反射膜５を形成すると図７（ｄ）に示すよう
に図７（ｃ）の時点でフォトレジストの残っていた凸部
５ａ及び絶縁膜２ａが取り除かれた凹部５ｂは、平面的
でありその反射光は正反射成分を多く含むことになり、
鏡面状態に近い。
うな方法で反射膜５を形成すると図７（ｄ）に示すよう
に図７（ｃ）の時点でフォトレジストの残っていた凸部
５ａ及び絶縁膜２ａが取り除かれた凹部５ｂは、平面的
でありその反射光は正反射成分を多く含むことになり、
鏡面状態に近い。
【００１４】エッチングを工夫することにより斜面の部
分を増減することは可能であるが、平面部分は残る。
又、第１膜のエッチングを途中で止めて下地のゲート絶
縁膜７を表さないようにすることもできるが、エッチン
グの基板内面分布によりエッチング形状が異なり、面内
で反射特性が異なる等の問題が発生する。
分を増減することは可能であるが、平面部分は残る。
又、第１膜のエッチングを途中で止めて下地のゲート絶
縁膜７を表さないようにすることもできるが、エッチン
グの基板内面分布によりエッチング形状が異なり、面内
で反射特性が異なる等の問題が発生する。
【００１５】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、均一
で光散乱性のよい反射特性を有する反射板を備えた、コ
ントラストの高い反射型液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。
で光散乱性のよい反射特性を有する反射板を備えた、コ
ントラストの高い反射型液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、凹凸を有する第１膜と該第１膜に液体を塗布、
硬化することによって形成された第２膜よりなる曲面部
を含む多数の微細な凹凸を有する基板上に反射膜からな
る電極を形成した反射板と、該絶縁性基板と該反射板と
の間に封入された液晶層と、を備えてなることを特徴と
するものである。
装置は、凹凸を有する第１膜と該第１膜に液体を塗布、
硬化することによって形成された第２膜よりなる曲面部
を含む多数の微細な凹凸を有する基板上に反射膜からな
る電極を形成した反射板と、該絶縁性基板と該反射板と
の間に封入された液晶層と、を備えてなることを特徴と
するものである。
【００１７】また、本発明の反射型液晶表示装置は、透
明電極が形成された絶縁性基板と、凹凸を有する第１膜
と該第１膜に液体を塗布、硬化することによって形成さ
れた第２膜よりなる曲面部を含む多数の微細な凹凸を有
する基板上に、反射膜からなる画素電極を形成したアク
ティブマトリクス基板と、該絶縁性基板と該アクティブ
マトリクス基板との間に封入された液晶層と、を備えて
なることを特徴とするものである。
明電極が形成された絶縁性基板と、凹凸を有する第１膜
と該第１膜に液体を塗布、硬化することによって形成さ
れた第２膜よりなる曲面部を含む多数の微細な凹凸を有
する基板上に、反射膜からなる画素電極を形成したアク
ティブマトリクス基板と、該絶縁性基板と該アクティブ
マトリクス基板との間に封入された液晶層と、を備えて
なることを特徴とするものである。
【００１８】ここで前記第１膜または、前記第２膜はア
クティブマトリクス基板上のスイッチング素子の保護膜
とすることもできる。
クティブマトリクス基板上のスイッチング素子の保護膜
とすることもできる。
【００１９】また、前記第１膜を感光性樹脂で構成する
こともできる。
こともできる。
【００２０】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、多数の微細な凹凸が形成された基板上に反射膜から
なる電極を形成した反射板を有する反射型液晶表示装置
の製造方法であって、該反射板を構成する基板の一方面
に第１膜を形成し、所定の形状に加工して多数の微細な
凹凸を形成する工程と、該凹凸が形成された基板上に液
体を塗布し、硬化させることによって第２膜を形成する
工程と、該第２膜上に反射膜からなる電極を形成する工
程とを包含するものである。 また、本発明の反射型液
晶表示装置の製造方法は、多数の微細な凹凸を有する基
板上に反射膜からなる画素電極を形成したアクティブマ
トリクス基板を有する反射板反射型液晶表示装置の製造
方法であって、該アクティブマトリクス基板を構成する
基板の一方面に第１膜を形成し、所定の形状に加工して
多数の微細な凹凸を形成する工程と、該凹凸が形成され
たアクティブマトリクス基板上に液体を塗布し、硬化さ
せることによって第２膜を形成する工程と、該第２膜上
に反射膜からなる画素電極を形成する工程とを包含する
ものである。
は、多数の微細な凹凸が形成された基板上に反射膜から
なる電極を形成した反射板を有する反射型液晶表示装置
の製造方法であって、該反射板を構成する基板の一方面
に第１膜を形成し、所定の形状に加工して多数の微細な
凹凸を形成する工程と、該凹凸が形成された基板上に液
体を塗布し、硬化させることによって第２膜を形成する
工程と、該第２膜上に反射膜からなる電極を形成する工
程とを包含するものである。 また、本発明の反射型液
晶表示装置の製造方法は、多数の微細な凹凸を有する基
板上に反射膜からなる画素電極を形成したアクティブマ
トリクス基板を有する反射板反射型液晶表示装置の製造
方法であって、該アクティブマトリクス基板を構成する
基板の一方面に第１膜を形成し、所定の形状に加工して
多数の微細な凹凸を形成する工程と、該凹凸が形成され
たアクティブマトリクス基板上に液体を塗布し、硬化さ
せることによって第２膜を形成する工程と、該第２膜上
に反射膜からなる画素電極を形成する工程とを包含する
ものである。
【００２１】
【作用】第１膜を用いて形成した凹凸上に液体を塗布す
ることで、液体の表面張力により基板表面は、凸部には
上に凸の円弧状に、凹部には下に凸の円弧状に形成さ
れ、前記液体の硬化後には平面部分の少ない曲面部を含
む凹凸が得られる。この曲面部を含む凹凸上に反射膜を
形成すると、正反射成分の少なくなり、鏡面状態より散
乱状態に近い特性を有する反射板が得られる。
ることで、液体の表面張力により基板表面は、凸部には
上に凸の円弧状に、凹部には下に凸の円弧状に形成さ
れ、前記液体の硬化後には平面部分の少ない曲面部を含
む凹凸が得られる。この曲面部を含む凹凸上に反射膜を
形成すると、正反射成分の少なくなり、鏡面状態より散
乱状態に近い特性を有する反射板が得られる。
【００２２】また、前記反射膜は、アクティブマトリク
ス基板上の画素電極とすることができる。この場合、第
１膜または、第２膜はアクティブマトリクス基板上のス
イッチング素子の保護膜とすることもでき、保護膜形成
プロセスを省略することができる。
ス基板上の画素電極とすることができる。この場合、第
１膜または、第２膜はアクティブマトリクス基板上のス
イッチング素子の保護膜とすることもでき、保護膜形成
プロセスを省略することができる。
【００２３】ここで第１膜に感光性樹脂を用いれば、凹
凸形成のプロセスを簡略化することができる。
凸形成のプロセスを簡略化することができる。
【００２４】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００２５】図１はこの反射型液晶表示装置に用いられ
る反射板の製造プロセスを説明するための図である。
る反射板の製造プロセスを説明するための図である。
【００２６】基板１上に第１膜２を形成する（図１
（ａ））。次にフォトレジスト３を塗布し、所定の形状
にパターニングし（図１（ｂ））、第１膜２をエッチン
グすることによって多数の微細な凹凸を作成する（図１
（ｃ））。フォトレジスト３を剥離後、凹凸が形成され
た基板１の上層にアクリル系樹脂等の液状材料を塗布し
その後硬化させて第２膜４を形成する（図１（ｄ））。
更に反射膜５からなる電極を第２膜４の上層に形成して
反射板とする（図１（ｅ））。
（ａ））。次にフォトレジスト３を塗布し、所定の形状
にパターニングし（図１（ｂ））、第１膜２をエッチン
グすることによって多数の微細な凹凸を作成する（図１
（ｃ））。フォトレジスト３を剥離後、凹凸が形成され
た基板１の上層にアクリル系樹脂等の液状材料を塗布し
その後硬化させて第２膜４を形成する（図１（ｄ））。
更に反射膜５からなる電極を第２膜４の上層に形成して
反射板とする（図１（ｅ））。
【００２７】アクリル系樹脂を塗布する際に、基板１が
現れないほどの厚みをもって塗布すると、第１膜２の凹
凸の平坦部が無くなり、より正反射の少ない反射板が得
られる。又、基板１あるいは第１膜２の凹凸に発生する
表面粗れやエッチング残渣による反射むらを無くすこと
ができる。 第２膜４の材料は、前記アクリル系樹脂の
他にエポキシ系樹脂等の液状にすることで塗布が可能で
あり、塗布後に硬化可能な材料であるならば良い。反射
膜５は、反射効率の高いアルミニウム、銀、ニッケル、
クロム等を用いる。
現れないほどの厚みをもって塗布すると、第１膜２の凹
凸の平坦部が無くなり、より正反射の少ない反射板が得
られる。又、基板１あるいは第１膜２の凹凸に発生する
表面粗れやエッチング残渣による反射むらを無くすこと
ができる。 第２膜４の材料は、前記アクリル系樹脂の
他にエポキシ系樹脂等の液状にすることで塗布が可能で
あり、塗布後に硬化可能な材料であるならば良い。反射
膜５は、反射効率の高いアルミニウム、銀、ニッケル、
クロム等を用いる。
【００２８】このようにして作成した反射板は均一で光
散乱性のよい反射特性を有している。
散乱性のよい反射特性を有している。
【００２９】図２は他の反射板の製造プロセスを説明す
るための図である。まず、基板１上に第１膜２として感
光性の樹脂膜を形成する（図２（ａ））。次に第１膜２
を露光し、所定の形状にパターニングすることによっ
て、多数の微細な凹凸を形成する（図２（ｂ））。更に
凹凸を有する基板１の上層にアクリル系樹脂等の液状材
料を塗布し、その後硬化させて第２膜４を形成する。そ
して反射膜５からなる電極を第２膜４上層に形成して反
射板とする（図２（ｃ））。
るための図である。まず、基板１上に第１膜２として感
光性の樹脂膜を形成する（図２（ａ））。次に第１膜２
を露光し、所定の形状にパターニングすることによっ
て、多数の微細な凹凸を形成する（図２（ｂ））。更に
凹凸を有する基板１の上層にアクリル系樹脂等の液状材
料を塗布し、その後硬化させて第２膜４を形成する。そ
して反射膜５からなる電極を第２膜４上層に形成して反
射板とする（図２（ｃ））。
【００３０】この反射板では第１膜２に感光性の樹脂を
用いることで、プロセスの省略ができ、低コスト化を図
ることができる。
用いることで、プロセスの省略ができ、低コスト化を図
ることができる。
【００３１】次にこれらの反射板構造を備えたアクティ
ブマトリクス方式の反射型液晶表示装置について、図３
及び図４に基づいて説明する。図３はスイッチング素子
として ＴＦＴを有するこの反射型液晶表示装置の断面
図であり、図４は図３に示される基板１ａの平面図であ
る。 ガラスなどからなる基板１ａ上に、クロム、タン
タル等からなる複数のゲート配線６ａが設けられ、ゲー
ト配線６ａからはゲート電極６ｂが分岐して設けられて
いる。ゲート配線６ａは走査線として機能している。
ゲート電極６ｂを覆って基板１ａ上の全面に窒化シリコ
ン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等から成る
ゲート絶縁膜７が形成されている。ゲート電極６ｂの上
方のゲート絶縁膜７上には、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ等から
成る半導体層８が形成されている。半導体層の両端部に
はａ−Ｓｉ（ｎ＋）、ｐ−Ｓｉ（ｎ＋）などからなるコ
ンタクト層９が形成されている。 コンタクト層９の一
方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム等か
ら成るソース電極１０ｂが重畳形成されている。図４に
示すように、ソース電極１０ｂはソース配線１０ａから
分岐したものである。ソース配線１０ａは信号線として
機能している。また、コンタクト層９の他方の端部に
は、ソース電極１０ｂと同様にチタン、モリブデン、ア
ルミ等から成るドレイン電極１１が形成されている。
ゲート電極６ｂ、ゲート絶縁膜７、半導体層８、ソース
電極１０ｂおよびドレイン電極１１はＴＦＴを構成し、
スイッチング素子の機能を有する。
ブマトリクス方式の反射型液晶表示装置について、図３
及び図４に基づいて説明する。図３はスイッチング素子
として ＴＦＴを有するこの反射型液晶表示装置の断面
図であり、図４は図３に示される基板１ａの平面図であ
る。 ガラスなどからなる基板１ａ上に、クロム、タン
タル等からなる複数のゲート配線６ａが設けられ、ゲー
ト配線６ａからはゲート電極６ｂが分岐して設けられて
いる。ゲート配線６ａは走査線として機能している。
ゲート電極６ｂを覆って基板１ａ上の全面に窒化シリコ
ン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等から成る
ゲート絶縁膜７が形成されている。ゲート電極６ｂの上
方のゲート絶縁膜７上には、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ等から
成る半導体層８が形成されている。半導体層の両端部に
はａ−Ｓｉ（ｎ＋）、ｐ−Ｓｉ（ｎ＋）などからなるコ
ンタクト層９が形成されている。 コンタクト層９の一
方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム等か
ら成るソース電極１０ｂが重畳形成されている。図４に
示すように、ソース電極１０ｂはソース配線１０ａから
分岐したものである。ソース配線１０ａは信号線として
機能している。また、コンタクト層９の他方の端部に
は、ソース電極１０ｂと同様にチタン、モリブデン、ア
ルミ等から成るドレイン電極１１が形成されている。
ゲート電極６ｂ、ゲート絶縁膜７、半導体層８、ソース
電極１０ｂおよびドレイン電極１１はＴＦＴを構成し、
スイッチング素子の機能を有する。
【００３２】以上のようにＴＦＴを形成した基板１ａ上
に前述した反射板の製造プロセスと同様にして凹凸を有
する第１膜２、第２膜４及び、反射膜５を形成する。こ
の反射膜５は画素電極となる。ここで第１膜又は、第２
膜４を絶縁性にすれば、図４に示すようにこれらの膜を
ＴＦＴ部分を覆うように形成することによって、ＴＦＴ
の保護膜とすることができ、プロセスの簡略化が図れ
る。但しこの場合には、第２膜４を形成した後に、第２
膜４上に形成する反射膜５とＴＦＴのドレイン電極１１
とを電気的に接続するためのコンタクトホール１２を形
成しなければならない。
に前述した反射板の製造プロセスと同様にして凹凸を有
する第１膜２、第２膜４及び、反射膜５を形成する。こ
の反射膜５は画素電極となる。ここで第１膜又は、第２
膜４を絶縁性にすれば、図４に示すようにこれらの膜を
ＴＦＴ部分を覆うように形成することによって、ＴＦＴ
の保護膜とすることができ、プロセスの簡略化が図れ
る。但しこの場合には、第２膜４を形成した後に、第２
膜４上に形成する反射膜５とＴＦＴのドレイン電極１１
とを電気的に接続するためのコンタクトホール１２を形
成しなければならない。
【００３３】基板１ａと対向する絶縁性基板１ｂにはカ
ラーフィルター１３が形成される。カラーフィルター１
３上の全面にはＩＴＯなどからなる透明電極１４が形成
される。両基板は、さらに配向膜１５が形成され、対向
して貼り合わせられ、間に液晶層として黒色色素を混入
した相転移型ゲスト・ホスト方式用の液晶を封入して偏
光板を必要としない反射型液晶表示装置が完成する。
ラーフィルター１３が形成される。カラーフィルター１
３上の全面にはＩＴＯなどからなる透明電極１４が形成
される。両基板は、さらに配向膜１５が形成され、対向
して貼り合わせられ、間に液晶層として黒色色素を混入
した相転移型ゲスト・ホスト方式用の液晶を封入して偏
光板を必要としない反射型液晶表示装置が完成する。
【００３４】この反射型液晶表示装置では、対向する絶
縁性基板１ｂ側から入射した外部光を基板１ａ上の反射
膜５で反射し、液晶１６を通過した反射光を絶縁性基板
１ｂ側から見ることになる。
縁性基板１ｂ側から入射した外部光を基板１ａ上の反射
膜５で反射し、液晶１６を通過した反射光を絶縁性基板
１ｂ側から見ることになる。
【００３５】この反射型液晶表示装置の画素電極は均一
で光散乱性のよい反射特性を有しており、これによって
良好なコントラストを実現することができる。
で光散乱性のよい反射特性を有しており、これによって
良好なコントラストを実現することができる。
【００３６】本実施例では、スイッチング素子としてＴ
ＦＴを用いた場合について説明したが、ダイオード、バ
リスタ、ＭＩＭ素子等がスイッチング素子であってもか
まわない。また、スイッチング素子を用いない単純マト
リクス方式であっても良い。
ＦＴを用いた場合について説明したが、ダイオード、バ
リスタ、ＭＩＭ素子等がスイッチング素子であってもか
まわない。また、スイッチング素子を用いない単純マト
リクス方式であっても良い。
【００３７】また、本実施例では基板１ａ側に画素電極
として、反射板構造を設けたが、画素電極を透明電極と
し、対向する絶縁性基板１ｂ側の電極をに反射板構造と
してもよい。ただし、カラーフィルター１３は基板１ａ
側に設ける。
として、反射板構造を設けたが、画素電極を透明電極と
し、対向する絶縁性基板１ｂ側の電極をに反射板構造と
してもよい。ただし、カラーフィルター１３は基板１ａ
側に設ける。
【００３８】この場合には、基板１ａ側から入射した外
部光を対向する絶縁性基板１ｂ上の反射膜で反射し、液
晶層１６を通過した反射光を基板１ａ側から見ることに
なる。
部光を対向する絶縁性基板１ｂ上の反射膜で反射し、液
晶層１６を通過した反射光を基板１ａ側から見ることに
なる。
【００３９】尚、表示モードとしては、本実施例で用い
た相転移型ゲスト．ホストモードの他に、２層式ゲス
ト．ホストモードのような光吸収モード、高分子分散型
ＬＣＤのような光散乱型表示モード等の表示モードを採
用することもできる。
た相転移型ゲスト．ホストモードの他に、２層式ゲス
ト．ホストモードのような光吸収モード、高分子分散型
ＬＣＤのような光散乱型表示モード等の表示モードを採
用することもできる。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、均一で光散乱性のよい
反射特性を有する反射板が得られるので、液晶表示装置
のコントラストを向上させることができる。
反射特性を有する反射板が得られるので、液晶表示装置
のコントラストを向上させることができる。
【００４１】又、第１膜に感光性樹脂を用いたり、ま
た、アクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置の
場合、第１膜または、第２膜を保護膜とすることで、プ
ロセスが簡略化し、コストの低減や歩留まりの向上を図
ることができる。
た、アクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置の
場合、第１膜または、第２膜を保護膜とすることで、プ
ロセスが簡略化し、コストの低減や歩留まりの向上を図
ることができる。
【図１】本発明の一実施例の反射型液晶表示装置におけ
る反射板の製造プロセスを説明するための図である。
る反射板の製造プロセスを説明するための図である。
【図２】他の反射板の製造プロセスを説明するための図
である。
である。
【図３】本発明の一実施例を示すアクティブマトリクス
方式の反射型液晶表示装置の断面図である。
方式の反射型液晶表示装置の断面図である。
【図４】図３に示されるアクティブマトリクス基板の平
面図である。
面図である。
【図５】従来の反射型液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板の平面図である。
ィブマトリクス基板の平面図である。
【図６】同図のＹ−Ｙ’線断面図である。
【図７】従来の反射板の製造プロセスを説明するための
図である。
図である。
１，１ａ 基板 １ｂ 絶縁性基板 ２ 第１膜 ４ 第２膜 ５ 反射膜 １４ 透明電極 １６ 液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 久和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 三ッ井 精一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 木村 直史 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 入射光を反射することにより表示を行う
反射型液晶表示装置において、 透明電極が形成された絶縁性基板と、 凹凸を有する第１膜と該第１膜に液体を塗布、硬化する
ことによって形成された第２膜よりなる曲面部を含む多
数の微細な凹凸を有する基板上に反射膜からなる電極を
形成した反射板と、 該絶縁性基板と該反射板との間に封入された液晶層と、 を備えてなることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 入射光を反射することにより表示を行う
反射型液晶表示装置において、 透明電極が形成された絶縁性基板と、 凹凸を有する第１膜と該第１膜に液体を塗布、硬化する
ことによって形成された第２膜よりなる曲面部を含む多
数の微細な凹凸を有する基板上に、反射膜からなる画素
電極を形成したアクティブマトリクス基板と、 該絶縁性基板と該アクティブマトリクス基板との間に封
入された液晶層と、を備えてなることを特徴とする反射
型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記第１膜が感光性樹脂からなることを
特徴とする請求項１または請求項２記載の反射型液晶表
示装置。 - 【請求項４】 前記第１膜がアクティブマトリクス基板
上のスイッチング素子の保護膜であることを特徴とする
請求項２記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記第２膜がアクティブマトリクス基板
上のスイッチング素子の保護膜であることを特徴とする
請求項２記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項６】 多数の微細な凹凸が形成された基板上に
反射膜からなる電極を形成した反射板を有する反射型液
晶表示装置の製造方法であって、 該反射板を構成する基板の一方面に第１膜を形成し、所
定の形状に加工して多数の微細な凹凸を形成する工程
と、 該凹凸が形成された基板上に液体を塗布し、硬化させる
ことによって第２膜を形成する工程と、 該第２膜上に反射膜からなる電極を形成する工程と、 を包含する反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 多数の微細な凹凸が形成された基板上に
反射膜からなる画素電極を形成したアクティブマトリク
ス基板を有する反射型液晶表示装置の製造方法であっ
て、 該アクティブマトリクス基板を構成する基板の一方面に
第１膜を形成し、所定の形状に加工して多数の微細な凹
凸を形成する工程と、 該凹凸が形成されたアクティブマトリクス基板上に液体
を塗布し、硬化させることによって第２膜を形成する工
程と、 該第２膜上に反射膜からなる画素電極を形成する工程
と、 を包含する反射型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031127A JP2756206B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| TW087208836U TW540747U (en) | 1992-02-19 | 1993-02-18 | A reflective substrate and a liquid crystal display device using the same |
| US08/019,474 US5418635A (en) | 1992-02-19 | 1993-02-18 | Liquid crystal device with a reflective substrate with bumps of photosensitive resin which have 2 or more heights and random configuration |
| EP93301220A EP0557110B1 (en) | 1992-02-19 | 1993-02-19 | A reflective substrate, a method for producing the same, and a liquid crystal display device using the same |
| DE69314197T DE69314197T2 (de) | 1992-02-19 | 1993-02-19 | Reflektierendes Substrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, die dieses benutzt |
| KR1019930002327A KR100187329B1 (ko) | 1992-02-19 | 1993-02-19 | 반사형 기판, 그의 제조 방법 및 그를 사용한 액정 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031127A JP2756206B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232465A true JPH05232465A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2756206B2 JP2756206B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=12322764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4031127A Expired - Lifetime JP2756206B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756206B2 (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0895071A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| JPH0954318A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2000007065A1 (fr) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a diffusion et procede d'excitation de ce dispositif |
| US6313895B1 (en) | 1996-10-23 | 2001-11-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflecting plate, reflection type liquid crystal display device and processes for manufacturing same |
| JP2002014337A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US6400437B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-06-04 | Kyocera Corporation | Light semitransmitting type liquid crystal display device |
| US6452653B1 (en) | 1999-07-19 | 2002-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflector, method of fabricating the same, reflective display device comprising reflector, and method of fabricating the same |
| US6538711B2 (en) | 1998-07-31 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing reflective liquid crystal display device |
| US6850309B2 (en) | 2001-01-09 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display device with a plurality of projections having different heights and process for manufacturing the same |
| KR100474058B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2005-03-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 액정표시장치 |
| US6882388B2 (en) | 2001-01-25 | 2005-04-19 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US6891586B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-05-10 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6917393B2 (en) | 2000-12-15 | 2005-07-12 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7027116B2 (en) | 2002-01-04 | 2006-04-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display having the same |
| US7075602B2 (en) | 2001-10-15 | 2006-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for reflective liquid crystal display device and reflective liquid crystal display device using the same wherein the reflective surface is a wrinkled pattern of small mirrors |
| US7209107B2 (en) | 2002-11-06 | 2007-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method for the same |
| US7480019B2 (en) | 2001-01-25 | 2009-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a substrate for an lcd device |
| US7710523B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7738062B2 (en) | 2004-05-27 | 2010-06-15 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7749575B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7910178B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-03-22 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and method of producing the same |
| JP2011118422A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-06-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| US11762252B2 (en) | 2021-04-01 | 2023-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7215393B2 (en) | 2000-07-28 | 2007-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflective plate and display device using the plate |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP4031127A patent/JP2756206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0895071A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| JPH0954318A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6208395B1 (en) | 1995-08-16 | 2001-03-27 | Nec Corporation | Reflective liquid crystal display and method for fabricating the same |
| US6313895B1 (en) | 1996-10-23 | 2001-11-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflecting plate, reflection type liquid crystal display device and processes for manufacturing same |
| WO2000007065A1 (fr) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a diffusion et procede d'excitation de ce dispositif |
| US6538711B2 (en) | 1998-07-31 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing reflective liquid crystal display device |
| US6400437B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-06-04 | Kyocera Corporation | Light semitransmitting type liquid crystal display device |
| US6452653B1 (en) | 1999-07-19 | 2002-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflector, method of fabricating the same, reflective display device comprising reflector, and method of fabricating the same |
| JP2002014337A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR100474058B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2005-03-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 액정표시장치 |
| US7102712B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-09-05 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device comprising pixel electrodes having protruding portions formed of island-like multi-layered material layers |
| US6891586B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-05-10 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6917393B2 (en) | 2000-12-15 | 2005-07-12 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6850309B2 (en) | 2001-01-09 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display device with a plurality of projections having different heights and process for manufacturing the same |
| US7903210B2 (en) | 2001-01-25 | 2011-03-08 | Sharp Kk | Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US7973893B2 (en) | 2001-01-25 | 2011-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device |
| US6882388B2 (en) | 2001-01-25 | 2005-04-19 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US7480019B2 (en) | 2001-01-25 | 2009-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a substrate for an lcd device |
| US7511786B2 (en) | 2001-10-15 | 2009-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for reflective liquid crystal display device and reflective liquid crystal display device using the same |
| US7075602B2 (en) | 2001-10-15 | 2006-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for reflective liquid crystal display device and reflective liquid crystal display device using the same wherein the reflective surface is a wrinkled pattern of small mirrors |
| US7609345B2 (en) | 2002-01-04 | 2009-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display having the same |
| US7027116B2 (en) | 2002-01-04 | 2006-04-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display having the same |
| US7442566B2 (en) | 2002-11-06 | 2008-10-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method for the same |
| US7209107B2 (en) | 2002-11-06 | 2007-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method for the same |
| US7768606B2 (en) | 2002-11-06 | 2010-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method for the same |
| US7889296B2 (en) | 2002-11-06 | 2011-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method for the same |
| US7749575B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US9011990B2 (en) | 2003-03-31 | 2015-04-21 | Unified Innovative Technology, Llc | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8623474B2 (en) | 2003-03-31 | 2014-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8178171B2 (en) | 2003-03-31 | 2012-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7738062B2 (en) | 2004-05-27 | 2010-06-15 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7910178B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-03-22 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and method of producing the same |
| US7710523B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7978290B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8125600B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8208106B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-06-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8212981B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8325306B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8432518B2 (en) | 2005-01-06 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7920239B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8804079B2 (en) | 2005-01-06 | 2014-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US9007553B2 (en) | 2005-01-06 | 2015-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7911573B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| JP2011118422A (ja) * | 2011-03-01 | 2011-06-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| US11762252B2 (en) | 2021-04-01 | 2023-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2756206B2 (ja) | 1998-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2756206B2 (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2812851B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| US5526149A (en) | Reflection type liquid crystal display device | |
| US5418635A (en) | Liquid crystal device with a reflective substrate with bumps of photosensitive resin which have 2 or more heights and random configuration | |
| JP3665263B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2698218B2 (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP4904135B2 (ja) | 反射透過型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2793076B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2001201742A (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH0675238A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US6327009B1 (en) | Reflection-type liquid crystal display panel and method of fabricating the same | |
| JPH11337961A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH06175126A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2000284272A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US6919943B2 (en) | Substrate for a liquid crystal device, method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device, a liquid crystal device, a method of manufacturing a liquid crystal device, and an electronic apparatus | |
| JP3012421B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JPH0736030A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JP2740401B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH05173158A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| KR100290921B1 (ko) | 반사형 액정표시소자의 반사판 및 그 제조방법 | |
| JP3478528B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3193906B2 (ja) | 反射型液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH06342153A (ja) | 反射型液晶表示装置およびその作成方法 | |
| JP2999317B2 (ja) | 反射型カラー液晶表示装置 | |
| JPH08313890A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 |