KR100633946B1 - 반투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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미치아키 사카모토
켄이치로 나카
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엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디.
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Abstract

액티브 매트릭스 기판의 반사 영역의 TFT의 소스 전극은 반사막으로서 겸용되고, 투과 영역의 투명 전극막은 TFT상의 볼록 형상의 투명 유기막 표면에 연장되도록 마련되어 콘택트 홀을 통하여 소스 전극에 전기적으로 접속된다. 대향 기판의 대향 전극은 투명 전극막과 동일 재료로 형성된다. 그에 따라, 잔류 DC 전극에 기인하는 플리커의 발생이 억제된다.
반투과형 액정 표시 장치

Description

반투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법{SEMI-TRANSMISSION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 투과 영역 및 반사 영역을 갖는 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 종래의 반투과형 액정 표시 장치의 액정 패널의 구성을 도시한 단면도.
도 3의 A 내지 G는 종래의 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법을 공정순으로 설명하는 주요부의 단면도.
도 4는 반투과형 액정 표시 장치의 TFT상의 투명 유기막의 평균적인 높이와 투과 영역의 갭 및 반사 영역의 갭과의 관계를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 제 1의 실시예의 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 상기 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 TFT 부근의 평면도.
도 7의 A 및 B는 각각 도 6의 I-I선 및 II-II선에 따른 단면도.
도 8의 A 내지 G는 본 발명의 제 1의 실시예의 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법을 공정순으로 도시한 공정도.
도 9는 본 발명의 제 2의 실시예의 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 단면도.
도 10은 도 9의 요철면을 갖는 투명 유기막부의 확대도.
도 11은 본 발명의 제 3의 실시예인 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 단면도.
기술분야
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 화소중에 투과 영역과 반사 영역을 구비한 반투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래기술
액정 표시 장치는 소형, 박형, 저소비 전력이라는 특징으로부터 휴대 전화, PDA (personal digital assistance) 등의 넓은 분야에서 실용화가 진행되고 있다. 상기 액정 표시 장치는 액티브 매트릭스 방식과 패시브 매트릭스 방식의 2개의 구동 방식이 알려져 있다. 통상, 액티브 매트릭스 방식은 고품질의 화상을 표시할 수 있기 때문에, 널리 채용되고 있다.
액티브 매트릭스 방식으로 구동되는 액정 표시 장치는 투과형과 반사형으로 분류된다. 투과형과 반사형의 액정 표시 장치는 어느 것이나 액정 표시 장치의 주 요부를 구성하는 액정 패널이 전자 셔터로서 작용하여 외부로부터 입사한 광을 통과 또는 차단시킴에 의해 화상을 표시하는 것을 기본 원리로 하고 있다. 즉, 이들의 액정 표시 장치는 스스로 발광하는 기능을 갖고 있지 않다. 따라서 액정 표시 장치에서 화상을 표시하는 경우는 어느 타입이라도 별도로 광원을 필요로 한다. 예를 들면, 투과형 액정 표시 장치는 액정 패널의 표면에 대한 반대면에 위치한 백라이트로 이루어지는 광원을 마련하고 있다. 그리고, 상기 액정 패널에서 백라이트로부터 입사한 광을 투과 및 차단을 전환함에 의해 표시가 제어되도록 구성되어 있다. 이와 같은 투과형 액정 표시 장치에서는 백라이트 광을 항상 입사함에 의해 동 투과형 액정 표시 장치가 사용된 장소의 주위의 밝기에 무관계로 밝은 화면을 얻을 수 있다.
그러나, 일반적으로 백라이트 광원의 소비 전력은 크고, 투과형 액정 표시 장치의 전력의 절반 가깝게 백라이트 광원에 소비되기 때문에, 소비 전력증대의 요인으로 되어 버린다. 특히, 배터리로 구동하는 타입의 투과형 액정 표시 장치는 사용 가능 시간이 짧아진다. 사용 가능 시간을 연장하기 위해 대형의 배터리를 탑재하면, 투과형 액정 표시 장치는 장치 전체의 중량이 커져, 소형화 및 경량화의 방해가 된다.
그래서, 투과형 액정 표시 장치에 있어서의 백라이트 광원의 소비 전력의 문제를 해결하기 위해, 백라이트 광원을 불필요하게 한 반사형 액정 표시 장치가 제안되고 있다. 반사형 액정 표시 장치에서는 액정 표시 장치가 사용되는 장소의 주위에 존재하고 있는 광(이하, 외부 주위광이라고도 칭한다)을 광원으로서 이용한 다. 상기 반사형 액정 표시 장치는 액정 패널의 내부에 반사판을 마련하고 있다. 그리고, 반사형 액정 표시 장치에서는 액정 패널의 내부에 입사하고, 그 반사판에서 반사된 외부 주위광의 투과 및 차단을 전환함에 의해 표시가 제어된다. 상기 반사형 액정 표시 장치에서는 투과형 액정 표시 장치와 같은 백라이트 광원이 불필요하기 때문에, 소비 전력의 저감, 소형화 및 경량화를 도모할 수 있다. 그러나, 반사형 액정 표시 장치는 주위가 어두운 경우에는 외부 주위광이 광원으로서 충분히 작용하지 않게 되기 때문에, 시인성이 현저하게 저하되어 버리는 문제를 가지고 있다.
이와 같이 투과형 액정 표시 장치 및 반사형 액정 표시 장치에는 각각 일장일단이 있고, 외광에 대응한 안정된 표시를 얻기가 어렵다. 그래서, 백라이트 광원의 소비 전력을 억제하고, 또한 외부 주위광이 어두운 경우에도 시인성을 향상시킬 수 있도록, 반투과형 액정 표시 장치가 일본국 특개2003-156756호 공보 및 일본국 특개2003-050389호 공보에 제안되어 있다. 반투과형 액정 표시 장치는 액정 패널의 화소 영역에 투과 영역과 반사 영역을 구비하고, 투과형 액정 표시 장치 및 반사 형액정 표시 장치로서의 동작을 하나의 액정 패널로 실현하도록 구성되어 있다.
상기 반투과형 액정 표시 장치에 의하면, 외부 주위광이 어두운 경우에는 백라이트를 온으로 하고 상기 투과 영역을 이용함에 의해 투과형 액정 표시 장치로서 동작시킨다. 그리고, 반투과형 액정 표시 장치에서는 주위가 어두운 경우에도 시인성 향상이라는 투과형 액정 표시 장치의 특성을 발휘할 수 있다. 한편, 반투과형 액정 표시 장치에서는 외부 주위광이 충분히 밝은 경우에는 백라이트를 오프로 하 고, 상기 반사 영역을 이용하여 반사형 액정 표시 장치로서 동작시킨다. 이와 같이 외부 주위광이 충분히 밝은 경우에는 저소비 전력이라는 반사형 액정 표시 장치의 특성을 발휘시킬 수 있다.
상기 반투과형 액정 표시 장치에 있어서, 투과형 액정 표시 장치로서 동작시키기 위한 투과 영역에서는 백라이트로부터의 입사광이 투과층을 투과한다. 한편, 반사형 액정 표시 장치로서 동작시키기 위한 반사 영역에서는 외부 주위광인 입사광이 액정 패널의 액정층을 왕복하여 통과한다. 상기 결과, 액정층에 있어서의 상기 양 입사광간에는 광로차가 생긴다. 상기 때문에, 반투과형 액정 표시 장치에서는 액정층의 막두께인 반사 영역의 반사 갭 값과, 투과 영역의 투과 갭 값을 액정의 트위스트 각에 따라 최적치로 설정할 필요가 있다. 그렇게 함에 의해, 반사 영역 및 투과 영역에서의 리타데이션의 상위에 의해 표시면으로부터 출사하는 출사광의 강도를 최적화할 수 있다.
도 1은 상기 일본국 특개2003-050389호 공보에 개시되어 있는 투과 영역 및 반사 영역을 갖는 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 상기 반투과형 액정 표시 장치는 도 1에 도시한 바와 같이 액티브 매트릭스 기판(112)과, 대향 기판(116)과, 양 기판에 협지된 액정층(117)을 구비하고 있다. 또한, 상기 표시 장치는 액티브 매트릭스 기판(112)의 이면에 백라이트 광원(118)과, 액티브 매트릭스 기판(112) 및 대향 기판(116)의 각각 외측에 위상차판(λ/4판)(120A, 120B) 및 편광판(119A, 119B)을 구비하고 있다. 여기서, 액티브 매트릭스 기판(112)의 대향 기판(116)과 대향한 면에는 투명 전극막(105) 및 반사막(106)(반 사 전극)이 마련되어 있다. 투명 전극막(105)은 화소 영역의 투과 영역으로서 작용하고, 반사막(106)(반사 전극)은 반사 영역으로서 작용한다. 이와 같이 각 광학 부재를 상호 배치하여 반투과형 액정 표시 장치를 구성함에 의해, 입사광 및 출사광의 편광 상태를 제어하고 출사광 강도의 최적화를 도모한다. 또한, 도 1의 부호 DR, DF는 액정층의 막두께인 반사 영역의 반사 갭 값 및 투과 영역의 투과 갭 값을 각각 나타낸다. 도 1의 우측에 표시된 수치값 중에서, "Φ°"는 액정의 트위스트 각을 표시하고, "45°"는 편광판(119A)의 광축에 대한 위상차판(λ/4)의 광축의 각도의 배치각을 나타낸다. 또한, "135°"는 편광판(119B)의 광축에 대한 위상차판(120A)의 광축의 배치각을 나타낸다. 대향 기판(116)에 대한 "0°"라는 수치값은 대향 기판(116)의 긴 변이 편광판(119B)의 광축과 평행으로 배치되어 있다는 것을 의미한다.
다음에, 도 2를 참조로 하여, 종래의 반투과형 액정 표시 장치의 액정 패널의 구성에 관해 설명한다. 반투과형의 액정 패널은 동 도면에 도시한 바와 같이 스위칭 소자로서 동작하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)가 형성된 액티브 매트릭스 기판(112)과, 대향 기판(116)과, 양 기판간에 협지된 액정층(117)을 구비하고 있다. 여기서, 액티브 매트릭스 기판(112)은 투명 절연 기판(60)과, 상기 투명 절연 기판(60)상에 형성된 게이트선(도시 생략) 및 데이터선(도시 생략)과, 상기 게이트선에 접속된 게이트 전극(61)과, 게이트 절연막(63)과, 반도체층(64)을 구비하고 있다. 그리고, 또한, 액티브 매트릭스 기판(112)은 반도체층(64)의 양 단으로부터 인출되어 각각 데이터선 및 화소 전극에 접속된 드레인 전극(65) 및 소스 전극(66)과, 패시베이션막(67)을 구비하고 있다.
화소 영역(200)은 백라이트 광원(118)으로부터의 입사광을 투과시키는 투과 영역(202)과, 입사된 외부 주위광을 반사시키는 반사 영역(201)으로 분할되어 있다. 투과 영역(202)의 패시베이션막(67)상에는 ITO(Indium Tin Oxide) 등으로 이루어지는 투명 전극막(105)이 형성되어 있다. 반사 영역(201)의 투명 전극막(105)은 유기막(70) 등의 요철면에 형성된 Al 또는 Al 합금을 포함하는 반사막(106)에 접속되어 있다. 투명 전극막(105) 및 반사막(106)은 패시베이션막(67)에 형성된 콘택트 홀(69)을 통하여 소스 전극(66)에 접속되어 있다. 이들의 투명 전극막(105) 및 반사막(106)은 화소 전극으로서 작용한다. 이들의 전극막상에는 배향막(도시 생략)이 형성되어 있다.
여기서, 게이트 전극(61), 게이트 절연막(63), 반도체층(64), 드레인 전극(65) 및 소스 전극(66)에 의해 TFT가 구성되어 있다. 한편, 대향 기판(116)은 투명 절연 기판(90)과, 컬러 필터(91)와, 블랙 매트릭스(도시 생략)와, 대향 전극(92)과, 배향막(도시 생략)을 구비하고 있다.
이와 같은 구조의 반투과형 액정 표시 장치에서는 투과 영역(202)에서는 백라이트 광원(118)으로부터 출사되고, 액티브 매트릭스 기판(112)의 이면으로부터 입사한 백라이트 광이 액정층(117)을 통과하여 대향 기판(116)으로부터 출사된다. 그리고, 반사 영역(201)에서는 대향 기판(116)으로부터 입사한 외부 주위광이 액정층(117)을 통과한 후, 반사막(106)에서 반사되어 재차 액정층(117)을 통과하여 대향 기판(116)으로부터 출사된다. 요철막(요철면을 갖는 유기막(70)을 말하다)의 단 차는 반사 갭(DR)이 투과 갭(DF)의 약 반분(단, 트위스트 각(Φ) 약 0°의 예)으로 되도록 설계된다. 이와 같이 반사 갭(DR)과 투과 갭(DF)을 설계함에 의해 각각의 영역을 통과하는 양 입사광 사이의 광로 길이가 개략 동등하게 되어 출사광의 편광 상태가 조정된다.
다음에, 도 3을 참조로 하여, 상기 일본국 특개2003-156756호 공보 및 일본국 특개2003-050389호 공보에 개시되어 있는 종래의 반투과 액정 표시 장치의 제조 방법 예를 공정순으로 설명한다. 우선, 도 3의 A에 도시한 바와 같이 유리 등의 투명 절연 기판(60)상에 Al-Nd, Cr 등의 금속막을 전체면에 퇴적한다. 상기 금속막을 포토리소그래피 기술 및 에칭 기술에 의해 패터닝하고, 게이트선, 게이트 전극(61), 커먼 스토리지선 및 보조 용량 전극이 형성된다(제 1의 포토리소그래피 공정, 이하 제 1의 PR이라고 약기한다).
다음에, 도 3의 B에 도시한 바와 같이 SiO2, SiNX, SiOX 등의 게이트 절연막(63)이 투명 절연 기판(60)상의 전체면에 형성된다. 다음에 플라즈마 CVD법 등에 의헤 a(amorphous)-Si막 등의 반도체막이 투명 절연 기판(60)상의 전체면에 퇴적된다. 상기 반도체막을 패터닝하여 TFT의 반도체층(64)이 형성된다(제 2의 PR).
다음에 도 3의 C에 도시한 바와 같이 Cr 등의 금속막을 투명 절연 기판(60)상의 전체면에 퇴적한다. 상기 금속막을 패터닝하여 데이터선, 드레인 전극(65), 소스 전극(66)이 형성된다(제 3의 PR). 이상에 의해 TFT가 형성된다.
그 후, 도 3의 D에 도시한 바와 같이 TFT를 보호하기 위해 SiNX막 등으로 이 루어지는 패시베이션막(67)이 투명 절연 기판(60)상의 전체면에 퇴적된 후, 화소 전극과 TFT를 접속하기 위한 콘택트 홀(69)이 개구된다(제 4의 PR).
다음에 도 3의 E에 도시한 바와 같이 스퍼터링법에 의해 투명 절연 기판(60)상의 전체면에 IT0 등의 투명 도전막이 퇴적된다. 상기 투명 도전막을 패터닝하여, 각각의 화소 전체면을 덮는 투명 전극막(105)이 형성된다(제 5의 PR).
다음에 도 3의 F에 도시한 바와 같이 스핀 도포법에 의해 패시베이션막(67) 및 투명 전극막(105)상에 감광성 아크릴 수지를 도포함에 의해, 화소 영역의 반사 영역에 요철막이 형성된다. 상기 요철막은 외부 주위광인 입사광이 후술하는 반사막에 의해 반사될 때, 상기 반사광의 시인성을 높이기 위해 형성된다. 또한, 감광성 아크릴 수지의 요철막을 형성하는 경우, 오목부는 비교적 적은 광량에 의해 노광된다. 한편 볼록부는 미노광으로 하고, 또한, 콘택트 홀을 형성하는 영역은 비교적 많은 광량에 의해 노광된다. 이와 같은 노광을 행하는데는 예를 들면, 상기 볼록부에 대응하는 부분에는 반사막, 콘택트 홀 등에 대응하는 부분에는 투과막의 마스크가 이용된다. 그리고, 오목부에 대응하는 부분에는 반투과막이 형성된 하프 톤(그레이 톤) 마스크가 이용된다. 이와 같은 하프 톤 마스크를 이용함에 의해 1회의 노광으로 요철이 형성된다. 또한, 하프 톤 마스크를 이용하는 대신에, 통상의 반사 영역과 투과 영역만으로 이루어지는 마스크를 이용하여 콘택트 홀 부와 오목부 형성부를 별도로 노광함에 의해서도 요철을 형성할 수 있다. 그 후, 알칼리 현상액을 이용하여 오목부, 볼록부, 콘택트 홀 등의 각각의 알칼리 용액에 의한 용해 속도의 차를 이용하여 요철을 형성한다(제 6의 PR).
다음에, 도 3의 G에 도시된 바와 같이 스퍼터법 또는 증착법을 이용하여 투명 절연 기판(60)상의 전체면에 Mo와 Al이 연속하여 퇴적되고, 화소 전극용 금속막이 형성된다. 상기 금속막의 반사 영역이 되는 부분이 레지스트 패턴으로 피복된 후, 노출한 금속막(Mo/Al)이 드라이 에칭 또는 웨트 에칭되어 반사막(106)이 형성된다(제 7의 PR). 여기서 Mo는 반사막으로서의 Al과 화소 전극의 ITO가 직접 접촉하고, 현상 공정에서 전식 반응(electrolytic corrosion)을 일으키는 것을 방지하기 위한 배리어 메탈로서 사용된다. 또한, Al과 Mo는 같은 웨트 에칭 액으로 에칭될 수 있기 때문에, 프로세스 수가 증가하는 일이 없기 때문에, 배리어 메탈로서 Mo가 바람직하다.
그 후, 투명 전극막(68), 반사막(71) 및 요철 표면을 갖는 막(70)을 전체면상에서 피복하는 폴리이미드(도시되지 않음)로 이루어지는 배향막이 형성되고, 그에 따라 액티브 매트릭스 기판(112)이 제조된다.
다음에, 도 2에 도시된 바와 같이 투명 절연 기판(90)상에 컬러 필터(91), 블랙 매트릭스, 대향 전극(92), 배향막 등이 순차적으로 형성되어 구성되는 대향 기판(116)이 준비된다. 그리고, 양 기판간에 액정층(117)이 끼워 삽입(介揷)된다. 각각의 기판 양측에는 위상차판(λ/4판)(120A, 120B) 및 편광판(119A. 119B)이 배치된다. 그리고, 액티브 매트릭스 기판(112)측의 편광판(119A)의 이면에는 백라이트 광원(118)이 배치되어 반투과형 액정 표시 장치가 제조된다.
전술한 바와 같이 종래의 반투과형 액정 표시 장치는 투과형 액정 표시 장치 에 비하여 화소 영역의 반사 영역의 요철막 형성 공정과 반사막의 형성 공정이 늘어나고, 포토리소그래피 공정(PR)의 갯수도 7PR로 되어, 제조 비용의 업 요인이 된다.
반사 전극(Al)과 대향 전극(ITO)이 다른 금속이기 때문에, 반사 영역에 잔류 DC 전압(잔류 전하에 의한 전압)이 생겨 플리커가 발생한다는 문제가 생긴다. 상기 잔류 DC 전압의 문제에 관해, 이하에 상세하게 기술한다.
액티브 매트릭스 방식으로 구동되는 반투과형 액정 표시 장치는 통상, 교류 전압으로 구동된다. 대향 전극에 인가하는 전압을 기준 전압으로 하고, 화소 전극에는 일정시간마다 정극성 및 음극성으로 변화하는 전압이 공급된다. 액정에 인가한 전압은 정의 전압 파형과 부의 전압 파형이 대칭 형태인 것이 바람직하다. 그러나, 화소 전극에 전압 파형이 대칭인 교류 전압을 인가하여도, 실제로 액정에 인가된 전압 파형은 의도하지 않는 후술하는 바와 같은 DC 전압 성분이 잔류하면 대칭형으로는 되지 않는다. 상기 때문에, 정의 전압을 인가한 때의 광투과율과 부의 전압을 인가한 때의 액정층의 광투과율이 달라진다. 그리고, 화소 전극에 인가하는 교류 전압의 주기로 반투과형 액정 표시 장치의 휘도가 변동하여 플리커라고 불리는 어른거림이 발생한다. 상기 플리커는 후술하는 바와 같이 액정 분자를 배향 제어하기 위해 액정층 양측의 대향 기판 및 액티브 매트릭스 기판의 표면에 각각 형성된 배향막에 기인하여 발생한다. 특히 TFT 기판의 전극과 대향 기판의 전극이 다른 경우에 DC 전압 성분이 발생한다. 상기 문제는 액티브 매트릭스 기판의 최상층에 Al 등으로 이루어지는 반사막이 형성되고, 그 윗면에 폴리이미드로 이루어지는 배향막이 도포된 종래형의 반투과 구조에서의 본질적인 문제이다. 상기 잔류 DC 전압에 기인하는 플리커의 발생을 억제하는 구조의 제안이 오랫동안 요망되고 있다.
본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 투과형 액정 표시 장치에 비하여, 포토리소그래피 공정 수가 많은 종래의 반투과형 액정 표시 장치에 있어서의 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 그리고, 본 발명은 외광하에서 반사광이 충분히 보이는 구조의 반투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 반사막의 잔류 DC 전압에 기인하는 플리커의 발생을 억제할 수 있는 반투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 제 1의 기판과, 제 1의 기판에 대향 배치된 제 2의 기판과, 상기 제 1의 기판과 상기 제 2의 기판과의 사이에 배치된 액정층을 구비하고 있다. 상기 제 1의 기판은 제 1의 투명 절연 기판상에서 직교하는 복수의 데이터선과 복수의 게이트선과, 데이터선과 게이트선과의 교점 부근에 배설된 스위칭 소자로서 동작하는 TFT를 갖고 있다. 그리고, 상기 제 1의 기판은 상기 데이터선과 상기 게이트선으로 포위되는 각각의 화소 영역에, 반사막을 가지며, 상기 TFT가 배치되는 반사 영역과 제 1의 투명 전극막을 갖는 투과 영역을 구비하고 있다. 상기 제 1의 기판에 대향 배치된 제 2의 기판은 제 2의 절연 투명 기판을 가지고 있다.
상기 제 1의 기판에 마련된 TFT는 상기 반사 영역에 배치되고, 반도체층과, 상기 데이터선에 접속된 드레인 전극과, 반사막의 기능을 갖는 소스 전극을 구비하 여 구성된다. 상기 반사 영역의 상기 TFT를 덮도록 투명 유기막이 볼록 형상으로 형성된다. 상기 제 1의 기판은 상기 투과 영역에 화소 전극으로서 기능하는 제 1의 투명 전극막을 구비한다. 상기 제 1의 투명 전극막은 상기 반사 영역의 상기 투명 유기막상에 연장 마련되고, 해당 투명 유기막 표면으로부터 콘택트 홀을 통하여 상기 소스 전극에 접속된다. 상기 제 2의 절연 투명 기판상에는 대향 전극으로서 기능하는 제 2의 투명 전극막이 형성된다. 상기 제 2의 투명 전극막은 상기 제 1의 투명 전극막과 같은 재료로 이루어진다.
상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 상기 제 2의 기판의 상기 제 1의 기판측 또는 제 1의 기판의 상기 제 1의 투명 전극막의 하층에 컬러 필터층을 구비할 수 있다. 상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 제 1의 기판의 상기 제 1의 투명 전극막의 하층에 컬러 필터층을 구비하는 경우, 상기 투과 영역의 상기 투명 유기막중에 라인 형상 또는 도트 형상으로 패터닝된 컬러 필터층을 구비할 수 있다.
상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 상기 제 1의 기판 및 상기 제 2의 기판의 액정 협지면과 반대측의 면에, 각 기판측으로부터 위상차판과 편광판을 상기 순서로 구비할 수 있다. 또한, 상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 상기 제 2의 기판과 해당 기판측의 상기 위상차판의 사이에 광산란층을 구비할 수 있다. 또한, 상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 제 2의 기판측의 상기 편광판의 외측에 광로 변환층을 구비할 수 있다.
상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 반사막의 기능을 갖는 소스 전극 의 표면은 Al, Al 합금, Ag, 또는 Ag 합금으로부터 선택된 금속을 이용할 수 있다.
상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 상기 투명 유기막을 상기 데이터선 및 상기 게이트선상에도 이들의 배선을 덮도록 마련할 수 있다. 그리고, 상기 제 1의 투명 전극막은 상기 데이터선 및 상기 게이트선상의 상기 투명 유기막상에 이들의 배선에 중첩하도록 배열 설치된다.
상기 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치는 투과 영역의 상기 투명 유기막 표면에 요철면을 구비할 수 있다. 상기 요철면에 의해 상기 요철면상에 형성되는 상기 제 1의 투명 전극막면에 전반사에 의한 반사 기능을 갖게 할 수 있다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 소스 전극이나 스토리지 전극이 반사막을 겸하고 있기 때문에, 종래의 반투과형 액정 표시 장치의 액티브 매트릭스 기판 제조의 포토리소그래피 공정에 비하여 1공정 삭감할 수 있고, 포토리소그래피 공정은 6개의 PR로 이루어진다. 이로써 제조 공정의 단축이나 비용 저감이 가능해진다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에 있어서, 대향 기판측상의 소정의 광로 변환층이나 광산란층을 이용함으로써, 반사 부재이면서 TFT 기판의 스토리지 전극 및 소스 전극으로도 기능하는 액정층의 평탄한 금속 전극의 표면에 의해 반사되는 액정 표시 스크린상에, 외부광이 입사하며, 보이는 액정 표시 패널상에 반사광이 방출되는 현상(이하, 외부광의 비추어 보임이라고 한다)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 TFT 기판의 투명 유기막의 표면에 소정의 평균 경사각을 갖는 요철을 마련한다. 그 위에 제 1의 투명 전극막을 마련함으로써 폴리이미드 등의 배향막과 제 1의 투명 전극막의 굴절율 차를 이용하여 전반사 조건으로 광의 일부를 반사시킴으로써, 비추어 보임이 일어나지 않는 반사광의 제어가 가능하게 된다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 게이트선, 데이터선상에도 투명 유기막이 마련된다. 그리고, 투명 유기막상에 화소 전극인 ITO 등의 제 1의 투명 전극막이 배선과 중첩하여 마련된다. 이와 같이 제 1의 투명 전극막을 배선과 중첩함으로써 배선 주위의 불필요한 누설 광의 차광을 행할 수 있다. 그리고, 대향 기판상에 배선 주위의 불필요한 누설 광을 차광하는 블랙 매트릭스를 마련할 필요가 없고, 개구률을 높일 수 있다. 또한, 화소 전극과 배선이 중첩하고 있는 영역도 반사 영역으로서 기능하기 때문에, 반사 영역으로서 유효하게 이용하는 것이 가능해진다.
또한, TFT가 형성된 제 1의 기판의 반사 영역과 투과 영역에 ITO 등의 동일한 재료의 제 1의 투명 전극막이 형성된다. 그리고, 액정층을 끼워 제 1의 기판과 대향하여 마련되는 제 2의 기판의 대향 전극인 제 2의 투명 전극막도 제 1의 투명 전극막과 같은 재료로 형성된다. 상기 구성에 의해 잔류 DC 전압에 기인하는 플리커의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 TFT가 형성된 제 1의 기판측에 컬러 필터를 마련한 경우에는 반사 영역의 투명 유기막중에 볼록 형상으로 미세하고 랜덤하게 패터닝된 컬러 필터층이 마련된다. 이들 컬러 필터층의 베이스상에 투명 유기막을 도포함으로써, ITO를 렌즈로서 이용할 만큼의 소정의 경사각을 가진 요철을 용이하게 형성할 수 있다. 또한 반사 영역의 컬러 필터는 구멍 뚫린 형상으로 되어 있기 때문에, 반사 영역에서는 광이 2회 통과함에 의한 반사률의 극단적인 저하나, 투과광으로부터의 극단적인 어긋남을 막을 수 있다.
[제 1의 실시예]
도 5는 본 발명의 제 1의 실시예인 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 TFT 부근의 단면도이다. 도 6은 본 발명의 제 1의 실시예인 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 평면도이다. 또한, 도 7의 A 및 도 7의 B는 각각 도 6의 I-I선 및 II-II선에 따른 단면도이다. 도 8의 A 내지 F는 상기 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 5에 도시한 바와 같이 상기 예의 반투과형 액정 표시 장치는 스위칭 소자로서 동작하는 TFT가 형성된 액티브 매트릭스 기판(40)과, 대향 기판(50)과, 양 기판간에 끼워 삽입된 액정층(30)을 구비하고 있다. 반투과형 액정 표시 장치는 액티브 매트릭스 기판(40)의 이면에 백라이트 광원(14)과, 액티브 매트릭스 기판(40) 및 대향 기판(50)의 각각의 외측에 위상차판(λ/4판)(12, 24) 및 편광판(13, 25)을 구비하고 있다.
액티브 매트릭스 기판(40)은 도 6에 도시된 바와 같이 데이터선(32)과 게이트선(31)으로 포위되는 각각의 화소 영역(100)을 구비하고 있다. 화소 영역(100)은 외광을 반사시키는 반사 영역(101)과, 백라이트 광원(14)으로부터의 입사광을 투과 시키는 투과 영역(102)으로 구성된다.
액티브 매트릭스 기판(40)의 TFT는 반사 영역(101)에 배치된다. 도 5에 도시된 바와 같이 TFT는 게이트 전극(2)과, 반도체층(5)과, 데이터선(32)에 접속된 드레인 전극(6)과, 반사막의 기능을 갖는 소스 전극(7)으로 구성된다. 반사 영역(101)의 TFT를 덮도록 볼록 형상으로 투명 유기막(9)이 형성된다. 액티브 매트릭스 기판(40)은 투과 영역(102)에 화소 전극으로서 기능하는 투명 전극막(11)을 구비한다. 투명 전극막(11)은 액티브 매트릭스 기판(40)의 투명 유기막(9) 및 투과 영역(102)을 덮는 양태로 형성되어 있다. 반사 영역(101)의 투명 유기막(9)상에 연장 마련된 투명 전극막(11)은 투명 유기막(9) 표면으로부터 콘택트 홀(10)을 통하여 소스 전극(7)에 접속된다. TFT상에는 패시베이션막(8)이 형성되어 있다. 또한, 도시하지 않았지만, 투명 전극막(11)의 표면에는 배향막이 형성되어 있다. 도 6의 점선에 의해 표시된 도면 번호 34로 지시된 부분은 투명 유기막(9)의 개방단(opening end)을 나타낸다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이 대향 기판(50)은 투명 절연 기판(20)과, 컬러 필터(21)와, 액티브 매트릭스 기판(40)의 투명 전극막(11)(화소 전극)과 같은 재료로 이루어지는 대향 전극(22)과, 배향막(도시 생략)을 구비하고 있다.
대향 기판(50)의 액정과 접하는 면과 반대측에는 위상차판(λ/4판)(24)과 편광판(25)이 마련되어 있다. 또한 그 위에는 광로 변환층(26)이 마련되어 있다. 또한, 대향 기판(50)과 편광판(25)의 사이에는 광산란층(23)이 마련되어 있다.
여기서, 반사 영역(101)의 투명 유기막(9)의 하부에 있는 스토리지 전극(3) 이나 소스 전극(7)은 반사판으로서의 기능을 겸하고 있고, Al 등의 반사률이 높은 금속이 바람직하다. 또한, 본 실시의 형태에서는 반사판인 스토리지 전극(3)이나 소스 전극(7)이 평탄하기 때문에 패널의 법선 성분에 대해 -30°로 입사된 광은 기본적으로는 30°로 출사하게 되어, 광원의 비추어 보임 등을 피할 수 없다.
상기 때문에, 본 실시의 형태에서는 광로 변환층(26)을 이용하여, -30°로 입사한 광이 0°부근에서 출사하도록 한다. 광로 변환층(26)으로서는 예를 들면 스미토모 화학주식회사제 루미시티 등의 광로 변환 필름을 사용할 수 있다. 상기 필름은 산(mountain) 형상의 표면 형상을 가지며, 공기층의 굴절율과 필름의 굴절율 차를 이용하여 광로를 변환하는 것이다.
광산란층(23)으로서 예를 들면 굴절율이 다른 비즈를 투명 수지에 뿌려놓은 층을 사용할 수 있다. 광산란층(23)에 의해 광을 난반사시키고, 광속을 넓힐 수 있다. 또한, 본 실시의 형태에서는 비추어 보임 방지를 위해 광로 변환층(26)을 이용하였지만, 광산란층(23)만으로도 어느 정도, 비추어 보임을 방지할 수 있다. 또한, 통상은 반투과형 액정 패널상에는 터치 패널을 싣는 경우가 있고, 터치 패널 자체에 표면 형상을 만들어 넣어, 광로 변환층(26)으로서의 기능을 갖게 하는 것이 가능하다.
투명 유기막(9)의 평균적인 높이는 반투과형 액정 표시 장치의 투과 영역의 갭(DF)(액정층의 두께)과 반사 영역의 갭(DR)(액정층의 두께)의 차이가 되도록 설정된다. 액정의 굴절율 이방성(Δn)=0.O83의 경우, 투과 영역의 최적 갭(DF)과 반사 영역의 최적 갭(DR)은 도 4와 같이 계산된다. 따라서, 트위스트 각 0°로 설계 하는 경우는 투과 영역 갭(DF)=2.8㎛, 반사 영역 갭(DR)=1.4㎛ 부근이 바람직하기 때문에 투명 유기막의 단차는 1.4㎛가 된다.
도 7의 A 및 도 7의 B에 도시한 바와 같이 게이트선(31), 데이터선(32)상에도 투명 유기막(9)이 마련되어 있다. 그리고, 투명 유기막(9)상에 화소 전극인 ITO 등으로 구성되는 투명 전극막(11)이 마련되어 있다. 투명 유기막(9)의 막두께를 1 내지 3㎛으로 두껍게 하고, 화소 전극 - 배선간 용량을 충분히 작게 함으로써, 화소 전극은 데이터선(32)이나 게이트선(31)과 중첩시키는 것이 가능하다. 이와 같이 화소 전극을 데이터선(32)이나 게이트선(31)과 중첩함으로써, 데이터선(32)이나 게이트선(31)의 배선 주위의 불필요한 누설 광의 차광을 행한다. 그 결과, 대향 기판(50)상에 배선 주위의 불필요한 누설 광을 차광하는 블랙 매트릭스를 마련할 필요가 없고, 개구율을 높일 수 있다. 화소 전극과 배선이 중첩하고 있는 영역도 반사 영역으로서 기능하기 때문에, 반사 영역으로서 유효하게 이용하는 것이 가능해진다. 화소 전극은 반사 영역도 투과 영역도 함께 ITO이고, 대향 전극(50)의 재료인 ITO와 같다. 그 때문에, 종래 예와 같이 반사 영역상의 폴리이미드 등으로 구성되는 배향막에만 전자가 남는 잔류 DC 전압이 생기는 일이 없고, 플리커 문제도 발생하는 일이 없다.
다음에, 도 8의 A 내지 F를 참조로 하여, 상기 예의 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법을 공정순으로 설명한다. 우선, 도 8의 A에 도시한 바와 같이 유리 등의 투명 절연 기판(1)상에 Al-Nd, Cr 등의 금속막을 전체면에 퇴적한다. 그리고, 상기 금속막을 패터닝하여 게이트선(도시 생략), 게이트 전극(2), 스토리지 전극 (3), 커먼 스토리지선(33)(도시 생략) 및 보조 용량 전극(도시 생략)을 형성한다(제 1의 포토리소그래피 공정, 이하 제 1의 PR이라고 약기한다). 또한, 구성부(도 8의 A에 도시되지 않음)는 도 5 및 도 6에 도시하고 있다.
다음에 도 8의 B에 도시한 바와 같이 SiO2, SiNX, SiOX 등의 재료로 구성되는 게이트 절연막(4)을 전체면에 형성한 후, 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해 a(amorphous)-Si 등의 반도체막을 전체면에 퇴적한다. 상기 반도체막을 패터닝하여 반도체층(5)을 형성한다(제 2의 PR).
다음에, 도 8의 C에 도시한 바와 같이 Al-Nd, Cr 등의 금속을 전체면에 퇴적한 후, 패터닝하여 데이터선(32)(도시 생략), 드레인 전극(6), 소스 전극(7)을 형성한다(제 3의 PR). 이상에 의해 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 그 후, 도 8의 D에 도시한 바와 같이 SiNX막 등으로 이루어지는 패시베이션막(8)을 전체면에 퇴적하고 TFT를 보호한다. 여기서, 보조 용량 전극이나 소스 전극(7), 데이터선(32), 게이트선(31)은 반사판으로서도 기능시키기 위해 반사률이 높은 금속, 예를 들면 Al, Al 합금, Ag, Ag 합금을 반사면에 포함하는 것이 바람직하다. 반사 금속층은 이들의 금속 또는 합금으로부터 선택된 단층막 또는 2층 이상의 적층막이라도 좋다.
다음에 도 8의 E에 도시한 바와 같이 스핀 도포법에 의해 화소 영역(100)의 패시베이션막(8)상에 감광성 아크릴 수지, 예를 들면 JSR제 PC403 등으로 이루어지는 유기막을 도포한다. 상기 유기막을 노광 현상하고, TFT부 상에 투명 유기막(9) 의 패턴과 콘택트 홀(10)을 형성한다(제 4의 PR). 감광성 아크릴 수지의 현상은 알칼리 현상액을 이용한다. 다음에 패시베이션막(8)을 개구하고, 화소 전극과 TFT를 접속하기 위한 콘택트 홀을 개구한다(제 5의 PR).
다음에 도 8의 F에 도시한 바와 같이 스퍼터링법에 의해 전체면에 ITO 등의 투명한 도전막을 퇴적한 후, 레지스트 패턴을 이용하여 에칭하고, 각각의 화소 전체면을 덮는 투명 전극막(11)을 형성한다(제 6의 PR). 그 후, 투명 전극막(11)상에 폴리이미드로 이루어지는 배향막(도시 생략)을 형성하여 액티브 매트릭스 기판(40)을 완성시킨다. 다음에, 도시하지 않았지만(도 5를 참조), 투명 절연 기판(20)상에 순차적으로 컬러 필터(21), 대향 전극(22), 폴리이미드로 이루어지는 배향막 등을 형성하여 완성시킨 대향 기판(50)을 준비한다. 대향 전극(22)은 액티브 매트릭스 기판(40)의 투명 전극막(11)과 같은 재료로 이루어진다. 그리고, 양 기판간에 액정층(30)을 끼워 삽입하고, 액정층(30)에 대면하지 않는 액티브 매트릭스 기판(40)측상에 위상차판(λ/4판)(12)과 편광판(13)을 배설하고, 액정층(30)에 대면하지 않는 대향 기판(50)측상에 위상차판(λ/4판)(24)과 편광판(25)을 배설한다. 액티브 매트릭스 기판(40)측의 편광판(13)의 이면에, 백라이트 광원(14)을 설치함에 의해 반투과형 액정 표시 장치를 제조한다.
이상과 같이 본 발명의 실시 형태의 반투과형 액정 표시 장치의 액티브 매트릭스 기판의 제조에서는 포토리소그래피 공정은 6PR이다. 본 발명의 액티브 매트릭스 기판은 종래의 반투과형 액정 표시 장치의 액티브 매트릭스 기판 제조의 포토리소그래피 공정의 7PR과 비교하여, 제조 공정의 단축이나 제조 비용 저감이 가능해 진다.
[제 2의 실시예]
도 9는 상기 발명의 제 2의 실시예인 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 평면도이다. 본 실시예의 반투과형 액정 표시 장치의 구성이 제 1의 실시예와 크게 다른 점은 투명 유기막(9)의 표면에 랜덤한 요철면(11a)을 마련한 것에 있다. 도 10은 상기 요철면(11a)을 갖는 투명 유기막부의 확대도이다. 볼록 형상으로 형성되어 있는 반사 영역의 투명 유기막(9)의 상층에 마련되어 있는 투명 전극막은 일반적으로 ITO이고, 굴절율 n1은 약 2.O 정도이다. 한편, 그 상층의 폴리이미드나 액정의 굴절율 n2는 약 1.5 정도이다. 입사광에서 본 요철의 경사각(θc)이 sinθc=(n2/n1)=O,75로부터 얻어지는 임계각인 약 48.6°이상인 경우는 ITO에서 광이 반사하게 된다. 도 10과 같이 요철을 파고 들어가, 경사각을 예를 들면 20°로 붙이면 Φ=-30°로 입사한 광은 A영역에서는 전반사하게 된다. 따라서, 경사각을 평균 경사각(θc-Φ=20°)으로 하여, 어느정도의 경사각 분포를 갖게 하면, 입사광의 일부는 요철 형상을 가진 ITO 표면에서 반사하고, 게다가 입사각과 출사각이 다르기 때문에, 비추어 보임도 일어나지 않게 된다. 상기 경우, 출사각의 제어에는 기초의 투명 유기막의 볼록 패턴이나 요철면 형상의 제어가 중요하게 된다.
다음에 상기 예의 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법을 공정순으로 설명한다. 투명 유기막 표면의 요철면의 형성 이외는 상기 제 1의 실시예와 같기 때문에 설명을 생략한다. 투명 유기막 표면의 요철면(11a)의 형성 공정에서는 우선 감광성 아크릴 수지를 도포한다. 감광성 아크릴 수지의 노광은 요철면의 볼록부는 미 노광으로 하고, 요철면의 오목부에서는 비교적 적은 광량에 의해 노광한다. 또한, 콘택트 홀을 형성하는 영역은 비교적 많은 광량에 의해 노광한다. 이와 같은 노광을 행하는 데는 하프 톤(그레이 톤) 마스크를 이용하면 좋다. 하프 톤 마스크를 이용함에 의해, 1회의 노광으로 투명 유기막(9)의 표면의 요철면(11a)과 콘택트 홀(10)을 형성할 수 있다. 또한, 통상의 요철면(11a)과 콘택트 홀(10)은 통상의 반사 영역과 투과 영역만으로 이루어지는 마스크를 이용함에 의해서도 형성할 수 있다.
또한, 또다른 요철면의 형성 방법을 설명한다. 우선, 표면에 미세한 요철을 갖는 광학면을 가공하여 원판을 형성하고, 감광성 아크릴 시트의 표면에 상기 원판을 압착하여 요철 형상을 전사하고, 소정의 요철 형상을 갖는 감광성 아크릴 시트를 제조한다. 다음에 상기 시트를 액티브 매트릭스 기판에 인쇄법에 의해 인쇄를 행한다. 다음에 포토리소그래피법에 의해 콘택트 홀에 대응하는 부분에만 광을 조사하고, 불필요한 아크릴을 제거한다. 그 후, 아크릴을 소성하여 경화시킨다.
이상과 같은 소정의 요철면 형상을 갖는 시트를 인쇄함으로써 요철면 형상을 제조함에 의해, 높은 평균 경사각을 갖는 요철 형상이 가능해지고, 반사 특성의 제어가 용이해진다. 또한, 전사법 및 인쇄법에 의해 요철막을 작성하고 있기 때문에, 제조 비용을 저감할 수 있다.
[제 3의 실시예]
도 11은 본 발명의 제 3의 실시예인 반투과형 액정 표시 장치의 구성을 도시한 평면도 및 단면도이다. 본 실시예의 반투과형 액정 표시 장치의 구성이 제 1의 실시예 및 제 2의 실시예와 크게 다른 점은 액티브 매트릭스 기판(40)측에 컬러 필 터가 마련되어 있는 점이다. 상기 예의 반투과형 액정 표시 장치는 도 11에 도시한 바와 같이 TFT가 형성된 액티브 매트릭스 기판(40)과, 대향 기판(50)과, 양 기판에 끼워 삽입된 액정층(30)을 구비하고 있다. 그리고, 액티브 매트릭스 기판(40)의 이면에는 배치된 백라이트 광원(14)이 배치된다. 액티브 매트릭스 기판(40) 및 대향 기판(50)의 각각의 외측에는 위상차판(λ/4판)(12, 24) 및 편광판(13, 25)이 마련된다. 또한, 도 9의 도면 부호화 동일한 도 11의 그 밖의 도면 부호는 도 9와 동일한 구성 요소를 나타낸다.
액티브 매트릭스 기판(40)은 데이터선(32)과 게이트선(31)으로 포위되는 각각의 화소 영역(100)을 구비하고 있다. 화소 영역(100)은 외광을 반사시키는 반사 영역(101)과, 백라이트 광원(14)으로부터의 입사광을 투과시키는 투과 영역(102)으로 구성된다.
액티브 매트릭스 기판(40)의 TFT는 반사 영역(101)에 배치된다. TFT는 게이트 전극(2)과, 반도체층(5)과, 데이터선(32)에 접속된 드레인 전극(6)과, 반사막의 기능을 갖는 소스 전극(7)으로 구성된다. 반사 영역(101)의 TFT를 덮도록 볼록 형상으로 투명 유기막(9)이 형성된다. 액티브 매트릭스 기판(40)은 투과 영역(102)에 화소 전극으로서 기능하는 투명 전극막(11)을 구비한다. 투명 전극막(11)은 액티브 매트릭스 기판(40)의 투명 유기막(9) 및 투과 영역(102)을 덮는 양태로 형성되어 있다. 반사 영역(101)의 투명 유기막(9)상에 연장 마련된 투명 전극막(11)은 투명 유기막(9) 표면으로부터 콘택트 홀(10)을 통하여 소스 전극(7)에 접속된다. TFT상에는 패시베이션막(8)이 형성되어 있다. 또한, 도시하지 않았지만 투명 전극막(11) 의 표면에는 배향막이 형성되어 있다.
반사 영역(101)에는 패시베이션막(8)상에 볼록 형상으로 미세하고 랜덤하게 패터닝된 컬러 필터(21a)가 마련되어 있다. 패터닝된 컬러 필터(21a)로서는 도면과 같이 고립된 도트 형상이라도 좋고, 라인 형상이라도 좋다. 패시베이션막(8)상에는 컬러 필터(21a)가 게이트선이나 데이터선상에 걸리도록 라인 형상으로 마련되어 있다. 투과 영역(102)의 컬러 필터(21a)는 반사 영역(101)과 같은 미세하게 패터닝되어는 있지 않다. 이와 같이 반사 영역(101)만 미세하고 랜덤하게 패터닝한 이유는 그 위에 투명 유기막을 도포하여 요철면을 형성하는 베이스로 하기 위해서이다. 투과광은 컬러 필터(21a)를 1회밖에 통과하지 않음에 대해, 반사광은 컬러 필터(21a)를 2회 통과한다. 이와 같이 반사 영역(101)만 미세하고 랜덤하게 패터닝함에 의해, 반사률의 극단적인 저하나, 투과 영역(102)과 반사 영역의 극단적인 색 어긋남이 방지된다. 또한 반사 영역(101)에는 패시베이션막(8)상에 볼록 형상으로 미세하고 랜덤하게 패터닝된 컬러 필터(21a) 위에 투명 유기막(9)이 마련되어 있다. 제 2의 실시예와 마찬가지로, 반사 영역(101)의 투명 유기막(9)의 표면은 소정의 경사각 분포의 요철면(11b)을 얻을 수 있도록 조정되어 있다. 투과 영역에는 반사 영역과의 단차를 조정하기 위해, 투명 유기막(9)은 마련되어 있지 않다. 또한, 요철면의 요철의 평균적인 높이는 반투과형 액정 표시 장치의 투과 영역의 갭(DF)과 반사 영역의 갭(DR)의 차이가 되도록 설정되는 것은 제 2의 실시예와 마찬가지이다. 투명한 화소 전극(투명 전극막(11))은 콘택트 홀(10)을 통하여 소스 전극(7)에 접속되어 있고, 반사 영역 및 투과 영역의 액정을 구동하는 공통의 화소 전극으로서의 역할을 다하고 있다.
한편, 대향 기판(50)은 투명 절연 기판(20)과, 액티브 매트릭스 기판(40)의 투명 전극막(11)과 같은 재료(ITO 등)로 이루어지는 대향 전극(22)과, 배향막(도시 생략)을 구비하고 있다. 대향 전극(22)은 액티브 매트릭스 기판(40)의 투명 전극막(11)과 같은 재료(ITO 등)로 이루어진다.
본 실시예인 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법은 컬러 필터층(21a)을 형성하는 것과, 투명 유기막(9)에 하프 노광할 필요가 없는 이외는 제 2의 실시예와 같기 때문에, 설명을 생략한다. 또한, 컬러 필터층(21a)의 형성은 포토리소그래피법으로 행하여도 좋고, 인쇄법을 이용하여도 좋다.
본 실시예의 특징은 반사 영역(101)에는 패시베이션막(8)상에 볼록 형상으로 미세하고 랜덤하게 패터닝된 컬러 필터(21a)가 마련되어 있는 점이다. 컬러 필터(21a)의 베이스상에 투명 유기막(9) 형성용의 아크릴 수지 등(자외선 경화형 또는 열중합형의 어느 것이라도 좋다)을 도포하여 경화함으로써, 요철면을 갖는 투명 유기막(9)을 형성할 수 있다. 아크릴 수지는 자외선 경화형 또는 열중합형의 어느 것이라도 좋다. 상기 투명 유기막(9)의 요철면에 ITO 막을 형성함으로써, 소정의 경사각을 가진 투명 전극막(11)의 요철면(11b)을 형성할 수 있다. 상기 ITO막의 요철면(11b)은 렌즈로서 이용할 수 있다.
본 발명을 상기 실시예에 입각하여 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예의 구성으로 한정되는 것이 아니고, 특허청구 범위의 각 청구 범위의 발명의 범위 내에서, 당업자라면 이룰 수 있을 각종 변형, 수정을 포함하는 것은 물론이다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 소스 전극이나 스토리지 전극이 반사막을 겸하고 있기 때문에, 종래의 반투과형 액정 표시 장치의 액티브 매트릭스 기판 제조의 포토리소그래피 공정에 비하여 1공정 삭감할 수 있고, 포토리소그래피 공정은 6PR으로 이루어진다. 이로써 제조 공정의 단축이나 비용 저감이 가능해진다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 대향 기판측에 소정의 광로 변환층이나 광산란층을 이용함으로써 TFT 기판의 스토리지 전극이나 소스 전극을 겸하고, 반사판으로서 기능하는 평탄한 금속 전극의 광원의 비추어 보임을 억제할 수도 있다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 TFT 기판의 투명 유기막의 표면에 소정의 평균 경사각을 갖는 요철을 마련한다. 그 위에 제 1의 투명 전극막을 마련함으로써 폴리이미드 등의 배향막과 제 1의 투명 전극막의 굴절율 차를 이용하여 전반사 조건으로 광의 일부를 반사시킴으로써, 비추어 보임이 일어나지 않는 반사광의 제어가 가능하게 된다.
본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 게이트선, 데이터선상에도 투명 유기막이 마련된다. 그리고, 투명 유기막상에 화소 전극인 ITO 등의 제 1의 투명 전극막이 배선과 중첩하여 마련된다. 이와 같이 제 1의 투명 전극막을 배선과 중첩함으로써 배선 주위의 불필요한 누설 광의 차광을 행할 수 있다. 그리고, 대향 기판상에 배선 주위의 불필요한 누설 광을 차광하는 블랙 매트릭스를 마련할 필요가 없고, 개구률을 높일 수 있다. 또한, 화소 전극과 배선이 중첩하고 있는 영역도 반사 영역으로서 기능하기 때문에, 반사 영역으로서 유효하게 이용하는 것이 가능해진다.
또한, TFT가 형성된 제 1의 기판의 반사 영역과 투과 영역에 ITO 등의 동일한 재료의 제 1의 투명 전극막이 형성된다. 그리고, 액정층을 끼워 제 1의 기판과 대향하여 마련되는 제 2의 기판의 대향 전극인 제 2의 투명 전극막도 제 1의 투명 전극막과 같은 재료로 형성된다. 상기 구성에 의해 잔류 DC 전압에 기인하는 플리커의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 반투과형 액정 표시 장치에서는 TFT가 형성된 제 1의 기판측에 컬러 필터를 마련한 경우에는 반사 영역의 투명 유기막중에 볼록 형상으로 미세하고 랜덤하게 패터닝된 컬러 필터층이 마련된다. 이들 컬러 필터층의 베이스상에 투명 유기막을 도포함으로써, ITO를 렌즈로서 이용할 만큼의 소정의 경사각을 가진 요철을 용이하게 형성할 수 있다. 또한 반사 영역의 컬러 필터는 구멍 뚫린 형상으로 되어 있기 때문에, 반사 영역에서는 광이 2회 통과함에 의한 반사률의 극단적인 저하나 투과광으로부터의 극단적인 어긋남을 막을 수 있다.

Claims (20)

  1. 제 1의 절연 기판상에 서로 직교하는 복수의 데이터선과 복수의 게이트선과, 상기 데이터선과 상기 게이트선의 교점 각각의 부근에 배설된 스위칭 소자를 포함하며, 반사막을 구비하며 상기 데이터선과 상기 게이트선으로 포위된 각각의 화소 영역에 상기 스위칭 소자가 배치되는 반사 영역과, 각각의 화소 영역에 제 1의 투명 전극막을 구비하는 투과 영역을 더 포함하는 제 1의 기판과,
    제 2의 절연 기판을 가지며, 상기 제 1의 기판에 대향 배치된 제 2의 기판과,
    상기 제 1의 기판과 상기 제 2의 기판 사이에 배치된 액정층을 구비하는 반투과형 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 반사 영역에는 투명 유기막이 상기 스위칭 소자를 덮도록 볼록 형상으로 형성되고, 상기 투과 영역에는 화소 전극으로 기능하는 제 1의 투명 전극막이 형성되고, 상기 제 1의 투명 전극막은 상기 반사 영역의 상기 투명 유기막상에 연장 마련되고, 상기 투명 유기막 표면으로부터 콘택트 홀을 통하여 상기 스위칭 소자의 하나의 전극에 접속되고, 상기 제 2의 절연 기판상에는 상기 제 1의 투명 전극막과 같은 재료로 이루어지고 대향 전극으로 기능하는 제 2의 투명 전극막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 기판은 상기 제 1의 투명 전극막의 하부에 컬러 필터층을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 기판은 상기 반사 영역의 상기 투명 유기막에 라인 형상 또는 도트 형상으로 패터닝된 컬러 필터층을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 스위칭 소자의 소스 전극 및 드레인 전극은 그 표면에 Al, Al 합금, Ag, 및 Ag 합금으로부터 선택된 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    위상차판과 편광판이 상기 액정층과 대면하지 않는 상기 제1의 기판 및 제 2의 기판의 표면측상에 상기 순서로 각각 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 2의 기판과 상기 제 2의 기판의 표면측상에 제공된 위상차판 사이에 광산란층이 구비되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 제 2의 기판상의 상기 편광판 외측에 광로 변환층이 구비되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 투명 유기막은 상기 데이터선 및 상기 게이트선을 피복하도록 상기 데이터선 및 상기 게이트선상에도 마련되고, 상기 제 1의 투명 전극막은 상기 데이터선 및 상기 게이트선상에서 중첩되도록 상기 데이터선 및 상기 게이트선상의 상기 투명 유기막상에 마련되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 투명 유기막은 아크릴 수지인것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 투명 유기막상에 형성된 상기 제 1의 투명 전극막의 표면이 입사광을 전반사하는 반사 기능을 구비하도록 요철면이 상기 투명 유기막의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치.
  11. 서로 직교하는 복수의 게이트선 및 복수의 데이터선과, 상기 게이트선과 상기 데이터선의 교점 각각의 부근에 배설되는 박막 트랜지스터를 포함하고, 반사막을 구비하며 상기 데이터선과 상기 게이트선으로 포위된 각각의 화소 영역에 상기 스위칭 소자가 배치되는 반사 영역과, 각각의 화소 영역에 제 1의 투명 전극막을 구비하는 투과 영역을 더 포함하는 제 1의 기판과,
    제 2의 절연 기판을 가지며, 상기 제 1의 기판에 대향 배치된 제 2의 기판과,
    상기 제 1의 기판과 상기 제 2의 기판 사이에 배치된 액정층을 구비하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터의 소스 전극이 상기 반사막을 겸용하도록 형성되고, 상기 제 1의 투명 전극막 및 상기 제 2의 투명 전극막이 같은 재료로 형성되고, 상기 반사 영역의 상기 박막 트랜지스터상에 상기 소스 전극에 접속된 콘택트 홀을 갖는 볼록 형상의 투명 유기막이 상기 투과 영역에 패터닝되고, 상기 제 1의 투명 전극막이 상기 투과 영역에 패터닝되는 동시에 상기 제 1의 투명 전극막이 상기 투명 유기막상에 연장되도록 형성되어 상기 콘택트 홀을 통하여 상기 소스 전극에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 소스 전극은 Al, Al 합금, Ag, 또는 Ag 합금으로부터 선택된 하나의 금 속을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1의 투명 전극막이 상기 투과 영역 및 상기 반사 영역에서 패터닝될 때에, 상기 제 1의 투명 전극막이 상기 화소 각각의 주위의 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 중첩하도록 패터닝이 실행되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 반사 영역의 상기 박막 트랜지스터상에 상기 소스 전극에 접속된 상기 콘택트 홀을 갖는 볼록 형상의 상기 투명 유기막이 형성될 때에, 상기 투명 유기막 표면상에 형성된 상기 제 1의 투명 전극막이 입사광을 전반사하는 반사 기능을 갖도록, 소정의 경사각을 갖는 요철면이 상기 투명 유기막 표면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 투명 유기막은 아크릴 수지로 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 11항에 있어서,
    컬러 필터층이 상기 제 1의 기판의 상기 제 1의 투명 전극막의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    패시베이션막이 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 상기 투명 절연 기판의 전체면의 상부에 형성되고, 상기 컬러 필터층이 상기 반사 영역의 상기 패시베이션막상에 패터닝되어 라인 형상 또는 도트 형상으로 패터닝되고, 상기 컬러 필터층을 덮도록 상기 투명 유기막이 도포되어 패터닝되고, 소정의 경사각을 갖는 상기 요철면을 갖는 상기 투명 유기막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1의 기판 및 상기 제 2의 기판의, 상기 액정층 삽입면과 반대측의 면상에, 위상차판이 배설되고, 편광판이 상기 위상차판상에 각각 배설되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제 2의 기판과 상기 위상차판의 사이에 광산란층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 제 2의 기판의 상기 편광판의 외측에 광로 변환층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101219046B1 (ko) 2005-11-17 2013-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 이의 제조방법
TWI284223B (en) * 2006-01-18 2007-07-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and liquid crystal display device incorporating the same
KR101301731B1 (ko) * 2006-01-19 2013-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR100978264B1 (ko) * 2006-12-26 2010-08-26 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101340996B1 (ko) 2007-03-13 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
JP5134327B2 (ja) * 2007-09-26 2013-01-30 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
JP2010225572A (ja) * 2008-11-10 2010-10-07 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜
JP2011210778A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ基板
US20130249571A1 (en) * 2010-12-01 2013-09-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Touch panel sensor
CN103500752A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素结构和oled显示装置
CN103995381A (zh) * 2014-04-17 2014-08-20 上海天马微电子有限公司 一种像素结构、液晶面板及其工艺方法
CN105785654A (zh) * 2014-12-22 2016-07-20 业鑫科技顾问股份有限公司 液晶显示面板及其制作方法
CN105629558A (zh) * 2016-01-11 2016-06-01 武汉华星光电技术有限公司 一种具有反射区的液晶显示装置
CN105720086A (zh) * 2016-04-25 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3351945B2 (ja) * 1995-12-18 2002-12-03 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JP3332773B2 (ja) * 1996-03-15 2002-10-07 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法
JP2000267081A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3716132B2 (ja) * 1999-06-23 2005-11-16 アルプス電気株式会社 液晶表示装置
JP2002162645A (ja) * 2000-09-14 2002-06-07 Sony Corp 半透過型液晶表示装置
JP4603190B2 (ja) * 2001-04-16 2010-12-22 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6989877B2 (en) * 2001-06-06 2006-01-24 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic apparatus
KR100380142B1 (ko) * 2001-07-18 2003-04-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판
JP3610967B2 (ja) * 2001-07-27 2005-01-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、カラーフィルタ基板及び電子機器
KR100820647B1 (ko) * 2001-10-29 2008-04-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정 표시 장치용 어레이기판 및 이의 제조방법
JP4068942B2 (ja) * 2001-12-17 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
TWI296062B (en) * 2001-12-28 2008-04-21 Sanyo Electric Co Liquid crystal display device
KR100467944B1 (ko) * 2002-07-15 2005-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법

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Publication number Publication date
US20050213004A1 (en) 2005-09-29
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JP2005275102A (ja) 2005-10-06
KR20060043685A (ko) 2006-05-15
TW200605358A (en) 2006-02-01

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