JPS5893031A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS5893031A JPS5893031A JP56190820A JP19082081A JPS5893031A JP S5893031 A JPS5893031 A JP S5893031A JP 56190820 A JP56190820 A JP 56190820A JP 19082081 A JP19082081 A JP 19082081A JP S5893031 A JPS5893031 A JP S5893031A
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- crystal display
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133357—Planarisation layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コントラストが充分に得られるようにしたア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置に関する。
クティブマトリクス方式の液晶表示装置に関する。
近年、ブラウン管などに比して小形で低消費電力の画像
表示装置に対する要望が強まり、これに応じて薄形、低
電圧駆動、低電力消費などの特長含有する液晶表示装置
を用いた画像表示装置が種々実用化されるようになって
き九〇 ところで、現在、この液晶表示装置による画像表示装置
の駆動方式としては、時分割駆動方式（単純マトリクス
方式とも呼ばれる）と、アクティブマトリクス、方式の
２つの方式が知られているが、このうち、時分割駆動方
式においては、画素数の増加に限界が４あり、分解能を
上げることが難かしい。しかして、アクティブマトリク
ス方式においては、各画素ごとにスイッチング素子を有
するので原理的には画素数に限界がなく、充分な分解能
を得ることができるため画像表示用の液晶表示装置とし
て広く採用されるようになってきた０そこで、このアク
ティブマトリクス方式による液晶表示装置の一例を第１
ＩＩＫ示す０第１ＩＩは全体構成含水した側面図で、１
はスイツチーンダ用トランジスタなど管マトリクス状に
配置した半導体基板、２は液晶、３は透明電極管設けた
ガラス板、４はスペーサである。
表示装置に対する要望が強まり、これに応じて薄形、低
電圧駆動、低電力消費などの特長含有する液晶表示装置
を用いた画像表示装置が種々実用化されるようになって
き九〇 ところで、現在、この液晶表示装置による画像表示装置
の駆動方式としては、時分割駆動方式（単純マトリクス
方式とも呼ばれる）と、アクティブマトリクス、方式の
２つの方式が知られているが、このうち、時分割駆動方
式においては、画素数の増加に限界が４あり、分解能を
上げることが難かしい。しかして、アクティブマトリク
ス方式においては、各画素ごとにスイッチング素子を有
するので原理的には画素数に限界がなく、充分な分解能
を得ることができるため画像表示用の液晶表示装置とし
て広く採用されるようになってきた０そこで、このアク
ティブマトリクス方式による液晶表示装置の一例を第１
ＩＩＫ示す０第１ＩＩは全体構成含水した側面図で、１
はスイツチーンダ用トランジスタなど管マトリクス状に
配置した半導体基板、２は液晶、３は透明電極管設けた
ガラス板、４はスペーサである。
この第１図から明らかなように１このアクティブマトリ
クス方式め液晶表示装置では、従来の２枚のガラス基板
を用いる方式のものとは異なシ、一方の基板が不透明な
半導体基板となるため、表示形式を透過形とすることが
できず反射形に限られてしまう。
クス方式め液晶表示装置では、従来の２枚のガラス基板
を用いる方式のものとは異なシ、一方の基板が不透明な
半導体基板となるため、表示形式を透過形とすることが
できず反射形に限られてしまう。
このため、このアクティブマトリクス方式の液晶表示装
置に使用可能な液晶としては、ダイナミック スイッチ
ング（ｄｙｎａｍｉ ｅ ５ｃａｔｔ＠ｒｉｎｇ ）ｙ
＃筐晶と、ゲスト・ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｅａｔ）ｙ
＃箪晶０２種があるが、このうち、広い視野角を肴し、
電力消費が少ないなどの点からはゲスト−ホスト形筐晶
を用いたものが優れたものということがでする。
置に使用可能な液晶としては、ダイナミック スイッチ
ング（ｄｙｎａｍｉ ｅ ５ｃａｔｔ＠ｒｉｎｇ ）ｙ
＃筐晶と、ゲスト・ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｅａｔ）ｙ
＃箪晶０２種があるが、このうち、広い視野角を肴し、
電力消費が少ないなどの点からはゲスト−ホスト形筐晶
を用いたものが優れたものということがでする。
このような画像表示用に適し九アクティブマトリクス方
式のゲスト・ホスト形液晶表示装置の一例を第２図ない
し第４図について説明すると、まず第２図はその等価回
路で、５はスイッチング用ＭＯ８）ｊンジスタ、６は蓄
積用コンデンサ、７は液晶セルを表わすもの、８は走査
電極、９は信号電極である。
式のゲスト・ホスト形液晶表示装置の一例を第２図ない
し第４図について説明すると、まず第２図はその等価回
路で、５はスイッチング用ＭＯ８）ｊンジスタ、６は蓄
積用コンデンサ、７は液晶セルを表わすもの、８は走査
電極、９は信号電極である。
液晶表示装置の単位画素はトランジスタ５、コンデンサ
６、それに液晶セルフで構成され、その駆動は線順次、
又は点順次で行なわれる。
６、それに液晶セルフで構成され、その駆動は線順次、
又は点順次で行なわれる。
いま、選択された走査電極８にノ（ルスが印加されると
、横方向のトランジスタ群がＯＮになり、これに同期し
て映像信号で振幅変調され九）くルスが信号電極９から
選択されたトランジスタ５を通ってコンデン、す６と液
晶セルフに印加され、表示が行なわれる。
、横方向のトランジスタ群がＯＮになり、これに同期し
て映像信号で振幅変調され九）くルスが信号電極９から
選択されたトランジスタ５を通ってコンデン、す６と液
晶セルフに印加され、表示が行なわれる。
このとき、走査パルスが消滅してＭＯＳ）ランジスタ５
がＯＦＦ ｌｃ力っても、コンデンサ６に蓄積され光電
荷が液諷セルフに電圧を与え続ける間は、その電圧に応
じて液晶セルフは表示を続けることが可能である。そし
て、コンデンサ６に蓄積され光電荷は、次の走査パルス
が印加されるまではＭＯＳ）ランジスタ５のＯＦＦ抵抗
と液晶セルフの抵抗分を通して放電していく。
がＯＦＦ ｌｃ力っても、コンデンサ６に蓄積され光電
荷が液諷セルフに電圧を与え続ける間は、その電圧に応
じて液晶セルフは表示を続けることが可能である。そし
て、コンデンサ６に蓄積され光電荷は、次の走査パルス
が印加されるまではＭＯＳ）ランジスタ５のＯＦＦ抵抗
と液晶セルフの抵抗分を通して放電していく。
従って、第２図に示すように多数の単位画素をマトリク
ス状に配置し、上述したように横方向のＭＯＳ）ツンジ
スタ群ｔＯＮさせて映像信□号をコンデンサに書き込み
、縦方向に順次走査するととＫより画像を表示すること
ができる。
ス状に配置し、上述したように横方向のＭＯＳ）ツンジ
スタ群ｔＯＮさせて映像信□号をコンデンサに書き込み
、縦方向に順次走査するととＫより画像を表示すること
ができる。
第３図は第２図に示す単位画素をシリコン基板に集積回
路化して構成し九半導体基板１の断面構造図で、ＭＯＳ
）ランジスタ５は、ソース拡散層１０、 ドレイン拡
散層１１、ゲート酸化膜１２、およびゲート電極１３
（ポリシリコン電極）から構成され、コンデンサ６Ｆｉ
コンデンサ用拡散層１４、コンデンサ用酸化膜１５、お
よびコンデンサ電極１６ （ポリシリコン電極）から構
成されている。ｉた、ゲート電極１３Ｆｉ走査電極８も
兼ねてい為。１７は１層目のアルミニウム配線であり、
ドレイン拡散層１１とコンデンサ電極１−の配線、およ
び信号電極９に用いられている。１８ｔ！２層目のアル
ミニウム配線で、液晶セルフの一方の画素電極を形成し
ている。また、１９は８１０．等の眉間絶縁膜、２０は
シリコン基板、２１＃ｉ液晶分子を配向させゐための配
向制御膜である。
路化して構成し九半導体基板１の断面構造図で、ＭＯＳ
）ランジスタ５は、ソース拡散層１０、 ドレイン拡
散層１１、ゲート酸化膜１２、およびゲート電極１３
（ポリシリコン電極）から構成され、コンデンサ６Ｆｉ
コンデンサ用拡散層１４、コンデンサ用酸化膜１５、お
よびコンデンサ電極１６ （ポリシリコン電極）から構
成されている。ｉた、ゲート電極１３Ｆｉ走査電極８も
兼ねてい為。１７は１層目のアルミニウム配線であり、
ドレイン拡散層１１とコンデンサ電極１−の配線、およ
び信号電極９に用いられている。１８ｔ！２層目のアル
ミニウム配線で、液晶セルフの一方の画素電極を形成し
ている。また、１９は８１０．等の眉間絶縁膜、２０は
シリコン基板、２１＃ｉ液晶分子を配向させゐための配
向制御膜である。
次に、このような集積回路が形成されたシリコン基板２
０１第４図に示すように、透明電極２２の付いたガラス
板２３と千行く対向させ、その間にゲスト−ホスト形液
晶を封入することにより、画素電極１８と透明電極２２
からなる前記液晶セルフが構成される。
０１第４図に示すように、透明電極２２の付いたガラス
板２３と千行く対向させ、その間にゲスト−ホスト形液
晶を封入することにより、画素電極１８と透明電極２２
からなる前記液晶セルフが構成される。
ここで、第４図（ａ）、（ｂ）によりゲスト・ホスト形
液晶セルの勲作原理を示す。
液晶セルの勲作原理を示す。
まず、同図（ａ） Ｋ示す液晶セルに電圧が印加されな
い、いわゆ４るＯＦＦ状態においては、平行配向処理が
行なわれた配向制御膜２１によって液晶分子２４はシリ
コン基板２０、ガラス板２３と平行に配向され、色素分
子２５も液晶分子２４と同じ方向を向くのでこれらの分
子２４．２５は共にシリコン基板２０、ガラス板２３と
平行になってる〇一方、ガラス板２３の上方から入射し
九光２７は、偏光板２６’を通過して色素分子２５の長
軸方向に偏向されているため、色素分子２５によって吸
収され、従って、このときには液晶セルは着色して見え
る。
い、いわゆ４るＯＦＦ状態においては、平行配向処理が
行なわれた配向制御膜２１によって液晶分子２４はシリ
コン基板２０、ガラス板２３と平行に配向され、色素分
子２５も液晶分子２４と同じ方向を向くのでこれらの分
子２４．２５は共にシリコン基板２０、ガラス板２３と
平行になってる〇一方、ガラス板２３の上方から入射し
九光２７は、偏光板２６’を通過して色素分子２５の長
軸方向に偏向されているため、色素分子２５によって吸
収され、従って、このときには液晶セルは着色して見え
る。
次に１第４図（ｂ）Ｋ示す電圧が印加された、いわゆる
ＯＮ状態においては、液晶分子２４は電界方向（シリコ
ン基板２０、ガラス基板２３に垂直）を向き、色素分子
２５％同じ方向を向くので入射し九光２７は色素分子ｆ
５に吸収されず、結局、こＯときＫは液晶セルは着色し
ない。
ＯＮ状態においては、液晶分子２４は電界方向（シリコ
ン基板２０、ガラス基板２３に垂直）を向き、色素分子
２５％同じ方向を向くので入射し九光２７は色素分子ｆ
５に吸収されず、結局、こＯときＫは液晶セルは着色し
ない。
従って、アクティブマトリクス方式ゲスト・ホスト形液
晶表示装置において、電圧を印加し念場合には、シリコ
ン基板２０の表面（主として画素電極１８０表面）が見
えていることになり、このため、画素電極１８の表面の
反射特性と色素の吸収特性によ）明るさおよびコントラ
ストが決定されてしまうととＫなる。
晶表示装置において、電圧を印加し念場合には、シリコ
ン基板２０の表面（主として画素電極１８０表面）が見
えていることになり、このため、画素電極１８の表面の
反射特性と色素の吸収特性によ）明るさおよびコントラ
ストが決定されてしまうととＫなる。
そこで、このようなアクティ侵ｉトリクス方式ゲスト・
ホスト形液晶表示装置においては、高いコントラストお
よび広い視野角を得るためには、シリコン基板２０の画
素電極１８の表面を拡散反射面のような明るい白色とす
る仁とが要求される。
ホスト形液晶表示装置においては、高いコントラストお
よび広い視野角を得るためには、シリコン基板２０の画
素電極１８の表面を拡散反射面のような明るい白色とす
る仁とが要求される。
従来、このような拡散反射Ｗｉｔ得る方法としては、画
素電極（２層目のアルミニウム配線）１ｇの形成条件（
例えば、基板温度、堆積速度、真空度等）を制御するか
、後の熱処理を制御して画素電極１８の表面を凹凸状（
いわゆるミルキー）とすることが考えられていた。
素電極（２層目のアルミニウム配線）１ｇの形成条件（
例えば、基板温度、堆積速度、真空度等）を制御するか
、後の熱処理を制御して画素電極１８の表面を凹凸状（
いわゆるミルキー）とすることが考えられていた。
しかしながら、このような凹凸状の表面の拡散反射特性
は、凹凸の深さｈ１ピッチｐに関係し、ｈ＜ｐ の場
合には鏡面となり、ｈ＞ｐの場合には多重反射による吸
収のため黒色となるので、明るい白色を得るためにはｈ
およびｐｔ−最適な値とするための厳、密な制御が必要
である。しかして、上記した画素電極１８の形成条件や
熱処理を制御して凹凸状の表面を得る方法では、ｈおよ
びｐを最適な値とすることが非常に難しく、明るい白色
１１ を得ることができないため、十分なコントラストが見ら
れないという欠点があった。
は、凹凸の深さｈ１ピッチｐに関係し、ｈ＜ｐ の場
合には鏡面となり、ｈ＞ｐの場合には多重反射による吸
収のため黒色となるので、明るい白色を得るためにはｈ
およびｐｔ−最適な値とするための厳、密な制御が必要
である。しかして、上記した画素電極１８の形成条件や
熱処理を制御して凹凸状の表面を得る方法では、ｈおよ
びｐを最適な値とすることが非常に難しく、明るい白色
１１ を得ることができないため、十分なコントラストが見ら
れないという欠点があった。
ま九、第３図から明らかなように１半導体基板１Ｏ表面
には、回路ノ（ターン形成などに起因する段差が多数存
在するが、上記した従来の方法ではこれらの段差がその
ｔｔ残存してしまうため、これらの段差部分での多重反
射が多くなｐｌさらにコントラストが低下してしまうと
いう欠点があった０ 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除き、半導
体基板の表ｍｔ容易に明るい白色を呈するようにでき、
十分なコントラストの向上が得られるようにしたアクテ
ィブマトリクス方式ゲスト・ホスト形液晶表示装置管提
供するにある。
には、回路ノ（ターン形成などに起因する段差が多数存
在するが、上記した従来の方法ではこれらの段差がその
ｔｔ残存してしまうため、これらの段差部分での多重反
射が多くなｐｌさらにコントラストが低下してしまうと
いう欠点があった０ 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除き、半導
体基板の表ｍｔ容易に明るい白色を呈するようにでき、
十分なコントラストの向上が得られるようにしたアクテ
ィブマトリクス方式ゲスト・ホスト形液晶表示装置管提
供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、画素電極が形成さ
れた半導体基板の層間絶縁膜としてポリイイドなどの耐
熱性有機絶縁膜として用い、これＫよ〕回路パターンな
どに起因する段差を収吸すゐと共に、その表面形状の制
御が容易に行なえるようｋした点ｔ４１徴とする〇 以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図画につい
て説明する。
れた半導体基板の層間絶縁膜としてポリイイドなどの耐
熱性有機絶縁膜として用い、これＫよ〕回路パターンな
どに起因する段差を収吸すゐと共に、その表面形状の制
御が容易に行なえるようｋした点ｔ４１徴とする〇 以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図画につい
て説明する。
１１５図は本発明の液晶表示装置における半導体基板の
一実施例で、第３図の従来例と同一もしくは同等の部分
には同じ符号を付し、その詳しい説明は省略する。
一実施例で、第３図の従来例と同一もしくは同等の部分
には同じ符号を付し、その詳しい説明は省略する。
第５図の実施例において、２８はポリイミドなどからな
る耐熱性有機絶縁膜で、第３図の従来例における８１０
２層間絶縁膜１９の代シに設けられたもので、その他は
第３図の従来例と同じである。
る耐熱性有機絶縁膜で、第３図の従来例における８１０
２層間絶縁膜１９の代シに設けられたもので、その他は
第３図の従来例と同じである。
なお、この実施例においても、液晶表示装置としての全
体構造や等価回路、それに動作原理などｌｌｌｔｌｃｌ
図、第２図及び第４図に示し念従来例と同じであるから
、これらについての詳しい説明は省略する。
体構造や等価回路、それに動作原理などｌｌｌｔｌｃｌ
図、第２図及び第４図に示し念従来例と同じであるから
、これらについての詳しい説明は省略する。
さて、第５図の実施例において、耐熱性有機絶縁膜２８
は、・１層目のアルミニウム配線１７の形成が完了後に
形成される。
は、・１層目のアルミニウム配線１７の形成が完了後に
形成される。
その大め、まず、所定の成分からなるポリイミド塗布液
を用意し、これをスピニング法などＫよりアルミニウム
配線１７までの形成が完了したシリコン基板２０に比較
的厚く塗布し、ついで所定の熱処理により硬化させて耐
熱性有機絶縁膜２８管形成する。
を用意し、これをスピニング法などＫよりアルミニウム
配線１７までの形成が完了したシリコン基板２０に比較
的厚く塗布し、ついで所定の熱処理により硬化させて耐
熱性有機絶縁膜２８管形成する。
ついで、この耐熱性有機絶縁膜２８０表面２８′ｔホト
エツチングして所定のピッチｐ′と深さｈ′を有する多
数の凹部２９を形成し、ついで従来例と同じように画素
電極１８となるアルミニウム配線と配向制御膜２１？設
ければ、画素電極１８の表面に所定の寸法のピッチｐと
深さｈの多数の凹部１８′をもった半導体基板１ｔ−得
ることができる。
エツチングして所定のピッチｐ′と深さｈ′を有する多
数の凹部２９を形成し、ついで従来例と同じように画素
電極１８となるアルミニウム配線と配向制御膜２１？設
ければ、画素電極１８の表面に所定の寸法のピッチｐと
深さｈの多数の凹部１８′をもった半導体基板１ｔ−得
ることができる。
この実施例によれば、１層目のアルミニウム配線１７の
表面にポリイミドなどの耐熱性絶縁膜２８が比較的厚く
塗布される次め、回路パターンなどに起因するシリコン
基板２ｏの表面の段差が吸収され平均化されてし壕うの
で、この膜２８の表ｗ２魯′はほぼ平担になる。
表面にポリイミドなどの耐熱性絶縁膜２８が比較的厚く
塗布される次め、回路パターンなどに起因するシリコン
基板２ｏの表面の段差が吸収され平均化されてし壕うの
で、この膜２８の表ｗ２魯′はほぼ平担になる。
また、その表面２″８′に対する凹部２９の形成には、
ホトエツチング技法の適用が可能なため、こＯ凹部２９
のピッチｐ′や深さｈ′得どの、寸法制御が極めて容易
になり、正確な寸法精度を簡単に得ることができ、この
結果、その表面に形成された画素電極１８ （２層目の
アルζニウム配Ｉｍ）の表面に形成されるべき凹部１８
′のピッチｐや深さｈの寸法精度も充分に高く保九れる
ので、半導体基板１０表Ｗｔ明るい白色の拡散反射面と
することができ、液晶表示装置のコントラス）１充分に
向上させることができる。
ホトエツチング技法の適用が可能なため、こＯ凹部２９
のピッチｐ′や深さｈ′得どの、寸法制御が極めて容易
になり、正確な寸法精度を簡単に得ることができ、この
結果、その表面に形成された画素電極１８ （２層目の
アルζニウム配Ｉｍ）の表面に形成されるべき凹部１８
′のピッチｐや深さｈの寸法精度も充分に高く保九れる
ので、半導体基板１０表Ｗｔ明るい白色の拡散反射面と
することができ、液晶表示装置のコントラス）１充分に
向上させることができる。
次に１第６図に本発明の他の実施例を示す。
第６図において、３０は２層目のアルミニウム配線１８
を設ける前に、耐熱性有機絶縁膜２８の表直に設けたア
ルミニウム配線であシ、３０′はアルミニウム配線３０
をエツチングなどによって分離させて形成した凸部であ
る。
を設ける前に、耐熱性有機絶縁膜２８の表直に設けたア
ルミニウム配線であシ、３０′はアルミニウム配線３０
をエツチングなどによって分離させて形成した凸部であ
る。
即ち、この実施例では、１層目のアルミニウム配線１７
の上にポリイミドなどの耐熱性有機絶縁１１２８に設け
、た後、その表面形状のエツチングによゐ整形は行なわ
典ずにアル１＝ウム配線３０に直ちＫその表面に設け、
ついでホトエツチングなどにより多数の凸部□３０’を
分離して形成させる。
の上にポリイミドなどの耐熱性有機絶縁１１２８に設け
、た後、その表面形状のエツチングによゐ整形は行なわ
典ずにアル１＝ウム配線３０に直ちＫその表面に設け、
ついでホトエツチングなどにより多数の凸部□３０’を
分離して形成させる。
そして、その上に２層目のアルミニウム配線１８を設け
、凸部３０′の存在によ〕このアルミニウム配線１８の
表面に所定のピッチｐと深さｈｔ−有する凹［１１８’
が形成されるようＫしたものである。
、凸部３０′の存在によ〕このアルミニウム配線１８の
表面に所定のピッチｐと深さｈｔ−有する凹［１１８’
が形成されるようＫしたものである。
従って、この実施例によっても、アルミニウム配−纏３
０から凸部３０′七分離して形成するのにフォトエツチ
ング技法が適用できるため、凹部１８′のピッチｐと深
さｈの寸法精度を容易く制御することができ、明るい白
色の拡散反射面を与えてコントラストが向上した液晶表
示装置を得ることがで龜る上、この実施例によれば、耐
熱性有機絶縁膜２８０表面形状は平賀状のままＫするこ
とがで暑ゐから、１層目のアル１＝ウム配線１７と２層
１０アルミニウム配線１８とが耐熱性有機絶縁膜２８の
薄くなった部分で不要に短絡を生じたりする慮れかなく
なシ、信頼性の優れ九液晶表示装置を得ることができる
。
０から凸部３０′七分離して形成するのにフォトエツチ
ング技法が適用できるため、凹部１８′のピッチｐと深
さｈの寸法精度を容易く制御することができ、明るい白
色の拡散反射面を与えてコントラストが向上した液晶表
示装置を得ることがで龜る上、この実施例によれば、耐
熱性有機絶縁膜２８０表面形状は平賀状のままＫするこ
とがで暑ゐから、１層目のアル１＝ウム配線１７と２層
１０アルミニウム配線１８とが耐熱性有機絶縁膜２８の
薄くなった部分で不要に短絡を生じたりする慮れかなく
なシ、信頼性の優れ九液晶表示装置を得ることができる
。
以上説明したように１本発明によれば、半導体基板の層
間絶縁膜として耐熱性有機絶縁膜を使用するという簡単
な構成で、半導体基板の画素電極面の段差をなくシ、明
るい白色の拡散反射特性を与えること示できるから、従
来技術の欠点を除き、画像のコントラストを充分に改善
すゐことができ、しかも信頼性の高いアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置を提供することができる。
間絶縁膜として耐熱性有機絶縁膜を使用するという簡単
な構成で、半導体基板の画素電極面の段差をなくシ、明
るい白色の拡散反射特性を与えること示できるから、従
来技術の欠点を除き、画像のコントラストを充分に改善
すゐことができ、しかも信頼性の高いアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置を提供することができる。
第１図はアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の概
要を示す側面図、第２図は同じくその等価回路図〜第３
図はアクティブマトリクス方式の液晶表示装置における
半導体基板の従来例を示す一部拡大断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）はゲスト−ホスト形液晶表示装置の動作説明
図、第５図は本発明の液晶表示装置における半導体基板
の一実施例を示す断面図、第６図は同じく他の一実施例
を示す断面図である。 １０・・・・・・ソース拡散層、１１・・・・・・ドレ
イン拡散層、１２・・・・・−ゲート酸化膜、１３・・
・・・・ゲート電極、１４・・・・・・コンデンサ用拡
散層、１６・・・・・・コンデンサ電極、１７・・・・
・・１層目のアルミニウム配線、１８・・・・・・２層
目のアルミニウム配線、１８′・・・・・・凹部、２０
・・・・・・シリコン基板、２１・・・・・・配向制御
膜、２８・・・・・・耐熱性有機絶縁膜、２８′・・・
・・・表面、２９・・・・・・凹部、３０・・・・・・
アル１＝ウム配線、３０′・・・・・・凸部。 第２図 第３図 第４図 Ｕ 第６図
要を示す側面図、第２図は同じくその等価回路図〜第３
図はアクティブマトリクス方式の液晶表示装置における
半導体基板の従来例を示す一部拡大断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）はゲスト−ホスト形液晶表示装置の動作説明
図、第５図は本発明の液晶表示装置における半導体基板
の一実施例を示す断面図、第６図は同じく他の一実施例
を示す断面図である。 １０・・・・・・ソース拡散層、１１・・・・・・ドレ
イン拡散層、１２・・・・・−ゲート酸化膜、１３・・
・・・・ゲート電極、１４・・・・・・コンデンサ用拡
散層、１６・・・・・・コンデンサ電極、１７・・・・
・・１層目のアルミニウム配線、１８・・・・・・２層
目のアルミニウム配線、１８′・・・・・・凹部、２０
・・・・・・シリコン基板、２１・・・・・・配向制御
膜、２８・・・・・・耐熱性有機絶縁膜、２８′・・・
・・・表面、２９・・・・・・凹部、３０・・・・・・
アル１＝ウム配線、３０′・・・・・・凸部。 第２図 第３図 第４図 Ｕ 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 画素単位ごとのスイッチング素子がマ） Ｉ
Ｊクス状に配置された半導体基板を一方の電極面とする
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置において、上
記半導体基板の眉間絶縁膜を耐熱性有機絶縁膜で形成す
ることにより上記半導体基板の電極面の光反射特性の制
御を可能に構成したことｔ特徴とする液晶表示装置。 （２、特許請求の範囲第１項において、上記耐熱性有機
絶縁膜の画形状を整形することにより上記電極面に拡散
反射特性管与えるように構成したことを特徴とする液晶
表示装置。 （３） 特許請求０１［８第１項において、上記耐熱
性有機絶縁膜の真夏に多数の凸起を付加するととにより
上記電極面に拡散反射特性管与えるように構成したこと
ｔ４Ｉ黴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190820A JPS5893031A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190820A JPS5893031A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893031A true JPS5893031A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16264297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190820A Pending JPS5893031A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893031A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5031026A (en) * | 1986-03-17 | 1991-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin semiconductor card |
| JPH06194690A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 液晶ライトバルブ及びそれを用いた投射型ディスプレイ |
| JPH0954318A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56190820A patent/JPS5893031A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5031026A (en) * | 1986-03-17 | 1991-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin semiconductor card |
| JPH06194690A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 液晶ライトバルブ及びそれを用いた投射型ディスプレイ |
| JPH0954318A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6208395B1 (en) | 1995-08-16 | 2001-03-27 | Nec Corporation | Reflective liquid crystal display and method for fabricating the same |
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