KR100241489B1 - 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 특히 반사판에 특징을 갖는 반사형 액정 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 목적은, 액티브 매트릭스 구동에 의해 반사형 액정 표시 장치의 제조 프로세스수를 저감하는데 있다.
본 발명은, 절연성 기판(5)상에 형성된 박막 트랜지스터(6)의 상부에 절연막(30)을 형성하고, 다시 그 상부에 TFT와 전기적으로 접속된 반사판(10)이 형성되어 있다. 반사판(10)이 형성되어 있다. 반사판 표면에 존재하는 요철은, 박막 트랜지스터의 제조 공정에서의 게이트 전극(15), 게이트 전극(16), 반도체층(17)의 에칭에 의한 아일랜드화 할 때에 동시에 요철(21)을 형성함으로써 형성한다.
TFT의 제조 공정은, 동일 공정으로 반사판의 요철 형성이 가능하면서, 또 고휘도 반사판을 제조할 수 있는 것으로부터, 적은 비용으로 양호한 화질을 갖춘 액티브 매트릭스 구동 반사형 액정 표시 소자를 제공할 수 있다.

Description

반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
제1도는 본 발명의 역 스태거 구조 TFT를 이용한 반사형 액정 표시 장치의 하부측 기판의 제조 공정도.
제2도는 본 발명의 역 스태거 구조 TFT를 이용한 반사형 액정 표시 장치의 단면 구조도.
제3도는 본 발명의 절연성 기판을 에칭하여 요철 형성한 역 스태거 TFT를 이용한 반사형 액정 표시 장치의 단면 구조도.
제4도는 반사판 요철이 주기적인 구조의 반사 특성을 도시하는 도면.
제5도는 반사판 요철이 불규칙적인 구조의 반사 특성을 도시하는 도면.
제6도는 반사 성능 평가 시스템의 개략도.
제7도는 종래 기술과 본 발명의 컨택트 홀 위치의 설명도.
제8도는 본 발명의 순 스태거 구조 TFT을 이용한 반사형 액정 표시 장치의 하부측 기판의 제조 공정도.
제9도는 본 발명의 실시예의 반사판 요철 표면의 단면도.
제10도는 본 발명의 실시예의 액정 표시 장치의 단면도.
제11도는 본 발명의 제2실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제12도는 절연막을 갖추지 않은 반사판의 반사 성능을 도시하는 도면.
제13도는 본 발명의 제2실시예의 절연막을 갖춘 반사판의 반사 성능을 도시하는 도면.
제14도는 본 발명의 제3실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제15도는 본 발명의 제4실시예의 하부측 기판의 단면도.
제16도는 본 발명의 제5실시예의 단면도.
제17도는 본 발명의 제7실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제18도는 감광성 절연막의 통상 절연막의 경우 제조 공정의 차이를 도시하는 설명도.
제19도는 본 발명의 제8실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제20도는 본 발명의 제9실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제21도는 본 발명의 제9실시예의 요철 형성층을 설치한 경우의 하부측 기판의 단면도.
제22도는 본 발명의 제12실시예의 하부측 기판의 단면도.
제23도는 본 발명의 제13실시예의 하부측 기판의 단면도.
제24도는 본 발명의 제14실시예의 하부측 기판의 단면도.
제25도는 본 발명의 제15실시예의 하부측 기판의 단면도.
제26도는 본 발명의 제16실시예의 하부측 기판의 단면도.
제27도는 본 발명의 제17실시예의 하부측 기판의 단면도.
제28도는 본 발명의 제18실시예의 하부측 기판의 단면도.
제29도는 본 발명의 제19실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제30도는 본 발명의 제20실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제31도는 본 발명의 제21실시예의 하부측 기판의 단면도.
제32도는 본 발명의 제22실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제33도는 본 발명의 제23실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제34도는 본 발명의 제24실시예의 하부측 기판의 제조 공정도.
제35도는 종래의 반사형 액정 표시 장치의 단면도.
제36도는 종래의 반사형 액정 표시 장치의 하부측 기판의 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 대향측 기판 2 : 대향측 유리 기판
3 : 투명 전극 4 : 하부측 기판
5 : 유리 기판 6 : TFT
7 : 폴리이미드막 8 : 소스 전극
9 : 드레인 전극 10 : 반사판
11 : 액정층 12 : 입사광
13 : 반사광 14 : 요철 형상
15 : 게이트 전극 16 : 게이트 절연막
17 : 반도체층 18 : 폴리이미드 표면 요철
49 : 컨택트 홀 20 : 요철 패턴
21 : 요철 패턴 22 : 아일랜드
30 : 절연막 40 : 요철
41 : 요철 최대 높이 71 : 소스 신호선
72 : 게이트 신호선 91 : 측벽부
92 : 테이퍼부 93 : 요철 경사 각도
101 : 접착제 141 : 요철 패턴
151 : 절연층 152 : 절연층 요철부
153 : 전체 요철부
211 : 축적 용량선 또는 게이트 저장선용 Cr 패턴
221 : 축적 용량선 231 : 축적 용량선
232 : 축적 용량선 컨택트 홀 233 : 축적 용량선 하부 전극
251 : 축적 용량선 혹은 게이트 저장선 291 : 리드 전극
292 : 요철용 Cr 293 : 절연층
284 : 요철 296 : 대향측 기판
301 : 유리 요철부 311 : 절연층
312 : 컨택트 홀 322 : 산화 실리콘막
[발명의 목적]
[발명이 속하는 기술 분야 및 종래 기술]
본 발명은, 특히 반사판에 특징을 갖는 반사형 액정 표시 장치에 관한 것이다.
반사형 액정 표시 장치는, 외부로부터 입사한 광을 액정 표시 장치 내부에 위치하는 반사판에 의해 반사한 광을 표시 광원으로서 이용하는 것으로, 광원에 백라이트가 불필요하게 된다. 이것은 투과형 액정 표시 장치보다도, 저소비 전력화, 박형화, 경량화를 달성할 수 있는 유효한 방법으로서 고려되고 있다. 현재의 반사형 액정 표시 장치의 기본적인 구조는, TN(트위스트 네마틱) 방식, STN(수퍼 트위스트 네마틱)방식, GH(게스트 호스트)방식, PDLC(고분자 분산)방식등을 이용한 액정과, 이것을 스위칭하기 위한 소자(박막 트랜지스터, 다이오드) 및 이들의 내부 또는 외부에 설치한 반사판으로 이루어진다.
반사형 액정 표시 장치의 표시 성능에는, 액정 투과 상태인 경우, 밝으면서 또한 백색인 표시를 나타내는 것이 요구된다. 이 표시 성능을 실현하는 데에는, 반사판의 반사 성능 제어, 즉 반사판 표면 요철 형성, 특히 요철 경사 각도, 요철 불규칙성의 제어가 중요하다.
종래의 반사형 액정 표시 장치에는, 고정밀, 고화질을 실현할 수 있는 박막트랜지스터(TFT) 또는 금속/절연막/금속(MIM) 구조 다이오드를 스위칭 소자로서 이용한 액티브 매트릭스 구동 방식이 사용되고, 이에 반사판이 부속된 구조로 되어 있다.
반사형 액정 표시 장치의 구체적 구조예를 제35도에서 도시하고 있다. 대향측 기판(1)은, 대향측 유리 기판(2) 및 투명 전극(3)으로 구성되어 있다. 하부측 기판(4)은, 유리 기판(5)상에 제조된 역 스태거 구조 박막 트랜지스터(6)와 그 상부에 형성된 층간 절연막인 폴리이미드막(7)겸 화소 전극으로서의 기능을 겸하고 있는 반사판(10)으로 구성되어 있다.
이 예에서는, 액티브 매트릭스 구동 소자로서 역 스태거 구조 박막 트랜지스터(6)가 이용되고 있으며, 반사판(10)은, 컨택트 홀(9)을 거쳐 박막 트랜지스터(6)의 드레인 전극(9)에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 대향 기판(1)과 하부측 기판(4) 사이에는 액정층(11)으로서 GH 액정이 위치한다.
액정 표시 장치의 광원은, 외부로부터의 입사광(12)이 대향측 유리 기판(2), 투명 전극(3), 액정층(11)을 통과해 반사판(10)으로부터 반사되는 반사광(13)을 이용한다. 밝은 액정 표시 장치를 얻기 위해서는, 여러 방위로부터의 입사광을 효율적으로 액정 표시 장치 전방(13)으로 출사시켜야 한다. 그러므로, 폴리이미드막(7)의 표면에 요철(18)을 형성함으로써, 반사판 표면에 요철 형상(14)을 설치하고 있다.
제36도에 종래의 반사형 액정 표시 장치에 제조 공정도를 도시하고 있다. 이 액정 표시 장치의 트랜지스터 제조 공정은, 유리 기판(5) 상부에 게이트 전극(15)을 형성하고(a), 절연막(16), 반도체층 및 도핑층(17)을 성막하며(b), 반도체층을 패터닝하여 아일랜드를 형성한다(c). 다음에, 소스 전극(8), 드레인 전극(9)을 형성하고(d), 그 후, 절연막으로서 폴리이미드막(7)을 형성하며, 반사판 형성 영역으로 요철(18)을 형성한다(e). 폴리이미드막(7)에 컨택트 홀(49)을 형성하고(f), 반사판(10)을 형성하며 요철(14)을 형성한다(g). 요철(14)의 형성에는, 폴리이미드막(7)을 패터닝하는 방법이 이미 알려져 있다.
이상의 공정에 의하면, 종래 반사형 액정 표시 장치의 TFT 기판 제조 공정에 필요한 포토리소그래피(photolithography ; PR)수는 6이 된다.
이들 방법은, 특공소 61-6390호 공보 또는 프로시딩 오브 에스아이디(도루고이트미와 다쯔오 유지다, Proceedings of the SID, Vol. 29, 157, 1988)에 개시되어 있다.
[발명이 이루고자 하는 기술적 과제]
종래의 반사형 액정 표시 소자의 제조에는, 종래의 기술에서 기술한 바와 같이, 다수의 PR공정과 복잡한 제조 공정이 이용되고 있다. 특히 PR 공정수는, 스위칭 소자 제조는 3PR수, 반사판 제조에는 3PR수가 되어, 전체 PR수는 6이 된다.
이것은, 고성능 스위칭 소자와 고성능 반사판을 동일 절연성 기판상에 만들어 넣는 것이 요구되며, 이것을 만족하기 위해서 상기 스위칭 소자와 반사판이 개별의 제조 공정에서 형성되고 있는 것에 기인한다. 그 결과, 제조 비용을 상승시켜 반사형 액정 표시 소자의 단가를 높히는 요인이 된다.
이 때문에, 상기 PR수의 감소와 간략한 공정에 의한 제조 비용의 저하는, 반사형 액정 표시 소자에 부여되는 중요한 과제가 되고 있다.
본 발명에서는, 고성능 액티브 매트릭스 구동 소자와 고휘도 반사판을 갖는 반사형 액정 표시 소자를 적은 비용으로 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 절연성 기판상에 액티브 매트릭스 구동 소자를 형성할 때에, 장래반사판을 형성해야 하는 위치에 미리 요철을 형성하여 두는 것으로, 이 요철을 상기액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하고 있다.
즉, 본 발명은 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 가지는 절연성 기판과, 투명 전극을 가지는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 패터닝하여 형성한 요철이 상기 반사판 아래에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시장치이다.
또한, 본 발명은, 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 가지는 절연성 기판과, 투명 전극을 가지는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중에서 적어도 하나를 패터닝하여 형성된 요철과, 이 요철상에 성막된 절연막이 상기 반사판 아래에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치이다.
또한, 본 발명은, 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 가지는 절연성 기판과, 투명 전극을 가지는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 반사판 아래에는 상기 절연성 기판을 패터닝하여 형성된 요철과, 이 요철상에 이 요철의 주기에 맞추어 형성된, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 패터닝하여 형성한 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치이다.
또한, 본 발명은, 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 가지는 절연성 기판과, 투명 전극을 가지는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 반사판 아래에는 상기 절연성 기판을 패터닝하여 형성된 요철과, 이 요철상에 이 요철의 주기와 맞추어 형성된, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반동체막중 적어도 하나를 패터닝하여 형성된 요철과, 이 요철상에 성막된 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치이다.
상기 반사판 아래에 형성된 요철의 높이, 주기, 경사 각도 중 적어도 하나는 불규칙한 것이 바람직하다.
상기 요철상에 성막된 절연막이 상기 액티브 매트릭스 구동 소자 및 배선상에도 형성되고, 상기 유기계 절연막 또는 무기계 절연막의 상부에 반사판이 상기 액티브 매트릭스 구동 소자를 피복하도록 형성되고, 또한 상기 반사판은 화소 전극의 기능을 가지고, 컨택트 홀에 의해 상기 액티브 매트릭스 구동 소자와 전기적으로 접속되어 있는 반사형 액정 표시 장치로 할 수도 있다.
상기 컨택트 홀의 위치는, 상기 각 화소 전극마다 상기 각 화소 전극내에서 다른 위치에 형성할 수 있다.
상기 요철상에 성막된 절연막에는, 감광성 절연막을 이용할 수 있다.
상기 액티브 매트릭스 구동 소자는 종래 알려져 있는 트랜지시터, 다이오드 등을 이용할 수 있지만, 특히 순 스태거 구조 TFT를 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명은, 절연성 기판상에 액티브 매트릭스 구동 소자를 형성하는 동시에, 이 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 패터닝하여, 반사판을 형성해야 하는 위치에 미리 요철을 형성하는 공정과, 이 요철 위에 반사판을 형성하는 공정과, 이 액티브 매트릭스 구동 소자와 반사판을 형성한 절연성 기판과, 투명 전극을 가지는 절연성 기판을 서로 맞대어 액정을 주입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법이다.
[발명의 구성 및 작용]
본 발명에서는, 절연성 기판상에 액티브 매트릭스 구동 소자를 형성하는 동시에, 장래 반사판을 형성해야 할 위치에 미리 요철을 형성하여 두는 것으로, 이 요철을 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 이용하여 형성하고 있기 때문에, 제조 공정을 생략할 수가 있다.
본 발명의 작용을 이하에서 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
제36도에 도시된 종래의 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정에서는 박막 트랜지스터의 제조 공정에서 3PR수, 화소 전극의 제조 공정에서 3PR수, 합하여 6PR수를 필요로 한다.
한편, 본 발명에 따르면, 박막 트랜지스터의 제조 공정에서 3PR수, 화소 전극의 제조 공정에서 1PR수, 합하여 4PR수가 되어 프로세스를 생략할 수 있다.
제1도를 참조하여 본 발명의 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 상세히 설명한다. 제1도에서 제35도, 제36도와 동일한 것은 동일한 번호로 나타낸다.
박막 트랜지스터의 제조 공정은 다음과 같다. 게이트 전극용 금속을 유리기판(5)상에 형성한 후에, 게이트 전극(15) 및 반사판의 요철의 밑바닥이 되게 되는 요철 패턴(20)을 PR공정에 의해 형성한다(a). 이 위에 게이트 절연막(16), 반도체층(17), 소스·드레인 전극용 금속막을 성막하고(b), 박막 트랜지스터(22) 및 반사판의 밑바닥이 되는 요철 패턴(21)을 남기고 에칭을 행한다(c). 상세히 말하여, 이 공정에서 박막 트랜지스터의 형성과 동시에 요철의 형성을 행할 수 있기 때문에, 프로세스의 간략화가 가능하게 된다. 그 후, 소스 전극(8), 드레인 전극(9)을 형성하여(d), 박막 트랜지스터를 완성한다.
이 위를 반사 효율이 높은 금속에 의해 피복하고, 패턴 형성을 행하는 것으로, 반사판(10)을 형성하여 반사형 액정 표시 장치를 완성한다.
다음에 제2도를 이용하여, 두번째의 발명의 작용을 설명한다.
제2도는 반사판 아래에 유기계 절연막 또는 무기계 절연막을 설치한 반사형액정 표시 장치의 단면도이다. 제2도에서, 제1도와 동일한 것은 동일한 번호로 나타낸다. 제1도과 다른 점은, 반사판(10)과 박막 트랜지스터(6) 또는 요철 패턴(21)간에 유기계 절연막 또는 무기계 절연막(30)이 형성되어 있으며, 반사판(10)과 드레인 전극(9)은 컨택트 홀(49)을 거쳐 접속되어 있는 점이다.
본 발명에 따르면, (1) 반사판(10)을 박막 트랜지스터(6) 및 소스 전극(8), 드레인 전극(9)과는 다른 층에 형성할 수 있기 때문에 반사판 면적을 최대로 할 수 있고, (2) 요철(30)의 경사부를 원만하게 할 수 있기 때문에, 보다 양호한 반사 성능을 가지는 반사판 요철을 형성할 수 있으며, (3) 박막 트랜지스터(6)를 패시배이트할 수 있기 때문에, 액정제에 의한 박막 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 절연막을 상기 액티브 매트릭스 구동 소자 및 배선상에도 형성하고, 상기 유기계 절연막 또는 상기 무기계 절연막의 상부에 액티브 매트릭스 구동 소자를 피복하도록 반사판을 형성하고, 반사판에 화소 전극의 기능도 갖게 하여, (1) 반사판을 박막 트랜지스터 및 배선과는 다른 층에 형성한 것으로, 반사판 면적을 최대로 할 수 있으며, 액정 표시 장치 내부에의 입사광의 대부분을 반사광으로서 이용할 수 있고, (2) 반사판을 화소 전극으로서 이용할 수 있기 때문에, 새로운 화소 전극을 설치할 필요가 없어 프로세스수를 감소할 수가 있다.
제3도를 이용하여, 절연성 기판을 패터닝했을 경우의 작용을 설명한다.
제3도는 절연성 기판을 패터닝하여 요철을 형성했을 경우의 반사형 액정 표시장치의 단면도를 나타낸다. 제3도에서, 제1도와 동일한 것은 동일 번호로 나타낸다. 제1도와 다른 점은, 절연성 기판(5)을 먼저의 요철 패턴(21)과 동일 주기에서 패터닝하여 요철(40)을 설치한 점이다.
이로써, 절연성 기판(5)의 에칭으로부터 얻은 요철(40 ; 요철 높이 y)과, 그 상부에 박막 트랜지스터 제조와 동시에 형성된 요철(21 ; 요철 높이 x)를 합하여, 반사판(10)의 요철(41)로서 이용함으로써, 이 요철 높이는 박막 트랜지스터 제조시에 성막된 막의 두께(x)로 제약되는 일이 없게 되고, 절연성 기판의 요철 높이(y)를 변하게 하여, 자유로운 높이(x＋y)의 요철을 제조할 수 있다. 이 때문에 상기 요철을 가지는 반사판의 산란 성능이 향상된다.
반사판 표면의 요철 구조의 요철 높이, 요철 주기, 요철 형상이 주기 구조를 갖는 경우, 반사광의 간섭이 발생하여 반사판에는 착색이 생기지만, 요철 높이, 요철주기, 요철 형상중 적어도 하나를 불규칙하게 함으로써, 반사판의 착색이 소실하여 해당 표시 장치의 표시 성능이 개선되게 된다.
제4도에서 반사판의 요철이 주기 구조인 경우의 반사 성능을, 제5도에서는 반사판의 요철이 본 발명의 조건을 만족하는 불규칙 구조인 경우의 반사 성능을 나타내고 있다. 또한, 제6도에서 반사 성능의 평가 시스템의 구성도를 도시하고 있다. 도면에서, 참조 번호 61은 반사판, 참조 번호 62는 광원, 참조 63은 광 검출기이다. 광원(62)로부터의 입사각(θ)을 변환시켜, 반사판(61)의 반사률을 측정한다.
제4도의 요철이 주기 구조인 반사판의 성능은, 간섭이 생기기 때문에, 반사 성능은 다수의 간섭 피크로 구성되어 있다. 그리고, 백색 램프의 근처에서는, 반사판의 착색이 생기게 된다. 이에 반해, 본 발명의 요철이 불규칙한 반사판을 이용하게 되면, 제5도에서 나타낸 반사 성능은, 간섭 현상을 나타내는 피크가 소실하여, 성능은 입사광 각도에 대하여 연속적인 반사 강도를 나타내고, 반사판의 착색이 관찰되지 않는 양호한 반사판을 제공할 수 있다.
반사판과 박막 트랜지스터를 전기적으로 접속하기 위한 컨택트 홀 위치를 화소마다 불규칙하게 배치하는 것의 작용을 설명한다.
제7(a)도에서 컨택트 홀 위치가 주기적인 경우, 제7(b)도에서 컨택트 홀 위치가 불규칙한 경우의 평면도를 나타낸다. 제7도에서, 제2도와 동일 부분은 동일 번호로 나타낸다. 참조 번호 71은 소스 신호선, 참조 번호 72는 게이트 신호선이다.
제7(a)도에서는, 컨택트 홀(49)이 표시 화소 사이즈로 주기적으로 배치되었기 때문에, 패널 표시시에 홀부의 평탄부가 관찰된다.
이에 대하여, 본 발명을 나타내는 제7(b)도는 컨택트 홀(49) 위치를 각 화소 내부 영역에서 변화시킴으로써, 컨택트 홀부의 요부도 반사판 표면의 불규칙한 요철구조의 일부가 되며, 해당 홀부가 인식되지 않게 되어 양호한 반사판 성능을 성취할 수 있다.
액티브 매트릭스 구동 소자로서 순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용한 예를 제8도에서 도시한다. 제8도에서, 유리 기판상에 1PR째에서 소스 전극(8), 드레인전극(9) 및 요철 패턴(20)을 형성하고(a), 도핑층 및 반도체층(17), 게이트 절연막(16), 금속 전극층을 연속 성막한 후(b), 2PR째에서 게이트 전극(15), TFT소자부의 아일랜드화, 요철(21)형성이 동시에 행해진다(c). 그 후, 3PR째에서 반사판(10)이 형성된다(d).
이에 대하여, 역 스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용했을 경우, 제1도에서 나타낸 바와 같이, 4PR째에서 반사판(10)이 형성된다. 순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용함으로써, 역 스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용했을 경우에 비해, PR공정을 더욱 간략하게 할 수 있다는 것을 알 수 있다.
[실시예]
본 발명의 실시예에 대하여 이하 설명한다.
[제1실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제1도에서 도시한다. 본 반사형 액정 표시 장치에서의 스위칭 소자에는 역 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용한다.
제조 프로세스로서 유리 기판상에
(a) Cr금속을 스퍼터링법에 의해 50nm형성하고, 게이트 전극(15) 및 요철패턴(20)을 포토리소그래피에 의해 형성한다. (1PR째)
(b) 게이트 절연막(16), 반도체층(17) 및 도핑층을 프로세스 CVD에 의해 연속 성막을 행한다. 이 때, 게이트 절연막(16)에는 실리콘 산화막을 300nm, 실리콘질화막을 100nm, 그리고 반도체층(17)에는 아모르퍼스 실리콘층을 100nm, 도핑층에는 인원자를 혼입하여 n형화된 아모르퍼스 실리콘(n＋a-Si)층을 100nm성막한다. 그후, Cr금속을 스퍼터링법에 의해 50nm성막한다.
(c) TFT소자부 아일랜드(22) 및 요철 패턴(21)을 형성한다. (2PR째)
(d) 소스 전극(8), 드레인 전극(9)을 형성한다. (3PR째)
(e) 알루미늄을 스퍼터링법에 의해 300nm 형성하여, 반사판(10)을 형성한다.
(4PR째)
본 실시예에서는, 반사판 표면에 형성된 요철 패턴(21)을 상기 (c)의 TFT 소자부(22)의 아일랜드화와 동시에 형성함으로써, 프로세스의 간략화를 모도할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 사용한 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 아모르퍼스 실리콘막, n형화 아모르퍼스 실리콘막의 프로세스 CVD 조건은 이하와 같이 설정한다. 실리콘 산화막의 경우, 반응 가스에 실란과 산소 가스를 이용하여, 가스 용량비(실란/산화)는, 0.1∼0.5정도로 설정하고, 성막 온도 200∼300℃, 압력 1Torr, 플라즈마 파워 200W로 한다. 실리콘 질화막의 경우, 반응 가스에 실린과 암모니아 가스를 이용하여, 가스 용량비(실란/암모니아)는 0.1∼0.8로 설정하고, 성막 온도 250℃, 압력 1Torr, 유리 파워 200W로 한다. 아모퍼스 실리콘막의 경우, 반응 가스에 실란과 수소 가스를 이용하여, 가스 용량비(실란/수소)는 0.5∼2로 설정하고, 성막 온도 200∼250℃, 압력 1Torr, 플라즈마 파워 500W으로 한다. n형화 아모퍼스 실리콘막의 경우, 반응 가스에 실란과 포스핀(phosphine)을 이용하여, 가스 유량비(실란/포스핀)는 1∼2로 설정하고, 성막 온도 200∼250℃, 압력 1Torr, 플라즈마 파워 50W로 한다.
TFT 소자부 아일랜드(22) 및 요철 패턴(21) 형성에는, Cr의 경우는 습식 에칭을 사용하고, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막, 실리콘 질화막, 그리고, 아모퍼스 실리콘층에는 건식 에칭을 사용한다. Cr의 에칭에는, 과염소산과 초산 제2셀륨 암모늄의 혼합 수용액을 이용한다. 또, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막의 에칭에는, 에칭 가스에 4탄화불소와 산소 가스를 이용하여, 반응 압력 5∼300mTorr, 파워 100∼300W로 한다. 또, 아모퍼스 실리콘층의 에칭에는, 염소와 수소 가스를 이용하며, 반응 압력 5∼300mTorr, 파워 50∼200W로 한다.
본 실시예의 전 PR수는 4가 되어, 종래의 6PR에 비하여 적다. 이 때의 요철에는, 하부로부터 크롬/실리콘 산화막/실리콘 질화막/아모퍼스 실리콘막/n형 아모퍼스 실리콘막/크롬의 적층막이 이용되고 있다. 이 때문에, 해당 요철이 높이는 상기 막의 높이로 설정되게 되기 때문에, 본 실시예에서는, 700nm정도가 된다. 또한, 본 실시예의 요철이 높이는 700nm정도로 되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 요철 높이는 전극 금속, 절연층, 반도체층의 두께를 변하시켜 자유롭게 설정할 수 있다.
또한, 상기 (c)에서 형성된 요철 패턴(21)의 평면 형성과 그 위치는 랜덤하게 되어 있다.
게다가, 요철 형성에서는, 그 형상을 마스크하기 위한 레지스트 형상 조건 및 노광 조건을 변화시킴으로써, 요철 측벽부의 테이퍼화가 가능하다. 제9도에서 요철측 벽부의 경사각도가 (a)수직인 경우와 (b) 테이퍼를 가지는 경우의 반사형 액정 표시 장치의 하부측 기판 단면도를 나타낸다. 제9도에서, 제1도와 동일한 부분은 동일 번호로 표시한다. 제9(a)도에서는, 요철측 벽부는 수직이지만, (b)에서는 데이퍼부(92)로 되어 있기 때문에, 반사판(10)의 형성이 용이하게 된다.
본 실시예의 요철의 경사 각도(93)는 5∼15도의 번위로 설정한다. 반사 화소전극판의 개구율은, 70∼80％로 설정한다.
본 실시예에서 제작한 반사형 액정 표시 장치의 단면 구조도를 제10도에서 도시한다. 제10도에서, 제35도와 동일한 부분은 동일 번호로 나타낸다. 상기한 바와 같이 하부측 기판(4)과, ITO로 형성된 투명 전극(3)을 가지는 대향측 기판(1)을 각각의 박면이 대향하도록 하여 중첩시킨다. 또한, 하부측 기판(4)의 반사판(10)과, 대향측기판(1)의 투명 전극(3)의 표면에는 배향 처리가 실시되고, 양 기판은 플라스틱 입자등의 공간을 거쳐, 패널 주변부에 에폭시계의 접착제(101)를 도포함으로써, 서로 중합한다. 그 후 Gh형 액정을 주입하여 액정층(11)이 되게 하여 액정 표시 장치를 제조한다.
실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 가지는 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로 실현하게 된다. 또, 대향측 기판측에 RGB 칼라 필터를 설치하는 것으로, 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
[제2실시예]
제2실시예에 이용된 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제11도에서 나타낸다. 본 실시예는 제1실시예의 반사형 액정 표시 장치에서의 반사판과 요철 사이에 절연층을 새로이 설치한 것이다. 이 실시예에서도 제1실시예와 동일하게 액티브 매트릭스 구동 소자로서 역 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용한다.
제1실시예의 (d)공정까지는, 동일한 공정이기 때문에 기재를 생략한다. (e)이하의 공정에 대해서는 다음에 설명한다.
(e) 절연막(30)을 성막하고, 컨택트 홀(49)을 형성한다. (4PR째)
(f) 알루미늄을 스퍼터링법에 의해 300nm 형성하고, 반사판(10)을 형성한다.
본 실시예에서는, 요철(21) 및 TFT 소자부(22)과 반사판(10) 사이에 층간 절연막인 유기계 졀연막(30)이 형성되어 있다. 이 유기계 절연막으로는, 닛산 케미칼사 제품 RN-901의 감광성 폴리이미드막을 이용한다. 형성막 조건으로서는, RN-901을 300rpm에서 5초, 2800rpm에서 20초 스핀 코팅하고, 80℃, 10분간 프리베이킹한다. 그 후, 초고압 수은 램프를 이용하여 노광하고, 현상액 NMD-3(2.38％ TMA 수용액 ： 동경 응화제)을 이용하여, 패턴 형성을 행한다. 마지막으로, 250℃, 100분간 포스트베이킹을 행한다.
본 실시예에서의 총 PR수는 5가 되어, 종래의 6PR보다 적게 할 수 있다.
상기 하부측 기판(4)의 상부를 유기계 절연막(30)을 1㎛의 두께로 피복함으로써, 요철 경사 각도를 완만하게 하고 있다. 반사판과 요철 사이에 유기계 절연막을 삽입한 경우의 반사판의 반사 특성을 제12도에, 유기계 절연막이 삽입되어 있지 않는 경우의 반사판의 반사 특성을 제13도에서 도시하고 있다. 또한, 반사 성능의 평가에는, 제6도와 동일한 시스템을 이용한다. 유기계 절연막(30)이 존재하지 않는 경우의 반사 성능은, 정반사 방향의 반사 강도가 커, 반사 강도의 광입사 각도 의존성이 크게 된다. 이에 반하여, 본 실시예에서 얻어진 반사판의 성능은, 넓은 시야 각도의 범위에서, 보다 강한 반사 강도를 가진다. 이 반산판을 반사형 액정 표시 장치에 응용한 경우, 밟은 표시 성능을 얻을 수가 있다.
또한, 본 실시예에서 이용한 반사판 표면에 가지는 요철의 평균 경가 각도는 10도로 한다. 그리고, 유기계 절연막(30)의 도포 조건, 예를 들면 도포막 두께, 소성 온도, 요철 위치, 크기를 제어하여 요철의 평균 경사 각도를 변화시킬 수가 있으며, 목적에 따른 반사 성능을 가지는 반사판을 제공할 수 있는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 (c)에서 형성된 요철의 평면 형상 및 위치는, 랜덤하게 되어 있다.
게다가, 반사판(10)은 하부측 기판측의 최상층에 위치하기 때문에, 반사판 면적을 최대한으로 크게 할 수 있고, 그 결과, 개구율은 80∼90％를 차지할 수 있어 광휘도 반사판을 실현할 수 있다.
그 후, 상기 기재한 제1 실시예와 동일하게, 하부측, 기판과, 대향측 기판을 각각의 박면이 대향하도록 서로 맞댄 후에, GH형 액정을 주입하여 액정층으로 함으로써, 액정 표시 장치를 제조한다.
그 결과, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 가지는 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로 실현하게 된다. 또한, 대향측 기판측에, RGB칼라 필터를 설치하는 것으로 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, TFT 소자부 및 요철부와 반사판 사이의 층간 절연막으로서 포지티브형 감광성 유기계 절연막을 사용하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 네가티브형 감광성 유기막으로서, 도오레사 제품 포토니스 UR3800, 감광성 무기막으로서 닛산 케미칼사 제품제 HM-5001을 이용해도 동일한 효과를 기대할 수 있다. 또한, 감광성을 가지지 않는 유기막(예를 들어, 닛산 케미칼사 제품제 RN-812) 또는 유기막(예를 들어, 닛산 케미칼사 제품제 NT-L6008)을 이용하여도, 레지스트 도포, 현상, 박리 프로세스가 증가하지만, 본 실시예와 동일한 반사형 액정 표시 장치를 성취할 수 있다.
[제3 실시예]
본 발명의 실시예에 이용안 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제14도에서 도시한다. 본 실시예는, 상기 기재의 제1 실시예에서의 반사형 액정 표시 소자의 요철 하부에, 새로 절연성 기판의 제거로 요철을 설치하며, 요철 높이를 자유로 설정하도록 한 것이다.
이 실시예에서는, (d)공정 이외는 제1 실시예와 동일한 공정이기 때문에, 기재를 생략한다.
(c)의 공정까지 제1 실시예와 동일하게 행한다.
(d) (c)에서, TFT 소자의 아일랜드화 및 요철 형성을 위해, Cr/실리콘 산화막/실리콘 질화막/아모퍼스 실리콘막/n형화 아모퍼스 실리콘막/Cr을 에칭한 후, 연속적으로 밑바닥의 유리 기판(5)의 에칭을 행한다. 50％ 불화 수소산 수용액을 이용하여 유리 기판을 1㎛에칭을 행한다. 그 결과, 하부이 유리 기판 요철과 상부의 요철을 맞추어, 최대 1.7㎛의 높이를 가지는 요철(141)이 형성된다.
그 후, 제1 실시예의 (d) (e)의 공정과 동일하게 소스 전극(8), 드레인 전극(9), 반사판(10)을 형성한다.
본 실시예에서는, 유리 기판(5)을 에칭함으로써, 요철(141)의 높이를 TFT 소자의 두께에 의존하지 않고 높게 할 수가 있다. 따라서 고성능 TFT를 얻기 위한 최적이 두께로 설정할 수 있고, 또한 양호한 반사 성능을 얻기 위해서 필요한 요철의 높이도 성취할 수 있다.
그 결과, 실용상 충분히 밝으면서 신문지에 필적하는 백표시를 갖는 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로 실현하게 된다. 또한, 대향측 기판측에 RGB칼라 필터를 설치하는 것으로, 밝은 칼라 반사형 패널을 저 비용으로 실현할 수가 있다.\
[제4 실시예]
제4 실시예에서 제조한 반사형 액정 표시 장치의 TFT 기판 단면도를 제15도에서 나타낸다. 본 실시예는, 제3 실시예에서 유리 기판(5)을 에칭하고 있는 곳곳을, 미리 요철 형성을 위한 절연층을 유리 기판 상부에 설치하고, 이 절연층을 삭제하여 하부 요철을 설치하고 있다.
제조 공정으로서는, 유리 기판(5)상에 미리 요철을 형성하기 위한 막, 산화 실리콘막(151)을 CVD법에 의해 2㎛의 두께로 형성한다. 이 때의 플라즈마 CVD조건은, 원료 가스로서 실란 10sccm, 산소 80sccm 공급하고, 성막 온도 350℃, 반응압력 1Torr로 한다. 그 후, 상기 제3실시예와 동일한 (a)∼(e)프로세스를 행한다. 만약, 프로세스(d)에서는, 유리 기판을 에칭하는 것은 아니고, 이 요철 형성층인 산화 실리콘층을 1㎛에칭한다. 본 실시예에서는, 건식 에칭법을 이용한다. 조건은, 에칭 가스로 4불화 탄소 100sccm, 산소 20sccm, 파워 200W, 압력 100mTorr로 한다.
본 실시예에서는, 요철 형성 프로세스가 증가하지만, 유리 기판의 에칭에 의한 요철 형성에 의해, 에칭 시간을 단축할 수 있고, 또한 요철 단부(152)의 경사 각도를 자유로 제어할 수 있기 때문에, 목적의 반사 특성을 얻는 것이 용이하다. 그 결과, 고성능 반사형 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 요철 형성층(151)로서 산화 실리콘막을 이용하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 질화 실리콘막, 폴리이미드막 등을 이용하여도 동일한 효과를 기대할 수 있다. 게다가, 이 요철 형성층에 제1 실시예에 기재된 감광성 유기막 또는 무기막을 사용하면, 더욱 에칭 프로세스가 용이해질 수 있다.
[제5 실시예]
제5 실시예에서 이용한 반사형 액정 표시 장치의 단면도를 제16도에서 나타낸다. 본 실시예는, 제3 실시예에 반사판과 요철 사이에 절연층을 다시 설치하고 있다.
요철(153) 및 TFT 소자부(6)와 반사부(10)간에 층간 절연막의 유기계 절연막(30)이 형성되어 있다. 이 절연막은, 닛산 케미칼사 제품 RN-901의 감광성 폴리이미드막을 이용한다. 형성 조건으로서는, 제2 실시예와 동일한 조건으로 한다.
그 결과, 요철의 최대 높이는, 밑바닥 유리 기판에 형성된 요철과 그 상부에 성막된 Cr, 게이트 절연막, 반도체층 및 도핑층, Cr의 적층막으로 형성된 요철의 높이의 융합으로 결정되고, 반사판 요철의 높이를 TFT소자의 두께에 의존하지 않고 높게 할 수 있다. 또한, 그 상부를 유기계 절연막(30)으로 1㎛의 두께로 피복하여, 요철 경사 각도를 원만하게 할 수 있다.
그 결과, 본 실시예에서 성취된 반사판의 성능은, 넓은 시야 각도의 범위에서, 보다 강한 반사 강도를 가진다. 이 반사판을 반사형 액정 표시 장치에 응용한 경우, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 가지는 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로 실현하게 된다. 또한, 대향측 기판측에 RGB칼라 필터를 설치하여 밝은 팔라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수가 있다.
또한, 본 실시예에서도, TFT소자부 및 요철부와 화소 전극 간의 층간 절연막으로서, 포지티브형 감광성 유기계 절연막을 사용하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 네가티브형 감광성 유기막으로서 도오레사 제품 포토니스 UR3800, 감광성 무기막으로서 닛산 케미칼사 제품제 HM-5001을 이용하여도 동일한 효과를 기대할 수 있다. 또한, 감광성을 가지지 않는 유기막(예를 들면, 닛산 케미칼사 제품제 RN-812) 또는 무기막(예를 들면 닛산 케미칼사 제품제 NT-L6008)을 이용하여도, 레지스트 도포, 현상, 박리 프로세스가 증가하지만, 본 실시예와 동일한 반사형 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 유리 기판을 삭제하여 하부 요철을 형성하지만, 제4 실시예에 기재한 바와 같이, 유리 기판 상부에 유기 또는 무기계 절연막의 요철 형성층을 설치하고, 이것을 삭제하여 하부 요철을 형성한 경우에도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
[제6 실시예]
제6 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제8도에서 도시한다. 본 실시예는, 상기 기재한 제1 실시예에서의 반사형 액정 표시 소자의 액티브 매트릭스 구동 소자인 역 스태거 구조 박막 트랜지스터 대신에, 순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용하여, 제1 실시예보다 더욱 적은 프로세스수로 밝은 반사형 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 실시예에서의 반사형 액정 표시 장치의 제조 프로세스를 설명한다.
(a) 유리 기판상(5)에 Cr금속을 스퍼터링법에 의해 50nm 형성하고, 소스 전극(8), 드레인 전극(9) 및 신호선을 Cr금속에 의해 형성한다. (1PR째).
(b) 도핑층, 반도체층(17), 게이트 절연막(16)을 플라즈마 CVD에 의해 연속성막을 행한다. 이 때, 도핑층에는 인원자를 혼입하여 n형화된 아모퍼스 실리콘층(n＋a-Si)을 100nm, 그리고 반도체층에는 아모퍼스 실리콘층을 100nm, 게이트 절연막에는 실리콘막에는 실리콘 산화막을 300nm, 실리콘 질화막을 100nm 성막한다.
(c) Cr금속을 스퍼터링법에 의해 50nm 형성하고, 게이트 전극(15)과 TFT 소자부(6)의 아일랜드 및 요철(21)을 형성한다(2PR째).
(d) 알루미늄을 스터퍼링법에 의해 300nm 형성하여, 반사판(10)을 형성한다(3PR째).
본 실시예에서, 플라즈마 CVD법에 의해 성막한, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 아모퍼스 실리콘막, n형 아모퍼스 실리콘막의 성막 조건은, 모두 제1 실시예와 동일하게 한다. 또, TFT 소자 아일랜드(6) 형성 및 요철(21) 형성을 위한, 크롬, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 아모퍼스 실리콘막, n형 아모퍼스 실리콘막의 에칭법, 및 그 조건도 제1 실시예와 동일하게 한다.
본 실시예에서도, 반사판 표면에 형성된 요철은, 상기 (c)의 TFT 소자부 형성과 동시에 형성함으로써, 프로세스의 간략화를 도모할 수 있다. 특히, 액티브 매트릭스 구동 소자에 순 스태거 구조 TFT(6)를 이용했기 때문에, 상기 기재의 역 스태거 구조 TFT에 비하여, 더욱 PR공정수를 감소할 수 있다. 본 실시예의 전 PR수는 3이 되어, 종래의 6PR에 비하여 반감한 것이다. 이 때의 요철에는, 하부로부터 크롬/실리콘 산화막/실리콘 질화막/아모퍼스 실리콘막/n형 아모퍼스 실리콘막/크롬의 적층막이 이용되고 있다. 이 때문에, 본 실시예의 경우도, 해당 요철의 높이는, 상기 막의 두께로 결정되어, 700nm정도로 되어 있다.
또한, 상기 (c)에서 형성된 요철이 평면 형성 및 배치는 랜덤하게 되어 있다.
또한, 요철 형성에서는, 그 형상을 마스크하기 위한 레지스트층 및 노광 조건을 변화시키는 것으로, 요철 측벽을 테이퍼화 할 수 있다. 본 실시예에서 얻어진 요철의 경사 각도는, 5∼15도의 범위로 설정했다. 반사판의 개구율은 70∼80％로 설정했다.
상기한 대로 작성한 하부측 기판과, ITO로 형성된 투명 전극을 갖춘 대향측기판(1)을, 각각의 막면이 마주하도록 하여 중첩시켰다. 또, 하부측 기판의 반사판과 대향측 기판의 투명 전극의 표면에는, 배향 처리가 실시되어 두 기판은 플라스틱입자 등의 공간을 통하여, 패널 주변부에 에폭시계의 접착제를 도포하는 것에 의해 서로 맞대었다. 그 후에 GH형의 액정을 주입하여 액정층으로 하는 것으로서, 액정표시 장치를 제작했다. 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로 실현했다. 또한, 대향측 기판측에 RGB 칼라 필터를 설치하는 것으로 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
또, 본 실시예의 요철의 높이는, 700nm 정도로 되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 요철 높이는, 전극 금속, 절연층, 반도체층의 막 두께를 바꾸는 것으로 자유로이 설정할 수 있다.
[제7실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제17도에 도시한다. 본 발명은, 상기 기재의 제2 실시예에서의 반사형 액정 표시 소자의 액티브 매트릭스 구동용 스위칭 소자인 역 스태거 구조 박막 트랜지스터 대신 순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용한 것이다. 즉, 제6실시예 반사형 액정 표시 소자에서의 반사판과 요철 사이에 절연층을 새롭게 형성한 것이다
본 실시예에서의 반사형 액정 표시 장치의 제조 프로세서는, (d)의 공정 이외는 제6 실시예와 마찬가지이다.
(c)까지를 제6 실시예와 마찬가지로 행한다.
(d) 절연막(30)을 성막하고, 컨택트 홀(49)을 형성한다(3PR째).
(e) 알루미늄을 스퍼터링법에 의해 300nm 형성하고 반사판(10)을 형성한다(4PR째).
본 실시예에서, 플라즈마 CVD법에 의해 성막한 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 아모르퍼스 실리콘막, n형 아모르퍼스 실리콘막의 성막 조건은, 모두 제1 실시예와 마찬가지로 했다. 또한, TFT 소자 아일랜드(5007-8)형성 및 요철(21) 형성을 위해 크롬, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 아모르퍼스 실리콘막, n형 아모르퍼스 실리콘막의 에칭법 및 그 조건도 제1 실시예와 동일하게 했다.
본 실시예에 있어서도, 상기 제6 실시예와 마찬가지로, 반사판 표면에 형성되는 요철은, 상기 (c)의 TFT 소자부 형성과 동시에 형성하고, 액티브 매트릭스 구동 소자에 순 스태거 구조 TFT를 이용하기 때문에 제2 실시예에 기재의 역 스태거 구조 TFT에 비해서 더 PR 공정수를 감소할 수 있다. 요철(21)상에 형성한 유기계 절연막에는, 닛산 케미칼사 제품 RN-901의 감광성 폴리이미드막을 이용했다. 형성 조건은 제2 실시예와 동일하게 했다. 상기 요철(21)의 상부를 유기계 절연막(30)으로 1㎛의 막 두께로 덮는 것에 의해 요철 경사 각도를 완만하게 하고 있다. 그 결과, 제2 실시예에서 얻어진 반사판과 마찬가지로 본 실시예의 경우에도 넓은 시야 각도의 범위로 보다 강한 반사 강도를 갖춘 반사판이 얻어졌다.
또한, 본 실시예의 경우, PR수는 상기 기재의 제6 실시예의 전체 PR수(3)에 비해 ＋1 증가하여 4PR수로 된다. 그러나, 종래의 6PR보다 적은 공정수로 반사형 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시예에 이용한 반사판 표면에 갖춘 요철의 평균 경사 각도는 10도로 했다.
또한, 상기(c)에서 형성된 요철의 평면 형상 및 위치는 랜덤하게 되어 있다. 또, 반사판(10)은, 하부측 기판측의 최상층에 위치함으로써, 그 반사판 면적을 최대한으로 크게 할 수 있고, 그 결과 개구율은 80∼90％를 차지하기 때문에, 광휘도 반사판을 실현할 수 있었다.
그 후, 상기 기재의 제6 실시예와 마찬가지로, 액정 표시 장치를 제조해 마찬가지의 효과를 얻었다.
또한, 본 실시예에서는, TFT 소자부 및 요철부와 반사 화소 전극판 사이의 층간 절연막으로서 포지티브티브형 감광형 유기계 절연막을 사용했다. 층간 절연막에 감광성을 갖추지 않은 유기계 절연막을 이용한 경우에 있어서도, 마찬가지로 효과를 기대할 수 있다. 다만, 감광성을 갖춘 경우와 갖추지 않은 경우에서는, 프로세스 공정수가 크게 다르다. 제18도에, 감광성막을 이용한 경우와, 감광성을 갖추지 않은 폴리이미드막을 이용한 경우의 프로세스 공정도를 도시한다. 감광성 절연막을 이용한 경우, (a) 성막, (b) 노광, (c) 에칭 공정, 불과 3공정으로 완성하지만, 감광성을 갖추지 않은 절연막의 경우, 통상의 레지스트 프로세스 처리를 행하기 위해, (a) 졀연막 성막, (e) 레지스트 도포, (f) 노광, (g) 현상, (h) 에칭, (i) 레지스트 박리 등 6공정 필요로 된다. 그 때문에, 프로세스의 간략화를 위해서는 감광성 절연막의 사용이 유효하다.
그 외의 감광성막으로서, 제2 실시예에서도 개략 도시한, 네가티브티브형 감광성 유기막으로서 도오레사 제품 포토니스 UR3800, 감광성 무기막으로서 닛산 케미칼사 제품 HM-5001을 이용해도 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다.
[제8 실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제19도에 도시한다. 본 실시예는, 상기 기재의 제3 실시예에서의 반사형 액정 표시 소자의 액티브 매트릭스 구동용 스위칭 소자인 역 스태거 구조 박막 트랜지스터 대신 순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용했다.
순 스태거 구조 박막 트랜지스터의 제조 프로세스는 제6 실시예와 마찬가지로 행하였다. (a) 유리 기판상(5)에 Cr 금속을 스퍼터링법에 의해 50nm 형성하고, 소스 전극(8)과 드레인 전극(9) 및 신호선을 Cr금속에 의해 형성한다(1PR째). (b) 도핑층, 반도체층(17), 게이트 절연막(16)을 플라즈마 CVD법에 의해 연속 성막을 행하였다. 이 때, 도핑층에는, 인 원자를 혼입해 n형화된 아모르퍼스 실리콘(n＋a-Si)층을 100nm, 그리고 반도체층에는, 아모르퍼스 실리콘층을 10nm, 게이트 절연막에는, 실리콘 산화막을 300nm, 실리콘 질화막을 100nm 성막했다. (c) Cr금속을 스퍼터링법에 의해 50nm 형성하고, 게이트 전극(15)과 TFT 소자부 (6)의 아일랜드 및 요철(21)을 형성한다(2PR째).
유리 기판(5)의 에칭 공정 이후는 제3 실시예와 마찬가지로 행하였다.
(d) (c)에 있어서, TFT 소자의 아일랜드화 및 요철 형성을 위해 Cr/실리콘 산화막/실리콘 질화막/아모르퍼스 실리콘막/n형화 아모르퍼스 실리콘막/Cr을 에칭한 후 연속적으로 밑바닥의 유리 기판의 에칭을 행한다. 50％ 불화화 수소산 수용액을 이용하여 유리 기판을 1㎛ 에칭했다. 그 결과, 하부의 유리 기판 요철과 상부의 요철을 합쳐 최대 1.7㎛의 높이를 갖춘 요철이 형성되었다. (e) 알루미늄을 스퍼터링법에 의해 300nm 형성하고, 반사판(10)을 형성했다(3PR째). 그 후, 상기 제6 실시예에 기재의 제조 프로세스를 이용하여 반사형 액정 표시 장치의 제조를 행하였다.
본 실시예에서는, 유리 기판(5)을 에칭하는 것에 의해 요철(153)의 높이를 TFT 소자의 막 두께에 의존하지 않고 높게 할 수 있다. 그러나, PR수가 증가하는 일 없이 고성능 TFT를 얻기 위한 최적의 막 두께로 설정할 수 있고, 또 양호한 반사 성능을 얻기 위해 필요한 요철의 높이도 얻을 수 있다.
그 결과, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크론 반사형 패널을 적은 비용으로, 실현했다. 또한, 대향측 기판측에, RGB 칼라 필터를 설치하는 것으로, 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있었다. 또한, 본 실시예에서는, 제1 요철 구조는, 유리 기판의 에칭에 의해 얻어졌지만, 유리 기판상에 산화 실리콘막, 질화 실리콘막 등의 무기막 혹은 폴리이미드막 등의 유기막성을 형성하고, 이것을 에칭하는 것으로 제1 요철 구조를 형성해도 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다.
[제9 실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제20도에 도시한다. 본 발명은, 상기 기재의 제5 실시예에서의 반사형 액정 표시 소자의 액티브 매트릭스 구동용 스위칭 소자인 역 스태거 구조 박막 트랜지스터 대신 순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 사용했다.
순 스태거 구조 박막 트랜지스터의 제조 공정은 제6 실시예와 마찬가지로 행하고, 반사판과 요철 사이의 절연막의 형성은 제5 실시예와 마찬가지로 행했다. 또한, 본 실시예에서는, 제1 요철 구조는, 유리 기판의 에칭에 의해 얻어졌지만, 유리 기판상에 산화 실리콘 막, 질화 실리콘막 등의 무기막 혹은 폴리이미드막 등의 유기막을 형성하고, 이것을 에칭하는 것으로 제1 요철 구조를 형성하여 본 실시예와 동일 프로세스에 의해 제조해도 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다.
[제10 실시예]
본 실시예에서는, 제2 내지 제6 실시예, 제7 내지 제10 실시예에 기재의 제조공정과 마찬가지로 제조된 반사형 액정 표시 장치의 컨택트 홀을 각각의 화소 내부에서 다른 위치에 배치하여 그 컨택트 홀부의 요부도 반사판 표면의 불규칙한 요철구조의 일부로 하는 것으로 밝은 반사형 액정 표시 장치를 제공하는 것에 있다. 본 실시예에서는, 요철의 상부에 감광성 폴리이미드막(닛산 케미컬사 제품 RN-902)을 액티브 매트릭스 구동 소자 및 배선상에 형성하고, 반사판이 액티브 매트릭스 구동 소자를 덮도록 형성하며, 또 상기 반사판은 화소 전극의 기능을 갖추고, 컨택트 홀에 의해 상기 액티브 매트릭스 구동 소자와 전기적으로 접속했다.
이 컨택트 홀 형성에 사용되는 마스크 패턴은, 각각의 화소 내부에서 다른 위치에 배치했다. 이 마스크를 사용하여 감광성 폴리이미드막에 노광, 현상하는 것으로 컨택트 홀부의 형성을 행하였다. 이로써, 폴리이미드막을 통하여 반사판과 액티브 매트릭스 구동 소자를 전기적으로 접속하기 위한 반사판 하부에 위치하는 컨택트 홀 위치가 화소마다에 불규칙하게 배치되었다. 또한, 본 실시예에서는, 한변 10㎛의 정방형 패턴을 컨택트 형상으로 하여 사용했지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제7a도에 컨택트 홀 위치가 주기적인 경우, 제7b도에 컨택트 홀 위치가 불규칙인 경우의 평면도를 도시한다. 제7(a)도에서는 홀부(49)가 표시 화소 크기로 주기적으로 배치되기 때문에, 패널 표시는 그 홀부의 평탄부가 관찰된다. 이에 대해, 본 실시예(b)는 컨택트 홀 위치(49)를, 각 화소 내부 영역에서 변화시키는 것으로 컨택트 홀부의 요부도 반사판 표면의 불규칙한 요철 구조의 일부로 되고, 홀부가 인식되지 않은 것에 의해 양호한 반사판 성능이 제공되었다.
[제11 실시예]
본 실시예에서는, 제2 실시예에서 도시한 액티브 매트릭스 구동 소자에 역 스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용하는 반사형 액정 표시 장치의 데이타선으로부터의 기입 인가 전압을 다음의 기입까지 유지하기 위한 액정과의 병렬 용량의 제작을 나타낸다. 본 실시예에서 제작한 반사형 액정 표시 장치의 축적 용량선 및 게이트 저장선을 갖출 경우 단면 구조도를 제21도에 도시한다.
본 실시예에서는, 제2 실시예의 제조 공정 (a)의 공정에 있어서, 게이트 전극(51)과 요철(21)용의 Cr 패턴을 형성함과 동시에, 축적 용량선용 혹은 게이트 저장선용의 Cr 패턴(211)을 형성하는 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지로 제작했다. 소위, 절연막(30)을 통해서 반사판(10)과 축적 용량선 또는 게이트 저장선(211) 사이에서 축적 용량(C)을 설치할 수 있다.
상기, 병렬 용량의 제작은, 제2 실시예의 제조 공정(a)의 공정에서 사용하는 마스크를 변경하는 것만으로, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스에서, 상기 축적 용량 및 게이트 저장용 패턴도 동시에 형성할 수 있다.
또한, 병렬 용량 형상에 의한 반사판 표면의 최적의 요철 구조를 흐뜨러뜨리지 않기 위해 축적 용량선 및, 게이트 저장선의 평면 형상은, 패터닝에 이용한 마스크 패턴을 불규칙 형상으로 하는 것으로, 불규칙 형상으로 했다. 다만, 각각의 화소내의 용량값이 동일하게 되도록 불규칙 형상을 결정했다.
본 실시예에 있어서도, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스에서 동시에 형성할 수 있고, 병렬 용량의 평면 형상은, 불규칙 형상으로 함으로써 반사판 기능을 열화시키지 않으면서 제조 공정수를 증가시키는 일 없이 병렬 용량을 형성할 수 있어 이로써, 실용상 밝고 보기 쉬운, 우수한 표시 성능을 갖춘 반사형 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.
(제12 실시예)
본 실시예에서는, 제2 실시예에서 도시한 액티브 매트릭스 구동 소자에 역스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용하는 반사형 액정 표시 장치의 데이타선으로부터의 기입 인가 전압을 다음의 기입까지 유지하기 위한 액정과의 병렬 용량의 제작을 나타낸다. 본 실시예에서 제작한 반사형 액정 표시 장치의 축적 용량선을 갖춘 경우의 단면 구조도를 제22도에 도시한다.
본 실시예에서는, 제2 실시예의 제조 공정 (d)의 공정에 있어서, 소스 전극(8), 드레인 전극(9)과 요철용의 Cr 패턴(21)을 형성함과 동시에 축적 용량선용의 Cr 패턴(221)을 형성하는 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지로 제작했다. 그러므로, 절연막(30)을 매개로 반사판(10)과 축적 용량선(221) 사이에서 축적 용량(C)을 설치할 수 있다.
상기, 병렬 용량의 제작은, 제2 실시예의 제조 공정 (d)의 공정으로 사용하는 마스크를 변경하는 것만으로, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 상기 축적 용량용 패턴도 동시에 형성할 수 있다.
또한, 그 병렬 용량 형상에 의한 반사판 표면의 최적의 요철 구조를 흐뜨러 뜨리지 않기 위해, 축적 용량선의 평면 형상은, 패터닝에 이용한 마스크 패턴을 불규칙 형상으로 하는 것으로, 불규칙 형상으로 했다. 다만, 각각의 화소내의 축적 용량값이 동일하게 되도록 불규칙 형상을 결정한다.
본 실시예에 있어서도, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 동시에 형성할 수 있어 병렬 용량의 평면 형상은 불규칙 형상으로 하는 것에 의해 반사판 기능을 열화시키지 않으면서 제조 공정수를 증가시키는 일 없이 병렬 용량을 형성할 수 있고, 이로써 실용상 밝고 보기 쉬운, 우수한 표시 기능을 갖춘 반사형 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.
(제13 실시예)
본 실시예에서는, 제2 실시예에서 도시한 액티브 매트릭스 구동 소자에 역 스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용하는 반사형 액정 표시 장치의 데이타선으로부터의 기입 인가 전압을 다음의 기입까지 유지하기 위한 액정과 병렬 용량의 제작을 나타낸다. 본 실시예에서 제작한 반사형 액정 표시 장치의 축적 용량선을 갖춘 경우의 단면 구조도를 제23도에 도시한다.
본 실시예에서는, 제2 실시예의 제조 공정 (d)의 공정에 있어서, 소스 전극(8), 드레인 전극(9)과 요철용의 Cr 패턴(21)을 형성함과 동시에 축적 용량선용의 Cr 패턴(231)을 형성한다. 그리고, 제조 공정 (e)의 컨택트 홀(49) 형성시에 있어서, 소스·드레인 전극과 같은 층에 형성된 축적 용량선용의 Cr 패턴(231)과 반사판(10)의 컨택트부(232)를 형성하고, 이것을 전기적으로 접속하는 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지로 제작했다. 이로써, 게이트 절연막(16)을 매개로 반사판(10)과 축적 용량선용 Cr 패턴(233) 사이에서 축적 용량(C)을 설치할 수 있다.
상기, 병렬 용량의 제작은, 제2 실시예의 제조 공정 (d)와 (e)의 공정에서 사용하는 마스크를 변경하는 것만으로, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 상기 축적 용량용 패턴도 동시에 형성할 수 있다.
또한, 병렬 용량 형상에 의한 반사판 표면의 최적의 요철 구조를 흐뜨러뜨리지 않기 위해 축적 용량선의 평면 형상은, 페터닝에 이용한 마스크 패턴을 불규칙형상으로 하는 것으로, 불규칙 형상으로 했다. 다만, 각각의 화소내의 축적 용량값이 동일하게 되도록 불규칙 형상을 결정한다.
본 실시예에 있어서도, 액티브 마트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 동시에 형성할 수 있어 그 병렬 용량의 평면 형상은, 불규칙 형상으로 하는 것에 의해 반사판 성능을 열화시키지 않으면서 제조 공정수를 증가시키는 일 없이 병렬 용량을 형성할 수 있고, 이로써 실용상 밝고 보기 쉽게, 우수한 표시 성능을 갖춘 반사형 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.
(제14 실시예)
제24도에, 본 실시예의 반사형 액정 표시 장치의 단면도를 도시한다. 이 실시예에서는, 제13 실시예에서 축적 용량선용 Cr 패턴중, 게이트 전극과 같은 창의 Cr 패턴(233)과 반사판(10)을 컨택트부(232)에서 접속하고 있다.
이로써, TFT 소자시에 형성된 게이트 절연막(16)을 매개로 반사판(10)과 축적 용량선(231)의 사이에서 축적 용량(C)을 설치할 수 있다.
상기, 병렬 용량의 제작은, 제2 실시예의 제조 공정 (d)와 (e)의 공정에서 사용하는 마스크를 변경하는 것만으로, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 상기 축적 용량용 패턴도 동시에 형성할 수 있다.
또한, 병렬 용량 형상에 의한 반사판 표면의 최적의 요철 구조를 흐뜨러뜨리지 않기 위해, 축적 용량선의 평면 형상은, 패터닝에 이용한 마스크 패턴을 불규칙 형상으로 하는 것으로, 불규칙 형상으로 했다. 다만, 각각의 화소내의 축적 용량값이 동일하게 되도록 불규칙 형상을 결정한다.
본 실시예에 있어서도, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 동시에 형성할 수 있어 병렬 용량의 평면 형상은, 불규칙 형상으로 하는 것에 의해 반사판 성능을 열화시키지 않으면서 제조 공정을 증가시키는 일 없이 병렬 용량을 형성할 수 있고, 이로써 실용상, 밝고 보기 쉬운 우수한 표시 특성을 갖춘 반사형 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.
(제15 실시예)
본 실시예에서는, 제6실시예에서 도시한 액티브 매트릭스 구동 소자에 순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용하는 반사형 액정 표시 장치의 데이타선으로부터의 기입 인가 전압을 다음의 기입까지 유지하기 위한 액정과 병렬 용량의 제작을 나타낸다. 본 실시예에서 제작한 반사형 액정 표시 장치의 축적 용량선 혹은 게이트 저장선을 갖출 경우의 단면 구조도를 제25도에 도시한다.
본 실시예에서는, 제6 실시예의 제조 공정 (c)의 공정에 있어서, 게이트 전극(15)과 요철용의 Cr 패턴(21)을 형성함과 동시에 축적 용량용 혹은 게이트 저장선용의 Cr 패턴(251)을 형성하는 것 이외는 제6 실시예와 마찬가지로 시험 제작했다. 그러므로, 절연막(30)을 통해서 반사판(10)과 축적 용량선 또는 게이트 저장선(251)의 사이에서 축적 용량(C)을 설치할 수 있다.
상기 병렬 용량의 제작은, 제2 실시예의 제조 공정 (c)의 공정에서 사용하는 마스크를 변경하는 것만으로, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 상기 축적 용량 및 게이트 저장용 패턴도 동시에 형성할 수 있다.
또한, 병렬 용량 형상에 의한 반사판 표면의 최적의 요철 구조를 흐뜨러뜨리지 않기 위해 축적 용량선 및 게이트 저장선의 평면 형상은, 패터닝에 이용한 마스크 패턴을 불규칙 형상으로 하는 것으로, 불규칙 형상으로 했다. 다만, 각각의 화소내의 용량값이 동일하게 되도록 불규칙 형상을 결정했다.
본 실시예에 있어서도, 액티브 매트릭스 구동 소자와 요철의 제조 프로세스로 동시에 형성할 수 있다. 그 축적 용량의 평면 형상은, 불규칙 형상으로 하는 것에 의해, 반사판 성능을 열화시키지 않으면서 제조 공정수를 증가시키는 일 없이 병렬 용량을 형성할 수 있고, 이로써 실용상 밝고 보기 쉬운 우수한 표시 성능을 갖춘 반사형 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.
(제16, 17, 18 실시예)
순 스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용한 경우에도, 역 스태거 구조 박막 트랜지스터를 이용한 예에서 나타낸 축적 용량선의 몇개인가의 변화가 생각된다. 제26도, 제27도, 제28도에, 제16, 17, 18 실시예의 반사형 액정 표시 장치의 단면도를 도시한다.
제16 실시예에서는 소스, 드레인 전극과 같은 층에 설치한 Cr 패턴(211)과 반사판(10)으로 축적 용량(C)을 형성하고 있다.
제17 실시예에서는, 게이트 전극과 같은 층에 형성된 Cr 패턴(231)과 반사판(10)을 컨택트부(232)에서 접속하고, 이와 소스, 드레인 전극과 같은 층에 설치한 Cr패턴(233)으로 축적 용량(C)을 형성하고 있다.
제18 실시예에서는, 소스, 드레인 전극과 같은 층에 형성된 cr 패턴(233)과 반사판(10)을 컨택트부(232)에서 접속하고, 이와 게이트 전극과 같은 층에 설치한 Cr 패턴(231)으로 축적 용량(C)을 형성하고 있다.
제11 실시예 내지 제18 실시예에서는, TFT 소자 작성시에 성막된 막과, 그 위에 형성된 절연막에 의해 요철이 형성되어 있지만, 유리 기판 또는 유리 기판상에 형성된 절연막을 에칭하는 것에 의해 요철을 형성한 경우에도 상기 병렬 용량을 제공할 수 있다.
[제19 실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제29도에 도시한다. 대략, 제1 실시예 내지 제10 실시예에 기재의 본 발명의 반사형 액정 표시 장치에서의 액티브 매트릭스 구동 소자에는, 박막 트랜지스터가 사용되고 있었지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서는, 액티브 매트릭스 구동 소자에 MIM 다이오드를 사용한 경우에 대해서 나타낸다.
본 실시예에서의 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정의 경우, 하부 기판으로서는 유리 기판을 이용했다. 유리 기판상에, Cr을 50nm 스퍼터법에 의해 성막하고, 통상의 포토레지스트법에 의해 패터닝해 리드 전극(291) 및 요철 패턴(292)을 작성했다(a). 그 후, 플라즈마 CVD 법을 이용하여 절연층으로서 SiNx막을 500nm 성막하고, 통상의 포토레지스트법에 의해 패터닝하여 MIM 소자부의 절연층부(293) 및 반사판의 요철(293)을 형성했다(b). 또한, 알루미늄을 스퍼터링법에 의해 300nm 성막하하여 반사판(10)의 형성을 행한다.
그 후, 상기 MIM 소자를 제작한 유리 기판(5)과, 투명 도전막의 ITO(295)가, 리드 전극(291)과 직교하는 방향으로 직사각형으로 형성한 대향측 기판(296)을, 각각의 막면이 대향하도록 하여 중합시켰다. 또한, MIM 소자를 형성한 유리 기판(5)과 대향측 기판(296)에는 배향 처리가 실시되고, 양쪽 기판은 플라스틱 입자 등의 공간을 통해서 패널 주변에 에폭시계의 접착제를 바르는 것에 의해 서로 마주시켰다. 그 후, GH형 액정(11)을 주입해 액정층으로 하는 것으로 액정 표시 장치를 제조했다. 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크론 반사형 패널을 적은 비용으로 실현했다. 또한, 대향측 기판측에 RGB칼라 필터를 설치하는 것으로 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
[제20 실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제30도에 도시한다. 본 실시예는, 제19 실시예에 다시 유리 기판을 에칭해 요철 높이를 높게 한 것이다.
본 실시예에서의 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정은, (c)의 공정 이외의 제19 실시예와 마찬가지이기 때문에 기재를 생략한다. (b)의 공정에서 통상의 포토레지스트법 의해 패터닝하고, 질화 실리콘막을 에칭 후 연속적으로 밑바닥의 유리기판을 1㎛ 에칭한다(c).
그 후, 상기에 기재의 제19 실시예와 마찬가지로, 대향측 기판(296)과 상기에서 제작한 MIM 소자를 형성한 유리 기판(5)을 이용하여 액정 표시 장치를 제조했다.
본 실시예에서는, 유리 기판을 에칭하는 것에 의해 요철의 높이를 MIM 소자의 막 두께에 의존하지 않고 높게 할 수 있다. 따라서, MIM 소자의 막 두께를 최적화함과 동시에 요철의 높이도 최적화할 수 있어 고성능 MIM 소자와 고성능 반사판을 실현할 수 있다. 본 실시예의 경우에 있어서도, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크로 반사형 패널을 적은 비용을 실현했다. 또한, 대향측 기판측에, RGB 칼라 필터를 설치하는 것으로, 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
[제21 실시예]
제31도에 본 실시예에서 제조한 반사형 액정 표시 장치의 MIM 소자를 형성한 유리 기판 단면도를 도시한다.
본 실시예에서는, 상기에 기재의 제20 실시예의 제30C도의 MIM 소자부의 절연층부 및 반사판의 요철을 형성한 후, 감광성 폴리이미드(RN-901 ; 311)를 도포하고, 90℃로 가소성, 노광·현상에 의해 패턴 형성하며, 250℃로 30분간의 본(本)소성을 행한다. 요철, MIM소자, 리드선 상부를 그 폴리이미드막으로 0.5∼2㎛의 막 두께로 덮는다. MIM 소자와 반사판(10)은 컨택트 홀(312)에 의해 접속된다. 상기 실시예에 비해서, PR수는 1증가하지만, 요철 경사 각도를 완만하게 할 수 있고, 반사판의 반사 성능을 최적으로 하는 것이 가능하다. 다만, 종래 MIM 다이오드를 이용한 반사형 액정 표시 장치보다도 적은 비용으로 실현할 수 있다.
그 후, 상기에 기재의 제19 실시예와 마찬가지로, 대향측 기판과 상기에서 제작한 MIM 소자를 형성한 유리 기판을 이용하여 액정 표시 장치를 제조했다. 본 실시예의 경우에 있어서도, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로, 실현했다. 또한, 대향측 기판측에 RGB칼라 필터를 설치하는 것으로 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
[제22 실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제32도에 도시한다. 본 실시예에서는, 액티브 매트릭스 구동 소자로서, MIM 다이오드를 사용하고, 그 리드 전극에 Ta를 이용했다. 이하에, 그 제조 공정을 상세하게 설명한다. 유리 기판(5)상에, 리드 전극(291)으로서 Ta를 500nm 스퍼터법에 의해 작성하고, 리드 전극(291)과 요철 패턴(292)을 동시에 형성했다(a), 그 후, 리드선(291)을, 0.1wt％의 시트론산 수용액에 담그고, 2V의 정전압을 인가하는 것으로 양극(陽極) 산화를 행하였다. 이로써, 리드 전극의 표면 부분이 양극 산화 절연 박막(321)으로 덮여진다. 또한, 이 양극 산화층 막 두께는 200nm로 했다(b). 그 후, 절연막으로서 SiO2막(322)을 600nm 증착했다. 산화 실리콘층을 에칭하는 것으로, MIM다이오드 영역의 아일랜드화(322)와 요철(323)의 형성을 동시에 행한다(c). 그 후, 알루니늄을 스퍼터링법에 의해 300nm 성막하여 반사막(10)의 형성을 행한다(d). 그 후, 상기에 기재의 제19 실시예와 마찬가지로, 대향측 기판과 상기에서 제작한 MIM 기판을 이용하여 액정 표시 장치를 제조했다. 본 실시예의 경우에 있어서도, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로 실현했다. 또한, 대향측 기판측에, RGB칼라 필터를 설치하는 것으로 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
[제23 실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 장치의 제조 공정을 제33도에 도시한다. 본 실시예에서는, 제22 실시예에서 리드 전극을 형성한 후, 연속적으로 밑바닥의 유리 기판을 1㎛ 에칭한다. 그 후, 제22실시예와 마찬가지의 방법으로, Ta을 양극 산화하고, 리드 전극의 표면 부분을 양극 산화 절연막(321)으로 덮는다. 그 후, 알루미늄을 스퍼터링법에 의해 30nm 성막하여 반사판(10)의 형성을 행한다. 그 후, 상기에 기재의 제19 실시예와 마찬가지로, 대향측 기판과 상기에서 제작한 MIM 기판을 이용하여 액정 표시 장치를 제조했다. 본 실시예의 경우에 있어서도, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로, 실현했다. 또한 대향측 기판측에 RGB 칼라 필터를 설치하는 것으로 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
[제24 실시예]
본 발명의 실시예에 이용한 반사형 액정 표시 자이의 제조 공정을 제34도에 도시한다.
본 실시예에서, 제23 실시예에서 양극 산화를 행하는 공정까지는 마찬가지로 행하고, 그 후 유기계 혹은 무기계 절연막(311)을 형성하여 컨택트 홀(31)을 형성한 후, 알루미늄을 스퍼터링법에 의해 300nm 성막하여 반사판(10)의 형성을 행한다. 유기계 혹은 무기계 절연막으로서는, 감광성 폴리이미드를 이용했다.
감광성 폴리이미드(RN-901)는 도포 후, 90℃로 가소성, 노광·현상에 의해 패턴 형성하고, 250℃로 30분간의 본소성을 행한다. 요철, MIM 소자, 리드선 상부를 폴리이미드막으로서 0.5∼2㎛의 막 두께로 덮는다.
상기 실시예에 비해서, PR수는 1 증가하지만, 요철 경가 각도를 완만하게 할 수 있고, 반사판의 반사 성능을 최적으로 하는 것이 가능하다. 다만, 종래 MIM 다이오드를 이용한 반사형 액정 표시 장치보다도 적은 비용을 실현할 수 있다.
그 후, 상기에 기재의 제19 실시예와 마찬가지로, 대향측 기판과 상기에서 제작한 MIM 소자를 형성한 유리 기판을 이용하여 액정 표시 장치를 제조했다. 본 실시예의 경우에 있어서도, 실용상 충분히 밝고, 신문지에 필적하는 백표시를 갖춘 모노크로 반사형 패널을 적은 비용으로 실현했다. 또한, 대향측 기판측에, RGB 칼라 필터를 설치하는 것으로 밝은 칼라 반사형 패널을 적은 비용으로 실현할 수 있다.
발명의 효과
본 발명에 따르면, 반사형 액정 표시 장치의 반사 성능을 결정하는 반사판 표면 요철은, 액티브 매트릭스 구동 소자 구조에 있어서, 성막된 절연막, 반도체막, 전극 금속의 단층 및 적층막을 액티브 매트릭스 구동 소자의 패턴 형성과 동시에 요철의 시작으로 되는 패턴 형성을 행하는 것으로, 적은 비용이면서 양호한 표시 성능을 갖춘 반사형 액정 표시 장치가 얻어진다.

Claims (16)

  1. 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 갖는 절연성 기판과, 투면 전극을 갖는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 패너팅하여 형성한 요철이 상기 반사판 아래에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  2. 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 갖는 절연성 기판과, 투명 전극을 갖는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자와 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막 중 적어도 하나를 패터닝하여 형성한 요철과, 이 요청살상에 성막된 절연막이 상기 반사판 아래에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  3. 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 갖는 절연성 기판과, 투명 전극을 갖는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 반사판 아래에는 상기 절연성 기판을 패터닝하여 형성된 요철과, 상기 요철상에 이 요철의 주기에 맞추어 형성된, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 패터닝하여 형성한 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  4. 액티브 매트릭스 구동 소자와 표면에 요철이 있는 반사판을 갖는 절연성 기판과, 투명 전극을 갖는 절연성 기판에 액정층을 끼워 넣은 구조로 이루어진 반사형 액정 표시 장치에 있어서, 상기 반사판 아래에는 상기 절연성 기판을 패터닝하여 형성한 요철과, 상기 요철상에 이 요철의 주기와 맞추어 형성된, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막 중 적어도 하나를 패터닝하여 형성한 요철과, 상기 요철상에 성막된 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반사판 아래에 형성된 요철의 요철 높이, 주기, 경사 각도 중 적어도 하나가 불규칙한 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 요철상에 형성된 절연막이 상기 액티브 매트릭스 구동 소자 및 배선상에도 형성되고, 상기 유기계 절연막 또는 무기계 절연막의 상부에 반사판이 상기 액티브 매트릭스 구동 소자를 피복하도록 형성되고, 또한 상기 반사판은 화소 전극의 기능을 갖고, 컨택트 홀에 의해 상기 액티브 매트릭스 구동 소자와 전기적으로 접속되어 있는 것 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 컨택트 홀의 위치는, 상기 각 화소 전극마다 상기 각 화소 전극내에서 다른 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자가 순 스태거 구조의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  9. 절연성 기판상에 액티브 매트릭스 구동 소자를 형성하는 동시에, 이 액티브 매트릭스 구동 소자의 제조 공정에서 성막된 금속막, 절연막, 반도체막중 적어도 하나를 패터닝하여, 반사판을 형성해야 하는 위치에 미리 요철을 형성하는 공정과, 상기 요철 위에 반사판을 형성하는 공정과, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자와 반사판을 형성한 절연성 기판과, 투명 전극을 갖는 절연성 기판을 맞대어, 액정을 주입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제2항에 있어서, 상기 반사판 아래에 형성된 요철의 요철 높이, 주기, 경사 각도 중 적어도 하나가 불규칙한 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 반파산 아래에 형성된 요철 높이, 주기, 경사 각도 중 적어도 하나가 불규칙한 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  12. 제4항에 있어서, 상기 반사판 애래에 형성된 요철의 높이, 주기, 경사 각도 중 적어도 하나가 불규칙한 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  13. 제4항에 있어서, 상기 요철상에 형성된 절연막이 상기 액티브 매트릭스 구동 소자 및 배선상에도 형성되고, 상기 유기계 절연막 또는 무기계 절연막의 상부에 반사판이 상기 액티브 매트릭스 구동 소자를 피복하도록 형성되고, 또한 상기 반사판은 화소 전극의 기능을 갖고, 컨택트 홀에 의해 상기 액티브 매트릭스 구동 소자와 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  14. 제2항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자가 순 스태거 구조의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  15. 제3항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자가 순 스태거 구조의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
  16. 제4항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 구동 소자가 순 스태거 구조의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100461287B1 (ko) * 2001-04-25 2004-12-13 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치
KR100752214B1 (ko) 2003-10-16 2007-08-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정표시소자의 제조방법
KR100768271B1 (ko) * 2001-03-22 2007-10-17 삼성전자주식회사 모아레 현상을 제거하기 위한 반사형 액정표시어셈블리에서의 조명방법, 이를 적용한 반사형 액정표시어셈블리, 이들에 적용된 광 공급 유닛, 이에 적용된 광분포 변경 유닛의 제조방법

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6181397B1 (en) * 1997-04-01 2001-01-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Reflection-type liquid crystal display panel and method of fabricating the same
US6281952B1 (en) * 1997-12-26 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JP3019831B2 (ja) * 1998-03-11 2000-03-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
KR100631308B1 (ko) * 1998-11-06 2007-03-02 삼성전자주식회사 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100582600B1 (ko) * 1999-03-12 2006-05-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시소자
KR100612993B1 (ko) * 1999-12-27 2006-08-14 삼성전자주식회사 광시야각 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판
KR100687491B1 (ko) * 1999-12-28 2007-02-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정 표시장치의 어레이 기판 제조방법
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6646692B2 (en) 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
US6563559B2 (en) * 2000-02-02 2003-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel
WO2001061403A1 (fr) * 2000-02-16 2001-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Corps moule, panneau reflechissant, afficheur reflectif et procede pour produire un panneau reflechissant
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP4118484B2 (ja) * 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) * 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
US6747289B2 (en) * 2000-04-27 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP5057613B2 (ja) * 2000-04-27 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7633471B2 (en) 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
TWI286338B (en) 2000-05-12 2007-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
US6613620B2 (en) 2000-07-31 2003-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2002162646A (ja) * 2000-09-14 2002-06-07 Sony Corp 反射型液晶表示装置
US6509616B2 (en) 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP4632522B2 (ja) * 2000-11-30 2011-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
TW525216B (en) 2000-12-11 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP2002182243A (ja) * 2000-12-15 2002-06-26 Nec Corp 液晶表示装置用トランジスタ基板及びその製造方法
SG111923A1 (en) * 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3941481B2 (ja) * 2000-12-22 2007-07-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
US7480019B2 (en) * 2001-01-25 2009-01-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a substrate for an lcd device
TW548689B (en) * 2001-01-25 2003-08-21 Fujitsu Display Tech Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4790937B2 (ja) * 2001-07-09 2011-10-12 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 反射電極を形成する方法及び液晶表示装置
JP3644442B2 (ja) * 2001-08-07 2005-04-27 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法並びに電子機器
JP5181317B2 (ja) * 2001-08-31 2013-04-10 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
KR100806166B1 (ko) * 2001-10-08 2008-02-22 삼성전자주식회사 반사율 향상을 위한 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100857498B1 (ko) * 2002-04-30 2008-09-08 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
JP2003330388A (ja) * 2002-05-15 2003-11-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2004061775A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Alps Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
JP4371104B2 (ja) * 2002-09-30 2009-11-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4489346B2 (ja) * 2002-12-17 2010-06-23 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3730958B2 (ja) * 2002-12-25 2006-01-05 鹿児島日本電気株式会社 積層膜のパターン形成方法及び積層配線電極
KR100934710B1 (ko) * 2002-12-30 2009-12-29 엘지디스플레이 주식회사 반사형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR20040062074A (ko) * 2002-12-31 2004-07-07 엘지전자 주식회사 광기록재생기용 스윙 암 조립체의 에프피시비 고정구조
KR100531410B1 (ko) * 2003-04-15 2005-11-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법
JP2005173037A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
TWI300501B (en) * 2004-04-27 2008-09-01 Toppoly Optoelectronics Corp Reflective light valve structure
JP4499481B2 (ja) 2004-06-03 2010-07-07 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4578958B2 (ja) 2004-12-16 2010-11-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4926063B2 (ja) * 2005-08-03 2012-05-09 シャープ株式会社 液晶表示装置およびそれを備えた電子機器
JP4919644B2 (ja) * 2005-10-04 2012-04-18 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP4845531B2 (ja) * 2006-02-28 2011-12-28 三菱電機株式会社 画像表示装置
US7978298B2 (en) 2006-03-23 2011-07-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN101432656B (zh) * 2006-05-01 2011-07-13 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
CN101432655B (zh) * 2006-05-01 2013-08-21 夏普株式会社 液晶显示器和液晶显示器的制造方法
CN101484839B (zh) * 2006-06-30 2012-07-04 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
JP4927851B2 (ja) 2006-09-12 2012-05-09 シャープ株式会社 マイクロレンズアレイ付き液晶表示パネル、その製造方法、および液晶表示装置
EP2085814A4 (en) * 2006-10-18 2010-05-19 Sharp Kk Liquid crystal display arrangement and method for producing a liquid crystal display
CN101529318B (zh) * 2006-10-18 2011-10-12 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
EP2124093A4 (en) 2006-12-14 2010-06-30 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
US8289461B2 (en) 2007-01-24 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN101600987B (zh) * 2007-01-31 2011-09-21 夏普株式会社 液晶显示装置
TWI326129B (en) * 2007-03-21 2010-06-11 Au Optronics Corp Pixel structure and manufacturing method thereof
US8659726B2 (en) 2007-04-13 2014-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display
US8384860B2 (en) 2007-06-26 2013-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device
JP4668247B2 (ja) * 2007-07-26 2011-04-13 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造方法
CN101807550B (zh) * 2009-02-18 2013-05-22 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
BRPI1009425A2 (pt) * 2009-05-18 2016-03-01 Sharp Kk substrato de matriz ativa e dispositivo de display de cristal líquido que utiliza o mesmo
KR101300035B1 (ko) 2010-05-05 2013-08-29 엘지디스플레이 주식회사 반사형 및 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2011118422A (ja) * 2011-03-01 2011-06-16 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
KR20150022560A (ko) * 2013-08-23 2015-03-04 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법
JP2014041372A (ja) * 2013-10-02 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN107065328A (zh) * 2017-05-23 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板、显示装置及像素结构制作方法
CN115298600B (zh) * 2020-12-25 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH589306A5 (ko) * 1975-06-27 1977-06-30 Bbc Brown Boveri & Cie
JPS5781288A (en) * 1980-11-07 1982-05-21 Suwa Seikosha Kk Liquid crystal display device
JPS5893031A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Hitachi Ltd 液晶表示装置
EP0234429B1 (en) * 1986-02-17 1995-05-24 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device with a charge strage structure
EP0529672B1 (en) * 1991-08-30 1997-11-05 Ag Technology Co. Ltd. Liquid crystal display element and liquid crystal display apparatus using the same
JP2825713B2 (ja) * 1991-09-10 1998-11-18 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
EP0536898B1 (en) * 1991-09-10 1997-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JPH05173158A (ja) 1991-12-26 1993-07-13 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP3066192B2 (ja) 1992-07-10 2000-07-17 シャープ株式会社 反射型アクティブマトリクス基板の製造方法
JP2756206B2 (ja) * 1992-02-19 1998-05-25 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP2672055B2 (ja) * 1992-05-08 1997-11-05 信幸 山村 液晶表示素子とその製造方法及びこれを使用する表示装置
JPH0675237A (ja) * 1992-08-28 1994-03-18 Sharp Corp 反射型液晶表示装置
KR940015565A (ko) * 1992-12-28 1994-07-21 김광호 액정표시소자
JP2812851B2 (ja) * 1993-03-24 1998-10-22 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
US5691791A (en) * 1993-07-30 1997-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective liquid crystal display device and reflector
JPH0784252A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Sharp Corp 液晶表示装置
US5379136A (en) * 1993-10-04 1995-01-03 Hu; Shouxiang Electron beam addressed electro-optical light valve having input openings
MY114271A (en) * 1994-05-12 2002-09-30 Casio Computer Co Ltd Reflection type color liquid crystal display device
DE19521254A1 (de) * 1994-06-24 1996-01-04 Minnesota Mining & Mfg Anzeigesystem mit Helligkeitsverstärkungsfilm

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100768271B1 (ko) * 2001-03-22 2007-10-17 삼성전자주식회사 모아레 현상을 제거하기 위한 반사형 액정표시어셈블리에서의 조명방법, 이를 적용한 반사형 액정표시어셈블리, 이들에 적용된 광 공급 유닛, 이에 적용된 광분포 변경 유닛의 제조방법
KR100461287B1 (ko) * 2001-04-25 2004-12-13 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치
KR100752214B1 (ko) 2003-10-16 2007-08-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정표시소자의 제조방법

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Publication number Publication date
JPH0954318A (ja) 1997-02-25
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KR970011974A (ko) 1997-03-29
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