JP2023514820A - 電子デバイス - Google Patents
電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023514820A JP2023514820A JP2022548112A JP2022548112A JP2023514820A JP 2023514820 A JP2023514820 A JP 2023514820A JP 2022548112 A JP2022548112 A JP 2022548112A JP 2022548112 A JP2022548112 A JP 2022548112A JP 2023514820 A JP2023514820 A JP 2023514820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic device
- polymer
- acid
- polymer composition
- aromatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 110
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 74
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 13
- 239000002557 mineral fiber Substances 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 12
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 claims description 12
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 claims description 12
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 12
- KAUQJMHLAFIZDU-UHFFFAOYSA-N 6-Hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 KAUQJMHLAFIZDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 claims description 7
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 6
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 claims description 5
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 claims description 4
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 4
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000454 talc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960005489 paracetamol Drugs 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 claims 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims 1
- -1 aromatic dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 65
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- LKWSTQPRPRGLDP-UHFFFAOYSA-N 4-(azacycloundecane-1-carbonyl)benzamide Chemical compound C1=CC(C(=O)N)=CC=C1C(=O)N1CCCCCCCCCC1 LKWSTQPRPRGLDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 7
- 229920006119 nylon 10T Polymers 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 6
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 6
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 6
- 229910052610 inosilicate Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 5
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 5
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 5
- WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenoxy)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NPKDHUPJIUWYFG-UHFFFAOYSA-N 4-(azecane-1-carbonyl)benzamide Chemical compound C1=CC(C(=O)N)=CC=C1C(=O)N1CCCCCCCCC1 NPKDHUPJIUWYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- VDBXLXRWMYNMHL-UHFFFAOYSA-N decanediamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCC(N)=O VDBXLXRWMYNMHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 4
- PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OCBDCKOLSAYNMN-UHFFFAOYSA-N 4-(azacyclotridecane-1-carbonyl)benzamide Chemical compound C1=CC(C(=O)N)=CC=C1C(=O)N1CCCCCCCCCCCC1 OCBDCKOLSAYNMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- 101001090688 Homo sapiens Lymphocyte cytosolic protein 2 Proteins 0.000 description 3
- 101000596046 Homo sapiens Plastin-2 Proteins 0.000 description 3
- 101000762938 Homo sapiens TOX high mobility group box family member 4 Proteins 0.000 description 3
- 102100034709 Lymphocyte cytosolic protein 2 Human genes 0.000 description 3
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100026749 TOX high mobility group box family member 4 Human genes 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052627 muscovite Inorganic materials 0.000 description 3
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920006115 poly(dodecamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAGWMWLBYJPFDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyloctane-1,8-diamine Chemical compound NCC(C)CCCCCCN GAGWMWLBYJPFDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMDCZENCAXMSOU-UHFFFAOYSA-N N-ethylacetamide Chemical compound CCNC(C)=O PMDCZENCAXMSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N acetone oxime Chemical compound CC(C)=NO PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002344 aminooxy group Chemical group [H]N([H])O[*] 0.000 description 2
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000008430 aromatic amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 208000029618 autoimmune pulmonary alveolar proteinosis Diseases 0.000 description 2
- 229910052626 biotite Inorganic materials 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L calcium stearate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000008116 calcium stearate Substances 0.000 description 2
- 235000013539 calcium stearate Nutrition 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- PFURGBBHAOXLIO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diol Chemical compound OC1CCCCC1O PFURGBBHAOXLIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N diisononyl phthalate Chemical group CC(C)CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCC(C)C HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGANSGVIUGARFR-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxosilane oxo(oxoalumanyloxy)alumane oxygen(2-) Chemical compound [O--].[K+].[K+].O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O YGANSGVIUGARFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052631 glauconite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011490 mineral wool Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- RKISUIUJZGSLEV-UHFFFAOYSA-N n-[2-(octadecanoylamino)ethyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC RKISUIUJZGSLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPUMVKJOWWJPRK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC(C(O)=O)=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 WPUMVKJOWWJPRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N nonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCN SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N octacosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229910052625 palygorskite Inorganic materials 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910052628 phlogopite Inorganic materials 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052615 phyllosilicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- YPFCYPZKFQPCOC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,5-tetrabromobenzene Chemical compound BrC1=CC(Br)=C(Br)C(Br)=C1 YPFCYPZKFQPCOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSXFNGRHPAHIQJ-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triiodobenzene Chemical compound IC1=CC=C(I)C(I)=C1 KSXFNGRHPAHIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URFNSYWAGGETFK-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(4-hydroxyphenyl)ethane Natural products C1=CC(O)=CC=C1CCC1=CC=C(O)C=C1 URFNSYWAGGETFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMNISWKTOHUZQN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trichloro-2,4,6-trimethylbenzene Chemical compound CC1=C(Cl)C(C)=C(Cl)C(C)=C1Cl VMNISWKTOHUZQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1 ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZHFFMWJXJBBRG-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3,5-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC(Br)=C1 DZHFFMWJXJBBRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006023 1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000530 1-propynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- CELROVGXVNNJCW-UHFFFAOYSA-N 11-aminoundecanamide Chemical compound NCCCCCCCCCCC(N)=O CELROVGXVNNJCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNNMLPUQKZGXOJ-UHFFFAOYSA-N 12-aminododecanamide Chemical compound NCCCCCCCCCCCC(N)=O SNNMLPUQKZGXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QORAVNMWUNPXAO-UHFFFAOYSA-N 2,2',4,4'-tetrachlorobiphenyl Chemical group ClC1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=C(Cl)C=C1Cl QORAVNMWUNPXAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQXGHZNSUOHCLO-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4-tetramethyl-1,3-cyclobutanediol Chemical compound CC1(C)C(O)C(C)(C)C1O FQXGHZNSUOHCLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCUZDQXWVYNXHD-UHFFFAOYSA-N 2,2,4-trimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCCC(C)CC(C)(C)CN JCUZDQXWVYNXHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPQHRXRAZHNGRU-UHFFFAOYSA-N 2,4,4-trimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCC(C)CC(C)(C)CCN DPQHRXRAZHNGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSQSUDDRZLCKSW-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCC(C)CC(C)CCN KSQSUDDRZLCKSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMOATLADBGHBMF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,5-diiodophenyl)-1,4-diiodobenzene Chemical group IC1=CC=C(I)C(C=2C(=CC=C(I)C=2)I)=C1 PMOATLADBGHBMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUZAHKTXOIYZNE-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O RUZAHKTXOIYZNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVMAGJJPTALGQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(carboxymethoxy)phenoxy]acetic acid Chemical compound OC(=O)COC1=CC=CC(OCC(O)=O)=C1 ZVMAGJJPTALGQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTPYFJNYAMXZJG-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(2-hydroxyethoxy)phenoxy]ethanol Chemical compound OCCOC1=CC=C(OCCO)C=C1 WTPYFJNYAMXZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNXOCFKTVLHUMU-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(carboxymethoxy)phenoxy]acetic acid Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(OCC(O)=O)C=C1 DNXOCFKTVLHUMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQATMDDPXJLCH-UHFFFAOYSA-N 2-[cyclohexyl-(2-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(C=1C(=CC=CC=1)O)C1CCCCC1 SOQATMDDPXJLCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZUHIOJYCPIVLQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-1,5-diamine Chemical compound NCC(C)CCCN JZUHIOJYCPIVLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- ZFCNECLRCWFTLI-UHFFFAOYSA-N 3-(3-carboxyphenoxy)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(OC=2C=C(C=CC=2)C(O)=O)=C1 ZFCNECLRCWFTLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZQSBJKDSWXLKX-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical group OC1=CC=CC(C=2C=C(O)C=CC=2)=C1 VZQSBJKDSWXLKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWBGEYQWIHXDKY-UHFFFAOYSA-N 3-(4-hydroxyphenyl)phenol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC(O)=C1 BWBGEYQWIHXDKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XINVQTBVVRMNHZ-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(3-carboxyphenyl)ethyl]benzoic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=CC=1C(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 XINVQTBVVRMNHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018563 3-aminophenol Drugs 0.000 description 1
- WTKWFNIIIXNTDO-UHFFFAOYSA-N 3-isocyanato-5-methyl-2-(trifluoromethyl)furan Chemical compound CC1=CC(N=C=O)=C(C(F)(F)F)O1 WTKWFNIIIXNTDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJSUFIIJYXMJQO-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-1,5-diamine Chemical compound NCCC(C)CCN FJSUFIIJYXMJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAPPPVRLPGFEQ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-dichlorodiphenyl sulfone Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 GPAPPPVRLPGFEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEQFBGHQPUXOFH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenyl)benzoic acid Chemical group C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 NEQFBGHQPUXOFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTGCXYYDAVPSFD-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 JTGCXYYDAVPSFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTDMBRAUHKUOON-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-carboxyphenyl)methyl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 VTDMBRAUHKUOON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLZBOWFKDWDPKA-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-carboxyphenyl)ethyl]benzoic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 OLZBOWFKDWDPKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCUNREWMFYCWAQ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-carboxyphenyl)ethyl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1CCC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HCUNREWMFYCWAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006283 4-chlorobenzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1Cl)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006043 5-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- MBRGOFWKNLPACT-UHFFFAOYSA-N 5-methylnonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCC(C)CCCCN MBRGOFWKNLPACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxynaphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound OC1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOCLMFGITXPIEJ-UHFFFAOYSA-N C(=O)(O)C1=CC=C(C=C1)C(C(C)C1=CC=C(C=C1)C(=O)O)C Chemical compound C(=O)(O)C1=CC=C(C=C1)C(C(C)C1=CC=C(C=C1)C(=O)O)C XOCLMFGITXPIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002477 CuCr2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016516 CuFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003430 FeCr2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004609 Impact Modifier Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020105 MgCr2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017163 MnFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003264 NiFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N Nicotinamide Chemical group NC(=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001283 Polyalkylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004482 WACKER® Polymers 0.000 description 1
- 239000004164 Wax ester Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDODWINGEHBYRT-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCCCC1CO XDODWINGEHBYRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUSFFPXRDZKBMF-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCCC(CO)C1 LUSFFPXRDZKBMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCKWAZCWKSMKNC-UHFFFAOYSA-N [3-octadecanoyloxy-2,2-bis(octadecanoyloxymethyl)propyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)(COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC OCKWAZCWKSMKNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXXKJGXDEZDJOM-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Mg].[Ca] Chemical compound [Fe].[Mg].[Ca] LXXKJGXDEZDJOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Si] Chemical compound [Mg].[Si] MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 229910052891 actinolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 description 1
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPTYUNKZVDYXLP-UHFFFAOYSA-N aluminum;trihydroxy(trihydroxysilyloxy)silane;hydrate Chemical compound O.[Al].[Al].O[Si](O)(O)O[Si](O)(O)O HPTYUNKZVDYXLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052925 anhydrite Inorganic materials 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052885 anthophyllite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006309 butyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N calcium magnesium Chemical compound [Mg].[Ca] ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N cis-4-Hydroxy-L-proline Chemical compound O[C@@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N copper;oxido(oxo)iron Chemical compound [Cu+2].[O-][Fe]=O.[O-][Fe]=O DXKGMXNZSJMWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCC(C(O)=O)C1 XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- GWZCCUDJHOGOSO-UHFFFAOYSA-N diphenic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C(O)=O GWZCCUDJHOGOSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N diphenyl carbonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(=O)OC1=CC=CC=C1 ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCCN QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTZSDHHWPWGCDI-UHFFFAOYSA-N dodecanediamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCC(N)=O FTZSDHHWPWGCDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001676 gahnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002314 glycerols Chemical class 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052621 halloysite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001691 hercynite Inorganic materials 0.000 description 1
- CKAPSXZOOQJIBF-UHFFFAOYSA-N hexachlorobenzene Chemical compound ClC1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1Cl CKAPSXZOOQJIBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052900 illite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- MHKWSJBPFXBFMX-UHFFFAOYSA-N iron magnesium Chemical compound [Mg].[Fe] MHKWSJBPFXBFMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052629 lepidolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 1
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIDDXQYHWJXFK-UHFFFAOYSA-N n-Dodecanedioic acid Natural products OC(=O)CCCCCCCCCCC(O)=O TVIDDXQYHWJXFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical group CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-ylidenehydroxylamine Chemical compound CCC(C)=NO WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ABMFBCRYHDZLRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=C(C(O)=O)C2=C1 ABMFBCRYHDZLRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAWFFNJAPKXVPH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 VAWFFNJAPKXVPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-diol Chemical compound OC1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC2=CC(O)=CC=C21 DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- VGIBGUSAECPPNB-UHFFFAOYSA-L nonaaluminum;magnesium;tripotassium;1,3-dioxido-2,4,5-trioxa-1,3-disilabicyclo[1.1.1]pentane;iron(2+);oxygen(2-);fluoride;hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[F-].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[K+].[K+].[K+].[Fe+2].O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2.O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O2 VGIBGUSAECPPNB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FULFYAFFAGNFJM-UHFFFAOYSA-N oxocopper;oxo(oxochromiooxy)chromium Chemical compound [Cu]=O.O=[Cr]O[Cr]=O FULFYAFFAGNFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 235000019809 paraffin wax Nutrition 0.000 description 1
- 235000019271 petrolatum Nutrition 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003140 primary amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052903 pyrophyllite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 150000003334 secondary amides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006012 semi-aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052604 silicate mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- BPILDHPJSYVNAF-UHFFFAOYSA-M sodium;diiodomethanesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C(I)I BPILDHPJSYVNAF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052606 sorosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052645 tectosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- HQHCYKULIHKCEB-UHFFFAOYSA-N tetradecanedioic acid Natural products OC(=O)CCCCCCCCCCCCC(O)=O HQHCYKULIHKCEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052889 tremolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005389 trialkylsiloxy group Chemical group 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N undecane-1,11-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCN KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 description 1
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 description 1
- 235000019386 wax ester Nutrition 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/02—Fibres or whiskers
- C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/02—Fibres or whiskers
- C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
- C08K7/06—Elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0014—Shaping of the substrate, e.g. by moulding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/101—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by casting or moulding of conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0083—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/019—Specific properties of additives the composition being defined by the absence of a certain additive
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
- C08K3/041—Carbon nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
- C08K3/042—Graphene or derivatives, e.g. graphene oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0141—Liquid crystal polymer [LCP]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09118—Moulded substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
- H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
電子デバイスが提供される。デバイスは、個片化されたキャリア部分、個片化されたキャリア部分上に成型された基板、および基板上に配置された導電トレースを含む。基板は、芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含むポリマー組成物を含み、ポリマー組成物は、ASTM D257-14に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オームの表面抵抗率を示す。【選択図】図1
Description
関連出題の相互参照
[0001]本出願は、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる、2020年2月26日の出願日を有する米国仮特許出願第62/981,667号、および2020年7月28日の出願日を有する米国仮特許出願第63/057,345号の出願利益を主張する。
[0001]本出願は、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる、2020年2月26日の出願日を有する米国仮特許出願第62/981,667号、および2020年7月28日の出願日を有する米国仮特許出願第63/057,345号の出願利益を主張する。
[0002]成形回路部品(MID)は、通常プラスチック構成部品および電子回路トレースを含む三次元電気機械部品である。プラスチック基板またはハウジングを作成し、電気回路およびデバイスをプラスチック基板にメッキする、積層する、または埋め込む。MIDは通常、従来的に生成されるデバイスに比べて部品が少ないため、省スペースおよび軽量化がもたらされる。現行のMIDの製造方法には、2ショット成型およびレーザー直接構造化が含まれる。レーザー直接構造化は、例えば射出成型、プラスチック材料のレーザー活性化、およびその後の金属化ステップを含む。レーザーで部品上に配線パターンをエッチングし、金属化のために準備する。そのようなデバイスの利益にもかかわらず、より狭いスペースで使用でき、より高速で動作できると同時に、電力の使用が少なく、製造が比較的安価である電子部品パッケージに対する必要性が依然として存在する。これらの問題の解決を促すために開発された1つの技術は、「特定用途向け電子機器パッケージング(Application Specific Electronics Packaging)(「ASEP」)」として公知である。このようなパッケージングシステムは、個片化されたキャリア部分上に成型されるメッキされたプラスチック基板の使用に依存することにより、リールツーリール(連続フロー)製造プロセスを使用した製品の製造を可能にする。残念なことに、これらのシステムの限界の1つは、プラスチック基板に使用されるポリマー材料に導電回路トレースが容易にメッキされず、また材料が、典型的に所望される程度の耐熱性および機械強度を有さないことである。
[0003]したがって、導電回路トレースを有するプラスチック基板から形成される、改善されたパッケージ型電子デバイスに対する必要性が現在存在する。
[0004]本発明の一実施形態によると、個片化されたキャリア部分、個片化されたキャリア部分上に成型された基板、および基板上に配置された導電トレースを含む電子デバイスが開示される。基板は、芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含むポリマー組成物を含み、ポリマー組成物は、ASTM D257-14に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オームの表面抵抗率を示す。
[0005]本発明の他の特色および態様が、以下により詳細に記載される。
[0006]本発明の完全かつ実施可能な開示が、当業者に対するその最良の形態を含め、添付の図面への参照を含む本明細書の残り部分でより詳細に記載される。
[0006]本発明の完全かつ実施可能な開示が、当業者に対するその最良の形態を含め、添付の図面への参照を含む本明細書の残り部分でより詳細に記載される。
[0015]本考察は、例示的な実施形態の説明にすぎず、本発明のより広範な態様を制限するものではないことが当業者によって理解される。
[0016]一般に、本発明は、プリント回路板、フレックス回路、コネクタ、熱管理機能、EMIシールド、大電流導体、RFID装置、アンテナ、無線電力デバイス、センサ、MEMS装置、LEDデバイス、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、ASIC、受動デバイス、インピーダンス制御デバイス、電気機械装置、またはこれらの組合せなどの電子デバイスに関する。電子デバイスは、個片化されたキャリア部分上に成型され、その上に配置された導電トレースを有する基板を含有する。特に、基板は、得られる表面抵抗率が特定の範囲内、例えばASTM D257-14(技術的にIEC62631-3-1と同等である)に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オーム、一部の実施形態では約1×1013オーム~約1×1018オーム、一部の実施形態では約1×1014~約1×1017オーム、一部の実施形態では約1×1015オーム~約1×1017オームであるような量の芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含有する。同様に、組成物はまた、例えばASTM D257-14(技術的にIEC62631-3-1と同等である)に従って決定される約1×1010オーム・m~約1×1016オーム・m、一部の実施形態では約1×1011オーム・m~約1×1016オーム・m、一部の実施形態では約1×1012オーム・m~約1×1015オーム・m、一部の実施形態では約1×1013オーム・m~約1×1015オーム・mの体積抵抗率を示してもよい。このようにして、基板は、実質的な量の電流が部品を通って流れないように、一般に本質的に帯電防止性であってもよい。一般に帯電防止性でありながら、得られる基板は、それにもかかわらずある程度の静電気散逸を許容し、その上の導電トレースのメッキおよび堆積を容易にすることができる。
[0016]一般に、本発明は、プリント回路板、フレックス回路、コネクタ、熱管理機能、EMIシールド、大電流導体、RFID装置、アンテナ、無線電力デバイス、センサ、MEMS装置、LEDデバイス、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、ASIC、受動デバイス、インピーダンス制御デバイス、電気機械装置、またはこれらの組合せなどの電子デバイスに関する。電子デバイスは、個片化されたキャリア部分上に成型され、その上に配置された導電トレースを有する基板を含有する。特に、基板は、得られる表面抵抗率が特定の範囲内、例えばASTM D257-14(技術的にIEC62631-3-1と同等である)に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オーム、一部の実施形態では約1×1013オーム~約1×1018オーム、一部の実施形態では約1×1014~約1×1017オーム、一部の実施形態では約1×1015オーム~約1×1017オームであるような量の芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含有する。同様に、組成物はまた、例えばASTM D257-14(技術的にIEC62631-3-1と同等である)に従って決定される約1×1010オーム・m~約1×1016オーム・m、一部の実施形態では約1×1011オーム・m~約1×1016オーム・m、一部の実施形態では約1×1012オーム・m~約1×1015オーム・m、一部の実施形態では約1×1013オーム・m~約1×1015オーム・mの体積抵抗率を示してもよい。このようにして、基板は、実質的な量の電流が部品を通って流れないように、一般に本質的に帯電防止性であってもよい。一般に帯電防止性でありながら、得られる基板は、それにもかかわらずある程度の静電気散逸を許容し、その上の導電トレースのメッキおよび堆積を容易にすることができる。
[0017]従来的に、そのような抵抗率の値を有する組成物は、良好な機械的特性を同時に有さないと考えられていた。しかし、従来の思想とは対照的に、本発明の組成物は、優れた強度特性を有することが見出された。例えば、組成物は、23℃でISO試験No.179-1:2010に従って測定して約2kJ/m2、一部の実施形態では約4~約40kJ/m2、一部の実施形態では約6~約30kJ/m2のノッチなしおよび/またはノッチ付きシャルピー衝撃強度を示してもよい。組成物はまた、約20~約500MPa、一部の実施形態では約50~約400MPa、一部の実施形態では約60~約350MPaの引張強度;約0.5%以上、一部の実施形態では約0.8%~約15%、一部の実施形態では約1%~約10%の引張破断歪み;および/または約5,000MPa~約30,000MPa、一部の実施形態では約7,000MPa~約25,000MPa、一部の実施形態では約10,000MPa~約20,000MPaの引張弾性率を示してもよい。引張特性は、23℃でISO試験No.527:2019に従って決定されてもよい。組成物はまた、約40~約500MPa、一部の実施形態では約50~約400MPa、一部の実施形態では約100~約350MPaの曲げ強度;約0.5%以上、一部の実施形態では約0.8%~約15%、一部の実施形態では約1%~約10%の曲げ破断歪み;および/または約7,000MPa以上、一部の実施形態では約9,000MPa以上、一部の実施形態では約10,000MPa~約30,000MPa、一部の実施形態では約12,000MPa~約25,000MPaの曲げ弾性率を示してもよい。曲げ特性は、23℃でISO試験No.178:2019に従って決定されてもよい。組成物はまた、1.8MPaの特定の荷重でASTM D648-07(技術的にISO試験No.75-2:2013と同等である)に従って測定して約180℃以上、一部の実施形態では約190℃~約280℃の荷重たわみ温度(DTUL)を示してもよい。
[0018]ポリマー組成物はまた、2GHzの周波数でスプリットポスト共振法によって決定される約4以上、一部の実施形態では約5以上、一部の実施形態では約6以上、一部の実施形態では約8~約30、一部の実施形態では約10~約25、一部の実施形態では約12~約24の高い比誘電率を示してもよい。そのような高い比誘電率は、薄い基板を形成する能力を促進し、さらにほんの最小レベルの電気的干渉と同時に動作する複数の導電素子(例えば、アンテナ)の利用を可能にすることができる。また、エネルギー損失率の測定値である誘電正接(dissipation factor)は比較的低くてもよく、例えば2GHzの周波数でスプリットポスト共振法によって決定される約0.3以下、一部の実施形態では約0.2以下、一部の実施形態では約0.1以下、一部の実施形態では約0.06以下、一部の実施形態では約0.04以下、一部の実施形態では約0.001~約0.03であってもよい。本発明者らはまた、比誘電率および誘電正接は、約-30℃~約100℃の温度などの種々の温度に曝露された場合でも、上述の範囲内に維持され得ることを発見した。例えば、本明細書に記載される熱サイクル試験に供された場合、熱サイクリング後の比誘電率の初期比誘電率に対する比は、約0.8以上、一部の実施形態では約0.9以上、一部の実施形態では約0.95~約1.1であってもよい。同様に、高温への曝露後の誘電正接の初期誘電正接に対する比は、約1.3以下、一部の実施形態では約1.2以下、一部の実施形態では約1.1以下、一部の実施形態では約1.0以下、一部の実施形態では0.95以下、一部の実施形態では約0.1~約0.95、一部の実施形態では約0.2~約0.9であってもよい。誘電正接の変化(すなわち、初期誘電正接-熱サイクリング後の誘電正接)も、約-0.1~約0.1、一部の実施形態では約-0.05~約0.01、一部の実施形態では約-0.001~0の範囲であり得る。
[0019]ここで、本発明の種々の実施形態をより詳細に記載する。
I.ポリマー組成物
A.ポリマーマトリックス
[0020]ポリマーマトリックスは、一般にポリマー組成物の約30wt.%~約80wt.%、一部の実施形態では約40wt.%~約75wt.%、一部の実施形態では約50wt.%~約70wt.%の量の1種または複数の芳香族ポリマーを典型的に含有する。芳香族ポリマーは、ポリマーの特定の性質に応じて比較的高いガラス転移温度および/または高い溶融温度を有するという点で「高性能」ポリマーとみなされてもよい。したがって、そのような高性能ポリマーは、得られるポリマー組成物に実質的な程度の耐熱性を付与することができる。例えば、芳香族ポリマーは、約100℃以上、一部の実施形態では約120℃以上、一部の実施形態では約140℃~約350℃、一部の実施形態では約150℃~約320℃のガラス転移温度を有してもよい。芳香族ポリマーはまた、約200℃以上、一部の実施形態では約220℃~約350℃、一部の実施形態では約240℃~約300℃の溶融温度を有してもよい。ガラス転移温度および溶融温度は、示差走査熱量測定(「DSC」)を使用して当技術分野で周知のように決定されてもよく、例えばISO試験No.11357-2:2020(ガラス転移)および11357-3:2018(溶融)によって決定されてもよい。
I.ポリマー組成物
A.ポリマーマトリックス
[0020]ポリマーマトリックスは、一般にポリマー組成物の約30wt.%~約80wt.%、一部の実施形態では約40wt.%~約75wt.%、一部の実施形態では約50wt.%~約70wt.%の量の1種または複数の芳香族ポリマーを典型的に含有する。芳香族ポリマーは、ポリマーの特定の性質に応じて比較的高いガラス転移温度および/または高い溶融温度を有するという点で「高性能」ポリマーとみなされてもよい。したがって、そのような高性能ポリマーは、得られるポリマー組成物に実質的な程度の耐熱性を付与することができる。例えば、芳香族ポリマーは、約100℃以上、一部の実施形態では約120℃以上、一部の実施形態では約140℃~約350℃、一部の実施形態では約150℃~約320℃のガラス転移温度を有してもよい。芳香族ポリマーはまた、約200℃以上、一部の実施形態では約220℃~約350℃、一部の実施形態では約240℃~約300℃の溶融温度を有してもよい。ガラス転移温度および溶融温度は、示差走査熱量測定(「DSC」)を使用して当技術分野で周知のように決定されてもよく、例えばISO試験No.11357-2:2020(ガラス転移)および11357-3:2018(溶融)によって決定されてもよい。
[0021]芳香族ポリマーは、実質的に非晶質、半結晶性または結晶性の性質であってもよい。好適な半結晶性芳香族ポリマーの1つの例は、例えば芳香族または半芳香族ポリアミドである。芳香族ポリアミドは、典型的にアミド連結(NH-CO)によって互いに保持された繰り返し単位を含有し、ジカルボン酸(例えば、芳香族ジカルボン酸)、ジアミン(例えば、脂肪族ジアミン)などの重縮合によって合成される。例えば、芳香族ポリアミドは、芳香族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、2,7-ナフタレンジカルボン酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸、1,4-フェニレンジオキシ-二酢酸、1,3-フェニレンジオキシ-二酢酸、ジフェン酸、4,4’-オキシジ安息香酸、ジフェニルメタン-4,4’-ジカルボン酸、ジフェニルスルホン-4,4’-ジカルボン酸、4,4’-ビフェニルジカルボン酸など、およびこれらの組合せに由来する芳香族繰り返し単位を含有してもよい。テレフタル酸が特に好適である。当然ながら、脂肪族ジカルボン酸単位、多官能性カルボン酸単位などの他の種類の酸単位も利用されてもよいことが理解されるべきである。芳香族ポリアミドはまた、典型的に4~14個の炭素原子を有する脂肪族ジアミンに由来する脂肪族繰り返し単位を含有してもよい。そのようなジアミンの例として、線状脂肪族アルキレンジアミン、例えば1,4-テトラメチレンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,7-ヘプタンジアミン、1,8-オクタンジアミン、1,9-ノナンジアミン、1,10-デカンジアミン、1,11-ウンデカンジアミン、1,12-ドデカンジアミンなど;分岐脂肪族アルキレンジアミン、例えば2-メチル-1,5-ペンタンジアミン、3-メチル-1,5ペンタンジアミン、2,2,4-トリメチル-1,6-ヘキサンジアミン、2,4,4-トリメチル-1,6-ヘキサンジアミン、2,4-ジメチル-1,6-ヘキサンジアミン、2-メチル-1,8-オクタンジアミン、5-メチル-1,9-ノナンジアミンなど;およびこれらの組合せが挙げられる。1,9-ノナンジアミンおよび/または2-メチル-1,8-オクタンジアミンに由来する繰り返し単位が特に好適である。当然ながら、脂環式ジアミン、芳香族ジアミンなどの他のジアミン単位も利用することができる。
[0022]特に好適なポリアミドとして、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド)(PA9T)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/ノナメチレンデカンジアミド)(PA9T/910)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/ノナメチレンドデカンジアミド)(PA9T/912)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/11-アミノウンデカンアミド(PA9T/11)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/12-アミノドデカンアミド)(PA9T/12)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/11-アミノウンデカンアミド)(PA10T/11)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/12-アミノドデカンアミド)(PA10T/12)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/デカメチレンドデカンジアミド)(PA10T/1010)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/デカメチレンドデカンジアミド)(PA10T/1012)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/テトラメチレンヘキサンジアミド)(PA10T/46)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/カプロラクタム)(PA10T/6)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/ヘキサメチレンヘキサンジアミド)(PA10T/66)、ポリ(ドデカメチレンテレフタルアミド(Ierephthalamide)/ドデカメチレンドデカンジアミド)(PA12T/1212)、ポリ(ドデカメチレンテレフタルアミド/カプロラクタム)(PA12T/6)、ポリ(ドデカメチレンテレフタルアミド/ヘキサメチレンヘキサンジアミド(PA12T/66)などを挙げることができる。好適な芳香族ポリアミドのさらに他の例は、Harderらの米国特許第8,324,307号に記載されている。
[0023]利用されてもよい別の好適な半結晶性芳香族ポリマーは、8~14個の炭素原子を有する芳香族ジカルボン酸と少なくとも1種のジオールとの縮合生成物である芳香族ポリエステルである。好適なジオールとして、例えばネオペンチルグリコール、シクロヘキサンジメタノール、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、および式HO(CH2)nOH(式中、nは2~10の整数である)の脂肪族グリコールを挙げることができる。好適な芳香族ジカルボン酸として、例えばイソフタル酸、テレフタル酸、1,2-ジ(p-カルボキシフェニル)エタン、4,4’-ジカルボキシジフェニルエーテルなど、およびこれらの組合せを挙げることができる。1,4-、または1,5-、または2,6-ナフタレンジカルボン酸におけるように、縮合環が存在してもよい。そのような芳香族ポリエステルの特定の例として、ポリ(エチレンテレフタレート)(PET)、ポリ(1,4-ブチレンテレフタレート)(PBT)、ポリ(1,3-プロピレンテレフタレート)(PPT)、ポリ(1,4-ブチレン2,6-ナフタレート)(PBN)、ポリ(エチレン2,6-ナフタレート)(PEN)、ポリ(1,4-シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート)(PCT)ならびに上述のコポリマー、誘導体および混合物が挙げられる。
[0024]さらに、そのような芳香族ポリエステルの変性物またはコポリマーも使用されてもよい。例えば、一実施形態では、変性酸または変性ジオールを使用し、変性ポリエチレンテレフタレートポリマーおよび/または変性ポリブチレンテレフタレートポリマーを生産してもよい。本明細書で使用される用語「変性酸」および「変性ジオール」は、それぞれポリエステルの酸およびジオール繰り返し単位の一部を形成することができ、かつポリエステルを変性してその結晶化度を低減させる、またはポリエステルを非晶質にすることができる化合物を定義することを意図する。当然ながら、ポリエステルは非変性であってもよく、変性酸または変性ジオールを含有しない。いずれの場合でも、変性酸成分の例として、これらに限定されないが、イソフタル酸、フタル酸、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、2,6-ナフタリンジカルボン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、スベリン酸、1,12-ドデカン二酸などが挙げられてもよい。実際には、多くの場合、ジカルボン酸のジメチル、ジエチルまたはジプロピルエステルなどのこれらの官能性酸誘導体を使用することが好ましい。実用的な場合、これらの酸の無水物または酸ハロゲン化物も利用されてもよい。変性ジオール成分の例として、これらに限定されないが、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、2-メチル-1,3-プロパンジオール、1,4-ブタンジオール、1,6-ヘキサンジオール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,2-シクロヘキサンジメタノール、1,3-シクロヘキサンジメタノール、2,2,4,4-テトラメチル1,3-シクロブタンジオール、Z,8-ビス(ヒドロキシメチルトリシクロ-[5.2.1.0]-デカン(ここで、Zは3、4または5を表す);1,4-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、4,4’-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)ジフェニルエーテル[ビス-ヒドロキシエチルビスフェノールA]、4,4’-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)ジフェニルスルフィド[ビス-ヒドロキシエチルビスフェノールS]、および鎖中に1つまたは複数の酸素原子を含有するジオール、例えばジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどを挙げることができる。一般に、これらのジオールは、2~18個、一部の実施形態では2~8個の炭素原子を含有する。脂環式ジオールは、それらのシスもしくはトランス立体配置で、または両方の形態の混合物として利用することができる。
[0025]ポリアリーレンスルフィドも、好適な半結晶性芳香族ポリマーである。ポリアリーレンスルフィドは、ホモポリマーまたはコポリマーであってもよい。例えば、ジハロ芳香族化合物の選択的な組合せにより、2つ以上の異なる単位を含有するポリアリーレンスルフィドコポリマーを生じることができる。例えば、p-ジクロロベンゼンをm-ジクロロベンゼンまたは4,4’-ジクロロジフェニルスルホンと組み合わせて使用する場合、式:
の構造を有するセグメント、および式:
の構造を有するセグメント、または式:
の構造を有するセグメントを含有するポリアリーレンスルフィドコポリマーを形成することができる。
[0026]ポリアリーレンスルフィドは、線状、半線状、分岐または架橋型であってもよい。線状ポリアリーレンスルフィドは、典型的に80mol%以上の繰り返し単位-(Ar-S)-を含有する。そのような線状ポリマーは、少量の分岐単位または架橋単位も含んでもよいが、分岐または架橋単位の量は、典型的にポリアリーレンスルフィドの全モノマー単位の約1mol%未満である。線状ポリアリーレンスルフィドポリマーは、上述の繰り返し単位を含有するランダムコポリマーまたはブロックコポリマーであってもよい。半線状ポリアリーレンスルフィドは、同様に3つ以上の反応性官能基を有する少量の1種または複数のモノマーがポリマー中に導入された架橋構造または分岐構造を有してもよい。例として、半線状ポリアリーレンスルフィドの形成に使用されるモノマー成分は、分岐ポリマーの調製に利用可能な、分子あたり2個以上のハロゲン置換基を有する一定量のポリハロ芳香族化合物を含んでもよい。そのようなモノマーは、式R’Xn(式中、各Xは、塩素、臭素およびヨウ素から選択され、nは3~6の整数であり、R’は、最大約4個のメチル置換基を有し得る価数nの多価芳香族基であり、R’中の炭素原子の合計数は6~約16の範囲内である)によって表すことができる。半線状ポリアリーレンスルフィドの形成に利用可能な、分子あたり2個より多いハロゲンで置換されている一部のポリハロ芳香族化合物の例として、1,2,3-トリクロロベンゼン、1,2,4-トリクロロベンゼン、1,3-ジクロロ-5-ブロモベンゼン、1,2,4-トリヨードベンゼン、1,2,3,5-テトラブロモベンゼン、ヘキサクロロベンゼン、1,3,5-トリクロロ-2,4,6-トリメチルベンゼン、2,2’,4,4’-テトラクロロビフェニル、2,2’,5,5’-テトラ-ヨードビフェニル、2,2’,6,6’-テトラブロモ-3,3’,5,5’-テトラメチルビフェニル、1,2,3,4-テトラクロロナフタレン、1,2,4-トリブロモ-6-メチルナフタレンなど、およびこれらの混合物が挙げられる。
[0026]ポリアリーレンスルフィドは、線状、半線状、分岐または架橋型であってもよい。線状ポリアリーレンスルフィドは、典型的に80mol%以上の繰り返し単位-(Ar-S)-を含有する。そのような線状ポリマーは、少量の分岐単位または架橋単位も含んでもよいが、分岐または架橋単位の量は、典型的にポリアリーレンスルフィドの全モノマー単位の約1mol%未満である。線状ポリアリーレンスルフィドポリマーは、上述の繰り返し単位を含有するランダムコポリマーまたはブロックコポリマーであってもよい。半線状ポリアリーレンスルフィドは、同様に3つ以上の反応性官能基を有する少量の1種または複数のモノマーがポリマー中に導入された架橋構造または分岐構造を有してもよい。例として、半線状ポリアリーレンスルフィドの形成に使用されるモノマー成分は、分岐ポリマーの調製に利用可能な、分子あたり2個以上のハロゲン置換基を有する一定量のポリハロ芳香族化合物を含んでもよい。そのようなモノマーは、式R’Xn(式中、各Xは、塩素、臭素およびヨウ素から選択され、nは3~6の整数であり、R’は、最大約4個のメチル置換基を有し得る価数nの多価芳香族基であり、R’中の炭素原子の合計数は6~約16の範囲内である)によって表すことができる。半線状ポリアリーレンスルフィドの形成に利用可能な、分子あたり2個より多いハロゲンで置換されている一部のポリハロ芳香族化合物の例として、1,2,3-トリクロロベンゼン、1,2,4-トリクロロベンゼン、1,3-ジクロロ-5-ブロモベンゼン、1,2,4-トリヨードベンゼン、1,2,3,5-テトラブロモベンゼン、ヘキサクロロベンゼン、1,3,5-トリクロロ-2,4,6-トリメチルベンゼン、2,2’,4,4’-テトラクロロビフェニル、2,2’,5,5’-テトラ-ヨードビフェニル、2,2’,6,6’-テトラブロモ-3,3’,5,5’-テトラメチルビフェニル、1,2,3,4-テトラクロロナフタレン、1,2,4-トリブロモ-6-メチルナフタレンなど、およびこれらの混合物が挙げられる。
[0027]上記に示したように、明確な融点温度を欠く実質的に非晶質のポリマーも、ポリマー組成物に利用することができる。好適な非晶質ポリマーは、例えばポリフェニレンオキシド(「PPO」)、芳香族ポリカーボネート、芳香族ポリエーテルイミドなどを含むことができる。例えば、芳香族ポリカーボネートは、典型的に約130℃~約160℃のガラス転移温度を有し、1種または複数の芳香族ジオールに由来する芳香族繰り返し単位を含有する。特に好適な芳香族ジオールは、2つのフェノール基が2価の連結基の1つの炭素原子に結合するgem-ビスフェノールなどのビスフェノールである。このようなビスフェノールの例として、例えば4,4’-イソプロピリデンジフェノール(「ビスフェノールA」)、4,4’-エチリデンジフェノール、4,4’-(4-クロロ-a-メチルベンジリデン)ジフェノール、4,4’シクロヘキシリデンジフェノール、4,4(シクロヘキシルメチレン)ジフェノールなど、およびこれらの組合せを挙げることができる。芳香族ジオールは、ホスゲンと反応させることができる。例えば、ホスゲンは、式C(O)Cl2を有するカルボニルクロリドであってもよい。芳香族ポリカーボネートの合成の代替ルートは、芳香族ジオール(例えば、ビスフェノール)のジフェニルカーボネートとのエステル交換を含んでもよい。
[0028]上記で言及されたポリマーに加え、結晶性ポリマーもポリマー組成物に利用することができる。特に好適なものは、金型の小さな空間を有効に充填することを可能にする高い結晶化度を有する液晶ポリマーである。液晶ポリマーは、一般的に棒状構造を有し、それらの溶融状態(例えば、サーモトロピックネマチック状態)で結晶挙動を示すことができる限り、「サーモトロピック」と分類される。そのようなポリマーは、当技術分野で公知のように1つまたは複数の種類の繰り返し単位から形成されてもよい。液晶ポリマーは、例えば、一般に以下の式(I):
(式中、
環Bは、置換または非置換の6員アリール基(例えば、1,4-フェニレンまたは1,3-フェニレン)、置換または非置換の5または6員アリール基に縮合した置換または非置換の6員アリール基(例えば2,6-ナフタレン)、あるいは置換または非置換の5または6員アリール基に連結した置換または非置換の6員アリール基(例えば4,4-ビフェニレン)であり;
Y1およびY2は、独立してO、C(O)、NH、C(O)HN、またはNHC(O)である)
によって表される1つまたは複数の芳香族エステル繰り返し単位を含有してもよい。
環Bは、置換または非置換の6員アリール基(例えば、1,4-フェニレンまたは1,3-フェニレン)、置換または非置換の5または6員アリール基に縮合した置換または非置換の6員アリール基(例えば2,6-ナフタレン)、あるいは置換または非置換の5または6員アリール基に連結した置換または非置換の6員アリール基(例えば4,4-ビフェニレン)であり;
Y1およびY2は、独立してO、C(O)、NH、C(O)HN、またはNHC(O)である)
によって表される1つまたは複数の芳香族エステル繰り返し単位を含有してもよい。
[0029]典型的に、Y1およびY2の少なくとも1つはC(O)である。そのような芳香族エステル繰り返し単位の例として、例えば芳香族ジカルボン酸繰り返し単位(式I中Y1およびY2はC(O)である)、芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位(式I中Y1はOであり、Y2はC(O)である)、ならびにこれらの種々の組合せを挙げることができる。
[0030]例えば、4-ヒドロキシ安息香酸;4-ヒドロキシ-4’-ビフェニルカルボン酸;2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸;2-ヒドロキシ-5-ナフトエ酸;3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸;2-ヒドロキシ-3-ナフトエ酸;4’-ヒドロキシフェニル-4-安息香酸;3’-ヒドロキシフェニル-4-安息香酸;4’-ヒドロキシフェニル-3-安息香酸など、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ヒドロキシカルボン酸は、4-ヒドロキシ安息香酸(「HBA」)および6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸(HNA)である。利用される場合、ヒドロキシカルボン酸(例えばHBAおよび/またはHNA)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約40mol.%以上、一部の実施形態では約45mol.%以上、一部の実施形態では約50mol.%~100mol.%を構成する。一実施形態では、例えば、HBAに由来する繰り返し単位は、ポリマーの約30mol.%~約90mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約40mol.%~約85mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約50mol.%~約80mol.%を構成してもよい。同様に、HNAに由来する繰り返し単位は、ポリマーの約1mol.%~約30mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約2mol.%~約25mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約3mol.%~約15mol.%を構成してもよい。
[0031]また、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエーテル-4,4’-ジカルボン酸、1,6-ナフタレンジカルボン酸、2,7-ナフタレンジカルボン酸、4,4’-ジカルボキシビフェニル、ビス(4-カルボキシフェニル)エーテル、ビス(4-カルボキシフェニル)ブタン、ビス(4-カルボキシフェニル)エタン、ビス(3-カルボキシフェニル)エーテル、ビス(3-カルボキシフェニル)エタンなど、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ジカルボン酸に由来する芳香族ジカルボン酸繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ジカルボン酸として、例えばテレフタル酸(「TA」)、イソフタル酸(「IA」)、および2,6-ナフタレンジカルボン酸(「NDA」)を挙げることができる。利用される場合、芳香族ジカルボン酸(例えば、IA、TA、および/またはNDA)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約1mol.%~約50mol.%、一部の実施形態では約2mol.%~約40mol.%、一部の実施形態では約5mol.%~約30%を構成する。
[0032]他の繰り返し単位もポリマーに利用することができる。例えば、特定の実施形態では、ヒドロキノン、レゾルシノール、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、4,4’-ジヒドロキシビフェニル(または4,4’-ビフェノール)、3,3’-ジヒドロキシビフェニル、3,4’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジヒドロキシビフェニルエーテル、ビス(4-ヒドロキシフェニル)エタンなど、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ジオールに由来する繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ジオールとして、例えばヒドロキノン(「HQ」)および4,4’-ビフェノール(「BP」)を挙げることができる。利用される場合、芳香族ジオール(例えば、HQおよび/またはBP)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約1mol.%~約30mol.%、一部の実施形態では約2mol.%~約25mol.%、一部の実施形態では約5mol.%~約20%を構成する。また、芳香族アミド(例えば、アセトアミノフェン(「APAP」))および/または芳香族アミン(例えば、4-アミノフェノール(「AP」)、3-アミノフェノール、1,4-フェニレンジアミン、1,3-フェニレンジアミンなど)に由来するものなどの繰り返し単位が利用されてもよい。利用される場合、芳香族アミド(例えば、APAP)および/または芳香族アミン(例えば、AP)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約0.1mol.%~約20mol.%、一部の実施形態では約0.5mol.%~約15mol.%、一部の実施形態では約1mol.%~約10%を構成する。また、ポリマーに種々の他のモノマー繰り返し単位が導入されてもよいことが理解されるべきである。例えば、特定の実施形態では、ポリマーは、脂肪族または脂環式ヒドロキシカルボン酸、ジカルボン酸、ジオール、アミド、アミンなどの非芳香族モノマーに由来する1つまたは複数の繰り返し単位を含有してもよい。当然ながら、他の実施形態では、ポリマーは非芳香族(例えば、脂肪族または脂環式)モノマーに由来する繰り返し単位を含まないという点で「全芳香族」であってもよい。
[0033]必ずしも必要ではないが、液晶ポリマーは、ナフタレン-2,6-ジカルボン酸(「NDA」)、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸(「HNA」)またはこれらの組合せなどの、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸およびナフテン系ジカルボン酸に由来する繰り返し単位を比較的低い含有量で含有する限り、「低ナフテン」ポリマーであってもよい。つまり、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸および/またはジカルボン酸(例えば、NDA、HNAまたはHNAとNDAの組合せ)に由来する繰り返し単位の合計量は、典型的にポリマーの約15mol.%以下、一部の実施形態では約10mol.%以下、一部の実施形態では約1mol.%~約8mol.%である。
[0034]本発明の特定の実施形態では、ポリマー組成物の所望の特性の達成を助けるために、芳香族ポリマーのブレンドも利用することができる。例えば、ポリマー組成物は、上述のものなどの半結晶性芳香族ポリエステルと組み合わせて液晶性ポリマーを含有してもよい。1つの特定の実施形態では、例えば、芳香族ポリエステルは、ポリ(1,4-シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート)(PCT)、ならびにそれらのコポリマーおよび誘導体などのポリアルキレンテレフタレートであってもよい。このようなブレンドが利用される場合、液晶ポリマーは、ブレンドの約30wt.%~約85wt.%、一部の実施形態では約40wt.%~約80wt.%、一部の実施形態では約60wt.%~約75wt.%を構成してもよく、一方で半結晶性芳香族ポリエステルは、同様にブレンドの約15wt.%~約70wt.%、一部の実施形態では約20wt.%~約60wt.%、一部の実施形態では約25wt.%~約40wt.%を構成してもよい。液晶ポリマーは、例えばポリマー組成物全体の約15wt.%~約85wt.%、一部の実施形態では約20wt.%~約75wt.%、一部の実施形態では約30wt.%~約50wt.%を構成してもよく、一方で半結晶性芳香族ポリエステルは、同様にポリマー組成物全体の約1wt.%~約50wt.%、一部の実施形態では、約5wt.%~約45wt.%、一部の実施形態では、約10wt.%~約40wt.%を構成してもよい。
B.導電性充填剤
[0035]上述のように、ポリマー組成物の所望の表面および/または体積抵抗率の値を達成するために、ポリマー組成物に導電性充填剤を利用することもできる。これは、所望の抵抗率を有する充填剤のための単一の材料を選択することによって、または得られる充填剤が所望の抵抗率を有するように複数の材料を一緒に(例えば、絶縁性および導電性)ブレンドすることによって達成されてもよい。例えば、1つの特定の実施形態では、例えばASTM D257-14(技術的にIEC 62631-3-1と同等である)に従って約20℃の温度で決定される約1オーム・cm未満、一部の実施形態では約0.1オーム・cm未満、一部の実施形態では約1×10-8~約1×10-2オーム・cmの体積抵抗率を有する導電性材料が利用されてもよい。好適な導電性材料として、例えばグラファイト、カーボンブラック、炭素繊維、グラフェン、カーボンナノチューブなどの炭素材料を挙げることができる。他の好適な導電性充填剤として、同様に、金属(例えば金属粒子、金属フレーク、金属繊維など)、イオン液体などを挙げることができる。利用される材料にかかわらず、導電性充填剤は、典型的にポリマーマトリックス100重量部あたり約0.5~約20重量部、一部の実施形態では約1~約15重量部、一部の実施形態では約2~約8重量部を構成する。例えば、導電性充填剤は、ポリマー組成物の約0.1wt.%~約10wt.%、一部の実施形態では約0.2wt.%~約8wt.%、一部の実施形態では約0.5wt.%~約4wt.%を構成してもよい。
[0035]上述のように、ポリマー組成物の所望の表面および/または体積抵抗率の値を達成するために、ポリマー組成物に導電性充填剤を利用することもできる。これは、所望の抵抗率を有する充填剤のための単一の材料を選択することによって、または得られる充填剤が所望の抵抗率を有するように複数の材料を一緒に(例えば、絶縁性および導電性)ブレンドすることによって達成されてもよい。例えば、1つの特定の実施形態では、例えばASTM D257-14(技術的にIEC 62631-3-1と同等である)に従って約20℃の温度で決定される約1オーム・cm未満、一部の実施形態では約0.1オーム・cm未満、一部の実施形態では約1×10-8~約1×10-2オーム・cmの体積抵抗率を有する導電性材料が利用されてもよい。好適な導電性材料として、例えばグラファイト、カーボンブラック、炭素繊維、グラフェン、カーボンナノチューブなどの炭素材料を挙げることができる。他の好適な導電性充填剤として、同様に、金属(例えば金属粒子、金属フレーク、金属繊維など)、イオン液体などを挙げることができる。利用される材料にかかわらず、導電性充填剤は、典型的にポリマーマトリックス100重量部あたり約0.5~約20重量部、一部の実施形態では約1~約15重量部、一部の実施形態では約2~約8重量部を構成する。例えば、導電性充填剤は、ポリマー組成物の約0.1wt.%~約10wt.%、一部の実施形態では約0.2wt.%~約8wt.%、一部の実施形態では約0.5wt.%~約4wt.%を構成してもよい。
C.鉱物充填剤
[0036]所望される場合、ポリマー組成物は、ポリマーマトリックス中に分布された1種または複数の鉱物充填剤を含有してもよい。そのような鉱物充填剤は、典型的にポリマーマトリックス100重量部あたり約10~約80部、一部の実施形態では約20~約70部、一部の実施形態では約30~約60部を構成する。鉱物充填剤は、例えば、ポリマー組成物の約5wt.%~約60wt.%、一部の実施形態では約10wt.%~約55wt.%、一部の実施形態では約25wt.%~約40wt.%を構成してもよい。さらに、導電性充填剤に対する鉱物充填剤の重量比は、約2~約500、一部の実施形態では約3~約150、一部の実施形態では約4~約75、一部の実施形態では約5~約15の範囲であってもよい。鉱物充填剤の種類および相対量を選択的に調整することによって、本発明者は、機械的特性を改善することができるだけでなく、ポリマー組成物の全体の導電率に大きな影響を与えることなく熱伝導率を増加させることができることを発見した。これにより、組成物は、「ホットスポット」を迅速に排除し、使用中に全体の温度を低下させることができるように、得られる電子デバイスから離れる熱伝達のための熱経路を作成することが可能になる。組成物は、例えば、ASTM E 1461-13に従って決定される約0.2W/m・K以上、一部の実施形態では約0.5W/m・K以上、一部の実施形態では約0.6W/m・K以上、一部の実施形態では約0.8W/m・K以上、一部の実施形態では約1~約3.5W/m・Kの面内熱伝導率を示してもよい。組成物はまた、ASTM E 1461-13に従って決定される約0.3W/m・K以上、一部の実施形態では約0.5W/m・K以上、一部の実施形態では約0.40W/m・K以上、一部の実施形態では約0.7~約2W/m・Kの面直熱伝導率を示してもよい。注目すべきことに、そのような熱伝導率は、高度の固有熱伝導率を有する従来の材料を使用することなく達成できることが発見された。例えば、ポリマー組成物は、一般に50W/m・K以上、一部の実施形態では100W/m・K以上、一部の実施形態では150W/m・K以上の固有熱伝導率を有する充填剤を含まなくてもよい。そのような高い固有熱伝導率の材料の例として、例えば窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素マグネシウム、グラファイト(例えば、膨張化グラファイト)、炭化ケイ素、カーボンナノチューブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、アルミニウム粉末、および銅粉末を挙げることができる。通常はそのような高い固有熱伝導率の材料の存在を最小にすることが望ましいが、それらは、それにもかかわらず特定の実施形態ではポリマー組成物の約10wt.%以下、一部の実施形態では約5wt.%以下、一部の実施形態では約0.01wt.%~約2wt.%の量のような比較的低いパーセンテージで存在してもよい。
[0036]所望される場合、ポリマー組成物は、ポリマーマトリックス中に分布された1種または複数の鉱物充填剤を含有してもよい。そのような鉱物充填剤は、典型的にポリマーマトリックス100重量部あたり約10~約80部、一部の実施形態では約20~約70部、一部の実施形態では約30~約60部を構成する。鉱物充填剤は、例えば、ポリマー組成物の約5wt.%~約60wt.%、一部の実施形態では約10wt.%~約55wt.%、一部の実施形態では約25wt.%~約40wt.%を構成してもよい。さらに、導電性充填剤に対する鉱物充填剤の重量比は、約2~約500、一部の実施形態では約3~約150、一部の実施形態では約4~約75、一部の実施形態では約5~約15の範囲であってもよい。鉱物充填剤の種類および相対量を選択的に調整することによって、本発明者は、機械的特性を改善することができるだけでなく、ポリマー組成物の全体の導電率に大きな影響を与えることなく熱伝導率を増加させることができることを発見した。これにより、組成物は、「ホットスポット」を迅速に排除し、使用中に全体の温度を低下させることができるように、得られる電子デバイスから離れる熱伝達のための熱経路を作成することが可能になる。組成物は、例えば、ASTM E 1461-13に従って決定される約0.2W/m・K以上、一部の実施形態では約0.5W/m・K以上、一部の実施形態では約0.6W/m・K以上、一部の実施形態では約0.8W/m・K以上、一部の実施形態では約1~約3.5W/m・Kの面内熱伝導率を示してもよい。組成物はまた、ASTM E 1461-13に従って決定される約0.3W/m・K以上、一部の実施形態では約0.5W/m・K以上、一部の実施形態では約0.40W/m・K以上、一部の実施形態では約0.7~約2W/m・Kの面直熱伝導率を示してもよい。注目すべきことに、そのような熱伝導率は、高度の固有熱伝導率を有する従来の材料を使用することなく達成できることが発見された。例えば、ポリマー組成物は、一般に50W/m・K以上、一部の実施形態では100W/m・K以上、一部の実施形態では150W/m・K以上の固有熱伝導率を有する充填剤を含まなくてもよい。そのような高い固有熱伝導率の材料の例として、例えば窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素マグネシウム、グラファイト(例えば、膨張化グラファイト)、炭化ケイ素、カーボンナノチューブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、アルミニウム粉末、および銅粉末を挙げることができる。通常はそのような高い固有熱伝導率の材料の存在を最小にすることが望ましいが、それらは、それにもかかわらず特定の実施形態ではポリマー組成物の約10wt.%以下、一部の実施形態では約5wt.%以下、一部の実施形態では約0.01wt.%~約2wt.%の量のような比較的低いパーセンテージで存在してもよい。
[0037]鉱物粒子、鉱物繊維(または「ウィスカー」)など、およびそのブレンドのように、ポリマー組成物に利用される鉱物充填剤の性質は変化してもよい。好適な鉱物繊維として、例えばシリケート、例えばネオシリケート、ソロシリケート、イノシリケート(例えば、珪灰石などのカルシウムイノシリケート;トレモライトなどのカルシウムマグネシウムイノシリケート;アクチノライトなどのカルシウムマグネシウム鉄イノシリケート;アントフィライトなどのマグネシウム鉄イノシリケートなど)、フィロシリケート(例えば、パリゴルスカイトなどのアルミニウムフィロシリケート)、テクトシリケートなど;硫酸カルシウムなどの硫酸塩(例えば、脱水または無水石膏);鉱物ウール(例えば、ロックまたはスラグウール)などに由来するものを挙げることができる。商品名NYGLOS(登録商標)(例えば、NYGLOS(登録商標)4WまたはNYGLOS(登録商標)8)でNyco Mineralsから入手可能な珪灰石繊維などのイノシリケートが特に好適である。鉱物繊維は、約1~約35マイクロメートル、一部の実施形態では約2~約20マイクロメートル、一部の実施形態では約3~約15マイクロメートル、一部の実施形態では約7~約12マイクロメートルのメジアン径を有してもよい。鉱物繊維はまた、狭いサイズ分布を有してもよい。つまり、繊維の少なくとも約60体積%、一部の実施形態では繊維の少なくとも約70体積%、一部の実施形態では繊維の少なくとも約80体積%が、上記の範囲内のサイズを有してもよい。理論によって限定されることを意図しないが、上記のサイズ特徴を有する鉱物繊維は、成型機器を通ってより容易に移動することができ、これによりポリマーマトリックス内の分布が向上し、表面欠陥の生成が最小になると考えられる。上記のサイズ特徴を有することに加え、鉱物繊維はまた、得られるポリマー組成物の機械的特性および表面品質をさらに向上させるのを助ける比較的高いアスペクト比(平均長をメジアン径で除したもの)を有してもよい。例えば、鉱物繊維は、約2~約100、一部の実施形態では約2~約50、一部の実施形態では約3~約20、一部の実施形態では約4~約15のアスペクト比を有してもよい。そのような鉱物繊維の体積平均長は、例えば約1~約200マイクロメートル、一部の実施形態では約2~約150マイクロメートル、一部の実施形態では約5~約100マイクロメートル、一部の実施形態では約10~約50マイクロメートルの範囲であってもよい。
[0038]他の好適な鉱物繊維は、鉱物粒子である。粒子の平均直径は、例えば約5マイクロメートル~約200マイクロメートル、一部の実施形態では約8マイクロメートル~約150マイクロメートル、一部の実施形態では約10マイクロメートル~約100マイクロメートルの範囲であってもよい。粒子の形状は、例えば顆粒状、フレーク形状などのように所望通り異なってもよい。例えば約4以上、一部の実施形態では約8以上、一部の実施形態では約10~約500などの比較的高いアスペクト比(例えば、平均直径を平均厚さで除したもの)を有するフレーク形状の粒子が利用されてもよい。同様に、そのようなフレーク形状の粒子の平均厚さは、約2マイクロメートル以下、一部の実施形態では約5ナノメートル~約1マイクロメートル、一部の実施形態では約20ナノメートル~約500ナノメートルであってもよい。それらの形状およびサイズにかかわらず、粒子は典型的に、天然および/または合成ケイ酸塩鉱物、例えばタルク、マイカ、ハロイサイト、カオリナイト、イライト、モンモリロナイト、バーミキュライト、パリゴルスカイト、パイロフィライト、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、珪灰石などから形成される。タルクおよびマイカが特に好適である。例えば、白雲母(KAl2(AlSi3)O10(OH)2)、黒雲母(K(Mg,Fe)3(AlSi3)O10(OH)2)、金雲母(KMg3(AlSi3)O10(OH)2)、紅雲母(K(Li,Al)2-3(AlSi3)O10(OH)2)、海緑石(K,Na)(Al,Mg,Fe)2(Si,Al)4O10(OH)2)などを含む任意の形態のマイカが一般的に利用されてもよい。白雲母ベースのマイカが、ポリマー組成物で使用するのに特に好適である。
D.任意選択の成分
ガラス繊維、衝撃改質剤、滑剤、顔料(例えば、カーボンブラック)、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤、ワックス、難燃剤、垂れ防止添加剤、核形成剤(例えば、窒化ホウ素)、ならびに特性および加工性を向上させるために添加される他の材料などの、多種多様なさらなる添加剤がポリマー組成物に含まれてもよい。例えば、滑剤は、ポリマー組成物の約0.05wt.%~約1.5wt.%、一部の実施形態では約0.1wt.%~約0.5wt.%(重量)の量でポリマー組成物中に利用されてもよい。そのような滑剤の例として、脂肪酸エステル、その塩、エステル、脂肪酸アミド、有機リン酸エステル、およびエンジニアリングプラスチック材料の加工において滑剤として一般的に使用されるタイプの炭化水素ワックスが挙げられ、これらの混合物が含まれる。好適な脂肪酸は、典型的に約12~約60個の炭素原子の骨格炭素鎖を有し、例えばミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、モンタン酸、オクタデシン酸、パリン酸などである。好適なエステルとして、脂肪酸エステル、脂肪アルコールエステル、ワックスエステル、グリセロールエステル、グリコールエステル、および複合エステルが挙げられる。脂肪酸アミドとして、脂肪第一級アミド、脂肪第二級アミド、メチレンおよびエチレンビスアミド、ならびに例えばパルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、N,N’-エチレンビスステアラミドなどのアルカノールアミドが挙げられる。また、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪酸の金属塩;パラフィンワックス、ポリオレフィンおよび酸化ポリオレフィンワックス、ならびに微結晶性ワックスを含む炭化水素ワックスも好適である。特に好適な滑剤は、ペンタエリスリトールテトラステアレート、ステアリン酸カルシウム、またはN,N’-エチレンビスステアラミドなどのステアリン酸の酸、塩、またはアミドである。さらに別の好適な滑剤は、内部潤滑を改善させ、また別の表面に遭遇する組成物の摩耗および摩擦特性を強化するのに役立つシロキサンポリマーであってもよい。そのようなシロキサンポリマーは、典型的に組成物に利用されるポリマーマトリックス100部あたり約0.2~約20部、一部の実施形態では約0.5~約10部、一部の実施形態では約0.8~約5部を構成する。様々なシロキサンポリマーのいずれかが一般に利用されてもよい。シロキサンポリマーは、例えば、式:
RrSiO(4-r/2)
(式中、
Rは、独立して水素または置換もしくは非置換の炭化水素基であり、
rは0、1、2または3である)
を有する骨格にシロキサン単位を含む任意のポリマー、コポリマーまたはオリゴマーを包含してもよい。
ガラス繊維、衝撃改質剤、滑剤、顔料(例えば、カーボンブラック)、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤、ワックス、難燃剤、垂れ防止添加剤、核形成剤(例えば、窒化ホウ素)、ならびに特性および加工性を向上させるために添加される他の材料などの、多種多様なさらなる添加剤がポリマー組成物に含まれてもよい。例えば、滑剤は、ポリマー組成物の約0.05wt.%~約1.5wt.%、一部の実施形態では約0.1wt.%~約0.5wt.%(重量)の量でポリマー組成物中に利用されてもよい。そのような滑剤の例として、脂肪酸エステル、その塩、エステル、脂肪酸アミド、有機リン酸エステル、およびエンジニアリングプラスチック材料の加工において滑剤として一般的に使用されるタイプの炭化水素ワックスが挙げられ、これらの混合物が含まれる。好適な脂肪酸は、典型的に約12~約60個の炭素原子の骨格炭素鎖を有し、例えばミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、モンタン酸、オクタデシン酸、パリン酸などである。好適なエステルとして、脂肪酸エステル、脂肪アルコールエステル、ワックスエステル、グリセロールエステル、グリコールエステル、および複合エステルが挙げられる。脂肪酸アミドとして、脂肪第一級アミド、脂肪第二級アミド、メチレンおよびエチレンビスアミド、ならびに例えばパルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、N,N’-エチレンビスステアラミドなどのアルカノールアミドが挙げられる。また、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪酸の金属塩;パラフィンワックス、ポリオレフィンおよび酸化ポリオレフィンワックス、ならびに微結晶性ワックスを含む炭化水素ワックスも好適である。特に好適な滑剤は、ペンタエリスリトールテトラステアレート、ステアリン酸カルシウム、またはN,N’-エチレンビスステアラミドなどのステアリン酸の酸、塩、またはアミドである。さらに別の好適な滑剤は、内部潤滑を改善させ、また別の表面に遭遇する組成物の摩耗および摩擦特性を強化するのに役立つシロキサンポリマーであってもよい。そのようなシロキサンポリマーは、典型的に組成物に利用されるポリマーマトリックス100部あたり約0.2~約20部、一部の実施形態では約0.5~約10部、一部の実施形態では約0.8~約5部を構成する。様々なシロキサンポリマーのいずれかが一般に利用されてもよい。シロキサンポリマーは、例えば、式:
RrSiO(4-r/2)
(式中、
Rは、独立して水素または置換もしくは非置換の炭化水素基であり、
rは0、1、2または3である)
を有する骨格にシロキサン単位を含む任意のポリマー、コポリマーまたはオリゴマーを包含してもよい。
[0039]好適な基Rの一部の例として、例えば任意選択で置換されたアルキル、アリール、アルキルアリール、アルケニルまたはアルキニル、またはシクロアルキル基が挙げられ、これらはヘテロ原子によって中断されてもよく、すなわち、炭素鎖または環中にヘテロ原子を含有してもよい。好適なアルキル基として、例えばメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、イソペンチル、ネオペンチルおよびtert-ペンチル基、ヘキシル基(例えばn-ヘキシル)、ヘプチル基(例えばn-ヘプチル)、オクチル基(例えばn-オクチル)、イソオクチル基(例えば2,2,4-トリメチルペンチル基)、ノニル基(例えばn-ノニル)、デシル基(例えばn-デシル)、ドデシル基(例えばn-ドデシル)、オクタデシル基(例えばn-オクタデシル)などを挙げることができる。同様に、好適なシクロアルキル基として、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル基、メチルシクロヘキシル基などを挙げることができ、好適なアリール基として、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントリル、およびフェナントリル基を挙げることができ、好適なアルキルアリール基として、o-、m-、またはp-トリル基、キシリル基、エチルフェニル基などを挙げることができ、好適なアルケニルまたはアルキニル基として、ビニル、1-プロペニル、1-ブテニル、1-ペンテニル、5-ヘキセニル、ブタジエニル、ヘキサジエニル、シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、シクロヘキセニル、エチニル、プロパルギル、1-プロピニルなどを挙げることができる。置換炭化水素基の例は、ハロゲン化アルキル基(例えば、3-クロロプロピル、3,3,3-トリフルオロプロピル、およびペルフルオロヘキシルエチル)、ならびにハロゲン化アリール基(例えば、p-クロロフェニルおよびp-クロロベンジル)である。1つの特定の実施形態では、シロキサンポリマーは、Si原子の少なくとも70mol%に結合したアルキル基(例えばメチル基)、任意選択でSi原子の0.001~30mol%に結合したビニルおよび/またはフェニル基を含む。シロキサンポリマーはまた、好ましくは主としてジオルガノシロキサン単位から構成される。ポリオルガノシロキサンの末端基は、トリアルキルシロキシ基、特にトリメチルシロキシ基、またはジメチルビニルシロキシ基であってもよい。しかし、これらのアルキル基の1つまたは複数が、ヒドロキシ基、またはメトキシもしくはエトキシ基などのアルコキシ基で置換されている可能性もある。シロキサンポリマーの特に好適な例として、例えばジメチルポリシロキサン、フェニルメチルポリシロキサン、ビニルメチルポリシロキサン、およびトリフルオロプロピルポリシロキサンが挙げられる。
[0040]シロキサンポリマーはまた、ポリマーのシロキサンモノマー単位の少なくとも一部に、ビニル基、ヒドロキシル基、ヒドリド、イソシアネート基、エポキシ基、酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば、メトキシ、エトキシおよびプロポキシ)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシおよびオクタノイルオキシ)、ケトキシメート基(例えば、ジメチルケトキシム、メチルケトキシム、およびメチルエチルケトキシム)、アミノ基(例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノおよびブチルアミノ)、アミド基(例えば、N-メチルアセトアミドおよびN-エチルアセトアミド)、酸アミド基、アミノ-オキシ基、メルカプト基、アルケニルオキシ基(例えば、ビニルオキシ、イソプロペニルオキシおよび1-エチル-2-メチルビニルオキシ)、アルコキシアルコキシ基(例えば、メトキシエトキシ、エトキシエトキシおよびメトキシプロポキシ)、アミノキシ基(例えば、ジメチルアミノキシおよびジエチルアミノキシ)、メルカプト基などのうちの1つまたは複数などの反応性官能基を含んでもよい。
[0041]その特定の構造にかかわらず、シロキサンポリマーは典型的に比較的高い分子量を有するため、ポリマー組成物の表面に移動または拡散する可能性が減少し、したがって相分離の可能性がさらに最小限に抑えられる。例えば、シロキサンポリマーは典型的に、モルあたり約100,000グラム以上、一部の実施形態ではモルあたり約200,000グラム以上、一部の実施形態ではモルあたり約500,000グラム~モルあたり約2,000,000グラムの重量平均分子量を有する。シロキサンポリマーはまた、約10,000センチストークス以上、一部の実施形態では約30,000センチストークス以上、一部の実施形態では約50,000~約500,000センチストークスのような比較的高い動粘度を有してもよい。
[0042]所望される場合、シリカ粒子(例えば、ヒュームドシリカ)をシロキサンポリマーと組み合わせて利用し、組成物中に分散するその能力の向上を助けることもできる。そのようなシリカ粒子は、例えば約5ナノメートル~約50ナノメートルの粒径、グラムあたり約50平方メートル(m2/g)~約600m2/gの表面積、および/または立方メートルあたり約160キログラム(kg/m3)~約190kg/m3の密度を有してもよい。利用される場合、シリカ粒子は、典型的にシロキサンポリマー100重量部に対して約1~約100重量部、一部の実施形態では約20~約60重量部を構成する。一実施形態では、シリカ粒子をシロキサンポリマーと組み合わせ、その後この混合物をポリマー組成物に添加することができる。例えば、超高分子量ポリジメチルシロキサンおよびヒュームドシリカを含む混合物をポリマー組成物中に組み込むことができる。そのような予め形成された混合物は、Wacker Chemie,AGからGenioplast(登録商標)Pellet Sとして入手可能である。
[0043]本発明の1つの利益は、従来のレーザー活性化可能スピネル結晶を使用することなくポリマー組成物を容易にメッキできることであり、結晶は、一般に式AB2O4(式中、Aは2の価数を有する金属カチオン(例えばカドミウム、クロム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、鉄、マグネシウム、スズまたはチタン)であり、Bは3の価数を有する金属カチオン(例えばクロム、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガンまたはスズ)である)を有する。一般的に、上記式中のAは第1の金属酸化物クラスターの主カチオン成分を与え、Bは第2の金属酸化物クラスターの主カチオン成分を与える。例えば、第1の金属酸化物クラスターは一般に四面体構造を有し、第2の金属酸化物クラスターは、一般に八面体クラスターを有する。そのようなスピネル結晶の特定の例として、例えばMgAl2O4、ZnAl2O4、FeAl2O4、CuFe2O4、CuCr2O4、MnFe2O4、NiFe2O4、TiFe2O4、FeCr2O4またはMgCr2O4が挙げられる。ポリマー組成物は、そのようなスピネル結晶を含まなくてもよいか(すなわち、0wt.%)、またはそのような結晶は、約1wt.%以下、一部の実施形態では約0.5wt.%以下、一部の実施形態では約0.001wt.%~約0.2wt.%の量などのほんのわずかな濃度で存在してもよい。
II.形成
[0044]ポリマー組成物の成分(例えば、芳香族ポリマー、導電性充填剤、鉱物充填剤など)は、一緒に溶融加工またはブレンドすることができる。成分は、バレル(例えば、円筒形バレル)内に回転可能に取り付けられて収容されている少なくとも1つのスクリューを含み、スクリューの長さに沿って、フィードセクションおよびフィードセクションの下流に位置する溶融セクションを画定することができる押出機に、別々にまたは組み合わせて供給することができる。押出機は、単軸または二軸押出機であってもよい。スクリューの速度は、所望の滞留時間、せん断速度、溶融加工温度などを達成するように選択することができる。例えば、スクリュー速度は、1分あたり約50~約800回転(「rpm」)、一部の実施形態では約70~約150rpm、一部の実施形態では約80~約120rpmの範囲であってもよい。また、溶融ブレンド中の見掛けのせん断速度は、約100秒-1~約10,000秒-1、一部の実施形態では約500秒-1~約5000秒-1、一部の実施形態では約800秒-1~約1200秒-1の範囲であってもよい。見掛けのせん断速度は、4Q/πR3(式中、Qはポリマー溶融体の体積流量(「m3/秒」)であり、Rはそれを通って溶融ポリマーが流れる毛細管(例えば、押出機ダイ)の半径(「m」)である)に等しい。
[0044]ポリマー組成物の成分(例えば、芳香族ポリマー、導電性充填剤、鉱物充填剤など)は、一緒に溶融加工またはブレンドすることができる。成分は、バレル(例えば、円筒形バレル)内に回転可能に取り付けられて収容されている少なくとも1つのスクリューを含み、スクリューの長さに沿って、フィードセクションおよびフィードセクションの下流に位置する溶融セクションを画定することができる押出機に、別々にまたは組み合わせて供給することができる。押出機は、単軸または二軸押出機であってもよい。スクリューの速度は、所望の滞留時間、せん断速度、溶融加工温度などを達成するように選択することができる。例えば、スクリュー速度は、1分あたり約50~約800回転(「rpm」)、一部の実施形態では約70~約150rpm、一部の実施形態では約80~約120rpmの範囲であってもよい。また、溶融ブレンド中の見掛けのせん断速度は、約100秒-1~約10,000秒-1、一部の実施形態では約500秒-1~約5000秒-1、一部の実施形態では約800秒-1~約1200秒-1の範囲であってもよい。見掛けのせん断速度は、4Q/πR3(式中、Qはポリマー溶融体の体積流量(「m3/秒」)であり、Rはそれを通って溶融ポリマーが流れる毛細管(例えば、押出機ダイ)の半径(「m」)である)に等しい。
[0045]それが形成される特定の方法にかかわらず、得られるポリマー組成物は、優れた熱特性を有することができる。例えば、ポリマー組成物の溶融粘度は、ポリマー組成物が小さい寸法を有する金型の空洞内に容易に流入することができるように十分に低くてもよい。1つの特定の実施形態では、ポリマー組成物は、1000秒-1のせん断速度で決定される約10~約250Pa・s、一部の実施形態では約15~約200Pa・s、一部の実施形態では約20~約150Pa・s、一部の実施形態では約30~約100Pa・sの溶融粘度を有してもよい。溶融粘度は、ISO試験No.11443:2005に従い、組成物の溶融温度よりも15℃高い温度(例えば、約325℃の溶融温度に対して約340℃)で決定されてもよい。
III.電子デバイス
[0046]上記に示されたように、本発明のポリマー組成物は、「個片化された」キャリア部分上に成型され、その上にメッキされた導電トレースを有する基板に利用される。本明細書で使用される用語「個片化された」は、一般にキャリア部分がより大きなキャリア(例えば、接合または連続)から分離されていることを意味する。基板は、様々な異なる技術を使用して形成されてもよい。好適な技術として、例えば射出成型、低圧射出成型、押出圧縮成型、ガス射出成型、発泡射出成型、低圧ガス射出成型、低圧発泡射出成型、ガス押出圧縮成型、発泡押出圧縮成型、押出成型、発泡押出成型、圧縮成型、発砲圧縮成型、ガス圧縮成型などを挙げることができる。例えば、ポリマー組成物が注入され得る金型を含む射出成型システムが利用されてもよい。ポリマーマトリックスが予め固化しないように、注入器内の時間を制御し、最適化することができる。サイクル時間に達し、バレルが排出のために満杯になると、ピストンを使用して金型の空洞に組成物を注入してもよい。圧縮成型システムも利用されてもよい。射出成型と同様に、ポリマー組成物の所望の物品への成形も金型内で行われる。組成物は、自動化されたロボットアームによってピックアップされることなどにより、任意の公知の技術を使用して圧縮金型に配置されてもよい。金型の温度は、固化を可能にするために所望の時間にわたってポリマーマトリックスの固化温度以上に維持されてもよい。その後、成型品を溶融温度未満の温度にすることによって固化させてもよい。得られた製品を脱型してもよい。各成型プロセスのサイクル時間は、十分な結合を達成するため、またプロセス全体の生産性を向上させるためにポリマーマトリックスに合わせて調整することができる。
[0046]上記に示されたように、本発明のポリマー組成物は、「個片化された」キャリア部分上に成型され、その上にメッキされた導電トレースを有する基板に利用される。本明細書で使用される用語「個片化された」は、一般にキャリア部分がより大きなキャリア(例えば、接合または連続)から分離されていることを意味する。基板は、様々な異なる技術を使用して形成されてもよい。好適な技術として、例えば射出成型、低圧射出成型、押出圧縮成型、ガス射出成型、発泡射出成型、低圧ガス射出成型、低圧発泡射出成型、ガス押出圧縮成型、発泡押出圧縮成型、押出成型、発泡押出成型、圧縮成型、発砲圧縮成型、ガス圧縮成型などを挙げることができる。例えば、ポリマー組成物が注入され得る金型を含む射出成型システムが利用されてもよい。ポリマーマトリックスが予め固化しないように、注入器内の時間を制御し、最適化することができる。サイクル時間に達し、バレルが排出のために満杯になると、ピストンを使用して金型の空洞に組成物を注入してもよい。圧縮成型システムも利用されてもよい。射出成型と同様に、ポリマー組成物の所望の物品への成形も金型内で行われる。組成物は、自動化されたロボットアームによってピックアップされることなどにより、任意の公知の技術を使用して圧縮金型に配置されてもよい。金型の温度は、固化を可能にするために所望の時間にわたってポリマーマトリックスの固化温度以上に維持されてもよい。その後、成型品を溶融温度未満の温度にすることによって固化させてもよい。得られた製品を脱型してもよい。各成型プロセスのサイクル時間は、十分な結合を達成するため、またプロセス全体の生産性を向上させるためにポリマーマトリックスに合わせて調整することができる。
[0047]本発明の電子デバイスを形成するために利用可能な製造プロセスの実施形態のフロー図を図1に示す。ステップ1に示すように、リードフレーム54を形成するためにアーム56が延びる外側領域を含有するキャリア40が提供される。図4に示すように、キャリア40は、例えばバルクソースリール68aから繰り出され、その後第2リール68bに集められてもよい。キャリア40は、典型的に金属(例えば、銅もしくは銅合金)または他の好適な導電材料から形成される。所望であれば、アーム56は、そこに設けられた開口部58を含有することもできる。キャリアホール52は、同様に、キャリア40が製造ラインに沿って連続的に横断できるように、キャリア40の外側部分上に位置してもよい。ステップ2において、本発明のポリマー組成物から形成されてもよい基板42は、その後リードフレーム54の上に成型(例えば、オーバーモールド)されてもよい。フィンガー56の開口部58に対応する開口部60を基板42に設けてもよい。
[0048]基板42がリードフレーム54の上に成型されると、次に導電回路トレースが形成されてもよい。そのようなトレースは、様々な公知の金属堆積技術によって、例えばメッキ(例えば、電気メッキ、無電解メッキなど)、印刷(例えば、デジタル印刷、エアロゾルジェット印刷など)などによって形成されてもよい。所望により、金属堆積プロセスを促進するために、最初に基板上にシード層が形成されてもよい。例えば、図1のステップ3および3Aでは、最初に基板42の表面上にシード層44を堆積させてもよく、これによりキャリア40によって形成された内部バスバー43をシード層44に電気的に接続することができる。その後、金属(例えば、銅、ニッケル、金、銀、スズ、鉛、パラジウムなど)によってシード層44を堆積させ、電子回路トレース62を含有する部分46を形成してもよい(ステップ4)。一実施形態では、例えば、キャリア40に電位を印加し、その後電気メッキ浴に配置することによって電気メッキを行うことができる。また、トレースと回路の内部層との間に電気経路を作成するために、基板の表面にビアを任意選択で成型することができる。これらのトレースは、キャリア部分に「電気バスバー」を作成し、それにより堆積される導電ペーストを塗布した後にトレースをメッキすることが可能になる。所望により、基板の表面は、レーザーアブレーション、プラズマエッチング、紫外線処理、フッ素化などの様々な公知の技術を使用して粗面化され、その後メッキされてもよい。とりわけ、このような粗面化は、所望の相互接続パターンでのメッキを促進するのに役立つ。例えば図5を参照すると、この目的のためにレーザーを利用するプロセスの一実施形態がより詳細に示される。より詳細には、ステップ9に示すように、最初にレーザー70を利用して基板42の表面をアブレーションし、相互接続パターン66を形成するチャネル72を作成することができる。ステップ10では、次にインクジェットプロセス、エアロゾルプロセス、またはスクリーニングプロセスなど、任意の公知の技術によって導電性ペースト74をチャネル72内に配置してもよい。あるいは、ペーストの使用に代えておよび/または加えて、メッキプロセス(例えば、無電解メッキ)を利用することもできる。しかし、利用する場合、ペースト74が基板42に十分に接着することを保証することを助けるために、ステップ11に例示するように、堆積したペースト74をレーザーまたはフラッシュ熱76を通して任意選択で焼結してもよい。任意選択で焼結されると、ペースト74はステップ12に示されるようにメッキ(例えば電気メッキ)され、電子回路トレース62を形成する。
[0049]再び図1を参照すると、メッキ後に、はんだ付け、ワイヤボンディングなどの様々な技術のいずれかを使用して1つまたは複数の電気構成部品50を基板42に接続することによって(ステップ6)電気デバイスを形成することができる。特定の実施形態では、構成部品50を接続する前に、はんだマスク48を任意選択で適用することができる(ステップ5)。その後、得られた電子デバイスをキャリア40から分離してもよい。図2~3は、例えば、形成の様々な段階における電子デバイス22の一実施形態を示す。ステップAでは、例えば、成型前のキャリア40が示される。ステップBは、キャリア部分40上に成型され、電子回路トレース62が適用された後の基板42を示す。ステップCおよびDでは、任意選択のピンコンタクトおよび回路の金属化を追加して、完成した電子デバイスを形成してもよい(ステップE)。その後、完成した電子デバイス22は、図3に示されるように隣接するキャリア40から分離され、個片化されたキャリア部分40を含有する電子デバイス22を形成することができる。得られた電子デバイスは、様々な種類の電子構成部品、例えばライト、トンネル灯、ヘッドランプなどのための光源(例えば、発光ダイオード(「LED」))用のハウジング、またはコンピュータ、電話、電子制御装置などで使用されるような他の電子機器を含有してもよい。このような製品は、電気自動車(EV)、ハイブリッド電気自動車(HEV)、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)、または推進力のために電力を使用する他の種類の車両(まとめて「電気自動車」と呼ぶ)などの車両(例えば、自動車、バス、オートバイ、ボートなど)に特に有用である場合がある。
[0050]例えば、図7~8を参照すると、自動車製品で使用するためのライト20の形態である電子製品の一実施形態が示される。ライト20は、ハウジング24、電子デバイス22(図2も参照されたい)、およびライトパイプ28を含む。ハウジング24は、図8に示すように、2つの部品24aおよび24bで形成されてもよい。ハウジング24は、そこを通る通路34を形成する壁32、および壁32を通って延び、通路34と連通する開口部36を有する。開口部36は、通路34に対して横方向であってもよい。電子デバイス22は、ハウジング30の通路34内に取り付けられてもよい。ライトパイプ28は、ハウジング30の開口部36を通って延び、本明細書に記載されるように電子デバイス22の電子構成部品50の1つまたは複数として形成される発光ダイオード(LED)38の上に取り付けられる。図6は、ライト20を形成するための代表的なプロセスを示す。ステップ7および8は、例えば、電子デバイス22が他のデバイスから個片化され、ハウジング24およびライトパイプ28とアセンブルされることを示す。デバイス22が形成された後、通路34内に取り付けられ、ハウジング24の部品24aおよび24bが一緒にアセンブルされる。ピンコンタクト64は露出したままである。ライトパイプ28は、ハウジング24の開口部36を通して取り付けられ、LED38の上方に設けられる。
[0051]本発明は、以下の実施例を参照してより良好に理解することができる。
試験方法
[0052]溶融粘度:溶融粘度(Pa・s)は、Dynisco LCR7001キャピラリーレオメーターを使用して、せん断速度1,000s-1および溶融温度を15℃超える温度で、ISO試験No.11443:2014に従って決定されてもよい。レオメーターオリフィス(ダイ)は、直径1mm、長さ20mm、L/D比20.1、および入口角180°を有していた。バレルの直径は9.55mm+0.005mm、ロッド長さは233.4mmであった。
[0052]溶融粘度:溶融粘度(Pa・s)は、Dynisco LCR7001キャピラリーレオメーターを使用して、せん断速度1,000s-1および溶融温度を15℃超える温度で、ISO試験No.11443:2014に従って決定されてもよい。レオメーターオリフィス(ダイ)は、直径1mm、長さ20mm、L/D比20.1、および入口角180°を有していた。バレルの直径は9.55mm+0.005mm、ロッド長さは233.4mmであった。
[0053]溶融温度:溶融温度(「Tm」)は、当技術分野で公知のように示差走査熱量測定(「DSC」)によって決定されてもよい。溶融温度は、ISO試験No.11357-2:2018によって決定される示差走査熱量測定(DSC)のピーク溶融温度である。DSC手順に基づき、TA Q2000装置上で行うDSC測定を使用し、ISO標準10350に記述されるように、試料を1分あたり20℃で加熱および冷却した。
[0054]荷重たわみ温度(「DTUL」):荷重たわみ温度は、ISO試験No.75-2:2013(技術的にASTM D648と同等である)に従って決定されてもよい。より詳細には、長さ80mm、厚さ10mm、および幅4mmの試験片試料を、指定の荷重(最大外部繊維応力)が1.8メガパスカルであるエッジワイズ三点屈曲試験に供してもよい。検体をシリコーン油浴中に下げ、検体が0.25mm(ISO試験No.75-2:2013では0.32mm)たわむまで温度を1分あたり2℃で上昇させる。
[0055]引張弾性率、引張応力および引張伸び:引張特性は、ISO試験No.527:2019(技術的にASTM D638と同等である)に従って試験されてもよい。弾性率および強度の測定は、長さ80mm、厚さ10mm、および幅4mmの同じ試験片試料で行われてもよい。試験温度は23℃であってもよく、試験速度は1または5mm/分であってもよい。
[0056]曲げ弾性率、曲げ応力および曲げ伸び:曲げ特性は、ISO試験No.178:2019(技術的にASTM D790と同等である)に従って試験されてもよい。この試験は、64mmの支持スパン上で実施されてもよい。試験は、切断されていないISO 3167マルチパーパスバーの中心部で行われてもよい。試験温度は23℃であってもよく、試験速度は2mm/分であってもよい。
[0057]ノッチなしおよびノッチ付きシャルピー衝撃強度:シャルピー特性は、ISO試験No.ISO179-1:2010(技術的にASTM D256-10、方法Bと同等である)に従って試験されてもよい。この試験は、タイプ1検体サイズ(長さ80mm、幅10mm、および厚さ4mm)を使用して行われてもよい。ノッチ付き衝撃強度を試験する場合、ノッチはタイプAノッチ(0.25mmベース半径)であってもよい。検体は、一本歯フライス盤を使用してマルチパーパスバーの中心から切り出してもよい。試験温度は23℃であってもよい。
[0058]比誘電率(「Dk」)および誘電正接(「Df」):比誘電率(または相対静的誘電率)および誘電正接は、Baker-Jarvisら、IEEE Trans.on Dielectric and Electrical Insulation、5(4)、571頁(1998年)およびKrupkaら、Proc.7th International Conference on Dielectric Materials:Measurements and Applications、IEEE Conference Publication No.430(1996年9月)に記載されるものなどの公知のスプリット-ポスト誘電共振法を使用して決定される。より詳細には、サイズ80mm×90mm×3mmの板状試料を2つの固定された誘電共振器の間に挿入した。共振器により、検体の面における誘電率成分を測定した。5つの試料を試験し、平均値を記録する。スプリット-ポスト共振器を使用し、低ギガヘルツ領域、例えば2GHzから1GHzで誘電測定を行うことができる。
[0059]熱サイクル試験:検体を温度制御チャンバに入れ、-30℃~100℃の温度範囲内で加熱/冷却する。まず、100℃の温度に達するまで試料を加熱し、その時点ですぐに冷却した。温度が-30℃に達したとき、検体を100℃に達するまですぐに再び加熱する。3時間にわたって23回の加熱/冷却サイクルを実施してもよい。
[0060]表面/体積抵抗率:表面および体積抵抗率の値は、IEC62631-3-1:2016またはASTM D257-14に従って決定することができる。この手順によると、標準検体(例えば、1メートルの立方体)を2つの電極の間に配置する。電圧を60秒間印加し、抵抗を測定する。表面抵抗率は、電位勾配(V/m単位)と単位電極長あたりの電流(A/m単位)の商であり、一般に絶縁材料の表面に沿った漏れ電流に対する抵抗を表す。電極の4つの端が正方形を画定するため、商において長さを約分して表面抵抗率をオームで報告するが、より説明的な単位であるオームパースクエアを見ることも一般的である。また、体積抵抗率は、材料中の電流に平行な電位勾配の電流密度に対する比として決定される。SI単位では、体積抵抗率は、その材料の1メートルの立方体の対向面間の直流抵抗(オーム・mまたはオーム・cm)に数値的に等しい。
実施例1
[0061]試料1~4を、種々のパーセンテージの液晶ポリマー(「LCP1」および「LCP2」)、珪灰石繊維(Nyglos(商標)8)、カーボンブラック顔料、炭素繊維ならびに滑剤(Glycolube(商標)P)から形成する。LCP1は、HBA60mol.%、HNA5mol.%、BP12mol.%、TA17.5mol.%およびAPAP5mol.%から形成される。LCP2は、HBA73mol.%およびHNA27mol.%から形成される。配合は、18mm単軸押出機を使用して実施した。部品を射出成型し、試料を板(60mm×60mm)にする。
[0061]試料1~4を、種々のパーセンテージの液晶ポリマー(「LCP1」および「LCP2」)、珪灰石繊維(Nyglos(商標)8)、カーボンブラック顔料、炭素繊維ならびに滑剤(Glycolube(商標)P)から形成する。LCP1は、HBA60mol.%、HNA5mol.%、BP12mol.%、TA17.5mol.%およびAPAP5mol.%から形成される。LCP2は、HBA73mol.%およびHNA27mol.%から形成される。配合は、18mm単軸押出機を使用して実施した。部品を射出成型し、試料を板(60mm×60mm)にする。
[0062]試料1~4を熱的および機械的特性について試験した。結果を以下の表2に記載する。
[0063]また、試料3~4を上述の熱サイクル試験に供した。試験後、試料について得られた誘電正接は、それぞれ0.021および0.015と決定された。したがって、試料3および4の熱サイクル試験後の誘電正接の初期誘電正接に対する比は、それぞれ1.24および0.86であった。また、試験後、試料について得られた比誘電率は、それぞれ12.9および12.6と決定された。したがって、試料3および4の熱サイクル試験後の比誘電率の初期比誘電率に対する比は、それぞれ0.98および1.01であった。
実施例2
[0064]試料5~9を、種々のパーセンテージの液晶ポリマー(「LCP1」および「LCP2」)、Nyglos(商標)8、カーボンブラック顔料、グラファイト、ならびにGlycolube(商標)Pから形成する。配合は、18mm単軸押出機を使用して実施した。部品を射出成型し、試料を板(60mm×60mm)にする。
[0064]試料5~9を、種々のパーセンテージの液晶ポリマー(「LCP1」および「LCP2」)、Nyglos(商標)8、カーボンブラック顔料、グラファイト、ならびにGlycolube(商標)Pから形成する。配合は、18mm単軸押出機を使用して実施した。部品を射出成型し、試料を板(60mm×60mm)にする。
[0065]試料5~9を熱的および機械的特性について試験した。結果を以下の表4に記載する。
[0066]また、試料5~7を上述の熱サイクル試験に供した。試験後、試料について得られた誘電正接は、それぞれ0.0578、0.0214および0.0098と決定された。したがって、試料5、6および7の熱サイクル試験後の誘電正接の初期誘電正接に対する比は、それぞれ1.17、1.06および1.09であった。また、試験後、試料について得られた比誘電率は、それぞれ12.6、8.9および6.3と決定された。したがって、試料5、6および7の熱サイクル試験後の比誘電率の初期比誘電率に対する比は、それぞれ1.0、1.0および1.0であった。
[0067]本発明のこれらおよび他の修正および変形は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく当業者によって実施可能である。さらに、種々の実施形態の態様は、全体的または部分的の両方で相互交換可能であることが理解されるべきである。さらに、当業者は、上述の記載が単なる例示であり、したがってそのような添付の特許請求の範囲にさらに記載される本発明を制限するものではないことを理解する。
Claims (34)
- 電子デバイスであって、
個片化されたキャリア部分、
当該個片化されたキャリア部分上に成型された基板であって、当該基板が芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含むポリマー組成物を含み、当該ポリマー組成物が、ASTM D257-14に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オームの表面抵抗率を示す、当該基板、ならびに
当該基板上に配置された導電トレース
を含む、前記電子デバイス。 - 前記ポリマー組成物が、ASTM D257-14に従って決定される1×1010オーム・m~約1×1016オーム・mの体積抵抗率を示す、請求項1に記載の電子デバイス。
- ポリマーマトリックスが前記ポリマー組成物の約30wt.%~約80wt.%を構成する、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記芳香族ポリマーが約200℃以上の溶融温度を有する、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記芳香族ポリマーが、ポリアミド、ポリエステル、ポリアリーレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、またはそれらの組合せである、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記芳香族ポリマーが液晶ポリマーを含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記液晶ポリマーが、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する1つまたは複数の繰り返し単位を含有し、前記ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位が前記ポリマーの約40mol.%以上を構成する、請求項6に記載の電子デバイス。
- 前記液晶ポリマーが、4-ヒドロキシ安息香酸、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、またはそれらの組合せに由来する繰り返し単位を含有する、請求項7に記載の電子デバイス。
- 前記液晶ポリマーが、4-ヒドロキシ安息香酸に由来する繰り返し単位を前記ポリマーの約30mol.%~約90mol.%の量で含有し、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸に由来する繰り返し単位を前記ポリマーの約1mol.%~約30mol.%の量で含有する、請求項7に記載の電子デバイス。
- 前記液晶ポリマーが、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、ヒドロキノン、4,4’-ビフェノール、アセトアミノフェン、4-アミノフェノール、またはこれらの組合せに由来する繰り返し単位をさらに含有する、請求項7に記載の電子デバイス。
- 前記導電性充填剤が炭素材料を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記炭素材料が約0.1オーム・cm未満の体積抵抗率を有する、請求項11に記載の電子デバイス。
- 前記炭素材料が、グラファイト、カーボンブラック、炭素繊維、グラフェン、カーボンナノチューブまたはそれらの組合せを含む、請求項11に記載の電子デバイス。
- 前記導電性充填剤が、前記ポリマーマトリックス100重量部あたり約0.5~約20重量部の量で前記ポリマー組成物中に存在する、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記ポリマー組成物が鉱物充填剤をさらに含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記鉱物充填剤が、前記ポリマーマトリックス100重量部あたり約10~約80重量部の量で前記ポリマー組成物中に存在する、請求項15に記載の電子デバイス。
- 前記鉱物充填剤の前記導電性充填剤に対する重量比が約2~約500の範囲である、請求項15に記載の電子デバイス。
- 前記鉱物充填剤が、鉱物粒子、鉱物繊維またはそれらの組合せを含有する、請求項15に記載の電子デバイス。
- 前記鉱物粒子が、タルク、マイカまたはそれらの組合せを含む、請求項18に記載の電子デバイス。
- 前記鉱物繊維が珪灰石を含む、請求項18に記載の電子デバイス。
- 前記鉱物繊維が約1~約35マイクロメートルのメジアン径を有する、請求項18に記載の電子デバイス。
- 前記鉱物繊維が約1~約50のアスペクト比を有する、請求項18に記載の電子デバイス。
- 前記ポリマー組成物が、1,000s-1のせん断速度、および前記組成物の溶融温度を15℃超える温度でISO試験No.11443:2014に従って決定される約10~約250Pa・sの溶融粘度を有する、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記個片化されたキャリア部分が金属を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記基板が、シード層が内部に配置されたチャネルを含有し、さらに回路トレースが前記シード層上に配置された、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記チャネルがレーザーによって形成される、請求項25に記載の電子デバイス。
- 前記ポリマー組成物が、2GHzの周波数で決定される約4以上の比誘電率および約0.3以下の誘電正接を示す、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記組成物が、約-30℃~約100℃の温度サイクルに曝露された後に比誘電率を示し、前記温度サイクル後の比誘電率の熱サイクル前の比誘電率に対する比が約0.8以上である、請求項27に記載の電子デバイス。
- 前記組成物が、約-30℃~約100℃の温度サイクルに曝露された後に誘電正接を示し、前記温度サイクル後の誘電正接の熱サイクル前の誘電正接に対する比が約1.3以下である、請求項27に記載の電子デバイス。
- 前記ポリマー組成物がスピネル結晶を含まない、請求項1に記載のポリマー組成物。
- 前記基板をキャリア上に成型するステップ、
前記基板上にシード層を形成するステップ、および
前記シード層上に金属を堆積させ、導電トレースを形成するステップ
を含む、請求項1に記載の電子デバイスを形成する方法。 - 構成部品を前記導電トレースに電気的に接続してデバイスを形成し、前記キャリアから前記デバイスを分離するステップをさらに含む、請求項31に記載の方法。
- 前記トレースが、前記基板をレーザーでアブレーションし、その後前記シード層を形成するステップを含むプロセスによって形成される、請求項31に記載の方法。
- 前記シード層が導電ペーストを含む、請求項31に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202062981667P | 2020-02-26 | 2020-02-26 | |
US62/981,667 | 2020-02-26 | ||
US202063057345P | 2020-07-28 | 2020-07-28 | |
US63/057,345 | 2020-07-28 | ||
PCT/US2021/018471 WO2021173408A1 (en) | 2020-02-26 | 2021-02-18 | Electronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023514820A true JP2023514820A (ja) | 2023-04-11 |
Family
ID=77366379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022548112A Pending JP2023514820A (ja) | 2020-02-26 | 2021-02-18 | 電子デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11715579B2 (ja) |
EP (1) | EP4110868A4 (ja) |
JP (1) | JP2023514820A (ja) |
KR (1) | KR20220146567A (ja) |
CN (1) | CN115151607A (ja) |
TW (1) | TW202202570A (ja) |
WO (1) | WO2021173408A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115151414A (zh) | 2020-02-26 | 2022-10-04 | 提克纳有限责任公司 | 用于电子器件的聚合物组合物 |
EP4111834A4 (en) | 2020-02-26 | 2024-06-05 | Ticona LLC | CIRCUIT STRUCTURE |
US11728065B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-08-15 | Ticona Llc | Molded interconnect device |
WO2023249880A1 (en) * | 2022-06-21 | 2023-12-28 | Ticona Llc | Laser activatable polymer composition |
Family Cites Families (172)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4458039A (en) | 1983-02-07 | 1984-07-03 | Celanese Corporation | Thermotropic liquid crystalline polymer blend with reduced surface abrasion |
JPS6461087A (en) | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Sumitomo Chemical Co | Resin composition for printed wiring board |
AU612707B2 (en) | 1987-10-12 | 1991-07-18 | Nippon Paint Co., Ltd. | Thermosetting polyester resin and powder coating resinous composition containing the same |
US5928589A (en) | 1987-12-28 | 1999-07-27 | Teijin Limited | Processing for producing shaped wholly aromatic polyamide resin composition article and shaped article produced thereby |
JP2830279B2 (ja) | 1989-05-11 | 1998-12-02 | 住友化学工業株式会社 | 流動性の改良された液晶ポリエステル樹脂組成物 |
US5492946A (en) | 1990-06-04 | 1996-02-20 | Amoco Corporation | Liquid crystalline polymer blends and molded articles therefrom |
JPH0481451A (ja) | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Toray Ind Inc | 液晶ポリエステル樹脂組成物 |
US5204443A (en) | 1991-04-19 | 1993-04-20 | Hoechst Celanese Corp. | Melt processable poly(ester-amide) capable of forming an anisotropic melt containing an aromatic moiety capable of forming an amide linkage |
JPH05140282A (ja) | 1991-11-22 | 1993-06-08 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | サーモトロピツク液晶性ポリエステルの製造方法 |
JP3265721B2 (ja) | 1993-07-01 | 2002-03-18 | 東レ株式会社 | 液晶性樹脂組成物 |
US5375403A (en) | 1993-10-28 | 1994-12-27 | Collins Border Holdings Ltd. | Lowbush berry harvester |
US5830940A (en) | 1993-12-28 | 1998-11-03 | Toray Industries, Inc. | Shaped article of liquid crystalline polymer |
KR100207568B1 (ko) | 1994-08-27 | 1999-07-15 | 손욱 | 전도성 측쇄형 액정화합물 및 이를 사용한 배향막 |
US6492463B1 (en) | 1994-08-31 | 2002-12-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Liquid crystalline polymer composition |
DE69532763T2 (de) | 1994-10-18 | 2005-03-10 | Polyplastics Co. Ltd. | Thermoplastische harzzusammensetzung, spritzgiessverfahren und spritzgiesskörper |
JPH09143347A (ja) | 1995-11-28 | 1997-06-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 液晶ポリエステル樹脂混合物およびそれを用いた成形方法 |
DE69623858T2 (de) | 1995-06-09 | 2003-08-07 | Sumitomo Chemical Co | Verwendung anorganischer Oxide oder Hydroxide in flüssigkristallinen Polyesterharzen |
US5962122A (en) | 1995-11-28 | 1999-10-05 | Hoechst Celanese Corporation | Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant |
JP3686718B2 (ja) | 1995-12-27 | 2005-08-24 | ポリプラスチックス株式会社 | 液晶性ポリマー組成物および成形体 |
EP0790279B2 (en) | 1996-02-19 | 2007-07-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Liquid crystal polyester resin composition |
JPH09297256A (ja) | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Toray Ind Inc | カメラ鏡筒及びその製造方法 |
TW515822B (en) | 1997-01-31 | 2003-01-01 | Toray Industries | Liquid-crystalline resin composition and precision moldings of the composition |
JPH1160927A (ja) | 1997-06-13 | 1999-03-05 | Nippon Petrochem Co Ltd | サーモトロピック液晶ポリマー組成物 |
JPH1180518A (ja) | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Shikoku Chem Corp | 光学式ピックアップパーツ用樹脂組成物 |
JPH1180517A (ja) | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Shikoku Chem Corp | 樹脂組成物 |
JP3493983B2 (ja) | 1997-11-18 | 2004-02-03 | 住友化学工業株式会社 | 液晶ポリエステル樹脂組成物、それを用いてなるシートもしくはフィルム、および該シートもしくはフィルムの製造方法 |
US6046300A (en) | 1997-12-26 | 2000-04-04 | Toray Industries, Inc. | Liquid-crystalline resin and thermoplastic resin composition |
US6294618B1 (en) | 1998-04-09 | 2001-09-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low viscosity liquid crystalline polymer compositions |
US6833405B1 (en) | 1998-07-31 | 2004-12-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions containing liquid crystalline polymers |
JP2000080289A (ja) | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Toray Ind Inc | 液晶性樹脂組成物 |
TW490478B (en) | 1998-11-12 | 2002-06-11 | Sumitomo Chemical Co | Liquid crystalline polyester resin for extrusion molding |
JP4118425B2 (ja) | 1998-12-18 | 2008-07-16 | ポリプラスチックス株式会社 | コネクター用液晶性ポリマー組成物およびコネクター |
US6379795B1 (en) | 1999-01-19 | 2002-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Injection moldable conductive aromatic thermoplastic liquid crystalline polymeric compositions |
JP2000273320A (ja) | 1999-03-19 | 2000-10-03 | Polyplastics Co | 光ピックアップ用液晶性ポリマー組成物および光ピックアップ |
JP2000273292A (ja) | 1999-03-19 | 2000-10-03 | Polyplastics Co | 光ピックアップ用液晶性ポリマー組成物および光ピックアップ |
JP2000281885A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Toray Ind Inc | 帯電防止用途向け液晶性樹脂組成物 |
FI991006A (fi) | 1999-05-03 | 2000-11-04 | Optatech Oy | Uudet nestekiteiset polymeerit |
JP4450902B2 (ja) | 1999-10-08 | 2010-04-14 | ポリプラスチックス株式会社 | 液晶性ポリマー組成物 |
JP2001172479A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | 液晶ポリエステル樹脂組成物およびその成形品 |
CN1193067C (zh) | 2000-01-13 | 2005-03-16 | 纳幕尔杜邦公司 | 含小粒度填料的液晶聚合物组合物 |
JP4636644B2 (ja) | 2000-01-17 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 電解質組成物、電気化学電池およびイオン性液晶モノマー |
JP2001207054A (ja) | 2000-01-24 | 2001-07-31 | Polyplastics Co | 液晶性ポリマー成形品 |
JP2001261946A (ja) | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Polyplastics Co | 液晶性ポリマー組成物および成形方法 |
US20020064701A1 (en) | 2000-09-11 | 2002-05-30 | Hand Doris I. | Conductive liquid crystalline polymer film and method of manufacture thereof |
JP2002118144A (ja) | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Sony Chem Corp | 接着剤及び電気装置 |
JP2002294038A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | 液晶ポリエステル樹脂組成物 |
JP4033678B2 (ja) | 2001-03-30 | 2008-01-16 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 液晶性イオン伝導体とその製造方法 |
TWI242027B (en) | 2001-06-28 | 2005-10-21 | Sumitomo Chemical Co | Liquid crystal polyester resin mixture |
JP3969171B2 (ja) | 2001-11-12 | 2007-09-05 | 住友化学株式会社 | 液晶性ポリエステルおよびその製造方法 |
JPWO2003062286A1 (ja) | 2002-01-22 | 2005-05-19 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 重合可能なイオン伝導性液晶性複合体と異方的イオン伝導性高分子液晶複合体並びにその製造方法 |
JP3922039B2 (ja) | 2002-02-15 | 2007-05-30 | 株式会社日立製作所 | 電磁波吸収材料及びそれを用いた各種製品 |
JP4019731B2 (ja) | 2002-02-25 | 2007-12-12 | 住友化学株式会社 | コネクター用液晶性ポリエステル樹脂組成物 |
CN1681878A (zh) | 2002-07-05 | 2005-10-12 | 德古萨公司 | 由聚合物和离子性液体形成的聚合物组合物 |
JP3834528B2 (ja) | 2002-07-11 | 2006-10-18 | ポリマテック株式会社 | 熱伝導性高分子成形体の製造方法 |
JP2004051852A (ja) | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性高分子成形体及びその製造方法 |
US20060014876A1 (en) | 2002-09-03 | 2006-01-19 | Solvay Advanced Polymers, Llc | Thermally conductive liquid crystalline polymer compositions and articles formed therefrom |
JP4223272B2 (ja) | 2002-12-04 | 2009-02-12 | ポリプラスチックス株式会社 | 導電性樹脂組成物 |
JP2004263162A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Japan Science & Technology Agency | 芳香族系導電性高分子液晶 |
CA2523546A1 (en) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Gregory R. Alms | Fast crystallizing polyester compositions |
WO2004104099A2 (en) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Polyester composition |
US7547403B2 (en) | 2003-07-02 | 2009-06-16 | Polyplastics Co., Ltd. | Electroconductive resin composition |
US8697817B2 (en) | 2003-09-04 | 2014-04-15 | Ticona Llc | Manufacturing process for liquid crystalline polymer |
US7276284B2 (en) | 2003-12-18 | 2007-10-02 | Sgl-Carbon Ag | Carbon fiber reinforced coke from the delayed coker |
JP4302508B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-07-29 | ポリプラスチックス株式会社 | 導電性樹脂組成物 |
US20050176835A1 (en) | 2004-01-12 | 2005-08-11 | Toshikazu Kobayashi | Thermally conductive thermoplastic resin compositions |
US20050191877A1 (en) | 2004-03-01 | 2005-09-01 | Peter Huang | Electrical connector |
WO2005085348A1 (en) | 2004-03-10 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Metal-coated resin molded article and production method therefor |
JP4016010B2 (ja) | 2004-03-26 | 2007-12-05 | 株式会社東芝 | リアルタイムスケジューリング可能性判定方法およびリアルタイムシステム |
JP4343223B2 (ja) | 2004-04-15 | 2009-10-14 | ポリプラスチックス株式会社 | 繊維状充填剤の長さが制御された樹脂組成物ペレットの製造方法 |
JP4664626B2 (ja) | 2004-07-05 | 2011-04-06 | ポリマテック株式会社 | イオン伝導性高分子電解質膜及びその製造方法 |
JP4463637B2 (ja) | 2004-07-30 | 2010-05-19 | ポリプラスチックス株式会社 | 液晶性ポリエステル樹脂組成物 |
JP2006045298A (ja) | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Ntn Corp | 液晶ポリエステル樹脂組成物 |
JP4665475B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-04-06 | 住友化学株式会社 | 芳香族液晶ポリエステルフィルム |
JP4498900B2 (ja) | 2004-11-29 | 2010-07-07 | ポリプラスチックス株式会社 | 信号読取装置用樹脂成形部品及びその成形方法 |
DE602005011393D1 (de) | 2004-12-22 | 2009-01-15 | Rohm & Haas Elect Mat | Optische Trockenfilme und Verfahren zur Herstellung optischer Vorrichtungen mit Trockenfilmen |
CN1828354A (zh) | 2005-03-04 | 2006-09-06 | 普立尔科技股份有限公司 | 照相机模块及其制备方法 |
US7438832B2 (en) | 2005-03-29 | 2008-10-21 | Eastman Kodak Company | Ionic liquid and electronically conductive polymer mixtures |
KR100608533B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2006-08-08 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 전기 전도성이 우수한 고분자 수지 및 그 제조방법 |
KR100702859B1 (ko) | 2005-05-27 | 2007-04-03 | 부산대학교 산학협력단 | 액정 물질을 포함하는 고체 전해질 및 이를 이용한염료감응형 태양전지 소자 |
US7825176B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-11-02 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | High flow polyester composition |
US20070057236A1 (en) | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Conductive resin composition and the use thereof |
CN1948393B (zh) | 2005-10-13 | 2011-12-21 | 宝理塑料株式会社 | 用于吹塑成型的液晶性树脂组合物 |
KR20080098031A (ko) | 2006-02-13 | 2008-11-06 | 폴리플라스틱스 가부시키가이샤 | 열가소성 수지 조성물 및 그 액정 디스플레이 부품 또는 정보 기록 매체 부품 |
US7931824B2 (en) | 2006-07-03 | 2011-04-26 | The Regents Of The University Of Colorado | Surfactants and polymerizable surfactants based on room-temperature ionic liquids that form lyotropic liquid crystal phases with water and room-temperature ionic liquids |
JP2008075079A (ja) | 2006-08-22 | 2008-04-03 | Japan Gore Tex Inc | 液晶ポリマー組成物の製造方法 |
TWI472574B (zh) | 2006-08-24 | 2015-02-11 | Polyplastics Co | 非對稱電子零件 |
JP5172279B2 (ja) | 2006-11-06 | 2013-03-27 | 上野製薬株式会社 | 液晶ポリマー組成物およびそれからなる成形品 |
JP5332188B2 (ja) | 2007-02-26 | 2013-11-06 | 住友化学株式会社 | 樹脂成形体及びその製造方法 |
JP5087958B2 (ja) | 2007-03-07 | 2012-12-05 | 東レ株式会社 | 液晶性樹脂組成物からなる成形品 |
SG147403A1 (en) | 2007-04-23 | 2008-11-28 | Ueno Fine Chemical Ind | Liquid crystalline polymer composition and molded article made of the same |
US8029694B2 (en) | 2007-04-24 | 2011-10-04 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thermally conductive and electrically resistive liquid crystalline polymer composition |
JP2009030015A (ja) | 2007-06-27 | 2009-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 液晶性ポリエステル組成物 |
US8300328B2 (en) | 2007-07-03 | 2012-10-30 | Optomecha Co., Ltd. | Lens unit composed of different materials and camera module and method for manufacturing the same |
EP2314644B1 (de) | 2007-08-24 | 2012-08-22 | EMS-Patent AG | Mit flachen Glasfasern verstärkte Hochtemperatur-Polyamidformmassen |
US8432484B2 (en) | 2007-10-31 | 2013-04-30 | STMicroelectronics (R&D) Ltd. | Camera modules |
JP2009155623A (ja) | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 液晶ポリエステル樹脂組成物及びその成形体 |
JP5018460B2 (ja) | 2007-12-26 | 2012-09-05 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | カーボンナノチューブ分散体及びそれを用いてなる樹脂組成物ならびに成形体 |
JP2009231269A (ja) | 2008-02-25 | 2009-10-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 反射板及び発光装置 |
JP5951168B2 (ja) | 2008-03-28 | 2016-07-13 | Jxエネルギー株式会社 | カメラモジュール用液晶ポリエステル樹脂組成物 |
JP5325442B2 (ja) | 2008-03-28 | 2013-10-23 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | カメラモジュール用液晶ポリエステル樹脂組成物 |
JP5951169B2 (ja) | 2008-03-28 | 2016-07-13 | Jxエネルギー株式会社 | カメラモジュール用液晶ポリエステル樹脂組成物 |
KR101591541B1 (ko) | 2008-03-28 | 2016-02-03 | 제이엑스 닛코닛세키에너지주식회사 | 카메라 모듈용 액정 폴리에스테르 수지 조성물 |
JP5165492B2 (ja) | 2008-05-23 | 2013-03-21 | ポリプラスチックス株式会社 | 平面状コネクター |
US20100012354A1 (en) | 2008-07-14 | 2010-01-21 | Logan Brook Hedin | Thermally conductive polymer based printed circuit board |
EP2147776A1 (de) | 2008-07-23 | 2010-01-27 | SGL Carbon SE | Verfahren zur Herstellung eines Fasergelege-verstärkten Verbundwerkstoffs, sowie Fasergelege-verstärkte Verbundwerkstoffe und deren Verwendung |
JP2010037364A (ja) | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Polyplastics Co | コネクター |
KR101639439B1 (ko) | 2008-12-25 | 2016-07-13 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 액정성 폴리에스테르 수지 조성물 및 이것을 사용한 커넥터 |
EP2379645B1 (en) * | 2009-01-16 | 2018-11-28 | DSM IP Assets B.V. | Polyamide films for flexible printed circuit boards |
JP5503915B2 (ja) | 2009-07-30 | 2014-05-28 | 住友化学株式会社 | 液晶ポリエステル組成物およびこれを用いた電子回路基板 |
JP5486889B2 (ja) | 2009-09-28 | 2014-05-07 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 液晶ポリエステル樹脂組成物 |
JP2011094116A (ja) | 2009-09-29 | 2011-05-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体および光ピックアップレンズホルダー |
KR101708927B1 (ko) | 2009-10-09 | 2017-02-21 | 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 | 내열성이 향상된 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드 및 그의 제조방법 |
KR101783477B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-09-29 | 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 | 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드, 상기 수지 컴파운드의 제조방법, 광픽업용 부품, 및 상기 부품의 제조방법 |
TW201132747A (en) | 2009-11-16 | 2011-10-01 | Sumitomo Chemical Co | Liquid crystalline polyester composition for connector and connector using the same |
KR101004428B1 (ko) | 2009-12-30 | 2010-12-28 | 주식회사 대림코퍼레이션 | 대전방지특성 또는 전기전도특성을 가지는 전방향족 폴리이미드 분말의 제조방법 |
JP2011157422A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 液晶ポリエステル組成物、その製造方法及びコネクター |
WO2011106252A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | Ticona Llc | Thermally conductive and dimensionally stable liquid crystalline polymer composition |
CN102071424B (zh) | 2010-02-26 | 2012-05-09 | 比亚迪股份有限公司 | 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品 |
JP5695389B2 (ja) | 2010-10-15 | 2015-04-01 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 液晶ポリエステル樹脂組成物及びカメラモジュール部品 |
KR101711214B1 (ko) | 2010-11-12 | 2017-02-28 | 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 | 반사체 및 이를 구비하는 발광장치 |
KR20120052647A (ko) | 2010-11-16 | 2012-05-24 | 삼성정밀화학 주식회사 | 유동성이 향상된 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드 |
JP5633338B2 (ja) | 2010-11-30 | 2014-12-03 | 住友化学株式会社 | 液晶ポリエステル組成物 |
JP5062381B2 (ja) | 2010-12-27 | 2012-10-31 | 東レ株式会社 | 全芳香族液晶ポリエステルおよびその製造方法 |
WO2012090410A1 (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 東レ株式会社 | 液晶性ポリエステル樹脂組成物及びその製造方法とそれからなる成形品 |
EP2540777B1 (en) | 2010-12-28 | 2014-10-01 | Toray Industries, Inc. | Liquid-crystalline polyester resin composition, method for producing same, and molded article made thereof |
TWI586750B (zh) | 2011-02-28 | 2017-06-11 | 住友化學股份有限公司 | 液晶聚酯組成物及其製造方法 |
WO2012117475A1 (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 東レ株式会社 | 液晶性ポリエステル樹脂組成物およびそれを用いた金属複合成形品 |
KR20120114048A (ko) | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 삼성정밀화학 주식회사 | 열전도성 고분자 복합소재 및 이를 포함하는 물품 |
US20120301647A1 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Phosphatized polyesters and coating compositions containing the same |
US20140128545A1 (en) | 2011-06-30 | 2014-05-08 | Dow Global Technologies Llc | Curable compositions |
JP5730704B2 (ja) | 2011-07-27 | 2015-06-10 | 上野製薬株式会社 | 液晶ポリマー組成物 |
JP2014525501A (ja) | 2011-08-29 | 2014-09-29 | ティコナ・エルエルシー | 高流動性液晶ポリマー組成物 |
WO2013032970A1 (en) | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Ticona Llc | Liquid crystalline polymer composition containing a fibrous filler |
WO2013032967A1 (en) | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Ticona Llc | Cast molded parts formed form a liquid crystalline polymer |
TW201319223A (zh) | 2011-08-29 | 2013-05-16 | Ticona Llc | 高流量液晶聚合物組合物 |
KR101773204B1 (ko) | 2011-10-31 | 2017-09-01 | 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 | 대전방지 특성을 갖는 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드 및 물품 |
WO2013066663A2 (en) | 2011-10-31 | 2013-05-10 | Ticona Llc | Thermoplastic composition for use in forming a laser direct structured substrate |
US8906259B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-12-09 | Ticona Llc | Naphthenic-rich liquid crystalline polymer composition with improved flammability performance |
TWI487726B (zh) | 2011-11-15 | 2015-06-11 | Ticona Llc | 用於具有小尺寸公差之模製部件之低環烷之液晶聚合物組合物 |
US8646994B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-02-11 | Ticona Llc | Compact camera module |
JP2014533325A (ja) | 2011-11-15 | 2014-12-11 | ティコナ・エルエルシー | 低ナフテン系液晶ポリマー組成物 |
WO2013074475A1 (en) | 2011-11-15 | 2013-05-23 | Ticona Llc | Liquid crystalline polymer composition for high voltage electronic components |
CN104040422B (zh) | 2012-02-29 | 2016-04-13 | 宝理塑料株式会社 | 照相机模块用液晶性树脂组合物 |
TWI464245B (zh) | 2012-06-27 | 2014-12-11 | Ticona Llc | 超低黏度之液晶聚合物組合物 |
WO2014062536A1 (en) | 2012-10-16 | 2014-04-24 | Ticona Llc | Antistatic liquid crystalline polymer composition |
US20140142571A1 (en) | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Ticona Llc | Liquid Crystalline Polymer Composition for Melt-Extruded Substrates |
US9355753B2 (en) * | 2012-12-05 | 2016-05-31 | Ticona Llc | Conductive liquid crystalline polymer composition |
KR102465221B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2022-11-09 | 티코나 엘엘씨 | 컴팩트 카메라 모듈 |
WO2015013129A1 (en) | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Rogers Corporation | Circuit materials, circuit laminates, and methods of manufacture thereof |
WO2015094805A1 (en) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Ticona Llc | Polyarylene sulfide composition for use in forming a laser direct structured substrate |
US20150274965A1 (en) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Ticona Llc | Laminate for a Printed Circuit Board |
CN106164172B (zh) | 2014-04-09 | 2019-07-26 | 提克纳有限责任公司 | 摄像模组 |
WO2016003588A1 (en) | 2014-07-01 | 2016-01-07 | Ticona Llc | Laser activatable polymer composition |
US9722145B2 (en) | 2015-06-24 | 2017-08-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Light emitting device and fluidic manufacture thereof |
CN107001937A (zh) | 2014-12-01 | 2017-08-01 | 提克纳有限责任公司 | 具有改善的阻燃性能的聚合物组合物 |
KR102625466B1 (ko) | 2015-06-29 | 2024-01-17 | 몰렉스 엘엘씨 | 애플리케이션 특정 전자기기 패키징 시스템, 방법 및 디바이스 |
US20170002137A1 (en) | 2015-07-02 | 2017-01-05 | Ticona Llc | Liquid Crystalline Polymer for Use in Melt-Extuded Articles |
US10407605B2 (en) | 2015-07-31 | 2019-09-10 | Ticona Llc | Thermally conductive polymer composition |
TWI708806B (zh) * | 2015-08-17 | 2020-11-01 | 美商堤康那責任有限公司 | 用於相機模組之液晶聚合物組合物 |
JP6774329B2 (ja) | 2016-12-28 | 2020-10-21 | 住友化学株式会社 | 液晶ポリエステル樹脂組成物 |
US10633535B2 (en) | 2017-02-06 | 2020-04-28 | Ticona Llc | Polyester polymer compositions |
KR102627886B1 (ko) | 2017-12-05 | 2024-01-19 | 티코나 엘엘씨 | 카메라 모듈에 사용하기 위한 방향족 중합체 조성물 |
KR20230165875A (ko) | 2017-12-05 | 2023-12-05 | 티코나 엘엘씨 | 액정 중합체 조성물 |
US11637365B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-04-25 | Ticona Llc | Polymer composition for use in an antenna system |
US20210054190A1 (en) | 2019-08-21 | 2021-02-25 | Ticona Llc | Polymer Composition For Laser Direct Structuring |
US11258184B2 (en) | 2019-08-21 | 2022-02-22 | Ticona Llc | Antenna system including a polymer composition having a low dissipation factor |
US11912817B2 (en) | 2019-09-10 | 2024-02-27 | Ticona Llc | Polymer composition for laser direct structuring |
EP4111834A4 (en) | 2020-02-26 | 2024-06-05 | Ticona LLC | CIRCUIT STRUCTURE |
CN115151414A (zh) | 2020-02-26 | 2022-10-04 | 提克纳有限责任公司 | 用于电子器件的聚合物组合物 |
WO2021173693A1 (en) | 2020-02-26 | 2021-09-02 | Ticona Llc | Electronic device |
US11728065B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-08-15 | Ticona Llc | Molded interconnect device |
US20220127499A1 (en) | 2020-10-26 | 2022-04-28 | Ticona Llc | Laminate Structure |
-
2021
- 2021-02-18 CN CN202180016983.6A patent/CN115151607A/zh active Pending
- 2021-02-18 EP EP21761090.6A patent/EP4110868A4/en active Pending
- 2021-02-18 WO PCT/US2021/018471 patent/WO2021173408A1/en unknown
- 2021-02-18 US US17/178,292 patent/US11715579B2/en active Active
- 2021-02-18 JP JP2022548112A patent/JP2023514820A/ja active Pending
- 2021-02-18 KR KR1020227033165A patent/KR20220146567A/ko unknown
- 2021-02-25 TW TW110106667A patent/TW202202570A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220146567A (ko) | 2022-11-01 |
US11715579B2 (en) | 2023-08-01 |
EP4110868A1 (en) | 2023-01-04 |
US20210265075A1 (en) | 2021-08-26 |
EP4110868A4 (en) | 2024-03-06 |
WO2021173408A1 (en) | 2021-09-02 |
TW202202570A (zh) | 2022-01-16 |
CN115151607A (zh) | 2022-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2023514820A (ja) | 電子デバイス | |
JP2023515975A (ja) | 電子デバイス | |
US11129312B2 (en) | Electronic module for use in an automotive vehicle | |
US20210075162A1 (en) | Electrical Connector Formed from a Polymer Composition having a Low Dielectric Constant and Dissipation Factor | |
US11466130B2 (en) | Fiber-reinforced polymer composition for use in an electronic module | |
JP2023514988A (ja) | 電子デバイス用ポリマー組成物 | |
US11084925B2 (en) | Thermally conductive polymer composition | |
JP2023515976A (ja) | 回路構造体 | |
US11728065B2 (en) | Molded interconnect device | |
JP2023551639A (ja) | パワーエレクトロニクスモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240116 |