JP2000331962A - 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 - Google Patents
半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材Info
- Publication number
- JP2000331962A JP2000331962A JP11136993A JP13699399A JP2000331962A JP 2000331962 A JP2000331962 A JP 2000331962A JP 11136993 A JP11136993 A JP 11136993A JP 13699399 A JP13699399 A JP 13699399A JP 2000331962 A JP2000331962 A JP 2000331962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- data carrier
- wafer
- information
- support member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Dicing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハの加工方法
は、データキャリアを備えた半導体ウエハ支持部材に回
路が形成されたウエハを固定する工程、ウエハの加工に
必要な情報をデータキャリアに入力する工程、および前
記情報をデータキャリアから読み取り、該情報に基づい
てウエハの加工を行う工程からなる。 【効果】 半導体ウエハ加工の工程管理に必要な情報
が、ウエハ支持部材に設けられたデータキャリアに記憶
されているので、ホストコンピュータの負担を軽減し、
工場間でウエハを移送する場合でも、ウエハとともに必
要な情報も一体で移送されるので情報管理が容易にな
る。さらに、裏面研削、ダイシングおよびピックアップ
の一連の工程を、ウエハ（チップ）が支持部材上に保持
されている同一形態で行いうるので工程管理が容易にな
り、また工程間の搬送を、ウエハが支持部材上に保持さ
れた形態で行えるので、搬送中のウエハの破損も防止で
きる。
は、データキャリアを備えた半導体ウエハ支持部材に回
路が形成されたウエハを固定する工程、ウエハの加工に
必要な情報をデータキャリアに入力する工程、および前
記情報をデータキャリアから読み取り、該情報に基づい
てウエハの加工を行う工程からなる。 【効果】 半導体ウエハ加工の工程管理に必要な情報
が、ウエハ支持部材に設けられたデータキャリアに記憶
されているので、ホストコンピュータの負担を軽減し、
工場間でウエハを移送する場合でも、ウエハとともに必
要な情報も一体で移送されるので情報管理が容易にな
る。さらに、裏面研削、ダイシングおよびピックアップ
の一連の工程を、ウエハ（チップ）が支持部材上に保持
されている同一形態で行いうるので工程管理が容易にな
り、また工程間の搬送を、ウエハが支持部材上に保持さ
れた形態で行えるので、搬送中のウエハの破損も防止で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの加
工方法およびこの方法に好適に用いられる半導体ウエハ
支持部材に関する。
工方法およびこの方法に好適に用いられる半導体ウエハ
支持部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造工程においては、多品
種・少ロット生産が増加する傾向にある。したがって、
一枚一枚のウエハ毎にその加工条件が異なるため、各品
種・各ロットに合わせた工程管理が必要となる。また、
ウエハ内に形成された個々の回路（チップ）毎に、優・
良・可・不可といった品質の良否に関する情報を管理す
る必要もある。
種・少ロット生産が増加する傾向にある。したがって、
一枚一枚のウエハ毎にその加工条件が異なるため、各品
種・各ロットに合わせた工程管理が必要となる。また、
ウエハ内に形成された個々の回路（チップ）毎に、優・
良・可・不可といった品質の良否に関する情報を管理す
る必要もある。
【０００３】このような工程管理、品質管理のために
は、いわゆるバーコード法が採用されている。バーコー
ド法では、ウエハの表面に刻印されているシリアルナン
バーをバーコードに転記し、そのバーコードラベルをウ
エハ支持部材に添付する。一方、そのウエハに関する種
々の情報を、当該シリアルナンバーに対応させてホスト
コンピュータに登録する。そして、半導体ウエハ加工の
各工程において、当該工程の管理に必要な情報を、シリ
アルナンバーに基づいて、ホストコンピュータから引き
出し必要な処理を行う。
は、いわゆるバーコード法が採用されている。バーコー
ド法では、ウエハの表面に刻印されているシリアルナン
バーをバーコードに転記し、そのバーコードラベルをウ
エハ支持部材に添付する。一方、そのウエハに関する種
々の情報を、当該シリアルナンバーに対応させてホスト
コンピュータに登録する。そして、半導体ウエハ加工の
各工程において、当該工程の管理に必要な情報を、シリ
アルナンバーに基づいて、ホストコンピュータから引き
出し必要な処理を行う。
【０００４】このようなバーコード法による半導体ウエ
ハ加工の工程管理法は、たとえば特開平４−１４６６４
９号公報、同９−７９７７号公報等にその詳細が記載さ
れている。上記のようなバーコード法では、情報を管理
するホストコンピュータでウエハに関するすべての情報
を管理する必要があり、ホストコンピュータの負担が大
きいという問題がある。また、通常は、ウエハの加工は
一つの工場ですべての工程が行われるわけではなく、あ
る工場から他の工場へ移送されて加工が続けられる。ウ
エハに関する情報はすべてホストコンピュータに登録さ
れているため、ウエハが移送された工場において、新た
にホストコンピュータにアクセスして必要な情報を引き
出すか、あるいはホストコンピュータに登録されている
情報を情報記録媒体に記憶させてウエハとともに移送
し、移送先の工場におけるホストコンピュータに再度ウ
エハに関する情報を登録する必要があり、工程管理が煩
雑になる。
ハ加工の工程管理法は、たとえば特開平４−１４６６４
９号公報、同９−７９７７号公報等にその詳細が記載さ
れている。上記のようなバーコード法では、情報を管理
するホストコンピュータでウエハに関するすべての情報
を管理する必要があり、ホストコンピュータの負担が大
きいという問題がある。また、通常は、ウエハの加工は
一つの工場ですべての工程が行われるわけではなく、あ
る工場から他の工場へ移送されて加工が続けられる。ウ
エハに関する情報はすべてホストコンピュータに登録さ
れているため、ウエハが移送された工場において、新た
にホストコンピュータにアクセスして必要な情報を引き
出すか、あるいはホストコンピュータに登録されている
情報を情報記録媒体に記憶させてウエハとともに移送
し、移送先の工場におけるホストコンピュータに再度ウ
エハに関する情報を登録する必要があり、工程管理が煩
雑になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来に鑑みてなされたものであり、ホストコンピュー
タの負担を軽減し、工場間でウエハを移送する場合で
も、情報管理が容易な半導体製造工程管理システムの構
築を目的とするものである。
な従来に鑑みてなされたものであり、ホストコンピュー
タの負担を軽減し、工場間でウエハを移送する場合で
も、情報管理が容易な半導体製造工程管理システムの構
築を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハの加工方法は、データキャリアを備えた半導体ウエハ
支持部材に、回路が形成されたウエハを固定する工程、
ウエハ加工に必要な情報をデータキャリアに入力する工
程、および前記情報をデータキャリアから読み取り、該
情報に基づいてウエハの加工を行う工程からなること特
徴としている。
ハの加工方法は、データキャリアを備えた半導体ウエハ
支持部材に、回路が形成されたウエハを固定する工程、
ウエハ加工に必要な情報をデータキャリアに入力する工
程、および前記情報をデータキャリアから読み取り、該
情報に基づいてウエハの加工を行う工程からなること特
徴としている。
【０００７】ここで前記加工を行う工程は、好ましく
は、半導体ウエハの裏面研削、半導体ウエハのダイシン
グおよびダイシングにより形成された半導体チップのピ
ックアップから選択される少なくとも一つの工程を含む
工程である。本発明に係る半導体ウエハ支持部材は、上
記の半導体ウエハの加工方法に好適に用いられるもので
あって、データキャリアを備えてなることを特徴として
いる。
は、半導体ウエハの裏面研削、半導体ウエハのダイシン
グおよびダイシングにより形成された半導体チップのピ
ックアップから選択される少なくとも一つの工程を含む
工程である。本発明に係る半導体ウエハ支持部材は、上
記の半導体ウエハの加工方法に好適に用いられるもので
あって、データキャリアを備えてなることを特徴として
いる。
【０００８】このような本発明の半導体ウエハ支持部材
としては、具体的には、データキャリアが硬質板上に固
定されてなる第１の半導体ウエハ支持部材、データキャ
リアが硬質板内に埋め込まれてなる第２の半導体ウエハ
支持部材、データキャリアが、リングフレームに固定さ
れてなる第３の半導体ウエハ支持部材、リングフレーム
と、リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着
シート上に貼着されたデータキャリアとからなる第４の
半導体ウエハ支持部材が挙げられる。
としては、具体的には、データキャリアが硬質板上に固
定されてなる第１の半導体ウエハ支持部材、データキャ
リアが硬質板内に埋め込まれてなる第２の半導体ウエハ
支持部材、データキャリアが、リングフレームに固定さ
れてなる第３の半導体ウエハ支持部材、リングフレーム
と、リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着
シート上に貼着されたデータキャリアとからなる第４の
半導体ウエハ支持部材が挙げられる。
【０００９】上記のデータキャリアには、支持される半
導体ウエハの状態、該ウエハ表面に形成された回路の良
否および該ウエハの加工工程の管理に必要なデータに関
する情報が記憶されてなることが好ましい。このような
本発明によれば、半導体ウエハ加工の工程管理に必要な
情報が、ウエハ支持部材に設けられたデータキャリアに
記憶されているので、ホストコンピュータの負担を軽減
し、工場間でウエハを移送する場合でも、ウエハととも
に必要な情報も一体で移送されるので情報管理が容易に
なる。
導体ウエハの状態、該ウエハ表面に形成された回路の良
否および該ウエハの加工工程の管理に必要なデータに関
する情報が記憶されてなることが好ましい。このような
本発明によれば、半導体ウエハ加工の工程管理に必要な
情報が、ウエハ支持部材に設けられたデータキャリアに
記憶されているので、ホストコンピュータの負担を軽減
し、工場間でウエハを移送する場合でも、ウエハととも
に必要な情報も一体で移送されるので情報管理が容易に
なる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明についてさらに具体的に説明する。本発明に係る半導
体ウエハの加工方法は、上述したように、(1)データキ
ャリアを備えた半導体ウエハ支持部材に、回路が形成さ
れたウエハを固定する工程（以下、「ウエハ固定工程
(1)」）、(2)ウエハ加工に必要な情報をデータキャリア
に入力する工程（以下、「情報入力工程(2)」）、およ
び(3)前記情報をデータキャリアから読み取り、該情報
に基づいてウエハの加工を行う工程（以下、「加工工程
(3)」）からなる。
明についてさらに具体的に説明する。本発明に係る半導
体ウエハの加工方法は、上述したように、(1)データキ
ャリアを備えた半導体ウエハ支持部材に、回路が形成さ
れたウエハを固定する工程（以下、「ウエハ固定工程
(1)」）、(2)ウエハ加工に必要な情報をデータキャリア
に入力する工程（以下、「情報入力工程(2)」）、およ
び(3)前記情報をデータキャリアから読み取り、該情報
に基づいてウエハの加工を行う工程（以下、「加工工程
(3)」）からなる。
【００１１】半導体ウエハとしては、従来より用いられ
ているシリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウ
エハなどが挙げられるが、これらに限定されず、種々の
半導体ウエハを用いることができる。ウエハ表面への回
路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来よ
り汎用されている方法を含む、様々な方法により行うこ
とができる。この際、ウエハ裏面に酸化物被膜が形成さ
れることがあるが、このような酸化物被膜は、後述する
ウエハ裏面の研削により除去される。
ているシリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウ
エハなどが挙げられるが、これらに限定されず、種々の
半導体ウエハを用いることができる。ウエハ表面への回
路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来よ
り汎用されている方法を含む、様々な方法により行うこ
とができる。この際、ウエハ裏面に酸化物被膜が形成さ
れることがあるが、このような酸化物被膜は、後述する
ウエハ裏面の研削により除去される。
【００１２】ウエハの固定工程(1)では、回路が形成さ
れた半導体ウエハを、本発明に係る半導体ウエハ支持部
材に固定する。この半導体ウエハ支持部材はデータキャ
リアを備えてなるものであり、その詳細については後述
する。ウエハを支持部材に固定する手段は特に限定はさ
れず、従来より用いられている種々の手段により行い得
る。後述する第１〜第２の半導体ウエハ支持部材に対し
ては、ワックス、両面粘着シートなどによりウエハを固
定できる。特に本発明においては、収縮性基材と該基材
の両面に形成された粘着剤層とからなる両面粘着シート
が好ましく用いられる。
れた半導体ウエハを、本発明に係る半導体ウエハ支持部
材に固定する。この半導体ウエハ支持部材はデータキャ
リアを備えてなるものであり、その詳細については後述
する。ウエハを支持部材に固定する手段は特に限定はさ
れず、従来より用いられている種々の手段により行い得
る。後述する第１〜第２の半導体ウエハ支持部材に対し
ては、ワックス、両面粘着シートなどによりウエハを固
定できる。特に本発明においては、収縮性基材と該基材
の両面に形成された粘着剤層とからなる両面粘着シート
が好ましく用いられる。
【００１３】収縮性基材としては、熱収縮性フィルムが
好ましく用いられる。具体的には、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩
化ビニルなどの一軸または二軸延伸フィルム等を例示す
ることができる。上記のような収縮性フィルムの厚さ
は、通常５〜３００μｍであり、好ましくは１０〜２０
０μｍである。
好ましく用いられる。具体的には、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩
化ビニルなどの一軸または二軸延伸フィルム等を例示す
ることができる。上記のような収縮性フィルムの厚さ
は、通常５〜３００μｍであり、好ましくは１０〜２０
０μｍである。
【００１４】また、収縮性フィルムは、上記した各種収
縮性フィルムの単層品であってもよく積層品であっても
よい。積層品である場合には、収縮率の異なるフィルム
同士の積層品であることが好ましい。収縮率の異なるフ
ィルム同士の積層品を基材として用いると、収縮後の基
材の変形がさらに促進される。基材の収縮に伴い粘着シ
ート自体も変形し、ウエハ（またはチップ）との接触面
積が減少する。この結果、ウエハ（またはチップ）との
接着力も減少するため、後述するチップのピックアップ
を容易に行うことができる。
縮性フィルムの単層品であってもよく積層品であっても
よい。積層品である場合には、収縮率の異なるフィルム
同士の積層品であることが好ましい。収縮率の異なるフ
ィルム同士の積層品を基材として用いると、収縮後の基
材の変形がさらに促進される。基材の収縮に伴い粘着シ
ート自体も変形し、ウエハ（またはチップ）との接触面
積が減少する。この結果、ウエハ（またはチップ）との
接着力も減少するため、後述するチップのピックアップ
を容易に行うことができる。
【００１５】さらに、基材として用いられる収縮性フィ
ルムには多数の微細な切込みが設けられていてもよい。
このような切込みを設けておくと、チップ毎のピックア
ップがさらに容易になる。本発明で用いることができる
両面粘着シートは、少なくとも一方または両方の粘着剤
層がエネルギー線硬化型粘着剤からなることが好まし
く、具体的には、ウエハが貼着される側の粘着剤層がエ
ネルギー線硬化型粘着剤からなることが望ましい。
ルムには多数の微細な切込みが設けられていてもよい。
このような切込みを設けておくと、チップ毎のピックア
ップがさらに容易になる。本発明で用いることができる
両面粘着シートは、少なくとも一方または両方の粘着剤
層がエネルギー線硬化型粘着剤からなることが好まし
く、具体的には、ウエハが貼着される側の粘着剤層がエ
ネルギー線硬化型粘着剤からなることが望ましい。
【００１６】エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的に
は、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物と
を主成分としてなる。このようなエネルギー線硬化型粘
着剤の詳細は、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公
報および特開昭６０−２２３１３９号公報等に記載され
ている。また、エネルギー線硬化型粘着剤層は、側鎖に
エネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重
合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー
線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを
兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基
を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特
開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公
報等にその詳細が記載されている。
は、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物と
を主成分としてなる。このようなエネルギー線硬化型粘
着剤の詳細は、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公
報および特開昭６０−２２３１３９号公報等に記載され
ている。また、エネルギー線硬化型粘着剤層は、側鎖に
エネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重
合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー
線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを
兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基
を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特
開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公
報等にその詳細が記載されている。
【００１７】上記のようなアクリル系エネルギー線硬化
型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハ（またはチ
ップ）に対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射
後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー
線照射前には、ウエハ（またはチップ）を充分な接着力
で保持するが、エネルギー線照射後には、接着力が減少
するため、得られたチップを容易に剥離することができ
る。
型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハ（またはチ
ップ）に対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射
後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー
線照射前には、ウエハ（またはチップ）を充分な接着力
で保持するが、エネルギー線照射後には、接着力が減少
するため、得られたチップを容易に剥離することができ
る。
【００１８】また、エネルギー線硬化型粘着剤層以外の
粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤により形成さ
れ得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるも
のではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコー
ン系、ポリウレタン系、ポリビニルエーテル等の再剥離
型の粘着剤が用いられる。しかしながら、本発明におい
ては、特に両面ともに、上述したエネルギー線硬化型粘
着剤からなることが好ましい。
粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤により形成さ
れ得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるも
のではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコー
ン系、ポリウレタン系、ポリビニルエーテル等の再剥離
型の粘着剤が用いられる。しかしながら、本発明におい
ては、特に両面ともに、上述したエネルギー線硬化型粘
着剤からなることが好ましい。
【００１９】粘着剤層の厚さは、その材質にもよるが、
通常は各々３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０
〜５０μｍ程度である。第３の半導体ウエハ支持部材に
対しては、リングフレームに張設された粘着シートによ
りウエハを固定することができる。このような粘着シー
トとしては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公
報、特開平８−２７２３９号公報等に記載された粘着シ
ートを用いることができる。
通常は各々３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０
〜５０μｍ程度である。第３の半導体ウエハ支持部材に
対しては、リングフレームに張設された粘着シートによ
りウエハを固定することができる。このような粘着シー
トとしては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公
報、特開平８−２７２３９号公報等に記載された粘着シ
ートを用いることができる。
【００２０】なお、後述する第４の半導体ウエハ支持部
材は、それ自体ウエハの固定手段である粘着シートを備
えている。粘着シートとしては、第３の半導体ウエハ支
持部材に用いたものと同じものを使用することができ
る。情報入力工程(2)では、半導体ウエハの状態および
個々の回路の良否に関する情報および工程管理に必要な
データに関する情報がデータキャリアに入力される。こ
こで、半導体ウエハの状態とは、たとえばウエハの厚
み、厚み精度、傷の有無などであり、これらの情報は、
後述のウエハ裏面の研削工程で利用することができる。
また、たとえば回路の数、大きさ、回路間の距離などの
情報は、後述のウエハのダイシング工程で利用すること
ができる。個々の回路の良否とは、具体的には、個々の
回路の駆動性、耐久性などであり、優・良・可・不可な
どのランク付けがされる。この情報は、後述の半導体チ
ップのピックアップ工程において利用することができ
る。たとえば優良チップについては、高級品あるいは厳
しい環境下で使用される製品等に搭載され、優良品では
ないが十分に駆動するチップは汎用品あるいは穏やかな
環境下で使用される製品等に搭載されるように、用途に
応じてチップの使い分けができるように、それぞれのチ
ップのランク付けが行われる。不良チップはピックアッ
プ工程で除外される。工程管理に必要なデータとは、た
とえば、裏面研削工程においては、研削量、研削速度、
最終的なウエハの厚み等に関する情報であり、ダイシン
グ工程においては、ダイシングブレードの種類、ダイシ
ング速度、ダイシングラインの間隔等に関する情報であ
る。またピックアップ工程においては、回路の良否と関
連付けられた、チップの搭載先に関する情報である。
材は、それ自体ウエハの固定手段である粘着シートを備
えている。粘着シートとしては、第３の半導体ウエハ支
持部材に用いたものと同じものを使用することができ
る。情報入力工程(2)では、半導体ウエハの状態および
個々の回路の良否に関する情報および工程管理に必要な
データに関する情報がデータキャリアに入力される。こ
こで、半導体ウエハの状態とは、たとえばウエハの厚
み、厚み精度、傷の有無などであり、これらの情報は、
後述のウエハ裏面の研削工程で利用することができる。
また、たとえば回路の数、大きさ、回路間の距離などの
情報は、後述のウエハのダイシング工程で利用すること
ができる。個々の回路の良否とは、具体的には、個々の
回路の駆動性、耐久性などであり、優・良・可・不可な
どのランク付けがされる。この情報は、後述の半導体チ
ップのピックアップ工程において利用することができ
る。たとえば優良チップについては、高級品あるいは厳
しい環境下で使用される製品等に搭載され、優良品では
ないが十分に駆動するチップは汎用品あるいは穏やかな
環境下で使用される製品等に搭載されるように、用途に
応じてチップの使い分けができるように、それぞれのチ
ップのランク付けが行われる。不良チップはピックアッ
プ工程で除外される。工程管理に必要なデータとは、た
とえば、裏面研削工程においては、研削量、研削速度、
最終的なウエハの厚み等に関する情報であり、ダイシン
グ工程においては、ダイシングブレードの種類、ダイシ
ング速度、ダイシングラインの間隔等に関する情報であ
る。またピックアップ工程においては、回路の良否と関
連付けられた、チップの搭載先に関する情報である。
【００２１】なお、上記ウエハ固定工程(1)および情報
入力工程(2)は、情報入力工程(2)、ウエハ固定工程(1)
の順で行ってもよい。さらに、工程の進展に伴って、逐
次、複数回にわたって情報入力工程(2)を行っても良
い。ウエハ加工工程(3)では、半導体ウエハの裏面研
削、半導体ウエハのダイシングおよびダイシングにより
形成された半導体チップのピックアップなど、回路が形
成されたウエハからチップを得るために必要なすべての
工程から選択される少なくとも１つの工程が行われる。
これらの工程を行うにあたり、前記情報が記録されたデ
ータキャリアから、それぞれの工程に必要な情報が引き
出される。
入力工程(2)は、情報入力工程(2)、ウエハ固定工程(1)
の順で行ってもよい。さらに、工程の進展に伴って、逐
次、複数回にわたって情報入力工程(2)を行っても良
い。ウエハ加工工程(3)では、半導体ウエハの裏面研
削、半導体ウエハのダイシングおよびダイシングにより
形成された半導体チップのピックアップなど、回路が形
成されたウエハからチップを得るために必要なすべての
工程から選択される少なくとも１つの工程が行われる。
これらの工程を行うにあたり、前記情報が記録されたデ
ータキャリアから、それぞれの工程に必要な情報が引き
出される。
【００２２】半導体ウエハの裏面研削工程は、回路形成
時においてウエハ裏面に形成される酸化物被膜を除去
し、ウエハの厚さを所定の厚さまで研削する工程であ
る。この際、上記データキャリアから、裏面研削前のウ
エハの厚み、厚み精度、傷の有無などウエハの状態に関
する情報および裏面研削時の研削量、研削速度、最終的
なウエハの厚み等の工程管理に必要なデータが呼び出さ
れる。裏面研磨は、たとえばグラインダー等の従来公知
の方法により行いうる。
時においてウエハ裏面に形成される酸化物被膜を除去
し、ウエハの厚さを所定の厚さまで研削する工程であ
る。この際、上記データキャリアから、裏面研削前のウ
エハの厚み、厚み精度、傷の有無などウエハの状態に関
する情報および裏面研削時の研削量、研削速度、最終的
なウエハの厚み等の工程管理に必要なデータが呼び出さ
れる。裏面研磨は、たとえばグラインダー等の従来公知
の方法により行いうる。
【００２３】半導体ウエハのダイシング工程は、ウエハ
を回路毎に切断して半導体チップを得る工程である。こ
の際、上記データキャリアから、ウエハ表面に形成され
た回路の数、大きさ、回路間の距離などの回路の形成状
態に関する情報およびダイシング時に用いるダイシング
ブレードの種類、ダイシング速度、ダイシングラインの
間隔等の工程管理に必要なデータが呼び出される。ウエ
ハのダイシングは従来より公知のダイシング装置により
行い得る。本発明の半導体ウエハの加工方法において
は、ダイシング時に、回路面が半導体ウエハ支持部材に
当接し、回路の状態を直接目視できない場合がある。し
かし、この場合でも、透明な半導体ウエハ支持部材を用
いれば、支持部材側から回路の形成状態を確認しながら
ダイシングを行うことができる。また、ウエハが極薄に
まで研削されていると、ウエハ裏面からも回路の形成状
態を確認できる場合があり、ダイシングに支障をきたす
ことはない。
を回路毎に切断して半導体チップを得る工程である。こ
の際、上記データキャリアから、ウエハ表面に形成され
た回路の数、大きさ、回路間の距離などの回路の形成状
態に関する情報およびダイシング時に用いるダイシング
ブレードの種類、ダイシング速度、ダイシングラインの
間隔等の工程管理に必要なデータが呼び出される。ウエ
ハのダイシングは従来より公知のダイシング装置により
行い得る。本発明の半導体ウエハの加工方法において
は、ダイシング時に、回路面が半導体ウエハ支持部材に
当接し、回路の状態を直接目視できない場合がある。し
かし、この場合でも、透明な半導体ウエハ支持部材を用
いれば、支持部材側から回路の形成状態を確認しながら
ダイシングを行うことができる。また、ウエハが極薄に
まで研削されていると、ウエハ裏面からも回路の形成状
態を確認できる場合があり、ダイシングに支障をきたす
ことはない。
【００２４】ダイシングにより形成された半導体チップ
のピックアップ工程は、半導体ウエハ支持部材からチッ
プを剥離し、リードフレーム等の所定の基台上に搭載す
る工程である。この際、上記データキャリアから、個々
の回路の駆動性、耐久性などの検査結果に基づく、優・
良・可・不可などのチップの良否に関する情報および回
路の良否と関連付けられた、チップの搭載先に関するデ
ータ等の工程管理に必要な情報が呼び出される。
のピックアップ工程は、半導体ウエハ支持部材からチッ
プを剥離し、リードフレーム等の所定の基台上に搭載す
る工程である。この際、上記データキャリアから、個々
の回路の駆動性、耐久性などの検査結果に基づく、優・
良・可・不可などのチップの良否に関する情報および回
路の良否と関連付けられた、チップの搭載先に関するデ
ータ等の工程管理に必要な情報が呼び出される。
【００２５】本発明に係る半導体ウエハの加工方法にお
いて、半導体ウエハを、半導体ウエハ支持部材に固定す
るために、収縮性基材と該基材の両面に形成された粘着
剤層とからなる両面粘着シートを用いた場合には、基材
を収縮させることで粘着シートが変形し、チップと粘着
剤層との接触面積が減少するため、チップのピックアッ
プを容易に行える。また、粘着剤層として、エネルギー
線硬化型粘着剤を用いた場合には、粘着剤層にエネルギ
ー線照射を行うことで、粘着剤層が硬化し、接着力が減
少するため、チップのピックアップがさらに容易にな
る。
いて、半導体ウエハを、半導体ウエハ支持部材に固定す
るために、収縮性基材と該基材の両面に形成された粘着
剤層とからなる両面粘着シートを用いた場合には、基材
を収縮させることで粘着シートが変形し、チップと粘着
剤層との接触面積が減少するため、チップのピックアッ
プを容易に行える。また、粘着剤層として、エネルギー
線硬化型粘着剤を用いた場合には、粘着剤層にエネルギ
ー線照射を行うことで、粘着剤層が硬化し、接着力が減
少するため、チップのピックアップがさらに容易にな
る。
【００２６】次に、本発明に係る半導体ウエハ支持部材
についてさらに具体的に説明する。本発明に係る半導体
ウエハ支持部材は、上記の半導体ウエハの加工方法に好
適に用いられるものであって、データキャリアを備えて
なることを特徴としている。ここで、データキャリアと
は、情報の記憶部を有する担体であり、情報の入力、書
き換えを行ったり、入力された情報について質問器から
の質問に対して応答を返信する装置を意味する。本発明
においては、電磁波を通信媒体として非接触で情報の入
力あるいは出力を行うことができる非接触データキャリ
アが好ましく用いられる。このような非接触データキャ
リアとしては、ＩＣチップと導電性コイルを接続してな
る、いわゆるＲＦメモリーがあげられる。
についてさらに具体的に説明する。本発明に係る半導体
ウエハ支持部材は、上記の半導体ウエハの加工方法に好
適に用いられるものであって、データキャリアを備えて
なることを特徴としている。ここで、データキャリアと
は、情報の記憶部を有する担体であり、情報の入力、書
き換えを行ったり、入力された情報について質問器から
の質問に対して応答を返信する装置を意味する。本発明
においては、電磁波を通信媒体として非接触で情報の入
力あるいは出力を行うことができる非接触データキャリ
アが好ましく用いられる。このような非接触データキャ
リアとしては、ＩＣチップと導電性コイルを接続してな
る、いわゆるＲＦメモリーがあげられる。
【００２７】このような本発明の半導体ウエハ支持部材
としては、具体的には、データキャリアが硬質板上に固
定されてなる第１の半導体ウエハ支持部材、データキャ
リアが硬質板内に埋め込まれてなる第２の半導体ウエハ
支持部材、データキャリアが、リングフレームに固定さ
れてなる第３の半導体ウエハ支持部材、リングフレーム
と、リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着
シート上に貼着されたデータキャリアとからなる第４の
半導体ウエハ支持部材が挙げられる。
としては、具体的には、データキャリアが硬質板上に固
定されてなる第１の半導体ウエハ支持部材、データキャ
リアが硬質板内に埋め込まれてなる第２の半導体ウエハ
支持部材、データキャリアが、リングフレームに固定さ
れてなる第３の半導体ウエハ支持部材、リングフレーム
と、リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着
シート上に貼着されたデータキャリアとからなる第４の
半導体ウエハ支持部材が挙げられる。
【００２８】また上記のデータキャリアには、上述した
ような支持される半導体ウエハの状態、該ウエハ表面に
形成された回路の良否および該ウエハの加工工程の管理
に必要なデータに関する情報が記憶されてなることが好
ましい。以下、これらの半導体ウエハ支持部材につい
て、図面を参照しながらさらに具体的に説明する。
ような支持される半導体ウエハの状態、該ウエハ表面に
形成された回路の良否および該ウエハの加工工程の管理
に必要なデータに関する情報が記憶されてなることが好
ましい。以下、これらの半導体ウエハ支持部材につい
て、図面を参照しながらさらに具体的に説明する。
【００２９】第１の半導体ウエハ支持部材１１は、図１
に示すように、データキャリア１が硬質板上２に固定さ
れてなる。硬質板２としては、たとえばガラス板、石英
板や、アクリル板、ポリ塩化ビニル板、ポリエチレンテ
レフタレート板、ポリプロピレン板、ポリカーボネート
板等のプラスチック板が使用できる。プラスチック板の
硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ８８３）は、好ましくは７０ＭＰ
ａ以上である。硬質板２の厚みは、その材質にもよる
が、通常は、０．１〜１０mm程度である。また前述した
ウエハの固定の際にエネルギー線硬化型粘着剤層を備え
た両面粘着シートを用い、エネルギー線として紫外線を
用いる場合には、硬質板２は、紫外線透過性の材質によ
り形成される。
に示すように、データキャリア１が硬質板上２に固定さ
れてなる。硬質板２としては、たとえばガラス板、石英
板や、アクリル板、ポリ塩化ビニル板、ポリエチレンテ
レフタレート板、ポリプロピレン板、ポリカーボネート
板等のプラスチック板が使用できる。プラスチック板の
硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ８８３）は、好ましくは７０ＭＰ
ａ以上である。硬質板２の厚みは、その材質にもよる
が、通常は、０．１〜１０mm程度である。また前述した
ウエハの固定の際にエネルギー線硬化型粘着剤層を備え
た両面粘着シートを用い、エネルギー線として紫外線を
用いる場合には、硬質板２は、紫外線透過性の材質によ
り形成される。
【００３０】硬質板２の形状は、特に限定はされず、円
形、方形、あるいは方形の一辺が半円となっている形状
等のいずれであってもよいが、支持されるウエハよりも
大きいことが必要である。ウエハは硬質板１１の中心部
に支持され、ウエハとデータキャリア１とが、重ね合わ
ないように、データキャリア１は、硬質板２の周縁部に
固定される。データキャリア１の固定手段は特に限定は
されず、接着剤や両面粘着テープ等の汎用手段により行
える。また、エッチング法やプリント法などにより、硬
質板２上に直接データキャリア１を形成することもでき
る。
形、方形、あるいは方形の一辺が半円となっている形状
等のいずれであってもよいが、支持されるウエハよりも
大きいことが必要である。ウエハは硬質板１１の中心部
に支持され、ウエハとデータキャリア１とが、重ね合わ
ないように、データキャリア１は、硬質板２の周縁部に
固定される。データキャリア１の固定手段は特に限定は
されず、接着剤や両面粘着テープ等の汎用手段により行
える。また、エッチング法やプリント法などにより、硬
質板２上に直接データキャリア１を形成することもでき
る。
【００３１】また、第１の半導体ウエハ支持部材１１に
おいては、データキャリア１上に保護シート３を貼着し
ておくことが好ましい。保護シートとしては、ポリエチ
レンフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムな
どの基材に粘着剤を塗布した粘着シートがあげられる。
保護シートの厚さは１０〜２００μm程度が好ましい。
また保護シートに代えて、エポキシ樹脂やウレタン樹脂
を用いて樹脂封止を行うこともできる。ウエハの裏面研
削時やダイシング時は、研削屑や研削熱の除去のため、
水を噴霧しながら行うが、保護シート３を貼着しておく
と、研削屑や水などからデータキャリアを保護すること
ができる。
おいては、データキャリア１上に保護シート３を貼着し
ておくことが好ましい。保護シートとしては、ポリエチ
レンフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムな
どの基材に粘着剤を塗布した粘着シートがあげられる。
保護シートの厚さは１０〜２００μm程度が好ましい。
また保護シートに代えて、エポキシ樹脂やウレタン樹脂
を用いて樹脂封止を行うこともできる。ウエハの裏面研
削時やダイシング時は、研削屑や研削熱の除去のため、
水を噴霧しながら行うが、保護シート３を貼着しておく
と、研削屑や水などからデータキャリアを保護すること
ができる。
【００３２】第２の半導体ウエハ支持部材１２は、図２
に示すように、データキャリア１が硬質板内２に埋め込
まれてなる。硬質板２としては上記と同様のものが用い
られる。図２に示す構成では、硬質板の周縁部の一部に
は、切欠部が設けられ、この切欠部内にデータキャリア
１が載置され、さらに樹脂４により封止される。また、
図３に示すように、硬質板２の側面に孔を開け、この孔
にデータキャリア１を挿入し、樹脂４により封止をして
半導体ウエハ支持部材１２を得ることもできる。
に示すように、データキャリア１が硬質板内２に埋め込
まれてなる。硬質板２としては上記と同様のものが用い
られる。図２に示す構成では、硬質板の周縁部の一部に
は、切欠部が設けられ、この切欠部内にデータキャリア
１が載置され、さらに樹脂４により封止される。また、
図３に示すように、硬質板２の側面に孔を開け、この孔
にデータキャリア１を挿入し、樹脂４により封止をして
半導体ウエハ支持部材１２を得ることもできる。
【００３３】さらに、図４に示すように、二枚の硬質板
２を、データキャリア１およびデータキャリア１の厚さ
と同一の直径を有するスペーサー５を介して積層し、周
縁部を樹脂４で封止することにより半導体ウエハ支持部
材１２を得ることもできる。また、第１および第２の半
導体ウエハ支持部材に、両面粘着テープを用いて半導体
ウエハ回路面が半導体ウエハ支持部材に当接するように
固定すれば、半導体ウエハの裏面研削、ダイシング、チ
ップのピックアップ工程を、支持部材に保持された同一
形態で行うことができる。
２を、データキャリア１およびデータキャリア１の厚さ
と同一の直径を有するスペーサー５を介して積層し、周
縁部を樹脂４で封止することにより半導体ウエハ支持部
材１２を得ることもできる。また、第１および第２の半
導体ウエハ支持部材に、両面粘着テープを用いて半導体
ウエハ回路面が半導体ウエハ支持部材に当接するように
固定すれば、半導体ウエハの裏面研削、ダイシング、チ
ップのピックアップ工程を、支持部材に保持された同一
形態で行うことができる。
【００３４】第３の半導体ウエハ支持部材１３は、図５
に示すように、データキャリア１が、リングフレーム６
に固定されてなる。第４の半導体ウエハ支持部材１４
は、図６に示すように、リングフレーム６と、リングフ
レーム６に張設された粘着シート７と、該粘着シート７
上に貼着されたデータキャリア１とからなる。
に示すように、データキャリア１が、リングフレーム６
に固定されてなる。第４の半導体ウエハ支持部材１４
は、図６に示すように、リングフレーム６と、リングフ
レーム６に張設された粘着シート７と、該粘着シート７
上に貼着されたデータキャリア１とからなる。
【００３５】なお、第３の半導体ウエハ支持部材１３お
よび第４の半導体ウエハ支持部材１４においても、前記
第１の半導体ウエハ支持部材１１と同様に、データキャ
リア１を保護するための保護シート３をデータキャリア
１に貼着しておいてもよく、データキャリア１を樹脂封
止してもよい。また、第４の半導体ウエハ支持部材１４
においてリングフレーム６に張設される粘着シート７と
しては、従来より半導体ウエハの加工に用いられてきた
粘着シートが特に制限なく用いられるが、本発明のおい
ては、特にエネルギー線硬化型粘着剤層を備えた粘着シ
ートが好ましく用いられる。このようなエネルギー線硬
化型粘着シートの詳細は、たとえば特開昭６０−１９６
９５６号公報、特開昭６０−２２３１３９号公報、特開
平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報
等に記載されている。
よび第４の半導体ウエハ支持部材１４においても、前記
第１の半導体ウエハ支持部材１１と同様に、データキャ
リア１を保護するための保護シート３をデータキャリア
１に貼着しておいてもよく、データキャリア１を樹脂封
止してもよい。また、第４の半導体ウエハ支持部材１４
においてリングフレーム６に張設される粘着シート７と
しては、従来より半導体ウエハの加工に用いられてきた
粘着シートが特に制限なく用いられるが、本発明のおい
ては、特にエネルギー線硬化型粘着剤層を備えた粘着シ
ートが好ましく用いられる。このようなエネルギー線硬
化型粘着シートの詳細は、たとえば特開昭６０−１９６
９５６号公報、特開昭６０−２２３１３９号公報、特開
平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報
等に記載されている。
【００３６】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、半導体ウエハ加工の工程管理に必要な情報が、ウエ
ハ支持部材に設けられたデータキャリアに記憶されてい
るので、ホストコンピュータの負担を軽減し、工場間で
ウエハを移送する場合でも、ウエハとともに必要な情報
も一体で移送されるので情報管理が容易になる。
ば、半導体ウエハ加工の工程管理に必要な情報が、ウエ
ハ支持部材に設けられたデータキャリアに記憶されてい
るので、ホストコンピュータの負担を軽減し、工場間で
ウエハを移送する場合でも、ウエハとともに必要な情報
も一体で移送されるので情報管理が容易になる。
【００３７】さらに、本発明では裏面研削、ダイシング
およびピックアップの一連の工程を、ウエハ（チップ）
が支持部材上に保持されている同一形態で行いうるので
工程管理が容易になり、また工程間の搬送を、ウエハが
支持部材上に保持された形態で行えるので、搬送中のウ
エハの破損も防止できる。
およびピックアップの一連の工程を、ウエハ（チップ）
が支持部材上に保持されている同一形態で行いうるので
工程管理が容易になり、また工程間の搬送を、ウエハが
支持部材上に保持された形態で行えるので、搬送中のウ
エハの破損も防止できる。
【００３８】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。データキ
ャリアおよびデータ入出力装置としては、以下のものを
用いた。 データキャリア：縦１cm、横３cm、厚さ５０μmのポリ
エチレンテレフタレートからなる基板に直径0.2mmの銅
線を用いて１０巻コイルを形成し、ＩＣチップMIFARE I
CS50（フィリップス社製）をコイルに接続してデータキ
ャリアを作成した。 質問器：MIFARE EV500（フィリップス社製）
明はこれら実施例に限定されるものではない。データキ
ャリアおよびデータ入出力装置としては、以下のものを
用いた。 データキャリア：縦１cm、横３cm、厚さ５０μmのポリ
エチレンテレフタレートからなる基板に直径0.2mmの銅
線を用いて１０巻コイルを形成し、ＩＣチップMIFARE I
CS50（フィリップス社製）をコイルに接続してデータキ
ャリアを作成した。 質問器：MIFARE EV500（フィリップス社製）
【００３９】
【実施例１】直径150mm、厚さ１mmのガラス板の縁部
に、データキャリアを両面粘着テープを用いて貼付し、
データキャリア表面に、厚さ25μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムにアクリル系粘着剤を塗布した保護
テープを貼着して、図１に示す半導体ウエハ支持部材を
作成し、回路が形成された厚さ700μm、５インチの半導
体ウエハを、厚さ25μmの熱収縮性ポリエチレンテレフ
タレート基材の両面に、アクリル系粘着剤１００重量部
とペンタエリスリトールトリアクリレート３０重量部と
1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン５重量部か
らなる厚さ15μmの紫外線硬化型粘着剤層を設けた両面
粘着テープを用いてガラス板に固定した。
に、データキャリアを両面粘着テープを用いて貼付し、
データキャリア表面に、厚さ25μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムにアクリル系粘着剤を塗布した保護
テープを貼着して、図１に示す半導体ウエハ支持部材を
作成し、回路が形成された厚さ700μm、５インチの半導
体ウエハを、厚さ25μmの熱収縮性ポリエチレンテレフ
タレート基材の両面に、アクリル系粘着剤１００重量部
とペンタエリスリトールトリアクリレート３０重量部と
1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン５重量部か
らなる厚さ15μmの紫外線硬化型粘着剤層を設けた両面
粘着テープを用いてガラス板に固定した。
【００４０】続いて、工程管理情報として、半導体ウエ
ハの仕上げ厚さ100μm、チップサイズ2mm×3mm、ダイシ
ングラインの間隔110μmを、質問器を用いてデータキャ
リアに入力した。裏面研削、ダイシングに必要な情報を
データキャリアから出力し、裏面研削およびダイシング
を行ったところ、工程管理情報に従ったウエハ加工を行
うことができた。
ハの仕上げ厚さ100μm、チップサイズ2mm×3mm、ダイシ
ングラインの間隔110μmを、質問器を用いてデータキャ
リアに入力した。裏面研削、ダイシングに必要な情報を
データキャリアから出力し、裏面研削およびダイシング
を行ったところ、工程管理情報に従ったウエハ加工を行
うことができた。
【００４１】次に、ダイシング後、個々のチップの電気
特性を検査し、個々のチップの駆動性と耐久性の情報を
データキャリアに入力した。次にガラス板側から紫外線
（照度160W/cm）を照射し、１００℃で加熱した後、デ
ータキャリアから、個々のチップの駆動性、耐久性の情
報を読み取りながらチップをピックアップしたところ、
該情報にしたがったピックアップを行うことができた。
特性を検査し、個々のチップの駆動性と耐久性の情報を
データキャリアに入力した。次にガラス板側から紫外線
（照度160W/cm）を照射し、１００℃で加熱した後、デ
ータキャリアから、個々のチップの駆動性、耐久性の情
報を読み取りながらチップをピックアップしたところ、
該情報にしたがったピックアップを行うことができた。
【００４２】
【実施例２】回路が形成された５インチの半導体ウエハ
を、実施例１と同様の紫外線硬化型粘着剤層をポリエチ
レンテレフタレート基材の片面に設けた粘着テープを用
いてポリカーボネート製のリングフレームに固定した。
次に、リングフレームに、データキャリアを貼付し、デ
ータキャリア表面に、保護テープを貼着した。
を、実施例１と同様の紫外線硬化型粘着剤層をポリエチ
レンテレフタレート基材の片面に設けた粘着テープを用
いてポリカーボネート製のリングフレームに固定した。
次に、リングフレームに、データキャリアを貼付し、デ
ータキャリア表面に、保護テープを貼着した。
【００４３】実施例１と同様の情報をデータ入出力装置
を用いてデータキャリアに入力した。ダイシングに必要
な情報をデータキャリアから出力し、ウエハをダイシン
グしたところ、該情報にしたがったダイシングを行うこ
とができた。
を用いてデータキャリアに入力した。ダイシングに必要
な情報をデータキャリアから出力し、ウエハをダイシン
グしたところ、該情報にしたがったダイシングを行うこ
とができた。
【図１】本発明に係る第１の半導体ウエハ支持部材の断
面図を示す。
面図を示す。
【図２】本発明に係る第２の半導体ウエハ支持部材の断
面図を示す。
面図を示す。
【図３】本発明に係る第２の半導体ウエハ支持部材の変
形例の断面図を示す。
形例の断面図を示す。
【図４】本発明に係る第２の半導体ウエハ支持部材の変
形例の断面図を示す。
形例の断面図を示す。
【図５】本発明に係る第３の半導体ウエハ支持部材の斜
視図および断面図を示す。
視図および断面図を示す。
【図６】本発明に係る第４の半導体ウエハ支持部材の変
斜視図および断面図を示す。
斜視図および断面図を示す。
１…データキャリア ２…硬質板 ３…保護シート ４…封止樹脂 ５…スペーサー ６…リングフレーム ７…粘着シート １１…第１の半導体ウエハ支持部材 １２…第２の半導体ウエハ支持部材 １３…第３の半導体ウエハ支持部材 １４…第４の半導体ウエハ支持部材
Claims (8)
- 【請求項１】 データキャリアを備えた半導体ウエハ支
持部材に、回路が形成されたウエハを固定する工程、 ウエハの加工に必要な情報をデータキャリアに入力する
工程、および前記情報をデータキャリアから読み取り、
該情報に基づいてウエハの加工を行う工程からなること
特徴とする半導体ウエハの加工方法。 - 【請求項２】 前記加工を行う工程が、半導体ウエハの
裏面研削、半導体ウエハのダイシングおよびダイシング
により形成された半導体チップのピックアップから選択
される少なくとも一つの工程であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体ウエハの加工方法。 - 【請求項３】 データキャリアを備えた半導体ウエハ支
持部材。 - 【請求項４】 データキャリアが硬質板上に固定されて
なる請求項３に記載の半導体ウエハ支持部材。 - 【請求項５】 データキャリアが硬質板内に埋め込まれ
てなる請求項３に記載の半導体ウエハ支持部材。 - 【請求項６】 データキャリアが、リングフレームに固
定されてなる請求項３に記載の半導体ウエハ支持部材。 - 【請求項７】 リングフレームと、リングフレームに張
設された粘着シートと、該粘着シート上に貼着されたデ
ータキャリアとからなる請求項３に記載の半導体ウエハ
支持部材。 - 【請求項８】 支持される半導体ウエハの状態、該ウエ
ハ表面に形成された回路の良否および該ウエハの加工工
程の管理に必要なデータに関する情報がデータキャリア
に記憶されてなることを特徴とする請求項３〜７の何れ
かに記載の半導体ウエハ支持部材。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11136993A JP2000331962A (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 |
| DE10023758A DE10023758A1 (de) | 1999-05-18 | 2000-05-15 | Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers und Halbleiterwafer-Tragelement |
| US09/573,463 US6718223B1 (en) | 1999-05-18 | 2000-05-17 | Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member |
| SG200002731A SG100617A1 (en) | 1999-05-18 | 2000-05-17 | Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member |
| TW089109405A TW504729B (en) | 1999-05-18 | 2000-05-17 | Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member |
| MYPI20002167A MY123518A (en) | 1999-05-18 | 2000-05-17 | Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member |
| KR1020000026304A KR100637569B1 (ko) | 1999-05-18 | 2000-05-17 | 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 반도체 웨이퍼의 지지부재 |
| GB0012077A GB2351606B (en) | 1999-05-18 | 2000-05-18 | Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11136993A JP2000331962A (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008155392A Division JP2008293508A (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331962A true JP2000331962A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15188287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11136993A Pending JP2000331962A (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6718223B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000331962A (ja) |
| KR (1) | KR100637569B1 (ja) |
| DE (1) | DE10023758A1 (ja) |
| GB (1) | GB2351606B (ja) |
| MY (1) | MY123518A (ja) |
| SG (1) | SG100617A1 (ja) |
| TW (1) | TW504729B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190457A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Fdk Corp | 方向性を有する素子の作製・取扱方法 |
| JP2005236032A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Lintec Corp | 保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
| KR100637569B1 (ko) * | 1999-05-18 | 2006-10-20 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 반도체 웨이퍼의 지지부재 |
| JP2007048885A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハのダイシング用フレーム |
| WO2007086529A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Jsr Corporation | 化学機械研磨パッドおよびその製造方法 |
| JP2009076892A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ウエハ固定用治具 |
| JP2012094150A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Beta Layout Gmbh | 集積ｒｆｉｄマイクロチップを備える回路基板 |
| US8392011B2 (en) | 2005-06-29 | 2013-03-05 | Lintec Corporation | Semiconductor wafer processing tape winding body, semiconductor wafer processing tape sticking apparatus and semiconductor wafer processing apparatus that use the semiconductor wafer processing tape winding body |
| JP2015041747A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハユニットの処理方法 |
| JP2017050330A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | リンテック株式会社 | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
| JP7442938B2 (ja) | 2020-06-05 | 2024-03-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法、及び加工装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG120887A1 (en) * | 2001-12-03 | 2006-04-26 | Disco Corp | Method of processing a semiconductor wafer and substrate for semiconductor wafers used in the same |
| US8649895B2 (en) * | 2005-04-19 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Managing method of building material and wireless chip applied to the method |
| EP1873812A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-02 | Axalto SA | Wafer frame |
| US8282754B2 (en) | 2007-04-05 | 2012-10-09 | Avery Dennison Corporation | Pressure sensitive shrink label |
| CN101679818A (zh) | 2007-04-05 | 2010-03-24 | 艾利丹尼森公司 | 压敏收缩标签 |
| TW200842093A (en) * | 2007-04-27 | 2008-11-01 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | Photomask tracking system and method |
| US8388410B2 (en) * | 2007-11-05 | 2013-03-05 | P.R. Hoffman Machine Products, Inc. | RFID-containing carriers used for silicon wafer quality |
| JP5695304B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2015-04-01 | 東京応化工業株式会社 | サポートプレート及びその製造方法、基板処理方法 |
| EP2752368A1 (en) | 2010-01-28 | 2014-07-09 | Avery Dennison Corporation | Label applicator belt system |
| CN103107116B (zh) * | 2011-11-10 | 2015-08-26 | 英稳达科技股份有限公司 | 太阳能晶片载具 |
| CN103681418A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 昆山英博尔电子科技有限公司 | 一种十二寸晶圆框架 |
| JP2022020255A (ja) * | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 株式会社ディスコ | 被加工物の管理方法及びシート切断装置 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3029939A1 (de) * | 1980-08-07 | 1982-03-25 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Ausweiskarte mit ic-baustein und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE3234345A1 (de) * | 1982-09-16 | 1984-03-22 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Kodiersystem zur erfassung von informationen an werkstuecktraegern und dergleichen |
| JPH0616524B2 (ja) | 1984-03-12 | 1994-03-02 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
| JPS60223139A (ja) | 1984-04-18 | 1985-11-07 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
| US5166884A (en) * | 1984-12-24 | 1992-11-24 | Asyst Technologies, Inc. | Intelligent system for processing and storing articles |
| JPS61260619A (ja) | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hitachi Ltd | 工程進行管理用ウエハキヤリア治具 |
| JPH0269958A (ja) | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Nec Corp | 半導体ウエーハ用ホルダ |
| JPH0487349A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Toshiba Corp | 半導体素子の選別方法及びその装置 |
| JPH04146649A (ja) | 1990-10-08 | 1992-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体チップの製造方法及びその装置 |
| US5570293A (en) * | 1990-11-29 | 1996-10-29 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method and device for manufacturing a semiconductor chip |
| US5668056A (en) * | 1990-12-17 | 1997-09-16 | United Microelectronics Corporation | Single semiconductor wafer transfer method and manufacturing system |
| JP2601956B2 (ja) | 1991-07-31 | 1997-04-23 | リンテック株式会社 | 再剥離型粘着性ポリマー |
| JP3216205B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-10-09 | 神鋼電機株式会社 | 半導体製造システムにおけるｉｄ認識装置 |
| US5787174A (en) * | 1992-06-17 | 1998-07-28 | Micron Technology, Inc. | Remote identification of integrated circuit |
| DE4326816A1 (de) * | 1993-08-10 | 1995-02-16 | Giesecke & Devrient Gmbh | Elektronisches Modul für Karten und Herstellung eines solchen Moduls |
| JPH07279782A (ja) | 1994-03-31 | 1995-10-27 | Yuji Hara | 液体燃料の活性化装置及び方法。 |
| JP2984549B2 (ja) | 1994-07-12 | 1999-11-29 | リンテック株式会社 | エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法 |
| JPH097977A (ja) | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング装置及びダイシングシステム |
| US6056199A (en) * | 1995-09-25 | 2000-05-02 | Intermec Ip Corporation | Method and apparatus for storing and reading data |
| US6078845A (en) * | 1996-11-25 | 2000-06-20 | Schlumberger Technologies, Inc. | Apparatus for carrying semiconductor devices |
| JPH1126333A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその情報管理システム |
| KR100253301B1 (ko) * | 1997-07-18 | 2000-06-01 | 김영환 | 웨이퍼 맵핑장치 |
| US6393045B1 (en) * | 1997-09-26 | 2002-05-21 | Wherenet Corp. | Spread spectrum baseband modulation of magnetic fields for communications and proximity sensing |
| US5888838A (en) * | 1998-06-04 | 1999-03-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for preventing chip breakage during semiconductor manufacturing using wafer grinding striation information |
| WO2000002236A2 (en) * | 1998-07-07 | 2000-01-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Radio frequency identification system and method for tracking silicon wafers |
| US6147604A (en) * | 1998-10-15 | 2000-11-14 | Intermec Ip Corporation | Wireless memory device |
| US6404643B1 (en) * | 1998-10-15 | 2002-06-11 | Amerasia International Technology, Inc. | Article having an embedded electronic device, and method of making same |
| JP2000331962A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Lintec Corp | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 |
-
1999
- 1999-05-18 JP JP11136993A patent/JP2000331962A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-15 DE DE10023758A patent/DE10023758A1/de not_active Withdrawn
- 2000-05-17 SG SG200002731A patent/SG100617A1/en unknown
- 2000-05-17 TW TW089109405A patent/TW504729B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-17 MY MYPI20002167A patent/MY123518A/en unknown
- 2000-05-17 US US09/573,463 patent/US6718223B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-17 KR KR1020000026304A patent/KR100637569B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-05-18 GB GB0012077A patent/GB2351606B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100637569B1 (ko) * | 1999-05-18 | 2006-10-20 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 반도체 웨이퍼의 지지부재 |
| JP2002190457A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Fdk Corp | 方向性を有する素子の作製・取扱方法 |
| JP2005236032A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Lintec Corp | 保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
| JP4558345B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2010-10-06 | リンテック株式会社 | 保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
| DE102006029961B4 (de) | 2005-06-29 | 2022-02-17 | Lintec Corp. | Wicklungskörper mit einem Bearbeitungsband für einen Halbleiterwafer und Vorrichtung zum Ankleben eines Bearbeitungsbandes an einen Halbleiterwafer, welche den Wicklungskörper mit dem Bearbeitungsband für den Halbleiterwafer verwendet |
| US8392011B2 (en) | 2005-06-29 | 2013-03-05 | Lintec Corporation | Semiconductor wafer processing tape winding body, semiconductor wafer processing tape sticking apparatus and semiconductor wafer processing apparatus that use the semiconductor wafer processing tape winding body |
| JP4726571B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2011-07-20 | 信越ポリマー株式会社 | 半導体ウェーハのダイシング用フレーム |
| JP2007048885A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハのダイシング用フレーム |
| JPWO2007086529A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2009-06-25 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨パッドおよびその製造方法 |
| WO2007086529A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Jsr Corporation | 化学機械研磨パッドおよびその製造方法 |
| JP2009076892A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ウエハ固定用治具 |
| JP2012094150A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Beta Layout Gmbh | 集積ｒｆｉｄマイクロチップを備える回路基板 |
| JP2015041747A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハユニットの処理方法 |
| JP2017050330A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | リンテック株式会社 | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
| JP7442938B2 (ja) | 2020-06-05 | 2024-03-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法、及び加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000077293A (ko) | 2000-12-26 |
| MY123518A (en) | 2006-05-31 |
| KR100637569B1 (ko) | 2006-10-20 |
| US6718223B1 (en) | 2004-04-06 |
| SG100617A1 (en) | 2003-12-26 |
| DE10023758A1 (de) | 2001-01-25 |
| GB0012077D0 (en) | 2000-07-12 |
| GB2351606A (en) | 2001-01-03 |
| TW504729B (en) | 2002-10-01 |
| GB2351606B (en) | 2004-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000331962A (ja) | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 | |
| KR100882557B1 (ko) | 판형물 지지 방법 | |
| US5476566A (en) | Method for thinning a semiconductor wafer | |
| KR100520333B1 (ko) | 칩의제조방법및그제조를위한점착시트 | |
| JP4879702B2 (ja) | ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法 | |
| EP1316111B1 (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
| JP2000129227A (ja) | 半導体ウエハ保護用粘着シートおよびその使用方法 | |
| US6777310B2 (en) | Method of fabricating semiconductor devices on a semiconductor wafer using a carrier plate during grinding and dicing steps | |
| JP4312419B2 (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
| JP3441382B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001217212A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| US11725120B2 (en) | Carrier tape system and methods of making and using the same | |
| JPH11307488A (ja) | 半導体装置、その製造方法、加工ガイドおよびその加工装置 | |
| JP2005048039A (ja) | 半導体ウエハ面保護用粘着テープ | |
| JP4271409B2 (ja) | 脆質材料の加工方法 | |
| JP2008293508A (ja) | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 | |
| EP1316992B1 (en) | Method for processing a semiconductor wafer using a laminate substrate as a support for said semiconductor wafer | |
| CN102163542A (zh) | 薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片 | |
| JP3468676B2 (ja) | チップ体の製造方法 | |
| US20100148312A1 (en) | Reinforced smart cards & methods of making same | |
| JP2002270560A (ja) | ウエハの加工方法 | |
| JP2000063773A (ja) | 粘着シートおよびその使用方法 | |
| JP2007324245A (ja) | 半導体装置の製造方法およびその輸送容器 | |
| JPH0878508A (ja) | ウェーハ保持プレート | |
| JP2007129032A (ja) | 半導体ウェーハの処理用治具及び半導体ウェーハの処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080118 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080415 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080613 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080619 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080613 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080711 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090724 |