JPH0487349A - 半導体素子の選別方法及びその装置 - Google Patents

半導体素子の選別方法及びその装置

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JPH0487349A
JPH0487349A JP20127390A JP20127390A JPH0487349A JP H0487349 A JPH0487349 A JP H0487349A JP 20127390 A JP20127390 A JP 20127390A JP 20127390 A JP20127390 A JP 20127390A JP H0487349 A JPH0487349 A JP H0487349A
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JP
Japan
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wafer
sorting
semiconductor
inspection
semiconductor element
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JP20127390A
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English (en)
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Tatsuro Mihashi
龍郎 三橋
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体素子の選別方法及びその装置に関する
(従来の技#i) 従来の半導体素子の選別方法の工程図を示す第5図にお
いて、前工程から送られたてきた図示しない半導体ウェ
ーハ(以下、ウェーハという)は、まず、ダイソート工
程32でウェーハの各半導体素子の電極に順に図示しな
いプローブが接触されて、電気的検査が行なわれ、不良
と判断された半導体素子には、インクやレーザマーカな
どで0.3〜llff11程度の円形のマークが付与さ
れ、インクのときには黒や赤色で捺印されて次のダイジ
ング工程23に送られる。
このダイジング工程23では、ウェーハは基板の目のよ
うに縦横に切断されて、各半導体素子毎に分離可能な状
態にして次の選別・実装工程33に送られる。
すると、この選別実装工程33では、まず、各半導体素
子の位置を検出した後に、上述のダイソート工程で捺印
された不良マークを認識カメラで検出し、画像処理装置
で処理して、良品を選別する選別工程34を経て次工程
のダイボンディング装置などへ供給する。
(発明が解決しようとする課題) ところが、このような工程で半導体素子の良否を選別す
る半導体素子の選別方法及びそその装置においては、選
別・実装工程33に認識カメラや画像処理装置が要るの
で、選別・実装工程33の設備が大形となるだけでなく
1選別工程34に要する時間のために、ダイボンディン
グ装置へ供給する良品の半導体素子が間に合わなくなっ
て、ダイボンディング装置の稼動率が低下するおそれも
ある。
そこで1本発明の目的は、実装工程において高速且つ容
易に半導体素子の良否を選別でき、ダイボンディング装
置の稼動率の低下を防ぐことのできる半導体素子の選別
方法及びその装置を得ることである。
〔発明の構成〕
(111題を解決するための手段と作用)本発明の一つ
は、前工程から送られてきた半導体ウェーハを検査する
検査工程と、この検査工程で検査された半導体ウェーハ
を半導体素子に切断する切断工程と、この切断工程で切
断された半導体素子を選別して良品を次工程へ送る選別
工程でなる半導体素子の選別方法において、検査工程で
得た半導体素子の良否の情報を選別工程に転送して選別
することで、実装工程において高速且つ容易に半導体素
子の良否の選別を行なうことのできる半導体素子の選別
方法であり、 本発明の他の一つは、前工程から搬送されウェーハリン
グに載置された半導体ウェーハを検査し、切断後の半導
体素子を選別して次工程へ送る半導体素子の選別装置に
おいて、ウェーハリングにバーコードを設け、検査デー
タを選別装置に転送する転送手段を設けることで、実装
工程における半導体素子の良否の選別を高速且つ容易に
した半導体素子の選別装置である。
(実施例) 以下、本発明の半導体素子の選別方法及びその装置の一
実施例を図面を参照して説明する。但し、第5図と重複
する部分は省く。
第1図は、本発明の半導体素子の選別方法及びその装置
の工程図、第2図は本発明の半導体素子の選別方法及び
その装置の半導体ウェーハリングを示す図、第3図は本
発明の半導体素子の選別方法及びその装置の検査装置を
示す斜視図、第4図は本発明の半導体素子の選別方法及
びその装置の選別装置を示す斜視図である。
第1〜2図において、前工程から搬送されウェーハリン
グ2の上面の粘着シート3の上面中央に載置されたウェ
ーハ1は、まず、第2図に示すように、ウェーハリング
2の一側に各ウェーハ1を判別するためのバーコード4
が付与されて、ダイソート工程32では、このバーコー
ド4の番号と、ウェーハ1の各半導体素子の良、不良の
検査結果と、ウェーハ1の位置決めピン5,6に対する
位置が後述する制御装置を介して後述するフロッピィデ
ィスクに書き込まれる。
次に、選別・実装工程26では、後述する取り出しユニ
ットのウェーハステージの上方に突き出たバーコード読
取装置で、取り出しユニットに供給されたウェーハのバ
ーコード番号を読み出し、ダイソート工程22で捺印さ
れた半導体素子の良、不良の判別をして、良品だけを次
工程の実装工程25に送る。
このような工程の半導体素子の選別方法においては、実
装工程25の前の選別工程24において、認識カメラや
画像処理装置による良否の判定工程を省くことができる
ので、高速且つ容易に実装工程における半導体素子の良
否の選別を行なうことのできる半導体素子の選別方法と
なる。
一方、第3図の検査装置において、X−Yテーブル8A
の側面には、X、Y方向にX−Yテーブル8Aを駆動す
る駆動モータIIA、12Aが設けられ、このX−Yテ
ーブル8Aの上面には、同図左手前方向から見て逆り形
、上方から見て略鍵穴状のウェーハステージ7Aの下端
が固定され、このウェーハステージ7Aの上面には位置
決めピン5゜6が設けられ、更にウェーハ1が載置され
たウェーハリング2が位置決めピン5,6に係合して載
置されている。
更に、ウェーハリング7Aの上方には、先端がL形に曲
ったダイ検査用のプローブヘッド15が、今、伸びてい
て、このプローブヘッド15の基端の出力信号線は別置
の制御装置13Aに接続されている。また、ウェーハリ
ング7Aの左端上面には。
バーコード読取装置9が検査面を下にして間隙を設けて
図示しないアームの先端に取付られて突出し、その出力
信号線は同じく制御装置13Aに接続されている。
また、プローブヘッド15の更に上方には、ウェーハ位
置検出カメラ16が設けられて、その出力信号線も制御
装置13Aに接続され、上述の駆動モータIIA、12
Aの入力側も制御装置13Aに接続され、この制御装置
13Aにはフロッピィディスクユニット14Aが接続さ
れている。
このように構成された半導体選別装置の検査装置におい
て、今、前工程から搬送されウェーハリング2に載置さ
れたウェーハを検査するときには、まず、ウェーハリン
グ2をウェーハステージ7Aの所定の位置に位置決めピ
ン5,6を介して位置決め載置する。
次に、バーコード読取装置9でウェーハリング2の上面
に設けられたバーコード4を読み取り、制御装置13A
を介してフロッピィディスクユニット14Aに送ってフ
ロッピィディスクに書き込む。
次いで、ウェーハ位置検出カメラ16でウェーハ1の位
置を検出して、制御装置13Aを介して駆動モータII
A、12Aを駆動し図示しないθ軸も駆動して、ウェー
ハ1の位置をプローブ15に対して所定の位置に補正す
るとともに5その位置を制御装[13Aを介してフロッ
ピィディスクユニット14Aに送ってフロッピィディス
クに書き込む。
次に、ウェーハ1の各半導体素子の電極にプローブ15
の先端を当てて接触させて検査を行なう。
その結果は、制御装置13Aで判断させて、その判断結
果はフロッピィディスクユニット14Aに送ってフロッ
ピィディスクに書き込む。
一方、第4図の選別装置においては、ウェーハステージ
7Bの上方には、詳細省略したダイピックアップユニッ
ト10のアーム部が旋回自在に設けられていて、第1図
のダイソート工程22で切断されたウェーハ1が、ウェ
ーハリング2とともにウェーハステージ7Bの上面に位
置決め載置されている。
この選別装置においても、第3図と同様に、バーコード
読取装置9で第2図で示すバーコード4を先ず読み取っ
て、制御装置13Bを経てフロッピィディスクユニット
14Bに転送入力された該当ウェーハ番号の検査データ
などを読み出す制御装置13Bの記憶部に転送する。す
ると、制御装置13Bでは、そのデータに従って駆動モ
ータIIB、12Bを動かして、ダイピックアップユニ
ット10の先端の把持部の旋回把持位置に良品の半導体
素子が順に移動され、ダイピックアップユニット10が
駆動されて、順に次工程の図示しないダイボンディング
装置のボンディング部に供給される。
なお、上記実施例において、検査工程での検査結果の記
憶媒体は、フロッピィディスクとしたが、他の記憶手段
でもよく、また、媒体を使うことなく、検査装置か選別
装置のいづれかで一時保留してこれらの制御装置間でデ
ータ転送してもよい。
更に、上記実施例では、選別された半導体素子は、ダイ
ボンディング装置へ供給される場合で説明したが、トレ
イへの詰め替やキャリアテープへのボンディングに適用
してもよい。
〔発明の効果〕
以上、本発明の半導体素子の選別方法によれば、前工程
から送られてきた半導体ウェーハを検査する検査工程と
、この検査工程で検査された半導体ウェーハを半導体素
子に切断する切断工程と、この切断された半導体素子を
選別して良品を次工程に送る選別工程でなる半導体素子
の選別方法において、検査工程で得た半導体素子の良否
の情報を選別工程に転送して選別したので、実装工程に
おいて高速且つ容易に半導体素子の良否の選別を行なう
ことのできる半導体素子の製造方法を得ることができ、
更に1本発明の半導体素子の選別装置によれば、前工程
から搬送されウェーハリングに載置された半導体ウェー
ハを検査し、切断後の半導体素子を選別して次工程に送
る半導体素子の選別装置において、ウェーハリングにバ
ーコードを付与し、検査データを選別装置に転送する転
送手段を設けて、検査データを使って選別したので、実
装装置での半導体素子の良否の選別を高速且つ容易に行
なうことのできる半導体素子の選別装置を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体素子の選別方法及びその装置の
一実施例を示す工程図、第2図は本発明の半導体素子の
選別方法及びその装置の半導体ウェーハのウェーハリン
グへの取付状態を示す半面図、第3図は本発明の半導体
素子の選別方法及びその装置の検査装置を示す斜視図、
第4図は本発明の半導体素子の選別方法及びその装置の
選別装置を示す斜視図、第5図は従来の半導体素子の選
別方法及びその装置の一例を示す工程図である61・・
・半導体ウェーハ 2・・・ウェーハリング411.バ
ーコード   9・・・バーコード読取装置13A、1
3B・・・制御装置 14A、14B・・・フロッピィディスクユニット22
・・・ダイソート工程 23・・・ダイジング工程24
・・・選別工程    25・・・実装工程26・・・
選別実装工程 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第2図 第1図 第 図 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)前工程から送られてきた半導体ウェーハを検査す
    る検査工程と、この検査工程で検査された前記半導体ウ
    ェーハを半導体素子に切断する切断工程と、この切断工
    程で切断された前記半導体素子を選別して良品を次工程
    へ送る選別工程でなる半導体素子の選別方法において、 前記検査工程で得た前記半導体素子の良否の情報を前記
    選別工程に転送して、前記次工程ヘ送る前記半導体素子
    を選別する半導体素子の選別方法。
  2. (2)前工程から搬送されウェーハリングに載置された
    半導体ウェーハを検査し、切断後の半導体素子を選別し
    て次工程に送る半導体素子の選別装置において、 前記ウェーハリングにバーコードを設け、前記検査デー
    タを前記選別装置に転送する転送手段を設けたことを特
    徴とする半導体素子の選別装置。
JP20127390A 1990-07-31 1990-07-31 半導体素子の選別方法及びその装置 Pending JPH0487349A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637569B1 (ko) * 1999-05-18 2006-10-20 린텍 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 반도체 웨이퍼의 지지부재

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637569B1 (ko) * 1999-05-18 2006-10-20 린텍 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 반도체 웨이퍼의 지지부재

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