TW504729B - Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member - Google Patents

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504729 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 A7 五、發明說明（1 ) 發明領磁 本發明係有關於半導體晶圓之加工方法及有關該方 法中所使用的半導體晶圓支持構件。 發明背景 近年來，在半導體製程的發展過程中，有一個趨勢， 即傾向於在比較小的批量中製造許多不同的元件項目。因 此工作條件随著個別的晶圓而改變，隨之而來的是製程 控制在成效上也必須和每一個別不同的晶圓達成一致性， 也必須和每一批量的晶圓達成一致性。甚者，必須在每一 階段的晶圓品質上掌控資訊，例如，針對晶圓上的個別線 路（晶片），將其以優良、佳、尚可或失敗等將之分類。 所胡「條碼法（bar code method)」即被用來使製程控 制或品質管制有效的方法。在條碼法中，序號是刻在一個 圓的表面上，然後在條碼簽（bar⑸心上轉譯成條 碼，再將該條碼簽貼在晶圓支持構件上。另一方面，關於 該晶圓的各項訊息都會登錄於電腦主機内，該登錄的訊息 就會對應到晶圓的序號。在每一半導體晶圓製程的步驟當 中，所需要用來控制製程步驟的f訊是參考序?虎而由電腦 主機取得，而且根據該取得的資訊，將會實施必要的操作。 有關利用上述條碼法而應用於製程控制的詳細說明 載於其它文獻中，例如，曰本專利之公開公報第4(1992)_ 146649 及 9(1997)-7977 號。 在這條碼法中，用之於資訊控制的電腦主機必須能夠 控制所有關於晶圓的資訊，所以當中產生這樣的問題 衣紙張尺度適用中國國家標準（CN_S)A4規格咖χ 297公爱） 311423 ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 504729 五、發明說明（2 乂 電腦主機的負载將會非常的大。再者，一般而言，在〆倜 請 先 闕 讀 背 面 意 事 再 填 寫 本 曰圓廠中，並非所有晶圓製程的步驟都必須逐一進行，因 而日日圓會從一個晶圓廠移至另一個晶圓廠，以便進行下〆 系列的製程動作。關於該晶圓的所有資訊是登錄在晶圓廠 的電腦主機内，因此，當晶圓被從一個晶圓廠移至另一個 曰曰圓廠時，第二個晶圓廠必須能夠進入第一個晶圓廠的電 腦主機，以便取得足夠的資訊，或者登錄在電腦主機的資 況必須能夠被記憶在某一種資訊儲存媒體中，而且能夠隨 著晶圓從一個晶圓廠移至另一個晶圓廠，而使得該晶圓的 資訊也能夠登錄在第二個晶圓廠的電腦主機内。因此，這 樣的製程控制事實上是極為煩瑣，而且費時費事。 本發明之目的 本發明係從上述習知技術層面之觀點而作者，因此， 本發明之目的是建構一個製程控制系統，其可以用在半導 體製造過程中，而能夠幫助降低電腦主機的負載，且即使 在晶圓需要在不同的晶圓廠之間搬送時，本發明仍然使得 資訊控制變成容易。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明概述 根據本發明的半導體晶圓之加工方法，包括下列步 驟： 將在其上形成有線路的半導體晶圓固定在具有資料 載子（data carrier)的半導體晶圓支持構件上； 將半導體晶圓加工所需的資訊輸入該資料載子；以及 從該資料載子讀出該資訊再根據讀出的資訊進行該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 311423 504729 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 半導體晶圓的加工。 在此半導體晶圓加工方法中， 曰〜北 甲牛導體晶圓的加工最好 疋從旁面已研磨的半導體晶圓令，選取至少— 圓，然後將半導體晶圓切成小塊，接著從該切塊出一 小片的晶片。 本發明的半導體晶圓支持構件係適合用於上述之半 導體晶圓加工方法中’且包含有資料載子者。 例如，本發明的半導體晶圓支持構件可為： 一第—種半導體晶圓支持構件，包含有-個硬板 資料載子即固定在該硬板上； 第二種半導體晶圓支持構件 資料載子即埋在該硬板内； 第三種半導體晶圓支持構件 資料載子即固定在該環框上； 第四種半導體晶圓支持構件 壓敏黏片（pwe sensitive adhesive sheet)，該壓敏黏片1 係層開在環框上，而資料載子即@定在該壓敏黏片上。 關於本發明的半導體晶圓支持構件，其中記憶在資料 載子内的最好是和被支持的半導體晶圓的狀況、形成在該 半導體晶圓上的線路品質相關的資訊，以及和半導體晶圓 加工之製程控制等相關之資料。 根據本發明，半導體晶圓加工之製程控制所需要的資 訊係記憶在半導體晶圓支持構件的資料載子内，所以電腦 主機的負載降低了，再者，必要的資訊也跟著晶圓一起遷 而該 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 包含有一個硬板，而該 包含有一個環框，而該 包含有一個環框及一個 I I I I I 訂 '本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛 311423 A7 五、發明說明（4 ) 移，如此使得控制資訊的程序變得更 凰^之簡單說明 簡便容易。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖是本發明的第一 圖； 牛導體日日圓支持構件的截面 第2圖是本發明的第二 圖； 裡牛導體晶圓支持構件的截面 第圖疋本發明之第二種半導體晶圓支 修改形態的截面圖； 傅千的種 第4圖是本發明之第二種半導體晶 種修改形態的截面圖； 第圖疋本發明的第二種半導體晶圓支持構件 圖和透視圖；以及 第6圖是本發”第四種半導體晶®支持構件 圖和透視圖。 t明說明 本發明將會參考附圖之例而做極詳盡的說明。 、如同則面所述敘，根據本發明的半導體晶圓之加工方 法，包括下列步驟： (1) 將其上形成有線路的半導體晶圓固定在具有資料 載子的半導體晶圓支持構件上（在本文中’以後稱此步驟為 厂晶圓固定步驟〇)」）； (2) 將半導體晶圓加工所需的資訊輸入該資料載子 (在本文中’以後稱此步驟為「資訊輸入步驟（2)」）； (3) 從該資料載子讀出該資訊再根據讀出的資訊進行 支持構件的另一 的截面 的截面 --------1--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G x 297公愛） 4 311423 ^U4729 A7 五、發明說明（ 該半導體晶圓的加工（在本文中 V Τ以後稱此步驟為「加工步 驟（3 )」）〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 傳統的妙和坤化鍺半導體晶圓等，均統稱之為半導體 晶圓°然、而，在本發明中使用的半導體晶圓並不限定在該 類的丰導體晶圓，也可以運用在其它類的半導體晶圓。 在—個晶圓表面上形成線路的方法可以藉由許多不 同的方法’這些方法包括如蚀刻製程和剝離製程⑽ Process)等常見的製程。在這些的方法當中，有一層氧化層 可能會在晶圓的背後形成。這層鍍膜藉著對晶圓的背面進 行研磨而去除，關於研磨會在下文中述敘。 在晶圓固定步驟（1)中，其上形成有線路的半導體晶圓 係固定在本發明的半導體晶圓支持構件上。該半導體晶圓 支持構件含有資料載子，該資料載子將會在下文中說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於固定晶圓在支持構件上的方法沒有特別的限 制，而且使用不同的傳統方法，皆可達成晶圓的固定。使 用例如蠟或壓敏黏著劑雙面塗覆片（pressure sensitive adhesive double coated sheet)即可將晶圓固定至以下將說 明的第一種和第二種半導體晶圓支持構件。在本發明中， 一個較佳的方式是使用壓敏黏著劑雙面塗覆片，該壓敏黏 著劑雙面塗覆片包含一個可收縮基材和疊置於其兩面之壓 敏黏著劑層。 最好使用熱縮膜做為該可收縮基材，這類的材料包含 例如聚對一[酉太]酸乙二醋（polyethylene terephthalate)、 聚乙浠（polyethylene)、聚苯乙烯（polystyrene)、聚丙烯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 311423 504729 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 311423 A7 五、發明說明（6 ) (polypropylene)、尼龍（nyl〇n)、胺基甲酸脂（urethane)、聚 偏二氯乙烯（polyvinylidene chloride)和聚氯乙烯 (polyvinyl chloride)等之單軸性或雙軸性薄膜（moncaxially or biaxially oriented film) 〇 這些可收縮薄膜的厚度通常在5至3〇〇μπι的範圍，最 佳的厚度為10至200μιη。 可收縮薄膜可為單層結構，即由選自前述材料的單一 可縮膜所組成，亦可為疊層結構，即由選自前述材料的複 數可縮膜所組成。當可收縮薄膜為疊層結構時，該疊層結 構最好是由收縮係數彼此不同的材料所組成。利用由收縮 係數彼此不同的材料所組成的疊層作為基材，可以改善因 收縮而造成基材的變形。壓敏黏片本身會根據基材的變形 而變形，所以壓敏黏片和晶圓（晶片）的接觸面積減少。結 果’其和晶圓（晶片）之間的黏著力亦減小，這樣使得如下 所述之挑取（pickup)晶片的動作更容易進行。 作為基材的可收縮薄膜的上面可能附有眾多的微小 缺口。 當這些缺口出現時，對每一個晶片的拾取可以變得較 簡易。 至於在本發明中所使用的壓敏黏著劑雙面塗覆片，該 壓敏黏著劑雙面塗覆片中二層或其中一層的壓敏黏著劑最 好由一種能量輻射硬化壓敏黏著劑（energy radiatiQn curable pressure sensitive adhesive)所組成，特別是，在黏 到晶圓那一面的壓敏黏著劑最好是由能量輻射硬化壓敏黏 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -------訂---------線 ^1^" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 504729 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 A7 五、發明說明（7 ) 著劑所組成。 一般能量輻射硬化壓敏黏著劑包含一種丙烯酸 (acryllc)壓敏黏著劑和一種做為主要元素的能量輻射聚合 化合物（polymerizable compund) 〇 關於這類能量輻射硬化壓敏黏著劑的詳細說明可以 在其它文獻發現，例如，曰本專利之公開公報第 6〇(1985)-196,959 及 60(1985)-223,239 號。 能量輻射硬化壓敏黏著劑層可由一種能量輻射硬化 異量分子聚合物（copolymer)所組成，這種聚合物在其側鍵 上有能量輻射可聚合化合物群（p〇lymerizable gr〇up^這種 能量輻射硬A異量分子聚合物同_具㈣敏黏著和能量輕 射硬化的性質。關於這類在侧鍵上有能量輕射可聚合化合 物群的能量輻射硬化異量分子聚合物的詳細說明可以在^ 它文獻發現，例如，曰本專利之公開公報第5(1993)_32946 及 8(1996)-27239 號。 上述的丙烯酸能量輻射硬化壓敏黏著劑在未有能量 輻射照射之前，可在晶圓（晶片）上展現出令人滿意的黏著 力’在能量輻射照射之後，該黏著力即有顯著的下降。易 言之，晶圓（晶片）係在能量輻射照射之前，用令人滿意的 黏著力黏附著，而在能量輻射照射之後，該黏著力即下降， 因此很容易將必要的晶片分離出來。 壓敏黏著劑層除了能量輻射硬化壓敏黏著劑層外，亦 可直接由不同的#統塵敏黏著劑所形纟。這些麼敏_著劑 有很多種，並非只限制在本發明中所介紹的，其中的一此 Μ氏張尺度適用中國國家標準（C_kS)A4規格⑵〇 x 297公爱） 311423 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) DU4729 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（8 ) 例子如，以橡膠' 丙烯酸、矽氧樹脂⑶M)、聚胺基甲 酸脂（polyurethane)、聚乙烯（polyvinyl)中任一個為基底之 可彔i離壓敏黏著劑或其同類。然而，在本發明中，最好使 用在黏片兩側的壓敏黏著劑層係由前述能量輻射硬化壓敏 黏著劑所組成。 雖然每一壓敏黏著劑層的厚度和使用材料的種類有 關，但是通常在3至ΙΟΟμηι的範圍，而最佳的厚度為1Q 至 5 0μηι 〇 在第三種半導體晶圓支持構件中，晶圓的固定是藉著 展開在環框上的壓敏黏片而達成。這壓敏黏片可以是上文 所述的任何一種，而可以在其它文獻發現，例如，日本專 利之公開公報第 60(1985)-196956 及 8(1996)·27239 號。 苐四種半導體晶圓支持構件的本身將在下文中描 述’它有一個壓敏黏片做為固定晶圓之用。這個壓敏黏片 可為如同在第三種半導體晶圓支持構件中所使用者。 在資訊輸入步驟（2)當中，有關半導體晶圓的況狀的資 訊，每一個別線路的品質等級的資訊，以及在製程控制所 需要的資料資訊等，都被輸入到資料載子中。這裏使用「半 導體晶圓的狀況」的術語，可以指半導體晶圓的厚度，厚 度精準度，半導體晶圓内的瑕疵存在等等，而這些資訊在 如下所述之半導體晶圓背面研磨的步驟中被使用。又例如 關於線路數、線路大小及線路間距等的資訊可在如下所述 之切割半導體晶圓的步驟中使用。每一個別線路的品質等 級可以指每一個別線路的的驅使度（drivability)和耐用度 -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 311423 504729 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 Α7 Β7 五、發明說明（9 ) (durability)，這些等級可以優良、佳、尚可或失敗等將之 分類，而這些資訊可以在如下所述之挑取半導體晶片的步 驟中被使用。對每一個別晶片的評比可以依晶片的用途將 之分類’例如，優良的晶片可以裝置在高等級的產品，或 需要在嚴酷氣候中使用的產品，非到優良程度但可用程度 者則可以用在一般用途的產品，或用在溫和環境中。至於 歸類為失敗的晶片則排除在挑取的步驟外。製程控制所需 要的資料係例如，在對半導體晶圓背面進行研磨的步驟 時，可以是有關於研磨量、研磨速度、最終晶圓厚度等等 的資訊’在進行切割半導體晶圓的步驟時，可以是有關於 切割刀片的種類、切割速度，切割線之間的寬度等等的資 訊。在挑取晶片步驟，又可以是和晶片品質等級相關的晶 片安裝位置的資訊。 如同前文所述，晶圓固定步驟（1)之後是資訊輸入步驟 (2)，但這先後次序也可以變換，即先是資訊輸入步驟（2)， 然後是晶圓固定步驟（1)。 除此之外，為了和製程的進行保持一致性，資訊輸入 步驟（2)有可能實施多次。 在已長有線路的半導體晶圓中，有許多的操作過程需 要完成，以便獲得晶#，㉟些過程像是在I導體晶圓㈣ 面研磨在半導體晶圓上切割，挑取切割後的晶片等等， 而在加工步驟（3)當中，其中至少有一個操作過程被安排 好，預備被執行。當這些操作過程被執行時，每一特別的 操作過程所需的資訊就從資料載子中取得，❿f料載子就 ΐ紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G χ挪公爱 9 311423 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------線泰 504729 A7 五、發明說明（奶） 疋上述資訊儲存的地方。 在半導體晶圓上形成線路的過程+ 形成在半導體晶圓的背二，會有一氧化層 除’而半導體晶圓也會被磨:一磨 不止關於半導體晶圓的狀況的資訊 -“步驟， 度，厚度精準度，半導體晶圓内的瑕症存^體晶圓的厚 背面研磨之前，從資料載子中讀出，等貧訊會在 需要的資料，如在對半導體晶圓背面進行：：：程控制所 關於研磨量、研磨速度、最終晶圓厚：驟時’有 從資料載子中讀出。背面研磨可以用傳統的=訊像= 磨機來完成。 々凌像疋研 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在切割半導體晶圓的步驟當中，半導體晶以 個線路的方式切割來取得半導體晶片。於此步驟中，關= 形成在半導體表面上的線路的形成條件的資訊路 數目、線路大小、線路之間的距離等等，還有製程控= 需的貧料，諸如在切割時所用的切割刀片的種類、切割速 度、切割線之間的距離等等，都從資料載子中讀取。半導 體晶圓的切割可以用傳統的切割工具來達成。 在本發明的I導體晶圓製程方法中，於切割步驟時， 可能會發生線路的側邊和半導體晶圓支持構件接觸，以致 於影響直接用目視的方式檢查線路的狀況。然而，可以用 透明的半導體晶圓支持構件，那麼從晶圓支持構件的侧邊 檢查線路的形成狀況時，切割也可以同時進行。更進一步， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 當半導體aB圓被磨到非常小的厚度時，會有這樣的狀況發 張尺唐適用中國國家標準（CNS)A4插始&、------ 311423 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) P可以從半導體晶圓㈣面檢查線路的形成狀況。因 此將不會有任何的困難在切割當中。 所明挑取半導體晶片的步驟是在切割的時候，半導體 晶片從半導體晶圓支持構件上分離出來，然後放置在一個 貝刀類的資汛，例如，根據每一個別線路的驅使度和耐 的檢查結果’而分為優良、纟、尚可或失敗等級的資 遇有製程控制所需的資訊，如和晶片品質等級相關的 晶片安裝位置的資訊等，都從資料載子中讀取。 在本發明的半導體晶圓製程方法中，半導體晶圓是固 定在半導體晶圓支持構件上。因此，當一個包含可收縮基 材和在塗抹在膜片兩侧表面的壓敏黏著劑層的壓敏黏著劑 雙面塗覆片被使用作為半導體晶圓支持構件時，該壓敏黏 著劑雙面塗覆片會因基材的收縮而發生形變，於是減少壓 敏黏著劑層和晶片的接觸面積。因此，使得挑取晶片的動 作更加方便。除此以外，當能量輻射硬化壓敏黏著劑被用 在该壓敏黏著劑層時，該壓敏黏著劑層可以藉著用能量輻 射照射壓敏黏著劑層而硬化，藉以減弱黏著力。因此，挑 取晶片又更一步變得容易了。 本發明的半導體晶圓支持構件將會在此詳細的說 明。 本發明的半導體晶圓支持構件在使用上即適合上述 之半導體晶圓加工方法，而該支持構件含有資料載子。 在這裏使用的術語「資料載子」係指其中的一部份是 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 311423 504729 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（12 ) 用來儲存資成的装置，其中可進行資訊的輸入和改寫，而 也ΊΓ 乂根據輸入的資訊中，對詢問器提 出的問題，傳送該問題的反應。在本發明中，較佳的使用 方式是利用非接觸式的資料載子，此資料載子可以利用電 磁波做非接觸式的資訊輸入和輸出。像是由1C晶片和連接 到該晶片的一個導電線圈所組成的「RF記憶體」，就可以 稱之為非接觸式的資料載子。 更詳而言之’本發明的半導體晶圓支持構件可為： 一第—種半導體晶圓支持構件，包含有一個硬板，而該 資料載子即固定在該硬板上； 第二種半導體晶圓支持構件 資料載子即埋在該硬板内；或 第三種半導體晶圓支持構件 資料載子固定在該環框上； 第四種半導體晶圓支持構件 壓敏黏片，該壓敏黏片係展開在環框上，而該資料載子 固定在該壓敏黏片上。 儲存在資料載子中者最好為關於如上所述之被支持 半導體晶圓的狀況、形成在該半導體晶圓上的線路品質等 之資訊，以及和半導體晶圓加工之製程控制等相關之資 料。 、 關於上述半導體晶圓支持構件的夂付傅仟的各種不同形式，將參 考附圖之例而做極詳盡的說明。 _ 參考第1圖，第一種半導體晶圓支持構件工i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽X 297公釐「 包含有一個硬板，而該 包含有一個環框，而該 ! 包含有一個環框及 包含有 個 12 311423 504729 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（13 ) 個硬板2，而資料載子1固定在其上。 用作硬板2者，可為例如玻璃板，石英板或者像是丙 烯酸板、聚氯乙烯板、聚對一太酸乙二酯板、聚丙稀平板 或聚碳酸脂（polycarbonate)板之類的塑膠板。塑膠板的硬 度（根據ASTM D 883的標準而測定）最好是7〇MPa或者更 高。雖然硬板2的厚度取決於所使用的材料，但其厚度最 好介於大約0.1到10mm之間的範圍。如之前所述，當壓 敏黏著劑雙面塗覆片包含能量輻射硬化壓敏黏著劑而用在 半導體晶圓的固定時’同時又以紫外線做為能量輻射源， 那麼硬板2就是由透紫外線材料做成的。 硬板2的形狀沒有一定的限制，例如，它可以是任何 一種圓的形狀，也可能是一個矩形，或者是一個矩形但它 的一邊是半圓形。無論如何，硬板2都應該比被支持的半 導體晶圓大。 半導體晶圓在硬板2的中心部位被支持著，而且資料 載子1在硬板2的邊緣部位被固定著，所以半導體晶圓和 資料載子1不會彼此堆疊在一起。將資料載子丨固定在硬 板2上面的方法沒有一定的限制，而且使用常見的方法， 像疋用黏著劑或是壓敏黏著劑雙面塗覆膠帶，該固定即可 以相當有效。另一方式為利用蝕刻技術或是印刷技術，直 接使資料載子1形成在硬板2的上面。 在第-種半導體晶圓支持構件當中，保護片3最好黏 在:貝料載子1上{列如，保護片可為例如包含有覆有壓敏 黏著劑的聚乙烯薄膜或1對一[酉太]酸乙二酯等基材之壓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公羞）---—— 13 311423 -----------------—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、發明說明（14 ) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) j黏片。保護片的厚度最好是大約在10到200μιη之間的 範圍。再者，除了使用保護片之外，也可以用像是環氧機 'f月曰（epoxy resin)、胺基甲酸脂樹脂（urethane resin)等樹脂 密封的方式來取代。在對半導體晶圓背面進行研磨或是切 割半導體晶圓的時候，會有水喷灑在其上，以便除去研磨 所產生的灰塵和熱量，黏上保護片可以保護資料載子工， 免於研磨灰塵和水的侵害。 現在參考第2圖，第二種半導體晶圓支持構件12包 含有一個硬板2，而資料載子1是埋設在硬板2内。該硬 板2和上文所述的硬板一樣。在第2圖的結構中，於硬板 2的邊緣部位有一個切槽，而資料載子丨即放置在該切槽 内，而被樹脂4封住。 再參考第3圖，有一個洞設在硬板2的一侧，資料載 子1***該洞中，而且用樹脂4封住。如此，即可獲得第 二種半導體晶圓支持構件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再進一步參考第4圖，有兩塊硬板2, 一塊堆放在另 一塊的上面，在這兩塊硬板之間有資料載子1以及和直徑 與資料載子1的厚度一樣的間隔物5,硬板的周圍用樹腊4 封住。如此，即可獲得第二種半導體晶圓支持構件12。 當半導體晶圓利用壓敏黏著劑雙面塗覆膠帶固定在 第一種或第二種半導體晶圓支持構件，而半導體晶圓有、線 路的那一面是固定在半導體晶圓支持構件上時，所有對半 導體晶圓背面的研磨、對半導體晶圓切割及挑取半導體晶 片等等的步驟都可以在同樣的組態下進行，即半導體曰 g紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公 504729 發明說明 15 五 係保持在半導體晶圓支持構件的上面。 資料=料導體晶K切構件13包含有—個環框6,而 貧科裁子1固定在其上，如第5圖所示。 而 :考第6圖，第四種半導體晶圓支持構件Μ 個環框6及一個壓3有 框上6,而㈣㈣7係層開在 貝枓載子1即黏在該壓敏黏片7上。 圓支=?:中導體晶圓支持構件U和第四種半導體晶 料=持構件14中，保護資料載子1的保護片3可以_在資||> 子：的上面’或者資料載子1可以用樹脂封住，如同’ 種半導體晶圓支持構件丨〗所用的方式。 β 雖然通常麼敏黏片運用在半導體晶圓加工上的時 候’如在第四種半導體晶圓支持構件14 _，壓敏勒片7 為環桓6所展開’而可以沒有限制地使用1而在本發— 中更佳的方式是使用有一層能量輕射硬化壓敏黏著劑層的 、敏黏片像這樣的能量輻射硬化壓敏黏片方面的詳細解 說可以在在其它文獻發現，例如，日本專利之公開公報 第 60(1985)-196956 、 60(1985)-223139 、 5(1993)-32946 及 經 濟 8(1996)_27239 號。 部 智 i 發明效用 財 產 局1 從前文的討論 ，在 本發 明 中 可 以 明 顯 地看 出， 半 導 員 工 體晶圓製程加工控制所 需要 的 資 訊 係儲存在 半 導體晶 圓 支 消 費 合 持構件的資料載子内， 所以 電 腦 主 機 的 負 載 可 以 降低 而 作 社 tn I 且當半導體晶圓從一 •個 廠移 到 另 __ — 個 廠 時 j 必 要 的資 訊 也 1 | 製 跟著晶圓一起遷移， 如 此使得製 程 所 需 資 訊 的 控 制變 得 更 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 15 311423 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 刈4729

五、發明說明（16 ) 簡便容易。 再者，在本發明中，一系列的背面研磨、切割和挑取 等操作都可以在同一個的組態環境下，即晶圓（晶片）係保 持在半導體晶圓支持構件的上面，以方便製程制控，而且 在晶圓保持在半導體晶圓支持構件上的情況下，晶圓可以 在同一個的組態環境下而在不同的操作過程中被搬送，因 此避免晶圓在搬送當中破裂。 實例 本發明的本身和其較佳的使用狀態，以及其更進一步 的目的和優點等’將會參考以下實施例之詳細說明，並配 合所附之圖式，以便獲得最佳方式之瞭解。然而應當認知 的’是即將敘述的僅是本發明的最佳實施例，因此之故， 以下所引用之圖例和詳細說明，僅是用來闡釋本發明之本 質’並非用以限定本發明之範圍。 以下的資料載子和資料輸入/輸出裝置將會被運用·· 資料載子：利用一條直徑0.2mm的鋼線環繞一個長 lcm’寬3cm而且厚度為50 μπι的聚對一[酉太]酸乙二酯為 基材的平板上，因此可以得到一個1 〇匝的線圈，然後連接 1C晶片MIFAREICS5〇(由飛利浦製造）到該線圈； 詢問器：MIFARE EV500(由飛利浦製造）。 實例1 資料載子係利用壓敏黏著劑雙面塗覆膠帶，黏到一個 直徑為150mm、厚度為1mm的玻璃板的周圍部份，資料 載子的上面黏有一個由覆有丙烯酸壓敏黏著劑的25#111厚 --------------------訂---------線Φ (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 311423 504729 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（17 ) 的聚對一[酉太]酸乙二酯所構成的保護膠帶。因此，可以 製成如第1圖的半導體晶圓支持構件。 利用由兩面覆有紫外線硬化壓敏黏著劑之25μπι厚的 熱縮性聚對一[酉太]酸乙二酯基材所組成的壓敏黏著劑雙 面塗覆膠帶，可將700μπι厚之其上形成有線路的5吋半導 體晶圓固定在玻璃板上，其中該紫外線硬化黏著劑的組成 係100重量份的丙烯酸壓敏黏著劑、3〇重量份的季戊四醇 丙烯酸脂（pentaerythritol triacrylate)、以及5重量分的羥 基壞己二苯甲酮（1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)。 接下來，製程控制資訊（即完成後半導體晶圓的厚度： ΙΟΟμηι，晶片大小：2 mmx 3 mm，及切割線距：1 ΙΟμηι)經 由詢問器輸入至資料載子。 關於背面研磨和切割所需的資訊從資料載子輸出，於 是背面研磨和切割就根據這些資訊而進行。因此，半導體 晶圓的加工就可以根據製程控制資訊而完成。 之後，每一個別晶片的電性特徵在切割後檢驗，然後 每一個別晶片的驅使度和耐用度就輸入至資料載子中。 紫外光從玻璃板側照射壓敏黏著劑雙面塗覆膠帶（照 射強度：160 W/cm)，之後是100°C的加熱。在從資料載子 獲取關於每一個別晶片的驅使度和耐用度的同時進行挑取 晶片，因此，根據該資訊的晶片挑取被施行了。 實例2 利用由一面覆有與實例1相同之紫外線硬化壓敏黏著 劑層之熱縮性聚對一[酉太]酸乙二酯基材所組成的壓敏黏 ---------------------訂—------線{ (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 311423

U9 五二發明說明（18 ) 著劑膠帶，可將其上形成有線路的5吋半導體晶圓固定在 一個聚碳酸脂環框上。 接下來’將資料載子黏到環框上面，再將保護膠帶黏 到為料載子的表面上。 =欠和實例1 一樣的資訊藉由資料輸入/輪出裝置輸入該 賢料载子中。 切割所需要的資訊由該資料載子輪出 饵 而切割该半導 騷阳圓就根據該資訊而進行。因此，半邋 、 等體晶圓的切割可 从根據該資訊而完成。 [元件符號說明] -------------------•—訂 ---------線 AW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 資料載子 2 硬板 保護片 4 樹脂 間隔物 6 環框 壓敏黏片 11，12，13，14 半導 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 18 311423

Claims (1)

1. H3 .會彼此接觸。 6·=Τ晶圓支持構件’包括有-資料載子，-環 框及一壓敏黏片，該 該資料載子即黏在L 係由該環框所展開，而 戰于即黏在該壓敏黏片上。 7·如申睛專利範圍第3 項至弟6項中任一項之半導體晶 圓支持構件，其中盘路士 & 、 八十與所支持的半導體晶圓的狀況、形 成在該半導體晶圓表面上 、. 工的綠路品質有關的貧訊，以 及半導體晶圓加工之盤链械 <I程控制所需的資料，係儲存在 該資料載子中。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 x 297公釐） 2 311423