JP2008293508A - 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ支持部材 - Google Patents

Abstract

【課題】ホストコンピュータの負担を軽減し、工場間でウエハを移送する場合でも、情報管理が容易な半導体製造工程管理システムを提供すること。
【解決手段】半導体ウエハの加工方法は、入力された情報について質問器からの質問に対して応答を返信するデータキャリア１を備えたプラスチック製の半導体ウエハ支持部材１４に、回路が形成されたウエハを固定する工程、ウエハの加工に必要な情報をデータキャリアに入力する工程、および情報をデータキャリアから読み取り、該情報に基づいてウエハの加工を行う工程からなることを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体ウエハの加工方法およびこの方法に好適に用いられる半導体ウエハ支持部材に関する。

近年、半導体製造工程においては、多品種・少ロット生産が増加する傾向にある。したがって、一枚一枚のウエハ毎にその加工条件が異なるため、各品種・各ロットに合わせた工程管理が必要となる。また、ウエハ内に形成された個々の回路（チップ）毎に、優・良・可・不可といった品質の良否に関する情報を管理する必要もある。

このような工程管理、品質管理のためには、いわゆるバーコード法が採用されている。バーコード法では、ウエハの表面に刻印されているシリアルナンバーをバーコードに転記し、そのバーコードラベルをウエハ支持部材に添付する。一方、そのウエハに関する種々の情報を、当該シリアルナンバーに対応させてホストコンピュータに登録する。そして、半導体ウエハ加工の各工程において、当該工程の管理に必要な情報を、シリアルナンバーに基づいて、ホストコンピュータから引き出し必要な処理を行う。

このようなバーコード法による半導体ウエハ加工の工程管理法は、たとえば特開平４−１４６６４９号公報、同９−７９７７号公報等にその詳細が記載されている。上記のようなバーコード法では、情報を管理するホストコンピュータでウエハに関するすべての情報を管理する必要があり、ホストコンピュータの負担が大きいという問題がある。また、通常は、ウエハの加工は一つの工場ですべての工程が行われるわけではなく、ある工場から他の工場へ移送されて加工が続けられる。ウエハに関する情報はすべてホストコンピュータに登録されているため、ウエハが移送された工場において、新たにホストコンピュータにアクセスして必要な情報を引き出すか、あるいはホストコンピュータに登録されている情報を情報記録媒体に記憶させてウエハとともに移送し、移送先の工場におけるホストコンピュータに再度ウエハに関する情報を登録する必要があり、工程管理が煩雑になる。

本発明は、上記のような従来に鑑みてなされたものであり、ホストコンピュータの負担を軽減し、工場間でウエハを移送する場合でも、情報管理が容易な半導体製造工程管理システムの構築を目的とするものである。

本発明に係る半導体ウエハの加工方法は、データキャリアを備えた半導体ウエハ支持部材に、回路が形成されたウエハを固定する工程、ウエハ加工に必要な情報をデータキャリアに入力する工程、および前記情報をデータキャリアから読み取り、該情報に基づいてウエハの加工を行う工程からなること特徴としている。

ここで前記加工を行う工程は、好ましくは、半導体ウエハの裏面研削、半導体ウエハのダイシングおよびダイシングにより形成された半導体チップのピックアップから選択される少なくとも一つの工程を含む工程である。本発明に係る半導体ウエハ支持部材は、上記の半導体ウエハの加工方法に好適に用いられるものであって、データキャリアを備えてなることを特徴としている。

このような本発明の半導体ウエハ支持部材としては、具体的には、データキャリアが硬
質板上に固定されてなる第１の半導体ウエハ支持部材、データキャリアが硬質板内に埋め込まれてなる第２の半導体ウエハ支持部材、データキャリアが、リングフレームに固定されてなる第３の半導体ウエハ支持部材、リングフレームと、リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着シート上に貼着されたデータキャリアとからなる第４の半導体ウエハ支持部材が挙げられる。

上記のデータキャリアには、支持される半導体ウエハの状態、該ウエハ表面に形成された回路の良否および該ウエハの加工工程の管理に必要なデータに関する情報が記憶されてなることが好ましい。このような本発明によれば、半導体ウエハ加工の工程管理に必要な情報が、ウエハ支持部材に設けられたデータキャリアに記憶されているので、ホストコンピュータの負担を軽減し、工場間でウエハを移送する場合でも、ウエハとともに必要な情報も一体で移送されるので情報管理が容易になる。

以上、説明したように、本発明によれば、半導体ウエハ加工の工程管理に必要な情報が、ウエハ支持部材に設けられたデータキャリアに記憶されているので、ホストコンピュータの負担を軽減し、工場間でウエハを移送する場合でも、ウエハとともに必要な情報も一体で移送されるので情報管理が容易になる。

さらに、本発明では裏面研削、ダイシングおよびピックアップの一連の工程を、ウエハ（チップ）が支持部材上に保持されている同一形態で行いうるので工程管理が容易になり、また工程間の搬送を、ウエハが支持部材上に保持された形態で行えるので、搬送中のウエハの破損も防止できる。

以下、図面を参照しながら、本発明についてさらに具体的に説明する。本発明に係る半導体ウエハの加工方法は、上述したように、（１）データキャリアを備えた半導体ウエハ支持部材に、回路が形成されたウエハを固定する工程（以下、「ウエハ固定工程（１）」）、（２）ウエハ加工に必要な情報をデータキャリアに入力する工程（以下、「情報入力工程（２）」）、および（３）前記情報をデータキャリアから読み取り、該情報に基づいてウエハの加工を行う工程（以下、「加工工程（３）」）からなる。

半導体ウエハとしては、従来より用いられているシリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウエハなどが挙げられるが、これらに限定されず、種々の半導体ウエハを用いることができる。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む、様々な方法により行うことができる。この際、ウエハ裏面に酸化物被膜が形成されることがあるが、このような酸化物被膜は、後述するウエハ裏面の研削により除去される。

ウエハの固定工程（１）では、回路が形成された半導体ウエハを、本発明に係る半導体ウエハ支持部材に固定する。この半導体ウエハ支持部材はデータキャリアを備えてなるものであり、その詳細については後述する。ウエハを支持部材に固定する手段は特に限定はされず、従来より用いられている種々の手段により行い得る。後述する第１〜第２の半導体ウエハ支持部材に対しては、ワックス、両面粘着シートなどによりウエハを固定できる。特に本発明においては、収縮性基材と該基材の両面に形成された粘着剤層とからなる両面粘着シートが好ましく用いられる。

収縮性基材としては、熱収縮性フィルムが好ましく用いられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニルなどの一軸または二軸延伸フィルム等を例示す
ることができる。上記のような収縮性フィルムの厚さは、通常５〜３００μｍであり、好ましくは１０〜２００μｍである。

また、収縮性フィルムは、上記した各種収縮性フィルムの単層品であってもよく積層品であってもよい。積層品である場合には、収縮率の異なるフィルム同士の積層品であることが好ましい。収縮率の異なるフィルム同士の積層品を基材として用いると、収縮後の基材の変形がさらに促進される。基材の収縮に伴い粘着シート自体も変形し、ウエハ（またはチップ）との接触面積が減少する。この結果、ウエハ（またはチップ）との接着力も減少するため、後述するチップのピックアップを容易に行うことができる。

さらに、基材として用いられる収縮性フィルムには多数の微細な切込みが設けられていてもよい。このような切込みを設けておくと、チップ毎のピックアップがさらに容易になる。本発明で用いることができる両面粘着シートは、少なくとも一方または両方の粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤からなることが好ましく、具体的には、ウエハが貼着される側の粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤からなることが望ましい。

エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。このようなエネルギー線硬化型粘着剤の詳細は、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報等に記載されている。また、エネルギー線硬化型粘着剤層は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等にその詳細が記載されている。

上記のようなアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハ（またはチップ）に対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、ウエハ（またはチップ）を充分な接着力で保持するが、エネルギー線照射後には、接着力が減少するため、得られたチップを容易に剥離することができる。

また、エネルギー線硬化型粘着剤層以外の粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリウレタン系、ポリビニルエーテル等の再剥離型の粘着剤が用いられる。しかしながら、本発明においては、特に両面ともに、上述したエネルギー線硬化型粘着剤からなることが好ましい。

粘着剤層の厚さは、その材質にもよるが、通常は各々３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５０μｍ程度である。第３の半導体ウエハ支持部材に対しては、リングフレームに張設された粘着シートによりウエハを固定することができる。このような粘着シートとしては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載された粘着シートを用いることができる。

なお、後述する第４の半導体ウエハ支持部材は、それ自体ウエハの固定手段である粘着シートを備えている。粘着シートとしては、第３の半導体ウエハ支持部材に用いたものと同じものを使用することができる。情報入力工程（２）では、半導体ウエハの状態および個々の回路の良否に関する情報および工程管理に必要なデータに関する情報がデータキャリアに入力される。ここで、半導体ウエハの状態とは、たとえばウエハの厚み、厚み精度、傷の有無などであり、これらの情報は、後述のウエハ裏面の研削工程で利用することができる。また、たとえば回路の数、大きさ、回路間の距離などの情報は、後述のウエハの
ダイシング工程で利用することができる。個々の回路の良否とは、具体的には、個々の回路の駆動性、耐久性などであり、優・良・可・不可などのランク付けがされる。この情報は、後述の半導体チップのピックアップ工程において利用することができる。たとえば優良チップについては、高級品あるいは厳しい環境下で使用される製品等に搭載され、優良品ではないが十分に駆動するチップは汎用品あるいは穏やかな環境下で使用される製品等に搭載されるように、用途に応じてチップの使い分けができるように、それぞれのチップのランク付けが行われる。不良チップはピックアップ工程で除外される。工程管理に必要なデータとは、たとえば、裏面研削工程においては、研削量、研削速度、最終的なウエハの厚み等に関する情報であり、ダイシング工程においては、ダイシングブレードの種類、ダイシング速度、ダイシングラインの間隔等に関する情報である。またピックアップ工程においては、回路の良否と関連付けられた、チップの搭載先に関する情報である。

なお、上記ウエハ固定工程（１）および情報入力工程（２）は、情報入力工程（２）、ウエハ固定工程（１）の順で行ってもよい。さらに、工程の進展に伴って、逐次、複数回にわたって情報入力工程（２）を行っても良い。ウエハ加工工程（３）では、半導体ウエハの裏面研削、半導体ウエハのダイシングおよびダイシングにより形成された半導体チップのピックアップなど、回路が形成されたウエハからチップを得るために必要なすべての工程から選択される少なくとも１つの工程が行われる。これらの工程を行うにあたり、前記情報が記録されたデータキャリアから、それぞれの工程に必要な情報が引き出される。

半導体ウエハの裏面研削工程は、回路形成時においてウエハ裏面に形成される酸化物被膜を除去し、ウエハの厚さを所定の厚さまで研削する工程である。この際、上記データキャリアから、裏面研削前のウエハの厚み、厚み精度、傷の有無などウエハの状態に関する情報および裏面研削時の研削量、研削速度、最終的なウエハの厚み等の工程管理に必要なデータが呼び出される。裏面研磨は、たとえばグラインダー等の従来公知の方法により行いうる。

半導体ウエハのダイシング工程は、ウエハを回路毎に切断して半導体チップを得る工程である。この際、上記データキャリアから、ウエハ表面に形成された回路の数、大きさ、回路間の距離などの回路の形成状態に関する情報およびダイシング時に用いるダイシングブレードの種類、ダイシング速度、ダイシングラインの間隔等の工程管理に必要なデータが呼び出される。ウエハのダイシングは従来より公知のダイシング装置により行い得る。本発明の半導体ウエハの加工方法においては、ダイシング時に、回路面が半導体ウエハ支持部材に当接し、回路の状態を直接目視できない場合がある。しかし、この場合でも、透明な半導体ウエハ支持部材を用いれば、支持部材側から回路の形成状態を確認しながらダイシングを行うことができる。また、ウエハが極薄にまで研削されていると、ウエハ裏面からも回路の形成状態を確認できる場合があり、ダイシングに支障をきたすことはない。

ダイシングにより形成された半導体チップのピックアップ工程は、半導体ウエハ支持部材からチップを剥離し、リードフレーム等の所定の基台上に搭載する工程である。この際、上記データキャリアから、個々の回路の駆動性、耐久性などの検査結果に基づく、優・良・可・不可などのチップの良否に関する情報および回路の良否と関連付けられた、チップの搭載先に関するデータ等の工程管理に必要な情報が呼び出される。

本発明に係る半導体ウエハの加工方法において、半導体ウエハを、半導体ウエハ支持部材に固定するために、収縮性基材と該基材の両面に形成された粘着剤層とからなる両面粘着シートを用いた場合には、基材を収縮させることで粘着シートが変形し、チップと粘着剤層との接触面積が減少するため、チップのピックアップを容易に行える。また、粘着剤層として、エネルギー線硬化型粘着剤を用いた場合には、粘着剤層にエネルギー線照射を行うことで、粘着剤層が硬化し、接着力が減少するため、チップのピックアップがさらに
容易になる。

次に、本発明に係る半導体ウエハ支持部材についてさらに具体的に説明する。本発明に係る半導体ウエハ支持部材は、上記の半導体ウエハの加工方法に好適に用いられるものであって、データキャリアを備えてなることを特徴としている。ここで、データキャリアとは、情報の記憶部を有する担体であり、情報の入力、書き換えを行ったり、入力された情報について質問器からの質問に対して応答を返信する装置を意味する。本発明においては、電磁波を通信媒体として非接触で情報の入力あるいは出力を行うことができる非接触データキャリアが好ましく用いられる。このような非接触データキャリアとしては、ＩＣチップと導電性コイルを接続してなる、いわゆるＲＦメモリーがあげられる。

このような本発明の半導体ウエハ支持部材としては、具体的には、データキャリアが硬質板上に固定されてなる第１の半導体ウエハ支持部材、データキャリアが硬質板内に埋め込まれてなる第２の半導体ウエハ支持部材、データキャリアが、リングフレームに固定されてなる第３の半導体ウエハ支持部材、リングフレームと、リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着シート上に貼着されたデータキャリアとからなる第４の半導体ウエハ支持部材が挙げられる。

また上記のデータキャリアには、上述したような支持される半導体ウエハの状態、該ウエハ表面に形成された回路の良否および該ウエハの加工工程の管理に必要なデータに関する情報が記憶されてなることが好ましい。以下、これらの半導体ウエハ支持部材について、図面を参照しながらさらに具体的に説明する。

第１の半導体ウエハ支持部材１１は、図１に示すように、データキャリア１が硬質板上２に固定されてなる。硬質板２としては、たとえばガラス板、石英板や、アクリル板、ポリ塩化ビニル板、ポリエチレンテレフタレート板、ポリプロピレン板、ポリカーボネート板等のプラスチック板が使用できる。プラスチック板の硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ８８３）は、好ましくは７０ＭＰａ以上である。硬質板２の厚みは、その材質にもよるが、通常は、０．１〜１０ｍｍ程度である。また前述したウエハの固定の際にエネルギー線硬化型粘着剤層を備えた両面粘着シートを用い、エネルギー線として紫外線を用いる場合には、硬質板２は、紫外線透過性の材質により形成される。

硬質板２の形状は、特に限定はされず、円形、方形、あるいは方形の一辺が半円となっている形状等のいずれであってもよいが、支持されるウエハよりも大きいことが必要である。ウエハは硬質板１１の中心部に支持され、ウエハとデータキャリア１とが、重ね合わないように、データキャリア１は、硬質板２の周縁部に固定される。データキャリア１の固定手段は特に限定はされず、接着剤や両面粘着テープ等の汎用手段により行える。また、エッチング法やプリント法などにより、硬質板２上に直接データキャリア１を形成することもできる。

また、第１の半導体ウエハ支持部材１１においては、データキャリア１上に保護シート３を貼着しておくことが好ましい。保護シートとしては、ポリエチレンフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムなどの基材に粘着剤を塗布した粘着シートがあげられる。保護シートの厚さは１０〜２００μｍ程度が好ましい。また保護シートに代えて、エポキシ樹脂やウレタン樹脂を用いて樹脂封止を行うこともできる。ウエハの裏面研削時やダイシング時は、研削屑や研削熱の除去のため、水を噴霧しながら行うが、保護シート３を貼着しておくと、研削屑や水などからデータキャリアを保護することができる。

第２の半導体ウエハ支持部材１２は、図２に示すように、データキャリア１が硬質板内２に埋め込まれてなる。硬質板２としては上記と同様のものが用いられる。図２に示す構
成では、硬質板の周縁部の一部には、切欠部が設けられ、この切欠部内にデータキャリア１が載置され、さらに樹脂４により封止される。また、図３に示すように、硬質板２の側面に孔を開け、この孔にデータキャリア１を挿入し、樹脂４により封止をして半導体ウエハ支持部材１２を得ることもできる。

さらに、図４に示すように、二枚の硬質板２を、データキャリア１およびデータキャリア１の厚さと同一の直径を有するスペーサー５を介して積層し、周縁部を樹脂４で封止することにより半導体ウエハ支持部材１２を得ることもできる。また、第１および第２の半導体ウエハ支持部材に、両面粘着テープを用いて半導体ウエハ回路面が半導体ウエハ支持部材に当接するように固定すれば、半導体ウエハの裏面研削、ダイシング、チップのピックアップ工程を、支持部材に保持された同一形態で行うことができる。

第３の半導体ウエハ支持部材１３は、図５に示すように、データキャリア１が、リングフレーム６に固定されてなる。第４の半導体ウエハ支持部材１４は、図６に示すように、リングフレーム６と、リングフレーム６に張設された粘着シート７と、該粘着シート７上に貼着されたデータキャリア１とからなる。

なお、第３の半導体ウエハ支持部材１３および第４の半導体ウエハ支持部材１４においても、前記第１の半導体ウエハ支持部材１１と同様に、データキャリア１を保護するための保護シート３をデータキャリア１に貼着しておいてもよく、データキャリア１を樹脂封止してもよい。また、第４の半導体ウエハ支持部材１４においてリングフレーム６に張設される粘着シート７としては、従来より半導体ウエハの加工に用いられてきた粘着シートが特に制限なく用いられるが、本発明のおいては、特にエネルギー線硬化型粘着剤層を備えた粘着シートが好ましく用いられる。このようなエネルギー線硬化型粘着シートの詳細は、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報、特開昭６０−２２３１３９号公報、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載されている。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。データキャリアおよびデータ入出力装置としては、以下のものを用いた。
データキャリア：縦１ｃｍ、横３ｃｍ、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートからなる基板に直径０．２ｍｍの銅線を用いて１０巻コイルを形成し、ＩＣチップＭＩＦＡＲＥ ＩＣＳ５０（フィリップス社製）をコイルに接続してデータキャリアを作成した。
質問器：ＭＩＦＡＲＥ ＥＶ５００（フィリップス社製）
［参考例１］
直径１５０ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス板の縁部に、データキャリアを両面粘着テープを用いて貼付し、データキャリア表面に、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムにアクリル系粘着剤を塗布した保護テープを貼着して、図１に示す半導体ウエハ支持部材を作成し、回路が形成された厚さ７００μｍ、５インチの半導体ウエハを、厚さ２５μｍの熱収縮性ポリエチレンテレフタレート基材の両面に、アクリル系粘着剤１００重量部とペンタエリスリトールトリアクリレート３０重量部と１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン５重量部からなる厚さ１５μｍの紫外線硬化型粘着剤層を設けた両面粘着テープを用いてガラス板に固定した。

続いて、工程管理情報として、半導体ウエハの仕上げ厚さ１００μｍ、チップサイズ２ｍｍ×３ｍｍ、ダイシングラインの間隔１１０μｍを、質問器を用いてデータキャリアに入力した。裏面研削、ダイシングに必要な情報をデータキャリアから出力し、裏面研削およびダイシングを行ったところ、工程管理情報に従ったウエハ加工を行うことができた。

次に、ダイシング後、個々のチップの電気特性を検査し、個々のチップの駆動性と耐久
性の情報をデータキャリアに入力した。次にガラス板側から紫外線（照度１６０Ｗ／ｃｍ）を照射し、１００℃で加熱した後、データキャリアから、個々のチップの駆動性、耐久性の情報を読み取りながらチップをピックアップしたところ、該情報にしたがったピックアップを行うことができた。
［実施例２］
回路が形成された５インチの半導体ウエハを、参考例１と同様の紫外線硬化型粘着剤層をポリエチレンテレフタレート基材の片面に設けた粘着テープを用いてポリカーボネート製のリングフレームに固定した。次に、リングフレームに、データキャリアを貼付し、データキャリア表面に、保護テープを貼着した。

参考例１と同様の情報をデータ入出力装置を用いてデータキャリアに入力した。ダイシングに必要な情報をデータキャリアから出力し、ウエハをダイシングしたところ、該情報にしたがったダイシングを行うことができた。

本発明に係る第１の半導体ウエハ支持部材の断面図を示す。 本発明に係る第２の半導体ウエハ支持部材の断面図を示す。 本発明に係る第２の半導体ウエハ支持部材の変形例の断面図を示す。 本発明に係る第２の半導体ウエハ支持部材の変形例の断面図を示す。 本発明に係る第３の半導体ウエハ支持部材の斜視図および断面図を示す。 本発明に係る第４の半導体ウエハ支持部材の変斜視図および断面図を示す。

符号の説明

１…データキャリア
２…硬質板
３…保護シート
４…封止樹脂
５…スペーサー
６…リングフレーム
７…粘着シート
１１…第１の半導体ウエハ支持部材
１２…第２の半導体ウエハ支持部材
１３…第３の半導体ウエハ支持部材
１４…第４の半導体ウエハ支持部材

Claims (19)

1. 入力された情報について質問器からの質問に対して応答を返信するデータキャリアを備えたプラスチック製の半導体ウエハ支持部材に、回路が形成されたウエハを固定する工程、
   ウエハの加工に必要な情報をデータキャリアに入力する工程、および
   前記情報をデータキャリアから読み取り、該情報に基づいてウエハの加工を行う工程からなることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
2. 前記ウエハの加工に必要な情報が、半導体ウエハの状態に関する情報、個々の回路の良否に関する情報あるいは工程管理に必要なデータに関する情報であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの加工方法。
3. 前記半導体ウエハの状態に関する情報が、ウエハの厚み、ウエハの厚み精度、ウエハにおける傷の有無、回路の数、回路の大きさおよび回路間の距離からなる群から選択される少なくとも１つに関する情報であることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの加工方法。
4. 前記個々の回路の良否に関する情報が、回路の駆動性あるいは回路の耐久性に関する情報であって、かつ、優、良、可、不可のランク付けがなされていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの加工方法。
5. 前記工程管理に必要なデータに関する情報が、研削量、研削速度、最終的なウエハの厚み、ダイシングブレードの種類、ダイシング速度、ダイシングラインの間隔および回路の良否に関連付けられたチップの搭載先からなる群から選択される少なくとも１つに関する情報であることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの加工方法。
6. 前記加工を行う工程が、半導体ウエハの裏面研削、半導体ウエハのダイシングおよびダイシングにより形成された半導体チップのピックアップから選択される少なくとも一つの工程であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の半導体ウエハの加工方法。
7. 前記加工を行う工程が、半導体ウエハの裏面研削またはダイシングにより形成された半導体チップのピックアップの工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハの加工方法。
8. 前記半導体ウエハ支持部材が、プラスチック製のリングフレームと、該リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着シート上に貼着されたデータキャリアとからなることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の半導体ウエハの加工方法。
9. 入力された情報について質問器からの質問に対して応答を返信するデータキャリアを備えたプラスチック製の半導体ウエハ支持部材。
10. 前記入力された情報がウエハの加工に必要な情報であって、当該ウエハの加工に必要な情報が、半導体ウエハの状態に関する情報、個々の回路の良否に関する情報あるいは工程管理に必要なデータに関する情報であり、当該ウエハの加工に必要な情報がデータキャリアに記憶されてなることを特徴とする請求項９に記載の半導体ウエハ支持部材。
11. 前記半導体ウエハの状態に関する情報が、ウエハの厚み、ウエハの厚み精度、ウエハにおける傷の有無、回路の数、回路の大きさおよび回路間の距離からなる群から選択される少なくとも１つに関する情報であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体ウエハ支
    持部材。
12. 前記個々の回路の良否に関する情報が、回路の駆動性あるいは回路の耐久性に関する情報であって、かつ、優、良、可、不可のランク付けがなされていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体ウエハ支持部材。
13. 前記工程管理に必要なデータに関する情報が、研削量、研削速度、最終的なウエハの厚み、ダイシングブレードの種類、ダイシング速度、ダイシングラインの間隔および回路の良否に関連付けられたチップの搭載先からなる群から選択される少なくとも１つに関する情報であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体ウエハ支持部材。
14. データキャリアがプラスチック製の硬質板上に固定されてなる請求項９〜１３の何れかに記載の半導体ウエハ支持部材。
15. データキャリアがプラスチック製の硬質板内に埋め込まれてなる請求項９〜１３の何れかに記載の半導体ウエハ支持部材。
16. データキャリアが、プラスチック製のリングフレームに固定されてなる請求項９〜１３の何れかに記載の半導体ウエハ支持部材。
17. プラスチック製のリングフレームと、該リングフレームに張設された粘着シートと、該粘着シート上に貼着されたデータキャリアとからなる請求項９〜１３の何れかに記載の半導体ウエハ支持部材。
18. 前記リングフレームがポリカーボネート製のリングフレームであることを特徴とする請求項１６または１７に記載の半導体ウエハ支持部材。
19. 半導体ウエハの裏面研削またはダイシングにより形成された半導体チップのピックアップの加工工程で用いられる請求項９〜１８の何れかに記載の半導体ウエハ支持部材。

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