CN1777999A - 复合式白色光源及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 138
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 94
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 24
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000019771 cognition Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 208000012788 shakes Diseases 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
本发明揭示一种发射器,其包含一光源及一转换材料区域,该区域具有转换粒子散布其中。该光源能够沿着穿过该转换材料区域所延伸的多个光线路径发射光线。来自该光源的光线及来自该转换粒子重新发射的光线组合,以提供所要求颜色的光线。每个光线路径延伸穿过一些足可胜任的转换粒子,使得所要求颜色的光线沿着每道光线路径具有均匀颜色及强度。
Description
本申请主张具有2003年2月26日所提出的美国临时申请序号60/451067的优先权。
【技术领域】
本发明涉及光发射器,尤其涉及至少某些发射光的波长通过一转换材料区域来转换成其他波长的光发射器。
【现有技术】
发光二极管(LEDs)是一种重要类型的固态装置,该装置将电能转换成光能,而一般包含由半导体材料所组成的主动层,其夹在两相对掺杂层之间。当一偏压施加在横跨这些掺杂层之间时,空穴及电子注入该主动层,在该层中空穴及电子重组以产生光。光典型地全方位地从该主动层及该LED表面发射。
传统用以照明应用的LEDs的一项缺点在于它们无法从其主动层产生白光。一个让一单一蓝光发光二极管发射白光的方法是在其周围环绕一黄色磷光体、聚合物或染料。[参见Nichia Corp.白光二极管,料号NSPW300BS,NSPW312BS等等;也可参见Hayden美国专利编号5959316,″Multiple Encapsulation of Phosphor-LEDDevices″]。该周围材料会″向下转换″至少一些光线的波长,改变其颜色。例如,假如一蓝光发光二极管被一黄色磷光体所围绕着,则一些蓝光会通过该磷光体而没有被改变,而该其余光线被向下转换成黄色。因此,该LED发射出蓝光及黄光,这些光线组合后形成白光。
制造一个由转换材料区域所围绕的LED的传统方法是以必需电气连接将该LED镶嵌在一杯状次镶嵌,以将偏压施加到该LED。一注射器机构填满光学透明及可固化材料(例如环氧树脂、硅胶、溶胶凝胶等等)。利用混合在该材料的转换材料,在该处该转换材料典型地包含磷光体粒子。该注射器混合剂则被注入该次镶嵌内,覆盖着该LED而部分地填满该次镶嵌。当该透明材料先被注入该杯内时,这些转换粒子一般地均匀地混合/悬浮在该整个材料中。该透明材料则会固化,以形成该转换材料区域,而该全部组合封装在一透明环氧树脂内。
该制造方法的一项缺点在于在某些环境下,这些转换粒子不均匀地分布在该固化状态。在该透明材料混合物被注入一杯内之后,在被固化前会有一段时间延迟。在该延迟期间,这些转换粒子会往该杯的底部沉积而覆盖在该LED上,使得在该转换材料区域中存在不同浓度的粒子。该沉积问题在透明材料固化过程期间脱水而变得更加严重,这会让这些转换粒子更快速地沉积。该已沉积转换材料区域会导致当从不同角度观看时,来自该发射器的光呈现不同颜色及/或强度,因为该发射光线会遇到不同程度的转换材料。
该方法的另一项缺点在于从该注射器的光学透明材料的注射会在每个注射器之间引入转换粒子的浓度的变异,这会降低重制这些注射器的一致性。这些转换粒子会沉积在该注射器内,使得当该注射器充满着时注入该透明材料混合物的发射器会具有比稍后所形成的发射器更大浓度的转换粒子。从该注射器注射到该杯内的透明材料的数量也是难以控制,而不同数量的透明材料混合物沉积在不同发射器内。这也会导致不同发射器内有不同数量的转换粒子。该固化材料的末端表面形状也会变化,使得来自不同LEDs的光通过不同数量的透明材料及粒子。这些问题会减少制造具有一致性发光特征的发射器的能力。
该传统发射器制造方法的其他缺点在于当该发射器不符合这些必需发光标准时会浪费材料。因为没有实际可行的方法可以分离该发射器及该转换材料区域,所以假如该发射器及该转换材料区域有缺陷的话,该整个发射器必需丢弃。因此,假如该LED是良好的而该转换材料区域有缺陷的话,则两者都是没用的。丢弃该整个发射器会造成其他良好LEDs的过度浪费,这会增加制造上整体成本。
【发明内容】
本发明提供一种改良LED式发射器及一种用以制造可以对付传统发射器及方法的缺点的发射器的方法。根据本发明的发射器的一实施例包含一光源,该光源发射光线的第一光谱。一转换材料区域包含在内而与该光源分开地形成,而包含转换粒子。该转换材料区域位于该光源附近,使得至少某些光源的光线通过该转换材料区域。这些转换粒子吸收至少某些通过该转换材料区域的光源光线,而发射出光线的第二光谱。
根据本发明的发射器的另一实施例包含一光源,其发射光线的第一光谱,及一转换材料区域,其与该光源分开地形成。该转换材料区域位于该光源附近,而被配置成以吸收至少某些由该光源所发射的光线,而重新发射位在光线的第二光谱的光线。该发射器以光线的均匀第三光谱来发射该第一及第二光谱的组合。
根据本发明的制造发射器的方法的一实施例包含提供一光源,及提供一分离形成的转换材料区域,该区域含有转换粒子。该转换材料区域则连接于该光源附近。该转换材料区域如此放置使得至少某些从该光源以不同角度所发射的光线会流过该转换材料区域,及实质上穿过该相同数量的转换粒子。
本发明的这些及其他特征及优点对于熟练技术人员可以从该下列详细描述及一起所采用的这些伴随图式相当明显。
【附图说明】
图1是根据本发明的光发射器的一个实施例的剖面图,该光发射器具有一半球形含磷光体透镜,该透镜与该LED及次镶嵌分开制造;
图2是图1发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;
图3是根据本发明的发射器的其他实施例的剖面图,其具有一半球状含磷光体透镜;
图4是图3发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;
图5是根据本发明的发射器的其他实施例的剖面图,其具有一半球状含磷光体透镜;
图6是图5发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;
图7是根据本发明的发射器的其他实施例的剖面图,其具有一半球状含磷光体透镜;
图8是图7发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;
图9是根据本发明的发射器的其他实施例的剖面图,其具有一半球状透镜,该透镜具有一含磷光体层及散射粒子;
图10是图9发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;
图11是根据本发明的发射器的其他实施例的剖面图,其具有一大致上为半球状的透镜,该透镜具有一含磷光体层;
图12是图11的发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;
图13是根据本发明的发射器的其他实施例的剖面图,其具有一负载磷光体的盖子;
图14是图13发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;
图15是根据本发明的发射器的其他实施例的剖面图,其具有一穿孔式负载磷光体的盖子;
图16是图15发射器的剖面图,其将分开部分连接在一起;及
图17及18是说明制造根据本发明的发射器的方法的流程图。
【具体实施方式】
图1及2说明根据本发明的光发射器10的一个实施例。发射器10可用于许多不同应用,像是包含在一显示***内,在该显示***它透过一角度范围发射均匀颜色及/或强度的光线。该***可包含单一发射器或发射器阵列,但是在为了简化及便于讨论起见只有描述一个发射器。
发射器10包含光源12,其位在一杯状次镶嵌14的表面11上。光源12可以使用已知的结合方法来镶嵌在表面11。填充材料19设置于表面11上并环绕在光源12四周,使得填充材料19填充在该杯内的容积。一含有磷光体的半球状透镜16邻近于次镶嵌14。透镜16包含散布各处的转换粒子22,使得透镜16及粒子22形成一转换材料区域21。表面11可以对选定的波长具反射性,使得光源12所发射的光线从表面11反射,而促成该发射器10的光线发射。应注意的是转换粒子22以图1及2中所示的透镜16及在该文件中所显示的其余图示中的点点来表示。
该透镜16的表面13结合于填充料19,并保持在相对于次镶嵌14的适当地方。因此,透镜16如此放置使得光源12所发射的光线的一部分从表面13流到表面15穿过透镜16。然而,填充材料19是为任选(optional)的,而透镜16可以直接接合到次镶嵌14的表面17。填充料19包含一环氧树脂或其他填充料,其能够将透镜16接合到次镶嵌14。透镜16及填充料19包含一材料,该材料对于感兴趣的波长系呈透明。转换粒子22包含一或更多萤光或磷光体材料,像是磷光体、萤光染料或发光半导体材料。
如所示,光源12包含单一发光二极管(LED)。然而,光源12包含其他光发射器,像是一固态激光器、一激光二极管、一有机发光二极管,还有其他等等。典型的选定的要求波长在该红外线到该紫外线的范围之间,虽然其他波长也可以使用。再者,光源12可以包含发射出相同或不同波长的光线的多重光源。
传统LEDs及其他光发射器的操作及制造细节为人所知,所以只进行简单的讨论。传统LEDs可以从一些材料***通过许多已知方法来制造,例如利用化学气相沉积法(CVD)所制造的适当方法。其他适当方法包含分子光束外延法(MBE)及金属有机化学气相沉积法(MOCVD)。
LEDs通常包含一主动区域,该区域夹在两相对掺杂层之间,这些两相对掺杂层掺杂着p型或n型。该LED的顶层通常为p型,而该底层通常为n层,虽然如果这些层的传导性相反的话,LEDs也可以运作。这些p型及n型层具有各自接点(contact),而电气信号施加横跨这些接点,使得一电流注入到该主动区域而产生光发射。
次镶嵌14包含电气电路(未显示),其耦合到光源12,诸如用以提供电源用作光线发射的电气电路。次镶嵌14也可以包含用以保护光源12免受诸如静电冲击的大电气信号的组件及电路。
操作中,光源12发射所要求波长的光线,该发射光线直接来自该光源或是间接来自表面11的反射而流过透镜16。由光源12所发射的光线的一部分流过透镜16而被转换粒子22所吸收。
被吸收辐射的一部分在一或更多波长光谱上重新发射,其通常不同于该吸收波长,该重新发射光线典型地具有比该吸收光线更长的波长。该传输光线及该重新传输光线的组合使该发射器10能够发射不同于该原始发射光线的波长的光线。例如,光源12可发射蓝光而转换粒子22会吸收一部分的蓝光,而将之转换成黄光。该发射器10则会发射白光,其由该蓝光及黄光所组合。使用含有以该(Gd,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce***为基础的磷光体的转换粒子,可以让全范围的广泛黄光光谱发射变得可能。在其他范例中,转换粒子22利用一适当绿光发射材料(如Sr:thiogallate磷光体)重新发射绿光。可以使用吸收蓝光而重新发射不同波长的光线的其他转换粒子。也可以使用吸收不同波长的光线而重新发射不同波长的光线的不同转换粒子,像是吸收紫外线而发射位在不同波长上的光线的粒子。
根据本发明,要求均匀地散布转换粒子22在透镜16内,使得该发射光线的颜色及强度在整个广大范围的观看角度是均匀的。结果,透镜16制造成与次镶嵌14与光源12相分离。因此,取代注射该透明材料混合物,其系将透镜16形成到次镶嵌14内,利用诸如射出成型或该传统注射器制造程序的已知方法,材料可用以大量生产透镜。通过将透镜16制造成与次镶嵌14与光源12分离,其优点为可以克服使用传统方法制造发射器相关的问题。
一项优点是该制造程序可以提供比传统技术更为便宜的透镜。该程序比较便宜的理由是因为发射器10的形成减少所产生的浪费,因为光源12会在透镜16接合到次镶嵌14上之前先被测试。假如发射器10具有次于标准的发射或是其他缺陷,则会做出有关光源12或透镜16是否有缺陷的决定。该缺陷组件则会被放弃而以新组件来取代。该取代程序会避免与该传统制造程序有关的浪费,在该程序中假如该发射次于标准的话则该整个发射器会被丢弃。
另一项优点是这些发射器以更为弹性的制造程序来形成。例如,不同透镜可用以匹配次镶嵌14及光源12的几何形状。同样地,一特定发射器10所发射的颜色可以通过使用一透镜来改变,该透镜包含可以产生不同光线组合的不同类型的转换粒子。这些透镜的改变可以在该组装线上通过简单代换一不同透镜的供应来完成。
另可得到弹性的制造程序,因为形成透镜16的材料有较多选择。例如,因为在该传统注射器方法中,该透明材料直接注入到该LED上,所以只能够使用具有相当低熔点/固化温度的材料。假如使用较高温度的材料,则当光源12或次镶嵌14与该透明材料混合物相接触时会受到损伤。
透镜16制造成与光源12与次镶嵌14相分离,然后结合到次镶嵌14,如上面所讨论。结果,在该传统注射器程序中可能以其他方法而导致损害的材料现在也可以使用,一种这样的材料是玻璃。通过将转换粒子22装到一坚固耐用的材料(诸如玻璃)内,转换粒子22更可以免于受到该周围大气的污染,该污染会与粒子22间产生不良反应而减少发射器10的可用寿命。应了解该透镜16除了玻璃之外还可以由许多不同材料所制,诸如环氧树脂或塑胶,本发明并没有受限于在此所提到的特定透镜材料。
该制造程序也具有优点是该光线的以比传统制造技术所提供的光线更为均匀的颜色、强度及温度来发射。达到较佳均匀性的理由是因为从光源12以不同角度所发射的光线会通过类似厚度的透镜16,而因此穿过实质上类似数量的转换粒子22,因为它们实质上在整个区域21上具有均匀分布。例如,如图2中所示,光线路径1、2及3行经实质上为相同厚度的透镜16,及穿过实质上相同数量的转换粒子。
转换粒子22的均匀性被较佳地控制,因为透镜16被分开地形成。转换粒子22的沉积可以通过在该混合物注入到该模具之后快速固化该材料混合物,或在固化期间摇动该射出模具而避免。
另一项优点是转换材料区域21一般并不会接触到光源12,所以光源12的表面或形状上的变化不会显著地影响发射器10的效能。再者,假如转换材料区域21太靠近光源22,热会损坏转换粒子22。
图3及4说明根据本发明的发射器30的实施例。应注意的是发射器30所包含的组件类似于图1及2中所说明的组件。类似标号使用在类似组件上,以一认知为上述与发射器10相关连的讨论相同地也使用于发射器30及本说明书的其余部分所讨论的其他实施例。
发射器30包含光源12,其镶嵌到次镶嵌14。填充材料19放置在表面11上,以围绕在光源12四周,但是在此及在这些图示的其余部分为了简化及便于解释都省略。发射器30包含一透镜36,其镶嵌到表面17。透镜36包含一内层38,其具有转换粒子22,及一外层40,在该处层38及40较佳地处处需具有均匀厚度。透镜36为半球状并位于表面17上,使得光源12所发射的光线的一部分会流经透镜36,从一表面33到一表面35。
转换粒子22散布在转换材料区域21内。然而,转换材料区域21只有包含一部分的透镜36。特别地,转换粒子22散布在内层38,而较佳地没有散布在外层40内。因此,内层38包含与转换粒子22相混合的透明材料,而外层40包含透明材料。在该配置中,以不同角度从光源12所发射的光线会通过近乎相同厚度的透镜36及近乎相同数量的转换粒子22。(即光线路径1、2及3是相等的)
通过将透镜36形成半球状,一内部距离42(参见图4)可以保持在光源12与内层38及转换粒子22之间不变,其具有的距离42针对该特定光源12与次镶嵌14最佳化。距离42及厚度44的最佳值取决于光源12及次镶嵌14的类型及尺寸。距离42经过挑选以让光源12可以提供较高的光线强度,而不会产生能够造成转换粒子22损坏的过度热量。假如转换材料区域21非常靠近光源12的话,热量会损坏转换粒子22。
距离42也会影响该发光器30的光效率。当来自光源12的方向性光线进入到内层38而被重新导向回到光源12时,该方向性光线的一部分会被转换粒子22所吸收而重新朝全方位发射。假如距离42太短或假如转换粒子22直接放在光源12上,则该重新发射光线的某些部分会被导向回到光源12内而被吸收。该光线的吸收会减少该发射器30的整体光线发射效率,因为它增加光源12的温度。假如距离42很长,则厚度44会缩减成一点,而来自转换粒子22的光线会因为内部全反射而被陷在透镜36内,这也会降低发射器30的整体效率。
图5及6说明根据本发明的发射器50,其中发射器50包含一平坦次镶嵌54。在该实施例,一半球状透镜56放在光源12之上,而镶嵌到次镶嵌54的表面51,其具有光源12配置在透镜56的内部表面53与次镶嵌54之间的空间内(参见图6)。光源12及内部表面53相间隔摆放,使得来自转换材料区域22的重新发射光线被光源12所吸收能够最小化。透镜56包含转换粒子22,其散布在透镜56内,使得当从光源12发射的光线通过透镜56时,其一部分会被转换粒子22所吸收而以不同波长重新发射。
图7及8说明根据本发明的发射器70的实施例。在该实施例中,发射器70包含一半球状透镜76,其镶嵌到次镶嵌54的表面51。透镜76包含一内层78,其具有与转换粒子22相混合的透明材料,而一包含透明材料的外层80最好是没有任何转换粒子。光线流动从光源12穿过透镜76,从一表面73到一表面75。
如同上面所讨论与图3及4相关连,一内部距离82挑选在光源12与内层78之间,以最小化来自转换粒子22的重新发射光线到光源12的吸收。距离82及厚度84可被挑选成最佳化发射器50的光线效率,其中该光线效率通过最小化该重新发射光线的吸收及通过减少如上所讨论的内部全反射来最佳化。
图9及10说明根据本发明的发射器90的实施例,其中发射器90包含光源12,其镶嵌到次镶嵌14的表面11。在该实施例中,一半球状透镜96镶嵌到表面17,其中透镜96包含一具有转换粒子22的底层98。然而,除了转换粒子22散布在整层98之外,层98也包含散射粒子100,用以重新导向该光线的某些部分。
该光线由位在层98内的转换粒子22所吸收而重新发射的部分被引导沿着层98,如同箭头99所示(参见图10)。该重新发射光线被引导远离表面95。因此,在层98内含有散射粒子100的理由是用以重新引导该光线朝向表面95,使得发射器90的光线发射效率会增加。
转换粒子22的转换及散射效率取决于该光线的波长及这些转换粒子的大小。转换材料区域21典型上并不会有效率地散射光线,因为粒子22的转换效率会随着它们大小减少而减少。结果,要获得直径上小于近乎1微米的高转换效率粒子是困难的。为了有效地散射光线,散射粒子100的直径应该近乎要被散射的光线的波长的一半。在空中,这会导致粒子100在直径近乎为0.2到0.25微米。该范围的直径对于在不同媒体内的粒子会更小,像是环氧树脂或其他具有折射率大于自由空间的材料。结果,磷光体粒子一般地太大以致于不能有效地散射光线。
图11及12说明根据本发明的发射器110的实施例,其中发射器110包含光源12,其镶嵌到一次镶嵌114的表面111。在该实施例中,一透镜116放在次镶嵌114的表面117上,其中透镜116具有一底层118,该底层包含转换粒子22。光线流来自光源12,穿过透镜116,从一表面103到一表面105。
次镶嵌114包含一表面101及一表面115,其被定位成重新引导来自转换粒子22所发射的光线朝向表面105。因此,底层118并不需要包含类似上述所讨论用以散射来自转换粒子22的重新发射光线的散射粒子100的散射粒子。然而,应注意的是散射粒子100仍然可以包含在层118内,但是为了简化及便于解释而省略。
表面101及115被塑形,所以沿着层118所引导的光线反射离开表面101及/或117,然后与从光源12所发射流过层118到表面105的光线相组合。从表面101及115所反射的光线可以促成发射器110所发射的光线。因此,发射器110的光线发射效率通过包含表面101及115在次镶嵌114内来增加。
图13及14说明根据本发明的发射器130的实施例,其中发射器130包含一被塑形的LED 152。在该实施例中,发射器130并没有包含一如同在前面所讨论的实施例中一样的次镶嵌。反而,发射器130包含接点134及135,其配置在LED 152的底部。因此,LED 152可以被镶嵌在一具有接点134及135的金属盖内,这些接点电气连接到位在该盖子处的偏压源,以提供电源给LED 152的照明。
取代具有一透镜,发射器130包含一磷光体负载盖136,其具有与LED 152相同形状,及较佳地具有一大致上一致的厚度。盖子136可以由如同上述的透镜的类似材料所制成,而可以包含转换粒子散射其中。盖子136可以通过如同上述的透镜的相同方法来制造成与LED 152分离,即一种方法是射出成形。盖子136可以利用一环氧树脂或其他类似材料在适当的地方镶嵌在LED 152上。
在操作中,以不同角度来自LED 152所发射的光线将会通过盖子136的类似厚度,因此该光线将会遭遇类似数量的转换粒子22,其使得当从不同角度观看时,发射器130能够提供实质上相同颜色及强度的光线。
图15及16说明根据本发明的发射器150的实施例,其中发射器150包含LED152及一磷光体负载盖子154。在该实施例中,然而,取代具有两底部接点,LED 152具有一底部接点156及一顶部接点158。盖子154具有一略大于该顶部接点158的顶部穿孔160,使得当盖子154连结到LED 152时,顶部接点158配置在顶部穿孔160之内,然而还是可进入的。穿孔160可以放在沿着该磷光体盖上的任何地方,但是为了简化及便于解释显示成放在该顶部的中心。
顶部接点158的配置使得一电气信号可以透过底部及顶部接点156及158分别提供给LED 152。对于如同在图16中所表示的LED 150,该电气信号透过导体162提供给顶部接点158,该导体162以接线的方式连接到接点158。该电气信号也可以透过一导体(未绘示)或透过一金属杯来提供给底部接点156。
制造方法
图17是根据本发明的发射器制造方法170的一个实施例的流程图,其中该发射器的组件分开制造,然后再接合在一起。在一步骤172中,一LED使用任何已知方法来制造,像是在一MOCVD反应装置中的制造。在一步骤174中,该次镶嵌被制造,而在步骤176中,该LED使用已知的结合方法来连接到该次镶嵌的基部。在一步骤178中,具有转换材料区域的透镜使用已知制造方法来制造,像是射出成形。在最后步骤180中,该透镜结合到该次镶嵌在该LED上,其具有一较佳方法为利用环氧树脂或其他填充材料来填满在该透镜与该次镶嵌/LED之间的空间,然后接触到该透镜的内部表面以将之固定在适当的地方。
在另外中间步骤中(未绘示),该发射器可以利用在该次镶嵌上适当地方的透镜来加以测试,但是是在它被接合到该次镶嵌之前。假如该发射器的发射低于标准的话,则会做出该LED或该透镜是否有缺陷的决定。该有缺陷零件则会被丢弃而重新以新的零件来取代。结合步骤180可以执行在当该测试程序重复执行直到该发射器有效率地操作之后。
图18是根据本发明之发射器制造方法的其他实施例190的流程图。在一步骤192中,一LED使用任何已知方法来制造,像是在一MOCVD反应装置中的制造,其中该LED可以是任意的形状。在一步骤194中,接点使用诸如溅镀法的已知方法以形成在该LED上。在一步骤196中,一磷光体负载盖子使用已知方法以制造,像是射出成形。在一步骤198中,该盖子镶嵌到该LED,使得该LED光线的一部分通过该盖子。该盖子可以使用环氧树脂或其他结合材料来镶嵌到该LED。在某一方法中,这些接点沉积在该LED的底部表面及该盖子的覆盖的LED的顶部及侧边表面上。在其他实施例中,一接点沉积在该LED的底部表面上,而其他接点沉积在该LED的顶部表面上。该盖子穿孔在其顶部表面上,而当它连接到该LED时,该顶部接点被覆盖于该穿孔内,然而还是可进入的。
该方法也可以包含在该发射器的盖子被结合到该LED之前先测试它的中间步骤。假如该盖子或该LED被发现具有缺陷,则该缺陷零件会被丢弃而代之以不同零件。在该盖子被连结到该LED之前,该测试可以重复执行直到该发射器发射光线在一些可视角范围内具有充分的颜色及强度。
虽然本发明已经参考其某些较佳配置以相当的细节来加以描述,但是其他版本也是有可能。这些上述方法中的步骤顺序可以不一样。根据本发明的其他方法可以使用更多或更少的步骤,也可以使用不同步骤。上述之透镜及盖子可以采取许多不同形状及层,而可以包含许多不同类型的转换粒子。该透镜及盖子可以被塑形以调适该特定应用,且也可以被塑形以聚焦该发射光线。所描述之每一个透镜及盖子也可以包含散射粒子散布于其中或在不同位置上。
因此,在此所描述之本发明的实施例为示范用,而许多修正、变化及重新配置可以很容易被想象以达成实质上为相等的结果,这些所有都涵盖在文后申请专利范围内所定义的本发明的精神及范围内。
Claims (43)
1.一种发射器,其包含:
光源,其发射第一光谱的光;及
转换材料区域,其与所述光源分开地形成,并包含转换粒子,该转换材料区域位于靠近该光源的地方,使得该光源光线的至少某些光线会通过该转换材料区域,这些转换粒子会吸收该光源光线通过该转换材料区域的至少某些光线,然后发射第二光谱的光线。
2.如权利要求1所述的发射器,其中该光源沿着延伸穿过该转换材料区域的多个光线路径发射该第一光谱的光线,每个光线路径延伸穿过实质上相等数量的转换粒子。
3.如权利要求1所述的发射器,其中这些转换粒子散布在该转换材料区域中,使得这些转换粒子发射具有均匀颜色及强度的第二光谱的光线。
4.如权利要求1所述的发射器,其中这些转换粒子发射具有均匀颜色及强度的第二光谱的光线。
5.如权利要求1所述的发射器,其中该转换材料区域包含散射粒子,这些粒子可以重新引导该第一及第二光谱的光线的至少某些光线。
6.如权利要求1所述的发射器,其中该转换材料区域包含玻璃透镜。
7.如权利要求6所述的发射器,其中该玻璃透镜与该光源分开地形成,而结合到靠近该光源的地方。
8.如权利要求1所述的发射器,其中该转换材料区域包含磷光体负载盖子。
9.如权利要求8所述的发射器,其中该磷光体负载盖子被塑形以紧密地配合在该发射器的一个或更多个表面上,使得该光源通过该磷光体盖子的光线可以实质上通过相同数量的转换粒子。
10.如权利要求8所述的发射器,其中该磷光体负载盖子包含一穿孔,用以接收一电气接点到该光源。
11.如权利要求10所述的发射器,其中该穿孔至少有部分以转换粒子及散射粒子的至少一项来填满。
12.如权利要求8所述的发射器,其中该磷光体负载盖子与该光源分开地形成,而结合到靠近该光源的表面的至少某一表面的地方。
13.如权利要求1所述的发射器,其中还包含次镶嵌,该光源镶嵌到该次镶嵌,而该转换材料区域镶嵌到该次镶嵌。
14.如权利要求1所述的发射器,其中该转换材料区域为半球状,而该光源配置用以发射光线朝向该转换材料区域的基底,并且穿过该基底。
15.如权利要求1所述的发射器,其中该光源包含发光二极管。
16.如权利要求1所述的发射器,其发射一光谱的光线由该第一及第二光谱的光线组合而成。
17.如权利要求1所述的发射器,其中该转换材料区域相对这些光源放置,使得在该其之间存在一空间。
18.一种发射器,其包含:
光源,其发射第一光谱的光线;及
转换材料区域,其与该光源分开地形成,而位于靠近该光源的地方,该转换材料区域配置用以吸收该光源所发射的光线的至少某些光线,然后以第二光谱的光线重新发射光线,该发射器发射该第一及第二光谱的光线的组合,其在均匀第三光谱的光线内。
19.如权利要求18所述的发射器,其中该转换材料区域与靠近该光源的位置分开。
20.如权利要求18所述的发射器,还包含次镶嵌,其中该光源位于该次镶嵌的第一表面上,而该转换材料区域位于该次镶嵌的第二表面上。
21.如权利要求18所述的发射器,其中该次镶嵌配置用以反射该第一及第二光谱的某些光线。
22.如权利要求20所述的发射器,其中该转换材料区域包含透镜,该透镜结合到该次镶嵌的第二表面,该第二表面位于该第一表面之上。
23.如权利要求20所述的发射器,其中该次镶嵌表面至少之一将该第一及第二光谱的光线的某些光线反射到该透镜。
24.如权利要求20所述的发射器,其中该次镶嵌包含一杯状次镶嵌及一平面次镶嵌之一。
25.如权利要求22所述的发射器,其中该透镜包含转换材料区域及透明材料区域。
26.如权利要求22所述的发射器,其中该透镜塑形以配合在该次镶嵌内。
27.如权利要求18所述的发射器,其中该转换材料区域包含一磷光体负载盖子。
28.如权利要求27所述的发射器,其中该磷光体负载盖子塑形以配合该光源的形状。
29.如权利要求27所述的发射器,其中该磷光体负载盖子与该光源分开地形成,而结合到靠近该光源处。
30.如权利要求18所述的发射器,其中该转换材料区域相对于该光源放置,使得在这些其中存在一空间,该空间被选定以获得该第三光谱的光线的实质上均匀发射。
31.如权利要求18所述的发射器,其中该转换材料区域相对于该光源放置,使得在该其中存在一空间,该空间被挑选以获得该第三光谱的光线具有所要求颜色及强度的至少一项。
32.一种制造发射器的方法,其包含:
提供光源;
提供分开形成的转换材料区域,其包含转换粒子;及
结合该转换材料区域到靠近该光源的地方,该转换材料区域如此放置,使得以不同角度从该光源所发射的光线的至少某些光线流经该转换材料区域,并经过实质上为相同数量的转换粒子。
33.如权利要求32所述的方法,还包含一步骤:提供次镶嵌,该光源结合到该次镶嵌的第一表面。
34.如权利要求32所述的方法,其中这些转换粒子散布在该转换材料区域内,使得该发射器发射光线具有相同颜色及强度的至少一项。
35.如权利要求32所述的方法,其中提供该转换材料区域的步骤包含一步骤:提供一透镜,该透镜包含该转换材料区域。
36.如权利要求33所述的方法,其中结合该转换材料区域以靠近该光源的地方的步骤包含一步骤:将该透镜结合到该次镶嵌的该第一表面及一第二表面之一。
37.如权利要求35所述的方法,其中提供该透镜之步骤包含一步骤:提供一透镜,该透镜具有一开口,其配置用以至少部分环绕在该光源四周。
38.如权利要求33所述的方法,其中提供该次镶嵌的步骤包含一步骤:提供平面次镶嵌及杯状次镶嵌之一。
39.如权利要求33所述的方法,其中该次镶嵌包含一杯状次镶嵌,其具有一第三边,其配置用以反射从该转换材料区域所重新发射的光线的至少一部份。
40.如权利要求32所述的方法,其中提供该转换材料区域的步骤包含一步骤:提供一磷光体负载盖子,该盖子包含该转换材料区域。
41.如权利要求40所述的方法,其中提供该磷光体负载盖子的步骤包含一步骤:提供一磷光体负载盖子,该盖子被塑形为至少部分环绕在该光源四周。
42.如权利要求40所述的方法,其中提供该磷光体负载盖子的步骤包含一步骤:提供一磷光体负载盖子,其具有一穿孔,用以咬合一接点。
43.如权利要求42所述的方法,还包含一步骤:以转换粒子及散射粒子的至少一项来填满该穿孔。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US45106703P | 2003-02-26 | 2003-02-26 | |
US60/451,067 | 2003-02-26 | ||
PCT/US2004/005650 WO2004077580A2 (en) | 2003-02-26 | 2004-02-24 | White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1777999A true CN1777999A (zh) | 2006-05-24 |
CN1777999B CN1777999B (zh) | 2010-05-26 |
Family
ID=32927698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200480011028XA Expired - Lifetime CN1777999B (zh) | 2003-02-26 | 2004-02-24 | 复合式白色光源及其制造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9142734B2 (zh) |
EP (2) | EP1597777B1 (zh) |
JP (3) | JP2006519500A (zh) |
KR (2) | KR20050113200A (zh) |
CN (1) | CN1777999B (zh) |
CA (1) | CA2517009A1 (zh) |
MY (1) | MY142684A (zh) |
TW (2) | TW201225339A (zh) |
WO (1) | WO2004077580A2 (zh) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157670A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光装置 |
CN101548397B (zh) * | 2006-11-17 | 2011-12-21 | 3M创新有限公司 | 用于led光源的光学粘合组合物 |
CN102339931A (zh) * | 2010-07-16 | 2012-02-01 | 日东电工株式会社 | 发光装置用零件、发光装置及其制造方法 |
CN102468417A (zh) * | 2010-11-10 | 2012-05-23 | 三星Led株式会社 | 发光装置封装件及其制造方法 |
CN102484193A (zh) * | 2009-09-17 | 2012-05-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 结合窗口元件的模制透镜 |
CN102484191A (zh) * | 2009-09-17 | 2012-05-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 带高折射率透镜的led模块 |
CN104412029A (zh) * | 2012-06-28 | 2015-03-11 | 英特曼帝克司公司 | 包含发光磷光体的线状led照明布置 |
CN103199185B (zh) * | 2008-05-30 | 2015-07-08 | 夏普株式会社 | 发光装置、面光源、液晶显示装置和制造发光装置的方法 |
CN104904011A (zh) * | 2012-11-15 | 2015-09-09 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 侧视多色led装置 |
US9512970B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
US9595644B2 (en) | 2006-08-03 | 2017-03-14 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
US10209564B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-02-19 | Au Optronics Corporation | Backlight module with porous optical film and a wavelength conversion layer disposed above a light source where the optical film has a plurality of light emission structures |
US10557594B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-02-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
Families Citing this family (152)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
US7800121B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
US7479662B2 (en) | 2002-08-30 | 2009-01-20 | Lumination Llc | Coated LED with improved efficiency |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7775685B2 (en) * | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
EP1597777B1 (en) | 2003-02-26 | 2013-04-24 | Cree, Inc. | Composite white light source and method for fabricating |
US20050006659A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-13 | Ng Kee Yean | Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion |
US7837348B2 (en) * | 2004-05-05 | 2010-11-23 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element |
US7819549B2 (en) * | 2004-05-05 | 2010-10-26 | Rensselaer Polytechnic Institute | High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material |
US7315119B2 (en) * | 2004-05-07 | 2008-01-01 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd | Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness |
JP3875247B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2007-01-31 | 株式会社エンプラス | 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材 |
JP4756841B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-08-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
US7352011B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-04-01 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wide emitting lens for LED useful for backlighting |
JP2006156837A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置 |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US7358543B2 (en) * | 2005-05-27 | 2008-04-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device |
US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
JP2008544553A (ja) * | 2005-06-23 | 2008-12-04 | レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート | 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計 |
US7319246B2 (en) * | 2005-06-23 | 2008-01-15 | Lumination Llc | Luminescent sheet covering for LEDs |
KR20080030038A (ko) * | 2005-06-23 | 2008-04-03 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 발광 장치 및 그 설계 방법 |
US7294861B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor tape article |
JP4552798B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2010-09-29 | パナソニック電工株式会社 | Led照明装置 |
KR100665222B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
US20070023762A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Luxo Asa And Oec Ag | White light emitting LED-powered lamp |
US7329907B2 (en) * | 2005-08-12 | 2008-02-12 | Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd | Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity |
DE102006020529A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP3952075B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-08-01 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
JP3948483B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-07-25 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
US7956372B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-06-07 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3963188B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-08-22 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
JP4678389B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-04-27 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
JP4204058B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2009-01-07 | パナソニック電工株式会社 | Led照明器具 |
JP4678388B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-04-27 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
US7948001B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-05-24 | Panasonic Electric Works, Co., Ltd. | LED lighting fixture |
KR20070033801A (ko) * | 2005-09-22 | 2007-03-27 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
JP3992059B2 (ja) | 2005-11-21 | 2007-10-17 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR100649765B1 (ko) | 2005-12-21 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛 |
CN101351891B (zh) * | 2005-12-22 | 2014-11-19 | 科锐公司 | 照明装置 |
JP2009530798A (ja) | 2006-01-05 | 2009-08-27 | イルミテックス, インコーポレイテッド | Ledから光を導くための独立した光学デバイス |
JP4863357B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-01-25 | 株式会社エンプラス | 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材 |
US7928462B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-04-19 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same |
US9951438B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
KR100783794B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2007-12-07 | (주)씨티엘 | 복층 에폭시 수지 구조의 발광 다이오드 패키지 |
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
US20070258241A1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-08 | 3M Innovative Properties Company | Led package with non-bonded converging optical element |
US20070257271A1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-08 | 3M Innovative Properties Company | Led package with encapsulated converging optical element |
US7390117B2 (en) * | 2006-05-02 | 2008-06-24 | 3M Innovative Properties Company | LED package with compound converging optical element |
US7525126B2 (en) * | 2006-05-02 | 2009-04-28 | 3M Innovative Properties Company | LED package with converging optical element |
US20070257270A1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-08 | 3M Innovative Properties Company | Led package with wedge-shaped optical element |
DE102006029203B9 (de) * | 2006-06-26 | 2023-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Lichtemittierende Vorrichtung |
US20080012034A1 (en) * | 2006-07-17 | 2008-01-17 | 3M Innovative Properties Company | Led package with converging extractor |
KR100851636B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2008-08-13 | 삼성전기주식회사 | 표면실장형 발광다이오드 소자 |
WO2008016908A2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | 3M Innovative Properties Company | Led source with hollow collection lens |
US8735920B2 (en) * | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
CN101513120A (zh) * | 2006-08-03 | 2009-08-19 | 英特曼帝克司公司 | 包含发光磷光体的发光二极管照明布置 |
US7703942B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-04-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-efficient light engines using light emitting diodes |
US7842960B2 (en) | 2006-09-06 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Light emitting packages and methods of making same |
US10295147B2 (en) * | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
US7889421B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-02-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-power white LEDs and manufacturing method thereof |
KR101450929B1 (ko) * | 2006-11-20 | 2014-10-14 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Led 광원용 광학 접합 조성물 |
US20080121911A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Cree, Inc. | Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same |
KR100851183B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
DE102007006349A1 (de) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
US20080198572A1 (en) | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
US20080237618A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Feng-Fu Ko | Light emitting diode module and manufacturing method thereof |
US20080283864A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Letoquin Ronan P | Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices |
JP5158472B2 (ja) | 2007-05-24 | 2013-03-06 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2010529612A (ja) * | 2007-06-05 | 2010-08-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明システム、コリメータ及びスポットライト |
WO2009014590A2 (en) | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions and methods including depositing nanomaterial |
WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
US8128249B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
DE102007049799A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US8783887B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-07-22 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
JP2011512037A (ja) | 2008-02-08 | 2011-04-14 | イルミテックス, インコーポレイテッド | エミッタ層成形のためのシステムおよび方法 |
JP4479805B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | レンズ、光源ユニット、バックライト装置及び表示装置 |
DE102008021436A1 (de) * | 2008-04-29 | 2010-05-20 | Schott Ag | Optik-Konverter-System für (W)LEDs |
DE102008025756B4 (de) | 2008-05-29 | 2023-02-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiteranordnung |
GB2462807A (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-24 | Glory Science Co Ltd | A uniform intensity light emitting unit |
US9425172B2 (en) * | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US7928655B2 (en) * | 2008-11-10 | 2011-04-19 | Visera Technologies Company Limited | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
DE102008057140A1 (de) | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
TWI608760B (zh) * | 2008-11-13 | 2017-12-11 | 行家光電有限公司 | 形成螢光粉轉換發光元件之方法 |
DE102009017946A1 (de) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Linse, optoelektronisches Bauelement aufweisend eine Linse und Verfahren zur Herstellung einer Linse |
TWM374650U (en) * | 2009-04-20 | 2010-02-21 | Hsin I Technology Co Ltd | LED packaging structure |
US10422503B2 (en) | 2009-10-30 | 2019-09-24 | Ideal Industries Lighting Llc | One-piece multi-lens optical member and method of manufacture |
US8337030B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods |
WO2010138697A1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Gary Wayne Jones | High efficiency and long life optical spectrum conversion device and process |
US20100301728A1 (en) * | 2009-06-02 | 2010-12-02 | Bridgelux, Inc. | Light source having a refractive element |
JP2011009572A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Citizen Electronics Co Ltd | フリップチップ実装型led及びフリップチップ実装型ledの製造方法。 |
US8449128B2 (en) * | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
CN102630288B (zh) | 2009-09-25 | 2015-09-09 | 科锐公司 | 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备 |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
US9163802B2 (en) * | 2009-12-02 | 2015-10-20 | Abl Ip Holding Llc | Lighting fixtures using solid state device and remote phosphors to produce white light |
US8466611B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-06-18 | Cree, Inc. | Lighting device with shaped remote phosphor |
US8330373B2 (en) * | 2010-02-15 | 2012-12-11 | Abl Ip Holding Llc | Phosphor-centric control of color characteristic of white light |
US8517550B2 (en) * | 2010-02-15 | 2013-08-27 | Abl Ip Holding Llc | Phosphor-centric control of color of light |
US20130313965A1 (en) * | 2010-02-18 | 2013-11-28 | Walsin Lihwa Corporation | Light Emitting Diode Unit |
CN102770796A (zh) * | 2010-03-01 | 2012-11-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照明装置 |
US8350453B2 (en) * | 2010-05-25 | 2013-01-08 | Nepes Led Corporation | Lamp cover including a phosphor mixed structure for light emitting device |
US20130070168A1 (en) * | 2010-05-26 | 2013-03-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Led light source, led backlight, liquid crystal display device and tv reception device |
DE102010022561A1 (de) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonversionselement, optoelektronisches Bauelement mit einem Wellenlängenkonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements |
US8896005B2 (en) * | 2010-07-29 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters |
DE102010034923A1 (de) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht |
KR101742615B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2017-06-01 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 발광 모듈 |
US8604678B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
US8610341B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
US8614539B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
JP6069205B2 (ja) | 2010-10-05 | 2017-02-01 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | フォトルミネッセンス波長変換を備える発光装置及び波長変換コンポーネント |
US9140429B2 (en) | 2010-10-14 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Optical element edge treatment for lighting device |
US8491140B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-07-23 | Cree, Inc. | Lighting device with multiple emitters and remote lumiphor |
US9648673B2 (en) | 2010-11-05 | 2017-05-09 | Cree, Inc. | Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters |
KR20120082655A (ko) | 2011-01-14 | 2012-07-24 | 삼성전자주식회사 | 엘이디 플래시 렌즈 유닛 및 그 제조방법 |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
KR20140038553A (ko) | 2011-07-21 | 2014-03-28 | 크리,인코포레이티드 | 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들 |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
CN104115290B (zh) | 2011-11-23 | 2017-04-05 | 夸克星有限责任公司 | 提供光的不对称传播的发光装置 |
US9496466B2 (en) * | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
JP5450680B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2014-03-26 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
EP2820351B1 (en) * | 2012-03-01 | 2017-02-01 | Philips Lighting Holding B.V. | Led lighting arrangement |
DE102012203791A1 (de) * | 2012-03-12 | 2013-09-12 | Zumtobel Lighting Gmbh | LED-Modul |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
US9383496B2 (en) * | 2012-06-05 | 2016-07-05 | Rambus Delaware Llc | Edge lit lighting assembly with spectrum adjuster |
US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
KR102029802B1 (ko) | 2013-01-14 | 2019-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2014139999A (ja) | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
US9587790B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-07 | Cree, Inc. | Remote lumiphor solid state lighting devices with enhanced light extraction |
US9920901B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-03-20 | Cree, Inc. | LED lensing arrangement |
US10400984B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-09-03 | Cree, Inc. | LED light fixture and unitary optic member therefor |
JP5698808B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2015-04-08 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP6340422B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2018-06-06 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 量子ドット蛍光体を含むledキャップ |
CN104716244A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 白光led封装结构 |
US9669756B2 (en) * | 2014-09-29 | 2017-06-06 | Nissan North America, Inc. | Under vehicle illumination |
US10495268B1 (en) * | 2014-10-31 | 2019-12-03 | The Regents Of The University Of California | High intensity solid state white emitter which is laser driven and uses single crystal, ceramic or polycrystalline phosphors |
JP6755090B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2020-09-16 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
KR102408618B1 (ko) * | 2015-02-16 | 2022-06-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치 |
US10488018B2 (en) * | 2015-08-17 | 2019-11-26 | Infinite Arthroscopy, Inc. Limited | Light source |
DE102016117189A1 (de) | 2016-09-13 | 2018-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
AU2018221566B2 (en) | 2017-02-15 | 2020-07-23 | Infinite Arthroscopy Inc. Limited | Wireless medical imaging system comprising a head unit and a light cable that comprises an integrated light source |
WO2019108771A1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | Corning Incorporated | Quantum-dot led backlight module for led displays |
USD938584S1 (en) | 2020-03-30 | 2021-12-14 | Lazurite Holdings Llc | Hand piece |
USD972176S1 (en) | 2020-08-06 | 2022-12-06 | Lazurite Holdings Llc | Light source |
US11367810B2 (en) | 2020-08-14 | 2022-06-21 | Creeled, Inc. | Light-altering particle arrangements for light-emitting devices |
Family Cites Families (164)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2127239A5 (zh) | 1971-03-01 | 1972-10-13 | Radiotechnique Compelec | |
US4476620A (en) | 1979-10-19 | 1984-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making a gallium nitride light-emitting diode |
JPS60106175A (ja) | 1983-11-14 | 1985-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
JPS61144890A (ja) | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Stanley Electric Co Ltd | Ledランプのレンズの製造方法 |
JPS62143942A (ja) | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Taihoo Kogyo Kk | 防曇材 |
JPH01230274A (ja) | 1987-11-13 | 1989-09-13 | Iwasaki Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
US5094185A (en) | 1987-11-24 | 1992-03-10 | Lumel, Inc. | Electroluminescent lamps and phosphors |
JPH01139664A (ja) | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Sanken Kagaku Kk | 溶剤型粘着剤 |
JPH01287973A (ja) | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Takiron Co Ltd | ドットマトリックス発光表示体 |
JPH04555A (ja) | 1990-04-17 | 1992-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | データ処理装置 |
JPH0428269A (ja) | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Fujikura Ltd | Ledベアチップの実装構造 |
JPH0646038A (ja) | 1991-04-26 | 1994-02-18 | Nec Corp | オンライン機能確認方法 |
JPH058494A (ja) | 1991-07-04 | 1993-01-19 | Canon Inc | 記録装置 |
JPH05298384A (ja) | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | シンボル配置方法 |
JPH06275866A (ja) | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | ポーラス半導体発光装置と製造方法 |
JPH05327012A (ja) | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素発光ダイオード |
JP3269668B2 (ja) | 1992-09-18 | 2002-03-25 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池 |
JPH0769328B2 (ja) | 1992-10-30 | 1995-07-26 | 株式会社生体科学研究所 | 代謝解析方法 |
JPH06177427A (ja) | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードランプ |
JPH06214481A (ja) | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
JPH07193281A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Mitsubishi Materials Corp | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
JP3127195B2 (ja) | 1994-12-06 | 2001-01-22 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
JPH0983018A (ja) | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JPH09138402A (ja) | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Kouha:Kk | 液晶表示装置照明用ledバックライト装置 |
JP3311914B2 (ja) | 1995-12-27 | 2002-08-05 | 株式会社シチズン電子 | チップ型発光ダイオード |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
KR100643442B1 (ko) * | 1996-06-26 | 2006-11-10 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JP3065263B2 (ja) | 1996-12-27 | 2000-07-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたled表示器 |
JPH10233532A (ja) | 1997-02-21 | 1998-09-02 | Houshin Kagaku Sangiyoushiyo:Kk | 発光ダイオード |
US5813753A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
US6784463B2 (en) | 1997-06-03 | 2004-08-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
JPH1126808A (ja) | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
US6346771B1 (en) | 1997-11-19 | 2002-02-12 | Unisplay S.A. | High power led lamp |
JPH11177129A (ja) | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | チップ型led、ledランプおよびledディスプレイ |
US6252254B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
JP2607796Y2 (ja) | 1998-02-09 | 2002-07-08 | 株式会社ケンウッド | スピーカ用磁気回路 |
JP3704941B2 (ja) | 1998-03-30 | 2005-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2000031548A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP3486345B2 (ja) | 1998-07-14 | 2004-01-13 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 半導体発光装置 |
US5959316A (en) | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
US6355508B1 (en) * | 1998-09-02 | 2002-03-12 | Micron Technology, Inc. | Method for forming electrostatic discharge protection device having a graded junction |
US6204523B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
JP3469484B2 (ja) | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2000208822A (ja) | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
JP4680334B2 (ja) | 1999-01-13 | 2011-05-11 | 株式会社朝日ラバー | 発光装置 |
JP2000223749A (ja) | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードランプとその製造方法、チップ型発光ダイオード素子及びドットマトリクス型発光ダイオードユニット |
US6521916B2 (en) | 1999-03-15 | 2003-02-18 | Gentex Corporation | Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity |
US6222207B1 (en) | 1999-05-24 | 2001-04-24 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip |
JP2001148514A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明光源 |
US7202506B1 (en) | 1999-11-19 | 2007-04-10 | Cree, Inc. | Multi element, multi color solid state LED/laser |
CA2393081C (en) | 1999-12-03 | 2011-10-11 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements |
JP2001177153A (ja) | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Sharp Corp | 発光装置 |
US6486499B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
US6504860B2 (en) | 2001-01-29 | 2003-01-07 | Cymer, Inc. | Purge monitoring system for gas discharge laser |
JP3696021B2 (ja) | 2000-01-20 | 2005-09-14 | 三洋電機株式会社 | 光照射装置 |
EP1187228A4 (en) | 2000-02-09 | 2007-03-07 | Nippon Leiz Corp | LIGHT SOURCE |
JP4406490B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2010-01-27 | 株式会社朝日ラバー | 発光ダイオード |
WO2001082386A1 (fr) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur electroluminescent a emission laterale et son procede de production |
JP2001345485A (ja) | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
GB0015898D0 (en) | 2000-06-28 | 2000-08-23 | Oxley Dev Co Ltd | Light |
JP2002076443A (ja) | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Citizen Electronics Co Ltd | Ledチップ用反射カップ |
US7064355B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-06-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
US7053419B1 (en) * | 2000-09-12 | 2006-05-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
JP3466144B2 (ja) | 2000-09-22 | 2003-11-10 | 士郎 酒井 | 半導体の表面を荒くする方法 |
US6998281B2 (en) | 2000-10-12 | 2006-02-14 | General Electric Company | Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics |
US6650044B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
US20020063520A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-05-30 | Huei-Che Yu | Pre-formed fluorescent plate - LED device |
JP3614776B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2005-01-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ledとその製造方法 |
JP5110744B2 (ja) | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
JP2002217450A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US6791119B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
TW516247B (en) * | 2001-02-26 | 2003-01-01 | Arima Optoelectronics Corp | Light emitting diode with light conversion using scattering optical media |
JP2002261333A (ja) | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP4430264B2 (ja) | 2001-03-19 | 2010-03-10 | 日亜化学工業株式会社 | 表面実装型発光装置 |
JP2002289923A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP4101468B2 (ja) | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US6686676B2 (en) | 2001-04-30 | 2004-02-03 | General Electric Company | UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same |
JP2002344029A (ja) | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードの色調調整方法 |
JP4789350B2 (ja) | 2001-06-11 | 2011-10-12 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
US6642652B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-11-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor-converted light emitting device |
JP2003017756A (ja) | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2003037297A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置 |
JP2003036707A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明装置とその製造方法 |
TW552726B (en) * | 2001-07-26 | 2003-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device in use of LED |
JP2003110146A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP4122737B2 (ja) | 2001-07-26 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE10137641A1 (de) * | 2001-08-03 | 2003-02-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Hybrid-LED |
JP2003051622A (ja) | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Rohm Co Ltd | 白色系半導体発光装置 |
TW506145B (en) | 2001-10-04 | 2002-10-11 | United Epitaxy Co Ltd | High Luminescence LED having transparent substrate flip-chip type LED die |
US6610598B2 (en) | 2001-11-14 | 2003-08-26 | Solidlite Corporation | Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens |
TW511782U (en) | 2001-11-29 | 2002-11-21 | Wen-Chin Lin | Improved structure of light-emitting diode |
TW524391U (en) | 2001-12-27 | 2003-03-11 | Solidlite Corp | Connection type SMT LED |
CA2466141C (en) | 2002-01-28 | 2012-12-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method |
JP2003234509A (ja) | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
JP2003347601A (ja) | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光ダイオード照明装置 |
JP3707688B2 (ja) | 2002-05-31 | 2005-10-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP4197109B2 (ja) | 2002-08-06 | 2008-12-17 | 静雄 藤田 | 照明装置 |
TW546859B (en) | 2002-09-20 | 2003-08-11 | Formosa Epitaxy Inc | Structure and manufacturing method of GaN light emitting diode |
US6784460B2 (en) | 2002-10-10 | 2004-08-31 | Agilent Technologies, Inc. | Chip shaping for flip-chip light emitting diode |
US7009199B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current |
JP4277508B2 (ja) | 2002-10-28 | 2009-06-10 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2004238441A (ja) | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂 |
EP1597777B1 (en) | 2003-02-26 | 2013-04-24 | Cree, Inc. | Composite white light source and method for fabricating |
JP2004266124A (ja) | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP4504662B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-07-14 | シチズン電子株式会社 | Ledランプ |
CN100483612C (zh) | 2003-06-04 | 2009-04-29 | 刘明哲 | 用于制造垂直结构的复合半导体器件的方法 |
JP4374913B2 (ja) | 2003-06-05 | 2009-12-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP3878579B2 (ja) | 2003-06-11 | 2007-02-07 | ローム株式会社 | 光半導体装置 |
JP4085899B2 (ja) | 2003-06-30 | 2008-05-14 | 日立エーアイシー株式会社 | 発光デバイス用基板および発光デバイス |
DE102004001312B4 (de) | 2003-07-25 | 2010-09-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP4360858B2 (ja) | 2003-07-29 | 2009-11-11 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型led及びそれを用いた発光装置 |
JP2005109212A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
WO2005031882A1 (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 発光装置 |
JP2005123238A (ja) | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置 |
US20050082562A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Epistar Corporation | High efficiency nitride based light emitting device |
JP2005166937A (ja) | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2005166941A (ja) | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置およびその製造方法、並びにその発光装置を用いた照明モジュールと照明装置 |
JP2005191530A (ja) | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
JP4622253B2 (ja) | 2004-01-22 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光デバイス及びその製造方法 |
JP4530739B2 (ja) | 2004-01-29 | 2010-08-25 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
JP2005268770A (ja) | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 白色発光素子及び白色光源 |
US20050205874A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Ru-Shi Liu | Phosphor material and white light-emitting device using the same |
US7009285B2 (en) | 2004-03-19 | 2006-03-07 | Lite-On Technology Corporation | Optoelectronic semiconductor component |
JP4228303B2 (ja) | 2004-04-12 | 2009-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光素子搭載部材と、それを用いた半導体発光装置 |
ATE527571T1 (de) | 2004-04-15 | 2011-10-15 | Univ Boston | Optische bauelemente mit texturierten halbleiterschichten |
JP4665209B2 (ja) | 2004-04-15 | 2011-04-06 | スタンレー電気株式会社 | 平面照射型led |
US7315119B2 (en) | 2004-05-07 | 2008-01-01 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd | Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness |
KR100658700B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-12-15 | 서울옵토디바이스주식회사 | Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치 |
KR100586968B1 (ko) | 2004-05-28 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치용 백라이트어셈블리 |
JP2005353816A (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Olympus Corp | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ |
US7255469B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector |
JP2006036930A (ja) | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂 |
JP4817629B2 (ja) | 2004-09-15 | 2011-11-16 | 京セラ株式会社 | 発光素子およびその発光素子を用いた照明装置 |
US7633097B2 (en) | 2004-09-23 | 2009-12-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates |
JP2006114909A (ja) | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Agilent Technol Inc | フラッシュ・モジュール |
US7419839B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
US7462502B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Color control by alteration of wavelength converting element |
US7858408B2 (en) | 2004-11-15 | 2010-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens |
KR100638666B1 (ko) | 2005-01-03 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
JP2006216717A (ja) | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Harvatek Corp | ウエハーレベル電気光学半導体組立構造およびその製造方法 |
JP4715227B2 (ja) | 2005-02-21 | 2011-07-06 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
EP1861876A1 (en) | 2005-03-24 | 2007-12-05 | Tir Systems Ltd. | Solid-state lighting device package |
JP2006278675A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
US7244630B2 (en) | 2005-04-05 | 2007-07-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | A1InGaP LED having reduced temperature dependence |
US8101498B2 (en) | 2005-04-21 | 2012-01-24 | Pinnington Thomas Henry | Bonded intermediate substrate and method of making same |
JP2006339362A (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
KR100638868B1 (ko) | 2005-06-20 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
JP2007005091A (ja) | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 線状発光素子アレイ |
JP2007080885A (ja) | 2005-09-09 | 2007-03-29 | New Japan Chem Co Ltd | 光半導体用封止剤、光半導体及びその製造方法 |
JP4863682B2 (ja) | 2005-10-17 | 2012-01-25 | 日東電工株式会社 | 光半導体素子封止用シート |
US7514721B2 (en) | 2005-11-29 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Luminescent ceramic element for a light emitting device |
US7915619B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-03-29 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
JP2007180430A (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオード装置 |
JP5357379B2 (ja) | 2006-02-23 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
US7682850B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-03-23 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | White LED for backlight with phosphor plates |
JP2007273763A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7635915B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
TWI306674B (en) | 2006-04-28 | 2009-02-21 | Delta Electronics Inc | Light emitting apparatus |
KR100809210B1 (ko) | 2006-07-10 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
JP4458116B2 (ja) | 2007-05-30 | 2010-04-28 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャル層成長用iii族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス |
JP5298384B2 (ja) | 2008-08-07 | 2013-09-25 | 船井電機株式会社 | マイクロホンユニット |
-
2004
- 2004-02-24 EP EP04714213.8A patent/EP1597777B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-24 WO PCT/US2004/005650 patent/WO2004077580A2/en active Search and Examination
- 2004-02-24 CN CN200480011028XA patent/CN1777999B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-24 MY MYPI20040593A patent/MY142684A/en unknown
- 2004-02-24 EP EP10181251A patent/EP2262006A3/en not_active Ceased
- 2004-02-24 JP JP2006503876A patent/JP2006519500A/ja active Pending
- 2004-02-24 US US10/786,755 patent/US9142734B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-24 KR KR1020057015844A patent/KR20050113200A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-02-24 CA CA002517009A patent/CA2517009A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-24 KR KR1020117028750A patent/KR20110137403A/ko active Search and Examination
- 2004-02-26 TW TW100145116A patent/TW201225339A/zh unknown
- 2004-02-26 TW TW093104924A patent/TW200423438A/zh unknown
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010254633A patent/JP5559013B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-12-17 JP JP2012274904A patent/JP2013093595A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9595644B2 (en) | 2006-08-03 | 2017-03-14 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
CN101548397B (zh) * | 2006-11-17 | 2011-12-21 | 3M创新有限公司 | 用于led光源的光学粘合组合物 |
CN103199185B (zh) * | 2008-05-30 | 2015-07-08 | 夏普株式会社 | 发光装置、面光源、液晶显示装置和制造发光装置的方法 |
CN102484191B (zh) * | 2009-09-17 | 2015-08-12 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 带高折射率透镜的led模块 |
CN102484193A (zh) * | 2009-09-17 | 2012-05-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 结合窗口元件的模制透镜 |
CN102484191A (zh) * | 2009-09-17 | 2012-05-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 带高折射率透镜的led模块 |
US9755124B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-09-05 | Koninklijke Philips N.V. | LED module with high index lens |
CN102157670A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光装置 |
CN102339931A (zh) * | 2010-07-16 | 2012-02-01 | 日东电工株式会社 | 发光装置用零件、发光装置及其制造方法 |
CN102339931B (zh) * | 2010-07-16 | 2015-12-09 | 日东电工株式会社 | 发光装置用零件、发光装置及其制造方法 |
US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
US9142737B2 (en) | 2010-11-10 | 2015-09-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device surrounded by reflection wall and covered with fluorescent film |
CN102468417A (zh) * | 2010-11-10 | 2012-05-23 | 三星Led株式会社 | 发光装置封装件及其制造方法 |
CN102468417B (zh) * | 2010-11-10 | 2015-02-04 | 三星电子株式会社 | 发光装置封装件及其制造方法 |
US8890188B2 (en) | 2010-11-10 | 2014-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device surrounded by reflection wall and covered with fluorescent film |
CN104412029A (zh) * | 2012-06-28 | 2015-03-11 | 英特曼帝克司公司 | 包含发光磷光体的线状led照明布置 |
CN104904011A (zh) * | 2012-11-15 | 2015-09-09 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 侧视多色led装置 |
CN104904011B (zh) * | 2012-11-15 | 2018-11-09 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 侧视多色led装置 |
US10557594B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-02-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
US9512970B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
US10209564B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-02-19 | Au Optronics Corporation | Backlight module with porous optical film and a wavelength conversion layer disposed above a light source where the optical film has a plurality of light emission structures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201225339A (en) | 2012-06-16 |
CA2517009A1 (en) | 2004-09-10 |
EP2262006A2 (en) | 2010-12-15 |
TW200423438A (en) | 2004-11-01 |
JP2006519500A (ja) | 2006-08-24 |
EP1597777A2 (en) | 2005-11-23 |
CN1777999B (zh) | 2010-05-26 |
MY142684A (en) | 2010-12-31 |
KR20050113200A (ko) | 2005-12-01 |
EP2262006A3 (en) | 2012-03-21 |
EP1597777B1 (en) | 2013-04-24 |
WO2004077580A3 (en) | 2005-03-10 |
KR20110137403A (ko) | 2011-12-22 |
JP2011061230A (ja) | 2011-03-24 |
US9142734B2 (en) | 2015-09-22 |
WO2004077580A2 (en) | 2004-09-10 |
US20050093430A1 (en) | 2005-05-05 |
JP5559013B2 (ja) | 2014-07-23 |
JP2013093595A (ja) | 2013-05-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: North Carolina Patentee after: CREE, Inc. Address before: North Carolina Patentee before: CREE, Inc. |
|
TR01 | Transfer of patent right |
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|
TR01 | Transfer of patent right | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20100526 |
|
CX01 | Expiry of patent term |