JP3614776B2 - チップ部品型ledとその製造方法 - Google Patents
チップ部品型ledとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3614776B2 JP3614776B2 JP2000385267A JP2000385267A JP3614776B2 JP 3614776 B2 JP3614776 B2 JP 3614776B2 JP 2000385267 A JP2000385267 A JP 2000385267A JP 2000385267 A JP2000385267 A JP 2000385267A JP 3614776 B2 JP3614776 B2 JP 3614776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- end opening
- container
- type led
- light
- translucent resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 104
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 102
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 claims description 29
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 claims description 29
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 claims description 29
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 claims description 29
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 244000172533 Viola sororia Species 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 101100441413 Caenorhabditis elegans cup-15 gene Proteins 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01063—Europium [Eu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12035—Zener diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明はチップ部品型LED及びその製造方法に関し、詳しくは、各種表示パネルの光源、液晶表示器のバックライト用光源などに用いられるチップ部品型LEDに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のチップ部品型LEDとしては、成型部材の凹部の底に一対のリードフレームをそれぞれ延出させ、凹部の底に延出したリードフレーム上にLED素子を搭載し、さらに凹部内を透光性樹脂で封止したものが知られている。
このようなチップ部品型LEDのなかには、LED素子に青色光や青紫色光を出射するものを用い、さらに透光性樹脂に蛍光体を含ませることによって青色光や青紫色光の一部を黄色光に変換、混色して白色光を出射するものもある(例えば、特許第2927279号公報参照)。
【0003】
上述のようなチップ部品型LEDの成型部材は、一対のリードフレームを金型内に保持しつつ樹脂注入を行うインサート成型によって成型され、一般的には変性ポリイミド樹脂が材料として用いられる。
また、透光性樹脂としては、一般的にはんだ耐熱性のある透光性のエポキシ樹脂が用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のチップ部品型LEDでは、はんだ付けなどによって外的な熱が加えられた際に透光性樹脂が膨張し、成型部材と透光性樹脂との接合部、LED素子及びLED素子とリードフレームを接続する金線などに熱応力が加わることがあった。
この結果、場合によっては、透光性樹脂が成型部材から剥離したり、金線が切断されたりすることがあった。
【0005】
この原因としては、凹部封止用の透光性樹脂として用いられるエポキシ樹脂と、成型部材の材料として用いられる変性ポリイミド樹脂との膨張係数の差が挙げられる。
一般的に、エポキシ樹脂の膨張係数は、
5〜8×10−5/℃
であり、一方、変性ポリイミド樹脂の膨張係数は、
2〜6×10−5/℃
である。
【0006】
また、白色光を出射させるために蛍光体を混ぜたエポキシ樹脂で凹部内を封止した場合、無機材料である蛍光体は有機材料であるエポキシ樹脂よりも比重が重いため、たとえ、液状で十分に混ぜ合わせても時間の経過とともに蛍光体が凹部の底に沈降する。
このように蛍光体が凹部の底に沈降すると、凹部内の上部では蛍光体濃度が初期設定値よりも薄くなり、一方、凹部の下部では蛍光体濃度が初期設定値よりも濃くなる。
【0007】
このため、LED素子の上面から出射される光と側面から出射される光とのあいだには蛍光体を通過する距離について差があり、青色光又は青紫色光から黄色光へ変換される程度に差が生まれてしまう。
この結果、凹部の開口を上方から見た場合、開口中に青色光の強い部分と黄色光の強い部分が生まれて色ムラを引き起こしていた。
【0008】
なお、仮に、透光性樹脂中の蛍光体濃度が均一であったとしても、LED素子の上面からの出射光と側面からの出射光とのあいだには透光性樹脂を通過する距離自体に差があるため、色ムラを完全に無くすことは困難であった。
【0009】
また、LED素子に青紫色光などの紫外光を出射するものを用いた場合、エポキシ樹脂などの透光性樹脂が紫外光で分解されて黄変又は黒変することにより輝度が低下し、使用不能となることもあった。
【0010】
この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、外的な熱応力に対して強く、白色光を出射する場合でも色ムラが生じにくく、さらには紫外光を出射するLED素子を用いても透光性樹脂が分解されることのないチップ部品型LEDとその製造方法を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この発明は、第1及び第2リードフレームと、第1リードフレーム上に搭載され第1リードフレームと第2リードフレームに電気的に接続されたLED素子と、第1及び第2リードフレームを保持すると共にLED素子を内部に収容する筒状の容器とを備え、LED素子は容器の上端開口と下端開口との間に位置し、容器の内壁面はLED素子の出射光を上端開口側へ反射するように形成され、容器は上端開口から下端開口まで透光性樹脂が充填され、前記容器はほぼ円筒形の内壁面を有し、その内壁面は上端開口と下端開口とのほぼ中間部分の内径が上端開口及び下端開口の各内径よりも小さく、かつ、中間部分から上端開口及び下端開口へ向かうに従って次第に内径が大きくなるように形成されており、前記LED素子は青色光または青紫色光を出射するLED素子であり、容器の上端開口付近には蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を容器の下端開口から滴下することにより形成された蛍光体層が設けられているチップ部品型LEDを提供するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
この発明において第1及び第2リードフレームは、例えば、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅、銅メッキを施したアルミニウム、銅メッキを施した鉄、銅メッキを施した銅、金メッキを施したアルミニウム、金メッキを施した鉄、金メッキを施した銅、銀メッキを施したアルミニウム、銀メッキを施した鉄、銀メッキを施した銅などからなる平板状のものを用いることができる。
【0013】
また、この発明においてLED素子は、例えば、ガリウムヒ素を材料とした赤外色発光素子、ガリウム・アルミニウムヒ素を材料とした赤色発光素子、ガリウムヒ素燐を材料とした橙色又は黄色発光素子、ガリウム燐に窒素をドープした黄緑色発光素子、窒化ガリウム系化合物を材料とした青色又は青紫色発光素子などを用いることができる。
なお、後述するように、青紫色光を出射するLED素子を用いる場合は青紫色光で透光性樹脂が分解されるのを防ぐために、青紫色光が蛍光体層で波長変換されてから透光性樹脂に到達するような構成とすることが好ましい。
【0014】
また、この発明においてLED素子を第1リードフレームと第2リードフレームに電気的に接続する方法としては、例えば、金、銅、白金、アウミニウムなどの金属からなる導電性ワイヤーをLED素子の各電極と各リードフレームにそれぞれワイヤボンディングすることによって接続する方法などを用いることができる。
【0015】
また、この発明において筒状の容器は、例えば、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、強化材を用いたポリエーテルエーテルケトン、強化材を用いたポリフェニレンスルフィドなどの耐熱性プラスチックからなるものを用いることができる。
【0016】
また、この発明において透光性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂を用いることができる。
【0017】
また、この発明によるチップ部品型LEDは、LED素子が青色光または青紫色光を出射するLED素子であって、容器上端開口の近傍に蛍光体層を備える。
なお、ここで蛍光体層とは、蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を硬化させて形成した層のことをいう。
また、具体的な蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体を用いることができる。
イットリウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体の他には、基体として、亜鉛、カドミウム、マグネシウム、シリコン、イットリウム等の稀土類元素等の酸化物、硫化物、珪酸塩、バナジン酸塩等の無機蛍光物質、またはフルオレセイン、エオシン、油類(鉱物油)等の有機蛍光物質から選択し、付活体として、銀、銅、マンガン、クロム、ユウロビウム、亜鉛、アルミニウム、鉛、リン、砒素、金などから選択し、融剤として、塩化ナトリウム、塩化カリウム、炭酸マグネシウム、塩化バリウムなどから選択したものを用いることができる。
【0018】
また、この発明によるチップ部品型LEDは、容器がほぼ円筒形の内壁面を有し、その内壁面は上端開口と下端開口とのほぼ中間部分の内径が上端開口及び下端開口の各内径よりも小さく、かつ、中間部分から上端開口及び下端開口へ向かうに従って次第に内径が大きくなるように形成される。
このように形成すると、容器の内壁面がLED素子の出射光を効果的に上端開口側へ反射できる。
また、容器に充填される透光性樹脂が上端開口及び下端開口のいずれの方向にも抜け止めされるので、透光性樹脂が外的な熱を受けて膨張しても容器から剥離しにくくなる。
【0019】
さらには、内径の小さな中間部分に充填される透光性樹脂の量が少なくなるので、透光性樹脂が外的な熱を受けて膨張しても樹脂量の少ない中間部分にかかる熱応力は他の部分よりも比較的小さくなる。
このため、容器の上端開口と下端開口とのほぼ中間部分に第1及び第2リードフレームの各先端、LED素子及び導電性ワイヤーを配置すれば、熱応力によるこれらの部材の破損をより効果的に防止できるようになる。
【0020】
また、この発明によるチップ部品型LEDは、透光性樹脂が上端開口側に突出して凸レンズ形状を有していてもよい。
また、この発明によるチップ部品型LEDは、容器が上端開口付近にフレネルレンズ又はインナーレンズを備えていてもよい。
また、この発明によるチップ部品型LEDは、蛍光体層が蛍光体を混ぜた透光性樹脂で成型された成型板であってもよい。
【0021】
また、この発明によるチップ部品型LEDは、成型板の蛍光体濃度が成型板の箇所によって異なっていてもよい。
具体的には、チップ部品型LEDから出射される発光色の波長が発光部位によって約10nm以上異なるように蛍光体濃度に差を設ける。このようにすると、1つのLED製品で発光部の色合いを変えることができる。
【0022】
このように1つの成型板中で蛍光体濃度に差を設ける他にも、蛍光体層を蛍光体を混ぜた透光性樹脂で成型された複数の成型板で構成し、これら各成型板の蛍光体濃度が互いに異なるようにしても同様の効果が得られる。
【0023】
また、この発明は、第1及び第2リードフレームと、第1リードフレームに設けられる鉢状のカップと、カップ内に収容されると共に第1リードフレームと第2リードフレームに電気的に接続されて青色光または青紫色光を出射するLED素子と、第1及び第2リードフレームを保持すると共にカップを内部に収容する筒状の容器と、容器の上端開口を封止する透光部材とを備え、カップはその開口が容器の上端開口へ向くように設けられて前記素子の出射光を上端開口側へ反射でき、透光部材の前記素子側表面には蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を容器の下端開口から滴下することにより形成された蛍光体層が設けられ、蛍光体層と前記素子との間には中空部が形成され青色光または青紫色光は蛍光体層に入射してから透光部材に入射するチップ部品型LEDを提供するものでもある。
【0024】
このように構成すると、LED素子の周囲は中空となり、LED素子から出射された青紫色光は全て蛍光体層に入射してから透光部材に入射するので透光部材の黄変又は黒変が防止される。
なお、用途によっては容器の下端開口は開口のままでもよいが、LED素子を保護するために、LED素子周囲の中空部分を窒素などで置換して容器の下端開口をテープや樹脂板などで封止してもよい。
【0025】
また、この発明は、表面から裏面まで貫通する貫通孔が形成された板状の絶縁基板と、絶縁基板の裏面に設けられて貫通孔の基板裏面側開口に一部がそれぞれ延出する一対の第1及び第2配線パターンと、前記開口に延出した第1配線パターン上に搭載されて貫通孔内に収容されると共に第1配線パターンと第2配線パターンに電気的に接続されたLED素子と、絶縁基板の裏面から第1及び第2配線パターンおよび前記開口を覆う絶縁膜と、LED素子を基板表面側から覆う透光部材とを備え、絶縁膜には貫通孔へ通ずる孔が形成され、前記LED素子は青色光または青紫色光を出射するLED素子であり、透光部材は基板表面側開口付近に設けられた蛍光体層であって、蛍光体層は蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を前記絶縁膜の孔から滴下することにより形成されてなるチップ部品型LEDを提供するものでもある。
【0026】
つまり、これは容器とリードフレームの代わりに、立体的な配線パターンが設けられた絶縁基板を用いることにより、チップ部品型LEDの厚さを薄くするものである。
なお、薄型化がそれほど重要でない場合は絶縁膜の代わりに絶縁基板を用いた2層基板構造としてもよい。
【0027】
また、上述の絶縁基板を用いたチップ部品型LEDは、一対の第1及び第2配線パターンが複数組設けられ、LED素子は各第1配線パターン上にそれぞれ搭載され、各第1配線パターンと各第2配線パターンにそれぞれ電気的に接続されてもよい。
また、上述の絶縁基板を用いたチップ部品型LEDは、LED素子が青色光または青紫色光を出射するLED素子であり、透光部材が蛍光体層であって、貫通孔は内壁面に前記素子の出射光を蛍光体層へ反射する反射層を備えていてもよい。
【0028】
また、この発明によるチップ部品型LEDにおいて、青色光又は青紫色光を出射するLED素子を用いる場合は、ツェナーダイオードを更に備え、ツェナーダイオードが容器内で第1リードフレームのLED素子の近傍に備えられてもよい。
また、ツェナーダイオードは容器内で第2リードフレームに備えられてもよい。
これは、青色又は青紫色光を出射する窒化ガリウム系のLED素子は、一般的に静電耐圧が100V以下と低いため、サージなどの外部ノイズからLED素子を保護することが望ましいためである。
【0029】
また、この発明による、第1及び第2リードフレームと、第1リードフレーム上に搭載され第1リードフレームと第2リードフレームに電気的に接続されたLED素子と、第1及び第2リードフレームを保持すると共にLED素子を内部に収容する筒状の容器とを備え、LED素子は容器の上端開口と下端開口との間に位置し、容器の内壁面はLED素子の出射光を上端開口側へ反射するように形成され、容器は上端開口から下端開口まで透光性樹脂が充填されてなるチップ部品型LEDの製造方法は、粘着性を有するテープに第1及び第2リードフレームとLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記テープが対向するように密着させる工程と、下端開口から透光性樹脂を滴下する工程とを備えていてもよい。
このような製造方法によれば、必ず上端開口と同じ高さまで透光性樹脂が充填されるので、チップ部品型LEDを上方から見た場合に透光性樹脂の充填不足などがなくなる。
【0030】
また、容器の上端開口付近に蛍光体層を備える場合の製造方法は、粘着性を有するテープに第1及び第2リードフレームとLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記テープが対向するように密着させる工程と、下端開口から蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を所定量滴下して容器の上端開口付近に蛍光体層を形成し、その後さらに下端開口から透光性樹脂を滴下する工程とを備えていてもよい。
なお、蛍光体が混ぜられた透光性樹脂が硬化してから下端開口まで透光性樹脂を滴下してもよいし、硬化する前に下端開口まで透光性樹脂を充填してもよい。
というのは、蛍光体は無機物で比重が重いため、硬化する前でも後から滴下された透光性樹脂とは混ざりにくいからである。
さらには、蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を下端開口まで1回で充填し、その後、蛍光体を上端開口付近に自然沈降させることによって蛍光体層を形成してもよい。
このような製造方法によれば、上端開口付近のみに均一な厚さで蛍光体層を形成できるので、LED素子の出射光が蛍光体層を通過する距離がほぼ一定となって製品から出射される発光色の色ムラが無くなる。
【0031】
また、透光性樹脂が上端開口側へ突出した凸レンズ形状とする場合の製造方法は、レンズ形状に対応する凹部を有する金型の上に、第1及び第2リードフレームとLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記凹部が対向するように密着させる工程と、下端開口から透光性樹脂を滴下する工程とを備えていてもよい。
このような製造方法によれば、上端開口部上に凸レンズを備えたチップ部品型LEDを容易に製造することができる。
なお、レンズの形状は、上記凸レンズ形状の他にもドーム形状やインナーレンズ形状など、金型を変更することによって様々な形状のものを形成できる。
【0032】
また、容器の上端開口付近にフレネルレンズやインナーレンズなどを備える場合の製造方法は、予め形成されたフレネルレンズ又はインナーレンズを粘着性を有するテープの上に貼りつける工程と、前記テープに第1及び第2リードフレームとLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記フレネルレンズ又はインナーレンズが対向するように密着させる工程と、下端開口から透光性樹脂を滴下する工程とを備えていてもよい。
【0033】
また、容器の上端開口付近に蛍光体層を備え、その蛍光体層が蛍光体が混ぜられた透光性樹脂で予め成型された成型板である場合の製造方法は、蛍光体を混ぜた透光性の樹脂で予め形成された成型板を粘着性を有するテープの上に貼りつける工程と、前記テープに第1及び第2リードフレームとLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記成型板が対向するように密着させる工程と、下端開口から透光性樹脂を滴下する工程とを備えていてもよい。
このような製造方法によれば、透光性樹脂の滴下作業を1回で済ますことができ、製造工程を簡略化することができる。
なお、この製造方法は、成型板の箇所によって蛍光体濃度が異なる成型板や、互いに蛍光体濃度が異なる複数の成型板を上端開口付近に設ける場合にも利用できる。
【0034】
また、この発明による、第1及び第2リードフレームと、第1リードフレームに設けられる鉢状のカップと、カップ内に収容されると共に第1リードフレームと第2リードフレームに電気的に接続されて青色光または青紫色光を出射するLED素子と、第1及び第2リードフレームを保持すると共にカップを内部に収容する筒状の容器と、容器の上端開口を封止する透光部材とを備え、カップはその開口が容器の上端開口へ向くように設けられて前記素子の出射光を上端開口側へ反射でき、透光部材の前記素子側表面には蛍光体層が設けられているチップ部品型LEDの製造方法は、粘着性を有するテープにカップが設けられた第1リードフレーム、第2リードフレーム及びLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記テープが対向するように密着させる工程と、下端開口から蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を所定量滴下して容器の上端開口付近に蛍光体層を形成する工程を備えていてもよい。
【0035】
このような製造方法によっても、上端開口付近のみに均一な厚さで蛍光体層を形成できるので、LED素子の出射光が蛍光体層を通過する距離がほぼ一定となって製品から出射される発光色の色ムラが無くなる。
【0036】
また、この発明による、表面から裏面まで貫通する貫通孔が形成された板状の絶縁基板と、絶縁基板の裏面に設けられて貫通孔の基板裏面側開口に一部がそれぞれ延出する一対の第1及び第2配線パターンと、前記開口に延出した第1配線パターン上に搭載されて貫通孔内に収容されると共に第1配線パターンと第2配線パターンに電気的に接続されたLED素子と、絶縁基板の裏面から第1及び第2配線パターンおよび前記開口を覆う絶縁膜と、LED素子を基板表面側から覆う透光部材とを備え、絶縁膜には貫通孔へ通ずる孔が形成されているチップ部品型LEDの製造方法は、粘着性を有するテープに第1及び第2配線パターンとLED素子が組み込まれた絶縁基板を絶縁基板の表面と前記テープが対向するように密着させる工程と、絶縁膜の孔から透光性樹脂を滴下する工程とを備えていてもよい。
【0037】
また、LED素子が青色光または青紫色光を出射するLED素子であり、透光部材が蛍光体層であって、貫通孔は内壁面に前記素子の出射光を蛍光体層へ反射する反射層を備える場合の製造方法は、粘着性を有するテープに第1配線パターン、第2配線パターン、LED素子及び反射層が組み込まれた絶縁基板を絶縁基板の表面と前記テープが対向するように密着させる工程と、絶縁膜の孔から蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を所定量滴下する工程とを備えていてもよい。
【0038】
なお、絶縁基板を用いたチップ部品型LEDにおいても、上述の筒状の容器を用いたチップ部品型LEDの製造方法を応用することによって、レンズや予め成型された蛍光体層などを設けることができる。
【0039】
【実施例】
以下に図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。なお、この実施例によってこの発明が限定されるものではない。
【0040】
実施例1
この発明の実施例1に係るチップ部品型LEDについて図1〜図4に基づいて説明する。図1はこの発明の実施例1に係るチップ部品型LEDの平面図、図2は図1の正面図、図3は図1のA−A断面図である。また、図4はこの発明の実施例1に係るチップ部品型LEDの製造工程を示す工程図である。
【0041】
図1〜3に示されるように、この発明の実施例1に係るチップ部品型LED101は、第1及び第2リードフレーム3a、3bと、第1リードフレーム3a上に搭載され第1リードフレーム3aと第2リードフレーム3bに電気的に接続されたLED素子1と、第1及び第2リードフレーム3a、3bを保持すると共にLED素子1を内部に収容する筒状の容器4とを備え、LED素子1は容器4の上端開口9と下端開口10との間に位置し、容器4の内壁面5はLED素子1の出射光を上端開口9側へ反射するように形成され、容器4は上端開口9から下端開口10まで透光性樹脂7が充填されている。
【0042】
詳しくは、図1〜3に示されるように、筒状の容器4は変成ポリイミド樹脂からなり、インサート成型で成型されることによって銀メッキされた銅からなる第1及び第2リードフレーム3a、3bを一体に保持している。
第1、第2リードフレーム3a、3bの各先端は容器4の内壁面5にそれぞれ突出し、第1リードフレーム3aの内壁面5に突出した部分には青色光を出射するLED素子1が搭載されている。
また、LED素子1と第1、第2リードフレーム3a、3bとは金線2をワイヤボンディングすることによってそれぞれ電気的に接続されている。
【0043】
容器4の上端開口9付近には青色光を黄色光に変換する蛍光体層8が設けられ、蛍光体層8からさらに下端開口10側にかけては透明なエポキシ樹脂からなる透光性樹脂7が充填されている。ここで、蛍光体層8の形成方法及び透光性樹脂7の充填方法について図4に基づいて説明する。
図4(a)に示すように、粘着性のあるガラスクロステープ11に第1及び第2リードフレーム3a、3b、LED素子1及び金線2が組み込まれた状態の容器4を密着させる。その際、容器4の上端開口9とガラスクロステープ11が対向するようにして密着させる。なお、ガラスクロステープ11は固定治具12の上に載置されている。
【0044】
その後、図4(b)に示すように、容器4の下端開口10から蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を所定量滴下する。蛍光体が混ぜられた透光性樹脂が硬化して蛍光体層8が形成された後、容器4の下端開口10から透光性樹脂7を充填する。充填した透光性樹脂7が硬化した後、容器4からガラスクロステープ11を剥がすと図1〜3に示されるチップ部品型LED101が完成する。
この方法によって、容器4の上端開口9付近のみに均一な厚さの蛍光体層8を設けることが可能となる。
【0045】
なお、図示は行わないが、蛍光体に混ぜられた透光性樹脂で予め成型された成型板をガラスクロステープ11に貼り付け、その成型板と容器4の上端開口9が対向するように容器4をガラスクロステープ11に密着させてから透光性樹脂7を充填してもよい。
また、その成型板は成型板の箇所によって蛍光体の濃度が異なっていてもよいし、互いに蛍光体濃度が異なる複数の成型板の組み合わせであってもよい。
また、レンズ(図5参照)や蛍光体層8を設けなくてもよい場合は、容器4の上端開口9及び下端開口10のどちらから透光性樹脂7を充填してもよい。
【0046】
実施例2
次に、この発明の実施例2に係るチップ部品型LEDについて、図5〜8に基づいて説明する。図5はこの発明の実施例2に係るチップ部品型LEDの平面図、図6は図5の正面図、図7は図5のB−B断面図である。また図8はこの発明の実施例2に係るチップ部品型LEDの製造工程を示す工程図である。
なお、上述の実施例1に係るチップ部品型LEDと同じ名称の部材には同じ符号を用いて説明する。
【0047】
図5〜7に示されるようにこの発明の実施例2に係るチップ部品型LED201は、透光性樹脂7の上端開口9側が凸レンズ形状に形成されている。その他の構成は上述の実施例1に係るチップ部品型LED101と同じである。
【0048】
チップ部品型LED201における蛍光体層8の形成方法及び透光性樹脂7の充填方法について図8に基づいて説明する。
図8(a)に示すように、凸レンズ形状に対応した凹部13を有する金型14の上に第1及び第2リードフレーム3a、3b、LED素子1及び金線2が組み込まれた状態の容器4を密着させる。その際、容器4の上端開口9と金型の凹部13が対向するように密着させる。
【0049】
その後、図8(b)に示すように、容器4の下端開口10から透光性樹脂7を所定量滴下する。滴下した透光性樹脂7が硬化した後、蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を所定量滴下する。蛍光体が混ぜられた透光性樹脂が硬化して蛍光体層8が形成された後、容器4の下端開口10から透光性樹脂7を充填する。充填した透光性樹脂7が硬化した後、金型14を取り外すと図5〜7に示されるチップ部品型LED201が完成する。
この方法によって、透光性樹脂7の上端開口9側を凸レンズ形状に形成すると共に上端開口9付近のみに均一な厚さの蛍光体層8を設けることが可能となる。
【0050】
実施例3
次に、この発明の実施例3に係るチップ部品型LEDについて、図9〜11に基づいて説明する。図9はこの発明の実施例3に係るチップ部品型LEDの平面図、図10は図9の正面図、図11は図9のC−C断面図である。
なお、上述の実施例1及び2に係るチップ部品型LEDと同じ名称の部材には同じ符号を用いて説明する。
【0051】
図9〜11に示されるようにこの発明の実施例3に係るチップ部品型LED301は、第1及び第2リードフレーム3a、3bと、第1リードフレーム3aに設けられる鉢状のカップ15と、カップ15内に収容されると共に第1リードフレーム3aと第2リードフレーム3bに電気的に接続されて青紫色光を出射するLED素子1と、第1及び第2リードフレーム3a、3bを保持すると共にカップ15を内部に収容する筒状の容器4と、容器4の上端開口9を封止する透光性樹脂7とを備え、カップ15はその開口が容器4の上端開口9へ向くように設けられてLED素子1の出射光を上端開口9側へ反射でき、透光性樹脂7のLED素子1側表面には青紫色光を黄色光に変換する蛍光体層8が設けられている。
【0052】
詳しくは、図9〜11に示されるように、透光性樹脂7の上端開口9側は凸レンズ形状に形成されると共に上端開口9付近のみに青紫色光を黄色光に変換する均一な厚さの蛍光体層8が設けられている。
第1リードフレーム3aには、LED素子1が出射する青紫色光を全て蛍光体層8に入射させるために、金属からなる鉢状のカップ15が設けられている。
LED素子1はカップ15内に搭載された上で第1、第2リードフレーム3a、3bと金線2で電気的に接続されている。
【0053】
なお、カップ15は第1リードフレーム3aと一体に形成されていてもよいし、別体に形成されていてもよい。
蛍光体層8から下端開口10までは透光性樹脂7が充填されずに中空とされ、その中空部分16を窒素で置換した上で封止板17が下端開口10に貼り付けられている。その他の構成は上述の実施例1に係るチップ部品型LEDと同じである。
【0054】
透光性樹脂7の充填方法及び蛍光体層8の形成方法については基本的に上述の実施例2と同じであるが、蛍光体層8を形成した後、窒素を充填しつつ封止板17で下端開口10を封止する点のみが実施例2と異なっている。
【0055】
実施例4
次に、この発明の実施例4に係るチップ部品型LEDについて、図12及び図13に基づいて説明する。図12はこの発明の実施例4に係るチップ部品型LEDの平面図、図13は図12のD−D断面図である。
なお、上述の実施例1〜3と同じ名称の部材には同じ符号を用いて説明する。
【0056】
図12及び図13に示されるようにこの発明の実施例4に係るチップ部品型LED401は、表面から裏面まで貫通する貫通孔19が形成された板状の絶縁基板18と、絶縁基板18の裏面に設けられて貫通孔19の基板裏面側開口21に一部がそれぞれ延出する一対の第1及び第2配線パターン22a、22bと、基板裏面側開口21に延出した第1配線パターン22a上に搭載されて貫通孔19内に収容されると共に第1配線パターン22aと第2配線パターン22bに電気的に接続されたLED素子1と、絶縁基板18の裏面から第1及び第2配線パターン22a、22bと基板裏面側開口21を覆う絶縁膜23と、LED素子1を基板表面側から覆う透光性樹脂7とを備え、絶縁膜23には貫通孔19へ通ずる孔24が形成されている。
【0057】
詳しくは、図12及び図13に示されるように、第1配線パターン22aの基板裏面側開口21に延出した部分に青色光を出射するLED素子1が搭載され、LED素子1と第1、第2配線パターン22a、22bとは金線2をワイヤボンディングすることによってそれぞれ電気的に接続されている。
貫通孔19の基板表面側開口20付近には青色光を黄色光に変換する均一な厚さの蛍光体層8が設けられ、蛍光体層8から基板裏面側開口21までは透明なエポキシ樹脂からなる透光性樹脂7が充填されている。
【0058】
蛍光体層8の形成方法及び透光性樹脂7の充填方法は基本的に実施例1と同じであるが、絶縁膜23の孔24から樹脂の滴下及び充填を行う点のみが実施例1と異なっている。
この方法によって、絶縁基板18の基板表面側開口20付近のみに均一な厚さの蛍光体層8を備えた基板タイプのチップ部品型LED401が製造できる。
【0059】
実施例5
次に、この発明の実施例5に係るチップ部品型LEDについて図14及び図15に基づいて説明する。図14はこの発明の実施例5に係るチップ部品型LEDの平面図、図15は図14のE−E断面図である。
なお、上述の実施例1〜4と同じ名称の部材には同じ符号を用いて説明する。
【0060】
図14及び図15に示されるようにこの発明の実施例5に係るチップ部品型LEDは、同じ絶縁基板18に複数組の第1、第2配線パターン22a、22bをそれぞれ設け、各第1配線パターン22aにLED素子1をそれぞれ搭載したものである。
そして、絶縁膜23の両端には透光性樹脂注入用の孔24が設けられている。その他の構成は上述の実施例4に係るチップ部品型LED401と同じである。また、蛍光体層8の形成方法及び透光性樹脂7の充填方法も上述の実施例4と同じである。
【0061】
実施例6
次に、この発明の実施例6に係るチップ部品型LEDについて図16及び図17に基づいて説明する。図16はこの発明の実施例6に係るチップ部品型LEDの平面図、図17は図16のF−F断面図である。
なお、上述の実施例1〜5と同じ名称の部材には同じ符号を用いて説明する。
【0062】
図16及び図17に示されるように、この発明の実施例6に係るチップ部品型LED601は、貫通孔19の基板裏面側開口21に第1、第2配線パターン22a、22bがそれぞれ延出し、延出した各部分にLED素子1の各電極(図示せず)がフリップチップ実装されることにより、LED素子1と第1、第2配線パターン22a、22bが電気的に接続されている。なお、LED素子1は青紫色光を出射するものである。
【0063】
絶縁基板18の表面側には枠状部材25が設けられ、枠状部材25の上端開口9付近にのみ青紫色光を黄色光に変換する均一な厚さの蛍光体層8を設けている。貫通孔19は内壁面が、基板裏面側開口21から基板表面側開口20に向かうに従って次第に貫通孔19の内径が大きくなるような傾斜面となっている。
【0064】
貫通孔19の内壁面には金属製の反射層26が設けられ、LED素子1の出射する青紫色光が全て蛍光体層8へ入射するようになっている。また、蛍光体層8から基板裏面側開口21までは透光性樹脂が充填されていない中空部分16である。中空部分16には窒素が充填され、絶縁膜23の孔24は封止板(図示せず)で封止されている。その他の構成は、上述の実施例4に係るチップ部品型LED401と同じである。
【0065】
蛍光体層8の形成方法は、基本的に上述の実施例1と同じであるが、絶縁膜23の孔24から樹脂の滴下を行う点と、蛍光体層8を形成した後に窒素を充填しつつ孔24を封止板で封止する点が実施例1と異なっている。
なお、図示は行わないが、実施例5と同様に複数組の第1及び第2配線パターン22a、22bを同じ絶縁基板18に設け、各第1配線パターン22aにLED素子1をそれぞれ搭載してもよいし、樹脂注入用の孔24を大きくしたい場合は、絶縁膜23と絶縁基板18の両方を貫通する孔24を設けてもよい。
【0066】
実施例7
次に、この発明の実施例7に係るチップ部品型LEDについて図18及び図19に基づいて説明する。図18はこの発明の実施例18に係るチップ部品型LEDの平面図、図19は図18のG−G断面図である。
なお、上述の実施例1〜6と同じ名称の部材には同じ符号を用いて説明する。
【0067】
図18及び図19に示されるようにこの発明の実施例7に係るチップ部品型LED701は、透光性樹脂7の基板表面側が凸レンズ形状に形成されている。その他の構成は上述の実施例4に係るチップ部品型LED401と同じである。
【0068】
透光性樹脂7の充填方法及び蛍光体層8の形成方法については、基本的に上述の実施例2と同じであるが、絶縁膜23の孔24から樹脂の滴下及び充填を行う点のみが実施例2と異なっている。
【0069】
【発明の効果】
この発明によれば、筒状の容器の上端開口と下端開口との間にLED素子が位置し、容器は上端開口から下端開口まで透光性樹脂が充填されてなるので、外的な熱応力に対して強いチップ部品型LEDを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1に係るチップ部品型LEDの平面図である。
【図2】図1に示されるチップ部品型LEDの正面図である。
【図3】図1に示されるチップ部品型LEDのA−A断面図である。
【図4】この発明の実施例1に係るチップ部品型LEDの製造工程を示す工程図である。
【図5】この発明の実施例2に係るチップ部品型LEDの平面図である。
【図6】図5に示されるチップ部品型LEDの正面図である。
【図7】図5に示されるチップ部品型LEDのB−B断面図である。
【図8】この発明の実施例2に係るチップ部品型LEDの製造工程を示す工程図である。
【図9】この発明の実施例3に係るチップ部品型LEDの平面図である。
【図10】図9に示されるチップ部品型LEDの正面図である。
【図11】図9に示されるチップ部品型LEDのC−C断面図である。
【図12】この発明の実施例4に係るチップ部品型LEDの平面図である。
【図13】図12に示されるチップ部品型LEDのD−D断面図である。
【図14】この発明の実施例5に係るチップ部品型LEDの平面図である。
【図15】図14に示されるチップ部品型LEDのE−E断面図である。
【図16】この発明の実施例6に係るチップ部品型LEDの平面図である。
【図17】図16に示されるチップ部品型LEDのF−F断面図である。
【図18】この発明の実施例7に係るチップ部品型LEDの平面図である。
【図19】図18に示されるチップ部品型LEDのG−G断面図である。
【符号の説明】
1・・・LED素子
2・・・金線
3a・・・第1リードフレーム
3b・・・第2リードフレーム
4・・・容器
5・・・内壁面
7・・・透光性樹脂
8・・・蛍光体層
9・・・上端開口
10・・・下端開口
Claims (9)
- 第1及び第2リードフレームと、第1リードフレーム上に搭載され第1リードフレームと第2リードフレームに電気的に接続されたLED素子と、第1及び第2リードフレームを保持すると共にLED素子を内部に収容する筒状の容器とを備え、LED素子は容器の上端開口と下端開口との間に位置し、容器の内壁面はLED素子の出射光を上端開口側へ反射するように形成され、容器は上端開口から下端開口まで透光性樹脂が充填され、前記容器はほぼ円筒形の内壁面を有し、その内壁面は上端開口と下端開口とのほぼ中間部分の内径が上端開口及び下端開口の各内径よりも小さく、かつ、中間部分から上端開口及び下端開口へ向かうに従って次第に内径が大きくなるように形成されており、前記LED素子は青色光または青紫色光を出射するLED素子であり、容器の上端開口付近には蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を容器の下端開口から滴下することにより形成された蛍光体層が設けられているチップ部品型LED。
- 第1及び第2リードフレームと、第1リードフレームに設けられる鉢状のカップと、カップ内に収容されると共に第1リードフレームと第2リードフレームに電気的に接続されて青色光または青紫色光を出射するLED素子と、第1及び第2リードフレームを保持すると共にカップを内部に収容する筒状の容器と、容器の上端開口を封止する透光部材とを備え、カップはその開口が容器の上端開口へ向くように設けられて前記素子の出射光を上端開口側へ反射でき、透光部材の前記素子側表面には蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を容器の下端開口から滴下することにより形成された蛍光体層が設けられ、蛍光体層と前記素子との間には中空部が形成され青色光または青紫色光は蛍光体層に入射してから透光部材に入射するチップ部品型LED。
- 容器の上端開口上に透光性樹脂からなる凸レンズが更に形成されてなる請求項1又は2に記載のチップ部品型LED。
- 表面から裏面まで貫通する貫通孔が形成された板状の絶縁基板と、絶縁基板の裏面に設けられて貫通孔の基板裏面側開口に一部がそれぞれ延出する一対の第1及び第2配線パターンと、前記開口に延出した第1配線パターン上に搭載されて貫通孔内に収容されると共に第1配線パターンと第2配線パターンに電気的に接続されたLED素子と、絶縁基板の裏面から第1及び第2配線パターンおよび前記開口を覆う絶縁膜と、LED素子を基板表面側から覆う透光部材とを備え、絶縁膜には貫通孔へ通ずる孔が形成され、前記LED素子は青色光または青紫色光を出射するLED素子であり、透光部材は基板表面側開口付近に設けられた蛍光体層であって、蛍光体層は蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を前記絶縁膜の孔から滴下することにより形成されてなるチップ部品型LED。
- 絶縁基板の基板表面側開口上に透光性樹脂からなる凸レンズが更に形成されてなる請求項4に記載のチップ部品型LED。
- 請求項1または2に記載のチップ部品型LEDを製造する方法であって、粘着性を有するテープにLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記テープが対向するように密着させる工程と、蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を下端開口から滴下して上端開口付近に蛍光体層を形成する工程とを備えるチップ部品型LEDの製造方法。
- 請求項3に記載のチップ部品型LEDを製造する方法であって、凸レンズの形状に対応した凹部を有する金型にLED素子が組み込まれた容器を上端開口と前記凹部が対向するように密着させる工程と、下端開口から透光性樹脂を所定量滴下して凸レンズを形成し、その後さらに蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を下端開口から滴下して上端開口付近に蛍光体層を形成する工程とを備えるチップ部品型LEDの製造方法。
- 請求項4に記載のチップ部品型LEDを製造する方法であって、粘着性を有するテープにLED素子が組み込まれた絶縁基板を絶縁基板の表面と前記テープが対向するように密着させる工程と、蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を絶縁膜の孔から滴下して基板表面側開口付近に蛍光体層を形成する工程とを備えるチップ部品型LEDの製造方法。
- 請求項5に記載のチップ部品型LEDを製造する方法であって、凸レンズの形状に対応した凹部を有する金型にLED素子が組み込まれた絶縁基板を基板表面 側開口と前記凹部が対向するように密着させる工程と、絶縁膜の孔から透光性樹脂を所定量滴下して凸レンズを形成し、その後さらに蛍光体が混ぜられた透光性樹脂を絶縁膜の孔から滴下して基板表面側開口付近に蛍光体層を形成する工程とを備えるチップ部品型LEDの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000385267A JP3614776B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | チップ部品型ledとその製造方法 |
US10/025,013 US6653661B2 (en) | 2000-12-19 | 2001-12-18 | Chip-type LED and process of manufacturing the same |
US10/648,620 US6869813B2 (en) | 2000-12-19 | 2003-08-25 | Chip-type LED and process of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000385267A JP3614776B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | チップ部品型ledとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002185046A JP2002185046A (ja) | 2002-06-28 |
JP3614776B2 true JP3614776B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=18852562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000385267A Expired - Fee Related JP3614776B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | チップ部品型ledとその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6653661B2 (ja) |
JP (1) | JP3614776B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102313750A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 第一实业视检***股份有限公司 | 晶片式led检查装置 |
Families Citing this family (202)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19960055A1 (de) * | 1999-12-13 | 2001-06-21 | Thomson Brandt Gmbh | Photoelement für ein Gerät zum Lesen optischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7429757B2 (en) * | 2002-06-19 | 2008-09-30 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness |
TW558775B (en) * | 2002-06-27 | 2003-10-21 | Solidlite Corp | Package of compound type LED |
DE60330023D1 (de) * | 2002-08-30 | 2009-12-24 | Lumination Llc | Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad |
US7800121B2 (en) * | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
EP1930959B1 (en) * | 2002-08-30 | 2019-05-08 | GE Lighting Solutions, LLC | Phosphor-coated light emitting diode with improved efficiency |
US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7775685B2 (en) | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
DE10245945A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquellenmodul sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10258193B4 (de) * | 2002-12-12 | 2014-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement |
US20040137656A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-15 | Gurbir Singh | Low thermal resistance light emitting diode package and a method of making the same |
US7245072B2 (en) * | 2003-01-27 | 2007-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector |
US20040145312A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light source having a flexible short pass reflector |
US7091661B2 (en) * | 2003-01-27 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a reflective polarizer |
US7091653B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector |
US7157839B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-01-02 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources utilizing total internal reflection |
US20040145289A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a non-planar short pass reflector and method of making |
US7118438B2 (en) * | 2003-01-27 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector |
JP2006516828A (ja) * | 2003-01-27 | 2006-07-06 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 蛍燐光体系光源素子および作製方法 |
US7312560B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-12-25 | 3M Innovative Properties | Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making |
CA2517009A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Cree, Inc. | White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication |
JP2004288760A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Stanley Electric Co Ltd | 多層led |
FR2854495B1 (fr) * | 2003-04-29 | 2005-12-02 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur et boitier semi-conducteur a grille. |
EP1484802B1 (en) | 2003-06-06 | 2018-06-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device |
JP2004363454A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Stanley Electric Co Ltd | 高信頼型光半導体デバイス |
JP4799809B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2011-10-26 | 株式会社ファインラバー研究所 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2005073227A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Sharp Corp | 撮像装置 |
JP4006487B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2007-11-14 | 株式会社パール電球製作所 | 発光ダイオードの製造方法 |
US20050046003A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Chung-Che Tsai | Stacked-chip semiconductor package and fabrication method thereof |
US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
US6995402B2 (en) * | 2003-10-03 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
EP1676313A1 (en) * | 2003-10-15 | 2006-07-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device, system and electric element |
JP4526257B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-08-18 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US7276782B2 (en) * | 2003-10-31 | 2007-10-02 | Harvatek Corporation | Package structure for semiconductor |
JP4821087B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2011-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
EP1691425B1 (en) | 2003-11-25 | 2010-08-11 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device using light emitting diode chip |
JP4385741B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2009-12-16 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
JP3898721B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2007-03-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP2006295230A (ja) * | 2004-01-28 | 2006-10-26 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
US20050179041A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Illumination system with LEDs |
KR100593161B1 (ko) | 2004-03-08 | 2006-06-26 | 서울반도체 주식회사 | 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP4020092B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2007-12-12 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP4543712B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-09-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP4504056B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2010-07-14 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
TWI257184B (en) * | 2004-03-24 | 2006-06-21 | Toshiba Lighting & Technology | Lighting apparatus |
JP4516337B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-08-04 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US20050218801A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Schang-Jing Hon | Replaceable light emitting diode package assembly |
US7326583B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
JP4229447B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-02-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び製造方法 |
US20050236644A1 (en) * | 2004-04-27 | 2005-10-27 | Greg Getten | Sensor packages and methods of making the same |
JP2005317661A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
US7315119B2 (en) * | 2004-05-07 | 2008-01-01 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd | Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness |
CN100411207C (zh) * | 2004-06-28 | 2008-08-13 | 京瓷株式会社 | 发光装置及照明装置 |
JP2006019598A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US6956243B1 (en) * | 2004-07-23 | 2005-10-18 | Unity Opto Technology Co., Ltd | Light emitting diode |
DE102004047640A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement |
US7772609B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-08-10 | Ledengin, Inc. (Cayman) | LED package with structure and materials for high heat dissipation |
US7670872B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-03-02 | LED Engin, Inc. (Cayman) | Method of manufacturing ceramic LED packages |
US8134292B2 (en) | 2004-10-29 | 2012-03-13 | Ledengin, Inc. | Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US8816369B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US8324641B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
JP2006128562A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 発光装置 |
JP4627177B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2011-02-09 | スタンレー電気株式会社 | Ledの製造方法 |
US7858408B2 (en) * | 2004-11-15 | 2010-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens |
US7344902B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Overmolded lens over LED die |
ATE541319T1 (de) * | 2004-11-23 | 2012-01-15 | Ct Ricerche Plast Optica S P A | Leuchtdiode und deren herstellung |
JP4176703B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2008-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、カメラ、及び製造方法 |
US7473889B2 (en) * | 2004-12-16 | 2009-01-06 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical integrated circuit package |
US8288942B2 (en) * | 2004-12-28 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | High efficacy white LED |
TWI248218B (en) * | 2004-12-31 | 2006-01-21 | Ind Tech Res Inst | Light-emitting diode package structure and fabrication method thereof |
US7821023B2 (en) * | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US7939842B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-05-10 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods |
KR101139891B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2012-04-27 | 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 | 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자 |
JP2006237190A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Toshiba Discrete Technology Kk | 半導体発光装置 |
JP2006237264A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
JP4637623B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2011-02-23 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
DE112006000694B4 (de) | 2005-03-24 | 2013-10-17 | Kyocera Corp. | Gehäuse für Lichtemissionsvorrichtung, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung |
KR100638874B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | Led 광원이 도광판에 삽입된 백라이트 장치의광원-도광판 구조 및 이를 포함하는 백라이트 장치 |
DE102005041064B4 (de) * | 2005-08-30 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4886253B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-02-29 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
EP1949459A4 (en) * | 2005-10-24 | 2014-04-30 | 3M Innovative Properties Co | METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING A MOLDED ENCAPSULANT |
US7595515B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-09-29 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device having a molded encapsulant |
GB2432967A (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-06 | Unity Opto Technology Co Ltd | White light LED with fluorescent powder containing wavelength converting plate |
JP4965858B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-07-04 | 株式会社東芝 | レンズ付発光ダイオード装置 |
JP5073946B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-11-14 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TWI302041B (en) * | 2006-01-19 | 2008-10-11 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode packaging structure |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
KR100675204B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-01-29 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR100782798B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-12-05 | 삼성전기주식회사 | 기판 패키지 및 그 제조 방법 |
US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
US20070235747A1 (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-11 | Yoganandan Sundar A N | Light source with compliant interface |
JP4954591B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2012-06-20 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
EP1850399A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-31 | ILED Photoelectronics Inc. | Sealing structure for a white light emitting diode |
JP3942190B1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-07-11 | 国立大学法人九州工業大学 | 両面電極構造の半導体装置及びその製造方法 |
US7655486B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-02-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant |
EP2027602A4 (en) * | 2006-05-23 | 2012-11-28 | Cree Inc | LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING |
US7943952B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
US8092735B2 (en) | 2006-08-17 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Method of making a light emitting device having a molded encapsulant |
TW200816859A (en) * | 2006-09-20 | 2008-04-01 | Nikon Corp | Methods of manufacturing optical device and resin-sealed light-emitting device, optical device, resin-sealed light-emitting device and flat lighting device |
TWI313943B (en) * | 2006-10-24 | 2009-08-21 | Chipmos Technologies Inc | Light emitting chip package and manufacturing thereof |
TW200820463A (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light-improving SMD diode holder and package thereof |
US7808013B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
US8283683B2 (en) * | 2006-11-07 | 2012-10-09 | Opto Tech Corporation | Chip-bonding light emitting diode chip |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
TW200828622A (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-01 | Fitipower Integrated Tech Inc | Method for manufacturing a white light source |
US8232564B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US20080203412A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | E-Pin Optical Industry Co., Ltd. | LED assembly with molded glass lens |
JP2008218610A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
TWI326923B (en) * | 2007-03-07 | 2010-07-01 | Lite On Technology Corp | White light emitting diode |
US7700967B2 (en) * | 2007-05-25 | 2010-04-20 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Illumination device with a wavelength converting element held by a support structure having an aperture |
KR100903308B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2009-06-16 | 알티전자 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
WO2009028869A2 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device package and lighting apparatus using the same |
US20090065792A1 (en) | 2007-09-07 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an led device having a dome lens |
KR100998232B1 (ko) | 2007-09-28 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | 측면 발광 다이오드 패키지 및 그것을 이용한 blu 모듈 |
WO2009041767A2 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Seoul Semiconductor Co. Ltd. | Led package and back light unit using the same |
US9086213B2 (en) * | 2007-10-17 | 2015-07-21 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes |
KR100998233B1 (ko) | 2007-12-03 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | 슬림형 led 패키지 |
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US8167674B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
JP5495495B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2014-05-21 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型発光ダイオード |
TWI389294B (zh) * | 2008-03-07 | 2013-03-11 | Harvatek Corp | A package structure for manufacturing a light emitting diode chip which reduces the luminous efficiency of a phosphor due to high temperature and a method of manufacturing the same |
US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
US8198646B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-06-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light emitting device and method of manufacturing a light emitting device |
US7919339B2 (en) * | 2008-09-08 | 2011-04-05 | Iledm Photoelectronics, Inc. | Packaging method for light emitting diode module that includes fabricating frame around substrate |
US9252336B2 (en) * | 2008-09-26 | 2016-02-02 | Bridgelux, Inc. | Multi-cup LED assembly |
US8075165B2 (en) | 2008-10-14 | 2011-12-13 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device |
JP4799606B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
US8507300B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
JP2010171379A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Seiko Instruments Inc | 発光デバイス |
TWI426206B (zh) * | 2008-12-25 | 2014-02-11 | Au Optronics Corp | 發光二極體裝置 |
JP5368809B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2013-12-18 | ローム株式会社 | Ledモジュールの製造方法およびledモジュール |
JP2010171342A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Sony Corp | 色変換部材およびその製造方法、発光装置、表示装置 |
KR101064005B1 (ko) * | 2009-03-02 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법 |
DE102009012517A1 (de) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US8912023B2 (en) | 2009-04-08 | 2014-12-16 | Ledengin, Inc. | Method and system for forming LED light emitters |
US7985000B2 (en) | 2009-04-08 | 2011-07-26 | Ledengin, Inc. | Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers |
US8384097B2 (en) | 2009-04-08 | 2013-02-26 | Ledengin, Inc. | Package for multiple light emitting diodes |
US8598793B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-12-03 | Ledengin, Inc. | Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
JP5226774B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
US8299482B2 (en) * | 2009-10-05 | 2012-10-30 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Light emitter |
JP2011124449A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Seiko Instruments Inc | 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法 |
US8303141B2 (en) | 2009-12-17 | 2012-11-06 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with integrated lamp cover |
KR20110085609A (ko) * | 2010-01-21 | 2011-07-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
US9080729B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-07-14 | Ledengin, Inc. | Multiple-LED emitter for A-19 lamps |
US9345095B2 (en) | 2010-04-08 | 2016-05-17 | Ledengin, Inc. | Tunable multi-LED emitter module |
US8858022B2 (en) | 2011-05-05 | 2014-10-14 | Ledengin, Inc. | Spot TIR lens system for small high-power emitter |
JP5742839B2 (ja) | 2010-04-13 | 2015-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TW201204986A (en) * | 2010-07-21 | 2012-02-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light Emitting Diode lead frame assembly and method of making the same |
US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
US8835192B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-09-16 | Konica Minolta, Inc. | Method of manufacturing light-emitting device |
US8436527B2 (en) * | 2010-09-07 | 2013-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
DE102010047002A1 (de) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Odelo Gmbh | Verfahren zur Herstellung belinster SMD-Leuchtdioden |
TWI447969B (zh) * | 2010-10-20 | 2014-08-01 | Interlight Optotech Corp | 發光二極體封裝結構 |
US20120188738A1 (en) * | 2011-01-25 | 2012-07-26 | Conexant Systems, Inc. | Integrated led in system-in-package module |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
CN102769089B (zh) * | 2011-05-06 | 2015-01-07 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体封装结构 |
US8513900B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-08-20 | Ledengin, Inc. | Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
CN103177746A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电子装置 |
CN103187485A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
CN102593321B (zh) * | 2012-02-20 | 2015-11-25 | 深圳市安普光光电科技有限公司 | Led的封装方法、led封装结构及显示屏 |
US11032884B2 (en) | 2012-03-02 | 2021-06-08 | Ledengin, Inc. | Method for making tunable multi-led emitter module |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
CN103375736A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-30 | Ge医疗***环球技术有限公司 | Led灯及包括led灯的限束器和x射线设备 |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
US20140103796A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Intematix Corporation | Led-based lighting arrangements |
KR20140070045A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
KR101337600B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2013-12-11 | 서울반도체 주식회사 | 렌즈 장착식 발광다이오드 패키지 |
US8933478B2 (en) | 2013-02-19 | 2015-01-13 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED packages and related methods |
US8754435B1 (en) | 2013-02-19 | 2014-06-17 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED package and related methods |
US9234801B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Ledengin, Inc. | Manufacturing method for LED emitter with high color consistency |
JP6316403B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2018-04-25 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 発光材料を有する気密封止された照明装置及びその製造方法 |
CN103346240B (zh) * | 2013-07-02 | 2016-02-10 | 深圳市光之谷新材料科技有限公司 | 一种发光二极管封装结构及方法 |
CN105684170B (zh) * | 2013-08-09 | 2019-09-03 | 株式会社光波 | 发光装置 |
US9406654B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-02 | Ledengin, Inc. | Package for high-power LED devices |
JP6163131B2 (ja) * | 2014-04-14 | 2017-07-12 | 日立化成株式会社 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
KR102221599B1 (ko) * | 2014-06-18 | 2021-03-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
USD762184S1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-07-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Light emitting diode |
EP3224874B1 (en) | 2014-11-26 | 2019-04-24 | LedEngin, Inc. | Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp |
US9530943B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-12-27 | Ledengin, Inc. | LED emitter packages with high CRI |
USD758977S1 (en) * | 2015-06-05 | 2016-06-14 | Kingbright Electronics Co. Ltd. | LED component |
JP2017073411A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
KR102413302B1 (ko) * | 2015-11-24 | 2022-06-27 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치 |
CN106252475A (zh) * | 2016-09-21 | 2016-12-21 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | Csp光源及其制造方法 |
WO2018059697A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip package and manufacturing method thereof |
US10219345B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-02-26 | Ledengin, Inc. | Tunable LED emitter with continuous spectrum |
US10700252B2 (en) * | 2017-04-18 | 2020-06-30 | Bridgelux Chongqing Co., Ltd. | System and method of manufacture for LED packages |
JP7014948B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2022-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP7277815B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2023-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
KR102521100B1 (ko) * | 2018-01-08 | 2023-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
DE102018100946A1 (de) * | 2018-01-17 | 2019-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils |
CN108540086A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-09-14 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池接线盒的导电模块 |
US10575374B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-02-25 | Ledengin, Inc. | Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips |
JP6760321B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2020-09-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP7177330B2 (ja) * | 2018-06-28 | 2022-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
EP3598510B1 (en) * | 2018-07-18 | 2022-02-23 | Lumileds LLC | Light emitting diode device and producing methods thereof |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4209358A (en) * | 1978-12-04 | 1980-06-24 | Western Electric Company, Incorporated | Method of fabricating a microelectronic device utilizing unfilled epoxy adhesive |
JPS5785273A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Toshiba Corp | Photo-semiconductor device |
US5325483A (en) | 1989-04-07 | 1994-06-28 | Hitachi, Ltd. | Image information retrieval network system |
JP2553342Y2 (ja) * | 1989-12-08 | 1997-11-05 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードランプ |
JP2825387B2 (ja) * | 1992-02-14 | 1998-11-18 | シャープ株式会社 | 発光素子 |
JPH07176791A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Rohm Co Ltd | 発光表示装置 |
US5514627A (en) * | 1994-01-24 | 1996-05-07 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for improving the performance of light emitting diodes |
JP3127195B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2001-01-22 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
JPH097409A (ja) | 1995-06-22 | 1997-01-10 | Nichia Chem Ind Ltd | Led信号灯 |
JP3393247B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2003-04-07 | ソニー株式会社 | 光学装置およびその製造方法 |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
KR20050053798A (ko) * | 1996-06-26 | 2005-06-08 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1999-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP3492178B2 (ja) * | 1997-01-15 | 2004-02-03 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
US6340824B1 (en) * | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
JP3472450B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2900928B2 (ja) | 1997-10-20 | 1999-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP3048368U (ja) * | 1997-10-27 | 1998-05-06 | 興 陳 | 発光ダイオード |
JPH11163419A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
US6169295B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-01-02 | Maxim Integrated Products, Inc. | Infrared transceiver module and method for making same |
JP2000031548A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 |
TW406442B (en) * | 1998-07-09 | 2000-09-21 | Sumitomo Electric Industries | White colored LED and intermediate colored LED |
JP3584163B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2004-11-04 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2000156528A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Sharp Corp | 発光素子 |
JP3310955B2 (ja) * | 1999-01-05 | 2002-08-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにそれを用いた表示装置 |
JP4322987B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2009-09-02 | スタンレー電気株式会社 | Ledランプおよびその製造方法 |
JP3337000B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2002-10-21 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
TW459403B (en) * | 2000-07-28 | 2001-10-11 | Lee Jeong Hoon | White light-emitting diode |
US6518600B1 (en) * | 2000-11-17 | 2003-02-11 | General Electric Company | Dual encapsulation for an LED |
JP2002261333A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
-
2000
- 2000-12-19 JP JP2000385267A patent/JP3614776B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-12-18 US US10/025,013 patent/US6653661B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-25 US US10/648,620 patent/US6869813B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102313750A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 第一实业视检***股份有限公司 | 晶片式led检查装置 |
CN102313750B (zh) * | 2010-06-30 | 2015-08-12 | 第一实业视检***股份有限公司 | 晶片式led检查装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6869813B2 (en) | 2005-03-22 |
US6653661B2 (en) | 2003-11-25 |
US20040036081A1 (en) | 2004-02-26 |
JP2002185046A (ja) | 2002-06-28 |
US20020079837A1 (en) | 2002-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3614776B2 (ja) | チップ部品型ledとその製造方法 | |
KR100355473B1 (ko) | 반도체발광장치및그제조방법 | |
JP4945106B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
CN100411198C (zh) | 发光装置 | |
US7842526B2 (en) | Light emitting device and method of producing same | |
JP3492178B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
KR200373718Y1 (ko) | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 | |
JP4259198B2 (ja) | 発光装置用波長変換部の製造方法及び発光装置の製造方法 | |
TWI499097B (zh) | 發光二極體的封裝結構與封裝製程 | |
JP3349109B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP3768864B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
AU2009211784B2 (en) | Light emitting device | |
JP2001057445A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
JP2009170825A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2002252376A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JPH1168166A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
CN102646777A (zh) | 发光器件封装件及其制造方法 | |
JP2001177153A (ja) | 発光装置 | |
JP2001177157A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4288931B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JPH1168169A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
KR100610270B1 (ko) | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 | |
KR101047795B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
KR20040021951A (ko) | 백색 발광다이오드 | |
KR200296162Y1 (ko) | 백색 발광다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |