JPH07193281A - 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード - Google Patents
指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオードInfo
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
を提供する。 【構成】 赤外発光ダイオードの放射する赤外光を赤外
可視変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する赤外
可視変換発光ダイオードにおいて、赤外可視変換蛍光体
を分散含有するドーム状樹脂成型体を赤外発光ダイオー
ドチップに対して所定の距離を設けて装着する。
を提供する。 【構成】 赤外発光ダイオードの放射する赤外光を赤外
可視変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する赤外
可視変換発光ダイオードにおいて、赤外可視変換蛍光体
を分散含有するドーム状樹脂成型体を赤外発光ダイオー
ドチップに対して所定の距離を設けて装着する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、表示用などに広く用
いられている赤外可視変換発光ダイオード(以下、変換
発光ダイオードという)に関するものである。
いられている赤外可視変換発光ダイオード(以下、変換
発光ダイオードという)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、一般に変換発光ダイオードは赤外
発光部と赤外可視変換蛍光体含有樹脂層(以下、蛍光体
層という)とそれを覆う透明樹脂モールドよりなり、赤
外発光部は図2の概略断面図に示されるように赤外発光
ダイオードチップ1(以下、ダイオードチップという)
のN型層を金属ステム4Aに、同じくP型層をリード線
6を経て金属ステム4Bにボンディングしてなり、かつ
金属ステム4A、4Bは端子5A、5Bと一体のものか
らなり、また前記蛍光体層8は赤外可視変換蛍光体(以
下、変換蛍光体という)の粉末を分散含有するエポキシ
樹脂をダイオードチップ1に塗布することによって形成
され、赤外発光部と蛍光体層8が透明樹脂モールド7で
パッケージされている。
発光部と赤外可視変換蛍光体含有樹脂層(以下、蛍光体
層という)とそれを覆う透明樹脂モールドよりなり、赤
外発光部は図2の概略断面図に示されるように赤外発光
ダイオードチップ1(以下、ダイオードチップという)
のN型層を金属ステム4Aに、同じくP型層をリード線
6を経て金属ステム4Bにボンディングしてなり、かつ
金属ステム4A、4Bは端子5A、5Bと一体のものか
らなり、また前記蛍光体層8は赤外可視変換蛍光体(以
下、変換蛍光体という)の粉末を分散含有するエポキシ
樹脂をダイオードチップ1に塗布することによって形成
され、赤外発光部と蛍光体層8が透明樹脂モールド7で
パッケージされている。
【0003】また、上記変換発光ダイオードにおいて
は、端子5Aと5Bの間に電圧を加えてダイオードチッ
プ1のPN接合面の近傍からから赤外光を放射し、この
赤外光が上記の蛍光体層8を通過する間に変換蛍光体に
吸収されて特定波長の可視光に変換され透明樹脂モール
ド7を通って外部へ放出される。
は、端子5Aと5Bの間に電圧を加えてダイオードチッ
プ1のPN接合面の近傍からから赤外光を放射し、この
赤外光が上記の蛍光体層8を通過する間に変換蛍光体に
吸収されて特定波長の可視光に変換され透明樹脂モール
ド7を通って外部へ放出される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年変換発光
ダイオードの大型化はめざましく、高い輝度を持つよう
になったが、上記の従来変換発光ダイオードにおいては
蛍光体層が一般に塗布あるいは滴下などによってダイオ
ードチップ上に形成されているので、均一な被着が困難
となるばかりでなく、この結果観察方向によって輝度が
異なるという指向性があらわれ、表示が不鮮明にならざ
るを得ないというのが現状である。
ダイオードの大型化はめざましく、高い輝度を持つよう
になったが、上記の従来変換発光ダイオードにおいては
蛍光体層が一般に塗布あるいは滴下などによってダイオ
ードチップ上に形成されているので、均一な被着が困難
となるばかりでなく、この結果観察方向によって輝度が
異なるという指向性があらわれ、表示が不鮮明にならざ
るを得ないというのが現状である。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
述のような観点から、大型化しても鮮明な表示の得られ
る、指向性の少ない発光ダイオードを開発すべく研究を
おこなった結果、上記従来発光ダイオードにおける蛍光
体層をドーム状の蛍光体成型体(以下、蛍光成型体とい
う)とし、これをダイオードチップにたいして所定の距
離を設けて設置した構造とすると観察方向による輝度の
差に起因する指向性が少なくなって鮮明な表示が得られ
るという研究結果を得たのである。
述のような観点から、大型化しても鮮明な表示の得られ
る、指向性の少ない発光ダイオードを開発すべく研究を
おこなった結果、上記従来発光ダイオードにおける蛍光
体層をドーム状の蛍光体成型体(以下、蛍光成型体とい
う)とし、これをダイオードチップにたいして所定の距
離を設けて設置した構造とすると観察方向による輝度の
差に起因する指向性が少なくなって鮮明な表示が得られ
るという研究結果を得たのである。
【0006】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、赤外発光ダイオードの放射する
赤外光を変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する
変換発光ダイオードにおいて、ダイオードチップに対し
て所定の距離を設けて蛍光成型体を装着することにより
指向性を少なくした変換発光ダイオードに特徴を有する
ものである。
なされたものであって、赤外発光ダイオードの放射する
赤外光を変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する
変換発光ダイオードにおいて、ダイオードチップに対し
て所定の距離を設けて蛍光成型体を装着することにより
指向性を少なくした変換発光ダイオードに特徴を有する
ものである。
【0007】
【実施例】次に、この発明の変換発光ダイオードを実施
例により具体的に説明する。表1に示される3種類の変
換蛍光体を同表1に示される割合でエポキシ樹脂に分散
混合し、これを外径3.0mm、高さ3.0mm、厚さ
0.5mmの蛍光成型体とし、図1に見られるように前
述の従来変換発光ダイオードにおける発光部と同じ構造
を持つダイオードチップの上面にたいして1.0mmの
距離を離れて内面が位置するように蛍光成型体を設置
し、更に保護の目的で蛍光成型体を含む全体を透明樹脂
モールド7でパッケージすることにより本発明変換発光
ダイオード1〜3をそれぞれ製造した。つぎに、この結
果得られた本発明変換発光ダイオード1〜3について、
可視光の指向特性を評価する目的で端子5Aと5Bの間
に約1.2ボルトの電圧を加え20mAの順方向の電流
を流すことによってダイオードチップ1より赤外光を放
射し、可視光の強度を変換発光ダイオードの中心線に対
して30度の角度で透明樹脂モールド7の表面から30
cm離れた位置で、水平面上円周方向に沿って60度毎
に、光パワーメーターを用いて測定し、また前記中心線
を含む垂直面上で、ダイオードチップ1を中心点として
所定の傾斜角で測定し、中心線上で測定した強度を10
0として相対強度を算出し、この算出強度を表1に示し
た。
例により具体的に説明する。表1に示される3種類の変
換蛍光体を同表1に示される割合でエポキシ樹脂に分散
混合し、これを外径3.0mm、高さ3.0mm、厚さ
0.5mmの蛍光成型体とし、図1に見られるように前
述の従来変換発光ダイオードにおける発光部と同じ構造
を持つダイオードチップの上面にたいして1.0mmの
距離を離れて内面が位置するように蛍光成型体を設置
し、更に保護の目的で蛍光成型体を含む全体を透明樹脂
モールド7でパッケージすることにより本発明変換発光
ダイオード1〜3をそれぞれ製造した。つぎに、この結
果得られた本発明変換発光ダイオード1〜3について、
可視光の指向特性を評価する目的で端子5Aと5Bの間
に約1.2ボルトの電圧を加え20mAの順方向の電流
を流すことによってダイオードチップ1より赤外光を放
射し、可視光の強度を変換発光ダイオードの中心線に対
して30度の角度で透明樹脂モールド7の表面から30
cm離れた位置で、水平面上円周方向に沿って60度毎
に、光パワーメーターを用いて測定し、また前記中心線
を含む垂直面上で、ダイオードチップ1を中心点として
所定の傾斜角で測定し、中心線上で測定した強度を10
0として相対強度を算出し、この算出強度を表1に示し
た。
【0008】比較の目的で図2に示されるとおり、蛍光
成型体に代わって平均厚さ0.5mmの蛍光体層を塗布
するとともに、空間の形成なくパッケージすること以外
は同一の条件で製造した従来変換発光ダイオード1〜3
について同一の条件で可視光の強度を測定し同じく相対
強度を算出して表1に示した。
成型体に代わって平均厚さ0.5mmの蛍光体層を塗布
するとともに、空間の形成なくパッケージすること以外
は同一の条件で製造した従来変換発光ダイオード1〜3
について同一の条件で可視光の強度を測定し同じく相対
強度を算出して表1に示した。
【0009】
【表1】
【0010】なお、本発明発光ダイオードにおいては赤
外光は透過するが可視光を反射する被膜で前記ドーム状
成型体の内面をコーティングしたり、同じく外面を可視
光は透過するが赤外光は反射する被膜でコーティング処
理したりするとより一段と輝度を高めることが出来る。
さらに、発光部を保護するために蛍光成型体の内部を
透明樹脂で充填してもよい。
外光は透過するが可視光を反射する被膜で前記ドーム状
成型体の内面をコーティングしたり、同じく外面を可視
光は透過するが赤外光は反射する被膜でコーティング処
理したりするとより一段と輝度を高めることが出来る。
さらに、発光部を保護するために蛍光成型体の内部を
透明樹脂で充填してもよい。
【0011】
【発明の効果】表1から明らかなように、本発明変換発
光ダイオード1〜3は従来変換発光ダイオードに比して
観測の位置によるばらつきが著しく少なく均一な強度を
示し、極めて指向性が少なく、従って、大型にしても鮮
明な表示が可能となるなど工業上有用な特性を有する。
光ダイオード1〜3は従来変換発光ダイオードに比して
観測の位置によるばらつきが著しく少なく均一な強度を
示し、極めて指向性が少なく、従って、大型にしても鮮
明な表示が可能となるなど工業上有用な特性を有する。
【図1】 本発明変換発光ダイオードの断面図
【図2】 従来変換発光ダイオードの断面図
1. ダイオードチップ 2. 蛍光成型体 3. 空間 4A.4B. 金属ステム 5A.5B. 端子 6. リード線 7. 透明樹脂モールド 8. 蛍光体層
Claims (1)
- 【請求項1】 赤外発光ダイオードの放射する赤外光を
赤外可視変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する
赤外可視変換発光ダイオードにおいて、赤外可視変換蛍
光体を分散含有するドーム状樹脂成型体を赤外発光ダイ
オードチップに対して所定の距離を設けて装着してなる
指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5331481A JPH07193281A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5331481A JPH07193281A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07193281A true JPH07193281A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18244132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5331481A Withdrawn JPH07193281A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07193281A (ja) |
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-
1993
- 1993-12-27 JP JP5331481A patent/JPH07193281A/ja not_active Withdrawn
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