JP2003037297A - 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置 - Google Patents
光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性の良い光照射装置を提供する。
【解決手段】 電気的に分離された複数の導電路５１
と、所望の導電路５１上に固着された光半導体素子６５
と、当該光半導体素子６５を被覆し且つ前記導電路５１
を一体に支持するレンズと成る光を透過可能な絶縁樹脂
６７と、当該絶縁樹脂６７の上面に光を反射可能な反射
体６３を備えた放熱性の良い光照射装置６８を提供す
る。
と、所望の導電路５１上に固着された光半導体素子６５
と、当該光半導体素子６５を被覆し且つ前記導電路５１
を一体に支持するレンズと成る光を透過可能な絶縁樹脂
６７と、当該絶縁樹脂６７の上面に光を反射可能な反射
体６３を備えた放熱性の良い光照射装置６８を提供す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光照射装置とその
製造方法に関し、特に放熱性の良い光照射装置とその製
造方法及びその光照射装置を用いた照明装置に関するも
のである。
製造方法に関し、特に放熱性の良い光照射装置とその製
造方法及びその光照射装置を用いた照明装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、光を大量に照射する必要がある場
合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短
小及び省電力を目的として、図１１に示すようにプリン
ト基板１に発光素子２を実装させる場合がある。
合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短
小及び省電力を目的として、図１１に示すようにプリン
ト基板１に発光素子２を実装させる場合がある。
【０００３】この発光素子は、半導体で形成された発光
ダイオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、
他に半導体レーザ等も考えられる。
ダイオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、
他に半導体レーザ等も考えられる。
【０００４】この発光ダイオード２は、２本のリード
３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオー
ド５の裏面（アノード電極またはカソード電極）が半田
等で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電
極（カソード電極またはアノード電極）と金属細線６を
介して電気的に接続されている。また前記リード３，
４、チップ５及び金属細線６を封止する透明な樹脂封止
体７がレンズも兼ねて形成されている。
３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオー
ド５の裏面（アノード電極またはカソード電極）が半田
等で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電
極（カソード電極またはアノード電極）と金属細線６を
介して電気的に接続されている。また前記リード３，
４、チップ５及び金属細線６を封止する透明な樹脂封止
体７がレンズも兼ねて形成されている。
【０００５】一方、プリント基板１には、前記発光ダイ
オード２に電源を供給するために電極８，９が設けら
れ、ここに設けられたスルーホールに前記リード３、４
が挿入され、半田等を介して前記発光ダイオード２が固
着、実装されている。
オード２に電源を供給するために電極８，９が設けら
れ、ここに設けられたスルーホールに前記リード３、４
が挿入され、半田等を介して前記発光ダイオード２が固
着、実装されている。
【０００６】例えば、特開平９−２５２６５１号公報に
は、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明され
ている。
は、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明され
ている。
【０００７】しかしながら、前述した発光素子２は、樹
脂封止体７、リード３，４等が組み込まれたパッケージ
で成るため、実装された基板１のサイズが大きくなる欠
点があった。
脂封止体７、リード３，４等が組み込まれたパッケージ
で成るため、実装された基板１のサイズが大きくなる欠
点があった。
【０００８】そのため、各社が競って小型化、薄型化及
び軽量化を実現すべく、いろいろな構造を開発し、最近
ではＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チ
ップサイズと同等のウエハスケールＣＳＰ、またはチッ
プサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰが開発されて
いる。
び軽量化を実現すべく、いろいろな構造を開発し、最近
ではＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チ
ップサイズと同等のウエハスケールＣＳＰ、またはチッ
プサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰが開発されて
いる。
【０００９】図１２は支持基板としてガラスエポキシ基
板１１を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳ
Ｐ１２を示すものである。ここでは、ガラスエポキシ基
板１１に発光ダイオード１３が実装されたものとして説
明していく。
板１１を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳ
Ｐ１２を示すものである。ここでは、ガラスエポキシ基
板１１に発光ダイオード１３が実装されたものとして説
明していく。
【００１０】このガラスエポキシ基板１１の表面に第１
の電極（ダイパッド）１４及び第２の電極１５が形成さ
れ、裏面には第１の裏面電極１６と第２の裏面電極１７
とが形成されている。そして、スルーホールＴＨを介し
て前記第１の電極１４と第１の裏面電極１６が電気的に
接続され、同様に前記第２の電極１５と第２の裏面電極
１７が電気的に接続されている。
の電極（ダイパッド）１４及び第２の電極１５が形成さ
れ、裏面には第１の裏面電極１６と第２の裏面電極１７
とが形成されている。そして、スルーホールＴＨを介し
て前記第１の電極１４と第１の裏面電極１６が電気的に
接続され、同様に前記第２の電極１５と第２の裏面電極
１７が電気的に接続されている。
【００１１】また、ダイパッド１４の上面に前記ベアの
発光ダイオード１３が固着され、当該発光ダイオード１
３の表面の電極と第１の電極１４とが金属配線１８を介
して接続されている。そして、前記発光ダイオード１３
を含む全面を被覆するようにガラスエポキシ基板１１に
樹脂層１９が設けられている。
発光ダイオード１３が固着され、当該発光ダイオード１
３の表面の電極と第１の電極１４とが金属配線１８を介
して接続されている。そして、前記発光ダイオード１３
を含む全面を被覆するようにガラスエポキシ基板１１に
樹脂層１９が設けられている。
【００１２】前記ＣＳＰ１２は、ガラスエポキシ基板１
１を採用しているが、ウエハスケールＣＳＰと異なり、
前記発光ダイオード１３から外部接続用の裏面電極１６
までの延在構造が簡単であり、安価に製造できる利点を
有する。
１を採用しているが、ウエハスケールＣＳＰと異なり、
前記発光ダイオード１３から外部接続用の裏面電極１６
までの延在構造が簡単であり、安価に製造できる利点を
有する。
【００１３】また、前記ＣＳＰ１２の製造方法を説明す
ると、先ず、図１２（Ａ）に示すように基材（支持基
板）としてガラスエポキシ基板１１を用意し、この両面
に絶縁性接着剤を介して銅箔（以下、Ｃｕ箔と称す。）
２０，２１を圧着する。
ると、先ず、図１２（Ａ）に示すように基材（支持基
板）としてガラスエポキシ基板１１を用意し、この両面
に絶縁性接着剤を介して銅箔（以下、Ｃｕ箔と称す。）
２０，２１を圧着する。
【００１４】次に、図１２（Ｂ）に示すように第１の電
極（ダイパッド）１４，第２の電極１５，第１の裏面電
極１６と第２の裏面電極１７を形成する領域上のＣｕ箔
２０，２１上に耐エッチング性のレジスト膜２２を形成
し、当該レジスト膜２２を用いてＣｕ箔２０，２１をパ
ターニングする。尚、本パターニング工程は、表と裏で
別々に行うものであっても構わない。
極（ダイパッド）１４，第２の電極１５，第１の裏面電
極１６と第２の裏面電極１７を形成する領域上のＣｕ箔
２０，２１上に耐エッチング性のレジスト膜２２を形成
し、当該レジスト膜２２を用いてＣｕ箔２０，２１をパ
ターニングする。尚、本パターニング工程は、表と裏で
別々に行うものであっても構わない。
【００１５】続いて、図１２（Ｃ）に示すようにドリル
やレーザーを利用してスルーホールＴＨのための孔を前
記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔にメッキを施
し、スルーホールＴＨを形成する。このスルーホールＴ
Ｈによりダイパッド１４と第１の裏面電極１６、そして
第２の電極１５と第２の裏面電極１７とが電気的に接続
される。
やレーザーを利用してスルーホールＴＨのための孔を前
記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔にメッキを施
し、スルーホールＴＨを形成する。このスルーホールＴ
Ｈによりダイパッド１４と第１の裏面電極１６、そして
第２の電極１５と第２の裏面電極１７とが電気的に接続
される。
【００１６】更に、図１２（Ｄ）に示すようにボンディ
ングポストと成るダイパッド１４上にＮｉメッキ、Ａｕ
メッキを施した後、発光ダイオード１３の裏面（アノー
ド電極またはカソード電極）をダイボンディングする。
ングポストと成るダイパッド１４上にＮｉメッキ、Ａｕ
メッキを施した後、発光ダイオード１３の裏面（アノー
ド電極またはカソード電極）をダイボンディングする。
【００１７】最後に、発光ダイオード１３の表面の電極
（カソード電極またはアノード電極）と第２の電極１５
とを金属細線１８を介して電気的に接続し、樹脂層１９
で被覆している。
（カソード電極またはアノード電極）と第２の電極１５
とを金属細線１８を介して電気的に接続し、樹脂層１９
で被覆している。
【００１８】そして、必要によりダイシングすることで
個々の電気回路素子として分離している。図１２では、
ガラスエポキシ基板１１に発光ダイオード１３が一つし
か設けられていないが、実際には発光ダイオード１３が
マトリックス状に多数個設けられている。そのため、最
後にダイシング装置により個別分離する。
個々の電気回路素子として分離している。図１２では、
ガラスエポキシ基板１１に発光ダイオード１３が一つし
か設けられていないが、実際には発光ダイオード１３が
マトリックス状に多数個設けられている。そのため、最
後にダイシング装置により個別分離する。
【００１９】以上の製造方法により、支持基板（ガラス
エポキシ基板）１１を採用したＣＳＰ型の電気回路素子
が完成する。尚、この製造方法は、支持基板としてフレ
キシブルシートを採用しても同様である。
エポキシ基板）１１を採用したＣＳＰ型の電気回路素子
が完成する。尚、この製造方法は、支持基板としてフレ
キシブルシートを採用しても同様である。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図１２におい
て、発光ダイオード１３、第１の電極１４、第２の電極
１５、第１の裏面電極１６、第２の裏面電極１７及び金
属細線１８は、外部との電気的接続、チップの保護を図
る上で必要な構成要素であるが、これだけの構成要素で
小型化、薄型化、軽量化を実現する電気回路素子を提供
することは難しかった。
て、発光ダイオード１３、第１の電極１４、第２の電極
１５、第１の裏面電極１６、第２の裏面電極１７及び金
属細線１８は、外部との電気的接続、チップの保護を図
る上で必要な構成要素であるが、これだけの構成要素で
小型化、薄型化、軽量化を実現する電気回路素子を提供
することは難しかった。
【００２１】また、支持基板となるガラスエポキシ基板
１１は、本来不要なものである。しかし製造方法上、電
極を貼り合わせるため、支持基板として採用しており、
このガラスエポキシ基板１１をなくすことができなかっ
た。
１１は、本来不要なものである。しかし製造方法上、電
極を貼り合わせるため、支持基板として採用しており、
このガラスエポキシ基板１１をなくすことができなかっ
た。
【００２２】そのため、ガラスエポキシ基板１１を採用
することで、コストが上昇し、更にはガラスエポキシ基
板１１が厚いために、回路素子として厚くなり、小型
化、薄型化、軽量化を図る上で限界があった。
することで、コストが上昇し、更にはガラスエポキシ基
板１１が厚いために、回路素子として厚くなり、小型
化、薄型化、軽量化を図る上で限界があった。
【００２３】更に、ガラスエポキシ基板１１やセラミッ
ク基板等では、必ず両面の電極を接続するスルーホール
形成工程が不可欠であり、製造工程も長くなるといった
問題もあった。
ク基板等では、必ず両面の電極を接続するスルーホール
形成工程が不可欠であり、製造工程も長くなるといった
問題もあった。
【００２４】また、基板自身の放熱性が劣るため、全体
として温度上昇をきたす問題があった。そのため、チッ
プ自身も温度上昇し、駆動能力が低下する問題があっ
た。
として温度上昇をきたす問題があった。そのため、チッ
プ自身も温度上昇し、駆動能力が低下する問題があっ
た。
【００２５】また、発光ダイオードは、その側面からも
光が発光し、基板側にも向かう光が存在する。しかし、
基板がプリント基板やガラスエポキシ基板であるため、
全ての光を上方に効率良く発光させることができないと
いう問題もあった。
光が発光し、基板側にも向かう光が存在する。しかし、
基板がプリント基板やガラスエポキシ基板であるため、
全ての光を上方に効率良く発光させることができないと
いう問題もあった。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成され、電気的に分離された複数の導電路と、所
望の導電路上に固着された光半導体素子と、当該光半導
体素子を被覆し且つ前記導電路を一体に支持する光を透
過可能な樹脂と、前記光半導体素子を被覆する樹脂上面
に固着された反射体とを備えた放熱性の良い光照射装置
を提供することを特徴とする。
鑑みて成され、電気的に分離された複数の導電路と、所
望の導電路上に固着された光半導体素子と、当該光半導
体素子を被覆し且つ前記導電路を一体に支持する光を透
過可能な樹脂と、前記光半導体素子を被覆する樹脂上面
に固着された反射体とを備えた放熱性の良い光照射装置
を提供することを特徴とする。
【００２７】また、分離溝で電気的に分離された複数の
導電路と、所望の導電路上に固着された光半導体素子
と、該光半導体素子を被覆し且つ前記導電路間の前記分
離溝に充填され前記導電路の裏面のみを露出して一体に
支持する光を透過可能な樹脂と、前記光半導体素子を被
覆する樹脂上面に固着された反射体とを備えた光照射装
置を提供することで、導電路の裏面が外部との接続に供
することができスルーホールを不要にでき、上記課題を
解決している。
導電路と、所望の導電路上に固着された光半導体素子
と、該光半導体素子を被覆し且つ前記導電路間の前記分
離溝に充填され前記導電路の裏面のみを露出して一体に
支持する光を透過可能な樹脂と、前記光半導体素子を被
覆する樹脂上面に固着された反射体とを備えた光照射装
置を提供することで、導電路の裏面が外部との接続に供
することができスルーホールを不要にでき、上記課題を
解決している。
【００２８】更に、導電箔を用意し、少なくとも導電路
と成る領域を除いた前記導電箔に当該導電箔の厚みより
も浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、所望
の前記導電路上に光半導体素子を固着する工程と、前記
光半導体素子を被覆し、前記分離溝に充填されるように
光を透過可能な樹脂で被覆する工程と、前記光半導体素
子を被覆する樹脂上面に反射体を固着する工程と、前記
分離溝を設けていない側の前記導電箔を除去する工程と
を具備する光照射装置の製造方法を提供することで、導
電路を形成する導電箔がスタートの材料であり、光を透
過可能な樹脂が被覆されるまでは導電箔が支持機能を有
し、被覆後は光を透過可能な樹脂が支持機能を有するこ
とで支持基板を不要にでき、上記課題を解決している。
と成る領域を除いた前記導電箔に当該導電箔の厚みより
も浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、所望
の前記導電路上に光半導体素子を固着する工程と、前記
光半導体素子を被覆し、前記分離溝に充填されるように
光を透過可能な樹脂で被覆する工程と、前記光半導体素
子を被覆する樹脂上面に反射体を固着する工程と、前記
分離溝を設けていない側の前記導電箔を除去する工程と
を具備する光照射装置の製造方法を提供することで、導
電路を形成する導電箔がスタートの材料であり、光を透
過可能な樹脂が被覆されるまでは導電箔が支持機能を有
し、被覆後は光を透過可能な樹脂が支持機能を有するこ
とで支持基板を不要にでき、上記課題を解決している。
【００２９】また、前記光半導体素子を被覆する樹脂上
面に反射体を固着する工程を備えることで、光半導体素
子の下方に光を照射することができる。
面に反射体を固着する工程を備えることで、光半導体素
子の下方に光を照射することができる。
【００３０】従って、上記光照射装置を例えば、液晶表
示パネルのバックライト用の照明に用いた場合には、バ
ックライト用の照明装置を設置するための設置スペース
の省スペース化が図れる。
示パネルのバックライト用の照明に用いた場合には、バ
ックライト用の照明装置を設置するための設置スペース
の省スペース化が図れる。
【００３１】前記分離溝に充填されるように前記各光照
射装置を光を透過可能な樹脂で被覆した後に、前記分離
溝が設けられていない側の前記導電箔を除去し、前記樹
脂を露出させ、そして前記光を透過可能な樹脂で被覆さ
れた各光照射装置同士を分離する工程とを有すること
で、各光照射装置同士は、最終段階までは分離されず、
従って導電箔を１枚のシートとして各工程に供すること
ができ、作業性が良い。
射装置を光を透過可能な樹脂で被覆した後に、前記分離
溝が設けられていない側の前記導電箔を除去し、前記樹
脂を露出させ、そして前記光を透過可能な樹脂で被覆さ
れた各光照射装置同士を分離する工程とを有すること
で、各光照射装置同士は、最終段階までは分離されず、
従って導電箔を１枚のシートとして各工程に供すること
ができ、作業性が良い。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光照射装置と
その製造方法の第１の実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
その製造方法の第１の実施形態について図面を参照しな
がら説明する。
【００３３】図１において、６１はシート状の導電箔
で、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮
されてその材料が選択され、材料としては、銅（Ｃｕ）
を主材料とした導電箔、アルミニウム（Ａｌ）を主材料
とした導電箔または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）、Ｃ
ｕ−Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌ等の合金から成る導電箔等
が採用される。
で、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮
されてその材料が選択され、材料としては、銅（Ｃｕ）
を主材料とした導電箔、アルミニウム（Ａｌ）を主材料
とした導電箔または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）、Ｃ
ｕ−Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ−Ａｌ等の合金から成る導電箔等
が採用される。
【００３４】導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮す
ると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは１
５０μｍの銅箔を採用した。しかし、３００μｍ以上で
も１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、
導電箔６１の厚みよりも浅い分離溝６４が形成できれば
良い。
ると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは１
５０μｍの銅箔を採用した。しかし、３００μｍ以上で
も１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、
導電箔６１の厚みよりも浅い分離溝６４が形成できれば
良い。
【００３５】尚、シート状の導電箔６１は、所定の幅で
ロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に
搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電
箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
ロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に
搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電
箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
【００３６】そして、前記導電箔６１の表面及び裏面
（図示省略）に形成したフォトレジスト膜６０（裏面側
のフォトレジスト膜は、図示せず）をマスクにしてハー
フエッチング処理を施すことで、当該導電箔６１の所定
領域がハーフエッチングされて分離溝６４が形成され
る。尚、このエッチングにより形成された分離溝６４の
深さは、例えば８０μｍであり、その側面は、粗面とな
るため後述する光を透過可能な絶縁樹脂６７との接着性
が向上する。
（図示省略）に形成したフォトレジスト膜６０（裏面側
のフォトレジスト膜は、図示せず）をマスクにしてハー
フエッチング処理を施すことで、当該導電箔６１の所定
領域がハーフエッチングされて分離溝６４が形成され
る。尚、このエッチングにより形成された分離溝６４の
深さは、例えば８０μｍであり、その側面は、粗面とな
るため後述する光を透過可能な絶縁樹脂６７との接着性
が向上する。
【００３７】尚、前記導電箔６１上に後述するＡｇ被膜
６２を形成した後に、当該Ａｇ被膜６２を完全に被覆す
るように形成したフォトレジスト膜をマスクにしてハー
フエッチングするものであっても良い。
６２を形成した後に、当該Ａｇ被膜６２を完全に被覆す
るように形成したフォトレジスト膜をマスクにしてハー
フエッチングするものであっても良い。
【００３８】また、この分離溝６４の側壁の断面形状は
除去方法により異なる構造となる。この除去工程は、ウ
ェットエッチング、ドライエッチング、レーザによる蒸
発、ダイシング等が採用できる。
除去方法により異なる構造となる。この除去工程は、ウ
ェットエッチング、ドライエッチング、レーザによる蒸
発、ダイシング等が採用できる。
【００３９】例えばウェットエッチングの場合、エッチ
ャントは、塩化第二鉄または塩化第二銅が主に採用さ
れ、前記導電箔６１は、このエッチャントの中にディッ
ピングされるか、このエッチャントでシャワーリングさ
れる。ここでウェットエッチングは、一般に非異方性に
エッチングされるため、側面は湾曲構造になる。
ャントは、塩化第二鉄または塩化第二銅が主に採用さ
れ、前記導電箔６１は、このエッチャントの中にディッ
ピングされるか、このエッチャントでシャワーリングさ
れる。ここでウェットエッチングは、一般に非異方性に
エッチングされるため、側面は湾曲構造になる。
【００４０】更に、ドライエッチングの場合は、異方
性、非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃ
ｕを反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能と
いわれているが、スパッタリングで除去できる。また、
スパッタリングの条件次第では異方性、非異方性でエッ
チングできる。
性、非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃ
ｕを反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能と
いわれているが、スパッタリングで除去できる。また、
スパッタリングの条件次第では異方性、非異方性でエッ
チングできる。
【００４１】また、レーザでは、直接レーザ光を当てる
ことで分離溝を形成でき、この場合は、どちらかといえ
ば分離溝６４の側面はストレートに形成される。
ことで分離溝を形成でき、この場合は、どちらかといえ
ば分離溝６４の側面はストレートに形成される。
【００４２】更に、ダイシングでは、曲折した複雑なパ
ターンを形成することは不可能であるが、格子状の分離
溝を形成することは可能である。
ターンを形成することは不可能であるが、格子状の分離
溝を形成することは可能である。
【００４３】次に、図２において、前記導電箔６１の表
面及び裏面の所定領域にそれぞれメッキ処理を施す。
尚、本実施形態では導電被膜６２として銀（Ａｇ）メッ
キから成る被膜（以下、Ａｇ被膜６２と呼ぶ。）を形成
しているが、これに限定されるものではなく、その他の
材料としては、例えば金（Ａｕ）、Ｎｉ、Ａｌまたはパ
ラジウム（Ｐｄ）等である。しかも、これら耐食性の導
電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてその
まま活用できる特徴を有する。更に言えば、Ａｇ被膜６
２は導電箔６１の表面のみに形成するものであっても良
い。
面及び裏面の所定領域にそれぞれメッキ処理を施す。
尚、本実施形態では導電被膜６２として銀（Ａｇ）メッ
キから成る被膜（以下、Ａｇ被膜６２と呼ぶ。）を形成
しているが、これに限定されるものではなく、その他の
材料としては、例えば金（Ａｕ）、Ｎｉ、Ａｌまたはパ
ラジウム（Ｐｄ）等である。しかも、これら耐食性の導
電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてその
まま活用できる特徴を有する。更に言えば、Ａｇ被膜６
２は導電箔６１の表面のみに形成するものであっても良
い。
【００４４】例えば、前記Ａｇ被膜６２は、Ａｕと接着
するし、ロウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ
被膜が被覆されていれば、そのまま導電路５１上のＡｇ
被膜６２にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を
介してチップを固着できる。更に、Ａｇの導電被膜には
Ａｕ細線が接着できるため、ワイヤーボンディングも可
能となる。
するし、ロウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ
被膜が被覆されていれば、そのまま導電路５１上のＡｇ
被膜６２にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を
介してチップを固着できる。更に、Ａｇの導電被膜には
Ａｕ細線が接着できるため、ワイヤーボンディングも可
能となる。
【００４５】また、導電箔６１上にＡｇ被膜６２に形成
することで、光半導体素子６５から発光される光が当該
Ａｇ被膜６２により上方に反射されて、上方への発光効
率が良くなる。
することで、光半導体素子６５から発光される光が当該
Ａｇ被膜６２により上方に反射されて、上方への発光効
率が良くなる。
【００４６】しかしながら、Ａｇ被膜６２の形成領域が
広範囲になると、後述する光半導体素子６５を搭載した
導電箔６１を絶縁樹脂６７を用いて樹脂封止する際に、
導電箔６１と絶縁樹脂６７とが接する領域が少なくな
り、剥がれの発生原因となる。これは、Ｃｕから成る導
電箔６１と絶縁樹脂６７との密着率よりもＡｇ被膜６２
と絶縁樹脂６７との密着率が低いためである。そのた
め、Ａｇ被膜６２の形成領域は、当該導電箔６１と絶縁
樹脂６７との密着性と、Ａｇ被膜６２による光照射装置
からの光の反射効率との兼ね合いで任意に設定されるも
のである。
広範囲になると、後述する光半導体素子６５を搭載した
導電箔６１を絶縁樹脂６７を用いて樹脂封止する際に、
導電箔６１と絶縁樹脂６７とが接する領域が少なくな
り、剥がれの発生原因となる。これは、Ｃｕから成る導
電箔６１と絶縁樹脂６７との密着率よりもＡｇ被膜６２
と絶縁樹脂６７との密着率が低いためである。そのた
め、Ａｇ被膜６２の形成領域は、当該導電箔６１と絶縁
樹脂６７との密着性と、Ａｇ被膜６２による光照射装置
からの光の反射効率との兼ね合いで任意に設定されるも
のである。
【００４７】そして、前記Ａｇ被膜６２を形成した状態
で、プレス等により当該導電箔６１（並びにＡｇ被膜６
２）を加圧することで、当該Ａｇ被膜６２に光沢が出て
照射（反射）効率向上が図れる。
で、プレス等により当該導電箔６１（並びにＡｇ被膜６
２）を加圧することで、当該Ａｇ被膜６２に光沢が出て
照射（反射）効率向上が図れる。
【００４８】続いて、図３において、分離溝６４が形成
された導電箔６１に光半導体素子６５を電気的に接続し
て実装する。ここで、光半導体素子６５として発光ダイ
オードが用いられ、当該光半導体素子６５が、後述する
第１の導電電極（ダイパッド）５１Ａ上にダイボンディ
ングされ、光半導体素子６５の表面と第２の導電電極５
１Ｂとが金属細線６６によりワイヤボンディングされ
る。このとき、図１に示す分離溝６４の形成工程におい
て、前記光半導体素子６５がダイボンディング可能なマ
ージンを残し（第１の導電電極（ダイパッド）５１
Ａ）、また、金属細線６６がワイヤボンディング可能な
マージンを残す（第２の導電電極５１Ｂ）ように導電箔
６１を加工しているため、後述するように光半導体素子
６５からの上方に照射された光が、後述する反射体６３
により光半導体素子６５より下方に反射させる際に、光
が通過する範囲が広くなるように構成されている。
された導電箔６１に光半導体素子６５を電気的に接続し
て実装する。ここで、光半導体素子６５として発光ダイ
オードが用いられ、当該光半導体素子６５が、後述する
第１の導電電極（ダイパッド）５１Ａ上にダイボンディ
ングされ、光半導体素子６５の表面と第２の導電電極５
１Ｂとが金属細線６６によりワイヤボンディングされ
る。このとき、図１に示す分離溝６４の形成工程におい
て、前記光半導体素子６５がダイボンディング可能なマ
ージンを残し（第１の導電電極（ダイパッド）５１
Ａ）、また、金属細線６６がワイヤボンディング可能な
マージンを残す（第２の導電電極５１Ｂ）ように導電箔
６１を加工しているため、後述するように光半導体素子
６５からの上方に照射された光が、後述する反射体６３
により光半導体素子６５より下方に反射させる際に、光
が通過する範囲が広くなるように構成されている。
【００４９】次に、図４において、前記導電箔６１上の
前記光半導体素子６５を封止し、且つ当該光半導体素子
６５から発光される光を透過する光を透過可能な絶縁樹
脂６７で被覆する。本工程では、金型（図示省略）を用
いたトランスファモールドにより前記光半導体素子６５
及び分離溝６４を含む導電箔６１上を熱硬化性のシリコ
ーン樹脂やエポキシ樹脂で封止している。上述したよう
に当該樹脂は、光を透過可能なものである必要があり、
いわゆる透明樹脂と呼ばれるもの、また不透明であるが
所定の波長の光を透過可能な樹脂が用いられる。
前記光半導体素子６５を封止し、且つ当該光半導体素子
６５から発光される光を透過する光を透過可能な絶縁樹
脂６７で被覆する。本工程では、金型（図示省略）を用
いたトランスファモールドにより前記光半導体素子６５
及び分離溝６４を含む導電箔６１上を熱硬化性のシリコ
ーン樹脂やエポキシ樹脂で封止している。上述したよう
に当該樹脂は、光を透過可能なものである必要があり、
いわゆる透明樹脂と呼ばれるもの、また不透明であるが
所定の波長の光を透過可能な樹脂が用いられる。
【００５０】ここで、前記光を透過可能な樹脂６７は、
光半導体素子６５の光をできるだけ多く集光し上方に照
射させるために上に凸状のレンズ形状となっており、ド
ーム形状をしている。尚、導電箔６１表面に被覆された
光を透過可能な絶縁樹脂６７（レンズ）の厚みは、強度
を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能であ
る。また、樹脂６７の形状はドーム形状に限られるもの
ではない。
光半導体素子６５の光をできるだけ多く集光し上方に照
射させるために上に凸状のレンズ形状となっており、ド
ーム形状をしている。尚、導電箔６１表面に被覆された
光を透過可能な絶縁樹脂６７（レンズ）の厚みは、強度
を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能であ
る。また、樹脂６７の形状はドーム形状に限られるもの
ではない。
【００５１】尚、本実施形態の説明では、光半導体素子
６５が一つしか図示されていないが、実際には光半導体
素子６５がマトリックス状に多数個設けられており、前
記光を透過可能な樹脂６７で各光半導体素子６５を被覆
する際には、各光半導体素子６５毎に個別モールドす
る。即ち、前記光を透過可能な樹脂６７をモールドする
際には、当該光を透過可能な樹脂６７の性質上、反り防
止用に用いられるフィラーを樹脂内に混入させると光が
乱反射してしまうため、当該フィラーを用いることがで
きないので、各光半導体素子６５（後述する各光照射装
置６８）毎に個別にモールドする必要がある。
６５が一つしか図示されていないが、実際には光半導体
素子６５がマトリックス状に多数個設けられており、前
記光を透過可能な樹脂６７で各光半導体素子６５を被覆
する際には、各光半導体素子６５毎に個別モールドす
る。即ち、前記光を透過可能な樹脂６７をモールドする
際には、当該光を透過可能な樹脂６７の性質上、反り防
止用に用いられるフィラーを樹脂内に混入させると光が
乱反射してしまうため、当該フィラーを用いることがで
きないので、各光半導体素子６５（後述する各光照射装
置６８）毎に個別にモールドする必要がある。
【００５２】そして、図５において、前記光半導体素子
６５を被覆する光を透過可能な絶縁樹脂６７の上面を被
覆するように反射体６３を形成する。この反射体６３
は、前記光半導体素子６５の上面から発光された光を当
該反射体６３により反射させて光半導体素子６５の下側
に光を反射させるためのものである。
６５を被覆する光を透過可能な絶縁樹脂６７の上面を被
覆するように反射体６３を形成する。この反射体６３
は、前記光半導体素子６５の上面から発光された光を当
該反射体６３により反射させて光半導体素子６５の下側
に光を反射させるためのものである。
【００５３】ここで、前記反射体６３として本実施形態
では、光を反射可能な絶縁樹脂（例えば、白色系の樹
脂）を用いて、前記光を透過可能な樹脂６７の上面を当
該白色系の樹脂で被覆している。このとき、前記光を透
過可能な樹脂６７の形状（ドーム形状）を反映して反射
体６３の断面形状は、照明器具の傘のようになり、光半
導体素子６５からの光をより効率よく反射させることが
できる。
では、光を反射可能な絶縁樹脂（例えば、白色系の樹
脂）を用いて、前記光を透過可能な樹脂６７の上面を当
該白色系の樹脂で被覆している。このとき、前記光を透
過可能な樹脂６７の形状（ドーム形状）を反映して反射
体６３の断面形状は、照明器具の傘のようになり、光半
導体素子６５からの光をより効率よく反射させることが
できる。
【００５４】尚、反射体６３は上記白色系の樹脂に限定
されるものではなく、前記光を透過可能な樹脂６７の上
面に、例えばＡｌ等の光を反射可能な金属箔やガラス板
に反射材料から成る膜を形成したものを固着させて成る
ものであっても構わない。
されるものではなく、前記光を透過可能な樹脂６７の上
面に、例えばＡｌ等の光を反射可能な金属箔やガラス板
に反射材料から成る膜を形成したものを固着させて成る
ものであっても構わない。
【００５５】更に言えば、上述したように本実施形態で
は前記光を透過可能な樹脂６７で各光半導体素子６５を
被覆する際には、各光半導体素子６５毎に個別モールド
しているが、例えば反射体６３として光を反射可能な樹
脂をモールドする際には、各光半導体素子６５を一括し
てモールドするものであっても良い。即ち、前記光を透
過可能な樹脂６７をモールドする際には、当該光を透過
可能な樹脂６７の性質上、反り防止用に用いられるフィ
ラーを樹脂内に混入させると光が乱反射してしまい用い
ることができないが、光を反射可能な樹脂に対してはフ
ィラーを樹脂内に混入させても構わないため、一括モー
ルドしても当該フィラーの作用によりフレーム（導電箔
６１）と光を反射可能な樹脂との熱膨張率のマッチング
がとれる。
は前記光を透過可能な樹脂６７で各光半導体素子６５を
被覆する際には、各光半導体素子６５毎に個別モールド
しているが、例えば反射体６３として光を反射可能な樹
脂をモールドする際には、各光半導体素子６５を一括し
てモールドするものであっても良い。即ち、前記光を透
過可能な樹脂６７をモールドする際には、当該光を透過
可能な樹脂６７の性質上、反り防止用に用いられるフィ
ラーを樹脂内に混入させると光が乱反射してしまい用い
ることができないが、光を反射可能な樹脂に対してはフ
ィラーを樹脂内に混入させても構わないため、一括モー
ルドしても当該フィラーの作用によりフレーム（導電箔
６１）と光を反射可能な樹脂との熱膨張率のマッチング
がとれる。
【００５６】本工程の特徴は、光を反射可能な絶縁樹脂
を被覆するまでは、導電箔６１が支持基板となることで
ある。そして、従来（図１１参照）のようにプリント基
板１に発光素子２を搭載した構成のものに比して放熱性
が良いため、駆動能力を向上させることができる。
を被覆するまでは、導電箔６１が支持基板となることで
ある。そして、従来（図１１参照）のようにプリント基
板１に発光素子２を搭載した構成のものに比して放熱性
が良いため、駆動能力を向上させることができる。
【００５７】更に言えば、本発明では支持基板となる導
電箔６１は、電極材料として必要な材料であるため、構
成材料を極力省いて作業できる利点を有し、コストの低
下も実現できる。
電箔６１は、電極材料として必要な材料であるため、構
成材料を極力省いて作業できる利点を有し、コストの低
下も実現できる。
【００５８】また、前記分離溝６４は、導電箔６１の厚
みよりも浅く形成されているため、導電箔６１が導電路
５１として個々に分離されていない。従って、シート状
の導電箔６１として一体で取り扱え、光を透過可能な絶
縁樹脂６７をモールドし、更に光を反射可能な絶縁樹脂
（反射体６３）をモールドする際、金型への搬送、金型
への実装の作業が非常に簡便となる利点がある。
みよりも浅く形成されているため、導電箔６１が導電路
５１として個々に分離されていない。従って、シート状
の導電箔６１として一体で取り扱え、光を透過可能な絶
縁樹脂６７をモールドし、更に光を反射可能な絶縁樹脂
（反射体６３）をモールドする際、金型への搬送、金型
への実装の作業が非常に簡便となる利点がある。
【００５９】更に、図６において、導電箔６１の裏面を
化学的及び／または物理的に除き、導電路５１として分
離する工程がある。ここで、この除く工程は、研磨、研
削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
化学的及び／または物理的に除き、導電路５１として分
離する工程がある。ここで、この除く工程は、研磨、研
削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
【００６０】本実施形態では、裏面側の導電箔６１及び
Ａｇ被膜６２上に形成したフォトレジスト膜（図示省
略）をマスクにして当該導電箔６１をウェットエッチン
グして、前記分離溝６４下の導電箔６１を削り光を透過
可能な絶縁樹脂６７を露出させて各導電路５１を分離さ
せる。これにより、光を透過可能な絶縁樹脂６７から導
電路５１Ａ，５１Ｂ（第１の導電電極及び第２の導電電
極）の表面が露出する構造となる。
Ａｇ被膜６２上に形成したフォトレジスト膜（図示省
略）をマスクにして当該導電箔６１をウェットエッチン
グして、前記分離溝６４下の導電箔６１を削り光を透過
可能な絶縁樹脂６７を露出させて各導電路５１を分離さ
せる。これにより、光を透過可能な絶縁樹脂６７から導
電路５１Ａ，５１Ｂ（第１の導電電極及び第２の導電電
極）の表面が露出する構造となる。
【００６１】尚、研磨装置または研削装置等により導電
箔６１の裏面を５０〜６０μｍ程度削り、分離溝６４か
ら光を透過可能な絶縁樹脂６７を露出させても良く、こ
の場合には約４０μｍの厚さの導電路５１となって分離
される。また、光を透過可能な絶縁樹脂６７が露出する
手前まで、導電箔６１を全面ウェットエッチングし、そ
の後、研磨または研削装置により全面を削り、光を透過
可能な絶縁樹脂６７を露出させても良い。この場合に
は、光を透過可能な絶縁樹脂６７に導電路５１が埋め込
まれ、光を透過可能な絶縁樹脂６７の裏面と導電路５１
の裏面がほぼ一致する平坦な光照射装置が実現できる。
箔６１の裏面を５０〜６０μｍ程度削り、分離溝６４か
ら光を透過可能な絶縁樹脂６７を露出させても良く、こ
の場合には約４０μｍの厚さの導電路５１となって分離
される。また、光を透過可能な絶縁樹脂６７が露出する
手前まで、導電箔６１を全面ウェットエッチングし、そ
の後、研磨または研削装置により全面を削り、光を透過
可能な絶縁樹脂６７を露出させても良い。この場合に
は、光を透過可能な絶縁樹脂６７に導電路５１が埋め込
まれ、光を透過可能な絶縁樹脂６７の裏面と導電路５１
の裏面がほぼ一致する平坦な光照射装置が実現できる。
【００６２】更に言えば、前述した研磨装置または研削
装置等により導電箔６１の裏面を削り、各導電路５１を
分離させた場合には、必要によって露出した導電路５１
に半田等の導電材を被着させ、当該導電路５１の酸化防
止処理を施しても良い。
装置等により導電箔６１の裏面を削り、各導電路５１を
分離させた場合には、必要によって露出した導電路５１
に半田等の導電材を被着させ、当該導電路５１の酸化防
止処理を施しても良い。
【００６３】そして、図７に示すように隣り合う光照射
装置６８同士をダイシング装置を用いて個別に分離し、
光照射装置６８を完成させる工程がある。
装置６８同士をダイシング装置を用いて個別に分離し、
光照射装置６８を完成させる工程がある。
【００６４】ここで、本分離工程は、ダイシングの他
に、カット、チョコレートブレーク等で実現できる。こ
こで、チョコレートブレークを採用する場合には、図７
に一点鎖線で示すプレス機械により光照射装置６８を被
覆する光を透過可能な絶縁樹脂６７の両端部から銅片６
９が剥がれて、各光照射装置６８が分離される。尚、こ
の場合にはダイシング、カット等に比べて裏面のバリ取
り処理が不要となるため、作業性が良いという利点もあ
る。
に、カット、チョコレートブレーク等で実現できる。こ
こで、チョコレートブレークを採用する場合には、図７
に一点鎖線で示すプレス機械により光照射装置６８を被
覆する光を透過可能な絶縁樹脂６７の両端部から銅片６
９が剥がれて、各光照射装置６８が分離される。尚、こ
の場合にはダイシング、カット等に比べて裏面のバリ取
り処理が不要となるため、作業性が良いという利点もあ
る。
【００６５】本製造方法の特徴は、光を透過可能な絶縁
樹脂６７（及び反射体６３）を支持基板として活用し導
電路５１の分離作業ができることにある。光を透過可能
な絶縁樹脂６７は、導電路５１を埋め込む材料として必
要な材料であり、製造工程中において、支持専用の基板
を必要としない。従って、最小限の材料で製造でき、コ
ストの低減が実現できる特徴を有する。
樹脂６７（及び反射体６３）を支持基板として活用し導
電路５１の分離作業ができることにある。光を透過可能
な絶縁樹脂６７は、導電路５１を埋め込む材料として必
要な材料であり、製造工程中において、支持専用の基板
を必要としない。従って、最小限の材料で製造でき、コ
ストの低減が実現できる特徴を有する。
【００６６】以下、前記光照射装置６８を液晶表示パネ
ルのバックライト用の照明装置に用いた実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
ルのバックライト用の照明装置に用いた実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【００６７】図９（Ａ）は一般的な液晶表示パネルの要
部構成を説明するための断面図で、上部ガラス基板８１
と下部ガラス基板８２とが対峙する形で配置され、両部
ガラス基板８１，８２との間に液晶（図示省略）がシー
ルド樹脂８３を介して注入されている。そして、アクリ
ル板製の導光板８４を介して蛍光灯８５からの光が液晶
表示パネルに照射されるように構成されている。
部構成を説明するための断面図で、上部ガラス基板８１
と下部ガラス基板８２とが対峙する形で配置され、両部
ガラス基板８１，８２との間に液晶（図示省略）がシー
ルド樹脂８３を介して注入されている。そして、アクリ
ル板製の導光板８４を介して蛍光灯８５からの光が液晶
表示パネルに照射されるように構成されている。
【００６８】これに対して本発明では、図８（Ａ）に示
すように前記蛍光灯８５の代わりに前記光照射装置６８
を用いる。
すように前記蛍光灯８５の代わりに前記光照射装置６８
を用いる。
【００６９】即ち、図８（Ａ）に示すように上部ガラス
基板８１と下部ガラス基板８２とが対峙する形で配置さ
れ、両部ガラス基板８１，８２との間に液晶（図示省
略）がシールド樹脂８３を介して注入されている。そし
て、アクリル板製の導光板８４を介して前記光照射装置
６８からの光が液晶表示パネルに照射されるように構成
されている。
基板８１と下部ガラス基板８２とが対峙する形で配置さ
れ、両部ガラス基板８１，８２との間に液晶（図示省
略）がシールド樹脂８３を介して注入されている。そし
て、アクリル板製の導光板８４を介して前記光照射装置
６８からの光が液晶表示パネルに照射されるように構成
されている。
【００７０】ここで、前記光照射装置６８裏面の各電極
５１Ａ，５１Ｂと前記下部ガラス基板８２の裏面に形成
された各電極（ＩＴＯ電極）８６Ａ，８６Ｂとが半田付
け接続されている。
５１Ａ，５１Ｂと前記下部ガラス基板８２の裏面に形成
された各電極（ＩＴＯ電極）８６Ａ，８６Ｂとが半田付
け接続されている。
【００７１】本実施形態では、従来の蛍光灯８５からの
光に代えて光照射装置６８（ホトダイオード）からの光
を液晶表示パネルに照射するため、光のちらつきが低減
でき、より液晶画面が見やすくなるといった利点があ
る。このとき、光半導体素子６５を被覆する樹脂６７の
上面には反射体６３が形成されているため、光半導体素
子６５からの光が導光板８４よりも下方に照射されるこ
とがない。尚、導光板８４と対峙しない側の光照射装置
６８の側面にも反射体６３を形成することで、更に照射
効率を向上させるようにしても良い。
光に代えて光照射装置６８（ホトダイオード）からの光
を液晶表示パネルに照射するため、光のちらつきが低減
でき、より液晶画面が見やすくなるといった利点があ
る。このとき、光半導体素子６５を被覆する樹脂６７の
上面には反射体６３が形成されているため、光半導体素
子６５からの光が導光板８４よりも下方に照射されるこ
とがない。尚、導光板８４と対峙しない側の光照射装置
６８の側面にも反射体６３を形成することで、更に照射
効率を向上させるようにしても良い。
【００７２】図８（Ｂ）はバックライト用に用いられる
照明装置の他の実施形態で、下部ガラス基板８２の裏面
に形成した各電極（ＩＴＯ電極）８６Ａ，８６Ｂに各光
照射装置６８裏面の各電極５１Ａ，５１Ｂが接続されて
いることを特徴とし、反射体６３を介して反射された光
が下部ガラス基板８２を介して液晶に照射されるように
した構成である。この場合には、図８（Ａ）に示した実
施形態に比して、導光板８４を不要にでき、コストダウ
ン化が図れると共に、小型化、薄型化及び軽量化が図れ
る。
照明装置の他の実施形態で、下部ガラス基板８２の裏面
に形成した各電極（ＩＴＯ電極）８６Ａ，８６Ｂに各光
照射装置６８裏面の各電極５１Ａ，５１Ｂが接続されて
いることを特徴とし、反射体６３を介して反射された光
が下部ガラス基板８２を介して液晶に照射されるように
した構成である。この場合には、図８（Ａ）に示した実
施形態に比して、導光板８４を不要にでき、コストダウ
ン化が図れると共に、小型化、薄型化及び軽量化が図れ
る。
【００７３】図８（Ｃ）は更に照明装置の他の実施形態
で、下部ガラス基板８２の裏面に形成した各電極（ＩＴ
Ｏ電極）８６Ａ，８６Ｂに、複数個の光照射装置６８が
光を反射可能な樹脂（反射体６３Ａ）で一括モールドさ
れて成る照明装置が（各光照射装置６８裏面の各電極５
１Ａ，５１Ｂを介して）接続されていることを特徴とし
ている。
で、下部ガラス基板８２の裏面に形成した各電極（ＩＴ
Ｏ電極）８６Ａ，８６Ｂに、複数個の光照射装置６８が
光を反射可能な樹脂（反射体６３Ａ）で一括モールドさ
れて成る照明装置が（各光照射装置６８裏面の各電極５
１Ａ，５１Ｂを介して）接続されていることを特徴とし
ている。
【００７４】本発明では、上述したように光照射装置６
８の上面（光半導体素子６５を被覆する光を透過可能な
樹脂６７上面）に反射体６３が形成されているため、光
照射装置６８の裏面電極５１Ａ，５１Ｂを直接、下部ガ
ラス基板８２の下面に形成した各電極８６Ａ，８６Ｂに
接続できるため、省スペース化が図れる。
８の上面（光半導体素子６５を被覆する光を透過可能な
樹脂６７上面）に反射体６３が形成されているため、光
照射装置６８の裏面電極５１Ａ，５１Ｂを直接、下部ガ
ラス基板８２の下面に形成した各電極８６Ａ，８６Ｂに
接続できるため、省スペース化が図れる。
【００７５】以下、本実施形態が、上述の省スペース化
に有利な構造であることを図９（Ｂ）を参照して説明す
る。
に有利な構造であることを図９（Ｂ）を参照して説明す
る。
【００７６】即ち、図９（Ｂ）は上記光照射装置６８に
おいて、反射体６３を有さない構成（光照射装置６８
Ａ）における液晶表示パネルの要部構成を説明するため
の断面図であり、上部ガラス基板８１と下部ガラス基板
８２とが対峙する形で配置され、両部ガラス基板８１，
８２との間に液晶（図示省略）がシールド樹脂８３を介
して注入されている。そして、支持基板８８上に複数個
の光照射装置６８Ａを固着させることになる。このよう
に上記光照射装置６８Ａによりバックライト用の照明装
置を構成する場合には、新たに支持基板８８が必要にな
り、省スペース化の妨げとなる。更には、小型化、薄型
化及び軽量化の面でも不利となる。
おいて、反射体６３を有さない構成（光照射装置６８
Ａ）における液晶表示パネルの要部構成を説明するため
の断面図であり、上部ガラス基板８１と下部ガラス基板
８２とが対峙する形で配置され、両部ガラス基板８１，
８２との間に液晶（図示省略）がシールド樹脂８３を介
して注入されている。そして、支持基板８８上に複数個
の光照射装置６８Ａを固着させることになる。このよう
に上記光照射装置６８Ａによりバックライト用の照明装
置を構成する場合には、新たに支持基板８８が必要にな
り、省スペース化の妨げとなる。更には、小型化、薄型
化及び軽量化の面でも不利となる。
【００７７】また、図１０に示すように導電箔６１の表
面にＩＴＯ電極９１をスパッタ形成し、その上にＮｉメ
ッキやＮｉメッキ及びＡｕメッキ（図示省略）を施した
状態で、光半導体素子６５を半田を介してダイボンディ
ングし、また、光半導体素子６５上のアノード電極また
はカソード電極とＩＴＯ電極９１とをワイヤボンディン
グ接続する。そして、光半導体装置６５を被覆するよう
に光を透過可能な絶縁樹脂６７を形成した後に、その上
面に反射体６３を形成し、前記樹脂６７で封止光照射装
置６８Ｂから導電箔６１を剥離する。これにより、前記
光半導体装置６５の裏面には、前記ＩＴＯ電極９１が露
出し、このＩＴＯ電極９１の表面にＮｉメッキやＮｉメ
ッキ及びＡｕメッキを施す。
面にＩＴＯ電極９１をスパッタ形成し、その上にＮｉメ
ッキやＮｉメッキ及びＡｕメッキ（図示省略）を施した
状態で、光半導体素子６５を半田を介してダイボンディ
ングし、また、光半導体素子６５上のアノード電極また
はカソード電極とＩＴＯ電極９１とをワイヤボンディン
グ接続する。そして、光半導体装置６５を被覆するよう
に光を透過可能な絶縁樹脂６７を形成した後に、その上
面に反射体６３を形成し、前記樹脂６７で封止光照射装
置６８Ｂから導電箔６１を剥離する。これにより、前記
光半導体装置６５の裏面には、前記ＩＴＯ電極９１が露
出し、このＩＴＯ電極９１の表面にＮｉメッキやＮｉメ
ッキ及びＡｕメッキを施す。
【００７８】このとき、上記ＮｉメッキやＮｉメッキ及
びＡｕメッキの形成範囲をダイボンディングやワイヤボ
ンディングに必要な最小範囲とすることで、ＩＴＯ電極
９１が透明電極であるから反射体６３により反射される
光の光半導体装置６５の下方への通過効率が向上する。
びＡｕメッキの形成範囲をダイボンディングやワイヤボ
ンディングに必要な最小範囲とすることで、ＩＴＯ電極
９１が透明電極であるから反射体６３により反射される
光の光半導体装置６５の下方への通過効率が向上する。
【００７９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、光半導体素子、導電路（導電電極）、光を透過可
能な樹脂及び光を反射可能な反射体の必要最小限で構成
され、資源に無駄のない光照射装置となる。従って、完
成するまで余分な構成要素が無く、コストを大幅に低減
可能な光照射装置を実現できる。
では、光半導体素子、導電路（導電電極）、光を透過可
能な樹脂及び光を反射可能な反射体の必要最小限で構成
され、資源に無駄のない光照射装置となる。従って、完
成するまで余分な構成要素が無く、コストを大幅に低減
可能な光照射装置を実現できる。
【００８０】また、導電路の裏面のみを光を透過可能な
樹脂から露出しているため、導電路の裏面が直ちに外部
との接続に供することができ、従来構造の裏面電極及び
スルーホールを不要にできる利点を有する。そして、従
来のようなプリント基板に光半導体素子を搭載する構成
のものに比して放熱性を向上させることができ、光半導
体素子の駆動能力を向上させられる。
樹脂から露出しているため、導電路の裏面が直ちに外部
との接続に供することができ、従来構造の裏面電極及び
スルーホールを不要にできる利点を有する。そして、従
来のようなプリント基板に光半導体素子を搭載する構成
のものに比して放熱性を向上させることができ、光半導
体素子の駆動能力を向上させられる。
【００８１】更に、上述したように導電路の裏面が直ち
に外部との接続に供することができる構成のため、前記
光半導体素子を被覆する光を透過可能な樹脂の上面に反
射体を設けておくことで、この反射体を介して光が光半
導体素子の裏面方向に照射されるため、例えば液晶表示
パネル等に用いられるバックライト用の照明装置として
上記光照射装置を採用することで、液晶が注入される下
部ガラス基板に形成された電極に光照射装置の裏面電極
を直接固着することができ、省スペース化が図れる。
に外部との接続に供することができる構成のため、前記
光半導体素子を被覆する光を透過可能な樹脂の上面に反
射体を設けておくことで、この反射体を介して光が光半
導体素子の裏面方向に照射されるため、例えば液晶表示
パネル等に用いられるバックライト用の照明装置として
上記光照射装置を採用することで、液晶が注入される下
部ガラス基板に形成された電極に光照射装置の裏面電極
を直接固着することができ、省スペース化が図れる。
【００８２】また、前記分離溝に充填されるように前記
各光照射装置を光を透過可能な樹脂で被覆し、更に反射
体を形成した後に、前記分離溝が設けられていない側の
前記導電箔を所定位置まで除去し、そして前記光を透過
可能な樹脂で被覆された各光照射装置同士を分離する工
程とを有することで、各光照射装置同士は、最終段階ま
では分離されず、従って導電箔を１枚のシートとして各
工程に供することができ、作業性が良い。
各光照射装置を光を透過可能な樹脂で被覆し、更に反射
体を形成した後に、前記分離溝が設けられていない側の
前記導電箔を所定位置まで除去し、そして前記光を透過
可能な樹脂で被覆された各光照射装置同士を分離する工
程とを有することで、各光照射装置同士は、最終段階ま
では分離されず、従って導電箔を１枚のシートとして各
工程に供することができ、作業性が良い。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光照射装置の製
造方法を説明する断面図である。
造方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る光照射装置の製
造方法を説明する断面図である。
造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る光照射装置の製
造方法を説明する断面図である。
造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る光照射装置の製
造方法を説明する断面図である。
造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る光照射装置の製
造方法を説明する断面図である。
造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る光照射装置の製
造方法を説明する断面図である。
造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る光照射装置の製
造方法を説明する断面図である。
造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の光照射装置を用いた照明装置を説明す
る図である。
る図である。
【図９】図８の照明装置と従来の照明装置とを比較説明
する図である。
する図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る光照射装置を
用いた照明装置を説明する断面図である。
用いた照明装置を説明する断面図である。
【図１１】従来の照明装置を説明する図である。
【図１２】従来の照明装置を説明する図である。
４０ 照明装置
５１ 導電路（電極）
６１ 導電箔
６２ 導電被膜
６３ 反射体
６４ 分離溝
６５ 光半導体素子
６６ 金属細線
６７ 光を透過可能な樹脂
６８ 光照射装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｆ２１Ｓ 1/02 Ｇ
23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｂ
// Ｆ２１Ｙ 101:02 Ｇ
Ｆターム(参考） 2H091 FA23Z FB02 FB07 FB08
FD04 LA11
4M109 AA02 BA01 CA21 DA02 EB11
EC11 EE11 GA01
5F041 AA33 CA74 CA76 DA13 DA20
DA26 DA29 DA36 DA43 DA55
DA81 EE25 FF11
Claims (27)
- 【請求項１】 電気的に分離された複数の導電路と、所
望の導電路上に固着された光半導体素子と、当該光半導
体素子を被覆し且つ前記導電路を一体に支持する光を透
過可能な樹脂と、 前記光半導体素子を被覆する樹脂上面に固着された反射
体とを備えたことを特徴とする光照射装置。 - 【請求項２】 前記反射体が光を反射可能にする樹脂か
ら成ることを特徴とする請求項１に記載の光照射装置。 - 【請求項３】 前記反射体が光を反射可能にする光沢を
有する金属箔から成ることを特徴とする請求項１に記載
の光照射装置。 - 【請求項４】 前記反射体が光を反射可能にする反射材
料が固着されたガラス体から成ることを特徴とする請求
項１に記載の光照射装置。 - 【請求項５】 前記複数の導電路は分離溝によって電気
的に分離され、且つ前記分離溝に前記樹脂が充填されて
いることを特徴とする請求項１に記載の光照射装置。 - 【請求項６】 前記複数の導電路の表面が前記樹脂によ
って被覆され、その裏面が露出されていることを特徴と
する請求項１に記載の光照射装置。 - 【請求項７】 前記光半導体素子の電極と他の前記導電
路とを接続する接続手段とを設けたことを特徴とする請
求項１に記載の光照射装置。 - 【請求項８】 前記導電路上面に形成された前記導電路
とは異なる金属材料よりなる導電被膜を更に有すること
を特徴とする請求項１に記載の光照射装置。 - 【請求項９】 前記導電路は銅、アルミニウム、鉄−ニ
ッケル、銅−アルミニウム、アルミニウム−銅−アルミ
ニウムのいずれかの導電箔で構成されることを特徴とす
る請求項１に記載の光照射装置。 - 【請求項１０】 前記導電被膜はニッケル、金、パラジ
ウム、アルミニウムあるいは銀等から成るメッキ膜で構
成されることを特徴とする請求項８に記載の光照射装
置。 - 【請求項１１】 前記接続手段はボンディング細線で構
成されることを特徴とする請求項７に記載の光照射装
置。 - 【請求項１２】 前記導電路は電極、ボンディングパッ
ドまたはダイパッド領域として用いられることを特徴と
する請求項１に記載の光照射装置。 - 【請求項１３】 請求項１に記載の光照射装置を液晶表
示パネルのバックライト用の照明に用いたことを特徴と
する照明装置。 - 【請求項１４】 請求項１に記載の光照射装置を複数
個、その裏面が液晶表示パネルに対峙するように透明な
ガラス基板に固着されたことを特徴とするバックライト
用の照明装置。 - 【請求項１５】 少なくとも導電路と成る領域を除いた
前記導電箔に当該導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成
して複数の導電路を形成する工程と、 前記複数の導電路上に各光半導体素子を固着する工程
と、 前記分離溝に充填されるように前記各光半導体素子を光
を透過可能な樹脂で被覆する工程と、 前記光半導体素子の上面を被覆する光を透過可能な樹脂
上に光を反射可能な反射体を形成する工程と、 前記分離溝が設けられていない側の前記導電箔を除去
し、前記樹脂を露出させる工程とを具備することを特徴
とする光照射装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記反射体を形成する工程が、前記光
半導体素子の上面を被覆する光を透過可能な樹脂の上面
に光を反射可能にする樹脂を被覆することを特徴とする
請求項１５に記載の光照射装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記反射体を形成する工程が、前記光
半導体素子の上面を被覆する光を透過可能な樹脂の上面
に光を反射可能にする光沢を有する金属箔を形成するこ
とを特徴とする請求項１５に記載の光照射装置の製造方
法。 - 【請求項１８】 前記反射体を形成する工程が、前記光
半導体素子の上面を被覆する光を透過可能な樹脂の上面
に光を反射可能にする反射材料が固着されたガラス体を
形成することを特徴とする請求項１５に記載の光照射装
置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記光半導体素子を固着する工程の前
に前記導電路上の所定領域に導電被膜を形成する工程と
を更に具備することを特徴とする請求項１５に記載の光
照射装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記光半導体素子を樹脂で被覆する工
程の前に前記所望の光半導体素子の電極と前記導電路と
を電気的に接続する接続手段を形成する工程とを更に具
備することを特徴とする請求項１５に記載の光照射装置
の製造方法。 - 【請求項２１】 前記光を透過可能な樹脂で被覆された
複数の前記光半導体素子同士を分離する工程とを更に具
備することを特徴とする請求項１５に記載の光照射装置
の製造方法。 - 【請求項２２】 前記光半導体素子は、前記導電路から
成る第１の導電電極に裏面のカソード電極またはアノー
ド電極が電気的に接続され、同じく前記導電路から成る
第２の導電電極に上面のアノード電極またはカソード電
極が電気的に接続されて成ることを特徴とする請求項１
５に記載の光照射装置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記導電箔は銅、アルミニウム、鉄−
ニッケル、銅−アルミニウム、アルミニウム−銅−アル
ミニウムのいずれかで構成されることを特徴とする請求
項１５に記載の光照射装置の製造方法。 - 【請求項２４】 前記導電被膜はニッケル、金、パラジ
ウム、アルミニウムあるいは銀のいずれかでメッキ形成
されることを特徴とする請求項１９に記載の光照射装置
の製造方法。 - 【請求項２５】 前記導電箔に選択的に形成される前記
分離溝は化学的あるいは物理的エッチングにより形成さ
れることを特徴とする請求項１５に記載の光照射装置の
製造方法。 - 【請求項２６】 前記接続手段はワイヤーボンディング
で形成されることを特徴とする請求項２０に記載の光照
射装置の製造方法。 - 【請求項２７】 前記光を透過可能な樹脂で被覆された
光照射装置をダイシングにより、またはプレスにより分
離することを特徴とする請求項１５に記載の光照射装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224267A JP2003037297A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224267A JP2003037297A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037297A true JP2003037297A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=19057462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001224267A Withdrawn JP2003037297A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003037297A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2008181750A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Sony Corp | 光源モジュール及び光源装置 |
| US9142734B2 (en) | 2003-02-26 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Composite white light source and method for fabricating |
| US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
| JP2017005150A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| JP2017005226A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
| US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
-
2001
- 2001-07-25 JP JP2001224267A patent/JP2003037297A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2017005150A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
| JP2017005226A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
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