JP2001148514A - 照明光源 - Google Patents

照明光源

Info

Publication number
JP2001148514A
JP2001148514A JP32833499A JP32833499A JP2001148514A JP 2001148514 A JP2001148514 A JP 2001148514A JP 32833499 A JP32833499 A JP 32833499A JP 32833499 A JP32833499 A JP 32833499A JP 2001148514 A JP2001148514 A JP 2001148514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
light source
phosphor
illumination light
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32833499A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Sugimoto
勝 杉本
Hideyoshi Kimura
秀吉 木村
Eiji Shiohama
英二 塩浜
Jiro Hashizume
二郎 橋爪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP32833499A priority Critical patent/JP2001148514A/ja
Publication of JP2001148514A publication Critical patent/JP2001148514A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コストを低減し、寿命を延ばす。 【解決手段】 最小内径２ｍｍ程度の窪みＣａｖを複数
有する基板（印刷配線基板）１００と、この基板１００
の各窪みＣａｖ内に実装される半導体発光素子２００
と、蛍光体を分散保持し基板１００の各窪みＣａｖに充
填される樹脂３００とで照明光源を構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子を
用いた照明光源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体発光素子により構成される
光源が種々提案され、例えば、特開平５−１５２６０９
号公報には、ステム上に載置される発光素子が、一般式
ＧａXＡｌ1-XＮ（但し０≦Ｘ≦１である）で表される窒
化ガリウム系化合物半導体よりなり、さらに樹脂モール
ド中に、窒化ガリウム系化合物半導体の発光により励起
されて蛍光を発する蛍光染料、または蛍光顔料が添加さ
れてなり、発光ピークが４３０ｎｍ付近、および３７０
ｎｍ付近にある窒化ガリウム系化合物半導体材料よりな
る発光素子を有するＬＥＤの視感度を良くし、またその
輝度を向上させることができる発光ダイオードが開示さ
れている。
【０００３】また、特開平７−９９３４５号公報には、
発光チップの発光を発光観測面側に反射するカップの底
部に発光チップが載置された発光素子全体を、カップ内
部を充填する第一の樹脂と、その第一の樹脂を包囲する
第二の樹脂とからなる樹脂で封止し、第一の樹脂には発
光チップの発光波長を他の波長に変換する蛍光物質、ま
たは発光チップの発光波長を一部吸収するフィルター物
質が含有され、変換された発光の集光をよくしてＬＥＤ
の輝度を高め、また蛍光顔料を使用した際、波長の異な
るＬＥＤを近接して設置しても混色の起こらない発光ダ
イオードが開示されている。
【０００４】さらに、特許第２９２７２７９号公報に
は、マウント・リードのカップ内に配置させた発光層が
窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップと、Ｌ
ＥＤチップと導電性ワイヤーを用いて電気的に接続させ
たインナー・リードと、ＬＥＤチップが発光した光によ
って励起され発光する蛍光体を含有する透明樹脂をカッ
プ内に充填させたコーティング部材と、コーティング部
材、ＬＥＤチップ、導電性ワイヤー及びマウント・リー
ドとインナーリードの先端を被覆するモールド部材とを
有し、ＬＥＤチップは、発光スペクトルが４００ｎｍか
ら５３０ｎｍの単色性ピーク波長を発光し、蛍光体は
（ＲＥ1-x Ｓｍx）3（ＡｌyＧａ1-y）5Ｏ12：Ｃｅであ
り（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ＲＥは、Ｙ、Ｇ
ｄから選択される少なくとも１種である）、且つＬＥＤ
チップからの光及び蛍光体からの光はモールド部材を透
過することによって白色系が発光可能な発光ダイオード
が記載されている。
【０００５】上記文献には、ＬＥＤチップの発光色を蛍
光体で色変換させた発光ダイオードによって、１種類の
ＬＥＤチップを用いて白色系など他の発光色を発光させ
ることができるとの記載がある。具体的には、ＬＥＤチ
ップからの発光を波長変換した発光ダイオードとして、
青色系の発光ダイオードの発光と、その発光を吸収し黄
色系を発光する蛍光体からの発光との混色により白色系
が発光可能であると記載されている。つまり、蛍光体か
らの黄色系の発光と、蛍光体に吸収されなかった発光ダ
イオードからの青色系の発光との混色によって、白色系
の発光が得られる。
【０００６】ここで、特許第２９２７２７９号公報に記
載の発光ダイオードの具体構造を説明すると、従来と同
様に樹脂部が砲弾形となる発光ダイオードは、図１５に
示すように、リードフレームであるマウント・リード１
のカップ内にＬＥＤチップ２をマウントし、ワイヤボン
ディングにより電性ワイヤー３でＬＥＤチップ２の両電
極をそれぞれマウント・リード１およびインナー・リー
ド４に接続し、マウント・リード１のカップ（ステム）
内にコーティング部５を設け、そしてＬＥＤチップ２側
を砲弾形のモールド部材６で覆う構造になっている。
【０００７】また、チップ型の発光ダイオードは、図１
６に示すように、電極１１を有する筐体１２にＬＥＤチ
ップ１３をマウントし、ワイヤボンディングにより電性
ワイヤー１４でＬＥＤチップ１３の各電極を筐体１２の
各電極１１に接続し、筐体１２内にモールド部材１５を
設ける構造になっている。
【０００８】また、面状発光光源は、図１７に示すよう
に、線状光源を面状光源に変換するための導光板２１な
どを用い、コの字形状の金属基板２２にＬＥＤチップ２
３を積載し、その中にフォトルミネセンスが含有された
コーティング部２４を設ける構造になっている。
【０００９】さらに、ＬＥＤ表示器は、図１８に示すよ
うに、筐体３１、発光ダイオード３２および充填材３３
などにより構成されている。現在、照明用として使用さ
れているユニットも、これと同様に、ＬＥＤを印刷配線
基板に複数個実装して構成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１５
および図１６に示す発光ダイオードでは、ＬＥＤチップ
がマウント・リードや筐体に実装されるので、発光ダイ
オードを基板上に実装する場合、２回実装しなければな
らず、コスト増の課題が生じる。
【００１１】また、カップ内に蛍光体（物質）を配置す
るためには、蛍光体を樹脂に含有させる必要がある。し
かし、蛍光体を含有する樹脂は高エネルギーの青色光と
素子近傍の高温に同時に晒されると劣化するので、光源
としての寿命が短くなる。
【００１２】なお、マウント・リードのカップ内に、Ｌ
ＥＤチップの発光を変換するフォトルミネセンス蛍光体
を含有するコーティング部を設ける場合、蛍光体の量の
制御が困難になり、色のバラツキが生じやすくなる。例
えば所望する発光色が白色である場合に蛍光体の量にバ
ラツキが生じると、蛍光体から発せられる黄色系の光に
バラツキが生じ、得られる発光色が高温度の青白い色調
に変化したり、逆に低温度の黄色みがかった色調に変化
したりする。このような色調のバラツキは、特に複数の
光源を面状に設けた場合に、色むらとして容易に判別さ
れてしまう。
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、コスト低減および延命が可能になる照明光源を
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の発明の照明光源は、最小内径２ｍｍ以
上の窪みを複数有する基板と、前記基板の各窪み内に実
装される半導体発光素子と、蛍光体を分散保持し前記基
板の各窪みに充填される樹脂とを備えるのである。
【００１５】この構成では、実装の回数が１回で済むの
で、コストの低減が可能になる。特に、基板に設けられ
る半導体発光素子が増加するにつれてコストダウンの効
果はより一層大きくなる。また、ＬＥＤチップを実装し
たカップに蛍光体を設ける従来方式と比べて、蛍光体を
分散保持する領域を非常に大きくすることができる。こ
の場合、蛍光体を分散保持する領域に含まれる蛍光体の
濃度を下げることができるので、蛍光体間の多重散乱に
よって蛍光体を分散保持する領域に光が滞在する時間が
短くなり、光化学反応による蛍光体およびこれを分散保
持する樹脂の劣化を好適に抑制することが可能となる。
この結果、延命が可能になる。
【００１６】請求項２記載の発明の照明光源は、砲弾形
発光ダイオードのステムより大きい窪みを複数有する基
板と、前記基板の各窪み内に実装される半導体発光素子
と、蛍光体を分散保持し前記基板の各窪みに充填される
樹脂とを備えるものである。
【００１７】この構成では、実装の回数が１回で済むの
で、コストの低減が可能になる。特に、基板に設けられ
る半導体発光素子が増加するにつれてコストダウンの効
果はより一層大きくなる。また、砲弾形発光ダイオード
と比べて、蛍光体を分散保持する領域を非常に大きくす
ることができる。この場合、蛍光体を分散保持する領域
に含まれる蛍光体の濃度を下げることができるので、蛍
光体間の多重散乱によって蛍光体を分散保持する領域に
光が滞在する時間が短くなり、光化学反応による蛍光体
およびこれを分散保持する樹脂の劣化を好適に抑制する
ことが可能となる。この結果、延命が可能になる。
【００１８】なお、請求項１または２記載の照明光源に
おいて、前記基板は前記複数の窪みが形成された印刷配
線基板により成る構成でもよい（請求項３）。この構成
でも、コスト低減および延命が可能になる。
【００１９】また、請求項１〜３のいずれかに記載の照
明光源において、前記基板は、印刷配線基板と、前記複
数の窪みを形成する複数の孔が穿設され前記印刷配線基
板の一の面上に取着される枠体とにより成る構成でもよ
い（請求項４）。この構成でも、コスト低減および延命
が可能になる。
【００２０】また、請求項１〜４のいずれかに記載の照
明光源において、前記樹脂内の蛍光体は、同じ窪み内に
実装される半導体発光素子の近傍領域の濃度が他の領域
のそれよりも低い仕様でもよい（請求項５）。この構成
では、例えば半導体発光素子に青色系の光を発するもの
を採用したとき、樹脂が高エネルギーの青色光と半導体
発光素子近傍の高温に同時に晒されることによる劣化が
抑制され、この結果、延命が可能になる。
【００２１】また、請求項１〜４のいずれかに記載の照
明光源において、前記樹脂は、前記窪みに充填される透
光性の第１樹脂と、前記蛍光体を分散保持し前記第１樹
脂の外側に設けられる第２樹脂とにより成る構造でもよ
い（請求項６）。この構造によれば、例えば半導体発光
素子に青色系の光を発するものを採用したとき、第２樹
脂が高エネルギーの青色光と半導体発光素子近傍の高温
に同時に晒されることがないので、寿命をより好適に延
ばすことができる。また、積極的に色調を微調整するこ
とが可能になる。
【００２２】また、請求項６記載の照明光源において、
前記樹脂は、前記第２樹脂上に積層される透明で層状の
第３樹脂を有する構造でもよい（請求項７）。この構造
によれば、蛍光体を分散保持する第２樹脂が第３樹脂に
覆われて保護されるので、寿命をさらに延ばすことがで
きる。
【００２３】また、請求項７記載の照明光源において、
前記第１樹脂は柔軟性を有し、前記第３樹脂は耐候性を
有する仕様でもよい（請求項８）。この構成によれば、
第１樹脂により半導体発光素子などに加わる応力（スト
レス）を低減することができる。また、第３樹脂により
蛍光体を分散保持する第２樹脂の劣化を防止することが
できる。
【００２４】また、請求項７または８記載の照明光源に
おいて、前記第２樹脂は板状に形成される構造でもよい
（請求項９）。この構造によれば、半導体発光素子など
へのストレス低減および蛍光体を分散保持する第２樹脂
の劣化防止が可能になる。
【００２５】また、請求項１または２記載の照明光源に
おいて、前記樹脂は、透光性の樹脂層と、この樹脂層の
下面に形成される蛍光体層とにより成る構造でもよい
（請求項１０）。この構造によれば、コスト低減および
延命が可能になる。
【００２６】さらに、請求項１または２記載の照明光源
において、前記樹脂上に設けられるレンズ部材を備える
構成でもよい（請求項１１）。この構成でも、コスト低
減および延命が可能になる。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１実施形態に係
る照明光源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて
以下に第１実施形態の説明を行う。ただし、図１は照明
光源の断面構造の一部を示す。
【００２８】図１の照明光源は、複数の光源が例えば線
状またはマトリクス状に配置されて成り、基板１００
と、この基板１００に実装される複数の半導体発光素子
２００と、各半導体発光素子２００の領域に設けられる
樹脂３００とにより構成されている。
【００２９】基板１００は、所望の回路が設けられる印
刷配線基板であって、最小内径２ｍｍ程度で最大内径３
ｍｍ程度の逆円錐台形状の窪みＣａｖが複数（図１では
１つのみ図示）上面側に形成された金属ベース１００ａ
を有し、この金属ベース１００ａの上面に絶縁層１００
ｂが一面に積層され、この絶縁層１００ｂの上面の必要
箇所に配線パターン導体１００ｃが積層されて成る。た
だし、図１の配線パターン導体１００ｃにはボンディン
グパッドが設けられている。なお、複数の窪みＣａｖ
は、基板１００の製作前に金属ベース１００ａに予め形
成される手順でもよく、あるいは後からプレス成形など
で形成される手順でもよい。また、金属ベース１００ａ
は熱伝導の良いアルミや銅などにより形成される。
【００３０】半導体発光素子２００は、窒化ガリウム系
化合物半導体より成る青色系のＬＥＤ素子であり、ワイ
ヤボンディングによるリード線Ｗで、対応する配線パタ
ーン導体１００ｃにそれぞれ接続されるＰ，Ｎ電極を同
一面（図では上面）に有するチップ状に形成されてい
る。
【００３１】樹脂３００は、透光性の樹脂により成り、
半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して黄色
系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持し、基板
１００の各窪みＣａｖに充填されている。
【００３２】次に、上記構成の照明光源の製造手順を説
明する。まず、基板１００を用意して、各窪みＣａｖ内
の底面中央に半導体発光素子２００を例えば透明樹脂で
接着固定（マウント）する。このとき、必要あれば他の
素子も実装されるのは言うまでもない。続いて、ワイヤ
ボンディングによりリード線Ｗで、半導体発光素子２０
０の各電極を対応する配線パターン導体１００ｃに接続
する。この後、樹脂３００として、上記蛍光体を混合し
ながら透光性の樹脂を基板１００の各窪みＣａｖに充填
する。このとき、樹脂３００は、図１に示すように、基
板１００の上方に向けて盛り上がる凸レンズ状に形成さ
れる。
【００３３】このように構成される照明光源では、半導
体発光素子２００が発光すると、青色系の光が蛍光体に
吸収されて得られる黄色系の光と、蛍光体に吸収されな
かった青色系の光との混色によって、白色系の発光が得
られる。
【００３４】以上、第１実施形態によれば、実装の回数
が１回で済むので、コストの低減が可能になる。特に、
基板１００に設けられる半導体発光素子２００が増加す
るにつれてコストダウンの効果はより一層大きくなる。
【００３５】また、ＬＥＤチップを実装したカップに蛍
光体を設ける従来方式と比べて、蛍光体含有領域を非常
に大きくすることができる。この場合、蛍光体含有領域
に含まれる蛍光体の濃度を下げることができるので、蛍
光体間の多重散乱によって蛍光体含有領域に光が滞在す
る時間が短くなり、光化学反応による蛍光体およびこれ
を含有する樹脂の劣化を好適に抑制することが可能とな
る。
【００３６】なお、第１実施形態では、半導体発光素子
は、ワイヤボンディングによるリード線で、対応する配
線パターン導体にそれぞれ接続されるＰ，Ｎ電極を同一
面に有するチップ状に形成される構造になっているが、
これに限らず、ダイスボンディングによる搭載接合およ
びワイヤボンディングによるリード線で、対応する配線
パターン導体に接続されるＰ，Ｎ電極をそれぞれ互いに
反対方向を向く両面に有するチップ状に形成される構造
でもよい。あるいは、ダイスボンディングによる搭載接
合で、対応する配線パターン導体にそれぞれ接続される
Ｐ，Ｎ電極を両側に有するチップ状に形成される構造で
もよい。これらいずれの構造でも基板に実装可能であ
り、上記効果を奏することができるのは言うまでもな
い。
【００３７】図２は本発明の第２実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
２実施形態の説明を行う。ただし、図２は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００３８】図２の照明光源は、複数の半導体発光素子
２００および樹脂３００などを第１実施形態と同様に備
えているほか、第１実施形態との相違点として基板１０
１を備えている。
【００３９】この基板１０１は、第１実施形態と同様の
印刷配線基板１００と、この印刷配線基板１００の上面
に例えば接着剤などで取着され、印刷配線基板１００の
各窪みＣａｖと連通するすり鉢型の孔Ｈ１が複数穿設さ
れた反射枠１００ｄとにより構成されている。この反射
枠１００ｄは、樹脂または金属などにより成り、各孔Ｈ
１の周壁は鏡面仕上げになっている。また、反射枠１０
０ｄの各孔Ｈ１は、窪みＣａｖと連通することから、最
小内径が３ｍｍになるので、最大内径はそれよりも大き
くなる（例えば５〜１０ｍｍ）。
【００４０】以上、第２実施形態によれば、第１実施形
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、鏡面仕
上げの孔Ｈ１を複数有する反射枠１００ｄを印刷配線基
板１００に一体に設けて基板１０１を構成したので、光
学的な特性を向上させることができる。
【００４１】図３は本発明の第３実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
３実施形態の説明を行う。ただし、図３は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００４２】図３の照明光源は、複数の半導体発光素子
２００および樹脂３００などを第２実施形態と同様に備
えているほか、第２実施形態との相違点として基板１０
２を備えている。
【００４３】この基板１０２は、窪みを形成するすり鉢
型（最小内径２ｍｍ程度、最大内径３ｍｍ程度）の孔Ｈ
２が複数穿設された反射枠１０２ｄが上面に一体に取着
されて成る印刷配線基板により構成されている。この印
刷配線基板自体は、熱伝導の良いアルミや銅などにより
板状に形成される金属ベース１０２ａを有し、この金属
ベース１０２ａの上面に絶縁層１０２ｂが一面に積層さ
れ、この絶縁層１０２ｂの上面の必要箇所に配線パター
ン導体１０２ｃが積層されて成り、所望の回路が設けら
れる。また、各孔Ｈ２の周壁は鏡面仕上げになってい
る。そして、基板１０２における印刷配線基板と各孔Ｈ
２とにより構成される逆円錐台形状の窪み内の底面中央
には、半導体発光素子２００が実装され、各電極は、ワ
イヤボンディングによりリード線Ｗで、対応する配線パ
ターン導体１０２ｃに接続されている。
【００４４】以上、第３実施形態によれば、第２実施形
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、基板１
０２の印刷配線基板に対する複数の窪みの形成を省略す
ることができるので、照明光源の製造が容易になる。
【００４５】なお、第３実施形態では、基板１０２は、
金属ベースの印刷配線基板を有する構成になっている
が、これに限らず、例えばガラスエポキシの印刷配線基
板を有する構成でもよい。この構成の場合、絶縁層１０
２ｂが不要になるのは言うまでもない。
【００４６】図４は本発明の第４実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
４実施形態の説明を行う。ただし、図４は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００４７】図４の照明光源は、基板１０２および複数
の半導体発光素子２００などを第３実施形態と同様に備
えているほか、第３実施形態との相違点として樹脂３０
１を備えている。
【００４８】この樹脂３０１は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持し、
当該樹脂３０１内の蛍光体は、同じ窪み内に実装される
半導体発光素子２００の近傍領域の濃度が他の領域のそ
れよりも低くなっている。ここで、このように濃度を不
均一にする方法を説明すると、透光性の樹脂の粘度を小
さくし、成形時に上下逆向きに放置すれば、蛍光体が透
光性の樹脂内を沈降するのでその濃度が不均一になる。
あるいは、蛍光体の濃度の異なる樹脂を用意し、成形を
２回行えば、または流し込みを２回に分けて行えば、そ
の濃度が不均一になる。ただし、後者の場合には粘度の
高い樹脂を用いる。
【００４９】次に、上記照明光源の製造手順の一例を説
明する。まず、基板１０２を用意して、各窪み内の底面
中央に半導体発光素子２００を実装する。続いて、ワイ
ヤボンディングによりリード線Ｗで、半導体発光素子２
００の各電極を対応する配線パターン導体１０２ｃに接
続する。この後、樹脂３０１として、基板１０２の各窪
みに対して、まず蛍光体の濃度の低い樹脂を充填し、続
いて蛍光体の濃度の高い樹脂を充填する。このとき、図
４に示すように、基板１０２の上方に向けて凸レンズ状
に盛り上がるように樹脂３０１を充填する。
【００５０】以上、第４実施形態によれば、第３実施形
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、樹脂３
０１内の蛍光体は、同じ窪み内に実装される半導体発光
素子２００の近傍領域の濃度が他の領域のそれよりも低
くなっているので、樹脂３０１が高エネルギーの青色光
と素子近傍の高温に同時に晒されることによる劣化を抑
制することができ、この結果、光源としての寿命を延ば
すことが可能になる。
【００５１】図５は本発明の第５実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
５実施形態の説明を行う。ただし、図５は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００５２】図５の照明光源は、基板１０２および複数
の半導体発光素子２００などを第４実施形態と同様に備
えているほか、第４実施形態との相違点として樹脂３０
２を備えている。
【００５３】この樹脂３０２は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、窪みに凸レンズ状に充填される透
光性の樹脂３０２ａと、この樹脂３０２ａ上に積層され
上記蛍光体を分散保持する透光性の樹脂３０２ｂとを有
する構造になっている。この樹脂３０２ｂは、例えば塗
布またはスプレーなどにより設けられる。
【００５４】以上、第５実施形態によれば、第３実施形
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、樹脂３
０２が樹脂３０２ａおよび樹脂３０２ｂにより成るの
で、樹脂３０２における樹脂３０２ｂが高エネルギーの
青色光と素子近傍の高温に同時に晒されることがないの
で、第４実施形態より好適に光源としての寿命を延ばす
ことが可能になる。
【００５５】また、積極的に色調を微調整することが可
能になる。すなわち、発光の色調は蛍光体の量で決定さ
れ、量が多いほど、黄色の光の成分が多くなって色温度
が低くなる一方、量が少ないほど、青色の光の成分が多
くなって色温度が高くなるので、第５実施形態の構造を
採用すれば、後から蛍光体層としての樹脂３０２ｂを最
上層に積層することができることにより、工程の最後で
色調を決定することが可能になる。この結果、在庫調整
などを行いやすくなる。
【００５６】さらに、蛍光体層としての樹脂３０２ｂを
広い面積に亘って積層することができるので、均一度な
どの光学的な特性を向上させることが可能になる。
【００５７】図６は本発明の第６実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
６実施形態の説明を行う。ただし、図６は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００５８】図６の照明光源は、基板１０２および複数
の半導体発光素子２００などを第５実施形態と同様に備
えているほか、第５実施形態との相違点として樹脂３０
３を備えている。
【００５９】この樹脂３０３は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１０２の各窪みに凸レンズ状
に充填される透光性の樹脂３０３ａと、この樹脂３０３
ａ上に積層され上記蛍光体を分散保持する透光性の樹脂
３０３ｂとを有する構造になっている。ただし、樹脂３
０３ｂは、第５実施形態と異なり、基板１０２の最上層
一面に積層される。基板１０２上には複数の半導体発光
素子２００が実装されており、これら半導体発光素子２
００が離れて見たときに例えば面状光源として発光すれ
ばよいので、樹脂３０３ｂを最上層の一面に積層するこ
とができる。
【００６０】以上、第６実施形態によれば、第５実施形
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、樹脂３
０３ｂを最上層の一面に積層するので、第５実施形態よ
りも工程を簡単にすることができる。
【００６１】図７は本発明の第７実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
７実施形態の説明を行う。ただし、図７は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００６２】図７の照明光源は、基板１０２および複数
の半導体発光素子２００などを第６実施形態と同様に備
えているほか、第６実施形態との相違点として樹脂３０
４を備えている。
【００６３】この樹脂３０４は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１０２の各窪み内全体に充填
される透光性の樹脂３０４ａと、この樹脂３０４ａ上に
凸レンズ状に積層され上記蛍光体を分散保持する透光性
の樹脂３０４ｂとを有する構造になっている。ただし、
樹脂３０４ｂは、基板１０２の最上層一面に積層され
る。
【００６４】以上、第７実施形態によれば、第６実施形
態と同様の効果を奏することが可能になる。
【００６５】図８は本発明の第８実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
８実施形態の説明を行う。ただし、図８は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００６６】図８の照明光源は、基板１０２および複数
の半導体発光素子２００などを第７実施形態と同様に備
えているほか、第７実施形態との相違点として樹脂３０
５を備えている。
【００６７】この樹脂３０５は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１０２の各窪み内全体に充填
される透光性の樹脂３０５ａと、この樹脂３０５ａ上に
凸レンズ状に積層され上記蛍光体を分散保持する透光性
の樹脂３０５ｂと、この樹脂３０５ｂ上に積層される透
光性の樹脂３０５ｃとを有する構造になっている。ただ
し、樹脂３０５ｂ，３０５ｃは、基板１０２の最上層一
面に順次積層される。
【００６８】以上、第８実施形態によれば、第７実施形
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、樹脂３
０５ｃの積層により蛍光体層としての樹脂３０５ｂを保
護したので、蛍光体層が直接外部に露出することがな
く、水分との反応などで蛍光体層が劣化するのを防止す
ることができる。
【００６９】図９は本発明の第９実施形態に係る照明光
源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下に第
９実施形態の説明を行う。ただし、図９は照明光源の断
面構造の一部を示す。
【００７０】図９の照明光源は、基板１０２および複数
の半導体発光素子２００などを第５実施形態と同様に備
えているほか、第５実施形態との相違点として樹脂３０
６を備えている。
【００７１】この樹脂３０６は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１０２の各窪みに凸レンズ状
に充填される透光性の樹脂３０６ａと、この樹脂３０６
ａ上に均一な厚みで積層され上記蛍光体を分散保持する
透光性の樹脂３０６ｂと、この樹脂３０６ｂ上に積層さ
れる透光性の樹脂３０６ｃとを有する構造になってい
る。ただし、樹脂３０６ｂ，３０６ｃは、基板１０２の
各窪みに個別に設けられる。
【００７２】以上、第９実施形態によれば、第５実施形
態と同様の効果を奏することが可能になるほか、樹脂３
０６ｃの積層により蛍光体層としての樹脂３０６ｂを保
護したので、蛍光体層が直接外部に露出することがな
く、水分との反応などで蛍光体層が劣化するのを防止す
ることができる。また、樹脂３０６ｃの部分的な厚みを
調整することで、照射角度の制御が可能になる。さら
に、樹脂３０６ｂの厚みを均一にしたので、光学的な特
性が向上する。
【００７３】また、樹脂３０６ａに柔軟性のあるシリコ
ーン樹脂などを使用すれば、樹脂の熱膨張や振動などに
よる素子およびリード線Ｗの破損を防止することができ
る。
【００７４】図１０は本発明の第１０実施形態に係る照
明光源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下
に第１０実施形態の説明を行う。ただし、図１０は照明
光源の断面構造の一部を示す。
【００７５】図１０の照明光源は、基板１００および複
数の半導体発光素子２００などを第１実施形態と同様に
備えているほか、第１実施形態との相違点として樹脂３
０７を備えている。
【００７６】この樹脂３０７は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１００の各窪みＣａｖに凸レ
ンズ状に充填される透光性の樹脂３０７ａと、この樹脂
３０７ａ上に均一な厚みで積層され上記蛍光体を分散保
持する透光性の樹脂３０７ｂと、この樹脂３０７ｂ上に
積層される透光性の樹脂３０７ｃとを有する構造になっ
ている。ただし、樹脂３０７ｂ，３０７ｃは、基板１０
０の各窪みＣａｖに個別に設けられる。また、樹脂３０
７ａには柔軟性を有するシリコーン樹脂が使用され、樹
脂３０７ｃには耐候性を有するエポキシ樹脂が使用され
る。
【００７７】以上、第１０実施形態によれば、第１実施
形態と同様の効果を奏することが可能になるほか、樹脂
３０７が樹脂３０７ａ、樹脂３０７ｂおよび樹脂３０７
ｃにより成るので、樹脂３０７における樹脂３０７ｂが
高エネルギーの青色光と素子近傍の高温に同時に晒され
ることがないので、好適に光源としての寿命を延ばすこ
とが可能になる。
【００７８】また、樹脂３０７ｃの積層により蛍光体層
としての樹脂３０７ｂを保護したので、蛍光体層が直接
外部に露出することがなく、水分との反応などで蛍光体
層が劣化するのを防止することができる。また、樹脂３
０７ｂの厚みを均一にしたので、光学的な特性が向上す
る。
【００７９】さらに、樹脂３０７ａにシリコーン樹脂を
使用したので、素子などに加わる応力（ストレス）を低
減することができ、また樹脂３０７ｃにエポキシ樹脂を
使用したので、蛍光体層の劣化を防止することができ
る。
【００８０】図１１は本発明の第１１実施形態に係る照
明光源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下
に第１１実施形態の説明を行う。ただし、図１１は照明
光源の断面構造の一部を示す。
【００８１】図１１の照明光源は、基板１００および複
数の半導体発光素子２００などを第１０実施形態と同様
に備えているほか、第１０実施形態との相違点として樹
脂３０８を備えている。
【００８２】この樹脂３０８は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１００の各窪みＣａｖ内全体
に充填される透光性の樹脂３０８ａと、この樹脂３０８
ａ上に均一な厚みの板状に積層され上記蛍光体を分散保
持する透光性の樹脂３０８ｂと、この樹脂３０８ｂ上に
凸レンズ状に積層される透光性の樹脂３０８ｃとを有す
る構造になっている。ただし、樹脂３０８ｂ，３０８ｃ
は、基板１００の各窪みＣａｖに個別に設けられる。ま
た、樹脂３０８ａにはエポキシ樹脂でもよいが柔軟性を
有するシリコーン樹脂が使用され、樹脂３０８ｃには耐
候性を有するエポキシ樹脂が使用される。さらに、樹脂
３０８ｂは予め板状に形成される。
【００８３】次に、上記構成の照明光源の製造手順を説
明する。まず、基板１００を用意して、各窪みＣａｖ内
の底面中央に半導体発光素子２００を実装する。続い
て、ワイヤボンディングによりリード線Ｗで、半導体発
光素子２００の各電極を対応する配線パターン導体１０
０ｃに接続する。この後、樹脂３０８として、基板１０
０の各窪みに対して、まず樹脂３０８ａを充填し、樹脂
３０８ｂを載置し、続いて樹脂３０８ｃを凸レンズ状に
積層する。
【００８４】以上、第１１実施形態によれば、第１０実
施形態と同様の効果を奏することが可能になるほか、樹
脂３０８ｂに含有される蛍光体の濃度を一定にすれば、
樹脂３０８ｂの厚みを制御するだけで、蛍光体の量的制
御を非常に容易に行える。これにより、蛍光体の量を全
体的に均一にすることができるとともに、蛍光体の量を
所定の一定値に調整することができるので、色のバラツ
キ防止が可能になる。
【００８５】図１２は本発明の第１２実施形態に係る照
明光源の断面構造を示す模式図、図１３は図１２に示す
照明光源の製造手順の説明図で、これらの図を用いて以
下に第１２実施形態の説明を行う。ただし、図１２は照
明光源の断面構造の一部を示す。
【００８６】図１２の照明光源は、基板１０２および複
数の半導体発光素子２００などを第８実施形態と同様に
備えているほか、第８実施形態との相違点として樹脂３
０９を備えている。
【００８７】この樹脂３０９は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１０２の各窪み内のほぼ全体
に充填される透光性の樹脂３０９ａと、この樹脂３０９
ａ上に均一な厚みの板状に積層され上記蛍光体を分散保
持する透光性の樹脂３０９ｂと、この樹脂３０９ｂ上に
凸レンズ状に積層される透光性の樹脂３０９ｃとを有す
る構造になっている。ただし、樹脂３０９ｂ，３０９ｃ
は、図１３（ｂ）に示すように予め一体に形成され、基
板１０２の各窪みに個別に設けられる。
【００８８】次に、上記構成の照明光源の製造手順を説
明する。まず、基板１０２を用意して、各窪み内の底面
中央に半導体発光素子２００を実装する。続いて、ワイ
ヤボンディングによりリード線Ｗで、半導体発光素子２
００の各電極を対応する配線パターン導体１０２ｃに接
続する。この後、樹脂３０９として、基板１０２の各窪
みに対して、まず樹脂３０９ａを充填し（図１３（ａ）
参照）、続いて一体に形成された樹脂３０９ｂ，３０９
ｃを樹脂３０９ａ上に積層する。
【００８９】以上、第１２実施形態によれば、第１１実
施形態と同様の効果を奏することが可能になる。
【００９０】なお、第１２実施形態では、樹脂３０９
ｂ，３０９ｃは、予め一体に形成されるが、これに限ら
ず、樹脂３０９ｃと同形状のガラス部材を使用し、この
ガラス部材と樹脂３０９ｂとを予め一体に形成するよう
にしてもよい。この場合、蛍光体を樹脂に含有させなく
てもよく、焼成が可能である。
【００９１】また、第１２実施形態では、樹脂３０９
は、樹脂３０９ａ，３０９ｂ，３０９ｃにより構成され
るが、樹脂３０９ｂ，３０９ｃが一体に形成されること
から、下側に位置する樹脂３０９ａを省略しても構わな
い。この場合も、第１２実施形態と同様の効果が得られ
る。
【００９２】図１４は本発明の第１３実施形態に係る照
明光源の断面構造を示す模式図で、この図を用いて以下
に第１３実施形態の説明を行う。ただし、図１３は照明
光源の断面構造の一部を示す。
【００９３】図１４の照明光源は、基板１００および複
数の半導体発光素子２００などを第１実施形態と同様に
備えているほか、第１実施形態との相違点として樹脂３
１０を備えている。
【００９４】この樹脂３１０は、透光性の樹脂により成
り、半導体発光素子２００からの青色系の光を吸収して
黄色系の光を発する蛍光体（図示せず）を分散保持する
もので、具体的には、基板１００の各窪みＣａｖ内全体
に充填される透光性の樹脂３１０ａと、この樹脂３１０
ａ上に凸レンズ状に積層され上記蛍光体を分散保持する
透光性の樹脂３１０ｂとを有する構造になっている。た
だし、樹脂３１０ａにはシリコーン樹脂が使用され、樹
脂３１０ｂにはエポキシ樹脂が使用される。
【００９５】この構成では、従来のカップに素子を充填
したものと比べて、蛍光体含有樹脂の量が非常に多くな
る。従来のカップでは樹脂の直径は高々１ｍｍである
が、第１３実施形態では、樹脂３１０ｂの直径は３ｍｍ
以上になるので、１０倍程度の容量になるから、蛍光体
の含有濃度を１０分の１程度に抑えることができる。そ
して、蛍光体の含有濃度が低いと、高エネルギー光の滞
留時間が短くなり、樹脂の局所的着色劣化の度合いが低
くなる。また、蛍光体を含有する樹脂は、半導体発光素
子２００からの光の強度に比例して劣化しやすくなる反
面、高温となる半導体発光素子２００から離れるに従っ
て指数関数的に劣化し難くなるので、青色光が蛍光体に
散乱されて滞在する領域も１０倍の体積になり、さらに
間に樹脂３１０ａが介在し、上記含有濃度の低さも加わ
ることにより、蛍光体を含有する樹脂は非常に劣化し難
くなる。
【００９６】以上、第１３実施形態によれば、第１実施
形態と同様の効果を奏することが可能になるほか、上述
の如く、樹脂３１０ｂが高エネルギーの青色光と素子近
傍の高温に同時に晒されることがないので、好適に光源
としての寿命を延ばすことが可能になる。
【００９７】また、各光源が基板１００上に直接形成さ
れているので、光学系に広めの領域を割り当てることが
でき、上記の如く各実装領域を大きくしても配光制御が
可能になる。
【００９８】さらに、樹脂３１０ａにシリコーン樹脂を
使用したので、素子などに加わる応力を低減することが
でき、また樹脂３１０ｂにエポキシ樹脂を使用したの
で、蛍光体層の劣化を防止することができる。
【００９９】以上、上記各実施形態で説明したように、
蛍光体を含有する樹脂およびレンズ状の樹脂により、工
程数削減および構造の均質化が可能になる。また、半導
体発光素子２００の周辺部に柔軟性を有する樹脂を用い
ることにより、素子の劣化および樹脂の着色を減らし、
光源の寿命を延ばすことができる。さらに、素子を実装
したカップに蛍光体を充填する場合に比べて、蛍光体を
含有する樹脂を非常に大きくでき、また金属ベースや反
射枠により放熱が良くなるので、蛍光体および樹脂が劣
化し難く、光源の光束減退寿命が長くなる。
【０１００】
【発明の効果】以上のことから明らかなように、請求項
１記載の発明によれば、最小内径２ｍｍ以上の窪みを複
数有する基板と、前記基板の各窪み内に実装される半導
体発光素子と、蛍光体を分散保持し前記基板の各窪みに
充填される樹脂とを備えるので、コスト低減および延命
が可能になる。
【０１０１】請求項２記載の発明によれば、最小内径２
ｍｍ以上の窪みを複数有する基板と、前記基板の各窪み
内に実装される半導体発光素子と、蛍光体を分散保持し
前記基板の各窪みに充填される樹脂とを備えるので、コ
スト低減および延命が可能になる。
【０１０２】請求項３記載の発明によれば、請求項１ま
たは２記載の照明光源において、前記基板は前記複数の
窪みが形成された印刷配線基板により成るのであり、こ
の構成でも、コスト低減および延命が可能になる。
【０１０３】請求項４記載の発明によれば、請求項１〜
３のいずれかに記載の照明光源において、前記基板は、
印刷配線基板と、前記複数の窪みを形成する複数の孔が
穿設され前記印刷配線基板の一の面上に取着される枠体
とにより成るのであり、この構成でも、コスト低減およ
び延命が可能になる。
【０１０４】請求項５記載の発明によれば、請求項１〜
４のいずれかに記載の照明光源において、前記樹脂内の
蛍光体は、同じ窪み内に実装される半導体発光素子の近
傍領域の濃度が他の領域のそれよりも低いので、延命が
可能になる。
【０１０５】請求項６記載の発明によれば、請求項１〜
４のいずれかに記載の照明光源において、前記樹脂は、
前記窪みに充填される透光性の第１樹脂と、前記蛍光体
を分散保持し前記第１樹脂の外側に設けられる第２樹脂
とにより成るので、寿命をより好適に延ばすことができ
る。また、積極的に色調を微調整することが可能にな
る。
【０１０６】請求項７記載の発明によれば、請求項６記
載の照明光源において、前記樹脂は、前記第２樹脂上に
積層される透明で層状の第３樹脂を有するので、寿命を
さらに延ばすことができる。
【０１０７】請求項８記載の発明によれば、請求項７記
載の照明光源において、前記第１樹脂は柔軟性を有し、
前記第３樹脂は耐候性を有するので、半導体発光素子な
どに加わる応力（ストレス）の低減および第２樹脂の劣
化防止が可能になる。
【０１０８】請求項９記載の発明によれば、請求項７ま
たは８記載の照明光源において、前記第２樹脂は板状に
形成されるのであり、この構造でも、半導体発光素子な
どへのストレス低減および蛍光体を分散保持する第２樹
脂の劣化防止が可能になる。
【０１０９】請求項１０記載の発明によれば、請求項１
または２記載の照明光源において、前記樹脂は、透光性
の樹脂層と、この樹脂層の下面に形成される蛍光体層と
により成るのであり、この構造でも、コスト低減および
延命が可能になる。
【０１１０】請求項１１記載の発明によれば、請求項１
または２記載の照明光源において、前記樹脂上に設けら
れるレンズ部材を備えるのであり、この構成でも、コス
ト低減および延命が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図６】本発明の第６実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図７】本発明の第７実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図８】本発明の第８実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図９】本発明の第９実施形態に係る照明光源の断面構
造を示す模式図である。
【図１０】本発明の第１０実施形態に係る照明光源の断
面構造を示す模式図である。
【図１１】本発明の第１１実施形態に係る照明光源の断
面構造を示す模式図である。
【図１２】本発明の第１２実施形態に係る照明光源の断
面構造を示す模式図である。
【図１３】図１２に示す照明光源の製造手順の説明図で
ある。
【図１４】本発明の第１３実施形態に係る照明光源の断
面構造を示す模式図である。
【図１５】従来の発光ダイオードの断面構造を示す模式
図である。
【図１６】従来の発光ダイオードの断面構造を示す模式
図である。
【図１７】従来の面状発光光源の断面構造を示す模式図
である。
【図１８】従来のＬＥＤ表示器を示す模式図である。
【符号の説明】
１００〜１０２ 基板 ２００ 半導体発光素子 ３００〜３１０ 樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩浜 英二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 橋爪 二郎 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA05 AA43 DA13 DA20 DA46 DA56 DA58 EE11 FF11

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 最小内径２ｍｍ以上の窪みを複数有する
    基板と、 前記基板の各窪み内に実装される半導体発光素子と、 蛍光体を分散保持し前記基板の各窪みに充填される樹脂
    とを備える照明光源。
  2. 【請求項２】 砲弾形発光ダイオードのステムより大き
    い窪みを複数有する基板と、 前記基板の各窪み内に実装される半導体発光素子と、 蛍光体を分散保持し前記基板の各窪みに充填される樹脂
    とを備える照明光源。
  3. 【請求項３】 前記基板は前記複数の窪みが形成された
    印刷配線基板により成る請求項１または２記載の照明光
    源。
  4. 【請求項４】 前記基板は、印刷配線基板と、前記複数
    の窪みを形成する複数の孔が穿設され前記印刷配線基板
    の一の面上に取着される枠体とにより成る請求項１〜３
    のいずれかに記載の照明光源。
  5. 【請求項５】 前記樹脂内の蛍光体は、同じ窪み内に実
    装される半導体発光素子の近傍領域の濃度が他の領域の
    それよりも低い請求項１〜４のいずれかに記載の照明光
    源。
  6. 【請求項６】 前記樹脂は、前記窪みに充填される透光
    性の第１樹脂と、前記蛍光体を分散保持し前記第１樹脂
    の外側に設けられる第２樹脂とにより成る請求項１〜４
    のいずれかに記載の照明光源。
  7. 【請求項７】 前記樹脂は、前記第２樹脂上に積層され
    る透明で層状の第３樹脂を有する請求項６記載の照明光
    源。
  8. 【請求項８】 前記第１樹脂は柔軟性を有し、前記第３
    樹脂は耐候性を有する請求項７記載の照明光源。
  9. 【請求項９】 前記第２樹脂は板状に形成される請求項
    ７または８記載の照明光源。
  10. 【請求項１０】 前記樹脂は、透光性の樹脂層と、この
    樹脂層の下面に形成される蛍光体層とにより成る請求項
    １または２記載の照明光源。
  11. 【請求項１１】 前記樹脂上に設けられるレンズ部材を
    備える請求項１または２記載の照明光源。
JP32833499A 1999-11-18 1999-11-18 照明光源 Pending JP2001148514A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32833499A JP2001148514A (ja) 1999-11-18 1999-11-18 照明光源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32833499A JP2001148514A (ja) 1999-11-18 1999-11-18 照明光源

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004308095A Division JP4432724B2 (ja) 2004-10-22 2004-10-22 照明光源の製造方法および照明光源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001148514A true JP2001148514A (ja) 2001-05-29

Family

ID=18209083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32833499A Pending JP2001148514A (ja) 1999-11-18 1999-11-18 照明光源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001148514A (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003010832A1 (en) * 2001-07-26 2003-02-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device using led
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2003234511A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2006509372A (ja) * 2002-12-06 2006-03-16 クリー　インコーポレイテッド 複合リードフレームＬＥＤパッケージおよびその製造方法本願は、２００２年１２月６日付け米国仮特許出願第６０／４３１，５２３号、名称「熱拡散を改良したリードフレームベースのＬＥＤあるいは半導体パッケージ（ＬｅａｄｆｒａｍｅｂａｓｅｄＬＥＤｏｒｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｐａｃｋａｇｅｗｉｔｈｉｍｐｒｏｖｅｄｈｅａｔｓｐｒｅａｄｉｎｇ）」の米国特許商標庁への出願日の恩恵を主張する。
JP2006237191A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Asahi Rubber:Kk 発光ダイオード用レンズ及び発光ダイオード光源装置
JP2006261366A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Reimei Giken Kogyo Kk プリント配線板へのｌｅｄ実装方法およびｌｅｄ実装プリント配線板
JP2007027801A (ja) * 2006-11-01 2007-02-01 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器及びその製造方法
JP2007035882A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ照明装置
JP2007080872A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2007034575A1 (ja) 2005-09-20 2007-03-29 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光装置
JP2007123885A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Iled Photoelectronics Inc 白光ｌｅｄパッケージ構造
WO2007072659A1 (ja) * 2005-12-20 2007-06-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation 発光装置
JP2007220737A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
EP2017897A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-21 ILED Photoelectronics Inc. Package structure for a high-luminance light source
JP2009503888A (ja) * 2005-08-04 2009-01-29 クリー インコーポレイテッド 調合された封止剤を用いた半導体発光デバイス用パッケージとそれをパッケージする方法
JP2009071254A (ja) * 2007-08-23 2009-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US7572036B2 (en) 2004-10-18 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and lens for the same
JP2010056277A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Toshiba Corp 発光装置およびその製造方法
US7767475B2 (en) 2005-11-21 2010-08-03 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light emitting device
EP2264797A2 (en) 2005-11-21 2010-12-22 Panasonic Electric Works Co., Ltd Light-emitting device
JP2011233928A (ja) * 2006-07-13 2011-11-17 Cree Inc 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法
JP2011249855A (ja) * 2007-08-02 2011-12-08 Lextar Electronics Corp 発光ダイオードパッケージ
EP2437320A2 (en) 2010-09-30 2012-04-04 Nitto Denko Corporation Light emitting diode sealing member and method for producing light emitting diode device
JP2013161967A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Koito Mfg Co Ltd 半導体発光装置
EP2448022A3 (en) * 2004-11-15 2013-08-21 Philips Lumileds Lighting Company, LLC. Molding a lens over a LED die
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US8941134B2 (en) 2006-07-13 2015-01-27 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices having heat dissipating regions in packaging
US9142734B2 (en) * 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61158606A (ja) * 1984-12-28 1986-07-18 株式会社小糸製作所 照明装置
JPH1098215A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード装置
JP3048368U (ja) * 1997-10-27 1998-05-06 興 陳 発光ダイオード
JPH10190065A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
JPH10215001A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61158606A (ja) * 1984-12-28 1986-07-18 株式会社小糸製作所 照明装置
JPH1098215A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード装置
JPH10190065A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
JPH10215001A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JP3048368U (ja) * 1997-10-27 1998-05-06 興 陳 発光ダイオード

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084435B2 (en) 2001-07-26 2006-08-01 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device using LED
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2003010832A1 (en) * 2001-07-26 2003-02-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device using led
JP2003234511A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4757495B2 (ja) * 2002-12-06 2011-08-24 クリー インコーポレイテッド 複合リードフレームｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP2006509372A (ja) * 2002-12-06 2006-03-16 クリー　インコーポレイテッド 複合リードフレームＬＥＤパッケージおよびその製造方法本願は、２００２年１２月６日付け米国仮特許出願第６０／４３１，５２３号、名称「熱拡散を改良したリードフレームベースのＬＥＤあるいは半導体パッケージ（ＬｅａｄｆｒａｍｅｂａｓｅｄＬＥＤｏｒｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｐａｃｋａｇｅｗｉｔｈｉｍｐｒｏｖｅｄｈｅａｔｓｐｒｅａｄｉｎｇ）」の米国特許商標庁への出願日の恩恵を主張する。
US9142734B2 (en) * 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
US7963680B2 (en) 2004-10-18 2011-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and lens for the same
US8696175B2 (en) 2004-10-18 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and lens for the same
US7572036B2 (en) 2004-10-18 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and lens for the same
US9081167B2 (en) 2004-11-15 2015-07-14 Koninklijke Philips N.V. Lens compression molded over LED die
EP2448022A3 (en) * 2004-11-15 2013-08-21 Philips Lumileds Lighting Company, LLC. Molding a lens over a LED die
JP2006237191A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Asahi Rubber:Kk 発光ダイオード用レンズ及び発光ダイオード光源装置
JP2006261366A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Reimei Giken Kogyo Kk プリント配線板へのｌｅｄ実装方法およびｌｅｄ実装プリント配線板
JP2007035882A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ照明装置
JP4552798B2 (ja) * 2005-07-26 2010-09-29 パナソニック電工株式会社 Ｌｅｄ照明装置
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
JP2009503888A (ja) * 2005-08-04 2009-01-29 クリー インコーポレイテッド 調合された封止剤を用いた半導体発光デバイス用パッケージとそれをパッケージする方法
US8202745B2 (en) 2005-08-04 2012-06-19 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
JP2007080872A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2007034575A1 (ja) 2005-09-20 2007-03-29 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光装置
US7956372B2 (en) 2005-09-20 2011-06-07 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light emitting device
JP2007123885A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Iled Photoelectronics Inc 白光ｌｅｄパッケージ構造
US7767475B2 (en) 2005-11-21 2010-08-03 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light emitting device
EP2264797A2 (en) 2005-11-21 2010-12-22 Panasonic Electric Works Co., Ltd Light-emitting device
US8278678B2 (en) 2005-11-21 2012-10-02 Panasonic Corporation Light emitting device
WO2007072659A1 (ja) * 2005-12-20 2007-06-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation 発光装置
JP2007220737A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
JP2011233928A (ja) * 2006-07-13 2011-11-17 Cree Inc 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法
US8941134B2 (en) 2006-07-13 2015-01-27 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices having heat dissipating regions in packaging
JP2007027801A (ja) * 2006-11-01 2007-02-01 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器及びその製造方法
EP2017897A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-21 ILED Photoelectronics Inc. Package structure for a high-luminance light source
JP2011249855A (ja) * 2007-08-02 2011-12-08 Lextar Electronics Corp 発光ダイオードパッケージ
JP2009071254A (ja) * 2007-08-23 2009-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US8232118B2 (en) 2008-08-28 2012-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2010056277A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Toshiba Corp 発光装置およびその製造方法
US7935978B2 (en) 2008-08-28 2011-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and method for manufacturing the same
EP2437320A2 (en) 2010-09-30 2012-04-04 Nitto Denko Corporation Light emitting diode sealing member and method for producing light emitting diode device
JP2013161967A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Koito Mfg Co Ltd 半導体発光装置
US9406657B2 (en) 2012-02-06 2016-08-02 Koito Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001148514A (ja) 照明光源
JP4432724B2 (ja) 照明光源の製造方法および照明光源
JP3640153B2 (ja) 照明光源
US7557383B2 (en) Lighting apparatus
KR101115800B1 (ko) 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛
US7868345B2 (en) Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus
US9564567B2 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
JP5089212B2 (ja) 発光装置およびそれを用いたｌｅｄランプ、発光装置の製造方法
KR101209759B1 (ko) 반도체 발광모듈 및 그 제조방법
KR101124510B1 (ko) 발광 다이오드
US20110089815A1 (en) Light-emitting device
EP3168525A1 (en) Lamp
JP2008235824A5 (ja)
KR20060107428A (ko) 발광장치
JP2002252373A (ja) 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
WO2007077869A1 (ja) 薄型発光ダイオードランプとその製造方法
JP2007067204A (ja) 発光ダイオード装置
EP2672513B1 (en) Multichip package structure for generating a symmetrical and uniform light-blending source
JP5443959B2 (ja) 照明装置
TWI324700B (en) Opto-electronic package, and methods and systems for making and using same
US20100200887A1 (en) Light emitting device
EP2348244A2 (en) Light-emitting unit and illumination fixture using the same
CN110291632B (zh) Led单元
JP2001148509A (ja) 照明光源
JP4064368B2 (ja) Ｌｅｄ照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040427

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040628

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040824