TWI234344B - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit Download PDF

Info

Publication number
TWI234344B
TWI234344B TW090122578A TW90122578A TWI234344B TW I234344 B TWI234344 B TW I234344B TW 090122578 A TW090122578 A TW 090122578A TW 90122578 A TW90122578 A TW 90122578A TW I234344 B TWI234344 B TW I234344B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
effect transistor
channel field
buffer
output
field effect
Prior art date
Application number
TW090122578A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakazu Kurisu
Takaaki Nedachi
Original Assignee
Nec Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Electronics Corp filed Critical Nec Electronics Corp
Application granted granted Critical
Publication of TWI234344B publication Critical patent/TWI234344B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00Baseband systems
    • H04L25/02Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/0264Arrangements for coupling to transmission lines
    • H04L25/028Arrangements specific to the transmitter end
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0005Modifications of input or output impedance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018585Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only programmable
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00Baseband systems
    • H04L25/02Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/0264Arrangements for coupling to transmission lines
    • H04L25/0278Arrangements for impedance matching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Dc Digital Transmission (AREA)

Description

1234344
發明背i 發明領$ 本發 緩衝電路 輯資料轉 輸出’而 之衰減而 相關技術 ’並將已於 換為邏輯訊 更特別言之 執行預加重 許多 傳輸線的 一訊號波 重。此種 代表電流 電流 在較低電 將邏輯訊號 輸出緩衝電 形借用該電 輸出緩衝電 之訊號的電 模式電路伴 壓的運作無 輸出 的邏 往外 輸線 明係關於安裝在一半導 半導體積體 號,並自半 ,則本發明 功能的輸出 傳輸至一扮 路被設計為 路並根據傳 路通常係由 路,加以實 隨有一項問 法盡如人意 體積體電路裝置 電路裝置上經過處理 導體積體電路裝置上 係關於一具有根據傳 緩衝電路。 演分散式參數電路角色之 具有所謂的預加重功能, 輪線上的訊號衰減而被加 電流模式電路,亦即處理 現。 題’即其結構將使其電路 ^ ^而 §以較小尺寸製作半導體積體電路的技術已被 發展出來之時,由於運作電壓較小之故而使半導體積體電 路可具有較低的功率消耗。因此,目前已要求半導體積體 電路得以在較低電壓時以較高速率運作。 曰本未審查專利公報第2 〇 〇 〇 - 6 8 8 1 6號,其係根據於 1 9 9 8年6月5日申請的德國專利應用第1 9 8 2 5 2 5 8 · 7號專利, 已建議一符合此種要求的輸出緩衝電路。 在該公報中所建議的輸出緩衝電路係由圖1所示的輸 出級’以及一控制電路所組成(未顯示在圖中)。圖1所
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第5頁 1234344
示的輸出級係由下列物件所組成··各自電氣連接在較高電 壓源VDD以及輸出端點TOUT之間的η -通道場效電晶體n/i N13與N15,各自電氣連接在較低電壓源VSS以及輸出端點 TOUT之間的η -通道場效電晶體N12、N14與N16,以;5只: 器1評11、INV 12、INV 13 Dn-通道場效電晶體Nu、Ν13 以及Ν15疋義了第一阻抗電路’而η -通道場效電晶體Nig Ν1 4以及Ν1 6則定義了第二阻抗電路。 反相器INV 11、INV 12與INV 13接收控制訊號A1、Α2 與A3 ’並將這些控制訊號A1、42與43反向。控制訊號幻、 A2與A3被施加於η-通道場效電晶體^丨、N13與1^15的閘電 極,而由反相器INV 11、INV ^與丨^ 13所反向的控制訊 號Al、A2與A3則被施加於n_通道場效電晶體…〗、Nl4鱼 N16的閘電極。在第一與第二阻抗電路之中的〇_通道場效 =晶體nh、N13、N15、N12、N14、N16被開啟或關閉 第-阻抗電路之阻抗以及第二阻抗電路之阻抗二者之間: 阻抗比例等於至少三種不同值其中之—,纟第―與第 ^電路的電導係數和並不依據阻抗 ;阻抗可被保持在幾乎等於-預定值之處,而與預加 雖…、上述電路的運作電壓較普 作電壓為低,但輸出缓榭雷故V 逋的電W权式電路之操 -1¾ i- # ^ 出緩衝電路必頊包括控制構成第一與第 一阻机電路的場效雷曰雜 ,、币 電路。控制雷敗仫^日日體開關閉(〇n/〇ff )的控制 7工市j電路係透過传用姑值 、AINU )以及邏輯和( ^ )專運异而來產生預加重步驟中 (AND )以芬、溫拉 便用破傅輪的訊號經由邏輯積
1234344 五、發明說明(3) 、A2與A3。因此,#出緩衝電路在輸入 號在傳播地具有許多傳播延遲時間。輸出訊 作。 吏抖動曰加,並使輸出緩衝電壓無法以高速率運 傳輪气審查專利公報第丨1-345054號中已建議一用於 用於驅ϊ輸路,該電路包括-輸出級驅動器、- 級驅動級驅動器、以及一用於調整前 級驅動器的m☆準位調整器。冑出級驅動器根據前 W的輸出準位而傳輸一可變準位的訊號。 路,Ιίί審查專利公報第5—3440 26號已建議一預加重電 較高的i率;=路,該電路包括-負回饋電路’可在 j殒手下扣供較小的回饋。 去加二ii審第7,746 ?已;議(a)加重/ 訊费针入姑私 匕括一運算放大裔,其中去加重後的 雷^^一仏輸入至非反向輸入端點,(b )切換電路,該 一於一輸入電氣連接至運算放大器的一輸入端點,而另 :m氣連接至加重後的輸入,該電路並包括一以電 對於-電壓出端點的輸出,並將輸入與輸出相 值而彼此專化,選擇輸入與另一輸入二者复中 t 一,並傳送所選中的輸入,以及(C )加重電路,且呈 連接至切換電路之輸出的輸入,以及—連^ 至運鼻放大1連接 並對於入减^拉 向輸入端與加重訊號輸出端的輪出, 、别知斤接收到的訊號實施強調步驟。藉由切換電路
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第7頁 1234344 五、發明說明(4) 便可執行加重步驟或去加重步驟。 曰本未審查專利公報Νο· 9- 1 3 9664,其係根據於1995 年9月6日申請的英國專利應用第9518183·0號,其已建議 一積體電路,其中包括一用於將資料訊號傳輸至通信通道 的驅動器電路。該驅動器電路係由下列元件所組成··第一 輸出緩衝器,包括複數個透過上拉電阻而電氣連接至第一 輸出導體的上拉電晶體··以及複數個透過下拉電阻而電氣 連接至第一輸出導體的下拉電晶體;複數個延遲電路(各 傳輸一個延遲資料訊號至上拉與下拉電晶體的各個控制
端點);以及控制電路(操作根據資料輸入訊號所 延遲電路其中之一)。 J 曰本專利第2 7 8 1 1 3 7號(曰本未審查專利公報第 6 3 5 〇 9 6 1號)已建議一數位非線性預加重電路,其 其!入數位訊號與輸入數位訊號的高頻帶振幅 Ha可有所變動)’並傳輸具有變動増益的. =一濾波器,該濾波器可變動由第一濾波器 ^, 味沾邢(),根據由第一濾波器所輸出的π 變;以及一混合器,用於混合輸入數位訊㈣ 一,波為所輸出的訊號,並傳輸預加重後的訊號,^ 輸入汛號的高頻帶加重後的結果。 &,,、係 發明概诚 有鑑於傳統輸出緩衝電路 的一項目的在於;好ψ ^ &二迷問4,本發明 下操作,即使兑且古箱^舌从丄,、了在較低電壓 U有預加重的功能之時亦然,該電路並可
五、發明說明(5) 縮矩輸入與輸出之間的傳播延遲時間。 亡發明提供一具有預加重功能的輪出 、輯訊號傳輸至作為分散參數電路電路,並將 :路包括(〇第一緩衝器,其接收專輸線’本發明之 輪之邏輯訊號的邏輯值之 在傳輪線上傳 (,) ,定之邏輯關係的第二邏輯訊 :輯= 之間 ::動傳輸線,第二緩衝器的輸出阻抗高器合 輪出阻抗,只要傳輸線上的訊號衰減被改善之緩衝咨的 以下將說明本發明所述之輸出緩衝電路的 輸出缓衝電路ϋ過輸入端點接收第一邏輯訊號,^ 弟—邏輯訊號對應於被傳輸的訊號列,並進一步透過第中 ,輯端點接收第二邏輯訊號,其中第二邏輯與第一邏 唬之間具有預定的邏輯關係。例如,第二邏輯訊號可包= 一訊號列,該訊號列將被傳輸的第一邏輯訊號延遲U 一 ^ 一 時間並將之反向而得。第二緩衝器與第一緩衝器合作^ 一傳輸線。 ^ 例如’當第一與第二邏輯訊號的邏輯值相同之時,第 一與第二緩衝器傳送具有相同邏輯值的邏輯訊號。由於第 一緩衝器的輸出阻抗係設計用於改善傳輸線上的訊號衰、威 ’因此輸出緩衝電路的輸出阻抗便可明顯降低,亦即,輪 出緩衝電路的驅動電容被加強,並因而使輸出缓衝電路^ 輸一經過加重後的電壓的邏輯訊號(例如,圖3中所示的 Voh 1 與 V0l 1 )。
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第9頁 1234344 五、發明說明(6) 二结if一例十,當第一與第二邏輯值彼此不同之時,第 :緩衝益傳輸一邏輯訊號,其邏輯值與第一 的邏輯訊號的邏輯值相反。由於第_ 的:斤傳輸 "-緩衝器的輸出阻抗,因此= ; = = = 輸出阻抗被明顯增加:即原:出==出緩衝電路的 明顯降低,並使輸出緩衝電路傳:電容被 的邏輯訊號(例如,圖3中所示n 2、與\去2加)重後的電壓 如上所述,若是被傳輸的第一邏 被傳輸之邏輯訊號的波形;=的=有; ;::虎:邏輯值並未變動,或者維持為原*,:=;; 未破加重,或為去加重的波形。 二波开y並 訊號之電塵接近邏輯門檀電壓(m)以;至傳輸二的 在下一次變動時使用。 匕輯汛唬 訊號Κ中憂點’即在被傳輸的第-邏輯 (亦ΐ ,而在通過高漏失傳輸線 長得輸線或溥傳輸線,例如,以plent ubstrate所作成的纜線或佈 形的所謂目視圖形也可有所改呈之田後/斤传到的訊號之波 =功能的輸出緩衝電路相較:下,便可具預 小直徑的欖線令將訊號傳輪一段較長距^。車乂回速率在較 卜電:在設計上係採用 便可在較低源電麼的情況諸電流模式電路而言 第10頁 1234344 五、發明說明(7) 再者,由於在預加重步驟之時並不須將諸如邏輯積 /AND)與邏輯和(GR)之類的邏輯運算傳導至被接收的 ί ί I 口 ΐ : ί第二邏輯訊號),S此便可縮短輸入段 J輸出段之間的傳播延遲時間,以確保在較高速率下的作 附圖簡述 圖1係傳統輸出緩衝電路之電路圖。 圖2係本發明之第一實施例的輸出緩衝電路之電路 圖0 圖3係圖2所示之輸出緩衝電路的訊號波形圖。 圖4係第一實施例之輸出緩衝電路之變體的電路圖。 圖5係本發明之第二實施例的輸出緩衝電路之電路 圖。 圖6係本發明之第三實施例的輸出緩衝電路之電路 圖。 符號說明: INV 11、INV 12 與 INV 13 〜反相器;
Al、A2與A3〜控制訊號;
Nil、N13、N15、N12、N14、N16 〜n-通道場效電晶 體; VDD〜較高電壓源; TOUT〜輸出端點; L〜傳輸線; T A〜電流位元輸入端點;
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第11頁 1234344 五、發明說明(8) TB〜預位元輸入端點; TIN1〜第一輸入端點; TIN2〜第二輸入端點; INV1〜第一反相器; INV2〜第二反相器; B1〜第一緩衝器; B2〜第二緩衝器; TRV〜接收器端點; R t〜終止電阻器; S 0 1〜電流位元訊號; S1〜第一邏輯訊號; S 0 1〜電流位元訊號; S02〜反向後的預位元訊號; SOUT〜輸出訊號; VTT〜終止電壓源;
Rtl〜第一終止電阻器; R12〜第二終止電阻器; B20〜三態式緩衝器; B2〜第二緩衝器; INV3第三反相器; T S〜控制訊號; B21〜第二三態式緩衝器; INV4〜第四反相器。 較佳實施例之說明
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第12頁 1234344 五、發明說明(9) -- 〔第一實施例〕 圖2的電路圖係如第一實施例所述之輸出緩衝電路。 輸出緩出電路具有預加重功能,並將一邏輯訊號傳輪 至作為分散參數電路的傳輸線L。輸出緩衝電路包括:電 流位元輸入端點TA、反向的預位元輸入端點TB、第一輪入 端點TIN 1、第二輸入端點TIN 2、第一反相器INV 1、第 二反相器INV 2、第一緩衝器B1、第二緩衝器B2、輸出端 點TOUT、以及電氣連接至接收器端點TRv的終止電阻器Rt 。傳輸線L在其前端之處電氣連接至輸出端點tout,並於 其尾端之處電氣連接至接收器端點TRV。 第一反相器INV 1接收電流位元訊號s〇l,其邏輯值與 傳輸至傳輸線L的邏輯訊號之邏輯值相同,透過電流位元 輸入端點TA,將電流位元訊號別1反向,並輸出反向後的 電ML位元訊號作為第一邏輯訊號§ 1。第一邏輯訊號ς 1定義 了傳輸至傳輸線L之邏輯訊號的邏輯值。第一邏輯訊號s 1 透過第一輸入端點TIN1而被輸入至第一緩衝器。在接收 到第一邏輯訊號S1之時,第一緩衝器B1便驅動傳輸線[。 第一緩衝器B 2透過反向後的預位元輸入端點τ β接收一 反向後的預位元矾號(用於標示欲執行的預加重步驟或去 加重步驟)’將反向後的預位元訊號反向,並輸出其所造 成的訊號作為第二邏輯訊號S 2。反向後的預位元訊號與上 述的電流位元訊號係預先產生以便使其在預加重與去加重 步驟之間的關係成為被傳輸至傳輸線L之邏輯訊號的波形 。因此,反向後的預位元訊號與電流位元訊號定義了第一
1234344
與第二邏輯訊號S1與32二 即,-種決定是否應對由==決二的邏輯關係,亦 形執行預加重步驟或去力線[所傳出的邏輯訊號之波 在第-實施例中,第' 二:的5輯關係。 缓衝器B1在第一邏輯上=號8一2的邏輯值與由第-訊號的邏輯值不同或相及u傳达之前所傳輸出來的邏輯 之時是如此。’反,至^、在第一邏輯訊號si被傳送 一緩衛輯ΐ说透過第二輸入端點TIN2而被輸入至第 -緩衝益B2。在接收到與第一邏輯訊號81之間具有如上邏 輯關係的第二邏輯關係之時’第二緩衝器β2與第一緩衝器 B1共同作用以驅動傳輸線L。第二緩衝器β2的輸出阻抗被 設”高於第-緩衝器B1的輸出阻抗,只要傳輸線[上的 訊號衰減被改善之時便如此。 以下將詳細說明輸出緩衝電路之結構。 第一緩衝器B1係由一個CMOS反相器所組成,該反相器 包括包括第一 p-通道場效電晶體P1以及第—n—通道場效電 曰曰體N1。第一p-通道場效電晶體pi在較高電壓源與輸 出端點T 0 U T之間具有一電流路徑,並具有一電氣連接至第 一輸入端點T I N 1的閘電極。第一 n -通道場效電晶體n 1在 較低電壓源VSS與輸出端點TOUT之間具有一電流路徑,並 具有一個電氣連接至第一輸入端點T I N 1的閘電極。 第二缓衝器B2係由一個CMOS反相器所組成,該反相器 包括第二p-通道場效電晶體P2以及第二η-通道場效電晶體 Ν2。第二ρ_通道場效電晶體Ρ1在較高電壓源VDd與輸出端
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第14頁 1234344
五、發明說明(11) 點TOUT之間具有一電流路徑,並具有一電氣連接至第二輪 入端點TIN 2的閘電極。第二通道場效電晶體N2在較低 電壓源VSS與輸出端點TOUT之間具有一電流路徑,並具有 一電氣連接至第二輸入端點T I N 2的閘電極。 第一 p -通道場效電晶體P1的設計係使其驅動能力高於 第二η-通道場效電晶體N2的驅動能力,而第一η-通道場六文 電晶體Ν1的設計係使其驅動能力高於第二ρ-通道場效雷曰 电日日 體Ρ2。在此,驅動能力係定義為,例如,其開啟—電卩且所 可容許的最小值。 在第一緩衝器Β1中,第一ρ~通道場效電晶體Ρ1具有一電 氣連接至較高電壓源VDD的源極,以及一電氣連接至輪出 端點TOUT的汲極,且第一η-通道場效電晶體Ν1具有一電氣 連接至較低電壓源VSS的源極,以及一電氣連接至輸出端 點τ 0 U Τ的汲極。 在第二緩衝器Β2中,第二ρ—通道場效電晶體Ρ2具有— 電氣連接至較高電壓源VDD的源極,以及一電氣連接至輪 出端點TOUT的汲極’且第二η-通道場效電晶體Ν2具有一
氣連接至較低電壓源VSS的源極,以及一電氣連接至輪 端點TOUT的汲極。 别K 第一Ρ-通道場效電晶體Ρ1的閘極與第一η—通道場 晶體Ν1電氣連接至第一輸入端點TIN i,而第二口—通 ,電晶體P2的閘極以及第通道場效電晶舰則 ^ 第二輸入端點TIN2。 輸出端點TOUT被電氣連接至傳輸線L的前端。傳輪線匕
1234344
f其尾端被電氣連接至接收器端點TRV,其透過終止電阻 器Rt而被電氣連接至終止電壓源νττ,終止電阻器與傳 輸線L的特性阻抗相匹配。在此,較高電壓VDD,較低電壓 VSS以及終止電壓νττ彼此之間互有關聯,其關聯定義如 VDD>VTT>VSS (A ) 在第一實施例中的終止電壓被設計為等於一邏輯門檻 電壓’該門檻電壓定義了邏輯值〇與1之間的邊界值。因此 ’流過傳輸線L的邏輯訊號之電壓高於終止電壓νττ或低於 終止電壓VTT係根據邏輯訊號的邏輯值而定。 以下將說明第一實施例之輸出緩衝電路的作業方式。 首先,將參考圖3說明預加重的作業方式,圖3所示者 係為電流位元訊號S 0 1 ’反向後的預位元訊號s 〇 2,以及輸 出訊號SOUT。 參考圖3,第一緩衝器Β1由一電路(未顯示在圖中) 接收訊號列“ 0 0 1 1 0 1 0 0 0 ” ,該訊號列為電流位元訊號 SOI,而第二緩衝器Β2則接收一個訊號列“111001011” , 該訊號列係反向後的預位元訊號S 0 2,其係借由將電流位 元訊號延遲一位元,並將延遲後的訊號列反向而得到。 當電流位元訊號S 0 1以及反向後的預位元訊號S 0 2之邏 輯值為1之時,第一P-通道場效電晶體P1以及第二P-通道 場效電晶體P2被開啟,而第一η-通道場效電晶體N1與第二 η-通道場效電晶體Ν2則被關閉。因此,預加重步驟將產生 邏輯值為1的邏輯訊號波形。在加重下的高準位輸出電壓
2134-4259-PF » ahddub.ptd 第16頁 1234344 (13) " voh 1如下列方程式(B)之所定義,其係根據克希荷夫定 律計算而得。
Voh l=VTT+(VDD-VTT)Rt/(Rt+(Rpl/Rp2)) (β ) 在此,Rt表示一終端電阻,RP 1表示第一p-通道場效 電晶體P1的開啟-電阻,而Rp 2則表示第二P—通道場效電 晶體P2的開啟-電阻。 〇 當電流位元訊號S01以及反向後的預位元訊號s〇2之邏 輯值為0之時,第一p-通道場效電晶體P1與第二p-通道場 效電晶體P2被關閉,且第一η-通道場效電晶體N1與第二n — 通道場效電晶體N2被開啟。因此,預加重步驟將產生邏輯 值為0的邏輯訊號波形。在加重下的低準位輸出電壓“1 i 如下列方程式(C )之所定義,其係根據克希荷夫定律計 鼻而得。
Vol l=VTT-(VTT-VSS)Rt/(Rt+(Rnl/Rn2)) (C) 在此,Rn 1表示第一n_通道場效電晶體N1的開啟-電 阻,而Rn2則表示第二η-通道場效電晶體的開啟-電阻。 當電流位元訊號S 0 1之邏輯值為1且反向後的預位元訊 號S02之邏輯值為〇之時,第一 ρ-通道場效電晶體pi與第二 η -通道場效電晶體ν 2被開啟,而第一 η -通道場效電晶體ν 1 與第二ρ_通道場效電晶體Ρ2則被關閉。因此,預加重步 驟將產生邏輯值為1的邏輯訊號波形。在加重下的高準位 輸出電壓Voh 2的定義係如下列方程式(D )之所定義,其 係根據克希荷夫定律計算而得。
Voh 2=VTT+(Rn2(VDD-VTT)-Rp 1(VTT-VSS))Rt/(Rp 1
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第17頁 1234344 明說明(14)" ' • Rn 2 + Rn 2 · Rt + Rt · Rp 1 ) (d ) 、為/確保咼準位輸出電壓v〇h 2高於終止電壓VTT並作 邏,門榼電壓,則第一 p-通道場效電晶體?丨便必須具有”、高 於第二η-通道場效電晶體…的驅動能力。換言之,必須= 立下列方程式(Ε ): ’、
Rp 1<Rn 2 (Ε ) 當電流位元訊號別1的邏輯值為0且反向後的預位元訊 、〇2、的邏輯值為1之時’第一 通道場效電晶體?!與第二 ^ ^道場效電晶體Ν2被關閉’而第一η_通道場效電晶體N1 ^第一p-通道場效電晶體P2則被開啟。因此,將執行去加 ^驟’其邏輯訊號波形中之邏輯值為1。在去加重下的 ,準位輸出電壓vol 2如下列方程式(D)之所定義,其係 根據克希荷夫定律計算而得。
Vol 2 = VTT-(RP2(VTT~VSS)-Rn 1(VDD-VTT) )Rt/(Rn 1 2 + Rp 2 · Rt+ Rt ·Rn 1 ) (F ) ,了確保低準位輸出電壓Vol 2低於終止電壓VTT並作 :邏輯門彳監電壓’則第一n-通道場效電晶體…便必須具有 、币一p—通道場效電晶體P2的驅動能力。換言之,必須 建立下列方程式(G ):
Rn KRp 2 (G ) 以下有數個上述高準位輸出電壓v〇h i、v〇h 2與低準 位輸出電壓Voll、¥〇12之範例。 例如,假設 VI)D = 1 · 5V,
1234344 五、發明說明05) VSS - 0V VTT - 0. 75V ^ R t 二 5 0 Q,
Rp 1 = 50 Q ,
Rn 1 = 50 Q ,
Rp 2 = 1〇〇q ,及 Rn 2 = 1 〇〇 q, 可得到下列四種不同的认^
Voh 1 ^ 1.2V
Voh 2 = 〇. 9V (去/重後的向準位輸出電壓) 〇,ί力的高準位輸出電虔) 以及 …〇.6v (=;的低準位輪出電麗) 如上所述,當電流位元;出電壓)。 時,便將執行加重步驟。特Γ 之^輯值由〇變為1之 位輸出電壓Voh丨以便加重Λ疋有;電路傳輸高準 形。 具有1之邏輯值的邏輯訊號波 當電流位元訊號S01的邏輯值被保持等於J之時,便 執行去加重步驟。特別是,冑出緩衝電路傳輸極為接近線 止電壓VTT (用以定義邏輯門檻電壓)的高準位輸出電壓 V〇h 2,並等待電流位元訊號s〇1之邏輯值的下一次變動, 亦即,等待直當到電流位元訊號S0 i由!變為〇之時。 當電流位元訊號S0 1的邏輯值由}變為〇之時,便將執 行加重步驟。特別是,輸出緩衝電路傳輸低準位輸出電壓 Vo 1 1以便加重一具有0之邏輯值的邏輯訊號波形。 2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第19頁 1234344 五、發明說明(16) 當電流位元訊號S 0 1的邏輯值被保持等 執行去加重步驟。特別是,輸出緩衝電路;^寺便將 電壓VTT (用以定義一個邏輯門檻電壓)二輪極接近終止 壓v〇 1 2,並等待電流位元訊號so 1之邏輯信门的位雨出電 亦即,等待直到電流位元訊號SO 1由〇變為i之時。 勒 οί第一實施例中’ #某一訊號已通過-傳輸:。(例如 繼^於Plent substrate之上的佈線)之後,或者通過— 开”,而傳輸訊號在二者之内皆將衰減’在所謂的 上=可得到改善,目視圖形係用於表示訊號可被適當接 收,帶,將接收到的訊號之電壓振幅的波動以及接收二的 ^號之時序的波動列入考慮。因此,相較於不具預加重功 能的輸出緩衝電路而言,本發明便可使用較高的位元率將 訊號傳輸一段較長的距離。 另外,由於本發明之第一實施例所提供的輸出緩衝電 路的設計係採用CMOS式的電路結構,因此較諸傳統電流模 式電路而言,本發明之輸出緩衝電路便可在較低的源電壓 下作業。 再者’在第一實施例中所述及的輸出緩衝電路在訊號 線中並不須具有諸如互斥邏輯和(OR )之類的裝置以便用 於谓測訊號的變動,其係用以開啟或關閉加重功能。因此 ’由電流位元輸入端點TA至輸出端點TOUT之間的級數僅為 二’此可確保其具有較短的訊號傳播時間。
再者’若第一p-通道場效電晶體?1的開啟-電阻Rp i 以及第一n_通道場效電晶體N1的開啟-電阻Rn 1與傳輸線L
2134-4259-PF » ahddub.ptd 第20頁 1234344 五、發明說明(17) 的特性阻抗相匹配,便可能抑制在傳輸器端所可能發生的 訊就反射。 圖4所示之電路圖係第一實施例之輸出緩衝電路的變 體。 β雖然在上述第一實施例中,傳輸線l的終點係為終止 電壓源VTT,傳輸線L也可根據戴維寧定律而終止,如圖4 所示。特別是,第一終止電阻器Rt !被***在較高電壓源 VDD以及接收器端點TRV之間,而第二終止電阻器Rt 2則被 ***於較低電壓源VSS以及接收器端點TRv之間。第一與第 一終止電阻器Rt 1與RT 2具有兩倍大於特性阻抗的電阻 值0 圖4中所示的輸出緩衝電路已不再需要包括終止電壓 源VTT以終止傳輸線l,並因而使輸出緩衝電路可被設計 僅包括單一電壓源。 ^ 〔第二實施例〕 圖5所示之電路圖係第二實施例之輸出緩衝電路。 根據第二實施例所製作的輸出緩衝電路不僅具有第一 實施例的功能,也具有對預加重功能加以致能或除能的功 能。較諸第-實施例中所述的輸出緩衝電路(如圖2所示 )而言,第二實施例所示之輸出緩衝電路(如圖5所示) 的设汁中包括三態式緩衝器B20以取代第二緩衝器B2,並 額外包括第三反相ϋΙΝν 3。三態式緩衝器B2Q根據預加重 功能是否執行而被活化或去活化。第三反相器 3根據 二悲緩衝器B20究竟被活化或去活化而將控制訊號ts反 1234344 ------- 五、發明說明(18) 向。 參考圖5可知,三態式緩衝器B 2 0係由下列元件所組成 •第一 p -通道場效電晶體P 2、第三p -通道場效電晶體p 3、 弟一η-通道場效電晶體N2、以及第三];!-通道場效電晶體们 。這些電晶體以串接方式電氣連接至彼此,以使其電流路 梭延伸在較高電壓源VDD以及較低電壓源VSS之間。 第二Ρ-通道場效電晶體Ρ2在較高電壓源VDD與輸出端 點TOUT之間具有一電流路徑,並有電氣連接至第二輸入端 點TIN 2的閘極。第二η-通道場效電晶體N2在較低電壓源 VSS與輸出端點TOUT之間具有一電流路徑,並有一電氣連 接至弟一輸入端點T I N 2的閘極。第三p _通道場效電晶體 P3在較高電壓源VDD與第二p-通道場效電晶體p2的電流路 徑之間具有一電流路徑。第三n—通道場效電晶體㈣在較低 電壓源VSS與第二η-通道場效電晶體Ν2的電流路徑之間具 有一電流路徑。 設計上,第一Ρ-通道場效電晶體?1的驅動能力高於由 第二η-通道場效電晶體Ν2以及第—通道場效電晶體Ν3所 疋義之串接電路的驅動此力’而第一 η —通道場效電晶體N j 的驅動能力鬲於由第二Ρ-通道場效電晶體?2以及第三口—通 道場效電晶體Ρ3所定義之串接電路的驅動能力。 透過控制輸入端點TS所輸入的控制訊號%在第三反相 器INV 3中被反向,而反向後的控制訊號則輸入至第三卜 通道場效電晶體P3的閘極。控制訊號%以其相同值輸入至
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第 22 頁 1234344
五、發明說明(19) P通道%效電晶體P3以及第三 訊號SC根據預加重功能是否被執;;:=;== = 以下將說明第二實施例之輸出緩衝電路的作^方式。 入至Μϊϊί1的控制訊號透過控制輸入端點TS'而被輸 =路之時’第三Ρ—通道場效電晶體Ρ3以及第 β丄Λ 體Ν3都被開啟。因此,三態式緩衝器 ——成為致此狀態,並因而使三態式緩衝器Β2〇以一種盥第 貫列的第二緩衝器Β2相同的方式操作。因&,如第二 :述之輸出、緩衝電路的㈣方式便 輸出緩衝電路的作業方式相同。 π 於笛在第一實施例中,第一實施例的開啟-電阻Rp 2對應 ^ —P-通道場效電晶體以的開啟_電阻Rp 2以及第三?_ 效電晶體P3的開啟-電阻Rp 3二者之和。相似地, =一^例的開啟-電阻Rn 2對應於第二n_通道場效電晶 啟带開啟—電阻1^ 2以及第三卜通道場效電晶體N3的開 啟一電阻Rn 3二者之和。 入$二邏輯值為〇的控制訊號透過控制輸入端點TS而被輸 …輸出,衝電路之時’第二p_通道場效電晶赠以及第 vlG通·ν道場效電晶體N2自較高電壓源VDD以及較低電壓源 阳^被/刀離,並因而使電晶體p2與N2的輸出段位於一種高 I且抗狀態。 4 Φ,此,右由第一p—通道場效電晶體?1與第一n—通道場 2阳體N1觀察’ 在三態式緩衝器B20中的第—通道 琢 > 電日日體P2與第二n—通道場效電晶體N2的動作僅為電容
1234344 五 、發明說明(20) 負j。因此,對於由第一緩衝器以所傳來的邏輯訊號而 二白不執行預加重步驟或去加重步驟。亦即,預加重功 月匕係位於一種除能狀態。 有太所述’在第f Ϊ施例中’當一訊號在傳輸線L上 _夕哀減並因而必須執行預加重步驟之時,則在抓呀上 =使控制訊號SC的邏輯值為1以便致能預加重功能,°又缺°而 ^訊號在傳輸線L上的衰減程度並不須執行預加重;驟 之時,則在設計上將使控制訊號SC的邏輯值為〇以便 1加重功能。因此,輸出緩衝電路得以僅處理一種訊號有 卉多衰減的情況以及一種訊號並無太多衰減的情況。" H當必須驅動訊號僅有些許衰減的傳輸線之時,重要的 j制由於傳輸線不連續所造成的訊號反射。第二實施例 2制訊號反射’其方式係使第一 p-通道場效電晶體?1的 開啟〜電阻Rp 1與第一η-通道場效電晶體㈣的開啟-電阻Rn —者相互匹配。如此一來,則由於第二p_通道場 體P2與第二場效電晶體⑴系作為電容性負載之用,如前曰曰 述,因此電晶體P2與N2可降低輸出波形的通過速率。此可 確保訊號反射可被進一步抑制。 當測試一包括第二實施例所使用之輸出緩衝電路的丰 導體積體電路(LSI)之時,可以使用將預加重功能除能千 =式中斷輸出緩衝電路中的漏電流。此可確保可處理半 導體積體電路測試之測試項目中的漏電流測試(丨ddq )。 Μ 4在第二實施例所述的輪出緩衝電路中,傳輸線L可依 康戴維寧定律而被終止’如圖4所示,與第一實施例相類
1234344 五、發明說明(21) 似。 〔第三實施例〕 圖6的電路圖係第三實施例的輸出緩衝電路。 與第二實施例所述的輸出緩衝電路(如圖5所示) 較之下,第三實施例所述之輸出緩衝電路尚包括第二=At 式緩衝器B21以及第四反相器INV 4。換言二,與第=二= 例所述的輸出緩衝電路(如圖2所示)相較之下,第二 施例所述之輸出緩衝電路(如圖6所示)=設計上包^二 一與第二三態式緩衝器B 2 0與B 2 1以取代第二緩衝器β 2,、 額外包括第四反相器INV 4。第一與第二三^態式緩衝器 與B2 1係^根據預加重功能是否被執行而被活化或去活化。 在第三實施例中,第二三態式緩衝器β21的驅動 在設計亡大約等於第一三態式緩衝器B20的一半。第一盥 τ第怨式^緩衝器B2〇與1^被活化或去活化係根據傳輪線 L上Λ就的衰減而定。 、在 第至第二反相器I Ν V 1至I Ν V 3,第一緩衝w _ 衝器Β20,傳輸線L以及終止電阻器以的結構盘 中,第:。=5所不)中所述者相同。在第三實施例 tsi加以一押 的控制輸入端點TS以第一控制輪入端點 制訊號sc=以例Μ控制訊挪則以第—控 與圖5參所考示圖的6 :::式6第:,態式緩衝器Β 2 1的結構在設計上 三態式緩衝器Β2 ^ 3 :Β20的結構相同。特別是,第二 在叹叶上係由下列元件所構成:第
2134-4259-PF; ahddub.ptd 第25頁 (22) ^ ~~---- 1234344 通道場效電晶體ρ4、@ ι 、叉、 道π# 苐五P —通道場效電晶體P5、第四n-通 邊1野效電晶體Ν4、以β楚工 Ρ4 Λ pr λΤ, k 以及第五n —通道場效電晶體N5。電晶體 a P5、N4 盘 Mr — 赵伙㊉ ,、Nb在較南電壓源VDD與較低電壓源VSS之間有 夂餘電流路徑。 四P通道場效電晶體1"4在較高電壓源VDD與輸出端 端」之間具有—電流路徑’並具有電氣連接至第二輸入 ‘·、 IN 2的閘極。第四n_通道場效電晶體“在較低電壓 fVSS與輸出端點τουτ之間具有—電流路徑,並具有電氣 運接至第二輸入端點ΤΙΝ 2的閘極。 、、、第五Ρ—通道場效電晶體Ρ5在較高電壓源VDD與第四ρ-通道場效電晶體Ρ4的電流路徑之間具有一電流路徑。第五 通道場效電晶體Ν5在較低電壓源vss與第四η -通道場效 電晶體Ν 4的電流路徑之間具有一電流路徑。 第一Ρ-通道場效電晶體ρ 1的驅動能力在設計上高於一 系列由第二η-通道場效電晶體⑽與第三η_通道場效電晶體 Ν3所定義的電路之驅動能力以及一系列由第四η_通道場效 電晶體Ν4與第五η-通道場效電晶體㈣所定義的電路之驅動 能力二者之和,而第一η—通道場效電晶體^的驅動能力在 設計上高於一系列由第二ρ-通道場效電晶體Ρ2與第三ρ—通 道場效電晶體Ρ3所定義的電路之驅動能力以及一系列由第 四Ρ-通道場效電晶體Ρ4與第五ρ-通道場效電晶體Ρ5所定義 的電路之驅動能力二者之和。 由第一控制輸入端點T S 2所輸入的第二控制訊號s C 2在 第四反相器I Ν V 4中被反向,而反向後的控制訊號則被輸
2134-4259-PF : ahddub.ptd 第26頁 1234344 五、發明說明(23) 入至第五P-通道場效電晶體1>5的閘極。第二控制訊 以原值被輸入至第五η-通道場效電晶體的閘極,亦即",节 控制訊號並未被反向。第五卜通道場效電晶體ρ5 = η-通道場效電晶細係Μ:控制訊號犯根據預弟牛 驟是否被執行而同時被開啟或關閉。 ^ 以下將說明第三實施例所述之輸出缓衝電路的作業方 在第三實施例中,借由將由第一盥第— m與m所輸入的邏輯訊號之邏輯訊號點 便可能在四種不同的加重作業(包括零 士 : 者,根據傳輸線L上的訊號衰減而定,如下所述擇取佳 當邏輯值為輯訊號透過第一控 二端 被輸入且邏輯值為丨的邏輯訊號透過第二 知=TS1而 而被輸人之時,則第一與第二三態工二,端點TS2 加重功能皆被致能,並可因而得咖上的 反之,田邏輯值為〇的邏輯訊號透過一 點TS1而被輸入且邏輯值為〇的邏輯气控制輸入端 端點TS2而被輸入之時,則第一與二^一透過第二控制輸入 B21上的加重功能皆被除能。、一二態式緩衝器B20與 當邏輯值為1的邏輯訊號透過第一 第二控制輸入端點TS2二去豆中夕 工列輸入端點TS1與 為0的邏輯訊號透過另一控制輸入端點=入,且邏輯值 得到中間加重。 . 輪入之時,則可 在此,若第二卜通道場效電晶體P2的間通道Wp2與第
2134-4259-PF ; ahddub.ptd 第27頁 1234344 五、發明說明(24) __ 四場效電晶體P4的間通道fp4之間 晶體N2的閘通道化2盥 弟一η-通道%效電 存在有二位开避舌”弟琢效電日日體Ν4的閘通道之間 ^ ^ 權重’則可在四種不同的作業握彳Γ句括裳 加重模式、低加重模式、中間加重 業杈式(匕括7 )下達到最佳模式,豆 、式、以及高加重模式 二控制輸入端則細二達::;位碼,於第-與第 被活化或去活化係根據以二位元二t三態式緩衝器㈣ (並可用於表示預加重)而定,制碼表示的㈣資料 被活化或去活化則係根據以二位元二;^ f式緩衝器β21 而定。 進制表示的L S Β資料 雖’、、、:根據第二實施例所製作的 係包括兩個三態式緩衝器Β20與Β21,衝電路在設計上 被設計為包括Ν個三態式緩衝考,1仁輪出緩衝電路卻可 ’在,情況下,預加重則由η :位元的中二的Ν :=的整數 在測試時,可控制三態式進制碼所控制。 此可確保流過三態式暫存器的 ^使預加重最小化。 高精確度處理,例如,電流漏失;;試降低,並因而可以 在如第三實施例所述的輸出緩衝 依據戴維寧定律而被終止 路中,傳輸線L可 相似。 如圖4所示,其與第-實施例 雖然本發明已以較佳實施例揭露 限定本發明,任何熟習此項技蓺 ,然其並非用以 神和範圍内,當可作更動與^者,在不脫離本發明之精 當視後附之申請專利範圍所界定者本發明之保護範圍 第28頁 2134-4259-PF ; ahddub.ptd I234344 五、發明說明(25) 較古例如’兩個p—通道場效電晶體以串聯方式彼此連接在 =2,壓源VDD與較低電壓源vss二者之間以完成第二與第 說=靶例中的三態功能。取而代之的是,NAND閘的輸入訊 可^祜—通道場效電晶體的閘極輸入且N〇R閘的輪出訊號 道與ϋ通道場效電晶體的閘極,在此情况下,P—通 0± Λ ^穷效電晶體根據輸入訊號而被開啟(在致能之 〇 ’而那些電晶體則在除能之時被關閉。
第29頁

Claims (1)

1234344 -----te: 90122R7R 六、申請專利範圍 类 1 · 一種輸出緩衝電路,可完成預加重功能,並將一邏 輯訊號傳輸至一作為分散參數電路的傳輸線, 其特徵在於: (a )第一緩衝器,用於接收一定義被傳輸至該條傳 輸線之邏輯訊號的邏輯值的第一邏輯訊號,並驅動該傳輸 線,以及 (b)第二緩衝器,用於接收第二邏輯訊號,其與該 第一邏輯訊號之間具有預定的邏輯關係,並與該第'一 ^ 〃 器合作以驅動該傳輸線, 、、、 - 該第二緩衝器之輸出阻抗高於該第一緩衝器之輪 抗’只要該傳輪線上的訊號衰減被改善之時便如此^出随 2·如申請專利範圍第1項所述之輸出緩衝電路,。 該第二緩衝器係由一或多個三態式緩衝器所組成,一其^中 緩衝器係根據預加重步驟是否被執行而決定政办龙 < 態式 或去活化。 、九兄為活化 3·如申請專利範圍第1項所述之輸出緩衝電 該第一緩衝器係由下列元件所構成:(al )第一 ’其中 效電晶體,在較高電壓源與輸出端點之間具有—P通道場 ,並具有電氣連接至第一輸入端點的閘極,以及^ /i,L路徑 一n一通道場效電晶體,在較低電壓源與該輸出端)第 有一電流路徑,並具有冑氣連接至該第一輸入^之間具 極, 味點的閘 該第二緩衝器係由下列元件所構成:(Μ 道場效電晶體,在該較高電壓源與該輪出端點之間〜通
2134-4259-PFl.ptc ai 麵 第30頁 1234344 月 曰 案號 90122578 六、申請專利範圍 電流路徑,並具有電氣連接至第二輸入端點的閘極,以及 (b2 )第二η-通道場效電晶體,在該較低電壓源與該輸出 端點之間具有一電流路徑,並具有電氣連接至該第二輸入 端點的閘極, 該第一Ρ-通道場效電晶體之驅動能力高於該第二η—通 道場效電晶體之驅動能力,及 該第一η-通道場效電晶體之驅動能力高於該第二ρ—通 道場效電晶體之驅動能力。 4·如申請專利範圍第1項所述之輸出緩衝電路,其t 該第一緩衝器係由下列元件所構成:(al)第一p_通道場 ,電晶體,在較高電壓源與輸出端點之間具有一條電流路 徑,並具有電氣連接至第一輸入端點的閘極,以及(u) m??效電晶體’在較低電磨源與輸出端點之間具 ^了條電流路徑,並具有電氣連接至該第一輪入端點的間 一個三態式緩衝器所構成,其包括 出端點之間具有一電流路徑,並:[該輸 端點的間極,以及(b2)第二η通:=接至第二輸人 低電壓源與該輸出端點之間;有一 晶;且 晶體’以串接方式電氣連接至該二電 =據預=驟是否被執行而被開啟或U二4 )第一η-通道%效電晶體,以串接 甲筏方式電氣連接至該第二 第31頁 2134-4259-PFl.ptc 1234344 月 曰 修正 I---1^^90122578^ 六、申請專利範圍 ------- η-通道場效電晶體, 開啟或關閉, 並”該第二ρ-通道場效電晶體同時被 該第ρ通道場效電晶體之驅動能力_虚篦 三η-通㈣效電晶體之驅動能力的總;於該第一與第 三= = 高於該第二與第 該第I::;係專成之, 效電遷源與輸出端點之 1-通道場效入端點的閉極,以及(⑴第 -電流路徑,並::電與輪出端點之間具有 該第二緩蘅5§在士贫接至該第一輸入端點的閘極, ,各緩衝器包括Γ(Μ) if第\個三態式緩衝器所構成 高電麼源與該輸出端點之間晶體’在該較 連接至第二輸入端點的閉極:J及2路;:並具有” 電晶體,在該較低電壓源與該於 一η-通道場效 徑,並具有電氣連接至該第:點之間具有一電流路 三Ρ-通道場效電晶體,以串接方,的閘極,(b3 )第 道場效電晶體,並根據預加重二B氣連接至該第二P-通 關閉,以及(b4 )第三η-通道尸效被執行而被開啟或 氣連接至該第二η-通道場效電曰,曰曰體’以串接方式電 效電晶體同時被開啟或關閉,其中 /、孩第三P-通道場 數, ” 係為大於等於2的整 R 2134-4259-PFl.ptc 第32頁 1234344 _案號90】2舛7« 六、申請專利範圍 曰 該第一P-通道場效電晶體之驅動 第Μ個三態式緩衝器的該第二力局於在〜第一至 驅動能力的總和,及 一通道場效電晶體之 該第一η-通道場效電晶體之 第Ν個三態式緩衝器的該第二與第三ρ把力高於在該第一至 驅動能力的總和。 通道場效電晶體之 6·如申請專利範圍第1、2、3、 衝電路,其中該第二邏輯訊號之邏輯=項所述之輪出緩 所傳輸的邏輯訊號之邏輯值不同,=由^「緩衡器 被傳輸之時是如此。 在該第一邏輯訊號 7·如申請專利範圍第1、2、3、4或 衝電路,其中該傳輸線的終端電、a κ出緩 源的終止電阻器。 1电軋連接至終止電壓 8.如申請專利範圍第1、2、3、4或5 衝電路,其中該傳輸線料端 ·』出雷缓 電阻器,以及電氣連接至二壓&第電; 衝電路,其中以:1、2幹3、4或5項所述之輪出緩 阻抗相匹配。 夂衝窃的輸出阻抗與該傳輸線的特性 路,!其°中如該申二^ ^ 訊號的衰減程度較高且線之邏輯 化之時則係當在該傳輸線之邏輯= 較 2134-4259-PFl.ptc -篆號90〗乃R7g 六、申請專利範圍 執行預加重步騾之時。 U·如申請專利範圍第2、4或5項所述之輸出緩衝電 二之#中該第二緩衝器被去活化之時係於即將處理一項測 第μ個ή id1圍第5項所述之輸出緩衝電路,其中 式緩衝T之上Λ 動能力大約等於第(M'"個三離 ^衝益之驅動能力的一半,其中M為小於等於心 該第-·至如丄ΐίϊΐ圍第5項所述之輸出緩衝電路, 制碼而被活化或衝器係根據—表示預加重的二進 14.如申請專利範圍第5項所述之 該第-至第Ν個三態式緩衝器係根據該僂出:衝電‘路’其中 活化或去活化。 W傳輪線的衣減而被 15·如申請專利範圍第5項所述之 該第二緩衝器被活化以使預加一哥出緩衝電路,其中 項夠試中為最小。 2134-4259-PFl.ptc 第34頁
TW090122578A 2000-09-14 2001-09-12 Output buffer circuit TWI234344B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000280559A JP3573701B2 (ja) 2000-09-14 2000-09-14 出力バッファ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI234344B true TWI234344B (en) 2005-06-11

Family

ID=18765374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090122578A TWI234344B (en) 2000-09-14 2001-09-12 Output buffer circuit

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6674313B2 (zh)
EP (1) EP1189399A3 (zh)
JP (1) JP3573701B2 (zh)
KR (1) KR100433019B1 (zh)
CN (1) CN1185823C (zh)
TW (1) TWI234344B (zh)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW503620B (en) * 2000-02-04 2002-09-21 Sanyo Electric Co Drive apparatus for CCD image sensor
KR20020046076A (ko) * 2000-12-12 2002-06-20 채문식 고속 I/O Driver를 위한 pre-emphasis신호 발생기 회로
WO2003084161A1 (fr) * 2002-03-29 2003-10-09 Fujitsu Limited Procede d'attaque, circuit d'attaque, procede d'emission au moyen d'un circuit d'attaque et circuit de commande
JP2003309461A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Nec Electronics Corp 出力バッファ回路
JP2004104681A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Renesas Technology Corp 入力バッファ回路
US6803735B2 (en) * 2002-10-01 2004-10-12 Siemens Vdo Automotive Inc. Speed-based open-loop start-up method for brushless DC motor
JP3877673B2 (ja) * 2002-11-28 2007-02-07 株式会社東芝 出力バッファ回路およびそれを用いた半導体メモリ
KR100501582B1 (ko) * 2002-12-13 2005-07-14 주식회사 하이닉스반도체 프리셋 구조를 갖는 데이터 출력 버퍼
JP3791498B2 (ja) 2003-01-17 2006-06-28 日本電気株式会社 プリエンファシス機能を有する出力バッファ回路
US7109759B2 (en) 2003-05-23 2006-09-19 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte.Ltd. Voltage mode current-assisted pre-emphasis driver
JP4327504B2 (ja) * 2003-05-29 2009-09-09 Necエレクトロニクス株式会社 トランスミッタ回路、伝送回路及び駆動装置
US7756197B1 (en) * 2003-11-26 2010-07-13 Pmc-Sierra, Inc. Built in self test (BIST) for high-speed serial transceivers
US7269673B2 (en) * 2004-02-18 2007-09-11 Silicon Image, Inc. Cable with circuitry for asserting stored cable data or other information to an external device or user
JP4401268B2 (ja) 2004-10-05 2010-01-20 Necエレクトロニクス株式会社 出力バッファ回路及び半導体装置
US7440340B2 (en) 2004-10-19 2008-10-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Output buffer of a semiconductor memory device
KR100640593B1 (ko) * 2004-10-26 2006-11-01 삼성전자주식회사 캐스케이디드 프리-앰패시스 기능을 가지는 출력 드라이버회로
JP4872228B2 (ja) * 2005-03-28 2012-02-08 日本電気株式会社 出力バッファ回路
KR100734301B1 (ko) * 2005-05-12 2007-07-02 삼성전자주식회사 프리 엠파시스 신호 발생기를 구비하는 반도체 메모리 장치
ATE517492T1 (de) * 2005-07-26 2011-08-15 Nxp Bv Vorverzerrungs- und rückentzerrungsschaltung.
JP4832020B2 (ja) 2005-07-28 2011-12-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 プリエンファシス回路
US7671630B2 (en) * 2005-07-29 2010-03-02 Synopsys, Inc. USB 2.0 HS voltage-mode transmitter with tuned termination resistance
JP4680004B2 (ja) * 2005-08-23 2011-05-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 デエンファシス機能を有する出力バッファ回路
KR100788224B1 (ko) 2005-08-23 2007-12-26 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 출력 버퍼 회로
JP4680003B2 (ja) 2005-08-23 2011-05-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 出力バッファ回路
KR100788221B1 (ko) 2005-08-23 2007-12-26 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 디엠파시스 기능을 갖는 출력 버퍼 회로
KR100688567B1 (ko) * 2005-08-25 2007-03-02 삼성전자주식회사 슬루 레이트 조절이 가능한 버퍼를 구비하는 프리 엠퍼시스회로
KR100666177B1 (ko) * 2005-09-30 2007-01-09 삼성전자주식회사 모드 레지스터 셋트를 이용하여 초기강화 드라이버의 임피던스 및 강도를 제어하는 출력 드라이버
TWI301696B (en) * 2005-12-15 2008-10-01 Via Tech Inc Transmission circuit and related method
KR100656470B1 (ko) * 2006-02-07 2006-12-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 드라이버 제어장치 및 방법
WO2007097032A1 (ja) 2006-02-27 2007-08-30 Fujitsu Limited 回路基板、情報処理装置及び伝送方法
KR100771868B1 (ko) * 2006-02-28 2007-11-01 삼성전자주식회사 다이내믹 출력버퍼회로
JP4937609B2 (ja) * 2006-03-15 2012-05-23 株式会社日立製作所 出力バッファ回路と差動出力バッファ回路並びに伝送方法
JP4788900B2 (ja) * 2006-03-30 2011-10-05 日本電気株式会社 Cml回路及びそれを用いたクロック分配回路
JP5017903B2 (ja) * 2006-03-30 2012-09-05 日本電気株式会社 プリエンファシス調整方式及び方法
JP4510048B2 (ja) * 2007-04-23 2010-07-21 富士通株式会社 ドライバ回路装置及びドライバ駆動方法
US8207754B2 (en) * 2009-02-24 2012-06-26 Stmicroelectronics International N.V. Architecture for efficient usage of IO
KR101045071B1 (ko) * 2009-11-30 2011-06-29 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력회로
KR101796116B1 (ko) 2010-10-20 2017-11-10 삼성전자 주식회사 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법
KR101854232B1 (ko) * 2010-11-09 2018-05-04 삼성전자주식회사 디-엠퍼시스 기능을 갖는 의사 오픈 드레인 방식의 출력 드라이버, 반도체 메모리 장치 및 그것의 제어 방법
US8446168B2 (en) * 2010-12-14 2013-05-21 Qualcomm, Incorporated Pre-emphasis technique for on-chip voltage-driven single-ended-termination drivers
JP5257493B2 (ja) * 2011-07-29 2013-08-07 株式会社日立製作所 出力バッファ回路
KR101273241B1 (ko) * 2011-08-19 2013-06-11 포항공과대학교 산학협력단 저전력 고속의 송수신 장치
KR101874584B1 (ko) 2012-04-03 2018-07-04 삼성전자주식회사 전압 방식 구동기
US8547134B1 (en) * 2012-07-24 2013-10-01 Analog Devices, Inc. Architecture for high speed serial transmitter
US8896353B2 (en) * 2012-08-01 2014-11-25 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for constant output impedance, variable pre-emphasis drive
US9419736B2 (en) * 2013-03-15 2016-08-16 Gigoptix-Terasquare Korea Co., Ltd. Low-power CML-less transmitter architecture
JP6369137B2 (ja) 2014-05-30 2018-08-08 ソニー株式会社 送信装置、受信装置、および通信システム
TWI752898B (zh) * 2014-03-25 2022-01-21 日商新力股份有限公司 發訊裝置及通訊系統
US20160269029A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Realtek Semiconductor Corp. Logical signal driver with dynamic output impedance and method thereof
CN106664090B (zh) * 2015-05-06 2021-05-07 京微雅格(北京)科技有限公司 一种缓冲器电路和采用该电路的电子设备
TWI722090B (zh) * 2016-02-22 2021-03-21 日商新力股份有限公司 傳送裝置、傳送方法及通訊系統
US10044354B2 (en) * 2016-07-11 2018-08-07 Ricoh Company, Ltd. I/O cell
US10679722B2 (en) 2016-08-26 2020-06-09 Sandisk Technologies Llc Storage system with several integrated components and method for use therewith
CN106231230B (zh) * 2016-09-20 2022-06-21 深圳市巨潮科技股份有限公司 一种dp信号远距离传输装置
US11005477B2 (en) * 2016-10-12 2021-05-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Driver circuit and control method therefor, and transmission/reception system
JP6943301B2 (ja) * 2018-07-05 2021-09-29 ソニーグループ株式会社 受信装置および通信システム
KR102598741B1 (ko) * 2018-07-17 2023-11-07 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 출력 버퍼

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4877978A (en) * 1988-09-19 1989-10-31 Cypress Semiconductor Output buffer tri-state noise reduction circuit
JP2534782B2 (ja) * 1989-11-10 1996-09-18 株式会社東芝 半導体装置
JP2902016B2 (ja) * 1989-11-21 1999-06-07 株式会社日立製作所 信号伝送方法および回路
JP2978302B2 (ja) 1991-01-28 1999-11-15 三菱電機株式会社 出力バッファ回路
JPH05344026A (ja) 1992-06-05 1993-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリエンファシス回路
JPH06216751A (ja) * 1993-01-20 1994-08-05 Hitachi Ltd Cmos集積回路装置とそれを用いた情報処理システム
KR950007310B1 (ko) 1993-03-29 1995-07-07 삼성전자주식회사 디지탈 비선형 프리-엠퍼시스/디-엠퍼시스
JPH07183746A (ja) 1993-12-22 1995-07-21 Rohm Co Ltd エンファシス・デエンファシス回路
US5864584A (en) * 1995-02-13 1999-01-26 International Business Machines Corporation Circuitry for allowing two drivers to communicate with two receivers using one transmission line
GB2305082B (en) 1995-09-06 1999-10-06 At & T Corp Wave shaping transmit circuit
JP3986161B2 (ja) 1998-06-02 2007-10-03 富士通株式会社 信号伝送用ドライバ回路
DE19825258B4 (de) 1998-06-05 2005-11-17 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Ausgangspufferschaltkreis zum Übertragen von digitalen Signalen über eine Übertragungsleitung mit Preemphasis
US6351172B1 (en) * 2000-02-29 2002-02-26 Dmel Inc. High-speed output driver with an impedance adjustment scheme
US6326832B1 (en) * 2000-03-29 2001-12-04 National Semiconductor Corporation Full swing power down buffer with multiple power supply isolation for standard CMOS processes

Also Published As

Publication number Publication date
EP1189399A3 (en) 2006-04-26
KR100433019B1 (ko) 2004-05-24
EP1189399A2 (en) 2002-03-20
US6674313B2 (en) 2004-01-06
US20020030517A1 (en) 2002-03-14
JP3573701B2 (ja) 2004-10-06
KR20020021354A (ko) 2002-03-20
CN1185823C (zh) 2005-01-19
JP2002094365A (ja) 2002-03-29
CN1344079A (zh) 2002-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI234344B (en) Output buffer circuit
JP4814791B2 (ja) レベル・シフター
US6980022B1 (en) Programmable termination with DC voltage level control
US7221193B1 (en) On-chip termination with calibrated driver strength
US7109744B1 (en) Programmable termination with DC voltage level control
US7446567B2 (en) Signal transmission apparatus and interconnection structure
US7750666B2 (en) Reduced power differential type termination circuit
US6211704B1 (en) Asynchronous sensing differential logic (ASDL) circuit
TW587369B (en) Method, circuit, and system for driving a signal using switchable on-die termination
US8766663B2 (en) Implementing linearly weighted thermal coded I/O driver output stage calibration
US7884644B1 (en) Techniques for adjusting level shifted signals
US8854078B1 (en) Dynamic termination-impedance control for bidirectional I/O pins
US6094067A (en) Output buffer circuit
Shepherd et al. A robust, wide-temperature data transmission system for space environments
US9444463B2 (en) Voltage level shifter
TW317029B (zh)
US6667633B2 (en) Multiple finger off chip driver (OCD) with single level translator
US6922076B2 (en) Scalable termination
US5754068A (en) CMOS logic LSI having a long internal wiring conductor for signal transmission
US8395421B1 (en) Configurable buffer circuits and methods
KR100300050B1 (ko) 비동기센싱차동로직회로
KR100559348B1 (ko) 높은 저항 또는 높은 용량 신호 라인을 위한 혼합 스윙전압 리피터와 이를 위한 방법
KR100604851B1 (ko) 선택적으로 입출력 신호의 스윙 폭을 변경시키는 고속출력 회로, 고속 입력 회로, 및 입출력 신호의 스윙 폭변경방법
Kim et al. Crosstalk-canceling multimode interconnect using transmitter encoding
Kim Optimized high voltage analog switch IC using low breakdown SOI technology

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees