JP5374801B2 - 炭素元素からなる線状構造物質の形成体及び形成方法 - Google Patents
炭素元素からなる線状構造物質の形成体及び形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5374801B2 JP5374801B2 JP2004252751A JP2004252751A JP5374801B2 JP 5374801 B2 JP5374801 B2 JP 5374801B2 JP 2004252751 A JP2004252751 A JP 2004252751A JP 2004252751 A JP2004252751 A JP 2004252751A JP 5374801 B2 JP5374801 B2 JP 5374801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- fine particles
- composite fine
- titanium
- linear structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/74—Iron group metals
- B01J23/75—Cobalt
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0238—Impregnation, coating or precipitation via the gaseous phase-sublimation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/166—Preparation in liquid phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
- C01B2202/34—Length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
- H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
- H01L2221/1094—Conducting structures comprising nanotubes or nanowires
Description
CVD法によりCNTを成長させる場合、触媒の制御が非常に重要であり、如何なる触媒を如何なる方法で用意すれば良い結果が得られるかということに関しては未だに解明されておらず、盛んに研究が行われている。特にスパッタ法で触媒膜を形成する場合、触媒膜の厚さが非常に重要なパラメータとなるが、それと同時に触媒金属以外の金属膜(Al、Ti等)の有無や、その厚み、表面処理等も重要なパラメータとなるとも考えられる。
以上により、第2の金属であるTiの含有比率を0.5%以上50%以下の範囲内の値に調節することにより、CNTの成長確率を制御することができることが確認された。
以下、本発明を適用したCNTの形成体及び形成方法の具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施形態では、例えばシリコン基板上に形成された絶縁膜上にCNTを成長させる場合を例示する。
図6は、第1の実施形態によるCNTの形成方法を示す概略断面図である。
この触媒微粒子生成システムは、ターゲット、ここではチタン・コバルト合金ターゲット11が配されるチャンバー12と、チタン・コバルト合金ターゲット11にレーザ光を照射するレーザ13と、発生したパーティクルをアニールする電気炉14と、パーティクルをそのサイズで分級する微分型静電分級器(DMA)15と、DMA15で生成されたチタン・コバルト複合微粒子3を供給するノズル16と、堆積する対象、ここではシリコン基板1を可動ステージ17a上に載置固定する堆積室17とを備えて構成されている。
具体的には、チタン・コバルト複合微粒子3が絶縁膜2上に堆積されてなるシリコン基板1を、CVDチャンバーに搬送し、アセチレン・アルゴン混合ガス(比率1:9)を原料ガスとして実行する。原料ガスの流量を例えば200sccm (スタンダード立法センチメーター毎分)、圧力を例えば1kPaとする。シリコン基板1が載置された加熱ステージの温度を例えば540℃、成長時間を例えば10分間とする。
本実施形態では、例えば半導体装置における配線構造のビア孔内にCNTを成長させてビアプラグを形成する場合を例示する。
図9は、第2の実施形態によるビアプラグの形成方法を示す概略断面図である。
以上により、Ta膜22上にチタン・コバルト複合微粒子25から成長した高密度で均質なCNT26によりビア孔24内を充填してなるビアプラグ27を完成させる。
この比較例では、ビア孔24の底面に露出するTa膜22上にTi膜101を形成した後、このTi膜101上にコバルト複合微粒子102を堆積する。そして、CVD法により、コバルト微粒子102からCNT103を成長させ、コバルト微粒子102及びCNT103からなるCNT形成体によりビア孔24内を充填し、ビアプラグ104を形成する。
前記複合微粒子から成長した炭素元素からなる線状構造物質と
を含むことを特徴とする炭素元素からなる線状構造物質の形成体。
前記複合微粒子に炭素元素からなる線状構造物質の成長処理を施し、前記複合微粒子に前記線状構造物質を形成する工程と
を含むことを特徴とする炭素元素からなる線状構造物質の形成方法。
2 絶縁膜
3,25 チタン・コバルト複合微粒子
4,26 カーボン・ナノ・チューブ(CNT)
11 チタン・コバルト合金ターゲット
12 チャンバー
13 レーザ
14 電気炉
15 微分型静電分級器(DMA)
16 ノズル
17 堆積室
21 下層配線
22 Ta膜
23 層間絶縁膜
24 ビア孔
27 ビアプラグ
Claims (8)
- 触媒金属である少なくとも1種の第1の金属と、前記第1の金属の触媒作用を制御する少なくとも1種の第2の金属とを含む複合微粒子と、
前記複合微粒子から成長した炭素元素からなる線状構造物質と
を含み、
前記第1の金属は、鉄(Fe),ニッケル(Ni)及びコバルト(Co)から選ばれた少なくとも1種であり、
前記第2の金属はバナジウム(V)であり、前記複合微粒子における前記第2の金属の含有比率が5%以上50%以下であることを特徴とする炭素元素からなる線状構造物質の形成体。 - 前記複合微粒子は、前記第1の金属及び前記第2の金属からなることを特徴とする請求項1に記載の炭素元素からなる線状構造物質の形成体。
- 前記複合微粒子は、その直径が均一とされてなることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭素元素からなる線状構造物質の形成体。
- 前記複合微粒子は、その直径が5nm±10%に揃えられてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭素元素からなる線状構造物質の形成体。
- 触媒金属である少なくとも1種の第1の金属と、前記第1の金属の触媒作用を制御する少なくとも1種の第2の金属とを含む複合微粒子を形成する工程と、
前記複合微粒子に炭素元素からなる線状構造物質の成長処理を施し、前記複合微粒子に前記線状構造物質を形成する工程と
を含み、
前記第1の金属は、鉄(Fe),ニッケル(Ni)及びコバルト(Co)から選ばれた少なくとも1種であり、
前記第2の金属はバナジウム(V)であり、前記複合微粒子における前記第2の金属の含有比率が5%以上50%以下であることを特徴とする炭素元素からなる線状構造物質の形成方法。 - 前記複合微粒子は、前記第1の金属及び前記第2の金属からなることを特徴とする請求項5に記載の炭素元素からなる線状構造物質の形成方法。
- 前記複合微粒子を、レーザアブレーション法により生成することを特徴とする請求項5又は6に記載の炭素元素からなる線状構造物質の形成方法。
- 前記複合微粒子が、空中を浮遊する状態であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の炭素元素からなる線状構造物質の形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004252751A JP5374801B2 (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 炭素元素からなる線状構造物質の形成体及び形成方法 |
US11/024,756 US8148820B2 (en) | 2004-08-31 | 2004-12-30 | Formed product of line-structured substance composed of carbon element, and method of forming the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004252751A JP5374801B2 (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 炭素元素からなる線状構造物質の形成体及び形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006069817A JP2006069817A (ja) | 2006-03-16 |
JP5374801B2 true JP5374801B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=35943445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004252751A Active JP5374801B2 (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 炭素元素からなる線状構造物質の形成体及び形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8148820B2 (ja) |
JP (1) | JP5374801B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7989349B2 (en) * | 2005-04-15 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing nanotubes having controlled characteristics |
JP4891636B2 (ja) | 2006-03-14 | 2012-03-07 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 画像解析装置 |
JP5194514B2 (ja) | 2007-03-29 | 2013-05-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 基板構造及びその製造方法 |
CN105441903B (zh) * | 2008-02-25 | 2018-04-24 | 斯莫特克有限公司 | 纳米结构制造过程中的导电助层的沉积和选择性移除 |
JP4869362B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | カーボンナノチューブの製造方法 |
KR101603767B1 (ko) * | 2009-11-12 | 2016-03-16 | 삼성전자주식회사 | 광조사를 이용한 반도체성 카본나노튜브의 선택적 성장방법 |
JP2011233714A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Canon Inc | 半導体素子 |
US10811334B2 (en) | 2016-11-26 | 2020-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure in interconnect region |
US10256188B2 (en) | 2016-11-26 | 2019-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Interconnect via with grown graphitic material |
US10861763B2 (en) | 2016-11-26 | 2020-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Thermal routing trench by additive processing |
US10529641B2 (en) | 2016-11-26 | 2020-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region |
US11004680B2 (en) | 2016-11-26 | 2021-05-11 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package thermal conduit |
US11676880B2 (en) | 2016-11-26 | 2023-06-13 | Texas Instruments Incorporated | High thermal conductivity vias by additive processing |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5707916A (en) * | 1984-12-06 | 1998-01-13 | Hyperion Catalysis International, Inc. | Carbon fibrils |
US6445006B1 (en) * | 1995-12-20 | 2002-09-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Microelectronic and microelectromechanical devices comprising carbon nanotube components, and methods of making same |
JP3740295B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 |
US6455021B1 (en) * | 1998-07-21 | 2002-09-24 | Showa Denko K.K. | Method for producing carbon nanotubes |
US7150864B1 (en) * | 1998-09-18 | 2006-12-19 | William Marsh Rice University | Ropes comprised of single-walled and double-walled carbon nanotubes |
DE69934127T2 (de) * | 1998-09-18 | 2007-10-31 | William Marsh Rice University, Houston | Katalytisches wachstum von einwandigen kohlenstoffnanoröhren aus metallpartikeln |
US6333016B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-12-25 | The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma | Method of producing carbon nanotubes |
US6297063B1 (en) * | 1999-10-25 | 2001-10-02 | Agere Systems Guardian Corp. | In-situ nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
US6923946B2 (en) * | 1999-11-26 | 2005-08-02 | Ut-Battelle, Llc | Condensed phase conversion and growth of nanorods instead of from vapor |
CA2347332A1 (en) * | 2000-05-13 | 2001-11-13 | Korea Carbon Black Co., Ltd. | Carbon fibrils and method for producing same |
US6413487B1 (en) * | 2000-06-02 | 2002-07-02 | The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma | Method and apparatus for producing carbon nanotubes |
JP3658346B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源および画像形成装置、並びに電子放出素子の製造方法 |
JP3768908B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2006-04-19 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源、画像形成装置 |
JP4068056B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2008-03-26 | ファキュルテ ユニヴェルシテール ノートル−ダム ド ラ ペ | 触媒担体およびその上で生成されたカーボンナノチューブ |
US6897603B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-05-24 | Si Diamond Technology, Inc. | Catalyst for carbon nanotube growth |
US6596187B2 (en) * | 2001-08-29 | 2003-07-22 | Motorola, Inc. | Method of forming a nano-supported sponge catalyst on a substrate for nanotube growth |
JP3710436B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2005-10-26 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法 |
EP1315191B1 (en) * | 2001-11-23 | 2007-08-22 | Samsung SDI Co. Ltd. | Composite for paste including carbon nanotubes, electron emitting device using the same, and manufacturing method thereof |
CN101397134B (zh) * | 2001-11-28 | 2013-08-21 | 东丽株式会社 | 中空纳米纤维以及含有中空纳米纤维的组合物 |
JP3782993B2 (ja) | 2001-11-28 | 2006-06-07 | 国立大学法人名古屋大学 | 中空状ナノファイバーの製造法 |
US6849245B2 (en) * | 2001-12-11 | 2005-02-01 | Catalytic Materials Llc | Catalysts for producing narrow carbon nanostructures |
AU2002359749A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-30 | Vanderbilt University | Methods of direct growth of carbon nanotubes on catalytic surfaces |
US7220310B2 (en) * | 2002-01-08 | 2007-05-22 | Georgia Tech Research Corporation | Nanoscale junction arrays and methods for making same |
US20060165988A1 (en) * | 2002-04-09 | 2006-07-27 | Yet-Ming Chiang | Carbon nanoparticles and composite particles and process of manufacture |
US20030211724A1 (en) * | 2002-05-10 | 2003-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Providing electrical conductivity between an active region and a conductive layer in a semiconductor device using carbon nanotubes |
US6919002B2 (en) * | 2002-05-17 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Nanopore system using nanotubes and C60 molecules |
US7311889B2 (en) * | 2002-06-19 | 2007-12-25 | Fujitsu Limited | Carbon nanotubes, process for their production, and catalyst for production of carbon nanotubes |
JP3877302B2 (ja) | 2002-06-24 | 2007-02-07 | 本田技研工業株式会社 | カーボンナノチューブの形成方法 |
US7108773B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Solids supporting mass transfer for fuel cells and other applications and solutions and methods for forming |
US7214361B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-05-08 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for synthesis of carbon nanotubes |
JP2006505483A (ja) * | 2002-11-26 | 2006-02-16 | カーボン ナノテクノロジーズ インコーポレーテッド | カーボンナノチューブ微粒子、組成物及びその使用法 |
US7518247B2 (en) * | 2002-11-29 | 2009-04-14 | Nec Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method |
WO2004059806A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Alnaire Laboratories Corporation | Optical pulse lasers |
US20050112051A1 (en) * | 2003-01-17 | 2005-05-26 | Duke University | Systems and methods for producing single-walled carbon nanotubes (SWNTS) on a substrate |
KR100932974B1 (ko) * | 2003-04-08 | 2009-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출용 카본계 복합입자의 제조방법 |
EP1649929B1 (en) * | 2003-05-29 | 2009-04-29 | Japan Science and Technology Agency | Method for preparing carbon nanocoil |
JP4329014B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2009-09-09 | ソニー株式会社 | 微細構造体の製造方法および微細構造体、表示装置、ならびに記録装置の製造方法および記録装置 |
US7351444B2 (en) * | 2003-09-08 | 2008-04-01 | Intematix Corporation | Low platinum fuel cell catalysts and method for preparing the same |
US20060024227A1 (en) * | 2003-10-16 | 2006-02-02 | Shigeo Maruyama | Array of single-walled carbon nanotubes and process for preparaton thereof |
US7628974B2 (en) * | 2003-10-22 | 2009-12-08 | International Business Machines Corporation | Control of carbon nanotube diameter using CVD or PECVD growth |
US20060043861A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Wei Liu | Porous glass substrate for field emission device |
US7719265B2 (en) * | 2004-11-17 | 2010-05-18 | Honda Motor Co., Ltd. | Methods for determining particle size of metal nanocatalyst for growing carbon nanotubes |
-
2004
- 2004-08-31 JP JP2004252751A patent/JP5374801B2/ja active Active
- 2004-12-30 US US11/024,756 patent/US8148820B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006069817A (ja) | 2006-03-16 |
US20060045836A1 (en) | 2006-03-02 |
US8148820B2 (en) | 2012-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7582507B2 (en) | Catalyst support substrate, method for growing carbon nanotubes using the same, and the transistor using carbon nanotubes | |
JP5374801B2 (ja) | 炭素元素からなる線状構造物質の形成体及び形成方法 | |
US8501108B2 (en) | Carbon nanotube growing system | |
US8609199B2 (en) | Carbon nanotube growing process, and carbon nanotube bundle formed substrate | |
GB2380494A (en) | Plasma enhanced chemical vapour deposition apparatus; producing carbon nanotubes | |
CN102712477A (zh) | 碳纳米管的形成方法和碳纳米管成膜装置 | |
US20040009115A1 (en) | Selective area growth of aligned carbon nanotubes on a modified catalytic surface | |
WO2005121023A1 (ja) | カーボンナノ構造体の製造方法 | |
JPWO2007116434A1 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
US7932510B2 (en) | Carbon nanotube grown on catalyst and manufacture method | |
US8076260B2 (en) | Substrate structure and manufacturing method of the same | |
JP2010254507A (ja) | 線状構造体の成長方法及び成長装置 | |
JP2013530833A (ja) | ナノ粒子形成方法およびナノ粒子形成装置 | |
JP2007091484A (ja) | カーボンファイバの製造方法および基板ユニット | |
JP3994161B2 (ja) | 単結晶酸化タングステンナノチューブとその製造方法 | |
US9175387B2 (en) | Method for fabricating two dimensional nanostructured tungsten carbide | |
JP3711384B2 (ja) | カーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法 | |
JP2007254167A (ja) | カーボンナノチューブの作製方法 | |
JP4471617B2 (ja) | Pd金属内包カーボンナノチューブの製造方法 | |
JP4631095B2 (ja) | 金属ナノ粒子の生成方法 | |
JP2009018234A (ja) | カーボンナノコイル製造用触媒およびカーボンナノコイルの製造方法 | |
JP5471269B2 (ja) | カーボンナノチューブデバイスの製造方法 | |
EP2290137B1 (en) | Method for the synthesis of metallic nanotubes | |
Sarangi et al. | Carbon nanotubes grown on metallic wires by cold plasma technique | |
KR20040050355A (ko) | 열화학기상증착법을 이용한 탄소나노튜브의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130611 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5374801 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |