JP2012164713A - 洗浄液及び洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
(1)フッ化水素と、(2)塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。
【選択図】 なし
Description
(1)フッ化水素と、
(2)塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、
を含むことを特徴とする洗浄液、に関する。
前記洗浄液として、
(1)フッ化水素と、
(2)塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、
を含む洗浄液を用いることを特徴とする洗浄方法、に関する。
各実施例又は比較例に係る洗浄液は、次に示す原材料の何れかを適宜配合して作製した。実施例にて使用する塩は、塩を構成する酸および塩基を下記に示す原材料から選び、それらを反応させることにより得た。即ち、(1)50重量%高純度フッ化水素酸(ステラケミファ株式会社製)、(2)ELグレード、36重量%塩酸(三菱化学株式会社製)、(3)ELグレード、69重量%硝酸(三菱化学株式会社製)、(5)ELグレード、97重量%硫酸(三菱化学株式会社製)(5)ELグレード、28重量%アンモニア水(林純薬工業株式会社製)、(6)テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(商品名:トクソーSD−25、株式会社トクヤマ製)の何れかを所定の混合比率で配合することにより作製した。
被洗浄物の表面における酸化セリウムの固形物の残渣状態については、TREX610−T(株式会社テクノス製)を用いて行った。即ち、洗浄液による洗浄処理の前後で測定を行い、洗浄液による洗浄効果を確認した。
表1に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.001〜5重量%、成分(b)として硫酸アンモニウムを濃度1〜20重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表1に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.01〜0.1重量%、成分(b)として硫酸テトラメチルアンモニウムを濃度1〜10重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表1に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.1重量%、成分(b)として硫酸アンモニウムを濃度5重量%、塩化アンモニウムを濃度5重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表1に示すとおり、硫酸アンモニウム濃度20重量%の水溶液を作製した。
表1に示すとおり、フッ化アンモニウム濃度20重量%の水溶液を作製した。
表1に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.5%、成分(b)としてフッ化アンモニウムを濃度20重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表1に示すとおり、フッ化水素濃度5%の水溶液を作製した。
表2に示すとおりに洗浄液の組成及び濃度を変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして各洗浄液を作製した。更に、前記実施例1と同様にして各洗浄液を用いて洗浄処理等を行った。その結果を下記表2に示す。
表2に示すとおりに洗浄液の組成及び濃度を変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして各洗浄液を作製した。更に、前記実施例1と同様にして各洗浄液を用いて洗浄処理等を行った。その結果を下記表2に示す。
表3に示すとおりに洗浄液の組成及び濃度を変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして各洗浄液を作製した。更に、前記実施例1と同様にして各洗浄液を用いて洗浄処理等を行った。その結果を下記表3に示す。
表3に示すとおりに洗浄液の組成及び濃度を変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして各洗浄液を作製した。更に、前記実施例1と同様にして各洗浄液を用いて洗浄処理等を行った。その結果を下記表3に示す。
表4に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素濃度を0.1重量%、成分(b)として硫酸アンモニウムを濃度10重量%、成分(c)として水、さらに、ノニオン性、カチオン性、又はアニオン性の界面活性剤を混合することによりの洗浄液を作製した。その後、前記実施例1と同様にして各洗浄液による洗浄処理等を行った。その結果を下記表4に示す。
表5に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.1〜5重量%、成分(b)として硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、又は硫酸テトラメチルアンモニウムを濃度5重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表5に示すとおり、硫酸アンモニウム濃度5重量%の水溶液を作製した。
表5に示すとおり、フッ化アンモニウム濃度20重量%の水溶液を作製した。
表5に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.5%、成分(b)としてフッ化アンモニウムを濃度20重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表5に示すとおり、フッ化水素濃度5%の水溶液を作製した。
表6に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.1〜5重量%、成分(b)として硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、又は硫酸テトラメチルアンモニウムを濃度5重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表6に示すとおり、硫酸アンモニウム濃度5重量%の水溶液を作製した。
表6に示すとおり、フッ化アンモニウム濃度20重量%の水溶液を作製した。
表6に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.5%、成分(b)としてフッ化アンモニウムを濃度20重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表6に示すとおり、フッ化水素濃度5%の水溶液を作製した。
表7に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.01〜0.5重量%、成分(b)として硫酸アンモニウムを濃度10重量%、及び成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表7に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.01〜0.5重量%、成分(b)として硫酸を濃度10重量%、成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
表7に示すとおり、成分(a)としてフッ化水素を濃度0.01重量%、成分(b)として硫酸を濃度10重量%及びアスコルビン酸を濃度0.1重量%、並びに成分(c)として水を混合することにより洗浄液を作製した。
Claims (7)
- 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
(1)フッ化水素と、
(2)塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、
を含むことを特徴とする洗浄液。 - フッ化水素の濃度が0.001〜5重量%であり、アンモニウム塩の濃度が0.1〜20重量%である請求項1に記載の洗浄液。
- 界面活性剤を含む請求項1又は2に記載の洗浄液。
- 酸化セリウムが付着した被洗浄物表面に洗浄液を接触させることにより、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去する洗浄方法において、
前記洗浄液として、
(1)フッ化水素と、
(2)塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、
を含む洗浄液を用いることを特徴とする洗浄方法。 - フッ化水素の濃度が0.001〜5重量%であり、アンモニウム塩の濃度が0.1〜20重量%である請求項4に記載の洗浄方法。
- 界面活性剤を含む請求項4又は5に記載の洗浄方法。
- 被洗浄物が、半導体基板、ガラス基板、セラミックス基板、石英基板、又は水晶基板である請求項4〜6のいずれかに記載の洗浄方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102380490A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-03-21 | 高佳太阳能股份有限公司 | 单晶硅边皮的清洗方法 |
WO2014192863A1 (ja) | 2013-05-30 | 2014-12-04 | トヨタ自動車株式会社 | 排気浄化装置の異常診断装置 |
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WO2018181901A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 関東化學株式会社 | 洗浄液組成物 |
CN110419094A (zh) * | 2017-03-14 | 2019-11-05 | 福吉米株式会社 | 表面处理组合物、其制造方法、及使用其的表面处理方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104619806A (zh) * | 2012-09-17 | 2015-05-13 | 株式会社Lg化学 | 含氧化铈废磨料的再生方法 |
KR101932774B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2018-12-26 | 동우 화인켐 주식회사 | 평판표시장치용 세정제 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
CN106190616A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-12-07 | 苏州普锐晶科技有限公司 | 频率片的腐蚀方法 |
CN107164109A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-09-15 | 吴江创源新材料科技有限公司 | 一种蓝宝石晶片退火前清洗液及其制备方法和清洗工艺 |
CN109731849A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-05-10 | 东莞市晶博光电有限公司 | 一种手机盖板清洁方法 |
CN111376169A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种抛光后晶圆的清洗方法 |
JP7107332B2 (ja) * | 2020-06-02 | 2022-07-27 | 栗田工業株式会社 | 分離膜の洗浄方法 |
CN112964124A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-06-15 | 杭州制氧机集团股份有限公司 | 一种铝制板翅式换热器传热翅片的自动清洗装置 |
CN114717295B (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-30 | 季华实验室 | 液相芯片法杂交缓冲液、配制方法及液相芯片检测方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001064681A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
JP2001332527A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Daikin Ind Ltd | Cmp後洗浄液組成物 |
JP2008071799A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2008231350A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 分岐ポリエチレンの製造方法 |
JP2009231350A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Stella Chemifa Corp | 洗浄液及び洗浄方法 |
JP2010535422A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006068091A1 (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Stella Chemifa Corporation | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
EP2434536B1 (en) * | 2009-05-21 | 2019-03-13 | Stella Chemifa Corporation | Etching method |
JP5400528B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2014-01-29 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001064681A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
JP2001332527A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Daikin Ind Ltd | Cmp後洗浄液組成物 |
JP2008071799A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2008231350A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 分岐ポリエチレンの製造方法 |
JP2010535422A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物 |
JP2009231350A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Stella Chemifa Corp | 洗浄液及び洗浄方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102380490A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-03-21 | 高佳太阳能股份有限公司 | 单晶硅边皮的清洗方法 |
CN102380490B (zh) * | 2011-10-20 | 2016-03-09 | 高佳太阳能股份有限公司 | 单晶硅边皮的清洗方法 |
WO2014192863A1 (ja) | 2013-05-30 | 2014-12-04 | トヨタ自動車株式会社 | 排気浄化装置の異常診断装置 |
US9771550B2 (en) | 2013-12-11 | 2017-09-26 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
CN110419094A (zh) * | 2017-03-14 | 2019-11-05 | 福吉米株式会社 | 表面处理组合物、其制造方法、及使用其的表面处理方法 |
CN110419094B (zh) * | 2017-03-14 | 2023-12-19 | 福吉米株式会社 | 表面处理组合物、其制造方法、及使用其的表面处理方法 |
WO2018181901A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 関東化學株式会社 | 洗浄液組成物 |
WO2018180256A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 関東化學株式会社 | 洗浄液組成物 |
KR20190127775A (ko) | 2017-03-31 | 2019-11-13 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 세정액 조성물 |
JPWO2018180256A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-14 | 関東化学株式会社 | 洗浄液組成物 |
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Also Published As
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