JP2010535422A - マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物 - Google Patents

Abstract

残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去するための洗浄組成物および方法。フッ化物種、アミン種、および有機溶媒を実質的に含有しないこの組成物は、マイクロ電子デバイスからの、エッチング後残渣、アッシング後残渣および／またはＣＭＰ後残渣などの残渣物質の非常に有効な洗浄を達成すると同時に、マイクロ電子デバイス上に同じく存在する層間誘電材料および金属配線材料に損傷を与えない。

Description

分野
本発明は、一般には、フッ化物種を実質的に含有せず、かつ残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから当該残渣を除去するのに有用である、残渣除去組成物に関する。

関連技術の説明
マイクロ電子デバイス産業では、残渣を上に有するデバイスから残渣を除去するための、適合性があり（compatible）かつ環境に優しいウエハ洗浄組成物の相当な需要がある。例えば、限定されないが、アルミニウム、アルミニウム／ケイ素／銅、チタン、窒化チタン、チタン／タングステン、タングステン、酸化ケイ素およびポリシリコン結晶などの様々な種類の金属およびケイ素含有材料をプラズマエッチングした結果生成される残渣を除去するために、新規な洗浄溶液が必要とされている。

現在、ヒドロキシルアミン含有（ＨＤＡ）組成物は、工業的な配線工程（ＢＥＯＬ）洗浄製品の大多数を占める。とは言うものの、ヒドロキシルアミンをベースとする化学反応は、範囲６０〜７０℃の温度で最良に行われるため、それを含有する水溶液の脱イオン水総含有率は、２０時間にわたって５０％も減少し、それによって組成物の浴寿命が厳しく制限される。

さらに、従来のアミンベースの化学反応は、残渣、例えばエッチング後残渣を溶解することによって起こり、窒素または腐食防止剤種の有機膜がすすぎ前に、洗浄されたデバイス表面に残る。すすぎ水はこの有機膜を通って拡散し、アミンと水の組み合わせによって、金属表面上のｐＨを１１を超えるｐＨにシフトし得る水酸化物種が生成される。アルミニウムおよび銅は、かかる高ｐＨ値およびアミン種の存在下にて腐食し得る。重要なことには、これらの配合物は、すすぎ水中に更なる腐食性水酸化物種を形成するのに十分な量のアミンを含有せず、それ自体が、その初期値を超えるｐＨの増加を受けないことから、この腐食メカニズムは、半水性洗浄化学反応（semi-aqueous cleaning chemistry）では起こらない。

半水性洗浄化学反応の一例としては、ｐＨ範囲６〜８と共に有機溶媒、水、低濃度のフッ化物および他の活性種、化学活性を制御する緩衝剤で構成されるIDEAL cleanが挙げられる。都合のよいことには、大部分の市販の半水性製品ならびにIDEAL cleanは、２〜３０分と様々な工程時間と共に周囲温度付近（２３〜３０℃）で使用される。さらに、それを水中で直接すすぎ、すすぎ水の体積を減らすことができる。とは言うものの、IDEAL cleanの一つの不利点は、洗浄剤中にフッ化物イオンが存在するため、長い露出時間にわたって石英と適合性がないことである。したがって、石英製の浴または石英製ヒーターのいずれかを含む器具セットを有する多くの工場では、器具セットを改良または変更することなく、IDEAL cleanを使用することができない。

その目的に向かって、現在の器具セットと適合性があり、かつ残渣および／または汚染物をマイクロ電子デバイス表面から有効かつ効率的に除去する、新規な組成物が必要とされている。当技術分野における現在の組成物に対して、石英と適合性があり、浴寿命が長く、処理温度が低く、処理量が高いことから、フッ化物およびアミンを実質的に含有しない組成物が好ましい。

概要
本発明は、一般には、残渣物質を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去する組成物、および前記組成物を使用する方法に関する。好ましくは、この組成物は、アミン種、フッ化物種および有機溶媒を実質的に含有せず、さらに低ｋ誘電材料および金属含有層などの下層材料のいずれにも損傷を与えることなく、エッチング後、アッシング後、および／またはＣＭＰ後残渣をマイクロ電子デバイス表面から有効に除去する。

一の態様において、少なくとも１種類の錯化剤を含む除去組成物であって、残渣物質を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣物質を除去するのに有用な組成物が記述されている。好ましくは、その少なくとも１種類の錯化剤は、アミノカルボン酸、有機酸およびその誘導体、ホスホン酸およびその誘導体、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む。

他の態様において、少なくとも１種類の錯化剤および少なくとも１種類の界面活性剤を含むか、それらから本質的になるか、またはそれらからなる除去組成物であって、残渣物質を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣物質を除去するのに有用な組成物が記述されている。好ましくは、その少なくとも１種類の錯化剤は、アミノカルボン酸、有機酸およびその誘導体、ホスホン酸およびその誘導体、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含み、好ましくは、その少なくとも１種類の界面活性剤は、リン酸エステルを含む。

さらに他の態様において、サリチル酸誘導体およびホスホン酸誘導体を含むか、それらから本質的になるか、またはそれらからなる除去組成物が記述されており、前記組成物は、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣を除去するのに有用である。

さらに他の態様は、サリチル酸誘導体、ホスホン酸誘導体、および水から本質的になるか、またはそれらからなる除去組成物に関し、前記組成物は、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣を除去するのに有用である。

さらに他の態様は、１つまたは複数の容器内に除去組成物を形成する以下の試薬のうちの１種または複数種を含むキットに関し、前記の１種または複数種の試薬は、少なくとも錯化剤、任意選択により少なくとも１種類の界面活性剤、任意選択により少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択により少なくとも１種類の緩衝剤、任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤からなる群から選択され、かつ前記キットは、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去するのに適した除去組成物を形成するように適応される。

他の態様は、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去する方法であって、マイクロ電子デバイスから前記残渣を少なくとも一部除去するのに十分な時間、水性除去組成物とマイクロ電子デバイスを接触させることを含む方法に関し、その除去組成物は、少なくとも錯化剤、任意選択により少なくとも１種類の界面活性剤、任意選択により少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択により少なくとも１種類の緩衝剤、および任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤を含む。

更なる態様は、マイクロ電子デバイスを製造する方法であって、残渣および／または汚染物を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣および／または汚染物を少なくとも一部除去するのに十分な時間、本明細書に記載の組成物とマイクロ電子デバイスを接触させることを含む方法に関する。

さらに他の態様は、本明細書に記載の方法を用いて製造された、改善されたマイクロ電子デバイス、およびそれが組み込まれた製品に関し、前記方法は、残渣および／または汚染物を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣および／または汚染物を除去することと、本明細書に記載の方法および／または組成物を使用することと、任意選択により製品にマイクロ電子デバイスを組み込むこととを含む。

他の態様は、組成物、マイクロ電子デバイスウエハおよび残渣および／または汚染物を含む製造物品であって、その組成物が、少なくとも錯化剤、任意選択により少なくとも１種類の界面活性剤、任意選択により少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択により少なくとも１種類の緩衝剤、任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤を含む、製造物品に関する。

他の態様、特徴および利点については、次の開示内容および添付の特許請求の範囲からより完全に明らかになるだろう。

詳細な説明とその好ましい実施形態
本発明は、一般には、残渣を上に有するマイクロ電子デバイス表面から残渣を除去するための組成物および方法に関する。好ましくは、その組成物は、フッ化物およびアミンを実質的に含有せず、デバイス表面から残渣および／または汚染物を除去するのに有用であり、かつ現在使用されている器具セットと適合性がある。有利なことには、本明細書に記載の組成物は、マイクロ電子デバイス上の低ｋ誘電材料および金属含有材料と適合性である。

参照を容易にするために、「マイクロ電子デバイス」は、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリーデバイス、太陽電池板および光起電性材料、および超小型回路、集積回路、またはコンピューターチップ用途用に製造される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に相当する。「マイクロ電子デバイス」という用語は、限定的であることを決して意味するものではなく、最終的にマイクロ電子デバイスまたは超小型回路アセンブリとなる、あらゆる基板を含むことを理解されたい。

本明細書で使用される、「残渣」とは、限定されないが、プラズマエッチング、アッシング、化学機械研磨、ウェットエッチング、およびそれらの組み合わせなどのマイクロ電子デバイスの製造中に生じる粒子に相当する。

本明細書で使用される、「汚染物」とは、プラズマエッチング、アッシング、ウェットエッチング、または化学機械研磨工程後にマイクロ電子デバイス表面上に存在する、残渣を除く化学物質、反応および化学副生成物、および前記工程の副生成物である他のいずれかの物質に相当する。一般に、汚染物は本質的に有機物質である。

本明細書で使用される、「ＣＭＰ後残渣」とは、研磨スラリーからの粒子、例えばシリカ含有粒子、スラリー中に存在する化学物質、研磨スラリーの反応副生成物、カーボンリッチ粒子（carbon-rich particle）、研磨パッド粒子、ブラシ除去粒子（brush deloading particle）、構成粒子の装置材料、銅、酸化銅、銅含有物質、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウム含有物質、有機残渣、およびＣＭＰ工程の副生成物である他の物質に相当する。

本明細書で定義される、「低ｋ誘電材料」とは、層状マイクロ電子デバイスにおいて誘電材料として使用される材料であって、約３．５未満の誘電率を有する材料に相当する。好ましくは、低ｋ誘電材料としては、ケイ素含有有機ポリマー、ケイ素含有ハイブリッド有機／無機材料、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、二酸化ケイ素、および炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスなどの低極性材料が挙げられる。低ｋ誘電材料は様々な密度および様々な多孔度を有し得ることを理解されたい。

本明細書で定義される、「エッチング後残渣」とは、気相プラズマエッチング工程、例えばＢＥＯＬデュアルダマシン加工後に残る物質に相当する。エッチング後残渣は、本質的に有機、有機金属、有機ケイ素、または無機物質、例えば、ケイ素含有物質、炭素ベースの有機物質、および酸素およびフッ素などのエッチングガス残渣であり得る。

本明細書で定義される、本明細書で使用される「アッシング後残渣」とは、硬化フォトレジストおよび／または底層の反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料を除去するための酸化的または還元的プラズマアッシング後に残る物質に相当する。アッシング後残渣は、本質的に有機、有機金属、有機ケイ素、または無機物質であり得る。

「実質的に含有しない」および「含有しない」は、本明細書において２重量％未満、好ましくは１重量％未満、さらに好ましくは０．５重量％未満、最も好ましくは０．１重量％未満として定義される。

本明細書で使用される、「約」は、記載値の±５％に相当する。

本明細書で使用される、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去する「適性」とは、マイクロ電子デバイスからの前記残渣の少なくとも一部の除去に相当する。好ましくは、本明細書に記載の組成物を使用して、マイクロ電子デバイスから残渣の５０〜８５％が除去され、さらに好ましくは、残渣の少なくとも９０％、またさらに好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％が除去される。

本明細書で定義される、「金属」とは、マイクロ電子デバイス上にある、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、チタン、ニッケル、コバルト、タングステン、およびそのケイ化物；銅含有層；アルミニウム含有層；Ａｌ／Ｃｕ層；Ａｌの合金；Ｃｕの合金；ＣｏＷＰおよびＣｏＷＢＰなどのコバルト含有層；金含有層；Ａｕ／Ｐｔ層；酸化ハフニウム；オキシケイ酸ハフニウム；酸化ジルコニウム；酸化ランタニド；チタン酸塩；その窒素ドープ類似体；ルテニウム；イリジウム；カドミウム；鉛；インジウム；セレン；銀；ＭｏＴａ；およびそれらの組み合わせならびにそれらの塩に相当する。

本明細書で使用される、「フッ化物」種とは、イオンフッ化物（Ｆ⁻）などの種に相当する。そのフッ化物種は、フッ化物種として含まれるか、またはその場で生成され得ることを理解されたい。

本明細書で定義される、「錯化剤」は、錯化剤、キレート剤、金属イオン封鎖剤、およびそれらの組み合わせであると、当業者により理解される化合物を含む。錯化剤は、本明細書に記載の組成物を使用して除去されるべき金属原子および／または金属イオンと化学的に結合するか、またはその金属原子および／または金属イオンを物理的に保持する。

本明細書で定義される、「アミン」種は、少なくとも１種類の第１級、第２級、または第３級アミン、アンモニア、および／または第４級水酸化アンモニウム化合物（例えば、水酸化アンモニウム、水酸化アルキルアンモニウム、水酸化アルキルアリールアンモニウム等）を含むが、カルボン酸基とアミン基のどちらも含む種が、この定義に従って「アミン」とみなされないことを条件とする。水酸化アルキルアンモニウム化合物は、一般式Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ＮＯＨ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は互いに同一または異なり、かつＣ_１−Ｃ_６アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルまたはヘキシル）である）を有する。水酸化アルキルアリールアンモニウム化合物は、一般式Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ＮＯＨ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は互いに同一または異なり、かつＣ_１−Ｃ_６アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルまたはヘキシル）および置換もしくは非置換Ｃ_６−Ｃ_１０アリール基（例えば、ベンジル）である）を有する。

以下により完全に記述されているように、多種多様な具体的な配合で組成物が具体化される。

組成物の具体的な成分が下限ゼロを含む重量パーセント範囲に関して述べられている、かかるすべての組成物において、かかる成分が、組成物の様々な特定の実施形態において存在すること、または存在しないこと、ならびにかかる成分が存在する場合には、かかる成分がその中で用いられる組成物の全重量に対して０．００１重量％と低い濃度で存在し得ることを理解されよう。

一般に、水性組成物は少なくとも１種類の錯化剤を含み、この組成物は、マイクロ電子デバイス表面から残渣および／または汚染物を除去するのに有用である。この組成物は好ましくは、有機溶媒、アミン種、および／またはフッ化物種を実質的に含有しない。

一態様において、少なくとも１種類の錯化剤、任意選択により少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択によりｐＨ緩衝剤、任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤、任意選択により少なくとも１種類の界面活性剤を含む組成物であって、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣を除去するのに有用な組成物が記述されている。他の態様において、少なくとも１種類の錯化剤、少なくとも１種類の界面活性剤、任意選択により少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択によりｐＨ緩衝剤、任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤を含む組成物が記述されている。さらに他の態様において、少なくとも１種類の錯化剤、少なくとも１種類の界面活性剤、少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択によりｐＨ緩衝剤、任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤を含む組成物が記述されている。この組成物は水を含み、かつ好ましくは、有機溶媒、アミン種、および／またはフッ化物種を実質的に含有しない。

この態様の広範な実施において、組成物は、（ｉ）少なくとも１種類の錯化剤；（ｉｉ）少なくとも１種類の錯化剤および少なくとも１種類の界面活性剤；または（ｉｉｉ）少なくとも１種類の錯化剤、少なくとも１種類の界面活性剤、および少なくとも１種類の腐食防止剤を含むか、（ｉ）（ｉｉ）または（ｉｉｉ）からなるか、あるいは（ｉ）（ｉｉ）または（ｉｉｉ）から本質的になり、この組成物は、有機溶媒、アミン種、および／またはフッ化物種を実質的に含有しない。各実施形態において、水は一成分であり得ることを理解されたい。さらに、各実施形態において、既に存在しない限り、組成物は、少なくとも１種類の腐食防止剤、ｐＨ緩衝剤、および少なくとも１種類の酸化防止剤を含み得る。一般に、互いに対する成分の具体的な割合および量は、過度に努力することなく、当業者によって容易に決定可能なように、残渣および／加工装置に対して組成物の所望の除去作用が得られるように適切に変更される。水は脱イオン水であることが好ましい。

錯化剤は好ましくは、プラズマアッシング後にメタルラインおよびバイア上に通常見られるアルミニウム含有残渣に対する高い親和性を有する。企図されるキレート剤としては、限定されないが、アミノカルボン酸、有機酸およびその誘導体、ホスホン酸およびその誘導体、ならびにそれらの組み合わせ、例えば：（エチレンジニトリロ）四酢酸（ＥＤＴＡ）、ブチレンジアミン四酢酸、（１，２−シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン）酸（ＥＤＴＭＰ）、トリエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＨＡ）、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＤＨＰＴＡ）、メチルイミノ二酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、１，５，９−トリアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＲＰ）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’−テトラキス（メチレンホスホン酸）（ＤＯＴＰ）、ニトリロトリス（メチレン）トリホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＴＡＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチルイデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンホスホン酸、１，４，７−トリアザシクロノナン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（メチレンホスホン酸（ＮＯＴＰ）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、糖酸、グリセリン酸、シュウ酸、フタル酸、マレイン酸、マンデル酸、マロン酸、乳酸、ｏ−、ｍ−、またはｐ−サリチル酸およびその誘導体、ジヒドロキシ安息香酸、５−スルホサリチル酸、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、カテコール、没食子酸、没食子酸プロピル、ピロガロール、８−ヒドロキシキノリン、システイン、およびそれらの組み合わせが挙げられる。錯化剤の例としては、限定されないが、リン酸、硝酸、硫酸、塩化水素酸、フッ化水素酸、塩化アルキルジメチルベンジルアンモニウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、フッ化アンモニウム、およびそれらの組み合わせが挙げられる。

アルミニウムイオンを錯化するための、水性システムにおいて有用な他の金属キレート剤としては、限定されないが、酢酸、ジヒドロキシサリチル酸、イミノ二酢酸、グリホスフェート（glyphosphate）、Ｎ−（ホスホノメチル）−イミノ二酢酸、ギ酸、プロパン酸、ブタン酸、硫酸塩イオン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−イミノ二酢酸、ピリジン−２，５−ジカルボン酸、ピリジン−２，６−ジカルボン酸、７−ヨード−８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸、２−アミノ−２−プロピルホスホン酸、１，２−ジヒドロキシベンゼン−４−スルホン酸、４，５−ジヒドロキシ−１，３−ベンゼン二スルホン酸（Ｔｉｒｏｎ）、ソロクロムバイオレットＲ（solochrome violet R）、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロモトロプ酸、ニトロ酢酸、オキシ二酢酸、チオ二酢酸、８−ヒドロキシ−７−（アリールアゾ）−キノリン−５−スルホン酸、２−オキソブタン酸、アセト酢酸、フェニルセリン、Ｌ−アスコルビン酸、スクエア酸、アセトヒドロキサム酸、３−ヒドロキシ−５，７−ジスルホ−２−ナフトエ酸、２，３−ジヒドロキシナフタレン−６−スルホン酸、スルホキシン、オキシン、コハク酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、２−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（１，１−ベンゾピラン）−３，５，７−トリオール、３−ヒドロキシ−７−スルホ−２−ナフトエ酸、１，２−ジヒドロキシナフタレン−４−スルホン酸、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）グリシン、Ｎ−（ホスホノメチル）−イミノ二酢酸、イミノビス（メチレンホスホン酸）、Ｄ−グルコン酸、酒石酸、１−オキソプロパン−１，２−ジカルボン酸、プロパン−１，２，３−トリカルボン、Ｎ，Ｎ，’Ｎ’’−トリス［２−（Ｎ−ヒドロキシカルバモイル）エチル］−１，３，５−ベンゼントリカルボキサミド（ＢＡＭＴＰＨ）、デスフェリフェリオキサミンＢ（desferriferrioxamine-B）、１，７−ジヒドロキシ−４−スルホ−２−ナフテン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、ピリドキサール−５−（二水素リン酸）、ピリドキサール、アミノ（フェニル）メチレン−二リン酸、エチレングリコール四酢酸（ＥＧＴＡ）、１，２シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣＤＴＡ）、エチレンビス（イミノ−（２−ヒドロキシフェニル）メチレン（メチル）−ホスホン酸））、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−エチレンジニトリロ−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−三酢酸、トリメチレンジニトリロ四酢酸、（２−ジヒドロキシトリメチレン）−ジニトリロ四酢酸、キシレノールオレンジ、メチルチモールブルー、３−ヒドロキシグルタミン酸、Ｌ−ホスホセリン、ＤＬ−アミノ−３−ホスホプロパン酸、およびそれらの組み合わせが挙げられる。これらのキレート剤を前述の錯化剤および／またはキレート剤と組み合わせて使用して、その少なくとも１種類の錯化剤を形成することができる。

好ましい錯化剤としては、ホスホン酸およびその誘導体、サリチル酸およびその誘導体、サリチル酸と実質的にほぼ同じアルミニウム錯化力（Ｋ＝１３）を有する他の試剤、ならびにそれらの組み合わせが挙げられる。最も好ましくは、錯化剤は、組成物の全重量に対して約０．５重量％以上の水への（錯化剤および水のみを含有する溶液中での）溶解性を有する。特に好ましい錯化剤としては、２，３−ヒドロキシ安息香酸、スルホサリチル酸、ＨＥＤＰ、およびそれらの組み合わせが挙げられる。

実例となる界面活性剤としては、限定されないが、両性塩、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、フルオロアルキル界面活性剤、非イオン性界面活性剤、双性イオン性界面活性剤、およびそれらの組み合わせ、例えば限定されないが、SURFONYL（登録商標）104、TRITON（登録商標）CF-21、ZONYL（登録商標）UR、ZONYL（登録商標）FSO-100、ZONYL（登録商標）FSN-100、3M Fluoradフッ素系界面活性剤（すなわち、FC-4430およびFC-4432）、PLURONIC（登録商標）F127（BASF）、PLURONIC（登録商標）25R2、PLURAFAC（登録商標）RA20、Sulfonic P1、PLURONIC（登録商標）17R2、PLURONIC（登録商標）17R4、TERGITOL（登録商標）Min Foam2x、ジオクチルスルホコハク酸塩、２，３−ジメルカプト−１−プロパンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム塩（ＤＤＢＳＡ）、ドデシルスルホン酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレンまたはポリプロピレングリコールエーテル、カルボン酸塩、Ｒ_１ベンゼンスルホン酸またはその塩（Ｒ_１は、直鎖または分枝鎖Ｃ_８−Ｃ_１８アルキル基である）、両親媒性フルオロポリマー、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレンまたはポリプロピレングリコールエーテル、カルボン酸塩、ポリアクリレートポリマー、ジノニルフェニルポリオキシエチレン、シリコーンまたは変性シリコーンポリマー、アセチレンジオールまたは変性アセチレンジオール、アルキルアンモニウムまたは変性アルキルアンモニウム塩、ならびに上述の界面活性剤のうちの少なくとも１種類を含む組み合わせ、DOWFAX 3B2、ドデシル硫酸ナトリウム、双性イオン性界面活性剤、エアロゾル−ＯＴ（ＡＯＴ）およびそのフッ化類似体、アルキルアンモニウム、パーフルオロポリエーテル界面活性剤、２−スルホコハク酸塩、リン酸エステル（例えば、BASF社から市販のKLEARFAC（商標）AA270およびKLEARFAC（商標）870などのKLEARFAC（登録商標）界面活性剤；Rhone-Poulenc社から市販のRHODAFAC（商標）P
C100、PO3およびRA600；Croda社から市販のCRODAFOS（商標）N-3、N-10、N2A、N3A、N5A、およびN10A）などのリン酸エステルベースの界面活性剤、硫黄ベースの界面活性剤、およびアセトアセテートベースのポリマーが挙げられる。好ましい実施形態において、界面活性剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸、さらに好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸が挙げられる。界面活性剤が本明細書に記載の組成物に含有される場合、消泡剤が、組成物の全重量に対して０〜５重量％の範囲で添加され得る。企図される消泡剤としては、限定されないが、脂肪酸、アルコール（１価または多価アルコール）およびアミン、例えばカプリル酸ジグリセリド、レシチン、炭酸マグネシウム、ポリエチレンホモポリマーおよび酸化ホモポリマーM3400、ジメトポリシロキサンベース、シリコーンベース、AGITAN（商標）、およびLUMITEN（商標）などの脂肪酸ポリエーテル型、油、およびそれらの組み合わせが挙げられる。好ましい界面活性剤としては、リン酸エステル、PLURONIC（登録商標）25R2、PLURAFAC（登録商標）RA20、Sulfonic P1、PLURONIC（登録商標）17R2、PLURONIC（登録商標）17R4、TERGITOL（登録商標）Min Foam2x、およびそれらの組み合わせが挙げられる。

本明細書に記載の洗浄組成物はさらに、限定されないが、アスコルビン酸、アデノシン、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、クエン酸、エチレンジアミン、没食子酸、シュウ酸、タンニン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、尿酸、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである）、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール（ＭＢＩ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオン、メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、リン酸トリトリル、イミダゾール、インジアゾール（indiazole）、安息香酸、ホウ酸、マロン酸、安息香酸アンモニウム、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、ヒドロキノン、シアヌル酸、バルビツール酸および１，２−ジメチルバルビツール酸などの誘導体、ピルビン酸などのαケト酸、アデニン、プリン、ホスホン酸およびそれらの誘導体、グリシン／アスコルビン酸、Dequest 2000、Dequest 7000、ｐ−トリルチオ尿素、コハク酸、およびそれらの組み合わせなどの腐食防止剤を含み得る。例えば、洗浄組成物はホウ酸を含み得る。

企図される酸化防止剤としては、限定されないが、アスコルビン酸；アデノシン、Ｌ（＋）−アスコルビン酸；イソアスコルビン酸；アスコルビン酸誘導体；シアヌル酸；バルビツール酸および１，２−ジメチルバルビツール酸などの誘導体；グルカル酸；スクエア酸；ピルビン酸などのα−ケト酸；アデノシンおよびその誘導体；アデニン；プリン；ホスホン酸およびその誘導体；フェナントロリン／アスコルビン酸；グリシン／アスコルビン酸；ニコチンアミドおよびアスコルビン酸ニコチンアミドなどのその誘導体；フラボノールなどのフラボノイド、アントシアニンおよびその誘導体；フラボノール／アントシアニン；およびそれらの組み合わせが挙げられる。

ｐＨ緩衝剤としては、限定されないが、水酸化物、フタル酸水素塩、酢酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩、カルバミン酸塩、クエン酸塩、メチルジエタノールアミン（ＭＤＥＡ）、ＨＣｌ、リン酸、サリチル酸、ホウ酸、スルホサリチル酸、ＨＥＤＰ、スルファミン酸、水酸化コリン、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、アセチルアセトン、およびそれらの組み合わせが挙げられる。

本明細書に記載の組成物は、範囲約１〜約８、好ましくは約１〜約６、最も好ましくは約１〜約４のｐＨを有する。組成物の粘度は、５ｃＳｔ未満である。特に好ましい実施形態において、組成物は、組成物の全重量に対して水を少なくとも６５重量％含有する。有利な組成物は最初に、有機溶媒、フッ化物、アミン、研磨材、エーテル結合を有する化合物、Ｈ_２Ｏ_２などの酸化剤、有機ポリマー粒子、２つ以上の隣接脂肪族炭素原子のそれぞれがヒドロキシル基を有する構造を有する化合物、およびそれらの組み合わせを実質的に含有しない。本明細書で定義される、「最初に含有しない」とは、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスとまだ接触していない組成物に相当する。

一実施形態において、組成物は、組成物の全重量に対して、少なくとも１種類の錯化剤約０．０１〜約４０重量％、平衡水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。他の実施形態において、組成物は、組成物の全重量に対して、少なくとも１種類の錯化剤約０．０１〜約４０重量％、少なくとも１種類の界面活性剤約０．０１〜約２５重量％、平衡水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。好ましくは、組成物は、組成物の全重量に対して、少なくとも１種類の錯化剤約１０〜約２０重量％、少なくとも１種類の界面活性剤約１〜約８重量％、平衡水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。各実施形態において、組成物は、有機溶媒、アミン種、および／またはフッ化物種を実質的に含有しない。

種々の好ましい実施形態において、組成物は、以下の配合Ａ〜ＡＺおよびＢ１〜Ｂ４７で配合され、そのリン酸エステルはKLEARFAC（商標）ＡＡ２７０であってもよく、かつすべてのパーセンテージは、配合物の全重量に対する重量による：
配合物Ａ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；水 ９０重量％
配合物Ｂ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；リン酸エステル ５重量％；水 ９０重量％
配合物Ｃ：リン酸エステル ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；水 ９０重量％
配合物Ｄ：リン酸エステル ２重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；水 ９５重量％
配合物Ｅ：リン酸エステル １０重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；水 ８７重量％
配合物Ｆ：リン酸エステル ２重量％；ＨＥＤＰ １２重量％；水 ８６重量％
配合物Ｇ：リン酸エステル １０重量％；ＨＥＤＰ １２重量％；水 ７８重量％
配合物Ｈ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；リン酸エステル ２重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；水 ８７重量％
配合物Ｉ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；リン酸エステル １０重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；水 ７９重量％
配合物Ｊ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；リン酸エステル ２重量％；ＨＥＤＰ １２重量％；水 ７８重量％
配合物Ｋ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；リン酸エステル １０重量％；ＨＥＤＰ １２重量％；水 ７０重量％
配合物Ｌ：５−スルホサリチル酸 ４重量％；リン酸エステル ６重量％；ＨＥＤＰ ７．５重量％；水 ８２．５重量％
配合物Ｍ：リン酸エステル ６重量％；ＨＥＤＰ ７．５重量％；水 ８６．５重量％
配合物Ｎ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；リン酸エステル ６重量％；ＨＥＤＰ ７．５重量％；水 ７８．５重量％
配合物Ｏ：５−スルホサリチル酸 ４重量％；リン酸エステル ６重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；水 ８７重量％
配合物Ｐ：５−スルホサリチル酸４重量％；リン酸エステル６重量％；ＨＥＤＰ１２重量％；水７８重量％
配合物Ｑ：５−スルホサリチル酸 ４重量％；リン酸エステル ２重量％；ＨＥＤＰ ７．５重量％；水 ８６．５重量％
配合物Ｒ：５−スルホサリチル酸 ４重量％；リン酸エステル １０重量％；ＨＥＤＰ ７．５重量％；水 ７８．５重量％
配合物Ｓ：５−スルホサリチル酸３重量 ％；ホウ酸 ０．２重量％；水 ９６．８重量％；ｐＨ０〜１
配合物Ｔ：５−スルホサリチル酸 ３重量％；ホウ酸 ０．２重量％；サリチル酸 ０．２重量％；水 ９６．６重量％；ｐＨ０〜１
配合物Ｕ：サリチル酸 ２重量％；リン酸エステル ８重量％；PLURONIC（登録商標）F127 ５重量％；水 ８５重量％
配合物Ｖ：５−スルホサリチル酸 ３重量％；Dequest 2016D（固形）３．６重量％；水 ９３．４重量％；ｐＨ約３．２
配合物Ｗ：ＨＥＤＰ ５重量％；Dequest 2016D(固形)４．３重量％；水 ９０．７重量％；ｐＨ約３．３
配合物Ｘ：５−スルホサリチル酸 ３重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；Dequest 2016D（固形）８重量％；水 ８４重量％；ｐＨ約３．４
配合物Ｙ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．４重量％；水 ８９．６重量％
配合物Ｚ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；アスコルビン酸 ０．４重量％；水 ８９．６重量％
配合物ＡＡ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；リン酸エステル ５重量％；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．４重量％；水 ８９．６重量％
配合物ＡＢ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．４重量％；リン酸エステル ２重量％；水８７．６重量％
配合物ＡＣ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．８重量％；水 ８９．２重量％
配合物ＡＤ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；リン酸エステル ５重量％；アスコルビン酸 ０．８重量％；水 ８９．２重量％
配合物ＡＥ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；リン酸エステル ５重量％；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．８重量％；水 ８９．２重量％
配合物ＡＦ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．８重量％；リン酸エステル ２重量％；水 ８６．２重量％
配合物ＡＧ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；アスコルビン酸 ０．２重量％；水 ８９．８重量％
配合物ＡＨ：ＨＥＤＰ ５重量％；５−スルホサリチル酸 ５重量％，水酸化コリン １重量％未満；水 約９０重量％；ｐＨ３
配合物ＡＩ：ＨＥＤＰ ５重量％；５−スルホサリチル酸 ５重量％，水酸化コリン ７重量％未満；水 約８３重量％，ｐＨ＝７．５
配合物ＡＪ：ＨＥＤＰ ５重量％；５−スルホサリチル酸 ５重量％，水酸化コリン約２．２重量％；水 ９０重量％未満；ｐＨ２
配合物ＡＫ：ＨＥＤＰ ５重量％；５−スルホサリチル酸 ５重量％；アスコルビン酸 ０．２重量％；水酸化コリン 約２重量％；水 ９０重量％未満；ｐＨ２
配合物ＡＬ：ＨＥＤＰ ５重量％；５−スルホサリチル酸 ５重量％，モノエタノールアミン 約１．６重量％；水 ９０重量％未満；ｐＨ３
配合物ＡＭ：ＨＥＤＰ ５重量％；５−スルホサリチル酸 ５重量％，モノエタノールアミン 約０．１重量％；水 ９０重量％未満；ｐＨ２
配合物ＡＮ：ＨＥＤＰ ５重量％；５−スルホサリチル酸 ５重量％，モノエタノールアミン 約２重量％；水 ９０重量％未満；ｐＨ４
配合物ＡＯ：ＨＥＤＰ ３重量％；５−スルホサリチル酸 ８重量％，リン酸エステル ２重量％；水 ８７重量％未満
配合物ＡＰ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；アスコルビン酸 ０．８重量％；リン酸エステル ２重量％；水 ８６．２重量％
配合物ＡＱ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；アスコルビン酸 １．２重量％；リン酸エステル ２重量％；水 ８５．８重量％
配合物ＡＲ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；アスコルビン酸 １．２重量％；水 ８．８重量％
配合物ＡＳ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；アスコルビン酸 ０．８重量％；水 ８９．２重量％
配合物ＡＴ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；リン酸エステル ２重量％；アセチルアセトン ５重量％；水 ８２重量％
配合物ＡＵ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；リン酸エステル ２重量％；ＭＥＡ ２．５重量％；水８４．５重量％；ｐＨ＝３．１７
配合物ＡＶ：５−スルホサリチル酸 ５重量％；ＨＥＤＰ ５重量％；ＭＥＡ ２．４重量％；水 ８７．６重量％；ｐＨ＝３．３４
配合物ＡＷ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；リン酸エステル ２重量％；ＨＣｌ ０．１重量％；水 ８６．９重量％
配合物ＡＸ：５−スルホサリチル酸 ８重量％；ＨＥＤＰ ３重量％；リン酸エステル ２重量％；ＨＣｌ １重量％；水 ８６重量％
配合物ＡＹ：スルホサリチル酸 ４％；モノエタノールアミン（ＭＥＡ）９６％；ｐＨ＝９
配合物ＡＺ：スルホサリチル酸 ３％；モノエタノールアミン（ＭＥＡ）９７％；ｐＨ＝１０．５

組成物の成分の重量％比の範囲は、界面活性剤に対して錯化剤約０．１〜約１５、好ましくは約１〜約１０、最も好ましくは約２〜約７である。

他の実施形態において、前述の組成物は、エッチング後残渣、アッシング後残渣、ＣＭＰ後残渣、ウェットエッチング残渣、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される残渣物質をさらに含む。例えば、組成物は、少なくとも１種類の錯化剤および残渣物質を含み得る。他の実施形態において、組成物は、少なくとも１種類の錯化剤、少なくとも１種類の界面活性剤、および残渣物質を含み得る。残渣物質は、本明細書に記載の除去組成物に溶解および／または懸濁され得る。

さらに他の実施形態において、組成物は、５−スルホサリチル酸、ホウ酸、および組成物の全重量に対して約９５重量％を超える水、さらに好ましくは約９６重量％を超える水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。この実施形態は、有機溶媒、アミン種、および／またはフッ化物種を実質的に含有しない。

特に好ましい実施形態において、組成物は、５−スルホサリチル酸（ＳＳＡ）、ＨＥＤＰ、リン酸エステル、および水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になり、その組成物は、残渣物質の除去に有用であり、かつ有機溶媒、アミン種、および／またはフッ化物種を実質的に含有しない。組成物は、範囲約３〜約４のｐＨを有する。ＳＳＡとリン酸エステルの重量％比は、約０．１：１〜約１０：１、好ましくは約０．５：１〜約８：１、最も好ましくは約１：１〜約５：１の範囲にある。ＳＳＡとＨＥＤＰの重量％比は、約０．０１：１〜約１０：１、好ましくは約０．１：１〜約８：１、最も好ましくは約０．３：１〜約２：１の範囲にある。

他の好ましい実施形態において、組成物は、ＤＭＳＯ、５−スルホサリチル酸（ＳＳＡ）および水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になり、その組成物は残渣物質の除去に有用である。ＤＭＳＯとＳＳＡの重量％比は、約１：１〜約５０：１、好ましくは約５：１〜約２５：１の範囲にある。さらに他の好ましい実施形態において、組成物は、ＤＭＳＯ、５−スルホサリチル酸（ＳＳＡ）、アスコルビン酸、および水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になり、その組成物は残渣物質の除去に有用である。ＤＭＳＯとＳＳＡの重量％比は、約１：１〜約１０：１、好ましくは約３：１〜約７：１の範囲にあり、ＤＭＳＯとアスコルビン酸の重量％比は、約１５：１〜約４０：１、好ましくは約２０：１〜約３２：１の範囲にある。さらに他の好ましい実施形態において、組成物は、ＤＭＳＯ、５−スルホサリチル酸、ＢＴＡおよび水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になり、その組成物は残渣物質の除去に有用である。ＤＭＳＯとＳＳＡの重量％比は、約１：１〜約１０：１、好ましくは約３：１〜約７：１の範囲にあり、ＤＭＳＯとＢＴＡの重量％比は、約２０：１〜約３００：１、好ましくは約５０：１〜約２５０：１の範囲にある。さらに他の好ましい実施形態は、ＤＭＳＯ、５−スルホサリチル酸、リン酸エステル、および水を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる組成物であって、残渣物質の除去に有用である組成物に関する。

他の態様において、除去組成物は、残渣、汚染物および／またはポリマー材料、例えば、フォトレジストを除去するように配合される。この態様の除去組成物は広くは、少なくとも１種類の錯化剤および少なくとも１種類の溶媒を含み、この除去組成物は、残渣、汚染物、ポリマー材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される物質を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスから除去するのに有用である。好ましくは、この態様の除去組成物は、少なくとも１種類の錯化剤、少なくとも１種類の溶媒、および少なくとも１種類の界面活性剤を含むか、それらからなるか、またはそれらから本質的になる。組成物中の溶媒の量が増加するにしたがって、ポリマー材料および／または汚染物を除去する有効性が高まり、残渣物質を除去する有効性が低下することは理解されよう。この態様の各実施形態はさらに、緩衝剤、少なくとも１種類の腐食防止剤、少なくとも１種類の酸化防止剤、およびそれらの組み合わせを含み得る。フォトレジストを除去するように組成物が配合される場合、その配合物は、少なくとも１種類の有機溶媒および／または少なくとも１種類のアミン含有溶媒を含み得る。

この態様の組成物に添加され得る有機溶媒としては、限定されないが、アルコール、エーテル、ピロリジノン、グリコール、カルボン酸、グリコールエーテル、アミン、ケトン、エステル、アルデヒド、アルカン、アルケン、アルキン、およびアミド、さらに好ましくはアルコール、エーテル、ピロリジノン、グリコール、カルボン酸、およびグリコールエーテル、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、および高級アルコール（ジオール、トリオール等）、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−パーフルオロ−１−ノナノール、パーフルオロヘプタン酸、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロ−１−ヘプタノール、パーフルオロペンタン酸、１Ｈ，１Ｈ，８Ｈ，８Ｈ−ドデカフルオロ−１，８−オクタンジオール、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１，６−ヘキサンジオール、二塩基酸エステル、５Ｈ−パーフルオロペンタン酸、ｎ−ブチルヘプタフルオロブチレート、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、シクロヘキシルピロリジノン、Ｎ−オクチルピロリジノン、Ｎ−フェニルピロリジノン、モノエタノールアミン、ギ酸メチル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、テトラメチレンスルホン（スルホラン）、ジエチルエーテル、フェノキシ−２−プロパノール（ＰＰｈ）、プロプリオフェノン（propriophenone）、乳酸エチル、酢酸エチル、安息香酸エチル、アセトニトリル、アセトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジオキサン、ブチリルラクトン、炭酸ブチレン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸グリセリン、ジプロピレングリコール、両親媒性種（ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（すなわち、ブチルカルビトール）、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、トリプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、およびそれらの組み合わせ）、分岐状フッ素化または非フッ素化エーテル結合カルボン酸（（ＣＨ_３ＣＨ_２）_ｎＯ（ＣＨ_２）_ｍＣＯＯＨ（ｎ＝１〜１０であり、ｍ＝１〜１０である））、非分岐状フッ素化または非フッ素化エーテル結合カルボン酸（（ＣＨ_３ＣＨ_２）_ｎＯ（ＣＨ_２）_ｍＣＯＯＨ（ｎ＝１〜１０であり、ｍ＝１〜１０である））、分岐状フッ素化または非フッ素化非エーテル結合カルボン酸（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_ｎＣＯＯＨ（ｎ＝１〜１０である））、非分岐状フッ素化または非フッ素化非エーテル結合カルボン酸（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_ｎＣＯＯＨ（ｎ＝１〜１０である））、ジカルボン酸、トリカルボン、およびそれらの組み合わせが挙げられる。その代わりとして、あるいはそれに加えて、溶媒は、式ＮＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＯＨ（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、互いに同じまたは異なり、かつ水素、直鎖もしくは分枝鎖Ｃ_１−Ｃ_６アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、およびヘキシル）、および置換もしくは非置換Ｃ_６−Ｃ_１０アリール、例えばベンジルからなる群から選択される）を有する第４級水酸化アンモニウムなどの少なくとも１種類の第４級塩基を含み得る。好ましくは、溶媒は、ＤＭＳＯ、乳酸エチル、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン、二塩基酸エステル、炭酸グリセリン、テトラヒドロフルフリルアルコール、およびそれらの組み合わせを含む。

本明細書に記載の組成物は、マイクロ電子デバイス上の低ｋ誘電材料および金属含有材料と適合性がある。さらに、この組成物は、水溶性、非腐食性、不燃性であり、かつ環境に対する毒性が低い。当技術分野のアミン含有洗浄剤と比べて著しく進歩している本明細書に記載の組成物は、粘度を下げると、単一ウエハ（ならびにバッチ式ウエハ）器具セットにおいて使用することができる。

成分の重量％比の範囲は、すべての可能な、濃縮または希釈された組成物の実施形態を包含する。その目的に向かって、一実施形態において、希釈組成物として使用するために希釈することができる濃縮組成物が提供される。濃縮組成物または「濃縮物」によって有利なことに、使用者、例えばプロセスエンジニアは、使用時点で濃縮物を所望の濃度およびｐＨに希釈することができる。濃縮組成物の希釈度は、約１：１〜約２５００：１、好ましくは約５：１〜約２００：１の範囲であり、組成物は、溶媒、例えば脱イオン水で器具にて、または器具直前で希釈される。本明細書に開示される成分の重量％比の範囲が変わらないことは当業者によって理解されよう。

本明細書に記載の組成物は、限定されないが、エッチング後残渣除去、アッシング後残渣除去表面処理、めっき後洗浄および／またはＣＭＰ後残渣除去などの用途での有用性を有する。

本明細書に記載の組成物は、各成分を単に添加し、均一な状態になるまで混合することによって、容易に配合される。さらに、単一包装配合物または使用時点でまたは使用前に混合される多成分配合物として容易に配合することができ、例えば、多成分配合物の個々の成分は、器具にて、または器具上流の貯蔵タンク内で混合することができる。各成分の濃度は、特定の多数の組成物において、すなわち、より希釈される場合またはより濃縮される場合に、大幅に異なり、本明細書に記載の組成物は様々に、かつ代わりに、本明細書の開示内容と一致する成分のいずれかの組み合わせを含む、からなる、または本質的にからなることを理解されたい。

したがって、他の態様は、本明細書に記載の組成物を形成するように適応された１種または複数種の成分を１つまたは複数の容器内に含むキットに関する。そのキットは、工場または使用時点で更なる溶媒、例えば水と合わせられる、少なくとも１種類の錯化剤と、少なくとも１種類の界面活性剤、少なくとも１種類の腐食防止剤、ｐＨ緩衝剤、少なくとも１種類の酸化防止剤、水、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される任意の少なくとも１種類の更なる成分と、を１つまたは複数の容器内に含み得る。代わりとして、キットは、工場または使用時点で更なる溶媒、例えば水と合わせられる、少なくとも１種類の錯化剤と、少なくとも１種類の界面活性剤と、少なくとも１種類の腐食防止剤、ｐＨ緩衝剤、少なくとも１種類の酸化防止剤、水、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される任意の少なくとも１種類の更なる成分と、を１つまたは複数の容器内に含み得る。

キットの容器は、それに含まれる成分を保管および分配するために化学的に評価すべきである。例えば、キットの容器は、NOWPak（登録商標）（Advanced Technology Materials, Inc., Danbury, Conn., USA）であることができる。除去組成物の成分を含有する１つまたは複数の容器は好ましくは、ブレンドおよび分配のために、前記の１つまたは複数の容器内の成分を流体伝達する手段を含む。例えば、NOWPak（登録商標）容器については、ガス圧力を前記の１つまたは複数の容器のライナーの外側にかけて、ライナーの内容物の少なくとも一部を放出させることができ、したがって、ブレンドおよび配合のための流体伝達が可能となる。その代わりに、従来の加圧可能な容器のヘッドスペースにガス圧力をかけるか、あるいはポンプを使用して、液体伝達することができる。さらに、このシステムは好ましくは、ブレンドされた除去組成物を加工器具に分配するための分配口を含む。

実質的に化学的に不活性な、不純物を含有しない、可撓性かつ弾性のポリマー膜材料、例えば高密度ポリエチレンが、前記の１つまたは複数の容器のライナーを製造するために使用されることが好ましい。望ましいライナー材料は、同時押出し成形またはバリア層を必要とすることなく、かつライナーに配置される成分の純度条件に悪影響を及ぼし得る顔料、紫外線防止剤または加工剤を使用することなく加工される。望ましいライナー材料の一覧としては、バージン（添加剤非含有）ポリエチレン、バージンポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリブチレン等を含む膜が挙げられる。かかるライナー材料の好ましい厚さは、約５ミル（０．００５インチ）〜約３０ミル（０．０３０インチ）の範囲であり、例えば厚さ２０ミル（０．０２０インチ）である。

キットの容器に関しては、以下の特許および特許出願：「APPARATUS AND METHOD FOR MINIMIZING THE GENERATION OF PARTICLES IN ULTRAPURE LIQUIDS」というタイトルの米国特許第７，１８８，６４４号；「RETURNABLE AND REUSABLE, BAG-IN-DRUM FLUID STORAGE AND DISPENSING CONTAINER SYSTEM」というタイトルの米国特許第６，６９８，６１９号およびJohn E.Q. Hughesの名において２００７年５月９日に出願された「SYSTEMS AND METHODS FOR MATERIAL BLENDING AND DISTRIBUTION」というタイトルの米国特許出願第６０／９１６，９６６号；の開示内容それぞれの全体が、参照により本明細書に組み込まれる。

超小型回路製造作業に適用した場合、本明細書に記載の組成物は、マイクロ電子デバイス表面から残渣を洗浄するために有用に用いられる。好ましくは、組成物は、低ｋ誘電材料に損傷を与えない、またはデバイス表面上での金属配線を腐食しない。好ましくは、組成物は、残渣除去前にデバイス上に存在する残渣の少なくとも８５％を除去し、さらに好ましくは少なくとも９０％、またさらに好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％を除去する。

残渣洗浄用途において、メガソニックおよびブラシスクラビング、限定されないが、Verteq single wafer megasonic Goldfinger、OnTrak systems DDS（両面スクラバー）、ＳＥＺ単一ウエハ噴霧リンス（SEZ single wafer spray rinse）、Applied Materials社のMirra-Mesa（商標）／Reflexion（商標）／Reflexion LK(商標）、およびメガソニックバッチ式ウェットベンチシステム（Megasonic batch wet bench systems)などの多種多様な従来の洗浄器具と併せて、組成物を使用することができる。

残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣を除去するための、本明細書に記載の組成物の使用において、組成物を一般に、約５秒〜約２０分、好ましくは約１分〜１０分の時間、範囲約２０〜約５０℃の温度にてデバイスと接触させる。かかる接触時間および温度は説明的なものであり、デバイスから少なくとも一部残渣を洗浄するのに有効な、他の適切な時間および温度条件を用いることができる。「少なくとも一部洗浄」および「実質的な除去」はどちらも、残渣の除去前にデバイス上に存在する残渣の少なくとも８５％、さらに好ましくは少なくとも９０％、またさらに好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％の除去に相当する。

所望の洗浄作用が達成された後に、本明細書に記載の組成物の所定の最終用途で望まれるように、かつ有効であるように、既に組成物が適用されているデバイスから、それを容易に除去することができる。好ましくは、すすぎ溶液は脱イオン水を含む。その後、窒素または脱水サイクルを用いて、デバイスを乾燥させる。

さらに他の態様は、本明細書に記載の方法に従って製造された、改善されたマイクロ電子デバイス、およびかかるマイクロ電子デバイスを含む製品に関する。

他の態様は、再循環組成物に関し、当業者によって容易に決定される、組成物が収容することができる最大量に残渣および／または汚染物充填が達するまで、組成物が再循環される。

さらに他の態様は、本明細書に記載の組成物を使用して、マイクロ電子デバイスを含む物品を製造する方法であって、残渣および汚染物を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣および汚染物を洗浄するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを組成物と接触させることと、前記マイクロ電子デバイスを前記物品に組み込むことと、を含む方法に関する。

その特徴および利点は、以下に記述される説明のための実施例によって、より完全に示される。

実施例１
ブランケットＴｉＮ、ＴＥＯＳ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、ＳｉＮ、ＴｉおよびＷウエハを２５℃、３５℃、４５℃または５５℃にて３０分間、配合物Ｈに浸漬し、各材料のエッチング速度を決定した。報告される温度および時間での静的浸漬前および後に、ウエハの厚さを測定することによって、４ポイントプローブを使用して、ＡｌＣｕ、Ｗ、ＴｉＮ、ＴｉおよびＣｕのエッチング速度を決定した。報告される温度および時間での静的浸漬前および後に、ウエハの厚さを測定することによって、Nanospecを使用して、ＳｉＮおよびＴＥＯＳのエッチング速度を決定した。この結果を以下の表１に示す。

試験されたいずれの材料のエッチング速度も温度３５℃以下で非常に低いことが分かる。注目すべきことには、残渣を上に有するパターンウエハ（ＴＥＯＳ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ（Ｃｕ０．５％）およびＴｉＮなど）を２５℃にて配合物ＨおよびＮに１０分間浸漬し、走査型電子顕微鏡法を使用して確認されるように、残渣物質は実質的に除去された。有利なことには、本明細書に記載の配合物は、存在する金属およびケイ素含有材料に損傷を与えることなく低温にて残渣を実質的に除去し、言い換えれば、当技術分野におけるＨＤＡ含有組成物と比べて低熱収支であり、加工費用が低いということになる。さらに、配合物は、フッ化物イオンを実質的に含有せず、当技術分野で既に使用されている石英製器具セットにおいてそのままで使用することができる。

実施例２
ブランケットＴｉＮ、ＴＥＯＳ、ＡｌＣｕ、および／またはＣｕウエハを４０℃にて３０分間、配合物ＡＤ、Ｂ３〜Ｂ１０およびＡＯに浸漬し、各材料のエッチング速度を決定した。報告される温度および時間での静的浸漬前および後に、ウエハの厚さを測定することによって、４ポイントプローブを使用して、ＡｌＣｕ、ＴｉＮ、およびＣｕのエッチング速度を決定した。報告される温度および時間での静的浸漬前および後に、ウエハの厚さを測定することによって、Nanospecを使用して、ＴＥＯＳのエッチング速度を決定した。この結果を以下の表２に示す。

説明的な実施形態および特徴を参照して、本発明は本明細書に様々に開示されているが、上述の実施形態および特徴は、本明細書を限定することを意図するものではなく、かつ他の変形形態、修正形態および実施形態が、本明細書の開示内容に基づいて当業者に提案されることを理解されたい。したがって、本発明は、以下の特許請求の範囲の精神および範囲内のかかるすべての変形形態、修正形態および代替の実施形態を包含するものと広く解釈されるべきである。

Claims (29)

1. 少なくとも１種類の錯化剤を含む除去組成物であって、アミンおよびフッ化物種を実質的に含有せず、かつ残渣物質を上に有するマイクロ電子デバイスから残渣物質を除去するのに有用である、除去組成物。
2. 前記少なくとも１種類の錯化剤が、アミノカルボン酸、有機酸およびその誘導体、ホスホン酸およびその誘導体、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の除去組成物。
3. 前記少なくとも１種類の錯化剤が、（エチレンジニトリロ）四酢酸、ブチレンジアミン四酢酸、（１，２−シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、メチルイミノ二酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、１，５，９−トリアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（メチレンホスホン酸）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’−テトラキス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレン）トリホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンホスホン酸、１，４，７−トリアザシクロノナン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（メチレンホスホン酸）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、ニトリロ三酢酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、糖酸、グリセリン酸、シュウ酸、フタル酸、マレイン酸、マンデル酸、マロン酸、乳酸、ｏ−、ｍ−、またはｐ−サリチル酸、ジヒドロキシ安息香酸、５−スルホサリチル酸、カテコール、没食子酸、没食子酸プロピル、ピロガロール、８−ヒドロキシキノリン、システイン、リン酸、硝酸、硫酸、塩化水素酸、フッ化水素酸、塩化アルキルジメチルベンジルアンモニウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、フッ化アンモニウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の除去組成物。
4. 前記少なくとも１種類の錯化剤が、５−スルホサリチル酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項１に記載の除去組成物。
5. 少なくとも１種類の界面活性剤をさらに含む、請求項１に記載の除去組成物。
6. 前記少なくとも１種類の界面活性剤が、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、双性イオン性界面活性剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項５に記載の除去組成物。
7. 前記少なくとも１種類の界面活性剤が、アニオン性である、請求項５に記載の除去組成物。
8. 前記少なくとも１種類の界面活性剤が、アニオン性リン酸エステル界面活性剤を含む、請求項５に記載の除去組成物。
9. 水をさらに含む、請求項１に記載の除去組成物。
10. 少なくとも１種類の腐食防止剤、少なくとも１種類の緩衝剤、少なくとも１種類の酸化防止剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、少なくとも１種類の更なる成分をさらに含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の除去組成物。
11. 約１〜約６の範囲のｐＨを有する、請求項１に記載の除去組成物。
12. 前記組成物が最初に、有機溶媒、研磨材、エーテル結合を有する化合物、酸化剤、有機ポリマー粒子、２つ以上の隣接脂肪族炭素原子のそれぞれがヒドロキシル基を有する構造を有する化合物、およびそれらの組み合わせを実質的に含有しない、請求項１に記載の除去組成物。
13. サリチル酸誘導体およびホスホン酸誘導体を含む、請求項１に記載の除去組成物。
14. ５−スルホサリチル酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、およびリン酸エステルを含む、請求項１に記載の除去組成物。
15. ジメチルスルホキシド、５−スルホサリチル酸、アスコルビン酸、および水を含む、請求項１に記載の除去組成物。
16. ジメチルスルホキシド、５−スルホサリチル酸、および水を含む、請求項１に記載の除去組成物。
17. ジメチルスルホキシド、５−スルホサリチル酸、ベンゾトリアゾール、および水を含む、請求項１に記載の除去組成物。
18. エッチング後残渣、アッシング後残渣、ＣＭＰ後残渣、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される残渣物質をさらに含む、請求項１から９または１１から１７のいずれか１項に記載の除去組成物。
19. １つまたは複数の容器内に、除去組成物を形成するための以下の試薬のうちの１種または複数種を含むキットであって、前記の１種または複数種の試薬が、少なくとも錯化剤、任意選択により少なくとも１種類の界面活性剤、任意選択により少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択により少なくとも１種類の緩衝剤、および任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤からなる群から選択され、かつ前記キットが、残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去するのに適した除去組成物を形成するように適応される、キット。
20. 残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去する方法であって、前記マイクロ電子デバイスから前記残渣を少なくとも一部除去するのに十分な時間、水性除去組成物と前記マイクロ電子デバイスを接触させることを含み、前記除去組成物が、少なくとも１種類の錯化剤、任意選択により少なくとも１種類の界面活性剤、任意選択により少なくとも１種類の腐食防止剤、任意選択により少なくとも１種類の緩衝剤、および任意選択により少なくとも１種類の酸化防止剤を含む、方法。
21. 前記除去組成物が、少なくとも１種類の界面活性剤を含む、請求項２０に記載の方法。
22. 前記少なくとも１種類の錯化剤が、アミノカルボン酸、有機酸およびその誘導体、ホスホン酸およびその誘導体、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項２０に記載の方法。
23. 前記少なくとも１種類の錯化剤が、（エチレンジニトリロ）四酢酸、ブチレンジアミン四酢酸、（１，２−シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、メチルイミノ二酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、１，５，９−トリアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（メチレンホスホン酸）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’−テトラキス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレン）トリホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンホスホン酸、１，４，７−トリアザシクロノナン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（メチレンホスホン酸）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、ニトリロ三酢酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、糖酸、グリセリン酸、シュウ酸、フタル酸、マレイン酸、マンデル酸、マロン酸、乳酸、ｏ−、ｍ−、またはｐ−サリチル酸、ジヒドロキシ安息香酸、５−スルホサリチル酸、カテコール、没食子酸、没食子酸プロピル、ピロガロール、８−ヒドロキシキノリン、システイン、リン酸、硝酸、硫酸、塩化水素酸、フッ化水素酸、塩化アルキルジメチルベンジルアンモニウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、フッ化アンモニウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項２０に記載の方法。
24. 前記接触が、約１〜約１０分の時間；約２０〜約５０℃の範囲の温度；およびそれらの組み合わせ；からなる群から選択される条件を含む、請求項２０に記載の方法。
25. 前記マイクロ電子デバイスが、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリーデバイス、太陽電池板および光起電性材料、および微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）からなる群から選択される物品である、請求項２０から２４のいずれか１項に記載の方法。
26. 前記接触が、前記マイクロ電子デバイスの表面に前記組成物を吹付けること；十分な量の組成物に前記マイクロ電子デバイスを浸すこと；前記組成物で飽和された他の材料と前記マイクロ電子デバイスの表面を接触させること；および循環組成物と前記マイクロ電子デバイスを接触させること；からなる群から選択される工程を含む、請求項２０に記載の方法。
27. 前記組成物との接触後に、前記マイクロ電子デバイスを脱イオン水ですすぐことをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
28. 前記組成物が、エッチング後残渣、アッシング後残渣、ＣＭＰ後残渣、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される残渣物質をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
29. 前記組成物が最初に、有機溶媒、フッ化物種、アミン種、研磨材、エーテル結合を有する化合物、酸化剤、有機ポリマー粒子、２つ以上の隣接脂肪族炭素原子のそれぞれがヒドロキシル基を有する構造を有する化合物、およびそれらの組み合わせを実質的に含有しない、請求項２０に記載の方法。