TW202041665A - 鈰化合物去除用洗淨液、洗淨方法及半導體晶圓之製造方法 - Google Patents

鈰化合物去除用洗淨液、洗淨方法及半導體晶圓之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種鈰化合物去除用洗淨液、洗淨方法及半導體晶圓之製造方法。本發明之目的在於提供一種鈰化合物之去除性優異之洗淨液。本發明之鈰化合物去除用洗淨液包含配位數為7以上之胺基聚羧酸化合物。

Description

鈰化合物去除用洗淨液、洗淨方法及半導體晶圓之製造方法
本發明係關於一種鈰化合物去除用洗淨液、洗淨方法及半導體晶圓之製造方法。
半導體晶圓係藉由如下方式製造：於矽基板上形成成為佈線之金屬膜或層間絕緣膜之堆積層後，藉由使用包含含有研磨微粒子之水系漿料之研磨劑之化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing。以下有時略稱為「CMP」)步驟進行表面之平坦化處理，於變得平坦之面之上堆積新的層。半導體晶圓之微細加工對於各層而言需要精度較高之平坦性，利用CMP之平坦化處理之重要性非常高。
於半導體裝置製造步驟中，為了將電晶體等元件進行電性分離，使用適用於更微細化之利用STI(Shallow Trench Isolation，淺槽隔離)之元件分離構造代替先前之LOCOS(Local Oxidation of Silicon，矽局部氧化)。又，於佈線層之間使用ILD(Inter Layer Dielectric，層間介電)。STI及ILD係藉由以TEOS(Tetraethyl Orthosi Licate，正矽酸四乙酯)等作為原料而制膜二氧化矽，並利用CMP步驟進行平坦化而製作。
於CMP步驟後之半導體晶圓之表面大量地存在CMP步驟中所使用之研磨劑之研磨微粒子或源自漿料中所包含之有機化合物之有機殘渣等，為了去除該等，而將CMP步驟後之半導體晶圓供於洗淨步驟。
近年來，於二氧化矽之CMP步驟中，為了加快研磨速度而使用氧化鈰等鈰系研磨微粒子，但鈰系研磨微粒子由於在CMP步驟中會與二氧化矽之表面鍵結，故而於洗淨步驟中不易去除。
因此，先前使用稀釋氫氟酸或硫酸與過氧化氫之混合液(SPM，Sulfuric/Peroxide Mixture)等強力之化學品來進行洗淨，但就安全性或廢液處理等問題而言，提出有各種洗淨液作為代替稀釋氫氟酸或SPM之洗淨液。例如於專利文獻1中揭示有包含還原劑之洗淨液。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2018/136511號
[發明所欲解決之問題]
然而，專利文獻1中所揭示之洗淨液由於為酸性，故而於水溶液中鈰化合物帶正電，半導體晶圓表面帶負電，而於鈰化合物與半導體晶圓表面之間靜電引力發揮作用，因此鈰化合物質之去除性不充分。
又，亦考慮使用稀釋氨水之類之鹼性洗淨劑。藉由使用稀釋氨水之類之鹼性洗淨劑，而於水溶液中鈰化合物及半導體晶圓表面均帶負電，從而於包含鈰化合物之微粒子與半導體晶圓表面之間靜電斥力發揮作用，因此可抑制包含鈰化合物之微粒子再次附著於半導體晶圓表面。然而，稀釋氨水之類之鹼性洗淨劑將鈰化合物與二氧化矽之鍵切斷之能力較低，鈰化合物之去除性不充分。
本發明係鑒於此種課題而完成者，本發明之目的在於提供一種鈰化合物之去除性優異之洗淨液。 [解決問題之技術手段]
先前對包含各種成分之洗淨液進行了研究，但本發明人等不斷銳意研究，結果發現包含下述成分(A)之洗淨液，並發現該洗淨液之鈰化合物之去除性優異。
即，本發明之主旨如下。 [1]一種鈰化合物去除用洗淨液，其包含以下之成分(A)： 成分(A)：配位數為7以上之胺基聚羧酸化合物。 [2]如[1]所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述成分(A)係選自由下述通式(1)所表示之化合物及下述通式(2)所表示之化合物所組成之群中之至少1種化合物。
[化1]
Figure 02_image001
(於上述通式(1)中，X11 ～X15 及X21 ～X22 分別獨立地表示CH2 、C2 H4 或C3 H6 )。
[化2]
Figure 02_image003
(於上述通式(2)中，X31 ～X36 及X41 ～X43 分別獨立地表示CH2 、C2 H4 或C3 H6 )。 [3]如[1]或[2]所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述通式(1)所表示之化合物包含二伸乙基三胺五乙酸。 [4]如[1]至[3]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述通式(2)所表示之化合物包含三伸乙基四胺六乙酸。 [5]如[1]至[4]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其進而包含以下之成分(B)： 成分(B)：pH值調節劑。 [6]如[5]所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述成分(B)包含四級銨氫氧化物。 [7]如[1]至[6]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其進而包含以下之成分(C)： 成分(C)：還原劑。 [8]如[7]所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述成分(C)包含抗壞血酸。 [9]如[1]至[8]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其進而包含以下之成分(D)： 成分(D)：水。 [10]如[1]至[9]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其用於化學機械研磨後洗淨。 [11]如[1]至[10]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液，其用於洗淨二氧化矽露出之面。 [12]一種洗淨方法，其包括使用如[1]至[11]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液來去除鈰化合物之步驟。 [13]如[12]所記載之洗淨方法，其包括去除半導體晶圓上之鈰化合物之步驟。 [14]一種半導體晶圓之製造方法，其包括使用如[1]至[11]中任一項所記載之鈰化合物去除用洗淨液來去除鈰化合物之步驟。 [15]如[14]所記載之半導體晶圓之製造方法，其進而包括使用包含鈰化合物之研磨劑進行化學機械研磨之步驟。 [發明之效果]
本發明之洗淨液之鈰化合物之去除性優異。 又，本發明之洗淨方法之鈰化合物之去除性優異。 進而，本發明之半導體晶圓之製造方法由於包括鈰化合物之去除性優異之洗淨步驟，故而可抑制半導體裝置之運作不良。
以下對本發明進行詳細敍述，但本發明並不限定於以下之實施形態，可於其主旨之範圍內進行各種變更來實施。再者，於本說明書中使用「～」之表達之情形時，作為包括其前後之數值或物性值之表達來使用。
(洗淨液) (成分(A)) 本發明之洗淨液(以下，有時僅稱為「洗淨液」)係鈰化合物去除用，包含以下之成分(A)。成分(A)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 成分(A)：配位數為7以上之胺基聚羧酸化合物
胺基聚羧酸化合物意指分子中具有至少1個胺基與複數個羧基之化合物。該胺基可經取代。
於本發明中，胺基聚羧酸化合物之配位數為7以上。胺基聚羧酸化合物之配位數意指可與金屬(鈰)配位鍵結之部位數，例如，若為下述通式(1)，則以3個胺基與5個羧基之合計計配位數為8，若為下述通式(2)，則以4個胺基及6個羧基之合計計配位數為10。
若胺基聚羧酸化合物之配位數為7以上，則滿足鈰離子之配位數而本發明之洗淨液之鈰化合物之去除性優異。
本發明之洗淨液藉由包含配位數為7以上之胺基聚羧酸化合物，可選擇性地作用於鈰離子，不對二氧化矽造成損傷而切斷鈰化合物與二氧化矽之鍵，從而鈰化合物之去除性及二氧化矽之低損傷性優異。
就對鈰之配位力之觀點而言，胺基聚羧酸化合物之配位數較佳為8以上。又，就對鈰之配位力之觀點而言，胺基聚羧酸化合物之配位數較佳為14以下，更佳為12以下，進而較佳為10以下。
作為能夠與胺基聚羧酸化合物所具有之金屬(鈰)進行配位鍵結之部位，例如可列舉：胺基、羧基、羥基、膦基、硫醇基等。於該等之中，就對鈰之配位力之觀點而言，較佳為胺基、羧基。
又，就對鈰之配位力之觀點而言，配位數為7以上之胺基聚羧酸化合物較佳為選自由下述通式(1)所表示之化合物及下述通式(2)所表示之化合物所組成之群中之至少1種化合物，更佳為選自下述通式(1)所表示之化合物中之至少1種化合物。
[化3]
Figure 02_image005
於上述通式(1)中，X11 ～X15 及X21 ～X22 分別獨立地表示CH2 、C2 H4 或C3 H6 。又，就對鈰之配位力之觀點而言，X11 ～X15 分別獨立，較佳為CH2 、C2 H4 ，更佳為CH2 。就對鈰之配位力之觀點而言，X21 ～X22 分別獨立，較佳為CH2 、C2 H4 ，更佳為CH2 。
[化4]
Figure 02_image007
於上述通式(2)中，X31 ～X36 及X41 ～X43 分別獨立地表示CH2 、C2 H4 或C3 H6 。又，就對鈰之配位力之觀點而言，X31 ～X36 分別獨立，較佳為CH2 、C2 H4 ，更佳為CH2 。就對鈰之配位力之觀點而言，X41 ～X43 分別獨立，較佳為CH2 、C2 H4 ，更佳為CH2 。
作為上述通式(1)所表示之化合物，例如可列舉：二伸乙基三胺五乙酸、二伸丙基三胺五乙酸、二伸丁基三胺五乙酸等。該等之中，就對鈰之配位力之觀點而言，上述通式(1)所表示之化合物較佳為包含二伸乙基三胺五乙酸。
作為上述通式(2)所表示之化合物，例如可列舉：三伸乙基四胺六乙酸、三伸丙基四胺六乙酸、三伸丁基四胺六乙酸等。該等之中，就對鈰之配位力之觀點而言，上述通式(2)所表示之化合物較佳為包含三伸乙基四胺六乙酸。
(成分(B)) 本發明之洗淨液就可調節洗淨液之pH值之方面而言，除成分(A)以外，較佳為包含以下之成分(B)。 成分(B)：pH值調節劑
作為成分(B)，例如可列舉：酸、鹼等。該等成分(B)中，就可調節ζ電位，充分發揮成分(A)之效果之方面而言，較佳為鹼。
作為酸，例如可列舉：無機酸、有機酸等。該等酸可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等酸之中，就金屬雜質較少之方面而言，較佳為無機酸、有機酸，更佳為有機酸。
作為無機酸，例如可列舉：硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸等。該等無機酸可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等無機酸中，就揮發性較低之方面而言，較佳為硫酸、磷酸，更佳為硫酸。
作為有機酸，例如可列舉：具有胺基、羧基、磺酸基、膦酸基之有機化合物等。該等有機酸可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等有機酸中，就螯合力優異之方面而言，較佳為具有胺基之有機化合物、具有羧基之有機化合物，更佳為具有羧基之有機化合物。
作為鹼，例如可列舉：無機鹼、有機鹼等。該等鹼可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等鹼中，就易於製造之方面而言，較佳為無機鹼、有機鹼，就不包含金屬成分之方面而言，更佳為氨、四級銨氫氧化物、烷醇胺化合物，就可抑制殘存於洗淨後之半導體晶圓上之方面而言，進而較佳為四級銨氫氧化物、烷醇胺化合物，特佳為氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、乙醇胺、丙醇胺、異丙醇胺。
(成分(C)) 本發明之洗淨液就可使鈰化合物還原，提高鈰化合物之去除性之方面而言，較佳為除成分(A)以外，亦包含以下之成分(C)。 成分(C)：還原劑
作為成分(C)，例如可列舉：L-抗壞血酸、D-抗壞血酸、異抗壞血酸、沒食子酸、沒食子酸甲酯、肼、羥胺、二氧化硫脲、亞硫酸氫鈉等。該等成分(C)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等成分(C)中，就還原力優異之方面而言，較佳為L-抗壞血酸、D-抗壞血酸、異抗壞血酸等抗壞血酸，更佳為L-抗壞血酸、D-抗壞血酸，進而較佳為L-抗壞血酸。
(成分(D)) 本發明之洗淨液就微粒子去除性優異之方面而言，較佳為除成分(A)以外，亦包含以下之成分(D)。 成分(D)：水
作為水，例如可列舉：離子交換水、蒸餾水、超純水等，該等之中，就更加提高鈰化合物之去除性之觀點而言，較佳為超純水。
(其他成分) 本發明之洗淨液於不損害本發明之效果之範圍內，亦可包含除成分(A)～成分(D)以外之其他成分。 作為其他成分，例如可列舉：界面活性劑、抗蝕劑等。
(洗淨液之物性) 洗淨液之pH值較佳為9～14，更佳為10～13.5，進而較佳為11～13。若pH值為9以上，則源自成分(A)之氫離充分地解離，而可充分地發揮成分(A)之效果，並且使包含鈰化合物之微粒子及半導體晶圓表面均帶負電，可抑制包含鈰化合物之微粒子再次附著於半導體晶圓表面。又，若pH值為14以下，則可抑制半導體晶圓之損傷。
(各成分之質量比) 於本發明之洗淨液包含成分(B)之情形時，成分(A)相對於成分(B)之質量比(成分(A)之質量/成分(B)之質量)較佳為0.1～60，更佳為0.2～10。若成分(A)相對於成分(B)之質量比為0.1以上，則洗淨液之鈰化合物之去除性更優異。又，若成分(A)相對於成分(B)之質量比為60以下，則可容易地調節洗淨液之pH值。
於本發明之洗淨液包含成分(C)之情形時，成分(A)相對於成分(C)之質量比(成分(A)之質量/成分(C)之質量)較佳為1～200，更佳為5～150。若成分(A)相對於成分(C)之質量比為1以上，則洗淨液之鈰化合物之去除性更優異。又，若成分(A)相對於成分(C)之質量比為200以下，則洗淨液之鈰化合物之去除性更優異。
於本發明之洗淨液包含成分(B)及成分(C)之情形時，成分(C)相對於成分(B)之質量比(成分(C)之質量/成分(B)之質量)較佳為0.01～5，更佳為0.05～1。若成分(C)相對於成分(B)之質量比為0.01以上，則洗淨液之鈰化合物之去除性更優異。又，若成分(C)相對於成分(B)之質量比為5以下，則可容易地調節洗淨液之pH值。
(洗淨液中各成分之含有率) 成分(A)之含有率(質量%)於洗淨液100質量%中，較佳為0.001質量%～30質量%，更佳為0.005質量%～20質量%，進而較佳為0.01質量%～15質量%。若成分(A)之含有率為0.001質量%以上，則洗淨液之鈰化合物之去除性更優異。又，若成分(A)之含有率為30質量%以下，則可使成分(A)溶解於成分(D)中，可抑制洗淨液之製造成本。
成分(A)之含有率(mmol/L)較佳為0.025 mmol/L～750 mmol/L，更佳為0.125 mmol/L～500 mmol/L，進而較佳為0.25 mmol/L～375 mmol/L。若成分(A)之含有率為0.025 mmol/L以上，則洗淨液之鈰化合物之去除性更優異。又，若成分(A)之含有率為750 mmol/L以下，則可使成分(A)溶解於成分(D)中，可抑制洗淨液之製造成本。
於本發明之洗淨液包含成分(B)之情形時，成分(B)之含有率於洗淨液100質量%中，較佳為0.001質量%～30質量%，更佳為0.005質量%～20質量%，進而較佳為0.01質量%～15質量%。若成分(B)之含有率為0.001質量%以上，則可容易地調節洗淨液之pH值。又，若成分(B)之含有率為30質量%以下，則可不損害本發明之效果而調節洗淨液之pH值。
於本發明之洗淨液包含成分(C)之情形時，成分(C)之含有率於洗淨液100質量%中，較佳為0.0005質量%～10質量%，更佳為0.001質量%～5質量%，進而較佳為0.002質量%～2.5質量%。若成分(C)之含有率為0.0005質量%以上，則洗淨液之鈰化合物之去除性更優異。又，若成分(C)之含有率為10質量%以下，則可使成分(C)溶解於成分(D)中，可抑制洗淨液之製造成本。
於本發明之洗淨液包含其他成分之情形時，其他成分之含有率於洗淨液100質量%中，較佳為20質量%以下，更佳為0.001質量%～10質量%，進而較佳為0.01質量%～5質量%。若其他成分之含有率為20質量%以下，則可不損害本發明之效果而賦予其他成分之效果。
於本發明之洗淨液包含成分(D)之情形時，成分(D)之含有率較佳為設為除成分(D)以外之成分(成分(A)～成分(C)及其他成分)之剩餘部分。
(洗淨液之製造方法) 本發明之洗淨液之製造方法並無特別限定，可藉由將成分(A)、以及視需要之成分(B)～成分(D)及其他成分加以混合而製造。 混合之順序並無特別限定，可一次性地混合所有成分，亦可預先混合一部分成分後再混合剩餘之成分。
本發明之洗淨液之製造方法可以成為適合洗淨之含有率之方式調配各成分，但就可抑制輸送或保管等之成本之方面而言，亦可於製備以高含有率包含除成分(D)以外之各成分之洗淨液後，於洗淨前利用成分(D)加以稀釋而製備洗淨液。 稀釋之倍率可視洗淨對象而適當設定，但較佳為30倍～150倍，更佳為40倍～120倍。
(洗淨對象) 作為本發明之洗淨液之洗淨對象，例如可列舉：半導體晶圓、玻璃、金屬、陶瓷、樹脂、磁體、超導體等。該等洗淨對象之中，就本發明之效果顯著優異之方面而言，較佳為具有二氧化矽露出之面者，更佳為具有二氧化矽露出之面之半導體晶圓。
於具有二氧化矽露出之面之半導體晶圓之表面上，除二氧化矽以外，亦可共存有氮化矽或金屬。
(洗淨步驟之種類) 本發明之洗淨液由於鈰化合物之去除性優異，故而可較好地用於化學機械研磨後洗淨。
化學機械研磨(CMP)步驟係指對半導體晶圓之表面進行機械加工而使之平坦化之步驟。通常，於CMP步驟中，使用專用裝置，使半導體晶圓之背面吸附於被稱為壓板之治具，將半導體晶圓之表面壓抵於研磨墊，向研磨墊上滴下包含研磨粒子之研磨劑，而對半導體晶圓之表面進行研磨。
(CMP) CMP係使用研磨劑，將被研磨體於研磨墊上摩擦來進行。 研磨劑只要為不溶於水且可研磨被研磨體者即可，無特別限制，但就可充分地發揮本發明之洗淨液之效果之方面而言，較佳為研磨微粒子，更佳為鈰化合物之研磨微粒子。
研磨微粒子除鈰化合物之研磨微粒子以外，亦可含有膠體二氧化矽(SiO2 )或發煙二氧化矽(SiO2 )或氧化鋁(Al2 O3 )。
作為鈰化合物，例如可列舉：氧化鈰、氫氧化鈰等。該等鈰化合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等鈰化合物之中，就研磨速度、低刮痕性優異之方面而言，較佳為氧化鈰、氫氧化鈰，更佳為氧化鈰。
於研磨劑中，除研磨微粒子以外，有時還會包含氧化劑、分散劑等添加劑。尤其是於具有露出金屬之面之半導體晶圓之CMP中，由於金屬易腐蝕，故而大多包含防蝕劑。
本發明之洗淨液若應用於經此種包含鈰化合物之研磨微粒子之研磨劑研磨後之具有二氧化矽露出之面的半導體晶圓，則可極具效果地去除源自鈰化合物之半導體晶圓之污染。
(洗淨條件) 對於洗淨對象之洗淨方法較佳為使本發明之洗淨液與洗淨對象直接接觸之方法。 作為使本發明之洗淨液與洗淨對象直接接觸之方法，例如可列舉：於洗淨槽中裝滿本發明之洗淨液並浸漬洗淨對象之浸漬式；一面自噴嘴使本發明之洗淨液流入至洗淨對象上一面使洗淨對象高速旋轉之旋轉式；將本發明之洗淨液噴霧至洗淨對象而進行洗淨之噴霧式等。該等方法之中，就可於短時間內更有效率地進行污染去除之方面而言，較佳為旋轉式、噴霧式。
作為用以進行此種洗淨之裝置，例如可列舉：同時洗淨收容於匣中之複數片洗淨對象之批次式洗淨裝置、將1個洗淨對象安裝於保持器而進行洗淨之單片式洗淨裝置等。該等裝置之中，就洗淨能力優異之方面而言，較佳為單片式洗淨裝置。
就可進一步提昇由附著於洗淨對象之微粒子造成之污染之去除性而縮短洗淨時間之方面而言，對洗淨對象之洗淨方法較佳為利用物理力之洗淨方法，更佳為使用洗淨刷之擦除洗淨、頻率0.5兆赫以上之超音波洗淨，就更適合CMP後之洗淨之方面而言，進而較佳為使用樹脂製刷之擦除洗淨。
樹脂製刷之材質並無特別限制，但就樹脂製刷本身之製造容易之方面而言，較佳為聚乙烯醇、聚乙烯醇縮甲醛。
洗淨溫度可為室溫，亦可於無損半導體晶圓性能之範圍內加溫至30～70℃。
(洗淨方法) 本發明之洗淨方法係包括使用本發明之洗淨液去除鈰化合物(例如半導體晶圓上之鈰化合物)之步驟的方法，並如上所述。
(半導體晶圓之製造方法) 本發明之半導體晶圓之製造方法係包括使用本發明之洗淨液去除鈰化合物之步驟的方法，並如上述般，較佳為包括使用包含鈰化合物之研磨劑進行化學機械研磨之步驟。 [實施例]
以下使用實施例對本發明進一步具體地進行說明，但本發明只要不脫離其主旨，則並不限定於以下實施例之記載。
(原料) 成分(A-1)：二伸乙基三胺五乙酸(東京化成工業股份有限公司製造) 成分(A-2)：三伸乙基四胺六乙酸(東京化成工業股份有限公司製造) 成分(A'-1)：單乙醇胺(東京化成工業股份有限公司製造) 成分(B-1)：氫氧化四乙基銨(東京化成工業股份有限公司製造) 成分(C-1)：L-抗壞血酸(東京化成工業股份有限公司製造) 成分(D-1)：水
(pH值測定) 使用磁力攪拌器攪拌實施例1～6及比較例1～2中所獲得之洗淨液，利用pH值計(機種名「D-74」，堀場製作所股份有限公司製造)測定pH值。
(氧化鈰殘留量測定) 將使用正矽酸四乙酯(TEOS)並利用電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法成膜有二氧化矽膜之矽基板切割成30 mm×30 mm。繼而，使用包含氧化鈰之研磨劑(粒徑為200 nm以下之氧化鈰微粒子之水分散液)及研磨墊(商品名「IC1000」，NITTA HAAS股份有限公司製造)，對矽基板進行化學機械研磨(CMP)30秒鐘。
其次，將矽基板放入至實施例1～6及比較例1～2中所獲得之洗淨液中，進行超音波洗淨5分鐘。繼而，將矽基板用水洗濯，使其乾燥，使用螢光X射線分析裝置(機種名「ZSX100e」，Rigaku股份有限公司製造)測定殘留於矽基板表面之氧化鈰之量(μg/cm2 )。
[實施例1] 以於洗淨液100質量%中成分(A-1)成為0.39質量%，成分(B-1)成為0.88質量%，成分(D-1)成為剩餘部分之方式混合各成分，獲得洗淨液。 將所獲得之洗淨液之評價結果示於表1中。
[實施例2～6、比較例1～2] 將原料之種類及含有率設為表1中所示者，除此以外，進行與實施例1相同之操作，獲得洗淨液。 將所獲得之洗淨液之評價結果示於表1中。
[表1]
表1
   成分(A) 成分(B) 成分(C) pH值 氧化鈰殘留量(μg/cm2 )
種類 含有率(質量%) 莫耳濃度(mmol/L) 種類 含有率(質量%) 種類 含有率(質量%)
實施例1 (A-1) 0.39 10 (B-1) 0.88 - - 12.2 0.79
實施例2 (A-1) 0.39 10 (B-1) 0.96 (C-1) 0.09 12.0 0.14
實施例3 (A-1) 0.39 10 (B-1) 0.66 - - 11.0 1.28
實施例4 (A-1) 0.08 2 (B-1) 0.29 - - 12.1 1.15
實施例5 (A-1) 0.20 5 (B-1) 0.52 - - 12.1 0.97
實施例6 (A-2) 0.25 5 (B-1) 0.59 - - 12.0 0.87
比較例1 - - - (B-1) 0.15 - - 12.1 1.84
比較例2 (A'-1) 0.03 5 (B-1) 0.22 - - 12.0 1.39
自表1可知，包含成分(A)之實施例1～6中所獲得之洗淨液可抑制氧化鈰之殘留量。
另一方面，比較例1及2中所獲得之洗淨液由於不包含成分(A)，故而無法抑制氧化鈰之殘留量。
參照特定之實施態樣對本發明進行了詳細說明，但對業者而言應知：可於不脫離本發明之精神及範圍內施加各種變更或修正。本申請係基於2019年2月19日提出申請之日本專利申請(日本特願2019-27048)者，將其內容作為參考併入至本發明中。 [產業上之可利用性]
本發明之洗淨液由於鈰化合物之去除性優異，故而可較好地用於化學機械研磨後洗淨。

Claims (15)

  1. 一種鈰化合物去除用洗淨液，其包含以下之成分(A)： 成分(A)：配位數為7以上之胺基聚羧酸化合物。
  2. 如請求項1之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述成分(A)係選自由下述通式(1)所表示之化合物及下述通式(2)所表示之化合物所組成之群中之至少1種化合物， [化1]
    Figure 03_image009
    (於上述通式(1)中，X11 ～X15 及X21 ～X22 分別獨立地表示CH2 、C2 H4 或C3 H6 )， [化2]
    Figure 03_image011
    (於上述通式(2)中，X31 ～X36 及X41 ～X43 分別獨立地表示CH2 、C2 H4 或C3 H6 )。
  3. 如請求項1或2之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述通式(1)所表示之化合物包含二伸乙基三胺五乙酸。
  4. 如請求項1至3中任一項之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述通式(2)所表示之化合物包含三伸乙基四胺六乙酸。
  5. 如請求項1至4中任一項之鈰化合物去除用洗淨液，其進而包含以下之成分(B)： 成分(B)：pH值調節劑。
  6. 如請求項5之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述成分(B)包含四級銨氫氧化物。
  7. 如請求項1至6中任一項之鈰化合物去除用洗淨液，其進而包含以下之成分(C)： 成分(C)：還原劑。
  8. 如請求項7之鈰化合物去除用洗淨液，其中上述成分(C)包含抗壞血酸。
  9. 如請求項1至8中任一項之鈰化合物去除用洗淨液，其進而包含以下之成分(D)： 成分(D)：水。
  10. 如請求項1至9中任一項之鈰化合物去除用洗淨液，其用於化學機械研磨後洗淨。
  11. 如請求項1至10中任一項之鈰化合物去除用洗淨液，其用於洗淨二氧化矽露出之面。
  12. 一種洗淨方法，其包括使用如請求項1至11中任一項之鈰化合物去除用洗淨液來去除鈰化合物之步驟。
  13. 如請求項12之洗淨方法，其包括去除半導體晶圓上之鈰化合物之步驟。
  14. 一種半導體晶圓之製造方法，其包括使用如請求項1至11中任一項之鈰化合物去除用洗淨液來去除鈰化合物之步驟。
  15. 如請求項14之半導體晶圓之製造方法，其進而包括使用包含鈰化合物之研磨劑進行化學機械研磨之步驟。
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