JP2001332527A - Ｃｍｐ後洗浄液組成物 - Google Patents
Ｃｍｐ後洗浄液組成物Info
- Publication number
- JP2001332527A JP2001332527A JP2000152073A JP2000152073A JP2001332527A JP 2001332527 A JP2001332527 A JP 2001332527A JP 2000152073 A JP2000152073 A JP 2000152073A JP 2000152073 A JP2000152073 A JP 2000152073A JP 2001332527 A JP2001332527 A JP 2001332527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- liquid composition
- salt
- composition according
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】シングルダマシン及びデュアルダマシンプロセ
スにおけるＣＭＰ後に、表面のスラリー粒子を除去で
き、且つ腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ
等の基板や金属に対する低腐食性を備えた洗浄液を提供
する。 【解決手段】(1)フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキ
シルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪
族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選
ばれるフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；
(2)アルコール類及びケトン類からなる少なくとも１種
の含酸素有機溶媒；及び(3)水を含むことを特徴とする
ＣＭＰスラリー洗浄液組成物。
スにおけるＣＭＰ後に、表面のスラリー粒子を除去で
き、且つ腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ
等の基板や金属に対する低腐食性を備えた洗浄液を提供
する。 【解決手段】(1)フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキ
シルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪
族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選
ばれるフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；
(2)アルコール類及びケトン類からなる少なくとも１種
の含酸素有機溶媒；及び(3)水を含むことを特徴とする
ＣＭＰスラリー洗浄液組成物。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＭＰスラリー洗
浄液組成物に関する。
浄液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】ＩＣの素子構造が複雑にな
り、多層配線化が進むと、配線形成にシングルダマシン
やデュアルダマシンプロセスが使用される。当該プロセ
スには研磨剤を用いた表面の研磨（ＣＭＰ；Chemical M
echanical Polishing）が含まれるため、ダマシンプロ
セス後の被処理物の表面には、研磨剤に起因する粒子が
数多く付着したり、研磨中に膜の表面に粒子が食い込ん
だ状態になっている。通常の酸化膜のＣＭＰを行った後
には、ＤＨＦ（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）やＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ
2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）等の洗浄液を用いたブラシ洗浄が行われ
ている。しかし、ダマシン工程では、被洗浄面に金属
（Ａｌ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ、など）が存在してお
り、上記したような洗浄液を用いると、メタル表面が腐
食されやすい。
り、多層配線化が進むと、配線形成にシングルダマシン
やデュアルダマシンプロセスが使用される。当該プロセ
スには研磨剤を用いた表面の研磨（ＣＭＰ；Chemical M
echanical Polishing）が含まれるため、ダマシンプロ
セス後の被処理物の表面には、研磨剤に起因する粒子が
数多く付着したり、研磨中に膜の表面に粒子が食い込ん
だ状態になっている。通常の酸化膜のＣＭＰを行った後
には、ＤＨＦ（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）やＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ
2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）等の洗浄液を用いたブラシ洗浄が行われ
ている。しかし、ダマシン工程では、被洗浄面に金属
（Ａｌ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ、など）が存在してお
り、上記したような洗浄液を用いると、メタル表面が腐
食されやすい。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の洗浄液
を提供するものである。
を提供するものである。
【０００４】項１ (1) フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；
及び(3)水を含むことを特徴とする、ＣＭＰ後洗浄液組
成物。
の少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；
及び(3)水を含むことを特徴とする、ＣＭＰ後洗浄液組
成物。
【０００５】項２ (1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の
少なくとも１種が、フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロ
キシルアミン類、脂肪族アミン類及び芳香族アミン類と
の塩、並びに、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム
塩のフッ化水素酸塩からなる群から選ばれるフッ化物塩
及び重フッ化物塩の少なくとも１種であり、(2) ヘテロ
原子を有する有機溶媒が、アルコール類及びケトン類か
らなる少なくとも１種の含酸素有機溶媒であることを特
徴とする項１に記載の洗浄液組成物。
少なくとも１種が、フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロ
キシルアミン類、脂肪族アミン類及び芳香族アミン類と
の塩、並びに、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム
塩のフッ化水素酸塩からなる群から選ばれるフッ化物塩
及び重フッ化物塩の少なくとも１種であり、(2) ヘテロ
原子を有する有機溶媒が、アルコール類及びケトン類か
らなる少なくとも１種の含酸素有機溶媒であることを特
徴とする項１に記載の洗浄液組成物。
【０００６】項３ 含酸素有機溶媒がイソプロピルアル
コール、エタノール及びメタノールからなる群から選ば
れる少なくとも１種であり、水の濃度が１０重量％以下
である項２に記載の洗浄液組成物。
コール、エタノール及びメタノールからなる群から選ば
れる少なくとも１種であり、水の濃度が１０重量％以下
である項２に記載の洗浄液組成物。
【０００７】項４ 含酸素有機溶媒がアセトンであり、
水の濃度が２０〜４０重量％である項２に記載の洗浄液
組成物。
水の濃度が２０〜４０重量％である項２に記載の洗浄液
組成物。
【０００８】項５ ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフ
ッ素原子で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有
する炭素数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換さ
れていても良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物
塩の濃度が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒ
は前記に定義されたとおりである）で表される重フッ化
物塩の濃度が0.001〜１質量％、水濃度が１０質量％以
下、残部がイソプロピルアルコール、エタノール及びメ
タノールからなる群から選ばれる少なくとも１種である
項２に記載の洗浄液組成物。
ッ素原子で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有
する炭素数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換さ
れていても良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物
塩の濃度が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒ
は前記に定義されたとおりである）で表される重フッ化
物塩の濃度が0.001〜１質量％、水濃度が１０質量％以
下、残部がイソプロピルアルコール、エタノール及びメ
タノールからなる群から選ばれる少なくとも１種である
項２に記載の洗浄液組成物。
【０００９】項６ ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はフッ素原子
で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていて
も良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度
が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に
定義されたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃
度が0.001〜１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残
部がアセトンである項２に記載の洗浄液組成物。
で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていて
も良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度
が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に
定義されたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃
度が0.001〜１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残
部がアセトンである項２に記載の洗浄液組成物。
【００１０】項７ さらに(4)界面活性剤を含有する項
１〜６のいずれかに記載の洗浄液組成物。
１〜６のいずれかに記載の洗浄液組成物。
【００１１】項８ 項１〜７のいずれかに記載された洗
浄液組成物を用いて、シングルダマシン又はデュアルダ
マシンプロセスにおいて、ＣＭＰ処理後に被処理面を洗
浄する方法。
浄液組成物を用いて、シングルダマシン又はデュアルダ
マシンプロセスにおいて、ＣＭＰ処理後に被処理面を洗
浄する方法。
【００１２】項９ 半導体基板の片面にシングルダマシ
ンもしくはデュアルダマシンにて導電層と絶縁層が混在
した被加工層を形成した後、項１〜７のいずれかに記載
の洗浄液組成物を用いて洗浄する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
ンもしくはデュアルダマシンにて導電層と絶縁層が混在
した被加工層を形成した後、項１〜７のいずれかに記載
の洗浄液組成物を用いて洗浄する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のフッ化物塩は、例えば、
フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒドロキシルアミ
ン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン類の１対１の
塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの
フッ化水素酸塩である。また、本発明の重フッ化物塩
は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒド
ロキシルアミン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン
類の１対２の塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級ア
ンモニウムのフッ化水素酸塩である。
フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒドロキシルアミ
ン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン類の１対１の
塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの
フッ化水素酸塩である。また、本発明の重フッ化物塩
は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒド
ロキシルアミン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン
類の１対２の塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級ア
ンモニウムのフッ化水素酸塩である。
【００１４】本発明において、フッ化水素酸と塩形成す
るヒドロキシルアミン類としては、ヒドロキシルアミ
ン、N-メチルヒドロキシルアミン、N,N-ジメチルヒドロ
キシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、N,N-ジエ
チルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒドロキシルアミ
ン、N-フェニルヒドロキシルアミンなどの直鎖若しくは
分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基
で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙げられ
る。
るヒドロキシルアミン類としては、ヒドロキシルアミ
ン、N-メチルヒドロキシルアミン、N,N-ジメチルヒドロ
キシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、N,N-ジエ
チルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒドロキシルアミ
ン、N-フェニルヒドロキシルアミンなどの直鎖若しくは
分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基
で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙げられ
る。
【００１５】脂肪族アミン類としては、メチルアミン、
エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、
ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、トリブチルアミンなどの、炭素数１〜
８の直鎖又は分枝を有するアルキル基で１、２または３
置換された脂肪族アミン；モノフルオロメチルアミン、
ジフルオロメチルアミン、トリフルオロメチルアミン、
パーフルオロエチルアミン、パーフルオロプロピルアミ
ン、パーフルオロイソプロピルアミン、パーフルオロブ
チルアミン、パーフルオロヘキシルアミン、パーフルオ
ロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメチル）アミン、
ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ（パーフルオロプ
ロピル）アミン、ジ（パーフルオロイソプロピル）アミ
ン、ジ（パーフルオロブチル）アミン、トリ（パーフル
オロメチル）アミン、トリ（パーフルオロエチル）アミ
ン、トリ（パーフルオロプロピル）アミン、トリ（パー
フルオロイソプロピル）アミン、トリ（パーフルオロブ
チル）アミンなどの炭素数１〜８の直鎖又は分枝を有す
る少なくとも１つのフッ素原子含有アルキル基で１、２
または３置換された脂肪族アミン；モノエタノールアミ
ン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエチルアミ
ノ）エタノール、ジエタノールアミン、ジプロピルアミ
ン、２−エチルアミノエタノール、ジメチルアミノエタ
ノール、エチルジエタノールアミンなどが、シクロヘキ
シルアミン、ジシクロヘキシルアミンが挙げられる。
エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、
ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、トリブチルアミンなどの、炭素数１〜
８の直鎖又は分枝を有するアルキル基で１、２または３
置換された脂肪族アミン；モノフルオロメチルアミン、
ジフルオロメチルアミン、トリフルオロメチルアミン、
パーフルオロエチルアミン、パーフルオロプロピルアミ
ン、パーフルオロイソプロピルアミン、パーフルオロブ
チルアミン、パーフルオロヘキシルアミン、パーフルオ
ロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメチル）アミン、
ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ（パーフルオロプ
ロピル）アミン、ジ（パーフルオロイソプロピル）アミ
ン、ジ（パーフルオロブチル）アミン、トリ（パーフル
オロメチル）アミン、トリ（パーフルオロエチル）アミ
ン、トリ（パーフルオロプロピル）アミン、トリ（パー
フルオロイソプロピル）アミン、トリ（パーフルオロブ
チル）アミンなどの炭素数１〜８の直鎖又は分枝を有す
る少なくとも１つのフッ素原子含有アルキル基で１、２
または３置換された脂肪族アミン；モノエタノールアミ
ン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエチルアミ
ノ）エタノール、ジエタノールアミン、ジプロピルアミ
ン、２−エチルアミノエタノール、ジメチルアミノエタ
ノール、エチルジエタノールアミンなどが、シクロヘキ
シルアミン、ジシクロヘキシルアミンが挙げられる。
【００１６】芳香族アミン類としては、アニリン、N-メ
チルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ベンジルアミ
ン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなど
が挙げられる。
チルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ベンジルアミ
ン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなど
が挙げられる。
【００１７】脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩
としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルア
ンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトライソ
プロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ト
リメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、テト
ラフェニルアンモニウムなどの脂肪族ないし芳香族第４
級アンモニウムの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸
塩などの鉱酸塩が挙げられる。
としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルア
ンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトライソ
プロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ト
リメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、テト
ラフェニルアンモニウムなどの脂肪族ないし芳香族第４
級アンモニウムの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸
塩などの鉱酸塩が挙げられる。
【００１８】本発明のフッ化物塩としては、より具体的
には、ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置
換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１
〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていても良
いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩が好ましく
用いられる。本発明の重フッ化物塩としては、ＮＲ4Ｈ
Ｆ2（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置換されてい
ても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１〜１２のア
ルキル基、フッ素原子で置換されていても良いフェニル
基を示す）で表される重フッ化物塩が好ましく用いられ
る。
には、ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置
換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１
〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていても良
いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩が好ましく
用いられる。本発明の重フッ化物塩としては、ＮＲ4Ｈ
Ｆ2（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置換されてい
ても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１〜１２のア
ルキル基、フッ素原子で置換されていても良いフェニル
基を示す）で表される重フッ化物塩が好ましく用いられ
る。
【００１９】本発明において、ヘテロ原子を有する有機
溶媒としては、アルコール類、ケトン類などの含酸素有
機溶媒が例示される。
溶媒としては、アルコール類、ケトン類などの含酸素有
機溶媒が例示される。
【００２０】アルコール類としては、メタノール、エタ
ノール、n-プロパノール、イソプロパノール(IPA)が挙
げられる。
ノール、n-プロパノール、イソプロパノール(IPA)が挙
げられる。
【００２１】ケトン類としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、1,3-ジヒドロキシアセトンなどが挙げられ
る。
ルケトン、1,3-ジヒドロキシアセトンなどが挙げられ
る。
【００２２】アルコール類及びケトン類以外にも、本発
明の有機溶媒としては、エチレングリコール、１，２−
プロパンジオール、プロピレングリコール、２，３−ブ
タンジオール、グリセリンなどのポリオール類；アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブ
チロニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類；ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒドなどのアルデヒド類；
エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類が挙げられる。
明の有機溶媒としては、エチレングリコール、１，２−
プロパンジオール、プロピレングリコール、２，３−ブ
タンジオール、グリセリンなどのポリオール類；アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブ
チロニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類；ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒドなどのアルデヒド類；
エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類が挙げられる。
【００２３】本発明の洗浄液に含まれる一水素二フッ化
アンモニウムは、一水素二フッ化アンモニウムの結晶又
は水溶液を加えてもよく、理論量のフッ化アンモニウム
とＨＦを加えて、エッチング液中で一水素二フッ化アン
モニウムを形成させてもよい。
アンモニウムは、一水素二フッ化アンモニウムの結晶又
は水溶液を加えてもよく、理論量のフッ化アンモニウム
とＨＦを加えて、エッチング液中で一水素二フッ化アン
モニウムを形成させてもよい。
【００２４】本発明の洗浄液に含まれるフッ化アンモニ
ウムは、フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液が利用で
きる。
ウムは、フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液が利用で
きる。
【００２５】本発明の洗浄液組成物は、アニオン系、カ
チオン系及び非イオン系界面活性剤の少なくとも１種の
界面活性剤を含有していてもよい。
チオン系及び非イオン系界面活性剤の少なくとも１種の
界面活性剤を含有していてもよい。
【００２６】アニオン系界面活性剤としては、親水基が
一般式 −ＣＯＯＭ、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ（Ｍは水
素原子、金属原子、アンモニウム基を示す）であるそれ
ぞれカルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型の界
面活性剤が好ましい。具体的には下記のものが挙げられ
る。
一般式 −ＣＯＯＭ、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ（Ｍは水
素原子、金属原子、アンモニウム基を示す）であるそれ
ぞれカルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型の界
面活性剤が好ましい。具体的には下記のものが挙げられ
る。
【００２７】ＣＦ3（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、（ＣＦ3）2Ｃ
Ｆ（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、ＨＣＦ2（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、
ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、ＣＦ3（ＣＦ2）n
ＣＦ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、Ｃl（ＣＦ2ＣＦＣl）p
ＣＦ2ＣＯＯＨ［ただし、前記式中、ｎは２〜17、ｍは
１〜２、ｐは１〜９の整数である。］ 及び、これらの
アルカリ金属塩、アンモニウム塩、第一、第二又は第三
アミン塩。
Ｆ（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、ＨＣＦ2（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、
ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、ＣＦ3（ＣＦ2）n
ＣＦ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、Ｃl（ＣＦ2ＣＦＣl）p
ＣＦ2ＣＯＯＨ［ただし、前記式中、ｎは２〜17、ｍは
１〜２、ｐは１〜９の整数である。］ 及び、これらの
アルカリ金属塩、アンモニウム塩、第一、第二又は第三
アミン塩。
【００２８】ＣnＨ2n+1ＳＯ3Ｍ、ＣnＨ2n+1Ｏ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ又はＣnＨ2n+1−Ｐｈ−ＳＯ3Ｍ（ただ
し、前記式中、Ｍは水素原子、金属原子、アンモニウム
基を示し、Ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜20、ｍは０〜
20の整数である。）。これらの具体例としてはＣ12Ｈ25
Ｏ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)2ＳＯ3Ｎa、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）4ＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ
3Ｎａ、Ｃ6Ｆ11ＰｈＳＯ3Ｎａ、Ｃ9Ｆ19ＯＰｈＳＯ3Ｎ
ａ、ＲＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）nＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ 25ＯＳ
Ｏ3Ｎａが挙げられる。
Ｈ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ又はＣnＨ2n+1−Ｐｈ−ＳＯ3Ｍ（ただ
し、前記式中、Ｍは水素原子、金属原子、アンモニウム
基を示し、Ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜20、ｍは０〜
20の整数である。）。これらの具体例としてはＣ12Ｈ25
Ｏ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)2ＳＯ3Ｎa、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）4ＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ
3Ｎａ、Ｃ6Ｆ11ＰｈＳＯ3Ｎａ、Ｃ9Ｆ19ＯＰｈＳＯ3Ｎ
ａ、ＲＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）nＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ 25ＯＳ
Ｏ3Ｎａが挙げられる。
【００２９】カチオン系界面活性剤としてはRNH2で表さ
れる１級アミン、R2NHで表される２級アミン、R3Nで表
される３級アミン、[R4N]Mで表される４級アミンが挙げ
られる（ここでRは水素原子またはRはフッ素原子もしく
はOH基で置換されても良い直鎖または分岐を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子もしくはOH基で置
換されても良いフェニル基を示す。また、Mは一価の陰
イオンを示す。）。具体的には下記のような化合物が挙
げられる。
れる１級アミン、R2NHで表される２級アミン、R3Nで表
される３級アミン、[R4N]Mで表される４級アミンが挙げ
られる（ここでRは水素原子またはRはフッ素原子もしく
はOH基で置換されても良い直鎖または分岐を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子もしくはOH基で置
換されても良いフェニル基を示す。また、Mは一価の陰
イオンを示す。）。具体的には下記のような化合物が挙
げられる。
【００３０】CH3(CH2)nNH2, (CH3(CH2)n)2NH, (CH3(C
H2)n)3N, (CH3(CH2)n)4NCl, CH3(CH2)nN((CH2)nOH)2, C
F3(CF2)nNH2, (CF3(CF2)n)2NH, (CF3(CF2)n)3N, (CF3(C
F2)n)4NCl, CF3(CF2)nN((CH2)nOH)2, C6H5NH2, (CH3)
2(CH2)nNH2（ただし、前記式中、ｎは１〜３０の整数で
ある。）。
H2)n)3N, (CH3(CH2)n)4NCl, CH3(CH2)nN((CH2)nOH)2, C
F3(CF2)nNH2, (CF3(CF2)n)2NH, (CF3(CF2)n)3N, (CF3(C
F2)n)4NCl, CF3(CF2)nN((CH2)nOH)2, C6H5NH2, (CH3)
2(CH2)nNH2（ただし、前記式中、ｎは１〜３０の整数で
ある。）。
【００３１】非イオン系界面活性剤としては、親水基が
一般式 −Ｒ'（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）qＲ''又は−Ｒ'Ｏ（ＣＨ
2ＣＨ2Ｏ）qＲ''（ただし、前記式中、Ｒ''は水素原
子、炭素数１〜10のアルキル基、Ｒ'は水素原子がフッ
素原子で置換されていることのある炭素数１〜20の炭化
水素基、ｑは０〜20の整数を示す。）であるポリエチレ
ングリコール型の界面活性剤が好ましい。具体的には下
記のものが挙げられる。
一般式 −Ｒ'（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）qＲ''又は−Ｒ'Ｏ（ＣＨ
2ＣＨ2Ｏ）qＲ''（ただし、前記式中、Ｒ''は水素原
子、炭素数１〜10のアルキル基、Ｒ'は水素原子がフッ
素原子で置換されていることのある炭素数１〜20の炭化
水素基、ｑは０〜20の整数を示す。）であるポリエチレ
ングリコール型の界面活性剤が好ましい。具体的には下
記のものが挙げられる。
【００３２】Ｃ9Ｆ17Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）rＣＨ3（ｒ＝
２〜30の整数を示す。）、Ｃ9Ｈ19Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）10Ｈ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）9Ｈ、Ｃ9Ｈ19
ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）5Ｈ、Ｃ8Ｈ17ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）3Ｈ、Ｃ8
Ｈ17Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ（Ｐｈはフェニレン基を
示す。）。
２〜30の整数を示す。）、Ｃ9Ｈ19Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）10Ｈ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）9Ｈ、Ｃ9Ｈ19
ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）5Ｈ、Ｃ8Ｈ17ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）3Ｈ、Ｃ8
Ｈ17Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ（Ｐｈはフェニレン基を
示す。）。
【００３３】界面活性剤の含有量は、本発明所期の効果
が発揮される限り特に限定されるものではないが、通
常、0.0001〜10重量％程度であり、0.001〜5重量％程度
が好ましく、特に0.01〜1重量％程度が好ましい。
が発揮される限り特に限定されるものではないが、通
常、0.0001〜10重量％程度であり、0.001〜5重量％程度
が好ましく、特に0.01〜1重量％程度が好ましい。
【００３４】本発明の洗浄液組成物は、アルコール類を
溶媒とした場合、通常(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種を０．００１〜１質量％、(2)含酸素
有機溶媒８９〜９９．９８９質量％、及び(3)水０．０
１〜１０質量％含み；好ましくは(1)フッ化物塩及び重
フッ化物塩の少なくとも１種を０．００５〜０．１質量
％、(2)含酸素有機溶媒８９．９．９〜９９．９８５質
量％、及び(3)水を０．０１〜１０質量％含む。
溶媒とした場合、通常(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種を０．００１〜１質量％、(2)含酸素
有機溶媒８９〜９９．９８９質量％、及び(3)水０．０
１〜１０質量％含み；好ましくは(1)フッ化物塩及び重
フッ化物塩の少なくとも１種を０．００５〜０．１質量
％、(2)含酸素有機溶媒８９．９．９〜９９．９８５質
量％、及び(3)水を０．０１〜１０質量％含む。
【００３５】ケトン類を溶媒とした場合、通常(1)フッ
化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００１
〜１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９〜７９．９９９質
量％、及び(3)水を２０〜４０質量％含み；好ましくは
(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を
０．００５〜０．１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９．
９〜７９．９９５質量％、及び(3)水を２０〜４０質量
％含む。
化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００１
〜１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９〜７９．９９９質
量％、及び(3)水を２０〜４０質量％含み；好ましくは
(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を
０．００５〜０．１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９．
９〜７９．９９５質量％、及び(3)水を２０〜４０質量
％含む。
【００３６】本発明の洗浄液組成物を用いた洗浄は、例
えば、被洗浄物を洗浄液組成物に１５〜４０℃程度で
０．１〜３０分間程度、浸漬する方法や、比洗浄物に洗
浄液組成物を１５℃〜４０℃程度で、１秒〜１０分間程
度流しながらブラシでこすりとる方法がある。
えば、被洗浄物を洗浄液組成物に１５〜４０℃程度で
０．１〜３０分間程度、浸漬する方法や、比洗浄物に洗
浄液組成物を１５℃〜４０℃程度で、１秒〜１０分間程
度流しながらブラシでこすりとる方法がある。
【００３７】上記洗浄は、半導体基板の片面に導電層と
絶縁層が混在した被加工層、又は導電層からなる被加工
層を、ＣＭＰを行った後、例えば、プラグや配線を形成
するためのダマシンプロセス、又はデュアルダマシンプ
ロセスにおけるＣＭＰ後に行うことができる。
絶縁層が混在した被加工層、又は導電層からなる被加工
層を、ＣＭＰを行った後、例えば、プラグや配線を形成
するためのダマシンプロセス、又はデュアルダマシンプ
ロセスにおけるＣＭＰ後に行うことができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、シングルダマシンやデ
ュアルダマシンプロセスにおけるＣＭＰ後に、表面のス
ラリー粒子を除去でき、且つ腐食され易いＡｌ、Ａｌ−
Ｃｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ、等の基板や金属に対する低腐食性
を備えた洗浄液を提供することができる。
ュアルダマシンプロセスにおけるＣＭＰ後に、表面のス
ラリー粒子を除去でき、且つ腐食され易いＡｌ、Ａｌ−
Ｃｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ、等の基板や金属に対する低腐食性
を備えた洗浄液を提供することができる。
【００３９】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００４０】なお、以下において、酸化膜のエッチング
レートはＲｕｄｏｌｆ Ｒｅａｓｅａｃｈ社 Ａｕｔｏ
ＥＬ−ＩＩＩエリプソメーターを用いてエッチング前
後の膜厚を測定することで行った。
レートはＲｕｄｏｌｆ Ｒｅａｓｅａｃｈ社 Ａｕｔｏ
ＥＬ−ＩＩＩエリプソメーターを用いてエッチング前
後の膜厚を測定することで行った。
【００４１】エッチング液のエッチングレートは、各エ
ッチング液を２５℃で各膜をエッチングし、エッチング
処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチン
グ時間で割って算出したものである。
ッチング液を２５℃で各膜をエッチングし、エッチング
処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチン
グ時間で割って算出したものである。
【００４２】実施例１〜８及び比較例１〜５ 以下に示される組成の洗浄液を、常法に従い製造した。 実施例１：NH4・HF2(0.01wt%)、水(0.3wt%)、残りIPA； 実施例２：NH4・HF2(0.085wt%)、水(0.3wt%)、残りIP
A； 実施例３：NH4・HF2(0.01wt%)、NH4F(0.065wt%)、水(7.
5wt%)、残りIPA； 実施例４：(CH3)4N・HF2(0.3wt%)、水(7.5wt%)、残りIP
A； 実施例５：C8H17NH3・HF2(0.5wt%)、水(7.5wt%)、残りI
PA； 実施例６：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りMeOH； 実施例７：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りEtOH； 実施例８：NH4・HF2(0.04wt%)、NH4F(0.10wt%)、水(35w
t%)、残りアセトン； 比較例１：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りアセトン； 比較例２：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りＩＰＡ； 比較例３：0.29wt%アンモニア水； 比較例４：0.5wt%フッ酸； 比較例５：HF(0.125wt%)、NH4F(40wt%)、残り水。
A； 実施例３：NH4・HF2(0.01wt%)、NH4F(0.065wt%)、水(7.
5wt%)、残りIPA； 実施例４：(CH3)4N・HF2(0.3wt%)、水(7.5wt%)、残りIP
A； 実施例５：C8H17NH3・HF2(0.5wt%)、水(7.5wt%)、残りI
PA； 実施例６：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りMeOH； 実施例７：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りEtOH； 実施例８：NH4・HF2(0.04wt%)、NH4F(0.10wt%)、水(35w
t%)、残りアセトン； 比較例１：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りアセトン； 比較例２：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りＩＰＡ； 比較例３：0.29wt%アンモニア水； 比較例４：0.5wt%フッ酸； 比較例５：HF(0.125wt%)、NH4F(40wt%)、残り水。
【００４３】試験例１：メタル腐食試験Ｉ ２２℃の洗浄液２２０ｇに、3cm×3cmのCuテストピー
ス、Alウェハを別々に１０分間浸漬し、薬液中に溶出し
たＣｕ、Ａｌ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチング
レートを算出した。結果を表１に示す。
ス、Alウェハを別々に１０分間浸漬し、薬液中に溶出し
たＣｕ、Ａｌ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチング
レートを算出した。結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】試験例２：メタル腐食試験II 実施例１の洗浄液（NH4・HF2(0.01wt%)、水(0.3wt%)、
残りIPA）において、NH 4・HF2の濃度を0.01wt%で固定
し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量のみを示
し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試験例１
と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ及びＡｌ濃度を
ＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算出した。
結果を表２に示す。
残りIPA）において、NH 4・HF2の濃度を0.01wt%で固定
し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量のみを示
し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試験例１
と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ及びＡｌ濃度を
ＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算出した。
結果を表２に示す。
【００４６】
【表２】
【００４７】試験例３：メタル腐食試験III アセトンを溶媒とした洗浄液（NH4・HF2(0.04wt%)、
水、残りアセトン）において、NH4HF2の濃度を0.04wt%
で固定し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量の
みを示し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試
験例１と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ及びＡｌ
濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算出
した。結果を表３に示す。
水、残りアセトン）において、NH4HF2の濃度を0.04wt%
で固定し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量の
みを示し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試
験例１と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ及びＡｌ
濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算出
した。結果を表３に示す。
【００４８】
【表３】
【００４９】試験例４：メタル腐食試験IV 実施例１及び比較例５の洗浄液を用い、3cm×3cmのTiN
ウエハについて試験例１と同様にして腐食試験を行っ
た。結果を表４に示す。
ウエハについて試験例１と同様にして腐食試験を行っ
た。結果を表４に示す。
【００５０】
【表４】
【００５１】試験例5：絶縁膜のエッチングレート 実施例１〜８，比較例１〜４の洗浄液に、シリコン基板
表面に熱酸化膜、ＢＰＳＧ膜及びＰＳＧ膜を各々形成し
た試験基板を２５℃でエッチングし、それぞれの膜に対
するエッチングレートを求めた。結果を表5に示す。な
お、表中のエッチングレートは、いずれも（Å／ｍｉ
ｎ）である。
表面に熱酸化膜、ＢＰＳＧ膜及びＰＳＧ膜を各々形成し
た試験基板を２５℃でエッチングし、それぞれの膜に対
するエッチングレートを求めた。結果を表5に示す。な
お、表中のエッチングレートは、いずれも（Å／ｍｉ
ｎ）である。
【００５２】
【表５】
【００５３】ＣＭＰに用いられたスラリーは、被処理物
の表面に付着していたり、研磨されることにより被処理
物である絶縁膜に一部食い込んでいる。従って、通常絶
縁膜をわずかにエッチングすることにより、スラリーを
リフトオフし、ブラシでこすりとって洗浄される。本発
明の洗浄液が上記膜をエッチングできることが上記試験
例５よりわかったので、ＣＭＰ後の洗浄液として用いた
場合、スラリーを除去（洗浄）できることがわかる。
の表面に付着していたり、研磨されることにより被処理
物である絶縁膜に一部食い込んでいる。従って、通常絶
縁膜をわずかにエッチングすることにより、スラリーを
リフトオフし、ブラシでこすりとって洗浄される。本発
明の洗浄液が上記膜をエッチングできることが上記試験
例５よりわかったので、ＣＭＰ後の洗浄液として用いた
場合、スラリーを除去（洗浄）できることがわかる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 7/32 Ｃ１１Ｄ 7/32 17/08 17/08
Claims (9)
- 【請求項１】(1) フッ化物塩及び重フッ化物塩の少な
くとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；及び(3)
水を含むことを特徴とする、ＣＭＰ後洗浄液組成物。 - 【請求項２】(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なく
とも１種が、フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキシル
アミン類、脂肪族アミン類及び芳香族アミン類との塩、
並びに、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩のフ
ッ化水素酸塩からなる群から選ばれるフッ化物塩及び重
フッ化物塩の少なくとも１種であり、(2) ヘテロ原子を
有する有機溶媒が、アルコール類及びケトン類からなる
少なくとも１種の含酸素有機溶媒であることを特徴とす
る請求項１に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項３】含酸素有機溶媒がイソプロピルアルコー
ル、エタノール及びメタノールからなる群から選ばれる
少なくとも１種であり、水の濃度が１０重量％以下であ
る請求項２に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項４】含酸素有機溶媒がアセトンであり、水の濃
度が２０〜４０重量％である請求項２に記載の洗浄液組
成物。 - 【請求項５】ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原
子で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭
素数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されてい
ても良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃
度が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記
に定義されたとおりである）で表される重フッ化物塩の
濃度が0.001〜１質量％、水濃度が１０質量％以下、残
部がイソプロピルアルコール、エタノール及びメタノー
ルからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項
２に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項６】ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はフッ素原子で置換
されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１〜
１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていても良い
フェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度が１質
量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に定義さ
れたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃度が0.
001〜１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残部がア
セトンである請求項２に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項７】 さらに(4)界面活性剤を含有する請求項
１〜６のいずれかに記載の洗浄液組成物。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載された洗
浄液組成物を用いて、シングルダマシン又はデュアルダ
マシンプロセスにおいて、ＣＭＰ処理後に被処理面を洗
浄する方法。 - 【請求項９】 半導体基板の片面にシングルダマシンも
しくはデュアルダマシンにて導電層と絶縁層が混在した
被加工層を形成した後、請求項１〜７のいずれかに記載
の洗浄液組成物を用いて洗浄する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152073A JP2001332527A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 |
| EP01925952A EP1277830A4 (en) | 2000-04-26 | 2001-04-26 | DETERGENT COMPOSITION |
| US10/257,944 US6831048B2 (en) | 2000-04-26 | 2001-04-26 | Detergent composition |
| TW090110148A TWI288777B (en) | 2000-04-26 | 2001-04-26 | Detergent composition |
| KR1020027014274A KR100540525B1 (ko) | 2000-04-26 | 2001-04-26 | 세정용 조성물 |
| PCT/JP2001/003620 WO2001081525A1 (fr) | 2000-04-26 | 2001-04-26 | Composition de detergent |
| CN01808514A CN1426452A (zh) | 2000-04-26 | 2001-04-26 | 洗涤剂组合物 |
| US10/948,306 US20050054549A1 (en) | 2000-04-26 | 2004-09-24 | Detergent composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152073A JP2001332527A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332527A true JP2001332527A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18657544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000152073A Pending JP2001332527A (ja) | 2000-04-26 | 2000-05-23 | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332527A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7879736B2 (en) | 2006-06-29 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same |
| JP2012164713A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Stella Chemifa Corp | 洗浄液及び洗浄方法 |
-
2000
- 2000-05-23 JP JP2000152073A patent/JP2001332527A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7879736B2 (en) | 2006-06-29 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same |
| JP2012164713A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Stella Chemifa Corp | 洗浄液及び洗浄方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6831048B2 (en) | Detergent composition | |
| TWI264068B (en) | Detergent composition | |
| JP5442436B2 (ja) | 表面上の残留物を除去するための洗浄調合物 | |
| CN100442449C (zh) | 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 | |
| US11427760B2 (en) | Surfactants for electronics | |
| US9771550B2 (en) | Cleaning formulation for removing residues on surfaces | |
| KR20010043674A (ko) | 세정 조성물 및 잔류물을 제거하는 방법 | |
| JP7465366B2 (ja) | エレクトロニクス製品のための界面活性剤 | |
| US10100272B2 (en) | Cleaning composition following CMP and methods related thereto | |
| JP7220808B2 (ja) | 洗浄液、洗浄方法 | |
| JP7470249B2 (ja) | エレクトロニクス製品のための分岐鎖状アミノ酸界面活性剤 | |
| JPWO2018169016A1 (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄剤組成物、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板 | |
| JP2001332527A (ja) | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 | |
| JP2015108041A (ja) | 洗浄用組成物 | |
| JP2001332526A (ja) | メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物 | |
| JP2001330970A (ja) | 微細パターン用ポリマー剥離液組成物 | |
| WO2019091859A1 (en) | Fluoride based cleaning composition | |
| JP2004303795A (ja) | 酸化ハフニウムエッチング剤及びエッチング方法 |