CN102628009B - 清洗液及清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种清洗液及清洗方法。本发明的目的是提供对于表面附着有氧化铈的被清洗物，能够将该氧化铈以铈离子的形式溶解而清洗除去的清洗液以及使用该清洗液的清洗方法。一种清洗液，其特征在于，该清洗液除去被清洗物表面残留的氧化铈，该清洗液含有(1)氟化氢和(2)铵盐，所述铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种。

Description

清洗液及清洗方法
技术领域
本发明涉及对于附着有氧化铈的被清洗物，能够将该氧化铈清洗除去的清洗液，以及使用该清洗液的清洗方法。
背景技术
以实现大规模集成电路(ULSI)的高性能为目的，正在推进电路设计的微细化。为了形成微细到纳米级的非常微细的电路结构，目前为止尚未被适用的新型制造技术在很多制造工序中变得必要。
特别是，作为在半导体基板上形成微细结构的最重要的工序，有使用了光学方法的曝光、显影工序。为了制作该微细结构而在半导体基板的表面上同样均匀的聚焦与基板表面的平坦性密切相关。即，基板表面的平坦性差时，在基板表面上出现对焦的部分和没有对焦的部分，在没有对焦的部分不能形成所希望的微细结构，生产率的下降变大。另外，随着微细化的发展，与平坦性相关的可允许范围变小，对基板表面的平坦的要求进一步提高。
另外，除了平坦的要求以外，还有以提高生产效率为目的的缩短工序时间的要求。因此，需要除了微细加工的加工精度以外还使工序的高速成为可能的技术。因这样的技术上的背景，作为确保平坦性的技术，一般进行化学机械研磨(CMP)。在CMP工序中，边供给含有粒状的研磨磨粒的研磨剂(浆料)边利用研磨垫研磨(整平)半导体基板表面。
在上述CMP工序中，作为研磨剂广泛使用二氧化硅浆料，也使用二氧化铈浆料，与二氧化硅浆料的情况相同，需要用于除去残留在基板表面的残渣的清洗工序。作为在清洗工序中使用的清洗剂，例如提出了以下的清洗剂。
在专利文献1中，提出了含有酸、还原剂和氟离子这3种成分的清洗药液。
在专利文献2中，提出了由氢氟酸和硫酸或硝酸或者磷酸构成的清洗液。
但是，以往的清洗液虽然可以除去氧化铈的残渣，但是由于以酸为主成分，所以存在容易腐蚀各种金属材料这样的问题。例如，若半导体基板上的金属膜由于腐蚀而溶解，则金属膜的膜厚减少而金属膜的表面电阻值变大。由此，集成电路上的配线的电阻值变大而增加消耗电力，因此不优选。
专利文献1：日本特开2004-59419号公报
专利文献2：日本特开2000-140778号公报
发明内容
本发明的目的是提供对表面附着有氧化铈的被清洗物，可以将该氧化铈以铈离子的形式溶解而清洗除去，而且难以腐蚀各种金属材料的清洗液以及使用其的清洗方法。
本发明的发明人等为了解决上述以往的问题，对清洗液以及使用其的清洗方法进行了研究。其结果是，发现通过使用含有氟化氢和特定的铵盐的清洗液，能够将被清洗物表面残留的氧化铈有效地清洗除去，从而完成了本发明。
即，本发明涉及一种清洗液，其特征在于，该清洗液除去残留于被清洗物表面的氧化铈，该清洗液含有：
(1)氟化氢，和
(2)铵盐，该铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种。
通过在清洗液中含有氟化氢，可以将氧化铈以铈离子的形式进行溶解，但溶解的铈离子再次以杂质的形式再次附着于被清洗物的表面，结果难以除去铈成分。本发明的发明人等发现通过使特定的铵盐与氟化氢一起含于清洗液中，可以使溶解的铈离子在清洗液中以溶解状态稳定化，从而可以从被清洗物表面有效地除去。另外，本发明的清洗液不像以往的清洗液那样以硫酸、硝酸或磷酸等酸为主要成分，所以可以抑制各种金属材料的腐蚀。应予说明，所谓铈离子是指Ce3+、Ce4+、它们的水合物、或者它们的络离子。
清洗液中的氟化氢的浓度优选为0.001～5重量％。氟化氢的浓度小于0.001重量％的情况下，存在氧化铈的溶解性能降低的趋势。另一方面，超过5重量％时，存在被清洗物受到浸蚀或腐蚀、或通过研磨而变平坦的被清洗物表面的粗糙度变大的趋势。另外，清洗处理后，将成为排水的清洗液中的氟化氢进行无害化时，其所需要的费用和时间增大。
清洗液中的上述铵盐的浓度优选为0.1～20重量％。上述铵盐的浓度小于0.1重量％时，存在溶解的铈离子难以在清洗液中以溶解状态稳定化，难以从被清洗物表面清洗除去铈成分的趋势。另一方面，超过20重量％时，存在氧化铈的溶解性能降低，或者由于产生析出物而难以维持作为溶液的性状，而成为在清洗时不良的原因的趋势。
上述清洗液优选含有表面活性剂。通过在清洗液中含有表面活性剂，可使清洗液的表面张力降低，使对被清洗物表面的润湿性提高。由此，可以在被清洗物表面的广泛范围内将清洗除去效果均匀化，因此实现生产率的提高。
另外，本发明提供一种清洗方法，其特征在于，通过使清洗液与附着有氧化铈的被清洗物表面接触而将氧化铈以铈离子的形式溶解除去，
使用含有(1)氟化氢和(2)铵盐的清洗液作为所述清洗液，
该铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种。
在上述清洗方法中，清洗液中的氟化氢的浓度优选为0.001～5重量％，上述铵盐的浓度为0.1～20重量％。其理由如上所述。
另外，在上述清洗方法中，清洗液优选含有表面活性剂。其理由如上所述。
另外，上述清洗方法在被清洗物为半导体基板、玻璃基板、陶瓷基板、石英基板或水晶基板的情况下可以很好地被采用。
根据本发明，具有可以有效地清洗除去在使用含有氧化铈的研磨剂研磨的被清洗物的表面残留的氧化铈，而且具有难以腐蚀各种金属材料这样的优点。因此，例如在半导体装置的制造工艺中，可以从研磨后的半导体基板有效地清洗除去氧化铈的残渣，可以使半导体装置的生产率提高。另外，由于可以抑制半导体基板上的金属材料以及构成半导体装置的金属材料的腐蚀，所以可以使半导体装置的性能提高。
具体实施方式
下面对本发明的清洗液的实施方式进行说明。
本发明的清洗液含有(1)氟化氢和(2)铵盐，该铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种，在清洗除去残留在使用含有氧化铈的研磨剂(浆料)作为研磨磨粒而进行研磨的被清洗物表面的氧化铈时可以很好地使用。特别是可以在清洗除去残留在利用氧化铈浆料进行化学机械研磨(CMP)的被清洗物表面的氧化铈时很好地使用。
清洗液中的氟化氢的浓度优选为0.001～5重量％，更优选为0.001～2重量。通过降低氟化氢浓度，可以有效地除去氧化铈，同时可以抑制被清洗物表面的材料的浸蚀、腐蚀。
清洗液中的上述铵盐的浓度优选为0.1～20重量％，更优选为0.1～10重量％，进一步优选为0.1～5重量％。通过降低铵盐浓度，可以实现在药液准备阶段的资源节约、成本节约。具体而言，制备将成分浓度浓缩的清洗液原液，将该原液在即将要进行清洗处理之前用水等进行稀释，而可制成上述浓度的清洗液。由此，涉及到与制造清洗液或填充到搬运用容器中相关的资源或成本、与搬运填充在搬运用容器中的清洗液相关的资源或成本的实质性地降低，进而，涉及到生产效率的提高。
作为本发明的清洗液的除上述以外的成分，优选以水为主，但也可以含有除水以外的成分。例如，可以举出表面活性剂、螯合剂、pH调节剂和有机溶剂等。但是，在使用它们时，需要考虑对清洗装置的有机成分的耐受性、废弃时的成本、以及使用时的危险性等。
本发明的清洗液优选含有表面活性剂。表面活性剂没有特别限定，例如可以举出脂肪族羧酸或其盐等阴离子系表面活性剂、聚乙二醇烷基醚等非离子系表面活性剂，脂肪族胺或其盐等阳离子系表面活性剂等。
表面活性剂的添加量优选为0.001～0.1重量％的范围内，更优选为0.003～0.05重量％的范围内。通过添加表面活性剂，可以抑制实施了清洗处理的被清洗物的表面的皲裂。进而，可以改善对被清洗物的润湿性，而实现面内的清洗效果的均匀性。但是，添加量小于0.001重量％时，由于清洗液的表面张力未充分降低，所以有时润湿性的提高效果变得不充分。另外，上述添加量超过0.1重量％时，有时不仅不能获得与其相应的效果，而且消泡性变差而在被清洗物表面附着泡沫，发生清洗不均。
上述清洗液的纯度和清洁度只要考虑对进行清洗处理的被清洗物的污染的问题、以及制造成本而设定即可。例如，在集成电路的制造工艺中使用本发明的清洗液时，该清洗液中含有的金属杂质优选为0.1ppb以下。
本发明的清洗液可以通过将氟化氢、上述铵盐、以及剩余的任意成分以任意的顺序进行混合而制备。或者，也可以将能够合成上述各成分的化合物作为原料进行混合，最终制备上述成分以及浓度的清洗液。具体而言，可以通过混合氟化氢、硫酸、铵和水而制备本发明的清洗液。即，通过硫酸和铵进行中和而生成硫酸铵。另外，例如可以通过混合氟化铵、硫酸和氨而制备本发明的清洗液。
本发明的清洗液只要在相当于使用阶段的清洗阶段中成为上述组成即可，对准备阶段的形态没有任何限制。例如，可以到使用场所制成经浓缩的清洗液原液，在即将要使用之前进行稀释而制备本发明的清洗液。另外，也可以分别准备各成分，在即将要使用前进行混合而制备本发明的清洗液。
本发明的清洗液的使用温度没有任何限制。从实用上来讲，优选在作为有用的温度区域的常温下使用。另外，根据清洗条件，例如在比常温低10℃的温度下进行清洗，从而抑制清洗以外的副反应，或者例如在比常温高80℃的高温下进行清洗，还可以实现清洗性能的提高。
本发明的清洗液可以用于各种材料和形状的被清洗物。作为被清洗物，例如可以举出硅、玻璃、陶瓷。能够适用本发明的清洗液的被清洗物的表面材料没有特别限定，例如可以举出单晶硅、多晶硅、非晶硅、热氧化硅膜、无掺杂硅酸盐玻璃膜、掺磷硅酸盐玻璃膜、掺硼硅酸盐玻璃膜、掺磷硼硅酸盐玻璃膜、TEOS膜、等离子体CVD氧化膜、氮化硅膜、碳化硅膜、碳氧化硅(シリコンオキサイドカ一バイド)膜、或氮化碳氧化硅(シリコンオキサイドカ一バイドナイトライド)膜等。另外，还可以适用于玻璃、石英、水晶、陶瓷等。它们可以单独构成，也可以2种以上以某种分布而形成图案或层叠而成。
本发明的清洗液也可以很好地用于利用研磨工序而变平坦的被清洗物。作为被清洗物表面的研磨方法，没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。研磨方法可以根据该被清洗物的形状、作为目标的研磨精度来适当地选择。具体而言，可以举出例如机械石磨、化学机械研磨(CMP)等，本发明的清洗液适于使用氧化铈浆料的化学机械研磨(CMP)。氧化铈浆料是将作为研磨磨粒的氧化铈分散于溶液中的浆料。
作为使用本发明的清洗液的清洗方法，可以采用各种湿式清洗法。例如，可以举出将被清洗物浸渍在填充于清洗槽的清洗液中的浸渍处理方法。另外，通过使清洗液喷出、喷涂在旋转的硅晶片等被清洗物上来进行清洗处理的单晶片处理方法等。另外，在上述浸渍处理方法中，还可以采用边对清洗液施加超声波边进行的方法。进而，还可以适用边喷吹清洗液边利用刷子进行清洗的刷洗(BrushScrub)方法。应予说明，清洗可以进行多次。此时，在各清洗处理中每次都可使用组成或浓度不同的清洗液。
清洗时间没有特别的限定，可以根据附着于被清洗物的氧化铈的污染程度等进行适当设定。通常优选为10分钟以下，更优选1分钟以下。清洗时间超过10分钟时，有时被清洗物的表面被浸蚀而表面粗糙度增大。
另外，在本发明的清洗方法中，上述清洗处理后，还可以适当地根据需要进行利用超纯水等冲洗剂的冲洗工序。由此，可以防止在被清洗物的表面残留清洗液。
实施例
以下，例示性地详细说明本发明的优选实施例。但是，除非对该实施例所记载的材料、配合量等有特别限定性的记载，否则并非意图将本发明的范围限定于此，而只是说明例而已。
(清洗液的制作方法)
各实施例或比较例的清洗液是将以下所示原材料的任一种进行适当地配合而制作的。在实施例中使用的盐是从下述所示的原材料中选择构成盐的酸和碱，使它们进行反应而得到的。即，将(1)50重量％高纯度氢氟酸(StellaChemifa株式会社制)、(2)EL级、36重量％盐酸(三菱化学株式会社制)、(3)EL级、69重量％硝酸(三菱化学株式会社制)、(4)EL级、97重量％硫酸(三菱化学株式会社制)、(5)EL级、28重量％氨水(林纯药工业株式会社制)、(6)四甲基氢氧化铵(商品名：TokusoSD-25、Tokuyama株式会社制)中的各个原材料以规定的混合比例进行配合而制作。
在各实施例中，使用表面活性剂的情况下，适当配合了下述所示的各个原材料。即，将(1)聚氧乙烯烷基醚(非离子表面活性剂)、(2)庚胺(阳离子表面活性剂)、(3)庚酸(非离子表面活性剂)中的各个原材料以规定的浓度进行添加。
(被清洗物表面的残渣残留状态的测定方法)
对于在被清洗物表面的氧化铈固态物的残渣状态，利用TREX610-T(株式会社Teknos制)进行。即，在利用清洗液的清洗处理前后进行测定，确认利用清洗液的清洗效果。
(实施例1～13)
如表1所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸铵和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.001～5重量％，硫酸铵的浓度为1～20重量％。
(实施例14～17)
如表1所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的四甲基硫酸铵和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.01～0.1重量％，四甲基硫酸铵的浓度为1～10重量％。
(实施例18)
如表1所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸铵、氯化铵和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.1重量％，硫酸铵的浓度为5重量％，氯化铵的浓度为5重量％。
(比较例1)
如表1所示，制作硫酸铵浓度为20重量％的水溶液。
(比较例2)
如表1所示，制作氟化铵浓度为20重量％的水溶液。
(比较例3)
如表1所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的氟化铵和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.5％，氟化铵的浓度为20重量％。
(比较例4)
如表1所示，制作氟化氢浓度为5％的水溶液。
接着，对于在表面形成有的TEOS膜的直径为200mm的硅基板进行将氧化铈用作磨粒的化学机械研磨，将其用作被清洗物。在该被清洗物中，通过后述的残渣残留状态的测定，1×1012原子/cm2左右的氧化铈被确认作为残渣成分。
接下来，将上述清洗液填充于容积为90L的清洗液槽，将清洗液温度调节到25℃，使清洗液温度稳定。在这里，使上述被清洗物保持在PFA树脂制的硅基板保持部件之后，在上述清洗液槽中浸溃30秒。浸渍后，将每个硅基板保持部件从清洗液槽提起，浸渍在预先准备的容积为90L的超纯水冲洗槽中，将附着于被清洗物表面的清洗液洗掉。然后，将被清洗物进行干燥，再次进行上述残渣残留状态的测定。除去性能的良、差是将处理后的铈成分含量降低至作为残留状态评价装置的检测下限值的8.5×109原子/cm2以下的情况作为良，将没有降低至8.5×109原子/cm2的情况作为差。将基于此的清洗性评价结果示于下述表1。
[表1]
从表1的结果可知，使用本实施例1～18的清洗液时，在被清洗物表面的铈成分降低至8.5×109原子/cm2以下，对氧化铈的清洗除去效果优异。
另一方面，可知用比较例1～4的清洗液时，铈成分没有降低至评价装置的检测下限值以下，对氧化铈的清洗除去效果低。
(实施例19～31)
如表2所示，改变清洗液的组成和浓度，除此以外，与上述实施例1同样进行而制作了各清洗液。进而，与上述实施例1同样利用各清洗液进行清洗处理等。将其结果示于下述表2。
(比较例5)
如表2所示，改变清洗液的组成和浓度，除此以外，与上述实施例1同样进行而制作各清洗液。进而，与上述实施例1同样利用各清洗液进行清洗处理等。将其结果示于下述表2。
[表2]
从表2的结果可知，使用本实施例19～31的清洗液时，在被清洗物表面的铈成分降低至8.5×109原子/cm2以下，对氧化铈的清洗除去效果优异。
另一方面，可知用比较例5的清洗液时，铈成分没有降低至评价装置的检测下限值以下，对氧化铈的清洗除去效果低。
(实施例32～44)
如表3所示，改变清洗液的组成和浓度，除此以外，与上述实施例1同样进行而制作各清洗液。进而，与上述实施例1同样利用各清洗液进行清洗处理等。将其结果示于下述表3。
(比较例6)
如表3所示，改变清洗液的组成和浓度，除此以外，与上述实施例1同样进行而制作各清洗液。进而，与上述实施例1同样利用各清洗液进行清洗处理等。将其结果示于下述表3。
[表3]
从表3的结果可知，使用本实施例32～44的清洗液时，在被清洗物表面的铈成分降低至8.5×109原子/cm2以下，对氧化铈的清洗除去效果优异。
另一方面，可知用比较例6的清洗液时，铈成分没有降低至评价装置的检测下限值以下，对氧化铈的清洗除去效果低。
(实施例45～47)
如表4所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸铵、作为成分(c)的水、进而非离子性、阳离子性或阴离子性表面活性剂混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.1重量％、硫酸铵的浓度为10重量％。然后，与上述实施例1同样进行利用各清洗液的清洗处理。将其结果示于下述表4。
[表4]
从表4的结果可知，使用本实施例45～47的清洗液时，在被清洗物表面的铈成分降低至8.5×109原子/cm2以下，对氧化铈的清洗除去效果优异。
(实施例48～59)
如表5所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸铵、氯化铵、硝酸铵或四甲基硫酸铵、以及作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得成分(a)的浓度为0.1～5重量％，成分(b)的浓度为5重量％。
(比较例7)
如表5所示，制作硫酸铵浓度为5重量％的水溶液。
(比较例8)
如表5所示，制作氟化铵浓度为20重量％的水溶液。
(比较例9)
如表5所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的氟化铵和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.5％，氟化铵的浓度为20重量％。
(比较例10)
如表5所示，制作氟化氢浓度为5％的水溶液。
接着，对于在表面形成有无掺杂多晶硅膜的直径为200mm的硅基板进行将氧化铈用作磨粒的化学机械研磨，将其用作被清洗物。在该被清洗物中，通过后述的残渣残留状态的测定，1×1012原子/cm2左右的氧化铈被确认作为残渣成分。
接下来，与上述实施例1同样进行利用各清洗液的清洗处理等。将其结果示于下述表5。
[表5]
从表5的结果可知，使用本实施例48～59的清洗液时，在被清洗物表面的铈成分降低至8.5×109原子/cm2以下，对氧化铈的清洗除去效果优异。
另一方面，可知用比较例7～10的清洗液时，铈成分没有降低至评价装置的检测下限值以下，对氧化铈的清洗除去效果低。
(实施例60～71)
如表6所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸铵、氯化铵、硝酸铵或四甲基硫酸铵、以及作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得成分(a)的浓度为0.1～5重量％，成分(b)的浓度为5重量％。
(比较例11)
如表6所示，制作硫酸铵浓度为5重量％的水溶液。
(比较例12)
如表6所示，制作氟化铵浓度为20重量％的水溶液。
(比较例13)
如表6所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的氟化铵和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.5％，氟化铵的浓度为20重量％。
(比较例14)
如表6所示，制作氟化氢浓度为5％的水溶液。
接着，对于在表面形成有1000氮化硅膜的直径为200mm的硅基板进行将氧化铈用作磨粒的化学机械研磨，将其用作被清洗物。在该被清洗物中，通过后述的残渣残留状态的测定，1×1012原子/cm2左右的氧化铈被确认作为残渣成分。
接下来，与上述实施例1同样进行利用各清洗液的清洗处理等。将其结果示于下述表6。
[表6]
从表6的结果可知，使用本实施例60～71的清洗液时，在被清洗物表面的铈成分降低至8.5×109原子/cm2以下，对氧化铈的清洗除去效果优异。
另一方面，可知用比较例11～14的清洗液时，铈成分没有降低至评价装置的检测下限值以下，对氧化铈的清洗除去效果低。
(实施例72～74)
如表7所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸铵和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.01～0.5重量％，硫酸铵的浓度为10重量％。
(比较例15～17)
如表7所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸和作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.01～0.5重量％，硫酸的浓度为10重量％。
(比较例18)
如表7所示，将作为成分(a)的氟化氢、作为成分(b)的硫酸与抗坏血酸、以及作为成分(c)的水进行混合而制作清洗液，使得氟化氢的浓度为0.01重量％，硫酸的浓度为10重量％，抗坏血酸的浓度为0.1重量％。
接着，分别准备在表面形成有钛膜和铝膜的直径为200mm的硅基板，将其作为被清洗物使用。
接下来，将上述清洗液填充于容积为90L的清洗液槽，将清洗液温度调节到25℃，使清洗液温度稳定。在这里，使上述被清洗物保持在PFA树脂制的硅基板保持部件之后，将带有钛膜和铝膜的硅基板在表7所示的规定时间内浸渍于上述清洗液中。浸溃后，将每个硅基板保持部件从清洗液槽提起，浸溃在预先准备的容积为90L的超纯水冲洗槽中，将附着于被清洗物表面的清洗液洗掉。然后，使被清洗物干燥，利用4探针型表面电阻测定器(共和理研制，K705-RS)测定表面电阻值。将其测定结果示于下述表7。
[表7]
由表7的结果可知，使用实施例72～74的清洗液时，被清洗物表面的钛膜和铝膜的表面电阻值的上升变得小于比较例15～17，对钛膜和铝膜的影响小。由此可知，本发明的清洗液不仅可以清洗除去氧化铈，而且与比较例的清洗液相比，更能够抑制金属膜的电阻值的增加。
另一方面，可知比较例18的清洗液的钛膜和铝膜的表面电阻值的增加大，即使能够清洗除去氧化铈，也会增加金属膜的电阻值。

Claims (7)

1.一种清洗液，其特征在于，该清洗液除去残留于被清洗物表面的氧化铈，该清洗液由(1)氟化氢、(2)铵盐和(3)水构成，
该铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种。
2.一种清洗液，其特征在于，该清洗液除去残留于被清洗物表面的氧化铈，该清洗液由(1)氟化氢、(2)铵盐、(3)水和(4)选自表面活性剂、螯合剂、pH调节剂和有机溶剂的成分构成，
该铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种。
3.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，氟化氢的浓度为0.001～5重量％，铵盐的浓度为0.1～20重量％。
4.一种清洗方法，其特征在于，通过使清洗液与附着有氧化铈的被清洗物表面接触而将氧化铈以铈离子的形式溶解除去，
使用由(1)氟化氢、(2)铵盐和(3)水构成的清洗液作为所述清洗液，
该铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种。
5.一种清洗方法，其特征在于，通过使清洗液与附着有氧化铈的被清洗物表面接触而将氧化铈以铈离子的形式溶解除去，
使用由(1)氟化氢、(2)铵盐、(3)水和(4)选自表面活性剂、螯合剂、pH调节剂和有机溶剂的成分构成的清洗液作为所述清洗液，
该铵盐是选自氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、四甲基氯化铵、四甲基硝酸铵和四甲基硫酸铵中的至少1种。
6.根据权利要求4或5所述的清洗方法，其中，氟化氢的浓度为0.001～5重量％，铵盐的浓度为0.1～20重量％。
7.根据权利要求4或5所述的清洗方法，其中，被清洗物为半导体基板、玻璃基板、陶瓷基板、石英基板或水晶基板。
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