JP2012008574A - マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012008574A JP2012008574A JP2011151263A JP2011151263A JP2012008574A JP 2012008574 A JP2012008574 A JP 2012008574A JP 2011151263 A JP2011151263 A JP 2011151263A JP 2011151263 A JP2011151263 A JP 2011151263A JP 2012008574 A JP2012008574 A JP 2012008574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- less
- projection objective
- optical system
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 253
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 64
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 39
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 63
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 51
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 27
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 7
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012897 Levenberg–Marquardt algorithm Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0836—Catadioptric systems using more than three curved mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
- G02B13/0055—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing a special optical element
- G02B13/0065—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing a special optical element having a beam-folding prism or mirror
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/16—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use in conjunction with image converters or intensifiers, or for use with projectors, e.g. objectives for projection TV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0605—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors
- G02B17/0621—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0804—Catadioptric systems using two curved mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/02—Objectives
- G02B21/04—Objectives involving mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】放射光を物体平面103から像平面102に結像するように配列された複数の素子を含み、これらの複数の素子のうちの少なくとも1つは放射光の経路内に位置する回転非対称面を有する反射素子であるマイクロリソグラフィ投影光学系101を特徴とする。回転非対称面は、回転対称面から約10nm以上の値だけずれ、光学系はマイクロリソグラフィ投影光学系である。
【選択図】図1
Description
NA=n0sinθmax
と表すことができ、n0は、基板150の表面に隣接する浸漬媒体(例えば、空気、窒素、水、又は真空環境)の屈折率をいい、θmaxは、投影対物鏡101からの像形成光線からなる最大円錐形の半角である。
z’=(R2−(x’−xc)2−(y’−yc)2)1/2−zc
に基づいて局所距離diが最小値となるように最適化される。
dois=h0(1−M)
を使用して計算することができるが、ただし、h0は、光軸からの物体視野内の中心視野点のx−y平面内の距離であり、Mは、投影対物鏡拡大率である。例えば、投影対物鏡では、縮小率は4×(つまり、M=0.25)であり、中心視野点が光軸から120mmのところにあれば、doisは、90mmである。
結像係数: 1:4
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:8mm
長さ: 2360mm
像平面の傾き: −3.084°
結像係数: 1:4
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:8mm
長さ: 2354mm
像平面の傾き: −3.798°
結像係数: 1:5
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:8mm
長さ: 3030mm
像平面の傾き: 0°
結像係数: 1:5
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:8mm
長さ: 2273mm
像平面の傾き: 0°
結像係数: 1:5
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:8mm
長さ: 2332mm
像平面の傾き: −4.515°
結像係数: 1:4
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:8mm
長さ: 2084mm
像平面の傾き: +6.890°
結像係数: 1:4
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:6mm
長さ: 1610mm
像平面の傾き: −3.269°
結像係数: 1:4
物体視野の形態: 矩形
物体側で視野をスキャンする幅: 48mm
物体側で視野をスキャンする高さ:6mm
長さ: 805mm
像平面の傾き: −3.254°
結像係数: 1:4
物体視野の形態: 半径が600mm、方位角が−4.8°<φ<+4.8°である環状弓形
物体側で視野をスキャンする幅: 100mm
物体側で視野をスキャンする高さ:8mm
長さ: 2418mm
像平面の傾き: −3.284°
Claims (24)
- マイクロリソグラフィ投影光学系であって、
波長λの放射光を物体平面から像平面に結像するように配列されており、少なくとも1つは前記放射光の経路内に位置する回転非対称面を有する反射素子である複数の素子を備え、
前記回転非対称面は、少なくとも1つの位置において最良フィット回転対称面から少なくともλだけずれるマイクロリソグラフィ投影光学系。 - 前記回転非対称面は、前記1つ又は複数の位置において、前記最良フィット回転対称面から約10λ又はそれ以上ずれる請求項1に記載の光学系。
- 前記回転非対称面は、前記1つ又は複数の位置において、前記最良フィット回転対称面から約20nm又はそれ以上ずれる請求項1に記載の光学系。
- 前記複数の素子は、子午面を定め、前記複数の要素は、前記子午面に関して鏡面対称である請求項1に記載の光学系。
- 前記複数の素子は、放射光の経路内に位置する回転非対称面を有する反射素子である2つの素子を備える請求項1に記載の光学系。
- 前記複数の素子は正の主光線角度倍率を有する2つ以下の反射素子を含む請求項1に記載の光学系。
- 前記複数の素子は正の主光線角度倍率を有する1つ以下の反射素子を含む請求項7に記載の光学系。
- 前記マイクロリソグラフィ投影光学系は約0.2又はそれ以上の像側開口数を有する請求項1に記載の光学系。
- 前記光学系は、像平面において矩形の視野を有し、直交する方向のそれぞれにおいて、前記矩形の視野は、互いに直交する両方向で約1mm又はそれ以上の最小寸法を有する請求項1に記載の光学系。
- 前記像視野の静的歪曲は約10mm又はそれ以下である請求項1に記載の光学系。
- 前記像視野の波面誤差は約λ/14又はそれ以下である請求項1に記載の光学系。
- 前記主光線は、前記物体平面において互いから発散する請求項1に記載の光学系。
- 前記光学系の子午断面に対し、前記主光線は20°未満の、前記複数の素子のそれぞれの表面上の最大入射角を有する請求項13に記載の光学系。
- 前記像平面においてテレセントリックである請求項1に記載の光学系。
- 前記光学系を通る放射光の経路は主光線により特徴付けられ、前記光学系の子午断面について、中心視野点の前記主光線は、θ度の、前記複数の素子のそれぞれの表面上の最大入射角を有し、前記光学系は0.3よりも大きい像側開口数NAを有し、比θ/NAは68未満である請求項1に記載の光学系。
- 約75mm又はそれ以下の物体−像シフトを有する請求項1に記載の光学系。
- 前記複数の素子は、約25mm又はそれ以下のフリーボードを有する4つ又はそれ以上の素子を備える請求項1に記載の光学系。
- λの放射光を物体平面に与えるように構成された放射光源をさらに備える請求項1に記載の光学系。
- 前記放射光源から放射光を前記物体平面に位置する物体に向けるように配列された1つ又は複数の素子を備える照明系をさらに備え、前記照明系は、前記光学系の入射瞳に対応する場所に位置する素子を備える請求項19に記載の光学系。
- マイクロリソグラフィ・ツールであって、
請求項20に記載の前記光学系と、
前記光学系がレチクルを前記像平面に結像するように前記物体平面に前記レチクルの位置を決めるように構成された第1の可動ステージと、
前記レチクルの前記像が物品の表面に来るように前記像平面に物品の位置を決めるように構成された第2の可動ステージとを備えるマイクロリソグラフィ・ツール。 - 微細構造コンポーネントをマイクロリソグラフィにより生産するための方法であって、 少なくとも放射光感受性材料の層を有する基板を用意する工程と、
投影される構造を有するマスクを用意する工程と、
請求項21に記載のマイクロリソグラフィ・ツールを用意する工程と、
前記マイクロリソグラフィ・ツールを使用して前記層の一領域上に前記マスクの少なくとも一部を投影する工程とを含む方法。 - 請求項22に記載の方法により生産される微細構造コンポーネント。
- 放射光の前記経路に関して回転対称である設計から出発し、
この経路軸に平行な放射光の前記経路により定められる前記軸に対して回転対称の前記軸を平行移動することにより前記回転対称設計を偏心させ、
前記経路軸に対して回転対称の前記軸を傾けることにより前記回転対称設計を傾け、
前記偏心され、傾けられた設計からの自由形状のずれを行わせることにより光学収差を最小にすることを含む請求項1から20のいずれか1項に記載の光学系における回転非対称面を設計する方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US71643705P | 2005-09-13 | 2005-09-13 | |
US60/716,437 | 2005-09-13 | ||
US79338706P | 2006-04-07 | 2006-04-07 | |
US60/793,387 | 2006-04-07 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008529565A Division JP2009508150A (ja) | 2005-09-13 | 2006-09-12 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013098566A Division JP5689147B2 (ja) | 2005-09-13 | 2013-05-08 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012008574A true JP2012008574A (ja) | 2012-01-12 |
JP5507501B2 JP5507501B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=37478693
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008529565A Pending JP2009508150A (ja) | 2005-09-13 | 2006-09-12 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
JP2009265616A Active JP5249179B2 (ja) | 2005-09-13 | 2009-10-30 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
JP2011151263A Active JP5507501B2 (ja) | 2005-09-13 | 2011-06-21 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
JP2013098566A Expired - Fee Related JP5689147B2 (ja) | 2005-09-13 | 2013-05-08 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008529565A Pending JP2009508150A (ja) | 2005-09-13 | 2006-09-12 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
JP2009265616A Active JP5249179B2 (ja) | 2005-09-13 | 2009-10-30 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013098566A Expired - Fee Related JP5689147B2 (ja) | 2005-09-13 | 2013-05-08 | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7414781B2 (ja) |
EP (1) | EP1924888B1 (ja) |
JP (4) | JP2009508150A (ja) |
KR (3) | KR100962911B1 (ja) |
CN (1) | CN103076723A (ja) |
TW (2) | TWI451125B (ja) |
WO (1) | WO2007031271A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016525720A (ja) * | 2013-07-29 | 2016-08-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット及びそのような投影光学ユニットを含む投影露光装置 |
Families Citing this family (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100962911B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2010-06-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
DE102006014380A1 (de) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
CN101416117B (zh) * | 2006-04-07 | 2014-11-05 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投影光学***、工具及其制造方法 |
DE102006035022A1 (de) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Herstellen einer optischen Komponente, Interferometeranordnung und Beugungsgitter |
JP2008048293A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Kyocera Corp | 撮像装置、およびその製造方法 |
EP1930771A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-11 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objectives having mirror elements with reflective coatings |
JP5188397B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-04-24 | 京セラ株式会社 | 撮像装置および情報コード読取装置 |
EP1950594A1 (de) | 2007-01-17 | 2008-07-30 | Carl Zeiss SMT AG | Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik |
US8567678B2 (en) * | 2007-01-30 | 2013-10-29 | Kyocera Corporation | Imaging device, method of production of imaging device, and information code-reading device |
US7692867B2 (en) * | 2007-03-23 | 2010-04-06 | General Electric Company | Enhanced parfocality |
WO2009006919A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of measuring a deviation an optical surface from a target shape |
DE102008002377A1 (de) | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102007033967A1 (de) * | 2007-07-19 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
US8027022B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective |
KR101393912B1 (ko) | 2007-08-20 | 2014-05-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사 코팅을 갖는 미러 소자들을 구비하는 투영 대물렌즈 |
DE102007045396A1 (de) * | 2007-09-21 | 2009-04-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle |
DE102007051671A1 (de) * | 2007-10-26 | 2009-05-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
JP2010257998A (ja) * | 2007-11-26 | 2010-11-11 | Nikon Corp | 反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
DE102007062198A1 (de) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Katoptrisches Objektiv zur Abbildung eines im Wesentlichen linienförmigen Objektes |
DE102008033342A1 (de) | 2008-07-16 | 2010-01-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie |
DE102008000800A1 (de) | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie |
WO2009115180A1 (en) | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for microlithography |
DE102008015996A1 (de) | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Mikroskop und Mikroskopierverfahren zur Untersuchung eines reflektierenden Objektes |
DE102008001694A1 (de) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsoptik für die Mikrolithografie |
US8363129B2 (en) * | 2008-06-27 | 2013-01-29 | Kyocera Corporation | Imaging device with aberration control and method therefor |
JP4658162B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2011-03-23 | 京セラ株式会社 | 撮像装置および電子機器 |
DE102008033340B3 (de) * | 2008-07-16 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
US8502877B2 (en) | 2008-08-28 | 2013-08-06 | Kyocera Corporation | Image pickup apparatus electronic device and image aberration control method |
DE102008046699B4 (de) * | 2008-09-10 | 2014-03-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
JP5533656B2 (ja) | 2008-09-18 | 2014-06-25 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP4743553B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2011-08-10 | 京セラ株式会社 | レンズユニット、撮像装置、および電子機器 |
DE102008042438B4 (de) | 2008-09-29 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens zwei Arbeitszuständen |
KR20100044625A (ko) * | 2008-10-22 | 2010-04-30 | 삼성전자주식회사 | 주기적으로 활성화되는 복제 경로를 구비하는 지연 동기 루프를 구비하는 반도체 장치 |
DE202008016307U1 (de) | 2008-12-09 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Retikel mit einer abzubildenden Struktur, Projektionsoptik zur Abbildung der Struktur sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik |
DE102009008644A1 (de) | 2009-02-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
JP5525550B2 (ja) | 2009-03-06 | 2014-06-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
EP2447753A1 (en) | 2009-03-30 | 2012-05-02 | Carl Zeiss SMT GmbH | Imaging optics and projection exposure installation for microlithography with an imaging optics of this type |
US8269981B1 (en) | 2009-03-30 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and an apparatus for measuring a deviation of an optical test surface from a target shape |
DE102009034028A1 (de) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102009030501A1 (de) * | 2009-06-24 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes |
WO2011032572A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of measuring a shape of an optical surface and interferometric measuring device |
DE102009045163B4 (de) | 2009-09-30 | 2017-04-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US8743342B2 (en) * | 2009-11-17 | 2014-06-03 | Nikon Corporation | Reflective imaging optical system, exposure apparatus, and method for producing device |
KR102223843B1 (ko) | 2009-11-24 | 2021-03-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
DE102009047179B8 (de) | 2009-11-26 | 2016-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv |
WO2011131289A1 (en) | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optics, and a projection exposure apparatus for microlithography having such an imaging optics |
US8317344B2 (en) | 2010-06-08 | 2012-11-27 | Nikon Corporation | High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces |
JP5946190B2 (ja) | 2010-07-30 | 2016-07-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
DE102010039745A1 (de) | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102010040811A1 (de) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
JP5686901B2 (ja) | 2010-09-30 | 2015-03-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光システム及び投影露光方法 |
DE102011080437A1 (de) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildendes optisches System für die Mikrolithographie |
DE102010062597A1 (de) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Abbildungssystem |
DE102011076752A1 (de) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102011078928A1 (de) | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
CN102402135B (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-05 | 北京理工大学 | 一种极紫外光刻投影物镜设计方法 |
DE102011088980A1 (de) | 2011-12-19 | 2012-10-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektlithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
JP6135514B2 (ja) | 2012-02-06 | 2017-05-31 | 株式会社ニコン | 反射結像光学系、およびデバイス製造方法 |
DE102012202675A1 (de) | 2012-02-22 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102012208793A1 (de) | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102012212753A1 (de) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik |
WO2014019617A1 (en) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit for a projection exposure apparatus |
DE102012218558A1 (de) | 2012-10-11 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102013204441A1 (de) | 2013-03-14 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
JP5746259B2 (ja) * | 2013-05-07 | 2015-07-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物系 |
US9291751B2 (en) | 2013-06-17 | 2016-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit |
DE102013213545A1 (de) | 2013-07-10 | 2015-01-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
DE102014203187A1 (de) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
CN106062635B (zh) * | 2014-02-24 | 2019-11-15 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和方法 |
KR101882633B1 (ko) * | 2014-07-22 | 2018-07-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 리소그래피 마스크의 3d 에어리얼 이미지를 3차원으로 측정하는 방법 |
DE102014218474A1 (de) | 2014-09-15 | 2016-03-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie |
KR20170086559A (ko) | 2014-11-18 | 2017-07-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 투영 리소그라피를 위한 광학 서브시스템 및 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛 |
DE102014223452A1 (de) | 2014-11-18 | 2016-05-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Teilsystem für die Projektionslithographie sowie Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
DE102014223811B4 (de) | 2014-11-21 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils |
DE102015201138A1 (de) | 2015-01-23 | 2016-01-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102015226531A1 (de) | 2015-04-14 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102015221985A1 (de) | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
KR20180014740A (ko) | 2015-05-28 | 2018-02-09 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 대물 필드를 이미지 필드 내로 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛, 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치 |
DE102015209827B4 (de) | 2015-05-28 | 2019-06-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld, optisches System sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102015212619A1 (de) | 2015-07-06 | 2017-01-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102015221983A1 (de) | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102015221984A1 (de) | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102015224597A1 (de) | 2015-12-08 | 2016-10-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Feldfacettenspiegel für die EUV-Projektionslithographie |
NL2017892A (en) | 2015-12-22 | 2017-06-28 | Asml Netherlands Bv | Topography measurement system |
DE102015226529A1 (de) | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102016205617A1 (de) | 2016-04-05 | 2017-10-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage |
DE102016212578A1 (de) | 2016-07-11 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
JP6559105B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-08-14 | 富士フイルム株式会社 | ヘッドアップディスプレイ装置 |
JP6573586B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-09-11 | 富士フイルム株式会社 | ヘッドアップディスプレイ装置 |
DE102016218996A1 (de) | 2016-09-30 | 2017-09-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die Projektionslithographie |
DE102017201520B4 (de) | 2017-01-31 | 2018-10-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung von mikro- oder nanostrukturierten Bauelementen |
DE102017205130A1 (de) | 2017-03-27 | 2017-07-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102017207542A1 (de) | 2017-05-04 | 2017-06-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102017210269A1 (de) | 2017-06-20 | 2017-08-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102017210990A1 (de) | 2017-06-28 | 2017-08-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld mit EUV-Abbildungslicht |
TW202328826A (zh) | 2017-07-26 | 2023-07-16 | 德商卡爾蔡司Smt有限公司 | 投射微影中用於成像光之光束導引的光學元件 |
DE102018200152A1 (de) | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie |
DE102017212869A1 (de) | 2017-07-26 | 2019-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie |
DE102017216458A1 (de) | 2017-09-18 | 2019-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Spiegels als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
DE102017216893A1 (de) | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld |
DE102018200956A1 (de) | 2018-01-22 | 2018-12-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie |
DE102018200955A1 (de) | 2018-01-22 | 2019-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Baugruppe zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie |
DE102018200954A1 (de) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie |
DE102018201170A1 (de) | 2018-01-25 | 2019-07-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie |
DE102018203283A1 (de) | 2018-03-06 | 2018-05-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie |
DE102018207277A1 (de) | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithografiemaske, optisches System zur Übertragung von Original Strukturabschnitten der Lithografiemaske sowie Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes, in dem mindestens ein Original-Strukturabschnitt einer Lithografiemaske anordenbar ist |
DE102018208373A1 (de) | 2018-05-28 | 2019-06-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie |
DE102018214437A1 (de) | 2018-08-27 | 2018-10-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102018216832A1 (de) | 2018-10-01 | 2018-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Bereitstellung einer Optik-Baugruppe |
DE102018217707A1 (de) | 2018-10-16 | 2018-12-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektonslithographie |
DE102019202759A1 (de) | 2019-02-28 | 2019-04-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projek-tionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102019203423A1 (de) | 2019-03-13 | 2020-01-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102019205271A1 (de) | 2019-04-11 | 2020-10-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
TWI704342B (zh) * | 2019-11-28 | 2020-09-11 | 雷科股份有限公司 | Aoi(自動光學檢測)應用在雷射蝕薄銅線圈的方法及其設備 |
DE102019219209A1 (de) | 2019-12-10 | 2020-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Oberflächenprofil-Messeinrichtung zur Vermessung der Spiegel einer abbildenden Optik |
EP4001987A1 (en) | 2020-11-18 | 2022-05-25 | Coretronic Corporation | Imaging system and projection device |
DE102021205775A1 (de) | 2021-06-08 | 2022-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102021205774A1 (de) | 2021-06-08 | 2022-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102021211181A1 (de) | 2021-10-05 | 2022-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Projektionsoptik |
DE102022206112A1 (de) | 2022-06-20 | 2023-12-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld |
DE102022206110A1 (de) | 2022-06-20 | 2023-12-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld |
DE102022212382A1 (de) | 2022-11-21 | 2023-02-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Design einer Projektionsoptik sowie Projektionsoptik |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002139672A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-17 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 8枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系 |
JP2003222572A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Canon Inc | 位相測定装置 |
JP2004029625A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004512552A (ja) * | 2000-10-20 | 2004-04-22 | カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス | 8反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系 |
JP2004516500A (ja) * | 2000-12-12 | 2004-06-03 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | Euvリソグラフィ用の投影系 |
JP2004214242A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004525398A (ja) * | 2001-01-09 | 2004-08-19 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | Euvリソグラフィ用の投影系 |
JP2005055553A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nikon Corp | ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置 |
Family Cites Families (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3343868A1 (de) | 1983-12-03 | 1985-06-13 | Zeiss Carl Fa | Objektiv mit kegelschnittflaechen fuer die mikrozonenabbildung |
US4650292A (en) * | 1983-12-28 | 1987-03-17 | Polaroid Corporation | Analytic function optical component |
US5003567A (en) | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
JP2691226B2 (ja) | 1989-07-10 | 1997-12-17 | 株式会社ニコン | 赤外線撮像光学装置 |
US5071240A (en) * | 1989-09-14 | 1991-12-10 | Nikon Corporation | Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image |
US5063586A (en) * | 1989-10-13 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for semiconductor lithography |
DE3943258A1 (de) * | 1989-12-29 | 1991-07-11 | Michael Brunn | Silhouettierungsfreies spiegelsystem fuer astronomische teleskope vom typ schiefspiegler |
US5212588A (en) | 1991-04-09 | 1993-05-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths |
US5309276A (en) * | 1991-08-29 | 1994-05-03 | Optical Research Associates | Catoptric optical system including concave and convex reflectors |
JPH0736959A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | 自由曲面光学系の設計方法 |
DE4327656A1 (de) | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Steinheil Optronik Gmbh | Infrarot-Objektiv |
EP0730513B1 (en) | 1993-11-23 | 1999-03-03 | Plasmoteg Engineering Center | An abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof |
JP3358097B2 (ja) | 1994-04-12 | 2002-12-16 | 株式会社ニコン | X線投影露光装置 |
EP0730180B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type of zoom lens |
US6166866A (en) | 1995-02-28 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type optical system |
US6021004A (en) | 1995-02-28 | 2000-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type of zoom lens |
US6229595B1 (en) | 1995-05-12 | 2001-05-08 | The B. F. Goodrich Company | Lithography system and method with mask image enlargement |
US5815310A (en) | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
JPH11110791A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Pioneer Electron Corp | 光情報記録媒体の再生ピックアップ装置 |
WO1999026278A1 (fr) | 1997-11-14 | 1999-05-27 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procede de fabrication associe, et procede d'exposition |
US6240158B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | X-ray projection exposure apparatus with a position detection optical system |
US6226346B1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-05-01 | The Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging systems with balanced distortion |
JP2000091209A (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4238390B2 (ja) | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
US7186983B2 (en) | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE10138313A1 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
EP0955641B1 (de) | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US6859328B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
US6396067B1 (en) | 1998-05-06 | 2002-05-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
US6577443B2 (en) * | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
DE19923609A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
EP1293832A1 (en) | 1998-06-08 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6072852A (en) * | 1998-06-09 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
JP2000098229A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
JP2000098228A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 |
US6213610B1 (en) * | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
JP2000100694A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
JP2000100703A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法、並びに反射縮小投影光学系 |
US6195201B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-02-27 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reflective fly's eye condenser for EUV lithography |
US7151592B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-12-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
EP1772775B1 (de) * | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US6600552B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss Smt Ag | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus |
US6249391B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-06-19 | Olympus Optical Co., Ltd. | Image-forming optical system |
KR100756767B1 (ko) | 1999-03-15 | 2007-09-07 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 집속소자, 광헤드, 광정보 기록재생장치 및 광정보기록재생방법 |
US6033079A (en) | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
JP2000286189A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 |
EP1465003B1 (en) | 1999-04-02 | 2008-12-31 | Olympus Corporation | Viewing optical system and image display apparatus using the same |
US6426506B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-07-30 | The Regents Of The University Of California | Compact multi-bounce projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
JP4212721B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2009-01-21 | 三菱電機株式会社 | 広角反射光学系 |
JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US6557443B1 (en) * | 1999-09-09 | 2003-05-06 | Larue Mark C. | Bar feeder for machining center |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
JP2001185480A (ja) | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US6621557B2 (en) | 2000-01-13 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure methods |
TW538256B (en) | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
US6867913B2 (en) | 2000-02-14 | 2005-03-15 | Carl Zeiss Smt Ag | 6-mirror microlithography projection objective |
JP2002006221A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-09 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2002015979A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
US6387723B1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-05-14 | Silicon Light Machines | Reduced surface charging in silicon-based devices |
US20020171047A1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-11-21 | Chan Kin Foeng | Integrated laser diode array and applications |
JP4349550B2 (ja) | 2001-03-29 | 2009-10-21 | フジノン株式会社 | 反射型投映用光学系 |
TW594043B (en) | 2001-04-11 | 2004-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle |
JP2002329655A (ja) | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10139177A1 (de) | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Objektiv mit Pupillenobskuration |
JP4134544B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2008-08-20 | 株式会社ニコン | 結像光学系および露光装置 |
JP2003114387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
EP1333260A3 (en) | 2002-01-31 | 2004-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Phase measuring method and apparatus |
JP2003233005A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233001A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233002A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3631723B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2005-03-23 | 株式会社タロウ | 分子構造モデル構成体 |
DE10208854A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Beleuchtungssystem mit genestetem Kollektor zur annularen Ausleuchtung einer Austrittspupille |
US6989922B2 (en) * | 2002-06-21 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Deformable mirror actuation system |
JP2004031808A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 露光装置の投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置及び該露光装置を用いた露光方法 |
EP1521748A1 (de) | 2002-07-17 | 2005-04-13 | Zentaris GmbH | Neue anthracen-derivate und deren verwendung als arzneimittel |
DE60323927D1 (de) | 2002-12-13 | 2008-11-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
JP2004252358A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び露光装置 |
JP2004252363A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
JP2004258541A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Canon Inc | 反射型光学系 |
JP2003233305A (ja) * | 2003-03-10 | 2003-08-22 | Takumi Fujimori | 名称による50音索引の住宅地図帳 |
JP4340851B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2009-10-07 | 株式会社ニコン | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2005003943A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP4428947B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 結像光学系 |
US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
JP2005166778A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
JP2005172988A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
DE10359576A1 (de) | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit |
DE10360414A1 (de) | 2003-12-19 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US7114818B2 (en) | 2004-05-06 | 2006-10-03 | Olympus Corporation | Optical system, and electronic equipment that incorporates the same |
TWI308644B (en) | 2004-12-23 | 2009-04-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mlt obskurierter pupille |
DE102005042005A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
WO2006069725A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille |
JP2006245147A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR100604942B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치 |
KR100962911B1 (ko) | 2005-09-13 | 2010-06-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
DE102006003375A1 (de) | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Gruppenweise korrigiertes Objektiv |
DE102006014380A1 (de) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
-
2006
- 2006-09-12 KR KR1020087001999A patent/KR100962911B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-09-12 CN CN2013100144003A patent/CN103076723A/zh active Pending
- 2006-09-12 JP JP2008529565A patent/JP2009508150A/ja active Pending
- 2006-09-12 WO PCT/EP2006/008869 patent/WO2007031271A1/en active Application Filing
- 2006-09-12 TW TW098136869A patent/TWI451125B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-09-12 TW TW095133636A patent/TWI366004B/zh active
- 2006-09-12 EP EP06791994.4A patent/EP1924888B1/en not_active Not-in-force
- 2006-09-12 KR KR1020117020449A patent/KR101149267B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-09-12 KR KR1020107000043A patent/KR101127346B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-13 US US11/520,558 patent/US7414781B2/en active Active
-
2008
- 2008-07-02 US US12/166,406 patent/US7719772B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-28 US US12/474,247 patent/US8169694B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-30 JP JP2009265616A patent/JP5249179B2/ja active Active
-
2011
- 2011-06-21 JP JP2011151263A patent/JP5507501B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-03 US US13/438,428 patent/US9465300B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-05-08 JP JP2013098566A patent/JP5689147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002139672A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-17 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 8枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系 |
JP2004512552A (ja) * | 2000-10-20 | 2004-04-22 | カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス | 8反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系 |
JP2004516500A (ja) * | 2000-12-12 | 2004-06-03 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | Euvリソグラフィ用の投影系 |
JP2004525398A (ja) * | 2001-01-09 | 2004-08-19 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | Euvリソグラフィ用の投影系 |
JP2003222572A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Canon Inc | 位相測定装置 |
JP2004029625A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004214242A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005055553A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nikon Corp | ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016525720A (ja) * | 2013-07-29 | 2016-08-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット及びそのような投影光学ユニットを含む投影露光装置 |
US10558026B2 (en) | 2013-07-29 | 2020-02-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optical unit for imaging an object field into an image field, and projection exposure apparatus comprising such a projection optical unit |
JP2020109533A (ja) * | 2013-07-29 | 2020-07-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット及びそのような投影光学ユニットを含む投影露光装置 |
JP2022176242A (ja) * | 2013-07-29 | 2022-11-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット及びそのような投影光学ユニットを含む投影露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110114696A (ko) | 2011-10-19 |
CN103076723A (zh) | 2013-05-01 |
TWI366004B (en) | 2012-06-11 |
TW200717025A (en) | 2007-05-01 |
JP5507501B2 (ja) | 2014-05-28 |
TW201011339A (en) | 2010-03-16 |
US7719772B2 (en) | 2010-05-18 |
KR20100023947A (ko) | 2010-03-04 |
US8169694B2 (en) | 2012-05-01 |
JP2010107988A (ja) | 2010-05-13 |
JP2009508150A (ja) | 2009-02-26 |
KR101127346B1 (ko) | 2012-03-29 |
US9465300B2 (en) | 2016-10-11 |
US20090262443A1 (en) | 2009-10-22 |
US20120188525A1 (en) | 2012-07-26 |
US20090046357A1 (en) | 2009-02-19 |
EP1924888B1 (en) | 2013-07-24 |
KR20080054377A (ko) | 2008-06-17 |
JP5249179B2 (ja) | 2013-07-31 |
KR101149267B1 (ko) | 2012-05-25 |
EP1924888A1 (en) | 2008-05-28 |
WO2007031271A1 (en) | 2007-03-22 |
TWI451125B (zh) | 2014-09-01 |
JP5689147B2 (ja) | 2015-03-25 |
KR100962911B1 (ko) | 2010-06-10 |
JP2013210647A (ja) | 2013-10-10 |
US7414781B2 (en) | 2008-08-19 |
US20070058269A1 (en) | 2007-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5689147B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 | |
JP5830508B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影光学システム、装置、及び製造方法 | |
JP2009532725A5 (ja) | ||
JP2009532724A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130729 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131028 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5507501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |