JP2010257998A - 反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010257998A JP2010257998A JP2007305066A JP2007305066A JP2010257998A JP 2010257998 A JP2010257998 A JP 2010257998A JP 2007305066 A JP2007305066 A JP 2007305066A JP 2007305066 A JP2007305066 A JP 2007305066A JP 2010257998 A JP2010257998 A JP 2010257998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- projection optical
- reticle
- reflective
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
【課題】 照明光によって照明された第1の面での反射光によって第1の面の像を第2の面に投影する際、第1の面側及び第2の面側の両方でほぼテレセントリックである反射型投影光学系を提供すること。
【解決手段】 照明光学系からの照明ビームIBによって照明されたレチクルRのパターン面R1での反射光によってパターン面R1の像をウェハWの露光面W1に投影する投影光学系PLは、反射ミラーM1、M2を備える第1光学群G1と、反射ミラーM3〜M6を備える第2光学群G2とを備える。第1光学群G1の露光面W1側の焦点位置と第2光学群G2のパターン面R1側の焦点位置とがほぼ一致しており、パターン面R1の法線Nと照明ビームIBの主光線Lとのなす角度βが投影光学系PLのレチクル側開口数の逆正弦の値よりも大きい。投影光学系PLの全ての光学素子M1〜M6は照明ビームIBの外縁を規定する光線分の延長面IMを越えない。
【選択図】 図2
【解決手段】 照明光学系からの照明ビームIBによって照明されたレチクルRのパターン面R1での反射光によってパターン面R1の像をウェハWの露光面W1に投影する投影光学系PLは、反射ミラーM1、M2を備える第1光学群G1と、反射ミラーM3〜M6を備える第2光学群G2とを備える。第1光学群G1の露光面W1側の焦点位置と第2光学群G2のパターン面R1側の焦点位置とがほぼ一致しており、パターン面R1の法線Nと照明ビームIBの主光線Lとのなす角度βが投影光学系PLのレチクル側開口数の逆正弦の値よりも大きい。投影光学系PLの全ての光学素子M1〜M6は照明ビームIBの外縁を規定する光線分の延長面IMを越えない。
【選択図】 図2
Description
本発明は、反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法に関する。
近年、電子機器への小型化の要請により、半導体素子の微細化への要求がますます高くなっている。半導体の微細化に対応するため、露光装置では光源の波長を短波長化することが検討されている。しかしながら、波長が短くなると光の吸収が大きくなってしまい、実用に耐え得る光学ガラスの種類が限られてしまう。そのため、反射光学素子を備える投影光学系が検討されている(例えば、非特許文献1参照)。
反射型レチクルに形成されたパターンを照明することにより、レチクル上のパターンの像を感光性基板上に投影する露光装置が検討されている。反射型のレチクルを用いる場合、レチクルに入射する光とレチクルで反射し投影光学系に入射する光とを分離するため、斜光照明が用いられる。
Katsura Otaki :Jpn.Appl.Phys. Vol.39(2000) pp.6819-6826 :AsymmetricProperties of the Aerial Image in Extreme Ultraviolet Lithography
Katsura Otaki :Jpn.Appl.Phys. Vol.39(2000) pp.6819-6826 :AsymmetricProperties of the Aerial Image in Extreme Ultraviolet Lithography
しかしながら、この場合、レチクル上に段差によって形成されたパターンを照明光が斜めに入射するため、反射光によるパターン像には段差の影が生じてしまう。さらに、非特許文献1で検討されているように、照明光のレチクルへの入射角度がばらついてしまうと、パターン像に生じる影にもばらつきが生じてしまうおそれがある。
本発明の一実施形態は、照明光によって照明された第1の面での反射光によって第1の面の像を第2の面に投影する際、第1の面側及び第2の面側の両方でほぼテレセントリックである反射型投影光学系を提供することを目的とする。
実施形態に係る反射型投影光学系は、照明光学系からの照明ビームによって照明された第1の面での反射光によって前記第1の面の像を第2の面に投影する投影光学系であって、少なくとも一つの反射光学素子を備える第1光学群と、少なくとも一つの反射光学素子を備える第2光学群とを備え、前記第1光学群の前記第2の面側の焦点位置と第2光学群の前記第1の面側の焦点位置とがほぼ一致し、前記第1の面の法線と前記第1の面に入射する前記照明ビームの主光線とによって形成される角度が、前記反射投影光学系の第1の面側の開口数の逆正弦の値よりも大きく、前記投影光学系の全ての光学素子は、前記第1の面に入射する前記照明ビームの外縁を規定する光線群の延長面を越えない。
実施形態に係る露光装置は、第1の面の像を第2の面に投影する露光装置であって、前記第1の面を照明する照明光学装置と、上記の反射投影光学系と、を備える。
実施形態に係るデバイスの製造方法は、感光性基板を準備する工程と、請求項8記載の露光装置の前記第2の面に前記感光性基板を配置して、前記第1の面に位置する所定のパターンの像を前記感光性基板上に投影露光する工程と、前記マスクのパターンの前記像が投影された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する工程と、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程と、を備える。
本発明の一実施形態によれば、照明光によって照明された第1の面での反射光によって第1の面の像を第2の面に投影する際、第1の面側及び第2の面側の両方でほぼテレセントリックである反射型投影光学系を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図1は、本実施形態に係る露光装置1の構成を概略的に示す図である。図2は、露光装置1が備える投影光学系PLの構成を示す図である。図1において、投影光学系PLの基準光軸方向に沿ってZ軸を、投影光学系PLの基準光軸と直交する面内であって図1の紙面に平行な方向にY軸を、投影光学系PLの後述の基準光軸Axと直交する面内であって図1の紙面に垂直な方向にX軸をそれぞれ設定している。
第1実施形態による露光装置1は、EUV光源2と、波長選択フィルタ3と、照明光学系4と、レチクル(マスク)Rを支持するレチクルステージRSと、投影光学系PLと、ウェハWを支持するウェハステージWSとを備える。露光装置1は、EUV光源2から射出され、照明光学系3を介した光によってレチクルRを照明し、投影光学系PLを用いてレチクルRのパターンが形成されたパターン面R1である第1の面の像を、ウェハW上の投影面W1である第2の面に投影する。
図1に示されるように、露光装置1は、露光光を供給するためのEUV光源2として、例えば、13.5nmの波長を持つEUV(Extreme UltraViolet:極端紫外線)光を出力する放電プラズマ光源を用いる。ただし、EUV光源2として、例えば13.5nmとは異なる波長のEUV光を射出する放電プラズマ光源を用いてもよい。あるいは、EUV光源2として、レーザプラズマ光源、シンクロトロン光源などを用いてもよい。
EUV光源2から出力された光は、波長選択フィルタ3を介して、照明光学系4に入射する。ここで、波長選択フィルタ3は、EUV光源2が供給する光から、所定波長(例えば13.5nm)のX線だけを選択的に透過させ、他の波長の光の透過を遮る特性を有する。
波長選択フィルタ3を透過したEUV光は、複数の反射鏡から構成された照明光学系4を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のレチクルRを照明する。レチクルRへ向かう光IBとレチクルRで反射されて投影光学系PLに向かう光PBとの光線分離を行うため、露光装置1では、レチクルRに対して斜めに照明光を入射している(斜光照明)。
レチクルRは、パターンが形成されたパターン面R1の法線方向と投影光学系PLの基準光軸Axとが一致しないように配置される。レチクルRのパターン面R1は、XY平面に対して傾いて配置される。レチクルRは、Y方向に沿って移動可能なレチクルステージRSによって保持されている。レチクルステージRSの移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計測されるように構成されている。こうして、レチクルRS上には、Y軸に関して対称な円弧状の照明領域IR(図1では不図示)が形成される。
照明されたレチクルRのパターン面R1で反射された光PBは、反射型の投影光学系PLを介して、感光性基板であるウェハWの露光面W1上にパターン面R1の像を形成する。すなわち、ウェハWの露光面W1上には、Y軸に関して対称な円弧状の露光領域が形成される。
ウェハWは、その露光面W1の法線方向と投影光学系PLの基準光軸Axとが一致せず、且つ露光面W1の法線方向とレチクルRの法線方向とが一致しないように配置される。ウェハWの露光面W1は、XY平面に対して傾いて配置される。ウェハWは、X方向およびY方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージWSによって保持されている。なお、ウェハステージWSの移動は、レチクルステージRSと同様に、図示を省略したレーザー干渉計により計測されるように構成されている。こうして、レチクルステージRS及びウェハステージWSをY方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系PLに対してレチクルR及びウェハWをY方向に沿って相対移動させながらスキャン露光(走査露光)を行うことにより、ウェハWの1つの露光領域にレチクルRのパターンが転写される。
このとき、投影光学系PLの投影倍率(転写倍率)が1/4である場合、ウェハステージWSの移動速度をレチクルステージRSの移動速度の1/4に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージWSをX方向及びY方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハWの各露光領域にレチクルRのパターンが逐次転写される。
次に図2を参照して、投影光学系PLの具体的な構成について説明する。図2は、投影光学系PLの構成を示す図である。投影光学系PLは、反射光学素子である反射ミラーを少なくとも1つ備える第1光学群G1と、反射光学素子である反射ミラーを少なくとも1つ備える第2光学群G2と、光路に沿って第1光学群G1と第2光学群G2との間に配置される開口絞りASとを備える。第1光学群G1は2枚の反射ミラーM1、M2からなり、第2光学群G2は4枚の反射ミラーM3、M4、M5、M6からなる。すなわち、投影光学系PLは6枚の反射鏡を備える反射型投影光学系である。開口絞りASは、レチクルRから光路に沿って2つ目の反射ミラーM2と3つ目の反射ミラーM3との間に配置される。
第1光学群G1は、開口絞りASに関して光路に沿ってレチクル側Rに位置する反射ミラーM1、M2から構成される。第2光学群G2は、開口絞りASに関して光路に沿ってウェハ側Wに位置する反射ミラーM3〜M6から構成される。ただし、開口絞りASの位置と反射ミラーの位置とがほぼ一致する場合には、開口絞りASとほぼ一致する反射ミラーは第1及び第2光学群G1、G2の何れにも含まれず、開口絞りASの前後で群を分けることとする。
第1光学群G1は、開口絞りASに関して光路に沿ってレチクル側Rに位置する反射ミラーM1、M2から構成される。第2光学群G2は、開口絞りASに関して光路に沿ってウェハ側Wに位置する反射ミラーM3〜M6から構成される。ただし、開口絞りASの位置と反射ミラーの位置とがほぼ一致する場合には、開口絞りASとほぼ一致する反射ミラーは第1及び第2光学群G1、G2の何れにも含まれず、開口絞りASの前後で群を分けることとする。
投影光学系PLでは、第1光学群G1のウェハW側の焦点位置と第2光学群G2のレチクルR側の焦点位置とがほぼ一致する。よって、投影光学系PLは、レチクルR側及びウェハW側の両方でほぼテレセントリックな光学系となる。
図2に示されているように、反射ミラーM1は凹面鏡であり、反射ミラーM2は凸面鏡であり、反射ミラーM3は凸面鏡であり、反射ミラーM4は凹面鏡であり、反射ミラーM5は凸面鏡であり、反射ミラーM6は凹面鏡である。そして、レチクルRからの光は、反射ミラーM1の反射面及び反射ミラーM2の反射面で順次反射された後開口絞りASを通過し、その後反射ミラーM3の反射面、反射ミラーM4の反射面、反射ミラーM5の反射面、及び反射ミラーM6の反射面M6で順次反射された後、ウェハWの露光面W1上にレチクルパターンの縮小像を形成する。
反射ミラーM1〜M6のうち少なくとも1組の反射ミラーの反射面は、基準軸を回転対称軸とする回転対称な非球面状に形成されていてもよい。したがって、すべての反射ミラーM1〜M6の反射面が、基準軸を回転対称軸とする回転対称な非球面状に形成されていてもよい。ここで、反射ミラーM1〜M6の基準軸とは、反射ミラーの反射面の頂点である曲率中心を通り、当該曲率中心での接平面と直交する軸をいう。
投影光学系PLが備える反射ミラーM1〜M6のうち少なくとも1組の反射ミラーの基準軸は、互いに一致していない。
図2に示されるように、レチクルRのパターン面R1は、投影光学系PLの基準光軸Axに対してその法線方向が一致せずに傾いて配置される。具体的には、レチクルRのパターン面R1は、投影光学系PLの基準光軸Axに垂直な平面に対して有限の角度αを有している。ここで、投影光学系PLの基準光軸Axは、投影光学系PLの鏡筒の中心軸と平行であって、且つ開口絞りASの中心位置を通る軸をいう。また、角度αは、X軸中心の回転角度である。
また、ウェハWの露光面W1も、投影光学系PLの基準光軸Axに対してその法線方向が一致せずに傾いて配置される。
ここで、図3に示されるように、レチクルRのパターン面R1の法線Nとパターン面Rに入射する光束の主光線Lとによって形成される角度βが、投影光学系PLのレチクルR側の開口数の逆正弦の値よりも大きい。すなわち、投影光学系PLのレチクルR側の開口数をNAとし、投影光学系PLが使用波長に対する屈折率が1である雰囲気中(典型的には空気中や真空中)に配置されているとすると、以下の関係式(1)が成立する。
β>sin−1(NA) …(1)
図4は、レチクルRのパターン面R1に入射する照明ビームIBと、パターン面R1で反射されて投影光学系PLへ入射する投影ビームPBとの光路を模式的に示す図である。この図4に示されるように、パターン面R1に入射する照明ビームIBの外縁を規定する光線群によって形成される仮想面IMを考えるとき、この仮想面IMの延長面を境として、照明ビームIBが存在する側とは逆側の空間にのみ投影光学系PLを構成する光学素子M1〜M6が位置する。言い換えると、投影光学系PLを構成する全ての光学素子M1〜M6は、パターン面R1に入射する照明ビームIBの外縁を規定する光線群の延長面を越えないように配置されている。
β>sin−1(NA) …(1)
図4は、レチクルRのパターン面R1に入射する照明ビームIBと、パターン面R1で反射されて投影光学系PLへ入射する投影ビームPBとの光路を模式的に示す図である。この図4に示されるように、パターン面R1に入射する照明ビームIBの外縁を規定する光線群によって形成される仮想面IMを考えるとき、この仮想面IMの延長面を境として、照明ビームIBが存在する側とは逆側の空間にのみ投影光学系PLを構成する光学素子M1〜M6が位置する。言い換えると、投影光学系PLを構成する全ての光学素子M1〜M6は、パターン面R1に入射する照明ビームIBの外縁を規定する光線群の延長面を越えないように配置されている。
次に、図5に示すフローチャートを参照して、本実施形態に係る露光装置1を用いてデバイスを製造する方法について説明する。先ず、図5のステップS101において、1ロットのウェハW上に金属膜が蒸着される。次のステップS102において、そのlロットのウェハW上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS103において、本実施形態の露光装置を用いて、レチクルR上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウェハW上の各ショット領域に順次露光転写される。
その後、ステップS104において、その1ロットのウェハW上のフォトレジストの現像が行われる。これにより、パターン面R1に対応する形状のマスク層がウェハWの露光面W1上に形成される。
ステップS105において、ステップS104において形成されたマスク層を介してウェハWの露光面W1を加工する。具体的には、その1ロットのウェハW上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、レチクルR上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハW上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
本実施形態に係る露光装置1では、透過性の光学材料を用いることなく、反射型のレチクルR及び反射型の投影光学系PLを用いている。したがって、例えば13.5nm程度の波長のEUV光を射出するEUV光源2を用いてレチクルRのパターン面R1の像をウェハWに投影することも可能である。その結果、露光装置1では、その解像力を著しく向上させることが可能である。
投影光学系PLでは、第1光学群G1のウェハW側の焦点位置と第2光学群G2のレチクルR側の焦点位置とがほぼ一致している。したがって、投影光学系PLは、レチクルR側及びウェハW側の両方でほぼテレセントリックを実現することができる。
投影光学系PLでは、レチクルRのパターン面R1の法線方向とウェハWの露光面W1の法線方向とが一致していない。そのため、発生する収差を良好に抑制しつつ、レチクルR側及びウェハW側の両方でのテレセントリックを実現することが可能となる。
レチクルRのパターン面R1に形成されるパターンが段差を有する場合、照明光は段差に対して斜めに入射するため、露光面W1上に形成されるパターン面の像にパターン面R1の段差による影が生じてしまう。通常、ウェハWの露光面W1に形成されるパターン像の線幅を決められた範囲に保つために、反射型レチクルRの段差パターン構造により生じる影を計算し、反射型レチクルRに形成されるパターンの線幅の調整をしなければならない。このとき、様々な角度で照明光がレチクルRに入射すると、パターン像に生じる影の度合にばらつきが生じてしまい、反射型レチクルRに形成されるパターンの線幅の調整が困難となってしまう。そのため、反射型レチクルRを用意するのに多くの工程が必要となってしまい、レチクルR自体が高価になってしまうという問題が発生する。
これに対し、本実施形態に係る露光装置1の投影光学系PL1では、レチクルR側及びウェハW側の両方でほぼテレセントリックを実現している。そのため、レチクルRのパターン面R1に形成されたパターンが段差を有していても、段差によってパターンの像に形成される影を均一にすることが可能となる。パターンの像に形成される段差パターンの影を均一にすることにより、レチクルRを補正する工程を簡素化することが可能となる。
さらに、投影光学系PLでは、反射ミラーM1〜M6のうち少なくとも1組の反射ミラーの基準軸は互いに一致していない。そのため、発生する収差をさらに良好に抑制しつつ、レチクルR側及びウェハW側の両方でのテレセントリックを実現することが可能となる。
また、投影光学系PLでは、反射ミラーM1〜M6のうち少なくとも1組の反射ミラーは回転対称な非球面鏡であり、当該少なくとも1組の反射ミラーの基準軸は非球面鏡の回転対称軸である。そのため、発生する収差をさらに良好に抑制することが可能となる。
投影光学系PLでは、レチクルRのパターン面R1の法線とレチクルRのパターン面R1に入射する光束の主光線とによって形成される角度βが、投影光学系PLのレチクル側の開口数NAの逆正弦の値よりも大きい。すなわち、関係式(1)が成り立っている。したがって、投影光学系PLに入射する光束の幅分に対しても、レチクルRのパターン面R1で反射した光を良好に分離することが可能である。
そして、投影光学系PLを構成する全ての光学素子M1〜M6は、パターン面R1に入射する照明ビームIBの外縁を規定する光線群の延長面を越えないように配置されている。したがって、この延長面を境をして投影光学系とは反対側の空間に存在する照明光学系の配置の自由度を高めることが可能である。
そして、投影光学系PLを構成する全ての光学素子M1〜M6は、パターン面R1に入射する照明ビームIBの外縁を規定する光線群の延長面を越えないように配置されている。したがって、この延長面を境をして投影光学系とは反対側の空間に存在する照明光学系の配置の自由度を高めることが可能である。
投影光学系PLは6枚の反射ミラーM1〜M6からなり、開口絞りASは、レチクルのパターン面R1から光路に沿って2つ目の反射ミラーM2と3つ目の反射ミラーM3との間に配置されている。これにより、ディストーション、及び波面収差を良好に抑制することができる。
次に、図6〜図12を参照して、実施形態の変形例である投影光学系PLの第1実施例を説明する。図6は、第1実施例に係る投影光学系PLの構成を示す図である。
図6を参照すると、第1実施例の投影光学系PLでは、2枚の反射ミラーM1、M2からなる第1光学群G1と、4枚の反射ミラーM3〜M6からなる第2光学群G2と、光路に沿って第1光学群G1と第2光学群G2との間に配置される開口絞りASとを備える。開口絞りASは、レチクルRから光路に沿って2つ目の反射ミラーM2と3つ目の反射ミラーM3との間に配置される。
図7〜図9に、第1実施例に係る投影光学系PLの諸元の値を示す。図7〜図9の表は、露光光の波長が13.5nm、投影倍率が1/4、像側(ウェハ側)開口数が0.26のときの第1実施例に係る投影光学系PLの諸元の値である。図7は、第1実施例に係る投影光学系PLの各反射面の頂点曲率半径(mm)及び面間隔(mm)を表す表である。図8は、第1実施例に係る投影光学系PLの各面の非球面データを表す表である。図9は、第1実施例に係る投影光学系PLの各面の偏心データを表す表である。
図7に示した表における面間隔とは、各反射面の軸上間隔(mm)をいう。面間隔は、反射される度にその符号を変えるものとする。そして、光線の入射方向にかかわらずレチクルR側に向かって凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。図7の物体面とはレチクルRのパターン面R1のことであり、最終像面とはウェハWの露光面W1である。
図7から理解されるように、反射ミラーM1は凹面鏡であり、反射ミラーM2は凸面鏡であり、反射ミラーM3は凸面鏡であり、反射ミラーM4は凹面鏡であり、反射ミラーM5は凸面鏡であり、反射ミラーM6は凹面鏡である。
第1実施例に係る投影光学系PLでは、すべての反射ミラーM1〜M6の反射面が基準軸に関して回転対称な非球面状に形成されている。非球面は、基準軸に垂直な方向の高さをyとし、非球面の頂点における接平面から高さyにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離をzとし、頂点曲率半径をrとし、円錐係数をκとし、n次の非球面係数をCn としたとき、以下の数式(2)で表される。
z=(y2/r)/{1+{1−(1+κ)・y2/r2}1/2}
+C4・y4+C6・y6+C8・y8+C10・y10+・・・ (2)
z=(y2/r)/{1+{1−(1+κ)・y2/r2}1/2}
+C4・y4+C6・y6+C8・y8+C10・y10+・・・ (2)
図8に非球面データとして示したκ、C4、C6、C8、C10の値は、上記式(2)で各反射面を表した場合の係数の値である。
図9の偏心データは、各反射ミラーM1〜M6の反射面の曲率中心のY方向へのシフト量(mm)と、非球面の回転対称軸がY方向に傾斜する角度であるチルト量(°)を示す。
続いて、図10に、第1実施例に係る投影光学系PLを用いて、レチクルRのパターン面R1をウェハW上に投影露光した場合に露光面W1上に得られる露光領域の一部ERを示す。図10に示すように、Y軸に関して対称な円弧状の露光領域が形成される。そして、図10に示した露光領域ER上の点f1〜f15に到達する光線について追跡した結果の表を図11〜図13に示す。
図11の表は、ウェハWの露光領域ER上の各点f1〜f15の位置を表す。原点は、露光領域ERを含む円弧の中心位置である。
図12の表(a)は、露光領域ER上の各点f1〜f15に到達する光線の主光線L0に対するレチクルR側でのM方向余弦とL方向余弦とを表す。図12の表(b)は、露光領域ER上の各点f1〜f15に到達する光線の主光線L0に対するウェハW側でのM方向余弦とL方向余弦とを表す。
ここで、M方向余弦及びL方向余弦について、図14を参照して説明する。図14(a)はM方向余弦を説明する図である。図14(b)はL方向余弦を説明する図である。図14(a)に示されるように、M方向余弦とは、主光線L0に対して各点f1〜f15に到達する光線L1がY方向に倒れる度合いγMの余弦値を表す。図14(a)の+Mで示された矢印の向きが、M方向余弦の正の方向を示す。図14(b)に示されるように、L方向余弦とは、主光線L0に対して各点f1〜f15に到達する光線L1がX方向に倒れる度合いγLの余弦値を表す。図14(b)の+Lで示された矢印の向きが、L方向余弦の正の方向を示す。
したがって、図12の表(a)において、M方向余弦及びL方向余弦の値が点f1〜f15で揃っているほど、第1実施例に係る投影光学系PLのレチクル側でテレセントリックが良好に実現されているといえる。また、図12の表(b)において、M方向余弦及びL方向余弦の値が点f1〜f15で揃っているほど、第1実施例に係る投影光学系PLのウェハ側でテレセントリックが良好に実現されているといえる。
図13の表は、第1実施例に係る投影光学系PLのレチクル側でのテレセントリックの度合い、及び第1実施例に係る投影光学系PLのウェハ側でのテレセントリックの度合いを表す。すなわち、図12(a)より、レチクル側におけるM方向余弦の最大値は点f13での値1.0500272であり、レチクル側におけるM方向余弦の最小値は点f3での値0.104997280548である。したがって、M方向余弦の最大値(1.0500272)とM方向余弦の最小値(0.104997280548)との差は5.43962×10−6である。また、図12(a)より、レチクル側におけるL方向余弦の最大値は点f13での値1.34×10−6であり、レチクル側におけるL方向余弦の最小値は点f9での値−1.23×10−7である。したがって、L方向余弦の最大値(1.34×10−6)とL方向余弦の最小値(−1.23×10−7)との差は1.463×10−6である。
図12に示されているように、投影光学系PLでは、レチクル側において、M方向余弦の最大値と最小値との差も、L方向余弦の最大値と最小値との差も何れも非常に小さい。このことは、ウェハ側だけテレセントリックにした光学系では、例えばこれらの値は10−2程度のオーダーとなってしまうことからも明らかである。
図12(b)より、ウェハ側におけるM方向余弦の最大値は点f13での値0.000442309であり、ウェハ側におけるM方向余弦の最小値は点f15での値0.000433735である。したがって、M方向余弦の最大値(0.000442309)とM方向余弦の最小値(0.000433735)との差は8.574×10−6である。また、図12(b)より、ウェハ側におけるL方向余弦の最大値は点f14での値1.45×10−6であり、レチクル側におけるL方向余弦の最小値は点f9での値−2.80×10−7である。したがって、L方向余弦の最大値(1.45×10−6)とL方向余弦の最小値(−2.80×10−7)との差は1.73×10−6である。
図13に示されているように、投影光学系PLでは、ウェハ側において、M方向余弦の最大値と最小値との差も、L方向余弦の最大値と最小値との差も何れも非常に小さい。したがって、図13からも、第1実施例に係る投影光学系PLでは、レチクル側及びウェハ側の両方でほぼテレセントリックな光学系が実現できることが理解される。
次に、図15〜図21を参照して、実施形態の変形例である投影光学系PLの第2実施例を説明する。図15は、第2実施例に係る投影光学系PLの構成を示す図である。
図15を参照すると、第2実施例の投影光学系PLでは、2枚の反射ミラーM1、M2からなる第1光学群G1と、4枚の反射ミラーM3〜M6からなる第2光学群G2と、光路に沿って第1光学群G1と第2光学群G2との間に配置される開口絞りASとを備える。開口絞りASは、レチクルRから光路に沿って2つ目の反射ミラーM2と3つ目の反射ミラーM3との間に配置される。
図16〜図18に、第2実施例に係る投影光学系PLの諸元の値を示す。図16〜図18の表は、露光光の波長が13.5nm、投影倍率が1/4、像側(ウェハ側)開口数が0.26のときの第2実施例に係る投影光学系PLの諸元の値である。図16は、第2実施例に係る投影光学系PLの各反射面の頂点曲率半径(mm)及び面間隔(mm)を表す表である。図17は、第2実施例に係る投影光学系PLの各面の非球面データを表す表である。図18は、第2実施例に係る投影光学系PLの各面の偏心データを表す表である。
図16に示した表における面間隔とは、各反射面の軸上間隔(mm)をいう。図16から理解されるように、反射ミラーM1は凹面鏡であり、反射ミラーM2は凸面鏡であり、反射ミラーM3は凸面鏡であり、反射ミラーM4は凹面鏡であり、反射ミラーM5は凸面鏡であり、反射ミラーM6は凹面鏡である。
第2実施例に係る投影光学系PLでは、すべての反射ミラーM1〜M6の反射面が基準軸に関して回転対称な非球面形状であって、数式(2)で表される。図17に非球面データとして示したκ、C4、C6、C8、C10の値は、上記式(2)で各反射面を表した場合の係数の値である。
図18の偏心データは、各反射ミラーM1〜M6の反射面の曲率中心のY方向へのシフト量(mm)と、非球面の回転対称軸がY方向に傾斜する角度であるチルト量(°)を示す。
続いて、図10で示した露光領域ER上の点f1〜f15に到達する光線について、第2実施例に係る投影光学系PLで反射させて追跡した結果の表を図19〜図21に示す。図19の表は、ウェハWの露光領域ER上の各点f1〜f15の位置を表す。原点は、露光領域ERを含む円弧の中心位置である。
図20の表(a)は、露光領域ER上の各点f1〜f15に到達する光線の主光線に対するレチクルR側でのM方向余弦とL方向余弦とを表す。図20の表(b)は、露光領域ER上の各点f1〜f15に到達する光線の主光線に対するウェハW側でのM方向余弦とL方向余弦とを表す。図20の表(a)において、M方向余弦及びL方向余弦の値が点f1〜f15で揃っているほど、第2実施例に係る投影光学系PLのレチクル側でテレセントリックが良好に実現されているといえる。また、図20の表(b)において、M方向余弦及びL方向余弦の値が点f1〜f15で揃っているほど、第2実施例に係る投影光学系PLのウェハ側でテレセントリックが良好に実現されているといえる。
図21の表は、第2実施例に係る投影光学系PLのレチクル側でのテレセントリックの度合い、及び第2実施例に係る投影光学系PLのウェハ側でのテレセントリックの度合いを表す。すなわち、図20(a)より、レチクル側におけるM方向余弦の最大値は点f13での値0.10500537であり、レチクル側におけるM方向余弦の最小値は点f3での値0.104995618である。したがって、M方向余弦の最大値(0.10500537)とM方向余弦の最小値(0.104995618)との差は9.7521×10−6である。また、図20(a)より、レチクル側におけるL方向余弦の最大値は点f13での値1.57×10−6であり、レチクル側におけるL方向余弦の最小値は点f5での値−1.67×10−7である。したがって、L方向余弦の最大値(1.57×10−6)とL方向余弦の最小値(−1.67×10−7)との差は1.737×10−6である。
図21に示されているように、投影光学系PLでは、レチクル側において、M方向余弦の最大値と最小値との差も、L方向余弦の最大値と最小値との差も何れも非常に小さい。
図20(b)より、ウェハ側におけるM方向余弦の最大値は点f13での値−0.002549737であり、ウェハ側におけるM方向余弦の最小値は点f3での値−0.002560105である。したがって、M方向余弦の最大値(−0.002549737)とM方向余弦の最小値(−0.002560105)との差は1.03682×10−5である。また、図20(b)より、ウェハ側におけるL方向余弦の最大値は点f14での値1.70×10−6であり、レチクル側におけるL方向余弦の最小値は点f7での値−3.71×10−7である。したがって、L方向余弦の最大値(1.70×10−6)とL方向余弦の最小値(−3.71×10−7)との差は2.071×10−6である。
図21に示されているように、投影光学系PLでは、ウェハ側において、M方向余弦の最大値と最小値との差も、L方向余弦の最大値と最小値との差も何れも非常に小さい。したがって、図13からも、第1実施例に係る投影光学系PLでは、レチクル側及びウェハ側の両方でほぼテレセントリックな光学系が実現できることが理解される。
以上、実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施例では投影光学系PLの全ての反射ミラーM1〜M6の基準軸が基準光軸Axと一致していないが、これに限らず、例えば一組の反射ミラーだけがその基準軸を一致されていなくても、あるいはすべての反射ミラーの基準軸が一致していてもよい。また、上記実施例では投影光学系PLの全ての反射ミラーM1〜M6の反射面が回転対称な非球面形状であるが、これに限らず、例えば一組の反射ミラーだけが回転対称な非球面形状であってもよく、あるいは何れの反射ミラーも回転対称な非球面形状を呈していなくてもよい。
また、投影光学系PLに含まれる反射ミラーの数は、上記実施形態及び実施例で示された数(6枚)に限られない。
また、第1の面(パターン面R1)と第2の面(露光面W1)とが互いに平行で且つこれら第1および第2の面の法線と基準光軸Axとが非平行であってもよい。
また、第1の面(パターン面R1)と第2の面(露光面W1)とが互いに平行で且つこれら第1および第2の面の法線と基準光軸Axとが非平行であってもよい。
1…露光装置、2…EUV光源、3…波長選択フィルタ、4…照明光学系、R…レチクル、RS…レチクルステージ、PL…投影光学系、W…ウェハ、WS…ウェハステージ、M1〜M6…反射ミラー、AS…開口絞り、G1…第1光学群、G2…第2光学群。
Claims (9)
- 照明光学系からの照明ビームによって照明された第1の面での反射光によって前記第1の面の像を第2の面に投影する投影光学系であって、
少なくとも一つの反射光学素子を備える第1光学群と、少なくとも一つの反射光学素子を備える第2光学群とを備え、
前記第1光学群の前記第2の面側の焦点位置と第2光学群の前記第1の面側の焦点位置とがほぼ一致し、
前記第1の面の法線と前記第1の面に入射する前記照明ビームの主光線とによって形成される角度が、前記反射投影光学系の第1の面側の開口数の逆正弦の値よりも大きく、
前記投影光学系の全ての光学素子は、前記第1の面に入射する前記照明ビームの外縁を規定する光線群の延長面を越えない反射投影光学系。 - 前記第1光学群と前記第2光学群とが備える全ての反射光学素子のうち少なくとも1組の反射光学素子の基準軸は互いに一致していない請求項1に記載の反射投影光学系。
- 前記第1光学群と前記第2光学群とが備える全ての反射光学素子のうち少なくとも1組の反射光学素子は、回転対称な非球面鏡であり、前記基準軸は前記非球面鏡の回転対称軸である請求項2に記載の投影光学系。
- 前記反射投影光学系は、前記第1の面側及び前記第2の面側の両方でほぼテレセントリックである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の反射投影光学系。
- 前記第1の面の法線方向と前記第2の面の法線方向とは一致していない請求項1乃至4のいずれか1項に記載の反射投影光学系。
- 前記反射投影光学系は、前記第1光学群と前記第2光学群との間に開口絞りが配置される請求項1乃至5のいずれか1項に記載の反射投影光学系。
- 前記反射投影光学系は6枚の反射鏡からなり、前記開口絞りは、前記第1の面から光路に沿って2つ目の反射鏡と3つ目の反射鏡との間に配置される請求項6に記載の反射投影光学系。
- 第1の面の像を第2の面に投影する露光装置であって、
前記第1の面を照明する照明光学装置と、
請求項1〜7の何れか一項記載の反射投影光学系と、を備える露光装置。 - デバイスの製造方法であって、
感光性基板を準備する工程と、
請求項8記載の露光装置の前記第2の面に前記感光性基板を配置して、前記第1の面に位置する所定のパターンの像を前記感光性基板上に投影露光する工程と、
前記マスクのパターンの前記像が投影された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程と、
を備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007305066A JP2010257998A (ja) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | 反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
TW097144028A TW200931198A (en) | 2007-11-26 | 2008-11-14 | Reflective projection optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, projection method, and exposure method |
PCT/JP2008/071595 WO2009069722A1 (en) | 2007-11-26 | 2008-11-20 | Reflective projection exposure apparatus and exposure method |
US12/323,274 US20090135510A1 (en) | 2007-11-26 | 2008-11-25 | Reflective projection optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, projection method, and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007305066A JP2010257998A (ja) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | 反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010257998A true JP2010257998A (ja) | 2010-11-11 |
Family
ID=40380340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007305066A Pending JP2010257998A (ja) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | 反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090135510A1 (ja) |
JP (1) | JP2010257998A (ja) |
TW (1) | TW200931198A (ja) |
WO (1) | WO2009069722A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012522275A (ja) * | 2009-03-30 | 2012-09-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
CN108351499A (zh) * | 2015-11-09 | 2018-07-31 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4372469A2 (en) | 2009-11-24 | 2024-05-22 | Nikon Corporation | Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method |
DE102015226529A1 (de) | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
SG11201805604PA (en) * | 2016-01-28 | 2018-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ozone supply device and ozone supply method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5222112A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
US6985210B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-01-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
SG115575A1 (en) * | 2002-10-18 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus comprising a secondary electron removal unit |
US7554649B2 (en) * | 2003-09-02 | 2009-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus and device fabricating method |
US7023524B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-04-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2007031271A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface |
-
2007
- 2007-11-26 JP JP2007305066A patent/JP2010257998A/ja active Pending
-
2008
- 2008-11-14 TW TW097144028A patent/TW200931198A/zh unknown
- 2008-11-20 WO PCT/JP2008/071595 patent/WO2009069722A1/en active Application Filing
- 2008-11-25 US US12/323,274 patent/US20090135510A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012522275A (ja) * | 2009-03-30 | 2012-09-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2015052797A (ja) * | 2009-03-30 | 2015-03-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
CN108351499A (zh) * | 2015-11-09 | 2018-07-31 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备 |
CN108351499B (zh) * | 2015-11-09 | 2021-04-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009069722A1 (en) | 2009-06-04 |
US20090135510A1 (en) | 2009-05-28 |
TW200931198A (en) | 2009-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102438345B1 (ko) | 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2008262223A (ja) | Euvフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ | |
WO2003005097A1 (fr) | Systeme optique de projection et appareil d'exposition dote du systeme optique de projection | |
JP2004252363A (ja) | 反射型投影光学系 | |
JP2010257998A (ja) | 反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
KR101892766B1 (ko) | 반사 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US6924937B2 (en) | Aberration correcting optical system | |
JP2005315918A (ja) | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 | |
JP7005364B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、物品の製造方法及び調整方法 | |
JP5682248B2 (ja) | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP6931469B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
TWI245324B (en) | Projection optical system | |
JP2006058023A (ja) | 薄膜、それを有する光学素子、及び成膜方法 | |
JP2008304711A (ja) | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2004022722A (ja) | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 | |
JP2011150227A (ja) | 露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2009258461A (ja) | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |