-
Die
Erfindung betrifft einen bündelführenden optischen
Kollektor zur Erfassung einer Emission einer Strahlungsquelle nach
dem Oberbegriff des Anspruches 1. Ferner betrifft die Erfindung
ein EUV-Beleuchtungssystem, eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage,
ein Herstellungsverfahren für ein mikrostrukturiertes Bauteil sowie
ein mit einem derartigen Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes
Bauteil.
-
Kollektoren
der eingangs genannten Art, die insbesondere zur Erfassung der Emission
von EUV-(Extrem Ultra Violett-)Strahlungsquellen dienen, die Strahlung
beispielsweise im Wellenlängenbereich zwischen 10 nm und
30 nm emittieren, sind beispielsweise bekannt aus der
WO 2007/045 434 A2 ,
der
US 6,438,199 B1 , der
US 6,507,440 B1 und
der
US 5,339,346 A .
-
EUV-Strahlungsquellen
haben in der Regel rotationssymmetrische oder hinsichtlich einer
Abstrahlachse achssymmetrische Abstrahlcharakteristiken. Die zugeordneten
Kollektoren sind in der Regel so ausgelegt, dass die EUV-Strahlung
in einem möglichst großen achssymmetrischen Raumwinkel
aufgenommen wird.
-
Je
nach den Anforderungen, die hinsichtlich der definierten Ausleuchtung
eines Beleuchtungsfeldes an ein Beleuchtungssystem gestellt werden,
zu dem ein derartiger Kollektor gehört, muss ein dem Kollektor nachgeordnetes
Strahlungsbündel geformt sein. Diese erforderliche Form
des Strahlungsbündels weicht in der Regel von einer rotationssymmetrischen
Bün delform ab. Im Stand der Technik sind Kollektoren, die
von der Rotationssymmetrie abweichende Strahlungsbündelformen
angeben, nur für Spezialfälle geeignet.
-
Es
ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Kollektor
der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass die durch
diesen erzeugte Strahlungsbündelform, also die durch diesen
in der dem Kollektor nachgeordneten Ebene definiert erzeugte Beleuchtungsverteilung,
in ihrer Form möglichst frei wählbar ist.
-
Diese
Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch
einen Kollektor mit den im Anspruch 1 sowie durch einen Kollektor
mit den im Anspruch 2 angegebenen Merkmalen.
-
Erfindungsgemäß wurde
erkannt, dass der Ansatz, die Strahlungsquelle in eine Mehrzahl
zweidimensional zueinander versetzt liegender Strahlungsquellen-Bilder
nach Anspruch 1 oder in eine Bündel-Randkontur nach Anspruch
2 zu überführen, die Möglichkeit bietet,
praktisch beliebige Formen von Beleuchtungsverteilungen in einer
dem Kollektor nachgeordneten Ebene bereitzustellen, die auch als
Bündelformungsebene bezeichnet wird. Der erfindungsgemäße
Kollektor eignet sich daher insbesondere für Beleuchtungssysteme, in
denen eine von der Rotationssymmetrie definiert abweichende Beleuchtungsverteilung
in einem nachgeordneten Beleuchtungsfeld gefordert ist. Diese Beleuchtungsverteilung
muss nicht durch Abschatten von Beleuchtungslicht hergestellt werden,
sodass sich der Anteil der nutzbaren Emission der Strahlungsquelle
erhöht. Die genaue Form der reflektierenden Oberfläche
des Kollektors kann mit Hilfe eines entsprechenden und die Abbildung
in die Strahlungsquellen-Bilder nach Anspruch 1 oder die Formung
der Bündel-Randkontur nach Anspruch 2 modellieren den Algorithmus
bestimmt werden. Ein derartiger mathematischer Algorithmus ist bekannt
aus Kochengin und Oliker, Inverse Problems 13 (1997), S.
363 bis 367. Die Emission der Strahlungsquelle kann mit
dem optischen Kollektor entweder direkt oder über eine
Zwischenabbildung der Strahlungsquelle erfasst werden.
-
Eine
Ausgestaltung der reflektierenden Oberfläche nach Anspruch
3 lässt sich insbesondere zur Beleuchtung eines spekularen
Reflektors nutzen, der in der
US 2006/0132747 A1 beschrieben ist. Die Bündel-Randkontur
des transformierten Strahlungsbündels und damit die Beleuchtungsverteilung
auf dem spekularen Reflektor ist an die Form des in aller Regel
von der Rotationssymmetrie abweichenden Beleuchtungsfeldes angepasst.
Insbesondere dann, wenn ein Beleuchtungsfeld mit einem großen
Aspektverhältnis ausgeleuchtet werden soll, beispielsweise
ein rechteckiges oder ein bogenförmiges Ringfeld, weicht
die auf dem spekularen Reflektor geforderte Beleuchtungsverteilung
stark von der Rotationssymmetrie ab. Hier kommt die Flexibilität
des erfindungsgemäßen Reflektors bei der Herstellung
praktisch beliebig geformter Beleuchtungsverteilungen besonders
gut zum Tragen. Die Bündel-Randkontur in der nachgeordneten
Ebene und somit die Beleuchtungsverteilung kann durch Rückprojektion
aus den Formen einerseits einer Pupillen-Beleuchtungsverteilung
einer nachgeordneten abbildenden Optik und andererseits der Form
eines mit dem transformierten Strahlungsbündel auszuleuchtenden
und der abbildenden Optik vorgelagerten Beleuchtungs- oder Objektfeldes
erzeugt werden. Die Rückprojektion findet dabei aus Richtung
der ausgeleuchteten Pupillenebene der abbildenden Optik durch das
Objektfeld auf die nachgeordnete Ebene statt. Die Beleuchtungsverteilung
in der nachgeordneten Ebene kann beispielsweise bei einem bogenförmigen
Beleuchtungsfeld die Form einer Niere bzw. einer Bohne haben.
-
Eine
Ausführung der reflektierenden Oberfläche nach
Anspruch 4 ist jedenfalls dann von besonderem Vorteil, wenn eine
stärker von der Rotationssymmetrie abweichende Ausleuchtung
des Feldfacettenspiegels gefordert ist. Ein Beispiel für
eine derartige geforderte Ausleuchtung eines Feldfacettenspiegels
gibt die
US 7,186,983
B2 .
-
Eine
Facettenunterteilung nach Anspruch 5 ermöglicht eine Formung
der Beleuchtungsverteilung durch Vorgabe der relativen Positionen
der von den einzelnen Facetten in der Bündelformungsebene
bereitgestellten Strahlungsquellen-Bildern zueinander.
-
Eine
Anordnung der Facetten nach Anspruch 6 in Form einer Parkettierung
nutzt vorteilhaft praktisch die gesamte reflektierende Oberfläche,
sodass bei der Reflektion am Kollektor praktisch keine Nutzstrahlung verloren
geht. Es kann eine lückenlose und überlappungsfreie Überdeckung
der reflektierenden Oberfläche realisiert werden. Derartige
Parkettierungen sind aus der mathematischen Theorie bekannt. Es
sind homogene Parkettierungen, reguläre Parkettierungen
oder auch inhomogene Parkettierungen möglich.
-
Unterschiedliche
Facettenflächen nach Anspruch 7 ermöglichen eine
Anpassung der Intensitätsverteilung innerhalb der einzustellenden
Beleuchtungsverteilung in der Bündelformungsebene. Dies
kann auch zum Ausgleich einer inhomogenen Emission der Strahlungsquelle
oder aber zum Vorhalten nachgeordneter Inhomogenitäten
genutzt werden.
-
Facetten
nach Anspruch 8 gewährleisten einen insbesondere maximalen
Belegungsgrad der Gesamtfläche des Kollektors mit den einzelnen
Facet ten. Es können insbesondere Belegungen gewählt
werden, mit denen eine geringe Variation von Einfallswinkeln auf
dem Kollektor realisiert werden kann.
-
Eine
Anordnung nach Anspruch 9 führt zu einer eindeutigen Zuordnung
der Facetten zu Bereichen der Beleuchtungsverteilung in der Bündelformungsebene.
-
Reflektorflächen
nach den Ansprüchen 10 und 11 ermöglichen eine
definierte Abbildung der Strahlungsquelle.
-
Eine
Glättung nach Anspruch 12 oder 13 vermeidet diskrete Intensitätsspitzen
in einem Beleuchtungsfeld, welches durch die Strahlungsführung
durch den Kollektor ausgeleuchtet werden soll. Die Glättung
kann beispielsweise durch Parametrisierung der reflektierenden Oberfläche
mit Hilfe eines stetigen Funktionensatzes, beispielsweise mit Hilfe
von Zernike-Funktionen, erfolgen. Die Glättung kann auch
durch Verwendung von Spline-Funktionen erfolgen.
-
Durch
Formgebung der reflektierenden Oberfläche nach Anspruch
14 kann die Unterteilung der Abbildung der Strahlungsquelle an die
jeweiligen Beleuchtungsanforderungen angepasst werden. Beispiele
für einen derartigen Kegelschnitt sind ein Kreis, eine
Ellipse, eine Hyperbel oder eine Parabel. Bei dem nicht durch einen
Kegelschnitt parametrisierbaren Schnitt kann es sich um einen Freiformschnitt
handeln, der nicht durch eine geschlossene analytische Funktion
beschrieben werden kann, sondern beispielsweise durch eine Reihenentwicklung.
-
Eine
nach Anspruch 15 als Freiformfläche ausgebildete reflektierende
Oberfläche bietet genügend Freiheitsgrade zur
an die Anforderungen der Beleuchtung angepassten Anordnung der Strahlungsquellen-Bilder.
Die Freiformfläche kann in der Art und Weise parametrisiert
werden, wie dies beispielsweise bei der Formgebung für
Spiegel in Projektionsobjektiven bei Projektionsbelichtungsanlagen
für die Mikrolithografie beispielsweise aus der
US 2007-0058269 A1 schon
bekannt ist. Auch Spline-Funktionen oder Zernike-Funktionen können
zur Parametrisierung einer solchen Freiformfläche herangezogen
werden.
-
Eine
aktiv formveränderbare reflektierende Oberfläche
nach Anspruch 16 ermöglicht es, dynamisch verschiedene
Ausleuchtungen in der Bündelformungsebene bereitzustellen,
je nach den Anforderungen, die beleuchtungsseitig gestellt werden.
So ist es möglich, über die Formgebung des Kollektors
Beleuchtungsverteilungen bereitzustellen, die in den nachgelagerten
optischen Komponenten eines Beleuchtungssystems zur Vorgabe verschiedener
Beleuchtungssettings herangezogen werden können.
-
Eine
Anpassung von Kippwinkeln nach Anspruch 17 verbessert die optischen
Eigenschaften der Beleuchtung. Insbesondere Abbildungsfehler nachgeschalteter
Optiken in einem Beleuchtungssystem, von dem der Kollektor ein Bestandteil
ist, können hierdurch zumindest teilweise kompensiert werden.
-
Die
Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 18 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach
Anspruch 19 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf
den erfindungsgemäßen Kollektor bereits erläutert
wurden.
-
Eine
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 20 eignet sich insbesondere
zur Vorgabe eines Beleuchtungssettings mit einem einzigen bündelführenden
optischen Element zwischen dem Kollektor und dem Objekt. Dies gewährleistet
eine möglichst verlustfreie Beleuchtung.
-
Die
Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 21 und eines
mikrostrukturierten Bauelements nach Anspruch 22 entsprechen denen,
die vorstehend schon diskutiert wurden.
-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher
erläutert. In dieser zeigen:
-
1 einen
schematischen Meridionalschnitt durch ein EUV-Beleuchtungssystem
einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
-
1a gegenüber 1 verkleinert
eine Ansicht auf einen Kollektor des EUV-Beleuchtungssystems aus
Blickrichtung Ia;
-
2 die
Form einer Beleuchtungsverteilung durch ein EUV-Strahlungsbündel
in einer Ebene II-II in 1;
-
3 schematisch
und unter Darstellung reflektierender Komponenten eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
mit dem EUV-Beleuchtungssystem nach 1;
-
4 schematisch
die abbildende Wirkung dreier ausgewählter Facetten eines
bündelführenden optischen Kollektors des EUV-Beleuchtungssystems
nach 1 zur Erfassung der Emission einer EUV-Strahlungsquelle
und zur Formung eines EUV-Strahlungsbündels aus der erfassten
Emission;
-
5 schematisch
in einer zur 1 ähnlichen Darstellung
die Führung des EUV-Strahlungsbündels zwischen
der in der 2 dargestellten Ebene und einer
Eintrittspupillenebene eines Projektionsobjektivs der EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
-
6 die
Ausleuchtung eines Objekt- bzw. Beleuchtungsfeldes in einer Objektebene
der EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
-
7 die
Ausleuchtung einer Eintrittspupille des Projektionsobjektivs;
-
8 eine
Verteilung von Facetten auf dem Kollektor des EUV-Beleuchtungssystems;
-
9 eine
durch die Facettenverteilung nach 8 hervorgerufene
Beleuchtungsverteilung in der Ebene nach 2 vor einer
Glättung der reflektierenden Oberfläche des Kollektors;
-
10 ein
Ablaufschema zur Berechnung von Fringe-Zernike-Polynomen;
-
11 die
Beleuchtungsverteilung nach 9 nach der
Glättung der reflektierenden Oberfläche;
-
12 eine
weitere Ausführung eines EUV-Beleuchtungssystems für
eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
-
13 einen
Feldfacettenspiegel des EUV-Beleuchtungssystems nach 12;
-
14 in
einer zu 8 ähnlichen Darstellung
eine weitere Ausführung einer Facettenverteilung auf einem
EUV-Kollektor, der in einem EUV-Beleuchtungssystem einsetzbar ist,
welches zu dem der 12 und 13 ähnlich
ist;
-
15 eine
durch den Kollektor nach 14 hervorgerufene
Beleuchtungsverteilung in einer Ebene, in der ein Feldrasterelement
des zur 12 ähnlichen EUV-Beleuchtungssystems
angeordnet ist, vor einer Glättung der reflektierenden
Oberfläche des Kollektors;
-
16 die
Beleuchtungsverteilung nach 15 nach
der Glättung der reflektierenden Oberfläche des Kollektors;
und
-
17 in
einer zu 1 ähnlichen Darstellung
eine Variante der Beleuchtung einer Bündelformungsebene
bei einem EUV-Beleuchtungssystem einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
mit einer weiteren Ausführung eines Kollektors.
-
Ein
EUV-Beleuchtungssystem 1 ist in der 1 schematisch
zwischen einer EUV-Strahlungsquelle 2 und einer Beleuchtungsfeld-
bzw. Objektebene 3 dargestellt. Das EUV-Beleuchtungssystem 1 dient
zur definierten Ausleuchtung eines bogenförmigen Beleuchtungsfeldes 4,
das in der 6 dargestellt ist, in der Beleuchtungsfeldebene 3.
Das Beleuchtungsfeld 4 leuchtet ein reflektierendes Retikel 5 (vgl. 3)
aus. Das Beleuchtungsfeld 4 wird mittels eines nicht näher
dargestellten Projektionsobjektivs in ein Bildfeld in einer Bildebene 6 abgebildet,
in der ein Wafer angeordnet ist, der eine für die EUV-Strahlung
lichtempfindliche Schicht trägt. Zur Erleichterung der
Beschreibung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches
x-y-z-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse verläuft
in der 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein.
Die y-Achse verläuft nach oben. Die z-Achse verläuft
nach rechts. Das EUV-Beleuchtungssystem 1 und das EUV-Projektionsobjektiv
sind Teil einer in der 3 insgesamt schematisch dargestellten
EUV-Projektionsbelichtungsanlage 7 für die Herstellung
mikro- bzw. nanostrukturierter integrierter Halbleiterbauelemente.
Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage 7 ist nach Art eines
Scanners ausgeführt. Die Scan-Richtung ist dabei parallel
zu den kurzen Seiten des bogenförmigen Beleuchtungsfeldes 4 und
verläuft in der 1 in y-Richtung.
-
Die
EUV-Strahlungsquelle 2 strahlt EUV-Emission in etwa gleichförmig
in alle Richtungen ab. Eine EUV-Emission 8a mit einem halben Öffnungswinkel α von
44,4°, also ein quellseitiges Strahlungsbündel,
wird von einer für EUV-Strahlung reflektierenden Oberfläche 9 eines
EUV-Kollektors 10 erfasst und zu einem transformierten
Strahlungsbündel 8 geformt. Die aufgenommene numerische
Apertur an der Strahlungsquelle 2 ist also NA = 0,7. Die
reflektierende Oberfläche 9 stellt dabei die erste
bündelformende Oberfläche nach der EUV-Strahlungsquelle 2 dar.
Die reflektierende Oberfläche 9 ist also die erste
bündelführende Oberfläche, die die Form
des EUV-Strahlungsbündels 8 beeinflusst. Ein Beispiel
für eine bündelführende Oberfläche,
die im Unterschied zur reflektierenden Oberfläche 9 keine
Formbeeinflussung mit sich bringt, ist eine plane Spiegelfläche.
-
Der
Abstand der Strahlungsquelle 2 vom Kollektor 10 beträgt
400 mm.
-
1a zeigt
eine Randkontur 10a der zur Beaufschlagung mit dem quellseitigen
Strahlungsbündel 8a vorgesehenen Fläche
auf dem EUV-Kollektor 10. Die Randkontur 10a ist
kreisförmig, hat also eine Form, die in Bezug auf zwei
senkrecht aufeinanderstehenden Achsen, die die Randkontur 10a aufspannen,
spiegelsymmetrisch ist. Bei diesen beiden Achsen handelt es sich
insbesondere um die x- und die y-Achse.
-
Die
reflektierende Oberfläche 9 ist so geformt, dass
sie die EUV-Strahlungsquelle 2 in einer nachgeordneten
Bündelformungsebene 11 in eine Mehrzahl von nebeneinander
liegenden und definiert zueinander angeordneten Strahlungsquellen-Bildern überführt,
wie nachfolgend nach näher erläutert wird.
-
In
der Bündelformungsebene 11 hat das EUV-Strahlungsbündel 8 im
Schnitt eine Randkontur 11a mit einer in etwa nieren- oder
bohnenförmigen Form, sodass dort eine in der 2 dargestellte
Beleuchtungsverteilung 12 vorliegt.
-
Die 1 zeigt
das EUV-Beleuchtungssystem gestreckt längs einer optischen
Achse 13, wobei aus Gründen der Vereinfachung
der Darstellung weder der gefaltete Aufbau des Beleuchtungssystems 1 noch
ab dem Kollektor 10 die reflektierende Wirkung optischer
Komponenten dargestellt ist. Die optische Achse 13 verläuft
längs der z-Achse in der 1. Die optische
Achse 13 fällt wiederum mit einer Hauptstrahlrichtung
für das transformierte EUV-Strahlungsbündel 8 zusammen.
-
Die
Bündel-Randkontur 11a ist so geformt, dass sie
in Bezug auf maximal eine Achse, nämlich die y-Achse in
der 2, die senkrecht auf einer für das Strahlungsbündel 8 vorgesehenen
Hauptstrahlrichtung, die mit der op tischen Achse 13 zusammenfällt,
im Bereich der Bündelformungsebene 11 steht, spiegelsymmetrisch
ist.
-
3 zeigt
die EUV-Projektionsbelichtungsanlage 7 im Bereich des EUV-Beleuchtungssystems 1 einschließlich
der faltenden Wirkung der dort eingezeichneten reflektiven Elemente.
Am Ort der Bündelformungsebene 11 ist ein spekularer
Reflektor 14 angeordnet, der das einfallende EUV-Strahlungsbündel 8,
welches auf den spekularen Reflektor mit der Beleuchtungsverteilung 12 auftrifft,
so formt, dass das EUV-Strahlungsbündel 8 in der
Beleuchtungsfeldebene 3, also der Retikel- bzw. Objektebene,
das Beleuchtungsfeld 4 ausleuchtet, wobei in einer dem
Retikel 5 nachgeordneten Eintrittspupillenebene 15 des
EUV-Projektionsobjektivs eine homogen ausgeleuchtete, kreisförmig
berandete Pupillen-Beleuchtungsverteilung 16 resultiert,
die schematisch in der 7 dargestellt ist und auch als
Beleuchtungssetting bezeichnet ist. Das Beleuchtungssetting 16 stellt dabei
ein konventionelles Beleuchtungssetting dar. Eine entsprechende
Ausgestaltung der reflektierenden Oberfläche 9 des
EUV-Kollektors 10 vorausgesetzt, können auch andere
Beleuchtungssettings wie z. B. ein annulares Beleuchtungssetting,
ein Dipol-Beleuchtungssetting oder ein Quadrupol-Beleuchtungssetting
vorgegeben werden.
-
Der
Abstand des Kollektors 10 zum spekularen Reflektor 14 beträgt
1800 mm.
-
Die
Wirkung des spekularen Reflektors
14 ist beschrieben in
der
US 2006/0132747
A1 . Pro Einzelkanal, also pro Facette des spekularen Reflektors
14,
erzeugt dieser ein derart kleines Bild der Strahlungsquelle
2 auf
dem Retikel
5, dass keine Überstrahlung des bogenförmigen
Beleuchtungsfeldes
4 erfolgt. Wird ein zentrales kreisförmiges
Element mit 2,5 mm Radius in der Bündelformungsebene
11 ausgeblendet,
so resultiert in der Objektebene
3 eine ebenfalls kreisförmige
und homogene Beleuchtungsverteilung mit einem vergleichbaren Durchmesser.
Wird ein entsprechendes außeraxiales kreisförmiges
Element mit 2,5 mm Radius in der Bündelformungsebene
11 ausgeblendet,
so ändert sich die Beleuchtungsverteilung in der Objektebene
3,
wobei diese Änderung so ist, dass die Funktion des spekularen
Reflektors
14 aufrecht erhalten ist.
-
Die
reflektierende Oberfläche 9 ist so geformt, dass
die hierdurch erzeugte Mehrzahl von Strahlungsquellen-Bildern eine
Anordnung hat, nämlich die Beleuchtungsverteilung 12,
die an die Form des auszuleuchtenden Beleuchtungsfeldes 4 angepasst
ist. Hierzu ist die Oberfläche 9 in eine Mehrzahl
reflektierender Facetten 17 unterteilt, die sich zu einer
Gesamt-Reflektorfläche der reflektierenden Oberfläche 9 ergänzen.
Die Facetten 17 decken dabei die reflektierende Oberfläche 9 nach
Art eines Parketts ab, sodass die Gesamt-Reflektorfläche,
also die gesamte nutzbare reflektierende Fläche, praktisch
genau so groß ist, wie die reflektierende Oberfläche 9 selbst.
-
4 zeigt
beispielhaft die abbildende Wirkung von drei aus den Facetten 17 ausgewählten
Facetten 17a, 17b und 17c der reflektierenden
Oberfläche 9. Die reflektierenden Flächen
der einzelnen Facetten 17a bis 17c sind Ausschnitte
aus Rotationsellipsoiden 18, die zur Veranschaulichung
in der 4 komplett im Schnitt dargestellt sind. In einem
der beiden Brennpunkte dieser Rotationsellipsoide 18 befindet
sich die EUV-Strahlungsquelle 2. Im zweiten Brennpunkt
der Rotationsellipsoide 18 liegt jeweils ein Strahlungsquellen-Bild 19.
Die Strahlungsquellen-Bilder 19 sind Rasterpunkten in der
Bündelformungsebene 11 zugeordnet. Über
den Kippwinkel der Facetten 17a bis 17c kann der
jeweilige Rasterpunkt, also der Ort des Strahlungsquellen-Bilds 19 in
der Bündelformungsebene 11, ausgewählt
werden. Durch die Raster-Zuordnung sind die Strahlungsquellen-Bilder 19 in
zwei Dimensionen, nämlich in der x-Richtung und in der
y-Richtung zueinander versetzt angeordnet. Die Mehrzahl der Strahlungsquellen-Bilder 19 gibt
eine Bilderschar vor. Die Randkontur dieser Bilderschar stellt gleichzeitig
eine Randkontur des transformierten Strahlungsbündels 8 in
der Bündelformungsebene 11 dar. Diese Bündel-Randkontur
in der Bündelformungsebene 11 ist nicht rotationssymmetrisch
in Bezug auf die Strahlrichtung 13 des transformierten
Strahlungsbündels 8.
-
Die
Facetten 17a bis 17c können aktiv verkippbar
sein. Hierzu ist jede Facette 17a bis 17c über
eine mechanische Verbindung 20 individuell mit einem Aktuator 21 verbunden,
bei dem es sich beispielsweise um einen Piezo-Aktuator handeln kann.
-
Durch
Verkippung der Facetten 17a bis 17c wird der zweite
Brennpunkt der Rotationsellipsoide 18, also der Ort des
jeweiligen Strahlungsquellen-Bildes 19, entsprechend mitverkippt.
Dies führt abhängig vom Kippwinkel dazu, dass
die Strahlungsquellen-Bilder 19 aus der Bündelformungsebene 11 herauswandern
können. Dies kann zu einer Verschmierung der Strahlungsquellen-Bilder 19 auf
dem spekularen Reflektor 14 führen, was, beispielsweise
zur Homogenisierung der Ausleuchtung des Beleuchtungsfeldes 4,
durchaus erwünscht sein kann.
-
Die
einzelnen Facetten 17 können diskret zueinander
angeordnet sein, also voneinander unabhängige reflektierende
Oberflächen haben. Alternativ ist es möglich,
die einzelnen Facetten 17 als ineinander übergehende
Abschnitte einer einzigen reflektierenden Oberfläche auszuführen.
Die so ausgebildete reflektierende Oberfläche 9 kann
wiederum aktiv deformierbar sein, indem am Ort jeder einzelnen Facette 17 wiederum
eine mechanische Verbindung zu einem Aktuator hergestellt ist, sodass
die reflektierende Oberfläche 9 am Ort jeweils
individueller Facetten 17 deformiert werden kann. Kippwinkel
der aktiven Facetten 17 können so angepasst sein,
dass Abbildungsfehler, die durch nachfolgende Komponenten eingeführt
werden, kompensiert werden.
-
5 verdeutlicht
die Wirkung des spekularen Reflektors
14. Auch der spekulare
Reflektor
14 weist eine Mehrzahl von Einzelfacetten auf,
wie in der
US
2006/0132747 A1 beschrieben. Ein von einer Untermenge der
Facetten des spekularen Reflektors
14 ausgehendes konvergentes
Einzel-Strahlungsbündel
22 mit einem Öffnungswinkel β von
NA = 0,25/4 und einem Hauptstrahl
23 erzeugt dabei in der
Beleuchtungsfeldebene
3 einen hinreichend kleinen Lichtfleck
und leuchtet in der Eintrittspupillenebene
15 die Pupillen-Beleuchtungsverteilung
16 aus.
Alle Einzel-Strahlenbündel
22, die von der nierenförmigen
Beleuchtungsverteilung
12 ausgehen, ergänzen sich
in der Beleuchtungsfeldebene
3 zum bogenförmigen
Beleuchtungsfeld
4 und leuchten jeweils für sich
die gesamte Pupillen-Beleuchtungsverteilung
16 aus. Die
Form der Beleuchtungsverteilung
12 ist also vorgegeben
durch eine Rückprojektion der Form des Beleuchtungsfelds
4 mit
der Form der Pupillen-Beleuchtungsverteilung
16.
-
8 zeigt
eine mögliche Belegung der reflektierenden Oberfläche 9 des
EUV-Kollektors 10 mit den Facetten 17 zur Erzeugung
der nierenförmigen Beleuchtungsverteilung 12 in
der Bündelformungsebene 11. Diese Belegung stellt
eine Parkettierung der reflektierenden Oberfläche 9 dar.
Diese Belegung wurde auf Basis eines Algorithmus gewonnen, der beschreiben
ist in Kochengin und Oliker, Inverse Problems 13 (1997),
S. 363 bis 367. Neben den zur Erzeugung der Beleuchtungsverteilung 12 aktiven
Facetten 17 sind in der 8 randseitig
flächenmäßig kleinere, nicht aktive Facetten 24 dargestellt,
die innerhalb der nierenförmigen Beleuchtungsverteilung 12 kein
Nutzlicht erzeugen. Die nichtaktiven Facetten 24 ergeben
sich aus rechentechnischen Gründen, da die Beleuchtungsverteilung
von einem rechteckigen Facettenraster ausgeht. Auch Belegungen ohne
derartige, nicht aktive Facetten 24 sind möglich,
beispielsweise durch Verwendung eines krummlinig berandeten Grundrasters.
Die aktiven Facetten 17 haben alle in etwa die gleiche
absolute reflektierende Fläche, sind aber hinsichtlich
ihrer Berandung unterschiedlich geformt. Zur Erzeugung einer Eindellung 25 der
nierenförmigen Beleuchtungsverteilung 12 sind
die Facetten 17 in einem Abschnitt 26 der reflektierenden
Oberfläche 9, der in der 8 oben mittig
dargestellt ist, in in 8 vertikaler Richtung deutlich
ausgedehnter als in 8 horizontaler Richtung. Dies
bedingt, dass die reflektierende Oberfläche 9 im
mittleren Bereich weniger horizontale Reihen aktiver Facetten 17 aufweist,
als in seitlichen Abschnitten 27 auf Höhe von
Ausbuchtungen 28 der Beleuchtungsverteilung 12,
die der Eindellung 25 benachbart sind. Die Höhe
von Zeilen und die Breite von Spalten, in denen die aktiven Facetten 17 angeordnet
sind, variiert also längs des Verlaufes der Zeilen und Spalten
von einer Seite der reflektierenden Oberfläche 9 des
Kollektors 10 zur anderen.
-
9 zeigt
eine diskrete Beleuchtungsverteilung 29 am Ort der Bündelformungsebene 11,
die dann entsteht, wenn diskrete aktive Facetten 17 in
der Anordnung nach 8 vorliegen, deren reflektierende
Facettenflächen jeweils abschnittsweise die Form von Rotationsellipsoiden
wie die Facetten 17a bis 17c nach 4 haben.
In diesem Fall liegt ein diskretes Raster aus Strahlungsquellen-Bildern 19 vor,
wobei die Rasteranordnung nach 9 der Zeilen-
und Spaltenzuordnung der aktiven Facetten 17, die in der 8 dargestellt ist,
entspricht. Die Kippwinkel der aktiven Facetten 17 relativ zu
einer Hauptebene des Kollektors 10 sind zur Erzeugung der
diskreten Beleuchtungsverteilung 29 daher vergleichsweise
gering. Vergleichsweise große Kippwinkel, die absolut gesehen
jedoch immer noch klein sind, liegen im Bereich derjenigen aktiven
Facetten 17 vor, die den Rand der Eindellung 25 ausleuchten,
da dieser Rand von aktiven Facetten 17 ausgeleuchtet wird,
die nahe dem Rand des EUV-Kollektors 10 angeordnet sind,
gleichzeitig aber die ihnen geordneten EUV-Einzel-Strahlungsbündel
relativ weit auf die optische Achse 13 zu umlenken müssen,
damit die Eindellung 25 erzeugt wird.
-
Die
diskrete Beleuchtungsverteilung
29 wird durch Glättung
der Randbereiche der einzelnen Facetten
17, also durch
Aufhebung der diskreten Facettenformen, in die kontinuierliche Beleuchtungsverteilung
12 umgewandelt.
Durch die Glättung wird erreicht, dass die reflektierende
Oberfläche
9 an jedem Ort innerhalb ihrer Berandung
stetig differenzierbar und damit einfacher zu fertigen ist. Die
kontinuierliche Beleuchtungsverteilung
12 ist stärker
im Detail nochmals in der
11 dargestellt.
Je dichter die mit starken Linien ausgeführte Schraffur
innerhalb der Randkontur
11a ist, desto höher
ist dort die Beleuchtungsintensität. Die im der Randkontur
11a benachbarten
Bereich schwächer ausgeführte Schraffur zeigt
den Abschnitt niedrigster Intensität innerhalb der Randkontur
11a an.
Die Glättung erfolgt durch Abtasten der reflektierenden
Oberfläche
9 des EUV-Kollektors durch ein äquidistantes
Raster mit 1024×1024 Pixeln und Entwicklung der Oberflächenform nach
Fringe-Zernike-Funktionen:
-
Δz
stellt dabei die Änderung der Pfeilhöhe der reflektierenden
Oberfläche 9 am Ort x, y dar. Zi stellt dabei
das i-te Fringe-Zernike-Polynom dar. Die Fringe-Zernike-Polynome
Zi lassen sich gemäß einer in der 10 dargestellten
Rechenvorschrift mit den in Born und Wolf, Principles of
optics, Pergamon Press (1991), Kap. 9.2.1 definierten Polynomen
Un m und Un –m identifizieren.
ci ist der zugehörige Entwicklungskoeffizient. h0 ist ein Normierungsradius. Dieser wird
nachfolgend auch als Normhöhe bezeichnet und wird ebenso
wie Δz(x, y) in Millimetern angegeben.
-
Die
nachfolgende Tabelle gibt die Koeffizienten ci der Fringe-Zernike-Polynome
für die verwendeten ersten 81 Terme wieder.
| Normhoehe
= 321.626000000 |
| |
| Koeffizienten
der Frine-Zernike-Polynome: |
| c1
= –0.36282323E+02 | c2
= 0.52718489E–03 | c3
= –0.60799468E–02 |
| c4
= –0.37405030E+02 | c5
= 0.24561432E+01 | c6
= –0.70658271E–04 |
| c7
= –0.59322581E–04 | c8
= 0.64653861E–01 | c9
= –0.30653572E+00 |
| c10
= –0.22168952E–04 | c11
= 0.24047111E+00 | c12
= 0.15096336E–01 |
| c13
= 0.55627835E–04 | c14
= 0.13773336E–04 | c15
= 0.28816122E–02 |
| c16
= 0.15954013E–01 | c17
= –0.38551372E+00 | c18
= 0.89462434E–05 |
| c19
= 0.15481795E–04 | c20
= –0.41014414E–01 | c21
= –0.86133808E–02 |
| c22
= –0.29464885E–04 | c23
= –0.12191269E–04 | c24
= –0.54210939E–02 |
| c25
= 0.14554570E–01 | c26
= 0.21155484E–04 | c27
= –0.10519986E+00 |
| c28
= –0.55467558E–02 | c29
= –0.21573681E–04 | c30= –0.41773659E–04 |
| c31
= –0.14890301E–01 | c32
= –0.49759139E–02 | c33
= 0.19583693E–04 |
| c34
= 0.12618462E–04 | c35
= –0.62806532E–02 | c36
= 0.91426547E–02 |
| c37
= 0.38513612E–01 | c38
= –0.69523336E–04 | c39
= –0.31378782E–04 |
| c40
= 0.31057266E–01 | c41
= –0.13750521E–01 | c42
= 0.41018648E–04 |
| c43
= 0.38152655E–04 | c44
= –0.63965189E–02 | c45
= –0.10837851E–04 |
| c46
= –0.86848020E–05 | c47
= –0.60701056E–05 | c48
= –0.38040827E–02 |
| c49
= 0.44370980E–02 | c50
= 0.26018572E–04 | c51
= 0.46705923E–01 |
| c52
= –0.16918508E–01 | c53
= 0.48502320E–04 | c54
= 0.41991300E–04 |
| c55
= 0.88894335E–02 | c56
= –0.10982292E–01 | c57
= –0.40892313E–04 |
| c58
= –0.17046214E–04 | c59
= –0.64149589E–04 | c60
= 0.12709571E–02 |
| c61
= –0.17409344E–05 | c62
= –0.13007798E–05 | c63
= –0.32684958E–04 |
| c64
= 0.17018354E–02 | c65
= 0.13159945E–02 | c66
= 0.27128648E–04 |
| c67
= 0.17654505E–04 | c68
= –0.10203257E–01 | c69= –0.24993567E–02 |
| c70
= –0.42162504E–04 | c71
= –0.34044751E–04 | c72
= 0.14026511E–02 |
| c73
= –0.64713310E–02 | c74
= 0.23205449E–04 | c75
= –0.49056809E–05 |
| c76
= 0.22413459E–02 | c77
= 0.10284166E–02 | c78
= 0.64162272E–05 |
| c79
= –0.42831912E–05 | c80
= 0.23257738E–02 | c81
= 0.16566163E–03 |
-
Über
88% der gesamten kreisförmigen Gesamt-Reflektorfläche
des EUV-Kollektors 10 sind mit geglätteten aktiven
Facetten 17 belegt.
-
Das
Verhältnis der Fläche, die durch die randseitige
Begrenzung der Beleuchtungsverteilung 29 definiert ist,
zur Fläche einer kreisförmigen Beleuchtungsverteilung,
in die die Beleuchtungsverteilung 29 eingeschrieben ist,
beträgt etwa 45%.
-
12 zeigt
eine weitere Ausführung eines EUV-Beleuchtungssystems in
einer zu 3 ähnlichen Darstellung.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend schon unter
Bezugnahme auf die 1 bis 11 erläutert
wurden, tragen die gleichen Bezugszeichen und werden nicht nochmals
im Einzelnen diskutiert.
-
Bis
auf die Formgebung der reflektierenden Oberfläche
9 des
EUV-Kollektors
10 entspricht das Beleuchtungssystem nach
12 dem
Beleuchtungssystem nach
76 in der
US 7,186,983 B2 .
Das vom EUV-Kollektor
10 gesammelte EUV-Strahlungsbündel
8 trifft
zunächst auf einen Feldfacettenspiegel
30. Eine Facettenanordnung
des Feldfacettenspiegels
30 ist beispielhaft in der
13 dargestellt,
die der
73 der
US 7,186,983 B2 entspricht.
Die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels
30 werden über
einen Pupillenfacettenspiegel
31 und eine nachgelagerte
Abbildungsoptik, die drei EUV-Spiegel
32,
33,
34 umfasst,
in das Beleuchtungsfeld
4 in der Objektebene
3 abgebildet.
-
Bei
der Ausführung nach 12 liegt
die Bündelformungsebene 11, in der die Strahlungsquellen-Bilder 19 vom
EUV-Kollektor 10 erzeugt werden, in einer Feldebene. Der
EUV-Kollektor 10 nach 12 hat
eine derart in aktive Facetten 17 unterteilte und geformte
reflektierende Oberfläche 9, dass am Ort des Feldfacettenspiegels 30 eine
Beleuchtungsverteilung 35 vorliegt, deren Randbegrenzung
mit der gestuften Außenkontur der aktiv reflektierenden
Facettenbelegung des Feldfacettenspiegels 30 zusammenfällt.
-
14 zeigt
eine weitere Variante der Facettenbelegung eines EUV-Kollektors 10.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme
auf die 1 bis 13 erläutert
wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals
im Einzelnen diskutiert. Auch dieses Beispiel wurde mit einem Algorithmus
auf Basis des Fachartikels Kochengin und Oliker, Inverse
Problems 13 (1997), S. 363 bis 367, berechnet.
-
Mit
der Belegung der reflektierenden Oberfläche 9 des
Kollektors 10 nach 14 mit
aktiven Facetten 17 wird eine Beleuchtungsverteilung 36 erzeugt,
deren geglättete, kontinuierliche Gestalt in der 16 gezeigt ist.
Die Beleuchtungsverteilung 36 hat die Form eines Quadratrahmens,
der begrenzt ist von einer äußeren, quadratförmigen
Einhüllenden 37 und einer inneren quadratförmigen
Einhüllenden 38. Innerhalb der inneren Einhüllenden 37 und
außerhalb der äußeren Einhüllenden 38 liegt,
falls überhaupt, nur eine sehr geringe Beleuchtungsintensität
vor. Zwischen den Einhüllenden 37, 38 wächst
die Beleuchtungsintensität, ausgehend von der inneren Einhüllenden 37,
zunächst kontinuierlich an, bis die Intensität
dann ab etwa der Mitte zwischen den Einhüllenden 37, 38 zur äußeren
Einhüllenden 38 hin wieder kontinuierlich abfällt.
Die Zuordnung der Intensitäten zu den verschiedenen Schraffuren
der 16 veranschaulicht eine in der 16 rechts
dargestellte Intensitäts-Skala. Eine derartige Quadratrahmen-Ausleuchtung
ist für EUV-Beleuchtungssysteme erwünscht, bei
denen zentrale Bereiche des Feldfacettenspiegels 30 nicht
in das Beleuchtungsfeld in der Objektebene 3 überführt
werden können.
-
15 zeigt
entsprechend 9 eine diskrete Beleuchtungsverteilung 39 vor
der Glättung der reflektierenden Oberfläche 9 des
Kollektors 10 nach 14, also
so lange noch diskrete reflektierende Flächen der aktiven
Fa cetten 17 in Form von Rotationsellipsoiden vorliegen.
Die Beleuchtungsverteilung 39 hat eine quadratische Randkontur 39a,
hat also eine Form, die wiederum in Bezug auf zwei senkrecht aufeinanderstehende
Achsen, die die Randkontur 39a aufspannen, spiegelsymmetrisch
ist. Bei diesen beiden Achsen kann es sich beispielsweise um die
beiden Diagonalen der quadratischen Randkontur 39a oder
um die beiden aufeinander senkrecht stehenden Mittelhalbierenden
der Bündel-Randkontur 39a handeln.
-
In
einem kissenförmigen zentralen Abschnitt 40 der
reflektierenden Oberfläche 9 des Kollektors 10 nach 14 liegen
nicht aktive Facetten 24 vor, die wiederum flächenmäßig
deutlich kleiner sind als die aktiven Facetten 17. Ein
ebenfalls quadratischer Innenbereich der Beleuchtungsverteilung 39 wird
mit den nicht aktiven Facetten 24 beaufschlagt, so dass
die dortige Beleuchtungsintensität gegenüber der
sonstigen Intensität vernachlässigbar ist. In
den Ecken der quadratischen Randkontur liegt eine im Vergleich zur
sonstigen Beleuchtungsintensität etwas höhere
Beleuchtungsintensität vor. Benachbart zum inneren quadratischen
Bereich der Randkontur 39 liegt eine im Vergleich zur sonstigen
Beleuchtungsintensität etwas geringere Intensität vor.
Dies ist in der 15 durch entsprechende Schraffuren
angedeutet.
-
Jeder
aktiven Facette 17 ist wiederum ein Strahlungsquellen-Bild 19 zugeordnet,
wobei der Rasterplatz des Strahlungsquellen-Bildes 19 jeweils
in Zeile und Spalte dem Ort der aktiven Facette 17 entspricht.
-
Die
Lichtverluste durch die nichtaktiven Facetten 24 betragen
bei der Ausführung nach 14 etwa 5%.
Die Gesamtfläche aller nichtaktiven Facetten 24 zusammen
beträgt also etwa 1/20 der Fläche der aktiven Facetten 17 bei
der Ausführung nach 14.
-
Auch
andere Gestaltungen der Form der reflektierenden Oberfläche 9 sind
möglich, mit denen erreicht wird, dass in der Bündelformungsebene 11 eine
an das weitere EUV-Beleuchtungssystem 1 angepasste und von
der Rotationssymmetrie abweichende Form hergestellt wird. All diesen
reflektierenden Oberflächen der verschiedenen möglichen
Ausführungen für den EUV-Kollektor 10 ist
gemeinsam, dass es mindestens einen Schnitt durch die reflektierende
Oberfläche 9 gibt, der einen Einfalls- und einen
Ausfallsstrahl ein- und desselben EUV-Emissionsstrahls (vgl. Strahlen 8a und 8 in
der 1) beinhaltet, der nicht durch einen Kegelschnitt parametrisierbar
ist.
-
Generell
hat der EUV-Kollektor 10 eine Freiformfläche als
reflektierende Oberfläche 9. Die Pfeilhöhe einer
solchen Freiformfläche kann parametrisiert werden, wie
dies dem Fachmann beispielsweise im Zusammenhang mit der Parametrisierung
der reflektierenden Freiform-Oberflächen von Spiegeln innerhalb
eines EUV-Projektionsobjektivs bekannt ist. Auch Spline-Funktionen,
beispielsweise NURBS (Non Uniform Rational Bezier Splines), sind
zur Parametrisierung derartiger Freiformflächen möglich.
-
Aktiv
deformierbar oder verkippbar können auch Segmente der reflektierenden
Oberfläche 9 sein, die in ihrer Gestalt nicht
mit den Facetten übereinstimmen müssen. So kann
ein deformierbares oder verkippbares Segment beispielsweise eine
Vielzahl von Facetten beinhalten.
-
Beim
Design der reflektierenden Oberfläche 9 des EUV-Kollektors
wird folgendermaßen vorgegangen: Zunächst wird
die Beleuchtungsverteilung 12 in der Bündelformungsebene 11 in
numerischer oder analytischer Form vorgegeben. Bei der Bündelformungsebene 11,
in der die Beleuchtungsver teilung 12 vorgegeben ist, muss
es sich nicht zwingend um eine plane Ebene handeln, es kann sich
auch um eine gekrümmte Fläche handeln. Weiterhin
wird die Abstrahlcharakteristik der Strahlungsquelle 2 und
es wird der zu kollektierende Raumbereich, also z. B. der Öffnungswinkel α,
vorgegeben. Es kann ein beliebig berandeter Raumwinkelbereich Ω aufgenommen
werden, der keinerlei Symmetrie besitzen muss und auch Obskurationen
beinhalten kann. Es muss nicht zwingend die Emission 8a der
Strahlungsquelle 2 direkt kollektiert werden. Genauso kann auch
das Bild der Strahlungsquelle 2 erfasst werden, es kann
also eine sekundäre Strahlungsquelle kollektiert werden.
Nun wird ein Abstand, den der Kollektor 10 zur Strahlungsquelle 2 einhalten
soll, vorgegeben und der Kollektor 10 wird an dieser Stelle
als numerisch zunächst noch nicht vollständig
parametrisierte Fläche in das Beleuchtungssystem im Strahlengang
zwischen der Strahlungsquelle 2 und der Bündelformungsebene 11 eingebracht.
Nun wird die reflektierende Oberfläche 9 durch
einen zur Beschreibung von Freiformflächen geeigneten Funktionensatz
parametrisiert. Anschließend wird eine Gütefunktion
generiert, die im Wesentlichen auf den Abweichungen eines Ist-Beleuchtungsprofils,
den die eingebrachte reflektierende Oberfläche 9 erzeugt, von
einem Soll-Beleuchtungsprofil, also der Beleuchtungsverteilung 12,
basiert. Nun werden die Koeffizienten der Parametrisierung der reflektierenden
Oberfläche 9 mit gängigen Methoden der
lokalen oder globalen Optimierung zur Maximierung der Gütefunktion
variiert. Hierbei werden technologische Randbedingungen wie maximal
und minimal einzuhaltende Einfallswinkel oder Baugrößen
mit berücksichtigt. Eine auf dem Kollektor 10 örtlich
variierende Reflektivität der Spiegelschicht kann in iterativer
Weise in einem Sollbeleuchtungsprofil vorgehalten werden, so dass über
eine entsprechende Variation der Beleuchtung des Kollektors 10 mit
dem quellseitigen Strahlungsbündel 8a ein Ausgleich
der variierenden Kollektorreflektivität erfolgt.
-
In
der 1 ist eine konvergente Beleuchtung des spekularen
Reflektors am Ort der Bündelformungsebene 11 dargestellt.
Die einzelnen Facetten 17 erzeugen dabei eine gleichsinnige
Abbildung der Strahlungsquellen-Bilder 19, gesehen beispielsweise
vom Rand des Kollektors 10 aus. Teilbündel des
Strahlungsbündels 8, die am Rand des Kollektors 10 in
einem Umlaufsinn um die optische Achse 13 betrachtet werden,
erzeugen die Strahlungsquellen-Bilder 19 im gleichen Umlaufsinn.
-
17 zeigt
in einer zu 1 ähnlichen Darstellung
eine divergente Beleuchtung des spekularen Reflektors in der Bündelformungsebene 11.
Hierbei liegt zwischen dem Kollektor 10 und der Bündelformungsebene 11 eine
Kaustik-Ebene 45. Im Gegensatz zur gleichsinnigen Erzeugung
der Strahlungsquellen-Bilder 19 bei der konvergenten Beleuchtung
nach 1 erfolgt bei der divergenten Beleuchtung nach 17 eine
gegensinnige Erzeugung der Strahlungsquellen-Bilder 19.
Teilbündel des Strahlungsbündels 8, die
am Rand des Kollektors 10 in einem Umlaufsinn um die optische
Achse 13 betrachtet werden, erzeugen die Strahlungsquellen-Bilder 19 im
entgegengesetzt verlaufenden Umlaufsinn. Eine Kollektor-Randkontur 10a, 11a des
Kollektors 10 sowie eine Bündel-Randkontur des
EUV-Strahlungsbündels in der Bündelformungsebene 11 entsprechen den
Randkonturen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 erläutert
wurden.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - WO 2007/045434
A2 [0002]
- - US 6438199 B1 [0002]
- - US 6507440 B1 [0002]
- - US 5339346 A [0002]
- - US 2006/0132747 A1 [0008, 0053, 0059]
- - US 7186983 B2 [0009, 0068, 0068]
- - US 2007-0058269 A1 [0018]
-
Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - Kochengin
und Oliker, Inverse Problems 13 (1997), S. 363 bis 367 [0007]
- - Kochengin und Oliker, Inverse Problems 13 (1997), S. 363 bis
367 [0060]
- - Born und Wolf, Principles of optics, Pergamon Press (1991),
Kap. 9.2.1 [0063]
- - Kochengin und Oliker, Inverse Problems 13 (1997), S. 363 bis
367 [0070]
