DE102005042005A1

DE102005042005A1 - Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille

Info

Publication number: DE102005042005A1
Application number: DE102005042005A
Authority: DE
Inventors: Hans-Jürgen Mann; David Fairfield Shafer; Wilhelm Ulrich
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2004-12-23
Filing date: 2005-09-05
Publication date: 2006-07-06
Also published as: KR101323888B1; KR101306346B1; US8004755B2; KR101306355B1; US20140098355A1; KR20120131228A; KR20120131226A; US20080316451A1; KR20120131229A; US8317345B2; US20100134908A1; KR101306499B1; KR20120131227A; US7682031B2; KR20100110390A; US20060232867A1; US20130063710A1; US8632195B2; KR101306438B1; US20110273791A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein DOLLAR A Objektiv, insbesondere ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, insbesondere ein Mikrolithographie-Objektiv für Wellenlängen 193 nm, umfassend DOLLAR A ein erstes Teilobjektiv (100), das wenigstens einen Spiegel aufweist und der Spiegel (S1) keine Öffnung für einen Druchtritt eines Strahlenbüschels aufweist, und DOLLAR A ein zweites Teilobjektiv (200), das wenigstens einen primären Konkavspiegel (SK1) und einen sekundären Konkavspiegel (SK2) aufweist, wobei der primäre Konkavspiegel und der sekundäre Konkavspiegel eine Öffnung für den Durchtritt des Strahlbüschels aufweist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Objektiv, insbesondere ein Projektionsobjektiv, bevorzugt ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv mit einem ersten Teilobjektiv, welches wenigstens einen Spiegel aufweist und ein zweites Teilobjektiv das wenigstens zwei weitere Spiegel aufweist. Das Objektiv gemäß der Erfindung ist auch für die Mikroskopie oder den Einsatz in Inspektionssystemen geeignet. Die Objektive sind im gesamten Wellenlängenbereich, d.h. auch für Wellenlängen > 193nm verwendbar. Ein besonders bevorzugter, aber nicht der ausschließliche Einsatzbereich ist die Verwendung als Mikrolithographie-Projektionsobjektiv in Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen, insbesondere für Wellenlängen ≤ 193nm.

Bei hochaperturigen Projektionsobjektiven, insbesondere für die EUV-Lithographie treten hohe Einfallswinkel auf zumindest einigen der Spiegel des hochaperturigen Projektionsobjektives auf. Hohe Einfallswinkel führen aber zu starken Reflektionsverlusten und zu nicht oder nur sehr schwer korrigierbaren Phasendifferenzen von s- und p- polarisiertem Licht. Insbesondere im hochaperturigen Teil eines Mikrolithographie-Projektionsobjektives treten hohen Einfallswinkel bzw. sehr große Einfallswinkelvariationen über dem Spiegel auf.

Verantwortlich hierfür ist bei den Systemen gemäß dem Stand der Technik im Wesentlichen die geometrische Anordnung der letzten beiden Spiegel, die im Wesentlichen durch die Telezentrieforderung festgelegt ist.

Bei dem aus der US 5,686,728 bekannten System, ist für die im Lichtweg bildseitig letzten beiden Spiegel eine Kombination aus einem konvexen und einem konkaven Spiegel gezeigt. Zwar kann durch eine derartige Spiegelkombination eines konvexen Spiegels mit einem konkaven Spiegels die bildseitige Telezentrieanforderung erfüllt werden, jedoch sind der Einfallswinkel und insbesondere die Einfallswinkelvariation auf dem im Lichtweg vorletzten Spiegel sehr groß.

In dieser Anmeldung wird als charakteristisches Maß für die Größe des Einfallswinkels der Einfallswinkel des Hauptstrahles des zentralen Feldpunktes eines Feldes, beispielsweise eines Ringfeldes in der Objektebene betrachtet. Kommt am physikalischen Ort des Spiegels, der am nächsten zur Bildebene angeordnet ist ein Zwischenbild zu liegen wie beispielsweise in der EP 1434093 offenbart, so kann zwar eine hohe bildseitige Apertur von NA = 0,5 erreicht werden, die Einfallswinkel sind bei derartigen System jedoch so hoch, dass ein Lichtverlust im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene am vorletzten Spiegel unvermeidlich ist.

Um diesen Nachteil zu überwinden schlägt z. B. die US 6,750,948 B2 ein Mikrolithographie-Projektionssystem vor, bei dem wenigstens ein Spiegel eine Öffnung aufweist, so dass eine Obskuration der Pupille auftritt.

Bei einem System wie in der US 6,750,948 beschrieben, nimmt man eine Abschattung der Pupille in Kauf, um im hochaperturigen Teil des Objektives, insbesondere auf dem im Lichtweg vorletzten Spiegel kleine Einfallswinkel zu erhalten.

Nachteilig an dem in der US 6,750,948 beschriebenen System ist jedoch der sehr kleine Arbeitsabstand, der einschließlich der endlichen Spiegeldicke des vorletzten Spiegels lediglich maximal 12mm beträgt.

Ein derartig kleiner Arbeitsabstand ist insbesondere mit Blick auf die Steifigkeit des Spiegels problematisch.

Bei dem System gemäß der US 6,750,948 ist eine Vergrößerung des Arbeitsabstandes aber nicht möglich, da durch den geringen Spiegeldurchmesser des im Lichtweg vorletzten Spiegels die Pupillenobskuration stark ansteigt, sobald der Arbeitsabstand vergrößert wird.

Ein obskuriertes System mit einer bildseitig sehr hohen Apertur zeigt die US 2004/0114217.

Ein Nachteil dieses Systems ist, dass die Spiegel des ersten Teilobjektives gemäß der US 2004/0114217 durchbrochene Spiegel, d.h. Spiegel mit einer Öffnung sind.

Nachteilig an einem System mit durchbrochenen Spiegeln im ersten Teilobjektiv ist, dass es für große Felder wie in der EUV-Lithographie benötigt ungeeignet ist, da sämtliche Spiegel pupillennah angeordnet sind und daher keine Möglichkeit besteht, feldabhängige Bildfehler wie beispielsweise Telezentrie und Verzeichnung zu korrigieren.

Ein weiterer Nachteil aller aus dem Stand der Technik bekannten Systeme ist, dass sie nicht für eine Auflösung von Strukturen kleiner 50nm mit ausreichender Reflektivität und Winkelbandbreite geeignet sind.

Ein weiterer Nachteil aller aus dem Stand der Technik bekannten Objektiv, insbesondere bei Verwendung in Projektionssystemen für die Mikrolithographie ist, dass für die Korrektur bzw. zur Minimierung der chromatischen Bildfehler unterschiedliche Glassorten oder aber entsprechend schmalbandige und daher sehr teure Laser verwendet werden müssen.

Breitbandige Lichtquellen, wie sie z.B. in Form von Leuchtdioden, sogenannten LEDs auch für den UV-Bereich entwickelt werden, erzeugen so starke chromatische Aberrationen, dass sie als Lichtquelle in herkömmlichen refraktiven Lithographiesystemen nicht verwendet werden können. Leuchtdioden, sogenannte LEDs im blauen, insbesondere im UV-Bereich emittieren Wellenlängen von beispielsweise 365nm, 280nm oder 227nm Die Bandbreite dieser Leuchtdioden beträgt zwischen +/–20nm und +/–50nm. Die Lichtausgangsleistungen liegen bei Werten bis zu 100mW.

Aufgabe der Erfindung ist es somit, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden, insbesondere ein hochaperturiges Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv anzugeben, das zum einen durch geringe Einfallswinkel charakterisiert ist, zum anderen soll in einer besonders bevorzugten Ausführungsform ein ausreichender Arbeitsabstand des physikalisch zur Bildebene am nächsten angeordneten Spiegels gegeben sein. Bevorzugt liegt eine bildseitige telezentrische Strahlführung vor.

Insbesondere soll in einem weiteren, zweiten Aspekt der Erfindung auch ein System angegeben werden, mit denen Strukturen kleiner 50nm aufgelöst werden können. Dies soll insbesondere für Systeme gelten, die mit Wellenlängen ≤ 193nm, insbesondere ≤ 157nm, ganz besonders ≤ 100nm betrieben werden.

Insbesondere soll in einem weiteren, dritten Aspekt der Erfindung auch ein System angegeben werden, welches die Verwendung einer breitbandigen Lichtquelle (z.B. LEDs) erlaubt, bzw. welches die Verwendung verschiedener diskreter Lichtwellenlängen (z.B. 633nm und 248nm) ermöglicht.

Die zuvor aufgeführte Aufgabe wird in einem ersten Aspekt der Erfindung durch ein Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv mit einem ersten Teilobjektiv, das wenigstens einen Spiegel aufweist und einem zweiten Teilobjektiv, das einen primären Konkavspiegel und einen sekundären Konkavspiegel aufweist, gelöst, wobei der Spiegel des ersten Teilobjektives keine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels, das das Projektionsobjektiv von der Objektseite zur Bildseite durchläuft, aufweist. Erfindungsgemäß weisen, wenigstens zwei Spiegel des zweiten Teilobjektives die als Konkavspiegel, nämlich als primärer und sekundärer Konkavspiegel ausgebildet sind, einen Durchtritt für das Strahlbüschel auf. Unter einem „Spiegel" wird in der vorliegenden Anmeldung stets der optisch genutzte Bereich der Spiegeloberfläche verstanden. Der optisch genutzte Bereich ist der Bereich, auf den die Lichtstrahlen, die das Objektiv von der Objektebene zur Bildebene durchlaufen, auftreffen.

Durch die Ausgestaltung der beiden Spiegel des zweiten Teilobjektives als Konkavspiegel ist es möglich, dass der primäre Konkavspiegel einen Abstand von der Bildebene aufweist, der mehr als 12mm insbesondere mehr als 15mm beträgt.

Ein derartig großer Abstand des primären Konkavspiegels zur Bildebene ermöglicht zum einen, dass das zu beleuchtende Objekt, bspw. der Wafer, in der Bildebene leicht gehandhabt werden kann, zum anderen aber auch eine Ausgestaltung des Spiegels mit einer ausreichenden Spiegeldicke, was wiederum zu einer erhöhten Stabilität des Spiegels führt, da zwischen dem Spiegel und der Bildebene ein ausreichender Bauraum vorhanden ist. Unter Abstand des primären Konkavspiegels von der Bildebene wird der Abstand des Vertex der Spiegelfläche des primären Konkavspiegels von der Bildebene verstanden.

Besonders bevorzugt beträgt dieser Abstand mehr als 12mm, insbesondere mehr als 15mm, besonders bevorzugt mehr als 30mm, insbesondere mehr als 60mm.

Durch die Obskuration der Pupille aufgrund des primären Konkavspiegels des Projektionsobjektives, der eine Öffnung aufweist, ist es möglich, dass das Projektionssystem eine bildseitige numerische Apertur aufweist, die > 0,4, bevorzugt > 0,5, ganz bevorzugt > 0,6, insbesondere bevorzugt > 0,7 ist.

Für VUV-, DUV, und UV-Projektionsobjektive mit Wellenlängen ≥ 157nm kann der primäre Konkavspiegel als Mangin-Spiegel ausgelegt sein. Beim Mangin-Spiegel durchtritt der einfallende Lichtstrahl ein Linsenmaterial, bspw. CaF₂ bei Wellenlängen von 157nm oder SiO₂ bei 193nm, und wird auf der Rückseite der Linse, die mit einer reflektierenden Beschichtung versehen sein kann, reflektiert. Auf diese Weise ist es möglich, einen sehr dicken und damit stabilen Spiegel auszubilden, der nur einen sehr geringen Abstand zur Bildebene, in der das zu beleuchtende Objekt angeordnet ist, aufweist.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, weist der wenigstens eine Spiegel des ersten Teilobjektives eine reflektierende Oberfläche auf, auf den das Strahlbüschel, das das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv von der Objektebene zur Bildebene durchläuft, auftrifft und die reflektierende Oberfläche bildet ein erstes außeraxiales Segment aus.

Die Objektive, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektive gemäß der Erfindung weisen eine Symmetrieachse auf, die auch als optische Achse bezeichnet wird. In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Spiegel rotationssymmetrisch zur optischen Achse. Unter einem außeraxialen Segment oder einem sogenannten Off-Axis-Segment eines Spiegels versteht man ein Spiegelsegment, das nur ein Teil der um diese Achse rotationssymmetrischen Spiegelfläche, nämlich einen außeraxialen Teil des Spiegels umfasst.

Neben dem ersten Teilobjektiv, das die sogenannte Feldgruppe des Objektives bezeichnet, und dem zweiten Teilobjektiv, das auch als Relay-Gruppe bezeichnet wird, umfasst in einer vorteilhaften Ausführungsform das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv ein drittes Teilobjektiv das im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene nach dem ersten Teilobjektiv und vor dem zweiten Teilobjektiv ausgebildet wird.

Das dritte Teilobjektiv wird auch als sogenannte Transfergruppe bezeichnet.

Bei einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung bildet bei einem Projektionsobjektiv, das aus insgesamt drei Teilobjektiven bzw. drei Teilgruppen aufgebaut ist, das erste Teilobjektiv, die sogenannte Feldgruppe, das Objekt auf ein erstes Zwischenbild ab.

Da das erste Teilobjektiv in dem Teil des Gesamtobjektives liegt, der eine niedrige Apertur aufweist, wird eine abschattungsfreie Strahlführung auch bei der Verwendung von außeraxialen oder sogenannten off-axis Spiegelsegmenten erreicht. Durch die Verwendung von oft-axis-Segmenten im ersten Teilobjektiv können feldabhängige Bildfehler wie beispielsweise Telezentrie und Verzeichnung korrigiert werden, da die oft-axis-Segmente feldnah angeordnet werden können.

Im ersten Teilobjektiv kann des weiteren eine zugängliche Pupillenebene ausgebildet werden, die entweder direkt auf einem Spiegel oder aber zwischen zwei Spiegel des ersten Teilobjektives angeordnet ist und in der eine Aperturblende sowie ein die Pupillenobskuration definierendes Abschattungselement angeordnet sein kann. Durch die Anordnung des Abschattungselementes für die Pupillenobskuration in einer Pupillenebene wird eine feldunabhängige Pupillenobskuration erreicht. Würde das Abschattungselement nicht in einer Pupillenebene angeordnet, so ergäbe sich eine feldabhängige Pupillenobskuration. Eine feldabhängige Pupillenobskuration ist aber für die Verwendung des Projektionsobjektives in der Mikrolithographie für lithographische Abbildungen ungeeignet, da hierdurch eine feldabhängige Variation des Auflösungsvermögens erzeugt wird.

In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform, umfasst das erste Teilobjektiv mehr als zwei, nämlich vier Spiegel, wobei insbesondere die Spiegelabfolge konkav-konvex-konvex-konkav der vier Spiegel des ersten Teilobjektives von besonderem Vorteil ist.

Alternativ kann die Spiegelabfolge der vier Spiegel des ersten Teilobjektives auch konvex-konkav-konvex-konkav sein. In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform ist der Krümmungsradius des ersten Spiegels sehr groß gewählt, insbesondere größer als 10.000mm. Dabei sind auch die Spiegelabfolgen plan-konkav-konvex-konkav oder konkav-konkav-konvex-konkav für die vier Spiegel des ersten Teilobjektives möglich.

In einer weitergebildeten Ausführungsform kann das erste Teilobjektiv sechs Spiegel umfassen. Für die sechs Spiegel des ersten Teilobjektives sind verschiedene Spiegelabfolgen denkbar. So ist in einer ersten Ausführungsform die Spiegelabfolge konvex-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex, in einer zweiten Ausführungsform konvex-konkav-konkav-konvex-konvex-konkav, in einer dritten Ausführungsform konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav, in einer vierten Ausführungsform konkav-konvex-konkav-konkav- konvex-konkav, und in einer fünften Ausführungsform konkav-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav möglich.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Krümmungsradius des ersten Spiegels des ersten Teilobjektives sehr groß gewählt, bevorzugt größer als 10.000mm. Daher sind auch nachfolgende Spiegelabfolgen im ersten Teilobjektiv möglich, da der erste Spiegel entweder plan oder konvex oder konkav ausgebildet werden kann:
konkav-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex
plan-konkav-konvex-konkav-kondav-konvex
konvex-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav
plan-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav
konvex-konvex-konkav-konkav-konvex-konkav
plan-konvex-konkav-konkav-konvex-konkav
konvex-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav
plan-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav

Um niedrige Einfallswinkel insbesondere auf dem im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene zweiten Spiegel im ersten Teilobjektiv zu erreichen, ist es vorteilhaft den im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene zweiten Spiegel im ersten Teilobjektiv als Konkavspiegel auszubilden.

In einer weitergebildeten Ausführungsform umfasst das Objektiv, insbesondere das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv ein drittes Teilobjektiv, das auch als Transfergruppe bezeichnet wird. Das dritte Teilobjektiv besteht bevorzugt aus wenigstens zwei Spiegeln, in einer besonders vorteilhaften Ausführungsform aus genau zwei Spiegeln, nämlich einem dritten Spiegel und einem vierten Spiegel. Dieses dritte Teilobjektiv hat die Aufgabe, den niederaperturigen Objektivteil in einen hochaperturigen Objektivteil zu transformieren, d. h. im Wesentlichen den Abbildungsmaßstab einzustellen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn einer der beiden Spiegel der Transfergruppe konvex und der andere konkav ausgebildet ist. Dies bedeutet, dass bevorzugt entweder der dritte Spiegel konvex ausgebildet ist und der vierte Spiegel konkav oder der dritte Spiegel konkav und der vierte Spiegel konvex.

Bevorzugt ist das Mikrolithographie-Projektionssystem derart ausgestaltet, dass das erste Teilobjektiv die Objektebene auf ein erstes Zwischenbild, das dritte Teilobjektiv das erste Zwischenbild auf ein zweites Zwischenbild und das zweite Teilobjektiv das zweite Zwischenbild in die Bildebene abbildet.

Um die Spiegelbohrungen und damit die notwendigen Obskurationen, insbesondere die Pupillenobskuration gering zu halten, ist es vorteilhaft die Öffnungen, d.h. die Spiegelbohrungen so klein wie möglich zu halten. Dies wiederum ist möglich, wenn die Zwischenbilder des Systems, die nicht innerhalb eines Teilobjektives ausgebildet werden, in der Nähe der Spiegelbohrungen ausgebildet werden. Besonders vorteilhaft ist es, wenn das erste Zwischenbild physikalisch in der Nähe des vierten Spiegels liegt und das zweite Zwischenbild physikalisch in der Nähe des dritten Spiegels. Physikalisch in der Nähe bedeutet, dass der Abstand des jeweiligen Zwischenbildes von dem Scheitelpunkt der Spiegeloberfläche einen entlang der optischen Achse projizierten Abstand von weniger als 1/10 der Baulänge des Objektives aufweist. Unter der Baulänge des Objektivs wird der Abstand entlang der optischen Achse von der Objektebene zur Bildebene verstanden.

Wie zuvor beschrieben erzeugt das dritte Teilobjektiv das zweite Zwischenbild, welches in der Regel durch die bevorzugte Lage am dritten Spiegel für eine Bildebene nicht zugänglich ist. Das zweite Zwischenbild wird durch das zweite Teilobjektiv bevorzugt so in die Bildebene abgebildet, dass ein unter Berücksichtigung notwendiger Spiegeldicke ausreichender Arbeitsabstand vor der Bildebene eingehalten werden kann.

Bevorzugt sind die Durchmesser des dritten Spiegels und des sekundären Konkavspiegels nicht wie in der US 2004/0114217 A1 stark unterschiedlich voneinander. Der Durchmesser bei diesen beiden Spiegeln ist im Wesentlichen von der gleichen Größenordnung. In einer bevorzugten Ausführungsform unterscheiden sich die Durchmesser nur um einen Faktor 2 voneinander.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird bei einem derartigen System, bei dem der dritte Spiegel und der sekundäre Konkavspiegel im wesentlichen den gleichen Durchmesser aufweisen vorgeschlagen, dass die Durchmesser d1 und d2 des sekundären Konkavspiegels (d1) und des dritten Spiegels (d2) sowie die Abstände des Zwischenbildes von den beiden Spiegeloberflächen z1 und z2 der Bedingung d1/z1 ≈ z1/z2entsprechen, d. h. das Verhältnis d1/d2 entspricht ungefähr dem Verhältnis z1/z2. Dabei bezeichnet d1 den Durchmesser des sekundären Konkavspiegels, d2 den Durchmesser des dritten Spiegels, z1 den Abstand des zweiten Zwischenbildes von der Spiegeloberfläche des sekundären Konkavspiegels und z2 den Abstand des zweiten Zwischenbildes von der Spiegeloberfläche des dritten Spiegels.

Die Erfinder haben nun herausgefunden, dass wenn diese Bedingung erfüllt ist, die Obskuration des Systems minimal wird. Insbesondere kann eine ungewünschte Vergrößerung der Pupillenobskuration verhindert werden.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Spiegelflächen des im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene viertletzten und des letzten Spiegels als Doppelspiegel ausgebildet. Bei einem derartigen Doppelspiegel werden die beiden reflektierenden Vorder- und Rückflächen eines Substrates verwandt, wobei in den Doppelspiegel eine Aperturöffnung, bspw. in Form einer Bohrung eingelassen ist. Die beiden Seiten des Substrates werden bei einem derartigen Doppelspiegel jeweils auf der Vorder- und Rückseite mit einer hochreflektierenden Schicht, bspw. für Röntgenlithographie mit Wellenlängen von λ = 13nm umfassend 40 Schichtpaare aus Mo/Si bedampft. Bei einem System mit drei Teilobjektiven ist der viertletzte Spiegel der dritte Spiegel, und der letzte Spiegel im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene der sekundäre Konkavspiegel.

Ein derartiger Doppelspiegel hat den Vorteil, dass er sich wie eine Linse herstellen und fassen lässt. Eine Ausgestaltung in Form zweier Spiegel wäre aber auch möglich. Jedoch müssen dann beide Spiegel aus einem Material gefertigt werden, welches eine große Steifigkeit besitzt (z.B. Siliziumcarbid) In einer vorteilhaften Ausführungsform ist vorgesehen, dass um eine möglichst geringe Obskuration zu erzielen, die Aperturöffnung des Doppelspiegels, hier die Bohrung, konisch ausgestaltet ist.

Durch die Ausgestaltung eines Doppelspiegels wird eine hohe mechanische Stabilität erreicht.

Um einen ausreichenden Abstand zur Bildebene zu gewährleisten, kann bei Wellenlängen im UV, DUV- oder VUV-Bereich auch einen Mangin-Spiegel verwandt werden.

Die Ausgestaltung eines Mangin-Spiegels ist beispielsweise aus Lexikon der Optik, Seite 223 bekannt.

In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung werden auf den Spiegeln niedrigere Einfallswinkel dadurch erreicht, dass der im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene zweite Spiegel als Konkavspiegel ausgebildet ist.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Aperturblenden und die Abschattungsblenden des Systems nicht an einem Ort, sondern in zwei zueinander konjugierten Blendenebenene angeordnet, wobei die Blendenebenen wiederum konjugierte Ebenen zur Eintrittspupille des Projektionsobjektives darstellen.

Durch eine Anordnung sowohl der Abschattungsblende wie der Aperturblende entfernt von einem Spiegel ergeben sich sowohl optische als auch mechanische Vorteile. Eine direkt vor einem Spiegel angeordnete Apertur- oder Obskurationsblende wird zwangsläufig zweifach vom Lichtbündel durchtreten, so dass unvermeidliche Vignettierungen auftreten, die die Abbildungsqualität beeinträchtigen. Aus mechanischer Sicht ist eine Anordnung einer Apertur- oder Obskurationsblende nahe bei einem Spiegel schwierig, da zum einen die benötigten Bauräume sich gegenseitig begrenzen und einengen und zum anderen die mechanischen Positionstoleranzen sehr eng gehalten werden müssen. Realisiert man die Obskurationsblende durch eine Antireflexbeschichtung auf einem Spiegel – wie dies in der US 6,750,648 offenbart wird – so ist ein Auswechseln der Obskurationsblende nur durch das Auswechseln des gesamten Spiegels möglich, was aufwändig und teuer ist. Während die Aperturblende das Lichtbüschel nach außen begrenzt und den äußeren Radius festlegt, wird durch die Abschattungsblende die feldunabhängige Obskuration definiert, also der innere Radius des Lichtbüschels, der das Projektionssystem von der Objektebene zur Bildebene durchläuft.

In einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung werden Mikrolithographie-Projektionsobjektive mit einem zweiten Teilobjektiv, das zwei Konkavspiegel umfasst angegeben, die aber lediglich ein erstes Teilobjektiv aufweisen, das als sogenannte Feldgruppe bezeichnet wird. Die Feldgruppe umfasst lediglich sogenannte off-axis Spiegelsegmente. Diese Objektive verfügen über kein drittes Teilobjektiv, d.h. keine Transfergruppe mit Spiegeln, die einen Durchtritt für ein Strahlbüschel aufweisen. Der Vorteil derartiger Objektive ist, dass durch den Wegfall der Transfergruppe 2 Spiegel eingespart werden können. Hierdurch kann die Lichttransmission vergrößert werden und der Herstellaufwand gesenkt werden. Bei den vorliegenden Objektiven wird die Wirkung der Transfergruppe, nämlich die Vermittlung von der niedrigaperturigen Feldgruppe zur hochaperturigen Aperturgruppe durch Feld- und Aperturgruppe selbst bewerkstelligt. Die Feldgruppe umfasst bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen sechs Spiegel, die Spiegelfolge ist beispielsweise konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav oder konkav-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav. In besonders bevorzugten Ausführungsformen derartiger Objektive können besonders kleine Hauptstrahlwinkel und Aperturen von NA = 0,7 erreicht werden.

Gemäß einem zweiten weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Objektiv angegeben, mit dem es möglich ist, Strukturen mit einer Strukturgröße im Bereich von 50nm und weniger bei einer Wellenlänge ≤ 193nm, also insbesondere auch 193nm, 157nm oder bei einer Wellenlänge von ca. 100nm aufzulösen. Dieser zweite Aspekt der Erfindung wird durch ein System mit wenigstens zehn Spiegeln gelöst, wobei das System derart aufgebaut ist, dass die bildseitige numerische Apertur NA größer als 0,7 ist. Bevorzugt ist die numerische Apertur größer als 0,72, bevorzugt größer als 0,80, ganz bevorzugt beträgt sie 0,90. In einer besonderen Ausführungsform zeichnet sich diese Systeme dadurch aus, dass der größte Einfallswinkel des Hauptstrahles zu einem mittleren Feldpunkt auf allen Spiegeln geringer ist als 30°

In einer bevorzugten Ausführungsform eines Systems gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung weist das System zwei Teilsysteme auf, ein erstes Teilsystem und ein zweites Teilsystem.

Bevorzugt umfasst das erste Teilsystem nur Spiegel ohne eine zentrale Öffnung, die bevorzugt außer axial zu einer Hauptachse des Projektionsobjektives angeordnet ist. Diese Spiegel werden daher durch sogenannte oft-axis Segmente gebildet. Das erste Teilsystem wird auch als Feldgruppe bezeichnet.

Das zweite Teilsystem umfasst wenigstens einen Spiegel mit zentraler Öffnung Das zweite Teilsystem wird auch als Aperturgruppe bezeichnet.

In einer ersten Ausführungsform gemäß dem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst die Feldgruppe acht Spiegel, die sich in ein erstes Teilobjektivsubsystem mit sechs Spiegeln und ein zweites Teilobjektivsubsystem mit zwei Spiegeln unterteilt. Bevorzugt ist die Spiegelfolge der Feldgruppe konkav-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex-konvex-konkav. Dadurch, dass die Feldgruppe acht Spiegel umfasst, können feldabhängige Bildfehler sehr gut korrigiert werden. Die Aperturgruppe bei dem ersten Ausführungsbeispiel gemäß dem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst zwei Konkavspiegel.

In einer zweiten Ausführungsform gemäß dem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst die Feldgruppe sechs Spiegel mit der Spiegelfolge konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav. Die Feldgruppe ist in ein erstes Teilobjektivsubsystem mit vier Spiegeln und ein zweites Teilobjektivsubsystem mit zwei Spiegeln unterteilt. Die Aperturgruppe umfasst ein erstes Teilobjektivteilsystem aus zwei Konkavspiegel und ein zweites Teilobjektivteilsystem aus zwei Konkavspiegeln. Insgesamt werden in dem Objektiv gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel insgesamt drei Zwischenbilder ausgebildet. Das zweite Ausführungsbeispiel zeichnet sich dadurch aus, dass eine sehr hohe Apertur bei sehr niedrigen Einfallswinkeln erreicht wird. So beträgt der Einfallswinkel des Hauptstrahles zum zentralen Feldpunkt beim zweiten Ausführungsbeispiel weniger als 30°. Desweiteren zeichnet sich das System gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zum weiteren Aspekt der Erfindung durch große Driftstrecken zwischen den Spiegeln aus.

In einer dritten Ausführungsform gemäß dem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst die Feldgruppe sechs Spiegel. Die Spiegelfolge in der Feldgruppe ist: konvex-konkav-konkav-konvex-konvex-konkav. Die Aperturgruppe ist ebenfalls in ein erstes Teilobjektivteilsystem und in ein zweites Teilobjektivteilsystem unterteilt. Die Spiegelfolge in der Aperturgruppe ist: konvex-konkav-konkav-konkav. Insgesamt weist das Objektiv zwei Zwischenbilder auf. Das Objektiv zeichnet sich insbesondere durch eine sehr hohe Apertur aus.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Objektive, insbesondere der Projektionsobjektive und ihrer Anwendungen gemäß der vorliegenden Anmeldung sind in den Ansprüchen 79 bis 97 und der zugehörigen Figurenbeschreibung beschrieben.

Die hier beschriebenen Objektive werden insbesondere als Projektionsobjektive in Lithographie-Projektionsbelichtungsanlagen eingesetzt. In einer Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage beleuchtet ein Beleuchtungssystem eine strukturtragende Maske (Retikel), welche von dem Projektionsobjektiv auf ein lichtempfindliches Substrat abgebildet wird. Derartige Lithographie-Projektionsbelichtungsanlagen sind aus dem Stand der Technik hinreichend bekannt, bspw. für die EUV-Lithographie aus der US 5,212,588 , US 5,003,567 , US 6,452,661 oder US 6,195,201 und für Lithographie mit Wellenlängen ≤ 193nm aus US 6,512,641 und EP 1069448 .

Insbesondere sind doppelt facettierte Beleuchtungssysteme bevorzugt, insbesondere solche, bei denen die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels die Form des auszuleuchtenden Feldes in der Retikelebene aufweisen, d. h. bei auszuleuchtenden ringförmigen Feld in der Feldfacettenebene sind die Feldfacetten ringförmig ausgebildet. Ein feldformender Spiegel wird bei einem solchen System nicht benötigt.

Mikrostrukturierte Halbleiterbauelemente werden in einer Vielzahl von einzelnen, sehr komplexen Verfahrensschritten hergestellt. Ein wesentlicher Verfahrensschritt betrifft dabei das Belichten von lichtempfindlichem Substrat (Wafern), beispielsweise mit Fotolack versehene Silizium-Substraten. Dabei wird bei der Herstellung eines einzelnen sogenannte Layers das entsprechende Retikel von dem Projektionsobjektiv auf den Wafer abgebildet.

Die Erfindung soll nunmehr näher anhand der Zeichnungen erläutert werden, ohne dass die Erfindung auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist.
Es zeigen:
1: eine erste Ausführungsform eines 8-Spiegel-System mit einer numerischen Apertur NA = 0,54 und sechsfacher Vergrößerung
2: eine zweite Ausführungsform eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,5 und einer vierfachen Vergrößerung.
3: eine dritte Ausführungsform eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,5 und einer fünffachen Vergrößerung.
4: eine vierte Ausführungsform eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,5 und einer sechsfachen Vergrößerung.
5: eine fünfte Ausführungsform eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,5 und einer achtfachen Vergrößerung
6a: ein sechstes Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,6 und einer 8-fachen Vergrößerung
6b: ein siebtes Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,6 und einer 8-fachen Vergrößerung.
6c: ein achtes Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,6 und einer 8-fachen Vergrößerung.
6d: ein neuntes Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,6 und einer 8-fachen Vergrößerung.
6e: ein zehntes Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen Apertur NA = 0,7 und einer 8-fachen Vergrößerung.
7: ein erstes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-System mit einer NA = 0,75 und achtfacher Vergrößerung
8: ein zweites Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-System mit einer NA = 0,75 und achtfacher Vergrößerung
9. ein drittes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-Objektives mit zwei Zwischenbildern
10: ein viertes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-System mit einer NA = 0,72 und achtfacher Vergrößerung
11: ein fünftes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-System mit einer NA = 0,70 mit achtfacher Vergrößerung
12: ein sechstes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-System mit einer NA = 0,72 und achtfacher Vergrößerung
13: die Lage des zweiten Zwischenbildes im Bereich des zweiten bzw. dritten Teilobjektives
14: die optimale Zwischenbildlage in einem Doppelspiegel für das zweite und dritte Teilobjektiv
15: eine Ausführungsform des zweiten Teilobjektives mit einem Mangin-Spiegel
16: ein siebtes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-Systems mit einer NA = 0,7 und achtfacher Vergrößerung.
17: ein erstes Ausführungsbeispiel eines 6-Spiegel-Systems mit einer NA = 0.5 und achtfacher Vergrößerung und einem Konkavspiegel als zweiten Spiegel im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene
18: ein Ausführungsbeispiel eines weiteren 6-Spiegel-Systems mit einer NA = 0.5 und achtfacher Vergrößerung
19: Beleuchtungssystem mit einem Mikrolithographie-Projektionsobjektiv mit obskurierter Pupille.
20 ein erstes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-Objektives mit einer hohen Apertur NA = 0,72 zur Abbildungen von Strukturen kleiner als 50nm
21 ein zweites Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-Objektives mit einer hohen Apertur NA = 0,85 zur Abbildungen von Strukturen kleiner als 50nm
22 ein drittes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-Objektives mit einer hohen Apertur NA = 0,90 zur Abbildungen von Strukturen kleiner als 50nm
In 1 ist als erstes Ausführungsbeispiel ein 8-Spiegel-System mit einer bildseitigen Apertur von NA = 0,54 gezeigt. Der Abbildungsmaßstab ist sechsfach.
Das erfindungsgemäße Projektionsobjektiv umfasst drei Teilobjektive, das erste Teilobjektiv 100, das zweite Teilobjektiv 200 sowie das dritte Teilobjektiv 300. Das erste Teilobjektiv umfasst insgesamt vier Spiegel; S1, S2, S5 sowie S6. Im Lichtweg von der Objektebene 10 zur Bildebene 20 gesehen ist der Spiegel S1 ein Konkavspiegel, der Spiegel S2 ein Konvexspiegel, der siebte Spiegel S5 ein Konvexspiegel und der Spiegel S6 ein Konkavspiegel. Der Abbildungsmaßstab des ersten Teilobjektives beträgt 1,77x. Eine Aperturblende B ist auf dem Spiegel S5 angeordnet. Die Objektebene, in der bspw. das Retikel zu liegen kommt, ist mit 10 bezeichnet. Die optische Achse, um die einzelne Spiegelsegmente rotationssymmetrisch sind ist mit HA bezeichnet und die Gesamtlänge des Systems von der Objektebene 10 zur Bildebene 20, die auch als Baulänge bezeichnet wird mit B. Das erste Teilobjektiv wird auch als Feldgruppe bezeichnet und umfasst wenigstens zwei Spiegel, den Spiegel S1 und den Spiegel S2.
Spiegel S1 und Spiegel S2 sind wie 1 zeigt außeraxiale Spiegelsegmente sog. oft-axis Spiegelsegmente, die die Korrektur feldabhängiger Bildfehler zulassen. An das erste Teilobjektiv 100 schließt sich in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine Transfergruppe an, die vorliegend als drittes Teilobjektiv 300 bezeichnet wird und zwei Spiegel, den Spiegel S3 und den Spiegel S4 umfasst, wobei S3 ein Konvexspiegel und S4 ein Konkavspiegel ist.
In dem gezeigtem Ausführungsbeispiel wird ein Zwischenbild Z1 in oder nahe des Konkavspiegels S4 ausgebildet und ein Zwischenbild Z2 des Projektionsobjektives physikalisch in der Nähe des Konvexspiegels S3.
Der Abbildungsmaßstab des dritten Teilobjektives das auch als Transfergruppe bezeichnet wird, beträgt 2,88x. An das dritte Teilobjektiv schließt sich eine sogenannte Relay-Gruppe an, die auch als zweites Teilobjektiv 200 bezeichnet wird und einen Abbildungsmaßstab von 1,18x hat.
Das zweite Teilobjektiv 200 umfasst vorliegend zwei Spiegel, die beide als Konkavspiegel ausgebildet sind. Diese Spiegel werden daher auch als primärer Konkavspiegel SK1 und sekundärer Konkavspiegel SK2 bezeichnet. Der Spiegel S3, beinhalten eine Aperturöffnung A1, und der sekundäre Konkavspiegel SK2 eine Aperturöffnung A2, der primäre Konkavspiegel eine Aperturöffnung A3 sowie der Spiegel S4 eine Aperturöffnung A4. Somit sind im in 1 dargestellten Objektiv die Spiegel S3, S4 SK1 und SK2 Spiegel mit einer Öffnung durch die ein Strahlbüschel hindurchtritt im Sinne der Anmeldung. Desweiteren bilden die Spiegel S3, S4, SK1, SK2 im Sinne dieser Anmeldung ein zweites Subobjektiv aus, das keinen Spiegel ohne eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist oder anders ausgedrückt ausschließlich Spiegel mit einer Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels.
Die Spiegel S1, S2, S5 und S6 bilden im Sinne dieser Anmeldung ein erstes Subobjektiv aus, das keinen Spiegel mit einer Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist, d.h. keinen durchbohrten Spiegel.
Wie deutlich zu erkennen ist, ist aufgrund der Ausbildung des zur Bildebene 20 nächsten liegenden Spiegels SK1 als Konkavspiegel der Abstand A zwischen der Vertex V3, d.h. des Scheitelpunktes des primären Konkavspiegels SK1 und der Bildebene 20 größer als 12mm, bevorzugt größer als 15mm, ganz bevorzugt größer als 40mm.
Das zweite Teilobjektiv 200 bildet das zweite Zwischenbild Z2 in die Bildebene 20 ab.
Bei der dargestellten Ausführungsform wird aus der relativen Größe der Abbildungsmaßstäbe deutlich, dass das dritte Teilobjektiv den niederaperturigen Objektivteil mit dem hochaperturigen Objektivteil verbindet. Das dritte Teilobjektiv wird daher auch als Transfergruppe bezeichnet.
Die optischen Daten des Systems gemäß 1 können aus nachfolgender Tabelle 1 entnommen werden.

Dabei bezeichnet

Mirror 1:	den Spiegel S1
Mirror 2:	den Spiegel S2
Mirror 3:	den Spiegel S5
Mirror 4:	den Spiegel S6
Mirror 5:	den Spiegel S3
Mirror 6:	den Spiegel S4
Mirror 7:	den primären Konkavspiegel SK1
Mirror 8:	den sekundären Konkavspiegel SK2

Der erste Teil von Tabelle 1 gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 1 die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 1
In 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Objektives mit einer numerischen Apertur NA = 0,5 und 4-facher Vergrößerung gezeigt. Gleiche Bauteile wie in 1 sind mit den selben Bezugsziffern belegt.
Die optischen Daten ergeben sich aus nachfolgender Tabelle 2
Dabei bezeichnet

Mirror 1: den Spiegel S1

Mirror 2: den Spiegel S2

Mirror 3: den Spiegel S5

Mirror 4: den Spiegel S6

Mirror 5: den Spiegel S3

Mirror 6: den Spiegel S4

Mirror 7: den primären Konkavspiegel SK1

Mirror 8: den sekundären Konkavspiegel SK2
Der erste Teil von Tabelle 2 gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 2 die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 2
Die Größe des Feldes das durch das Objekt gemäß 2 abgebildet wird beträgt 13 × 1mm².
Im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel in 1, das die Aperturblende auf dem Spiegel S5 (Mirror 3) und damit dem dritten Spiegel im Strahlengang von der Objektebene zur Bildebene im ersten Teilobjektiv hat, ist die Aperturblende bei dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel auf dem Konvexspiegel der Transfergruppe – dies ist der Spiegel S3 – angeordnet.
In 3 ist ein ähnliches 8-Spiegel-System wie in 2 dargestellt, jedoch beträgt der Abbildungsmaßstab beim Ausführungsbeispiel in 3 5x. Die bildseitige numerische Apertur NA ist wiederum 0,5. Das abzubildende Feld hat eine Größe von 22 × 1mm².
Die optischen Daten ergeben sich aus nachfolgender Tabelle 3.

Dabei bezeichnet

Mirror 1:	den Spiegel S1
Mirror 2:	den Spiegel S2
Mirror 3:	den Spiegel S5
Mirror 4:	den Spiegel S6
Mirror 5:	den Spiegel S3
Mirror 6:	den Spiegel S4
Mirror 7:	primären Konkavspiegel SK1
Mirror 8:	sekundären Konkavspiegel SK2

Der erste Teil von Tabelle 3 gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 3 die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 3
Gleiche Bauteile wie in 1 und 2 sind in 3 mit den selben Bezugsziffern belegt.
In 4 ist eine vierte Ausführungsform eines 8-Spiegel-Objektives gezeigt, das einen 6-fachen Abbildungsmaßstab aufweist. Die optischen Daten sind aus nachfolgender Tabelle 4 entnehmbar.
Dabei bezeichnet

Mirror 1: den Spiegel S1

Mirror 2: den Spiegel S2

Mirror 3: den Spiegel S5

Mirror 4: den Spiegel S6

Mirror 5: den Spiegel S3

Mirror 6: den Spiegel S4

Mirror 7: den primären Konkavspiegel SK1

Mirror 8: den sekundären Konkavspiegel SK2
Der erste Teil von Tabelle 4 gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 4 die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 4
Sowohl bei dem in 3 wie bei dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist wie bei dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel die Aperturblende auf dem Spiegel S3 in der Transfergruppe angeordnet.
In 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Projektionsobjektivs gezeigt, mit einer numerischen Apertur NA = 0,5 und 8-facher Vergrößerung.
Bei dem in 5 gezeigten System ist das erste Teilobjektiv die sog. Feldgruppe, umfassend die Spiegel S1, S2, S5 und S6 im wesentlichen gleich aufgebaut, wie bei den Ausführungsbeispielen gemäß 2, 3 und 4. Die Spiegel S1, S2, S5 und S6 weisen nachfolgende Spiegelabfolge auf: konvex-konkav-konvex-konkav, d. h. der erste Spiegel S1 im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene besitzt eine konvexe Spiegeloberfläche, der zweite Spiegel im Lichtweg von der Bildebene zur Objektebene – der Spiegel S2 – besitzt eine konkave Spiegeloberfläche, der dritte Spiegel im Lichtweg von der Objektebene 10 zur Bildebene 20 – der Spiegel S5 – besitzt eine konvexe Spiegeloberfläche und der vierte Spiegel im Lichtweg von der Objekteben 10 zur Bildebene 20 – der Spiegel S6 – besitzt eine konkave Spiegeloberfläche. Im Gegensatz zu dem Strahlengang innerhalb des ersten Teilobjektives 100 des Ausführungsbeispiels in 1 überkreuzt sich der Strahlengang in der Papierebene bei den Ausführungsbeispielen 2, 3, 4 und 5 im ersten Teilobjektiv 100. Wie schon bei den Ausführungsbeispielen 2, 3, 4 und 5 befindet sich die Aperturblende auf dem für den Lichtweg von der Objektebene 10 zur Bildebene 20 auf einem Spiegel der Transfergruppe, nämlich dem fünften Spiegel – dem Spiegel S3.
Bei sämtlichen Ausführungsbeispielen, die in den 2, 3, 4 und 5 gezeigt sind, ist der Radius des ersten Spiegels im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene, d. h. der Radius des Spiegels S1 sehr groß, bspw. beim Ausführungsbeispiel gemäß 5 größer als 10 m. Der erste Spiegel S1 ist somit nahezu plan ausgebildet und könnte nicht nur konvex ausgebildet sein, in alternativen Ausführungsformen auch einen planen Oberfläche oder eine konkave Oberfläche besitzen.
Die optischen Daten des in 5 gezeigten Systems sind Tabelle 5 angegeben.

Dabei bezeichnet

Der erste Teil von Tabelle 5 gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 5 die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 5
In 6a ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems dargestellt, bei dem das erste Teilobjektiv 100, d. h. die Feldgruppe dieselbe Spiegelabfolge aufweist, jedoch ergeben sich auch Unterschiede. So ist. wie bei den Ausführungsbeispielen gemäß 2 bis 5, die Spiegelabfolge der vier Spiegel S1, S2, S5 und S6 des ersten Teilobjektives 100 konvex-konkav-konvex-konkav. Im Gegensatz zum 8-Spiegel-System gemäß den vorgenannten 2 bis 5, überkreuzt sich der Strahlengang im ersten Teilobjektiv 100 jedoch nicht. Aufgrund der unterschiedlichen Strahlführung im ersten Teilobjektiv 100 kann der erste Spiegel S1 im gezeigten Ausführungsbeispiel gemäß 6a nicht alternativ plan bzw. konkav ausgebildet werden. Die bildseitige Apertur des Systems gemäß 6a beträgt NA = 0,6 und der Abbildungsmaßstab 8x.
Die optischen Daten des Systems gemäß 6a sind aus Tabelle 6a zu entnehmen:

Dabei bezeichnet

Der erste Teil von Tabelle 6a gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 6a die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 6
In 6b ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen, bildseitigen Apertur von NA = 0,6 dargestellt. Das in 6b dargestellte Objektiv weist im Gegensatz zu dem in 6a gezeigten Objektiv keine Transfergruppe auf, sondern nur eine Feldgruppe, d.h. ein erstes Teilobjektiv 100 und ein zweites Teilobjektiv 200, das auch als Relaygruppe bezeichnet wird, auf die Relaygruppe umfasst zwei Konkavspiegel SK1 und SK2. Die Feldgruppe umfasst die Spiegel SP1, SP2, SP3, SP4, SP5 und SP6. Durch den Wegfall der Transfergruppe wird gegenüber den nachfolgend beschriebenen 10-Spiegel-Systemen mit einer 6-spiegligen Feldgruppe, einer 2-spiegligen Transfergruppe und einer 2-spiegligen Relaygruppe die Transmission des Objektives erhöht und der Herstellaufwand verringert. Die Spiegelabfolge der sechs Spiegel der Feldgruppe SP1, SP2, SP3, SP4, SP5 und SP6 des ersten Teilobjektives 100 ist konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav. Sämtliche Spiegel SP1, SP2, SP3, SP4, SP5 und SP6 der Feldgruppe sind oft-axis Spiegelsegmente. Keiner der Spiegel weist eine Öffnung für einen Durchtritt eines Strahlbüschels auf. Das in 6b dargestellte System weist zwei Zwischenbilder ZWISCH1 und ZWISCH2 auf. Die Blende B ist im ersten Teilsystem 100 auf oder nahe dem zweiten Spiegel angeordnet. Sie kann aber auch in diesem System zwischen den beiden Konkavspiegeln der Aperturgruppe gelegt werden, da sich dort eine konjugierte Blendenebene befindet. Die bildseitige Apertur des Systems gemäß 6b beträgt NA = 0,6 und der Abbildungsmaßstab 8x.
Die optischen Daten des Systems gemäß 6b sind aus Tabelle 6b zu entnehmen:

Dabei bezeichnet

Mirror 1:	den Spiegel SP1
Mirror 2:	den Spiegel SP2
Mirror 3:	den Spiegel SP3
Mirror 4:	den Spiegel SP4
Mirror 5:	den Spiegel SP5
Mirror 6:	den Spiegel SP6
Mirror 7:	den primären Konkavspiegel SK1
Mirror 8:	den sekundären Konkavspiegel SK2

Der erste Teil von Tabelle 6b gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 6b die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 6b: Optische Daten für das System gemäß Fig. 6b:
In 6c ist eine Variante des in 6b gezeigten Ausführungsbeispieles gezeigt. Die Spiegelabfolge in der Feldgruppe mit den Spiegel SP1, SP2, SP3, SP4, SP5 und SP6 ist gleich wie beim Ausführungsbeispiel in 6b, nämlich konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav. Die Aperturgruppe besteht aus zwei Konkavspiegeln SP7 und SP8. Im Gegensatz zur Ausführungsform gemäß 6b liegt die Blende nicht auf den Spiegel SP2 sondern zwischen den Konkavspiegeln SP7 und SP8 der Aperturgruppe. Der Spiegel mit dem kleinsten axialen Abstand entlang der Hauptachse HA des Objektives zur Objektebene 10 ist nicht der zweite Spiegel SP2 der Feldgruppe sondern der vierte Spiegel SP4 der Feldgruppe. Hierdurch wird eine besonders lange Driftstrecke zwischen dem vierten Spiegel SP4 und dem fünften Spiegel SP5 zur Verfügung gestellt, was sehr kleine Einfallswinkel auf den Spiegeln SP4 und SP5 zur Folge hat. Der maximale Winkel des Hauptstrahles zum zentralen Feldpunkt tritt auf dem dritten Spiegel SP3 auf und beträgt lediglich 21 °.
Die optischen Daten des Systems gemäß 6c sind aus Tabelle 6c zu entnehmen:

Dabei bezeichnet

Der erste Teil von Tabelle 6c gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 6c die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 6c: Optische Daten für das System gemäß Fig. 6c:
In 6d ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines 8-Spiegel-Systems mit einer numerischen, bildseitigen Apertur von NA = 0,6 dargestellt. Das in 6d dargestellte Objektiv weist wie die Ausführungsform zu 6b im Gegensatz zu dem in 6a gezeigten Objektiv keine Transfergruppe auf, sondern nur eine Feldgruppe, d.h. ein erstes Teilobjektiv 100 und ein zweites Teilobjektiv 200, das auch als Relaygruppe bezeichnet wird. Die Relaygruppe umfasst zwei Konkavspiegel SK1 und SK2. Die Feldgruppe umfasst die Spiegel SP1, SP2, SP3, SP4, SP5 und SP6, die als off-axis Segmente ausgebildet sind. Die Spiegelabfolge der sechs Spiegel der Feldgruppe SP1, SP2, SP3, SP4, SP5 und SP6 des ersten Teilobjektives 100 ist konkav-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav. Das in 6d gezeigte System umfasst zwei Zwischenbilder ZWISCH1 und ZWISCH2. Im Gegensatz zu dem in 6b gezeigten System ist die Blende B zwischen dem ersten Konkavspiegel SK1 und dem zweiten Konkavspiegel SK2 des zweiten Teilobjektives 200 angeordnet. Die Aperturblende kann in einem solchen System aber auch zwischen dem ersten und dem zweiten Spiegel oder direkt auf dem ersten oder direkt auf dem zweiten Spiegel gelegt werden. Die bildseitige Apertur des Systems gemäß 6d beträgt NA = 0,6 und der Abbildungsmaßstab 8x.
Die optischen Daten des Systems gemäß 6d sind aus Tabelle 6d zu entnehmen:

Dabei bezeichnet

Der erste Teil von Tabelle 6d gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 6d die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 6d: Optische Daten für das System gemäß Fig. 6d:
In 6e ist eine Variante des in 6d gezeigten Ausführungsbeispiels dargestellt. Das Ausführungsbeispiel gemäß 6e besitzt eine ähnliche Spiegelfolge in der Feldgruppe mit den Spiegeln SP1, SP2, SP3, SP4, SP5 und SP6 wie das Ausführungsbeispiel gemäß 6d, nämlich konkav-konkav-konkav-konvex-konvex-konkav, wobei der Radius des Spiegels 2 (Mirror 2) so groß ist, dass dieser Spiegel auch plan oder konvex ausgelegt werden kann. Im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel gemäß 6d beträgt die bildseitige Apertur NA = 0,70. Das Zwischenbild ZWISCH1 liegt innerhalb der Feldgruppe zwischen dem Spiegel SP2 und SP3 und physikalisch am unteren Rand des Spiegels SP4. Durch diese Ausgestaltung kann der Strahlbündelquerschnitt am Spiegel SP4 sehr klein gehalten werden und die Feldgruppe weist eine besonders kompakte Bauweise auf. Des Weiteren zeichnet sich die Ausführungsform durch sehr niedrige Einfallswinkel des Hauptstrahles des mittleren Feldpunktes aus. Der größte Einfallswinkel des Hauptstrahls des mittleren Feldpunktes tritt auf dem Spiegel SP4 des Feldpunktes auf und beträgt lediglich 24°.
Die optischen Daten des Systems gemäß 6e sind aus Tabelle 6e zu entnehmen:

Dabei bezeichnet

Der erste Teil von Tabelle 6e gibt die optischen Daten wieder und der zweite Teil von Tabelle 6e die asphärischen Konstanten der jeweiligen Spiegelflächen.
Tabelle 6e: Optische Daten für das System gemäß Fig. 6e
In 7 ist ein erstes Ausführungsbeispiel gezeigt, das ein 10-Spiegel-System mit einer bildseitigen Apertur von NA = 0,75 einem Abbildungsmaßstab von 8x darstellt. Dieses System besitzt zwei Zwischenbilder. Gleiche Bauteile wie in 1 sind mit denselben Bezugsziffern gekennzeichnet.
Hierbei bezeichnet 100 das erste Teilobjektiv, 200 das zweite Teilobjektiv und 300 das dritte Teilobjektiv. Das erste Teilobjektiv 100 umfasst einen Spiegel S10, einen Spiegel S20, einen Spiegel S50, einen Spiegel S60, einen Spiegel S70 und einen Spiegel S80. Der Spiegel S10 ist ein Konvexspiegel mit einem sehr großen Radius von mehr als 10000mm. Aufgrund dieses großen Radius kann der Spiegel S1 sowohl plan als auch konkav ausgebildet werden. Der im Lichtweg folgende Spiegel S20 ist ein Konkavspiegel, der Spiegel S70 ist ein Konvexspiegel, der Spiegel S80 ist ein Konkavspiegel, der Spiegel S90 ist ein Konkavspiegel und der Spiegel S100 ist ein Konvexspiegel, so dass sich die Spiegelfolge konvex-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex ergibt.
Alternativ wären auch noch die Spiegelabfolgen konkav-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex oder plan-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex möglich.
Bei dem in 7 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Blende B auf dem Spiegel S20 angeordnet. Der Abbildungsmaßstab des ersten Teilobjektives 100 beträgt 1,85x, der Abbildungsmaßstab des dritten Teilobjektives 300 beträgt 3,38x und der Abbildungsmaßstab des zweiten Teilobjektives 200 beträgt 1,3. Die Feldgröße des abzubildenden Feldes beträgt bei dem in 7 gezeigten System 26 × 1mm². Bei dem in 7 dargestellten System ist die Wellenfront auf einen mittleren Wellenfrontfehler von 11,8 mλrms korrigiert und die Hauptstrahlverzeichnung beträgt weniger als 0,2mm.
Desweiteren zeichnet sich das System gemäß 7 und auch 8 dadurch aus, dass es sich um ein pupillenobskuriertes System mit wenigstens einem Spiegel mit einer Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels handelt, wobei die Aperturblende B, die vorliegend auf dem zweiten Spiegel S20 angeordnet ist, vor dem Zwischenbild Z2 angeordnet ist. Dadurch, dass die Aperturblende vor dem letzten Zwischenbild (Z2) angeordnet ist, liegt zwischen der Aperturblende B und der Bildebene 20 mindestens ein Zwischenbild.
Die optischen Daten des in 7 gezeigten Systems sind aus Tabelle 7 entnehmbar.

Dabei bezeichnet

Mirror 1:	den Spiegel S10
Mirror 2:	den Spiegel S20
Mirror 3:	den Spiegel S50
Mirror 4:	den Spiegel S60

Mirror 5:	den Spiegel S70
Mirror 6:	den Spiegel S80
Mirror 7:	den Spiegel S30
Mirror 8:	den Spiegel S40
Mirror 9:	den primären Konkavspiegel SK1
Mirror 10:	den sekundären Konkavspiegel SK2

Im zweiten Teil von Tabelle 7 sind die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen angegeben.
Tabelle 7
In 8 ist eine Variation des Ausführungsbeispieles wie in 7 dargestellt gezeigt. Im Gegensatz zu 7 beträgt die Feldgröße des Feldes in der Objektebene 10 26 × 2mm² und entspricht damit einer Feldgröße, die für Lithographiesysteme ausreichend ist. Bei dem in 8 dargestellten System ist die Wellenfront auf einen mittleren Wellenfrontfehler von 22 mλrms und eine Verzeichnung von weniger als 0,3mm korrigiert.
Gleiche Bauteile wie in 7 werden mit denselben Bezugsziffern belegt.
Das dritte Teilobjektiv sowohl in 7 wie in 8 wird mit 300 bezeichnet und umfasst den Konvexspiegel S30 und den Konkavspiegel S40. Das erste Zwischenbild ist mit Z1 bezeichnet, das zweite Zwischenbild mit Z2. Das zweite Teilobjektiv 200 umfasst zwei Konkavspiegel, nämlich den primären Konkavspiegel SK1 und den sekundären Konkavspiegel SK2. Der sekundäre Konkavspiegel SK2 ist der im Lichtweg letzte Spiegel und der Spiegel S30 der im Lichtweg viertletzte Spiegel bezogen auf die Bildebene 20.
Die optischen Daten des in 8 gezeigten Systems sind in Tabelle 8 angegeben.

Dabei bezeichnet

Mirror 1:	den Spiegel S10
Mirror 2:	den Spiegel S20
Mirror 3:	den Spiegel S50
Mirror 4:	den Spiegel S60
Mirror 5:	den Spiegel S70
Mirror 6:	den Spiegel S80
Mirror 7:	den Spiegel S30
Mirror 8:	den Spiegel S40
Mirror 9:	den primären Konkavspiegel SK1
Mirror 10:	den sekundären Konkavspiegel SK2

Im zweiten Teil von Tabelle 8 sind die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen angegeben.
Tabelle 8
In 9 ist ein drittes Ausführungsbeispiel eines Objektives, insbesondere eines Projektionsobjektiv mit 10 Spiegeln und mit zwei Zwischenbildern gezeigt.
Die optischen Daten des Systems gemäß 9 sind aus Tabelle 9 zu entnehmen.

Dabei bezeichnet

Im zweiten Teil von Tabelle 9 sind die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen angegeben.
Tabelle 9
Die Systeme gemäß den 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 und 9 haben des weiteren die vorteilhafte Eigenschaft, dass das Objektiv, insbesondere das Mikrolithographie Projektionsobjektiv ein erstes Subobjektiv, welches keinen Spiegel mit einer Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist, d.h. keinen durchbohrten Spiegel aufweist, sowie ein zweites Subobjektiv, welches keinen Spiegel ohne eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist, umfasst und der geometrische Abstand zwischen dem ersten Subobjektiv und dem zweiten Subobjektiv wenigstens 10% einer Baulänge des Projektionssystems beträgt. Unter der Baulänge eines Objektives wird in vorliegender Anmeldung der Abstand entlang der optischen Achse HA von der Objektebene 10 zur Bildebene 20 verstanden. Unter dem geometrischen oder räumlichen Abstand zwischen dem ersten Subobjektiv SUBO1 und dem zweiten Subobjektiv SUBO2 wird in vorliegender Anmeldung der Abstand vom Scheitelpunkt bzw. der Vertex des Spiegels des ersten Subobjektivs, der den geringsten Abstand zur Bildebene aufweist, zum Scheitelpunkt des Spiegels des zweiten Subobjektives, der den geringsten Abstand zur Objektebene aufweist, verstanden. Der Spiegel des zweiten Suobjektivs, der den geringsten Abstand zur Objektebene aufweist, wird auch als retikelnächster Spiegel des zweiten Subobjektivs bezeichnet, der Spiegel des ersten Subobjektivs, der den geringsten Abstand zur Bildebene aufweist, als wafernächster Spiegel des ersten Subobjektivs bezeichnet.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel in 9 wäre dies der Abstand des Scheitelpunktes V70 des Spiegels S70 zum Scheitelpunkt V40 des Spiegels S40 entlang der optischen Achse HA. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 9 ist der Abstand zwischen den beiden Subobjektiven SUBO1, SUBO2 negativ, da die beiden Subobjektive räumlich ineinander verschachtelt sind, d.h. der Spiegel S70 liegt räumlich im Bereich des zweiten Subobjektives.
Eine derartige Anordnung hat den Vorteil, dass wenn der retikelnächste Spiegel des zweiten Subobjektivs nur einen geringen Abstand zum wafernächsten Spiegel des ersten Subobjektivs aufweist, der innere Ringfeldradius und damit die Obskuration klein gehalten werden kann.
Desweiteren zeichnen sich die Systeme gemäß den 2, 3, 4, 5, 6a, 9 sowie den in den nachfolgenden 16, 17 und 18 dargestellten durch eine negative Schnittweite der Eintrittspupille aus. Eine negative Schnittweite der Eintrittspupille bedeutet, dass die Hauptstrahlen der verschiedenen Feldpunkte in Lichtrichtung von der Objektebene startend divergent in das Objektiv, d.h. in Lichtrichtung, hineinlaufen. Dies bedeutet, dass die Eintrittspupille des Projektionsobjektives im Lichtweg von einer Lichtquelle eines Beleuchtungssystems zur Objektebene, in der das Retikel angeordnet ist, vor der Objektebene angeordnet ist. Derartige Projektionsobjektive und Projektionsbelichtungsanlagen sind beispielsweise in der WO2004/010224 gezeigt, deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung miteingeschlossen wird.
In 10 ist ein viertes Ausführungsbeispiel eines 10-Spiegel-Systems mit einer bildseitigen Apertur von NA = 0,72 gezeigt. Das erste Teilsystem 100 besteht aus 6 Spiegeln S10, S20, S50, S60, S70, S80 in der Spiegelabfolge konvex-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav. Die Aperturblende B liegt auf dem zweiten Spiegel S20 des ersten Teilobjektives Auch bei dem in 10 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Radius des ersten Spiegels so groß, dass der Spiegel S10 nicht nur konvex, sondern auch plan oder konkav ausgebildet werden kann. Daher sind nachfolgende Spiegelabfolgen auch möglich:
konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav
plan-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav
Im Gegensatz zu den in den vorausgegangenen Ausführungsbeispielen gezeigten Systemen mit einem ersten Teilsystem, besitzt das erste Teilsystem dieses Projektionsobjektives ein Zwischenbild Z3 welches zwischen dem im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene vierten und dem fünften Spiegel, den Spiegeln S60 und S70 angeordnet ist.
Durch ein derartiges drittes Zwischenbild Z3 wird erreicht, dass die Querschnitte der Strahlbündel und damit auch die Nutzbereiche der Spiegel klein gehalten werden können.
Die Abbildungsmaßstäbe des ersten Teilobjektivs 100, des dritten Teilobjektivs 300 und des zweiten Teilobjektivs 200 betragen jeweils 2,78x, 2,24x und 1,29x. Das Ausführungsbeispiel gemäß 9 zeichnet sich dadurch aus, dass die Einfallswinkel des Hauptstrahles des zentralen Feldpunktes des abzubildenden Feldes in der Feldebene in dem vorliegenden Beispiel besonders klein ausgebildet sind. Desweiteren zeichnet sich das System dadurch aus, dass der Flächenanteil der Obskuration in der Pupille nur 10% beträgt. Gleiche Bauteile wie in den
7 und 8 sind mit den selben Bezugsziffern belegt. Die Blende B liegt wiederum auf dem zweiten Spiegel S20.
Die optischen Daten des in 10 dargestellten Systems sind in Tabelle 10 angegeben.

Dabei bezeichnet

Mirror 1:	den Spiegel S10
Mirror 2:	den Spiegel S20
Mirror 3:	den Spiegel S80
Mirror 4:	den Spiegel S60
Mirror 5:	den Spiegel S70
Mirror 6:	den Spiegel S80
Mirror 7:	den Spiegel S30
Mirror 8:	den Spiegel S40
Mirror 9:	den primären Konkavspiegel SK1
Mirror 10:	den sekundären Konkavspiegel SK2

Im zweiten Teil von Tabelle 10 sind die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen angegeben.
Tabelle 10
Im Ausführungsbeispiel, das in 11 dargestellt ist, ist wiederum ein 10-Spiegel-System gezeigt. Im Unterschied zum System gemäß 10 umfasst das erste Teilobjektiv sechs Spiegel S10, S20, S50, S60, S70, S80 mit der Spiegelabfolge konkav-konvex-konkav-konkav-konvex-konkav.
Die Aperturblende B ist im Ausführungsbeispiel gemäß 11 auf dem im Lichtweg siebten Spiegel, d. h. dem Spiegel S30, angeordnet und damit in das dritte Teilobjektiv 300, d. h. die Transfergruppe verlegt.
Das in 11 gezeigte System zeichnet sich dadurch aus, dass ein besonders geringer Flächenanteil der Pupillenobskuration auftritt, der bei einem Ringfeld von 26 × 1mm² unterhalb von 4% liegt.
Die optischen Daten sind aus Tabelle 11 entnehmbar.

Dabei bezeichnet

Im zweiten Teil von Tabelle 11 sind die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen angegeben.
Tabelle 11
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 12 handelt es sich wiederum um ein 10-Spiegel-System.
Das erste Teilobjektiv umfasst wie schon in den vorausgegangenen Beispielen sechs Spiegel, nämlich die Spiegel S10, S20, S50, S60, S70, S80. Die Spiegelabfolge ist konkav-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav. Wie schon beim Ausführungsbeispiel gemäß 11 wird hier im ersten Teilsystem ein Zwischenbild Z3 ausgebildet und zwar zwischen dem zweiten Spiegel S20 im Lichtweg von Objekt zum Bild und dem dritten Spiegel S50 im Lichtweg vom Objekt zum Bild. Die Aperturblende ist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel auf dem Spiegel S10 angeordnet.
Die optischen Daten des Systems im Code-V-Format können der Tabelle 12 entnommen werden.

Dabei bezeichnet

Im zweiten Teil von Tabelle 12 sind die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen angegeben.
Tabelle 12
Die in den 11 und 12 gezeigten Systeme zeichnen sich des weiteren dadurch aus, dass es sich um Systeme mit sechs oder mehr Spiegeln handelt, wobei wenigstens ein Spiegel keine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist und der Spiegel, der keine Öffnung aufweist und den geringsten Abstand zur Objektebene 10 hat, einen Abstand zur Objektebene aufweist, der größer als 15% der Baulänge des Objektives ist. Durch einen solch großen objektseitigen Arbeitsabstand ergibt sich ausreichender Bauraum für mechanische Komponenten, z.B. eine Reticlestage oder aber zusätzliche optische Komponenten, z.B. optische Filterelemente, die eine feldabhängige Wirkung erzielen sollen und daher in der Nähe einer Feldebene angeordnet werden müssen. In dem in 11 bzw. 12 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Spiegel, der keine Öffnung aufweist und den geringsten Abstand zur Objektebene entlang der optischen Achse aufweist der Spiegel S20. Der Abstand des Spiegels S20 zur Objektebene 10 ist wiederum durch den Abstand der Vertex V20 des Spiegels S20 zur Objektebene 10 definiert, die Baulänge wie zuvor angegeben.
In 13 ist detailliert das zweite Teilsystem 200 und das dritte Teilsystem 300 der in der Anmeldung beschriebenen Projektionsobjektive dargestellt. Beim in 13 dargestellten System bestehend aus zweiten Teilsystem 200 und dritten Teilsystem 300 ist das Zwischenbild Z2 am Ort des Konvexspiegels 1000 des dritten Teilobjektives 300 angeordnet. Das Zwischenbild am Ort des Konvexspiegels gemäß 13 führt zu einer Flächenobskuration von 10% in der Pupille des Projektionsobjektives. Wird hingegen das Zwischenbild Z2 wie in 14 dargestellt so zwischen dem im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene letzten Spiegel 1030 und dem im Lichtweg viertletzten Spiegel 1000 gerechnet von der Bildebene her angeordnet, dass die Bedingung d1/d2 = z1/z2eingehalten wird, wobei d1 der Durchmesser des letzten Spiegels 1030 ist und d2 der Durchmesser des viertletzten Spiegels 1000 sowie z1 der Abstand des Zwischenbildes von der ersten Spiegeloberfläche entlang der optischen Achse HA und z2 der Abstand des Zwischenbildes Z2 von der optischen Fläche des Spiegels 1000 entlang der optischen Achse HA ist, so wird die Flächenobskuration minimal und beträgt anstelle von 10% beim Ausführungsbeispiel in 13 beim Ausführungsbeispiel in 14 nur 8%.
In 15 ist ein System gezeigt, bei dem anstelle eines Spiegelelementes 1020 ein Mangin-Spiegel eingesetzt wird. Ein System mit einem Mangin-Spiegel hat den Vorteil, dass der zur Fassung des Spiegels notwendige Bauraum durch das optische Element 1100 zur Verfügung gestellt wird, durch das das Licht hindurchtreten muss und sich die reflektierende Oberfläche, d. h. die Spiegelfläche auf der Rückseite des optischen Elementes 1100 befindet. Hierdurch kann der wafernächste Spiegel ohne dass die Stabilität beeinträchtigt wird, sehr nahe an der Bildebene angeordnet werden.
Allerdings ist die Verwendung eines Mangin-Spiegels lediglich für Systeme möglich, die mit DUV- oder VUV-Wellenlängen arbeiten, da ein Durchtritt des Lichtes durch das optische Element 1100 notwendig ist und dieses insoweit eine gewisse Transparenz aufweisen muss.
In 16 ist eine Ausführungsform eines Projektionsobjektives mit einem Mangin-Spiegel 1100 gezeigt. Das System ist ein 10-Spiegel-System mit NA = 0,7. Das erste Objektivteil 100 umfasst sechs Spiegel S10, S20, S50, S60, S70, S80, der dritten Objektivteil umfasst zwei Spiegel S30 und S40 und der zweiten Objektivteil umfasst zwei Konkavspiegel SK1 und SK2, wobei der der Bildebene am nächsten liegende primäre Konkavspiegel SK1 wie zuvor beschrieben ein Mangin-Spiegel 1100 ist.
Die optischen Daten des Systems gemäß 16 sind in Tabelle 13 angegeben.

Dabei bezeichnet

Mirror 1:	den Spiegel S10
Mirror 2:	den Spiegel S20
Mirror 3:	den Spiegel S50
Mirror 4:	den Spiegel S60
Mirror 5:	den Spiegel S70
Mirror 6:	den Spiegel S80
Mirror 7:	den Spiegel S30
Mirror 8:	den Spiegel S40
Mirror 9:	den primäre Konkavspiegel SK1
Mirror 10:	den sekundäre Konkavspiegel SK2

Im zweiten Teil von Tabelle 13 sind die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen angegeben.
Tabelle 13
Um niedrige Einfallswinkel bei einem hochaperturigen System realisieren zu können, ist es vorteilhaft, wenn der im Lichtweg zweite Spiegel im ersten Teilobjektiv nicht konvex wie in der US 6,750,948 ausgebildet ist, sondern als Konkavspiegel. Die Ausbildung des im Lichtweg zweiten Spiegels des ersten Teilobjektives als Konkavspiegel führt zu niedrigen Einfallswinkeln auf allen Spiegeln. Niedrige Einfallswinkel erleichtern das Herstellen der Beschichtung, da in diesem Fall keine laterale Schichtdickenvariation auf dem Spiegel hergestellt werden muß, sondern die Schichten eine über dem Spiegel konstante Dicke aufweisen können. Außerdem ergibt sich für niedrige Einfallswinkel eine größere Reflektivität.
In 17 ist ein Ausführungsbeispiel eines 6-Spiegelsystems gezeigt, bei dem, um niedrige Einfallswinkel zu erhalten, der zweite Spiegel S200 im Strahlengang von der Objektebene 10 zur Bildebene 20 konkav ausgebildet ist. Das in 14 gezeigte 6-Spiegelsystem weist einen Abbildungsmaßstab von 8x und eine bildseitige numerische Apertur von NA = 0.5 auf. Die Aperturblende B ist im Strahlengang zwischen den im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene fünften Spiegel S500 und dem sechsten Spiegel S600 angeordnet. Die die Obskuration definierende Abschattungsblende AB liegt im Strahlengang zwischen dem dritten Spiegel S300 und dem vierten Spiegel S400. Durch die Anordnung der Abschattungsblende zwischen dem dritten Spiegel S300 und dem vierten Spiegel S400 wird eine feldunabhängige Obskuration von ungefähr 10% bei voller Aperturöffnung erreicht.
Die in den 17 und 18 gezeigten 6-Spiegel-Systeme können auch in Systeme mit Teilobjektiven aufgeteilt werden.
Hierbei umfasst das erste Teilobjektiv 10000 die Spiegel S100, S200, S300, S400 und das zweite Teilobjektive 20000 die Spiegel S500 und S600. Das erste Teilobjektiv 10000 entspricht im wesentlichen dem ersten Teilobjektiv 100 aus den 1 bis 12 und das zweite Teilobjektiv dem dritten Teilobjektiv 300 aus den 1 bis 12, d.h. die 6-Spiegelobjektive gemäß der 17 und 18 haben keine Relay-Gruppe.
Durch die Anordnung der Abschattungsblende, die den inneren Radius des ausgeleuchteten Feldes und damit die Obskuration festlegt, zwischen zwei Spiegeln, d.h. entfernt von einem Spiegel, wird erreicht, dass die Abschattungsblende nur ein einziges Mal im Lichtweg des abbildenden Lichtbündels durchlaufen wird und dadurch keine Vignettierungseffekte auftreten, mechanisch einen genügend großen Bauraum zur Verfügung hat, der nicht durch Spiegelbauräume eingeengt wird, und zudem leicht auswechselbar ist, da die Abschattungsblende nicht durch eine auf einem Spiegel aufgebrachte Antireflexbeschichtung realisiert wird.
Bei den im Stand der Technik gezeigten Systemen lag die Abschattungsblende, die die feldunabhängige Obskuration definiert, stets auf einem Spiegel und wurde durch eine Antireflexbeschichtung realisiert, so dass eine Variation der Abschattungsblende nur durch Auswechseln der Blende möglich ist.
Das in 17 gezeigte System zeigt die Aperturblende B und die Abschattungsblende AB in zwei verschiedenen zueinander konjugierten Blendenebenen, wobei diese Ebenen entfernt zu einem Spiegel sind. Die Aperturblende B liegt in der Blendenebene 700 und die Abschattungsblende in der Blendenebene 704. Die Blendenebenen sind konjugiert zur Eintrittspupille des Projektionsobjektives und ergeben sich als Schnittpunkt des Hauptstrahles, des sog. Chief-rays CR mit der optischen Achse HA des Mikrolithographie-Projektionsobjektives.

Die genauen Daten des in 17 gezeigten Systems sind in Tabelle 14 wiedergegeben. In Tabelle 14 bezeichnet:

Objekt:	die Objektebene
Mirror 1:	Spiegel S100
Mirror 2:	Spiegel S200
Mirror 3:	Spiegel S300
Mirror 4:	Spiegel S400
Mirror 5:	Spiegel S500
Mirror 6:	Aperturblende
STOP:	Spiegel S600
Image:	die Bildebene

Im unteren Teil der Tabelle 14 sind die asphärischen Konstanten angeben.
Tabelle 14:
In 18 eines 6-Spiegel-Systems gezeigt, bei dem der zweite Spiegel S200 als Konkavspiegel zur Erzeugung niedriger Einfallswinkel ausgebildet ist. Das in 18 gezeigte 6-Spiegel-System als ein Abbildungsmaßstab von 8x und eine bildseitige numerische Apertur von NA = 0,5 auf.
Auch bei diesem Ausführungsbeispiel liegt die Aperturblende B zwischen dem fünften Spiegel S500 und dem sechsten Spiegel S600 und die Abschattungsblende AB zwischen dem dritten Spiegel S300 und dem vierten Spiegel S400.
Der Unterschied des in 16 und 17 gezeigten System liegt in der Strahlführung im Bereich der ersten beiden Spiegel S100, S200. Während beim Ausführungsbeispiel gemäß 17 der dritte Spiegel physikalisch zwischen dem ersten und zweiten Spiegel liegt und sich die Strahlengänge im Bereich zwischen erstem und zweitem Spiegel überschneiden, sind beim Ausführungsbeispiel gemäß 18 die Spiegelgruppen voneinander getrennt und die Strahlengänge überschneiden sich nicht.
Die Systemdaten des in 18 gezeigten Ausführungsbeispiel können der nachfolgenden Tabelle 15 entnommen werden.

In Tabelle 15 bezeichnet:

Objekt:	Objektebene
Mirror 1:	Spiegel S100
Mirror 2:	Spiegel S200
Mirror 3:	Spiegel S300
Mirror 4:	Spiegel S400
Mirror 5:	Spiegel S500
STOP:	Aperturblende
Mirror 6:	Spiegel S600
Image:	Bildebene

Die asphärischen Konstanten der einzelnen Spiegelflächen sind im unteren Teil von Tabelle 15 angegeben.
Die in den 17 und 18 gezeigten 6-Spiegel Systeme mit einem ersten Subobjektiv, weisen nur ein Zwischenbild aufweist, weswegen das erste Subobjektiv mit dem ersten Teilobjektiv 10000 und das zweite Subobjektiv mit dem zweiten Teilobjektiv 20000 zusammenfällt. Das erste Subobjektiv umfasst die vier Spiegel S100, S200, S300, S400 und das zweite Subobjektiv die Spiegel S500 und S600. Die in den 17 und 18 gezeigten Objektive haben folgende im nachfolgenden beschriebenen vorteilhafte Eigenschaften.
Zum ersten weist das System gemäß 17 eine bildseitige numerische Apertur NA größer 0,4 und die Einfallswinkel des Hauptstrahles des zentralen Feldpunktes sind auf allen Spiegeln kleiner 20° zur lokalen Flächennormalen. Der maximale Einfallswinkel des Hauptstrahles des zentralen Feldpunktes tritt bei dem in 17 gezeigten System auf dem dritten Spiegel S300 auf und beträgt lediglich 12.3°. Dadurch, dass die Einfallswinkeln auf den Spiegeln klein gehalten werden, ergibt sich eine höhere Reflektivität des Spiegels, so daß eine höhere Transmission des Gesamtsystems erreicht wird. Insbesondere verringert sich die Reflektivität der p-Polarisationskomponente des Lichts mit zunehmendem Einfallswinkel
Sowohl das System gemäß 17 wie das System gemäß 18 zeichnen sich durch die nachfolgenden vorteilhaften Eigenschaften aus, Um eine möglichst kleine Obskuration zu erreichen, beträgt der Abstand entlang der optischen Achse HA des Zwischenbildes ZWISCH zum geometrisch nächstenliegenden Spiegel der Feldgruppe, also des ersten Teilobjektives 10000 weniger als 15% der Baulänge des Systems. Der geometrisch nächstliegende Spiegel der Feldgruppe ist in den vorliegenden Ausführungsbeispielen gemäß 17 und 18 der Spiegel S300. Der Abstand vom Zwischenbild ZWISCH zum nächstliegendem Spiegel S300 wird wie in allen vorangegangenen Ausführungsbeispielen durch den Abstand der Vertex V300 des Spiegels S300 zum Zwischenbild ZWISCH entlang der optischen Achse gegeben.
Alternativ oder zusätzlich zu der obigen Maßnahme kann, um eine kleine Obskuration zu erreichen vorgesehen sein, dass der Abstand entlang der optischen Achse HA des Zwischenbildes ZWISCH zum geometrisch nächstenliegenden Spiegel der Aperturgruppe, also des zweiten Teilobjektives 20000 weniger als 8% der Baulänge des Systems beträgt. Der geometrisch nächstliegende Spiegel der Aperturgruppe ist in den vorliegenden Ausführungsbeispielen gemäß 17 oder 18 der Spiegel S600. Der Abstand von Zwischenbild ZWISCH zum nächstliegendem Spiegel S600 wird wie in allen vorangegangenen Ausführungsbeispielen durch den Abstand der Vertex V600 des Spiegels S600 zum Zwischenbild ZWISCH entlang der optischen Achse gegeben.
Eine weitere vorteilhafte Maßnahme gemäß der Erfindung ist, dass die Feldgruppe der in den 17 und 18 gezeigten Systeme eine räumliche Ausdehnung, d.h. der Abstand von der Vertex V200 des der Objektebene 10 am nächsten liegenden Spiegels S200 der Feldgruppe zur Vertex V300 des der Bildebene 20 am nächsten liegenden Spiegels S300 größer als 16% insbesondere größer als 18% der Baulänge des Systems ist.
Ganz bevorzugt ist bei den in den 17 und 18 gezeigten Systemen, dass das Verhältnis des Durchmessers D600 des Spiegels S600 mit dem größten Durchmesser im Projektionsobjektives zur Baulänge des Systems kleiner ist als das 0.9-fache der bildseitigen numerische Apertur. Unter dem Durchmesser eines Spiegels wird in dieser Anmeldung der senkrecht zur optischen Achse gemessene Abstand zwischen den Auftreffpunkten AUF1, AUF2 der Randstrahlen auf den Spiegel S600 in der Meridionalebene verstanden.
Mit den zuvor angegeben Mikrolithographie-Projektionsobjektiven können für Systeme mit sechs und mehr Spiegeln Objektive mit einer hohen numerischen Apertur, bevorzugt im Bereich NA = 0,4–0,8, insbesondere NA = 0,5–0,75 angegeben werden). Des Weiteren zeichnen sich diese Systeme durch sehr große Abbildungsmaßstäbe aus, größer als 4x. Durch besonders geeignete Maßnahmen wie die Wahl des Ortes des Zwischenbildes lässt sich der obskurierte Flächenanteil in der Pupille auf unter 5% beschränken.
In 19 ist der Aufbau einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen 8-Spiegel-Objektiv mit obskurierter Pupille dargestellt.
Das 8-Spiegel-Objektiv ist mit der Bezugsziffer 2000 gekennzeichnet und das Beleuchtungssystem mit der Bezugsziffer 3000.
Das Beleuchtungssystem 3000 umfasst eine Lichtquelle 3010 sowie einen grazing-incidence-Kollector 3010, wie er beispielsweise in der EP 1 225 481 beschrieben ist. An diesen schließt sich ein spektrales Filterelement 3020 an, das als diffraktiver Spektralfilter ausgelegt sein kann. Zusammen mit einer Blende 3030 in der Nähe eines Zwischenbildes ZQ der Lichtquelle kann damit unerwünscht Strahlung mit beispielsweise Wellenlängen wesentlich größer als der gewünschen Wellenlänge vom Eintritt in den Teil des hinter der Blende 3030 liegende Beleuchtungssystems abgehalten werden. Im Beleuchtungssystem ist im Strahlengang nach dem diffraktiven Spektralfilter 3030 ein erster gerasteter Spiegel mit ersten Rasterelementen, sog. Feldfacetten 3040 angeordnet. Die Feldfacetten zerlegen das vom Spektralfilter einfallende Lichtbüschel 3050 in eine Vielzahl von Einzellichtbüscheln mit jeweils zugeordneter sekundärer Lichtquelle. Die sekundären Lichtquellen kommen in der Nähe der einzelnen Rasterelemte des zweiten gerasterten Spiegels zum Liegen. Die Rasterelemente des zweiten gerasterten Spiegels werden als Pupillenfacetten bezeichnet.
Doppel facettierte Beleuchtungssysteme sind beispielsweise aus der US 6,195,201 bekannt geworden, bei denen die sog. Feldrasterelemente bzw. Feldfacetten die Form des auszuleuchtenden Feldes in der Objektebene aufweisen und damit die Form des Feldes in der Objektebene bestimmen. Ist das Feld in der Objektebene bspw. ein kreisbogenförmiges Feld, so sind die Feldfacetten ebenfalls bogenförmig ausgebildet.
Alternativ können die Feldrasterelemente rechteckig ausgebildet sein. Ein derartiges Beleuchtungssystem ist in der US 6,198,793 gezeigt. Bei diesem Beleuchtungssytem wird die Feldformung mit Hilfe eines feldformenden Spiegels vorgenommen.
Die Objektebene 3100 in die das Feld ausgebildet wird, fällt mit der Objektebene des Projektionsobjektives zusammen. Diese bildet das Feld in der Objektebene in ein Feld in der Bildebene 3200 ab. Bei dem Projektionsobjektives handelt es sich um ein Projektionsobjektiv gemäß Ausführungsbeispiel in 2. Demgemäß sind die Spiegel mit den selben Bezugsziffern bezeichnet wie im Ausführungsbeispiel 2, d.h. beispielsweise der im Lichtweg erste Spiegel ist mit S1 bezeichnet.
In der Bildebene 3200 kann ein Substrat mit einer lichtempfindlichen Schicht, beispielsweise ein Wafer angeordnet sein.
Die in 19 gezeigte Projektionsbelichtungsanlage zeichnet sich dadurch aus, dass die Hauptstrahlen divergent in die Eintrittspupille des Projektionsobjektives, die mit der Austrittspupille des Beleuchtungssystems zusammenfällt eintreten. Dies bedeutet, dass die Eintrittspupille des Projektionsobjektives im Lichtweg von der Lichtquelle zur Objektebene 3100 vor der Objektebene 3100 angeordnet ist.
Betreffend Projektionssysteme mit negativer Eintrittspupille wird auf die WO2004/010224 verwiesen, deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird.
Mit der erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage kann dann durch sukzessive Belichtung von einer oder mehreren lichtempfindlichen Schichten und deren auschließende Entwicklung ein mikroelektronisches Bauteil hergestellt werden.
In den 20 bis 22 sind Ausführungsbeispiele für Objektive dargestellt, die bei einer Wellenlänge von ≤ 193nm, insbesondere im Wellenlängenbereich < 157 nm, insbesondere ≤ 100nm Wellenlänge die Abbildung von Strukturen mit Strukturgrößen kleiner 50nm erlauben, wobei bildseitige Aperturen NA größer 0,7 vorliegen.
In 20 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines derartigen Objektives gezeigt. Das Objektiv umfasst zehn Spiegel, einen ersten Spiegel MIR1, einen zweiten Spiegel MIR2, einen dritten Spiegel MIR3, einen vierten Spiegel MIR4, einen fünften Spiegel MIR5, einen sechsten Spiegel MIR6, einen siebten Spiegel MIR7, einen achten Spiegel MIR8, einen neunten Spiegel MIR9 sowie einen zehnten Spiegel MIR10. Das erste Ausführungsbeispiel besteht aus einem ersten Subobjektiv mit den acht Spiegeln MIR1, MIR2, MIR3, MIR4, MIR5, MIR6, MIR7, MIR8 und der Spiegelfolge konkav-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex-konvex-konkav. Das zweite Subobjektiv umfasst die Spiegel MIR9 und MIR10, die als Konkavspiegel ausgebildet sind. Die bildseitige numerische Apertur ist NA = 0.72 bei einer Vergrößerung von 8x. Die optischen Daten des Systems sind in

Tabelle 16 angegeben. Das System weist zwei Zwischenbilder ZWI1 und ZWI2 auf. Die Objektebene ist wie in den vorangegangenen Figuren mit 10, die Bildebene mit 20, die Aperturblende mit B bezeichnet. Dieses Ausführungsbeispiel zeichnet sich durch eine gute Korrekturmöglichkeit für feldabhängige Bildfehler aus. Des Weiteren bezeichnen:

Object:	die Objektebene
Mirror 1:	den Spiegel MIR1
Mirror 2:	den Spiegel MIR2
Mirror 3:	den Spiegel MIR3
Mirror 4:	den Spiegel MIR4
Mirror 5:	den Spiegel MIR5
Mirror 6:	den Spiegel MIR6
Mirror 7:	den Spiegel MIR7
Mirror 8:	den Spiegel MIR8
Mirror 9:	den Spiegel MIR9
Mirror 10:	den Spiegel MIR10
STOP:	die Aperturblende
Image:	die Bildebene

Im unteren Teil von Tabelle 16 sind die asphärischen Konstanten der Spiegelflächen der einzelnen Spiegel angegeben: Tabelle 16: Optische Daten des Systems gemäß 20

In 21 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines Objektives zur Abbildung von Strukturgrößen kleiner 50nm gezeigt. Das Objektiv umfasst zehn Spiegel, einen ersten Spiegel MIR1, einen zweiten Spiegel MIR2, einen dritten Spiegel MIR3, einen vierten Spiegel MIR4, einen fünften Spiegel MIR5, einen sechsten Spiegel MIR6, einen siebten Spiegel MIR7, einen achten Spiegel MIR8, einen neunten Spiegel MIR9 sowie einen zehnten Spiegel MIR10. Das zweite Ausführungsbeispiel eines Objektives zur Abbildung von Strukturen kleiner 50nm besteht aus einem ersten Subobjektiv 29000 mit den sechs Spiegeln MIR1, MIR2, MIR3, MIR4, MIR5, MIR6 und der Spiegelfolge konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav. Das erste Subobjektiv 29000 ist in ein erstes Teilobjektivsubsystem 30000 mit den Spiegeln MIR1, MIR2, MIR3, MIR4 und ein zweites Teilobjektivsubsystem 30002 MIR5, MIR6 unterteilt. Das zweite Subobjektiv 29010 umfasst die Spiegel MIR7, MIR8, MIR9 und MIR10, die alle als Konkavspiegel ausgebildet sind. Das zweite Subobjektiv 29010 umfasst ein erstes Teilobjektivteilsystem 30004 mit Spiegeln MIR7 und MIR8 und ein zweites Teilobjektivteilsystem 30006 mit Spiegeln MIR9 und MIR10. Die bildseitige numerische Apertur ist NA = 0.85 bei einer Vergrößerung von 8x. Die optischen Daten des Systems sind in Tabelle 17 angegeben. Das System weist insgesamt drei Zwischenbilder ZWI1, ZWI2, ZWI3 auf. Dieses Ausführungsbeispiel zeichnet sich durch niedrige Einfallswinkel von weniger als 30° für den Hauptstrahl des zentralen Feldpunktes aus. Die Blende B ist auf oder nahe dem zweiten Spiegel MIR2 angeordnet. Sie kann alternativ aber auch in dem zweiten Subobjektiv z.B. auf dem Spiegel MIR 7 oder aber zwischen den Spiegeln MIR 9 und MIR 10 angeordnet werden. In Tabelle 17 bezeichnen:

Im unteren Teil von Tabelle 17 sind die asphärischen Konstanten der Spiegelflächen der einzelnen Spiegel angegeben:
Tabelle 17: Optische Daten des Systems gemäß Fig. 21
Das System gemäß 21 zeichnet sich durch eine Reihe vorteilhafter Maßnahmen für sich alleine genommen oder in Summe aus.
Gemäß einer ersten vorteilhaften Maßnahme umfasst das erste Subobjektiv mit einem ersten Teilobjektivsubsystem 30000 und einem zweiten Teilobjektivsubsystem 30002 wenigstens fünf Spiegel und ein Zwischenbild ZWI1 zwischen dem vierten Spiegel MIR4 und dem fünften Spiegel MIR5. Vorteilhafterwesie weist das Gesamtsystem wie in 21 gezeigt höchstens zwei Konvexspiegel. Typischerweise ergeben sich auf Konvexspiegeln hohe Einfallswinkel, was zu Reflektivitätsverlusten führt. Daher ist die Verwendung einer möglichst geringen Anzahl von Konvexspiegeln für die Transmission des Gesamtsystems vorteilhaft.
Besonders vorteilhaft ist es wenn, wie beim System gemäß 21 das zweite Subobjektiv 29010 bestehend aus den Teilobjektivteilsystemen 30004 und 30006 keinen Konvexspiegel aufweist. Ein Konvexspiegel im zweiten Subobjektiv besitzt typischerweise einen kleineren Durchmesser als ein dort angeordneter Konkavspiegel. Der notwendige Durchmesser der für die abschattungsfreie Strahlführung notwendigen Bohrung ist aber in beiden Fällen gleich. Daher ist der obskurierte Anteil der Pupille für einen Konvexspiegel größer als für einen Konkavspiegel, welches sich nachteilig auf den Kontrast der Abbildung auswirkt.

In 22 ist ein drittes Ausführungsbeispiel eines Objektives zur Abbildung von Strukturgrößen kleiner 50nm gezeigt. Das Objektiv umfasst zehn Spiegel, einen ersten Spiegel MIR1, einen zweiten Spiegel MIR2, einen dritten Spiegel MIR3, einen vierten Spiegel MIR4, einen fünften Spiegel MIR5, einen sechsten Spiegel MIR6, einen siebten Spiegel MIR7, einen achten Spiegel MIR8, einen neunten Spiegel MIR9 sowie einen zehnten Spiegel MIR10. Das dritte Ausführungsbeispiel besteht aus einem ersten Subobjektiv 29000 mit den Spiegeln MIR1, MIR2, MIR3, MIR4, MIR5, MIR6 und der Spiegelfolge konvex-konkav-konkav-konvex-konvex-konkav. Das zweite Subobjektiv 29010 umfasst die Spiegel MIR7, MIR8, MIR9 und MIR10 mit der Spiegelabfolge konvex-konkav-konkav-konkav. Im Gegensatz zum ersten Subobjektiv ist das zweite Subobjektiv auch in diesem Ausführungsbeispiel in ein erstes Teilobjektivteilsystem 30004 mit Spiegeln MIR7, MIR8 und ein zweites Teilobjektivteilsystem 10006 mit Spiegeln MIR9, MIR10 unterteilt. Die bildseitige numerische Apertur ist NA = 0.90 bei einer Vergrößerung von 8x. Die optischen Daten des Systems sind in Tabelle 18 angegeben. Das System weist insgesamt zwei Zwischenbilder ZWI1, ZWI2 auf. In Tabelle 18 bezeichnen:

Im unteren Teil von Tabelle 18 sind die asphärischen Konstanten der Spiegelflächen der einzelnen Spiegel angegeben:
Tabelle 18: Optische Daten des Systems gemäß Fig. 22
Das in 22 gezeigte System zeichnet sich vorteilhaft dadurch aus, dass das erstes Subobjektiv 29000 nicht in Teilsysteme wie im Falle der Ausführungsform gemäß 21 aufgeteilt ist, sondern wenigstens fünf Spiegel und kein Zwischenbild umfasst.

Claims

Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen, insbesondere ≤ 193nm umfassend ein erstes Teilobjektiv (100), das wenigstens einen Spiegel aufweist und der Spiegel (S1) keine Öffnung für einen Durchtritt eines Strahlenbüschels aufweist und ein zweites Teilobjektiv (200), das wenigstens einen primären Konkavspiegel (SK1) und einen sekundären Konkavspiegel (SK2) aufweist, wobei der primäre Konkavspiegel und der sekundäre Konkavspiegel eine Öffnung für den Durchtritt des Strahlbüschels aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem nach Anspruch 1, wobei das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv eine Objektebene (10) und eine Bildebene (20) aufweist und das Strahlbüschel das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv in einem Lichtweg von der Objektebene (10) zur Bildebene (20) durchläuft.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 2, wobei im Lichtweg des Strahlbüschels der erste Spiegel (S1) nach der Objektebene (10), der primäre Konkavspiegel (SK1) nach dem Spiegel (S1), der sekundäre Konkavspiegel (SK2) nach dem primären Konkavspiegel (SK1) und vor der Bildebene (20) angeordnet ist und der primäre Konkavspiegel (SK1) einen Abstand (A) von der Bildebene aufweist, der > 12mm ist, insbesondere > 15mm ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv eine bildseitige numerische Apertur NA > 0,4, bevorzugt > 0,5, ganz bevorzugt > 0,6, insbesondere bevorzugt > 0,7 aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der primäre Konkavspiegel (SK1) ein Mangin-Spiegel ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv eine Achse (HA) aufweist und das Strahlbüschel auf eine reflektierende Oberfläche des Spiegels (S1) auftrifft und wenigstens die reflektierende Oberfläche von einem außeraxialen Segment des Spiegels (S1) ausgebildet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das erste Teilobjektiv einen zweiten Spiegel (S2) aufweist, der im Lichtweg nach dem Spiegel (S1) und vor dem primären Konkavspiegel (SK1) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 7, wobei der zweite Spiegel (S2) keine Öffnung für den Durchtritt des Strahlbüschels aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 7 bis 8, wobei das Strahlbüschel auf eine zweite reflektierende Oberfläche des zweiten Spiegels (S2) auftrifft und wenigstens die zweite reflektierende Oberfläche von einem zweiten außeraxialen Segment des zweiten Spiegels (S2) ausgebildet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv ein drittes Teilobjektiv (300) umfasst, das wenigstens einen dritten Spiegel (S3) aufweist und das dritte Teilobjektiv (300) im Lichtweg nach dem ersten und vor dem zweiten Teilobjektiv angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 10, wobei das erste Teilobjektiv (100) eine Objektebene (10) auf ein erstes Zwischenbild (Z1) abbildet, das dritte Teilobjektiv (300) das erste Zwischenbild (Z1) auf ein zweites Zwischenbild (Z2) abbildet und das zweite Teilobjektiv (200) das zweite Zwischenbild (Z2) in eine Bildebene (20) abbildet.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 10 bis 11, wobei das dritte Teilobjektiv (300) wenigstens einen dritten und einen vierten Spiegel (S3, S4) aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 12, wobei der dritte Spiegel (S3) konvex ausgebildet ist und der vierte Spiegel (S4) konkav ausgebildet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 13, wobei das erste Zwischenbild (Z1) physikalisch in der Nähe des vierten Spiegels (S4) und das zweite Zwischenbild (Z2) physikalisch in der Nähe des dritten Spiegels (S3) ausgebildet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei der dritte Spiegel (S3) einen Durchmesser d₂ aufweist und der sekundäre Konkavspiegel (SK2)) einen Durchmesser d₁ und das Verhältnis von d₁ zu d₂ im Bereich 0,3 ≤ d1/d2 ≤ 3,0liegt.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das erste Teilobjektiv vier Spiegel aufweist, den Spiegel (S1), den zweiten Spiegel (S2) sowie einen fünften Spiegel (S5) und einen sechsten Spiegel (S6), wobei im Lichtweg der fünfte Spiegel (S5) nach dem zweiten Spiegel (S2) und der sechste Spiegel (S6) nach dem fünften Spiegel (S5) und der sechste Spiegel (S6) vor dem primären Konkavspiegel (SK1) angeordnet ist
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelabfolge der vier Spiegel (S1, S2, S5, S6) im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene im ersten Teilobjektives ist: konkav-konvex-konvex-konkav oder konvex-konkav-konvex-konkav oder konkav-konkav-konvex-konkav oder plan-konkav-konvex-konkav
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 16 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass eine Aperturblende im ersten Teilobjektives (100) auf dem fünften Spiegel (S5) oder nahe dem primären Konkavspiegel (SK1) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv für nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das erste Teilobjektiv (100) sechs Spiegel aufweist, den Spiegel (S10), den zweiten Spiegel (S20) sowie einen fünften Spiegel (S50), einen sechsten Spiegel (S60), einen siebten Spiegel (S70) und einen achten Spiegel (S80), wobei im Lichtweg der fünfte Spiegel (S50) nach dem zweiten Spiegel (S20), der siebte Spiegel (S70) nach dem sechsten Spiegel (S60) und der achte Spiegel (S80) nach dem siebten Spiegel (S70) und vor dem primären Konkavspiegel (SK1) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 19, wobei die Spiegelabfolge der sechs Spiegel (S10, S20, S50, S60, S70, S80) im Lichtweg von der Objektebene (10) zur Bildebene (20) im ersten Teilobjektives ist: konkav-konkav-konvex-konkav-konkav-konvex
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 19, wobei die Spiegelabfolge der sechs Spiegel (S10, S20, S50, S60, S70, S80) im Lichtweg von der Objektebene (10) zur Bildebene (20) im ersten Teilobjektives (100) ist: konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, gemäß einem der Ansprüche 19 bis 21, wobei eine Aperturblende im ersten Teilobjektiv (100) auf dem zweiten Spiegel (S20) oder nahe dem zweiten Spiegel (S20) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 21 bis 22, wobei ein drittes Zwischenbild (Z3) im ersten Teilobjektiv (100) im Lichtweg zwischen sechsten und siebten Spiegel (S60, S70) ausgebildet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 19, wobei die Spiegelabfolge der sechs Spiegel (S10, S20, S50, S60, S70, S80) im Lichtweg von der Objektebene (10) zur Bildebene (20) im ersten Teilobjektiv (100) konkav-konvex-konkav-konkav-konvex-konkav ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 24, wobei eine Aperturblende ersten Teilobjektiv (100) auf oder in der Nähe des zweiten Spiegels (S20) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv für Wellenlängen, nach Anspruch 24, wobei eine Aperturblende im dritten Teilobjektiv (300) auf oder nahe dem dritten Spiegel (S30) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 19, wobei die Spiegelabfolge der sechs Spiegel (S10, S20, S50, S60, S70, S80) im Lichtweg von der Objektebene zur Bildebene im ersten Teilobjektiv konkav-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 27, wobei ein drittes Zwischenbild (Z3) zwischen dem zweiten und dem fünften Spiegel (S20, S50) des ersten Teilobjektives (100) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Aperturblende auf oder nahe dem Spiegel (S10) des ersten Teilobjektives (100) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Aperturblende auf oder nahe dem dritten Spiegel (S30) des dritten Teilobjektives (300) angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm, besonders bevorzugt ≤ 100nm umfassend eine Objektebene (10) eine Bildebene (20) eine Spiegelgruppe mit wenigstens einer ersten Teilspiegelgruppe (300.1) mit wenigstens einem ersten und einem zweiten Spiegel, wobei der erste und/oder der zweite Spiegel keine Öffnung für einen Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist und einer zweiten Teilspiegelgruppe (200.1) mit wenigstens einem dritten und einem vierten Spiegel (1020, 1030), wobei ein Zwischenbild (Z2) des Projektionsobjektives im Lichtweg zwischen dem ersten Spiegel (1000) der ersten Teilspiegelgruppe (300.1) und dem vierten Spiegel (1030) der zweiten Teilspiegelgruppe (200.1) ausgebildet wird und wobei der dritte Spiegel (1020) konkav ausgebildet ist und wobei der dritte Spiegel im Lichtweg von der Objektebene (10) zur Bildebene (20) der vorletzte Spiegel ist
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 31 wobei der dritte Spiegel und/oder der vierte Spiegel eine Öffnung aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 32, wobei der dritte Spiegel (1020) einen Abstand von der Bildebene aufweist, der größer als 15mm ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 31 bis 33, wobei der erste Spiegel (1000) einen ersten Spiegeldurchmesser d₂ und der vierte Spiegel (1030) einen zweiten Spiegeldurchmesser d₁ aufweist und das Zwischenbild einen ersten Abstand z₁ von einer ersten Oberfläche des vierten Spiegels, auf den die Strahlung auftrifft, aufweist und einen zweiten Abstand z₂ von einer Oberfläche des ersten Spiegels auf den die Strahlung auftrifft, aufweist und für die Lage des Zwischenbildes folgende Beziehung gilt: d1/d2 ≈ z1/d2
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 31 bis 34, wobei die Spiegeloberfläche des ersten Spiegels (1000) und die Spiegeloberfläche des vierten Spiegels (1030) einen Doppelspiegel ausbilden.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 35, wobei der Doppelspiegel eine Öffnung aufweist, in der oder nahe der das Zwischenbild zu liegen kommt.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 31 bis 36, wobei die Öffnung eine Bohrung ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, gemäß Anspruch 37, wobei die Bohrung konisch ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, gemäß einem der Ansprüche 31 bis 38, wobei der dritte Spiegel (1030) ein Mangin-Spiegel ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm umfassend ein erstes Teilobjektiv (100), das wenigstens einen ersten Spiegel (S100) und einen zweiten Spiegel (S200) aufweist, wobei der erste Spiegel (S100) und der zweite Spiegel (S200) keine Öffnung für einen Durchtritt eines Strahlbüschels aufweisen und der zweite Spiegel (S200) konkav ausgebildet ist, sowie ein zweites Teilobjektiv (200), das wenigstens einen dritten Spiegel (S500) umfasst, wobei der dritte Spiegel (S500) eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm umfassend ein erstes Teilobjektiv (100), das wenigstens einen ersten Spiegel (S100) und einen zweiten Spiegel (S200) aufweist, wobei der erste Spiegel (S100) und der zweite Spiegel (S200) keine Öffnung für einen Durchtritt eines Strahlbüschels aufweisen und der erste Spiegel (S100) konkvex ausgebildet ist, sowie ein zweites Teilobjektiv (200), das wenigstens einen dritten Spiegel (S500) umfasst, wobei der dritte Spiegel (S500) eine Öffnung für den Durchtritt des Strahlbüschels aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm umfassend wenigstens ein erstes Teilobjektiv (100), das wenigstens einen Spiegel aufweist und der Spiegel keine Öffnung für einen Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist sowie ein zweites Teilobjektiv (200), das wenigstens einen zweiten Spiegel aufweist, wobei der zweite Spiegel eine Öffnung für den Durchtritt des Strahlbüschels aufweist und das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv eine Aperturblende sowie eine Abschattungsblende umfasst und die Abschattungsblende in einer Blendenebene angeordnet ist, die entfernt zum Ort jeden Spiegels des Mikrolithographie-Projektionsobjektives ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 42, wobei die Apertur- und die Abschattungsblende in unterschiedlichen Blendenebenen angeordnet sind.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das erste Teilobjektiv (100) einen ersten Spiegel (SP1), einen zweiten Spiegel (SP2), einen dritten Spiegel (SP3), einen vierten Spiegel (SP4), einen fünften Spiegel (SP5) sowie einen sechsten Spiegel (SP6) aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 44, wobei der erste Spiegel (SP1), der zweite Spiegel (SP2), der dritte Spiegel (SP3), der vierte Spiegel (SP4), der fünfte Spiegel (SP5) sowie der sechste Spiegel (SP6) off-axis Spiegelsegmente sind.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem nach einem der Ansprüche 44 bis 45, wobei die Spiegelabfolge konkav-konkav-konvex-konkav-konvex-konkav ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem nach einem der Ansprüche 44 bis 46, wobei die Blende (B) im ersten Teilobjektiv zum Liegen kommt.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem nach einem der Ansprüche 44 bis 45, wobei die Spiegelabfolge konkav-konvex-konkav-konvex-konvex-konkav ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem nach einem der Ansprüche 44 bis 48, wobei die Blende (B) im zweiten Teilobjektiv zum Liegen kommt.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem nach einem der Ansprüche 39 bis 49, wobei der Einfallswinkel des Hauptstrahls zum mittleren Feldpunkt auf jeden der 8 Spiegel SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, SP6, SP7 und SP8 kleiner als 24° bevorzugt ≤ 21° ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem nach einem der Ansprüche 39 bis 50, wobei die bildseitige numerische Apertur NA ≥ 0,60, bevorzugt ≥ 0,70 ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm zur Abbildung von Strukturgrößen kleiner 50nm umfassend wenigstens zehn Spiegel, wobei die bildseitige numerische Apertur NA ≥ 0,7 ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 53, wobei das Mikrolithographie Projektionsobjektiv ein erstes Teilobjektiv, das wenigstens einen Spiegel aufweist, umfasst, wobei der Spiegel keine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist, sowie ein zweites Teilobjektiv, das wenigstens einen weiteren Spiegel aufweist, wobei der weitere Spiegel eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 53, wobei das erste Teilobjektiv einen ersten Spiegel, einen zweiten Spiegel, einen dritte Spiegel, einen vierten Spiegel, einen fünften Spiegel, einen sechsten Spiegel, einen siebten Spiegel sowie einen achten Spiegel umfasst und das zweite Teilobjektiv einen neunten Spiegel und einen zehnten Spiegel umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 54, wobei das erste Teilobjektiv ein erstes Teilobjektivsubsystem und ein zweites Teilobjektivsubsysystem umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 55, wobei das ersten Teilobjektivsubsystem den ersten Spiegel, den zweiten Spiegel, den dritten Spiegel, den vierten Spiegel, den fünften Spiegel sowie den sechsten Spiegel umfasst und das zweite Teilobjektivsubsystem den siebten Spiegel und den achten Spiegel umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 55 bis 56, wobei das erste Teilobjektivsubsystem ein Objekt in einer Objektebene in ein ersten Zwischenbild abbildet und das zweite Teilobjektivsubsystem das erste Zwischenbild in ein zweites Zwischenbild abbildet.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 54 bis 57, wobei der neunte Spiegel und der zehnte Spiegel konkav ausgebildet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 54 bis 58, wobei der erste und der zweite Spiegel konkav, der dritte Spiegel konvex, der vierte Spiegel und der fünfte Spiegel konkav, der sechste Spiegel und der siebte Spiegel konvex und der achte Spiegel konkav ausgebildet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 53, wobei das erste Teilobjektiv einen ersten Spiegel, einen zweiten Spiegel, einen dritte Spiegel, einen vierten Spiegel, einen fünften Spiegel, einen sechsten umfasst und das zweite Teilobjektiv einen siebten Spiegel, einen achten Spiegel, einen neunten Spiegel und einen zehnten Spiegel umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 60, wobei das zweite Teilobjektiv ein erstes Teilobjektivteilsystem und ein zweites Teilobjektivteilsystem umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 61, wobei das ersten Teilobjektivteilsystem den siebten Spiegel und den achten Spiegel, umfasst und das zweite Teilobjektivteilsystem den neunten Spiegel und den zehnten Spiegel umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 60 bis 62, wobei das erste Teilobjektivteilsystem ein Bild in einer Zwischenbildebene in ein erstes Zwischenbild abbildet und das zweite Teilobjektivsubsystem das erste Zwischenbild in ein zweites Zwischenbild abbildet.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 60 bis 63, wobei der siebte Spiegel, der achte Spiegel, der neunte Spiegel und der zehnte Spiegel konkav ausgebildet sind.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 60 bis 64, wobei der erste und der zweite Spiegel konkav, der dritte Spiegel konvex, der vierte Spiegel konkav, der fünfte Spiegel konvex und der siebte Spiegel konkav ausgebildet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 60 bis 65, wobei das erste Teilobjektiv ein erstes Teilobjektivsubsystem und ein zweites Teilobjektivsubsystem und das zweite Teilobjektiv ein erstes Teilobjektivteilsystem und ein zweites Teilobjektivteilsystem umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 60 bis 66, wobei das erste Teilobjektivsubsystem ein Objekt in einer Objektebene in ein erstes Zwischenbild abbildet und das zweite Teilobjektivsubsystem das erste Zwischenbild in ein zweites Zwischenbild abbildet.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 67, wobei das erste Teilobjektivteilsystem das zweite Zwischenbild in ein drittes Zwischenbild und das zweite Teilobjektivteilsystem das dritte Zwischenbild in ein Bild in einer Bildebene abbildet.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Anspruch 60 bis 63, wobei der erste Spiegel konvex, der zweite Spiegel konkav, der dritte Spiegel konkav, der vierte Spiegel und der fünfte Spiegel konvex, und der sechste Spiegel konkav ausgebildet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 69, wobei der siebte Spiegel konvex der achte Spiegel, der neunte Spiegel und der zehnte Spiegel konkav ausgebildet ist.
Objektiv, insbesondere Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem und einem Objektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 70, welches eine strukturtragende Maske auf ein lichtempfindliches Substrat abbildet.
Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 71, wobei das Beleuchtungssystem einen Spiegel mit wenigstens einem Rasterelement umfasst.
Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem der Ansprüche 71 bis 72, wobei das Beleuchtungssystem in der Objektebene des Mikrolithographie-Projektionsobjektives ein Feld ausleuchtet.
Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem der Ansprüche 71 bis 73, wobei das Feld eine Form aufweist und die Form der Rasterelemente der des Feldes weitgehend entspricht.
Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 74, wobei das Feld eine kreisbogenförmige Form aufweist.
Verfahren zum Belichten von lichtempfindlichen Substraten mit einer Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 71 bis 75 wobei von dem Beleuchtungssystem die strukturtragende Maske mit einem Strahlbüschel beleuchtet wird, wobei das von der Maske strukturierte Strahlbüschel von dem Objektiv auf das lichtempfindliche Substrat abgebildet wird und wobei dadurch das Substrat belichtet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm, wobei das Objektiv ein erstes Subobjektiv, welches ausschließlich Spiegel ohne eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist, sowie ein zweites Subobjektiv, welches ausschließlich Spiegel mit einer Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist, umfasst
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 77, wobei das Objektiv mindestens acht Spiegel aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 77 bis 78, wobei das Objektiv mindestens zehn Spiegel aufweist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 77 bis 79, wobei der Abstand zwischen dem ersten Subobjektiv und dem zweiten Subobjektiv höchstens 10% der Baulänge des Projektionssystems beträgt.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 77 bis 80, wobei das erste Subobjektiv wenigtens einen ersten Spiegel, einen zweiten Spiegel, einen dritten Spiegel, einen vierten Spiegel, ein fünften Spiegel aufweist, und im Lichtweg zwischen dem vierten Spiegel und dem fünften Spiegel ein Zwischenbild ausgebildet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 77 bis 81, wobei das erste Subobjektiv wenigtens einen ersten Spiegel, einen zweiten Spiegel, einen dritten Spiegel, einen vierten Spiegel, ein fünften Spiegel aufweist und im ersten Subobjektiv kein Zwischenbild ausgebildet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 77 bis 82, wobei das zweite Subobjektiv keinen Konvexspiegel umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 77 bis 83, wobei das Objektiv höchstens zwei Konvexspiegel umfasst.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, wobei das Objektiv wenigstens einen Spiegel umfasst, der eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist, und wobei das Strahlbüschel Hauptstrahlen verschiedener Feldpunkte in der Objektebene aufweist und die Hauptstrahlen dieser Feldpunkte am Objekt in Lichtrichtung divergent zueinander verlaufen.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm, wobei das Mikrolithographie Projektionsobjektiv wenigstens einen Spiegel umfasst, der eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist und im Lichtweg des Strahlbüschels ein Zwischenbild ausgebildet wird und im Lichtweg eine Aperturblende vor dem Zwischenbild angeordnet ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, bevorzugt für Wellenlängen ≤ 193nm, wobei das Mikrolithographie Projektionsobjektiv wenigstens sechs Spiegel umfasst, wobei wenigstens ein Spiegel eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist sowie eine Objektebene und der Abstand aller Spiegel des Objektivs zu der Objektebene größer als 15%, bevorzugt größer als 18% der Baulänge des Projektionsobjektives ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionssystem, insbesondere für Wellenlängen ≤ 193nm, mit einem ersten Spiegel, einem zweiten Spiegel, einem dritten Spiegel, einem vierten Spiegel, einem fünften Spiegel sowie einem sechsten Spiegel, wobei das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv eine bildseitige numerische Apertur NA > 0,4 aufweist und ein Strahlbüschel mit einem Hauptstrahl das Projektionsobjektiv von einer Objektebene zu einer Bildebene durchläuft und der Haupstrahl des zentralen Feldpunktes einen Einfallswinkel auf jeden Spiegel aufweist und der Einfallswinkel auf jedem Spiegel kleiner als 20°, bevorzugt kleiner als 16° bevorzugt kleiner als 13° ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 77 wobei das erste Subobjektiv vier Spiegel umfasst und das zweite Subobjektiv zwei Spiegel und zwischen dem ersten Subobjektiv und dem zweiten Subobjektiv ein Zwischenbild ausgebildet wird.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 89, wobei das Zwischenbild einen Abstand entlang einer optischen Achse (HA) zum geometrisch nächstliegenden Spiegel im ersten Subobjektiv aufweist, der geringer als 15% einer Baulänge des Objektives ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 89 bis 90, wobei das Zwischenbild einen Abstand entlang der optischen Achse (HA) zum geometrisch nächstliegenden Spiegel im zweiten Subobjektiv aufweist, der geringer als 8% der Baulänge des Objektives ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 89 bis 91, wobei die geometrische Ausdehnung des ersten Subobjektives entlang der optischen Achse größer als 16% bevorzugt größer als 18% der Baulänge des Projektionsobjektives ist.
Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 89 bis 92, wobei ein Spiegel der vier Spiegel des ersten Subobjektives und der zwei Spiegel des zweiten Subobjektives einen maximalen Durchmesser (D600) aufweist und das Verhältnis von dem maximalen Durchmesser (D600) zu der Baulänge des Objektives kleiner als das 0.9-fache der bildseitigen numerischen Apertur des Objektives ist.
Optische Vorrichtung umfassend eine breitbandige Lichtquelle, insbesondere eine oder mehrere Leuchtdioden oder eine Lichtquelle mit mehreren Lichtwellenlängen sowie einem Objektiv, insbesondere Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1–94
Optische Vorrichtung nach Anspruch 94, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Vorrichtung eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, ein Mikroskop oder ein Inspektionssystem ist.