JP2005166778A - 露光装置、デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 投影系の組立時には、ランダムな歪曲収差が残存している事が想定されるが、この歪曲収差を抑えるのは大変困難である。
【解決手段】 反射型マスク上に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系を有する投影露光装置であって、
前記投影光学系が複数の反射光学素子を有しており、
前記複数の反射光学素子のうち前記パターンで反射した光束が初めに入射する反射光学素子が実質的に平面ミラーであることを特徴とする露光装置。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体基板上に微細パターンからなる集積回路（VLSI）等を作製する時に用いるパターン露光装置及び方法に関する技術である。

現在の半導体露光装置では、集積回路の原板であるマスクを半導体基板であるウエハー上に転写する際に、光源として、ｉ線ランプ（365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）、ArFエキシマレーザー（193nm）等を用いて行っているが、この際の投影レンズは、光学硝子や合成石英・蛍石などの光学材料を用いて、光の屈折作用を用いてパターンの結像をさせている。現在の最小パターン加工寸法は100nm程度となっているが、今後ますます微細化が必要とされている。集積回路を作っていく過程では、レジストと呼ばれる感光樹脂を塗布されたウエハーに対して前記回路原板上のパターンを転写露光するが、露光後にレジストが現像され、現像後のレジストをストッパーとして他の部分をエッチングしたり、物質を堆積させたり、イオンビームを打ち込む等のデバイス作製プロセスが存在する。通常のデバイス作成では階層構造をもつため、上記のようなプロセス処理を経たウエハー上に再度レジストを塗布し、上面のパターンニングの為に露光をする。このような工程をおよそ２０回以上繰り返しデバイスが作られるが、例えば層毎のパターンをつないだりするためには、各層ごとのパターンの露光位置があっていないと、重ね合わせエラーが起こり正常なデバイスが作成出来ない。層ごとに異なる露光装置を使用する際には、露光装置のパターン露光位置が一台ごとに大きな変化がないように調整されている必要がある。現在作られている、線幅の最小ピッチが260nmノードのデバイスでは、重ね合わせ精度は約45nm程度と考えられ、そのために必要な投影レンズの歪曲は10nmから15nm程度と考えられる。この重ね合わせ精度は、ステージの制御精度を向上させるとともに、歪曲を極端に抑えた投影光学系レンズ群の組立や、倍率補正機構などを備えることにより達成されていた。

さて、前述のウエハープロセスの中には熱処理を行う工程もあり、ウエハー基板自体の伸縮が必然的に引き起こされる。ウエハーが熱処理で伸びてしまったすぐ後の工程で、そのウエハに重ね露光を行う場合に、レチクル原板中である２点（A点、Ｂ点）の距離は次の工程のレチクル原板の（A'点、B'点）の距離と一致する場合でも、（A点、Ｂ点）を露光したウエハ上の点（a点、b点）は熱処理に伴う膨張の影響を受けて距離が変わり、次の工程で同じ投影レンズで露光される像点（ａ'点、ｂ'点）の距離と一致しないという現象が引き起こされる。つまり、各工程の露光の際には、ウエハの伸縮情報に従って投影レンズで倍率補正を行う事が必要となる。現在使われている屈折光学系で、倍率補正を行う際には、倍率以外の成分の変化が少ない光学素子を光軸方向に駆動させたり、光学材料の間の空間の気体圧力を変動させたり、また複数の素子を組み合わせて倍率成分だけを変化出来るような制御をおこなっていた。また、スキャナと呼ばれるレチクルとウエハーを同期走査しながら焼き付けていく露光装置では、微妙に同期スピードを調整することによって、スキャン方向の倍率を変動させたりしていた。

さらに微細化とともに、短波長化が進み、50nmノード以降の線幅を焼き付ける露光装置で現在有望視されているのは13.4nmの波長を使うEUVである。

EUV光は、従来レンズの様に透過率の高い光学材料が見つかっておらず、光学系はミラーを用いた反射光学系であり、回路原板であるマスクも反射型マスクが想定されている。その光学材料のEUV光の反射は多層膜を施して、最適化しても垂直入射時の１面当たりの反射率は７０％程度にしかならないため、光学系全体の光利用効率の点から考えると多くの光学素子を用いる事が出来ない。現在の屈折系レンズが1素子あたり９９％以上の透過率を期待出来る事と比較すると、EUV光学系の反射ミラーの構成枚数は極端に限られてしまう事になる。従って、マスクパターンをウエハーに転写するための、反射型投影光学系は、このように少ない反射面での収差補正がしやすいように、ミラー光軸に対して同一距離だけ離れた円弧状の領域が露光領域として考えられている。同一像高である為に、露光領域内の収差補正が容易になる反面、ミラーを駆動した際に投影倍率の変化だけに敏感なミラーを選ぶ事は、構成枚数が少ないために困難である。

また、EUV光は大気や不活性ガスに対しても吸収が大きいため、投影ミラーは真空雰囲気内に置かれる事になる。従って、ミラー間の気体の圧力を変動させて倍率補正する事は出来ない。

さて、EUV露光装置で将来的な目標となっている加工寸法は35nmと考えられており、この加工寸法をもつマスクパターンの層ごとの重ね合わせ精度は12nm程度と考えられ、そのうち、露光装置の歪曲エラーによって引き起こされる分は、3nm程度と考えられる。装置ごとに3nmのパターン位置精度を達成するのは、非常に困難であるにもかかわらず、ウエハプロセスによる収縮は依然として存在するため、倍率補正機能が必要でかつ補正精度の向上が要求される事になる。一方、反射型マスクを使用するEUV露光装置では、必然的に投影光学系のマスク側が非テレセンとなっているため、マスクの光軸方向の高さ変化が起こると、露光パターンの位置（特に倍率成分）が敏感に変化してしまう。これまで両側テレセントリックで構成されていた屈折光学系と比べて、重ね合わせ精度を達成するための困難度が大幅に増している。

これまで反射型マスクステージの高さを調整する事により、投影倍率の補正をする方式が提案されていた（特許文献１）。
特開１１−２１９９００号公報

しかしながら、35nmノードを露光するEUV露光装置では、マスクステージとウエハステージの同期制御も線幅の微細化に伴って高精度に制御する必要があり、同期制御するマスクステージの高さ調整をする事は機構が複雑になる事が想定される。例えば、パターニングされたマスク全域で、しかもスキャンしている最中に高さを正確に測定し、その高さ情報をフィードバックするためには、ウェーハ計測のコンセプトを流用したとしても投影倍率に相当した高速化(例えば４倍)が必要となってしまう。またマスクの高さ調整によって補正出来るのは、投影倍率成分に限られてしまうが、マスクの面形状は発熱やチャッキングの為の応力などにより、局所的に倍率が異なったり、動的な変化をする事が想定され、マスクの上下だけではこれらの変動に追随する事が困難である。また、投影系の組立時には、さらにランダムな歪曲が残存している事が想定されるが、これに関しては倍率補正手段だけではトータルの歪曲を3nmに抑える事が困難である事が想定される。

本発明は、この点に鑑みて、EUV露光装置で、歪曲が小さく厳しいオーバーレイ精度を達成出来る投影光学系及び、その時の歪曲補正手段を与える。

投影光学系の第一面にほぼ平面なミラーを置き、その平面ミラーを微少量２次元的な反射曲面を形成する事により、投影系の収差にほとんど影響を与えることなく組み立て時の歪曲を補正する事が可能となる。また、前記第一ミラーを上下に動かす事によって、可動しているステージの高さを変更する事なく、ミラーの駆動のみを使って投影レンズの倍率補正が容易に行える事になる。ミラーは静止しているので、距離の測定が移動しているマスクに比較すると精度良く行える。投影系の第１ミラーは、露光熱による変動が大きく、補正系を必要としている場合が多い。その補正系を歪曲性能を向上させるためのアクチュエータとして利用出来る利点がある。また、そのミラーの表面形状を微少量だけ加工し、２次元的に滑らかに変化する自由曲面にすることにより、組立後の投影光学系の歪曲収差を最小化することができる。

さらに、上記ミラーをマスクの走査方向と垂直方向だけ、シリンドリカル形状に変形させる事により、円弧の周辺に近づくにしたがって変動量が大きくなるような歪曲を補正する事が可能となり、歪曲調整の自由度が上がる。これらを効果的に合わせることにより、35nmノードにみあう歪曲性能を引き出す事が可能となる。

また、マスクの熱変形やたわみに起因する動的に歪曲が変化する成分も補正する事が可能となる。

以上のように、反射型マスクの像をウエハー上に露光する際に、投影系の第１ミラーをほぼ平面にし、平面に調整機構を設ける事により、投影系の収差変化を抑制しつつ、効果的に重ね合わせ精度を向上する事が可能となる。

以下本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。

図１には、第１の実施形態に関わる露光装置の全体構成が概略図として示されている。

構成されている素子は、レーザープラズマＸ線光源１０，１１、照明光学系２１，２２，２３，２４、マスク３２及びマスクステージ３１、それの座標情報を計測する干渉計３３、投影光学系４１〜４６、ウエハー５２、ウエハーステージ５１、それの座標情報を計測する干渉計５３、及び、マスクやウエハの位置を精密に合わせるアライメント機構６１、Ｘ線の光量の減衰を防ぐために光学系全体を真空に保つための真空容器７１、と排気装置８１、などからなる。

照明光学系は第一の放物面ミラー２１、反射型インテグレータ２２、第２の放物面ミラー２３で構成される。反射型インテグレータ２２は微小な凸または凹球面を２次元的に多数配列したフライアイミラーが用いられる。レーザプラズマＸ線光源１１の発光点１２から放射されたＸ線は、第一の回転放物面ミラー２１で反射して平行な光束となり、この平行光束が反射型インテグレータ２２で反射して多数の２次光源を形成する。この２次光源からのＸ線は第２の放物面ミラー２４で反射してマスク３２を一様に照明する。マスク３２上の照明領域は、図２に示すように円弧状にカットされ、マスク３２に対して投影光学系４１〜４６を介して共役なウエハー５２面上も、投影光学系の縮小倍率に応じて縮小された円弧状の領域に結像される。投影光学系のウエハー側の光束は、テレセントリックを満たしているが、マスク３２側は、反射型マスクのため非テレセントリックとなっている。

ここで、投影光学系のマスク側の入射角について説明する。

図１の様に投影光学系は、構成されるミラー群はほぼ共軸に配置されているが、各ミラーはそのミラーが受ける光束の照射領域に従って、切り出された構造をなしている。マスクへの入射主光線はマスクの法線方向から眺めると、円弧スリットの円周に垂直な方向から入射する。円弧スリットの中央の断面（左右対称になるように割った断面）での光束を示したのが図３である。マスクで反射した光束の開き角θ' は、投影系の縮小率mと解像度を示す開口率NAを用いると
sinθ' = NAw ・ｍ
で表される。マスクは平面形状をしているため、入射角と射出角が等しくなり、少なくとも入射光束と反射光束が干渉しない条件を考慮すると、照明光はθ' 以上傾けられて入射される必要がある。ここでは、構成材料などの干渉も考えてφ （ >θ' ）で入射すると考える。

つまり、反射型マスクを使う際にはどうしてもφ だけテレセンずれが生じてしまう。

マスク面で反射した光束は、ほぼ平面の第１ミラーで反射された後、他の投影ミラーで複数回反射されて像面上に結像する。この時、像面４１上ではテレセントリックになっている。像面上の露光領域は、マスクで照射される領域と同様、円弧形状だが、投影系の縮小率だけ縮小されてウエハー５２に転写されている。投影ミラーの像面はウエハー上に感光剤などが塗布された、回路パターンを焼き付けるウエハ５２が配置され、XY方向の移動、面内の回転や高さ方向の移動、チルトなどの制御が出来るステージ上にホールドされている。ウエハーステージとマスクステージはそれぞれ干渉計３３，５３，で測定される座標情報に従って1 : mの速度比で同期制御をおこないながら、反射型マスクパターンをウエハー上に露光していく。パルス上に発光するEUV光が、照明系を通過してマスク３２の円弧状の領域を照明する。マスク上の１点は円弧領域を移動していく間に数十パルス分の光を積算露光され、円弧領域を通り抜けた時の積算露光量がほぼ均一になるように制御されている。

露光されたパターンは座標測定機などにより、下層との重ね合わせ精度を検査する事ができる。露光装置の中に、座標測定機の出来るシステムを兼ね備え、これを用いても良い。ここで、投影ミラーを組み立てた際に、要求される歪曲の精度は像面上で３nm程度が想定されるが、投影系の収差を悪化させること無く、歪曲を補正する必要がある。50nmノード以降の微細パターンを形成するために必要な投影系の収差はλ/20以下と考えられ、これを達成するためにの各ミラーの形状精度は0.2nm以下となる。しかし、歪曲性能を向上させるために、各ミラーの形状をコントロールすると、結像性能への影響を与える可能性が大きい事が懸念される。投影系の第一面が平面でかつマスクに近接すればするほど、ミラーの形状は像歪み成分に敏感に、収差には鈍感になっていく。

図４−ａはウエハ上に転写したスリット上の各点が、理想的な結像点図４−ｂからずれている事を示している。投影系の設計自体はｂのように追い込んでいても、投影系を構成するミラーの加工誤差、成膜誤差、さらに、ミラーの保持変形などによって、組立後はaの様に理想状態からずれている事がふつうである。投影光学系の第一面の平面ミラー４１のある場所に傾斜角αを追加工により形成すると、マスク３２上の物点位置が２・Ｌ・α だけ移動する。ウエハ５２側に換算すると ２・Ｌ・α・ｍ だけ像の位置に移動を与えた事になる。また、平面の高さをΔＬだけ掘ることにより、マスク３２上の物点位置が２・ΔＬtanφだけ、スリットの円弧に垂直な方向（動径方向）に移動する。これを式で表すと、マスク上の物点の移動距離（ΔＸ、ΔＹ）は、
ΔＸ＝２・ΔＬ・tanφ・cosβ ＋ ２・Ｌ・αx
ΔＹ＝２・ΔＬ・tanφ・sinβ ＋ ２・Ｌ・αy
で表され、ウエハー上の歪曲は、これに投影系の縮小率ｍを乗じた値（mΔＸ、mΔＹ）となる。（図５−a、ｂ）
このように図６−ａの様な平面ミラー４１を像面上の各ポイントの歪曲（ｍΔＸ、ｍΔＹ）から平面ミラーの加工すべき量ΔＬ、αを逆算し、図６−ｂのごとく２次元的に計算で求められた任意の自由曲面を形成する事により、図４−ａの様な全露光領域の歪曲成分を図４−ｂのごとく補正する事が可能となる。これは、組立時などに残存している静的な歪曲を効果的に補正する事を可能にする。この時発生する収差は、第１ミラー４１の加工面の凹凸に関係する。ただし、マスク３２上で１点から出た光束が平面ミラー４１上に広がる領域内で、一様な傾斜であればほぼ収差の影響はほとんど無く、最小自乗平面からの凸凹量が位相ズレ（＝収差）となる（図５−ｂ）。機械的・熱的な作用に起因する変形の様に、補正すべき歪曲の形状がなだらかであれば、収差への影響は少なく抑えられる。このように、投影系の第一ミラーを概平面形状となる様設計し、微少量自由曲面加工する事によって、EUV露光装置で露光する35nmノードのデバイスの重ね合わせ精度を満足する手法を提案している。

尚、追加工する方法に関しては、図７−ａの様に多層膜を剥がして基盤を加工し、多層膜を成膜し直す場合と、図７−ｂの様に多層膜の上面に薄く透過物質を形成しておき、これに加工を加える場合もあり得る。

第1の実施例で、投影系の第１ミラーの裏面にバイメタルなど張り付ける事によって、第１ミラーの一方向（スキャンと平行方向か垂直方向）にシリンドリカル変形を与えることにより、例えば中心付近は倍率が変わらず、周辺に行くにつれて倍率が大きく変わるようなディストーション成分を補正する事が可能となる（図８）。これは、反射型マスクの自重たわみや熱変形など、マスク面が緩やかな２次曲線を描いて変形するような場合の歪曲補正に有効であると考えられ、スキャン中にマスクの座標情報と、予め測定されたマスクの変形情報にしたがって第１ミラー４１のシリンドリカル形状を調節することにより補正できる。ウエハの露光面の高さは必要に応じてピント調整をするが、ウエハ側はテレセントリックになっているためこれによる像の移動は無視する事が出来る。実施例２では、静的及び動的な歪曲の補正に有効である。

第１の実施例で、投影系の第１ミラーを光軸方向に駆動する事により、投影光学系のマスク３２とウエハ５２の間に発生する、等方的な倍率成分を変化をさせる事が出来る。

図１の第１ミラー４１はほぼ平面で構成されているため、上下する事によってマスクから第２ミラー４２までの距離を可変する作用をもつ。その様子を図９に示す。

第１ミラー４１を動かして４１' に配置する事により、物点３４が物点３４' に移動する。この光軸４０から物点までの距離（Ｘ）に対する物点移動距離（ΔＸ＝Ｘ'―Ｘ）の比（ΔＸ/Ｘ）が倍率変動分に相当する。ミラーの移動距離をΔLとすると、物点の移動距離は
ΔX=2・Ｌtanφとも表されるので、倍率の変化量Δmは
Δm=ΔＸ/ X ＝２・ΔＬtanφ/ X
となる。今X=120とすると、ウエハの10ppmの伸びを補正する場合には、Δｍ=10.x10-6なのでΔＬ＝８μｍ程度可動することによりウエハ倍率の変化を補正する事が可能であることが分かる。その時の駆動精度は画面端での倍率ズレに起因する像のズレがウエハ上で0.5nmと仮定すると、Δｍ=0.02x10-6に相当し、補正量と同様に計算するとΔＬ＝9.6nmとなりこれくらいの精度で第１ミラー４１の上下動を与える事になる。

以上を鑑みて、第１ミラーと鏡筒定盤の間をレーザー干渉計などを用いて計測した座標情報を用いて高さ制御しながら第１ミラーを駆動する事により、マスクとウエハ間の等方的な倍率差の補正をおこなう事が可能となる。ウエハの熱処理などにより、伸縮が起こった場合にも、良好な重ね合わせ性能を得る事が可能となる。（図１０）
同期制御しているマスクステージとウエハステージの間の速度を微少量ずらしながら積算露光する事により、スキャン方向のみの倍率成分が変化するので、組み合わせて用いる事により、スキャン方向と、スリット方向の倍率を独立に調整する事が可能となる。

第１ミラーを駆動するアクチュエータ及び座標測定用の干渉計を３点として、平面ミラーを光軸から傾ける事により、露光領域中で線形に変化する倍率成分を補正する事も可能となる。（図１１）
さらにマスクがスキャンしている最中に変動する歪曲を補正する事も可能で、予め求められている歪曲情報に従って、マスクステージの座標と上記の第１ミラー４１の上下及び傾き駆動量の関係を求めておき、スキャン中に制御する事が可能となる。等方的な倍率と、画面内で線形に変化する倍率をダイナミックに調整する事により、マスクの傾斜やなだらかな保持変形、熱変形などに起因する歪曲の補正にも対応できる。ウエハの露光面の高さは必要に応じてピント調整をするが、ウエハ側はテレセントリックになっているためこれによる像の移動は無視する事が出来る。実施例３では、静的及び動的な歪曲の補正に有効である。

以上、実施例について述べてきたが、本発明はこの限りではない。例えば、本発明の実施態様の1つとしては、本発明の反射型マスク上に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系を有する投影露光装置であって、前記投影光学系が複数の反射光学素子を有しており、前記複数の反射光学素子のうち前記パターンで反射した光束が初めに入射する反射光学素子が実質的に平面ミラーであることを特徴とする露光装置が挙げられる。

また、反射型マスク上に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系を有する投影露光装置であって、前記投影光学系が複数の反射光学素子を有しており、前記複数の反射光学素子のうち前記パターンで反射した光束が初めに入射する反射光学素子の曲率半径は、他の反射光学素子の曲率半径よりも大きいことを特徴としている露光装置であっても良い。より好ましくは、前記複数の反射光学素子のうち前記パターンで反射した光束が初めに入射する反射光学素子の曲率半径は、他の反射光学素子の曲率半径の中で最も大きい曲率半径の2倍以上であると尚良い。

ここで、前記投影光学系は複数の反射光学素子から成ることが好ましい。

また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本実施例に記載の露光装置を用いたデバイスの製造方法にも適用可能である。具体的には、上述の露光装置を用いて、ウエハやガラス基板等の被露光体を露光する工程と、その露光された被露光体を現像する工程と、さらに現像された被露光体に後処理を施す工程とを有するデバイスの製造方法である。

反射型マスクをウエハ上に転写する露光装置。 反射型マスクの被露光領域と、光線の入射・反射方向の上面図。 図２の光軸断面で割ったときの、反射マスクの入反射方向。 投影光学系組立時の歪曲と、理想的な歪曲。 投影光学系の第１ミラーの形状による歪曲の変化および収差への寄与。 投影光学系の第１ミラーの補正形状。 投影光学系の第１ミラーの形状補正方法。 第１ミラーのシリンドリカル変形に伴う歪曲の変化。 第１ミラーの光軸に平行な移動に伴う物点の移動。 第１ミラーの光軸に平行な移動に伴う歪曲の変化。 第１ミラーが光軸に対して傾きをもつ場合の歪曲の変化。

符号の説明

１０ EUV光源
１１ プラズマ励起用レーザ
２１ 放物面ミラー
２２ 反射型オプティカルインテグレータ
２３ ２次光源からの光源を円弧状に投影する反射光学系
２４ 反射ミラー
３１ マスクステージ
３２ 反射型マスク
３３ マスクステージ制御用レーザ干渉計
３４ 物点
３４' 平面ミラーを動かした時の物点
４０ 投影ミラーの共軸
４１ 平面ミラー
４２〜４６ 投影光学系の構成ミラー
５１ ウエハーステージ
５２ ウエハ
５３ ウエハステージ制御用レーザ干渉計
５４ 平面ミラー４１の高さ測定用レーザ干渉計
５５ ステージ同期制御装置
６１ アライメント測定装置
７１ 鏡筒
８１ 排気用装置
８２ 真空用圧力隔壁

Claims (14)

1. 反射型マスクを用いて、マスク上のパターンを投影光学系を介して基板上に転写する投影露光装置で、
   前記投影光学系が反射光学系であり、
   前記マスクを保持するマスクステージと、前記基板を保持する基板ステージが前記投影光学系の縮小倍率に比例した速度で同期制御されながら露光していく、同期制御システムを持ち、投影光学系の第一面にあたる、前記マスクパターンで反射した光束が初めに照射されるミラーが実質的に平面ミラーをなす事を特徴とする露光方法、及び装置。
2. 前記平面ミラーは、円弧の長軸方向もしくはそれに垂直な方向の少なくとも１方向に微少量たわみ機構を持つことを特徴とする、請求項１記載の露光方法、及び装置。
3. 前記平面ミラーは、円弧の長軸方向もしくはそれに垂直な方向に微少量たわみ量を可変させることにより、前記マスクの前記基板上への投影像の同期制御方向もしくはそれに垂直な方向の高次の歪曲成分を変化させることを特徴とする請求項１記載の露光方法、及び装置。
4. 前記平面ミラーは、投影光学系の歪曲を補正するために、反射面が2次元的に自由な曲面を持つような形状をなすことを特徴とする請求項１記載の露光方法、及び装置。
5. 前記平面ミラーは基板材料を投影光学系の歪曲を補正すべく2次元的に加工し、その上に基板形状がそのまま反映するように、面上に一様な多層膜を形成させたことを特徴とする、請求項４記載の露光方法、及び装置。
6. 前記平面ミラーは多層膜を形成した上面部分に透過材を堆積し、その透過材の厚みを投影光学系の歪曲を補正すべく2次元的に微少量変化するように加工したことを特徴とする、請求項４記載の露光方法、及び装置。
7. 該ウエハーが、熱処理工程でウエハー自身の伸縮を伴い、これを補正する目的で投影系の第１ミラーを光軸方向に上下させる事により、該倍率を変化させる事を特徴とする、請求項１記載の露光方法、及び装置。
8. 該マスクが、露光する際に蓄熱される事によりマスク自身が伸縮し、これを補正する目的で該倍率を変化させる請求項７記載の露光方法、及び装置。
9. 投影光学系の座標に対して線形に変化する非等方的な倍率成分を、前記平面ミラーを傾ける事によって補正する事を特徴とする、請求項２、８記載の露光方法、及び装置。
10. 反射型マスク上に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系を有する投影露光装置であって、
    前記投影光学系が複数の反射光学素子を有しており、
    前記複数の反射光学素子のうち前記パターンで反射した光束が初めに入射する反射光学素子が実質的に平面ミラーであることを特徴とする露光装置。
11. 反射型マスク上に形成されたパターンを基板上に投影する投影光学系を有する投影露光装置であって、
    前記投影光学系が複数の反射光学素子を有しており、
    前記複数の反射光学素子のうち前記パターンで反射した光束が初めに入射する反射光学素子の曲率半径は、他の反射光学素子の曲率半径よりも大きいことを特徴とする露光装置。
12. 前記複数の反射光学素子のうち前記パターンで反射した光束が初めに入射する反射光学素子の曲率半径は、他の反射光学素子の曲率半径の中で最も大きい曲率半径の2倍以上であることを特徴とする露光装置。
13. 前記投影光学系は複数の反射光学素子から成ることを特徴とする請求項１０乃至１２いずれかに記載の露光装置。
14. 請求項１乃至１３いずれかに記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
    

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