JP2010160140A - 過電流検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スイッチング素子1に流れる電流に相当する電圧Vsensが入力される第1入力端子および基準電源7による基準電圧Vocが入力される第2入力端子を有する比較回路8と、前記基準電源と前記比較回路の第2入力端子との間に直列接続され、前記スイッチング素子の温度を検出する温度検出素子4の電圧を当該電圧に応じた電流に変換する電流変換素子6と、前記比較回路の第2入力端子の前記基準電源側に直列接続された第1抵抗R3と、前記比較回路の第2入力端子の接地側に直列接続された第2抵抗R2と、を備える。
【選択図】 図1
Description
図1は本実施形態の過電流検出装置を示す電気回路図である。本例の過電流検出装置は、たとえばインテリジェントパワーモジュールを構成するIGBTの異常を検出する装置に具体化することができるので、その一例を説明する。ただしこれに限定されず、種々のスイッチング素子に適用することができる。
ここでマスク比Nが、図4の線aで示すような負の温度特性(温度の上昇に対してマスク比が減少する特性)を有する場合は、上記式1よりセンス電圧Vsensは正の温度特性(温度の上昇に対して電圧が増加する特性)を有することになる。つまり、図4の線bと同様な温度特性になる。
この電流Irefを温度Tで微分すると下記式3が得られる。ただし、電流変換素子(PNPトランジスタ)6のベース−エミッタ間の電圧Vbeは温度特性がないものとする。
上記式3より、温度検出素子4による温度検出電圧が負の温度特性を有する場合には、トランジスタ6を流れる電流Irefは、正の温度特性を有することになる。
[式4] Voc=(Vcc−Vbe−Vtemp)×R2/R3
両辺を温度Tで微分すると式5が得られる。
つまり、本例の過電流検出装置によれば、図4に線bで示すような正の温度特性を有する比較器8の入力電圧Vocは、抵抗R2とR3の比によって正の温度係数を変化させることができる。すなわち、正の温度特性を有するセンス電圧Vsensと同じ傾きになるように抵抗R2とR3の比(R2/R3)を設定すれば、スイッチング素子1の温度に依存しない過電流検出装置が、図1に示すように電流変換素子(PNPトランジスタ)6のみを設けることで実現することができる。
温度に対するマスク比Nの特性(温度の上昇に伴い、Nが減少する特性)が図4の線aに示すような場合に、R2/R3を、マスク比の特性と、傾きの絶対値は同じで符号が反対となるように、設定すればよい。これにより、正の温度特性を有するセンス電圧Vsens温度特性をキャンセルすることができる。
図2は、発明の他の実施形態に係る過電流検出装置を示す電気回路図である。上述した第1実施形態では、式3において電流変換素子6であるPNPトランジスタのベース−エミッタ間の電圧Vbeは温度依存性がないことを前提とした。しかしながら、スイッチング素子1のジャンクション温度Tjとは異なる周囲温度の影響で電流変換素子6のベース−エミッタ間電圧Vbeが変化することがある。
図3は、発明のさらに他の実施形態に係る過電流検出装置を示す電気回路図である。電流変換素子6の周囲温度の影響を減らす方法として、電流変換素子6と同じPNPトランジスタからなる電流変換素子9を用い、温度依存性の少ない基準電源7を電流変換素子9のベース端子に接続し、エミッタを前述した基準電圧点に接続する。なお、電流変換素子9は電流変換素子6と同じ基板上に実装されている。
本例のPNPトランジスタ9は電流変換素子6と同じPNPトランジスタを同じ基板上で使用するので、Vbe(9)=Vbeとなり、式2’は式2”で表わされる。
すなわち、電流変換素子6のベース−エミッタ間電圧Vbeは電流変換素子9を設けることによって相殺されるので、電流変換素子6の特性に影響しない過電流検知回路を構成することができる。
3…センス電流端子
4…温度検出素子
5…温度検出端子
6…電流変換素子
7…基準電源
8…比較器(比較回路)
9…電流変換素子
R3…抵抗(第1抵抗)
R2…抵抗(第2抵抗)
Claims (6)
- スイッチング素子の過電流検出装置において、
基準電源と、
前記スイッチング素子に流れる電流に相当する電圧が入力される第1入力端子および前記基準電源による基準電圧が入力される第2入力端子を有する比較回路と、
前記基準電源と前記比較回路の第2入力端子との間に直列接続され、前記スイッチング素子の温度を検出する温度検出素子の電圧を当該電圧に応じた電流に変換する電流変換素子と、
前記比較回路の第2入力端子の前記基準電源側に直列接続された第1抵抗と、
前記比較回路の第2入力端子の接地側に直列接続された第2抵抗と、を備えたことを特徴とする過電流検出装置。 - 請求項1に記載の過電流検出装置において、
前記第1抵抗と前記第2抵抗との比の温度特性が、前記スイッチング素子のマスク比の温度特性と、傾きの絶対値が同じで、傾きの符号が逆となるように設定されることを特徴とする過電流検出装置。 - 請求項1又は2に記載の過電流検出装置において、
前記基準電源の電圧を前記電流変換素子の温度特性に応じて調整する電圧調整手段を備えたことを特徴とする過電流検出装置。 - 請求項3に記載の過電流検出装置において、
前記電圧調整手段は、可変電圧器と、前記電流変換素子の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部により検出された前記電流変換素子の温度に基づいて前記可変電圧器を制御する制御部とを備え、前記電流変換素子の温度が上昇するほど、前記可変電圧器の電圧を下げることを特徴とする過電流検出装置。 - 請求項3に記載の過電流検出装置において、
前記電流変換素子は、PNP型トランジスタであることを特徴とする過電流検出装置。 - 請求項5に記載の過電流検出装置において、
前記電圧調整手段は、前記電流変換素子のPNP型トランジスタと同じ第2のPNP型トランジスタを更に設け、前記第2のPNP型トランジスタのベースに基準電源を接続すると共に、前記電流変換素子のPNP型トランジスタのエミッタと前記第2のPNP型トランジスタのエミッタを接続することを特徴とする過電流検出装置。
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