JP2014103767A - スイッチング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】温度検知用抵抗の温度依存性に対する、電流検知用抵抗の電圧降下の影響を低減する。
【解決手段】スイッチング装置は、インバータＩＮＶと、電源線Ｌ１，Ｌ２と、電源線Ｌ２に挿入される電流検知用抵抗Ｒ４と、温度検知用抵抗Ｒｔｈと、定電流源３Ａとを備える。温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端は、電流検知用抵抗Ｒ４とインバータＩＮＶとの間で電源線Ｌ２に接続される。定電流源３Ａの一端は温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端に接続され、定電流源３Ａの他端には直流電位Ｖｃｃが供給される。温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端において電位Ｖ２が得られる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体スイッチング回路の温度を測定する技術に関する。

スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路として、インバータや、チョッパが知られている。インバータは直流電圧を交流電圧に変換し、チョッパは直流電圧を昇圧／降圧して他の直流電圧に変換する。チョッパは力率改善回路として採用されることもある。

インバータであれ、チョッパであれ、半導体スイッチング回路のスイッチングを制御するため、あるいは過電流を検知するため、半導体スイッチング回路に流れる電流（以下「スイッチング電流」と仮称する）を検知する要求がある。

スイッチング電流を検出するための構成としては、これを簡易に実現すべく、抵抗（以下「電流検知用抵抗」）が採用される。電流検知用抵抗は、半導体スイッチング回路に入力する直流電圧を供給するための一対の電源線の一方上に設けられる。電流検知用抵抗における電流降下からスイッチング電流を検知するための構成を簡易にするため、電流検知用抵抗は上記電源線のうち、低電位側の電源線上に設けられることが多い。

他方、半導体スイッチング回路の過熱による破壊を防ぐため、半導体スイッチング回路の温度を検知する要求もある。当該温度を検知する構成としては、これを簡易に実現すべく、抵抗（以下「温度検知用抵抗」）が採用される。温度検知用抵抗は、通常の抵抗であっても（その抵抗値が温度依存性を有するので）かまわないが、より感度が高いサーミスタ（あるいはポジスタ）が採用されることも多い。

温度検知用抵抗は、半導体スイッチング回路の温度を検知するため、半導体スイッチング回路の近くに設けることが要求される。そして温度検知用抵抗における温度変化は、温度検知用抵抗の抵抗値の温度変化として検出できるので、温度検知用抵抗に電流を供給し、当該温度検知用抵抗における電圧降下を検知する。このような電流の供給や電圧降下の測定を行う回路を簡易に構成するため、温度検知用抵抗は低電位側の電源線と、所定の電位点との間に設けられることが多い。

このように、低電位側の電源線上に電流検知用抵抗が設けられ、低電位側の電源線に一端が接続された温度検知用抵抗が設けられる技術が、特許文献１に開示されている。

特許第４６３９９５０号公報

上記特許文献１でも示されるように、温度検知用抵抗は半導体スイッチング回路の温度を検知するために、半導体スイッチング回路に近く設けられることが望ましい。よって温度検知用抵抗の一端は、電流検知用抵抗と半導体スイッチング回路との間で低電位側電源線に接続されることが望まれる。

しかしながらこのような接続態様では、スイッチング電流が温度検知における誤差要因となりやすい。スイッチング電流の変化が電流検知用抵抗の電圧降下を変化させ、当該変化は温度検知用抵抗の一端の電位を変化させるからである。

例えば、特許文献１の図４では、電流検知用抵抗における電圧降下を電圧Ｖｓｈで、電流検知用抵抗と温度検知用抵抗との直列接続における電圧降下を電圧Ｖ１で、電流検知用抵抗と温度検知用抵抗と分圧抵抗との直列接続に印加される電圧を電圧ＶＤＤで、それぞれ示している。よって検出される電圧Ｖ１は、温度検知用抵抗の抵抗値Ｒ５１、分圧抵抗の抵抗値Ｒ５３を導入して、下式（１）で求められる。

右辺第１項は温度検知用抵抗の抵抗値Ｒ５１の変動のみならず、電流検知用抵抗の電圧降下Ｖｓｈの変動にも依存する。他方、第２項は、通常は電圧ＶＤＤが一定電圧に維持され、分圧抵抗の抵抗値Ｒ５１の温度依存性が小さいので、温度検知用抵抗の抵抗値Ｒ５１の変動のみに依存すると見ることができる。即ち、電圧Ｖ１についてのＳ／Ｎ比の観点で見れば、第１項及び第２項はそれぞれ雑音及び信号に対応することになる。

そこで、右辺第１項の右辺第２項に対する割合を小さくすることが望まれる。これは例えばＲ５３＜＜Ｒ５１に設定することが望ましい。しかしながら、そうすると抵抗値Ｒ５１の変動に対する右辺第２項の変動が小さくなる。これは電圧Ｖ１の温度検知に対する感度が低下することになって望ましくない。

かかる感度の低下は特に、電圧Ｖ１をＡ／Ｄ変換してデジタル処理を行う場合、デジタル処理における量子化誤差直線性の影響が大きくなり、温度検知の精度悪化を招来する点で望ましくない。

この発明は上記の観点から、温度検知用抵抗の温度依存性に対する、電流検知用抵抗の電圧降下の影響を低減することを目的とする。

この発明にかかるスイッチング装置の第１の態様は、スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に定電流（Ｉ）を供給する定電流源（３）とを備える。

この発明にかかるスイッチング装置の第２の態様は、その第１の態様であって、前記定電流源（３Ａ，３Ｂ）は、前記低電位側電源線が与える第１電位（ＧＮＤ）よりも電位が高い直流の第２電位（Ｖｃｃ）を供給する第２電位供給点に接続される一端と、前記定電流（Ｉ）を出力する他端と、電流設定用抵抗（Ｒ１，Ｒ２）とを有する。前記定電流は前記第２電位供給点から得られる電流に基づいて得られる。前記定電流の値は、前記電流設定用抵抗の抵抗値の逆数で設定される。

この発明にかかるスイッチング装置の第３の態様は、その第２の態様であって、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値が有する温度係数と、前記電流設定用抵抗（Ｒ１，Ｒ２）の抵抗値が有する温度係数とは、相互に符号が異なり、前記電流設定用抵抗も前記基板（２）に載置される。

この発明にかかるスイッチング装置の第４の態様は、その第３の態様であって、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値は正の温度係数を有し、前記電流設定用抵抗（Ｒ１，Ｒ２）の抵抗値は負の温度係数を有する。

この発明にかかるスイッチング装置の第５の態様は、その第２乃至第４の態様のいずれかであって、前記電流設定用抵抗（Ｒ１）は、前記第２電位供給点に接続される一端と、他端とを有する。そして前記定電流源（３Ａ）は、オペアンプ（３２）と、電流増幅素子（３１）とを更に有する。

前記オペアンプは、前記第２電位供給点に接続される一端と、他端とを有し、定電圧（Ｖｄ）を支える定電圧素子（３３）と、前記定電圧素子の前記他端と前記電流設定用抵抗の前記他端とに接続される一対の入力端と、出力端とを含む。

前記電流増幅素子は、前記オペアンプの出力端に接続された制御電極、前記電流設定用抵抗の前記他端に接続された電流入力電極、及び、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続された電流出力電極を含む。

この発明にかかるスイッチング装置の第６の態様は、第２乃至第４の態様のいずれかであって、前記定電流源（３Ｂ）は、入力端、出力端、制御端を含む三端子レギュレータ（３４）を更に有する。

前記三端子レギュレータの前記入力端は前記第２電位供給点に接続される。前記三端子レギュレータの前記出力端は前記電流設定用抵抗（Ｒ２）の一端に接続される。前記三端子レギュレータの前記制御端は前記電流設定用抵抗の他端及び前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続される。

この発明にかかるスイッチング装置の第１の態様によれば、温度検知用抵抗の他端の電位から温度検知用抵抗の抵抗値の変動が、引いては半導体スイッチング回路の温度の変動が推定される。しかもこの推定は、電流検知用抵抗での電圧降下の影響を受けにくい。

この発明にかかるスイッチング装置の第２の態様によれば、電流設定用抵抗の抵抗値によって定電流の値を制御できる。

この発明にかかるスイッチング装置の第３の態様によれば、電流設定用抵抗を半導体スイッチ回路と同じ基板に載せるので、温度検知用抵抗の他端の電位の、温度変化に対する依存性が高まる。よって温度検出の感度が高まる。

この発明にかかるスイッチング装置の第４の態様によれば、半導体スイッチング回路は動作によって温度が上昇するが、温度の許容範囲には上限がある。よって推定される半導体スイッチング回路の温度は高温側で精度を高める必要がある。温度検知用抵抗の抵抗値が正の温度係数を有することにより、高温になるほどその抵抗値は増大し、電流設定用抵抗の抵抗値が負の温度係数を有することにより、高温になるほど定電流は増大する。よって温度検知用抵抗の他端の電位は、電流検知用抵抗での電圧降下の影響を、より受けにくくなる。

この発明にかかるスイッチング装置の第５の態様によれば、オペアンプの一対の入力端の間の仮想短絡により、定電圧素子が支える定電圧を電流設定用抵抗の抵抗値で除した電流が定電流として得られる。

この発明にかかるスイッチング装置の第６の態様によれば、少ない部品点数で定電流源を構成することができる。

第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。 第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。 第２の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。 第２の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。 第３の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。 第３の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。 第４の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。 第４の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。

第１の実施の形態．
図１は第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。半導体スイッチング回路たるインバータＩＮＶは、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６を有している。電源線Ｌ１，Ｌ２間の直流電圧Ｖｄｃは、電流検知用抵抗Ｒ４とインバータＩＮＶとの直列接続に印加される。インバータＩＮＶに供給された直流電圧は、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のスイッチングによって三相交流電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗへ変換される。

低電位側の電源線Ｌ２には電流検知用抵抗Ｒ４が挿入される。電流検知用抵抗Ｒ４の、インバータＩＮＶと反対側の端は接地される。接地ＧＮＤの電位は０である。

温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端は、電流検知用抵抗Ｒ４とインバータＩＮＶとの間で、電源線Ｌ２に接続される。温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端には定電流源３Ａから定電流Ｉが供給される。

基板２は、少なくともインバータＩＮＶ及び温度検知用抵抗Ｒｔｈを載置する。

電流検知用抵抗Ｒ４にはインバータＩＮＶに流れる電流によって電圧降下Ｖ４が発生し、これにより温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端の電位は値Ｖ４を採る。温度検知用抵抗Ｒｔｈには定電流Ｉが供給されるので、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値にも記号Ｒｔｈを用いると、温度検知用抵抗Ｒｔｈでの電圧降下は積Ｉ・Ｒｔｈとして求められる。よって温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端での電位Ｖ２は次式（２）で求められる。

ここで第１項は温度検知用抵抗Ｒｔｈでの電圧降下であり、定電流Ｉの寄与の他、インバータＩＮＶに流れる電流の寄与もある。よって電位Ｖ２についてのＳ／Ｎ比の観点で見れば、第１項及び第２項はそれぞれ雑音及び信号に対応することになる。

右辺第２項である積Ｉ・Ｒｔｈを大きくするように定電流Ｉ、抵抗値Ｒ５１を選択しても、それらは第１項を大きくすることはない。インバータＩＮＶに流れる電流は通常、定電流Ｉよりも非常に大きく、定電流Ｉを大きくしても電圧降下Ｖ４に対する定電流Ｉの寄与は非常に小さいからである。

このように、定電流源３Ａを用いることにより、積Ｉ・Ｒｔｈを電圧降下Ｖ４よりも大きくして電位Ｖ２についてのＳ／Ｎ比を大きく設定することが可能となる。

以上のようにして、温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端の電位Ｖ２から温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値Ｒｔｈの変動が、引いてはインバータＩＮＶの温度変動が推定される。しかもこの推定は、電流検知用抵抗Ｒ４での電圧降下の変動を受けにくい。

特に、抵抗値Ｒｔｈの変動に対する積Ｉ・Ｒｔｈの変動を大きくするためには、定電流Ｉを大きくとることが望ましい。つまり電位Ｖ２の温度検知に対する感度は、定電流Ｉによって制御できる。換言すれば、本実施の形態によれば、定電流Ｉを制御することによってＳ／Ｎ比と感度の両方を向上させる制御が可能となる。

もちろん、上述のように、インバータＩＮＶに流れる電流に対して無視できる大きさに定電流Ｉを設定することが望ましいが、それよりも更に小さい値以下に制限することが望ましい。これは電位Ｖ２をＡ／Ｄ変換する観点からの要望である。

例えば定電流源３Ａには、直流電位Ｖｃｃが供給される電位供給点（これにも記号Ｖｃｃを採用する）が接続される。直流電位Ｖｃｃは、電源線Ｌ２が与える電位（ここでは接地ＧＮＤの電位０）よりも電位が高い。このように定電流源３Ａを駆動するために用いられる直流電位Ｖｃｃは、電位Ｖ２を信号処理する処理装置を駆動するための電位としても用いられる。よって電位Ｖ２の変動範囲の幅は、０〜Ｖｃｃの範囲に収まることが望ましい。

即ち、検知したい温度検知の範囲に対応する抵抗値Ｒ５１を、値Ｒ５１ａ乃至抵抗値Ｒ５１ｂで表すと、式（２）の右辺第２項に鑑みて、下式（３）が成立することが望ましい。

定電流源３Ａは、電位供給点Ｖｃｃに接続される一端と、定電流Ｉを出力する他端とを有する。当該他端は、温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端に接続され、定電流Ｉは電位供給点Ｖｃｃから得られる電流に基づいて得られる。

定電流源３Ａは更に、電流設定用抵抗Ｒ１も有している。定電流の値Ｉは、電流設定用抵抗Ｒ１の抵抗値の逆数で設定される。定電流源３Ａが電流設定用抵抗Ｒ１を有することは、その抵抗値によって定電流Ｉの値を制御できる観点で望ましい。

より具体的には、定電流源３Ａは更に、トランジスタ３１と、オペアンプ３２と、定電圧素子３３とを有する。

オペアンプ３２は正側入力端と負側入力端と、出力端とを有する。定電圧素子３３は例えばツェナーダイオードであり、その一端は電位供給点Ｖｃｃに接続される。その他端はオペアンプ３２の正側入力端に接続され、ここに直流電位Ｖｃｃから定電圧Ｖｄだけ低い電位を与える。

電流設定用抵抗Ｒ１の一端は電位供給点Ｖｃｃに接続され、他端はオペアンプ３２の負側入力端に接続される。

トランジスタ３１は電流増幅素子であり、電流入力電極たるエミッタと、電流出力電極たるコレクタと、制御電極たるベースとを含む。ベースはオペアンプ３２の出力端に接続され、エミッタは電流設定用抵抗Ｒ１の他端に（従ってオペアンプ３２の負側入力端に）接続される。コレクタは温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端に接続され、定電流Ｉを出力する。

なお、定電圧素子３３に電流を流させて定電圧Ｖｄを維持させるため、定電圧素子３３の他端は抵抗Ｒ３を介して接地されている。

このような定電流源３Ａでは、オペアンプ３２の一対の入力端の間の仮想短絡により、定電圧素子３３が支える定電圧Ｖｄを電流設定用抵抗Ｒ１の抵抗値で除した電流が定電流Ｉとして得られる。

なお、電流設定用抵抗Ｒ１の抵抗値が有する温度係数が、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値が有する温度係数と互いに符号が異なり、かつ電流設定用抵抗Ｒ１も基板２に載置されることが望ましい。電位Ｖ２の、温度変化に対する依存性が高まり、引いては温度検出の感度が高まるからである。

特に、電流設定用抵抗Ｒ１の抵抗値が有する温度係数が負であり、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値が有する温度係数が正であることが望ましい。理由は以下の通りである。

一般に、半導体スイッチング回路（ここではインバータＩＮＶ）は動作によって温度が上昇する。そしてその温度の許容範囲には上限がある。よって推定される半導体スイッチング回路の温度は高温側で精度を高める必要がある。温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値が正の温度係数を有することにより、高温になるほどその抵抗値は増大し、電流設定用抵抗Ｒ１の抵抗値が負の温度係数を有することにより、高温になるほど定電流Ｉは増大する。これにより、電位Ｖ２は、電流検知用抵抗Ｒ４での電圧降下Ｖ４の影響を、より受けにくくなる。

図２はこの実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。インバータＩＮＶの温度測定の精度を高めるためには、インバータＩＮＶと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載されることが望ましい。但し、図２では電流設定用抵抗Ｒ１、電流検知用抵抗Ｒ４も同じ基板２に搭載されている場合が例示されている。

このようにインバータＩＮＶと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載され、導体パターン２１で接続される。導体パターン２１は例えば銅を主成分とする金属で形成されるので、熱伝導も良好であり、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値はインバータＩＮＶの温度を良好に反映する。

なお、導体パターン２２は定電流Ｉを温度検知用抵抗Ｒｔｈに流す。

第２の実施の形態．
図３は第２の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。半導体スイッチング回路たるチョッパＣＨは、スイッチング素子Ｑ０とダイオードＤを有している。直流電圧Ｖｄｃは電源線Ｌ１に挿入されたコイル４と、チョッパＣＨと、電流検知用抵抗Ｒ４との直列接続に印加される。電源線Ｌ２には電流検知用抵抗Ｒ４が挿入され、電流検知用抵抗Ｒ４の、チョッパＣＨと反対側の端は接地される。

温度検知用抵抗Ｒｔｈの一端は、電流検知用抵抗Ｒ４とチョッパＣＨとの間で、電源線Ｌ２に接続される。定電流源３Ａと温度検知用抵抗Ｒｔｈとの接続関係は、第１の実施の形態と同様である。

チョッパＣＨはコイル４と共に昇圧チョッパを構成し、外部に接続されるコンデンサＣに直流電圧Ｖ０を引加する。つまりチョッパＣＨはコイル４と協働して直流電圧の変換を行うと把握することができる。

この場合にも電流検知用抵抗Ｒ４にはチョッパＣＨに流れる電流によって電圧降下Ｖ４が発生する。よって定電流源３Ａを採用することにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

図４はこの実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。チョッパＣＨの温度測定の精度を高めるためには、チョッパＣＨと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載されることが望ましい。但し、図４では電流設定用抵抗Ｒ１、電流検知用抵抗Ｒ４も同じ基板２に搭載されている場合が例示されている。

コイル４及びコンデンサＣは電流設定用抵抗Ｒ１、電流検知用抵抗Ｒ４、温度検知用抵抗Ｒｔｈと比較して形状が大きいため、基板２に搭載しない場合もある。

チョッパＣＨも、第１の実施の形態で示されたインバータＩＮＶと同様に、温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載され、導体パターン２１で接続される。よって温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値はチョッパＣＨの温度を良好に反映する。

第３の実施の形態．
図５は第３の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。本実施の形態にかかるスイッチング装置の構成は、第１の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成における定電流源３Ａを、定電流源３Ｂに置換して得られる。即ち、温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端には定電流源３Ｂから定電流Ｉが供給される。

例えば定電流源３Ｂは、電位供給点Ｖｃｃに接続される一端と、定電流Ｉを出力する他端とを有する。当該他端は、温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端に接続され、定電流Ｉは電位供給点Ｖｃｃから得られる電流に基づいて得られる。

定電流源３Ｂは更に、電流設定用抵抗Ｒ２も有している。定電流の値Ｉは、電流設定用抵抗Ｒ２の抵抗値の逆数で設定される。定電流源３Ｂが電流設定用抵抗Ｒ２を有することは、その抵抗値によって定電流Ｉの値を制御できる観点で望ましい。

より具体的には、定電流源３Ｂは更に、三端子レギュレータ３４を有している。三端子レギュレータ３４は入力端（図中で「Ｉ」と付記された端子）、出力端（図中で「Ｏ」と付記された端子）、及び制御端（図中で「Ｇ」と付記された端子）を含む。

この入力端は電位供給点Ｖｃｃに接続され、出力端は電流設定用抵抗Ｒ２の一端に接続され、制御端は電流設定用抵抗Ｒ２の他端及び温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端に接続される。このような定電流源３Ｂでは、三端子レギュレータ３４の出力端と制御端との間の電圧が定電圧Ｖｇに維持される。また制御端に流れる電流は非常に小さく無視できる。よって定電圧Ｖｇを電流設定用抵抗Ｒ２の抵抗値で除した電流が定電流Ｉとして得られる。

このような構成においても温度検知用抵抗Ｒｔｈの他端の電位Ｖ２を検出することにより、第１の実施の形態と同様の効果が得られることは明白である。しかも、定電流源３Ａよりも少ない部品点数で定電流源３Ｂを構成することができる。

また、第１の実施の形態と同様に定電流Ｉを設定することができ、例えば式（３）を満足する値に設定することにより、電位Ｖ２の変動範囲の幅を０〜Ｖｃｃの範囲に収めることができる。

また、第１の実施の形態で述べたように、電流設定用抵抗Ｒ２の抵抗値が有する温度係数が、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値が有する温度係数と互いに符号が異なり、かつ電流設定用抵抗Ｒ２も基板２に載置されることが望ましい。特に電流設定用抵抗Ｒ２の抵抗値が有する温度係数が負であり、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値が有する温度係数が正であることが望ましい。

図６はこの実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。インバータＩＮＶの温度測定の精度を高めるためには、インバータＩＮＶと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載されることが望ましい。但し、図６では電流設定用抵抗Ｒ２、電流検知用抵抗Ｒ４、三端子レギュレータ３４も同じ基板２に搭載されている場合が例示されている。

このようにインバータＩＮＶと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載され、導体パターン２１で接続される。導体パターン２１は例えば銅を主成分とする金属で形成されるので、熱伝導も良好であり、温度検知用抵抗Ｒｔｈの抵抗値はインバータＩＮＶの温度を良好に反映する。

第４の実施の形態．
図７は第４の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す回路図である。本実施の形態にかかるスイッチング装置の構成は、第２の実施の形態にかかるスイッチング装置の構成における定電流源３Ａを、第３の実施の形態で説明された定電流源３Ｂに置換して得られる。

定電流源３Ｂは第３の実施の形態で説明されており、それ以外の構成（チョッパＣＨ、スイッチング素子Ｑ０、ダイオードＤ、コイル４、コンデンサＣ）は第２の実施の形態で説明されているので、ここでは詳細な説明は省略する。

図８はこの実施の形態にかかるスイッチング装置の構成を示す平面図である。チョッパＣＨの温度測定の精度を高めるためには、チョッパＣＨと温度検知用抵抗Ｒｔｈとは同じ基板２に搭載されることが望ましい。但し、図８では電流設定用抵抗Ｒ２、電流検知用抵抗Ｒ４、三端子レギュレータ３４も同じ基板２に搭載されている場合が例示されている。

２ 基板
３Ａ，３Ｂ 定電流源
Ｌ１，Ｌ２ 電源線
Ｒ１ 電流設定用抵抗
Ｒ４ 電流検知用抵抗
Ｒｔｈ 温度検知用抵抗

Claims (6)

1. スイッチングを行って直流電圧を他の電圧に変換する半導体スイッチング回路（ＩＮＶ、ＣＨ）と、
   前記半導体スイッチング回路へ前記直流電圧を供給する高電位側電源線（Ｌ１）及び低電位側電源線（Ｌ２）と、
   前記低電位側電源線に挿入される電流検知用抵抗（Ｒ４）と、
   前記電流検知用抵抗と前記半導体スイッチング回路との間で前記低電位側電源線に接続される一端と、他端とを有する温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）と、
   少なくとも前記半導体スイッチング回路及び前記温度検知用抵抗を載置する基板（２）と、
   前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に定電流（Ｉ）を供給する定電流源（３）と
   を備える、スイッチング装置。
2. 前記定電流源（３Ａ，３Ｂ）は、
   前記低電位側電源線が与える第１電位（ＧＮＤ）よりも電位が高い直流の第２電位（Ｖｃｃ）を供給する第２電位供給点に接続される一端と、
   前記定電流（Ｉ）を出力する他端と、
   前記定電流の値を、その抵抗値の逆数で設定する電流設定用抵抗（Ｒ１，Ｒ２）と
   を有し、
   前記定電流は前記第２電位供給点から得られる電流に基づいて得られる、請求項１記載のスイッチング装置。
3. 前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値が有する温度係数と、前記電流設定用抵抗（Ｒ１，Ｒ２）の抵抗値が有する温度係数とは、相互に符号が異なり、
   前記電流設定用抵抗も前記基板（２）に載置される、請求項２記載のスイッチング装置。
4. 前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の抵抗値は正の温度係数を有し、前記電流設定用抵抗（Ｒ１，Ｒ２）の抵抗値は負の温度係数を有する、請求項３記載のスイッチング装置。
5. 前記電流設定用抵抗（Ｒ１）は、前記第２電位供給点に接続される一端と、他端とを有し、
   前記定電流源（３Ａ）は、
   前記第２電位供給点に接続される一端と、他端とを有し、定電圧（Ｖｄ）を支える定電圧素子（３３）と、
   前記定電圧素子の前記他端と前記電流設定用抵抗の前記他端とに接続される一対の入力端と、出力端とを含むオペアンプ（３２）と、
   前記オペアンプの出力端に接続された制御電極、前記電流設定用抵抗の前記他端に接続された電流入力電極、及び、前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続された電流出力電極を含む電流増幅素子（３１）と
   を更に有する、請求項２乃至請求項４のいずれか一つに記載のスイッチング装置。
6. 前記定電流源（３Ｂ）は、
   前記第２電位供給点に接続される入力端、前記電流設定用抵抗（Ｒ１）の一端に接続される出力端、及び、前記電流設定用抵抗（Ｒ２）の他端及び前記温度検知用抵抗（Ｒｔｈ）の前記他端に接続された制御端を含む三端子レギュレータ（３４）
   を更に有する、請求項２乃至請求項４のいずれか一つに記載のスイッチング装置。

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