JP2004117111A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】接合部温度を高い精度で求める。
【解決手段】半導体素子100に温度測定用ダイオード120を形成する。温度検出回路130は、この温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下の温度特性から温度測定用ダイオードが設けられている位置の温度データT1を求める。電流検出回路160は、電流センス用エミッタSEから流れるセンス電流を測定し、演算部140は、このセンス電流の値に基づいて、補正温度T2を算出する。そして、演算部140は、温度データT1に補正温度T2を加算することにより、接合部温度T3を求める。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体素子100に温度測定用ダイオード120を形成する。温度検出回路130は、この温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下の温度特性から温度測定用ダイオードが設けられている位置の温度データT1を求める。電流検出回路160は、電流センス用エミッタSEから流れるセンス電流を測定し、演算部140は、このセンス電流の値に基づいて、補正温度T2を算出する。そして、演算部140は、温度データT1に補正温度T2を加算することにより、接合部温度T3を求める。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に、温度検出機能付きの半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図9は、従来の温度検出機能付の半導体装置の構造を説明する図である。この図9に示すように、このような半導体装置においては、絶縁基板上に半導体素子10を搭載し、この半導体素子10の近傍にサーミスタ12を乗せて、このサーミスタ12により温度検出を行っている。
【0003】
このような構造は、例えば、特許文献1にも開示されている。図10は、特許文献1に開示されている温度検出機能付き半導体装置の構造を示す図である。この図10に示すように、半導体素子10の近傍にサーミスタ12が設けられている。このサーミスタ12の信号は、インバータ制御部20内に設けられた温度検出部22に入力されている。そして、Tj推定部24が、この温度検出部22からのヒートシンク情報と、PWM制御部26から送出されるドライブ信号と、変流器30で検出した出力電流とに基づいて、半導体素子10を流れる電流を計算し、その接合部の温度を推定する。
【0004】
また、別の方法として、特許文献2には、図11に示すような温度検出機能付き半導体装置も開示されている。このような半導体装置においては、半導体素子10に設けられた温度測定用ダイオード40の順方向電圧降下の温度特性を、温度検出保護回路42が監視し、半導体素子10の接合部の温度を算出する。そして、この算出した温度が所定の温度以上になる場合には、ゲートドライブ回路50に停止信号を出力し、ゲートドライブ回路50はトランジスタ14の駆動を停止する。
【0005】
また、トランジスタ14の電流センス用エミッタSEとメインエミッタMEとの間には抵抗16が接続されており、この抵抗16を流れる電流を電流検出保護回路44が監視している。そして、電流検出保護回路44が、過電流を検出した場合にはゲートドライブ回路50に停止信号を出力し、ゲートドライブ回路50はトランジスタ14の駆動を停止する。つまり、温度検出保護回路42と電流検出保護回路44は、独立して動作しており、ゲートドライブ回路50に個別に停止信号を出力して、半導体素子10の保護動作をしている。
【0006】
【特許文献1】
特許第3075303号明細書
【特許文献2】
特開2000−134074号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図9に示したような温度検出機能付き半導体装置では、通常、マイコンなどの制御回路と同じように5V以下の電圧でサーミスタ12を駆動しているため、大電圧・大電流を制御する電力用の半導体装置では、半導体素子10とサーミスタ12とを電気的に絶縁しなければならなかった。このため、必然的に、半導体素子10とサーミスタ12との間の距離が離れてしまっていた。半導体素子10とサーミスタ12との間の距離が離れると、半導体素子10の接合部はおろか、半導体素子10直近の温度すら、測定できないという問題が生じてしまっていた。
【0008】
また、半導体素子10から、サーミスタ12までの熱伝導経路は、半導体素子10、半田、セラミック基板、半田、ベース板、半田、セラミック基板、半田、サーミスタ12の順となり、応答性が極めて悪かった。このため、数ミリ秒という短い時間に断続的に半導体素子10へ大電流を流すような場合には、半導体素子10の温度測定ができないという問題が生じていた。
【0009】
このような問題は、図10に示した特許文献1の半導体装置でも同様に生じてしまっていた。しかも、図10の半導体装置においては、インバータ制御部20の構造が複雑であり、その分、製品コストが上昇してしまうという問題もあった。
【0010】
一方、図11に示した半導体装置においては、温度測定用ダイオード40の応答性は優れているが、半導体素子10の接合部から温度測定用ダイオード40までは所定の距離があるため、たとえ同一の半導体素子10内であっても、温度測定用ダイオード40と接合部との間では温度差が生じてしまうという問題があった。特に、接合部から温度測定用ダイオード40までの熱抵抗により、電力が大きいほどその温度差の生じる傾向が強く、実験データによると、200Wの電力で10℃以上の差が確認された。
【0011】
このように接合部の温度測定に大きな誤差があると、接合部の温度の最大定格を守るために、ゲートドライブ回路50による温度保護のレベルに十分な余裕を持たす必要が生じ、半導体素子10の能力を十分に生かすことができなかった。
【0012】
そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、精度の高い接合部の温度算出をすることのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の温度を測定するために半導体スイッチング素子の近傍に設けられた温度測定用ダイオードとを少なくとも含む半導体素子と、前記温度測定用ダイオードの順方向電圧降下に基づいて、前記温度測定用ダイオードの位置の温度を、基準温度として算出する、基準温度算出部と、前記半導体スイッチング素子の電流センス用エミッタから流れるセンス電流に基づいて、補正温度を算出する、補正温度算出部と、前記基準温度に前記補正温度を加算することにより、接合部温度を算出する、接合部温度算出部と、を備えることを特徴とする。
【0014】
本発明に係る半導体装置は、並列に接続された複数の半導体素子であって、それぞれが、半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の温度を測定するために半導体スイッチング素子の近傍に設けられた温度測定用ダイオードとを少なくとも含む半導体素子と、前記各半導体素子における前記温度測定用ダイオードの順方向電圧降下に基づいて、前記温度測定用ダイオードの位置の温度を、基準温度として、各半導体素子毎に算出する、基準温度算出部と、前記各半導体素子における前記半導体スイッチング素子の電流センス用エミッタから流れるセンス電流に基づいて、各半導体素子毎に補正温度を算出する、補正温度算出部と、前記各半導体素子の前記基準温度に前記各半導体素子の前記補正温度を加算することにより、前記各半導体素子の接合部温度を算出する、接合部温度算出部と、を備えることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
〔第1実施形態〕
第1実施形態は、半導体素子に温度測定用ダイオードを形成し、この温度測定用ダイオードの順方向電圧降下の温度特性から温度測定用ダイオードが設けられている位置の温度を求めるとともに、同一半導体素子の電流センス機能から半導体素子を流れる電流を測定することにより、この半導体素子に印加されている電力を求める。そして、前記温度と前記電力に基づいて演算を行い、半導体素子の接合部の温度を高い精度で算出しようとするものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0016】
図1は、本実施形態に係る温度検出機能付き半導体装置の構成を説明する図であり、図2は、この半導体装置において接合部の温度を算出するために行われる処理を説明するフローチャートを示す図である。
【0017】
図1に示すように、トランジスタ110と温度測定用ダイオード120とが、1つの半導体素子100に形成されている。つまり、トランジスタ110の近傍に、温度測定用ダイオード120が設けられている。本実施形態では、トランジスタ100はIGBTであり、半導体層の上に絶縁膜を介してゲート電極が形成されているMIS系の半導体素子である。
【0018】
温度測定用ダイオード120は、これが設けられている位置の温度測定をするためのダイオードであり、温度検出回路130が接続されている。温度検出回路130は、温度測定用ダイオード120に定電流を流し、その際の温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下を測定する(図2のステップS10)。そして、温度検出回路130は、温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下の温度特性に基づいて、半導体素子100の温度測定用ダイオード120の形成されている位置の温度を求める(図2のステップS20)。続いて、この温度の尺度を、後に求める補正温度T2の尺度に合うように変換して、温度データT1を生成し、演算部140に出力する(図2のステップS30)。
【0019】
また、半導体素子100には電流センス機能が付加されている。すなわち、トランジスタ110には、主エミッタMEの他に、電流センス用エミッタSEが設けられている。電流センス用エミッタSEを流れる電流は、一般的に、主エミッタMEの10000分の1程度である。この電流センス用エミッタSEから、抵抗150にセンス電流を流し、電流検出回路160がこのセンス電流を検出する(図2のステップS40)。電流検出回路160は、このセンス電流を、電流データIdとして演算部140に出力する。
【0020】
演算部140は、この電流データIdを電圧に変換し、このセンス電流と電圧とから、半導体素子100のトランジスタ110に印加される電力を算出する(図2のステップS50)。次に、演算部140は、この電力に所定の定数を乗算することにより、補正温度T2を算出する(図2のステップS60)。この補正温度T2を温度データT1に加算して、精度の高い接合部温度T3を得る(図2のステップS70)。
【0021】
この理論を図3に基づいて説明する。図3は、半導体素子100の断面を模式的に示す図である。この図3に示すように、例えば、P型の半導体基板200の上に、N型の半導体層205が形成されており、この半導体層205の上にN型の半導体層210が形成されている。そして、この半導体層210の表面に温度測定用ダイオード120が設けられている。また、半導体層205には、上述したトランジスタ110が作り込まれている。そして、これら半導体基板200と半導体層210との間がPNジャンクションである接合部220となる。つまり、半導体層205が全体的に熱源となる。一般に、半導体素子においては、この接合部220の定格温度、つまり正常に動作をすることを保証する最高温度が定められている。
【0022】
本実施形態においても、この接合部220と温度測定用ダイオード120との間には、半導体層210の厚さ分の距離がある。ここでは、この温度測定用ダイオード120と接合部220との間の熱抵抗をTr(℃/W)とする。この熱抵抗は製品の種類毎に予め分かっている定数である。
【0023】
演算部140では、電流検出回路160からの電流データIdに基づいて算出した電力を、この熱抵抗Trに乗算することにより、半導体層210の厚さ分の温度誤差を、補正温度T2として算出する。したがって、この補正温度T2を、温度データT1に加算することにより、精度の高い接合部220の温度である接合部温度T3が算出できるのである。
【0024】
図4は、本実施形態に係る演算部140の構成をより詳細に示す図である。この図4に示すように、本実施形態に係る演算部140は、CPU等から構成されたマイクロコンピュータ230と、このマイクロコンピュータ230に接続されたメモリ240とを備えて構成されている。
【0025】
マイクロコンピュータ230は、上述したように、電流検出回路160から電流データIdを取得し、その電流値をメモリ240に送信する。メモリ240には、電流値に対応する補正温度T2がテーブル形式で格納されており、このため、メモリ240は受信した電流値に対応する補正温度T2を、マイクロコンピュータ230に返信する。先の説明では、電流データIdからトランジスタ110に印加される電力を算出して補正温度T2を求めると説明したが、この図4の例ではより処理を簡略化するために、予めメモリ240に電流値対補正温度のテーブルを格納しておくこととしている。
【0026】
補正温度T2を取得したマイクロコンピュータ230は、この補正温度T2を、温度検出回路130から取得した温度データT1に加算して、接合部温度T3を求める。本実施形態においては、この接合部温度T3を、半導体装置の外部に出力する。例えば、図示しない制御回路にこの接合部温度T3を出力することにより、必要な制御を、この半導体素子100に加えることができる。
【0027】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置によれば、温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下から算出された温度データT1に、電流センス用エミッタSEから得られたセンス電流に基づいて算出した補正温度T2を加算して、接合部温度T3を求めることとした。このため、精度の高い接合部温度T3を得ることができるようになる。また、サーミスタではなくダイオード120を用いて温度検出をするようにしたので、温度測定の応答性も格段に速くすることができる。
【0028】
〔第2実施形態〕
第2実施形態は、第1実施形態で算出された接合部温度T3が、任意に設定された温度以上になった場合には、半導体素子100の温度保護を図るために、トランジスタ110の駆動を停止するようにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0029】
図5は、第2実施形態に係る温度検出機能付き半導体装置の構造を示す図であり、上述した図1に対応する図である。この図5に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、演算・保護回路170とゲートドライブ回路180とを備えている点が、上述した第1実施形態と相違する。
【0030】
演算・保護回路170は、第1実施形態における演算部140と同等の機能を有しているとともに、接合部温度T3が、予め設定された所定の温度Tset以上になった場合には、停止信号STPをゲートドライブ回路180に送出する機能を有している。演算・保護回路170は、接合部温度T3を監視し、この接合部温度T3が所定の温度Tset以上である間は、停止信号STPを出力し続ける。
【0031】
ゲートドライブ回路180は、トランジスタ110を駆動するための回路であり、駆動信号DRVを、トランジスタ110のゲートGに出力している。また、演算・保護回路170から停止信号STPが入力された場合には、ゲートドライブ回路180は、駆動信号DRVの出力を停止する。この停止信号STPが入力され続けている間は、ゲートドライブ回路180は駆動信号DRVの出力を停止し、やがて停止信号STPの入力がなくなった時点で駆動信号DRVの出力を再開する。
【0032】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置によっても、上述した第1実施形態と同様に、接合部温度T3を高い精度で算出することができる。また、接合部温度T3に基づいて半導体素子100の温度保護を行うことにより、精度の高い温度保護を実現することができ、半導体素子100の能力を余すことなく使用することができる。すなわち、この半導体素子100の最大定格の温度に対して、大きなマージンを設けて演算・保護回路170の温度Tsetを設定する必要がなくなる。つまり、小さなマージンで温度Tsetを設定したとしても、半導体素子100の接合部温度が最大定格を超えることにより半導体素子100が破壊されたり、信頼性寿命を著しく損ねたりすることがなくなる。
【0033】
〔第3実施形態〕
第3実施形態は、上述した第1実施形態又は第2実施形態の半導体素子100を、ケース内に搭載してパッケージ化することにより、ディスクリートタイプの半導体パッケージにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0034】
図6は、本実施形態に係る半導体パッケージ300の構成を説明するために、半導体パッケージ300の一部を切り欠いて示す斜視図である。この図6に示すように、半導体素子100は、ケース310の内部で、熱伝導のよい導体(例えば、銅など)の上に載せられており、エポキシ系の樹脂でモールドされている。この図6では、エポキシ系の樹脂は透過した状態を示している。また、この半導体素子100の隣には、プリント基板320が設けられている。
【0035】
上述した半導体素子100のゲートGは、この半導体パッケージ300のゲート端子330に接続されており、メインエミッタMEは2つのメインエミッタ端子332に接続されており、電流センス用エミッタSEは電流センス用エミッタ端子334に接続されており、コレクタCは2つのコレクタ端子336に接続されている。
【0036】
プリント基板320には、半導体素子100における温度測定用ダイオード120のアノードとカソードに接続した温度検出回路130が設けられている。また、電流センス用エミッタSEとメインエミッタMEとの間に接続した抵抗150も設けられている。さらに、本実施形態を上述した第1実施形態に適用した場合には、プリント基板320上に、演算部140が設けられる。一方、本実施形態を上述した第2実施形態に適用した場合には、プリント基板320上に、演算・保護回路170とゲートドライブ回路180とが設けられる。
【0037】
接合部温度T3は、電圧値に変換されて、温度情報出力端子340、342から出力される。この電圧値への変換は、例えば、演算部140や演算・保護回路170が行う。
【0038】
以上のように本実施形態に係る半導体パッケージ300によれば、高い精度の接合部温度T3に関する情報を、温度情報出力端子340、342から取得することができる。
【0039】
〔第4実施形態〕
第4実施形態は、上述した第1実施形態又は第2実施形態の半導体素子100を、ケース内に搭載してパッケージ化することにより、モジュールタイプの半導体パッケージにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0040】
図7は、本実施形態に係る半導体パッケージ400の構成を説明するための斜視図である。この図7に示すように、半導体素子100は、ケース410の内部で、絶縁基板420の上に載せられている。また、上述したプリント基板は、この半導体パッケージ400の蓋部430に搭載されている。このプリンタ基板に搭載されている回路や素子は、上述した第3実施形態と同様である。
【0041】
以上のように本実施形態に係る半導体パッケージ400によっても、高い精度の接合部温度T3を取得することができる。
【0042】
〔第5実施形態〕
第5実施形態は、複数の半導体素子100を並列に接続することにより、大きな電力の制御に用いることができるようにした半導体装置において、個々の半導体素子100の接合部温度T3を求め、この接合部温度T3に基づいて個々の半導体素子100の駆動を制御することにより、並列接続された半導体素子100の温度バランスをとるようにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0043】
図8は、本実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。この図8に示すように、本実施形態に係る半導体装置においては、複数の半導体素子100が並列に接続されている。このためこの半導体装置は、複数の半導体素子100を用いて大きな電力の制御をすることが可能である。
【0044】
各半導体素子100は、上述した第1及び第2実施形態と同様に、温度検出回路130と電流検出回路160とに接続されている。また、各半導体素子100の電流センス用エミッタSEとメインエミッタMEとの間には、抵抗150が接続されている。
【0045】
上述した第1実施形態と同様に、各温度検出回路130は、温度データT1を、それぞれに設けられている演算部140に出力する。また、電流検出回路160は、電流データIdをそれぞれの演算部140に出力する。そして、演算部140は、それぞれ、各半導体素子100の接合部温度T3を算出し、ゲートドライブ回路500に出力する。
【0046】
ゲートドライブ回路500は、各トランジスタ110のそれぞれのゲートGに駆動信号DRVを出力している。そして、それぞれの接合部温度T3に基づいて、トランジスタ110の駆動制御を行う。
【0047】
より具体的には、本実施形態に係るゲートドライブ回路500は、マイクロコンピュータを内蔵しており、得られた接合部温度T3に基づいて、各半導体素子100の駆動を制御する。例えば、ある1つの半導体素子100の接合部温度T3が、他の半導体素子100の接合部温度T3よりも高ければ、この半導体素子100の駆動を一時的に停止する。つまり、この半導体素子100への駆動信号DRVの出力を一時的に停止する。
【0048】
また、例えば、ある1つの半導体素子100の接合部温度T3が、他の半導体素子100の接合部温度T3よりも低ければ、この半導体素子100の駆動割合を他の半導体素子100よりも高くする。このようにして、ゲートドライブ回路500は、複数の半導体素子100の温度バランスが均一になるように制御する。
【0049】
なお、本実施形態においても、上述した第1及び第2実施形態と同様に、各半導体素子100の接合部温度T3を外部に出力するようにすることもできる。
【0050】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置によっても、上述した第1及び第2実施形態と同様に、複数の半導体素子100のそれぞれの接合部温度T3を高い精度で算出することができる。また、接合部温度T3に基づいて複数の半導体素子100の駆動制御をすることとしたので、複数の半導体素子100の間の温度バランスを保つようにすることができる。
【0051】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態においては、演算部140は温度に基づいて演算を行うこととしたが、温度ではなく電圧値のまま演算を行うようにしてもよい。但し、この場合、温度検出回路130が検出した温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下の電圧値と、電流検出回路160が検出したセンス電流に基づく電圧値とが、同じ尺度になるようにしなければならない。
【0052】
また、図4においては、マイクロコンピュータ230を用いて接合部温度T3を算出することとしたが、この算出は必ずしもマイクロコンピュータ230で行う必要はない。例えば、オペアンプなどにより必要な演算を行い、電圧値として出力するようにしてもよい。
【0053】
また、上述した実施形態におけるトランジスタ110は、半導体スイッチング素子の一例であり、他の構造の素子を半導体スイッチング素子として用いることもできる。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置によれば、精度の高い接合部の温度算出をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。
【図2】図1の半導体装置において、接合部温度を算出するために行われる処理を説明する図。
【図3】第1実施形態に係る半導体装置の断面を模式的に示す図。
【図4】第1実施形態に係る半導体装置の演算部の構成の一例を示す図。
【図5】第2実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。
【図6】第3実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図であり、半導体装置の一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図7】第4実施形態に係る半導体装置の構成を説明する斜視図である。
【図8】第5実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。
【図9】温度測定にサーミスタを用いた従来の半導体装置を示す図である。
【図10】温度測定にサーミスタを用いた別の従来の半導体装置を示す図である。
【図11】温度測定にダイオードを用いた従来の半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
100 半導体素子
110 トランジスタ
120 温度測定用ダイオード
130 温度検出回路
140 演算部
150 抵抗
160 電流検出回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に、温度検出機能付きの半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図9は、従来の温度検出機能付の半導体装置の構造を説明する図である。この図9に示すように、このような半導体装置においては、絶縁基板上に半導体素子10を搭載し、この半導体素子10の近傍にサーミスタ12を乗せて、このサーミスタ12により温度検出を行っている。
【0003】
このような構造は、例えば、特許文献1にも開示されている。図10は、特許文献1に開示されている温度検出機能付き半導体装置の構造を示す図である。この図10に示すように、半導体素子10の近傍にサーミスタ12が設けられている。このサーミスタ12の信号は、インバータ制御部20内に設けられた温度検出部22に入力されている。そして、Tj推定部24が、この温度検出部22からのヒートシンク情報と、PWM制御部26から送出されるドライブ信号と、変流器30で検出した出力電流とに基づいて、半導体素子10を流れる電流を計算し、その接合部の温度を推定する。
【0004】
また、別の方法として、特許文献2には、図11に示すような温度検出機能付き半導体装置も開示されている。このような半導体装置においては、半導体素子10に設けられた温度測定用ダイオード40の順方向電圧降下の温度特性を、温度検出保護回路42が監視し、半導体素子10の接合部の温度を算出する。そして、この算出した温度が所定の温度以上になる場合には、ゲートドライブ回路50に停止信号を出力し、ゲートドライブ回路50はトランジスタ14の駆動を停止する。
【0005】
また、トランジスタ14の電流センス用エミッタSEとメインエミッタMEとの間には抵抗16が接続されており、この抵抗16を流れる電流を電流検出保護回路44が監視している。そして、電流検出保護回路44が、過電流を検出した場合にはゲートドライブ回路50に停止信号を出力し、ゲートドライブ回路50はトランジスタ14の駆動を停止する。つまり、温度検出保護回路42と電流検出保護回路44は、独立して動作しており、ゲートドライブ回路50に個別に停止信号を出力して、半導体素子10の保護動作をしている。
【0006】
【特許文献1】
特許第3075303号明細書
【特許文献2】
特開2000−134074号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図9に示したような温度検出機能付き半導体装置では、通常、マイコンなどの制御回路と同じように5V以下の電圧でサーミスタ12を駆動しているため、大電圧・大電流を制御する電力用の半導体装置では、半導体素子10とサーミスタ12とを電気的に絶縁しなければならなかった。このため、必然的に、半導体素子10とサーミスタ12との間の距離が離れてしまっていた。半導体素子10とサーミスタ12との間の距離が離れると、半導体素子10の接合部はおろか、半導体素子10直近の温度すら、測定できないという問題が生じてしまっていた。
【0008】
また、半導体素子10から、サーミスタ12までの熱伝導経路は、半導体素子10、半田、セラミック基板、半田、ベース板、半田、セラミック基板、半田、サーミスタ12の順となり、応答性が極めて悪かった。このため、数ミリ秒という短い時間に断続的に半導体素子10へ大電流を流すような場合には、半導体素子10の温度測定ができないという問題が生じていた。
【0009】
このような問題は、図10に示した特許文献1の半導体装置でも同様に生じてしまっていた。しかも、図10の半導体装置においては、インバータ制御部20の構造が複雑であり、その分、製品コストが上昇してしまうという問題もあった。
【0010】
一方、図11に示した半導体装置においては、温度測定用ダイオード40の応答性は優れているが、半導体素子10の接合部から温度測定用ダイオード40までは所定の距離があるため、たとえ同一の半導体素子10内であっても、温度測定用ダイオード40と接合部との間では温度差が生じてしまうという問題があった。特に、接合部から温度測定用ダイオード40までの熱抵抗により、電力が大きいほどその温度差の生じる傾向が強く、実験データによると、200Wの電力で10℃以上の差が確認された。
【0011】
このように接合部の温度測定に大きな誤差があると、接合部の温度の最大定格を守るために、ゲートドライブ回路50による温度保護のレベルに十分な余裕を持たす必要が生じ、半導体素子10の能力を十分に生かすことができなかった。
【0012】
そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、精度の高い接合部の温度算出をすることのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の温度を測定するために半導体スイッチング素子の近傍に設けられた温度測定用ダイオードとを少なくとも含む半導体素子と、前記温度測定用ダイオードの順方向電圧降下に基づいて、前記温度測定用ダイオードの位置の温度を、基準温度として算出する、基準温度算出部と、前記半導体スイッチング素子の電流センス用エミッタから流れるセンス電流に基づいて、補正温度を算出する、補正温度算出部と、前記基準温度に前記補正温度を加算することにより、接合部温度を算出する、接合部温度算出部と、を備えることを特徴とする。
【0014】
本発明に係る半導体装置は、並列に接続された複数の半導体素子であって、それぞれが、半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の温度を測定するために半導体スイッチング素子の近傍に設けられた温度測定用ダイオードとを少なくとも含む半導体素子と、前記各半導体素子における前記温度測定用ダイオードの順方向電圧降下に基づいて、前記温度測定用ダイオードの位置の温度を、基準温度として、各半導体素子毎に算出する、基準温度算出部と、前記各半導体素子における前記半導体スイッチング素子の電流センス用エミッタから流れるセンス電流に基づいて、各半導体素子毎に補正温度を算出する、補正温度算出部と、前記各半導体素子の前記基準温度に前記各半導体素子の前記補正温度を加算することにより、前記各半導体素子の接合部温度を算出する、接合部温度算出部と、を備えることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
〔第1実施形態〕
第1実施形態は、半導体素子に温度測定用ダイオードを形成し、この温度測定用ダイオードの順方向電圧降下の温度特性から温度測定用ダイオードが設けられている位置の温度を求めるとともに、同一半導体素子の電流センス機能から半導体素子を流れる電流を測定することにより、この半導体素子に印加されている電力を求める。そして、前記温度と前記電力に基づいて演算を行い、半導体素子の接合部の温度を高い精度で算出しようとするものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0016】
図1は、本実施形態に係る温度検出機能付き半導体装置の構成を説明する図であり、図2は、この半導体装置において接合部の温度を算出するために行われる処理を説明するフローチャートを示す図である。
【0017】
図1に示すように、トランジスタ110と温度測定用ダイオード120とが、1つの半導体素子100に形成されている。つまり、トランジスタ110の近傍に、温度測定用ダイオード120が設けられている。本実施形態では、トランジスタ100はIGBTであり、半導体層の上に絶縁膜を介してゲート電極が形成されているMIS系の半導体素子である。
【0018】
温度測定用ダイオード120は、これが設けられている位置の温度測定をするためのダイオードであり、温度検出回路130が接続されている。温度検出回路130は、温度測定用ダイオード120に定電流を流し、その際の温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下を測定する(図2のステップS10)。そして、温度検出回路130は、温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下の温度特性に基づいて、半導体素子100の温度測定用ダイオード120の形成されている位置の温度を求める(図2のステップS20)。続いて、この温度の尺度を、後に求める補正温度T2の尺度に合うように変換して、温度データT1を生成し、演算部140に出力する(図2のステップS30)。
【0019】
また、半導体素子100には電流センス機能が付加されている。すなわち、トランジスタ110には、主エミッタMEの他に、電流センス用エミッタSEが設けられている。電流センス用エミッタSEを流れる電流は、一般的に、主エミッタMEの10000分の1程度である。この電流センス用エミッタSEから、抵抗150にセンス電流を流し、電流検出回路160がこのセンス電流を検出する(図2のステップS40)。電流検出回路160は、このセンス電流を、電流データIdとして演算部140に出力する。
【0020】
演算部140は、この電流データIdを電圧に変換し、このセンス電流と電圧とから、半導体素子100のトランジスタ110に印加される電力を算出する(図2のステップS50)。次に、演算部140は、この電力に所定の定数を乗算することにより、補正温度T2を算出する(図2のステップS60)。この補正温度T2を温度データT1に加算して、精度の高い接合部温度T3を得る(図2のステップS70)。
【0021】
この理論を図3に基づいて説明する。図3は、半導体素子100の断面を模式的に示す図である。この図3に示すように、例えば、P型の半導体基板200の上に、N型の半導体層205が形成されており、この半導体層205の上にN型の半導体層210が形成されている。そして、この半導体層210の表面に温度測定用ダイオード120が設けられている。また、半導体層205には、上述したトランジスタ110が作り込まれている。そして、これら半導体基板200と半導体層210との間がPNジャンクションである接合部220となる。つまり、半導体層205が全体的に熱源となる。一般に、半導体素子においては、この接合部220の定格温度、つまり正常に動作をすることを保証する最高温度が定められている。
【0022】
本実施形態においても、この接合部220と温度測定用ダイオード120との間には、半導体層210の厚さ分の距離がある。ここでは、この温度測定用ダイオード120と接合部220との間の熱抵抗をTr(℃/W)とする。この熱抵抗は製品の種類毎に予め分かっている定数である。
【0023】
演算部140では、電流検出回路160からの電流データIdに基づいて算出した電力を、この熱抵抗Trに乗算することにより、半導体層210の厚さ分の温度誤差を、補正温度T2として算出する。したがって、この補正温度T2を、温度データT1に加算することにより、精度の高い接合部220の温度である接合部温度T3が算出できるのである。
【0024】
図4は、本実施形態に係る演算部140の構成をより詳細に示す図である。この図4に示すように、本実施形態に係る演算部140は、CPU等から構成されたマイクロコンピュータ230と、このマイクロコンピュータ230に接続されたメモリ240とを備えて構成されている。
【0025】
マイクロコンピュータ230は、上述したように、電流検出回路160から電流データIdを取得し、その電流値をメモリ240に送信する。メモリ240には、電流値に対応する補正温度T2がテーブル形式で格納されており、このため、メモリ240は受信した電流値に対応する補正温度T2を、マイクロコンピュータ230に返信する。先の説明では、電流データIdからトランジスタ110に印加される電力を算出して補正温度T2を求めると説明したが、この図4の例ではより処理を簡略化するために、予めメモリ240に電流値対補正温度のテーブルを格納しておくこととしている。
【0026】
補正温度T2を取得したマイクロコンピュータ230は、この補正温度T2を、温度検出回路130から取得した温度データT1に加算して、接合部温度T3を求める。本実施形態においては、この接合部温度T3を、半導体装置の外部に出力する。例えば、図示しない制御回路にこの接合部温度T3を出力することにより、必要な制御を、この半導体素子100に加えることができる。
【0027】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置によれば、温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下から算出された温度データT1に、電流センス用エミッタSEから得られたセンス電流に基づいて算出した補正温度T2を加算して、接合部温度T3を求めることとした。このため、精度の高い接合部温度T3を得ることができるようになる。また、サーミスタではなくダイオード120を用いて温度検出をするようにしたので、温度測定の応答性も格段に速くすることができる。
【0028】
〔第2実施形態〕
第2実施形態は、第1実施形態で算出された接合部温度T3が、任意に設定された温度以上になった場合には、半導体素子100の温度保護を図るために、トランジスタ110の駆動を停止するようにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0029】
図5は、第2実施形態に係る温度検出機能付き半導体装置の構造を示す図であり、上述した図1に対応する図である。この図5に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、演算・保護回路170とゲートドライブ回路180とを備えている点が、上述した第1実施形態と相違する。
【0030】
演算・保護回路170は、第1実施形態における演算部140と同等の機能を有しているとともに、接合部温度T3が、予め設定された所定の温度Tset以上になった場合には、停止信号STPをゲートドライブ回路180に送出する機能を有している。演算・保護回路170は、接合部温度T3を監視し、この接合部温度T3が所定の温度Tset以上である間は、停止信号STPを出力し続ける。
【0031】
ゲートドライブ回路180は、トランジスタ110を駆動するための回路であり、駆動信号DRVを、トランジスタ110のゲートGに出力している。また、演算・保護回路170から停止信号STPが入力された場合には、ゲートドライブ回路180は、駆動信号DRVの出力を停止する。この停止信号STPが入力され続けている間は、ゲートドライブ回路180は駆動信号DRVの出力を停止し、やがて停止信号STPの入力がなくなった時点で駆動信号DRVの出力を再開する。
【0032】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置によっても、上述した第1実施形態と同様に、接合部温度T3を高い精度で算出することができる。また、接合部温度T3に基づいて半導体素子100の温度保護を行うことにより、精度の高い温度保護を実現することができ、半導体素子100の能力を余すことなく使用することができる。すなわち、この半導体素子100の最大定格の温度に対して、大きなマージンを設けて演算・保護回路170の温度Tsetを設定する必要がなくなる。つまり、小さなマージンで温度Tsetを設定したとしても、半導体素子100の接合部温度が最大定格を超えることにより半導体素子100が破壊されたり、信頼性寿命を著しく損ねたりすることがなくなる。
【0033】
〔第3実施形態〕
第3実施形態は、上述した第1実施形態又は第2実施形態の半導体素子100を、ケース内に搭載してパッケージ化することにより、ディスクリートタイプの半導体パッケージにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0034】
図6は、本実施形態に係る半導体パッケージ300の構成を説明するために、半導体パッケージ300の一部を切り欠いて示す斜視図である。この図6に示すように、半導体素子100は、ケース310の内部で、熱伝導のよい導体(例えば、銅など)の上に載せられており、エポキシ系の樹脂でモールドされている。この図6では、エポキシ系の樹脂は透過した状態を示している。また、この半導体素子100の隣には、プリント基板320が設けられている。
【0035】
上述した半導体素子100のゲートGは、この半導体パッケージ300のゲート端子330に接続されており、メインエミッタMEは2つのメインエミッタ端子332に接続されており、電流センス用エミッタSEは電流センス用エミッタ端子334に接続されており、コレクタCは2つのコレクタ端子336に接続されている。
【0036】
プリント基板320には、半導体素子100における温度測定用ダイオード120のアノードとカソードに接続した温度検出回路130が設けられている。また、電流センス用エミッタSEとメインエミッタMEとの間に接続した抵抗150も設けられている。さらに、本実施形態を上述した第1実施形態に適用した場合には、プリント基板320上に、演算部140が設けられる。一方、本実施形態を上述した第2実施形態に適用した場合には、プリント基板320上に、演算・保護回路170とゲートドライブ回路180とが設けられる。
【0037】
接合部温度T3は、電圧値に変換されて、温度情報出力端子340、342から出力される。この電圧値への変換は、例えば、演算部140や演算・保護回路170が行う。
【0038】
以上のように本実施形態に係る半導体パッケージ300によれば、高い精度の接合部温度T3に関する情報を、温度情報出力端子340、342から取得することができる。
【0039】
〔第4実施形態〕
第4実施形態は、上述した第1実施形態又は第2実施形態の半導体素子100を、ケース内に搭載してパッケージ化することにより、モジュールタイプの半導体パッケージにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0040】
図7は、本実施形態に係る半導体パッケージ400の構成を説明するための斜視図である。この図7に示すように、半導体素子100は、ケース410の内部で、絶縁基板420の上に載せられている。また、上述したプリント基板は、この半導体パッケージ400の蓋部430に搭載されている。このプリンタ基板に搭載されている回路や素子は、上述した第3実施形態と同様である。
【0041】
以上のように本実施形態に係る半導体パッケージ400によっても、高い精度の接合部温度T3を取得することができる。
【0042】
〔第5実施形態〕
第5実施形態は、複数の半導体素子100を並列に接続することにより、大きな電力の制御に用いることができるようにした半導体装置において、個々の半導体素子100の接合部温度T3を求め、この接合部温度T3に基づいて個々の半導体素子100の駆動を制御することにより、並列接続された半導体素子100の温度バランスをとるようにしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
【0043】
図8は、本実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。この図8に示すように、本実施形態に係る半導体装置においては、複数の半導体素子100が並列に接続されている。このためこの半導体装置は、複数の半導体素子100を用いて大きな電力の制御をすることが可能である。
【0044】
各半導体素子100は、上述した第1及び第2実施形態と同様に、温度検出回路130と電流検出回路160とに接続されている。また、各半導体素子100の電流センス用エミッタSEとメインエミッタMEとの間には、抵抗150が接続されている。
【0045】
上述した第1実施形態と同様に、各温度検出回路130は、温度データT1を、それぞれに設けられている演算部140に出力する。また、電流検出回路160は、電流データIdをそれぞれの演算部140に出力する。そして、演算部140は、それぞれ、各半導体素子100の接合部温度T3を算出し、ゲートドライブ回路500に出力する。
【0046】
ゲートドライブ回路500は、各トランジスタ110のそれぞれのゲートGに駆動信号DRVを出力している。そして、それぞれの接合部温度T3に基づいて、トランジスタ110の駆動制御を行う。
【0047】
より具体的には、本実施形態に係るゲートドライブ回路500は、マイクロコンピュータを内蔵しており、得られた接合部温度T3に基づいて、各半導体素子100の駆動を制御する。例えば、ある1つの半導体素子100の接合部温度T3が、他の半導体素子100の接合部温度T3よりも高ければ、この半導体素子100の駆動を一時的に停止する。つまり、この半導体素子100への駆動信号DRVの出力を一時的に停止する。
【0048】
また、例えば、ある1つの半導体素子100の接合部温度T3が、他の半導体素子100の接合部温度T3よりも低ければ、この半導体素子100の駆動割合を他の半導体素子100よりも高くする。このようにして、ゲートドライブ回路500は、複数の半導体素子100の温度バランスが均一になるように制御する。
【0049】
なお、本実施形態においても、上述した第1及び第2実施形態と同様に、各半導体素子100の接合部温度T3を外部に出力するようにすることもできる。
【0050】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置によっても、上述した第1及び第2実施形態と同様に、複数の半導体素子100のそれぞれの接合部温度T3を高い精度で算出することができる。また、接合部温度T3に基づいて複数の半導体素子100の駆動制御をすることとしたので、複数の半導体素子100の間の温度バランスを保つようにすることができる。
【0051】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態においては、演算部140は温度に基づいて演算を行うこととしたが、温度ではなく電圧値のまま演算を行うようにしてもよい。但し、この場合、温度検出回路130が検出した温度測定用ダイオード120の順方向電圧降下の電圧値と、電流検出回路160が検出したセンス電流に基づく電圧値とが、同じ尺度になるようにしなければならない。
【0052】
また、図4においては、マイクロコンピュータ230を用いて接合部温度T3を算出することとしたが、この算出は必ずしもマイクロコンピュータ230で行う必要はない。例えば、オペアンプなどにより必要な演算を行い、電圧値として出力するようにしてもよい。
【0053】
また、上述した実施形態におけるトランジスタ110は、半導体スイッチング素子の一例であり、他の構造の素子を半導体スイッチング素子として用いることもできる。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置によれば、精度の高い接合部の温度算出をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。
【図2】図1の半導体装置において、接合部温度を算出するために行われる処理を説明する図。
【図3】第1実施形態に係る半導体装置の断面を模式的に示す図。
【図4】第1実施形態に係る半導体装置の演算部の構成の一例を示す図。
【図5】第2実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。
【図6】第3実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図であり、半導体装置の一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図7】第4実施形態に係る半導体装置の構成を説明する斜視図である。
【図8】第5実施形態に係る半導体装置の構成を説明する図である。
【図9】温度測定にサーミスタを用いた従来の半導体装置を示す図である。
【図10】温度測定にサーミスタを用いた別の従来の半導体装置を示す図である。
【図11】温度測定にダイオードを用いた従来の半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
100 半導体素子
110 トランジスタ
120 温度測定用ダイオード
130 温度検出回路
140 演算部
150 抵抗
160 電流検出回路
Claims (8)
- 半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の温度を測定するために半導体スイッチング素子の近傍に設けられた温度測定用ダイオードとを少なくとも含む半導体素子と、
前記温度測定用ダイオードの順方向電圧降下に基づいて、前記温度測定用ダイオードの位置の温度を、基準温度として算出する、基準温度算出部と、
前記半導体スイッチング素子の電流センス用エミッタから流れるセンス電流に基づいて、補正温度を算出する、補正温度算出部と、
前記基準温度に前記補正温度を加算することにより、接合部温度を算出する、接合部温度算出部と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記接合部温度算出部の算出した接合部温度を外部に出力することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記接合部温度算出部の算出した接合部温度に基づいて、前記半導体スイッチング素子の駆動を制御する、駆動制御部を、さらに備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 並列に接続された複数の半導体素子であって、それぞれが、半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の温度を測定するために半導体スイッチング素子の近傍に設けられた温度測定用ダイオードとを少なくとも含む半導体素子と、
前記各半導体素子における前記温度測定用ダイオードの順方向電圧降下に基づいて、前記温度測定用ダイオードの位置の温度を、基準温度として、各半導体素子毎に算出する、基準温度算出部と、
前記各半導体素子における前記半導体スイッチング素子の電流センス用エミッタから流れるセンス電流に基づいて、各半導体素子毎に補正温度を算出する、補正温度算出部と、
前記各半導体素子の前記基準温度に前記各半導体素子の前記補正温度を加算することにより、前記各半導体素子の接合部温度を算出する、接合部温度算出部と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記接合部温度算出部の算出した前記各半導体素子の接合部温度を外部に出力することを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記接合部温度算出部の算出した前記各半導体素子の接合部温度に基づいて、前記半導体スイッチング素子の駆動を各半導体素子毎に制御する、駆動制御部を、さらに備えることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体装置。
- 前記半導体スイッチング素子は、MIS系のトランジスタであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記補正温度算出部は、前記センス電流に基づいてその半導体スイッチング素子に印加される電力を算出し、この電力を、前記温度測定用ダイオードから前記半導体素子の接合部までの間の熱抵抗に乗算することにより、前記補正温度を算出する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
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