JPH0854427A - 半導体素子の電流検出装置 - Google Patents

半導体素子の電流検出装置

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JPH0854427A
JPH0854427A JP6187979A JP18797994A JPH0854427A JP H0854427 A JPH0854427 A JP H0854427A JP 6187979 A JP6187979 A JP 6187979A JP 18797994 A JP18797994 A JP 18797994A JP H0854427 A JPH0854427 A JP H0854427A
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Noriyasu Terasawa
徳保 寺沢
Hiroyuki Kawakami
浩之 川上
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) な
どの半導体素子10に流れる電流をその使用中に温度が変
動した際にもそれによる温度誤差なく正確に検出できる
ようにする。 【構成】半導体素子10の主電流の一部を検出抵抗20に流
してその両端電圧を検出電圧Vdとして取り出し、電流供
給手段30により検出電圧Vrがもつ温度係数に正負の符号
と大きさを合致させた温度係数をもつ電流Isを発生して
別の抵抗40に与えて電圧降下を参照電圧Vrとして取り出
し、コンパレータ50等の手段を用いて検出電圧Vdと参照
電圧Vrの差をとることによって検出電圧Vdがもつ温度依
存性を補償しながら半導体素子10の電流を正確に検出す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電力用の絶縁ゲートバイ
ポーラトランジスタ等の半導体素子に流れる電流を過電
流保護や制御の目的のため温度依存性を補償しながら正
確に検出する電流検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述の電力用の絶縁ゲートバイポーラト
ランジスタ（IGBTと略称する）や電界効果トランジスタ
(FETと略称する）等の半導体素子は例えばモータ駆動用
のインバータ装置に広く採用されているが、その負荷駆
動力を制御し，あるいはそれを過電流から保護するには
半導体素子に実際に流れている電流をできるだけ正確に
検出する必要がある。この電流検出には半導体素子の主
電流回路に低い抵抗値の検出抵抗を挿入するのが通例で
あるが、これと半導体素子のチップとの間に必ず温度差
がつくため検出誤差の発生が避けられず、かつかなりの
低抵抗であってもそれによる電力損失が無視できない。
【０００３】このため、上述のIGBTや FET等の半導体素
子が最近ではごく小形の単位構造を数十〜数百回繰り返
して構成されることを利用して、ふつうは１個の単位構
造を電流検出用に振り当ててそれから小さな検出電流を
引き出すことにより温度差による検出誤差と電力損失を
同時に減少させる手段がとられるようになって来た。図
５にかかる従来技術を回路図により示し、図６に半導体
素子とその関連回路を組み込んだモジュールの構造例を
断面図により示す。
【０００４】図５に示された半導体素子10はIGBTであっ
て、通例のようにコレクタ端子Tcとエミッタ端子Teとゲ
ート端子Tgがこれから導出されるほか、上述の電流検出
用の単位構造であるその補助エミッタ10ａから検出端子
Tdが導出される。この半導体素子10は例えばインバータ
装置に組み込まれて数百Ｖの電源１の電圧Ｖを受けるふ
つう誘導性の負荷２を駆動するので、フリーホイーリン
グ用のダイオード11がそれとは逆並列に接続されてい
る。この半導体素子10を例えばオンオフ駆動するデュー
ティ比を制御するために、制御信号Scを受ける制御回路
３と駆動回路４が設けられており、半導体素子10はその
ゲート端子Tgに例えばオンオフを指定する駆動指令を駆
動回路４から受ける。
【０００５】検出端子Tdと接地点の間に小さな検出抵抗
20を接続してこれに半導体素子10の主電流に比例する電
流を補助エミッタ10ａからこれに流して検出電圧Vdを作
る。コンパレータ50はこの検出電圧Vdを参照用の基準電
圧Vrと比較して前者が後者を越えたときこの例では過電
流状態を示す検出信号Sdを制御回路３に与える。制御回
路３はこれに応じた駆動指令を駆動回路４を介し半導体
素子10に与えて、最も簡単には負荷電流を遮断するよう
半導体素子10をオフさせ, あるいはそれを絞るようオン
オフのデューティ比の指定値を下げる。
【０００６】図６に示すモジュールでは、銅等の金属か
らなるヒートシンク用のベース71を用いてその上面にセ
ラミックの配線基板72をはんだ付け等により接合し、こ
れに半導体素子10とダイオード11をチップの状態で実装
してボンディング線74により配線基板72と所定の接続を
施す。図５の制御回路３, 駆動回路４, 検出抵抗20,コ
ンパレータ50等の小電力部分は集積回路60のチップに作
り込んで例えば樹脂の配線基板73に実装した上で、図示
の例では支持板75を介して配線基板72の上側に固定して
図示しない手段で配線基板72と接続する。さらに、図で
は細線で簡略に示す樹脂のケース76をベース71に固定し
て、その内側に樹脂77を液状で注入した後に加熱等によ
り硬化させてモジュールの完成状態とする。
【０００７】以上の従来技術では、半導体素子10に単位
構造を利用して補助エミッタ10ａを設けることにより電
流を温度差による誤差なく正確に検出でき、図６の構造
では電力用半導体素子10とダイオード11の上側に小電力
部分用の集積回路60を重ねて配設することによりモジュ
ールを小形化できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
半導体素子10に流れる主電流の一部を利用する電流検出
手段でも、素子自体の温度が使用中に変動すると検出値
に温度誤差が生じて来る問題があり、電流検出値に基づ
いて半導体素子10に従来より精密な制御を施し，あるい
は合理的な保護を施す上で支障になって来た。この温度
誤差の発生原因は半導体素子10の内部のpn接合の順方向
電圧が接合の温度に対して半導体のバンドギャップによ
る周知のほぼ２mV／℃の負の温度係数をもつている点に
あり、このため半導体素子10から上述の電流を受ける検
出抵抗20による検出電圧Vdには回路条件等に応じて程度
は異なるがふつうは正の温度誤差が発生する。
【０００９】本発明の目的は、かかる問題点を解決して
半導体素子に正確な制御や合理的な保護を施し得るよう
に、半導体素子の温度が使用中に変動した際にもその電
流を従来より高い精度で検出できるようにすることにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電流検出装置に
よれば、半導体素子に接続されてその主電流の一部を受
ける検出抵抗の両端電圧を検出電圧として取り出すとと
もに、電流供給手段を設けてそれから温度依存性をもつ
電流を別の抵抗に供給してその電圧降下を参照電圧とし
て取り出し、これらの検出電圧と参照電圧の差から半導
体素子の電流を検出することによって達成される。
【００１１】なお、検出電圧は前述のようにふつう正の
温度依存性をもっているから、上記構成にいう電流供給
手段により正の温度依存性をもつ電流を作って参照電圧
用の抵抗に供給するのがよい。最も簡単にはこの電流供
給手段としてダイオード等のpn接合を含む回路要素を用
い、それと参照電圧用の抵抗との直列回路に定電圧をpn
接合に対して順方向に給電することでよい。また、この
回路要素としてのダイオード等は必要に応じた個数だけ
直列接続するのがよい。さらに、この電流供給手段を温
度依存性をもつ電流を発生するバンドギャップ回路と,
この電流を基準電流とする従動電流を参照電圧用の抵抗
に対し供給する電流ミラー回路とを組み合わせて構成す
るようにしてもよい。
【００１２】本発明装置では上述の検出電圧と参照電圧
の差をコンパレータにより比較してその比較出力を半導
体素子の過電流保護に用いることができ、あるいは両電
圧を例えば演算増幅器に与えて両者の差動増幅出力を電
流検出信号として取り出して半導体素子に種々な制御を
施すため設けられる制御回路に対する入力信号として用
いることができる。
【００１３】本発明による電流検出装置をモジュール化
する際には、半導体素子と電流供給手段をチップの形態
で金属ベースと熱的に密に結合された絶縁基材を用いる
配線基板に実装するのが電流検出値の温度誤差を減少さ
せる上で有利であり、さらにこれを半導体素子および電
流供給手段のチップ実装用の共通配線基板とし、かつそ
の絶縁基材として熱伝導が良好なセラミック板を用いる
のが電流検出値の温度誤差を一層減少させる上で非常に
有利である。
【００１４】
【作用】半導体素子の電流の検出電圧が上述のように正
方向の温度依存性をもつ場合はそれを逆の負方向の温度
依存性を利用して補償するのがふつうであるが、本発明
装置では前項中の構成にいう参照電圧を発生させて、検
出電圧との差から半導体素子の電流を検出することによ
り検出電圧の温度依存性を補償する手段を採る。これに
より、参照電圧には検出電圧と正負の方向が同じ温度依
存性を賦与すればよくなるので、本発明では参照電圧の
温度依存性を検出電圧がもつ温度依存性と容易に適合さ
せ, 従ってそれを正確に補償することができる。
【００１５】すなわち本発明は、検出電圧を半導体素子
の主電流の一部を受ける検出抵抗の両端電圧として取り
出す点は従来と同様であるが、それと同じ正負方向の所
定の温度依存性をもつ電流を発生する電流供給手段を設
けて、その電流を受ける別の抵抗の電圧降下を参照電圧
として取り出し、この参照電圧と検出電圧の差を演算増
幅器やコンパレータを用いてとることにより半導体素子
の電流を温度依存性をほぼ完全に補償して検出できるよ
うにするものである。
【００１６】
【実施例】以下、図を参照しながら本発明の実施例を説
明する。図１に本発明の電流検出装置を半導体素子の過
電流保護に適用した実施例を，図２に本発明装置を半導
体素子の制御に適用した実施例を，図３に図２の実施例
に対応する電流供給手段の回路構成例をそれぞれ回路図
で示し、図４に本発明装置をモジュール化する際の若干
の構造例を要部の断面図で示す。なお、これらの前に説
明した図５や図６に対応する部分には同じ符号が付けら
れているので、冗長を避けるため重複部分に対する説明
は適宜省略することとする。
【００１７】図１の半導体素子10は図５と同様にIGBTで
あり、フリーホイーリング用のダイオード11がこれに逆
並列接続されており、そのゲート端子Tgは制御回路３に
より駆動回路４を介して制御されている。また、検出抵
抗20は図５の従来例と同様に半導体素子10の補助エミッ
タ10ａから導出された検出端子Tdと接続されて電源１か
ら負荷２を介して半導体素子10に流れる主電流の一部を
受け、それによる両端電圧が検出電圧Vdとしてコンパレ
ータ50の一方の入力に与えられている。前述のようにこ
の検出電圧Vdはふつうは正の温度依存性をもっている。
【００１８】図では左側に一点鎖線で囲んで示された電
流供給手段30は、コンパレータ50の他方の入力に接続さ
れた別の抵抗40に所定の温度依存性をもつ電流Isを供給
するもので、この供給電流Isに温度依存性を賦与するた
めにこの実施例ではpn接合を含む回路要素としてダイオ
ード31をこれに組み込んで、そのほぼ２mV／℃である負
の温度依存性をもつ順方向電圧を利用する。このほか、
図１の例では電流供給手段30に定電圧源30ａを組み込ん
で制御用の電源電圧Vsから定電圧Vcを作らせてダイオー
ド31に対して順方向に与え、それに流れる正の温度依存
性をもつ一定の電流を供給電流Isとして直列抵抗32を介
して出力させる。
【００１９】この電流供給手段30から供給電流Isを受け
る抵抗40の電圧降下が参照電圧Vrとされるが、本発明で
はその温度係数の正負および値を前述の検出電圧Vdとで
きるだけ正確に合わせておいた上で両電圧VrとVdの差を
とることにより, この図１の実施例では差の正負をコン
パレータ50により判定することによって検出電圧Vdがも
っている温度依存性を補償する。この図１のように電流
供給手段30を構成した場合は、ダイオード31の順方向電
圧Vfがもつ温度係数αによりこの参照電圧Vrに温度依存
性が生じるが、その温度係数をβとすると次式で与えら
れる。
【００２０】β＝−ｒα(Vf/Vr) ただし、ｒは抵抗32と40の抵抗値をそれぞれ R32と R40
とすると、 ｒ＝R40/(R40+R32) によって与えられる。これからわかるように、ダイオー
ド31の順方向電圧Vfの温度係数αが負のとき参照電圧Vr
の温度係数βは正となり、その大きさを検出電圧Vdがも
つ温度係数と合わせるよう参照電圧Vrの値や抵抗32, 40
の抵抗値により適宜に設定することができ、さらには必
要に応じ複数のダイオード31を直列に接続して順方向電
圧Vfを増加させ温度係数βを大きく設定することもでき
る。なお、電流供給手段30から出力される供給電流Isも
同じ温度係数βをもつ。また、上式中のｋは抵抗値比で
決まるから温度依存性がないが、温度係数βを上式どお
りに正確に設定するにはこの実施例では定電圧源30ａに
温度依存性をもたない定電圧Vcを発生させるのが望まし
い。もっともかかる定電圧Vcが別途に得られる場合は電
流供給手段30から定電圧源30ａを省略することができ
る。
【００２１】コンパレータ50は以上のような所定の温度
依存性をもつ参照電圧Vrに対し検出電圧Vdを比較して後
者が前者に達したとき半導体素子10の過電流状態を示す
検出信号Sdを出力するので、制御回路３はこれを受けて
半導体素子10を駆動回路４を介しオフ動作させて負荷２
から流入する負荷電流を遮断させ、あるいはそのオンオ
フ動作のデューティ比を下げて負荷電流を絞らせる。本
発明では参照電圧Vrと検出電圧Vdの温度依存性をほぼ合
致させるので、この実施例では半導体素子10に従来より
正確な過電流保護を施すことができる。
【００２２】次の図２に示す実施例では、本発明装置を
半導体素子10の制御に利用するため演算増幅器51により
検出電圧Vdと参照電圧Vrの差をとって半導体素子10の電
流のアナログ値を示す検出信号Sdとして制御回路３に与
える。従って演算増幅器51は差動増幅用であり、検出信
号Vdを受けるその一方の入力に直列に入力抵抗52が,こ
れと出力との間に帰還抵抗53がそれぞれ接続される。こ
のほか、図示の例では半導体素子10として電力用の FET
が用いられ、かつ電流供給手段30として所定の温度依存
性をもつ電流Isを発生する定電流源が用いられる。
【００２３】電力用 FETは図１のIGBTと同様に複数個の
単位構造から構成されるのが通例なので、その内の例え
ば１個を補助ソース10ｂに振り当て、それから検出端子
Tdを導出して検出抵抗20を接続することでよい。また、
図２の例ではこの FETの内蔵ダイオードがフリーホイー
リング用のダイオード11として利用される。電流供給手
段30としての定電流源は図１の定電圧源30ａによく用い
られるバンドギャップリファレンス回路を利用して正の
温度依存性をもつ定電流を発生させて抵抗40に直接に与
えるようにしたものであり、図３にその具体構成例を示
す。
【００２４】図３の左下部に示されたバンドギャップ回
路33は、通例のように一対のトランジスタ33ａと33ｂを
共通ベース接続し, ベース・エミッタ間の電流密度を互
いに異ならせたもので、コレクタ抵抗の相互接続点に温
度依存性をもたない定電圧がトランジスタ34のベース・
エミッタ間電圧を利用して作られる。しかし、バンドギ
ャップ回路33に流れ込む電流は正の温度依存性をもつの
で、トランジスタ35のベースをトランジスタ34のコレク
タ電位で制御してこの電流を一定に保ちながら電流ミラ
ー回路36の基準側トランジスタ36ｒに流して、従動側ト
ランジスタ36ｆから正の温度係数をもつ一定の電流Isを
取り出すものである。
【００２５】電流供給手段30としてのこの図３の定電流
源では、トランジスタ33ａと33ｂのベース・エミッタ間
の電流密度比をｎとし, トランジスタ33ｂのエミッタ抵
抗に対するコレクタ抵抗の抵抗値比をｒとすると、これ
らにより電流Isに対し次式で表される正の温度係数βを
正確に設定することができる。 β＝ｒ(k/q)Ln(ｎ) ただし、ｋはボルツマン常数, ｑは電気素量, Lnは自然
対数である。
【００２６】図２に帰って、電流供給手段30からかかる
電流Isを受ける抵抗40の電圧降下である参照電圧Vrは上
式と同じ正の温度係数βをもち、演算増幅器51はこれと
検出電圧Vdとの差を増幅した検出信号Sdを出力するの
で、これを受ける制御回路３はその信号値に応じて種々
な制御を半導体素子10に施すことができる。この図２の
実施例では、電流Isの温度依存性を検出電圧Vdの温度依
存性に正確に適合させて半導体素子10に対する制御精度
を従来より向上することができる。
【００２７】ついで図４を参照して図１および図２の電
流検出装置をモジュール化する際の構造例を説明する。
いずれの構造例でも半導体素子10等の本発明装置を構成
する部分はチップの形態で配線基板に実装されるものと
し、モジュールには複数個の半導体素子10を組み込むの
が通例であるが、図には１個分が，かつ図６で細線で示
した部分を除くモジュールの要部のみが示されている。
【００２８】図４(a) は図１の実施例に対応するモジュ
ール70の要部断面図であり、従来と同様にヒートシンク
としての例えば銅の金属ベース71にアルミナ等のセラミ
ック基材の配線基板72を熱的に密に結合，例えばはんだ
付けにより接合し、その上に半導体素子10およびダイオ
ード11のチップを実装してその発熱を熱伝導率が高いセ
ラミック配線基板72を通して金属ベース71に導き、ふつ
うその下面に取り付けられる図示しない放熱体から放散
させる。図１の内の制御回路３，駆動回路４，電流供給
手段30，コンパレータ50および抵抗類は前述のように集
積回路装置60のチップに組み込まれるが、本発明では前
述のように温度誤差を補償する上で電流供給手段30を半
導体素子10と同じ温度に保つのが有利なので、ベース71
と熱的に密に結合された配線基板73にこれを実装する。
しかし、集積回路60の内部発熱はごく僅かであるから、
この図４(a) の実施例では樹脂基材の配線基板73を用い
て例えば接着によりベース71と密に結合する。
【００２９】図４(b) は図２の実施例に対応するモジュ
ール70の要部の断面図である。この構造例でも金属ベー
ス71にセラミック基材の配線基板72が接合されるが、 F
ETである半導体素子10がダイオード11を内蔵しているの
でそのチップだけを実装することでよい。さらに、この
構造例では図２の電流供給手段30としての定電流源や演
算増幅器51を含む集積回路60のチップも同じ配線基板72
に実装することにより図のようにモジュール70の小形化
が図られている。
【００３０】以上のように、本発明の電流検出装置をモ
ジュール化するに際しては、半導体素子10と，電流供給
手段30を含む集積回路60とをいずれもチップの形態でヒ
ートシンクとしての金属ベース71に熱的に密に結合され
た絶縁性の配線基板72や73に実装することにより、両者
をほぼ同温度に置いて電流検出上の温度誤差を正確に補
償することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明では、検出抵抗
により半導体素子の主電流の一部から検出電圧を作ると
ともに、電流供給手段から所定の温度依存性をもつ電流
を別の抵抗に供給して参照電圧を作り、差動動作のコン
パレータや演算増幅器等により検出電圧と参照電圧の差
をとって電流の検出信号を作ることにより、検出電圧が
もっている温度依存性を参照電圧により補償ないしは相
殺するようにしたので、 (a) 使用中に半導体素子の温度が変動した際にもその電
流を常に正確に検出して半導体素子の過電流保護や負荷
電流の制御の精度を高めることができる。また、 (b) 本発明装置では電流供給手段に検出電圧と同方向
の，例えば正の温度係数をもつ電流を発生させればよい
ので、その温度係数を検出電圧の温度係数と容易に合わ
せて電流検出の温度誤差を非常に正確に補償できる。
【００３２】なお、電流供給手段としてダイオード等の
pn接合を含む回路要素を用いて参照電圧用の抵抗との直
列回路に定電圧をpn接合に対し順方向に与える本発明の
実施態様は、比較的簡単な回路構成で発生電流の温度係
数を検出電圧と正確に合わせ得る利点を有する。また、
この電流供給手段を温度依存性をもつ電流を発生するバ
ンドギャップ回路とその電流を基準電流とする従動電流
を抵抗に供給する電流ミラー回路を組み合わせて構成す
る実施態様は、発生電流にもたせる温度係数を検出電圧
と一層正確に合わせ得る利点を有する。
【００３３】さらに、本発明装置をモジュール化する際
に半導体素子および電流供給手段をいずれもチップの形
態で金属ベースと熱的に密に結合された配線基板に実装
する態様は、半導体素子と電流供給手段を常にほぼ同じ
温度に保って電流検出の温度誤差を一層減少させ、しか
もモジュールを小形化できる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電流検出装置を半導体素子の過電
流保護に適用した実施例を示す回路図である。
【図２】本発明装置を半導体素子の制御に適用した実施
例を示す回路図である。
【図３】図２の実施例における電流供給手段の具体構成
例を示す回路図である。
【図４】本発明装置をモジュール化する際の構造例を示
し、同図(a) は図１の実施例に対応するモジュールの構
造例を示す要部断面図、同図(b) は図２の実施例に対応
するモジュールの構造例を示す要部断面図である。
【図５】従来の電流検出装置の例を示す回路図である。
【図６】図５の電流検出装置のモジュール化構造を示す
断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子の負荷用の電源 ２ 半導体素子の負荷 ３ 半導体素子に対する制御回路 ４ 半導体素子に対する駆動回路 10 半導体素子 20 半導体素子を流れる電流の検出抵抗 30 電流供給手段 30ａ 電流供給手段用の定電圧源 31 pn接合を含む回路要素としてのダイオード 33 電流供給手段としての定電流源用のバンドギャ
ップ回路 36 電流供給手段としての定電流源用の電流ミラー
回路 40 電流供給手段から電流を受ける抵抗 50 コンパレータ 51 演算増幅器 60 電流供給手段を含む集積回路 70 電流検出装置を組み込んだモジュール 71 モジュールの金属ベース 72 セラミック基材の配線基板 73 樹脂基材の配線基板 Is 電流供給手段から供給される電流 Sd 半導体素子の電流の検出信号 Td 半導体素子の電流の検出端子 Vd 検出電圧 Vr 参照信号
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｋ 17/60

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子に接続されてその主電流の一部
    を受ける検出抵抗の両端電圧を検出電圧として取り出
    し、電流供給手段から温度依存性をもつ電流を抵抗に供
    給してその電圧降下を参照電圧として取り出し、検出電
    圧と参照電圧の差から検出電圧がもつ温度依存性を補償
    した半導体素子の電流を検出するようにしたことを特徴
    とする半導体素子の電流検出装置。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の装置において、電流供給
    手段としてpn接合を含む回路要素を用いて参照電圧用の
    抵抗との直列回路に定電圧をpn接合に対して順方向に与
    えるようにしたことを特徴とする半導体素子の電流検出
    装置。
  3. 【請求項３】請求項２に記載の装置において、pn接合を
    含む回路要素としてダイオードを所定の個数だけ直列に
    接続するようにしたことを特徴とする半導体素子の電流
    検出装置。
  4. 【請求項４】請求項１に記載の装置において、電流供給
    手段を温度依存性をもつ電流を発生するバンドギャップ
    回路とこの電流を基準電流とする従動電流を抵抗に供給
    する電流ミラー回路を組み合わせて構成するようにした
    ことを特徴とする半導体素子の電流検出装置。
  5. 【請求項５】請求項１に記載の装置において、検出電圧
    と参照電圧とをコンパレータにより比較してその比較出
    力を半導体素子に対する過電流保護に用いるようにした
    ことを特徴とする半導体素子の電流検出装置。
  6. 【請求項６】請求項１に記載の装置において、検出電圧
    と参照電圧とを演算増幅器に与えて両電圧の差の増幅出
    力を電流検出信号として取り出すようにしたことを特徴
    とする半導体素子の電流検出装置。
  7. 【請求項７】請求項１に記載の装置において、半導体素
    子と電流供給手段をチップの形態で金属ベースと熱的に
    密に結合された絶縁基材を用いる配線基板に実装するよ
    うにしたことを特徴とする半導体素子の電流検出装置。
  8. 【請求項８】請求項７に記載の装置において、絶縁基材
    にセラミックの板を用いることを特徴とする半導体素子
    の電流検出装置。
JP6187979A 1994-08-10 1994-08-10 半導体素子の電流検出装置 Pending JPH0854427A (ja)

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