JP2002174655A - 電気光学装置の検査方法、電気光学装置の検査用回路、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線や電極等の欠陥の有無について正確な検
査を行う。 【解決手段】 走査線４−ｉとデータ線５−ｊとの交差
に対応して設けられた容量６２を具備する電気光学装置
１００を検査する方法。容量６２にデータ信号に応じた
電荷を蓄積させた後、データ線５−ｊと読出信号線３５
との間に設けられた検査スイッチング素子３４−ｊをオ
ンすることにより、上記容量６２に蓄積された電荷に応
じた電圧を読出信号線３５に出力する。検査スイッチン
グ素子３４−ｊをオンするタイミングは、検査用回路３
の動作を規定する検査用クロック信号ＴＣＫのレベル変
化のタイミングとは異なっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置の検
査方法、電気光学装置の検査用回路、電気光学装置およ
び電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の電子機器の表示装置とし
て、液晶装置に代表される電気光学装置が広く普及しつ
つある。この種の電気光学装置は、例えば、複数の走査
線およびデータ線が形成された素子基板と、これに対向
して電気光学物質を挟持する対向基板と、走査線および
データ線の各交差に対応して配設された画素とを有する
構成が一般的である。

【０００３】かかる電気光学装置の製造工程において、
上記走査線やデータ線といった配線の断線または短絡、
もしくは画素に含まれるスイッチング素子等の欠陥（以
下、これらを総称して単に「欠陥」という。）の発生を
完全に排除することは極めて困難であり、ある程度の確
率で欠陥が発生してしまうのは避けられない。このた
め、製造された電気光学装置について上記欠陥の有無を
検査する必要がある。従来より、このような検査の方法
として、例えば検査対象となる電気光学装置に所定のテ
ストパターンを表示させるとともに、表示されたテスト
パターンを目視またはＣＣＤカメラ等によって観察する
ことにより、各画素が正常に点灯しているか否かを判定
するといった方法が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、表示の高精細化に伴って各画素の面積が極めて小さ
くなった場合、目視やＣＣＤカメラによってこれらの画
素の各々を正確に認識することは困難である。また、画
素の欠陥に起因して、画素に実際に与えられた電圧が所
期の電圧と異なっているような場合、この結果発生する
表示濃度の差までも認識するの困難であるため、かかる
画素の欠陥を発見することは難しい。このように、従来
の検査方法を用いた場合、その検査の正確さを十分に確
保するのには限界があるのが現状であった。

【０００５】本発明は、以上説明した事情に鑑みてなさ
れたものであり、配線や電極等の欠陥の有無について正
確な検査を行うことができる電気光学装置の検査方法、
検査用回路、電気光学装置および電子機器を提供するこ
とを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、走査線とデータ線との交差に対応して設
けられて容量の一端をなす画素電極と、前記画素電極と
前記データ線との間に介挿された画素スイッチング素子
とを具備する電気光学装置を、レベル変化を繰り返す動
作指示信号に基づいて動作する検査用回路を用いて検査
する方法であって、前記画素スイッチング素子をオンさ
せることにより前記画素電極にデータ信号を与える第１
過程と、前記画素電極に印加された電圧を前記検査用回
路によって読出信号線に出力させる過程であって、前記
動作指示信号のレベル変化のタイミングよりも遅れたタ
イミングで、前記検査スイッチング素子をオンさせる第
２過程と、前記読出信号線に出力された電圧が、当該画
素電極に与えられたデータ信号に応じた電圧に対応する
ものであるか否かを判定する第３過程とを具備すること
を特徴とを有することを特徴としている。

【０００７】かかる検査方法によれば、画素電極に印加
された電圧を読出信号線に供給させ、この供給された電
圧が、当該画素電極に与えられたデータ信号に応じた電
圧であるか否かを判定するようになっているため、電気
光学装置における画素電極や画素スイッチング素子、走
査線、データ線等について、その欠陥の有無を正確に検
査することができる。また、読出信号線に供給された電
圧に対し、動作指示信号のレベル変化に伴って発生する
ノイズが重畳された場合であっても、検査スイッチング
素子をオンさせるタイミングと、当該動作指示信号のレ
ベル変化のタイミングとが異なっているため、画素電極
に実際に印加された電圧を正確に検知することができ
る。したがって、かかるノイズの影響を受けることなく
正確な検査を行うことができる。

【０００８】また、上記課題を解決するため、本発明
は、走査線とデータ線との交差に対応して設けられて容
量の一端をなす画素電極と、前記画素電極と前記データ
線との間に介挿された画素スイッチング素子とを具備す
る電気光学装置について、前記画素スイッチング素子を
オンさせることにより前記画素電極にデータ信号を与え
た後、当該画素電極に印加された電圧が当該データ信号
に応じた電圧に対応するか否かを判定するために、前記
画素電極に印加された電圧を読出信号線に出力させる回
路において、前記データ線と前記読出信号線との間に介
挿された検査スイッチング素子と、レベル変化を繰り返
す動作指示信号に基づいて動作する制御回路であって、
当該動作指示信号のレベル変化のタイミングよりも遅れ
たタイミングで、前記検査スイッチング素子をオンさせ
る制御回路とを設けたことを特徴としている。

【０００９】かかる検査用回路を用いれば、上記検査方
法について示したのと同様に、読出信号線に供給された
電圧が、画素電極に与えられたデータ信号に応じた電圧
であるか否かを判定することにより、電気光学装置の欠
陥の有無について正確な検査を行うことができる。さら
に、この検査用回路によれば、画素電極に印加された電
圧を読出信号線に出力させるタイミングと、動作指示信
号のレベル変化のタイミングとが異なっているので、動
作指示信号のレベル変化のタイミングでノイズが発生し
た場合であっても、画素電極に印加された電圧を正確に
検知することができる。したがって、この検査用回路を
用いれば、ノイズ発生の影響を受けることなく正確な検
査を行うことができる。なお、この検査用回路は、電気
光学装置を構成する基板上に当該電気光学装置の一部と
して形成されるものであってもよいし、電気光学装置と
は別体の検査装置として用いられるものであってもよ
い。

【００１０】この検査用回路においては、前記制御回路
が、前記動作指示信号のレベル変化のタイミングより
も、当該動作指示信号の周期の８分の１ないし４分の１
に相当する時間だけ遅れたタイミングで、前記検査スイ
ッチング素子をオンさせる構成が望ましい。すなわち、
検査スイッチング素子をオンさせるタイミングを、動作
指示信号の周期の２分の１に相当する時間だけ遅らせた
場合には、読出信号線に供給された電圧とノイズとが重
複してしまい、画素電極に印加された電圧を正確に検知
することができない。また、上記ノイズは時間軸上に所
定の幅をもって発生する。これらの事情を考慮すると、
ノイズの影響を排除して、画素電極に印加された電圧を
正確に検知するためには、検査スイッチング素子をオン
させるタイミングを、上記の範囲内とすることが望まし
いのである。

【００１１】さらに、上記検査用回路にあっては、前記
制御回路に対して前記動作指示信号を入力するための入
力端子と、前記読出信号線の出力端子とが、当該制御回
路を挟んで反対の位置に設けられた構成が望ましい。こ
うすれば、読出信号線のうち上記入力端子側に引き出さ
れる部分を短くすることができるから、当該読出信号線
と動作指示信号を供給するための配線との間に生じる容
量結合に起因して発生するノイズを低減することができ
るという利点がある。

【００１２】また、前記制御回路が、前記動作指示信号
に基づいてレベル変化する制御信号を出力する出力手段
と、前記制御信号のレベル変化のタイミングを、前記動
作指示信号のレベル変化のタイミングよりも遅らせるタ
イミング変更手段とを具備する構成も望ましい。この場
合、出力手段としては、例えば、動作指示信号たるクロ
ック信号に基づいて動作するシフトレジスタや、動作指
示信号たるアドレス信号に基づいて動作するアドレスデ
コーダ等を用いることができる。一方、タイミング変更
手段としては、例えば制御信号を遅延させる遅延手段等
を用いることができる。

【００１３】また、上記課題を解決するため、本発明
は、走査線とデータ線との交差に対応して設けられて容
量の一端をなす画素電極と、前記画素電極と前記データ
線との間に介挿された画素スイッチング素子とを具備す
る電気光学装置について、前記画素スイッチング素子を
オンさせることにより前記画素電極にデータ信号を与え
た後、当該画素電極に印加された電圧が当該データ信号
に対応するか否かを判定するために、前記画素電極に印
加された電圧を読出信号線に出力させる回路において、
前記データ線と前記読出信号線との間に介挿された検査
スイッチング素子と、レベル変化を繰り返す動作指示信
号に基づいて、前記検査スイッチング素子をオンさせる
制御回路と、前記制御回路に対して前記動作指示信号を
入力するための入力端子と、前記読出信号線の電圧を出
力するための出力端子であって、前記制御回路に対して
前記入力端子とは反対側に設けられた出力端子とを設け
たことを特徴としている。このように、入力端子と出力
端子とを制御回路を挟んで反対側に位置させる構成によ
れば、上記と同様に、容量結合に起因したノイズの発生
を低減することができる。

【００１４】なお、上記検査用回路は、当該検査用回路
を備えた電気光学装置としても実施可能である。すなわ
ち、この電気光学装置においては、走査線とデータ線と
の交差に対応して設けられて容量の一端をなす画素電極
と、前記画素電極と前記データ線との間に介挿された画
素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子をオ
ンさせることにより前記画素電極にデータ信号を与えた
後、当該画素電極に印加された電圧が当該データ信号に
応じた電圧に対応するか否かを判定するために、前記画
素電極に印加された電圧を読出信号線に出力させる検査
用回路とを具備し、前記検査用回路は、前記データ線と
前記読出信号線との間に介挿された検査スイッチング素
子と、レベル変化を繰り返す動作指示信号に基づいて動
作する制御回路であって、当該動作指示信号のレベル変
化のタイミングよりも遅れたタイミングで、前記検査ス
イッチング素子をオンさせる制御回路とを備えることを
特徴とする。

【００１５】この電気光学装置においても、上記検査用
回路について示したのと同様、前記制御回路が、前記動
作指示信号のレベル変化のタイミングよりも、当該動作
指示信号の周期の８分の１ないし４分の１に相当する時
間だけ遅れたタイミングで、前記検査スイッチング素子
をオンさせる構成や、前記制御回路に対して前記動作指
示信号を入力するための入力端子と前記読出信号線の出
力端子とを制御回路に対して反対側に設けた構成等を採
用することにより、より正確な検査を実現することがで
きる。

【００１６】また、上記電気光学装置における容量を、
前記画素電極を一端とし、対向電極を他端とし、電気光
学物質を挟持したものとすることが考えられる。この場
合、画素電極と対向電極との間に電気光学物質を挟持し
て電気光学容量が形成された段階の電気光学装置につい
て検査がなされることとなる。また、画素電極に印加さ
れる電圧に応じた電荷を蓄積するための容量として、一
端が前記画素電極に接続され、他端が容量線に接続され
た蓄積容量を具備する構成としてもよい。こうすれば、
電気光学容量が形成される前、すなわち画素電極と対向
電極との間に電気光学物質が挟持される前段階の電気光
学装置に対しても検査を行うことができる。もっとも、
上述した電気光学容量および蓄積容量が形成されていな
くても、データ信号に応じた電圧が画素電極に対して印
加された結果、当該画素電極を一端とする容量に当該電
圧に応じた電荷が蓄積されるのであれば、その容量の態
様はいかなるものであってもよい。

【００１７】なお、上述した電気光学装置は、これを備
えた電子機器という態様によって実施可能である。上述
したように、かかる電気光学装置に対しては正確な検査
を行うことができるので、この電気光学装置を備えた電
子機器にあっても高い信頼性を確保することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態に係る電気光学装置について説明する。かかる
実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この
発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に
変更可能である。なお、以下に示す電気光学装置は、電
気光学物質として液晶を用い、その電気光学的な変化に
より表示を行う液晶装置である。

【００１９】＜Ａ：実施形態の構成＞まず、図１は、本
実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図であ
り、図２は、図１におけるＡ−Ａ’線の断面図である。
これらの図に示すように、電気光学装置１００は、素子
基板１０１と対向基板１０２とがスペーサ１０３を含む
シール材１０４を介して貼り合わされ、両基板の間に電
気光学物質たる液晶１０５が封入された構成となってい
る。なお、本実施形態においては、素子基板１０１およ
び対向基板１０２が、ガラスや石英、半導体などの光透
過性を有する材料により構成されるものとする。この場
合、背面側からの光を観察側に出射させることにより、
いわゆる透過型表示がなされることとなる。もっとも、
これらの基板として不透明な基板を用い、観察側からの
入射光を反射させて反射型表示を行うようにしてもよ
い。

【００２０】図２に示すように、素子基板１０１におけ
る内側（液晶１０５側）の表面のうち、シール材１０４
の内側に相当する領域には、各種の素子や画素電極１０
６等が形成されている。さらに、素子基板１０１のうち
対向基板１０２から張り出した部分の表面には、後述す
る走査線駆動回路１、データ線駆動回路２および検査用
回路３と、これらの各回路に対して外部装置から各種の
信号を入力するための端子（図示略）とが形成されてい
る。検査用回路３は、この電気光学装置１００における
画素等の欠陥の有無を検査する際に用いられる回路であ
る。

【００２１】一方、対向基板１０２の内側表面には、そ
の全面にわたって対向電極１０７が設けられている。ま
た、対向基板１０２における内側表面には、画素電極１
０６と対向する着色層（カラーフィルタ）や、各画素電
極１０６の間隙部分と対向する遮光膜等が必要に応じて
設けられるが、本発明とは直接関係がないためその図示
を省略している。また、素子基板１０１および対向基板
１０２の内側表面は、液晶１０５の分子の長軸方向が両
基板間で連続的に捻れるようにラビング処理された配向
膜により覆われる一方、両基板の外側表面にはラビング
処理に応じた偏光子がそれぞれ設けられる（いずれも図
示略）。なお、図２においては、便宜的に、画素電極１
０６や対向電極１０７等に厚みを持たせているが、実際
には、これらの各部は基板に対して十分に無視できるほ
ど薄い。

【００２２】次に、図３を参照して、本実施形態に係る
電気光学装置１００の電気的な構成を説明する。同図に
示すように、電気光学装置１００は、Ｘ（行）方向に延
在するｍ本の走査線４−１、４−２、……、４−ｍと、
Ｙ（列）方向に延在するｎ本のデータ線５−１、５−
２、……、５−ｎとを有する。各走査線４−ｉ（１≦ｉ
≦ｍ）の一端は走査線駆動回路１に接続されている。ま
た、各データ線５−ｊ（１≦ｊ≦ｎ）の一端はデータ線
駆動回路２に接続され、他端は検査用回路３に接続され
ている。さらに、これらの走査線４−ｉとデータ線５−
ｊとの各交差に対応して画素６が設けられている。つま
り、本実施形態における画素６は、ｍ行ｎ列のマトリク
ス状に配列する。

【００２３】走査線駆動回路１は、いわゆるＹシフトレ
ジスタと呼ばれるものである。すなわち、走査線駆動回
路１は、所定のクロック信号にしたがってパルス信号を
シフトし、ｍ本の走査線４−１、４−２、……、４−ｍ
の各々を各水平走査期間ごとに選択する走査信号Ｇ１、
Ｇ２、……、Ｇｍを出力する。

【００２４】データ線駆動回路２は、外部装置から供給
されるクロック信号ＣＬＫ、反転クロック信号ＣＬＫ
Ｂ、スタートパルスＳＰ、画像データＶＩＤ、ラッチパ
ルスＬＰに応じて、データ線５−１、５−２、……、５
−ｎにデータ信号ＤＴを供給するための回路であり、シ
フトレジスタ２１、第１ラッチ回路２２および第２ラッ
チ回路２３を有する。本実施形態におけるデータ線駆動
回路２は、Ｘ方向に並ぶｎ個の画素６（１行分の画素
６）に対し、画像データＶＩＤに応じたデータ信号ＤＴ
を１水平走査期間内に一斉に与える線順次駆動を行う。

【００２５】次に、各画素６は、画素スイッチング素子
６１と容量６２とを有する。なお、本実施形態において
は画素スイッチング素子６１としてＴＦＴ（Thin Film
Transistor）を用いた場合を例示する。各画素スイッチ
ング素子６１は、データ線５−ｊと画素電極１０６との
間に介挿され、そのゲートが接続された走査線４−ｉが
選択されている場合、すなわち走査線４−ｉに供給され
る走査信号Ｇｉがアクティブレベル（Ｈレベル）である
場合にオン状態となる。

【００２６】各画素６の容量６２は、液晶容量６２１と
蓄積容量６２２とからなる。液晶容量６２１は、画素電
極１０６と対向電極１０７とによって液晶１０５を挟持
した構成となっている。蓄積容量６２２は、画素電極１
０６に一端が接続され、一定の電圧が印加される容量線
１０８（例えば電源の低位側電位に接続されている）に
他端が接続された容量であり、液晶容量６２１によって
保持された電荷のリークを防止する役割を担っている。

【００２７】かかる構成の下、画素スイッチング素子６
１がオン状態となっている間に、データ線駆動回路２か
らデータ線５−ｊに対してデータ信号ＤＴが出力される
と、当該データ信号ＤＴの電圧が画素電極１０６に印加
され、この電圧に応じた電荷が液晶容量６２１および蓄
積容量６２２に蓄積される。一方、容量６２にデータ信
号ＤＴに応じた電荷が蓄積された状態で画素スイッチン
グ素子６１をオン状態とすることにより、当該画素６の
液晶容量６２１および蓄積容量６２２に蓄積された電荷
に応じた電圧がデータ線５−ｊに出力される。

【００２８】次に、検査用回路３は、各容量６２に蓄積
された電荷に応じた電圧を、外部装置に対して出力する
ための回路であり、データ線５−１、５−２、……、５
−ｎの本数に対応するｎ段のシフトレジスタ３２と、デ
ータ線５−１、５−２、……、５−ｎに対応して設けら
れたｎ個の遅延回路３３−ｊ、およびｎ個の検査スイッ
チング素子３４−ｊ（１≦ｊ≦ｎ）と、読出信号線３５
とを有する。

【００２９】シフトレジスタ３２は、図示しない外部装
置から入力端子３１を介して供給される検査用スタート
パルスＴＳＰを、検査用クロック信号ＴＣＫおよびこれ
を反転した検査用反転クロック信号ＴＣＫＢに従ってシ
フトし、互いにアクティブレベルが重複しない信号Ｔａ
１、Ｔａ２、……、Ｔａｎを遅延回路３３−１、３３−
２、……、３３−ｎに対してそれぞれ出力する。このシ
フトレジスタ３２は、検査用クロック信号ＴＣＫおよび
検査用反転クロック信号ＴＣＫＢの各々が供給される配
線として、入力端子３１からＸ方向に延在する２本のク
ロック供給線３２１を有している。

【００３０】各遅延回路３３−ｊは、シフトレジスタ３
２から出力された信号Ｔａｊの立ち上がりのタイミング
が、検査用クロック信号ＴＣＫまたは検査用反転クロッ
ク信号ＴＣＫＢのレベル変化のタイミング（すなわち立
ち上がりまたは立ち下がりのタイミング）と異なるよう
に当該信号Ｔａｊを遅延させ、信号Ｔｂｊとして検査ス
イッチング素子３４−ｊに出力する。なお、本実施形態
においては、シフトレジスタ３２から出力された信号Ｔ
ａｊが、検査用クロック信号ＴＣＫ（または検査用反転
クロックＴＣＫＢ）の１／８周期に相当する時間Ｄだけ
遅延回路３３−ｊによって遅延されるものとする。

【００３１】各検査スイッチング素子３４−ｊは、一端
がデータ線５−ｊに接続され、他端が読出信号線３５に
接続されており、遅延回路３３−ｊから出力される信号
Ｔｂｊに応じてオン状態またはオフ状態となる。具体的
には、各検査スイッチング素子３４−ｊは、遅延回路３
３−ｊからの信号Ｔｂｊがアクティブレベルである間に
オン状態となる。そして、検査スイッチング素子３４−
ｊがオン状態になると、データ線５−ｊの電圧が当該検
査スイッチング素子３４−ｊを介して読出信号線３５に
出力される。

【００３２】読出信号線３５はＸ方向に延在する配線で
あり、上述したすべての検査スイッチング素子３４−
１、３４−２、……、３４−ｎの一端が接続されてい
る。また、図３に示すように、この読出信号線３５の一
端には出力端子３５１が形成されている。出力端子３５
１は、読出信号線３５の電圧に応じた読出信号ＲＳを外
部装置に対して出力するための端子である。ここで、出
力端子３５１は、当該検査用回路３に対して入力端子３
１とは反対側に位置するようになっている。すなわち、
図３を例に採れば、出力端子３５１は検査用回路３の左
側に位置する一方、入力端子３１は検査用回路３の右側
に位置するといった具合である。かかる構成を採る結
果、図３に示すように、読出信号線３５における出力端
子３５１とは反対側（図３中の右側）の端部を、入力端
子３１の近傍にまで引き出す必要がなくなる。

【００３３】＜Ｂ：実施形態の動作＞次に、電気光学装
置１００について検査を行う場合の動作について説明す
る。この検査方法においては、まず、画像データＶＩＤ
に応じたデータ信号ＤＴの電圧を画素電極１０６に印加
し、液晶容量６２１および蓄積容量６２２の双方にこの
電圧に応じた電荷を蓄積させる。なお、本実施形態にお
いては、説明の便宜上、すべての画素６に対して同一の
データ信号ＤＴが与えられる（つまり、すべての容量６
２に同一の電荷が蓄積される）ものとする。その後、各
画素６ごとに、容量６２に蓄積された電荷に応じた電圧
を読出信号線３５に出力し、この電圧に応じた読出信号
ＲＳを出力端子３５１から外部装置に出力する。そし
て、この読出信号ＲＳに基づいて、画素６、走査線４−
１、４−２、……、４−ｎ、またはデータ線５−１、５
−２、……、５−ｎの欠陥の有無を判定する。以下、こ
れらの処理について詳述する。

【００３４】図４は、画像データＶＩＤに応じたデータ
信号ＤＴの電圧を各画素６の画素電極１０６に印加する
ための動作を示すタイミングチャートである。同図に示
すように、ある水平走査期間Ｈａ０の開始タイミングに
おいて、データ線駆動回路２内のシフトレジスタ２１に
スタートパルスＳＰが与えられる。シフトレジスタ２１
は、このスタートパルスＳＰをクロック信号ＣＬＫおよ
び反転クロック信号ＣＬＫＢにしたがってシフトし、当
該水平走査期間Ｈａ０内において互いにアクティブレベ
ルが重複しない信号Ｓａ１、Ｓａ２、……、Ｓａｎを出
力する。一方、第１ラッチ回路２２は、シフトレジスタ
２１から供給される信号Ｓａ１、Ｓａ２、……、Ｓａｎ
の各々の立ち下がりにおいて、外部装置から供給される
画像データＶＩＤを順次ラッチする。これにより、当該
水平走査期間Ｈａ０の終了時において、１行分の画素６
の各々に与えられるべき画像データＶＩＤが、信号Ｓｂ
１、Ｓｂ２、……、Ｓｂｎとして第２ラッチ回路２３に
出力されることとなる。

【００３５】そして、次の水平走査期間Ｈａ１におい
て、図３における上から１本目の走査線４−１に対して
供給される走査信号Ｇ１がアクティブレベルになると、
当該走査線４−１に接続された１行分の画素６の画素ス
イッチング素子６１がすべてオン状態となる。一方、こ
の水平走査期間Ｈａ１の開始タイミングにおいて、デー
タ線駆動回路２内の第２ラッチ回路２３に対してラッチ
パルスＬＰが与えられる。このラッチパルスＬＰの立ち
下がりにおいて、第２ラッチ回路２３は、第１ラッチ回
路２２によって点順次的にラッチされた信号Ｓｂ１、Ｓ
ｂ２、……、Ｓｂｎを、データ信号ＤＴとしてすべての
データ線５−１、５−２、……、５−ｎに一斉に出力す
る。また、このデータ信号ＤＴの出力と並行して、図３
において上から２本目の走査線４−２に対応する１行分
の画素６に与えられるべき画像データＶＩＤが、第１ラ
ッチ回路２２によって点順次的にラッチされる。

【００３６】ここで、上記のように、画像データＶＩＤ
に応じたデータ信号ＤＴが一斉に出力される期間におい
ては、上から１行目の画素６の画素スイッチング素子６
１がオン状態となっている。この結果、これらｎ個の画
素６の画素電極１０６には、当該時点においてデータ線
駆動回路２から出力されているデータ信号ＤＴの電圧が
印加される。これにより、各画素６の容量６２には、対
応するデータ線５−ｊに出力されたデータ信号ＤＴの電
圧に応じた電荷が蓄積される。

【００３７】以後同様の動作が、ｍ本目の走査線４−ｍ
に対応する走査信号Ｇｍが出力されるまで繰り返され
る。この結果、ｍ×ｎ個すべての画素６の容量６２にデ
ータ信号ＤＴの電圧に応じた電荷が蓄積されることとな
る。

【００３８】この後、各容量６２に蓄積された電荷に応
じた電圧を、各画素６ごとに読出信号線３５に出力する
ための処理が実行される。以下、図５を参照して、この
処理について詳述する。

【００３９】まず、上記のようにして全画素６の容量６
２にデータ信号ＤＴに応じた電荷が蓄積された後の水平
走査期間Ｈｂ１において、走査線４−１に出力される走
査信号Ｇ１がアクティブレベルとなり、この結果、当該
走査線４−１に接続された１行分の画素６の画素スイッ
チング素子６１がすべてオン状態となる。

【００４０】一方、図５に示すように、この水平走査期
間Ｈｂ１の開始タイミングにおいて、検査用回路３内の
シフトレジスタ３２に検査用スタートパルスＴＳＰが与
えられる。シフトレジスタ３２は、この検査用スタート
パルスＴＳＰを検査用クロック信号ＴＣＫおよび検査用
反転クロック信号ＴＣＫＢにしたがってシフトすること
により、当該水平走査期間Ｈｂ１内において相互にアク
ティブレベルが重複しない信号Ｔａ１、Ｔａ２、……、
Ｔａｎを遅延回路３３−１、３３−２、……、３３−ｎ
に対してそれぞれ出力する。

【００４１】各遅延回路３３−１、３３−２、……、３
３−ｎは、図５に示すように、シフトレジスタ３２から
出力される信号Ｔａ１、Ｔａ２、……、Ｔａｎを、それ
ぞれ検査用クロック信号ＴＣＫまたは検査用反転クロッ
ク信号ＴＣＫＢの１／８周期に相当する時間Ｄだけ遅延
させ、この結果得られた信号Ｔｂ１、Ｔｂ２、……、Ｔ
ｂｎを検査スイッチング素子３４−１、３４−２、…
…、３４−ｎにそれぞれ出力する。この結果、図５に示
すように、１水平走査期間Ｈｂ１内において、検査スイ
ッチング素子３４−１、３４−２、……、３４−ｎの各
々が、検査用クロック信号ＴＣＫまたは検査用反転クロ
ック信号ＴＣＫＢのレベル変化のタイミングよりも時間
Ｄだけ遅れたタイミングで択一的に順次オン状態とな
る。

【００４２】ここで、上記のように、水平走査期間Ｈｂ
１内においては、上から１行目の画素６の画素スイッチ
ング素子６１がオン状態となっている。したがって、信
号Ｔｂｊがアクティブレベルとなることによって検査ス
イッチング素子３４−ｊがオン状態になると、当該検査
スイッチング素子３４−ｊに接続されたデータ線５−ｊ
と上から１本目の走査線４−１との交差に対応する画素
６について、その液晶容量６２１および蓄積容量６２２
に蓄積された電荷に応じた電圧が、当該データ線５−ｊ
および検査スイッチング素子３４−ｊを介して読出信号
線３５に出力される。このような動作が、水平走査期間
Ｈｂ１内において検査スイッチング素子３４−１、３４
−２、……、３４−ｎの各々がオン状態となるたびに行
われるのである。この結果、各スイッチング素子３４−
ｊがオン状態となるたびに、読出信号ＲＳの電圧は、走
査線４−１とデータ線５−ｊとの交差に対応する画素６
の容量６２に蓄積された電荷に応じた電圧となる。つま
り、理想的には、図５に示す読出信号ＲＳ’が出力端子
３５１から外部装置に出力されるのである。ただし、図
５に示す読出信号ＲＳ’の波形はあくまで理想的な波形
であって、実際に出力端子３５１から出力される読出信
号ＲＳの波形は、図５に示すようにノイズＮを含んでい
る。すなわち、検査用クロック信号ＴＣＫおよび検査用
反転クロック信号ＴＣＫＢの各々が供給されるシフトレ
ジスタ３２内の各クロック供給線３２１と読出信号線３
５との間に生じる容量結合に起因して、出力端子３５１
から出力される読出信号ＲＳには、当該検査用クロック
信号ＴＣＫおよび検査用反転クロック信号ＴＣＫＢのレ
ベル変化のタイミング近傍で発生するノイズＮが含まれ
る。

【００４３】一方、上記水平走査期間Ｈｂ１が終了する
と、続く水平走査期間Ｈｂ２、Ｈｂ３、……、Ｈｂｍに
おいても同様の動作がなされる。すなわち、ある走査信
号Ｇｉがアクティブレベルとなる水平走査期間Ｈｂｉに
おいては、走査線４ｉに対応するｉ行目の各容量６２に
蓄積された電荷に応じた電圧（つまり、画素電極１０６
に印加されている電圧）が、検査用クロック信号ＴＣＫ
のレベル変化のタイミングよりも時間Ｄだけ遅れたタイ
ミングで、読出信号線３５に順次出力される。この結
果、読出信号ＲＳは、各画素６について出力された電圧
を反映し、かつノイズＮを含む信号として出力端子３５
１から出力されるのである。

【００４４】かかる処理がすべての容量６２について終
了すると、この結果得られた読出信号ＲＳに基づいて当
該電気光学装置における欠陥の有無が判定される。すな
わち、まず、各検査スイッチング素子３４−１、３４−
２、……、３４−ｎがオン状態となった各期間における
読出信号ＲＳの電圧を検出する。こうして検出された各
電圧は、ｍ×ｎ個の画素６の各々の容量６２に蓄積され
ていた電荷に応じた電圧である。そして、各画素６ごと
に、当該画素６の容量６２に蓄積されていた電荷に応じ
た電圧と、当該画素に対して与えられたデータ信号ＤＴ
の電圧とを比較することにより、画素６や走査線４−
１、４−２、……、４−ｍ、データ線５−１、５−２、
……、５−ｎの各々における欠陥の有無を判定するので
ある。例えば、ある画素６の容量６２に蓄積されていた
電荷に応じた電圧が、データ信号ＤＴに応じた電圧と比
較して著しく小さい場合には、この画素６について何ら
かの欠陥があるものと判定することができる。また、１
行分の画素６すべての容量６２に蓄積されていた電荷に
応じた電圧が、これらの各画素に対して与えられたデー
タ信号ＤＴの電圧と比較して著しく小さい場合には、こ
れらの画素６が接続された走査線４−ｉに断線等の欠陥
が生じているものと判定することができる。同様に、１
列分の画素６すべての容量６２に蓄積された電荷に応じ
た電圧と、これらの画素６に与えられたデータ信号ＤＴ
の電圧とを比較すれば、欠陥を有するデータ線５−ｊを
特定することも可能である。そして、何らかの欠陥が生
じていると判定された電気光学装置１００については不
良品と判断する一方、何ら欠陥が生じていないと判定さ
れた電気光学装置１００については良品と判断する。

【００４５】このように、本実施形態によれば、各画素
６の容量６２に蓄積された電荷に応じた電圧に基づいて
欠陥の有無が判定されるようになっているため、電気光
学装置１００の画素６、走査線４−１、４−２、……、
４−ｍおよびデータ線５−１、５−２、……、５−ｎの
各々について、その欠陥の有無を正確に検査することが
できる。さらに、本実施形態によれば、画素６の容量６
２に蓄積された電荷に応じた電圧を、各画素６ごとに読
出信号線３５に出力するようになっているため、欠陥を
有する画素６を多数の画素６のなかから特定することが
できる。同様に、欠陥を有する走査線４−ｉまたはデー
タ線５−ｊを、多数の走査線４−１、４−２、……、４
−ｎまたはデータ線５−１、５−２、……、５−ｎのな
かから特定することができる。

【００４６】また、上述したように、読出信号ＲＳに
は、検査用クロック信号ＴＣＫおよび検査用反転クロッ
ク信号ＴＣＫＢのレベル変化に同期したノイズＮが含ま
れることとなるが、本実施形態によれば、かかるノイズ
の影響を抑えて正確な検査を行うことができるという利
点がある。以下、この効果について詳述する。

【００４７】ここで、上記と同様の検査を行うために
は、図６に示す構成の検査用回路３’を用いることも一
応考えられる。すなわち、この検査用回路３’は、図３
に示した遅延回路３３−ｊを備えず、シフトレジスタ３
２からの出力信号Ｔａ１、Ｔａ２、……、Ｔａｎが直接
検査スイッチング素子３４−１、３４−２、……、３４
−ｎに出力される点、および出力端子３５１とシフトレ
ジスタ３２の入力端子３１とが検出回路３’の同じ側に
配設されている点において本実施形態に係る検査装置３
と異なっている（図３参照）。

【００４８】各容量６２に蓄積された電荷に応じた電圧
を、かかる検査用回路３’を用いて読出信号線３５に出
力する場合、各信号の波形は図７に示すようになる。す
なわち、この検査用回路３’においては、シフトレジス
タ３２から直接供給される信号Ｔａｊによって検査スイ
ッチング素子３４−ｊの開閉が制御されるため、検査ス
イッチング素子３４−ｊがオフ状態からオン状態に切り
換わるタイミング（つまり、信号Ｔａ−ｊがアクティブ
レベルに変化するタイミング）と、検査用クロック信号
ＴＣＫのレベル変化のタイミングとが概ね一致する。つ
まり、各容量６２から読出信号線３５に対して電圧が出
力されるタイミングと、検査用クロック信号ＴＣＫのレ
ベル変化のタイミングとが極めて近くなってしまい、こ
の結果、出力端子３５１に出力される信号ＲＳ’’にお
いて、各容量６２から出力された電圧とノイズＮとが重
複してしまう。このため、各容量６２に蓄積された電荷
に応じた電圧を正確に検出することが困難となり、正確
な検査が妨げられてしまうのである。

【００４９】これに対し、本実施形態に係る検査用回路
３によれば、シフトレジスタ３２と各検査スイッチング
素子３４−ｊとの間に介挿された遅延回路３３−ｊによ
り、検査スイッチング素子３４−ｊがオン状態になるタ
イミングと、検査用クロック信号ＴＣＫのレベル変化の
タイミングとを異ならせるようにしている。このため、
図５に示したように、読出信号ＲＳにおいて、各容量６
２から出力された電圧とノイズＮとが重複する事態が回
避される。したがって、各容量６２に蓄積された電荷に
応じた電圧を正確に検出することができ、図６に示した
検査用回路３’と比較して正確な検査を実現することが
できるのである。

【００５０】さらに、図６に示した検査用回路３’にお
いては、出力端子３５１がシフトレジスタ３２の入力端
子３１と同じ側に配設されているため、読出信号線３５
を入力端子３１の近傍に至るように延在して形成する必
要がある。つまり、読出信号線３５と各クロック供給線
３２１とが並行する部分を比較的長くせざるを得ず、こ
の部分における容量結合に起因して生じるノイズＮが増
大する結果となる。

【００５１】これに対し、本実施形態においては、出力
端子３５１が、検査用回路３に対して入力端子３１の反
対側に配設されている。このため、図３に示したよう
に、読出信号線３５のうち入力端子３１側に引き出され
る部分を短くすることができる。換言すれば、容量結合
が発生する部分を少なくすることができるので、図６に
示した構成と比較して、読出信号ＲＳに現われるノイズ
を低減することができ、ひいては正確な検査を実現する
ことができるのである。

【００５２】＜Ｃ：変形例＞以上この発明の一実施形態
について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示で
あり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱
しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例
としては、例えば以下のようなものが考えられる。

【００５３】（１）上記実施形態においては、素子基板
１０１および対向基板１０２をシール材１０４を介して
貼り合わせて液晶１０５を封入した後の電気光学装置１
００を検査の対象としたが、両基板を貼り合わせる前の
段階の電気光学装置１００（素子基板１０１）に対して
検査を行うようにしてもよい。ただし、この場合、液晶
容量６２１が未だ形成されていない状態（つまり、画素
電極１０６のみが形成された状態）であるから、検査に
おいては各画素６の蓄積容量６２２が用いられることと
なる。具体的には、まず、データ線駆動回路２から各画
素６に対してデータ信号ＤＴを出力して、当該各画素６
の画素電極１０６に対して当該データ信号ＤＴに応じた
電圧を印加し、この電圧に応じた電荷を蓄積容量６２２
に蓄積させる。そしてその後、各画素６ごとに蓄積容量
６２２に蓄積された電荷に応じた電圧（すなわち、画素
電極１０６に印加された電圧）を読出信号線３５に出力
し、読出信号ＲＳとして出力端子３５１から出力するの
である。本変形例においても、上記実施形態と同様の効
果が得られる。さらに、本実施形態によれば、基板の貼
り合わせおよび液晶１０５の封入を行う前の段階で画素
６等の欠陥の有無を判別することができるから、製造コ
ストを低減することができるという利点が得られる。

【００５４】このように、本発明においては、必ずしも
液晶容量６２１および蓄積容量６２２の双方からなる容
量６２に対してデータ信号ＤＴに応じて電荷を蓄積させ
る必要はない。要は、画素電極１０６に対してデータ信
号ＤＴに応じた電圧を印加した後、この電圧を読出信号
線３５に出力できる構成であればよいのである。

【００５５】（２）上記実施形態においては、各データ
線５−ｊの一端にのみデータ線駆動回路２が配設された
電気光学装置１００を例示したが、例えば図８に示すよ
うに、各データ線５−ｊの一端に第１データ線駆動回路
２ａが配設され、他端に第２データ線駆動回路２ｂが配
設された電気光学装置１００にも本発明を適用可能であ
る。この場合、同図に示すように、第２データ線駆動回
路２ｂと、当該第２データ線駆動回路２ｂに最も近い１
行分の画素６との間に、上記実施形態に係る検査用回路
３を設ける構成とすればよい。あるいは、第１データ線
駆動回路２ａと、当該第１データ線駆動回路２ａに最も
近い１行分の画素６との間に検査用回路３を設けてもよ
い。

【００５６】ここで、図８に示したように、複数のデー
タ線５−１、５−２、……、５−ｎを跨ぐように検査用
回路３を設けた場合、検査用回路３のシフトレジスタ３
２内のクロック供給線３２１と、各データ線５−ｊとが
交差することとなる。このため、クロック供給線３２１
と読出信号線３５との間のみならず、クロック供給線３
２１と各データ線５−ｊとの間にも容量結合が生じる。
したがって、図８に示した構成を採った場合には、図３
に示した構成を採った場合と比較して読出信号ＲＳに含
まれるノイズが大きくなる。このようにノイズが大きい
場合であっても、本発明によれば、各画素６の容量６２
から読出信号線３５に対して電圧が出力されるタイミン
グと、検査用クロック信号ＴＣＫまたは検査用反転クロ
ック信号ＴＣＫＢのレベル変化のタイミングとを異なら
せることができるので、正確な検査を行うことができ
る。なお、上記に加えて、一対の走査線駆動回路を走査
線４−ｉの両側にそれぞれ配設した電気光学装置や、点
順次駆動方式のデータ線駆動回路を用いた電気光学装置
にも本発明を適用できるのは言うまでもない。

【００５７】（３）上記実施形態においては、検査用回
路３を素子基板１０１上に形成した場合を例示したが、
検査用回路３を電気光学装置１００とは別体として設け
ることも考えられる。すなわち、図９に示すように、電
気光学装置１００には検査用回路３を設けず、上記実施
形態に示した検査用回路３を備えた検査装置７を用いて
検査を行うのである。同図に示す検査装置７は、検査用
回路３を収容した筐体７１と、検査用回路３が備える各
検査スイッチング素子３４−ｊの一端に電気的に接続さ
れたプローブ７２とを具備している。このような検査装
置７を用いて検査を行う場合、各プローブ７２を各デー
タ線５−ｊの一部である検査対象部７３にそれぞれ接続
させた状態で各検査スイッチング素子３４−ｊを順次オ
ン状態とし、これにより各画素６の容量６２に蓄積され
た電荷に応じた電圧を読出信号線３５に出力することに
より、上記実施形態と同様の検査を実行することがで
き、上記実施形態と同様の効果が得られる。さらに、か
かる構成とすれば、製造対象となる電気光学装置１００
の各々に検査用回路３を作り込む必要がなく、共通の検
査装置７を用いて複数の電気光学装置１００の検査を行
うことができるので、製造コストの低減を図ることがで
きる。また、上記実施形態において検査用回路３が形成
されたスペースの分だけ電気光学装置１００を小型化す
ることもできる。

【００５８】（４）上記実施形態においては、検査用回
路３が１本の読出信号線３５のみを備える場合を例示し
たが、読出信号線３５の本数および出力端子３５１の個
数はこれに限られるものではない。例えば、図１０に示
すように、２本の読出信号線３５ａおよび３５ｂと、読
出信号線３５ａから読出信号ＲＳ１を出力するための出
力端子３５１ａと、読出信号線３５ｂから読出信号ＲＳ
２を出力するための出力端子３５１ｂとが設けられた構
成も考えられる。この構成を採った場合、同図に示すよ
うに、左から数えて奇数番目の検査スイッチング素子３
４−ｊの一端を読出信号線３５ａに接続する一方、左か
ら数えて偶数番目の検査スイッチング素子３４−ｊ＋１
の一端を読出信号線３５ｂに接続する構成としてもよ
い。

【００５９】（５）上記実施形態においては、読出信号
線３５の出力端子３５１をシフトレジスタ３２の入力端
子３１と反対側に設け、かつ各容量６２から読出信号線
３５への電圧の出力タイミングを検査用クロック信号Ｔ
ＣＫのレベル変化のタイミングと異ならせるようにした
が、これらのうちのいずれか一方のみを採用してもよ
い。すなわち、例えば読出信号線３５への電圧の出力タ
イミングを検査用クロック信号ＴＣＫのレベル変化のタ
イミングと異ならせるだけで、ノイズの影響を抑えて十
分に正確な検査を実現できるのであれば、敢えて出力端
子３５１を入力端子３１と反対側に設ける必要はない。
逆の場合も同様である。

【００６０】（６）上記実施形態においては、検査用回
路３の検査スイッチング素子３４−ｊを点順次的にオン
状態とするためにシフトレジスタ３２を用いたが、この
シフトレジスタ３２に代えて、例えばアドレスデコーダ
を用いることもできる。すなわち、複数のデータ線５−
１、５−２、……、５−ｎのうち与えられたアドレス信
号に応じたいずれかの検査スイッチング素子３４−ｊに
対してアクティブレベルの信号を出力可能なアドレスデ
コーダを用い、いずれかの検査スイッチング素子３４−
ｊを任意に選択できるようにしてもよい。この場合、い
ずれかのスイッチング素子３４−ｊを指定する読み出し
アドレスに応じてレベル変化を繰り返すアドレス信号の
レベル変化のタイミングと、各容量６２からの電圧の出
力のタイミング（つまり、検査スイッチング素子３４−
ｊをオン状態とするタイミング）とを異ならせればよ
い。このように、本発明における「動作指示信号」は、
常に一定の周期でレベル変化を繰り返すクロック信号に
限られるものではなく、上述したアドレス信号のような
信号をも含む概念である。つまり、本発明における「動
作指示信号」は、レベル変化を繰り返す信号であって、
検査用回路内の動作を規定する信号であればよい。

【００６１】また、上記実施形態においては、検査スイ
ッチング素子３４−ｊをオン状態にするタイミングと検
査用クロック信号ＴＣＫのレベル変化のタイミングとを
異ならせるための手段として遅延回路３３−ｊを用いた
が、かかる機能を実現するための手段は遅延回路３３−
ｊに限られない。

【００６２】このように、検査用回路３の構成は、上記
実施形態または各変形例に例示した構成に限られない。
つまり、本発明における「検査用回路」は、上記動作指
示信号に基づいて動作し、かつ、当該動作指示信号のレ
ベル変化のタイミングとは異なるタイミングで、各画素
６の容量６２に蓄積された電荷に応じた電圧を読出信号
線３５に出力可能な回路であれば、いかなる構成であっ
てもよいのである。

【００６３】（７）上記実施形態においては、遅延回路
３３−ｊによる遅延時間Ｄを検査用クロック信号ＴＣＫ
の１／８周期に相当する時間に設定したが、これ以外の
時間に設定してもよいことはいうまでもない。要は、各
容量６２からの電圧の出力タイミングと検査用クロック
信号ＴＣＫのレベル変化のタイミングとを異ならせるこ
とにより、各画素６の容量６２に蓄積されていた電荷に
応じた電圧を、ノイズを含む読出信号ＲＳから検出でき
れば、双方のタイミングを異ならせる程度はいかなるも
のであってもよい。

【００６４】もっとも、時間Ｄを検査用クロック信号Ｔ
ＣＫの１／２周期に相当する時間に設定した場合、図７
に示した場合と同様に、各容量６２からの電圧の出力タ
イミングと検査用クロック信号ＴＣＫのレベル変化のタ
イミング（つまり、ノイズの発生タイミング）とが一致
してしまう結果となる。また、図５や図７に示したよう
に、ノイズＮは時間軸上に所定の幅をもって発生する。
これらの事情を考慮すると、ノイズの影響を有効に回避
して検査の正確さを確保するためには、上述した時間Ｄ
を検査用クロック信号ＴＣＫの１／８周期ないし１／４
周期に設定することが望ましい。

【００６５】また、上記実施形態においては、ｍ×ｎ個
のすべての画素６の容量６２に、データ信号ＤＴに応じ
た同一の電荷を蓄積させるようにしたが、一部の画素６
に対してのみかかる電荷を蓄積させるようにしてもよい
し、または各画素６ごとに異なる電圧のデータ信号ＤＴ
を与えて、各々の容量６２に異なる電荷を蓄積させるよ
うにしてもよい。

【００６６】（８）上記実施形態においては、電気光学
装置１００として液晶装置を例示したが、本発明を適用
できるのはこれに限られない。例えば、本発明を適用可
能な電気光学装置としては、液晶装置のほかにも、エレ
クトロルミネッセンス（ＥＬ）や、プラズマ発行や電子
放出による蛍光などを用いて、その電気光学効果により
表示を行う種々の電気光学装置が考えられる。この際、
電気光学物質としては、ＥＬ、ミラーデバイス、ガス、
蛍光体などとなる。なお、電気光学物質としてＥＬを用
いた場合、ＥＬが素子基板１０１における画素電極１０
６と対向電極１０７との間に介在することとなるので、
液晶装置にあっては必要であった対向基板１０２は不要
となる。

【００６７】＜Ｄ：電子機器＞次に、上述した実施形態
に係る電気光学装置を用いた電子機器のいくつかについ
て説明する。

【００６８】＜１：モバイル型コンピュータ＞まず、図
１１を参照して、上述した電気光学装置１００をモバイ
ル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説
明する。同図に示すように、コンピュータ４００は、キ
ーボード４０１を備えた本体部４０２と、表示部として
用いられる電気光学装置１００とを備えている。なお、
この電気光学装置の背面には、視認性を高めるためのバ
ックライトユニット（図示略）が設けられている。

【００６９】＜２：携帯電話機＞次に、図１２を参照し
て、上述した電気光学装置１００を携帯電話機の表示部
に適用した例について説明する。同図に示すように、携
帯電話機４１０は、複数の操作ボタン４１１のほか、受
話口４１２、送話口４１３とともに、上述した電気光学
装置１００を備える。

【００７０】本発明に係る電気光学装置によれば、各画
素や走査線・データ線の欠陥の有無について正確な検査
を行うことができるから、これが組み込まれた電子機器
においても、高い信頼性を担保することができる。な
お、本発明に係る電気光学装置を適用可能な電子機器と
しては、上述したモバイル型コンピュータおよび携帯電
話機のほかにも、液晶テレビや、ビューファインダ型・
モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーシ
ョン装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッ
サ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デ
ィジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器、電
気光学装置をライトバルブとして備えたプロジェクタ等
が挙げられる。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電気光学装置の配線や電極等の欠陥の有無について正確
な検査を行うことができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成
を示す平面図である。

【図２】 図１におけるＡ−Ａ’線視断面図である。

【図３】 同電気光学装置の電気的な構成を示すブロッ
ク図である。

【図４】 同電気光学装置において各画素の容量に電荷
を蓄積する際の動作を示すタイミングチャートである。

【図５】 同電気光学装置において各画素の容量に蓄積
された電荷に応じた電圧を検出する際の動作を示すタイ
ミングチャートである。

【図６】 同電気光学装置とは別の構成を採る他の液晶
装置の構成を示すブロック図である。

【図７】 上記他の電気光学装置において検出される、
各画素の容量に蓄積された電荷に応じた電圧の波形を説
明するためのタイミングチャートである。

【図８】 本発明の変形例に係る電気光学装置の電気的
な構成を示すブロック図である。

【図９】 本発明の変形例に係る電気光学装置の検査用
回路の構成を示すブロック図である。

【図１０】 本発明の変形例に係る電気光学装置の電気
的な構成を示すブロック図である。

【図１１】 本発明に係る電気光学装置を適用した電子
機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜
視図である。

【図１２】 同電気光学装置を適用した電子機器の一例
たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。

【符号の説明】

１……走査線駆動回路、２……データ線駆動回路、２１
……シフトレジスタ、２２……第１ラッチ回路、２３…
…第２ラッチ回路、３……検査用回路、３１……入力端
子、３２……シフトレジスタ（出力手段）、３２１……
クロック供給線、３３−ｊ（１≦ｊ≦ｎ）……遅延回路
（タイミング変更手段）、３４−ｊ（１≦ｊ≦ｎ）……
検査スイッチング素子、３５……読出信号線、３５１…
…出力端子、４−ｉ（１≦ｉ≦ｍ）……走査線、５−ｊ
（１≦ｊ≦ｎ）……データ線、６……画素、６１……画
素スイッチング素子、６２……容量、６２１……液晶容
量、６２２……蓄積容量、７……検査装置、７１……筐
体、７２……プローブ、１００……電気光学装置、１０
１……素子基板、１０２……対向基板、１０３……スペ
ーサ、１０４……シール材、１０５……液晶（電気光学
物質）、１０６……画素電極、１０７……対向電極、１
０８……容量線。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年１月２２日（２００１．１．２
２）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０Ｑ ５Ｃ０８０ 3/34 3/34 Ｚ 3/36 3/36 Ｆターム(参考） 2G014 AA02 AA03 AB21 AB59 AC09 2H088 FA13 FA30 HA02 HA06 HA08 KA24 MA16 2H092 GA59 JA24 JB77 MA57 MA58 NA30 PA06 2H093 NA16 NC10 NC12 NC16 NC22 NC26 NC34 NC59 ND56 NE03 5C006 BB16 BC11 BF07 EB01 5C080 AA10 BB05 DD15 DD28 FF11 JJ02 JJ04 JJ06

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 走査線とデータ線との交差に対応して設
   けられて容量の一端をなす画素電極と、前記画素電極と
   前記データ線との間に介挿された画素スイッチング素子
   とを具備する電気光学装置を、レベル変化を繰り返す動
   作指示信号に基づいて動作する検査用回路を用いて検査
   する方法であって、 前記画素スイッチング素子をオンさせることにより前記
   画素電極にデータ信号を与える第１過程と、 前記画素電極に印加された電圧を、前記検査用回路を用
   いて読出信号線に出力させる過程であって、前記動作指
   示信号のレベル変化のタイミングよりも遅れたタイミン
   グで、前記画素電極と前記データ線との間に介挿された
   検査スイッチング素子をオンさせる第２過程と、 前記読出信号線に出力された電圧が、当該画素電極に与
   えられたデータ信号に応じた電圧に対応するものである
   か否かを判定する第３過程とを有することを特徴とする
   電気光学装置の検査方法。
2. 【請求項２】 走査線とデータ線との交差に対応して設
   けられて容量の一端をなす画素電極と、前記画素電極と
   前記データ線との間に介挿された画素スイッチング素子
   とを具備する電気光学装置について、前記画素スイッチ
   ング素子をオンさせることにより前記画素電極にデータ
   信号を与えた後、当該画素電極に印加された電圧が当該
   データ信号に応じた電圧に対応するか否かを判定するた
   めに、前記画素電極に印加された電圧を読出信号線に出
   力させる回路であって、 前記データ線と前記読出信号線との間に介挿された検査
   スイッチング素子と、 レベル変化を繰り返す動作指示信号に基づいて動作する
   制御回路であって、当該動作指示信号のレベル変化のタ
   イミングよりも遅れたタイミングで、前記検査スイッチ
   ング素子をオンさせる制御回路とを具備することを特徴
   とする電気光学装置の検査用回路。
3. 【請求項３】 前記制御回路は、 前記動作指示信号のレベル変化のタイミングよりも、当
   該動作指示信号の周期の８分の１ないし４分の１に相当
   する時間だけ遅れたタイミングで、前記検査スイッチン
   グ素子をオンさせることを特徴とする請求項２に記載の
   電気光学装置の検査用回路。
4. 【請求項４】 前記制御回路に対して前記動作指示信号
   を入力するための入力端子と、前記読出信号線の出力端
   子とは、当該制御回路を挟んで反対の位置に設けられて
   いることを特徴とする請求項２または３に記載の電気光
   学装置の検査用回路。
5. 【請求項５】 前記制御回路は、 前記動作指示信号に基づいてレベル変化する制御信号を
   出力する出力手段と、 前記制御信号のレベル変化のタイミングを、前記動作指
   示信号のレベル変化のタイミングよりも遅らせるタイミ
   ング変更手段とを具備することを特徴とする請求項２な
   いし４のいずれかに記載の電気光学装置の検査用回路。
6. 【請求項６】 前記タイミング変更手段は、遅延手段で
   あることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の
   検査用回路。
7. 【請求項７】 走査線とデータ線との交差に対応して設
   けられて容量の一端をなす画素電極と、前記画素電極と
   前記データ線との間に介挿された画素スイッチング素子
   とを具備する電気光学装置について、前記画素スイッチ
   ング素子をオンさせることにより前記画素電極にデータ
   信号を与えた後、当該画素電極に印加された電圧が当該
   データ信号に対応するか否かを判定するために、前記画
   素電極に印加された電圧を読出信号線に出力させる回路
   であって、 前記データ線と前記読出信号線との間に介挿された検査
   スイッチング素子と、 レベル変化を繰り返す動作指示信号に基づいて、前記検
   査スイッチング素子をオンさせる制御回路と、 前記制御回路に対して前記動作指示信号を入力するため
   の入力端子と、 前記読出信号線の電圧を出力するための出力端子であっ
   て、前記制御回路に対して前記入力端子とは反対側に設
   けられた出力端子とを具備することを特徴とする電気光
   学装置の検査用回路。
8. 【請求項８】 走査線とデータ線との交差に対応して設
   けられて容量の一端をなす画素電極と、 前記画素電極と前記データ線との間に介挿された画素ス
   イッチング素子と、 前記画素スイッチング素子をオンさせることにより前記
   画素電極にデータ信号を与えた後、当該画素電極に印加
   された電圧が当該データ信号に応じた電圧に対応するか
   否かを判定するために、前記画素電極に印加された電圧
   を読出信号線に出力させる検査用回路とを具備し、 前記検査用回路は、 前記データ線と前記読出信号線との間に介挿された検査
   スイッチング素子と、 レベル変化を繰り返す動作指示信号に基づいて動作する
   制御回路であって、当該動作指示信号のレベル変化のタ
   イミングよりも遅れたタイミングで、前記検査スイッチ
   ング素子をオンさせる制御回路とを備えることを特徴と
   する電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記制御回路は、 前記動作指示信号のレベル変化のタイミングよりも、当
   該動作指示信号の周期の８分の１ないし４分の１に相当
   する時間だけ遅れたタイミングで、前記検査スイッチン
   グ素子をオンさせることを特徴とする請求項８に記載の
   電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記制御回路に対して前記動作指示信
    号を入力するための入力端子と、 前記読出信号線の電圧を出力するための出力端子であっ
    て、前記制御回路に対して前記入力端子とは反対側に設
    けられた出力端子とを具備することを特徴とする請求項
    ８または９に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記容量は、前記画素電極を一端と
    し、対向電極を他端とし、電気光学物質を挟持したもの
    であることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか
    に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 一端が前記画素電極に接続され、他端
    が容量線に接続された蓄積容量を具備することを特徴と
    する請求項８ないし１１のいずれかに記載の電気光学装
    置。
13. 【請求項１３】 前記制御回路は、 前記動作指示信号に基づいてレベル変化する制御信号を
    出力する出力手段と、 前記制御信号のレベル変化のタイミングを、前記動作指
    示信号のレベル変化のタイミングよりも遅らせるタイミ
    ング変更手段とを具備することを特徴とする請求項８な
    いし１２のいずれかに記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記タイミング変更手段は、遅延手段
    であることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装
    置。
15. 【請求項１５】 走査線とデータ線との交差に対応して
    設けられて容量の一端をなす画素電極と、 前記画素電極と前記データ線との間に介挿された画素ス
    イッチング素子と、 前記画素スイッチング素子をオンさせることにより前記
    画素電極にデータ信号を与えた後、当該画素電極に印加
    された電圧が当該データ信号に応じた電圧に対応するか
    否かを判定するために、前記画素電極に印加された電圧
    を読出信号線に出力させる検査用回路とを具備し、 前記検査用回路は、 前記データ線と前記読出信号線との間に介挿された検査
    スイッチング素子と、 レベル変化を繰り返す動作指示信号に基づいて、前記検
    査スイッチング素子をオンさせる制御回路と、 前記制御回路に対して前記動作指示信号を入力するため
    の入力端子と、 前記読出信号線の電圧を出力するための出力端子であっ
    て、前記制御回路に対して前記入力端子とは反対側に設
    けられた出力端子とを備えることを特徴とする電気光学
    装置。
16. 【請求項１６】 請求項８ないし１５のいずれかに記載
    の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。