JP2006343617A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度で検査を行う。
【解決手段】 電気光学装置は、複数の走査線及び複数の信号線と、複数の画素部と、２本の信号線の組の夫々に対応して設けられており、２本の信号線のうち一方の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に他方の信号線を介して基準電位としての第２電位信号が供給され、第１低電位信号又は第１高電位信号を出力する複数の第１増幅手段とを備える。更に、第１増幅手段とは画素アレイ領域に対して反対側に設けられており、一方の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に他方の信号線を介して第２電位信号が供給され、第２低電位信号又は第２高電位信号を出力する複数の第２増幅手段とを備える。
【選択図】 図３

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

従来、液晶装置等の表示装置は、携帯電話、プロジェクタ等の機器に広く使用されている。ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等を用いた液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合せて、その基板間に液晶を封入して構成されている。一般に、製造された液晶装置が正常に作動するかの検査は、完成品に対して行われる。例えば、所定の画像信号を液晶装置に表示データとして入力し、投影、表示等させることによって正しくデータが表示されるか、欠陥画素の有無のチェックが行われている。

しかし、完成品について検査を行う方法は、製造工程の管理面から見ると、好ましくない。理由は、基板の製造工程後に不良品が発見されるので、不良品の発見が遅れてしまうからである。

このため、工程管理への不良発見がフィードバックされるまでの時間が長くなる。その結果、歩留まり低下期間が長期化し、製造コストが上昇するからである。また、試作品の場合も、試作品の評価から設計にフィードバックされるまでに期間が長期化するため、開発期間の長期化、開発コストの上昇に繋がる。更に、製品完成後は、いわゆるリペア、即ち不良個所の修理が困難である。

そこで、基板の製造工程内において、不良の発見、特に、表示装置の欠陥画素の発見を行うことが望まれている。

そのような検査方法の一つとして、液晶表示装置の電極パッドに検査用プローブを接触させて、所定の電流を供給することによって、液晶表示装置の検査を行う技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。同様に、画素のコンデンサ容量特性から、ＴＦＴの各画素に所定の電圧を印加して、放電電流及び放電電圧の波形に基づいてＴＦＴの機能を検査する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

また、ＴＦＴ基板の画素電極に対応する検査用の対向電極を用いて、画素電極の電位の変化量を検出することによって、各画素電極の動作検査を行う技術も提案されている（例えば、特許文献３参照）。

特開平５−３４１３０２号公報 特開平７−３３３２７８号公報 特開平１０−１０４５６３号公報

しかしながら、上述した特許文献１及び特許文献３に記載の技術による場合、検査装置において、基板の外部から電極パッド等に所定のプローブ等を接触或いは近接させるための機械的な位置精度が要求される。その結果、機械的なアライメント精度を確保するために検査時間が長くなるという技術的な問題がある。更に、高精細な液晶表示装置の場合は、多くの電極パッドに対して細いプローブ等を機械的な制御を行って接触させなければならなくなり、これらの方法が適用できない場合もある。

また、上述した特許文献２に記載の方法では、液晶表示装置と測定装置間の各種容量成分、例えばソース線、ビデオ線、電極パッド端子等における容量が影響するため、画素自体の容量が比較的小さい場合には、十分な測定精度が得られないという技術的な問題がある。

本発明は、上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度を得られる検査を実現可能な電気光学装置を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、画素アレイ領域内で互いに交差するように配設された複数の走査線及び複数の信号線と、該複数の信号線と前記複数の走査線との交差に対応して設けられた複数の画素部と、該複数の信号線のうち２本の信号線を一組として構成される複数の信号線の組の夫々に対応して設けられており、前記２本の信号線のうち一方の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に前記２本の信号線のうち他方の信号線を介して基準電位としての第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する第１低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する第１高電位信号を出力する複数の第１増幅手段と、前記複数の信号線の組の夫々に対応して且つ前記第１増幅手段とは前記画素アレイ領域に対して反対側に設けられており、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号が供給されると共に前記他方の信号線を介して前記第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する第２低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する第２高電位信号を出力する複数の第２増幅手段とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えばＸ−ドライバ回路により画像信号が、データ線を介して各画素部に供給される。これと共に、Ｙ−ドライバ回路により走査線を介して走査信号が各画素部に供給される。画素部毎に設けられた例えば画素スイッチング用薄膜トランジスタ（以下、適宜「画素スイッチング用ＴＦＴ」という。）は、走査線にゲートが接続されており、走査信号に応じて画像信号を画素電極へ選択的に供給する。これらにより、例えば、画素電極及び対向電極間に挟持された、例えば液晶等の電気光学物質を各画素部で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。この際、蓄積容量によって、画素部における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。

本発明では特に、第１増幅手段を備える。第１増幅手段は、電気光学装置の動作時に先立って行われる検査時に、一方の信号線を介して第１高電位信号又は第１低電位信号を、例えば画素部の良否を判定する第１判定手段に出力する。尚、このような検査は、電気光学装置が一対の基板が貼り合わされる前段階である、例えば、素子アレイ基板、素子基板又はＴＦＴアレイ基板などと称される基板が完成した段階で好ましくは実施される。

より具体的には、この検査時には、例えば画素部から出力される第１電位信号が第２電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第２電位信号の電位に対する第１電位信号の電位の高いことが第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、第１増幅手段は第１電位信号に比べて電位が高められた第１高電位信号を一方の信号線を介して例えば第１判定手段に出力する。第１電位信号が第２電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第２電位信号の電位に対する第１電位信号の電位の低いことが第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、増幅手段は第１電位信号の電位を低くした後、電位が低く抑えられた第１低電位信号を一方の信号線を介して出力する。ここで、「第１電位信号」は、画素部の良否を反映した信号であり、より具体的には、例えば画素部の良否に応じて出力された信号である。画素部には、例えば検査に先立ち予め検査信号が供給されており、画素部の良否に応じて検査信号の電位から変動した電位を有する信号が第１電位信号として出力される。「画素部の良否」とは、画素部が不具合を有しているか否かを意味し、第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係は、画素部に生じた不具合に応じて異なる。「第２電位信号」は、第１電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位を有する。

第１判定手段は、例えば本発明の電気光学装置の有する基板の外部に設けられた外部回路であり、例えば、画素部に予め供給されていた、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位に対して高いか低いかという情報と、第２電位信号に基づいて第１増幅手段から出力された信号の電位と比較して第１高電位信号の電位又は第１低電位信号の電位が高いか低いかという情報とを比較する電圧論理によって画素部の良否を判定する。

このような判定手法によれば、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に、第１増幅手段から第１高電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素部、即ち第１電位信号の基になる検査信号が供給された画素部に不具合が発生していないと判断される。一方、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に第１増幅手段から第１低電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素部に何らかの不具合が発生していると判断される。第１電位信号の元になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に、第１増幅手段から第１低電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素部に不具合が発生していないことを意味する。第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に第１増幅手段から第１高電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素部、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部に何らかの不具合が発生していると判断される。

更に、本発明では特に、複数の信号線の組の夫々に対応して且つ第１増幅手段とは画素アレイ領域に対して反対側に、第２増幅手段を更に備える。第２増幅手段は、第１増幅手段と同様に、一方の信号線を介して第２高電位信号又は第２低電位信号を、例えば画素部の良否を判定する第２判定手段に出力する。

第２増幅手段によって、第１増幅手段とは画素アレイ領域に対して反対側からも第１電位信号及び第２電位信号を入力、言い換えれば検出することができ、第１増幅手段だけによる場合よりも、第１及び第２電位信号を高速に検出することができる。例えば、画素アレイ領域における第１増幅手段とは反対側の領域に設けられた、即ち第１増幅手段から離れた領域に位置する画素部からの第１及び第２電位信号を、第２増幅手段によっても検出することができる。第１増幅手段から離れた領域に位置する画素部ほど第２増幅手段に近いので、そのような画素部からの第１及び第２電位信号は、第２増幅手段によって、第１増幅手段だけによる場合よりも高速に検出することができる。即ち、例えば、第１判定手段に加えて、第２判定手段によっても高速に画素部の良否を判定することができる。逆に、第２増幅手段から離れた領域に位置する画素部については、例えば第１判定手段によって、第２増幅手段だけによる場合よりも高速に画素部の良否を判定することができる。従って、第１増幅手段及び第２増幅手段によって、画素アレイ領域におけるいずれの領域に位置する画素部の良否をも高速に判定することができる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度を得られる検査をすることができる。更に、画素アレイ領域におけるいずれの領域に位置する画素部からの第１及び第２電位信号も正確且つ高速に検出可能であり、画素部の良否を正確に且つ短時間で判定できる。しかも製造諸工程における比較的早い段階で、判定することも可能となる。これに伴い液晶装置等の電気光学装置の歩留まりを高めることができ、製造コストを低減することも可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１電位信号は、前記複数の画素部の全部又は一部に供給された信号であり、前記第２電位信号は、外部から供給される信号である。

この態様によれば、基準信号としての第２信号を外部から安定して供給することができるので、より確実に画素部の良否を判定することができる。即ち、画素部の不良を画素部毎により確実に不良として検出することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の第１及び前記複数の第２増幅手段の夫々は、前記複数の信号線の組毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有している。

この態様によれば、２本一組の信号線の組の夫々から、これら組毎に一つずつ電気的に接続された差動増幅回路に一括で第１及び第２電位信号を供給しつつ、２本一組の信号線の組毎に設けられた各差動増幅回路から高電位信号又は低電位信号を出力できる。即ち、第１及び第２電位信号の各々の電位の差を明確にして出力することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の画素部の夫々は、蓄積容量を有している。

この態様によれば、蓄積容量の不良を検出することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の信号線に夫々電気的に接続され、前記複数の画素部をプリチャージするプリチャージ回路を更に備える。

この態様によれば、検査前にプリチャージ回路から複数の画素部に対し例えば、第１電位信号の基となる検査信号を供給する、即ちプリチャージすることができ、実践上便利である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板の基板面における前記画素部からみて前記第１増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記２本一組の信号線の途中に電気的に接続された第１トランスミッションゲートと、該記第１トランスミッションゲートのオンオフを切り換える第１切換手段と、前記基板の基板面における前記画素部からみて前記第２増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記２本一組の信号線の途中に電気的に接続された第２トランスミッションゲートと、該記第２トランスミッションゲートのオンオフを切り換える第２切換手段とを更に備えており、前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記第１トランスミッションゲートが前記第１切換手段によってオン状態に切り換えられた状態で前記２本一組の信号線を介して前記第１増幅手段に供給されると共に前記第２トランスミッションゲートが前記第２切換手段によってオン状態に切り換えられた状態で前記２本一組の信号線を介して前記第２増幅手段に供給される。

この態様によれば、例えば画素部の良否を検査する際に、第１又は第２トランスミッションゲートをオン状態に切り換えることによって、第１及び第２電位信号を第１又は第２増幅手段に供給できるように２本一組の信号線を介して画素部及び第１又は第２増幅手段間を導通させることが可能である。第１及び第２トランスミッションゲートは夫々、第１及び第２切換手段によってオンオフが切り換えられる。第１及び第２トランスミッションゲートは、一方の信号線だけでなく他方の信号線の途中にも電気的に接続されており、第１電位信号を第１又は第２増幅手段に供給する際に、第１電位信号を第１又は第２増幅手段に供給するタイミングに合わせて他方の信号線を介して第２電位信号を第１又は第２増幅手段に供給できる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてＤＬＰ（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。加えて、このような電子機器は、上述した電気光学装置を含んでいるため、歩留まりが向上されている。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

（第１実施形態）
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図９を参照して説明する。

先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素アレイ領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、Ｘ−ドライバ回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路１１０が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、Ｙ−ドライバ回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、Ｘ−ドライバ回路１０１、Ｙ−ドライバ回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、Ｘ−ドライバ回路１０１、Ｙ−ドライバ回路１０４の他に、後述するように、本発明に係る「第１増幅手段」及び「第２増幅手段」の一例を夫々構成する複数の第１及び第２差動増幅回路、プリチャージ回路、第１及び第２トランスミッションゲート等が形成されている。

次に、図３から図７を参照して、本実施形態に係る液晶装置の回路構成について説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の主要な回路構成を示したブロック図である。図４は、画素部の電気的な構成を示す回路図である。図５は、プルダウン回路の電気的な構成を示す回路図である。図６は、検査時に予め信号が供給された画素部の状態を示す概念図である。図７は、プルアップ回路の電気的な構成を示す回路図である。以下では、説明を簡便にするためにひとまず図中左側から見て走査線Ｇｊ（ｊ＝１、２、・・・、ｎ；２以上の整数）の延びる方向に沿って奇数番目（即ち１番目、３番目、５番目、・・・）に配設された信号線Ｓｏｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは２以上の整数）が本発明の「一方の信号線」として選択され、偶数番目（０番目、２番目、４番目、・・・）に配設された信号線Ｓｅｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは整数）が本発明の「他方の信号線」として選択されている場合を前提にして説明する。

図３において、本実施形態の液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上にＹ−ドライバ回路１０４、Ｘ−ドライバ回路１０１、サンプリング回路１１０及び画素部７０を備えている。

Ｙ−ドライバ回路１０４は、画素部７０の検査時において、スイッチング信号を走査線毎に順次供給する。ここで、スイッチング信号とは、画像を表示する際に画素部７０に供給される画像表示用の走査信号とは異なる信号であり、予め画素部７０に供給された後述する検査信号を画素部７０から出力させるために画素部７０が備えるスイッチング素子をオン状態に切り換えるための信号である。

Ｘ−ドライバ回路１０１は、サンプリング回路１１０を構成するサンプリングスイッチ１１１にサンプリング信号を供給し、これらサンプリングスイッチ１１１をオン状態に切り換える。ここで、「サンプリング信号」とは、画像を表示する際にＸ−ドライバ回路１０１からサンプリング回路１１０に供給される信号とは異なり、後述する第１差動増幅回路１５又は第２差動増幅回路２１５から出力された第１又は第２高電位信号或いは第１又は第２低電位信号を信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ毎に外部のテスト回路に個別に出力するための信号である。

サンプリング回路１１０は、画素部７０を検査する際に、第１及び第２電位信号を、検査対象となる画素部７０が電気的に接続されている信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに対応させて出力させ、画像信号供給線１１２ｏ及び１１２ｅを介して外部のテスト回路に第１又は第２高電位信号或いは第１又は第２低電位信号を出力する。

画素部７０は、画像表示領域１０ａに信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉと走査線Ｇｊとの交差に対応して設けられている。

図４に示すように、画素部７０は、ＴＦＴ７３、液晶素子７２及び蓄積容量７３を備えている。

ＴＦＴ７１は、ソースが信号線Ｓｏｉ又はＳｅｉに電気的に接続されており、ゲートが走査線Ｇｊに電気的に接続されている。ＴＦＴ７１は、Ｙ−ドライバ回路１０４から供給されるスイッチング信号によってオンオフが切り換えられる。画素部７０は、第１電位信号を信号線Ｓｏｉに出力すると共に第２電位信号を信号線Ｓｅｉに出力する。液晶素子７２は、ＴＦＴアレイ基板１０及びＴＦＴアレイ基板１０に対応するように配置される対向基板間に注入される液晶と、この液晶を挟持する一対の電極を有している。蓄積容量７３は、画像表示が行われる際に画素部７０に供給された画像信号を一時的に保持し、複数の画素部７０のアクティブマトリクス駆動を可能にする。

再び図３において、本実施形態の液晶装置は特に、ＴＦＴアレイ基板１０上に、第１検査回路４及び第２検査回路２０４を更に備えている。

第１検査回路４は、本発明の「第１増幅手段」の一例を構成する複数の第１差動増幅回路１５、第1差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２１、第1差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２、イコライズ回路２３、電圧印加用配線２４、プリチャージ回路２５、本発明の「第１切換手段」の一例である第１接続回路２６、ＴＦＴ１１、１２ａ、１２ｂ、１３ｐ、及び１３ｎ、第１トランスミッションゲート６、複数の信号線Ｓｏｉ、及び複数の信号線Ｓｅｉを備えている。

信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは、画像表示領域１０ａから第１差動増幅回路１５まで夫々複数本延在されており、第１差動増幅回路１５の接続点Ｓｏ及びＳｅに夫々電気的に接続されている。信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは、画像表示領域１０ａに設けられた複数の走査線Ｇｊ（ｊ＝１、２、・・・、ｎ；ｎは２以上の整数）に交差するように画像表示領域１０ａの画像表示領域内に延在している。画像表示領域１０ａに設けられた画素部７０は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉと複数の走査線Ｇｊとの交差に合わせて配置され、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに電気的に接続されている。

第１接続回路２６は、第１テスト回路接続ゲート端子を介してテスト回路と電気的に接続された第１テスト信号供給線４５と、プルダウン回路３５とを備えている。第１テスト信号供給線４５は、画素部７０を検査する際に、テスト回路から供給された一系列のテスト信号を第１トランスミッションゲート６に供給する。プルダウン回路３５は、第１テスト信号供給線４５を介して第１トランスミッションゲート６に供給される第１テスト信号が変動しないように第１テスト信号供給線４５の電位を安定化させる。

図５に示すように、プルダウン回路３５は、電源ＶＤＤに電気的に接続されたゲート、アースされたソース、及び第１テスト信号供給線４５に電気的に接続されたドレインを備えたＴＦＴ１３５を備えており、第１テスト信号が供給される際に第１テスト信号供給線４５の電位が変動することを低減する。尚、プルダウン回路３２、３２、３３、３４、２３２及び２３５もプルダウン回路３５と同様の回路構成を有している。

再び図３において、第１トランスミッションゲート６は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の途中に設けられている。第１トランスミッションゲート６は、画素部７０からみて第１差動増幅回路１５に近い側に設けられており、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の途中に電気的に接続された複数のＴＦＴ１４を備えている。複数のＴＦＴ１４は、画素部７０を検査する際に第１テスト信号供給線４５を介して第１テスト回路から供給される第１テスト信号に応じて一括でオン状態に切り換えられる。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１差動増幅回路１５に供給される第１及び第２電位信号の供給路を確保でき、図４を参照して上述した画素部７０に設けられたＴＦＴ７１がオン状態に切り換えられていれば、各画素部７０から各第１差動増幅回路１５に信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１電位信号及び第２電位信号を一括で供給できる。

ここで、検査時において、複数の画素部７０には、予め所定電位の検査信号及び基準信号が供給されている。本実施形態では、図６に示すように、信号線Ｓｏｉに対応して設けられた画素部７０には、基準電位としての中間電位（図８中、「Ｍ」と示す。）よりも高い電位（以下、適宜「ＨＩＧＨ電位」という。図８中「Ｈ」と示す。）の検査信号が供給され、信号線Ｓｅｉに対応して設けられた画素部７０には、中間電位の基準信号が供給される。本実施形態では、中間電位を電源ＶＤＤの電源電圧Ｖｄｄの半分、即ちＶｄｄ／２とする。よって、画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態となる。

第１電位信号は、予め画素部７０に供給されていた検査信号が画素部７０から読み出された信号であり、画素部７０に生じた不具合に応じて検査信号の電位、即ちＨＩＧＨ電位と異なる電位で出力される。第２電位信号は、予め画素部７０に供給されていた基準信号が画素部７０から読み出された信号であり、第１電位信号と同時に信号線Ｓｅｉを介して第１差動増幅回路１５に供給される。第２電位信号、即ち基準信号の電位は、中間電位で出力される。中間電位とは、第１差動増幅回路１５が第１電位信号の電位の高低を判定する際に比較対象となる基準電位である。尚、第１電位信号は、複数の画素部７０の全部又は一部に供給された信号であり、第２電位信号は、外部から供給される信号であってもよい。この場合には、基準信号としての第２信号を外部から安定して供給することができるので、より確実に画素部７０の良否を判定することが可能となる。

イコライズ回路２３は、イコライズ信号供給線４３及びプルダウン回路３３を備えており、ＴＦＴ１１のオンオフを切り換えるためのプリチャージ信号がイコライズ信号供給線４３を介してＴＦＴ１１のゲートに供給される。プルダウン回路３３は、イコライズ信号供給線４３の電位が変動することを低減する。

プリチャージ回路２５は、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂのゲートに電気的に接続されたプリチャージ信号供給線４４と、プリチャージ信号供給線４４に電気的に接続されたプルダウン回路３４とを備えている。プリチャージ信号供給線４４はイコライズ信号供給線４３にも電気的に接続されている。プリチャージ信号供給線４４は、ＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのオンオフを切り換えるためにプリチャージ端子を介して外部から供給されたプリチャージ信号をＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのゲートに供給する。プルダウン回路３４は、プリチャージ信号供給線４４の電位の変動を低減する。

電圧印加用配線２４は、ＴＦＴ１２ａのソース及び１２ｂのドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂにプリチャージ電圧を印加する。プリチャージ電圧は、予め中間電位に設定されており、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂに供給される。尚、プリチャージ電圧は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１及び第２電位信号が第１差動増幅回路１５に供給される前にＴＦＴ１２ａ及び１２ｂに供給される。

ＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂは、プリチャージ信号によってオン状態に切り換えられ、第１及び第２電位信号が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに夫々供給される前に信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位差が小さくなるように信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位を設定する。より具体的には、ＴＦＴＦ１１のソース及びドレインと、ＴＦＴ１２ａのドレイン及びＴＦＴ１２ｂのソースの夫々が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに電気的に接続されており、プリチャージ信号がＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのゲートに供給された後、プリチャージ電圧がＴＦＴ１２ａ及び１２ｂの夫々のソース及びドレイン間に供給される。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位差を小さくするように、ＴＦＴ１１のソース及びドレイン間、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂの夫々のソース及びドレイン間に電流が流れ、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の電位が中間電位に等しくなる。従って、第１差動増幅回路１５が第１及び第２電位信号を比較する前提として、これら信号を第１差動増幅回路１５に供給する信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位を揃えることができる。

第１及び第２電位信号が、電位が揃った信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１差動増幅回路１５に供給された場合、画素部７０から出力された第１及び第２電位信号の電位の高低関係が維持されたまま第１及び第２電位信号が第１差動増幅回路１５に供給される。従って、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉ間の電位差に起因して変動することを低減でき、第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が逆転することを低減できる。

第１差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２１は、第１差動増幅回路用第１駆動信号供給線４１及びプルアップ回路３１を備えている。第１差動増幅回路用第１駆動信号供給線４１は、第１差動増幅回路１５に電気的に接続されたＴＦＴ１３ｐのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第１駆動信号ＳＡｐＥをＴＦＴ１３ｐのゲートに供給する。第１駆動信号ＳＡｐＥは、第１差動増幅回路１５を駆動するための駆動信号であり、後述するように第１差動増幅回路１５は、接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々に入力される信号のうち高い電位を有する信号の電位をより高くし、低い信号の電位をより低くするセンスアンプとして機能する。ＴＦＴ１３ｐはｐチャネル型のＴＦＴであり、ＴＦＴ１３ｐは第１駆動信号ＳＡｐＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを第１差動増幅回路１５の接続端子Ｓｐに供給する。

図７に示すように、プルアップ回路３１はゲートが接地されたｐチャネル型のＴＦＴ１３１を備えている。ＴＦＴ１３１は、第１差動増幅回路用第１駆動信号供給線４１に電源ＶＤＤを供給する。尚、プルアップ回路２３１もプルアップ回路３１と同様の回路構成を有している。

第１差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２は、第１差動増幅回路用第２駆動信号供給線４２及びプルダウン回路３２を備えている。第１差動増幅回路用第２駆動信号供給線４２は、第１差動増幅回路１５に電気的に接続されたＴＦＴ１３ｎのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第２駆動信号ＳＡｎＥをＴＦＴ１３ｎのゲートに供給する。ＴＦＴ１３ｎはｎチャネル型のＴＦＴであり、第２駆動信号ＳＡｎＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを第１差動増幅回路１５に供給する。プルダウン回路３２は、第１差動増幅回路用第２駆動信号供給線４２の電位を維持する。

第１差動増幅回路１５は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを一組とする信号線の組毎に一つずつ設けられている。第１トランスミッションゲート６がオン状態になった際に、第１及び第２電位信号が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々から第１差動増幅回路１５の接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々に供給される。第１差動増幅回路１５は、第１及び第２電位信号を比較することによって信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して、判定手段であるテスト回路に第１高電位信号又は第１低電位信号を出力する。

第２検査回路２０４は、第１検査回路４とは画像表示領域１０ａに対して反対に設けられている。第２検査回路２０４は、本発明の「第２増幅手段」の一例を構成する複数の第２差動増幅回路２１５、第２差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２２１、第1差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２２、本発明の「第２切換手段」の一例である第２接続回路２２６、ＴＦＴ２１３ｐ、及び２１３ｎ、第２トランスミッションゲート２０６、複数の信号線Ｓｏｉ、及び複数の信号線Ｓｅｉを備えている。

信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは、画像表示領域１０ａから第２差動増幅回路２１５まで夫々複数本延在されており、第２差動増幅回路２１５の接続点Ｓｏ及びＳｅに夫々電気的に接続されている。即ち、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉにおける画像表示領域１０ａの両側には、第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５が夫々電気的に接続されている。

第２接続回路２２６は、上述した第１接続回路２６と同様の回路構成を有している。即ち、第２接続回路２２６は、第２テスト回路接続ゲート端子を介して第２テスト回路と電気的に接続された第２テスト信号供給線２４５と、プルダウン回路２３５とを備えている。第２テスト信号供給線２４５は、画素部７０を検査する際に、テスト回路から供給された一系列のテスト信号を第２トランスミッションゲート２０６に供給する。プルダウン回路２３５は、第２テスト信号供給線２４５を介して第２トランスミッションゲート２０６に供給される第２テスト信号が変動しないように第２テスト信号供給線２４５の電位を安定化させる。

第２トランスミッションゲート２０６は、第１トランスミッションゲート６と同様に、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の途中に設けられている。第２トランスミッションゲート２０６は、画素部７０からみて第２差動増幅回路２１５に近い側に設けられており、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の途中に電気的に接続された複数のＴＦＴ２１４を備えている。複数のＴＦＴ２１４は、ＴＦＴアレイ基板１０を検査する際に第２テスト信号供給線２４５を介してテスト回路から供給されるテスト信号に応じて一括でオン状態に切り換えられる。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第２差動増幅回路２１５に供給される第１及び第２電位信号の供給路を確保でき、図４を参照して上述した画素部７０に設けられたＴＦＴ７１がオン状態に切り換えられていれば、各画素部７０から各第２差動増幅回路２１５に信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１電位信号及び第２電位信号を一括で供給できる。

第２差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２２１は、第１差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２１と同様の回路構成を有している。即ち、第２差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２２１は、第２差動増幅回路用第１駆動信号供給線２４１及びプルアップ回路２３１を備えている。第２差動増幅回路用第１駆動信号供給線２４１は、第２差動増幅回路２１５に電気的に接続されたＴＦＴ２１３ｐのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第１駆動信号ＳＡｐＥをＴＦＴ２１３ｐのゲートに供給する。第２差動増幅回路２１５は、第１差動増幅回路１５と同様に、接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々に入力される信号のうち高い電位を有する信号の電位をより高くし、低い信号の電位をより低くするセンスアンプとして機能する。ＴＦＴ２１３ｐはｐチャネル型のＴＦＴであり、ＴＦＴ２１３ｐは第１駆動信号ＳＡｐＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを第２差動増幅回路２１５の接続端子Ｓｐに供給する。プルアップ回路２３１は、第２差動増幅回路用第１駆動信号供給線２４１に電源ＶＤＤを供給する。

第２差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２２は、第１差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２と同様の回路構成を有している。即ち、第２差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２２は、第２差動増幅回路用第２駆動信号供給線２４２及びプルダウン回路２３２を備えている。第２差動増幅回路用第２駆動信号供給線２４２は、第２差動増幅回路２１５に電気的に接続されたＴＦＴ２１３ｎのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第２駆動信号ＳＡｎＥをＴＦＴ２１３ｎのゲートに供給する。ＴＦＴ２１３ｎはｎチャネル型のＴＦＴであり、第２駆動信号ＳＡｎＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを第２差動増幅回路２１５に供給する。プルダウン回路２３２は、第２差動増幅回路用第２駆動信号供給線２４２の電位を維持する。

第２差動増幅回路２１５は、第１差動増幅器１５と同様に、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉを一組とする信号線の組毎に一つずつ設けられている。第２トランスミッションゲート２０６がオン状態になった際に、第１及び第２電位信号が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々から第２差動増幅回路２１５の接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々に供給される。第２差動増幅回路２１５は、第１電位信号及び第２電位信号を比較することによって信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して、判定手段であるテスト回路に第２高電位信号又は第２低電位信号を出力する。

次に、図８を参照して、第１及び第２差動増幅回路の構成について詳細に説明する。図８は、第１差動増幅回路の電気的な構成を示す回路図である。尚、第２差動増幅回路２１５は、第１差動増幅回路と同様の回路構成を有している。以下では、第２差動増幅回路２１５の構成についての説明は、適宜省略する。

図８において、第１差動増幅回路１５は、ｐチャネル型のＴＦＴ５１及び５２と、ｎチャネル型のＴＦＴ５３及び５４とを備えた交差結合型の差動増幅回路である。より具体的には、ＴＦＴ５１及び５２が電気的に直列に接続された直列回路と、ＴＦＴ５３及び５４が電気的に直列に接続された直列回路とが電気的に並列に接続されている。ＴＦＴ５１のゲートが、ＴＦＴ５２及び５４の接続点Ｓｏに電気的に接続されている。ＴＦＴ５２のゲートは、ＴＦＴ５１及び５３の接続点Ｓｅに電気的に接続されている。ＴＦＴ５３のゲートは、ＴＦＴ５２及び５４の接続点Ｓｏに電気的に接続されている。ＴＦＴ５４のゲートは、ＴＦＴ５１及び５３の接続点Ｓｅに電気的に接続されている。接続点Ｓｏは、信号線Ｓｏｉに電気的に接続されており、接続点Ｓｅは、信号線Ｓｅｉに電気的に接続されている。ＴＦＴ５１及び５２の接続点Ｓｐは、ＴＦＴ１３ｐのドレインに電気的に接続されている。ＴＦＴ５３及び５４の接続点Ｓｎは、ＴＦＴ１３ｎのドレインに電気的に接続されている。尚、第２差動増幅回路２１５においては、接続点Ｓｅは、ＴＦＴ２１３ｐのドレインに電気的に接続されている。接続点Ｓｎは、ＴＦＴ２１３ｎのドレインに電気的に接続されている。

第１差動増幅回路１５は、第１電位信号が第２電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第１電位信号に比べて電位が高められた第１高電位信号を信号線Ｓｏｉを介して判定手段であるテスト回路に出力する。このように電位が高められた第１高電位信号によれば、第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より高いことを明確にできる。第１差動増幅回路１５は、第１電位信号が第２電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第１電位信号に比べて電位がより低くされた第１低電位信号を信号線Ｓｏｉを介して出力する。このような第１低電位信号によれば、第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より低いことを明確にできる。

信号線Ｓｅｉを介して第１差動増幅回路１５に供給される第２電位信号は、第１電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位である。第１電位信号は、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０に不具合が生じているか否か、即ち画素部７０の良否を反映した信号であり、第２電位信号と第１電位信号との電位差は、これら信号線の配線容量によって変動する電位の大きさに比べて僅かな大きさである。第１差動増幅回路１５は、第１電位信号の電位及び第２電位信号の高低関係が明確に判定できるように第１高電位信号又は第１低電位信号を出力する。

第２差動増幅回路２１５は、第１差動増幅回路１５と同様に、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係が明確に判定できるように第２高電位信号又は第２低電位信号を出力する。

次に、再び図３を参照して、テスト回路の動作原理について説明する。尚、ここでは説明を簡単にするため、第１差動増幅回路１５から出力される第１高電位信号又は第１低電位信号に基づくテスト回路の動作原理について説明する。テスト回路は、第２差動増幅回路２１５から出力される第２高電位信号又は第２高電位信号に基づいても同様に動作する。

図３に図示しない、テスト回路は、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０に不具合が生じているか否かを電圧論理に基づいて判定する。即ち、テスト回路は、画素部７０に予め供給されていた第１電位信号のもとになる検査信号の電位の第２電位信号の電位に対する高低関係と、中間電位及び第１高電位信号の電位又は第１低電位信号の電位の高低関係の情報とを比較することによって画素部７０に不具合が発生しているか否かを判定する。より具体的には、第１電位信号の元になる検査信号の電位が中間電位より高い場合に、第１差動増幅回路１５から第１高電位信号が出力されれば信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に不具合が発生していないとテスト回路は判定する。同様に第１電位信号のもとになる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に、第１差動増幅回路１５から第１低電位信号が出力されれば第１信号線に電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に不具合が発生していないとテスト回路は判定する。

第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に第１差動増幅回路１５から第１低電位信号が出力されれば、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号の基になる検査信号が供給された画素部７０に何らかの不具合が発生しているとテスト回路は判定する。第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に差動増幅回路１５から高電位信号が出力されれば信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に何らかの不具合が発生しているとテスト回路は判定する。

次に、図３及び図８を参照して、第１差動増幅回路が第１高電位信号又は第１低電位信号を出力する手順及び第２差動増幅回路が第２高電位信号又は第２低電位信号を出力する手順について説明する。ここでは、中間電位を有する第２電位信号の電位に比べて高い電位を有する第１電位信号が第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５に供給された場合を例に挙げて説明する。尚、第２差動増幅回路２１５が第２高電位信号又は第２低電位信号を出力する手順は、第１差動増幅回路が第１高電位信号又は第１低電位信号を出力する手順と同様である。以下では、第２差動増幅回路２１５が第２高電位信号又は第２低電位信号を出力する手順についての説明は、適宜省略する。

図３及び図８において、第１差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、ＴＦＴ１３ｎがオン状態に切り換えられ、ＴＦＴ１３ｎを介して接続点Ｓｎの電位がグランド電位に近づく。ＴＦＴ５３のソースの電位は中間電位に設定されているため、ＴＦＴ５３のソース・ドレイン間に電流が流れ、接続点Ｓｅの電位が低下する。このとき、ｐチャネル型のＴＦＴ５２のゲートは接続点Ｓｅに電気的に接続されているため、接続点Ｓｅの電位が低下していることによってＴＦＴ５２がオン状態に切り換えられる。第１差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、ＴＦＴ１３ｐがオン状態に切り換えられ、ＴＦＴ１３ｐを介して接続点Ｓｐに電源ＶＤＤが供給される。これにより、電源ＶＤＤがＴＦＴ１３ｐ及び５２を介して接続点Ｓｏに供給され、接続点Ｓｏの電位が高められる。

このようにして第１差動増幅回路１５は、第１電位信号の電位を高め、且つ第２電位信号の電位を低くする。第１差動増幅回路１５によれば、第１電位信号が中間電位より高い場合には、第１電位信号をより高い電位を有する第１高電位信号として第１テスト回路等の判定手段に出力できる。従って、第１テスト回路等の判定手段は、中間電位より低い電位を有する参照信号と第１高電位信号との電位の高低関係を明確に判断でき、電圧論理に基づいて画素部７０の良否を判定できる。

第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合には、上述したＴＦＴ５２及び５３と同様にＴＦＴ５１及び５４が動作し、第１電位信号に基づいて第１低電位信号が出力される。この場合には、中間電位に設定された第２電位信号は電位が高められた第１参照信号として出力され、これと共に第１電位信号は第１参照信号の電位より低い電位を有する第１低電位信号として出力される。尚、第１参照信号とは、第１差動増幅回路２１５から第２電位信号に基づいて出力された信号である。

第２差動増幅回路２１５においても、第１差動増幅回路１５と同様に、第１電位信号の電位を高め、且つ第２電位信号の電位を低くする。第２差動増幅回路２１５によれば、第１電位信号が中間電位より高い場合には、第１電位信号をより高い電位を有する第２高電位信号としてテスト回路等の判定手段に出力できる。従って、テスト回路等の判定手段は、中間電位より低い電位を有する参照信号と第２高電位信号との電位の高低関係を明確に判断でき、電圧論理に基づいて画素部７０の良否を判定できる。

第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合には、第１差動増幅回路１５と同様に、第１電位信号に基づいて第１低電位信号が出力される。この場合には、中間電位に設定された第２電位信号は電位が高められた第２参照信号として出力され、これと共に第１電位信号は参照信号の電位より低い電位を有する第２低電位信号として出力される。尚、第２参照信号とは、第２差動増幅回路２１５から第２電位信号に基づいて出力された信号である。

以上のように、本実施形態では特に、第１差動増幅回路１５に加え、第２差動増幅回路２１５を更に備えている。即ち、複数の信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの組の夫々に対応して且つ第１差動増幅回路１５とは画像表示領域１０ａに対して反対側に、第２差動増幅回路２１５を更に備えている。第２差動増幅回路２１５は、第１差動増幅回路１５と同様に、一方の信号線Ｓｏｉを介して第２高電位信号又は第２低電位信号を、画素部７０の良否を判定するテスト回路に出力する。

第２差動増幅回路２１５によって、第１差動増幅回路１５とは画像表示領域１０ａに対して反対側からも第１電位信号及び第２電位信号を入力、言い換えれば検出することができ、第１差動増幅回路１５だけによる場合よりも、第１及び第２電位信号を高速に検出することができる。例えば、画像表示領域１０ａにおける第１差動増幅回路１５とは反対側の領域に設けられた、即ち第１差動増幅回路１５から離れた領域に位置する画素部７０からの第１及び第２電位信号を、第２差動増幅回路２１５によっても検出することができる。第１差動増幅回路１５から離れた領域に位置する画素部７０ほど第２差動増幅回路２１５に近いので、そのような画素部７０からの第１及び第２電位信号は、第２差動増幅回路２１５によって、第１差動増幅回路１５だけによる場合よりも高速に検出することができる。即ち、第１高電位信号又は第１低電位信号に加えて、第２高電位信号又は第２低電子信号に基づいてテスト回路によって高速に画素部７０の良否を判定することができる。逆に、第２差動増幅回路２１５から離れた領域に位置する画素部７０については、第１高電位信号又は第１低電位信号に基づいてテスト回路によって、第２差動増幅回路２１５だけによる場合よりも高速に画素部７０の良否を判定することができる。従って、第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５によって、画像表示領域１０ａにおけるいずれの画素部７０の良否をも高速に判定することができる。

以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度を得られる検査をすることができる。更に、画像表示領域１０ａにおけるいずれの画素部７０からの第１及び第２電位信号も正確且つ高速に検出可能であり、画素部７０の良否を正確に且つ短時間で判定できる。これに伴い液晶装置の歩留まりを高めることができ、製造コストを低減することも可能である。

次に、図９を参照して、第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５が、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを介して第１又は第２高電位信号或いは第１又は第２低電位信号を出力する際の各種信号のタイミングを説明する。図９は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを介して各種信号を出力するタイミングを示したタイミングチャートである。尚、図９では、信号線Ｓｏｉに対応する画素部７０を検査対象とし、信号線Ｓｅｉに対応する画素部７０を基準とする。即ち、図６を参照して上述したように画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態となる場合を例にとる。

図９において、タイミングｔ１までに画素部７０には検査信号及び基準信号が供給されている。即ち、図６を参照して上述したように画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態となっている。プリチャージ回路２５は、プリチャージ信号供給線４４を介してタイミングｔ１にプリチャージ信号ＰＣＧをＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのゲートに供給する。ＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂはオン状態となり、電圧印加用配線２４を介してプリチャージ電圧が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに印加される。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの電位が中間電位に設定される。その後、プリチャージ回路２５は、タイミングｔ２にプリチャージ信号ＰＣＧの供給を終了する。

第１トランスミッションゲート６及び第２トランスミッションゲート２０６がオン状態に切り換えられた後、走査線Ｇ１は、タイミングｔ３においてスイッチング信号を画素部７０に供給し、第１及び第２電位信号が夫々、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを介して第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５に供給される。尚、走査線Ｇ１は、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０の全てにスイッチング信号を供給し、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０が備えるＴＦＴ７１がオン状態に切り換えられる。第１及び第２電位信号は、走査線Ｇ１に電気的に接続された複数の画素部７０の夫々からこれら画素部７０に対応する第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５に供給される。

ここで、画素部７０に不具合が生じていない場合には、予め画素部７０に供給された検査信号の電位と同様に、中間電位より高い電位、即ちＨＩＧＨ電位を有する第１電位信号が信号線Ｓｏｉを介して第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５に供給される。このとき、第１電位信号は、中間電位よりわずかに高い電位を有している。第２電位信号を出力する信号線Ｓｅｉの電位は、予め設定された中間電位であり、第１電位信号の電位より僅かに低い。このように、画素部７０に不具合が生じていない場合には、画素部７０に予め供給された検査信号の電位及び中間電位間の電位の高低関係が、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係にそのまま維持されている。

タイミングｔ４に第１差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、第１差動増幅回路１５は信号線Ｓｅｉの電位を低下させる。これにより、第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位より低い電位を有する接続点Ｓｅの電位は、第２電位信号を供給された時点より低い電位に下げられる。同様に、タイミングｔ４に第２差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２２からＴＦＴ２１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、第２差動増幅回路２１５は信号線Ｓｅｉの電位を低下させる。これにより、第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位より低い電位を有する接続点Ｓｅの電位は、第２電位信号を供給された時点より低い電位に下げられる。

タイミングｔ５において、第１差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、第１差動増幅回路１５は第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を第２電位信号が供給された時点の電位より高める。同様に、タイミングｔ５において、第２差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２２１からＴＦＴ２１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、第２差動増幅回路２１５は第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を第２電位信号が供給された時点の電位より高める。

タイミングｔ４及びｔ５の夫々において、第１差動増幅回路１５に供給された信号のうち低い電位を有する第２電位信号が供給された接続点Ｓｅの電位はより低く下げられ、高い電位を有する第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位はより高く上げられる。これにより、接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々の電位の高低関係が明確になる。第１差動増幅回路１５は、接続点Ｓｏの電位を有する第１高電位信号を信号線Ｓｏｉを介してテスト回路等の判定手段に出力する。これと同時に第１差動増幅回路１５は、接続点Ｓｅの電位を有する参照信号を信号線Ｓｅｉを介してテスト回路等の判定手段に出力する。同様に、第２差動増幅器２１５は、接続点Ｓｏの電位を有する第２高電位信号を信号線Ｓｏｉを介してテスト回路等の判定手段に出力する。これと同時に第２差動増幅回路２１５は、接続点Ｓｅの電位を有する参照信号を信号線Ｓｅｉを介してテスト回路等の判定手段に出力する。

テスト回路は、第１高電位信号及び第１参照信号を比較する。第１高電位信号は第１電位信号より電位が高められており、且つ第１参照信号は中間電位より電位が下げられているので、テスト回路は、第２電位信号及びこの第２電位信号よりわずかに高い電位を有する第１電位信号を比較する場合に比べて、第１高電位信号の電位が第１参照信号の電位より高いことを明確に判定できる。同様に、第２高電位信号の電位が第２参照信号の電位より高いことを明確に判定できる。ここで、検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、第１高電位信号の電位及び第１参照信号の電位或いは第１高電位信号の電位及び第２参照信号の高低関係は一致しているため、テスト回路は被検査対象である画素部７０に不具合が生じていないと判定する。

次に、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部の良否を判定するために、タイミングｔ６からｔ７間において、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉにプリチャージ電圧が供給され、これら信号線が再び中間電位に設定される。

タイミングｔ８において、走査線Ｇ２がスイッチング信号を出力し、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０にスイッチング信号が供給される。スイッチング信号が供給された画素部７０は、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０と同様に第１電位信号を信号線Ｓｏｉを介して第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路に出力する。このとき、信号線Ｓｅｉは第２電位信号を第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５に供給する。これにより、走査線Ｇ１と同様にして信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０のうち走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０に対応した第１高電位信号又は第１低電位信号、及び第１及び第２参照信号が差動増幅回路から各信号線を介してテスト回路に出力され、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０の良否を判定できる。このようにして、順次走査線Ｇ３、Ｇ４、・・・、Ｇｎの夫々に電気的に接続された画素部の良否を順次判定することが可能である。加えて、すでに述べたように、各第１差動増幅回路１５から出力される第１高電位信号又は第１低電位信号、及び第１参照信号をサンプリング回路１１０を介して差動増幅回路１５毎にテスト回路に出力できることから、画素部７０毎に良否を判定することが可能であり、画像表示領域１０ａに配置された複数の画素部７０の一つ一つについて不具合が生じていないことを確認できる。

次に、図９を参照して、画素部に不具合が生じている場合について説明する。

画素部７０は、図６を参照して上述したように画像表示領域１０ａにおいて、中間電位の信号が供給された画素部７０の列とＨＩＧＨ電位の信号（即ち、検査信号）が供給された画素部７０の列が交互に配列された状態になっている。走査線Ｇ１からスイッチング信号が画素部７０に供給されたタイミングｔ３において、画素部７０は中間電位より僅かに低い電位を有する第１電位信号を第１差動増幅回路１５に供給する。尚、中間電位より低い電位を有する第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を図中点線で示したＬ０とする。ここで、第１電位信号が中間電位より低い電位を有しているのは、例えば電流リークが生じているＴＦＴ、或いは電流リークが生じている蓄積容量７３を画素部７０が含んでいる場合に相当する。同様に、画素部７０は中間電位より僅かに低い電位を有する第１電位信号を第２差動増幅回路２１５にも供給する。ここで特に、画素部７０から第１電位信号が第１差動増幅回路１５及び第２差動増幅回路２１５に供給されるまでの時間は、その画素部７０が画像表示領域１０ａにおけるいずれの領域に位置するかによって相異する。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、その画素部７０と第２差動増幅回路２１５との距離が、その画素部７０と第１差動増幅回路１５との距離よりも短い場合には、第１差動増幅回路１５に供給されるよりも短時間で第１電位信号が第２差動増幅回路２１５に供給されることとなる。また、逆に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、その画素部７０と第１差動増幅回路１５との距離が、その画素部７０と第２差動増幅回路２１５との距離よりも短い場合には、第２差動増幅回路２１５に供給されるよりも短時間で第１電位信号が第１差動増幅回路１５に供給されることとなる。よって、画像表示領域１０ａのいずれの領域に位置する画素部７０についても、一つの差動増幅回路だけによる場合よりも短時間で、第１差動増幅回路１５又は第２差動増幅回路２１５に第１電位信号を供給することができる。

タイミングｔ４において、第１差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、第１差動増幅回路１５は、中間電位より低い電位を有する第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を更に低い電位に低下させる（図中点線Ｌ１で示す）。より具体的には、第１差動増幅回路１５の接続点Ｓｏに供給された第１電位信号の電位は、第１差動増幅回路１５の接続点Ｓｅに供給された第２電位信号の電位より僅かに低いため、第１差動増幅回路１５は第１電位信号及び第２電位信号の電位を比較し、信号線Ｓｏｉの電位をより低い電位に下げる。第１差動増幅回路１５は、接続点Ｓｏの電位と等しい電位を有する低電位信号を出力する。第２差動増幅回路２１５についても同様に、第２差動増幅回路用第２駆動信号供給回路２２２からＴＦＴ２１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、第２差動増幅回路２１５は、中間電位より低い電位を有する第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を更に低い電位に低下させる（図中点線Ｌ１で示す）。より具体的には、第２差動増幅回路１５の接続点Ｓｏに供給された第１電位信号の電位は、第２差動増幅回路２１
５の接続点Ｓｅに供給された第２電位信号の電位より僅かに低いため、第２差動増幅回路２１５は第１電位信号及び第２電位信号の電位を比較し、信号線Ｓｏｉの電位をより低い電位に下げる。第２差動増幅回路２１５は、接続点Ｓｏの電位と等しい電位を有する低電位信号を出力する。

タイミングｔ５において、第１差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、差動増幅回路１５は第２電位信号の電位を高める。接続点Ｓｅの電位は第１差動増幅回路１５によって電位が下げられた接続点Ｓｏの電位より高い電位であるため、第１差動増幅回路１５は、接続点Ｓｅの電位を中間電位より高い電位に高める。第１差動増幅回路１５は、中間電位より電位が高められた接続点Ｓｅの電位と等しい電位を有する第１参照信号を出力する。第２差動増幅回路用第１駆動信号供給回路２２１からＴＦＴ２１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、第２差動増幅回路２１５は第２電位信号の電位を高める。接続点Ｓｅの電位は第２差動増幅回路２１５によって電位が下げられた接続点Ｓｏの電位より高い電位であるため、第１差動増幅回路２１５は、接続点Ｓｅの電位を中間電位より高い電位に高める。第２差動増幅回路２１５は、中間電位より電位が高められた接続点Ｓｅの電位と等しい電位を有する第２参照信号を出力する。

この結果、テスト回路は、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々に供給された第１電位信号及び第２電位信号の高低関係が維持されたままの第１又は第２低電位信号及び第１又は第２参照信号を検出する。テスト回路は、第１電位信号より電位が下げられた第１又は第２低電位信号を検出することによって第１電位信号の電位が中間電位より低いことを明確に検出できる。尚、第１低電位信号及び中間電位の高低関係は中間電位の電位に対する検査信号の電位の高低関係とは逆であり、このような場合にはテスト回路は画素部７０に不具合が生じていると判定する。

このように、本実施形態の液晶装置によれば、予め画素部７０に供給された検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、テスト回路で電位が比較される第１又は第２高電位信号或いは第１又は第２低電位信号の電位、及び第１又は第２参照信号の電位の高低関係が一致するか否かを判定することによって、画素部７０に不具合が生じているか否かを判定できる。更に、画像表示領域１０ａにおけるいずれの領域に位置する画素部７０からの第１及び第２電位信号も正確且つ高速に検出可能であり、画素部７０の良否を正確に且つ短時間で判定できる。これに伴い液晶装置等の電気光学装置の歩留まりを高めることができ、製造コストを低減することも可能である。

（電子機器）
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１０に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１１において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１２は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１２において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。

尚、図１０から図１２を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ'の断面図である。 液晶装置の主要な回路構成を示したブロック図である。 画素部の電気的な構成を示す回路図である。 プルダウン回路の電気的な構成を示す回路図である。 検査時に予め信号が供給された画素部の状態を示す概念図である。 プルアップ回路の電気的な構成を示す回路図である。 第１差動増幅回路の電気的な構成を示す回路図である。 液晶装置の検査時における各種信号の出力するタイミングを示したタイミングチャートである。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。

符号の説明

９ａ…画素電極、４…第１検査回路、６…第１トランスミッションゲート、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１５…第１差動増幅回路、２０…対向基板、２５…プリチャージ回路、５０…液晶層、７０…画素部、７３…蓄積容量、１０１…Ｘ−ドライバ回路、１０４…Ｙ−ドライバ回路、１１０…サンプリング回路、２０４…第２検査回路、２１５…第２差動増幅回路、２０６…第２トランスミッションゲート、Ｇｊ…走査線、Ｓｏｉ、Ｓｅｉ…信号線

Claims (7)

1. 基板上に、
   画素アレイ領域内で互いに交差するように配設された複数の走査線及び複数の信号線と、
   該複数の信号線と前記複数の走査線との交差に対応して設けられた複数の画素部と、
   該複数の信号線のうち２本の信号線を一組として構成される複数の信号線の組の夫々に対応して設けられており、前記２本の信号線のうち一方の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に前記２本の信号線のうち他方の信号線を介して基準電位としての第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する第１低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する第１高電位信号を出力する複数の第１増幅手段と、
   前記複数の信号線の組の夫々に対応して且つ前記第１増幅手段とは前記画素アレイ領域に対して反対側に設けられており、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号が供給されると共に前記他方の信号線を介して前記第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する第２低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する第２高電位信号を出力する複数の第２増幅手段と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１電位信号は、前記複数の画素部の全部又は一部に供給された信号であり、
   前記第２電位信号は、外部から供給される信号であること
   を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記複数の第１及び前記複数の第２増幅手段の夫々は、前記複数の信号線の組毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記複数の画素部の夫々は、蓄積容量を有していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記複数の信号線に夫々電気的に接続され、前記複数の画素部をプリチャージするプリチャージ回路を更に備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記基板の基板面における前記画素部からみて前記第１増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記２本一組の信号線の途中に電気的に接続された第１トランスミッションゲートと、
   該記第１トランスミッションゲートのオンオフを切り換える第１切換手段と、
   前記基板の基板面における前記画素部からみて前記第２増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記２本一組の信号線の途中に電気的に接続された第２トランスミッションゲートと、
   該記第２トランスミッションゲートのオンオフを切り換える第２切換手段とを更に備えており、
   前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記第１トランスミッションゲートが前記第１切換手段によってオン状態に切り換えられた状態で前記２本一組の信号線を介して前記第１増幅手段に供給されると共に前記第２トランスミッションゲートが前記第２切換手段によってオン状態に切り換えられた状態で前記２本一組の信号線を介して前記第２増幅手段に供給されること
   を特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
   

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